JPH0360917B2 - - Google Patents

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JPH0360917B2
JPH0360917B2 JP58149366A JP14936683A JPH0360917B2 JP H0360917 B2 JPH0360917 B2 JP H0360917B2 JP 58149366 A JP58149366 A JP 58149366A JP 14936683 A JP14936683 A JP 14936683A JP H0360917 B2 JPH0360917 B2 JP H0360917B2
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Kyosuke Ogawa
Shunichi Ishihara
Isamu Shimizu
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或い
は電子写真用の感光デバイスなどの用途に有用な
堆積膜の形成法に関する。 例えばアモルフアスシリコン膜の形成には、真
空蒸着法、プラズマCVD法、CVD法、反応性ス
パツタリング法、イオンプレーテイング法、光
CVD法などが試みられており、一般的には、プ
ラズマCVD法が広く用いられ、企業化されてい
る。 而乍ら、アモルフアスシリコンで構成される堆
積膜は電気的、光学的特性及び、繰返し使用での
疲労性あるいは使用環境特性、更には均一性、再
現性を含めて生産性、量産性の点において更に総
合的な特性の向上を図る余地がある。 従来から一般化されているプラズマCVD法に
よるアモルフアスシリコン堆積膜の形成に於ての
反応プロセスに、従来のCVD法に比較してかな
り複雑であり、その反応機構も不明な点が少なく
なかつた。又、その堆積膜の形成パラメーターも
多く（例えば、基板温度、導入ガスの流量と比、
形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器
の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）これ
らの多くのパラメーターの組み合せによるため、
時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た堆積膜に著しい悪影響を与えることが少なくな
かつた。そのうえ、装置特有のパラメーターを装
置ごとに選定しなければならず、したがつて製造
条件を一般化することがむずかしいというのが実
状であつた。 一方、アモルフアスシリコン膜として電気的、
光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを
実現させるには、現状ではプラズマCVD法によ
つて形成することが最良とされている。 而乍ら、堆積膜の往用用途によつては、大面積
化、膜厚の均一性、膜品質の均一性を十分に満足
させて、再現性のある量産化を図らねばならない
ため、プラズマCVD法によるアモルフアスシリ
コン堆積膜の形成においては、量産装置に多大な
設備投資が必要となり、またその量産の為の管理
項目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、装置
の調整も微妙であることから、これらのことが、
今後改善すべき問題点として指摘されている。 他方、通常のCVD法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜
が得られていなかつた。 上述の如く、アモルフアスシリコン膜の形成に
於て、その実用可能なな特性、均一性を維持させ
ながら低コストな装置で量産化できる形成方法を
開発することが切望されている。 これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シ
リコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於
ても各々同様のことがいえる。 本発明は、上述したプラズマCVD法の欠点を
除去すると同時に、従来の形成方法にしたがい新
規な堆積膜形成法を提供するものである。 本発明の目的は、堆積膜を形成する堆積空間(A)
に於て、プラズマ反応を用いないで形成させる膜
の特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら、
膜形成条件の管理の簡素化、膜の量産化を容易に
達成させることである。 本発明は、分解空間(B)に於いて、ケイ素原子に
ハロゲン原子又はハロゲン原子を含む原子団が結
合し、堆積膜形成用の原料となる化合物（SX）
より分解生成したケイ素原子とハロゲン原子を含
む前駆体（SX）と、分解空間(C)に於いて生成し
た水素原子を含む活性種(H)とを堆積空間(A)に夫々
別々に導入して相互作用させ、該堆積空間(A)内に
設けられた堆積膜形成用の基体上にケイ素を含む
堆積膜を形成することを特徴とするものである。 本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆
積空間(A)でプラズマを使用しないので、堆積膜の
形成パラメーターが導入する前駆体（SX）及び
