JPH01727A

JPH01727A - 堆積膜形成法

Info

Publication number: JPH01727A
Application number: JP62-73616A
Authority: JP
Inventors: 俊一石原
Original assignee: キヤノン株式会社
Priority date: 1987-03-23
Filing date: 1987-03-27
Publication date: 1989-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の利用分野］本発明は炭素を含有する堆積膜を形成するのに好適な方
法に関する。

［従来の技術］例えば、ダイヤモンドｇ膜の形成には、イオンビーム蒸
着法、ＲＨプラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法、反応性スパッタリング法、イオンブレーティング
法、光ＣＶＤ法、タングステン線フィラメント法などが
試みられており、このうろ、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法及びタングステン線フィラメント法によってダイヤモ
ンド薄膜の合成に成功したことが報告されている。

これらの方法によりダイヤモンド薄膜を形成するには、
一般に炭化水素（ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６等々）とＨ２との混
合ガスを、基体上に堆積膜を形成するための成膜空間内
に導入し、マイクロ波プラズマを生起させるか、あるい
は基体近傍に配置されたタングステン線フィラメントを
赤熱させ、炭化水素とＨ２の分解によりラジカルを生成
せしめ、これらのラジカルが基体表面玉に到達して膜を
堆積させる。

この場合、形成される堆積膜がダイヤモンド膜になる条
件は、炭化水素の濃度１％以下、基体温度７００〜１０
００℃であると報告されている。

しかし・、これらの方法により形成された堆積膜には、
ダイヤモンド構造以外にグラファイト構造が含まれてし
まい、膜の特性を劣化させている。

この原因としては、炭化水素を原料として用いるため、
気相中での凝集反応か活発であること、及び堆積面に付
着する炭化水素のラジカルが堆積面を十分に拡散しない
て付着するので、必ずしもポテンシャルの低いサイトに
付着せずにランダムに付着するのて、ダイヤモンド構造
以外の構造をとり易くなることか考えられる。

また、炭化水素と１１．とを同一の活性化手段で活性化
するため、両者からのラジカルの量の調節が難しい。こ
のため、ラジカル量の最適化かできないので、膜形成操
作や膜特性の改良か難しい。

［発明が解決すべき問題点］本発明は、前述した従来の問題点を解決し、ダイヤモン
ド薄１８ｉ等炭素を含有する堆積膜を純度良く効率的に
形成し得る堆積膜形成法を提供すべくなされたものであ
る。

本発明は、また、形成される膜の特性、成膜速度、再現
性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面積
化に適し、膜の生産性の向上及び植産化を容易に達成す
ることのできる堆積膜形成法を提供すべくなされたもの
である。

［問題点を解決するための手段］本発明によって提供される堆積膜形成法は、ノ＾体上に
堆！？（膜を形成する為の成膜空間内に、炭素とハロゲ
ンを含む化合物より生成される活性種とと、該活性種と
化学的相互作用をするＪ＆成膜原料、を夫々別々に導入
し、これらに加熱した周期律表第４周期、第５周期及び
第６周期の元素群から選択される金属又は金属化合物の
触媒を作用させて反応させることによって、前記基体Ｅ
に堆積膜を形成することを特徴とする。

本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間におい
てプラズマを生起させる代りに、加熱した金属触媒を用
い成膜原料のガスを励起し反応させるため、形成される
堆ｖＩ膜は、エツチング作用、或いはその他の例えば異
常放電作用などによる悪影響を受けることは実質的にな
い。

本発明方法が従来の堆・積膜形成法と異なる点の１つは
、原料として炭素とハロゲンを含む化合物を用いること
である。この化合物から生成する活性種は反応性が弱い
ため、気相中での反応が抑えられる。また、成膜表面で
の反応性も弱いため、成膜表面を大きく拡散てき、最も
安定なサイトに、ラジカル等が付着する。この結果、例
えばダイヤモンド構造のみを有する炭素の堆積膜を容易
に形成せしめることができる。

本発明の方法か従来の成膜法と違う点の他の１つは、あ
らかじめ成膜空間とは異なる空間（以下１分解室間とい
う）に於いて活性化された活性種を使うことである。こ
のことにより、従来の成膜法より特性を飛躍的に伸ばす
ことかでき、加えて堆積膜形成の際の基板温度も一層の
低温化を図ることか回走になり、膜品質の安定した堆積
膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供できる。

本発明では、成膜空間に導入される分解空間からの活性
種は、生産性及び取扱い易さなどの点から、その寿命か
０．０１秒以上、より好ましくは０．１以り、最適には
１秒以上あるものが、所望に従って選択されて使用され
る。炭素とハロゲンを含む化合物及び成膜原料の活性種
は成膜空間で加熱した金属触媒により励起され、化学的
に相互作用を促進される。その結果、所望の基体りに所
望の堆積膜か容易に形成される。

本発明において、分解空間に導入される炭素とハロゲン
を含む化合物としては、例えば鎖状又は垣状炭化水素の
水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子て置換した化合
物が用いられ、具体的には、例えば、ＣｕＹ２ｕ＋ｔ　
　（ｕは１以玉の整数、ＹはＦ、　（：Ｉ、　８ｒ、及
び！である。）て示される鎖状ハロゲン化炭素、ＣＶＹ
２Ｖ　（ｖは３以上の整数、Ｙは＋ｉｉＪ述の意味を有
する。）て示される環状ハロゲン化ケーイ素、Ｃ，、Ｈ
ヮＹ、　（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２
ｕ又は２ｕ＋２である。）て示される鎖状又は環状化合
物などが挙げられる。

具体的には例えばＣＦ４．　（ＣＦＪｓ、　ＣＣＦ２）
ａ。

（ＣＦ２）−、ＣＪａ、　　Ｃ：ｌＦ６．　　ＣＨＦ３
．　　Ｃ１ｌ　２ｈ、ＣＣＬ（（：ＣＬ）ｓ　。

ＣＢｒ４．　（ＣＢｒ２）ｑ、　ｃ２ｃ１６．　　ｃ２
ｃｈＦｊなどのガス状態の又は容易にガス化し得るもの
が挙げられる。

また本発明においては、前記炭素とハロゲンを含む化合
物を分解することにより生成する活性種に加えて、ケイ
素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生成す
る活性種を併用することかてきる。このケイ素とハロゲ
ンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状シラン化
合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換し
た化合物か用いられ、具体的には、例えば、５ｉｕＺ２
ｕ＊２（Ｕは１以上の整数、ＺはＦ、　Ｃ１，Ｂｒ、及
びＩよっである。）て示される鎖状ハロゲン化ケイ素、
５ｉｖＺｔｖ　（ｖは３以上の整数、Ｚは前述の意味を
有する。）で示される原状ハロゲン化ケイ素、５ｉｕｌ
ｌｊｙ　　（ｕ及びＺは前述の意味を有する。Ｘ＋ｙ＝
２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化
合物などが挙げられる。

