JPS60131971A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS60131971A JPS60131971A JP24123483A JP24123483A JPS60131971A JP S60131971 A JPS60131971 A JP S60131971A JP 24123483 A JP24123483 A JP 24123483A JP 24123483 A JP24123483 A JP 24123483A JP S60131971 A JPS60131971 A JP S60131971A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、機能性膜、殊に半導抹デバイス或いは電子写
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。
例えば、水素化、ハロゲン化、或いはハロゲン含有水素
化アモルファスシリコン（以ｆｆ１ｒＡ−８ｉ （Ｈ，
Ｘ） Ｊと記す）膜或いは、微結晶、多結晶のシリコン
膜等のシリコン含有堆積膜の形成には、真空蒸着法、プ
シズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法１反応性スパッタリング法、
イオンブレーティング法□、光ＣｖＤ法などが試みられ
ており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ
、企業化されている。
化アモルファスシリコン（以ｆｆ１ｒＡ−８ｉ （Ｈ，
Ｘ） Ｊと記す）膜或いは、微結晶、多結晶のシリコン
膜等のシリコン含有堆積膜の形成には、真空蒸着法、プ
シズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法１反応性スパッタリング法、
イオンブレーティング法□、光ＣｖＤ法などが試みられ
ており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ
、企業化されている。
百年らシリコン含有堆積膜は電気的、光学的特性及び、
繰返し使用での疲労特性あるいは使用環境特性、更には
均一性、再現性を含めて生産性、情意性の点において、
更に総合的な特性の向上を図る余地がある。
繰返し使用での疲労特性あるいは使用環境特性、更には
均一性、再現性を含めて生産性、情意性の点において、
更に総合的な特性の向上を図る余地がある。
又、従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法による
Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成に於ての反応プロセス
は、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その
反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基板温度、導入
ガスの流散と比、形成時の圧ヵ、高周波電ヵ、電極構造
１反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）
これらの多くのパラメータの組み合せによるため、時に
はプラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に
著しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ
、装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければな
らず、したがって製造条件を一般化することがむずかし
いというのが実状であった。
Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜の形成に於ての反応プロセス
は、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その
反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基板温度、導入
ガスの流散と比、形成時の圧ヵ、高周波電ヵ、電極構造
１反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）
これらの多くのパラメータの組み合せによるため、時に
はプラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に
著しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ
、装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければな
らず、したがって製造条件を一般化することがむずかし
いというのが実状であった。
一方、シリコン含有堆積膜として電気的、光学的特性が
各用途を十分に満足させ得るものを発現させるためには
、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが最
良とされている。
各用途を十分に満足させ得るものを発現させるためには
、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが最
良とされている。
百年ら、シリコン含有堆積膜の応用用途によっては、大
面積化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分満足させて
再現性のある量産化を図らねばならないため、プラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン含有堆積膜の形成においては、
量産装置に多大な設備投資が必要となり、またその微意
の為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、
装−の調整も微妙であることがら、これらのことが、今
後改善すべき問題点として指摘されている。他方、通常
の熱ＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必要とし、
