JPH01287575A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン及びアモルファスシリコ
ンカーバイドから成る機能分離型電子写真感光体に関し
、特に光学バンドギャップの範囲を広くして光感度を高
めることができた電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、超高速複写機やレーザービームプリンターなどの
開発が活発に進められており、これに伴ってこの機器に
搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性及
び耐久性が要求されている、この要求に対して水素化ア
モルファスシリコンが耐摩耗性、耐熱性、無公害性及び
光感度特性等に優れているという理由から注目されてい
る。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
から成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−５ｉキャリア注入阻止層（２）　、ａ−
Ｓｔキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次
積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（
１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を
低下させるために形成されており、そして、表面保護Ｎ
（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高め
ている。

ところが、このａ−Ｓｉ感光体によれば、ａ−Ｓｔキャ
リア発生層（３）自体が有する暗抵抗率が１０日Ω・Ｃ
ｌ１ｌ以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率
が大きくなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難
しくなり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた
場合には光メモリー効果により先の画像が完全に除去さ
れずに残留し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる
（ゴースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第４図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第４図によれば、導電性基板（１）」二にキャリ
ア輸送Ｎ（５）及びキャリア発生層（３ａ）、所望によ
り表面保護層（４）を順次形成した積層型感光体が示さ
れており、このキャリア輸送Ｎ（５）は暗抵抗率及びキ
ャリア移動度の両特性が大きくなるような材料で形成し
ている。そして、上記の各層をａ−３ｊ又はこのａ−Ｓ
ｉにカーボン（Ｃ）元素をドープさせたアモルファスシ
リコンカーバイド（以下、ａ−３ｉＣと略す）により形
成した機能分離型感光体によれば、高速複写用に用いて
も前記ゴースト現象の発生を抑えることができた。

しかしながら、このように上記感光体を高速複写用に用
いた場合、その高速性によって一回の複写当りの画像露
光量が減少し、これによって十分な光減衰とならず、原
稿の濃淡コントラストに対応する感光体の電位差が十分
に大きくならず、その結果、画像にガブリが生じるとい
う問題がある。

〔発明の目的〕

従って本発明の目的は光感度を広範囲の波長領域に亘っ
て高めて十分な光減衰特性が得られ、これによって高速
複写に適した電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上に少なくともキャリア輸
送層及びキャリア発生層を形成した電子写真感光体にお
いて、前記キャリア発生層がａ−Ｓｔから成る層領域と
０．５〜１１００ｐｐの周期律表第ｎｌａ族元素を含む
ａ−３ｉＣから成る層領域によって順次形成されている
ことを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図及び第２図は本発明に係る電子写真感光体の典型
的な層構成を示しており、第１図によれば、導電性基板
（１）上にキャリア注入阻止Ｎ（２）、キャリア輸送層
（５）、キャリア発生層（３ｂ）及び表面像１ｉ１（４
）を順次積層した積層型感光体が示されており、或いは
第２図に示すように第１図中のキャリア注入阻止層（２
）を除いてもよい。

本発明によれば、上記キャリア発生１　（３ｂ）を少な
くとも２種類の層領域から成るように形成し、これによ
って光感度を広範囲な波長領域に亘って増大させること
を特徴とする。

このキャリア発生ｊｉ　（３ｂ）は基板側から感光体表
面へ向けて層厚方向に亘りアモルファスシリコン層領域
（以下、ａ−Ｓｉ層領域と略す）（６）及びアモルファ
スシリコンカーバイド層領域（以下、ａ−ＳｉＣ層領域
と略す）（７）が順次形成されており、このａ−５ｉＣ
層領域（７）には周期律表第ｍａ族元素（以下、ＩＩＩ
ａ族元素と略す）が所定の範囲内で含有されている。

本発明者等の実験によれば、所定量のｍａ族元素を含有
したａ−５ｉＣＮ５Ｊｆ域（７）は短波長側の光感度を
顕著に高められることが見出され、そして、この知見に
基づいて本発明が完成されるに至った。