具体的には例えば５ｉ）４ｕ　（ＳｉＦｔ）ｑ、　（Ｓ
ｉＦ２）１−１（ＳｉＦｚ）＜＋　Ｓｉ２Ｆ６．　Ｓｉ
：＋Ｆａ＋　５ｉｌｌＦ：＋、５ｉｌｌＪ２．５ｉＣＩ
４゜（ＳｉＣ１ｔ）ｑ、　ＳｉＢｒ４．　（Ｓ！Ｂｒｚ
）、３．　　Ｓ！２Ｃ１ａ、５ｉ２ＣＩｚＦｚなどのガ
ス状態の又は容易にガス化し得るものか挙げられる。

活性種を生成させるためには、前記炭素とハロゲンを含
む化合物（及びケイ素とハロゲンを含む化合物）に加え
て、必要に応してケイ素巾体等他のケイ素化合物、水素
、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス、Ｃ＋ガス、ガス化
したＲｒｚ　、　１２Ｋ）などを併用することかできる
。

末完１！′Ｉの方法て用いる前記成膜原料のガスとして
は、水素ガス及び／又はＣとＨな構成原子とする例えば
炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、
具体的には飽和炭化水素としてはメタン（Ｃ１１，）　
、エタン（Ｃ２＋１６）、プロパン（Ｃ：ｌｌ＋８）、
　ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃ４１１１０）、ペンタン（Ｃｑ
ｌｌ＋ｚ）　、エチレン系炭化水素としては、エチレン
（Ｃ：２１Ｌ）、プロピレン（Ｃ，Ｏ，）、ブテン−１
（Ｃ４１１，）、ブテン−２（（：、Ｈ６）、イソブチ
レン（Ｃ４１１，）、ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）、アセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（ＣＪ２）、メチ
ルアセチレン（Ｃ３１１４）、ブチン（Ｃ４＋１．）等
、更に、これ等のＨを一部ハロゲンて置換した例えばＣ
Ｈ，３Ｆ、　Ｃ１１３ＣＩ等のガス、あるいはＳｉとＨ
とを構成原子とするＳＯＬ　＊Ｓｉ、Ｈａ　、　５ｉ３
１１６及び５ｉｌ１３ＣＩ、　ＳｉＨ３Ｆ　、　５ｉｌ
ｌＪｒ　　等の水素の多いハロゲン化シラン。

ＧｅとＨとを構成原子とするＧｅＨ＜、及びＧｅｌ：＋
ＣＩ、Ｇｅ１ｌＪ　、Ｇｅ１ｌＪｒ等の水素の多いハロ
ゲン化ゲルマン或はＮとＨとを構成原子とする例えばア
ンモニア（ＮＨ：＋）　、ヒドラジン（ｌ（ＪＮｌ１２
）、アジ化水素（Ｎｌｈ）　、アジ化アンモニウムウ（
ＮＩＩＪｚ）等のガス状の又はガス化し得る。ちつ素水
素化物等を必要に応して用いる。

また、これらの成膜原料ガスに加えて、例えばヘリウム
、アルゴン、ネオン等の不活性ガス、あるいは、Ｊ＆、
膜しようする膜によっては、Ｎ２．０２、あるいはＦ２
、Ｃ１，、Ｂｒ、、１２等を加えることもてきる。

これらの原料ガスの複数を用いる場合には、予め混合し
て成膜空間内に導入することもてきるし、あるいはこれ
らの原料ガスを夫々独立した供給源から識別に供給し、
活性化室に導入することもてきる。

本発明において、成膜空間における前記炭素とハロゲン
含有化合物と成膜原料のガスより生成される活性種との
量の割合は、堆積条件、活性種の種類なとて適宜所望に
従って決められるか、好まし、くは１００：１〜１　：
　ｔｏｏ　（導入ｙｔｒｉ比）か適当であり、より好ま
しくはＩＯ＋ｌ〜ｌ：５０とされるのが望ましい。

また本発明の方法により形成される堆ａ膜を不純物元素
でドーピングすることか可能である。使用する不純物元
素としては、ｐ型不純物として、周期律表第■族Ａの元
素、例えばＲ，ＡＩ、　Ｇａ、　Ｉｎ。

１１等か好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物として
は、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ。

Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等が好適なものとして挙げられる
か、特にＢ、　Ｇａ、　Ｐ、　Ｓｂ等か最適である。ド
ーピングされる不純物の量は、所望される電気的、光学
的特性に応して適宜決定される。

かかる不純物元素を成分として含む化合物としては、常
温常圧でガス状態であるか、あるいは少なくとも堆積膜
形成条件ドで気体であり、適宜の気化装置て容易に気化
しうる化合物を選択するのか好ましい。この様な化合物
としては、Ｐｌ＋、。

Ｐ２１１．、　ＰＦ、、　ＰＦ９．　Ｐｃｔ、、　Ａｓ
１ｌ＝、　　＾ｓＦ３．＾ｓＦｓ、　ＡｓＣ１ｉ、　　
５ｂｔ１３．　５ｔｌＦｓ、ＳＩＨ：＋　　＋ＢＦ：ｌ
＋　　１１（：１３．　　ＢＢｒ２．　　Ｂ２１１６゜
＋１４１１１０．　Ｂ５ｔｌｑ、　Ｂ＝ｌＨＩＩ、　Ｒ
６１１１０，８６１１１２，ＡＩ（：ｌ＋あるいは（Ｃ
１ｌｘ）Ｊｌ　、（Ｃｌｌ、、）、、Ｇａ、　５の有機
金属等を挙げることかできる。不純物元素を含む化合物
は、１種用いても２種以上併用してもよい。

不純物元素を成分として含む化合物な成膜空間内に導入
するには、予め前記成Ｗｌ原料のガス等と混合して導入
するか、あるいは独立した複数のガス供給源よりこれら
の原料ガスを各個別に導入することもできへ。

