JPS6253587B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或い
は電子写真用の感光デバイスなどの用途に有用な
堆積膜の形成法に関する。 例えばアモルフアスシリコン膜の形成には、真
空蒸着法、プラズマCVD法、CVD法、反応性ス
パツタリング法、イオンプレーテイング法、光
CVD法などが試みられており、一般的には、プ
ラズマCVD法が広く用いられ、企業化されてい
る。 而乍らアモルフアスシリコンで構成される堆積
膜は電気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲
労特性あるいは使用環境特性、更には均一性、再
現性を含めて生産性、量産性の点において、更に
総合的な特性の向上を図る余地がある。 従来から一般化されているプラズマCVD法に
よるアモルフアスシリコン堆積膜の形成に於ての
反応プロセスは、従来のCVD法に比較してかな
り複雑であり、その反応機構も不明な点が少なく
なかつた。又、その堆積膜の形成パラメーターも
多く（例えば、基板温度、導入ガスの流量と比、
形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器
の構造、排気速度、プラズマ発生方法など）、こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、
時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た堆積膜に著しい悪影響を与えることが、少なく
なかつた。そのうえ、装置特有のパラメーターを
装置ごとに選定しなければならず、したがつて製
造条件を一般化することがむずかしいというのが
実状であつた。 一方、アモルフアスシリコン膜として電気的、
光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを
発現させるためには、現状ではプラズマCVD法
によつて形成することが最良とされている。 而乍ら、堆積膜の応用用途によつては、大面積
化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分満足させ
て、再現性のある量産化を図らねばならないた
め、プラズマCVD法によるアモルフアスシリコ
ン堆積膜の形成においては、量産装置に多大な設
備投資が必要となり、またその量産の為の管理項
目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、装置の
調整も微妙であることから、これらのことが今後
改善すべき問題点として指摘されている。 他方通常のCVD法による従来の技術では、高
湿を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が
得られていなかつた。 上述の如く、アモルフアスシリコン膜の形成に
於て、その実用可能な特性、均一性を維持させな
がら低コストな装置で量産化できる形成方法を開
発することが切望されている。 これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シ
リコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於
ても各々同様のことがいえる。 本発明は、上述したプラズマCVD法の欠点を
除去すると同時に、従来の形成方法によらない新
規な堆積膜形成法を提供するものである。 本発明の目的は堆積膜を形成する堆積空間(A)に
於て、プラズマ反応を用いないで形成される膜の
特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら膜形
成条件の管理の簡素化、膜の量産化を容易に達成
させることである。 本発明は、所望の基板上に所望の堆積膜を形成
する堆積空間内に、SioX2o+2（ｎ＝１，２，…
…）で表わされるハロゲン化ケイ素を分解するこ
とにより得られる活性種(a)と硅素の環状構造を有
するシラン化合物から得られる活性種(b)と水素の
活性種との混合物とを、夫々別々に導入すること
により、堆積膜を形成することを特徴とするもの
である。 本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆
積空間(A)でプラズマを使用しないので、堆積膜の
形成パラメーターが導入する活性種の導入量、基
板及び堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧とな
り、したがつて堆積膜形成のコントロールが容易
になり、再現性、量産性のある堆積膜を形成させ
ることができる。 本発明では、堆積空間Ａに導入される分解空間
(B)からの活性種は、その寿命が150秒以上あるも
のが、所望に従つて選択されて使用され、この活
性種の構成要素が堆積空間(A)で形成させる堆積膜
を構成する主成分を構成するものとなる。又、分
解空間(C)から導入される活性種は短寿命のもので
ある。この活性種は堆積空間(A)で堆積膜を形成す
る際、同時に分解空間(B)から堆積空間(A)に導入さ
れ、形成される堆積膜の主構成成分となる構成要
素を含む活性種と化学的に相互作用する。その結
果、所望の基板上に所望の堆積膜が容易に形成さ
れる。 本発明の方法によれば、堆積空間(A)内でプラズ
マを生起させないで、形成される堆積膜はエツチ
ング作用或いは、その他の例えば異常放電作用な
どによる悪影響を受けることは実質的にない。 又、本発明によれば堆積空間(A)の雰囲気温度、
基板温度を所望に従つて任意に制御することによ
り、より安定したCVD法とすることができる。 本発明の方法が従来のCVD法と違う点の１つ
は、あらかじめ堆積空間(A)とは異なる空間に於い
て活性化された活性種を使うことである。このこ
とにより、従来のCVD法により堆積速度を飛躍
的に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の
基板温度も一層の低温化を図ることが可能にな
り、膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量に、
しかも低コストで提供出来る。 本発明の方法では、分解空間(C)に導入する原料
ガスとして環状構造を有するシラン化合物を用い
ることにより、活性種に分解するときの分解速度
を大幅に向上させることができ、また分解を低エ
ネルギーでおこなうことができる。また、従来に
比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を飛躍的
に向上させることができる。したがつて、堆積膜
の形成において、安定でしかも量産化を容易にす
ることができるものである。 本発明に於て、分解空間(B)に導入される原材料
としては、一般式SioX2o+2（ｎ＝１，２，……）
で表わされるもの、例えばSiF4，Si2F6，Si3F8，
Si2Cl6，Si2Cl3F3などが挙げられる。 上述したものに、分解空間(B)で熱、光、放電な
どの分解エネルギーを加えることにより、活性種
が生成される。 この活性種を堆積空間(A)へ導入する。この際、
