JPS6296948A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS6296948A
JPS6296948A JP23835685A JP23835685A JPS6296948A JP S6296948 A JPS6296948 A JP S6296948A JP 23835685 A JP23835685 A JP 23835685A JP 23835685 A JP23835685 A JP 23835685A JP S6296948 A JPS6296948 A JP S6296948A
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JP
Japan
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layer
type
charge transport
transport layer
charge generation
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Application number
JP23835685A
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English (en)
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Mariko Yamamoto
山本 万里子
Hideji Yoshizawa
吉澤 秀二
Akira Miki
明 三城
Tatsuya Ikesue
龍哉 池末
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Toshiba Corp
Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Automation Equipment Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Automation Equipment Engineering Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6296948A publication Critical patent/JPS6296948A/ja
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
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    • G03G5/08221Silicon-based comprising one or two silicon based layers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業の利用分野] この発明は、帯電特性、光感度特性及び′#41jI境
性等が優れた電子写真感光体に関する。
[従来の技術及びその問題点] 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、CdS、ZnO,Se、5e−Te若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−N−ビニルカルバ
ゾール(PVCz)若しくはトリニトロフルオレン(T
NF)等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。
例えば、Se及びCdSは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ストが高いと共に、特に、Seは回収する必要があるた
め回収コストが付加されるという問題点がある。また、
Se又は5e−Te系においては、結晶化温度が65℃
と低いため、複写を繰り返している間に、残雪等により
光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短いので
実用性が低い。
更に、ZnOは、酸化還元が生じやすく、環境雰囲気の
影響を著しく受けるため、使用上、信頼性が低いという
問題点がある。
更にまた、pvcz及びTNF等の有数光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体の51康
上問題があるのに加え、有礪材料は熱安定性及び耐摩耗
性が低く、寿命が短いという欠点がある。
一方、アモルファスシリコン(以下、a−3iと略す)
は、近時、光導電変換材料として注目されており、太陽
電池、薄l11−ランジスタ及びイメージセンサへの応
用が活発になされている。このa−3iの応用の一環と
して、a−3iを電子写真感光体の光導電性材料として
使用する試みがなされており、a−3iを使用した感光
体は、無公害の材料であるから回収処理の必要がないこ
と、他の材料に比して可視光領域で高い分光感度を有す
ること、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れて
いること等の利点を有する。