本発明で用いられる周期律表第４周期、第５周期及び第
６周期の元素の中から選択される触媒としては、スパッ
タリング、！；′＃病、飛散などにより堆積膜中へ混入
しにくいものを選ぶことが望ましく、また、これらを用
いて活性化する際に、これらか混入しにくい活性化条件
を選ぶ必要かある。

その様な材料としては、周期律表第４周期、第５周期あ
るいは第６周期の元素の中の金属、合金あるいは金属酸
化物、金属塩化物を挙げることかでき、これらの中でも
、■、■、■、■族に属する遷移金属、場合によっては
１．ＩＩ、ｍ族の非遷移金属、あるいはこれらの酸化物
を好適に用いることかてきる。

具体的には例えば、　Ｔｉ、　Ｎｄ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、
　’１１．　Ｆｃ。

Ｎｉ、　Ｇｏ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ｍｎ、　Ａｇ、　′
１．ｎ、　Ｃｄ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、、　Ｐｄ−Ａｇ、　
Ｎｉ−Ｃｒ　、ＴｉＯ□、ＮｉＯ，Ｖ２Ｏ，、ＰｄＣｌ
２．ＲｈＣｌ＋、ＴｉＣｌ４などが挙げられる。

また、活性化条件としては、触媒材料への直接通電によ
る抵抗加熱の他、石英管などにこれらの触媒を詰め外部
より電気炉、赤外線炉等にて間接的に加熱する方法がと
られる。

触媒の形状としては粒状、あるいは多孔質無機担体に金
属微粒子を付着させたもの、フィラメント状、メツシュ
状、チューブ状、ハニカム状のうちいずれかを選ぶこと
によって、前駆体及び／又は活性種の生成断面精な変化
でき、前駆体と活性種との反応を制御し、均一な堆積膜
を作成することか出来る。

次に１本発明方法によって形成される電子写真用画像形
成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。

第１Ｕ４及び第２１ｊ２！Ｉ　（ａ）　、　（ｂ）は、
本発明によって得られる典型的な光導電部材の構成例を
説明するための模式図である。

これら図において、符号１１で示すものか光導電層、符
号２３で示すものか電荷輸送層、２２は電荷発生層、１
２及び２４は支持体、２１は表面層、２５は電荷阻止層
である。

電荷輸送層２３に用いられる炭素を主体とする膜非晶質
であっても良いし、ダイヤモンド構造のような結晶構造
を少なくとも部分的に含むものであっても良いが、ラマ
ンスペクトルの１３３３ｃｍ−’を含む領域のストーク
ス線で特徴づけられる構造を少なくとも部分的に含む事
が望ましい。電荷輸送層を構成する炭素質膜が完全なダ
イヤモンド構造を多にに含むダイヤモンド多結晶に近い
膜てあれば、電子写真感光体の帯電性および感度、表面
硬度、耐久性等を向丘させることができる。

また、炭素質膜はｒ＆成膜件によっては着色することが
あるが、得られる膜が非晶質もしくは結晶性のいかんに
かかわらず、成膜時のフッ素又は水素又は他のハロゲン
元素分子の！（ａ比を高める事により着色を減じる事か
出来る。

電荷輸送層２３をｍ族する炭素質膜は半導体的不純物と
して、周期律表第ｍ族又は第Ｖ族に属する原子のドーピ
ングを行ない、その特性を改善する事か出来る。このよ
うな第１族又は第Ｖ族原子によるドーピングは、本発明
の電子写真感光体を正帯電又は負帯電て使用する際の帯
電性を高め。

感度を向上させ、残留電位を下げる効果かある。

これは、これら原子のドーピングにより電荷輸送層２３
の電荷キャリアの濃度が変化するか、又は電荷キャリア
の輸送性か変化するためと考えられる。この変化は比較
的おだやかであるので、その制御は容紡である。これら
原子の添加量は５　ｐｐｍ以−ヒ５原子％以下の範囲、
より有効な範囲としては５０　ｐｐｍ以上５原子％以下
であるのか望ましい。これらのより詳しい条件は実施例
中て述べる。第１族に属する原子としてはＲ，ＡＩ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｔ１等か挙げられる。第Ｖ族の元素としては
Ｎ、Ｐ、Ａｓ。

Ｓｂ、Ｂｉ等か挙げられる。製造安定性、コスト、効果
の大きさなどからは、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａｌなどか特に望ま
しい。

１１１ｉ″荷輸送層２３のＶ厚は使用条件等により適宜
選択することかできるか、好ましくはＩｇ、ｍ以上１１
００ｐ以下の間にあることが望ましい。これは、ｌｐｍ
以下では通常の現像方法では満足出来る目視画像濃度か
得られない場合かあり、１００ｇｍ以上では残留電位が
大きすぎて成膜に要する時間や支持体との密着性等に問
題を生じる場合があるためである。前記層間のより好ま
しい範囲は、５７ｚｍ以上５０ｐｍ以下である。この範
囲では使用条件がゆるやかになって使い易いばかりか、
従来の感光体に比して膜厚が薄くても画像濃度か高くな
る傾向があるので、製造コスト低減にとって有利である
。

本発明の電子写真感光体の炭素主体膜を電荷輸送層に用
いた場合における電荷発生層２２は、光導電性を有する
ものであれば従来公知のいかなるａＩ＆のものでもよい
０例えばプラズマＣＶＤにより成膜したＡ−３ｉ：ＩＩ
を主体とする０、５〜２０．ｇｍ程度の膜厚のものや、
これに更にＧｃやＣ等を含イｉさせたものを挙げること
かできる。未発１ηてはこのような電荷発生層からの電
荷輸送層への電荷１ｖ入を良好に行なうことか出来る。

Ｊ−記の例では、電荷輸送層として下記実施例に記載さ
れた条件で作成された電荷輸送住方に優れ、且つ電気抵
抗（電気伝導度の逆数）の高い炭素を主体とする膜を用
いているため、電荷発生層２２−を従来の電子写真感光
体におけるよりも低抵抗のものとすることができる。具
体的には例えば、電気抵抗の値として１ｏ−１０Ωｃ１
１程度以下てあってもよい。従って、光導電性か大きく
ても低抵抗であるために利用困難であった材料でも使用
する事が可能になり、極めて高い感度か得られるもので
ある。

また本発明の炭素主体膜を第１図の光導電層として用い
る場合も、前記電荷発生層と同様の炭素−主体膜を用い
ることが可能であるが、電気伝導性に関してはＩＱ−１
００ｃｍ−’　　であることが好ましい。

