JPS61179869A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS61179869A JPS61179869A JP60019692A JP1969285A JPS61179869A JP S61179869 A JPS61179869 A JP S61179869A JP 60019692 A JP60019692 A JP 60019692A JP 1969285 A JP1969285 A JP 1969285A JP S61179869 A JPS61179869 A JP S61179869A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
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- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシリコンを含有する堆ＩＮｇ！、とりわけ機能
性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス
、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用
いるアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の
シリコン含有堆積膜を形成するのに好適な方法に関する
。
性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス
、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用
いるアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の
シリコン含有堆積膜を形成するのに好適な方法に関する
。
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法１反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用い
られ、企業化されている。
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法１反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用い
られ、企業化されている。
丙午らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメータを装置ごとに設定しなければならず、
したがって製造条件を一般化することがむずかしいのが
実状であった。一方、アモルファスシリコン膜として電
気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性を夫々十分に
満足させ得るものを発現させるためには、現状ではプラ
ズマＣＶＤ法によって形成することが最良とされている
。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメータを装置ごとに設定しなければならず、
したがって製造条件を一般化することがむずかしいのが
実状であった。一方、アモルファスシリコン膜として電
気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性を夫々十分に
満足させ得るものを発現させるためには、現状ではプラ
ズマＣＶＤ法によって形成することが最良とされている
。
丙午ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管理
許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから、
これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘され
ている。他方１通常のＣＶＤ法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得ら
れていなかった。
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管理
許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから、
これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘され
ている。他方１通常のＣＶＤ法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得ら
れていなかった。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
本発明の目的は、形成される膜の特性、成膜速度、再現
性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面積
化に適し、膜の生産性の向上及び早産化を容易に達成す
ることのできる堆積膜形成法を提供することにある。
性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面積
化に適し、膜の生産性の向上及び早産化を容易に達成す
ることのできる堆積膜形成法を提供することにある。
上記目的は、基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内
に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することによ
り生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的
相互°作用をする、成１１Ｑ用の化学物質より生成され
る活性種（Ｂ）とを夫々別々に導入して、化学反応させ
る事によって、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴
とする本発明の堆積膜形成法によって達成される。
に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することによ
り生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的
相互°作用をする、成１１Ｑ用の化学物質より生成され
る活性種（Ｂ）とを夫々別々に導入して、化学反応させ
る事によって、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴
とする本発明の堆積膜形成法によって達成される。
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間におい
てプラズマを生起させることがないので、形成される堆
積膜は、エツチング作用。
てプラズマを生起させることがないので、形成される堆
積膜は、エツチング作用。
或いはその他の例えば異常放電作用などによる悪影響を
受けることはない。
受けることはない。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使う事である。この
ことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸
ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一
層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した
堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供できる
０本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）
からの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点
から、その寿命が５秒以上、より好ましくは１５秒以上