感光体表面側より入射した光のうち短波長側がａ−５ｉ
ＣＪｉｆｉｌ域（７）で吸収され、しかも、そのＪｉ　
ｊｉＩ域（７）を透過した光、即ち、長波長側の光がａ
−Ｓｉ層領域（６）で吸収され、これにより、短波長側
及び長波長側の両者ともに光感度を高めることができる
。

先ず、ａ−３ｉＣ層領域（７）によれば、アモルファス
化したＳｉ元素とＣ元素を不可欠な構成元素となし、そ
のダングリングボンドを終端させるべく水素（Ｈ）元素
やハロゲン元素を所要の範囲内で含有させることによっ
て光導電性が生じる。本発明者等がＣ元素の含有比率を
幾通りにも変えて光導電性を確かめる実験を行ったとこ
ろ、Ｓｉ元素とＣ元素の原子比率、即ち、Ｓｉ　（１−
ＸＩＣＭのｘ値を０．０１≦Ｘ≦０．５、好適には０．
０５≦Ｘ≦０．３の範囲内に設定した場合、暗導電率が
小さくなり、短波長側の光感度を高めることができる。

また、Ｈ元素やハロゲン元素などのダングリングポンド
終端用元素への含有量は、（Ｓｉ　（＋−８）Ｃ，）＋
−，（Ａ）ｙで表したＸ値をｏ、ｏｓ≦ｙ　≦０．５、
好適には０．０５≦ｙ　≦０．４　、最適には０．１　
≦ｙ≦０．３の範囲内になるように設定するとよい。こ
の元素へにはダングリングボンドの終端部に取り込まれ
易くてバンドギャップ中の局在準位密度が低減化される
という点で通常１１元素が用いられる。

コノヨうすａ−５ｉＣＮ￥＋Ｍ域（７）ノ厚ミハ０．０
５〜５μｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定す
るとよく、この厚みが０．０５μｍ未満の場合には短波
長光の吸収が不十分となって光感度を高めることが難し
くなり、５μ…を越える場合には残留電位が大きくなる
傾向になる。

上記ａ−５ｉＣＮ領域（７）はＳｉ元素とＣ元素の原子
比率、即ち、前記Ｘ値がその層厚方向に亘って均一であ
る場合、又はそのＸ値が変化する場合のいずれでもよい
。

Ｘ値が層厚方向に亘って変化する場合には、そのＸ値が
Ｑ、０１ｆ−ｘ≦０．５の範囲内でＨＲＭ域（７）の厚
みが決められ、このようにして決められた厚みも０．０
５〜５μｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定す
るのがよい。

このようにＸ値が層厚方向に亘って変化する場合のカー
ボンドーピング分布には、例えば第５図〜第１０図に示
す通りがある。

各々の図において、横軸はａ−３ｉＣＪｉＦｉｉ域（７
）のＦＪ層厚方向示し、ａはａ−３ｉ　Ｉ’！領域（６
）との界面であり、ｂはその反対側の界面であり、縦軸
はカーボン含有量を表す。

また、このａ−５ｉＣ層領域（７）には、■ａ族元素を
０．５〜１１００ｐｐ、好適には１〜５０ｐｐｍの範囲
内で層厚方向に亘って均一に含有させるとよく、この含
有量が０．５ｐｐｎ＋未満の場合には十分に大きな光感
度が得られず、一方、１１００ｐｐを越える場合には帯
電能が低下する。

上記ｍａ族元素にはＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ等があるが、
就中、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え
得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られ
るという点で望ましい。

このようにａ−３ｉＣ層領域（７）にｍａ族元素を含有
させるに当たり、そのドーピング分布はその層厚方向に
亘って不均一にしてもよく、例えば第１１図〜第１６図
に示す通りがある。

各々の図において、横軸はａ−５ｉＣＴｆ１領域（７）
の層厚方向を示し、ａはａ−５ｉ層望域（６）との界面
であり、ｂはその反対側の界面であり、そして、縦軸は
ｍａ族元素含有量を表わす。

このようにｍａ族元素含有量をＮ厚方向に亘って変化さ
せた場合、その含有量はａ−５ｉＣ層領域（７）全体当
たりの平均値である。

また、前記ａ−３ｉ層領域（６）はアモルファス化した
Ｓｉ元素と、そのダングリングボンドを終端させるため
のＨ元素やハロゲン元素から成り、入射光のうち長波長
側の光が吸収される。