実用可能な特性を有する堆積膜が得られてぃなかった。
面積化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分満足させて
再現性のある量産化を図らねばならないため、プラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン含有堆積膜の形成においては、
量産装置に多大な設備投資が必要となり、またその微意
の為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、
装−の調整も微妙であることがら、これらのことが、今
後改善すべき問題点として指摘されている。他方、通常
の熱ＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必要とし、
実用可能な特性を有する堆積膜が得られてぃなかった。
上述の如く、シリコン含有堆積膜の形成に於て、その実
用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな装置
で量産化できる形成方法を開発することが切望されてい
る。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シリコ
ン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同
様のことがいえる。
用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな装置
で量産化できる形成方法を開発することが切望されてい
る。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シリコ
ン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同
様のことがいえる。
〔目 的」
本発明の目的は、上述した従来法の問題を解消すると同
時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法を
提供するものである。
時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法を
提供するものである。
本発明の他の目的は堆積膜を形成する堆積膜形成空間（
４）に於て、従来のプラズマ反応を用いる堆積膜形成法
に較べて低エネルギーで膜形成出来ると同時に形成され
る膜の特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら、膜
形成条件の管理の簡素化、量産化を容易に達成させるこ
とである。
４）に於て、従来のプラズマ反応を用いる堆積膜形成法
に較べて低エネルギーで膜形成出来ると同時に形成され
る膜の特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら、膜
形成条件の管理の簡素化、量産化を容易に達成させるこ
とである。
本発明の堆積膜形成法は、所望の基体上にシリコン含有
堆積膜を形成する膜形成空間（４）内に、Ｓｉ、Ｘｌｎ
＋ ２ （ｎ ＝ １．２．＝・・・・）で表わされる
ハロゲン化ケイ素を分解することにより得られる活−住
棟（ａ）と、鎖状シラン、環状構造を有するシラン及び
これ等のハロゲン置換体の中より選択される少なくとも
一種とを含むガス雰囲気を形成し、該ガス雰囲気中に放
電を生起させることによって堆積膜を形成することを特
徴とする。
堆積膜を形成する膜形成空間（４）内に、Ｓｉ、Ｘｌｎ
＋ ２ （ｎ ＝ １．２．＝・・・・）で表わされる
ハロゲン化ケイ素を分解することにより得られる活−住
棟（ａ）と、鎖状シラン、環状構造を有するシラン及び
これ等のハロゲン置換体の中より選択される少なくとも
一種とを含むガス雰囲気を形成し、該ガス雰囲気中に放
電を生起させることによって堆積膜を形成することを特
徴とする。
本発明の方法では、所望のシリコン含有堆積膜を形成す
る堆積膜形成空間囚で従来に較べ低消費エネルギーで堆
積膜を形成することが出来ること及び放電を利用しない
ことから、従来の放電を利用するプラズマＣＶＤに於い
て問題となっていた放電の乱れ、′放電による膜表面の
ダメージ等が著しく抑制される一方、従来の熱ＣＶＤ法
と較べてもより低温度領域で膜形成することが出来、且
つ高膜品質を確保すると同時に高堆積速度で膜形成する
ことが出来る。
る堆積膜形成空間囚で従来に較べ低消費エネルギーで堆
積膜を形成することが出来ること及び放電を利用しない
ことから、従来の放電を利用するプラズマＣＶＤに於い
て問題となっていた放電の乱れ、′放電による膜表面の
ダメージ等が著しく抑制される一方、従来の熱ＣＶＤ法
と較べてもより低温度領域で膜形成することが出来、且
つ高膜品質を確保すると同時に高堆積速度で膜形成する
ことが出来る。
更に、堆積膜の形成パラメーターが導入する活性種の導
入量、基体及び堆積膜形成空間内の温度、堆積膜形成空
間内・の内圧と、従来に較べてパラメーターが少なく従
って、堆積膜形成のコントロールが容易にな夛、再現性
、量産性のある堆積膜形成法である。
入量、基体及び堆積膜形成空間内の温度、堆積膜形成空
間内・の内圧と、従来に較べてパラメーターが少なく従
って、堆積膜形成のコントロールが容易にな夛、再現性
、量産性のある堆積膜形成法である。
本発明では、堆積空間囚に導入される分解空間（Ｊ３）
からの活性種（ａ）は、その寿命が数秒以上あるものが
好ましく、この寿命を考慮して、所望の装置が設計され
る。本発明に於いてはこの活性種（ａ）の構成要素が堆
積空間囚で形成させる堆積膜を構成する成分を構成する
ものの１つとなる。
からの活性種（ａ）は、その寿命が数秒以上あるものが
好ましく、この寿命を考慮して、所望の装置が設計され
る。本発明に於いてはこの活性種（ａ）の構成要素が堆
積空間囚で形成させる堆積膜を構成する成分を構成する
ものの１つとなる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法と違
う点の１つは、あらかじめ堆積膜形成空間囚とは異なる
空間に於いて活性化された活性種（ａ）を使うことであ
る。このことにより。
う点の１つは、あらかじめ堆積膜形成空間囚とは異なる
空間に於いて活性化された活性種（ａ）を使うことであ