このa−8iは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の
構造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。
ところで、a−3iは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、a−
8it!!!中に水素が取り込まれ、水素量の差により
電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、a−3
illlに侵入する水素の量が多くなると、光学的バン
ドギャップが大きくなり、a−8iの抵抗が高くなるが
、それにともない、長波長光に対する光感度が低下して
しまうので、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビ
ームプリンタに使用することが困難である。また、a−
8ill中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によ
って、(SiH2)n及びS i H2等の結合iI4
造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合があ
る。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダングリン
グボンドが増加するため、光4電特性が劣化し、電子写
真感光体として使用不能になる。逆に、a−8i中に侵
入する水素の量が低下すると、光学的バンドギャップが
小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長光に対す
る光感度が増加する。しかし、水素含有量が少ないと、
シリコンダングリングボンドと結合してこれを減少させ
るべき水素が少なくなる。このため、発生するキャリア
の移動度が低下し、寿命が短くなると共に、光導電特性
が劣化してしまい、電子写真感光体として使用し難いも
のとなる。
なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンQeH4とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い膜を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとGeH4
とでは、最適基板湿度が異なるため、生成した膜は構造
欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができない。
また、GeH4の廃ガスは酸化されると有毒ガスとなる
ので、廃ガス処理も複雑である。従って、このような技
術は実用性がない。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。
[問題点を解決するための手段〕 この発明に係る電子写真感光体は、導電性支持体と、電
荷発生層と、導電性支持体と電荷発生層との間に配設さ
れた電荷輸送層と、を有する電子写真感光体において、
前記電荷発生層は、水素を含有するn型のマイクロクリ
スタリンシリコンで形成され層厚が1乃至10μmであ
り、前記電荷輸送層は、水素を含有するi型のマイクロ
クリスタリンシリコンで形成され層厚が3乃至80μm
であることを特徴とする。
この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
4N特性(電子写真特性)と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、n型のマイクロクリスタリンシリコン(以
下、μC−8iと略す)を電子写真感光体の少なくとも
一部に使用することにより、この目的を達成することが
できることに想到して、この発明を完成させたものであ
る。
以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、従来のa−3iの替りにn型のμc−3iを使
用したことにある。つまり、電荷発生層の全ての領域又
は一部の領域がn型のμc−5iで形成されているか、
n型のμc−81と真性半導体(1型)のa−8iとの
積層体、n型のμC−3iとn型のa−8iとの積層体
、又はn型のμc−8iとC,0,Nから選択された少
なくとも1種の元素を含有するa−8iとの積層体で形
成されている。また、光導電層を有するタイプの電子写
真感光体においては、光導電層にn型のμc−8iを使
用している。
電荷発生層は、光の照射によりキャリアを発生する。こ
の電荷発生層は、その一部又は全部が水素を含有するn
型のμc−3iでできており、その厚さは1乃至10μ
mである。電荷輸送層は、電荷発生層で発生したキャリ
アを高効率で支持体側に到達させる層であり、このため
、キャリアの寿命が長く、移動度が大きく輸送性が高い
ことが必要である。電荷輸送層は水素を含有する1型の
μC−8iで形成されている。電荷輸送層は、その膜厚
が薄過ぎる場合及び厚過ぎる場合はその機能を充分に発
揮しない。このため、電荷輸送層の厚さは3乃至80μ
mであるこ・とが好ましい。
導電性支持体と電荷輸送層との間に、障壁層を配設する