このａ−５ｉ層ｆｉｌ域（６）の厚みは０．０５〜５ｐ
ｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するのが望
ましく、この範囲内であれば、高い帯電能が得られ、し
かも、長波長光が有効に吸収されるという点で有利であ
る。

また、ａ−５ｉ層領域（６）は実質上カーボン元素を含
有しない層であるが、非常に微少量のカーボン元素を含
有してもよい。その場合、このカーボン元素がｌｏｏＯ
ｐｐｍ以下、好適には５００ｐｐｍ以下の範囲内であれ
ば、長波長光の光感度が顕著に低下しない。

更に、ａ−５ｉＮＳＪｉ域（６）には０．０１〜１０ｐ
ｐｍ　、好適には０．１〜５ｐｐｍの範囲内でｍａ族元
素を含有させてもよく、この範囲内であれば、高い帯電
能が得られ、しかも、残留電位を低減化できるという点
で有利である。尚、このｍａ族元素のドーピング分布は
層厚方向に亘って均−又は不均一のいずれでもよく、不
均一にドーピングする場合の含有量はその層領域（６）
の全体当たりの平均値である。

そして、このようにａ−３ｉＮ蓮域（６）に含有させる
ｍａ族元素にはＢ、ＡＩ＋Ｇａ＋　Ｉｎ等がある。

前記キャリア輸送Ｎ（５）にはそれ自体高抵抗率を有し
且つキャリア移動度が十分に大きければ種々の材料を用
いることができ、この材料には、例えば、ＰＶＫ、ピラ
ゾリン、オキサゾール、ヒドラゾン、Ｎ−フェニルカル
バゾール、スチルベン等の有機半導体、Ｓｅ、５ｅ−Ｔ
ｅ、５ｅ−Ａｓ、ＣｄＳ、ＺｎＯ＋　ａ−３ｉ、　ａ−
３ｉＣ，ａ−ＳｉＯ，ａ−３ｉＮ等の無機半導体がある
。

キャリア輸送層をａ−Ｓｉ又はａ−５ｉＣによって形成
した場合、キャリア発生層と基本的に同一材料によって
形成することができるために同一の成膜装置を用いて連
続的に形成できるという点で望ましい。この場合、キャ
リア輸送層には光導電性が要求されていないが、機能上
、励起キャリアの移動度を大きくし、しかも、高い帯電
能に設定するために暗導電率を１０−”（Ω・ｃｍ）−
’以下にする必要がある。

即ち、ａ−Ｓｉキャリア輸送層を形成した場合、ｍａ族
元素を所要の範囲内で含有させて真性化させ、これによ
って暗導電率を１０−”（Ω・ｃｍ）　−’以下に設定
することができる。尚、このように暗導電率を限定して
も不十分であれば、キャリア注入阻止層を形成して特性
を高める。

このキャリア輸送層（５）の厚みは１〜１００μｍ、好
適には５〜５０μｍの範囲内に設定するのがよく、１μ
ｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象が顕
著になり、１００　ｕｒｎを超えると画像の分解能が劣
化すると共に残留電位が太き（なる１頃向にある。

本発明によれば、機能分離型感光体であってキャリア輸
送Ｆ！！　（５）及びキャリア発生層（３ｂ）を必須不
可欠な層構成とし、両者のＪ！　（５）　（３ｂ）が第
１図及び第２図に示すような積層順序になっているのが
一般的であるが、この積層順序を変えてもよい。

即ち、基板（１）上にキャリア発生層（３ｂ）を薄膜形
成し、次いで、その上に有機半導体を塗布してキャリア
輸送層（５）とすることができる。

また、前記キャリア注入阻止層（２）はキャリア輸送層
（５）からのキャリアを円滑に基板側へ移動させ且つ基
板からキャリア輸送Ｎ（５）へのキャリア注入を阻止す
るために形成するものであり、この層（２）はポリイミ
ド樹脂などの有機材料、５ｉｎ２＋Ｓ＋Ｏ＋ＡｌｚＯ□
＋ＳｉＣ＋５ＩＪ４＋　アモルファスカーボン、ａ−５
ｉ＋　ａ−５ｉＣなどの無機材料によって形成される。