、最適には３０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成させる堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は、活性化空間（Ｂ）に於い
て活性化エネルギーを作用されて活性化されて、成膜空
間に導入され、堆積膜を形成する際、同時に活性化空間
（Ａ）から導入され、形成される堆積膜の構成成分とな
る構成要素を含む活性種（Ａ）と化学的に相互作用する
。その結果、所望の基体上に所望の堆積膜が容易に形成
される。
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使う事である。この
ことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸
ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一
層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した
堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供できる
０本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）
からの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点
から、その寿命が５秒以上、より好ましくは１５秒以上
、最適には３０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成させる堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は、活性化空間（Ｂ）に於い
て活性化エネルギーを作用されて活性化されて、成膜空
間に導入され、堆積膜を形成する際、同時に活性化空間
（Ａ）から導入され、形成される堆積膜の構成成分とな
る構成要素を含む活性種（Ａ）と化学的に相互作用する
。その結果、所望の基体上に所望の堆積膜が容易に形成
される。
本発明において、活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素
とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状または環
状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原
子で置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、
５ｉｕＹ２ｕ＋２ （ｕは１以上の整数、ＹはＦ、ＣＩ
。
とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状または環
状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原
子で置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、
５ｉｕＹ２ｕ＋２ （ｕは１以上の整数、ＹはＦ、ＣＩ
。
Ｂｒ及び■より選択される少なくとも一種の元素である
。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、Ｓ １ｖＹ２ｖ
（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で
示される環状ハロゲン化ケイＪ、Ｓ ｔ ｕＨ）（Ｙｙ
（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は
２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。
。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、Ｓ １ｖＹ２ｖ
（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で
示される環状ハロゲン化ケイＪ、Ｓ ｔ ｕＨ）（Ｙｙ
（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は
２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物など
が挙げられる。
具体的には、例えば５ｉＦａ、Ｓｉ２Ｆ６゜（Ｓ、１Ｆ
２）５．（ＳｉＦ２）４．５ｉ２Ｆｅ。
２）５．（ＳｉＦ２）４．５ｉ２Ｆｅ。
５ｊ３ＦＢ、ＳｉＨＦ３．ＳｉＨ２Ｆ２゜５ｉＣ１ａ、
（ＳｉＣ１２）５．ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒ２）５，５
ｉ２Ｃ１６，５ｉ２Ｂｒｓ。
（ＳｉＣ１２）５．ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒ２）５，５
ｉ２Ｃ１６，５ｉ２Ｂｒｓ。
５ｉＨＣｕ３．５ｉＨＢｒ３，５ｉＨｉ３゜５ｔ２Ｃ１
３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し得るものが
挙げられる。
３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し得るものが
挙げられる。
活性種（Ａ）を生成させるためには、前記ケイ素とハロ
ゲンを含む化合物に加えて、必要に応じてケイ素単体等
他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、ＣＬ２Ｆ２ガスス化したＢｒ２．Ｉ２等）などを
併用することができる。
ゲンを含む化合物に加えて、必要に応じてケイ素単体等
他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、ＣＬ２Ｆ２ガスス化したＢｒ２．Ｉ２等）などを
併用することができる。
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で活性種
（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々
の条件、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波、Ｄ
Ｃ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等によ
る熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネルギー
が使用される。
（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々
の条件、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波、Ｄ
Ｃ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等によ
る熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネルギー
が使用される。
本発明の方法で用いられる、活性化空間（Ｂ）に於いて
、活性種（Ｂ）を生成させる前記成膜用の化学物質とし
ては、水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、ＣＩ２ガス、ガス化したＢｒ２、Ｉ２等）が有利
に用いられる。また、これらの成膜用の化学物質に加え
て、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガス
を用いることもできる。これらの成膜用の化学物質の複
数を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内
にガス状態で導入することもできるし、あるいはこれら
の成膜用の化学物質を夫々独立した供給源かた各個別に
供給し、活性化空間（Ｂ）に導入することもできるし、
又夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個別に活性化
することも出来る。
、活性種（Ｂ）を生成させる前記成膜用の化学物質とし
ては、水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、ＣＩ２ガス、ガス化したＢｒ２、Ｉ２等）が有利
に用いられる。また、これらの成膜用の化学物質に加え
て、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガス
を用いることもできる。これらの成膜用の化学物質の複
数を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内
にガス状態で導入することもできるし、あるいはこれら
の成膜用の化学物質を夫々独立した供給源かた各個別に
供給し、活性化空間（Ｂ）に導入することもできるし、
又夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個別に活性化
することも出来る。
本発明において、成膜空間に導入される前記活性種（Ａ
）と前記活性種ＣＢ）との量の割合は、堆積条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くはｌＯ：１〜１：１０（導入流量比）が適当であり、
より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ましい。
）と前記活性種ＣＢ）との量の割合は、堆積条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くはｌＯ：１〜１：１０（導入流量比）が適当であり、
より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ましい。
また本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又
は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＴＩ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不
純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ。
は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＴＩ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不
純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ。
Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｆ等が好適なものとして挙げられるが、
特にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングさ
れる不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応
じて適宜決定される。
特にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングさ
れる不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応
じて適宜決定される。
かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるから、ある
いは少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化
装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい
、この様な化合物としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３
。
物質）としては、常温常圧でガス状態であるから、ある
いは少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化
装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい
、この様な化合物としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３
。
ＰＦ５ 、ＰＣｌ３ 、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３ 。
ＡｓＦ５．ＡｓＣｌ３．ＳｂＨ３，ＳｂＦ５゜ＳｉＨ３
，ＢＦ３．ＢＣｌ３．ＢＢｒ３゜Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０
，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１゜Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ａ
ｌＣｌ３等を挙げることができる。不純物７′、素を舎
む化合物は、１種用いても２種以上併用してもよい。
，ＢＦ３．ＢＣｌ３．ＢＢｒ３゜Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０
，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１゜Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ａ
ｌＣｌ３等を挙げることができる。不純物７′、素を舎
む化合物は、１種用いても２種以上併用してもよい。
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い、不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性化
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ）は
活性種（Ａ）又は／及び活性種（Ｂ）と予め混合されて
、又は、独立に成膜空間に導入される。
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い、不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性化
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ）は
活性種（Ａ）又は／及び活性種（Ｂ）と予め混合されて
、又は、独立に成膜空間に導入される。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用像形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第１図は本発明によって得られる典型的な電子写真用像
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。
第１図に示す光導電部材ｌＯは、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１．１の上に、必要に応じて設けられる中間層
１２．及び感光層１３で構成される層構成を有している
。
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１．１の上に、必要に応じて設けられる中間層
１２．及び感光層１３で構成される層構成を有している
。
支持体１１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い、導電性支持体としては、例えばＮｉＣ′ｒ、ステ
アＬ／ス、ＡＩ、Ｃｒ、、Ｍｏ。
良い、導電性支持体としては、例えばＮｉＣ′ｒ、ステ
アＬ／ス、ＡＩ、Ｃｒ、、Ｍｏ。
Ａｕ、Ｘ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ 。
