JPS6385752A - 電子写真感光体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は帯電能を向上させるのに伴って高速複写を可能
とした電子写真感光体の製法に関するものである。

（従来技術及びその問題点） 近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましり、超高速複写
機やレーザービームプリンタなどの開発が活発に進めら
れており、これらの機器に用いられる感光体は長期間高
速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求さ
れている。この要求に対して水素化アモルファスシリコ
ンが耐熱性、耐摩耗性、無害公害並びに光感度特性等に
優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｔと略す）
から成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第３図によればアルミニウムなどの導電性基板（
１）上にａ−Ｓｉキャリア注入阻止層（２）　、ａ−Ｓ
ｉキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次積
層しており、このキャリア注入阻止Ｎ（２）は基板（１
）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を低
下させるために形成されており、そして、表面保護層（
４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めて
いる。

ところが、このａ−５ｉ悪感光によれば、ａ−５ｉキャ
リア発生層（３）自体が有する暗抵抗率がＩＱＩＩΩ・
ｃａｍ以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率
が大きくなってそれ自体の帯電能を高めることが難しく
なり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場合
には光メモリ効果により先の画像が完全に除去されずに
残存し、次の画像形成に伴って先の画像が再び現れる（
ゴースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第１図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第１図によれば、前述した如きキャリア注入阻止
層（２ａ）とキャリア発生Ｎ（３ａ）の間にキャリア輸
送層（５）を形成しており、そして、このキャリア輸送
層（５）は暗抵抗及びキャリア移動度のそれぞれが大き
い材料で形成し、これにより、表面電位及び光感度に優
れ且つ残留電位が小さい高性能な感光体が得られる。

このキャリア輸送層（５）については高抵抗且つ広いバ
ンドギャップ並びに半導体特性を具備した水素化アモル
ファスシリコンカーバイドを用いることが特開昭５８−
１９２０４６号公報などに提案されている。

しかしながら、この公報に示された水素化アモルファス
シリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣ：Ｈト略す）か
ら成るキャリア輸送層を形成するに当たっては、例えば
グロー放電分解法を用いる場合、反応圧力、高周波電力
などの様々な放電条件、原料ガスの種類、ガス流量等々
に起因して安定した特性をもつ高品質なａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜を形成するのが難しく、そして、この膜自体水素化ア
モルファスシリコン（以下、ａ−５ｉ：Ｈと略す）膜に
比べてダングリングボンドが生成し易い傾向にあり、こ
れにより、１０■Ω・ｃｍ以上の暗抵抗率を有すると共
に高いキャリア移動度をもつａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を得るの
が難しいという問題がある。

更にこのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を再現性よく安定した条件に
よって形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の
両者の特性に共通してその特性評価ができる検知手段が
望まれている。

〔発明の目的〕

従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層の暗抵抗率
及びキャリア移動度を向上させて大きな帯電能をもつこ
とができた電子写真感光体の製法を提供することにある
。

本発明の他の目的は高速複写に適した電子写真感光体の
製法を提供することにある。

本発明の更に他の目的はａ−３ｉＣ：）Ｉキャリア輸送
層を製作するに当たってその製造条件の設定が容易であ
ると共に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体の製
法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、ａ−３ｉＣ生成用ガスを用いてグロー
放電分解法によりａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層を形成
し、且つキャリア発生層を形成して成る機能分離型電子
写真感光体の製法において、このａ−ＳｉＣ生成用ガス
にアセチレン（ｃｚＨｚ）及びシラン（ＳｉＨ４）を用
いると共にこのガス組成比を０．０５：１乃至３：１の
範囲内に設定し且つこれらのガス流量の合計量に対して
３倍以下の水素（Ｈ２）ガスを配合して赤外線吸収スペ
クトルの２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下と
なると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上
となるキャリア輸送層を得ることを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