更にこのキャリア注入阻止Ｎ（２）を形成するに当たっ
て半導体材料を用いる場合、その伝導型をＰ型に制御す
るのが望ましく、これによって注入■止作用が一段と向
上する。例えばＰ型半導体材料にはＢ等のｍａ族元素を
５０〜１０．０００ｐｍの範囲内で含有するａ−３ｉ又
はａ−５ｉＣがある。

このキャリア注入阻止層（２）は必ず形成しな（ではな
らぬというものではなく、本発明者等が繰り返し行った
実験によれば、キャリア輸送層（５）の暗導電率が１０
−”（Ω・ｃｍ）　−’以下であればキャリア注入阻止
層（２）を形成しなくても電子写真感光体として十分に
実用に供することができる。

また、表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食
性及び高硬度特性を存するものであれば、種々の材料を
用いることができ、例えば前記のキャリア注入阻止層（
２）に用いたのと同様な無機材料又は有機材料を用いる
ことができ、これにより、感光体の耐久性及び耐環境性
を高めることができる。

かくして本発明の電子写真感光体は、キャリア発生層の
分光感度を幅広い波長に亘って高められ、これによって
光減衰を大きくして高速複写に好適となる。

次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。

キャリア発生層（３ｂ）はグロー放電分解法、イオンブ
レーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法
、熱ＣＶＤ法等の薄膜生成手段を用いることができ、ま
た、これに用いられる原料には固体、液体、気体のいず
れでもよい。

また、キャリア発生層以外の層をａ−３ｔ又はａ−３ｉ
Ｃにより形成するのであれば、同様な薄膜生成手段を用
いることができるという点で望ましく、更に同一の成膜
装置を用いた場合、共通した薄膜生成手段によって連続
的に積層することができるという利点がある。

例えばグロー放電分解装置を用いてａ−３ｉ又はａ−Ｓ
ｉＣから成る感光体を製作する場合、その気体原料とし
て５ｔＨ４，５ｉＪｈ＋　５ｉＪａなどのＳｉ元素系ガ
ス、Ｃ１１４，ＣＪｚ、ＣＪｓ、ＣＪ６．ＣＪｓなどの
Ｃ元素系ガスがあり、そして、Ｈｅガス、Ｉ＋、ガス等
をキャリアガスとして用いればよい。

このグロー放電分解法によれば、上記Ｓｉ元素系ガスと
アセチレン（Ｃｚ　Ｉｔ□）ガスの混合ガスよりａ−Ｓ
ｉＣ層を形成した場合、著しく大きな高速成膜性が達成
できるという点で望ましい。本発明者等が繰り返し行っ
た実験によれば、ＳｉＨ４ガス及びＣｚ　！Ｉ　ｔガス
を用いた場合、５〜２０μｍ／時の成膜速度が得られた
。因にＳｉＨ，ガスとＣ１１，ガスを用いてａ−３ｉＣ
膜を生成した場合、その成膜速度は約０．３〜１μｍ／
時である。