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面が導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面が導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面ＮｉＣｒ 。
ＡＩ 、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜Ｉ Ｔ
ｏ （Ｉ ｎ ２０３ ＋Ｓ ｎｏ２）等の薄膜を設け
ることによって導電処理され、あるいはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ
、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ 。
ｏ （Ｉ ｎ ２０３ ＋Ｓ ｎｏ２）等の薄膜を設け
ることによって導電処理され、あるいはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ
、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ 。
Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ。
Ｔｉ、ＰＬ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所
望によって、その形状が決定されるが、例えば、第１図
の光導電部材１０を電子写真用像形成部材として使用す
るのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所
望によって、その形状が決定されるが、例えば、第１図
の光導電部材１０を電子写真用像形成部材として使用す
るのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。
中間層１２には、例えば支持体１１の側から戚Ｙμｍ１
山へめｋ ４１＋ ７め隘λか柚蓼的に６０止し且つ電
磁波の照射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の
側に向って移動するフォトキャリアの感光層１３の側か
ら支持体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
山へめｋ ４１＋ ７め隘λか柚蓼的に６０止し且つ電
磁波の照射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の
側に向って移動するフォトキャリアの感光層１３の側か
ら支持体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
この中間層１２は、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン
原子（Ｘ）を含有するアモルファスシリコン（以下、
ａ−Ｓ ｉ （Ｈ、Ｘ）と記す、）で構成されると共に
、電気伝導性を支配する物質として１例えばホウａ （
Ｂ）等のｐ型不純物あるいはリン（Ｐ）等のｐ型不純物
が含有されている。
原子（Ｘ）を含有するアモルファスシリコン（以下、
ａ−Ｓ ｉ （Ｈ、Ｘ）と記す、）で構成されると共に
、電気伝導性を支配する物質として１例えばホウａ （
Ｂ）等のｐ型不純物あるいはリン（Ｐ）等のｐ型不純物
が含有されている。
本発明に於て、中間層１２中に含有されるＢ、Ｐ等の伝
導性を支配する物質の含有量とシテハ、好適ニハ、０．
００１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、より好適
には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ１０３ａＬｏｍｔｃ ｐｐｍとされるの
が望ましい。
導性を支配する物質の含有量とシテハ、好適ニハ、０．
００１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、より好適
には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ１０３ａＬｏｍｔｃ ｐｐｍとされるの
が望ましい。
中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或いは同じ
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空間
（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質より生成される活
性種（Ｂ）と必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を
成分として含む化合物のガス等から生成された活性種を
夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合して支持体１１
の設置しである成膜空間に導入して、化学的反応を生成
させることで前記支持体１１上に中間層１２を形成させ
ればよい。
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空間
（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質より生成される活
性種（Ｂ）と必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を
成分として含む化合物のガス等から生成された活性種を
夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合して支持体１１
の設置しである成膜空間に導入して、化学的反応を生成
させることで前記支持体１１上に中間層１２を形成させ
ればよい。
中間層１２を形成させる際に活性化空間（Ａ）に導入さ
れて活性種（Ａ）を生成するケイ素とハロゲンを含む化
合物としては、例えば容易に５ｉＦ２）ｌ’ｃの如き活
性種を生成する化合物を前記の中の化合物より選択する
のがより望ましい。
れて活性種（Ａ）を生成するケイ素とハロゲンを含む化
合物としては、例えば容易に５ｉＦ２）ｌ’ｃの如き活
性種を生成する化合物を前記の中の化合物より選択する
のがより望ましい。
中間層１２の層厚は、好ましくは、３０λ〜１０終、よ
り好適には４０人〜８ＩＬ、最適には５０人〜５井とさ
れるのが望ましい。
り好適には４０人〜８ＩＬ、最適には５０人〜５井とさ
れるのが望ましい。
感光層１３は、例えばＡ−５ｉ （Ｈ、Ｘ） テ構成さ
れ、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生す
る電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両
機能を有する。
れ、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生す
る電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両
機能を有する。
感光層１３の層厚としては、好ましくは、ｌ〜ｔｏｏＩ
Ｌ、より好適には１〜８０路、最適には２〜５０＃Ｌと
されるのが望ましい。
Ｌ、より好適には１〜８０路、最適には２〜５０＃Ｌと
されるのが望ましい。
感光層１３はノンドープのａ−３ｔ（Ｈ。
Ｘ）層であるが、所望により中間層１２に含有される伝
導特性を支配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型
）の伝導特性を支配する物質を含有させてもよいし、あ
るいは、同極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１
２に含有される実際の量が多い場合には、線量よりも一
段と少ない量にして含有させてもよい。
導特性を支配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型
）の伝導特性を支配する物質を含有させてもよいし、あ
