JPS58219561A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば光電素子、電子写真感光体等の
静電記録体に関するものである。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ％Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械−強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、　ａ−８ｉ　ト称
する。）を母体として用いた電子写真感光体が近年にな
って提案されている。ａ−８ｉは、８ｌ−８ｔの結合手
が切れたいわゆるダングリングボンドを有しておシ、こ
の欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準
位が存在する。このために、熱励起担体のホッピング伝
導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位
にトラップされて光導電性が悪くなっている。そこで、
上記欠陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合さ
せることによって、ダングリングボンドを埋めることが
行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０”〜１０９
Ω−倒であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。

し、かし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

また、ａ−３ｉ：）（を表面とする感光体は、長期に亘
って大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電
で生成される化学、１１１の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない。

例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受
容電位が著しく低下することが分っている。一方、アモ
ルファス炭化シリコン（以下、ａ　　ＳＩＣ：Ｈと称す
る。）について、その製法や存在が″Ｐｈ１１．　Ｍａ
ｇ、　ＶＯｌ、　３５”（１９７８）等に記載されてお
り、その特性として、□耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２〜１
０１３Ω−一）を有すること、炭素量によシ光学的エネ
ルギーギャップが１．６〜２．８　ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。

こうしたａ−８ｋＣ：Ｈとａ−８１：Ｈどを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号におい
て提案されている。これによれば、ａ−ｓｓ：Ｈ層を感
光（光導電）層とし、この受光面上に１１！１０ｔ−８
ｉＣ：Ｈ層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第２０
ａ−８ＬＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の感光体として
いる。

本発明者社、こうした３層構造の感光体について検討を
加えたところ、特に帯電時に支持体（基板）側からのキ
ャリアが注入され易く、これに伴なって表面の電荷が中
和されて表面電位の保持性が悪くなることが分った。

即ち、本発明による記録体は、所定の導電型を付与し得
る不純物（例えばリン又はボロン）を高濃度に含有する
アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（
例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）からなるブロッキング層と、ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例
えばａ−８ｉＣ：Ｈ）から々る電位保持層と、アモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−８
ｉ：Ｈ）からなる光導電層と、無機物質（例えば５ｉＯ
ｔ　）からなる表面改質層とが基体上に順次積層せしめ
られた積層体によって構成されていることを特徴とする
ものである。

このように構成すれば、上述した３層構造の特長は生か
せる上に、特にアモルファス水素化及び／又はフッ素化
炭化シリコンからなる高濃度のブロッキング層が基体側
に存在することから基体からのキャリアの注入を効果的
に防止できる。　　、以下、本発明を図面について詳細
に例示する。

本発明による記録体、例えば感光体は、第１図に示す如
く導電性支持基板１上に上記のＶＡ族元素又はｍＡ族元
素が高濃度にドープされたＮ　型又はＰ型ａ−８ｉＣ：
Ｈからなるブロッキング層５、電位保持層としてのａ−
８ｉＣ：Ｈ層２、ａ−８ｉ：Ｈからなる光導電層３、表
面改質層４が順次積層せしめられたものからなりていて
よい。

ブロッキング層５祉基板１からのキャリアの注入を防止
して表面電位を充分に保持するのに大いに寄与し、その
ためにＶＡ族元素又はＩＩＩＡ族元素の含有によってＮ
＋型（負帯電の場合）又はＰ型、更にはＰ＋型（正帯電
の場合）を示すことが重要である。また、その厚みは５
０Ｘ〜１μｍ（更には４００　Ｘ〜５０００　Ｘ　）で
あるのが望ましい。第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は主とし
て電位保持、電荷輸送機能を有し、５０００　Ｘ〜８０
μｍ（より望ましくは５μｍ〜２０μｍ）の厚みに形成
されるのがよい。光導電層３は光照射に応じて電荷担体
（キャリア）を発生させるものであって、その厚みは２
５００　Ｘ〜１０μｍ（特に５０００　Ｘ〜５μｍ）で
あるのが望ましい。更に、表面改質層４はこの感光体の
表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環
境□性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される
化学種の影響防止）、表面硬度が高いことによる耐刷性
の向上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に
粘着転写性）の向上等の機能を有している。この表面改
質層の厚みは５０λ〜１ｔｔｍ、望ｔシ＜ｉｔ、＋ｏｏ
Ｘ−ｓｏｏｏＸテ、ｓル。