ことが好ましい。この障壁層は、導電性支持体と、先導
1fiiとの間の電荷の流れを抑制することにより、感
光体の表面における電荷の保持機能を高め、感光体の帯
電能を高める。カールソン方式においては、感光体表面
に正帯電させる場合には、支持体側から電荷輸送層へ電
子が注入されることを防止するために、障壁層をp型に
する。
一方、感光体表面に負帯電させる場合には、支持体側か
ら電荷輸送層へ正孔が注入されることを防止するために
、Ill壁層をn型にする。また、障壁層として、絶縁
性の膜を支持体の上に形成することも可能である。障壁
層はμc−8tを使用して形成してもよいし、a−3i
を使用して障壁層を構成することも可能である。
n型のμC−S、 iは、μc−3iに周期律表の第V
族に属する元素、例えば、窒素N、リンP、仁素As、
アンチモンsb及びビスマスBi等をドーピングするこ
とにより形成される。このn型のμc−3iとしては、
これらのドーピング元素をライトドープしたn−型及び
ヘビードープしたn+型のいずれの場合であってもよい
が、電子写真感光体として使用される場合の種々の光導
電特性を考慮すると、これらのドーピング元素を、10
う乃至10°3原子%含有させたn−型のμC−3iで
あることが好ましい。
μC−8iは、以下のような物性上の特徴により、a−
8i及びポリクリスタリンシリコン(多結晶シリコン)
から明確に区別される。即ち、X線回折測定においては
、a−3iは、無定形であるため、ハローのみが現れ、
回折パターンを認めることができないが、μG−3iは
、2θが27乃至28.5°付近にある結晶回折パター
ンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
106Ω・clであるのに対し、μc−3iは1Q11
Ω・α以上の暗抵抗を有する。このμc−8iは粒径が
約数十オングストローム以上である微結晶が集合して形
成されている。
この発明のように、電荷発生層に、n型のμc−8iを
使用することによって、長波長光、特に、790nm付
近に発振波長を有する半導体レーザ光に対しても高感度
の電子写真感光体を得ることができる。つまり、μC−
3iの光学的エネルギギャップEaは、a−3iの光学
的エネルギギャップEa (1,65乃至1.706V
)に比較して小さい。このため、μc−3iは、可視光
より長波長であってエネルギが小さな近赤外光までも吸
収することができ、長波長側に高い光感度を有する。ま
た、μc−8iはa−8iよりもキャリアの移動度が高
い。従って、この発明に係る電子写真感光体は、RPC
(普通紙複写機)は勿論のこと、半導体レーザを装着し
たレーザプリンタにも適用することができる。また、電
荷発生層の一部にn型のa−3+を使用してもよい。こ
のn型のa−3iは、μc−8iと同様に長波長光に対
して光感度が高い。第1図は、横軸にPH3/S i 
2 Hsガス流量比で示すPのドーピング比をとり、縦
軸にn型a−3+の導電率(1/Ω・α)をとって、導
電率に及ぼすドーピング比の影響を示すグラフ図である
。この成膜ガス中のPH3ガスの流量比PH3/S i
 Hsが高くなると、n型のa−3i中のP元素の含有
旦が高くなり、強n型(n+)になる。第1図に示すよ
うに、Pを含有しない場合には、暗時の導電率σDが3
.87x10−1 ’  (1/Ω・1)であり、79
0nmのレーザ光を照射した場合の導電率σp (79
0nm)が1.15X10−’  (1/Ω・α)であ
る。しかし、ドーピング比を増加させると、導電率が上
昇し、PH3/S i 2 Hsドーピング比が33p
pmの場合には、σp (790nm)が5.57x1
0−6 (1/Ω・1)になり、Pをドーピングしない
場合に比して1桁以上上昇している。なお、この場合に
、σDも5.28x10−’  (1/Ω・α)に上昇
し、ドーピング比が高くなると共に、σp (790n
ff1)及びσ。の双方が上昇するが、結局、ドーピン
グ比が10−6乃至10−5の範囲においては、aP(
790nm)がPをドーピングしない場合よりも1桁以
上高い高値になり、更にSN比を約3桁とることができ
る。従って、電荷発生層にこの程度のドーピング比でP
等をドーピングしたn型のa−3iを使用することによ
り、長波長光に対する感度が充分に高い感光体を得るこ
とができ、レーザプリンタ用の感光体として充分に実用
化することができる。
次に、このように、a−3iをn型にすることにより、
長波長光に対する感度を高めることができる理由につい
て説明する。第2図は、横軸にPH3/S i H5ド
ーピング比をとり、縦軸に光学的バンドギャップ及び活
性化エネルギをとって、夫々の関係を示すグラフ図であ
る。この第2図から明らかなように、光学的バンドギャ
ップはドーピング比を変化させても変化せず、実質的に
一定である。これに対し、活性化エネルギΔFは、ドー
ピング比を高めると小さくなる。この場合に、光学的バ
ンドギャップEaは、(iIli電子帯と、伝導帯との
間のエネルギ差であり、活性化エネルギΔEは、フェル
ミレベルF、Lと伝導帯との間のエネルギ差である。光
学的バンドギャップEaは、電子を価電子帯から伝導帯
まで励起するのに必要なエネルギであり、これが小さい
