JPS59224847A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS59224847A JPS59224847A JP10005683A JP10005683A JPS59224847A JP S59224847 A JPS59224847 A JP S59224847A JP 10005683 A JP10005683 A JP 10005683A JP 10005683 A JP10005683 A JP 10005683A JP S59224847 A JPS59224847 A JP S59224847A
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- Japan
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- layer
- substrate
- gas
- amorphous silicon
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は少なくともアモルファスシリコンを含む光導電
層を有する感光体に関する。
層を有する感光体に関する。
従来技術
ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法ニヨっ
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕ
ｓ ５ｉｌｉｃｏｎ、以下ａ−８ｉと略す）の１感光体
への応用が注目されてきている。壕だ同様に長波長領域
の感度を向上して半導体レーザによる作像を可能どする
アモルファスシリコン−ゲルマニウム（以下ａ−３ｉ：
Ｇｅ）の応用も注目されている。これはａ−３ｉ＊ａ−
５ｉ：Ｇｅが従来のセレンやＣｄＳ感光体と比して耐環
境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等において一段
と優れているためである。
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕ
ｓ ５ｉｌｉｃｏｎ、以下ａ−８ｉと略す）の１感光体
への応用が注目されてきている。壕だ同様に長波長領域
の感度を向上して半導体レーザによる作像を可能どする
アモルファスシリコン−ゲルマニウム（以下ａ−３ｉ：
Ｇｅ）の応用も注目されている。これはａ−３ｉ＊ａ−
５ｉ：Ｇｅが従来のセレンやＣｄＳ感光体と比して耐環
境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性等において一段
と優れているためである。
ところでこのような感光体にあっては、導電性基板上に
」二記ａ−５ｉ 、ａ−５ｉ ：Ｇｅ光導電層を積層し
てなる構成が上記各利点を有効に維持する−１−で最も
好ましいが、現に作像した場合には画質、画像面でかな
りの問題がある。これは画像−１−に白斑点ピンホール
として現われ、膜欠陥に起因する電荷担体のリークによ
る。この膜欠陥は特に導電性基板の表面状態、汚れ等に
より容易に発生する。従って導電性基板の表面処理にか
なりの工数をとりコスト高となるという製造上の間順も
ある。更に基板上に」−記光導敵層を直接形成した場合
には基板側からの電荷注入により暗減衰が低下して電荷
保持能に欠け、寸だ光導電層中にチャージキャリアがト
ラップされて残留電位が次第に」１昇するという問題が
ある。
」二記ａ−５ｉ 、ａ−５ｉ ：Ｇｅ光導電層を積層し
てなる構成が上記各利点を有効に維持する−１−で最も
好ましいが、現に作像した場合には画質、画像面でかな
りの問題がある。これは画像−１−に白斑点ピンホール
として現われ、膜欠陥に起因する電荷担体のリークによ
る。この膜欠陥は特に導電性基板の表面状態、汚れ等に
より容易に発生する。従って導電性基板の表面処理にか
なりの工数をとりコスト高となるという製造上の間順も
ある。更に基板上に」−記光導敵層を直接形成した場合
には基板側からの電荷注入により暗減衰が低下して電荷
保持能に欠け、寸だ光導電層中にチャージキャリアがト
ラップされて残留電位が次第に」１昇するという問題が
ある。
発明の目的
本発明は以−Ｌの事実に鑑みて成されたもので、リング
効果があり基板側からの電荷の注入を防止するとともに
残留電位の」−昇もない障壁層を設け、常に良好な画像
を得ることのできる感光体を提供することにある。
効果があり基板側からの電荷の注入を防止するとともに