この感光体において注目すべきことは、既述した如きａ
−８ｉＣ／ａ−８ｉ　：Ｈ／無機物質積層構造をブロッ
キング層上に形成し得るから、その積層構造のもつ特長
を具備するだけでなく、ブロッキング層が周期表第ＶＡ
族又はｍＡ族元素のヘビードーピングによってＮ　型又
はＰ型（更にはＰ　型化）されているので、帯電時に基
板側からのキャリア（ホール又は電子）注入が効果的に
阻止されることである。

これに加えて第１図の感光体は上記積層構造を具備して
いるので、従来のＳｅ感光体と比較して薄い膜厚で高い
電位を保持し、可視領域及び赤外領域の光に対して優れ
た感度を示し、耐熱性、耐　　　′剛性が良く、かつ安
定した対環境性を有するａ−８ｔ系感光体（例えば電子
写真用）を提供することができる。

次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置（グロー放電装置）を第２図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、基板１が基板保持部
１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所定温度に
加熱し得るようになっている。基板ＩＫ対向して高周波
電極１７が配され基板１との間にグロー放電が生ぜしめ
られる。なお、図中の２０．２１．２２、お、２４．２
７、あ、西、Ｉ、３５、あ、路は各バルブ、３１はＳｉ
Ｈ４又はガス状シリコン化合物の供給源、３２ｔｊＣＨ
ａ又はガス状炭素化合物の供給源、３３はＡｒ又はＨ２
等のキャリアガス供給源、あは１チアルゴン希釈ジボラ
ンガス又はホスフィン供給源である。このグロー放電装
置において、まず支持体である例えばＡｔ基板１０表面
を清浄（また後に真空槽１２内に配置し、真空槽１２内
のガス圧が１０　’Ｔｏｒｒとなるようにバルブあを調
節して排気し、かつ基板１を所定温度、例えば２００℃
に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリ
アガスとして、　ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物、
ホスフィンガス又祉ジボランガス、及びＣＨ４又はガス
状炭素化合物を適当量希釈した混合ガスを真空横１２内
に導入し、０．０１〜１０　Ｔｏｒｒの反応圧下で高周
波電源１６によシ高周波電力を印加する。

これによって、上記各反応ガスをグロー放電分解し、水
素を含むａ−８ｉＣ：Ｈを上記の層５として基板１上に
堆積させる。ａ−８ｉＣ：Ｈ層２、形成時にはジボラン
ガス又はホスフィンガスの供給を止めればよい。シリコ
ン化合物と炭素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整
することによって、所望の組成比及び光学的エネルギー
ギャップを有するａ−８ｈ−ｘＣｘ：Ｈ（例えばＸが０
．９程度のものまで）を析出させることができ、オた析
出するａ−８ｉＣ：Ｈの電気的特性にさほどの影響を与
えることなく、１０００久／ｍｉｎ以上の速度でａ−８
ｉＣ：Ｈを堆積させることが可能である。更に、ａ−８
ｔ：Ｈ（上記の感光層３）を堆積させるには、炭素化合
物を供給しないでシリコン化合物をグロー放電分解すれ
ばよい。

上記の各ａ−ｓｔｃ：Ｈ層ともに、水素を含有すること
が必要であるが、水素を含有しない場合には感光体の電
荷保持特性が実用的なものとはならないからである。こ
のため、水素含有量は１〜４０ａｔｏｍｉｃ９ｇ　（更
には１０〜３０　ａｔｏｍｉｃチ）とするのが望ましい
。光導電層３中の水素含有量は、ダングリングボンドを
補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必
須不可欠であって、通常は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％で
あシ、３．５〜２０　ａｔｏｍｉ　ｅ　＊であるのがよ
シ望ましい。

このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、特
にａ−８ｉＣ：Ｈ層５に関しホスフィンガス又はジボラ
ンガスとシリコン化合物ガス（例えばモノシラン）の流
量比を適切に選ぶことが必要である。

＃１３図には、ａ−８ｉＣ二Ｈ層５の形成に際しｐＨ５
（ホスフィン）と５ｉＨ４（モノシラン）との流量比（
目盛は対数目盛）を変えた場合の同層の暗抵抗（ρＤ）
の変化が示されている。ＰＨＩＫよるリンドープの結果
、ρＤが低下するが、これは本来Ｎ型化しているａ−８
ｉＣ：Ｈがリンによって更に高不純物濃度となってＮ　
型化することを示している。

これによって、上記した基板からのキャリアの注入を充
分に防止できるブロッキング層となることが分った。リ
ンドープ量を増やしてＮ　型化する如きヘビードーピン
グを行なうに鉱、ＰＨｓ／ＳｉＨ４の流量比は１００〜
１０，０００　ｐｐｍ　Ｋすることが望ましいえ 第４図には、ａ−８ＩＣ：Ｈ層５に不純物（ＩＩＩＡ族
）ドーピングを行なった場合において、ジボランとモノ
シランとの流量比（目盛は対数目盛）による暗抵抗（ρ
Ｄ）の変化が示されている。一般にノンドープのａ−８
ｔＣ：Ｈは幾分Ｎ型化された導電型を示スカ、ボロンを
ドープすると不純物が相殺（ｃｍｍｐｅｎ＋５ａｔｉｏ
ｎ　）されてゆき、実質的に真性化された状態となり、
更にポロンドーピング量を増やし、ＢＡＨ＠／　５ｉＨ
ａ流量比が１００　ｐｐｍを越えると今度はＰ型に変換
される。第４図の結果によれば、本発明の目的を遠鳴す
る上で流量比（Ｂ！Ｈｓ／５ｉＨ４）を適切に選択すれ
ば、ａ−８ｉＣ：ＨをＰ型（更に社Ｐ＋型）化すること
ができる。

ａ−８ｉＣ：Ｈ層５のり／又はボロン含有貴社適切に選
択する必要があり、ホスフィン又はジボランの流量で表
わしたときに第３図及び第４図からＰＨｓ／５ｉＨ４＝
１００〜１０，０００ｐｐｍ、　ＢｔＨｓ／５ｉＨ４＝
１００〜１００，０００　ｐｐｍであるのが望ましい。

上記した如く、本実施例による感光体は、不純物ドーピ
ングによりてＮ　型又はＰ型化されたａ−８ｉＣ：Ｈ層
５と、ａ−３ｉＣ：Ｈ層２及びａ−８ｉ：Ｈ層３とを具
備しているので、これらの各層の組合せによって感光体
の表面電位保持性、暗抵抗、更には帯電特性が相乗的に
向上したものとなっている。

第５図は、本発明による感光体を蒸着法によシ作成する
のに用いる蒸着装置を示すものである。

ペルジャー４１社、バタフライバルブ４２を有する排気
Ｗ４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜ＩＦ’
　Ｔｏｒｒの高真空状態とし、当該ペルジャー４１内に
は基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１５
０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱する
と共に、直流電源４６により基板１に０〜−ＩＯＫＶ、
好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、その
出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接
続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び水
素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と
対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及びアルミニウ
ム又はアンチモン蒸発源４９を加熱すると共に各上方の
シャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウム又はア
ンチモンをその蒸発速度比が例えば１　：　０．０１〜
０．２となる蒸発速度で同時に蒸発させ、かつペルジャ
ー４１内へ、放電管５０によル活性化されたメタンガス
を導入し、これによシアルミニウム又はアンチモイ） ンを所定量含有するＮ　又はＰ型ａ−８ｉＣ：Ｈ層５（
第１図参照）を基板４上に形成する。ａ−ｓｔｃ：Ｈ層
２及び４の形成時は、アルミニウムの蒸発を止めればよ
い。また、ａ−８ｉ：Ｈ層３の形成時はアルミニウムや
アンチモンとメタンガスの供給を停止する。

