JPS63135954A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン及びアモルファスシリコ
ンゲルマニウムカーバイドから成る電子写真感光体に関
し、特に光学バンドギャップの範囲を広くして光感度を
高めることができた電子写真感光体に関するものである
。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、超高速複写機やレーザービームプリンターなどの
開発が活発に進められており、これに伴ってこの機器に
搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性及
び耐久性が要求されている。この要求に対して水素化ア
モルファスシリコンが耐摩耗性、耐熱性、無公害性並び
に光感度特性等に優れているという理由から注目されて
いる。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｔと略す）
から成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−３ｉキヤリア注入阻止ＦＪ（２）　、ａ
−Ｓｉキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順
次積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板
（１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位
を低下させるために形成されており、そして、表面保護
層（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高
めている。

ところが、このａ−Ｓｉ感光体によれば、ａ−Ｓｉキャ
リア発生層（３）自体が有する暗抵抗率が１０”Ω・Ｃ
ｌ１１以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率
が大きくなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難
しくなり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた
場合には光メモリー効果により先の画像が完全に除去さ
れずに残留し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる
（ゴースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第４図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第４図によれば、導電性基板（１）上にキャリア
輸送Ｊ！ｉ　（５）及びキャリア発生層（３ａ）、所望
により表面保護Ｎ（４）を順次形成した積層型感光体を
示しており、このキャリア輸送層（５）は暗抵抗率及び
キャリア移動度の両特性が大きくなるような材料で形成
している。そして、上記の各層をａ−Ｓｔ又はこのａ−
３Ｌにカーボンをドープさせたアモルファスシリコンカ
ーバイド（以下、ａ−ＳｉＣト略す）を用いて形成した
機能分離型感光体によれば、この感光体を高速複写用に
用いた場合ゴースト現象の発生を抑えることができた。

しかしながら、このように上記感光体を高速複写用に用
いた場合、その高速性に伴って一回の複写当りの画像露
光量が減少し、これによって十分な光減衰とならず、原
稿の濃淡コントラストに対応する感光体の電位差が十分
に大きくならず、その結果、画像にガブリが生じるとい
う問題がある。

〔発明の目的〕

従って本発明の目的は光感度を広範囲の波長領域に亘っ
て高め、これによって十分な光減衰特性を得て高速複写
に適した電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、ａ−Ｓｉから成る層領域とアモルファ
スシリコンゲルマニウムカーバイド（以下、ａ−３ｉＧ
ｅＣと略す）から成る層領域を具備したキャリア発生層
を導電性基板上に形成し、該ａ−５ｉＧｅＣのシリコン
（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の原子組成比を２：１
乃至１００：ｌの範囲内に且つシリコン（Ｓｔ）とカー
ボン（Ｃ）の原子組成比を１＝１乃至１００：ｌの範囲
内に設定したことを特徴とする電子写真感光体が提供さ
れる。

また本発明によれば、ａ−３ｉから成る層領域とａ−５
ｉＧｅＣから成る層領域を具備したキャリア発生層を導
電性基板上に形成し、該キャリア発生層と導電性基板の
間にキャリア輸送層を形成した電子写真感光体であって
、ａ−５ｉＧｅＣのＳｉとＧｅの原子組成比を２：ｌ乃
至１００：ｌの範囲内に且つＳｔとＣの原子組成比を１
＝１乃至１０（１１の範囲内に設定したことを特徴とす
る電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図及び第２図は本発明の感光体の一例を表わす層構
成を示しており、第１図によれば、導電性基板（１）上
にキャリア注入阻止層（２）、キャリア輸送層（５）、
キャリア発生層（３ｂ）及び表面保護層（４）を順次積
層した積層型感光体を示しており、或いは第２図に示す
ように第１図中のキャリア注入阻止層（２）を除いても
よい。

このような積層型感光体においてキャリア発生層（３ｂ
）を少なくとも２種類の層領域から成るように形成し、
これによって光感度を広範囲な波長領域に亘って増大さ
せることを特徴とする。