キャリア輸送層に用いられるａ−３ｉＣ：Ｈ膜は、後述
するグロー放電分解法によって生成され、その放電条件
等によって暗抵抗率とキャリア移動度が鋭敏に作用を受
けており、これに対して本発明者等はこの原因を解明す
べく種々の実験を繰り返し行った結果、ＣとＨの結合状
態並びにＳｔとＨの結合状態が前記特性に顕著に影響す
ることを知見した。

部ち、ａ−ＳｉＣ：）ｌ膜の赤外線吸収スペクトルを測
定するとＣ１（、結合及びＣＢ、結合の伸縮モードを示
す吸収ピークが２８６０ｃｍ−’の波数に表われ、Ｓｉ
ｎ結合及びＳｉＨｇ結合の伸縮モードを示す吸収ピーク
が２０９０ｃｎ＋−’の波数に表われることを確認し、
そして、この２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以
下であると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００
以上、好適には２８６０ｃ＋ｓ−１の吸収係数が５００
以下であると共に２０９０ｃ＋ｓ−’の吸収係数が１０
００以上であればダングリングボンドが少なくなって大
きなキャリア移動度が得られることが判った。尚、本発
明にて表わす吸収係数の値は当業者が一般に用いている
ｃ＋ｗ”を単位とする。

本発明の製法においては、赤外線吸収スペクトルのこの
両者の吸収係数値を所要の範囲内に設定するためにＣ＊
Ｈｘガスと５ｉＨａガスの組成比並びにこれらの合計流
量値に対するＨ２ガスの流量を所定の範囲内に設定する
ことを特徴とするものである。

即ち、ｃｔｕｚガスとＳｉＨ＊ガスをグロー放電領域に
導入するに当たってこのガス組成比を０．０５：１乃至
３：１の範囲内に、好適には０．０５　：　１乃至１：
１、最適には０．１：　１乃至０．３＝１の範囲内に設
定すればよ＜　、０．０５：１の比率から外れた場合に
は暗抵抗率が１０ＩｌΩ・Ｃ−以下となって電荷保持能
力が十分でなく、大きな帯電電位を得ることができなく
なり、ｌ：ｌの比率から外れた場合には膜中のダングリ
ングボンドが増加してキャリア輸送能が低下すると共に
暗抵抗率がＩＱＩＩΩ・Ｃ１１以下となる。また、Ｈ８
ガスはＣｔＨｇガス及びＳｉＨ＊ガスの流量合計値に対
して３倍以下、好適には２倍以下に配合すればよく、こ
れから外れると膜中の水素が過剰となって感光体に要求
される電気的特性が劣化し、そして、成膜速度が小さく
なって１０ＩＩ＋＊以上の膜厚を有するキャリア輸送層
を形成するに当たって実用的でな（なる。

このようにして得られるａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層
のＳｉとＣの原子組成比は１：９乃至９：１の範囲内に
設定され、これによって暗抵抗率が１ＱｆｌΩ・ｃｍ以
上となる。また、膜中の水素含有量はＳｉとＣの原子組
成比と関連するが、膜中５乃至４０原子χ、好適には１
０乃至３０原子χの範囲内になるように設定される。

本発明によれば、上述した通りの製造条件によりキャリ
ア輸送層を生成するに当たっては、グロー放電用の高周
波電力、反応室内部のガス圧及び基板温度を次の通りに
設定するのがよい。

即ち、高周波電力は０．０５乃至０．５Ｗ／ｃｍ”の範
囲に設定すればよ＜　、０．０５Ｗ／ｃｎ＋”未満であ
ると成膜速度が小さくなり、０．５Ｗ／ｃｍ”を越える
とプラズマダメージによって膜質が低下してキャリア移
動度が小さくなる。また、ガス圧は０．１乃至２．０Ｔ
ｏｒｒの範囲に設定すればよ＜　、０．１Ｔｏｒｒ未満
であると成膜速度が小さくなり、２，０Ｔｏｒｒを越え
ると放電が不安定と卒る。更に、基板温度はａ−３ｔ：
Ｈ膜の成膜形成に比べて３０乃至８０℃位高くするのが
よく、望ましくは２００乃至４００℃の範囲がよい。こ
の基板温度が２００℃未満であれば、ＳｔとＣのネット
ワーク化が阻害され、４００℃を越えると水素の脱離が
著しくなって暗抵抗率が小さくなり、いずれもキャリア
輸送能力に劣る。