上記の放電管４７、（資）の構造を例えば放電管４７に
ついて示すと、第６図の如く、ガス人口６１を有する筒
状の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を
一端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製
の放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に
設けた、出口田を有するリング状の他方の電極部付印と
より成り、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材間
との間に直流又は交流の電圧が印加されることによシ、
ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが放電
空間Ｂにおいてグロー放電を生じ、これにより電子エネ
ルギー的に賦活された水素原子若しくは分子よ構成る活
性水素及びイオン化された水素イオンが出口田よシ排出
される。この図示の例の放電空間部材６４は二重管構造
であって冷却水を流通せしめ得る構成を有し、６７、艶
が冷却水入口及び出口を示す。ωは一方の電極部材６２
の冷却用フィンである。上記の水素ガス放電管４７４Ｃ
おける電極間距離社１０〜１５倒であり、印加電圧は６
００Ｖ、放電空間６３の圧力社１０４’ｌ’ｏｒｒ程度
とされる。

この第５図及び第６図の蒸着装置により作成される感光
体においても、ａ−８ｉＣ：Ｈ層５社アルミニウム又ハ
アンチモンのドーピングによりてＰ型又はＮ＋型化され
ている。このためには、蒸着時にシリコン蒸気に対しア
ルミニウム又はアンチモン蒸発源ボラン （後者）にするのがよい。

次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。

表面改質［４ この表面改質層４は感光体の表面を改質して＊−ｇｉ系
悪感光体実用的に優れたものとするために不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。従って、帯電、光減衰の繰返
し特性が非常に安定となり、長期間（例えば１力月以上
）放置しておいても良好な電位特性を再現できる。これ
に反し、ａ−８ｉ：ＩＩを表面とした感光体の場合には
、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電位
特性の経時変化が著しくなる。また、５ｉＱ２等の無機
質は表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニング
等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱性も良いこ
とから粘着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用す
ることができる。

また、上記の表面改質層として、８１０．ＳｉＯ２、Ａ
ＬｚＯｓ、Ｔａ２ｅｓ、　Ｃｅｎｔ、Ｚｒ０ｔ、Ｔｉｌ
！、ＭｇＯ１ＺｎＯ，ＰｂＯ，Ｓｎｏｗ、ＭｇＦ２、Ｚ
ｎＳからなる群より選ばれた少なくとも１種からなるも
のが使用可能である。

ａ−８ＬＣＩＨ層２ このａ−８ｉＣ：Ｈ層２は電位保持及び電荷輸送の両機
能を担い、暗所抵抗率が１０′２Ω−υ以上あって、耐
高電界性を有し、単位膜厚当ｆｉＫ保持される電位が高
く、しかも感光層３から注入される電子またはホールが
大きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率よく支
持体１側へ輸送する。また、炭素の組成によってエネル
ギーギャップの大きさを調節できるため、感光層３にお
いて光照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作る
こと）く、効率よ七注入させることができる。従ってこ
のａ−ｓｉｃ：ｎ層２は実用レベルの高い表面電位を保
持し、ａ−８１：Ｈ層３で発生した電荷担体を効率良く
速やかに輸送し、高感度で残留電位のない感光体とする
働きがある。

こうした機能を果すために、＊−８ｉＣ：Ｈ層２の膜厚
は、例えばカールソン方式による乾式現儂法を適用する
ためＫは５０００　Ｘ〜８０μｍであることが望ましい
。この膜厚が５０００　Ｘ未満であると薄すぎるために
現像に必要な表面電位が得られず、また８０１１ｍを越
えると表面電位が高くなって付着したトナーの剥離性が
悪くなり、二成分系現像剤のキャリアも付着してしまう
。但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚は、Ｓｅ感光体と比
較して薄くしても（袖えば十数μｍ）実用レベルの表面
電位が得られる。