第１図及び第２図によれば、このキャリア発生１ｉ１　
（３ｂ）は基板側から感光体表面へ向けてＮ厚方向に亘
ってａ−ＳｉＪ！領域（６）及びａ−ＳｉＧｅＣ層領域
（７）が順次形成されており、この両ＩＷ領域（６）　
（７）はアモルファス化したシリコン元素（Ｓｔ）を主
要な構成元素とし、そのＳｔのダングリングボンドを一
価元素で終端し、これによって光導電性が有するように
なったという点では共通するが、ａ−５ｉＪｉｉ？ｆ、
ｌｉ域（６）の分光感度が６５０ｎｍ以上の長波長領域
で急激に低下するのに対して、この層領域（６）に所定
量のカーボン元素（Ｃ）及びゲルマニウム元素（Ｇｅ）
を主要構成元素として添加すると、短波長領域ではａ−
Ｓｉ層領域（６）に比べて光感度が劣るが、その反面、
長波長領域では光感度の回復が顕著となり、特に６５０
ｎｍ以上の波長領域ではａ−Ｓｉ層領域（６）に比べて
著しく光感度を高めることができることを見い出した。

従って、６５０ｎｍ以上の長波長光に高感度なａ−３ｔ
ｅｌ領域と６５０ｎｍ以下に高感度なａ−３３７５１領
域とを積層して成るキャリア発生層（３ｂ）を形成する
と高光感度の波長領域を幅広くすることができる。

このａ−ＳｉＧｅＣ層領域（７）については、Ｓｉ元素
とＧｅ元素の含有比率を２：１乃至１００：１の範囲内
に、好適には３：１乃至３０：１の範囲内に設定すると
よく、この範囲内であれば、長波長光に対して光の吸収
率が大きくなり、これによって長波長光に対する光感度
を高めることができる。

また、Ｓｉ元素とＣ元素の含有比率は１；１乃至１００
：１の範囲内に、好適には、３：１乃至１００：１の範
囲内に設定するとよく、この範囲内であれば、暗導電率
を十分に小さくして、帯電能を向上させることができる
。

ａ−５ｉ層領域（６）及びａ−ＳｉＧｅＣ層領域（７）
が光導電性を有するように含有させるダングリングボン
ド終端用元素には水素元素（Ｈ）やハロゲン元素があり
、これらの元素の含有量は５乃至５０原子％、好適には
５乃至４０原子％、最適には１０乃至３０原子％がよく
、通常、■元素が用いられる。このＨ元素が用いられる
とその元素が上記終端部に取り込まれ易いのでバンドギ
ャップ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、優
れた半導体特性が得られる。

また、このＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよ
く、これにより、両者の層領域（６）　（７）の局在準
位密度を下げて光導電性及び耐熱性（温度特性）を高め
ることができ、その置換比率はダングリングボンド終端
用全元素中０．０１乃至５０原子％、好適には１乃至３
０原子％がよい。また、このハロゲン元素にはＦ、ＣＩ
、Ｂｒ、　Ｉ、Ａｔ等があるが、就中、Ｆを用いるとそ
の大きな電気陰性度によって原子間の結合が大きくなり
、これによって熱的安定性に優れるという点で望ましい
。

また、上記キャリア発生層によれば、基板側から感光体
表面へ向けてａ−Ｓｉ層領域（６）及びａ−３ｉＧｅＣ
層領域（７）を順次積層しているが、この積層順序を逆
にしてもよい。そして、この積層順序とは無関係に、両
者の層領域（６）　（７）でキャリアを発生させるため
には、いずれかのうち感光体表面側に位置する層領域に
ついては、入射光に対する透過率が３０％以上に、望ま
しくは４０Ｘ以上になるようにその厚みを設定すれば他
方の層領域にも十分に入射光が到達する。このように感
光体表面側に位置するｒｆｊｊＩ域はその厚みを小さく
するのに伴って透過率を大きくすることができるが、こ
れに伴ってその層領域による増感効果が減少して、広範
囲な波長領域に亘る光感度増大化が得られなくなり、こ
れにより、この層領域の厚みの下限値も決められる。本
発明者等が操り返し行った実験によれば、感光体表面側
に位置する層領域については、その層領域の厚みを０．
１乃至１０μｍ、好適には０゜５乃至５μｍの範囲内に
設定するとよく、これによって他方のＪｉｊＩ域へ最も
有効に光が到達する。