残留電位の」−昇もない障壁層を設け、常に良好な画像
を得ることのできる感光体を提供することにある。
発明の要旨
本発明の要旨は、導電性基板とアモルファスシリコンを
含む光導電層間に厚さが約３０λ乃至２ミクロンで少な
くとも炭素と酸素を含むアモルファスシリコン障壁層を
設けてなる感光体にある。
含む光導電層間に厚さが約３０λ乃至２ミクロンで少な
くとも炭素と酸素を含むアモルファスシリコン障壁層を
設けてなる感光体にある。
以下本発明につき詳細に説明する。
第１図は不発り１に係る感光体の構成の一例を示し、（
１）は導電性基板で、その−Ｈに少なくともａ−５ｉ、
炭素及び酸素を含有してなる障ＦｖＩ層（２）とａ−５
ｉ を含む光導電層（３）を順次積層してなるものであ
る。
１）は導電性基板で、その−Ｈに少なくともａ−５ｉ、
炭素及び酸素を含有してなる障ＦｖＩ層（２）とａ−５
ｉ を含む光導電層（３）を順次積層してなるものであ
る。
基板（１）」−に形成される障壁層（２）は例えばグロ
ー放電分解法によって約３０Ｘ乃至２ミクロン、好適に
は５０乃至５０００ ｊ：・、最適には１−００乃至２
０００λの厚さに生成される。この障壁層は」１記の通
り、少なくともａ−５ｉ、炭素及び酸素を含有するもの
、即ち、ａ−５ｉｔ−ｘｃＸに酸素を添加してなるもの
であるが、障壁層生成用の原料ガスとして有効に使用さ
れるのは、ＳｌとＨとを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓｌ
。Ｈ６，５１３Ｈ８、Ｓｉ、Ｈ，ｏ等のシラン類等水素
化硅素ガス、Ｃと■］とを構成原子とする例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭Ｘ数１〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。具体的には飽和炭化水素としてメタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タン（ｎ −Ｃ４Ｈ，。）、エチレン系炭化水素として
はエチレン（Ｃ２Ｉ］４）、プロピレン（Ｃ３■４６）
、プラン（Ｃ４Ｈ８）、アセチレン系炭化水素としては
アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｉ（
４）、ブチン（Ｃ４１−Ｔ６）等が挙げられる。更に酸
素系の原料ガスとしては、酸素（０□）、オゾン（０３
）、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素
（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素
（ＮＯ３）等を挙げることができる。尚、水素化硅素ガ
スに加えゲルマニウム（Ｇ ｅ Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ６等）
を併用してａ−５ｉ：Ｇｅを含む層としてもよい。
ー放電分解法によって約３０Ｘ乃至２ミクロン、好適に
は５０乃至５０００ ｊ：・、最適には１−００乃至２
０００λの厚さに生成される。この障壁層は」１記の通
り、少なくともａ−５ｉ、炭素及び酸素を含有するもの
、即ち、ａ−５ｉｔ−ｘｃＸに酸素を添加してなるもの
であるが、障壁層生成用の原料ガスとして有効に使用さ
れるのは、ＳｌとＨとを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓｌ
。Ｈ６，５１３Ｈ８、Ｓｉ、Ｈ，ｏ等のシラン類等水素
化硅素ガス、Ｃと■］とを構成原子とする例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭Ｘ数１〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。具体的には飽和炭化水素としてメタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タン（ｎ −Ｃ４Ｈ，。）、エチレン系炭化水素として
はエチレン（Ｃ２Ｉ］４）、プロピレン（Ｃ３■４６）
、プラン（Ｃ４Ｈ８）、アセチレン系炭化水素としては
アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｉ（
４）、ブチン（Ｃ４１−Ｔ６）等が挙げられる。更に酸
素系の原料ガスとしては、酸素（０□）、オゾン（０３
）、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素