本発明の電子写真感光体の支持体１２及び２４は支持体
としての機械的強度が満されれば絶縁体であっても導電
体であっても良いか、くり返し使用する場合には少なく
とも支持体１２及び２４の感光層と接する側が導電性処
理されていることが望ましい。導電性支持体としてはと
してはＡＩ、Ｆｅ。

Ｎｉ、ステンレス、Ｓｎ、Ｚｎ、ＣｒＪｏ、Ｔｉ、Ｔａ
、Ｗ、へｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属やＳｉ、Ｇｅ　、グラ
ファイトなどが使用可能である。感光層の接着性等の改
良その他の目的で導電性支持体の表面に支持体金属とは
別の導電性の物質をコーディングしても良い、絶縁性支
持体としてはポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボ
ネート、ホリスチレン、ポリアミド、ＰＥ７の有機ポリ
マーの他、ガラス、セラミ、シクスなどの無機材料も使
用てきる。支持体の大きさ及び形状は本発明の電子写真
感光体の使用用途により自由に選択する・Ｋか出来、ｆ
の平に乗る様な小さなカード状のものや円筒型あるいは
ベルト状のものなどどれも使用可能である。

第２図（ａ）の電子写真感光体の場合には、通常、表面
層２１を設けることか望ましい。特に電荷発生層２２を
Ａ−３ｔ：ｔｌとした場合には、高湿環境下での画像劣
化防止の向上やコロナ放電生成物の影響による画質低下
防止の向上をはかるために表面層２１を設けることか望
ましい０表面層２１は可視光領域においである程度透明
で電気伝導度か低ければ色々な材料が使用可部である。

例えばブラダ７ＣＶＤなどで形成されたＡ−３ｉＣ（Ｉ
ｔ）、八−３ｉＮ（１１）などの膜で・も良い。また電
荷輸送層２３に使用出来る炭素を主体とする層であって
も良いが、その場合は光学的バンドギャップか、望まし
くは２、口ｅＶ又はそれ以上であることが望ましい。電
気伝導度やフッ素の含有量は表面層２１に要求される特
性を満足するものであれば特に限定されない。また、表
面層２１にはＣやＳｉの他に水素や他のハロゲン元素を
含んでいても良い。このハロゲン元素は表面層の自由表
面近くにのみ含有されるか、又はその表面から電荷発生
層２２との海面にかけて濃度勾配をもっていても良い。

第２図（ｂ）の電子写真感光体の場合には電荷注入阻止
層２５を、電荷発生層２２と支持体２４との間に設ける
事か望ましい。これにより帯゛屯能の一層の向上や画質
の欠陥の発生をより一層防止出来る。電荷注入阻止層２
５としてはプラズマＣＶＤなとで成膜された不純物てド
ーピングされた八−３ｉ（Ｈ，Ｘ）などが使用可能であ
る。感光体を正帯電で使用する場合には、電荷注入阻止
層２５はｐ型、負帯電で使用する場合にはｎ型にドーピ
ングしておくことが好ましい。ｐ型にする場合Ｂ　、　
Ａ　Ｉのような第■族原子か、ｎ型にする場合にはＮ、
Ｐ。

Ａｓのような第Ｖ族原子かドーピング材として適当であ
る。

第３図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされたａ−ｃ堆積膜を利用したＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスの典型例を示した模式図である。

図中、３１は基体、３２及び３７は薄膜電極。

３３は半導体膜であり、ｎ型ａ−８ｉ（Ｉｔ、Ｘ）層３
４、ｉ型のａ−３ｉ（Ｉｔ、Ｘ）層又はａ−３ｉ：Ｇｅ
（Ｈ，Ｘ）層３５、ｐ型のａ−Ｃ（ｔｌ、Ｘ）層３６に
よって構成される。３８は外部゛上気回路装置と結合さ
れる導線である。

基体３１としては導電性、半導電性、電気絶縁性のもの
か用いられる。基体３１か導電性である場合には、薄膜
゛−［極３２は省略しても差支えない。半導電性基板と
しては１例えばＳｉ　、Ｇｅ　。

ＧａＡｓ、ＺｎＯ，２ｎＳ等の半導体が挙げられる。Ｑ
膜電極３２．３７としては例えばＮｉＣｒ　、　ＡＩ　
、Ｃｒ、Ｍｏ　。

八ｕ　　、Ｉｒ　　、Ｎｂ　　、Ｔａ　　、Ｖ　　、Ｔ
ｉ　　、ＰＬ　　、　　Ｐｄ　　、　　１ｎ２０．。

５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ：＋　”　Ｓｎｏ□）
等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等の処理で基体３１上に設けることによって得られる
。電極３２．３７のンｌ膜としては、好ましくは３０〜
５ｘｌＯ’人、より好まし・くは１００〜５×１０３人
とされるのか望ましい。

１１１Ｎ型ダイオード、デバイスを太陽電池あるいは光
検知デバイスとして用いる場合薄１Ｉ５１！電極３３あ
るいは３７の少なくともいずれか一方は透明もしくは半
透明てなければならない。

ａ−３ｉ（１１，Ｘ）の半導体層を形成するには、上記
基体を真空チャンバー内に挿入し、通常のＳｉＨ＜＋５
ｉ２１１６あるいはＳｉＨ，と１１□との混合ガスのプ
ラズマグロー放電分解法により、あるいは、本出願人よ
り先に開示された公開特許公報（Ａ）昭６１−１７９８
６９に記載されたケイ素とハロゲンを含む化合物を活性
化空間で分解することにより生成される活性！ｌｉ　（
Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする、成膜
用の化学物質を別の活性化空間て分解することにより生
成される。

活性種（Ｂ）とをそれぞれ別々に導入して化学反応させ
ることにより、成膜することかできる。

なおｎ型のａ−３ｉ層を成膜するには、層形成の際に、
ｎ型不純物含有ガスを原料ガスにまぜることにより形成
される。

ｐ型のａ−Ｃ（Ｈ，Ｘ）層を形成するには、本発明方法
によりｒ！；ｔ、膜室間に炭素とハロゲンを含む化合物
か導入され、また、これとは別に、水素を含むガスと、
ｐ型の不純物元素を成分として含む化合物のガスを活性
化空間で分解生成される活性化した活性種を成膜空間に
導入し、導入された炭素とハロゲンを含む化合物は、瑚
期律表の第４周期から第６周期の金属から成るメツシュ
状あるいはハニカム状の部材の触奴作用により活性化さ
れ、活性化空間から導入された活性種と化学反応して、
基体３１上に堆積膜か形成される。ｎ型のａ−３ｉ（）
Ｉ、Ｘ）およびｐ型のａ−（：（Ｉｔ、Ｘ’）層の層厚
としては、好ましくは５０−１０４人、より＆ｆましく
は２００〜２０００人の範囲か望ましい。