前記キャリア輸送層（５）にはそれ自体高抵抗率を有し
且つキャリア移動度が十分に大きければ種々の材料を用
いることができ、この材料には、例えば、ＰＶＫ、ピラ
ゾリン、オキサゾール、とドラシン、Ｎ−フェニルカル
バゾール、スチルベン等の有機半導体、Ｓｅ＋５ｅ−Ｔ
ｅ、５ｅ−Ａｓ、ＣｄＳ、ＺｎＯ＋　ａ−５ｔ、　ａ−
ＳｉＣ，ａ−ＳｉＯ，ａ−ＳｉＮ等の無機半導体がある
。

キャリア輸送層をａ−３ｉ又はａ−ＳｉＣによって形成
した場合、キャリア発生層と基本的に同一材料によって
形成することができるために同一の成膜装置を用いて連
続的に形成できるという点で望ましい。この場合、キャ
リア輸送層には光導電性が要求されていないが、機能上
励起キャリアの移動度を大きく且つ高い帯電能に設定す
るために暗導電率を１０−”（Ω・ｃｍ）−’以下にす
る必要がある。

即ち、ａ−５ｔキャリア輸送層を形成した場合、この層
の暗導電率を１０−”（Ω・ａｍ）−’以下に設定する
ためにｍａ族元素を所定の範囲内で含有させて真性化さ
せるのが望ましく、或いはそれだけで不十分であれば、
キャリア注入阻止層を形成して補完させてもよい。

また、ａ−５ｉＣキャリア輸送層を形成した場合、この
層にＢ等のＴＨａ族元素及びＮ＋Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ
等の周期律表第Ｖａ族元素を含有させるか、或いはこれ
らの元素を含有させなくても暗導電率を１０−”（Ω・
ｃｍ）−’以下に設定することができる。

このキャリア輸送層（５）の厚みは１乃至１００μｍ１
好適には５乃至５０μｍの範囲内に設定するのがよく、
１μｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象
が顕著になり、１００μｍを超えると画像の分解能が劣
化すると共に残留電位が大きくなる傾向にある。

本発明によれば、機能分離型感光体であってキャリア輸
送層（５）及びキャリア発生層（３ｂ）を必須不可欠な
層構成とし、両者のＪｉ　（５）　（３ｂ）が第１図及
び第２図に示すような積層順序になっているのが一般的
であるが、この積層順序を変えてもよい。

例えばキャリア輸送層（５）を有機半導体により形成す
る場合、基板（１）上にキャリア発生層（３ｂ）を薄膜
形成し、次いでその上にこの有機半導体を塗布してキャ
リア輸送層（５）とすることができる。

また、本発明によれば、この基本的な２層構成に、第１
図に示すようなキャリア注入阻止層（２）を形成しても
よく、この層（２）はキャリア輸送層（５）からのキャ
リアを円滑に基板側へ移動させ且つ基板からキャリア輸
送層（５）へのキャリア注入を阻止するために形成する
ものであり、この層（２）はポリイミド樹脂などの有機
材料、ＳｉＯ□、　Ｓｉｎ、　ＡｌｚＯｚ、ＳｉＣ，５
ｉＪｔ＋　アモルファスカーボン、ａ−５ｉ＋ａ−５ｉ
Ｃなどの無機材料によって形成される。

更にこのキャリア注入阻止層（２）を形成するに当たっ
て半導体材料を用いる場合、その伝導型をＰ型に制御す
るのが望ましく、これによって注入阻止作用が一段と向
上する。例えばこのＰ型半導体材料にはＢ等のｍａ族元
素を５０乃至１０．　ＯＯＯｐｐｍの範囲内で含有する
ａ−５ｉ又はａ−ＳｉＣがある。