（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素
（ＮＯ３）等を挙げることができる。尚、水素化硅素ガ
スに加えゲルマニウム（Ｇ ｅ Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ６等）
を併用してａ−５ｉ：Ｇｅを含む層としてもよい。
該障壁層（２）における炭素の含有量はａ−３ｉ乃至は
−９，−ｔ−５ｌ・Ｇ ｅに対して約５乃至６０ａｔｏ
ｍｉｃ％、寸だ酸素は微量から最大約１０ ａｔｏｍｉ
ｃ％まで含有することができる。ここで−：炭素と酸素
の含有は障壁層の暗抵抗を著しく向上して基板からの電
荷の ５− 注入を有効に防止するが、特に酸素の含有は障壁層（２
）の基板（１）に対する被覆性とレベリング効果に有効
で、また後述する光導電層（３）で発生するチャージキ
ャリアの基板側への移動を許容して残留電位の上昇を防
止する。炭素含有量を少なくとも５ａｔｏｍｉｃ％以上
とするのは、それ以下で障壁層の暗抵抗向上に不充分で
、まだ酸素は１０ａｔｏｍｉｃ％以−に含有させると画
像カブリが生じる。
−９，−ｔ−５ｌ・Ｇ ｅに対して約５乃至６０ａｔｏ
ｍｉｃ％、寸だ酸素は微量から最大約１０ ａｔｏｍｉ
ｃ％まで含有することができる。ここで−：炭素と酸素
の含有は障壁層の暗抵抗を著しく向上して基板からの電
荷の ５− 注入を有効に防止するが、特に酸素の含有は障壁層（２
）の基板（１）に対する被覆性とレベリング効果に有効
で、また後述する光導電層（３）で発生するチャージキ
ャリアの基板側への移動を許容して残留電位の上昇を防
止する。炭素含有量を少なくとも５ａｔｏｍｉｃ％以上
とするのは、それ以下で障壁層の暗抵抗向上に不充分で
、まだ酸素は１０ａｔｏｍｉｃ％以−に含有させると画
像カブリが生じる。
これに関連して障壁層の厚さを３ＯＡ 乃至２ミクロン
とするのは、３０Ａ以下では基板からの電荷注入が防止
できず、まだ２ミクロン以上では残留電位が」１何する
ためで、特に厚さが５０乃至５０００Ａで好適な結果が
、１００乃至２００ＯＡで最適な結束が得られる。障壁
層（２）は更に望ましくは周期律表第■Ａ族不純物、特
に好捷しくけ硼素を約２００ ｐ ｐｍまで含有しても
よい。これは例えばＢ２Ｈ６ガスを並行して流し込んで
やればよい。第１［Ａ族不純物の添加は障壁層における
チャージキャリアの移動をより容易として残留電位の」
二昇防止により一層有効である。
とするのは、３０Ａ以下では基板からの電荷注入が防止
できず、まだ２ミクロン以上では残留電位が」１何する
ためで、特に厚さが５０乃至５０００Ａで好適な結果が
、１００乃至２００ＯＡで最適な結束が得られる。障壁
層（２）は更に望ましくは周期律表第■Ａ族不純物、特
に好捷しくけ硼素を約２００ ｐ ｐｍまで含有しても
よい。これは例えばＢ２Ｈ６ガスを並行して流し込んで
やればよい。第１［Ａ族不純物の添加は障壁層における
チャージキャリアの移動をより容易として残留電位の」
二昇防止により一層有効である。
６一
障壁層（２’） −、Ｉ＝−Ｋ形成されるａ −Ｓｉを
含む光導゛重層（３）はやはり同様に、例えばグロー放
電分解法によ−で５乃至１００ミクロン、好捷しくけ１
０乃至６０ミクロンに生成される。−例としてＳ ｉＨ
４，５１２Ｉ］６ガス等をＨ２、Ａｒ等をキャリアーガ
スとして用い減圧可能な反応室内に送り込み、高周波電
力印加の下にグロー放電を起こして基板」−に水素を含
むａ−５ｉ光導電層であってもよく、更にはＧｅＨ４ガ
スを並行して送り込み形成しだａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層
でもよい。もっともこのようにして得られる光導電層は
暗抵抗が不充分に低いので、暗抵抗の向」−の目的のた
め１．て周期律表第１ｎ Ａ族不純物（好寸しくは１ｉ
ｌｊｌ素）、微丑の酸素、炭素、窒素等を含有させても
よい。尚、必要により−１−配光導電層（３）」−に電
荷保持向−１−のために透光絶縁性の薄ｊ侍を形成して
もよい。
含む光導゛重層（３）はやはり同様に、例えばグロー放
電分解法によ−で５乃至１００ミクロン、好捷しくけ１
０乃至６０ミクロンに生成される。−例としてＳ ｉＨ
４，５１２Ｉ］６ガス等をＨ２、Ａｒ等をキャリアーガ
スとして用い減圧可能な反応室内に送り込み、高周波電
力印加の下にグロー放電を起こして基板」−に水素を含
むａ−５ｉ光導電層であってもよく、更にはＧｅＨ４ガ