活性種(H)の導入量、基体及び堆積空間内の温度、
堆積空間内の内圧となり、したがつて堆積膜形成
のコントロールが容易になり、再現性、量産性の
ある堆積膜を形成させることができる。 尚、本発明での「前駆体（SX）」とは、形成さ
れる堆積膜の原料には成り得るがそのままのエネ
ルギー状態では堆積膜を形成することが全く又は
殆ど出来ないものを言う。「活性種(H)」とは、前
記前駆体（SX）と化学的相互作用を起して例え
ば前駆体（SX）にエネルギーを与えたり、前駆
体（SX）と化学的に反応したりして、前駆体
（SX）を堆積膜を形成することが出来る状態にす
る役目を荷うものご云う。従つて、活性種(H)とし
ては、形成される堆積膜を構成する構成要素に成
る構成要素を含んでいても良く、或いはその様な
構成要素を含んでいなくとも良い。 本発明では、堆積空間(A)に導入される分解空間
(B)からの前駆体（SX）は、その寿命が好ましく
は0.01秒以上、より好ましくは0.1秒以上、最適
には０秒以上あるものが、所望に従つて選択され
て使用され、この前駆体（SX）の構成要素が堆
積空間(A)で形成させる堆積膜を構成する主成分を
構成するものとなる。又、分解空間(C)から導入さ
れる活性種(H)は、その寿命が好ましくは10秒以
下、より好ましくは８秒以下、最適には５秒以下
のものである。この活性種(H)は堆積空間(A)で堆積
膜を形成する際、同時に分解空間(B)から堆積空間
(A)に導入され、形成される堆積膜の主構成成分と
なる構成要素を含む前記前駆体（SX）と化学的
に相互作用する。その結果、所望の基体上に所望
の堆積膜が容易に形成される。 本発明の方法によれば、堆積空間(A)内でプラズ
マを生起させないで形成される堆積膜は、エツチ
ング作用、或いはその他の例えば異常放電作用等
による悪影響を受けることは、実質的にない。
又、本発明によれば堆積空間(A)の雰囲気温度、基
体温度を所望に従つて任意に制御することによ
り、より安定したCVD法とするこてができる。 本発明の方法が従来のCVD法と違う点の１つ
は、あらかじめ堆積空間(A)とは異なる空間に於て
活性化された活性種(H)を使ることである。このこ
とにより、従来のCVD法より堆積速度を飛躍的
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基
体温度も一層の低温化を図ることが可能になり、
膜品質の安定した堆積膜を大きな堆積速度で工業
的に大量に、しかも低コストで提供出来る。 本発明に於て分解空間(C)で生成される水素原子
を含む活性種(H)は放電、光、熱等のエネルギーで
或いはそれ等の併用によつて励起されるばかりで
はなく、触媒などとの接触、あるいは添加により
生成されてもよい。 本発明に於て、分解空間(B)に導入され、ケイ素
原子とハロゲン原子を含む前駆体（SX）を分解
生成する原材料としては、ケイ素原子に電子吸引
性の高い原子又は原子団が結合しているものが利
用される。その様なものとしては、例えば、Sio
X2o+2（ｎ＝１、２、３…、Ｘ＝Ｆ、Cl、Br、
Ｉ）、（SiX2）o（ｎ≧３、Ｘ＝Ｆ、Cl、Br、Ｉ）、
SioHX2o+1（ｎ＝１、２、３…、Ｘ＝Ｆ、Cl、Br、
Ｉ）、SioH2X2o（ｎ＝１、２、３…、Ｘ＝Ｆ、Cl、
Br、Ｉ）などのケイ素原子にハロゲン原子（Ｘ）
又はハロゲン原子（Ｘ）を含む原子団が結合した
化合物（SX）が挙げられる。 具体的には例えばSiF4、（SiF2）5、（SiF2）6、
（SiF2）4、Si2F6、SiHF3、SiH2F2、SiCl4、
（SiCl2）5、SiBr4、（SiBr2）5などのガス状態の又
は容易にガス化し得るものが挙げられる。 上述したものに、分解空間(B)で熱、光、放電な
どの分解エネルギーを加えることにより、前駆体
（SX）が生成される。この前駆体（SX）を堆積
空間(A)へ導入する。この際、前駆体（SX）の寿
命が望ましくは、0.01秒以上あることが必要で、
堆積効率及び堆速度の上昇を促進させ、堆積空間
(A)に於て、分解空間(C)から導入される活性種(H)と
の活性化反応の効率を増し、その際、必要であれ
ばプラズマなどの放電エネルギーを使用しない
で、堆積空間内あるいは基体上に熱、光などのエ
ネルギーを与えることで、所望の堆積膜の形成が
達成される。 本発明に於て、分解空間(C)に導入され、活性種
(H)を生成させる原料としては、H2及びSiH4、
SiH3F、SiH3Cl、SiH3Br、SiH3Iなどの水素原
子の１つがハロゲン原子で置換されたシラン系の
化合物が挙げられる。 本発明に於て堆積空間(A)に於ける分解空間(B)か
ら導入される前駆体（SX）の量と分解空間(C)か
ら導入される活性種(H)の量の割合は、堆積条件、
活性種(H)の種類などで適宜所望に従つて決められ
るが好ましくは10：１〜１：10（導入流量比）が
適当であり、より好ましくは８：２〜４：６とさ
れるのが望ましい。 本発明に於て分解空間(B)、及び分解空間(C)で前
駆体（SX）及び活性種(H)を生成させる方法とし
ては各々の条件、装置を考慮して放電エネルギ
ー、熱エネルギー、光エネルギーなどの励起エネ
ルギーが使用される。 次に本発明の堆積膜製造方法によつて形成され
る電子写真用像形成部材の典型的な例を挙げて本
発明を説明する。 第１図は、本発明によつて得られる典型的な光