活性種の寿命が150秒以上あることが必要で、堆
積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間
(A)に於て、分解空間(C)から導入される活性種との
活性化反応の効率を増し、その際、必要であれ
ば、プラズマなどの放電エネルギーを使用しない
で、堆積空間内あるいは基板上に熱、光などのエ
ネルギーを与えることで、所望の堆積膜の形成が
達成される。 本発明に於いて、分解空間(C)に導入され、活性
種を生成させる原料としては硅素の環状構造を有
するシラン化合物、例えば（SiH2）5，（SiH2）4，
（SiH2）6，（SiH2）5・SiH・SiH3など、あるいは、
水素および高次鎖状シラン化合物、もしくは
ShH4との併用が挙げられる。 本発明に於て堆積空間(A)に於ける分解空間(B)か
ら導入される活性種の量と分解空間(C)から導入さ
れる活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種
類などで決められるが、10：１〜１：10（導入流
量比）が適当であり、８：２〜４：６が好まし
い。 本発明に於て分解空間(B)、及び分解空間(C)で活
性種を生成させる方法としては、各々の条件、装
置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光
エネルギーなどの励起エネルギーが使用される。 次に本発明の堆積膜製造方法によつて形成され
る電子写真用像形成部材の典型的な例を挙げて本
発明を説明する。 第１図は、本発明によつて得られる典型的な光
導電部材の構成例を説明する為の模式図である。 第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用
像形成部材として適用させ得るものであつて、光
導電部材用としての支持体１０１の上に、必要に
応じて設けられる中間層１０２と表面層１０４、
光導電層１０３とで構成される層構造を有してい
る。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al，Cr，Mo，Au，Ir，
Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。この等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等の薄
膜を設けることによつて導電処理され、或いはポ
リエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，Au，Cr，
Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金属で真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理
し、又は前記金属でラミネート処理して、その表
面が導電処理される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所
望によつて、その形状は決定されるが、例えば、
第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。 中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原
子又は窒素原子又は酸素原子又はハロゲン原子
（Ｘ）を含む、非光導電性のアモルフアス材料で
構成され、支持体１０１の側から光導電層１０３
中へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁
波の照射によつて光導電層１０３中に生じ、支持
体１０１の側に向つて移動するフオトキヤリアの
光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものである。 中間層１０２を形成する場合には、光導電層１
０３の形成まで連続的に行うことが出来る。その
場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応
じてHe，Ar等の稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、各々を所定の分解空間(B)と分解空間(C)と
に導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に
加えて、各々の活性種を生成させ、それらを支持
体１０１の設置してある真空堆積用の堆積空間(A)
に導入し、導入された各々の活性種の作用で前記
支持体１０１上に中間層１０２を形成させれば良
い。 中間層１０２を形成用の原料ガスに成り得るも
のとして有効に使用される分解空間(C)に導入され
る活性種を生成する有効な出発物質は、H2，Si
とＨとを構成原子とする硅素の環状構造を有する
シラン化合物、例えば、（SiH2）5，（SiH2）4、ある
いはそれらと水素およびSi2H6，Si3H8などの高次
鎖状シランもしくはSiH4と併用したもの、Ｎを
構成原子とする、或いはＮとＨとを構成原子とす
る例えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラ
ジン（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化ア
ンモニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し
得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物、
ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の飽
和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（CH5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブ
チン（C4H6）等、更に、これ等の他に例えば、酸
素（O2）、オゾン（O3）、一酸化炭素（CO）、二
酸化炭素（CO2）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒
素（NO2）、一酸化二窒素（N2O）等を挙げるこ
とが出来る。 これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される中間層１
０２中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 一方、中間層１０２を形成する際に分解空間(B)
に導入されて活性種を生成し得る出発物質として
は、SiF4，Si2F6等が有効なものとして挙げら
れ、これ等は高温下で容易にSiF2の如き活性種を
生成する。 中間層１０２の層厚としては、好ましくは、30
〜1000Å、より好適には50〜600Åとされるのが
望ましい。 光導電層１０３は、電子写真用像形成部材とし
ての機能を十分に発揮することができるような光
導電特性を持つように、シリコン原子を母体と
し、ハロゲン（Ｘ）を含み、必要に応じて水素
（Ｈ）を含むアモルフアスシリコンａ−SiX