このキャリア注入阻止層（２）は必ず形成しなくてはな
らぬというものではな（、本発明者等が繰り返し行った
実験によれば、キャリア輸送層（５）の暗抵抗率が１０
ＩｆｆΩ・ｃｍ以上であれば第２図に示すようにキャリ
ア注入阻止層（２）を形成しなくても電子写真感光体と
して十分に実用に供することができる。

また、表面保護ＪＷ（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐
食性及び高硬度特性を有するものであれば、種々の材料
を用いることができ、例えば前記のキャリア注入阻止Ｎ
（２）に用いたのと同様な無機材料又は有機材料を用い
ることができ、これにより、感光体の耐久性及び耐環境
性を高めることができる。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、キャリア発
生層の分光感光を幅広い波長に亘って高め、これによっ
て光減衰を大きくして高速複写に好適となる。

次に本発明者等は上記の結果を踏まえて、更に鋭意研究
に努めたところ、上述したような２種類の層領域につい
てはそれ以外に種々の態様があり、これによっても本発
明の目的を達成することができることを見い出した。

即ち、ａ−５ｔｌｉ令Ｉ域（６）とａ−ＳｉＧｅＣ層ｂ
ｌ域（７）との界面に両者の層を接合して電子写真特性
を向上させる接合層（この層の厚みは３μｍ以下が望ま
しい）を介在させてもよい。この接合層には、例えばａ
−３ｉ層領域（６）を薄膜形成した後、カーボン（Ｃ）
及び／又はゲルマニウム（Ｇｅ）のそれぞれの含有量を
その層厚方向に亘って漸次増大させ、その接合層の形成
終了時にそれぞれの含有量をａ−５ｉＧｅＣ層領域（７
）の所要なＣ量とＧｅＩと一致させるように設定した層
がある。

また、前記ａ−５ｉＧｅＣｒｆｉ領域（７）のＣ含有量
とＧｅ含有量を層厚方向に亘って変化させ、これによっ
て種々の感光体が得られる。

例えば、第５図乃至第１２図によれば、横軸はａ−５ｉ
ＧｅＣ層領域（７）のａ−５ｉ層（６）との界面（ａ）
からその反対側の表面（ｂ）までの層厚を表しており、
縦軸はＣ含有量及びＧｅ含有量を表しており、いずれの
含有量もそれぞれ相対量である。尚、これらの図におい
て実線及び破線はそれぞれＣ含有量及びＧｅ含有量を示
す。

これらの図から明らかな通り、ａ−ＳｉＧｅＣｌ領域（
７）の内部の入射光側のｂ面側に近い層領域においては
Ｇｅ含有量を比較的少なくするか或いはＣ含有量を比較
的多くしており、これにより、入射光側の層領域でバン
ドギャップが大きくなり、更に高い光導電性があり、そ
の結果、入射光が高効率に光電変換されて光感度を高め
ることができる。

これに対して、８面に近い層領域においてはＧｅ含有量
を比較的多くするか或いはＣ含有量を比較的少なくして
おり、これにより、この層領域での吸収係数が大きくな
り、入射光がこの層領域内でも光電変換され、光感度の
向上に寄与する。

従って、上述したようにａ−３ｔＧｅＣ層領域（７）に
おいても光感度特性を一段と高めることができる。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

本発明に係るキャリア発生層はグロー放電分解法、イオ
ンブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸
着法、熱ＣＶＤ法等の薄膜生成手段を用いることができ
、また、これに用いられる原料には固体、液体、気体の
いずれでもよい。

また、キャリア発生層以外の層を形成するに当たって、
これらの層をａ−Ｓｔ又はａ−ＳｉＣにより形成するの
であれば、同様な薄膜生成手段を用いることができると
いう点で望ましく、更に同一の成膜装置を用いた場合、
共通した薄膜生成手段によって連続的に積層することが
できるという利点がある。