スを並行して送り込み形成しだａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層
でもよい。もっともこのようにして得られる光導電層は
暗抵抗が不充分に低いので、暗抵抗の向」−の目的のた
め１．て周期律表第１ｎ Ａ族不純物（好寸しくは１ｉ
ｌｊｌ素）、微丑の酸素、炭素、窒素等を含有させても
よい。尚、必要により−１−配光導電層（３）」−に電
荷保持向−１−のために透光絶縁性の薄ｊ侍を形成して
もよい。
次に本発す］Ｋ係る感光体を製造するだめの容量結合型
グロー放電分解装置について１説明する。第２図におい
て、第１、第２、第３、第４、第５タンク（４）、（５
）、（６）、（７）、（８）には夫々Ｈ２、ＳｉＨ４、
Ｂ２Ｈ６、Ｃ２Ｉ］４．０□ガスが密封されている。
グロー放電分解装置について１説明する。第２図におい
て、第１、第２、第３、第４、第５タンク（４）、（５
）、（６）、（７）、（８）には夫々Ｈ２、ＳｉＨ４、
Ｂ２Ｈ６、Ｃ２Ｉ］４．０□ガスが密封されている。
ここで第１タンク（４）のＨ２ガスばＳ ｉ Ｈ、ガス
のキャリアーガスである。但しＨ２ガスに代ってＡｒ。
のキャリアーガスである。但しＨ２ガスに代ってＡｒ。
Ｈｅを用いてもよい。寸たＢ１１（６ガスのギヤリアー
も水素である。尚、障壁層（２）乃至は光導電層（３）
Ｋゲルマニウムを含むときは別途Ｇ ｅ Ｈ４ガスのタ
ンクを用意する。これら第１〜第５タンクのガスは第１
、第２、第３、第４、第５調整介（９）（１０）、（１
１）、（１２）、（１３）を開放することにより放出さ
れ、その流量がマス７０−コントローラ（１４）、（１
５）、（１６）、（１７）、（１８）により規制され、
第１乃至第４タンク（４）、（５）、（６）、（７）か
らのガスは第１主管（１９）へと、まだ第５タンク（８
）からの酸素ガスは第２主管（２０）へと送られる。尚
、（２１）（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、
（２６ａ ）、（２６ｂ）は止め弁である。
も水素である。尚、障壁層（２）乃至は光導電層（３）
Ｋゲルマニウムを含むときは別途Ｇ ｅ Ｈ４ガスのタ
ンクを用意する。これら第１〜第５タンクのガスは第１
、第２、第３、第４、第５調整介（９）（１０）、（１
１）、（１２）、（１３）を開放することにより放出さ
れ、その流量がマス７０−コントローラ（１４）、（１
５）、（１６）、（１７）、（１８）により規制され、
第１乃至第４タンク（４）、（５）、（６）、（７）か
らのガスは第１主管（１９）へと、まだ第５タンク（８
）からの酸素ガスは第２主管（２０）へと送られる。尚
、（２１）（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、
（２６ａ ）、（２６ｂ）は止め弁である。
第１及び第２主管（１９）、（２０）を通じて流れるガ
スは反応室（２７）において第３主管（２８）で合流す
る。反応室（２７）内にはその表面に障壁層（２）が形
成されるアルミニウム、ステンレス、ＮＥＳＡガラスの
ような導電性基板（２９）がモータ（３０）により回転
可能であるターンテーブル（３１）上に載置さり、てお
り、該基板（２９）自体は電気的に接地されるとともに
適当な加熱手段により約１００乃至４００℃、好ましく
は１５０乃至３００℃の温度に均一加熱されている。（
３２）は導電性基板（２９）を包囲する関係に設けられ
た円筒状の電極板で高周波電源（３３）に接続されると
ともに、その内部は空洞Ｏて形成され外壁部に第３、第
４主管（２８）、（３４）が接続されている。壕だ電極
板（３２）の内壁向には図示しないガス放出孔が形成さ
れ第３主管（２８）より導入される生成ガスを導電性基
板（２９）表面に噴出させる。噴出孔より放出されたガ
スは分解される一方やはり内壁向に形成したガス吸引孔
より吸引されて第４主管（３４）を介して排出されるよ
うになっている。尚、高周波電源（３３）からは電極板
（３２）に約００５乃至１５ｋｉｌｏｗａｔｔｓの高周
波電力が印加されるようになっており、その周波数は１
乃至５０ＭＩ（ｚが適当である。更に反応室（２７）の
内部は障壁層及び光導電層形成時に高度の真空状態（放
電圧；０５９− 乃至２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転ポン
プ（３５）と拡散ポンプ（３６）に連結されている。
スは反応室（２７）において第３主管（２８）で合流す
る。反応室（２７）内にはその表面に障壁層（２）が形
