JPS63135951A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン及びアモルファスシリコ
ンカーバイドから成る機能分離型電子写真感光体に関し
、特に光学バンドギャップの範囲を広くして光感度を高
めることができた電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、超高速複写機やレーザービームプリンターなどの
開発が活発に進められており、これに伴ってこの機器に
搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性及
び耐久性が要求されている。この要求に対して水素化ア
モルファスシリコンが耐摩耗性、耐熱性、無公害性並び
に光感度特性等に優れているという理由から注目されて
いる。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
から成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−５ｉキャリア注入阻止石（２）　、ａ−
３ｔキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次
積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（
１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を
低下させるために形成されており、そして、表面保護層
（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高め
ている。

ところが、このａ−Ｓｉ感光体によれば、ａ−Ｓｉキャ
リア発生層（３）自体が有する暗抵抗率が１０″Ω・Ｃ
ｌ１ｌ以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率
が大きくなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難
しくなり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた
場合には光メモリー効果により先の画像が完全に除去さ
れずに残留し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる
（ゴースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第４図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第４図によれば、導電性基板（１）上にキャリア
輸送層（５）及びキャリア発生層（３ａ）、所望により
表面保護層（４）を順次形成した積層型感光体を示して
おり、このキャリア輸送層（５）は暗抵抗率及びキャリ
ア移動度の両特性が大きくなるような材料で形成してい
る。そして、上記の各層をａ−５ｉ又はこのａ−３ｉに
カーボンをドープさせたアモルファスシリコンカーバイ
ド（以下、ａ−ＳｉＣと略す）を用いて形成した機能分
離型感光体によれば、この感光体を高速複写用に用いた
場合ゴースト現象の発生を押えることができた。

しかしながら、このように上記感光体を高速複写用に用
いた場合、その高速性に伴って一回の複写当りの画像露
光量が減少し、これによって十分な光減衰とならず、原
稿の濃淡コントラストに対応する感光体の電位差が十分
に大きくならず、その結果、画像にカブリが生じるとい
う問題がある。

〔発明の目的〕

従って本発明の目的は光感度を広範囲の波長領域に亘っ
て高めて十分な光減衰特性を得て、これによって高速複
写に適した電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上に少なくともキャリア輸
送層及びキャリア発生層を形成した電子写真感光体にお
いて、前記キャリア発生層がａ−９ｉから成る層領域と
０．１乃至１０．ＯＯＯｐｐｍの周期律表第Ｖａ族元素
を含むａ−ＳｉＣから成る層領域によって形成されてい
ることを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図及び第２図は本発明の感光体の典型的な層構成を
示しており、第１図によれば、導電性基板（１）上にキ
ャリア注入阻止層（２）、キャリア輸送層（５）、キャ
リア発生層（３ｂ）及び表面保護層（４）を順次積層し
た積層型感光体を示しており、或いは第２図に示すよう
に第１図中のキャリア注入阻止層（２）を除いてもよい
。

このような積層型感光体においてキャリア発生層（３ｂ
）を少なくとも２種類の層領域から成るように形成し、
これによって光感度を広範囲な波長領域に亘って増大さ
せることを特徴とする。

第１図及び第２図によれば、このキャリア発生層（３ｂ
）は基板側から感光体表面へ向けて層厚方向に亘ってア
モルファスシリコン層領域（以下、ａ−ｓ　ｉ　ｉ　領
域と略す）（６）、及びアモルファスシリコンカーバイ
ド層領域（以下、ａ−３ｉＣｊｉｌ域と略す）（７）が
順次形成されており、後者のａ−５ｉＣ層領域（７）に
は周期律表第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素と略す）が
所定の範囲内で含有されている。

上記両層領域（６）　（７）はアモルファス化したシリ
コン元素（Ｓｔ）を主要な構成元素とし、そのＳｔのダ
ングリングボンドを一価元素で終端し、これによって光
導電性が有するようになったという点では共通するが、
ａ−Ｓｉｉｉ領域（６）の分光感度が６５０ｎｍ以上の
長波長領域で急激に低下するのに対して、この層領域（
６）にカーボン元素（Ｃ）を主要構成元素として添加し
且つ０．１乃至１０．ＯＯＯｐｐｍのＶａ族元素を含有
させると、短波長領域ではａ−Ｓｉｌｉ？ｉＪｆ域（６
）に比べて光感度が劣るが、その反面、長波長領域では
光感度の回復が顕著となり、特に６５０ｎｍ以上の波長
領域ではａ−５ｉＪｉｆｉｉ域（６）に比べて著しく光
感度を高めることができることを見い出した。