例えばグロー放電分解装置を用いてａ−３ｉ、　ａ−５
ｔＣ又はａ−ＳｉＧｅＣから成る感光体を製作する場合
、その気体原料としてＳｉＨ４，５ｉｚｆｌ４，５ｉ３
ｔ１６．ＳｉＦ４などのＳｉ系ガス、ＣＨ４，ＣｚＨｚ
、ＣｚＨｔ、ＣＪ６．Ｃｚｌｌａなど（７）Ｃ系ガス＋
　Ｇ　ｅ　Ｆｌ　ａ　＋　Ｇ　ｅ　ｚ　Ｈｂ等のＧｅ系
ガスがあり、そして、Ｈｅガス、Ｈ２ガス等をキャリア
ガスとして用いればよい。

このグロー放電分解法によれば、Ｓｉ系ガス又はＧｅ系
ガスとアセチレン（ＣｚＨｚ）ガスを組合わせた混合ガ
スよりａ−ＳｉＧｅＣ層領域又はａ−５ｉＣ層を形成さ
せる場合、著しく大きな高速成膜性が達成できるという
点で望ましい。本発明者等が繰り返し行った実験によれ
ば、例えばＳｉＨ４ガス及びＣＺＨ２ガスを用いた場合
、５乃至２０μｍ／時の成膜速度が得られた。因にＳｉ
Ｈ４ガスとＣＨ，ガスを用いてａ−５ｉＣ膜を生成した
場合、その成膜速度は約０．３乃至１μｍ／時である。

次に本発明の実施例に述べられる電子写真感光体をグロ
ー放電分解法を用いて全層に亘ってａ−５ｉ又はａ−５
ｉＣにより形成した場合、その製作法を第１３図の容量
結合型グロー放電分解装置により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５．第６タンク（８
）　（９）（１０）　（１１）　（１２）　（１３）に
は、それぞれ５ｉｌ１４．ＣＪｚ、Ｇｅ）＋４、ＢｚＨ
，（）Ｉ、ガス希釈で０．２χ含有）、Ｈ２，Ｎｏガス
が密封されており、Ｈ２はキャリアーガスとしても用い
られる。これらのガスは対応する第１．第２．第３．第
４第５．第６調整弁（１４）　（１５）　（１６）　（
１７）　（１８）　（１９）を開放することにより放出
され、その流量がマスフローコントローラ（２０）　（
２１）　（２２）　（２３）　（２４）　（２５）によ
り制御され、第１．第２．第３．第４．第５タンク（８
）　（９）　（１０）　（１１）　（１２）からのガス
は第１主管（２６）へ、第６タンク（１３）からのＨｅ
ガスは第２主管（２７）へ送られる。尚、（２８）　（
２９）は止め弁である。第１主管（２６）及び第２主管
（２７）を通じて流れるガスは反応管（３０）へと送り
込まれるが、この反応管（３０）の内部には容量結合型
放電用電極（３１）が設置されており、それに印加され
る高周波電力は５〇−乃至３　ＫＷが、また周波数はＩ
　ＭＨｚ乃至５０１’ｌＨｚが適当である。反応管（３
０）の内部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用基
板（３２）が試料保持台（３３）の上に載置されており
、この保持台（３３）はモーター（３４）により回転駆
動されるようになっており、そして、基板（３２）は適
当な加熱手段により約２００乃至４００℃好ましくは約
２００乃至３５０℃の温度に均一に加熱される。更に反
応管（３０）の内部にはａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真
空状ａ（放電時のガス圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ）を
必要とすることにより回転ポンプ（３５）と拡散ポンプ
（３６）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＧｅＣ膜を基板（３２）に形成する場
合には、第１．第２．第３．第５調整弁（１４）　（１
５）　（１６）　（１８）を開いてそれぞれよりＳｉＨ
４，ＣＪｚ＋ＧｅＨ＊＋Ｈｚガスを放出する。放出量は
マスフローコントローラ（２０）　（２１）　（２２）
　（２４）により制御され、５ｔＨｔ＋ＣｔＨｚ＋Ｇｅ
１１４．Ｈｚの混合ガスは第１主管（２６）を介して反
応管（３０）へと流し込まれる。そして、反応管（３０
）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、
基板温度が２００乃至４００℃、容量型放電用電極（３
１）の高周波電力が５０Ｗ乃至３ＸＩＩＩ、周波数が１
乃至５０ＭＨｚに設定されていることに相俟ってグロー
放電がおこり、ガスが分解してａ−３ｉＧｅＣ膜が基板
上に高速で形成される。尚、上記したａ−ＳｉＧｅＣキ
ャリア発生層（７）の形成例にはＨ２ガスを用いている
が、このガスは不可欠ではなく、Ｈ２ガスを用いなくて
も形成することができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 本例においでは層厚方向に亘って単一組成のａ−３ｉ膜
又はａ−３ｉＣ膜を形成して分光感度特性を測定した。