成されるアルミニウム、ステンレス、ＮＥＳＡガラスの
ような導電性基板（２９）がモータ（３０）により回転
可能であるターンテーブル（３１）上に載置さり、てお
り、該基板（２９）自体は電気的に接地されるとともに
適当な加熱手段により約１００乃至４００℃、好ましく
は１５０乃至３００℃の温度に均一加熱されている。（
３２）は導電性基板（２９）を包囲する関係に設けられ
た円筒状の電極板で高周波電源（３３）に接続されると
ともに、その内部は空洞Ｏて形成され外壁部に第３、第
４主管（２８）、（３４）が接続されている。壕だ電極
板（３２）の内壁向には図示しないガス放出孔が形成さ
れ第３主管（２８）より導入される生成ガスを導電性基
板（２９）表面に噴出させる。噴出孔より放出されたガ
スは分解される一方やはり内壁向に形成したガス吸引孔
より吸引されて第４主管（３４）を介して排出されるよ
うになっている。尚、高周波電源（３３）からは電極板
（３２）に約００５乃至１５ｋｉｌｏｗａｔｔｓの高周
波電力が印加されるようになっており、その周波数は１
乃至５０ＭＩ（ｚが適当である。更に反応室（２７）の
内部は障壁層及び光導電層形成時に高度の真空状態（放
電圧；０５９− 乃至２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転ポン
プ（３５）と拡散ポンプ（３６）に連結されている。
以上の構成の容量結合型グロー放電分解装置において、
まず障壁層（２）を導電性基板（２９） Ｊ−に形成す
るに際しては第１、第２、第４、第５調整弁（９）、（
１０）、（１２）、（１３）を開放して適当々流阻比で
第１、第２タンク（４）、（５）より１−１２、ＳｉＨ
４ガスを、第４、第５タンク（７）、（８）よりＣ２Ｈ
４，０２ガスを、更にｂ用素を含有するときは第３調整
弁（１１）を開放して第３タンク（６）よりＢ２■■６
ガスヲ放出する。放出附はマス７０−コントローラ（１
４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）により
規制され、ＩＪ２をキャリアーガスとするＳｉＨ４ガス
及びＣ２［Ｉ４ガスあるいはそれにＢ２Ｈ６ガスが混合
されたガスが第１主管（１９）を介して、またそれとと
もに５ＩＨ４に対し一定のモル比にある酸素ガスが第２
主管（２０）を介して送られ、反応室内部の第３主管（
２８）で合流し電極板（３２）内に送られる。そしてガ
ス放出孔からガスが均一放出されることに加えて、反応
室（２７）内部が０．５乃至２．０ＯＴｏｒｒ程度の真
空状 １０− 態、基板４１．１度が１００乃至４００℃、電極板（３
２）への高周波電力が０８０５乃至１．５ｋｉｌｏｗａ
ｔｔｓ、 −４だ周波数が１乃至５０ ＭＩ−１ｚに
設定されていることに相俟−３てグロー放電が起こり、
ガスが分解して基板十に少なくともａ−５ｉ、炭素及０
・酸素を含有した障壁層が約０．５乃至５ミクロン／６
０分の早さで形成される。
まず障壁層（２）を導電性基板（２９） Ｊ−に形成す
るに際しては第１、第２、第４、第５調整弁（９）、（
１０）、（１２）、（１３）を開放して適当々流阻比で
第１、第２タンク（４）、（５）より１−１２、ＳｉＨ
４ガスを、第４、第５タンク（７）、（８）よりＣ２Ｈ
４，０２ガスを、更にｂ用素を含有するときは第３調整
弁（１１）を開放して第３タンク（６）よりＢ２■■６
ガスヲ放出する。放出附はマス７０−コントローラ（１
４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）により
規制され、ＩＪ２をキャリアーガスとするＳｉＨ４ガス
及びＣ２［Ｉ４ガスあるいはそれにＢ２Ｈ６ガスが混合
されたガスが第１主管（１９）を介して、またそれとと
もに５ＩＨ４に対し一定のモル比にある酸素ガスが第２
主管（２０）を介して送られ、反応室内部の第３主管（
２８）で合流し電極板（３２）内に送られる。そしてガ
ス放出孔からガスが均一放出されることに加えて、反応
室（２７）内部が０．５乃至２．０ＯＴｏｒｒ程度の真
空状 １０− 態、基板４１．１度が１００乃至４００℃、電極板（３
２）への高周波電力が０８０５乃至１．５ｋｉｌｏｗａ
ｔｔｓ、 −４だ周波数が１乃至５０ ＭＩ−１ｚに
設定されていることに相俟−３てグロー放電が起こり、
ガスが分解して基板十に少なくともａ−５ｉ、炭素及０
・酸素を含有した障壁層が約０．５乃至５ミクロン／６
０分の早さで形成される。
所望の膜厚の障壁層（２）が形成されると連続しである