また、ｉ型のａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）層の層厚としては、好
ましくは５００〜１０４人、より好ましくは１０００〜
１００００人の範囲か望ましい。

なお、ａ−Ｃ（１−１，Ｘ）の光に対する透過性か良い
ことの特性を生かすためには、ａ−Ｃ（ＩＩ、Ｘ）は薄
膜電極３２あるいは３７のうち、透明電極に接するよう
に形成する。

第４図は、本発明の堆積法により炭素膜を堆積するため
の装置の一例である。

第４図において、１０１は成膜室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。

１０４は基体加熱用のヒーターてあり、該ヒーター１０
４は、基体１０５を加熱する際に使用され、導線ｌＯ５
を介して給電され、発熱する。

１０６は熱電体て、基板表面温度をモニターし、その結
果をヒーター１０４にフィールドハックし、項中の温度
に保持できるようになっている。

１０７、ｉｌｌ及び１１８は、ガス供給管であり、活性
種生成用の原料ガス及び、成膜用のガス、及び必要に応
じて用いられる不活性ガス、不純物元素を成分とする化
合物のガスの種類に応じて設けられる。これ等のガスが
標準状態に於いて液状のものを使用する場合には、適宜
の気化装置を！備させる。

１０８．１１９は活性種を生成する為の活性化室である
。１０９．１２０は活性種を生成する為のエネルギー源
である。１１２は触媒としてのモリブデンをハニカム状
に成型したちのてあり、導線１１３を介して給電され、
発熱する。ガス導入管１０７，１１８より供給される活
性種生成用の原料ガスは、活性化室１０Ｂ及び１１９内
に於て活性化エネルギー源１０９及び１２０の作用て活
性化され、生じた活性種は導入管１１０及び１２１を通
して、成膜室１０１内に導入される。

１１２は周期律表の第４周期から第６周期元素により構
成される金属触媒てハニカム状あるいはフィラメント状
にｒ＆型したものてあり、導線１１３を介して給電され
１発熱する。１１４はガス圧力計である。

また１図中、１１６は排気バルブ、１１５゜１１７は排
気管である。

（実施例１）第４図の成膜装置を用い、下記の手順で非晶質７Ｒ素膜
を形成した。石英ガラスの基体１０３を支持台１０２上
に設置し、基板を約３００°Ｃに加熱した。

排気装置を用いて成膜室ｌＯ１内を排気し、約１０−’
Ｔｏｒｒに減圧した。次に、成膜室１０１内に置かれた
触媒としてのハニカム状のモリブデン１１２に導線１１
３を介して給電し、赤熱状態とする。ガス供給管１０７
よりＩ＋２ガス５００　ｓｃｃ＋＊、或いはＰＨ３ガス
又はＢ：）Ｉ６ガス（何れも１１０００ｐｐ水素ガス希
釈）４０ｓｅｃｍとを混合した１１□ガス総流礒５００
　ｓｅｃｍを成膜室ｌｏｔに導入した。

また他方、活性化室１０８に固体０粒を詰めて、活性化
エネルギー源１０９として電気炉により加熱し、約ｔｉ
ｏｏ’ｃに保ち、Ｃを赤熱状態とし、そこへ導入管１０
７を通じて不図示のボンベよりＣＦ４ガス４０５ｅａ１
１を吹き込むことにより、活性種としてＣＦ”ラジカル
を生成させ、該ＣＦ１ラジカルを導入管１１０を介して
成膜室ｌｏｔへ導入した。成膜室ｌｏｔ内の圧力を０．
５　Ｔｏｒｒに保ちつつ、上記状態を保ちつつ約６０分
それぞれのガスを流したところ石英基体Ｅに、ノンドー
プあるいはドーピングされたｉ型及びＮ型Ｐ型の炭素膜
が形成された。堆＠ｌ膜の厚みはそれぞれの膜ともたい
たい５０００人程度堆積った。ラマン分光の結果、ｉ型
、Ｎ型、Ｐ型膜とも１６００ｃｍ−’、１３６０ｃ＠−
１にブロードなピークかあり、非晶質であることかわか
った。得られたｉ型、Ｎ型、Ｐ型膜の炭素１漠に八ｔの
クシ型ギャップ電極をつけ、暗導゛屯率を測定したとこ
ろ、ｉ型炭素膜は測定限界をこえておりσ＜　１０−１
４３７ｃｍてあった。またＮ型、Ｐ型の炭素膜の暗導′
＠率はそれぞれ〜１Ｏ−６Ｓ　／　Ｃ１１、〜１０−’
Ｓ／ｃｓで熱起電力より求めた導電の型はそれぞれＮ型
及びＰ型を示した。

（実施例２）第４図の装置を用いて、第３図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。

まず石英ガラス基板上にＩＴＯ膜１０００人をスパッタ
装置により蒸着した後、成膜室１０１の支持台１０２上
に設置した。その後、１０−’Ｔｏｒｒに減圧した後、
Ｗよりなるフィラメント状の金属触媒１１２に導線１１
３より通電を行ない赤熱をさせた。また基体１０３の温
度を支持台１０２にうめこまれたヒーター１０４により
、２５０℃になるようにした。基体１０３の表面温度か
一定の所望の温度になった後、ガス導入管１０７よりＣ
２Ｆ　ｂガス３０　ｓｃｃｍを石英ガラス管でできた活
性管空間１０８に導入した０石英ガラス管の周りには活
性化エネルギー源１０９としてマイクロ波のプラズマ発
生炉か装着されており、マイクロ波を印加することによ
り、石英ガラス管中にプラズマを発生させることかてき
る。４００Ｗのマイクロ波を印加しプラズマを発生させ
、ＣＦｎ７（ｎ≦３）ラジカルを生成し、ラジカル輸送
管１１０を介して、成膜室１０１にＣＦｎ’ラジカルを
導入した。