即ち、３Ｘ３ｃｍの角形のアルミニウム製平板を用意し
、第１３図に示したアルミニウム製筒状基板（３２）の
周面を一部切り欠いてこの切り欠き部にこの平板を設置
し、タンク（８）よりＳ　ｉ　ＩＩ　、ガス、タンク（
１０）よりＧｅＨ４ガスを、タンク（９）よりＣｚｌｌ
ｚガスを、タンク（１２）よりＨ２ガスを第１表に示す
ガス流量で放出し、更に製造条件も所定の通りに設定し
、グロー放電分解法により上記平板上に５μｍの厚みの
ａ−３ｉＣ膜又はａ−５ｉＧｅＣ膜を形成した。

〔以下余白〕

かくして得られた試料Ａ（ａ−５ｉＣ膜）及び試料８１
Ｃ（ａ−ＳｉＧｅＣ膜）についてそれぞれ分光感度特性
を測定した結果、第１４図に示す通りとなった。図中、
Ｏ印、■印及び・印はそれぞれ試料Ａ、Ｂ、Ｃの分光感
度プロットであり、Ｘ＋　Ｖ＋　２はそれぞれの分光感
度曲線である。尚、この分光感度の測定値は櫛型電極法
により各波長において等エネルギー光を照射した時の光
導電率を示す。

この結果から明らかな通り、Ｇｅ含有量が多くなるのに
伴って分光感度ピークが長波長側ヘシフトし、ａ−Ｓｉ
ＧｅＣ膜によれば、６５０ｎｍ以下の波長領域において
ａ−Ｓｉ膜より分光感度が低いが、６５０ｎｍ以上の波
長領域においてはａ−３ｉ膜よりも高い光感度となって
おり、これによってａ−３ｉ膜及びａ−５ｉＧｅＣ膜を
積層して成るキャリア発生層を形成した場合、分光感度
の有効な波長領域が広くなることが期待できる。

（例２） 本例においては、第１３図に示したグロー放電分解装置
を用いて第２表に示した製作条件によって基板（３２）
上にキャリア注入阻止１．（２）　、キャリア輸送ＩＪ
（５）　、ａ−５ｉ層領域（６）　、ａ−ＳｉＧｅＣＪ
ｉｉＳＩ域（７）及び表面保護Ｆｆ（４）を順次形成し
、電子写真感光体ドラムを製作した。尚、キャリア注入
阻止層（２）の形成にＮＯガスを用いて酸素と窒素をド
ープし、基板に対する密着性を高めている。

〔以下余白〕

このドラムを高速複写機に搭載し、感光体を＋５．６Ｋ
Ｖのコロナチ島−ジャによって正極性に帯電させ、次い
で画像露光して磁気ブラシ現像を行うというサイクルに
よって画像を得るに当たって、その印字速度を８０回／
分という高速複写レベルにまで高めたところ、画像濃度
が高く、高コントラストでゴースト現象が全く生じない
良質な画像が得られた。

本例によれば、本例のａ−ＳｉＧｅＣ層領域（７）をガ
ラス基板に同一条件によって形成し、その透過率（入射
光の波長７７０ｎｍ　）を測定したところ、４０χであ
った。また、この層領域（７）のＳｉとＣの原子組成比
は４：１であり、ＳｉとＧｅの原子組成比は５：１であ
った。