導電部材の構成例を説明する為の図である。 第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用
像形成部材として適用させ得るものであつて、光
導電部材用としての支持体１０１の上に、必要に
応じて設けられる中間層１０２と表面層１０４、
光導電層１０３とが構成される層構造を有してい
る。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例えば
NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えばガラスであれば、その表面がNiCr、Al、
Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、
In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜を
設けることによつて導電処理され、或いはポリエ
ステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、
NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、
Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、又
は前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状として得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。 中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原
子又は窒素原子又は酸素原子又はハロゲン原子
（Ｘ）を含む非光導電性のアモルフアス材料で構
成され、支持体１０１の側から光導電層１０３中
へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波
の照射によつて光導電層１０３中に生じ、支持体
１０１の側に向つて移動するフオトキシリアの光
導電層１０３の側から支持体１０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。 中間層１０２を形成する場合には、光導電層１
０３の形成まで連続的に行うことが出来る。その
場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応
じてHe、Ar等の稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、各々を所定の分解空間(B)と分解空間(C)と
に導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に
加えて、各々の前駆体（SX）及び活性種(H)を生
成させ、それらを支持体１０１の設置してある真
空堆積用の堆積空間(A)に導入し、必要に応じて
は、これ等に膜形成用のエネルギーを与えること
によつて、前記支持体１０１上に中間層１０２を
形成させれば良い。 中間層１０２を形成する為に分解空間(C)に導入
される有効な出発物質としては、前述の水素原子
を含む活性種(H)を生成する化合物の他、Ｎを構成
原子とする、或いはＮとＨとを構成原子とする例
えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジ
ン（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化ア
ンモニウム（NH4N3）等のガス内の又はガス化
し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合
物、ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５
の飽和炭素化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭
化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素
等、具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等、さらに、これ等の
他に例えば、酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化
炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、一酸化窒素
（NO）、二酸化窒素（NO2）、一酸化二窒素
（N2O）等を挙げることが出来る。 これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所
定の原子が、形成される中間層１０２中に該層に
構成原子として含まれ、特に、層形成の際に適宜
選択されて使用される。 一方、中間層１０２を形成する際に分解空間(B)
に導入されて前駆体（SX）を生成し得る出発物
質としては、前述の化合物（SX）を挙げること
が出来、殊にSiF4、SiH2F2等が有効なものとし
て挙げられる。それは、これ等が高温下で容易に