いは−Ｉ」−グロー放電を中断した後、光導電層（３）
を形成する。これは第１乃至第３タンク（４）、（５）
、（６）及び第５タンク（８）よりガスを放出すること
により行われ、硼素と徴用の酸素を含有した水素化ａ−
８ｉ光導電層（３）が形成される。
いは−Ｉ」−グロー放電を中断した後、光導電層（３）
を形成する。これは第１乃至第３タンク（４）、（５）
、（６）及び第５タンク（８）よりガスを放出すること
により行われ、硼素と徴用の酸素を含有した水素化ａ−
８ｉ光導電層（３）が形成される。
実施例
第２図に示ずグ［）−放電分解装置にお・いて、捷ず回
転ポンプ（３５）を、それ１で続いて拡ｆｔ＋ポンプ（
３６）を作動させ反応室（２５）の内部を１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空にした後、第１乃至第５調整介（９）
（１０）、（］１）、（１２）、（１３）を開放し、第
１タンク（４）よりＨ２ガス、第２タンク（５）よりＩ
］２で３０％に希釈されたＳ ｉ Ｉ−Ｔ ４ガス、第
３タンク（６）より■］２で２００ｐｐｍに希釈された
Ｂ ２１−Ｔ ６ガス、第４タンク（７）よりＣ２Ｈ４
ガス、史に第５タンク（８）より０２ガスを出力圧ゲー
ジ１にり／ｃｒｌ のドでマスフ「ノーコントローラ
（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）内
へ浦。
転ポンプ（３５）を、それ１で続いて拡ｆｔ＋ポンプ（
３６）を作動させ反応室（２５）の内部を１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｒ程度の高真空にした後、第１乃至第５調整介（９）
（１０）、（］１）、（１２）、（１３）を開放し、第
１タンク（４）よりＨ２ガス、第２タンク（５）よりＩ
］２で３０％に希釈されたＳ ｉ Ｉ−Ｔ ４ガス、第
３タンク（６）より■］２で２００ｐｐｍに希釈された
Ｂ ２１−Ｔ ６ガス、第４タンク（７）よりＣ２Ｈ４
ガス、史に第５タンク（８）より０２ガスを出力圧ゲー
ジ１にり／ｃｒｌ のドでマスフ「ノーコントローラ
（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）内
へ浦。
人させた。そして各マスフローコントローラの目盛を調
整して、Ｈ２の流ｎ１を２４５ｓｃｃｍ、 ５ｉｌ１４
を３００ｓｅｃｍ、Ｂ２Ｈ６を４５ ｓ ｃ ｃｍ、
Ｃ２Ｈ，を９０ｓｃｃ１１．０２を１０１０５ｅとなる
ように設定して反応室（２７）内へ流入させた。夫々の
流ｍが安定した後に、反応室（２７）の内圧が１．ＯＴ
ｏ ｒ ｒと々るように調整した。一方、導電性基板（
２９）として直径１２０ｍｍのアルミニウムドラムを用
い２００°Ｃに予じめ加熱１７ておき、各ガスの流用が
安定し７内圧が安定しまた状態で高周波電源（３３）を
投入し電極板（３２）に３００ｗａｔｔｓの電力（周波
５＆ １３．５６ＭＨｚ ）を印加してグロー放電を発
生させた。このグロー放電を３分間持続して行い、導電
性桟板（Ｚ９）、、ｌ−に水素、ａ−８ｉ、２００ｐｐ
ｍの硼素、約４０ａｔｏｍｉｃ％の炭素並びに約５ａｔ
ｏｍｉｃ％の酸素を含有してなる厚さ０．１ミクロンの
障壁層（２）を形成した。この後、高周波を源（３３）
からの電力印加を一旦停止卜するとともに各マス７０−
コントローラの流計をＯ設定ＶＣ１，反応室（２７）内
を十分脱気した。次に第１乃至第３及Ｏ・第５調整弁（
９）、（１０）、（１１）、（１３）を開放し夫々のタ
ンクよりＨ２、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６，０２ガスをマスフ
ローコントローラ（１４）、（１５）、（１６）、（１
８）内へ流入させた。そして各マスフローコントローラ
の目盛を調整してＨ２の流量を２７４ｓｅｃｍ、 Ｓｉ
Ｈ４を３００ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を２５ｓｃｃｍ、０２
をｌ ｓｅｃｍ となるように設定して反応室内へ流
入させた。そして電極板（３２）に３００ｗａｔｔｓの
高周波電力を印加してグ微量の酸素を含有する厚さ約２
０ミクロンのａ−８ｉ光導電層（３）を形成した。
整して、Ｈ２の流ｎ１を２４５ｓｃｃｍ、 ５ｉｌ１４
を３００ｓｅｃｍ、Ｂ２Ｈ６を４５ ｓ ｃ ｃｍ、
Ｃ２Ｈ，を９０ｓｃｃ１１．０２を１０１０５ｅとなる
ように設定して反応室（２７）内へ流入させた。夫々の
流ｍが安定した後に、反応室（２７）の内圧が１．ＯＴ