本発明の製法により得られるキャリア輸送層は第１図又
は第２図に示す通りの積層体の一部となる。

即ち、本発明の典型的な電子写真感光体には第１図に示
す通り基板（１）上にキャリア注入阻止層（２ａ）、キ
ャリア輸送層（５）、キャリア発生層（３ａ）及び表面
保護層（４）を順次積層した積層体、或いは第２図に示
す通り、第１図に示した積層体よりキャリア注入阻止層
（２ａ）を除いた積層体があり、そして、これらの積層
体に対してキャリア輸送層（５）とキャリア発生層（３
ａ）の積層順序を変えた積層体であってもよい、また、
キャリア発生層（３ａ）、キャリア注入阻止層（２ａ）
及び表面保護層（４）にはそれぞれ様々な材料を用いる
ことができる。

キャリア発生Ｊｉ（３ａ）にはそれ自体周知の光電変換
材料を用いることができ、例えばＰＶＫなどの有機半導
体、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅａｓｅ−＾ｓ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、
ａ−Ｓｉ：Ｈ１ａ−３ｉＣ：Ｈ＋ａ−５ｔ：Ｆ＋ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｆなどの無機半導体がある。

キャリア注入阻止層（２ａ）はキャリア輸送層（５）へ
のキャリアの注入全阻止するために設けられており、例
えばポリイミド樹脂などの有機材料、５ｉＯｚ＋５ｉＯ
１Ａ１ｘＯ＋＋ＳｉＣ＋５ｉｓＮ＊＋ａ−３ｉ＋ａ−３
ｔ：Ｈ＋　ａ−３ｉ：Ｆ。

ａ−３ｉＣ＋　ａ−ＳｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｐなどの
無機材料を用いて形成される。　Ｓｉ系又はＳｉＣ系を
用いた場合には周期律表第ｍａ族元素や第Ｖａ族元素を
５０乃至５０００ｐｐｒｓの範囲内で添加してキャリア
注入阻止を一段と高めることができる。そして、本発明
の電子写真感光体についてはａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸
送層が十分に大きな暗抵抗率を得ることができるので、
このキャリア注入阻止層を必ず形成しなくてはならぬと
いうものではなく、本発明者等が繰り返し行った実験に
よれば、キャリア輸送層の暗抵抗率が１０１３Ω・ｃｍ
以上であればキャリア注入阻止層を形成しなくても電子
写真感光体として十分実用に供することができることを
見出した。

また、表面保護層にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を存するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えば前記のキャリア注入阻止層に用いたの
と同様な無機材料や有機材料を用いることができ、これ
により、感光体の耐久性及び耐環境性を高めることがで
きる。

更に本発明によれは、ａ−ＳｉＣ膜又はａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜をグロー放電分解法により形成するに当たってその原
料にＳｉｎ＃ガス及びＣＺＨ，ガスを用いれば大きい成
膜速度（約５乃至２０μｍ／時）が得られる。従って、
この両者のガスを用いてキャリア注入阻止ＪｉＩ（２ａ
）、キャリア輸送層（５）、キャリア発生Ｎ（３ａ）及
び表面保護層（４）をａ−５ｉＣ膜又はａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜により形成することにより同じ成膜装置を用いて連続
的に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さくするこ
とができる。囚に５ｉＨｎガスとＣＨａガスを用いてａ
−ＳｉＣ膜やａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を生成した場合その成膜
速度は約０．３乃至１μｍ／時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第４図により説明する。