方がより低いエネルギの光でも吸収してキャリアを発生
する。一方、フェルミレベルF−Lは、伝導帯と価電子
帯との間に存在し、活性化エネルギが小さい程、キャリ
アが励起されやすい。従って、活性化エネルギが小さい
程、hνくブランク定数×周波数)が小さな長波長光に
対して高感度になり、キャリアが励起される。この発明
のように、電荷発生層にn型のa−3tを使用すること
により、第1図に示すように長波長光に対する感度が高
くなるのは、周期律表の第V族に属する元素をドーピン
グしてμc−3iをn型にすることにより、フェルミレ
ベルF−Lが上昇し、その結果、活性化エネルギΔEが
小さくなって、エネルギが小さい光(長波長光)に対す
る感度が上昇したためであると考えられる。
一方、n型μc−3iを電荷発生層に使用すると、電荷
発生層の暗比抵抗が低くなり、電荷保持能が低くなる。
これを補償するために、電荷輸送層にi型のμc−8i
を使用し、電子写真感光体をこの電荷発生層と電荷輸送
層との積層体構造とする。これにより、n型μC−8i
電荷発生層の低暗比抵抗が電荷輸送層(高抵抗)により
補償され、実用性が高い感光体を得ることができる。
このようなn型のμc−3iを有する電荷発生層は、高
周波グロー放電分解法により、シランガスを原料とし、
ドーパントガスとして、主に、ホスフィンガス(PH3
ガス)を使用して、導電性支持体上にn型のμc−8i
を堆積させることにより製造することができる。この場
合に、原料ガスであるSiH+及び5i2Hs等の高次
のシランガスを水素で希釈したり、水素ガスをシラン系
ガスと混合することにより、層中の水素含有量を制御す
ることができる。また、希釈ガスを使用することにより
、成膜速度を高め、均一なプラズマを形成することがで
きる。
第3図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。ガスボンベ1.2゜3.4には、例
えば、夫々SiH+、5i2Hs。
82 HE 、H2、CH4等の原料ガスが収容されて
いる。これらのガスボンベ1.2.3.4内のガスは、
流量調整用のバルブ6及び配管7を介して混合器8に供
給されるようになっている。各ボンベには、圧力計5が
設置されており、この圧力計5を監視しつつ、バルブ6
を調整することにより、混合器8に供給する各原料ガス
の流量及び混合比を調節することができる。混合器8に
て混合されたガスは反応容器9に供給される。反応容器
9の底部11には、回転軸10が鉛直方向の回りに回転
可能に取りつけられており、この回転軸10の上端に、
円板状の支持台12がその面を回転軸10に垂直にして
固定されている。反応容器9内には、円筒状の電極13
がその軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて底部1
1上に設置されている。感光体のドラム基体14が支持
台12上にその軸中心を回転軸10の軸中心と一致させ
て載置されており、このドラム基体14の内側には、ド
ラム基体加熱用のヒータ15が配設されている。
電慟13とドラム基体14との間には、高周波電源16
が接続されており、電極13及びドラム基体14間に高
周波電流が供給されるようになっている。回転軸10は
モータ18により回転駆動される。反応容器9内の圧力
は、圧力計17により監視され、反応容器9は、ゲート
バルブ18を介して真空ポンプ等の適宜の排気手段に連
結されている。
このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器9内にドラム基体14を設置した後、ゲ
ートバルブ1つを開にして反応容器9内を約0.11〜
ル(Torr)の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ
1,2.3.4から所要の反応ガスを所定の混合比で混
合して反応容器9内に導入する。この場合に、反応容器
9内に導入するガス流量は、反応容器9内の圧力が0.
1乃至1トルになるように設定する。次いで、モータ1
8を作動させてドラム基体14を回転させ、ヒータ15
によりドラム基体14を一定温度に加熱すると共に、8
周波電源16により電池13とドラム基体14との間に
高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形成する
。これにより、ドラム基体14上にμc−3iが堆積す
る。なお、原料カス中にN20.NH3、NO2、N2
 。
CH4、C2H4,02ガス等を使用することにより、
これらの元素をμc−8i中に含有させることができる
このように、この発明に係る電子写真感光体は、従来の
a−8iを使用したものと同様に、クローズドシステム
の製造IIで製造することができるため、人体に対して
安全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐
湿性及び耐摩耗性が優れているため、長期に亘り繰り返
し使用しても劣化が少なく、寿命が長いという利点があ
る。ざらに、GeH+等の長波長増感用ガスが不要であ
るので、廃ガス処理設備を設ける必要がなく、工業的生
産性が著しく高い。
n型のμc−3i %a−8i又はμC−3iには、水