るいは、同極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１
２に含有される実際の量が多い場合には、線量よりも一
段と少ない量にして含有させてもよい。
感光層１３の形成の場合も１本発明の方法によって成さ
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）にケイ素とｌ＼ロゲンを含む化合物が導入され
、高温下でこれ等を分解することにより、或いは放電エ
ネルギーや光エネルギーを作用させて励起することで活
性！ｆ（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に
導入される。
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）にケイ素とｌ＼ロゲンを含む化合物が導入され
、高温下でこれ等を分解することにより、或いは放電エ
ネルギーや光エネルギーを作用させて励起することで活
性！ｆ（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に
導入される。
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされたａ−３ｔ堆積膜を利用したＰＩＮ型
ダイオード・デバイスの典型例を示した模式図である。
でドーピングされたａ−３ｔ堆積膜を利用したＰＩＮ型
ダイオード・デバイスの典型例を示した模式図である。
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型のａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）層２４．ｉ型
ノａ−ｓ ｉ （Ｈ、Ｘ）層２５、ｐ型ノａ −Ｓ ｉ
層（Ｈ，Ｘ）２６によって構成される。２８は外部電気
回路装置と結合される導線である。
導体膜であり、ｎ型のａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）層２４．ｉ型
ノａ−ｓ ｉ （Ｈ、Ｘ）層２５、ｐ型ノａ −Ｓ ｉ
層（Ｈ，Ｘ）２６によって構成される。２８は外部電気
回路装置と結合される導線である。
基体２１としては導電性、半導電性、電気絶縁性のもの
が用いられる。基体２１が導電性である場合には、薄膜
電極２２は省略を差支えない、半導電性基板としては１
例えば、Ｓｔ。
が用いられる。基体２１が導電性である場合には、薄膜
電極２２は省略を差支えない、半導電性基板としては１
例えば、Ｓｔ。
Ｇｅ 、ＧａＡ、ＺｎＯ，ＺｎＳ等の半導体が挙げ￥ｈ
、 ２ｓ −！ｉ Ｎ＠雷縄２２．２７として例えば、
ＮｉＣｒ、Ａｔ 、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。
、 ２ｓ −！ｉ Ｎ＠雷縄２２．２７として例えば、
ＮｉＣｒ、Ａｔ 、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ
０２ 、ＩＴＯ（Ｉｎ ２０３＋５ｎＯ２）等の薄膜を
、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理
で基体２１上に設けることによって得られる。電極２２
．２７の膜厚としては、好ましくは３０〜５Ｘ ｌ ０
４人、より好ましくは１００〜５×１０３人とされるの
が望ましい。
０２ 、ＩＴＯ（Ｉｎ ２０３＋５ｎＯ２）等の薄膜を
、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理
で基体２１上に設けることによって得られる。電極２２
．２７の膜厚としては、好ましくは３０〜５Ｘ ｌ ０
４人、より好ましくは１００〜５×１０３人とされるの
が望ましい。
ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）の半導体層を構成する膜体を必要に
応じてｎ型又はｐ型とするには１層形成の際に、不純物
元素のうちｎ型不純物又はｐ型不純物、あるいは両不純
物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピングし
てやる事によって形成される。
応じてｎ型又はｐ型とするには１層形成の際に、不純物
元素のうちｎ型不純物又はｐ型不純物、あるいは両不純
物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピングし
てやる事によって形成される。
ｎ型、ｉ層及びｐ型ノａ−Ｓ ｉ （Ｈ、Ｘ）層を形成
するには、本発明方法により、活性化空間（Ａ）にケイ
素とハロゲンを含む化合物が導入され、活性化エネルギ
ーの作用下でこれ等を励起し分解することで１例えば５
ｔＦ２＊等の活性種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）
が成膜空間に導入される。また、これとは別に、活性化
空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と、必要に応
じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物
のガス等を、夫々活性化エネルギーによって励起し分解
して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々にまたは適宜
に混合して基体２１の設置しである成膜空間に導入する
。成膜空間に導入された活性種は、光エネルギーを用い
ることにより化学的相互作用を起され、または、促進或
いは増幅されて、基体２１上に堆積膜が形成される。ｎ
型およびｐ型のａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）層の層厚としては、
好ましくは１００〜１０４人、より好ましくは３００〜
２０００人の範囲が望ましい。
するには、本発明方法により、活性化空間（Ａ）にケイ
素とハロゲンを含む化合物が導入され、活性化エネルギ
ーの作用下でこれ等を励起し分解することで１例えば５
ｔＦ２＊等の活性種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）
が成膜空間に導入される。また、これとは別に、活性化
空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と、必要に応
じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物
のガス等を、夫々活性化エネルギーによって励起し分解
して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々にまたは適宜
に混合して基体２１の設置しである成膜空間に導入する
。成膜空間に導入された活性種は、光エネルギーを用い
ることにより化学的相互作用を起され、または、促進或
いは増幅されて、基体２１上に堆積膜が形成される。ｎ
型およびｐ型のａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）層の層厚としては、
好ましくは１００〜１０４人、より好ましくは３００〜
２０００人の範囲が望ましい。
また、ｉ型のａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）層の層厚としては、好
ましくは５００〜１０４人、より好ましくはｔｏｏｏ〜
１００００人の範囲が望ましい。
ましくは５００〜１０４人、より好ましくはｔｏｏｏ〜
１００００人の範囲が望ましい。
以下に本発明の具体的実施例を示す。
実施例１
第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によってｉ
型、ｐ型及びｎ型のａ−５ｉ（Ｈ。
型、ｐ型及びｎ型のａ−５ｉ（Ｈ。
Ｘ）堆積膜を形成した。
第３図において、１０１は成膜空間としての堆積室であ
り、内部の基体支持台１０２上に所望の基体１０３が載
置される。
り、内部の基体支持台１０２上に所望の基体１０３が載
置される。
１０４は基体加熱用のヒーターであり、該ヒーター１０