且つ効率良くSiF2の如き長寿命の前駆体（SX）
を生成するからである。 中間層１０２の層厚としては、好ましくは、30
〜1000Å、より好適には50〜600Åとされるのが
望ましい。 光導電層１０３は、電子写真用像形成部材とし
ての機能を十分に発揮することができるような光
導電性を持つようにシリコン原子を母体とし、ハ
ロゲン（Ｘ）を含み、必要に応じて水素(H)を含む
アモルフアスシリコンａ−SiX(H)で形成される。 光導電層１０３の形成も、中間層１０２と同様
に行なうことが出来る。即ち、分解空間(B)に
SiF4、SiF2H2等の化合物（SX）を原料ガスとし
て導入し、これ等を分解することで高温下にて前
駆体（SX）が生成される。前駆体（SX）は堆積
空間(A)に導入される。他方、分解空間(C)にはH2、
SiH4、SiH3Fなどの原料ガスが導入され、所定
の励起エネルギーにより水素原子を含む活性種(H)
が生成される。活性種(H)は堆積空間(A)に前記前駆
体（SX）とは別々に導入され、分解空間(B)から
堆積空間(A)に導入されて来る前駆体（SX）と化
学的相互作用を起こし、その結果所望の光導電層
１０３が堆積される。光導電層１０３の層厚とし
ては、適用するものの目的に適合させて所望に従
つて適宜決定される。 第１図に示される光導電層１０３の層厚として
は、光導電層１０３の機能及び中間層１０２の機
能が各々有効に活されている様に中間層１０２と
の層厚関係に於て適宜所望に従つて決められるも
のであり、通常の場合、中間層１０２の層厚に対
して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。 具体的な値としては、好ましくは１〜100μよ
り好適には２〜50μの範囲とされるのが好まし
い。 第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有さ
れるＨ又はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどハロゲン原子）
好ましくは１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％とされるのが望ましい。 第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応
じて中間層１０２、及び光導電層１０３と同様に
形成される。シリコンカーバイド膜であれば、例
えば、分解空間(B)にSiF4を、分解空間(C)にSiH4
とCH4とH2あるいはSiH4とSiH2（CH3）2などの原
料ガスを導入し、各々励起エネルギーで励起させ
て夫々の原料ガスを分解し、前駆体（SX）及び
活性種(H)の夫々を夫々の空間で生成しそれ等を
別々に堆積空間(A)へ導入させることにより表面層
１０４が堆積される。また、表面層１０４として
は、窒化シリコン、酸化シリコン膜などのバンド
ギヤツプの広い物質から構成される堆積膜が好ま
しい。又光導電層１０３から表面層１０４へその
膜組成を連続的に変えることも本発明に於いては
可能である。表面層１０４の層厚は、好ましくは
0.01μ〜5μ、より好ましくは0.05μ〜1μの範囲が望
ましい。 光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型
不純物、或いは両不純物を形成される層中にその
量を制御し乍らドーピングしてやる事によつて成
される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、ｐ型不純物として、周期律表第族Ａの元
素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl等が好適なも
のとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
第族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ、As、Sb、Bi等
が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ、Ga、
Ｐ、Sb等が最適である。 本発明に於て所望の伝導型を有する為に光導電
層１０３中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定さ
れるが、周期律表第族Ａの不純物の場合３×
10-2atomic％以下の量範囲でドーピングしてや
れば良く、周期律表第族Ａの不純物の場合Ｐに
は５×10-3atomic％以下の量範囲でドーピング
してやれば良い。 光導電層１０３中に不純物をドーピングするに
は、層形成の際に不純物導入用の原料物質をガス
状態で分解空間(B)あるいは分解空間(C)中に導入し
てやれば良い。その際には分解空間(B)の方ではな
く、分解空間(C)方へ導入する方が好ましい。 この様な不純物導入用の原料物質としては、常
温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用される。その
様な不純物導入用の出発物質として具体的には、
PH3、P2H4、PF3、PCl3、AsH3、AsF5、
AsCl3、SbH3、SbF5、BiH3、BF3、BCl3、