図中、第１、第２、第３タンク（６）　（７）　（８）
には、それぞれＳｉＨ＊＋ＣｚＨｚ＋Ｈｔガスが密封さ
れており、Ｈ２はキャリアーガスとしても用いられる。

これらのガスは対応する第１、第２、第３調整弁（９）
　（１０）　（１１）を開放することにより放出され、
その流量がマスフローコントローラ（１２）　（１３）
　（１４）により制御され、第１、第２、第３タンク（
６）　（７）　（８）からのガスはメインパイプ（１５
）へ送られる。尚、（１６）は止め弁である。メインパ
イプ（１５）を通じて流れるガスは反応管（１７）へと
送り込まれるが、この反応管の内部には容量結合型放電
用電極（１８）が設面されており、それに印加される高
周波電力は０．０５乃至０．５Ｗ／ｃｍ”が、また周波
数は１乃至１０ＭＨｚが適当である。反応管（１７）の
内部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用基板（１
９）が試料保持台（２０）の上に載置されており、この
保持台（２０）はモーター（２１）により回転駆動され
るようになっており、そして、基板（１９）は適当な加
熱手段により、２００乃至４００℃の温度に均一に加熱
される。更に、反応管（１７）の内部はａ−Ｓｉ膜又は
ａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電圧０．１乃
至２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とすることにより回転ポン
プ（２２）と拡散ポンプ（２３）のように連結されてい
る。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＣ膜を基板（１９）上に形成する場合
には、第１及び第２調整弁（９）　（１０）を開放して
第１タンク（６）よりＳｉＨ４ガスを、第２タンク（７
）よりＣｚＨｔガスを、また第３調整弁（１１）をも開
放して、第３タンク（８）よりＩ（ｚガスを放出する。

これらの放出量はマスフローコントローラ（１２）（１
３７（１４）により規制されてメインパイプ（１５）を
介して反応管（１７）へと送り込まれる。そして、反応
管（１７）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真
空状態、基板温度が２００乃至４００℃、容量型放電用
電極（１８）の高周波電力が０．０５乃至０．５Ｗ／ｃ
ｍ”、また周波数が１乃至１０ＭＨｚに設定されている
ことに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してａ
−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。

但し、後述する実施例において、ａ−ＳｉＣ：Ｈキャリ
ア輸送層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定
するに当たっては３Ｘ３ｃｍの角形の平板を用意し、そ
して、前述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り
欠いてこの切り欠き部に平板を設置し、この平板上にａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜を生成する。

また、これら成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性の測
定用平板にはそれぞれアルミニウム板、ＮＥＳＡガラス
板及び高抵抗単結晶シリコン板を用いる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

（例１） 本例においては、ａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層をアル
ミニウム製平板に生成してＣｔＨｚ及びＳｉＨ４のガス
組成比に対するａ−３ｉＣ膜のＳｉとＣ原子組成比、並
びにその成膜速度を測定した。

即ち、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置を
用いて第１タンク（６）より５ｉＨａガスを、第２タン
ク（７）よりＣｔＨｚガスをこれらの合計した流量が２
７０ｓｅｃｍになるように放出し、グロー放電分解法に
基いてａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成し、これにより、ＣｌＮ
ｇ及びＳｉｎ＃のガス組成比に対する膜中のＳｔとＣの
原子組成比を測定したところ、第５図に示す通りの結果
が得られた。

第５図の横軸はガス組成比（ＣＪｚ／５ｉＨｔ　＋　Ｃ
Ｊｚ）、縦軸は膜中のＳｔとＣの原子組成比を表してお
り、そして、・印は測定結果のプロットであり、ａはそ
の特性曲線である。

また、この成膜に当たって、その成膜速度を測定したと
ころ、第６図に示す通りの結果が得られた。

第６図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する成膜速度を示しており、Ｏ印は測定結果のプ
ロットであり、ｂはその特性曲線である。

次に、上記の導入ガスに加えて第３タンク（８）よりＨ
８ガスを２００ｓｅｃｍ　、又は５００ｓｅｃ＋＋＋放
出してガス組成比（ＣＪｚ／Ｓｉｎ＃＋　ＣＪｚ）に対
する膜中のＳｉ＋Ｃの原子組成比を求めたところ、第５
図に示した結果に比べて同じガス組成比であれば膜中の
炭素含有量が多くなる傾向にあることを見い出した。