（Ｈ）で構成される。光導電層１０３の形成も、
中間層１０２と同様に、分解空間ＢにSiF4，
Si2F6などの原料ガスが導入され、高温下にてこ
れ等を分解することで活性種が生成される。この
活性種は堆積空間(A)に導入される。他方、分解空
間(C)には（SiH2）5，（SiH2）4，（SiH2）6などの原料
ガスが導入され、所定の励起エネルギーにより活
性種が生成される。この活性種は堆積空間(A)に導
入され、分解空間(B)からの活性種と化学的相互作
用を起し、所望の光導電層１０３が堆積される。 光導電層１０３の層厚としては、適用するもの
の目的に適合させて所望に従つて適宜決定され
る。 第１図に示される光導電層１０３の層厚として
は、光導電層１０３の機能及び中間層１０２の機
能が各々有効に活されてる様に中間層１０２との
層厚関係に於いて適宜所望に従つて決められるも
のであり、通常の場合、中間層１０２の層厚に対
して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。 具体的な値としては、好ましくは１〜100μ、
より好適には２〜50μの範囲とされるのが望まし
い。 第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有さ
れるＨ又はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原
子）好ましくは１〜40atomic％、より好適には
５〜30atomic％とされるのが望ましい。 第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応
じて中間層１０２、及び光導電層１０３と同様に
形成される。シリコンカーバイド膜であれば、例
えば、分解空間(B)にSiF4を、分解空間(C)に
（SiH2）5とCH4とH2あるいは（SiH2）5とSiH2
（CH2）2などの原料ガスを導入し、各々、分解エ
ネルギーで励起させて夫々の活性種を夫々の空間
で生成し、それ等を別々に堆積空間(A)へ導入させ
ることにより表面層１０４が堆積される。又、表
面層１０４としては、窒化シリコン、酸化シリコ
ン膜などのバンドギヤツプの広い堆積膜が好まし
く、光導電層１０３から表面層１０４へその膜組
成を連続的に変えることも可能である。表面層１
０４の層厚は好ましくは0.01μ〜５μ、より好ま
しくは、0.05〜μ〜１μの範囲が望ましい。 光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型
不純物、或いは両不純物を形成される層中にその
量を制御し乍らドーピングしてやる事によつて成
される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、ｐ型不純物として、周期律表第族Ａの元
素、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好適なも
のとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
表第族Ａの元素、例えばＮ，Ｐ，As，Sb，Bi
等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ，
Ga，Ｐ，Sb等が最適である。 本発明に於いて所望の伝導型を有する為に光導
電層１０３中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合３×
10-2atomic％以下の量範囲でドーピングしてやれ
ば良く、周期律表第族Ａの不純物の場合には５
×10-3atomic％以下の量範囲でドーピングしてや
れば良い。 光導電層１０３中に不純物をドーピングするに
は、層形成の際に不純物導入用の原料物質をガス
状態で分解空間(B)あるいは(C)中に導入してやれば
良い。その際には、分解空間(B)の方ではなく、分
解空間(C)方へ導入し、そこからその活性種を堆積
空間(A)に導入する方が好ましい。この様な不純物
導入用の原料物質としては、常温常圧でガス状態
の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用される。 その様な不純物導入用の出発物質として具体的
には、PH3，P2H4，PF3，PF5，PCl3，AsH3，
AsF3，AsF5，AsCl3，SbH3，SbF5，BiH3，
BF3，BCl3，BBr3，B2H6，B4H10，B5H9，
B5H11，B6H10，B6H12，AlCl3等を挙げることが
出来る。 実施例 １ 第２図に示す装置使い、以下の如き操作によつ
てドラム状の電子写真用像形成部材を作成した。 第２図において、１は堆積空間(A)、２は分解空
間(B)、３は分解空間(C)、４は電気炉、５は固体Si
粒、６はSiF4の導入管、７は活性種導入管、８は
電気炉、９は活性種の原料物質導入管、１０は活
性種導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒータ
ー、１３は吹き出し管、１４は吹き出し管、１５
はAlシリンダー、１６は排気バルブを示してい
る。 堆積空間(A)１にAlシリンダー１５をつり下げ
その内側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１
１により回転できるようにし、分解空間(B)２から
の活性種を導入する導入管７を経て、吹き出し管
１３と、分解空間(C)３からの活性種を導入する導
入管１０を経て、吹き出し管１４を備える。 分解空間(B)２に固体Si粒５を詰めて、電気炉４
により加熱し、1100℃に保ち、Siを溶融し、そこ
へボンベからSiF4の導入管６により、SiF4を吹き
込むことにより、SiF2の活性種を生成させ、導入
管７を経て、堆積空間(A)１の吹き出し管１３へ導
入する。一方、分解空間(C)３に導入管９から
（SiH2）5を導入し、電気炉８により300℃に加熱
し、SiH2，SiH，SiH3，Ｈなどの活性種を生成さ
せ、導入管１０から吹き出し管１４へ導入する。
このとき、導入管１０の長さは、装置上、可能な
限り短縮し、その活性種の有効効率を落さないよ
うにする。堆積空間(A)内のAlシリンダーは280℃
にヒーター１２により加熱、保持され、回転さ
せ、排ガスは排気バルブ１６を通じて排気され
る。このようにして光導電層１０３が形成される
が、同様に中間層１０２、表面層１０４も形成さ
れる。 比較例 一般的なプラズマCVD法により、SiF4とSiH4
およびH2から第２図の堆積空間(A)１に13.56MHz
の高周波装置を備えて光導電層１０３を形成し
た。 実施例 ２ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)３に導入する原料ガスをSiH4と（SiH2）5とし
て、電気炉によつて加熱する代わりに13.56MHz
のプラズマ反応を発生させ、プラズマ状態を作
り、各種シランの活性種及びＨの活性種を吹き出
し管１４へ導入して、ドラム状の電子写真用像形
成部材を作成した。 実施例 ３ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)に導入する原料ガスを（SiH2）4，（SiH2）5，