BBr3、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、
B6H12、AlCl3等を上げることが出来る。 実施例 １ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によ
つてドラム状の電子写真用像形成部材を作成し
た。 第２図において、１は堆積空間(A)、２は分解空
間(B)、３は分解空間(C)、４は電気炉、５は固体Si
粒、６は前駆体（SX）を生成する原料物質の導
入管、７は前駆体（SX）導入管、８は電気炉、
９は活性種(H)を生成する原料物質の導入管、１０
は活性種(H)導入管、１１はモーター、１２は加熱
ヒーター、１３は吹き出し管、１４は吹き出し
管、１５はAlシリンダー、１６は排気バルブを
示している。 堆積空間(A)１にはAlシリンダー１５がつり下
げられ、その内側には加熱ヒーター１２を設け、
モーター１１により回転できるようにしてある。
分解空間(B)２からの前駆体（SX）は導入管７を
経て、吹き出し管１３から、又分解空間(C)３から
の活性種(H)は導入管１０を経て、吹き出し管１４
から、夫々堆積空間(A)１に導入される。 ［光導電層の形成］ 分解空間(B)２に固体Si粒５を詰めて、電気炉４
により加熱して、1100℃に保ち、Siを溶融した。
そこへボンベ（不図示）から導入管６を介して、
SiF4を吹き込むことにより、SiF2の前駆体を生成
され、該SiF2前駆体を導入管７を経て、堆積空間
(A)１へ吹き出し管１３から導入した。一方、分解
空間(C)３に導入管９からSiH4とH2を導入すると
同時に、分解空用(C)３の雰囲気温度を電気炉８に
より600℃に加熱し、H*、SiH2 *、SiH*、SiH3 *
などの活性種(H)を生成させ、これ等の活性種を導
入管１０から吹き出し管１４を介して、堆積空間
(A)１内に導入した。このとき、導入管１０の長さ
は、装置上、可能な限り短縮し、その活性種(H)の
有効効率を落さないようにした。堆積空間(A)１内
にAlシリンダーは300℃にヒーター１２により加
熱されて、その温度に保持され、５分間に１回の
割合で回転させ、排ガスは排気バルブ１６を通じ
て排気させた。このようにして光導電層１０３が
形成さた。同様にして中間層１０２、表面層１０
４も形成された。 ［中間層の形成］ 即ち、中間層１０２は分解空間(B)にSiF4、分解
空間(C)にSiH4／H2／NO／B2H6（容量％でNO：
２％、B2H6：0.2％）を各々導入し各々の励起エ
ネルギーで前駆体及び活性種を夫々生成し、堆積
空間(A)へ別々に導入して形成した。それ以外は光
導電層の形成の場合と同様であつた。形成された
中間層１０２の層厚は、2000Åであつた。 ［表面層の形成］ 表面層１０４、分解空間(B)にSiF4を導入し、ま
た分解空間(C)にはSiH4／CH4／H2を容量比10：
100：50で導入し、各々の励起熱エネルギーで前
駆体及び活性種を夫々生成し、堆積空間(A)へ導入
して形成した。それ以外は、光導電層の形成の場
合と同様であつた。形成された表面層１０４の層
厚は、1000Åであつた。実施例１における電子写
真様像形成部材製造条件を第１表に示す。尚、第
１表において＊はラジカルを意味する。 比較例 １ 第２図の堆積空間(A)１に13.56MHzの高周波装
置を備えて一般的なプラズマCVD法により実施
例１で使用した原料ガスと同様の原料ガスを使用
して、中間層、光導電層、表面層の夫々を形成し
て電子写真用像形成部材を製造した。 この比較例においては、一般的なプラズマ
CVD法を採用した以外はできる限り実施例１と
同様の条件及び手順とした。 実施例 ２ 分解空間(C)３に導入する原料ガスをH2として、
電気炉によつて加熱する代わりに13.56MHzのプ
ラズマ反応を発生させ、水素プラズマ状態を作
り、Ｈの活性種を吹き出し管１４へ導入した以外
は実施例１と同様にして、ドラム状の電子写真用
像形成部材を作成した。 実施例 ３ 光導電層１０３を形成する際の分解空間(C)から
の導入量、基板温度、及び形成された光導電層の
層厚を第３表の様にした以外は、実施例１と同様
の手順と条件に従つてドラム状の電子写真用像形
成部材を作成した。 比較例 ２ 光導電層を形成する際の基板温度、及び形成さ
れた光導電層の層厚を第２表の様にした以外は比
較例１と同様の手順と条件に従つてドラム状の電
子写真用像形成部材を作成した。 実施例 ４ 光導電層１０３を形成する際の、分解空間(C)に
於ける放電エネルギー、分解空間(B)及び(C)からの
導入量、堆積室内圧、基板温度、及び形成された
光導電層の層厚を３表の様にした以外は、実施例
２と同様の手順と条件に従つてドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。 比較例 ３ 光導電層１０３を形成する際の、原料ガス種と
その流量、堆積室内圧、基板温度、放電エネルギ
ー及び形成された光導電層の層厚を第３表の様に
した以外は比較例１と同様な手順と条件に従つて
ドラム状の電子写真用像形成部材を作成した。 以上の実施例１乃至４、及び比較例１乃至３で
得られたドラム状の電子写真用像形成部材を、＋
帯電、露光、転写によるカールソンプロセスに於
て−トナーによる熱定着方式の複写装置に装着