素を0.1乃至30原子%含有させることが好ましい。
これにより、暗抵抗と明抵抗とが調和のとれたものにな
り、光導電特性が向上する。
n型のμc−31、a−s r又はμc−8illへの
水素のドーピングは、例えば、グロー放電分解法による
場合は、S i H4及び5i2Hs等のシラン系の原
料ガスと、水素等のキャリアガスとを反応容器内に導入
してグロー放電させるか、SiF+及び5iC14等の
ハロゲン化ケイ素と、水素ガスとの混合ガスを使用して
もよいし、また、シラン系ガスと、ハロゲン化ケイ素と
の混合ガスで反応させてもよい。更に、グロー放電分解
法によらず、スパッタリング等の物理的な方法によって
もn型のμc−8i層等を形成することができる。
n型のμc−3i 、a−8i又はμc−3iには、窒
素N、炭素C及び酸素Oから選択された少なくとも1種
の元素をドーピングすることが好ましい。これにより、
n型のμc−8i等の暗抵抗を高くして光3474特性
を高めることができる。
μc−8i及びa−3iをp型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素B1アルミニ
ウムAI、ガリウムGa、インジウムln、及びタリウ
ムT1等をドーピングすることが好ましく、μc−8i
及びa−8iをn型にするためには、周期律表の第V族
に滉する元素、例えば、窒素N1リンP1ヒ素AS、ア
ンチモンSb1及びビスマスB1等をドーピングするこ
とが好ましい。このn型不純物又はn型不純物のドーピ
ングにより、支持体から電荷輸送層への電荷の注入を防
止する障壁層を形成することができる。
μc−31及びa−8i自体は、若干、n型であるが、
μc−3i又はa−8iで形成された電荷輸送層又は障
壁層に周期律表の第■族に属する元素をライトドープ(
10−7乃至10−3原子%)することにより、電荷輸
送層又は障壁層は、i型(真性)半導体になり、暗抵抗
が高くなり、SN比と帯電能が向上する。
この発明においては、電荷輸送層がi型のμc−3iで
あり、層厚が3乃至80μmである。
電荷輸送層をi型にするためには、前述の如く、μc−
8iに周期律表の第■族に属する元素をライトドープす
るか、又はC,O,Nを含有させればよい。μc−8i
は光学的バンドギャップが小さく、長波長光に対する感
度が高いから、このように電荷輸送層をμc−8iで形
成することにより、可視光から長波長光まで吸収するこ
とができる。しかも、μC−3iは構造欠陥が少ないの
で、キャリアの移動度が高く走行性が良い。このため、
この電荷輸送層においては、キャリアが高効率で移動す
る。一方、電荷発生層及び電荷輸送層がすべてa−3i
で形成されていると、半導体レーザ光等の長波長光は、
これらの層で吸収されずに、支持体まで到達する。そう
すると、この光は支持体で反射して画像に干渉縞を発生
させる。しかしながら、この発明においては、電荷輸送
層にμc−8iを使用しているので、このような干渉縞
の発生は抑制される。
ところで、μc−3iは上述の利点を有している一方で
、暗抵抗が低いという欠点がある。この欠点を補償する
ため、この発明においては、μc−8iにC,O,Nを
含有させるか、又はμc−8iを1(真性)型にして高
抵抗化する。
このC,O,Nは電荷輸送層中に均一に分布させてもよ
いが、その濃度が電荷輸送層の全部または一部において
、層厚方向に変化するように分布させてもよい。この場
合に、C,O,Nの濃度は、電荷発生層から導電性支持
体に向けて上昇するように変化させることが好ましい。
このように、ドーピング元素の濃度を層厚方向に変化さ
せることにより、各層の境界における層の剥離を防止す
ることができる。また、μc−8iにC,O,Nを含有
させることにより、μc−3iのバンドギャップが拡が
り、導電性支持体から電荷発生層へのキャリアの移動が
抑制される。このように移動を抑制する領域は導電性支
持体の近傍であることが好ましいから、C,O,Nの7
11度が導電性支持体側で高くなるような濃度分布にす
るのが好ましい。
電荷発生層の上に表面層を設けることが好ましい。電荷
発生層のμc−3iは、その屈折率が3乃至4と比較的
大きいため、表面での光反射が起きやすい。このような
光反射が生じると、電荷発生層に吸収される光量の割合
いが低下し、光損失が大きくなる。このため、表面層を
設けて反射を防止することが好ましい。また、表面層を
設けることにより、電荷発生層が損傷から保護される。
さらに、表面層を形成することにより、帯電能が向上し
、表面に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する
材料としては、Si3N4、SiO2、SiC,Al1
03 、a−8iN:Hla−8iO;Hl及びa−8
iC;H等の無機化合物及びポリ塩化ビニル及びポリア
ミド等の有機材料がある。
[実施例コ 第4図及び第5図は、この発明の実施例に係る電子写真
感光体を示す一部断面図である。第4図に示す感光体に
おいては、導電性支持体21の上に、電荷輸送層22が
形成されており、電荷輸送@22の上には電荷発生層2
3が形成されている。
また、第5図に示す感光体においては、電荷発生層23
の上に表面[24が形成されている。
電荷輸送層22は、Hを含有するi型のμc−3iで形