H2とし、電気炉で320℃に加熱し、各種のシラン
の活性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム
状の電子写真用像形成部材を作成した。 実施例 ４ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(B)に導入する原料ガスSi2F6とし、また分解空
間(C)に導入する原料ガスを（SiH2）5とし、電気炉
によつて300℃に加熱し、各種シランの活性種及
び水素の活性種を生成させ、ドラム状の電子写真
用像形成部材を作成した。 実施例 ５ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)に導入する原料ガスをSi2H6／（SiH2）5と
し、電気炉310℃に加熱し、各種シランの活性種
及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子
写真用像形成部材を作成した。 上記した実施例１乃至５及び比較例のドラム状
の電子写真用像形成部材の製造条件と性能を第１
表に示す。 実施例１乃至５の中間層１０２は分解空間(B)に
SiF4、分解空間(C)に（SiH2）5／H2／NO／B2H6
（容量％でNO2％、B2H60.2％）を各々導入し各々
の励起エネルギーで活性種を生成し、堆積空間(A)
へ導入して形成し、中間層１０２の層厚は2000Å
とする。 比較例の場合も実施例１，２と同様な組成の
（SiH2）5／H2／NO／B2H6のガスを用いてプラズ
マCVD法で中間層１０２を形成し、その層厚を
2000Åとする。 実施例１乃至５の表面層１０４は分解空間(B)に
SiF4を導入し、また分解空間(C)には（SiH2）5／
CH4／H2を容量比10：100：50で導入し、各々の
励起熱エネルギーで活性種を生成し、堆積空間(A)
へ導入して形成し、表面層１０４の層厚は1000Å
とする。 比較例の場合も（SiH2）5／CH4／H2を同組成で
導入し、プラズマCVD法で表面層１０４を形成
し、その層厚を1000Åとする。 実施例１乃至５及び比較例のドラム状の電子写
真用像形成部材を、帯電、露光、転写、による
カールソンプロセスに於いて、トナーによる熱
定着方式の複写装置に装着し、全面暗部、全面明
部あるいは全面ハーフトーン部のA3サイズの複
写を行ない、画像中に不均一なノイズが発生する
か否かについて観察したものが平均画像欠陥の数
である。又、その際にドラムの周方向、母線方向
の受容電位の均一性を測定した。これらの結果
は、第１表に示す。 実施例 ６ 第３図において、１７は回転機構を備えた移動
式置台、１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０
は堆積空間を示している。 本実施例は、第３図に示すように、加熱室１
９、堆積空間２０、冷却室１８から成り、各々の
空間に、Alシリンダー１５を回転機構を備えた
移動式置台１７上に置き、連続的に１つの堆積空
間で多数本のドラム状の電子写真用像形成部材が
作成される装置である。本装置を使用して、実施
例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空間
の温度、Alシリンダーの温度、分解空間(B)から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空
間(C)からの導入管１０を経て吹き出し管１４から
の各々の活性種の吹き出し量を制御することによ
り、均一で再現性のある堆積膜をもつドラム状の
電子写真用像形成部材を低コストで量産すること
ができることが確認された。 プラズマCVD法では、このように１つの堆積
空間内で、多本数のドラム状の電子写真用像形成
部材を作成しようとすると、放電の均一性や製造
条件の複雑なパラメーターの相互の相乗効果もあ
つて、再現性よく均一な堆積膜をもつドラム状の
電子写真用像形成部材を作成することが、不可能
であつた。 【表】
は電子写真用の感光デバイスなどの用途に有用な
堆積膜の形成法に関する。 例えばアモルフアスシリコン膜の形成には、真
空蒸着法、プラズマCVD法、CVD法、反応性ス
パツタリング法、イオンプレーテイング法、光
CVD法などが試みられており、一般的には、プ
ラズマCVD法が広く用いられ、企業化されてい
る。 而乍らアモルフアスシリコンで構成される堆積
膜は電気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲
労特性あるいは使用環境特性、更には均一性、再
現性を含めて生産性、量産性の点において、更に
総合的な特性の向上を図る余地がある。 従来から一般化されているプラズマCVD法に
よるアモルフアスシリコン堆積膜の形成に於ての
反応プロセスは、従来のCVD法に比較してかな
り複雑であり、その反応機構も不明な点が少なく
なかつた。又、その堆積膜の形成パラメーターも
多く（例えば、基板温度、導入ガスの流量と比、
形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器
の構造、排気速度、プラズマ発生方法など）、こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、
時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た堆積膜に著しい悪影響を与えることが、少なく
なかつた。そのうえ、装置特有のパラメーターを
装置ごとに選定しなければならず、したがつて製
造条件を一般化することがむずかしいというのが
実状であつた。 一方、アモルフアスシリコン膜として電気的、
光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを
発現させるためには、現状ではプラズマCVD法
によつて形成することが最良とされている。 而乍ら、堆積膜の応用用途によつては、大面積
化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分満足させ
て、再現性のある量産化を図らねばならないた
め、プラズマCVD法によるアモルフアスシリコ
ン堆積膜の形成においては、量産装置に多大な設
備投資が必要となり、またその量産の為の管理項
目も複雑になり、管理許容幅も狭くなり、装置の
調整も微妙であることから、これらのことが今後
改善すべき問題点として指摘されている。 他方通常のCVD法による従来の技術では、高
湿を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が
得られていなかつた。 上述の如く、アモルフアスシリコン膜の形成に
於て、その実用可能な特性、均一性を維持させな
がら低コストな装置で量産化できる形成方法を開
発することが切望されている。 これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シ
リコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於
ても各々同様のことがいえる。 本発明は、上述したプラズマCVD法の欠点を