し、以下の様にして評価した。即ち、全面暗部全
面明部あるいは全面ハーフトーン部のA3サイズ
の複写を行い、画像中に不均一な画像ノイズが発
生するか否かについて平均画像欠陥の数で観察し
た。又、その際にドラムの周方向、母線方向の受
容電位の均一性を測定した。 これらの結果を第１表乃至第３表に示した。第
１表乃至第３表より本発明の堆積膜形成法によれ
ば、従来の方法に比べて大きな堆積速度で堆積膜
を形成出来ることがわかる。また、得られた堆積
膜を、例えば電子写真用像形成部材に使用した場
合、画像欠陥の数、及び電位ムラに関して非常に
優れた電子写真用像形成部材が得られることがわ
かる。 実施例 ５ 第３図において、１７は回転機構を備えた移動
式置台、１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０
は堆積空間を示している。 本実施例は、第３図に示す様に、加熱室１９、
堆積室２０、冷却室１８から成り、各々の空間
に、Alシリンダー１５を回転機構を備えた移動
式置台１７上に置き、連続的に１つの堆積空間で
多数本のドラム状の電子写真用像形成部材が作成
される装置である。本装置を使用して、実施例１
と同様な作成方法を試みたところ、堆積空間の温
度、Alシリンダーの温度、分解空間(B)からの導
入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間(C)
からの導入管１０を経て吹き出し管１４からの
各々の前駆体（SX）及び活性種(H)の吹き出し量
を制御することにより、均一で再現性のある堆積
膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を低コ
ストで量産することができることが確認された。 他方、比較のために第３図の堆積空間にプラズ
マを発生させる高周波装置をセツトして行つたプ
ラズマCVD法では、このように１つの堆積空間
内で、多本数のドラム状の電子写真用像形成部材
を作成しようとすると、放電の均一性や製造条件
の複雑なパラメータの相互の相乗効果もあつて、
再現性よく均一な堆積膜を持つドラム状の電子写
真用像形成部材を作成することが不可能であつ
た。 実施例 ６ 第４図において、２０は堆積空間、２１は高周
波電源（13.56Mz）、２２はプラズマ空間［分解
空間］、２３は50メツシユステンレス金網、２４
はアルミニウム基体、２５は支持台、２６は同電
位にするアース、２７は分解空間(B)（不図示）か
らの前駆体（SX）の導入管、２８はSiH4とH2の
導入管、２９は真空管、３０は排気バルブを示
す。 本実施例においては、第４図に示すように分解
空間(C)２２と堆積空間(A)２０を同一室の中に分離
して配置し、分解空間(B)は別の備えた装置におい
て、分解空間(B)で実施例１と同様にSiF2を生成さ
せ、堆積空間(A)２０へ導入し、分解空間(C)２２で
はSiH4とH2を導入しプラズマを生起させて活性
種(H)を生成し、該Ｈ活性種を、SiF2と作用させ、
メツシユを通して堆積空間(A)内の280℃に保持さ
れた基体上に堆積させた。この様にして形成され
た光導電層は、暗導電率σD＝２×10-11Ω-1cm-1、
明導電率σP＝３×10-6Ω-1cm-1であり、良好な特
性を示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の方法を用いて作成される光
導電部材の一実施態様例を説明するために層構造
を示した模式図である。第２図は、本発明の製造
法を具現化するための装置の一例を示す模式的説
明図である。第３図は、本発明の製造法が工業的
に量産化可能なことを示す具体的な装置例を示し
た模式図である。第４図は、本発明に係わる別の
装置例を示した模式図である。 １：堆積空間(A)、２：分解空間(B)、３：分解空
間(C)、４：電気炉、５：固体Si粒、６：SiF4の導
入管、７：前駆体（SX）導入管、８：電気炉、
９：活性種(H)の原料物質導入管、１０：活性種(H)
導入管、１１：モーター、１２：加熱ヒーター、
１３：吹き出し管、１４：吹き出し管、１５：
Alシリンダー、１６：排気バルブ、１７：回転
機構を備えた移動式置台、１８：冷却空間、１
９：加熱空間、２０：堆積空間、２１：高周波電
源、２２：プラズマ空間、２３：50メツシユステ
ンレス金網、２４：基体、２５：支持台、２６：
同電位にするアース、１００：光導電部材、１０
１：支持体、１０２：中間層、１０３：光導電
層、１０４：表面層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 分解空間(B)に於いて、ケイ素原子にハロゲン
    原子又はハロゲン原子を含む原子団が結合し、堆
    積膜形成用の原料となる化合物（SX）より分解
    生成したケイ素原子とハロゲン原子を含む前駆体
    （SX）と、分解空間(C)に於いて生成した水素原子
    を含む活性種(H)とを堆積空間Ａに夫々別々に導入
    して相互作用させ、該堆積空間(A)内に設けられた
    堆積膜形成用の基体上にケイ素を含む堆積膜を形
    成することを特徴とする堆積膜形成法。
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