次にグロー放電分解法を用いてａ−Ｓｉ層又はａ−Ｓｉ
Ｃ層を製作する場合、その製作法を第１７図の容量１　
　　　　結合型グロー放電分解装置により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５タンク（８）　（
９）　（ｔｏ）（１１）　（１２）には、それぞれ５Ｉ
Ｈ４，ＣＺＩＩ□１Ｂｚｌｌｉ、Ｉｔ□、Ｎｏガスが密
封されており、ｔｔｚはキャリアーガスとしても用いら
れる。これらのガスは第１．第２．第３．第４第５調整
弁（１３）　（１４）　（１５）　（１６）　（１７）
を開放することにより放出され、その流量がマスフロー
コントローラ（１８）　（１９）　（２０）　（２１）
　（２２）により制御され、第１゜第２．第３．第４タ
ンク（８）　（９）　（１０）　（１１）からのガスは
第１主管（２３）へ、第５タンク（１２）からのＮｏガ
スは第２主管（２４）へ送られる。尚、（２５）　（２
６）は止め弁である。第１主管（２３）及び第２主管（
２４）を通じて流れるガスは反応管（２７）へと送り込
まれるが、この反応管（２７）の内部には容量結合型放
電用電極（２８）が設置されてお、それに印加される高
周波電力は５０−〜３に−が、また、その周波数は１〜
５０門１１２が適当である。反応管（２７）の内部には
、アルミニウムから成る筒状の成膜用基板（２９）が試
料保持台（３０）の上に載置されており、この保持台（
３０）はモーター（３１）により回転駆動されるように
なっており、そして、基板（２９）は適当な加熱手段に
より、約２００〜４００℃好ましくは約２００〜３５０
℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管（２７）の
内部はａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電時の
ガス圧Ｏ０１〜２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とし、そのた
めに回転ポンプ（３２）と拡散ポンプ（３３）が連結さ
れている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、Ｂ元素、０元素及びＮ元素を含むａ−ＳｉＣ膜
を基板（３５）に形成する場合には、第１゜第２．第３
．第４調整弁（１３）　（１４）　（１５）　（１６）
を開いてそれぞれよりＳｉ！ｌ＊、ＢｚＨｂ、Ｈｚガス
を放出し、第５１１整弁（１７）を開いてＮｏガスを放
出する。その放出量はマスフローコントローラ（１Ｂ）
　（１９）　（２０）　（２１）　（２２）により制御
され、ＳｉＨ４＋ＣｚＨｚ＋Ｂｔｌｌｂ、Ｉｔ□の混合
ガスは第１主管（２３）を介して、Ｎｏガスは第２主管
（２４）を介して反応管（２７）へと流し込まれる。そ
して、反応管（２７）の内部が０．１〜２．０Ｔｏｒｒ
程度の真空状態、基板温度が２００〜４００℃、容量型
放電用電極（２８）の高周波電力が５０−〜３ＫＷ　、
周波数が１〜５０ＭＨ２に設定されていることに相俟っ
てグロー放電がおこり、ガスが分解してａ−ＳｉＣ膜が
基板上に高速で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の詳細な説明する。

（例１） 第１７図のグロー放電分解装置を用いて第１表に示すａ
りの成膜条件によりアルミニウム製基板上にキャリア輸
送Ｎ（５）及びキャリア発生層（３ｂ）を順次積層し、
感光体ドラムを製作した。

かくして得られた感光体ドラムに、可視光分光器により
分光された０、３μ−７ｃｍ”の単色光を照射し、表面
電位の半減時間を求めて分光感度を測定したところ、第
１８図に示す通りの結果が得られた。

同図において、横軸は波長であり、縦軸は光感度であり
、そして、Ｏ印は測定結果のプロットであり、ａはその
特性曲線である。

また第１８図には上記感光体ドラムよりａ−ＳｉＣ層領
域が除かれた感光体ドラムが比較例として示されており
、その分光感度を測定したところ、・印に示される測定
結果のプロットが得られ、ｂはその特性曲線である。

この結果より明らかな通り、本発明の感光体ドラムは短
波長側の光感度が顕著に太き（なっていることが判る。

尚、上記光導電性ａ−ＳｉＣ層のカーボン量をＢＳＣＡ
分析により求めたところ、５ｉｌ−、Ｃ、のＸ値で０゜
１２であり、また、そのＢ含有量を二次イオン質量分析
計により求めたところ、６　ｐｐｍであった。

本発明の感光体ドラムを高速複写機に搭載し、感光体を
＋５．６ＫＶのコロナチャージャによって正極性に帯電
し、次いで画像露光して磁気ブラシ現像を行うというサ
イクルによって画像を得るに当たって、その印字速度を
８０枚／分という高速複写レベルにまで高めたところ、
画像濃度が高く、カブリが生じなく、高コントラストで
ゴースト現象が全く生じない良質な画像が得られた。

然るに比較例の感光体ドラムを上記高速複写機に搭載し
、同じように画像を得るに当たって、赤色カットフィル
タを用いない場合には赤色文字の原稿が明瞭に出なかっ
た。また、このフィルタを用いた場合には赤色文字が出
たが、その反面、白地部分にカブリが認められた。