除去すると同時に、従来の形成方法によらない新
規な堆積膜形成法を提供するものである。 本発明の目的は堆積膜を形成する堆積空間(A)に
於て、プラズマ反応を用いないで形成される膜の
特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら膜形
成条件の管理の簡素化、膜の量産化を容易に達成
させることである。 本発明は、所望の基板上に所望の堆積膜を形成
する堆積空間内に、SioX2o+2（ｎ＝１，２，…
…）で表わされるハロゲン化ケイ素を分解するこ
とにより得られる活性種(a)と硅素の環状構造を有
するシラン化合物から得られる活性種(b)と水素の
活性種との混合物とを、夫々別々に導入すること
により、堆積膜を形成することを特徴とするもの
である。 本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆
積空間(A)でプラズマを使用しないので、堆積膜の
形成パラメーターが導入する活性種の導入量、基
板及び堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧とな
り、したがつて堆積膜形成のコントロールが容易
になり、再現性、量産性のある堆積膜を形成させ
ることができる。 本発明では、堆積空間Ａに導入される分解空間
(B)からの活性種は、その寿命が150秒以上あるも
のが、所望に従つて選択されて使用され、この活
性種の構成要素が堆積空間(A)で形成させる堆積膜
を構成する主成分を構成するものとなる。又、分
解空間(C)から導入される活性種は短寿命のもので
ある。この活性種は堆積空間(A)で堆積膜を形成す
る際、同時に分解空間(B)から堆積空間(A)に導入さ
れ、形成される堆積膜の主構成成分となる構成要
素を含む活性種と化学的に相互作用する。その結
果、所望の基板上に所望の堆積膜が容易に形成さ
れる。 本発明の方法によれば、堆積空間(A)内でプラズ
マを生起させないで、形成される堆積膜はエツチ
ング作用或いは、その他の例えば異常放電作用な
どによる悪影響を受けることは実質的にない。 又、本発明によれば堆積空間(A)の雰囲気温度、
基板温度を所望に従つて任意に制御することによ
り、より安定したCVD法とすることができる。 本発明の方法が従来のCVD法と違う点の１つ
は、あらかじめ堆積空間(A)とは異なる空間に於い
て活性化された活性種を使うことである。このこ
とにより、従来のCVD法により堆積速度を飛躍
的に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の
基板温度も一層の低温化を図ることが可能にな
り、膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量に、
しかも低コストで提供出来る。 本発明の方法では、分解空間(C)に導入する原料
ガスとして環状構造を有するシラン化合物を用い
ることにより、活性種に分解するときの分解速度
を大幅に向上させることができ、また分解を低エ
ネルギーでおこなうことができる。また、従来に
比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を飛躍的
に向上させることができる。したがつて、堆積膜
の形成において、安定でしかも量産化を容易にす
ることができるものである。 本発明に於て、分解空間(B)に導入される原材料
としては、一般式SioX2o+2（ｎ＝１，２，……）
で表わされるもの、例えばSiF4，Si2F6，Si3F8，
Si2Cl6，Si2Cl3F3などが挙げられる。 上述したものに、分解空間(B)で熱、光、放電な
どの分解エネルギーを加えることにより、活性種
が生成される。 この活性種を堆積空間(A)へ導入する。この際、
活性種の寿命が150秒以上あることが必要で、堆
積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間
(A)に於て、分解空間(C)から導入される活性種との
活性化反応の効率を増し、その際、必要であれ
ば、プラズマなどの放電エネルギーを使用しない
で、堆積空間内あるいは基板上に熱、光などのエ
ネルギーを与えることで、所望の堆積膜の形成が
達成される。 本発明に於いて、分解空間(C)に導入され、活性
種を生成させる原料としては硅素の環状構造を有
するシラン化合物、例えば（SiH2）5，（SiH2）4，
（SiH2）6，（SiH2）5・SiH・SiH3など、あるいは、
水素および高次鎖状シラン化合物、もしくは
ShH4との併用が挙げられる。 本発明に於て堆積空間(A)に於ける分解空間(B)か
ら導入される活性種の量と分解空間(C)から導入さ
れる活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種
類などで決められるが、10：１〜１：10（導入流
量比）が適当であり、８：２〜４：６が好まし
い。 本発明に於て分解空間(B)、及び分解空間(C)で活
性種を生成させる方法としては、各々の条件、装
置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光
エネルギーなどの励起エネルギーが使用される。 次に本発明の堆積膜製造方法によつて形成され
る電子写真用像形成部材の典型的な例を挙げて本
発明を説明する。 第１図は、本発明によつて得られる典型的な光
導電部材の構成例を説明する為の模式図である。 第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用
像形成部材として適用させ得るものであつて、光
導電部材用としての支持体１０１の上に、必要に
応じて設けられる中間層１０２と表面層１０４、
光導電層１０３とで構成される層構造を有してい
る。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al，Cr，Mo，Au，Ir，
Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。この等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等の薄
膜を設けることによつて導電処理され、或いはポ
リエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，Au，Cr，
Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金属で真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理
し、又は前記金属でラミネート処理して、その表
面が導電処理される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所
望によつて、その形状は決定されるが、例えば、
第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。 中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原
子又は窒素原子又は酸素原子又はハロゲン原子