４は、成膜処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性を一層向１させる為にアニー
ル処理したりする際に使用され、導線１０５を介して給
電され、発熱する。成膜中は、該ヒーター１０４は駆動
されない。
４は、成膜処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性を一層向１させる為にアニー
ル処理したりする際に使用され、導線１０５を介して給
電され、発熱する。成膜中は、該ヒーター１０４は駆動
されない。
１０６乃至１０９は、ガス供給系であり、成膜用のガス
、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物元素
を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられる。
、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物元素
を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられる。
これ等のガスが標準状態に於いて液状のものを使用する
場合には、適宜の気化装置を具備させる。
場合には、適宜の気化装置を具備させる。
図中ガス供給系１０６乃至１０９の符合にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種ＣＢ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには、活性種ＣＢ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装Ｍ１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）内に於いて活性化されて生じた活性種（Ｂ）は
導入管１２４を通じて、成膜室１０１内に導入される。
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種ＣＢ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３の周りには、活性種ＣＢ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装Ｍ１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）内に於いて活性化されて生じた活性種（Ｂ）は
導入管１２４を通じて、成膜室１０１内に導入される。
１１１はガス圧力計である。
図中１１２は活性化室（Ａ）、１１３は電気炉、１１４
は固体Ｓｉ粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体
状態のケイ素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、
活性化室（Ａ）１１２で生成された活性種（Ａ）は導入
る。
は固体Ｓｉ粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体
状態のケイ素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、
活性化室（Ａ）１１２で生成された活性種（Ａ）は導入
る。
また、図中、１２０は排気バルブ、１２１は排気管であ
る。
る。
先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム製の基体１
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１０１内を排気し、約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧した。
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１０１内を排気し、約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧した。
ガス供給用ポンベ１０６よりＨ２ガス１５０ＳＣＣＭ、
或いはＰＨ３ガス又はＢ２Ｈ６ガス（何れも１１０００
ＰＰ水素ガス希釈）４０５ＣＣＭとを混合したガスをガ
ス導入管１１０を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入し
た。活性化室（Ｂ）１２３内に導入されたＨ２ガス等は
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化されて
活性水素等とされ、導入管１２４を通じて、活性水素等
を成膜室１０１に導入した。
或いはＰＨ３ガス又はＢ２Ｈ６ガス（何れも１１０００
ＰＰ水素ガス希釈）４０５ＣＣＭとを混合したガスをガ
ス導入管１１０を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入し
た。活性化室（Ｂ）１２３内に導入されたＨ２ガス等は
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化されて
活性水素等とされ、導入管１２４を通じて、活性水素等
を成膜室１０１に導入した。
また他方、活性化室（Ａ）１０２に固体Ｓｉ粒１１４を
詰めて、電気炉１１３により加熱し、約１１００℃に保
ち、Ｓｉを赤熱状態と＋ ｑｙ−ユ緯１跪１官Ｅ４
五１１プズＭ壬出ギソべよりＳｉＦ４を吹き込むことに
より、活性種（Ａ）としてのＳ ｉ Ｆ２＊の活性種を
生成させ、該Ｓ ｉ Ｆ２＊を導入管１１６を経て、成
膜室１０１へ導入した。
詰めて、電気炉１１３により加熱し、約１１００℃に保
ち、Ｓｉを赤熱状態と＋ ｑｙ−ユ緯１跪１官Ｅ４
五１１プズＭ壬出ギソべよりＳｉＦ４を吹き込むことに
より、活性種（Ａ）としてのＳ ｉ Ｆ２＊の活性種を
生成させ、該Ｓ ｉ Ｆ２＊を導入管１１６を経て、成
膜室１０１へ導入した。
成膜室１０１内の圧力を０．４Ｔｏｒｒに保ちつつＩ
Ｋ Ｗ Ｘ ｅランプから基体１０３に垂直に照射して
、ノンドープあるいはドーピングされたａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）膜（ＷＩ厚７００人）を夫々形成した。成膜速度は
２５人／ ｓ ｅ ｃであった。
Ｋ Ｗ Ｘ ｅランプから基体１０３に垂直に照射して
、ノンドープあるいはドーピングされたａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）膜（ＷＩ厚７００人）を夫々形成した。成膜速度は
２５人／ ｓ ｅ ｃであった。
次いで、得られたノンドープあるいはｐ型のａ−５ｔ（
Ｈ，Ｘ）膜を形成した試料を蒸着層に入れ、真空度１（
１５Ｔｏｒｒでクシ型のＡｌギャップ電極（ギャップ長
２５０ＩＬ、巾５ｍｍ）を形成した後、印加電圧１０Ｖ
の暗電流を測定し、暗導電率σｄを求めて、各試料の膜
特性を評価した。結果を第１表に示した。
Ｈ，Ｘ）膜を形成した試料を蒸着層に入れ、真空度１（
１５Ｔｏｒｒでクシ型のＡｌギャップ電極（ギャップ長
２５０ＩＬ、巾５ｍｍ）を形成した後、印加電圧１０Ｖ
の暗電流を測定し、暗導電率σｄを求めて、各試料の膜
特性を評価した。結果を第１表に示した。
実施例２
ガス供給ボンベ１０６等からのＨ２ガスの代りにＨ２／
Ｆ２混合ガス（混合比Ｈ２／Ｆ２ ＝１０）を用いた以
外は、実施例１と同様の方法と手順に従ってａ−Ｓｉ（
Ｈ，Ｘ）膜を形成した。各試料に就いて暗導電率を測定
し、結果を第１表に示した。
Ｆ２混合ガス（混合比Ｈ２／Ｆ２ ＝１０）を用いた以
外は、実施例１と同様の方法と手順に従ってａ−Ｓｉ（
Ｈ，Ｘ）膜を形成した。各試料に就いて暗導電率を測定
し、結果を第１表に示した。
第 １ 表
第１表から、本発明によると電気特性に優れたａ−３ｉ
（Ｈ，Ｘ）膜が得られ、また、ドーピングが十分に行な
われたａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）膜が得られることが判った。
（Ｈ，Ｘ）膜が得られ、また、ドーピングが十分に行な
われたａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）膜が得られることが判った。
実施例３
第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室（
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体Ｓｉ粒、２０５は
活性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）
導入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と
同様に用いられる加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き
出し管、２１１はＡ１シリンダー状の基体。
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体Ｓｉ粒、２０５は
活性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）
導入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と
同様に用いられる加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き
出し管、２１１はＡ１シリンダー状の基体。
２１２は排気バルブを示している。又、２１３乃至２１
Ｂは第３図中１０６乃至１０９と同様の原料ガス供給源
であり、２１７−１はガス導入管である。
Ｂは第３図中１０６乃至１０９と同様の原料ガス供給源
であり、２１７−１はガス導入管である。
成膜室２０１にＡＩクシンダー基体２１１をつり下げ、
その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０７
により回転できる様にする。２１８は光エネルギー発生
装置であって。
その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０７
により回転できる様にする。２１８は光エネルギー発生
装置であって。
ＡＩクシンダー基体２１１の成膜面の所望部分に向けて
光２１９が照射される。
光２１９が照射される。
また、活性化室（Ａ）２０２に固体Ｓｉ粒２０４を詰め
て、電気炉２０３により加熱し。
て、電気炉２０３により加熱し。
１１００℃に保ち、Ｓｉを赤熱状態とし、そこへ導入管
２０６を通じて不図示のボンベよりＳｉＦ４を吹き込む
ことにより、活性種（Ａ）としての５ｉＦ２）ＩＣを生
成させ、該Ｓ ｉ Ｆ２）ｋを導入管２０６を経て、成
膜室２０１へ導入した。
２０６を通じて不図示のボンベよりＳｉＦ４を吹き込む
ことにより、活性種（Ａ）としての５ｉＦ２）ＩＣを生
成させ、該Ｓ ｉ Ｆ２）ｋを導入管２０６を経て、成
膜室２０１へ導入した。
一方、導入管２１７−１よりＦ２ガスを活性化室（Ｂ）
２２０内に導入した。導入されたＦ２ガスは活性化室（
Ｂ）２２０内に於いてマイクロ波プラズマ発生装２１２
２１によりプラズマ化等の活性化処理を受けて活性水素
となり、導入管２１７−２を通じて成膜室２０１内に導
入された。この際、必要にじてＰＨ３，Ｂ２Ｈ６等の不
純物ガスも活性化室（Ｂ）２２０内に導入されて活性化
された。
２２０内に導入した。導入されたＦ２ガスは活性化室（
Ｂ）２２０内に於いてマイクロ波プラズマ発生装２１２
２１によりプラズマ化等の活性化処理を受けて活性水素
となり、導入管２１７−２を通じて成膜室２０１内に導
入された。この際、必要にじてＰＨ３，Ｂ２Ｈ６等の不
純物ガスも活性化室（Ｂ）２２０内に導入されて活性化
された。
ＡＩクシンダー基体２１１は回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。
ルブ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして感光層１３が形成された。
また、中間層１２は、導入管２１７−１より８２／Ｂ２
Ｈ６（容量％でＢ２Ｈ６ガスが０．２％）の混合ガスを
導入し、膜厚２０００人で成膜された。
Ｈ６（容量％でＢ２Ｈ６ガスが０．２％）の混合ガスを
導入し、膜厚２０００人で成膜された。
比較例１
ＳｉＦ４とＦ２及びＢ２Ｈ６の各ガスを使用して成膜室
２０１と同様の構成の成膜室を用意して１３．５６ＭＨ
ｚの高周波装置を備え、一般的なプラズマＣＶＤ法によ
り第１図に示す層構成の電子写真用像形成部材を形成し
た。
２０１と同様の構成の成膜室を用意して１３．５６ＭＨ
ｚの高周波装置を備え、一般的なプラズマＣＶＤ法によ
り第１図に示す層構成の電子写真用像形成部材を形成し
た。
実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
第 ２ 表
第 ２ 表 （続き）
実施例４
第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。
ードを作製した。
まず、ｉ ｏｏｏ人のＩＴＯ膜２２を蒸着したポリエチ
レンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１
Ｏ−ＧＴｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に導入管
１１６からＳ ｉ Ｆ２）ｋの活性種、また導入管１１
０からＨ２ガス、ＰＨ３ガス（１０００ｐｐｍ水素ガス
稀釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２３に導入して活性化
した０次いでこの活性化されたガスを導入管１１６を介
して成膜室ｌｏｔ内に導入した。成膜室１０１内の圧力
を０． Ｉ Ｔ ｏ ｒ ｒに保ちなからＰでドーピン
グされたｎ型ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）膜２４（膜厚７００人
）を形成した。
レンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１
Ｏ−ＧＴｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に導入管
１１６からＳ ｉ Ｆ２）ｋの活性種、また導入管１１
０からＨ２ガス、ＰＨ３ガス（１０００ｐｐｍ水素ガス
稀釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２３に導入して活性化
した０次いでこの活性化されたガスを導入管１１６を介
して成膜室ｌｏｔ内に導入した。成膜室１０１内の圧力
を０． Ｉ Ｔ ｏ ｒ ｒに保ちなからＰでドーピン
グされたｎ型ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）膜２４（膜厚７００人
）を形成した。
次いでＰＨ３ガスの代りにＢ２Ｈ６ガス（１０００ｐｐ
ｍ水素ガス稀釈）を導入した以外はｎ型ａ−５ｉ膜の場
合と同一の方法でｉ−型ａ−Ｓｉ膜２５（膜厚５０００
人）を形成シタ。
ｍ水素ガス稀釈）を導入した以外はｎ型ａ−５ｉ膜の場
合と同一の方法でｉ−型ａ−Ｓｉ膜２５（膜厚５０００
人）を形成シタ。
次いで、Ｈ２ガスと共にジポランガス（Ｂ２Ｈｓ１００
０ｐｐｍ水素稀釈）、それ以外はｎ型と同じ条件でＢで
ドーピングされたｐ型ａ −５ｉ（Ｈ，Ｘ）膜２６（膜
厚７００人）を形成した。更に、このｐ型膜上に真空蒸
着により膜厚１０００人のＡＩ電極２７を形成し、ＰＩ
Ｎ型ダイオードを得た。
０ｐｐｍ水素稀釈）、それ以外はｎ型と同じ条件でＢで
ドーピングされたｐ型ａ −５ｉ（Ｈ，Ｘ）膜２６（膜
厚７００人）を形成した。更に、このｐ型膜上に真空蒸
着により膜厚１０００人のＡＩ電極２７を形成し、ＰＩ
Ｎ型ダイオードを得た。
かくして得られたヂオード素子（面積１ｃｍ２）のＩ−
Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した
。結果を第３表に示した。
Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した