このようにＨ２ガスを導入したことによって成膜速度を
測定したところ、第６図に示す通り、Ｈ２ガスが流量２
００ｓｃｃｍ　、流量５００ｓｃｃ＋ｓの場合、それぞ
れの測定結果のプロットはΔ印及び０印となり、ｃ、ｄ
はそれぞれの特性曲線である。

また、ム印及び■印はそれぞれＣｔＨａとＳｉＨ４の混
合ガス並びにＣＨ４と５ｉＨａの混合ガスを用いた場合
の成膜速度であり、ｅ、ｆはそれぞれの特性曲線である
。これらの比較例はこの混合ガスの合計流量を２７０ｓ
ｅｃｍにすると共にｎｚガスを無添加とし、基板温度を
３００℃に、ガス圧をＱ、５Ｔｏｒｒに、放電電力を０
．４Ｈ／ｃａｒ”に設定して製作した。

第６図から明らかな通り、Ｈｔガスが無添加の場合、（
Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が太き（なるのに伴つて成膜速度が
増加する傾向にある。また、Ｈｚガスの流量が２００ｓ
ｅｃｍ、　５００ｓｅｃ＋＋と太き（なるのに伴って成
膜速度が小さくなる傾向にあるが、Ｈ２ガス流量が５０
０９ｃｃｍの場合であっても６μＩｌＺ時以上の高速成
膜が得られる。これに対して、ＣｚＨ２ガスやＣＨ，ガ
スを用いると成膜速度が著しく小さくなることが判る。

（例２） 本例によれば、（例１）と同様の製造操作によってａ−
ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層をＮＥＳＡガラス製平板に生
成してその層の導電率を測定したところ、第７図に示す
通りの結果が得られた。

第７図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する導電率を表しており、Ｏ印、Δ印及び０印は
それぞれＨ２ガスが無添加、流１２０ｈｃｃｍ、流量５
００ｓｃｃｒａの場合のプロトであり、ｇ、ｈ、ｔはそ
れぞれの特性曲線である。

第７図から明らかな通り、（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が０．
１乃至０．９の範囲内であればいずれも導電率が１０−
１９ｃｍ以上になることが判る。

（例３） ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄し、
第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（１７）内に設置した。

そして第１タンク（６）よりＳｉ■オガスを、第２タン
ク（７）よりＣ，Ｈｚガスをこれらの合計した流量が２
００ｓｅｃｍになるように放出し、更にＨ２ガスを第３
タンク（８）より必要に応じて１５０ｓｃｃｍ、　２５
０ｓｃｃｍ、　３５０ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍの流量
で放出し、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．
３Ｗ／ｃｍ”に設定して前述したグロー放電分解法に基
づいて厚み２５μｍのキャリア輸送層（５）を形成した
。

次いで、第２調整弁（１０）を閉じて同様の操作により
５ｉＨａガス及びＨ２ガスをそれぞれ２００ｓｅｃｍ及
び２５０ｓｅｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．５Ｔｏ
ｒｒに、ＲＦ電力を０．３Ｗ／ｃｏ＋２に設定して厚み
５μ霧のキャリア発生層（３ａ）を形成した。

然る後、第２調整弁（１０）を開放すと共に第３ｔＡ整
弁（１１）を閉じて５ｉＨａガス及びＣｚＨｚガスをそ
れぞれ１５０ｓｅｃｍ及び１０１００５ｅの流量で放出
し、ガス圧を０．３Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．３Ｗ／
ｃｍ”に設定して厚み０．５μＩの表面保護層を形成し
た。

かくして得られた感光体Ａ乃至Ｈについて、表面電位、
半減露光量、残留電位及び画質を測定したところ、第１
表に示す通りの結果が得られた。

尚、上記電子写真特性は−５，６Ｋｖのコロナ電圧を印
加して求めた。

また、表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高く
て高速複写（５０枚／分以上の複写）を行っても全くゴ
ースト現象が生じなく、Ｏ印は高速複写を行うと若干ゴ
ースト現象が発生するが、実用上何等支障がない程度で
あり、Ｘ印は残留電位が高くて白地のガブリが顕著に生
じて実用に適さない場合を示す。