（Ｘ）を含む、非光導電性のアモルフアス材料で
構成され、支持体１０１の側から光導電層１０３
中へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁
波の照射によつて光導電層１０３中に生じ、支持
体１０１の側に向つて移動するフオトキヤリアの
光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものである。 中間層１０２を形成する場合には、光導電層１
０３の形成まで連続的に行うことが出来る。その
場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応
じてHe，Ar等の稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、各々を所定の分解空間(B)と分解空間(C)と
に導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に
加えて、各々の活性種を生成させ、それらを支持
体１０１の設置してある真空堆積用の堆積空間(A)
に導入し、導入された各々の活性種の作用で前記
支持体１０１上に中間層１０２を形成させれば良
い。 中間層１０２を形成用の原料ガスに成り得るも
のとして有効に使用される分解空間(C)に導入され
る活性種を生成する有効な出発物質は、H2，Si
とＨとを構成原子とする硅素の環状構造を有する
シラン化合物、例えば、（SiH2）5，（SiH2）4、ある
いはそれらと水素およびSi2H6，Si3H8などの高次
鎖状シランもしくはSiH4と併用したもの、Ｎを
構成原子とする、或いはＮとＨとを構成原子とす
る例えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラ
ジン（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化ア
ンモニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し
得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物、
ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の飽
和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（CH5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブ
チン（C4H6）等、更に、これ等の他に例えば、酸
素（O2）、オゾン（O3）、一酸化炭素（CO）、二
酸化炭素（CO2）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒
素（NO2）、一酸化二窒素（N2O）等を挙げるこ
とが出来る。 これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される中間層１
０２中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 一方、中間層１０２を形成する際に分解空間(B)
に導入されて活性種を生成し得る出発物質として
は、SiF4，Si2F6等が有効なものとして挙げら
れ、これ等は高温下で容易にSiF2の如き活性種を
生成する。 中間層１０２の層厚としては、好ましくは、30
〜1000Å、より好適には50〜600Åとされるのが
望ましい。 光導電層１０３は、電子写真用像形成部材とし
ての機能を十分に発揮することができるような光
導電特性を持つように、シリコン原子を母体と
し、ハロゲン（Ｘ）を含み、必要に応じて水素
（Ｈ）を含むアモルフアスシリコンａ−SiX
（Ｈ）で構成される。光導電層１０３の形成も、
中間層１０２と同様に、分解空間ＢにSiF4，
Si2F6などの原料ガスが導入され、高温下にてこ
れ等を分解することで活性種が生成される。この
活性種は堆積空間(A)に導入される。他方、分解空
間(C)には（SiH2）5，（SiH2）4，（SiH2）6などの原料
ガスが導入され、所定の励起エネルギーにより活
性種が生成される。この活性種は堆積空間(A)に導
入され、分解空間(B)からの活性種と化学的相互作
用を起し、所望の光導電層１０３が堆積される。 光導電層１０３の層厚としては、適用するもの
の目的に適合させて所望に従つて適宜決定され
る。 第１図に示される光導電層１０３の層厚として
は、光導電層１０３の機能及び中間層１０２の機
能が各々有効に活されてる様に中間層１０２との
層厚関係に於いて適宜所望に従つて決められるも
のであり、通常の場合、中間層１０２の層厚に対
して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。 具体的な値としては、好ましくは１〜100μ、
より好適には２〜50μの範囲とされるのが望まし
い。 第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有さ
れるＨ又はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原
子）好ましくは１〜40atomic％、より好適には
５〜30atomic％とされるのが望ましい。 第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応
じて中間層１０２、及び光導電層１０３と同様に
形成される。シリコンカーバイド膜であれば、例
えば、分解空間(B)にSiF4を、分解空間(C)に
（SiH2）5とCH4とH2あるいは（SiH2）5とSiH2
（CH2）2などの原料ガスを導入し、各々、分解エ
ネルギーで励起させて夫々の活性種を夫々の空間
で生成し、それ等を別々に堆積空間(A)へ導入させ
ることにより表面層１０４が堆積される。又、表
面層１０４としては、窒化シリコン、酸化シリコ
ン膜などのバンドギヤツプの広い堆積膜が好まし
く、光導電層１０３から表面層１０４へその膜組
成を連続的に変えることも可能である。表面層１
０４の層厚は好ましくは0.01μ〜５μ、より好ま
しくは、0.05〜μ〜１μの範囲が望ましい。 光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型
不純物、或いは両不純物を形成される層中にその
量を制御し乍らドーピングしてやる事によつて成
される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、ｐ型不純物として、周期律表第族Ａの元
素、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好適なも
のとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
表第族Ａの元素、例えばＮ，Ｐ，As，Sb，Bi
等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ，
Ga，Ｐ，Sb等が最適である。 本発明に於いて所望の伝導型を有する為に光導