また輸送管１１１よりＨ２で１１０００ｐｐに九釈した
８２１１Ｇガス４００．ｓｃｃｍを成膜室ｌｏｔに導入
した。

Ｉ＆成膜ｌｏｔ内の圧力を０．７　Ｔｏｒｒになるよう
バルブ１１６を調整した。

上記状ｊ感を保持したまま、ガスを約５分間流し、ＩＴ
Ｏ上に約３００人のｐ型非晶賀炭素膜を形成した。

その後、Ｗフィラメント・＼の通電を止め、フィラメン
トの温度が十分に下がった後、ガス・ｑ入管１０７より
５ｉＦｎガス２０　ｓｃｃｍを石英ガラス管でてきた活
性化空間１０８に導入した。２００Ｗのマイクロ波を印
加し、石英ガラス管中にプラズマを発生させ、　５ｉＦ
ｎ”　　（ｎ≦３）ラジカルを生成し、ラジカル輸送管
１１０を介して成膜室１０１にＳｉＦ口８ラジカルを導
入した。

また、ガス導入管１１８より１１□ガス３０　ｓｃｃ■
及びＡｒガス３０　ｓｃｃｍを活性化空間１１９に導入
した。活性化空間１１９は活性化空間１０８と同様石英
ガラス管でてきており、その周りには活性化エネルギー
源１２０として、同様にマイクロ波のプラズマ発生炉か
装着されており、マイクロ波を印加することにより、プ
ラズマを発生させることかできる。３００Ｗのマイクロ
波を印加しプラズマを発生させ、原子状の水素ラジカル
を生成し、輸送管１２１を介して成膜室に導入した。排
気管途中におかれた真空バルブｔｔａを調整し、成膜室
の圧力をＱ、５Ｔｏｒｒに保った。この状態で４０分放
置した。その結果、上記ｐ型ａ−Ｃ膜上にドーピングし
ていないａ−３ｉ膜が約６０００人成膜された。その後
、Ｈ２ガスに濃度比４００　ｐｐｍになるようＰＨ，ガ
スを混入させ、上記ノンドープのａ−５ｉ膜上に約４０
０人のＮ型ａ　−３ｉ膜を堆蹟した。その後ガスを止め
、石英ガラス上のＩＴＯ／ｐ型ａ−Ｃ膜／ノンドープａ
　−３ｉ膜／Ｎ型ａ　−５ｉ膜を形成した試料にＡｇを
約５００人スタックリング法で蒸着した。以上の結果石
英基板上にＩＴＯ／ｐ型ａ−Ｃ１１２／Ｉ型のａ　−８
ｉｌｌＱ／Ｎ型ａ　−３ｉ膜／ＡｇよりなるＰＩＮダイ
オードか形成された。

形成されたＰＩＮダイオードのＡＭ　１　１００＋ａＷ
／Ｃｌ１１２下ての光電変換効率は２層をＮ層と同じ方
法（すなわちＰＨ，ガスの代りにＢ、ＩＩｒ、ガスを混
入して作成した）て作成したｐ型ａ　−３ｉ膜を用いた
ＰＩＮダイオードに比べ、約２０％の向りかみられた。

（実施例３）第４図の成膜装置を用い、下記の手順てダイアモンド薄
膜を形成した。ｌ　／　４　ｇ　ｍ径のダイアモンド・
ペーストてハフ研磨したＳｉ　（（Ｔ１１）ウェハーを
基体上して用い、支持台１０２上に設置した後、排気装
置を用いて成膜室１０１内を排気し、約１０−’Ｔｏｒ
ｒに減圧した。

支持第１０２上にうめこまれたヒーター１０４により、
基体１０３上の温度を７００℃に設定した。また基体１
０３の近傍上におかれた触媒としてのフィラメント状の
パラジウム１１２に導線１１３を介して給電し、赤熱状
態とする。　ガス供給管ｉｉｉより１１２ガス８００　
ｓｅｃｍｆｔ成膜室に導入した。またガス供給管１０７
よりＣＶ、ガスを１５ｓｅｃｍ、石英ガラス管でてきた
反応室１０８に導入した。石英反応室１０８の囲りに装
着した活性化エネルギーＷ１０９としてのマイクロ波プ
ラズマ発生炉にマイクロ波３００Ｗを印加し、　ＣＦｎ
”（ｎ≦３）ラジカルを生成しラジカル輸送管１１０を
介して成膜室１０１に導入した。成膜室１０１の圧力を
３０　Ｔｏｒｒになるように排気バルブ１１６により調
整した。

この結果を約２詩間放置したところ、５ｉ（ＩＩＩ）基
板上に厚さ約１．＝１ｐｍの炭素膜が析出した。

作成した炭素膜をラマン分光で調べたところ１３３２ｃ
ｍ−’にするどいピークがあった。また電子線回折でも
（ＩＩＩ）のスポット状の回折がみられ、ダイアモンド
８薄であることがわかった。生成ダイアモンドのＳＥＭ
像を観察したところ粒径５７Ｌｍ以上の極わめて良質の
ダイアモンド薄膜が形成されていた。

実施例４第５図に示す装置を使い、以下の如き操作によって、第
１図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部
材を作成した。

第５図において、４４０は成膜室、４２１は炭素とハロ
ゲンを含む化合物ガス導入管、４２２は活性化室、４２
３は活性化エネルギー源、４２６は活性種導入管開口部
、４３１はメツシュ状の金属触媒、４３２は円筒状基体
、４３３は円筒状基体を加熱するための赤外線ランプ、
４３４は反射板である。また、４２７，４２８は）１□
ガス導入管てあり、その放出部４２９．４３０はその放
出口に向って径か広がっている形状となっている。

４４は排気管である。

成膜室４４０内にＡＩシリンクー基体４３２を設置した
。成膜室４４０を不図示の真空排気！ＩＣ置により約１
　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに排気した。金属触媒としてモ
リブデンメツシュを用い、ＡＩシリンダー基体４３２と
約１ｃｍの距離をおいて円心円状に設置した。モリブデ
ンメツシュ４３１を、通電することにより、赤熱加熱し
た。ＡＩシリンダーを回転した。

また赤外線ランプ４３３を点灯し、へｌ基体４３２の表
面温度を約３００　’Ｃに加熱した。

基体温度が所望の温度の定常状態になったところで、ガ
ス導入管４２１より、ＣＦ、ガスＺＯＯｓｃｃｖａ、　
ＳｉＦ４ガス２００５ｃｃｓを石英ガラス管製の活性化
室４２２に導入した。活性化室４２２の周りには、活性
化エネルギー源４２３として、マイクロ波プラズマ発生
炉か装着されており、マイクロ波を印加することにより
プラズマを活性化室４２２内におこさせることかできる
。１００ＯＷのマイクロ波を印加し、ＣＦ４ガス、Ｓｉ
Ｆ４ガスを分解し、（：Ｆｎ”、５ｉＦｎ”　（ｎ　、
　ｍ≦３）等のラジカルを生成した。生成したラジカル
は活性種導入管４２６をとおして、成膜室に導入した。