成されており、その層厚は3乃至80μmである。この
電荷輸送層22は、周期律表の第1族に属する元素を含
有させることにより、i型にすることができる。また、
C,O,Nを含有させることにより電荷輸送[122を
高抵抗化することもできる。このC,0,Nは、第6図
(a)乃至(1)に示すように、その濃度が電荷発生層
23から導電性支持体21に向けて上昇するように層厚
方向に変化させることが好ましい。
電荷発生層23は、n型のμC−3iで形成されており
、その層厚は、1乃至10μmである。
次に、この発明の実施例について説明する。
反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより、排気し、
約0.1トルの真空度にする。その後、ドラム基体を加
熱し、約370℃に保持する。次いで、708CCMの
流量の5i2esガス、この5i2Hsガス流量に対す
る流量比が10−Bの82 H6ガス、500SCCM
のH2ガス及び50SCCMのCH4ガスを混合して反
応容器に供給した。その後、メカニカルブースタポンプ
及びロータリポンプにより反応容器内を排気し、その圧
力を0.7トルに調整した。電極に13.56MH2で
1kWの高周波電力を印加して、電極とドラム基体との
間にプラズマを生起させ、支持体21上にマイクロクリ
スタリン炭化シリコン層である電荷輸送層22を20μ
m形成した。
その後、3i2Hgガスの流量を708CCM、PH3
ガスの流量を5izHsガスに対する流量比でio−’
 、H2nス流1 ヲ500 S CCM ニ設定して
、これらのガスを反応容器内に導入した。
基板温度を370℃、反応圧力を0.71〜ル、高周波
電力を1kWに調節して、Hを含有するn型のμc−3
i層である電荷発生層23を5μm形成した。次いで、
表面層24を形成した。
このようにして成膜した感光体は、表面電位が高く、残
留電位が低く、優れた光導電特性を有している。
[発明の効果] この発明によれば、高抵抗で帯電特性が優れており、ま
た可視光及び近赤外光領域において高光感度特性を有し
、製造が容易であり、実用性が高い電子写真感光体を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はドーピング比と導電率との関係を示すグラフ図
、第2図はドーピング比と活性化エネルギ及び光学的バ
ンドギャップとの関係を示すグラフ図、第3図はこの発
明に係る電子写真感光体の製造装置を示す図、第4図及
び第5図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示
す断面図、第6図(a)乃至(1)は電荷輸送層中のC
濃度の変化を示す図である。 1.2.3.4:ボンベ、5:圧力計、6;バルブ、7
;配管、8:混合器、9:反応容器、10;回転軸、1
3:電極、14;ドラム基体、15:ヒータ、16;高
周波電源、19:ゲートバルブ、21:支持体、22;
電荷輸送層、23:電荷発生層、24:表面層 PH37Si2H6

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性支持体と、電荷発生層と、導電性支持体と
    電荷発生層との間に配設された電荷輸送層と、を有する
    電子写真感光体において、前記電荷発生層は、水素を含
    有するn型のマイクロクリスタリンシリコンで形成され
    層厚が1乃至10μmであり、前記電荷輸送層は、水素
    を含有するi型のマイクロクリスタリンシリコンで形成
    され層厚が3乃至80μmであることを特徴とする電子
    写真感光体。
  2. (2)前記電荷輸送層は、炭素、窒素及び酸素から選択
    された少なくとも1種の元素を含有することを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の電子写真感光体。
  3. (3)前記電荷輸送層中の炭素、窒素又は酸素は、その
    濃度が支持体側が高くなるように層厚方向に変化してい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の電子
    写真感光体。
  4. (4)前記電荷輸送層の少なくとも一部の領域は、周期
    律表の第III族又は第V族に属する元素をから選択され
    た少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか1項に記載の
    電子写真感光体。
  5. (5)前記電荷発生層の上に、表面層が形成されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電子写
    真感光体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0583129A1 (en) * 1992-08-06 1994-02-16 Xerox Corporation Dual layer switch photoreceptor for digital imaging

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