電層１０３中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合３×
10-2atomic％以下の量範囲でドーピングしてやれ
ば良く、周期律表第族Ａの不純物の場合には５
×10-3atomic％以下の量範囲でドーピングしてや
れば良い。 光導電層１０３中に不純物をドーピングするに
は、層形成の際に不純物導入用の原料物質をガス
状態で分解空間(B)あるいは(C)中に導入してやれば
良い。その際には、分解空間(B)の方ではなく、分
解空間(C)方へ導入し、そこからその活性種を堆積
空間(A)に導入する方が好ましい。この様な不純物
導入用の原料物質としては、常温常圧でガス状態
の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用される。 その様な不純物導入用の出発物質として具体的
には、PH3，P2H4，PF3，PF5，PCl3，AsH3，
AsF3，AsF5，AsCl3，SbH3，SbF5，BiH3，
BF3，BCl3，BBr3，B2H6，B4H10，B5H9，
B5H11，B6H10，B6H12，AlCl3等を挙げることが
出来る。 実施例 １ 第２図に示す装置使い、以下の如き操作によつ
てドラム状の電子写真用像形成部材を作成した。 第２図において、１は堆積空間(A)、２は分解空
間(B)、３は分解空間(C)、４は電気炉、５は固体Si
粒、６はSiF4の導入管、７は活性種導入管、８は
電気炉、９は活性種の原料物質導入管、１０は活
性種導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒータ
ー、１３は吹き出し管、１４は吹き出し管、１５
はAlシリンダー、１６は排気バルブを示してい
る。 堆積空間(A)１にAlシリンダー１５をつり下げ
その内側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１
１により回転できるようにし、分解空間(B)２から
の活性種を導入する導入管７を経て、吹き出し管
１３と、分解空間(C)３からの活性種を導入する導
入管１０を経て、吹き出し管１４を備える。 分解空間(B)２に固体Si粒５を詰めて、電気炉４
により加熱し、1100℃に保ち、Siを溶融し、そこ
へボンベからSiF4の導入管６により、SiF4を吹き
込むことにより、SiF2の活性種を生成させ、導入
管７を経て、堆積空間(A)１の吹き出し管１３へ導
入する。一方、分解空間(C)３に導入管９から
（SiH2）5を導入し、電気炉８により300℃に加熱
し、SiH2，SiH，SiH3，Ｈなどの活性種を生成さ
せ、導入管１０から吹き出し管１４へ導入する。
このとき、導入管１０の長さは、装置上、可能な
限り短縮し、その活性種の有効効率を落さないよ
うにする。堆積空間(A)内のAlシリンダーは280℃
にヒーター１２により加熱、保持され、回転さ
せ、排ガスは排気バルブ１６を通じて排気され
る。このようにして光導電層１０３が形成される
が、同様に中間層１０２、表面層１０４も形成さ
れる。 比較例 一般的なプラズマCVD法により、SiF4とSiH4
およびH2から第２図の堆積空間(A)１に13.56MHz
の高周波装置を備えて光導電層１０３を形成し
た。 実施例 ２ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)３に導入する原料ガスをSiH4と（SiH2）5とし
て、電気炉によつて加熱する代わりに13.56MHz
のプラズマ反応を発生させ、プラズマ状態を作
り、各種シランの活性種及びＨの活性種を吹き出
し管１４へ導入して、ドラム状の電子写真用像形
成部材を作成した。 実施例 ３ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)に導入する原料ガスを（SiH2）4，（SiH2）5，
H2とし、電気炉で320℃に加熱し、各種のシラン
の活性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム
状の電子写真用像形成部材を作成した。 実施例 ４ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(B)に導入する原料ガスSi2F6とし、また分解空
間(C)に導入する原料ガスを（SiH2）5とし、電気炉
によつて300℃に加熱し、各種シランの活性種及
び水素の活性種を生成させ、ドラム状の電子写真
用像形成部材を作成した。 実施例 ５ 実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空
間(C)に導入する原料ガスをSi2H6／（SiH2）5と
し、電気炉310℃に加熱し、各種シランの活性種
及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子
写真用像形成部材を作成した。 上記した実施例１乃至５及び比較例のドラム状
の電子写真用像形成部材の製造条件と性能を第１
表に示す。 実施例１乃至５の中間層１０２は分解空間(B)に
SiF4、分解空間(C)に（SiH2）5／H2／NO／B2H6
（容量％でNO2％、B2H60.2％）を各々導入し各々
の励起エネルギーで活性種を生成し、堆積空間(A)
へ導入して形成し、中間層１０２の層厚は2000Å
とする。 比較例の場合も実施例１，２と同様な組成の
（SiH2）5／H2／NO／B2H6のガスを用いてプラズ
マCVD法で中間層１０２を形成し、その層厚を
2000Åとする。 実施例１乃至５の表面層１０４は分解空間(B)に
SiF4を導入し、また分解空間(C)には（SiH2）5／
CH4／H2を容量比10：100：50で導入し、各々の
励起熱エネルギーで活性種を生成し、堆積空間(A)
へ導入して形成し、表面層１０４の層厚は1000Å
とする。 比較例の場合も（SiH2）5／CH4／H2を同組成で
導入し、プラズマCVD法で表面層１０４を形成
し、その層厚を1000Åとする。 実施例１乃至５及び比較例のドラム状の電子写
真用像形成部材を、帯電、露光、転写、による
カールソンプロセスに於いて、トナーによる熱
定着方式の複写装置に装着し、全面暗部、全面明
部あるいは全面ハーフトーン部のA3サイズの複
写を行ない、画像中に不均一なノイズが発生する
か否かについて観察したものが平均画像欠陥の数
である。又、その際にドラムの周方向、母線方向
の受容電位の均一性を測定した。これらの結果
は、第１表に示す。 実施例 ６ 第３図において、１７は回転機構を備えた移動
式置台、１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０
は堆積空間を示している。 本実施例は、第３図に示すように、加熱室１
９、堆積空間２０、冷却室１８から成り、各々の
空間に、Alシリンダー１５を回転機構を備えた
移動式置台１７上に置き、連続的に１つの堆積空
間で多数本のドラム状の電子写真用像形成部材が
作成される装置である。本装置を使用して、実施
例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空間