る。このことにより。
従来のＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法よシ堆積速度を飛躍
的に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基体温
度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安
定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供
出来る。
的に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基体温
度も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安
定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供
出来る。
更には、鎖状シラン、環状構造を有するシラン及びこれ
等のハロゲン置換体の中より選択されて使用される化合
物（以後「化合初回」と記す）を、堆積膜形成空間回内
に於いて放電エネルギーによって活性種（ｂ）に分解さ
れる際に、分解速度を大幅に向上させることができ、ま
た、分解を低エネルギーでおこなうことができる。
等のハロゲン置換体の中より選択されて使用される化合
物（以後「化合初回」と記す）を、堆積膜形成空間回内
に於いて放電エネルギーによって活性種（ｂ）に分解さ
れる際に、分解速度を大幅に向上させることができ、ま
た、分解を低エネルギーでおこなうことができる。
また、従来に比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を
大幅に向上させることができる。
大幅に向上させることができる。
本発明に於いて、有効に使用される５ｉｎＸ２ｎ＋を及
び化合初回としては、具体的には以下に示される化合物
を挙げることが出来る。
び化合初回としては、具体的には以下に示される化合物
を挙げることが出来る。
（］） Ｓ １ ｎ）Ｃｖｎ ＋２
ＳｉＦ’４＋ ５ｉｔＦｅ ＊ ５ｉｓＦａ ｒ ５ｉ
４Ｆｔ。、 Ｓｔ、（Ｊ、 ＋５ｉＦｚＣｊｌ！ｔ ＊
５ｉｔＦ＋Ｃ４！ｔ −８ｉＢｒｔＦｔ（２）化合物
（４） （ａ）鎖状シラン ＳｉＨ＋ ＋ ５ｉｔＨａ ＊ ５ｉｓＨａ ＊ ５ｉ
４Ｈｔｏ ＋Ｓ ｉＨ，Ｓ ｉＨ（Ｓ ｉＨ，）Ｓ ｉ
Ｈ。
４Ｆｔ。、 Ｓｔ、（Ｊ、 ＋５ｉＦｚＣｊｌ！ｔ ＊
５ｉｔＦ＋Ｃ４！ｔ −８ｉＢｒｔＦｔ（２）化合物
（４） （ａ）鎖状シラン ＳｉＨ＋ ＋ ５ｉｔＨａ ＊ ５ｉｓＨａ ＊ ５ｉ
４Ｈｔｏ ＋Ｓ ｉＨ，Ｓ ｉＨ（Ｓ ｉＨ，）Ｓ ｉ
Ｈ。
（ｂ）ハロゲン化鎖状シラン
５ｉＨ２Ｃ／ｌ 、 ５ｉＨ２ＣＡ’ ＋ ５ｉ２Ｈ４
Ｃ１ｔ ＋ ５ｉｓＨｅＣ４（ｃ）環状シラン ５１ｍＨ６、５ｉｓＨ１ｏ 、 ５ｉ６Ｈｔｔ ＋ ５
ｉｓＨ＊（ＳｉＨｍ） ＋５ｉｅＨＢ （ＳｉＨ３） （ｄ）ハロゲン化環状シラン ５ｉｓＨ６Ｃ＃４ ＋ ５ｉ６Ｈ＠Ｃ／４＋ ５ｉｓＨ
ｅＢｒ４１ＳｉｓＨａＣｌＪｒｔ （ｅ）アルキル基含有シラン ５ｉＨ３Ｓｉ （ＣＨ３） 、 ５ｉＨ８ＳｉＨ！Ｓｔ
（ＣＨ３）８ＳｉＨｓＳｉＨｚＳｉＨｔＳｉ（ＣＨｓ）
ａ ＊ ５１ｇｎ５（ＣＨｓ） ＋５ｉＨｚ （ＯＣＨ
３）ＳｉＨｔＳｉ（ＣＨｓ ） ｓ ＋ＳｉＨｔ（Ｃａ
Ｈｓ）Ｓｔ（ＣＨｓ）ｍ（ｆ）アルキル基含有ハロゲン
化シラン５ｉＨｔｅｌ！５ｔ）ｌｔｓｉ （Ｃ’Ｈｓ
） ｓ ＋ ５ｉＨｔＢｒＳ ｉ （ＣＨｓ ） ｓ
。
Ｃ１ｔ ＋ ５ｉｓＨｅＣ４（ｃ）環状シラン ５１ｍＨ６、５ｉｓＨ１ｏ 、 ５ｉ６Ｈｔｔ ＋ ５
ｉｓＨ＊（ＳｉＨｍ） ＋５ｉｅＨＢ （ＳｉＨ３） （ｄ）ハロゲン化環状シラン ５ｉｓＨ６Ｃ＃４ ＋ ５ｉ６Ｈ＠Ｃ／４＋ ５ｉｓＨ
ｅＢｒ４１ＳｉｓＨａＣｌＪｒｔ （ｅ）アルキル基含有シラン ５ｉＨ３Ｓｉ （ＣＨ３） 、 ５ｉＨ８ＳｉＨ！Ｓｔ
（ＣＨ３）８ＳｉＨｓＳｉＨｚＳｉＨｔＳｉ（ＣＨｓ）
ａ ＊ ５１ｇｎ５（ＣＨｓ） ＋５ｉＨｚ （ＯＣＨ
３）ＳｉＨｔＳｉ（ＣＨｓ ） ｓ ＋ＳｉＨｔ（Ｃａ
Ｈｓ）Ｓｔ（ＣＨｓ）ｍ（ｆ）アルキル基含有ハロゲン
化シラン５ｉＨｔｅｌ！５ｔ）ｌｔｓｉ （Ｃ’Ｈｓ
） ｓ ＋ ５ｉＨｔＢｒＳ ｉ （ＣＨｓ ） ｓ
。
５ｉＨｔＯＣＨｓＳｉＨｔＳｉ（ＣＨｓ ）ｔｓｉ（Ｊ
’Ｈｔ本発明に於いては、上記の具体的な化合物（５）
の中、その目的をよシ効果的に達成する為には、詰り、
高膜品質の確保と低エネルギー高速成膜を効率良く具現
化する為には、水素原子数が偶数のものを少なくとも一
種選択して使用するのが望ましい。
’Ｈｔ本発明に於いては、上記の具体的な化合物（５）
の中、その目的をよシ効果的に達成する為には、詰り、
高膜品質の確保と低エネルギー高速成膜を効率良く具現
化する為には、水素原子数が偶数のものを少なくとも一
種選択して使用するのが望ましい。
本発明の堆積膜形成法に於いては、一般式８１１Ｘｔｎ
＋２ で表わされる化合物は、膜形成空間（５）内に導
入される前に予め別の空間〔活性種形成゛゛空間Ｂ）〕
に於いて、所望のエネルギーによって活性化され、次い
で活性状態で′膜形成空間回内に導入されることから、
例えば従来、工業的ベースの生産に於いて難しいとされ
ていた、電気的及び光電的に優れたハロゲン含有シリコ
ン堆積膜を形成することが出来る。
＋２ で表わされる化合物は、膜形成空間（５）内に導
入される前に予め別の空間〔活性種形成゛゛空間Ｂ）〕
に於いて、所望のエネルギーによって活性化され、次い
で活性状態で′膜形成空間回内に導入されることから、
例えば従来、工業的ベースの生産に於いて難しいとされ
ていた、電気的及び光電的に優れたハロゲン含有シリコ
ン堆積膜を形成することが出来る。
本発明に於いて、活性種形成空間（Ｂ）で化合物５ｔｎ
Ｌｎ＋ｔに与えられる分解エネルギーとしては、熱、光
、放電等があり、これ等の分解エネルギーは、使用され
る化合物Ｓｆ ｎＸｔｎ ＋ ｔの分解特性に併せて、
適宜選択される。
Ｌｎ＋ｔに与えられる分解エネルギーとしては、熱、光
、放電等があり、これ等の分解エネルギーは、使用され
る化合物Ｓｆ ｎＸｔｎ ＋ ｔの分解特性に併せて、
適宜選択される。
本発明に於いて利用される活性種（ａ）としては、膜形
成空間（４）に導入され、同時に導入される化合初回の