ｏ ｒ ｒと々るように調整した。一方、導電性基板（
２９）として直径１２０ｍｍのアルミニウムドラムを用
い２００°Ｃに予じめ加熱１７ておき、各ガスの流用が
安定し７内圧が安定しまた状態で高周波電源（３３）を
投入し電極板（３２）に３００ｗａｔｔｓの電力（周波
５＆ １３．５６ＭＨｚ ）を印加してグロー放電を発
生させた。このグロー放電を３分間持続して行い、導電
性桟板（Ｚ９）、、ｌ−に水素、ａ−８ｉ、２００ｐｐ
ｍの硼素、約４０ａｔｏｍｉｃ％の炭素並びに約５ａｔ
ｏｍｉｃ％の酸素を含有してなる厚さ０．１ミクロンの
障壁層（２）を形成した。この後、高周波を源（３３）
からの電力印加を一旦停止卜するとともに各マス７０−
コントローラの流計をＯ設定ＶＣ１，反応室（２７）内
を十分脱気した。次に第１乃至第３及Ｏ・第５調整弁（
９）、（１０）、（１１）、（１３）を開放し夫々のタ
ンクよりＨ２、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６，０２ガスをマスフ
ローコントローラ（１４）、（１５）、（１６）、（１
８）内へ流入させた。そして各マスフローコントローラ
の目盛を調整してＨ２の流量を２７４ｓｅｃｍ、 Ｓｉ
Ｈ４を３００ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６を２５ｓｃｃｍ、０２
をｌ ｓｅｃｍ となるように設定して反応室内へ流
入させた。そして電極板（３２）に３００ｗａｔｔｓの
高周波電力を印加してグ微量の酸素を含有する厚さ約２
０ミクロンのａ−８ｉ光導電層（３）を形成した。
こうして得られた感光体をミノルタカメラ（株）製粉像
転写型複写機ＥＰ−５２０にセントし５００００枚の連
続複写を行ったところ、最後まで画像カブ＝ １３− リがなく解像力に優れた良好な画像が得られた。
転写型複写機ＥＰ−５２０にセントし５００００枚の連
続複写を行ったところ、最後まで画像カブ＝ １３− リがなく解像力に優れた良好な画像が得られた。
まだ」−記１盛霞体を帯電し白色ｉ（Ｈ２，Ｏ１ｕｘ−
ｓｅｃの露光して残留電位を測定したところＯＶで、５
００００枚の複写後も残留電位の上肩はほとんと認めら
れなか−〕だ。捷だ基板との剥１ｉＷｔも一１ツノ認め
られなかった。
ｓｅｃの露光して残留電位を測定したところＯＶで、５
００００枚の複写後も残留電位の上肩はほとんと認めら
れなか−〕だ。捷だ基板との剥１ｉＷｔも一１ツノ認め
られなかった。
実施例
実験例１と同一条件の下に同一構成の感光体、但し障壁
層（２）に硼素を含有しないものを作成し、同様に５０
０００枚の連続複写の作像実験を行−）だところ最後ま
で良好な画像が得られた。捷だ残留電位も実験例１のよ
り幾分高い程度で５００００枚複写後でも５０Ｖ以下で
あった。
層（２）に硼素を含有しないものを作成し、同様に５０
０００枚の連続複写の作像実験を行−）だところ最後ま
で良好な画像が得られた。捷だ残留電位も実験例１のよ
り幾分高い程度で５００００枚複写後でも５０Ｖ以下で
あった。
比較例１
実験例１と同一条件の下に、但し障壁層形成時の第５タ
ンク（８）からの０２ガスの流用を５ ｏｓｃｃｍどし
て感光体を作成した。このときの障壁層（２）における
酸素含有量は約２５ａｔｏｍｉｃ％であった。
ンク（８）からの０２ガスの流用を５ ｏｓｃｃｍどし
て感光体を作成した。このときの障壁層（２）における
酸素含有量は約２５ａｔｏｍｉｃ％であった。
この感光体をＥＰ−５２０にセラｌ−１，５００００枚
の連続複写を行ったところ、数１０００枚目位いから画
１４− 像カヅリが認められ、繰り返し複写により顕著とな−）
た。
の連続複写を行ったところ、数１０００枚目位いから画
１４− 像カヅリが認められ、繰り返し複写により顕著とな−）
た。
第１図は不発１ｖ１（で係る感児体のイｒｌ成を示す図
、第２図はイ（発動ｊに係る感尤体を製造するだめのグ
［７−放電分解装置の概略構成を示す図である。 （２）・・・障壁層 （３）・・光導電層（
４）〜（８）・・・第１〜第５クシク （２７）・・・
反応室（２９）・・・導電性承伏 （３３）・・
高周波電源Ｉｆｆ！願人 ミノルタカメラ株式会社−
１！５− 第１図
、第２図はイ（発動ｊに係る感尤体を製造するだめのグ
［７−放電分解装置の概略構成を示す図である。 （２）・・・障壁層 （３）・・光導電層（
４）〜（８）・・・第１〜第５クシク （２７）・・・
反応室（２９）・・・導電性承伏 （３３）・・
高周波電源Ｉｆｆ！願人 ミノルタカメラ株式会社−