の温度、Alシリンダーの温度、分解空間(B)から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空
間(C)からの導入管１０を経て吹き出し管１４から
の各々の活性種の吹き出し量を制御することによ
り、均一で再現性のある堆積膜をもつドラム状の
電子写真用像形成部材を低コストで量産すること
ができることが確認された。 プラズマCVD法では、このように１つの堆積
空間内で、多本数のドラム状の電子写真用像形成
部材を作成しようとすると、放電の均一性や製造
条件の複雑なパラメーターの相互の相乗効果もあ
つて、再現性よく均一な堆積膜をもつドラム状の
電子写真用像形成部材を作成することが、不可能
であつた。 【表】
第１図は、本発明の方法を用いて作成される光
導電部材の１実施態様例を説明するために、層構
造を示した模式図である。第２図は、本発明の製
造法を具現化するための装置の１例を示す模式的
説明図である。第３図は本発明の製造法が工業的
に量産化可能なことを示す具体的な装置事例を示
したものである。 １……堆積空間(A)、２……分解空間(B)、３……
分解空間(C)、４……電気炉、５……固体Si粒、６
……SiF4の導入管、７……前駆体導入管、８……
電気炉、９……活性種の原料物質導入管、１０…
…活性種導入管、１１……モーター、１２……加
熱ヒーター、１３……吹き出し管、１４……吹き
出し管、１５……Alシリンダー、１６……排気
バルブ、１７……回転機構を備えた移動式置台、
１８……冷却空間、１９……加熱空間、２０……
堆積空間、１００……光導電部材、１０１……支
持体、１０２……中間層、１３……光導電層、１
０４……表面層。
導電部材の１実施態様例を説明するために、層構
造を示した模式図である。第２図は、本発明の製
造法を具現化するための装置の１例を示す模式的
説明図である。第３図は本発明の製造法が工業的
に量産化可能なことを示す具体的な装置事例を示
したものである。 １……堆積空間(A)、２……分解空間(B)、３……
分解空間(C)、４……電気炉、５……固体Si粒、６
……SiF4の導入管、７……前駆体導入管、８……
電気炉、９……活性種の原料物質導入管、１０…
…活性種導入管、１１……モーター、１２……加
熱ヒーター、１３……吹き出し管、１４……吹き
出し管、１５……Alシリンダー、１６……排気
バルブ、１７……回転機構を備えた移動式置台、
１８……冷却空間、１９……加熱空間、２０……
堆積空間、１００……光導電部材、１０１……支
持体、１０２……中間層、１３……光導電層、１
０４……表面層。
Claims (1)
- １ 所望の基板上に所望の堆積膜を形成させる堆
積空間内にSioX2o+2（ｎ＝１，２，……）で表わ
されるハロゲン化ケイ素を分解することによつて
得られる活性種(a)と、硅素の環状構造を有するシ
ラン化合物から得られる活性種(b)と水素の活性種
との混合物とを、夫々、別々に導入することによ
つて、堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜
形成法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151027A JPS6042766A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 堆積膜形成法 |
| DE19843429899 DE3429899A1 (de) | 1983-08-16 | 1984-08-14 | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| GB08420725A GB2148328B (en) | 1983-08-16 | 1984-08-15 | Chemical vapour deposition process |
| FR848412872A FR2555614B1 (fr) | 1983-08-16 | 1984-08-16 | Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur |
| US07/161,386 US4835005A (en) | 1983-08-16 | 1988-02-22 | Process for forming deposition film |
| US08/469,676 US5910342A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-06 | Process for forming deposition film |
| US08/477,269 US5645947A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-07 | Silicon-containing deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151027A JPS6042766A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 堆積膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042766A JPS6042766A (ja) | 1985-03-07 |
| JPS6253587B2 true JPS6253587B2 (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=15509697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151027A Granted JPS6042766A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-18 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042766A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199676A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JP2505731B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2510488B2 (ja) * | 1985-02-05 | 1996-06-26 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2520589B2 (ja) * | 1985-06-17 | 1996-07-31 | キヤノン株式会社 | Ｃｖｄ法による堆積膜形成方法 |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP58151027A patent/JPS6042766A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6042766A (ja) | 1985-03-07 |
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