然るに前述の第２表の製作条件のなかで、キャリア発生
層を形成するに当たってＧｅＨａガスの放出を止め、５
ｉ）Ｉ４ガス、ＣＺＨｚガス及Ｈ２ガスの放出をそのま
ま維持し、これによってａ−ＳｉＧｅＣ層領域に代わる
ａ−ＳｉＣ層領域を形成し、その他の層領域及び各層を
第２表に示した条件によって同様に形成しｔ電子写真感
光体を製作し、この感光体を用いてＦ記と同じ印字速度
で画像を得たところ、画像コントラストが小さくなって
画像全面に亘ってカブリが生じた。

また、前述の第２表の製作条件のなかで、キャリア発生
層を形成するに当たってＣ２Ｈ２ガスの放出を止め、５
ｉ８４ガス、Ｇｅｔｌａガス及びＩｈガスの放出をその
まま維持し、これによってａ−ＳｉＧｅＣ層領域に１（
わるａ−３ｉＧｅ層領域を形成し、その他の層領域及び
各層を第２表に示した条件によって同様に形成した電子
写真感光体を製作し、この感光体を用いて上記と同じ印
字速度で画像を得たところ、同様：こ画像コントラスト
が小さくなり、カブリが生じた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、萄速複
写機搭載用怒光体に機能分離型の電子写真感光体を用い
るのに当たって、その感光体の光感度が広範囲な波長領
域に亘って高くなるようなキャリア発生層を形成し、こ
れにより、原稿の濃淡コントラストに対応して感光体の
電位差を十分に大きくすることができ、その結果、高コ
ントラストで良質な画像が得られる電子写真感光体とな
った。

尚、本発明の実施例は機能分離型感光体について述べて
いるが、この実施例に限定されるものでなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲において、キャリア発生層を二層
領域により形成した種々の電子写真感光体を製作するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の電子写真感光体の典型的な
層構成を示す説明図、第３図は電子写真感光体の一般的
な層構成を示す説明図、第４図は従来の機能分離型の層
構成を示す説明図、第５図、第６図、第７図、第８図、
第９図、第１Ｏ図、第１１図及び第１２図は本発明に係
る電子写真感光体のアモルファスシリコンゲルマニウム
ｌｉ！　６Ｎ域の層厚方向に亘るカーボン含有量とゲル
マニウム有量を示す線図、第１３図は本発明の実施例に
用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説明図、第
１４図は分光怒度特性曲線を表わす線図である。 １・・・導電性基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３、３ａ、　３ｂ　　・・キャリア発生層４・・・表面
保３ＩＮ ５・・・キャリア輸送層 ６・・・アモルファスシリコン層領域 ７・・・アモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド
層領域 特許出願人　　（６６３）京セラ株式会社同　　　　温
材　孝夫 代理人弁理士（８８９８）田原勝彦 第５図 第７図 氏し 第６図 第８図 改　　　　　　　　　　　レ レ 第１４図 りＬ＋

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アモルファスシリコンカーバイドから成る層領域
   とアモルファスシリコンゲルマニウムカーバイドから成
   る層領域を具備したキャリア発生層を導電性基板上に形
   成し、該アモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド
   のシリコンとゲルマニウムの原子組成比を２：１乃至１
   ００：１の範囲内に且つシリコンとカーボンの原子組成
   比を１：１乃至１００：１の範囲内に設定したことを特
   徴とする電子写真感光体。
2. （２）アモルファスシリコンから成る層領域とアモルフ
   ァスシリコンゲルマニウムカーバイドから成る層領域を
   具備したキャリア発生を導電性基板上に形成し、該キャ
   リア発生層と導電性基板の間にキャリア輸送層を形成し
   た電子写真感光体であって、該アモルファスシリコンゲ
   ルマニウムカーバイドのシリコンとゲルマニウムの原子
   組成比を２：１乃至１００：１の範囲内に且つシリコン
   とカーボンの原子組成比を１：１乃至１００：１の範囲
   内に設定したことを特徴とする電子写真感光体。