またガス導入室４２７．４２８よりＨ２ガス５Ｓｅｅ麿
を導入し、放出部４２９，４３０より均一な流れになる
ようにして、成膜室へ導入した。

この状態で約３０分間保持したところ、ＡＩクシリンダ
−状約５ｇｍ厚のＳｉＣ膜よりなる電子写真感光体が形
成された。

得られた電子写真感光体を実験用の電子写真複写装置に
セットして、電子写真特性を測定したところ、良好な帯
電性と光感度を示した。続いて。

負帯電し、像露光としてトナー現像したところ高品位な
画像が得られた。

連続に画像形成を行ったところ、従来のａ−３ｉドラム
に比べ、格段に耐久性及び温度、湿度等に対する安定性
が優れていることがわかった。

実施例５第５図に示す装置を改造した第６図に示す装置を用い、
以下の如き操作によって、第２図（ａ）に示した層構成
のドラム状電子写真像形成部材を作成した。

第６図の装置は、ガス導入管４２７，４２８のそれぞれ
途中に石英ガラス管製の活性化室４３５．４３６を備え
つけており、また活性化室の周りには活性化エネルギー
源として、マイクロ波プラズマ発生炉４３７，４３８を
それぞれ装着している。活性化室より、成膜室への導入
管は太くなっており、活性化室で生成された活性種が成
膜室へ運ばれる途中で失活するのを防いでいる。

成膜室４４０内にＡ１シリンダー基体４３２を設置した
。成膜室４４０を真空排気装置により約ｌｘ　１０−’
Ｔｏｒｒに排気した後、モリブデンメツシュ４３１を通
電することに、より、赤熱加熱した。Ａ１シリンダーを
回転した。

赤外線ランプ４３３を点灯し、ＡＩ基体４３２の表面温
度を約３００℃に加熱した。

基体温度か所望の温度の定常状態になったところて、ガ
ス導入管４２１より、ＣＦ、ガス２５０ＳＣＣＩ１１を
石英ガラス製の成膜室４２２に導入した。

活性化室４２２の周りには、活性化エネルギー源４２３
として、マイクロ波プラズマ発生炉か装着されており、
マイクロ波を印加することによりプラズマを活性化室４
２２内におこさせることができる。１００ＯＷのマイク
ロ波を印加し、ＣＦ４ガスを分解し、ＧＦｎ”、５ｉＦ
ｎ”　（ｎ≦３）、３のラジカルを生成した。生成した
ラジカルは活性種導入管４２６をとおして、成膜室に導
入した。

またガス導入管４２７，４２８より１１．ガス４ＳＳＣ
層をを導入し、放出部４２９．４３０より均一な流れに
なるようにして、成膜室へ導入した。このとき成膜室の
内圧をｌ　Ｔｏｒｒになるよう′ｉＡ＊１゜た。

この状態で約３０間保持したところ、　ＡＩウシリンダ
−状約５ルｍ厚のＣ膜よりなる電荷輸送層２３を形成し
た。

次にマイクロ波の印加ガスを導入をやめ、またモリフデ
ンフィラメント４３１への給電をとめ成膜室を再びｌ　
ｘ　１Ｇ−’Ｔｏｒｒ程度まで十分に排気した後、ガス
導入管４２１よりＳｉＦ４ガスをＺｏ。

ｓｃｃｍ、ガス導入管４２７．４２８よりＨ２ガスを１
００　ｓｅｃｍそれぞれ活性化室４３５，４３６に導入
し、マイクロ波電力をそれぞれ３００Ｗ、４００Ｗ印加
してプラズマを発生させ、Ｓｉｇｎ、　Ｈラジカルを生
成した。

生成した５ｉＦｎラジカル、Ｈラジカルをそれぞれ成膜
室に導入した。このとき成膜室の内圧を０．３Ｔｏｒｒ
になるよう調整した。また、ＡＩ、！！体クシリンダ−
表面温度は３００℃に保ったままである。この状態を５
分間保持し、電荷輸送層２３のとに厚さ５０００人のａ
−３ｉ：ＩＩ（Ｆ）よりできている電荷発生層２２を形
成した。

次にマイクロ波の印加、ガスの導入を止め、成膜室を再
びＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒまて排気した後、モノブデ
ンフィラメント４３１に通電し赤熱状態にした。Ａ１基
体シリンダーの表面温度は３００℃に保ったままである
。ガス導入管４２１よりＣＦ、ガス３００　ｓｅｃｍを
活性化室４３５に導入し、マイクロ波型力ｓｏｏｏｗ印
加してプラズマを発生させ。

成した。　ＣＦｎラジカルを成膜室に導入した。それと
同時にガス導入管４２７及び４２８よりＨ２ガス１０５
ｃａｎの流量で成膜室に導入した。成膜室の内圧を０　
、６　Ｔｏｒｒになるように調整した。

この状態て約３分間保持し、前記電荷発生層２２の上に
厚さｉ　ｏｏｏλのダイアモンド状の炭素薄膜よりなる
表面保Ｍ層２１を形成した。ガスの導入、マイクロ波の
印加、金属触媒への通電。

赤外ランプの点灯を止め、基体が十分に冷えたところて
、真空をやぶり、第２図（ａ）の構造の電子写真感光体
を形成したへｌシリンダーをとりだした。

このようにして得られた電子写真感光体の特性を実施例
１と同様に測定したところすぐれた特性を示し、また耐
久性、耐環境性も既存のａ−３ｉ感光体よりもはるかに
すぐれていた。

実施例６第６図に示す装置を用い、以下の如き操作によって第２
図（ｂ）に示した層構成のドラム状電子写真僚形戊部材
を作成した。成膜室４４０内にＡＩシリンダー基体４３
２を設置した。成膜室４４０を真空排気装置により約Ｉ
　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに排気した後、モリブデンメツ
シュ４３１を通電ることにより、赤熱加熱した。　ＡＩ
シリンダーを回転した。