このような知見に基（ａ−ＳｉＣ層領域（７）によれば
、Ｖａ族元素を含まないａ−３ｉＣ層の分光感光ピーク
がａ−Ｓｔ層に比べて短波長側ヘシフトすると共に光感
度特性が全般に低下するという従来周知の現象と全く相
い反している。この点について本発明者等が行った実験
結果に基いて推論するならば、ａ−５ｉＣ層にＶａ族元
素を所定の範囲内で含有させるとその層全体に亘って膜
質が改善され、励起キャリアの移動度が高くなると共に
光導電性が向上し、更に層厚方向に膜中の深部にまで浸
透し得る長波長光に対して吸収係数が大きくなり、これ
により、顕著に光感度特性を高める効果があると考えら
れる。

従って、６５０ｎｍ以上の長波長光に高感度なａ−Ｓｉ
Ｃ層領域と６５０ｎｍ以下に高感度なａ−３ｉＦｉｆｉ
ｌ域とを積層して成るキャリア発生層（３ｂ）を形成す
ると高光感度の波長領域を幅広くすることができる。

前記Ｖａ族元素にはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等があり、就中
、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る
点で望ましい。また、このＶａ族元素の含有量は０．１
乃至１０．０００ｐｐａ＋　、好適には０．１乃至１　
、０００ｐｐｍの範囲内で設定すればよ（，０，ｌｐｐ
ｍ未満の場合、分光感度が長波長側で十分に回復せず且
つ６５０ｎｍ以上の波長でａ−５ｉ層よりも劣り、また
、１０、０００ｐｐｍを越えた場合、暗抵抗率が小さく
なると共に明抵抗率に対する暗抵抗率の比率が小さくな
り、電子写真特性を劣化させる。

ａ−ＳｉＪｉ！領域（６）及びａ−３ｉＣ＠８５域（７
）が光導電性を有するように含有させるダングリングボ
ンド終端用元素には水素元素０１）やハロゲン元素があ
り、これらの元素の含有量は５乃至５０原子％、好適に
は５乃至４０原子％、最適には１０乃至３０原子％がよ
く、通常、Ｈ元素が用いられる。このＨ元素が用いられ
るとその元素が上記終端部に取り込まれ易いのでバンド
ギャップ中の局在準位密度を低減させ、これにより、優
れた半導体特性が得られる。

また、このＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよ
く、これにより、両者のＪ！　領域（６）　（７）の局
在準位密度を下げて光導電性及び耐熱性（温度特性）を
高めることができ、その置換比率はダングリングボンド
終端用全元素中０．０１乃至５０原子％、好適には１乃
至３０原子％がよい。また、このハロゲン元素にはＦｔ
ＣＩｔＢｒ、　Ｉ＋Ａｔ等があるが、就中、Ｆを用いる
とその大きな電気陰性度によって原子間の結合が大きく
なり、これによって熱的安定性に優れるという点で望ま
しい。

また、前記ａ−ＳｉＣｌ！？＋ｉ域（７）が光導電性が
有するようになった点について、ａ−５ｉＣのカーボン
含有量が重要な要因であることも見い出しており、本発
明者等がカーボンの含有比率を幾通りにも変えて光導電
性の有無を確かめる実験を行ったところ、ａ−ＳｉＣＮ
領域（７）中にカーボンを１乃至９０原子％、好適には
５乃至５０原子％の範囲内で含有させるとよく、或いは
この範囲内で層厚方向に亘ってカーボン含有量を変えて
もよい。

また、上記キャリア発生層によれば、基板側から感光体
表面へ向けてａ−ＳｉＪｉｆｉＪＩ域（６）及びａ−８
ｉＣ層領域（７）を順次積層しているが、この積層順序
を逆にしてもよい。そして、この積層順序とは無関係に
、両者の層領域（６）　（７）のいずれかのうち感光体
表面側に位置する層領域については、その層領域の厚み
を０．１乃至１０μ鋼、好適には０．５乃至５μｍの範
囲内に設定するとよく、これによって他方の層領域へ最
も有効に光が到達する。