（例２） 本例においては、第２表に示す通りの成膜条件によりア
ルミニウム製基板上にキャリア注入阻止層（２）、キャ
リア輸送層（５）、キャリア発生層（３ｂ）及び表面保
護Ｎ（４）を順次積層し、第２図に示す通りの感光体ド
ラムを製作した。

かくして得られた感光体ドラムを高速複写機に搭載し、
そして、赤色カットフィルタを用いないでハロゲンラン
プを投光源とし、更にコロナチャージャで＋５．６ＫＶ
の電圧を印加して正帯電させ、これにより、表面電位、
光感度並びに残留電位を測定したところ、下記に示す通
りの結果が得られた。

表面電位・・・・・・・・＋７５０ｖ 光感度（記録露光量）　・・０．６０１ｕｘ　　−５ｅ
ｃ残留電位（露光開始５秒後の値）・・３０Ｖまた、こ
の感光体ドラムを高速複写機に搭載し、８０枚／分の速
度にて画像出しテストを行ったところ、黒色部及び赤色
部に対する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い濃度
で且つカブリのない鮮明な画像が得られた。

（例３） 次に本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラ
ムについて、ａ−ＳｉＣ層領域のＢ含有量とＣ含有量を
幾通りにも変え、これによって得られる感光体ドラムＡ
〜にの画質を評価したところ、第３表に示す通りの結果
が得られた。

画質の評価は３種類に区分し、◎印は画像濃度が高く、
カブリが全く生じなく、しかも、赤色の再現性が良好で
ある場合を示し、○印は画像濃度が高く、カブリがほと
んど生じなく、しかも、赤色の再現性についても実用上
何等支障がない場合であり、Ｘ印は短波長側の光感度が
低く、そのために赤色再現性に劣り、しかも、カブリが
生じて実用上支障がある場合を示す。

〔以下余白〕

第３表 第３表より明らかな通り、本発明の感光体Ｃ〜Ｉは画像
濃度、カブリ、赤色再現性のいずれの点についても優れ
た特性が得られた。

然るに、感光体Ａ、Ｂ、Ｊ、にはＢ含有量が本発明の範
囲内より外れ、そのために短波長側の光感度、カブリ及
び赤色再現性のいずれについても劣っていた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体は機能分離型感光
体として用いられ、そのキャリア発生層の分光感度が幅
広い波長に亘って斉められており１、これによって光減
衰を大きくして高速複写に好適となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の層構成を示
す断面図、第３図及び第４図は従来の電子写真感光体に
採用されている層構成を示す断面図、第５図、第６図、
第７図、第８図、第９図及び第１０図はいずれもカーボ
ンドーピング分布を示す線図、第１１図、第１２図、第
１３図、第１４図、第１５図及び第１６図はいずれもｍ
ａ族元素のドーピング分布を示す線図、第１７図は容量
結合型グロー放電分解装置の概略図、第１８図は分光感
度曲線を示す線図である。 １・・・導電性基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３．３ａ、３ｂ　　・・・キャリア発生層４・・・表面
保ｇｉＮ ５・・・キャリア輸送層 ６・・・アモルファスシリコンＮＨ域 ７・・・アモルファスシリコンカーバイドＮＳＲ域特許
出願人　　（６６３）　　京セラ株式会社同　　　　河
村孝夫 代理人弁理士（８８９８）田原勝彦 第７図　　　　　　第８図 ４　　　　　　　　　　ｔ）　　　　　　　ｄ　　　　
　　　　　わ第９図　　　　　　　第叫図 やＵ図　　　　　　　第壮図 第］Ｌ；３図　　　　　　　第１４図 第１５図　　　　　　　第１６図 第１８図 ５良÷（ｐ　ｍ、１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に少なくともキャリア輸送層及びキャリア
   発生層を形成した電子写真感光体において、前記キャリ
   ア発生層がアモルファスシリコンから成る層領域と０．
   ５〜１００ｐｐｍの周期律表第IIIａ族元素を含むアモ
   ルファスシリコンカーバイドから成る層領域によって順
   次形成されていることを特徴とする電子写真感光体。