赤外線ランプ４３３を点灯し、へ１基体４３２の表面温
度を約３００℃に加熱した。

基体温度が所望の温度の定常状態になったところで、ガ
ス導入管４２１より、　ＣＦ４ガス５０ＳＣＣＩＩ、Ｎ
ｏガスｌ　ｓｃｃｍを石英ガラス管製活性化室４２２に
導入した。活性化室４２２の周りには。

活性化エネルギー源４２３として、マイクロ波プラズマ
発生炉が装着されており、マイクロ波を印加することに
よりプラズマを活性化室４２２内におこさせることがで
きる。４００Ｗのマイクロ波を印加し、　（：Ｆ、ガス
を分解し、ＣＦｎ”、５ｉＦｎ”　（ｎ　＜３）等のラ
ジカルを生成した。生成したラジカルは活性種導入管４
２６をとおしてＩ＆成膜室導入した。

またガス導入管４２７．４２８より１１□ガス４００　
ｓｅｃｍ、　Ｂ、Ｉｂ、ガスを導入し、放出部４２９゜
４３０より均一な流れになるようにして、成膜室へ導入
した。このとき成膜室の内圧を０．５Ｔｏｒｒになるよ
う調整した。

この状態で約２分間保持したところ、へ１シリンダー状
に約３００人厚のＣ膜よりなる電荷阻止層２５を形成し
た。

次にマイクロ波の印加ガスを導入をやめ、またモリブデ
ンフィラメント４３１への給電をとめ成膜室を再びＩ　
Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ程度まで十分に排気した技、ガス
導入管４２１よりＳｉＦ４ガスをＺｏ。

ｓｃｃｍ、ガス導入管４２７．４２８よりＨａガスを１
００　ｓｅｃｍそれぞれ活性化室４３５，４３６に導入
し、マイクロ波電力をそれぞれ３００Ｗ、４００Ｗ印加
してプラズマを発生させ、５ｉＦｎ、Ｈラジカルを生成
した。生成した５ｉＦｎラジカル、Ｈラジカルをそれぞ
れ成膜室に導入した。このときｒ＆成膜室内圧を０．３
Ｔｏｒｒになるよう調整した。

また、Ａ１基体シリンダーの表面温度は３００℃に保っ
たままである。この状態を５分間保持し、電荷阻止層２
５のヒに厚ざ５０００人のａ−３ｉ：Ｈ（Ｆ）よりでき
ている′１眩荷発生層２２を形成した。次にマイクロ波
の印加、ガスの導入を止め、成ｊＩＱ室を１１び１　ｘ
　１Ｏ−６Ｔｏｒｒまて排気した後、モリブデンフィラ
メン１−４３１に通電し赤熱状態にした。Ａ１基体シリ
ンターの表面温度は３００℃に保ったままである。ガス
導入管４２１よりＣＦ、ガス４００ｓｅｃｍを活性化室
４３５に導入し、マイクロ波電力を１２００Ｗ印加して
プラズマな発生させ生成した。５ｉＦｎラジカルなそれ
ぞれ成膜室に導入した。

同時にガス導入管４２７、及び４２８よりＨ２ガス２０
５１ｍの流域て成膜室に導入した６成膜室の内圧を１．
０Ｔｏｒｒになるように調整した。

この状態で約２５分間保持し、前記電荷発生層２２の丘
に厚さ４ｇｍのダイアモンド状の炭素薄膜よりなる電荷
輸送層２１を形成した。ガスの導入、マイクロ波の印加
、金属触媒への通電、赤外ランプの点灯を止め、基体が
十分に冷えたところで、真空をやぶり、第２図（ｂ）の
構造の電子写真感光体を形成したＡＩシリンダーをとり
だした。

このようにして得られた電子写真感光体の特性を実施例
１と同様に測定したところ、すぐれた特性を示し、また
耐久性、耐環境性も既存のａ−３ｉ感光体よりもはるか
にすぐれていた。

［発明の効果］木５１川の炭素膜堆積膜形成法によれば、形成される膜
に所望される電気的、光学的、光導電的及び機械的特性
か向上し、しかも基体を高温に保持することなく高速成
膜か可能となる。また、成膜における再現性が向上し、
膜品質の向上と膜質の均一化か可能になると共に、膜の
大面積化に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化
を容易に達成することができる。更に、前郭体及び／又
は活性種生成を生成する際に触媒を用いているための省
力化及び活性化効率を向上させることかてき、したかっ
て、使用する原料ガスの消費効率を大幅に向１−させる
ことができ、低コストての量産化か可能となる。また、
抵温処理によって工程の短縮化を図れるといった効果も
発揮される。

また、本発明で得られる炭素膜を用いることにより、　
ＰＩＮタイオードの変換効率の大幅な増大か得られる。

また電子写真感光体に用いることにより電子写真特性の
すぐれ、耐環境性、耐久性か既存の電子写真感光体に比
べ大幅に増加した電子写真感光体を得ることかてきる。

本発明ては、比較的低温においてダイアモンド薄膜を得
ることかできるため、はとんどあらゆる基体上にダイア
モンド薄膜をコーテングすることか可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明方法を用いて製造される電子写
真用像形成部材の構成例を説明するための模式図である
。第３図は本発明方法を用いて製造されるＰＩＮダイオー
ドの構成例を説明するための模式図である。：ＪＩＪ４図及び第５図、第６Ｉ７１はそれぞれ実施例
て用いた本発明方法を実施するための装置の構成を説明
するための模式図である。１１・・・光導電層１２・・・基体２１・・・表面層２２・・・電荷発生層２３・・・電荷輸送層２４・・・基体２５・・・電荷阻止層３　ｌ　・・・ノ」一体３２．３７・・・薄膜電極３４・・・ｎ型半導体層３５・・・ｌ型半導体層３６・・・ｐ型半導体層１０１．４４０・・・成膜室１０８．４２２−・・活性化室１０３．４３２−・・基体１１２．４３１・・・金属触媒図面の浄δ 第１図第２図（Ｇ）　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）第３図第４図第５図（０）第５図（ｂ）手　冷光　州Ｊ　正　−５七　（方式）昭和６２年　８
月２０日

Claims

【特許請求の範囲】

　基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、炭素と
ハロゲンを含む化合物より生成される活性種と、該活性
種と化学的相互作用をする成膜原料と、を夫々別々に導
入し、これらに加熱した周期律表第４周期、第５周期及
び第６周期の元素群から選択される金属又は金属化合物
の触媒を作用させて反応させることによって、前記基体
上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成法。