前記キャリア輸送層（５）にはそれ自体高抵抗率を有し
且つキャリア移動度が十分に大きければ種々の材料を用
いることができ、この材料には、例えば、ＰＶＫ、ピラ
ゾリン、オキサゾール、ヒドラゾン、Ｎ−フェニルカル
バゾール、スチルベン等の有機半導体、Ｓｅ、５ｅ−Ｔ
ｅ＋５ｅ−Ａｓ、ＣｄＳ、ＺｎＯ，ａ−Ｓｉ、　ａ−３
ｉＣ，ａ−ＳｉＯ，ａ−３ｉＮ等の無機半導体がある。

キャリア輸送層をａ−５ｉ又はａ−ＳｉＣによって形成
した場合、キャリア発生層と基本的に同一材料によって
形成することができるために同一の成膜装置を用いて連
続的に形成できるという点で望ましい、この場合、キャ
リア輸送層には光導電性が要求されていないが、励起キ
ャリアの移動度を大きく且つ高い帯電能に設定するため
に暗導電率を１〇−１（Ω・ｃｍ）−’以下にする必要
がある。

即ち、ａ−Ｓｔキャリア輸送層を形成した場合、この層
の暗導電率を１０−　”　（Ω・ｃａｂ）−’以下に設
定するためにＩＩＩａ族元素を所定の範囲内で含有させ
て真性化させるのが望ましく、或いはそれだけで不十分
であれば、キャリア注入阻止層を形成して補完させても
よい。

また、ａ−ＳｉＣキャリア輸送層を形成した場合、この
層にＢ等のｍａ族元素及びＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ＋
　８３等の周期律表第Ｖａ族元素を含有させるか、或い
はこれらの元素を含有させなくても暗導電率を１０−　
”　（Ω・ｃｍ、）−’以下に設定することができる。

そこで、上記ａ−３ｉＣキャリア輸送層をａ−ＳｉＣＱ
域（７）と比較した場合、後者の層領域（７）がＶａ族
元素を含有させるのに対して、ａ−３ｉＣキャリア輸送
層が添加元素の選択範囲が広くなると共に暗導電率を１
０−　”　（Ω・Ｃｍ）−’以下に設定するという点で
区別し得る。

このキャリア輸送層（５）の厚みは１乃至１００μ醜、
好適には５乃至５０μｍの範囲内に設定するのがよ＜、
１　μｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現
象が顕著になり、１００μｍを超えると画像の分解能が
劣化すると共に残留電位が大きくなる（頃向にある。

本発明によれば、機能分離型感光体であってキャリア輸
送１ｉ　（５）及びキャリア発生層（３ｂ）を必須不可
欠な層構成とし、両者の層（５）　（３ｂ）が第１図及
び第２図に示すような積層順序になっているのが一般的
であるが、この積層順序を変えてもよい。

例えばキャリア輸送層（５）を有機半導体により形成す
る場合、基板（１）上にキャリア発生層（３ｂ）を薄膜
形成し、次いでその上にこの有機半導体を塗布してキャ
リア輸送層（５）とすることができる。

また、本発明によれば、この基本的な２１！！構成に、
第１図に示すようなキャリア注入阻止層（２）を形成し
てもよく、この層（２）はキャリア輸送層（５）からの
キャリアを円滑に基板側へ移動させ且つ基板からキャリ
ア輸送層（５）へのキャリア注入を阻止するために形成
するものであり、この層（２）はポリイミド樹脂などの
有機材料、ＳｉＯ□、ＳｉＯ，Ａ１ｚＯｔ＋ＳｉＣ＋Ｓ
ｉＪ＋＋　アモルファスカーボン、ａ−Ｓｉ。

ａ−ＳｉＣなどの無機材料によって形成される。

更にこのキャリア注入阻止層（２）を形成するに当たっ
て半導体材料を用いる場合、その伝導型をＮ型に制御す
るのが望ましく、これによって注入阻止作用が一段と向
上する。例えばこのＮ型半導体材料にはＰ等のＶａ族元
素を５０乃至１１００００ｐｐの範囲内で含有するａ−
Ｓｉ又はａ−５ｉＣがある。

このキャリア注入阻止層（２）は必ず形成しなくてはな
らぬというものではなく、本発明者等が繰り返し行った
実験によれば、キャリア輸送層（５）の暗抵抗率が１０
ＩｆｆΩ・ｃｍ以上であれば第２図に示すようにキャリ
ア注入阻止層（２）を形成しなくても電子写真感光体と
して十分に実用に供することができることを見い出した
。

また、表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食
性及び高硬度特性を有するものであれば、種々の材料を
用いることができ、例えば前記のキャリア注入阻止層（
２）に用いたのと同様な無機材料又は有機材料を用いる
ことができ、これにより、感光体の耐久性及び耐環境性
を高めることができる。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、キャリア発
生層の分光感光を幅広い波長に亘って高め、これによっ
て光減衰を大きくして高速複写に好適となる。

次に本発明者等は上記の結果を踏まえて、更に鋭意研究
に努めたところ、上述したような２種類の層領域につい
てはそれ以外に種々の態様があり、これによっても本発
明の目的を達成することができることを見い出した。

即ち、第５図乃至第１２図によれは、横軸はキャリア発
生層（３ｂ）の基板側から感光体表面側までの層厚を表
しており、縦軸はカーボン含有量或いはＶａ族元素含有
量を表しており、いずれの含有量もそれぞれ相対量であ
る。これらの図において、横軸に付された６及び７はそ
れぞれａ−３ｉ層領域（６）及びａ−ＳｉＣＪＷ層領域
７）に対応した領域であり、実線及び破線はそれぞれカ
ーボン含有量及びＶａ族元素含有量を示す。尚、上記横
軸中左側方向又は右側方向はそれぞれ基板側方向又は感
光体表面側のいずれでもよい。

これらの図から明らかな通り、カーボン含有量及びＶａ
族元素含有量をそれぞれ層厚方向に亘って漸次変えたり
、或いはａ−３ｉＪｉｉｊＮ域（６）にＶａ族元素を含
有させてもよい。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

本発明に係るキャリア発生層はグロー放電分解法、イオ
ンブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸
着法、熱ＣＶＤ法等の薄膜生成手段を用いることができ
、また、これに用いられる原料には固体、液体、気体の
いずれでもよい。

また、キャリア発生層以外の層を形成するに当たって、
これらの層をａ−Ｓｔ又はａ−ＳｉＣにより形成するの
であれば、同様な薄膜生成手段を用いることができると
いう点で望ましく、更に同一の成膜装置を用いた場合、
共通した薄膜生成手段によって連続的に積層することが
できるという利点がある。

例えばグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｔ又はａ−Ｓ
ｉＣから成る感光体を製作する場合、その気体原料とし
てＳｉＨ４，５ｉｄｌｉ、５ｉｔｌｓなどのＳｉ系ガス
、ＣＨ４゜ＣＪｔ、ＣｚＨａ、ＣｚＨｌＣｌＨｍなどの
Ｃ系ガスがあり、そして、Ｈｅガス、Ｈ２ガス等をキャ
リアガスとして用いればよい。

このグロー放電分解法によれば、ケイ素（Ｓｔ）含有ガ
ス及びアセチレン（ＣＪｚ）ガスの混合ガスよりａ−Ｓ
ｉＣ層領域又はａ−ＳｉＣ層を形成させる場合、著しく
大きな高速成膜性が達成できるという点で望ましい。本
発明者等が繰り返し行った実験によれば、このＳｔ含有
ガスとして上述した種々のＳｉ系ガスを用いることがで
きるが、例えばＳｉＨ４ガス及びＣ，Ｈ，ガスを用いた
場合、５乃至２０μｍ／時の成膜速度が得られた。因に
５ｉｌ１４ガスとＣＨ，ガスを用いてａ−３ｉＣ膜を生
成した場合、その成膜速度は約０．３乃至１μｍ／時で
ある。

次に本発明の実施例に述べられる電子写真感光体をグロ
ー放電分解法を用いて全層に亘ってａ−Ｓｔ又はａ−Ｓ
ｉＣにより形成した場合、その製作法を第１３図の容量
結合型グロー放電分解装置により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５タンク（８）　（
９）　（１０）（１１）　（１２）には、それぞれＳｉ
Ｌ、Ｃｚｌｈ＋ＰＬ　（Ｈｚガス希釈で０．２％含有）
　、ｏ、、Ｎｏガスが密封されており、Ｈ２はキャリア
ーガスとしても用いられる。これらのガスは対応する第
１．第２．第３．第４第５調整弁（１３）’（１４）　
（１５）　（１６）　（１７）を開放することにより放
出され、その流量がマスフローコントローラ（１Ｂ）　
（１９）（２０）　（２１）　（２２）により制御され
、第１．第２．第３．第４タンク（８）　（９）　（１
０）　（１１）からのガスは第１主管（２３）へ、第５
タンク（１２）からのＨｅガスは第２主管（２４）へ送
られる。尚、（２５）　（２６）は止め弁である。第１
主管（２３）及び第２主管（２４）を通じて流れるガス
は反応管（２７）へと送り込まれるが、この反応管（２
７）の内部には容量結合型放電用電極（２８）が設置さ
れてお、それに印加される高周波電力は５０％４乃至３
ＫＷが、また周波数はｌ　ＭＨｚ乃至５０Ｍ）Ｉｚが適
当である。反応管（２７）の内部には、アルミニウムか
ら成る筒状の成膜用基板（２９）が試料保持台（３０）
の上に載置されており、この保持台（３０）はモーター
（３１）により回転駆動されるようになっており、そし
て、基板（２９）は適当な加熱手段により約２００乃至
４００℃好ましくは約２００乃至３５０℃の温度に均一
に加熱される。更に、反応管（２７）の内部にはａ−Ｓ
ｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電時のガス圧０．１
乃至２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とすることにより回転ポ
ンプ（３２）と拡散ポンプ（３３）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置に゛おいて
、例えば、ａ−ＳｉＣ膜（Ｐ、　０．　Ｎを含有する）
を基板（３５）に形成する場合には、第工、第２．第３
．第４調整弁（１３）　（１４）　（１５）　（１６）
を開いてそれぞれより５ｔＨ４，ＰＨｓ、Ｈｚガスを放
出し、且つ第５調整弁（１７）を開いてＨｅガスを放出
する。放出量はマスフローコントローラ（１Ｂ）　（１
９）　（２０）　（２１）　（２２）により制御され、
５ｉＨｔ、Ｃｄｈ、ＰＨｓ、Ｈｚの混合ガスは第１主管
（２３）を介して、Ｈｅガスは第２主管（２４）を介し
て反応管°（２７）へと流し込まれる。そして、反応管
（２７）の内部が０．１乃至２．ＱＴｏｒｒ程度の真空
状態、基板温度が２００乃至４００℃、容量型放電用電
極（２８）の高周波電力が５０匈乃至３ＫＷ　、周波数
が１乃至５０ＭＨｚに設定されていることに相俟ってグ
ロー放電がおこり、ガスが分解してＰ、Ｎ、０を含有し
たａ−５ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 本例においては層厚方向に亘って単一組成のａ−Ｓｉ膜
又はａ−ＳｉＣ膜を形成して分光感度特性を測定した。

即ち、３×３ＣＩ１１の角形のアルミニウム製平板を用
意し、第１３図に示したアルミニウム製筒状基板（２９
）の周面を一部切り欠いてこの切り欠き部にこの平板を
設置し、この平板上にａ−３ｔ膜又はａ−ＳｉＣ膜を生
成する。

先ず、第１タンク（８）より５ｔ）Ｉ４ガスを１０１０
０５ｅの流量で、第４タンク（１１）よりＨ２ガスを３
００ｓｅｃｍの流量で放出し、そして、基板温度を３０
０℃に、ガス圧をＱ、４５Ｔｏｒｒに、高周波電力を１
５０−に設定し、グロー放電分解法により上記平板上に
５μｍの厚みのａ−３ｔ膜を形成した。

また、上記の製法のなかで、更に第２タンク（９）より
ＣＪｚガスを１０１０５ｅの流量で放出し、且つ第３タ
ンク（１０）よりＰＨ，ガスを５ｓｃｃｎ＋の流量で放
出し、他は同一の製作条件によって同様に平板上に５μ
ｍの厚みのａ−ＳｉＣ膜を形成した。

かくして得られたａ−Ｓｉ膜及びａ−ＳｉＣ膜について
それぞれ分光感度特性を測定した結果、第１４図に示す
通りとなった。図中、○印及び・印はそれぞれａ−Ｓｉ
膜及びａ−５ｉＣ膜の分光感度のプロットであり、ａｌ
ｂはそれぞれの分光感度曲線である。尚、この分光感度
の測定値は各波長において等エネルギー光を照射した時
の光導電率を示す。

この結果より明らかな通り、ａ−ＳｉＣ膜によれば、６
５０ｎｍ以下の波長領域においてａ−Ｓｉ膜より分光感
度が低いが、６５０ｎｍ以上の波長領域においてはａ−
Ｓｉ膜よりも高い光感度となっており、これによってａ
−Ｓｉ膜及びａ−５ｉＣ膜を積層して成るキャリア発生
層を形成した場合、分光感度の有効な波長領域が広くな
ることが期待できる。

（例２） 本例においては、第１３図に示したグロー放電分解装置
を用いて第１表に示した製作条件によって基板（２９）
上にキャリア注入阻止層（２）、キャリア輸送層（５）
　、ａ−５ｉＪｉｊ領域（６）　、ａ−３ｉＣ？＋、ｌ
ｉ域（７）及び表面保護層（４）を順次形成し、電子写
真感光体ドラムを製作した。但しキャリア注入阻止層（
２）の形成にＮＯガスを用いて酸素と窒素をドープし、
基板に対する密着性を高めている。また、上記ａ−Ｓｆ
Ｃ層領域（７）のＰ含有量を二次イオン質量分析法によ
って測定したところ、約６０　ｐｐｍであった。

このドラムを高速複写機に搭載し、感光体を−５，６Ｋ
Ｖのコロナチャージャによって負極性に帯電させ、次い
で画像露光して磁気ブラシ現像を行うというサイクルに
よって画像を得るに当たって、その印字速度を８０回／
分という高速複写レベルにまで高めたところ、画像濃度
が高く、高コントラストでゴースト現象が全く生じない
良質な画像が得られた。

然るに前述の第１表の製作条件のなかで、キャリア発生
層を形成するに当たってＣｍ）Ｉｆガス及びＰＨ３ガス
の放出を止め、他の条件はａ−３ｉＩｉ！ｆｉＩ域の生
成と同一の製作条件によって３０分間成膜形成し、これ
によってａ−３ｉＪｉ！領域により成るキャリア発生層
を形成し、更に他の各層を第１表に示した条件によって
同様に形成した電子写真感光体を製作し、この感光体を
用いて上記と同じ印字速度で画像を得たところ、画像コ
ントラストが小さくなって画像全面に亘ってカブリが生
じた。

〔以下余白〕

〔発明の効果〕 以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、高速複
写機搭載用感光体に機能分離型の電子写真感光体を用い
るのに当たって、その感光体の光感度が広範囲な波長領
域に亘って高くなるようなキャリア発生層を形成し、こ
れにより、原稿の濃淡コントラストに対応して感光体の
電位差を十分に大きくすることができ、その結果、カブ
リのない高コントラストで良質な画像が得られる電子写
真感光体となった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の電子写真感光体の典型的な
層構成を示す説明図、第３図は電子写真感光体の一触的
な層構成を示す説明図、第４図は従来の機能分離型の層
構成を示す説明図、第５図、第６図、第７図、第８図、
第９図、第１０図、第１１図及び第１２図は本発明に係
る電子写真感光体のキャリア発生層の層厚方向に亘るカ
ーボン含有量と周期律表第Ｖａ族元素含有量を示す線図
、第１３図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グ
ロー放電分解装置の説明図、第１４図は分光感度特性曲
線を表わす線図である。 １・・・導電性基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３．３ａ、３ｂ　　・・キャリア発生層４・・・表面保
護層 ５・・・キャリア輸送層 ６・・・アモルファスシリコン層領域 ７・・・アモルファスシリコンカーバイドＮ　９７４域
特許出願人　　（６６３）京セラ株式会社同　　　　温
材　孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に少なくともキャリア輸送層及びキャリア
   発生層を形成した電子写真感光体において、前記キャリ
   ア発生層がアモルファスシリコンから成る層領域と０．
   １乃至１０，０００ｐｐｍの周期律表第Ｖａ族元素を含
   むアモルファスシリコンカーバイドから成る層領域によ
   って形成されていることを特徴とする電子写真感光体。