本例においては感光体Ａ乃至Ｈのそれぞれに対して設定
したａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層の製作条件、即ち（
Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比及びＨ２ガス流量を同じにして、（
例１）と同様の製造操作によってａ−５ｉＣ：Ｈキャリ
ア輸送層だけをシリコン単結晶製平板上に生成して２０
９０ｃａ＋−’の波数及び２８６０ｃｍ−’の波数のそ
れぞれの赤外線吸収係数を測定しており、この結果は第
１表に示す通りである。

第１表から明らかな通り、感光体Ａ乃至Ｆは実用に適し
た優れた感光体となり、高速複写用感光体として提供す
ることができ、特に感光体Ｂ及びＣは光感度が高くて帯
電能にも優れているために高速複写を行っても全くゴー
スト現象が生じなかった。然るに、感光体Ｇ及びＨはゴ
ースト現象が顕著になって実用に適さなかった。

本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段としてキ
ャリア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所
定の範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第
１表より明らかにされる通り、その吸収係数が２０９０
ｃｍ−’の波数に対して１０００以上であると共に２８
６０ｃｍ−’の波数に対して１０００以下であれば本発
明の感光体が得られることが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体の製法によれば、
機能分離型感光体として形成されるａ−ＳｉＣ：Ｈキャ
ア輸送層の暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させるこ
とができ、これにより、感光体の暗減衰率が小さくなる
と共に帯電能を高めることができ、その結果、高速複写
に適した電子写真感光体が提供される。

また、本発明の製法によれば、キャリア注入阻止層を形
成しなくても十分に実用に成り得ており、そのためには
ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜をキャリア輸送層に用いると共にこの
層の暗抵抗率が１０Ｉ３Ω・０１１以上あればよく、こ
れにより、この暗抵抗率の値を目安にしてキャリア注入
阻止層のない感光体を確実に製作でき、その結果、製造
歩留りが向上する。

更に本発明の製法によれば、ＳｉＨ，ガス及びＣｔｔｌ
ｔガスを原料としたグロー放電分解法によってキャリア
注入阻止層、キャリア輸送層及び表面保護層を同一の成
膜装置を用いて連続的且つ高速に形成することができ、
これにより、製造効率を高めて製造コストを低減するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は機能分離型電子写真感光体の層構成を示す断面
図、第２図は本発明の実施例に用いられる機能分離型電
子写真感光体の層構成を示す断面図、第３図は一般的な
アモルファスシリコン感光体の層構成を示す断面図、第
４図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放
電分解装置の説明図、第５図はＣｚＨｇガスと５ｔ）１
．ガスのガス組成比に対するＳｉＣ膜中のＣとＳｉの原
子組成比を表す線図、第６図は感光体のキャリア輸送層
の成膜速度を表す線図、第７図は感光体のキャリア輸送
層の導電率を表す線図である。 １・・・基板 ２．２ａ・・・キャリア注入阻止層 ３．３ａ・・・キャリア発生層 ４・・・表面保護層 ５・・・キャリア輸送層 特許出願人　　（６６３）京セラ株式会社同　　　河村
孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アモルファスシリコンカーバイド生成用ガスを用いてグ
   ロー放電分解法により水素化アモルファスシリコンカー
   バイドから成るキャリア輸送層を形成し、且つキャリア
   発生層を形成して成る機能分離型電子写真感光体の製法
   において、前記アモルファスシリコンカーバイド生成用
   ガスにアセチレン及びシランを用いると共にこのガス組
   成比を０．０５：１乃至３：１の範囲内に設定し且つこ
   れらのガス流量の合計量に対して３倍以下の水素ガスを
   配合して赤外線吸収スペクトルの２８６０ｃｍ＾−＾１
   の吸収係数が１０００以下となると共に２０９０ｃｍ＾
   −＾１の吸収係数が１０００以上となるキャリア輸送層
   を得ることを特徴とする電子写真感光体の製法。