。結果を第３表に示した。
又、光照射特性においても基板側から光を導入し、光照
射強度ＡＭＩ （約１００ ｍＷ／ ｃ ｍ２）で、変
換効率８．０％以上、開放端電圧０．９２ Ｖ、短絡電
流１０ｍＡ／ｃｍ２が得られた。
射強度ＡＭＩ （約１００ ｍＷ／ ｃ ｍ２）で、変
換効率８．０％以上、開放端電圧０．９２ Ｖ、短絡電
流１０ｍＡ／ｃｍ２が得られた。
実施例５
導入管１１０からＨ２ガスの代りに、Ｈ２／Ｆ２混合ガ
ス（Ｈ２／Ｆ２＝ １０）を用いた以外は、実施例４と
同様にして実施例４で作製したのと同様のＰＩＮ型ダイ
オードを作製した。
ス（Ｈ２／Ｆ２＝ １０）を用いた以外は、実施例４と
同様にして実施例４で作製したのと同様のＰＩＮ型ダイ
オードを作製した。
この試料に就いて整流特性及び光起電力効果を評価し、
結果を第３表に示した。
結果を第３表に示した。
第 ３ 表
木１電圧１ｖでの順方向電流と逆方向電流の比に於ける
ｎ値（Ｑｕｎａｌｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ）第３表から、
本発明によれば、従来に比べて良好な光学釣書電気的特
性を有するａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）ＰＩＮ型ダイオードが得
られることが判かった。
ｎ値（Ｑｕｎａｌｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ）第３表から、
本発明によれば、従来に比べて良好な光学釣書電気的特
性を有するａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）ＰＩＮ型ダイオードが得
られることが判かった。
〔発明の効果〕
本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、Ｓ品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、励起エネルギーとして光
エネルギーを用いるので、耐熱性に乏しい基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、Ｓ品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、励起エネルギーとして光
エネルギーを用いるので、耐熱性に乏しい基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。
第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模成因である。 図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた発明方法を
実施するための装置の構成を説明するための模式図であ
る。 １０−−−一電子写真用像形成部材、 １１−−−一基体、 １２−一一一中間層。 １３−−−一感光層、 ２１−−−一基体、 ２２．２７−−−−薄膜電極。 ２４−−−−ｎｙＪ、ａ −Ｓ ｉ層、２５−−−−
ｉ型ａ−３ｉ層、 ２Ｂ−−−−ｐ型ａ−５ｉ層。 １０１ 、２０１−−−一成膜室、 １１１．２０２−−−一活性化室（Ａ）、１０６．１０
７，１０８，１０９，２１３゜２１４．２１５，２１６
−−−−ガス供給源、１０３ 、２１１−−−一基体。 １１７．２１８−−−一光エネルギー発生装置。
成部材の構成例を説明するための模成因である。 図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた発明方法を
実施するための装置の構成を説明するための模式図であ
る。 １０−−−一電子写真用像形成部材、 １１−−−一基体、 １２−一一一中間層。 １３−−−一感光層、 ２１−−−一基体、 ２２．２７−−−−薄膜電極。 ２４−−−−ｎｙＪ、ａ −Ｓ ｉ層、２５−−−−
ｉ型ａ−３ｉ層、 ２Ｂ−−−−ｐ型ａ−５ｉ層。 １０１ 、２０１−−−一成膜室、 １１１．２０２−−−一活性化室（Ａ）、１０６．１０
７，１０８，１０９，２１３゜２１４．２１５，２１６
−−−−ガス供給源、１０３ 、２１１−−−一基体。 １１７．２１８−−−一光エネルギー発生装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内 に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することによ
り生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的
相互作用をする、成膜用の化学物質より生成される活性
種（Ｂ）とを夫々別々に導入して、化学反応させる事に
よって、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴とする
堆積膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60019692A JP2505731B2 (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 堆積膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60019692A JP2505731B2 (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 堆積膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179869A true JPS61179869A (ja) | 1986-08-12 |
| JP2505731B2 JP2505731B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=12006301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60019692A Expired - Lifetime JP2505731B2 (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505731B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179870A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS62136663A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041047A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS6042766A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS6042765A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP60019692A patent/JP2505731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041047A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS6042765A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS6042766A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179870A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS62136663A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505731B2 (ja) | 1996-06-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |