JPS62115465A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS62115465A JPS62115465A JP25608885A JP25608885A JPS62115465A JP S62115465 A JPS62115465 A JP S62115465A JP 25608885 A JP25608885 A JP 25608885A JP 25608885 A JP25608885 A JP 25608885A JP S62115465 A JPS62115465 A JP S62115465A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業の利用分野］
この発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が優
れた電子写真感光体に関する。
れた電子写真感光体に関する。
［従来の技術及びその問題点］
従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅａしくけアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ ）等の査問材料が使用されている。しかしなが
ら、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特
性上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システ
ムの特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれら
の材料を使い分けている。
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅａしくけアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ ）等の査問材料が使用されている。しかしなが
ら、これらの従来の光導電性材料においては、光導電特
性上、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システ
ムの特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれら
の材料を使い分けている。
例えば、Ｓｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Ｓｅ又は５ｅ−Ｔｅ系においては、結晶化温度が６５℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。
更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。
更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び′＃４Ｆ
Ｊ耗性が低く、寿命が短いという欠点がある。
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の健康上
問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び′＃４Ｆ
Ｊ耗性が低く、寿命が短いという欠点がある。
一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｔと略す）
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−８ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高（耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄膜トランジスタ及びイメージセンサへの応用が
活発になされている。このａ−８ｉの応用の一環として
、ａ−８ｉを電子写真感光体の光導電性材料として使用
する試みがなされており、ａ−３ｉを使用した感光体は
、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこと、
他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有するこ
と、表面硬度が高（耐摩耗性及び耐衝撃性が優れている
こと等の利点を有する。
このａ−８ｉは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。
ところで、ａ−３ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
８ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉ膜に
侵入する水素の最が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−８ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉ膜中の
水素の含有器が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓｉ
Ｈ２）ｎ及びＳ ｉ Ｈ２等の結合構造を有するものが
膜中で大部分のｆｉｎを占める場合がある。そうすると
、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加
するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として
使用不能になる。逆に、ａ−３を中に浸入する水素の量
が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、そ
の抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加
する。しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダング
リングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少
なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が低下
し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしま
い、電子写真感光体として使用し難いものとなる。
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
８ｉ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−８ｉ膜に
侵入する水素の最が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−８ｉの抵抗が高くなるが、それにと
もない、長波長光に対する光感度が低下してしまうので
、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリン
タに使用することが困難である。また、ａ−８ｉ膜中の
水素の含有器が多い場合は、成膜条件によって、（Ｓｉ
Ｈ２）ｎ及びＳ ｉ Ｈ２等の結合構造を有するものが
膜中で大部分のｆｉｎを占める場合がある。そうすると
、ボイドが増加し、シリコンダングリングボンドが増加
するため、光導電特性が劣化し、電子写真感光体として
使用不能になる。逆に、ａ−３を中に浸入する水素の量
が低下すると、光学的バンドギャップが小さくなり、そ
の抵抗が小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加
する。しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダング
リングボンドと結合してこれを減少させるべき水素が少
なくなる。このため、発生するキャリアの移動度が低下
し、寿命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしま
い、電子写真感光体として使用し難いものとなる。
なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ４とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ４
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な先導１特性を得ることができない。
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ４とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧｅＨ４
とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な先導１特性を得ることができない。
また、Ｇ６Ｈ４の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外＠域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外＠域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、電
荷発生層と、導電性支持体と電荷発生層との間に配設さ
れた電荷輸送層と、を有する電子写真感光体において、
前記電荷発生層は、ｎ型のアモルファス水素化シリコン
で形成され層厚が１乃至１０μｍの第１層と、炭素、酸
素及び窒素から選択された少なくとも１種の元素を含有
するマイクロクリスタリンシリコンで形成され層厚が０
．１乃至５μｍの第２層との積層体であり、前記電荷輸
送層は、炭素、酸素及び窒素から選択された少なくとも
１種の元素を含有するアモルファス水素化シリコンで形
成されていることを特徴とする。
荷発生層と、導電性支持体と電荷発生層との間に配設さ
れた電荷輸送層と、を有する電子写真感光体において、
前記電荷発生層は、ｎ型のアモルファス水素化シリコン
で形成され層厚が１乃至１０μｍの第１層と、炭素、酸
素及び窒素から選択された少なくとも１種の元素を含有
するマイクロクリスタリンシリコンで形成され層厚が０
．１乃至５μｍの第２層との積層体であり、前記電荷輸
送層は、炭素、酸素及び窒素から選択された少なくとも
１種の元素を含有するアモルファス水素化シリコンで形
成されていることを特徴とする。
この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、ｎ型のアモルファス水素化シリコン（以下
、ａ−８ｉＨと略す）を電子写真感光体の少なくとも一
部に使用することにより、この目的を達成することがで
きることに想到して、この発明を完成させたものである
。
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、ｎ型のアモルファス水素化シリコン（以下
、ａ−８ｉＨと略す）を電子写真感光体の少なくとも一
部に使用することにより、この目的を達成することがで
きることに想到して、この発明を完成させたものである
。
以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のａ−８ｉの替りにｎ型のａ−８ｉ Ｈを
使用したことにある。つまり、電荷発生層の少なくとも
一部の領域がｎ型のａ−８ｉＨで形成されているか、ｎ
型のａ−８ｉＨと真性半導体（ｉ型）のａ−８＋との積
層体、ｎ型のａ−８ｉＨとマイクロクリスタリンシリコ
ン（以下、μｃ−８ｉと略す）との積層体、又はｎ型の
ａ−８ｉＨとＣ，Ｏ，Ｎから選択された少なくとも１種
の元素を含有するａ−８ｉとの積層体で形成されている
。また、光導電層を電荷発生層は、光の照射によりキャ
リアを発生する。この電荷発生層は、その第１層がｎ型
のａ−８ｉ Ｈでできており、その厚さは１乃至１０μ
ｍである。また、第２層は、Ｃ，Ｏ又はＮから選択され
た少なくとも１積の元素を含有するμｃ−３ｉで形成さ
れており、層厚は、０．１乃至５μｍである。電荷輸送
層は、電荷発生層で発生したキャリアを高効率で支持体
側に到達させる層であり、このため、キャリアの寿命が
長く、移動度が大きく輸送性が＾いことが必要である。
特徴は、従来のａ−８ｉの替りにｎ型のａ−８ｉ Ｈを
使用したことにある。つまり、電荷発生層の少なくとも
一部の領域がｎ型のａ−８ｉＨで形成されているか、ｎ
型のａ−８ｉＨと真性半導体（ｉ型）のａ−８＋との積
層体、ｎ型のａ−８ｉＨとマイクロクリスタリンシリコ
ン（以下、μｃ−８ｉと略す）との積層体、又はｎ型の
ａ−８ｉＨとＣ，Ｏ，Ｎから選択された少なくとも１種
の元素を含有するａ−８ｉとの積層体で形成されている
。また、光導電層を電荷発生層は、光の照射によりキャ
リアを発生する。この電荷発生層は、その第１層がｎ型
のａ−８ｉ Ｈでできており、その厚さは１乃至１０μ
ｍである。また、第２層は、Ｃ，Ｏ又はＮから選択され
た少なくとも１積の元素を含有するμｃ−３ｉで形成さ
れており、層厚は、０．１乃至５μｍである。電荷輸送
層は、電荷発生層で発生したキャリアを高効率で支持体
側に到達させる層であり、このため、キャリアの寿命が
長く、移動度が大きく輸送性が＾いことが必要である。
電荷輸送層は、Ｃ，Ｏ及びＮから選択された少なくとも
１種の元素を含有するａ−８ｉＨ形成されている。
１種の元素を含有するａ−８ｉＨ形成されている。
導電性支持体と電荷輸送層との間に、障壁層を配設する
ことが好ましい。この障壁層は、導電性支持体と、光導
電層との間の電荷の流れを抑制することにより、感光体
の表面における電荷の保持機能を高め、感光体の帯電能
を高める。カールソン方式においては、感光体表面に正
帯電させる場合には、支持体側から電荷輸送層へ電子が
注入されることを防止するために、Ｉ４壁層をｐ型にす
る。
ことが好ましい。この障壁層は、導電性支持体と、光導
電層との間の電荷の流れを抑制することにより、感光体
の表面における電荷の保持機能を高め、感光体の帯電能
を高める。カールソン方式においては、感光体表面に正
帯電させる場合には、支持体側から電荷輸送層へ電子が
注入されることを防止するために、Ｉ４壁層をｐ型にす
る。
一方、感光体表面に負帯電させる場合には、支持体側か
ら電荷輸送層へ正孔が注入されることを防止するために
、障壁層をｎ型にする。また、障壁層として、絶縁性の
膜を支持体の上に形成することも可能である。障壁層は
μｃ−８ｔを使用して形成してもよいし、ａ−８ｉを使
用して障壁層を構成することも可能である。
ら電荷輸送層へ正孔が注入されることを防止するために
、障壁層をｎ型にする。また、障壁層として、絶縁性の
膜を支持体の上に形成することも可能である。障壁層は
μｃ−８ｔを使用して形成してもよいし、ａ−８ｉを使
用して障壁層を構成することも可能である。
ｎ型のａ−８’＋Ｈは、ａ−８ｉ ＨＣ周期律表の第Ｖ
族に属する元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ、
アンチモンｓｂ及びビスマスＢｉ等をドーピングするこ
とにより形成される。このｎ型のａ−８ｉＨとしては、
これらのドーピング元素をライトドープしたｎ−型及び
ヘビードープしたｎ＋型のいずれの場合であってもよい
が、電子写真感光体として使用される場合の種々の光導
電特性を考慮すると、これらのドーピング元素を、１０
う乃至１０゛３原子％含有させたｎ−型のａ−８ｉＨで
あることが好ましい。
族に属する元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ、
アンチモンｓｂ及びビスマスＢｉ等をドーピングするこ
とにより形成される。このｎ型のａ−８ｉＨとしては、
これらのドーピング元素をライトドープしたｎ−型及び
ヘビードープしたｎ＋型のいずれの場合であってもよい
が、電子写真感光体として使用される場合の種々の光導
電特性を考慮すると、これらのドーピング元素を、１０
う乃至１０゛３原子％含有させたｎ−型のａ−８ｉＨで
あることが好ましい。
μｃ−８ｉは、以下のような物性上の特徴により、ａ−
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−８ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０”Ω・ｃｍであるのに対し、μｃ−８ｉは１０１１
Ω・ＣＵｔ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８ｉは粒
径が約数十オングストローム以上である微結晶が集合し
て形成されている。
３ｉ及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定においては
、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μｃ−８ｉは
、２θが２７乃至２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０”Ω・ｃｍであるのに対し、μｃ−８ｉは１０１１
Ω・ＣＵｔ以上の暗抵抗を有する。このμＣ−８ｉは粒
径が約数十オングストローム以上である微結晶が集合し
て形成されている。
この発明のように、電荷発生層の第１層に、ｎ型のａ−
３ｉ＠を使用することによって、長波長光、特に、７９
０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザ光に対して
も高感度の電子写真感光体を得ることができる。従って
、この発明に係る電子写真感光体は、ＲＰＣ（普通紙複
写Ｒ）は勿論のこと、半導体レーザを装着したレーザプ
リンタにも適用することができる。第１図は、横軸にＰ
Ｈ３／Ｓ ｔ２Ｈｓガス流量比で示すＰのドーピング比
をとり、縦軸にｎ型ａ−８ｉの導電率（１／Ω・ＣｔＳ
）をとって、導電率に及ぼすドーピング比の影響を示
すグラフ図である。この成膜ガス中のＰＨ３ガスの流山
比ＰＨ３／Ｓ ｉ Ｈａが＾くなると、ｎ型のａ−８ｉ
Ｈ中のＰ元素の含有量が高くなり、強ｎ型（ｎｌ）にな
る。第１図に示すように、Ｐを含有しない場合には、暗
時の導電率σＤが３．８７ｘ１０−１１ （１／Ω・
ｃｍ）であり、７９０ｎｍのレーザ光を照射した場合の
導電率ｃｒｐ （７９０ｒ＋ｍ）が１．１５Ｘ１０−７
（１／Ω・ｃｍ ）である。しかし、ドーピング比
を増加させると、導電率が上昇し、ＰＨａ ／’Ｓ ｉ
２ Ｈｓドーピング比が３３ｐｐｍの場合には、ａｐ
（７９０ｎ１ｌｌ）が５．５７ｘ１０−’ （１／
Ω・ｃＩＲ）になり、Ｐをドーピングしない場合に比し
て１桁以上上昇している。なお、この場合に、σＤも５
．２８Ｘ１０−！！ （１／Ω・ｃｒｒ ）に上昇し、
ドーピング比が高くなると共に、ａｐ （７９０ｎＢｌ
）及びσＤの双方が上昇するが、結局、ドーピング比が
１０−６乃至１０−Ｓの範囲においては、（７ｐ （７
９０ｎｍ）がＰをドーピングしない場合よりも１桁以上
高い高値になり、更にＳＮ比を約３桁とることができる
。従って、電荷発生層の第１層にこの程度のドーピング
比でＰ等をドーピングしたｎ型のａ−ｓｒＨを使用する
ことにより、長波長光に対する感度が充分に高い感光体
を得ることができ、レーザプリンタ用の感光体として充
分に実用化することができる。
３ｉ＠を使用することによって、長波長光、特に、７９
０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザ光に対して
も高感度の電子写真感光体を得ることができる。従って
、この発明に係る電子写真感光体は、ＲＰＣ（普通紙複
写Ｒ）は勿論のこと、半導体レーザを装着したレーザプ
リンタにも適用することができる。第１図は、横軸にＰ
Ｈ３／Ｓ ｔ２Ｈｓガス流量比で示すＰのドーピング比
をとり、縦軸にｎ型ａ−８ｉの導電率（１／Ω・ＣｔＳ
）をとって、導電率に及ぼすドーピング比の影響を示
すグラフ図である。この成膜ガス中のＰＨ３ガスの流山
比ＰＨ３／Ｓ ｉ Ｈａが＾くなると、ｎ型のａ−８ｉ
Ｈ中のＰ元素の含有量が高くなり、強ｎ型（ｎｌ）にな
る。第１図に示すように、Ｐを含有しない場合には、暗
時の導電率σＤが３．８７ｘ１０−１１ （１／Ω・
ｃｍ）であり、７９０ｎｍのレーザ光を照射した場合の
導電率ｃｒｐ （７９０ｒ＋ｍ）が１．１５Ｘ１０−７
（１／Ω・ｃｍ ）である。しかし、ドーピング比
を増加させると、導電率が上昇し、ＰＨａ ／’Ｓ ｉ
２ Ｈｓドーピング比が３３ｐｐｍの場合には、ａｐ
（７９０ｎ１ｌｌ）が５．５７ｘ１０−’ （１／
Ω・ｃＩＲ）になり、Ｐをドーピングしない場合に比し
て１桁以上上昇している。なお、この場合に、σＤも５
．２８Ｘ１０−！！ （１／Ω・ｃｒｒ ）に上昇し、
ドーピング比が高くなると共に、ａｐ （７９０ｎＢｌ
）及びσＤの双方が上昇するが、結局、ドーピング比が
１０−６乃至１０−Ｓの範囲においては、（７ｐ （７
９０ｎｍ）がＰをドーピングしない場合よりも１桁以上
高い高値になり、更にＳＮ比を約３桁とることができる
。従って、電荷発生層の第１層にこの程度のドーピング
比でＰ等をドーピングしたｎ型のａ−ｓｒＨを使用する
ことにより、長波長光に対する感度が充分に高い感光体
を得ることができ、レーザプリンタ用の感光体として充
分に実用化することができる。
次に、このように、ａ−８ｉＨをｎ型にすることにより
、長波長光に対する感度を高めることができる理由につ
いて説明する。第２図は、横軸にＰＨ３／Ｓ ｉ Ｈ６
ドーピング比をとり、縦軸に光学的バンドギャップ及び
活性化エネルギをとって、夫々の関係を示すグラフ図で
ある。この第２図から明らかなように、光学的バンドギ
ャップはドーピング比を変化させても変化せず、実質的
に一定である。これに対し、活性化エネルギΔＥは、ド
ーピング比を高めると小さくなる。この場合に、光学的
バンドギャップＥａは、価電子帯と、伝導帯との間のエ
ネルギ差であり、活性化エネルギΔＥは、フェルミレベ
ルＦ、Ｌと伝導帯との間のエネルギ差である。光学的バ
ンドギャップＥａは、電子を価電子帯から伝導帯まで励
起するのに必要なエネルギであり、これが小さい方がよ
り低いエネルギの光でも吸収してキャリアを発生する。
、長波長光に対する感度を高めることができる理由につ
いて説明する。第２図は、横軸にＰＨ３／Ｓ ｉ Ｈ６
ドーピング比をとり、縦軸に光学的バンドギャップ及び
活性化エネルギをとって、夫々の関係を示すグラフ図で
ある。この第２図から明らかなように、光学的バンドギ
ャップはドーピング比を変化させても変化せず、実質的
に一定である。これに対し、活性化エネルギΔＥは、ド
ーピング比を高めると小さくなる。この場合に、光学的
バンドギャップＥａは、価電子帯と、伝導帯との間のエ
ネルギ差であり、活性化エネルギΔＥは、フェルミレベ
ルＦ、Ｌと伝導帯との間のエネルギ差である。光学的バ
ンドギャップＥａは、電子を価電子帯から伝導帯まで励
起するのに必要なエネルギであり、これが小さい方がよ
り低いエネルギの光でも吸収してキャリアを発生する。
一方、フェルミレベルＦ−Ｌは、伝導帯と価電子帯との
間に存在し、活性化エネルギが小さい程、キャリアが励
起されやすい。従って、活性化エネルギが小さい程、ｈ
ν（ブランク定数×周波数）が小さな長波長光に対して
高感度になり、キャリアが励起される。この発明のよう
に、電荷発生層にｎ型のａ−３ｉ）−１を使用すること
により、第１図に示すように長波長光に対する感度が高
くなるのは、周期律表の第Ｖ族に属する元素をドーピン
グしてａ−８ｉ Ｈをｎ型にすることにより、フェルミ
レベルＦ−Ｌが上昇し、その結果、活性化エネルギ八Ｅ
が小さくなって、エネルギが小さい光（長波長光）に対
する感度が上昇したためであると考えられる７゜ 一方、ｎ型ａ−３ｉＨを電荷発生層に使用すると、電荷
発生層の暗比抵抗が低くなり、電荷保持能が低くなる。
間に存在し、活性化エネルギが小さい程、キャリアが励
起されやすい。従って、活性化エネルギが小さい程、ｈ
ν（ブランク定数×周波数）が小さな長波長光に対して
高感度になり、キャリアが励起される。この発明のよう
に、電荷発生層にｎ型のａ−３ｉ）−１を使用すること
により、第１図に示すように長波長光に対する感度が高
くなるのは、周期律表の第Ｖ族に属する元素をドーピン
グしてａ−８ｉ Ｈをｎ型にすることにより、フェルミ
レベルＦ−Ｌが上昇し、その結果、活性化エネルギ八Ｅ
が小さくなって、エネルギが小さい光（長波長光）に対
する感度が上昇したためであると考えられる７゜ 一方、ｎ型ａ−３ｉＨを電荷発生層に使用すると、電荷
発生層の暗比抵抗が低くなり、電荷保持能が低くなる。
これを補償するために、電荷発生層の第２層に、Ｃ１０
及びＮから選択された少なくとも］主の元素を含有する
μｃ−３ｉを使用し、電荷発生−を、この第２層と、ｎ
型のａ−３ｉで形成された第１層との積層体構造とする
。このように、ＣＱ、Ｏ又はＮを入れることによりμＣ
−８１の抵抗が高くなる。これにより、ｎ型ａ−８ｌ第
１層の低暗比抵抗が第２層により補償され、実用性が高
い感光体を得ることができる。
及びＮから選択された少なくとも］主の元素を含有する
μｃ−３ｉを使用し、電荷発生−を、この第２層と、ｎ
型のａ−３ｉで形成された第１層との積層体構造とする
。このように、ＣＱ、Ｏ又はＮを入れることによりμＣ
−８１の抵抗が高くなる。これにより、ｎ型ａ−８ｌ第
１層の低暗比抵抗が第２層により補償され、実用性が高
い感光体を得ることができる。
なお、μｃ−８ｉの光学的エネルギギャップＥａは、ａ
−３ｉの光学的エネルギギャップＥａ（１，６５乃至１
．７０ｅＶ）に比較して小さい。
−３ｉの光学的エネルギギャップＥａ（１，６５乃至１
．７０ｅＶ）に比較して小さい。
このため、μｃ−３ｉは、可視光より長波長であってエ
ネルギが小さな近赤外光までも吸収することができ、長
波長側に高い光感度を有する。また、μｃ−３ｉはａ−
８ｉよりもキャリアの移動度が高い。
ネルギが小さな近赤外光までも吸収することができ、長
波長側に高い光感度を有する。また、μｃ−３ｉはａ−
８ｉよりもキャリアの移動度が高い。
このようなｎ型のａ−３ｉＨを有する電荷発生層は、高
周波グロー放電分解法により、シランガスを原料とし、
ドーパントガスとして、主に、ホスフィンガス（ＰＨ３
ガス）を使用して、導電性支持体上にｎ型のａ−８ｉを
堆積させることにより製造することができる。この場合
に、原料ガスであるＳｉＨ＋及びＳｉ２Ｈ６等の高次の
シランガスを水素で希釈したり、水素ガスをシラン系ガ
スと混合することにより、層中の水素含有量を制御する
ことができる。また、希釈ガスを使用することにより、
成膜速度を高め、均一なプラズマを形成することができ
る。
周波グロー放電分解法により、シランガスを原料とし、
ドーパントガスとして、主に、ホスフィンガス（ＰＨ３
ガス）を使用して、導電性支持体上にｎ型のａ−８ｉを
堆積させることにより製造することができる。この場合
に、原料ガスであるＳｉＨ＋及びＳｉ２Ｈ６等の高次の
シランガスを水素で希釈したり、水素ガスをシラン系ガ
スと混合することにより、層中の水素含有量を制御する
ことができる。また、希釈ガスを使用することにより、
成膜速度を高め、均一なプラズマを形成することができ
る。
第３図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ１，２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ＋ 、５ｉ２Ｈｓ 。
置を示す図である。ガスボンベ１，２゜３．４には、例
えば、夫々ＳｉＨ＋ 、５ｉ２Ｈｓ 。
Ｂ２ ＨＥ 、Ｈ２、ＣＨ４等の原料ガスが収容されて
いる。これらのガスボンベ１．２．３．４内のガスは、
流量Ｔｌ４５１用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。各ボンベには、圧力
計５が設置されており、この圧力計５を監視しつつ、パ
ルプ６を調整することにより、混合器８に供給する各原
料ガスの流量及び混合比を調節することができる。混合
器８にて混合されたガスは反応容器９に供給される。反
応容器９の底部１つには、回転軸１０が鉛直方向の回り
に回転可能に取りつけられており、この回転軸１０の上
端に、円板状の支持台１２がその面を回転輪１０に垂直
にして固定されている。反応容器９内には、円筒状の電
極１３がその軸中心を回転ｌＮ１１０の軸中心と一致さ
せて底部１１上に設置されている。感光体のドラム基体
１４が支持台１２上にその軸中心を回転軸１０の軸中心
と一致させて載置されており、このドラム基体１４の内
側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５が配設されてい
る。電極１３とドラム基体１４との間には、高周波１３
！１６が接続されており、電極１３及びドラム基体１４
間に高周波電流が供給されるようになっている。回転軸
１０はモータ１８により回転駆動される。反応容器９内
の圧力は、圧力計１７により監視され、反応容器９は、
ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ等の適宜の排気手
段に連結されている。
いる。これらのガスボンベ１．２．３．４内のガスは、
流量Ｔｌ４５１用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。各ボンベには、圧力
計５が設置されており、この圧力計５を監視しつつ、パ
ルプ６を調整することにより、混合器８に供給する各原
料ガスの流量及び混合比を調節することができる。混合
器８にて混合されたガスは反応容器９に供給される。反
応容器９の底部１つには、回転軸１０が鉛直方向の回り
に回転可能に取りつけられており、この回転軸１０の上
端に、円板状の支持台１２がその面を回転輪１０に垂直
にして固定されている。反応容器９内には、円筒状の電
極１３がその軸中心を回転ｌＮ１１０の軸中心と一致さ
せて底部１１上に設置されている。感光体のドラム基体
１４が支持台１２上にその軸中心を回転軸１０の軸中心
と一致させて載置されており、このドラム基体１４の内
側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５が配設されてい
る。電極１３とドラム基体１４との間には、高周波１３
！１６が接続されており、電極１３及びドラム基体１４
間に高周波電流が供給されるようになっている。回転軸
１０はモータ１８により回転駆動される。反応容器９内
の圧力は、圧力計１７により監視され、反応容器９は、
ゲートバルブ１８を介して真空ポンプ等の適宜の排気手
段に連結されている。
このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
，２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波１１１６により１！極１３とドラム基体１４との間に
高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する
。これにより、ドラム基体１４上にａ−８ｉが堆積する
。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ３、Ｎ２
。
には、反応容器９内にドラム基体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（Ｔｏｒｒ）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ１
，２，３．４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合
して反応容器９内に導入する。この場合に、反応容器９
内に導入するガス流量は、反応容器９内の圧力が０．１
乃至１トルになるように設定する。次いで、モータ１８
を作動させてドラム基体１４を回転させ、ヒータ１５に
よりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共に、高周
波１１１６により１！極１３とドラム基体１４との間に
高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する
。これにより、ドラム基体１４上にａ−８ｉが堆積する
。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ３、Ｎ２
。
ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、
これらの元素をａ−３ｉ中に含有させることができる。
これらの元素をａ−３ｉ中に含有させることができる。
このように、この発明に係る電子写真感光体は、従来
のａ−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステ
ムの製造装置で製造することができるため、人体に対し
て安全である。
のａ−３ｉを使用したものと同様に、クローズドシステ
ムの製造装置で製造することができるため、人体に対し
て安全である。
また、この電子写真感光体は、耐熱性、ＦＡ湿性及び耐
摩耗性が優れているため、長期に亘り榛り返し使用して
も劣化が少ナク、寿命が長いという利点がある。さらに
、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要であるので、廃
ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産性が著し
く高い。
摩耗性が優れているため、長期に亘り榛り返し使用して
も劣化が少ナク、寿命が長いという利点がある。さらに
、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要であるので、廃
ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生産性が著し
く高い。
ｎ型のａ−８ｉ、ａ−８ｉ又はｕｃ−８ｉには、水素を
０．１乃至３．０原子％含有させて水素化しである。こ
れにより、暗抵抗と明抵抗とが調和のとれたものになり
、光導電特性が向上する。ｎ型のａ−８ｉ 、ａ−３ｉ
又はμｃ−８ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グ
ロー放電分解法による場合は、ＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ
等のシラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを
反応容器内に導入してグロー放電させるか、Ｓ ｉ Ｆ
４及び５ｉＣＩ４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガスと
の混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと
、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。
０．１乃至３．０原子％含有させて水素化しである。こ
れにより、暗抵抗と明抵抗とが調和のとれたものになり
、光導電特性が向上する。ｎ型のａ−８ｉ 、ａ−３ｉ
又はμｃ−８ｉ層への水素のドーピングは、例えば、グ
ロー放電分解法による場合は、ＳｉＨ＋及び５ｉ２Ｈｓ
等のシラン系の原料ガスと、水素等のキャリアガスとを
反応容器内に導入してグロー放電させるか、Ｓ ｉ Ｆ
４及び５ｉＣＩ４等のハロゲン化ケイ素と、水素ガスと
の混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと
、ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。
更に、グロー放電分解法によらず、スパッタリング等の
物理的な方法によってもｎ型のａ−８ｉ層等を形成する
ことができる。
物理的な方法によってもｎ型のａ−８ｉ層等を形成する
ことができる。
電荷輸送層のａ−８ｉＨには、窒素Ｎ、炭素Ｃ及び酸素
Ｏから選択された少なくとも１種の元素をドーピングす
る。これにより、ａ−８ｉＨの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。
Ｏから選択された少なくとも１種の元素をドーピングす
る。これにより、ａ−８ｉＨの暗抵抗を高くして光導電
特性を高めることができる。
μｃ−８ｔ及びａ−８ｉをｐ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＧａ１インジウムＩｎ、及びタリウ
ムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−３ｉ
及びａ−９ｉをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族
に属する元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ１ア
ンチモンＳｂ１及びビスマス３ｉ等をドーピングするこ
とが好ましい。このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピ
ングにより、支持体から電荷輸送層への電荷の注入を防
止する障壁層を形成することができる。
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＧａ１インジウムＩｎ、及びタリウ
ムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μＣ−３ｉ
及びａ−９ｉをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族
に属する元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ１ア
ンチモンＳｂ１及びビスマス３ｉ等をドーピングするこ
とが好ましい。このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピ
ングにより、支持体から電荷輸送層への電荷の注入を防
止する障壁層を形成することができる。
μｃ−３ｉ及びａ−８ｉ自体は、若干、ｎ型であるが、
μｃ−８ｉ又はａ−８ｉで形成された電荷発生層、電荷
輸送層又は障壁層に周期律表の第■族に属する元素をラ
イトドープ（１０−７乃至１０−３原子％）することに
より、電荷発生層、電荷輸送層又は障壁層は、ｉ型（真
性）半導体になり、暗抵抗が高くなり、ＳＮ比と帯電能
が向上する。
μｃ−８ｉ又はａ−８ｉで形成された電荷発生層、電荷
輸送層又は障壁層に周期律表の第■族に属する元素をラ
イトドープ（１０−７乃至１０−３原子％）することに
より、電荷発生層、電荷輸送層又は障壁層は、ｉ型（真
性）半導体になり、暗抵抗が高くなり、ＳＮ比と帯電能
が向上する。
電荷発生層の上に表面層を設けることが好ましい。電荷
発生層のμｃ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較的
大きいため、表面での光反射が起きやすい。このような
光反射が生じると、電荷発生層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、電荷発生層が損傷から保護される。
発生層のμｃ−８ｉは、その屈折率が３乃至４と比較的
大きいため、表面での光反射が起きやすい。このような
光反射が生じると、電荷発生層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、電荷発生層が損傷から保護される。
さらに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、Ｓｉ３Ｎ＋、ＳｉＣ２、ＳｉＣ，Ａｌ１
０３ 、ａ−８ｉＮ：Ｈ。
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、Ｓｉ３Ｎ＋、ＳｉＣ２、ＳｉＣ，Ａｌ１
０３ 、ａ−８ｉＮ：Ｈ。
ａ−８ｉ○；Ｈｌ及びａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物及
びポリ塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料がある。
びポリ塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料がある。
［実施例］
第４図乃至第６図は、この発明の実施例に係る電子写真
感光体を示す一部所面図である。第４図に示す感光体に
おいては、導電性支持体２１の上に、電荷輸送１１１２
２が形成されており、電荷輸送１１２２の上には電荷発
生！１３１が形成されている。
感光体を示す一部所面図である。第４図に示す感光体に
おいては、導電性支持体２１の上に、電荷輸送１１１２
２が形成されており、電荷輸送１１２２の上には電荷発
生！１３１が形成されている。
電荷発生１１３１は、導電性支持体２１側に形成された
第１１２３と、表面側に形成された第２層２４との積層
体で構成されている。第５図に示す感光体においては、
電荷発生層３２の第１層２３と第２１２４とが、第４図
に示す感光体の電荷発生層３１と逆に形成されている。
第１１２３と、表面側に形成された第２層２４との積層
体で構成されている。第５図に示す感光体においては、
電荷発生層３２の第１層２３と第２１２４とが、第４図
に示す感光体の電荷発生層３１と逆に形成されている。
第６図に示す感光体においては導電性支持体２１と電荷
輸送層２２との間に障壁１１２５が形成され、電荷発生
層３１の上に表面１！２６が形成されている。
輸送層２２との間に障壁１１２５が形成され、電荷発生
層３１の上に表面１！２６が形成されている。
電荷輸送層２２は、Ｃ，ｏ及びＮから選択された少なく
とも１種の元素を含有するａ−８ｉＨで形成されてＶす
、その層厚は３乃至８Ｃ１ｍである。この電荷輸送層２
２は、周期律表の第■族に属する元素を含有させること
により、また、Ｃ２０、Ｎを含有させることにより電荷
輸送［２２を高抵抗化することもできる。
とも１種の元素を含有するａ−８ｉＨで形成されてＶす
、その層厚は３乃至８Ｃ１ｍである。この電荷輸送層２
２は、周期律表の第■族に属する元素を含有させること
により、また、Ｃ２０、Ｎを含有させることにより電荷
輸送［２２を高抵抗化することもできる。
電荷発生層３１の第１層２３は、ｎ型のａ−８＋ Ｈで
形成されており、その層厚は、１乃至１０μｍである。
形成されており、その層厚は、１乃至１０μｍである。
第２層２４は、Ｃ，Ｏ又はＮから選択された少なくとも
１種の元素を含有するμｃ−８ｉで形成されている。こ
の第２層２４には、周期律表の第■族に属する元素をラ
イトドープし、第２１１をｉ型にして暗抵抗を高め、光
導電特性を向上させることが好ましい。この第２層２４
の層厚は、０．１乃至５μｍである。
１種の元素を含有するμｃ−８ｉで形成されている。こ
の第２層２４には、周期律表の第■族に属する元素をラ
イトドープし、第２１１をｉ型にして暗抵抗を高め、光
導電特性を向上させることが好ましい。この第２層２４
の層厚は、０．１乃至５μｍである。
次に、この発明の実施例について説明する。
ＬＬｆＬ工
反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより、排気し、
約０．１トルの真空度にする。その後、ドラム基体を加
熱し、約４００℃に保持する。次いで、２００ＳＣＣＭ
の流量の３１２Ｈｓガス、この５ｉ２Ｈｓガス流−に対
する流量比が１０−３（７）Ｂ２ Ｈ６カス及び１００
ＳＣＣＭｆ７）ＣＨ４ガスを混合して反応容器に供給し
た。その後、メカニカルブースタポンプ及びロータリポ
ンプにより反応容器内を排気し、その圧力を１トルに調
整した。電極１．：１３．５６Ｍ１−１ｚで３００Ｗの
高周波電力を印加して、電極とドラム基体との間にプラ
ズマを生起させ、１５分間で支持係２１上に障壁層２５
を１．８μｍ形成した。
約０．１トルの真空度にする。その後、ドラム基体を加
熱し、約４００℃に保持する。次いで、２００ＳＣＣＭ
の流量の３１２Ｈｓガス、この５ｉ２Ｈｓガス流−に対
する流量比が１０−３（７）Ｂ２ Ｈ６カス及び１００
ＳＣＣＭｆ７）ＣＨ４ガスを混合して反応容器に供給し
た。その後、メカニカルブースタポンプ及びロータリポ
ンプにより反応容器内を排気し、その圧力を１トルに調
整した。電極１．：１３．５６Ｍ１−１ｚで３００Ｗの
高周波電力を印加して、電極とドラム基体との間にプラ
ズマを生起させ、１５分間で支持係２１上に障壁層２５
を１．８μｍ形成した。
その後、３ｉ２Ｈ６ガスの流量を６００ＳＣＣＭ、ＣＨ
４ガスの流量を１０８００Ｍ、Ｎ２ガスの流量を２０８
ＣＣＭに設定して、これらのガスを反応容器内に導入し
た。反応圧力を０．８トル、高周波電力を１ＫＷに調整
して、３時間で電荷輸送層２２を２６八ｉ成した。
４ガスの流量を１０８００Ｍ、Ｎ２ガスの流量を２０８
ＣＣＭに設定して、これらのガスを反応容器内に導入し
た。反応圧力を０．８トル、高周波電力を１ＫＷに調整
して、３時間で電荷輸送層２２を２６八ｉ成した。
その後、Ｓ １２Ｈｓ ガス（７）ＦＥＩを５０ＳＣＣ
Ｍ。
Ｍ。
ＰＨ３ガスの流ｌを３ｉ２Ｈｓガスに対する流量比で５
Ｘ１０−６に設定して、これらのガスを反応容器内に導
入した。反応圧力を０．４トル、高周波電力を１００Ｗ
に調節して、３０分間でｎ型のａ−８＋Ｈからなる電荷
発生層３１の第１ｓ２３を４μ習形成した。次に、５ｉ
２Ｈｓガスのｆｆｆｌｌｅ３００ｓｃｃＭ、Ｂ２ Ｈ６
ガス（１）流暢を５ｉ２Ｈｓガスに対する流山比で３Ｘ
１０−”、ＮＨ！ガスの流量を２０８ＣＣＭ、Ｈ２ガス
の流山を５００８ＣＣＭに設定して、これらのガスを反
応容器内に導入した。反応圧力を０．８トル、高周波電
力を２００Ｗ１．：調節して、２０分間でＮを含有する
μｃ−８ｉからなる電荷発生層３１の第２１１２４を３
μは形成した。 その後、Ｓｉ２Ｈ６ガスの流量を３０
０ＳＣＣＭ、ＣＨ４ガスの流量を１５０ＳＣＣＭに設定
して、これらのガスを反応容器内に導入した。反応圧力
を１トル、高周波電力を２００Ｗに調節して、１５分間
で表面１ｍ２５を１μｍ形成した。
Ｘ１０−６に設定して、これらのガスを反応容器内に導
入した。反応圧力を０．４トル、高周波電力を１００Ｗ
に調節して、３０分間でｎ型のａ−８＋Ｈからなる電荷
発生層３１の第１ｓ２３を４μ習形成した。次に、５ｉ
２Ｈｓガスのｆｆｆｌｌｅ３００ｓｃｃＭ、Ｂ２ Ｈ６
ガス（１）流暢を５ｉ２Ｈｓガスに対する流山比で３Ｘ
１０−”、ＮＨ！ガスの流量を２０８ＣＣＭ、Ｈ２ガス
の流山を５００８ＣＣＭに設定して、これらのガスを反
応容器内に導入した。反応圧力を０．８トル、高周波電
力を２００Ｗ１．：調節して、２０分間でＮを含有する
μｃ−８ｉからなる電荷発生層３１の第２１１２４を３
μは形成した。 その後、Ｓｉ２Ｈ６ガスの流量を３０
０ＳＣＣＭ、ＣＨ４ガスの流量を１５０ＳＣＣＭに設定
して、これらのガスを反応容器内に導入した。反応圧力
を１トル、高周波電力を２００Ｗに調節して、１５分間
で表面１ｍ２５を１μｍ形成した。
このようにして成膜した感光体を７９０ｎｍの波長の半
導体レーザーを搭載したレーザープリンタに装着して静
電特性を測定した。その結果、半減露光色が９，２ｅｒ
Ｑ／ｃｄであり、３５８ｒｇ／ｃｄの露光世に対して残
留電位が８５Ｖとなった。このように、この実施例に係
る感光体は、表面電位が高く、残留電位が低く、優れた
光導電特性を有している。
導体レーザーを搭載したレーザープリンタに装着して静
電特性を測定した。その結果、半減露光色が９，２ｅｒ
Ｑ／ｃｄであり、３５８ｒｇ／ｃｄの露光世に対して残
留電位が８５Ｖとなった。このように、この実施例に係
る感光体は、表面電位が高く、残留電位が低く、優れた
光導電特性を有している。
ＸＩＬと
この実施例においては、電荷発生層のｎ型のａ−８ｉ層
の層厚を８μば、μｃ−８ｉ層の層厚を５μ習とした他
は実施例１と同一の条件で成膜した。このようにして成
膜した感光体を７９０ｎｍの波長の半導体レーザーを搭
載したレーザープリンタに装着して静電特性を測定した
。その結果、半減露光ｌが８ 、Ｏｅｒｇ／ｃｍであり
、３５８ｒＯ／−の露光山に対して残留電位が９０Ｖと
なった。
の層厚を８μば、μｃ−８ｉ層の層厚を５μ習とした他
は実施例１と同一の条件で成膜した。このようにして成
膜した感光体を７９０ｎｍの波長の半導体レーザーを搭
載したレーザープリンタに装着して静電特性を測定した
。その結果、半減露光ｌが８ 、Ｏｅｒｇ／ｃｍであり
、３５８ｒＯ／−の露光山に対して残留電位が９０Ｖと
なった。
このように、この実施例に係る感光体は、実施例１と同
様に優れた光導電特性を有している。
様に優れた光導電特性を有している。
この実施例においては、電荷発生層３１の第２層２４の
製膜条件を、５ｉ２Ｈｓガスの流量を３００ＳＣＣＭ、
Ｂ２ Ｈ６ガスの流量を３ｉ２Ｈｓガスに対する流量比
で３Ｘ１０−８．０２ガスの流−を６ＳＣＣＭ、Ｈ２ガ
スの流量を５００８ＣＣＭに設定して、これらのガスを
反応容器内に導入し、反応圧力を０．８トル、高周波電
力を２００Ｗｋ：１１節して、２０分間保持するという
条件とした。これにより、○を含有するμＣ−８ｉから
なる電荷発生層３１の第２層２４を３μｍ形成した。他
の条件は実施例１と同様にした。
製膜条件を、５ｉ２Ｈｓガスの流量を３００ＳＣＣＭ、
Ｂ２ Ｈ６ガスの流量を３ｉ２Ｈｓガスに対する流量比
で３Ｘ１０−８．０２ガスの流−を６ＳＣＣＭ、Ｈ２ガ
スの流量を５００８ＣＣＭに設定して、これらのガスを
反応容器内に導入し、反応圧力を０．８トル、高周波電
力を２００Ｗｋ：１１節して、２０分間保持するという
条件とした。これにより、○を含有するμＣ−８ｉから
なる電荷発生層３１の第２層２４を３μｍ形成した。他
の条件は実施例１と同様にした。
このようにして成膜した感光体を７９０ｎｍの波長の半
導体レーザーを搭載したレーザープリンタに装着して静
電特性を測定した。その結果、半減露光量が９．２ｅｒ
Ｑ／ｃｉであり、３５ ｅｒＱ ／ ｃｔｉの露光量に
対して残留電位が８５Ｖとなった。このように、この実
施例に係る感光体は、第１及び第２の実施例と同様に、
優れた光導電特性を有している。
導体レーザーを搭載したレーザープリンタに装着して静
電特性を測定した。その結果、半減露光量が９．２ｅｒ
Ｑ／ｃｉであり、３５ ｅｒＱ ／ ｃｔｉの露光量に
対して残留電位が８５Ｖとなった。このように、この実
施例に係る感光体は、第１及び第２の実施例と同様に、
優れた光導電特性を有している。
友１」ＬＬ
この実施例においては、電荷発生１１３１の第２層２４
の製膜条件を、５ｉ２Ｈｓガスの流量を３００ＳＣＣＭ
、Ｂ２ Ｈ６ガスの流量をＳｉ２Ｈ６ガスに対する流量
比で３Ｘ１０−６、ＣＨ４ガスの流ｌを６ＳＣＣＭ、Ｈ
２ガスの流量を５００３ＣＣＭに設定して、これらのガ
スを反応容器内に導入し、反応圧力を０．８トル、高周
波電力を２００Ｗに調節して、２０分間保持刷るという
条件とした。これにより、Ｏを含有するμｃ−５ｉから
なる電荷発生Ｗ１３１の第２層２４を３μｍ形成した。
の製膜条件を、５ｉ２Ｈｓガスの流量を３００ＳＣＣＭ
、Ｂ２ Ｈ６ガスの流量をＳｉ２Ｈ６ガスに対する流量
比で３Ｘ１０−６、ＣＨ４ガスの流ｌを６ＳＣＣＭ、Ｈ
２ガスの流量を５００３ＣＣＭに設定して、これらのガ
スを反応容器内に導入し、反応圧力を０．８トル、高周
波電力を２００Ｗに調節して、２０分間保持刷るという
条件とした。これにより、Ｏを含有するμｃ−５ｉから
なる電荷発生Ｗ１３１の第２層２４を３μｍ形成した。
他の条件は実施例１と同様にした。
このようにして成膜した感光体を７９０ｎｍの波長の半
導体レーザーを搭載したレーザープリンタに装着して静
電特性を測定した。その結果、半減露光量が９．２ｅｒ
ｏ／ｃＩｄであり、３５ｅｒＱ／ｒ：ｉの露光量に対し
て残留電位が７０Ｖとなった。このように、この実施例
に係る感光体は、第１乃至第３の実施例と同様に、浸れ
た光導電特性を有している。
導体レーザーを搭載したレーザープリンタに装着して静
電特性を測定した。その結果、半減露光量が９．２ｅｒ
ｏ／ｃＩｄであり、３５ｅｒＱ／ｒ：ｉの露光量に対し
て残留電位が７０Ｖとなった。このように、この実施例
に係る感光体は、第１乃至第３の実施例と同様に、浸れ
た光導電特性を有している。
［発明の効果コ
この発明によれば、高抵抗で帯電特性が浸れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い電子写真感光体を得
ることができる。
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い電子写真感光体を得
ることができる。
第１図はドーピング比と導電率との関係を示すグラフ図
、第２図はドーピング比と活性化エネルギ及び光学的バ
ンドギャップとの関係を示すグラフ図、第３図はこの発
明に係る電子写真感光体の製造装置を示す図、第４図乃
至第６図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示
す断面図である。 １．２，３．４：ボンベ、５：圧力計、６；バルブ、７
；配管、８；混合器、９；反応容器、１０；回転軸、１
３；電極、１４ニドラム基体、１５；と−タ、１６；高
周波電源、１９：ゲートバルブ、２１；支持体、２２；
電荷輸送層、２３：第１層、２４；第２１．２５：ｌ壁
層、２６；表面層、３１．３２：電荷発生層 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ＰＨ３／Ｓｉ２Ｈ６・ 第１図
、第２図はドーピング比と活性化エネルギ及び光学的バ
ンドギャップとの関係を示すグラフ図、第３図はこの発
明に係る電子写真感光体の製造装置を示す図、第４図乃
至第６図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示
す断面図である。 １．２，３．４：ボンベ、５：圧力計、６；バルブ、７
；配管、８；混合器、９；反応容器、１０；回転軸、１
３；電極、１４ニドラム基体、１５；と−タ、１６；高
周波電源、１９：ゲートバルブ、２１；支持体、２２；
電荷輸送層、２３：第１層、２４；第２１．２５：ｌ壁
層、２６；表面層、３１．３２：電荷発生層 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ＰＨ３／Ｓｉ２Ｈ６・ 第１図
Claims (4)
- （１）導電性支持体と、電荷発生層と、導電性支持体と
電荷発生層との間に配設された電荷輸送層と、を有する
電子写真感光体において、前記電荷発生層は、ｎ型のア
モルファス水素化シリコンで形成され層厚が１乃至１０
μｍの第１層と、炭素、酸素及び窒素から選択された少
なくとも１種の元素を含有するマイクロクリスタリンシ
リコンで形成され層厚が０．１乃至５μｍの第２層との
積層体であり、前記電荷輸送層は、炭素、酸素及び窒素
から選択された少なくとも１種の元素を含有するアモル
ファス水素化シリコンで形成されていることを特徴とす
る電子写真感光体。 - （２）前記電荷発生層及び前記電荷輸送層には、周期律
表の第III族又は第Ｖ族に属する元素から選択された少
なくとも１種の元素を含有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 - （３）前記電荷発生層の上に、表面層が形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写
真感光体。 - （４）前記導電支持体と電荷輸送層との間に障壁層が配
設されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25608885A JPS62115465A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25608885A JPS62115465A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115465A true JPS62115465A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17287726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25608885A Pending JPS62115465A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632056A (ja) * | 1985-05-17 | 1988-01-07 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0518812A (ja) * | 1990-11-16 | 1993-01-26 | Fujitsu Denso Ltd | 小型振動センサ |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25608885A patent/JPS62115465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632056A (ja) * | 1985-05-17 | 1988-01-07 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0518812A (ja) * | 1990-11-16 | 1993-01-26 | Fujitsu Denso Ltd | 小型振動センサ |
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