１！５− 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋ｌ） 導電性基板とアモルファスシリコンを含む光
導電層間に、厚さが約３０オングストローム乃至２ミク
ロンで少なくともアモルファスシリコ、／炭素及び酸素
を含有してなる障壁層を形成してなることを特徴とする
感光体。 （２）前記炭素は約５乃至６０ａｔｏｍｉｃ％、酸素は
約］ Ｏａｔｏｍｉｃ％まで含有されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の感光体。 ＋３＋ ｇｆｆ記障壁層は更に周期律表第１１１ Ａ
族不純物を含有してなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の感光体。 （４） 前記周期律表第１ＩＩ Ａ族不純物は硼素で
あり約２００ｐｐｍ −４で含有されていることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10005683A JPS59224847A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 感光体 |
| DE3420741A DE3420741C2 (de) | 1983-06-02 | 1984-06-04 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| US06/884,670 US4738914A (en) | 1983-06-02 | 1986-07-16 | Photosensitive member having an amorphous silicon layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10005683A JPS59224847A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224847A true JPS59224847A (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=14263821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10005683A Pending JPS59224847A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-03 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224847A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63294569A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-12-01 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63294568A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-12-01 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPH01239563A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP10005683A patent/JPS59224847A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63294569A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-12-01 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63294568A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-12-01 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPH01239563A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
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