分解反応を効果的に促進し、堆積効率及び堆積速度を向
上させる点で、その活性寿命は、好ましくは数秒以上よ
り好ましくは５〜６秒以上あるのが望ましい。
成空間（４）に導入され、同時に導入される化合初回の
分解反応を効果的に促進し、堆積効率及び堆積速度を向
上させる点で、その活性寿命は、好ましくは数秒以上よ
り好ましくは５〜６秒以上あるのが望ましい。
この様な点からすれば、一般式５ｉｎＸ！□＋２で表わ
される化合物としては、ＳｉＦ２なる活性種を生成する
ものを使用するのが好ましい。
される化合物としては、ＳｉＦ２なる活性種を生成する
ものを使用するのが好ましい。
本発明に於て堆積膜形成空間囚に於ける、活性種形成□
空間（Ｂ）から導入される活性種の量と導入される化合
物（５）の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが、好ましくは１００：１
〜１：１０（導入流量化）が適当であり、より好ましく
は２０：１〜１：１とされるのが望ましい。
空間（Ｂ）から導入される活性種の量と導入される化合
物（５）の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで
適宜所望に従って決められるが、好ましくは１００：１
〜１：１０（導入流量化）が適当であり、より好ましく
は２０：１〜１：１とされるのが望ましい。
次に本発明の堆積膜製造方法において形成される電子写
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。
第１図は、本発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明する為の模式図である。
の構成例を説明する為の模式図である。
第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用像形成部
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、光導電層１０３と必要に応じ
て設けられる中間層１０２と表面層１０４とで構成され
る層構造を有している。
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、光導電層１０３と必要に応じ
て設けられる中間層１０２と表面層１０４とで構成され
る層構造を有している。
支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ ｅ
ステンレスｅ Ａ４ ＋ Ｃｒ ｅｇｏ 、Ａｕ 。
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ ｅ
ステンレスｅ Ａ４ ＋ Ｃｒ ｅｇｏ 、Ａｕ 。
Ｉｒ ｅ Ｎｂ ｅ Ｔａ ＃ Ｖ ｅ ’ｌ ｓ ｔ
Ｐ ｔ ｅ Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。
Ｐ ｔ ｅ Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプルピレン、ポリ塩化ビニル。
ト、ポリプルピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面がＮ ｔ Ｃｒ ｐ
Ａｌ！ｓｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ 、ＮｂｔＴａ、Ｖ、
Ｔｉ ＃Ｐｔ 、 Ｐｄ 、 Ｉｎ、Ｏ，、８ｎ０．
、 ＩＴＯ（Ｉｎ、０． ＋ ８ｎＯ，）等の薄膜を設
けることによって導電処理され、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ ＊
Ａ４ ｔ Ａｇ ｔ Ｐｂ ｅ Ｚｎ ｔＮｉ ｔＡｕ
＊Ｃｒ ｅｇｏ ＃ Ｉｒ 、 Ｎｂ ｐ Ｔａ ５
ＶｔＴｉ＊Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート
処理して、その表面が導電処理される。支持体の形状と
しては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得
、所望によって、その形状は決定されるが、例えば、第
１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベル
ト状又は円筒状とするのが望ましい。
Ａｌ！ｓｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ 、ＮｂｔＴａ、Ｖ、
Ｔｉ ＃Ｐｔ 、 Ｐｄ 、 Ｉｎ、Ｏ，、８ｎ０．
、 ＩＴＯ（Ｉｎ、０． ＋ ８ｎＯ，）等の薄膜を設
けることによって導電処理され、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ ＊
Ａ４ ｔ Ａｇ ｔ Ｐｂ ｅ Ｚｎ ｔＮｉ ｔＡｕ
＊Ｃｒ ｅｇｏ ＃ Ｉｒ 、 Ｎｂ ｐ Ｔａ ５
ＶｔＴｉ＊Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート
処理して、その表面が導電処理される。支持体の形状と
しては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得
、所望によって、その形状は決定されるが、例えば、第
１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベル
ト状又は円筒状とするのが望ましい。
中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒
素原子又は酸素原子又は、ハＵゲン原子（３）を含む、
非光導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０
１の側から光導電層１０３中へのキャリアの流入を効果
的に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中
に生じ、支持体１０４の側に向って移動するフォトキャ
リアの光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものであるＯ 中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことが出来る。
素原子又は酸素原子又は、ハＵゲン原子（３）を含む、
非光導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０
１の側から光導電層１０３中へのキャリアの流入を効果
的に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中
に生じ、支持体１０４の側に向って移動するフォトキャ
リアの光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものであるＯ 中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことが出来る。
その場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応じ
てＨｅ 、 Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合
して、各々を所定の分解空間０と分解空間（Ｑとに導入
し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、各々
の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設置しで
ある真空堆積用の堆積空間四に導入し、導入された各々
の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間層１０２を
形成させれば良い。
てＨｅ 、 Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合
して、各々を所定の分解空間０と分解空間（Ｑとに導入
し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、各々
の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設置しで
ある真空堆積用の堆積空間四に導入し、導入された各々
の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間層１０２を
形成させれば良い。
中間層１０２を形成する為に膜形成空間（ト）に導入さ
れる有効な出発物質は８ｉとＨとを構成原子とする、８
ｔＨ４，ｓｉ、）Ｉ６． Ｓｉ、Ｈ，、５ｉ４Ｈ１，な
どの鎖状シランに加えて、Ｎを構成原子とする、或いは
ＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎｔ）−アンモ
ニア（ＮＨＩ）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，） 、アジ
化水素（ＨＮｓ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ）
等のガス状の又はガス化し得る、窒素、窒化物及びアジ
化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする例えば炭
素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）−エ
タン（ｃｔＨａ）−プロパン（ＣｓＨｓ） 、 ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈｔ。）。
れる有効な出発物質は８ｉとＨとを構成原子とする、８
ｔＨ４，ｓｉ、）Ｉ６． Ｓｉ、Ｈ，、５ｉ４Ｈ１，な
どの鎖状シランに加えて、Ｎを構成原子とする、或いは
ＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎｔ）−アンモ
ニア（ＮＨＩ）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，） 、アジ
化水素（ＨＮｓ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ）
等のガス状の又はガス化し得る、窒素、窒化物及びアジ
化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする例えば炭
素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）−エ
タン（ｃｔＨａ）−プロパン（ＣｓＨｓ） 、 ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈｔ。）。
ペンタン（ＣｓＨｓり−エチレ、ン系炭化水素としては
、エチレン（Ｃ１Ｈ４）−プロピレン（ｃｓＨｓ）−ブ
テン−ｉ （ｃ、ｌ（、） 、ブテン−２（Ｃ４Ｈ＠）
−イソブチレン（０４ＨＩ） 、ペンテン（ＣｓＨ＊。
、エチレン（Ｃ１Ｈ４）−プロピレン（ｃｓＨｓ）−ブ
テン−ｉ （ｃ、ｌ（、） 、ブテン−２（Ｃ４Ｈ＠）
−イソブチレン（０４ＨＩ） 、ペンテン（ＣｓＨ＊。
）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（ｃｔ
ｕｔ） −メチルアセチレン（ｃｓＨｔ） 、ブチン（
Ｃ４Ｈ１ｌ）等、更に、これ等の他に例えば、酸素（ｏ
、）ｅオゾン（Ｏｎ）、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭
素（ＣＯｔ）。
ｕｔ） −メチルアセチレン（ｃｓＨｔ） 、ブチン（
Ｃ４Ｈ１ｌ）等、更に、これ等の他に例えば、酸素（ｏ
、）ｅオゾン（Ｏｎ）、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭
素（ＣＯｔ）。
−厳化窓素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯｘ）、−酸化二
窒素（Ｎｔｏ）等を混合して使用することを拳げること
が出来る。
窒素（Ｎｔｏ）等を混合して使用することを拳げること
が出来る。
これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所定の原子
が構成原子として、形成され−る中間層１０２中に含ま
れる様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
が構成原子として、形成され−る中間層１０２中に含ま
れる様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
一方、中間層１０２を形成する際に活性種形成空間０に
導入されて活性種を生成し得る出発物質としては、Ｓｉ
Ｆ、 、 Ｓｉ、Ｆ、等が有効なものとして挙げられ、
これ等は高温下で容易にＳｉＦ。
導入されて活性種を生成し得る出発物質としては、Ｓｉ
Ｆ、 、 Ｓｉ、Ｆ、等が有効なものとして挙げられ、
これ等は高温下で容易にＳｉＦ。
の如き活性種を生成する。
中間層１０２の層厚としては、好ましくは、３０〜５Ｘ
１０４人、より好適には５０〜１Ｘ１０番人とされるの
が望ましい。光導電層１ｏ３は、電子写真用像形成部材
としての機能を十分に発揮することができるような光導
電特性を持つようニシリコン原子を母体とし、ハロゲン
（３）ヲ含ミ、必要に応じて水素原子■を含むアモルフ
ァスシリコンａ−８ｉＸｌｌで構成される。光導電層１
０３の形成も、中間層１０２と同様に、活性種形成空間
（ハ）に８ｔＦ、 ｅ Ｓｔ、Ｆ６などの原料ガスが導
入され、高温下にてこれ等を分解することで活性種（ａ
）が生成される。この活性種（ａ）は堆積形成空間四に
導入される。他方、膜形成空間囚には、Ｓｉ！Ｈ６，５
ｉ３Ｈａなどの原料ガスが導入され、先の活性種（ａ）
と共に所定の励起エネルギーが与えられて分解され、活
性種を生成する。この活性種は堆積膜形成空間（５）に
於いて活性種（ａ）と化学的相互作用を起し所望の光導
電層１０３が堆積される。光導電層１０３の層厚として
は、適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜
決定される。
１０４人、より好適には５０〜１Ｘ１０番人とされるの
が望ましい。光導電層１ｏ３は、電子写真用像形成部材
としての機能を十分に発揮することができるような光導
電特性を持つようニシリコン原子を母体とし、ハロゲン
（３）ヲ含ミ、必要に応じて水素原子■を含むアモルフ
ァスシリコンａ−８ｉＸｌｌで構成される。光導電層１
０３の形成も、中間層１０２と同様に、活性種形成空間
（ハ）に８ｔＦ、 ｅ Ｓｔ、Ｆ６などの原料ガスが導
入され、高温下にてこれ等を分解することで活性種（ａ
）が生成される。この活性種（ａ）は堆積形成空間四に
導入される。他方、膜形成空間囚には、Ｓｉ！Ｈ６，５
ｉ３Ｈａなどの原料ガスが導入され、先の活性種（ａ）
と共に所定の励起エネルギーが与えられて分解され、活
性種を生成する。この活性種は堆積膜形成空間（５）に
於いて活性種（ａ）と化学的相互作用を起し所望の光導
電層１０３が堆積される。光導電層１０３の層厚として
は、適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜
決定される。
第１図に示される光導電層１０３０層厚としては、光導
電層１０３０機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されてる様に中間層１０２゛との層厚関係に於いて適
宜所望に従って決められるものであり、通常の場合、中
間層１０２の層厚に対して数百〜数千倍量上の層厚とさ
れるのが好ましい。
電層１０３０機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されてる様に中間層１０２゛との層厚関係に於いて適
宜所望に従って決められるものであり、通常の場合、中
間層１０２の層厚に対して数百〜数千倍量上の層厚とさ
れるのが好ましい。
具体的な値としては、好ましくは１〜１００μ、より好
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
第１図に示す光導電部拐の先導１８層中に含有されるＩ
（又はＸ（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原子）の量は好ましく
は１〜４０ ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。
（又はＸ（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原子）の量は好ましく
は１〜４０ ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。
第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応じて、中
間層１Ｏ２、及び光導電層１０３と同様に形成される。
間層１Ｏ２、及び光導電層１０３と同様に形成される。
例えば表面層１０４がシリコンカーバイド膜であれば、
例えば、活性種形成空間０にＳｉＦ、を、堆積形成空間
（イ）にＳｉ２Ｈ６とＣＨ４とＨ２あるいはＳｉ２Ｈ６
と８ｉＨ２（ＣＨｓ ） ｔなどの原料ガスを導入し、
空間の）では分解エネルギーでＳｉＦ４を励起させて活
性種を生成し、それを堆積膜形成空間（２）へ導入させ
、放電を生起させることにより表面層１０４が堆積され
る。又、表面層１０４としては、窒化シリコン、酸化シ
リコン膜などのバンドギャップの広い堆積膜が好ましく
、光導電層１０３がら表面層１０４へその膜形成を連続
的に変えることも可能である。表面層１０４０層厚は、
好ましくは０．０１μ〜５μ、より好ましくは０．０５
μ〜１μの範囲が望ましい。
例えば、活性種形成空間０にＳｉＦ、を、堆積形成空間
（イ）にＳｉ２Ｈ６とＣＨ４とＨ２あるいはＳｉ２Ｈ６
と８ｉＨ２（ＣＨｓ ） ｔなどの原料ガスを導入し、
空間の）では分解エネルギーでＳｉＦ４を励起させて活
性種を生成し、それを堆積膜形成空間（２）へ導入させ
、放電を生起させることにより表面層１０４が堆積され
る。又、表面層１０４としては、窒化シリコン、酸化シ
リコン膜などのバンドギャップの広い堆積膜が好ましく
、光導電層１０３がら表面層１０４へその膜形成を連続
的に変えることも可能である。表面層１０４０層厚は、
好ましくは０．０１μ〜５μ、より好ましくは０．０５
μ〜１μの範囲が望ましい。
光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｐ型不
純物として、周期律表第１族Ａの元素、例えば、Ｂ 、
ｈｅ ｔ Ｃａ 、 Ｉｎ 、 Ｔｅ等が好適なもの
として挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族
ｈｏ元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ。
純物として、周期律表第１族Ａの元素、例えば、Ｂ 、
ｈｅ ｔ Ｃａ 、 Ｉｎ 、 Ｔｅ等が好適なもの
として挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族
ｈｏ元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ。
Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ。
Ｇａｅ Ｐ ＋ ８ｂ等が最適である。
本発明に於いて所望の伝導型を有する為に巻４導電Ｍ１
０３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電
気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表
第１族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第Ｖ族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０”３ａｔｏｍ
ｉｃ％以下の凰範囲でドーピングしてやれば良い。
０３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電
気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表
第１族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第Ｖ族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０”３ａｔｏｍ
ｉｃ％以下の凰範囲でドーピングしてやれば良い。
光導電Ｒ１０３中に不純物をドーピングするには、層形
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で膜形成空
間（５）或いは活性種形成空間０、又は雨空間中に導入
し、てやれば良い。その際には、むしろ、活性種形成壁
間０の方ではなく、膜形成空間（５）の方へ導入する方
が好ましい。
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で膜形成空
間（５）或いは活性種形成空間０、又は雨空間中に導入
し、てやれば良い。その際には、むしろ、活性種形成壁
間０の方ではなく、膜形成空間（５）の方へ導入する方
が好ましい。
この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧で
ガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。
ガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。
その様な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
Ｈ，、、Ｐ、Ｈ，、ＰＦ３． ＰＦｓ ｅ Ｐｃｔ、
＊ ｋｓＨｓ ＃ＡＳＦ、 ｔ ＡｓＦ、、 、 ＡＳ
Ｃら、 ＳｂＨ，、ＳｂＦ、 、 ＢｉＨ，、ＢＦ、。
Ｈ，、、Ｐ、Ｈ，、ＰＦ３． ＰＦｓ ｅ Ｐｃｔ、
＊ ｋｓＨｓ ＃ＡＳＦ、 ｔ ＡｓＦ、、 、 ＡＳ
Ｃら、 ＳｂＨ，、ＳｂＦ、 、 ＢｉＨ，、ＢＦ、。
ＢＣ／、 、 ＢＢｒｓ 、 Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、
ＢｉＨ１ｅ ＢｓＨｔｔ 、 ＢｓＨｔ。。
ＢｉＨ１ｅ ＢｓＨｔｔ 、 ＢｓＨｔ。。
Ｂ、Ｈ，、、ＡｅＣｅ３ 等を挙げることが出来る。、
実施例１ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によってドラ
ム状の電子写真用像形成部材を作成した。
実施例１ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によってドラ
ム状の電子写真用像形成部材を作成した。
第２図において、１は堆積膜形成空間（５）、２は活性
種空間（ハ）、３は予備空間（Ｑ１４は電気炉、５は固
体Ｓｉ粒、６は８ｉＦ、等の導入管、７は活性種導入管
、８は予備加熱用の電気炉、９．１０は化合物（５）の
導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３．
１４は吹き出し管、１５はＡ／シリンダー、１６は排気
バルブを示している。
種空間（ハ）、３は予備空間（Ｑ１４は電気炉、５は固
体Ｓｉ粒、６は８ｉＦ、等の導入管、７は活性種導入管
、８は予備加熱用の電気炉、９．１０は化合物（５）の
導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３．
１４は吹き出し管、１５はＡ／シリンダー、１６は排気
バルブを示している。
堆積膜形成空間（２）１にＡ／シリンダー１５を２り下
げその内側に加熱ヒーター１２を設け、モーター１１に
より回転できるようにした。活性種形成空間＠２からの
活性種を導入管７を経て、吹き出し管１３から、予備加
熱空間０３がらの化合物（ａ）を導入管１ｏを経て、吹
き出し管１４から、夫々、膜形成空間（５）に導入した
。
げその内側に加熱ヒーター１２を設け、モーター１１に
より回転できるようにした。活性種形成空間＠２からの
活性種を導入管７を経て、吹き出し管１３から、予備加
熱空間０３がらの化合物（ａ）を導入管１ｏを経て、吹
き出し管１４から、夫々、膜形成空間（５）に導入した
。
即ち活性種形成空間＠２に固″体Ｓｉ粒５を詰めて、電
気炉４により加熱して１１００℃に保って、Ｓｉを溶融
し、そこへ導入管６を介してボンベからＳｉＦ、ガスを
活性種形成空間０に吹き込むことにより、８ｉＦ、等の
活性種を生成し、導入管７を介して、吹き出し管１３を
通じて膜形成空間（５）に導入した。一方、予備加熱空
間（Ｃ） ３に、導入管９から８ｉ）Ｊ、、を導入し、
次いで導入管１０から吹き出し管１４へ導入した。導入
管７の長さは、装置上、可能な限り短縮し、その活性種
の有効効率を落さないようにした。堆積膜形成空間（５
）内のＡｅシリンダーは２７０”Ｃにヒーター１２によ
り加熱、保持すると同時に回転させた。排ガスは、排気
バルブ１６を通じて排気した。このようにしてＡｅクシ
リンダ−上光導電層を形成した試料を１０本作成し、夫
々の試料ドラムに就で通常のカールソンプロセスに従っ
て、Ａ４版の転写紙上にベタ黒のトナー画像を形成して
、画像欠陥（白ポチ）を数え、１０本当りの平均画像欠
陥を測定した。又、これとは別に、夫々の試料に就で通
常の方法に従って、受容電位ムラを、ドラムの周方向及
び母線方向に於いて、測定した。
気炉４により加熱して１１００℃に保って、Ｓｉを溶融
し、そこへ導入管６を介してボンベからＳｉＦ、ガスを
活性種形成空間０に吹き込むことにより、８ｉＦ、等の
活性種を生成し、導入管７を介して、吹き出し管１３を
通じて膜形成空間（５）に導入した。一方、予備加熱空
間（Ｃ） ３に、導入管９から８ｉ）Ｊ、、を導入し、
次いで導入管１０から吹き出し管１４へ導入した。導入
管７の長さは、装置上、可能な限り短縮し、その活性種
の有効効率を落さないようにした。堆積膜形成空間（５
）内のＡｅシリンダーは２７０”Ｃにヒーター１２によ
り加熱、保持すると同時に回転させた。排ガスは、排気
バルブ１６を通じて排気した。このようにしてＡｅクシ
リンダ−上光導電層を形成した試料を１０本作成し、夫
々の試料ドラムに就で通常のカールソンプロセスに従っ
て、Ａ４版の転写紙上にベタ黒のトナー画像を形成して
、画像欠陥（白ポチ）を数え、１０本当りの平均画像欠
陥を測定した。又、これとは別に、夫々の試料に就で通
常の方法に従って、受容電位ムラを、ドラムの周方向及
び母線方向に於いて、測定した。
これ等の結果を第１表に示す。
実施例２〜８
第１表、第２表に示す条件にした以外は、実施例１と同
様の作成条件及び手順に従って、試料を各実施例に於い
て、１ｏ本づつ作成し、実施例１と同様に評価を行った
。
様の作成条件及び手順に従って、試料を各実施例に於い
て、１ｏ本づつ作成し、実施例１と同様に評価を行った
。
その結果を第１表、第２表に示した。又、比較例１〜５
を第３表に示した。
を第３表に示した。
第１図は、本発明の方法を用いて作成される光導電部材
の一実施態様例を説明するために、層ｆＦｊ’ｌｌｉを
示した模式図である。第２図は、本発明の製造法を具現
化するための装置の１例を示す模式的説明図である。 １：堆積膜形成空間（８） ２：活性種形成空間の）
３：予備加熱空間（Ｑ ４：電気炉 ５：固体Ｓｉ粒
６ ： ＳｉＦ、の導入’ｒｆ７：前駆体導入管８：電
気炉 ９ ＊ １０ ： Ｓｉｎ Ｘ２Ｈ＋２ｔ７）導
入管 １１：モーター １２：加熱ヒーター １３：吹
き出し管 １４：吹き出し管 １５：Ａ／シリンダー１
６：排気パルプ １７：回転機構を備えた移動式％式％
： ： ：
の一実施態様例を説明するために、層ｆＦｊ’ｌｌｉを
示した模式図である。第２図は、本発明の製造法を具現
化するための装置の１例を示す模式的説明図である。 １：堆積膜形成空間（８） ２：活性種形成空間の）
３：予備加熱空間（Ｑ ４：電気炉 ５：固体Ｓｉ粒
６ ： ＳｉＦ、の導入’ｒｆ７：前駆体導入管８：電
気炉 ９ ＊ １０ ： Ｓｉｎ Ｘ２Ｈ＋２ｔ７）導
入管 １１：モーター １２：加熱ヒーター １３：吹
き出し管 １４：吹き出し管 １５：Ａ／シリンダー１
６：排気パルプ １７：回転機構を備えた移動式％式％
： ： ：
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所望の基体上にシリコン含□有堆積膜を形成させる膜形
成空間内に、Ｓｉｎ ｘ２ｎ＋ｔ （ｎ ＝ １．２−
。 Ｘはハロゲン）で表わされるハロゲン化ケイ素を分解す
ることによって得られる活性棟（ａ）と、鎖状シラン、
環状構造を有するシラン、アルキル基を含有するシラン
及び、これ等のノ・ロゲン置換体の中より選択される少
なく゛とも一種とを含むガス雰囲気を形成して、該ガス
雰囲気に熱エネルギーを与えることによって堆積膜を形
成することを特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24123483A JPS60131971A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 堆積膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24123483A JPS60131971A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131971A true JPS60131971A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17071195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24123483A Pending JPS60131971A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131971A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199677A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS62228473A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP24123483A patent/JPS60131971A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199677A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS62228473A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
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