また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層２をｈ−８ｉｔ−ｘＣｘ：
Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原子含有
量が１０　ａｔｏｍｉｃチ〜９０　ａｔｏｍｉｃチ、好
ましくは３０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　）とするのが
望ましい。０．１≦Ｘとすればａ−８ｉ：Ｈ層３とは全
く異にったものにでき、また０、９　（ｘとすれば層の
殆んどが炭素になり半導体特性が失なわれる他に製膜時
の堆積速度が低下し、これらを防ぐためにはＸ≦０．９
とするのがよいからである。またこのａ−８ｉ：Ｈ層３
にはボロン等の第■Ａ族元素が含有され、高抵抗化され
てもよい。

ブロッキング層５ この層５は基板１からのキャリア（ホール又は電子）の
注入を充分に阻止し得るエネルギーギャップを基板との
間に形成しているので、キャリア注入による電荷の中和
現象をなくし、表面電位の保持、ひいては帯電特性を良
好に保持する働きがある。このために、ａ−８ｉＣ：Ｈ
層５は上述した如く不純物ドープによりＮ＋型化又父性
型化していることが重要である。また、その膜厚も５０
Ｘ〜５０００　Ｘ　Ｋ選択するのがよい。５０Ｘ未満で
は効果がなく、５０００　Ｘを越えると却って電荷輸送
性が低下し易い。また、その炭素含有量は上記ａ−８ｉ
Ｃ：１１層２と同様Ｋ　１０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％
であるのがよい。

ＲＳｌ：Ｈ層（光導電層又は感光層） このａ−８ｉ：Ｈ層３は、可視光及び赤外光に対して高
い光導電性を有するものであって、第７図に示す如く、
波長６５０　ｎｍ付近での赤色光に対しρＤ／ρｂが最
高〜１０４となる。このａ−８ｉ：Ｈを感光層とし７て
用いれば、可視領域全域及び赤外領域の光に対して高感
度な感光体を作成できる。可視光及び赤外光を無蛙なく
吸収して電荷担体を発生させるためには、ａ−８ｉ：Ｈ
層３の膜厚は２５００Ｘ〜１０μｍとするのが望ましい
。膜厚が２５００　Ｘ未満であると照射された光は全て
吸収されず、一部分は下地のａ−８ｉＣ：Ｈ層２に到達
するために光感度が大幅に低下する。また、ａ−８ｉ：
Ｈ層３は感光層として光吸収に必要な厚さ以上に厚くす
る必要はなく、量大１６μｍとすれば充分である。

以上に説明した例においては、ダングリングボンドを補
償するためには、ａ−８ｉ＆Ｃ対しては上記したＨの代
りに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｔ：
Ｆ、　　＠−８ｉ：Ｈ：Ｆ、　ａ−８ＩＣ：Ｆ、　ａ　
−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフッ
素量は０．０１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％がよく、０．
５〜１０　ａｔｏｍｉｃチがよシ望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法又祉蒸着法罠
よるものであるが、これ以外にも、スパッタリング法、
イオンブレーティング法等によっても上記感光体の製造
が可能である。゛使用する反応ガ哀はＳｉＨ４以外にも
Ｓｉ＊ｌ（ｓ、５ｉＨＦｓ又はその誘導体ガス、ＣＨ４
以外のＣ２Ｈ＠、Ｃ５Ｈｓ等の低級炭化水素ガスが使用
可能である。更に、ドーピングされる不純物は上記のボ
ロン、アルミニウム以外にもガリウム、インジウム等の
他の周期表第■Ａ族元素、リン以外のヒ素、アンチモン
等の他の周期表第ＶＡ族元素が使用可能である。

次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。　　　　　　□集施例１ グロー放電分解法によｐＡｔ支持体上に第１図の構造の
電子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清浄
なＡｔ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に設
置した。反応槽内を１Ｏ−６’ｌ’ｏｒｒ台の高真空度
に排気し、支持体温度を２００℃に加熱した後高純度Ａ
ｒガスを導入し、Ｑ、５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数
１３．５６　ＭＨｚ　、電力密度０．０４Ｗ／−の高周
波電力を印加し、１５分間の予備放電を行った。次いで
、５ｋＨａとＣＨ４からなる反応ガスを導入し、流量比
３　ｍ　１　ｍ　０．５の（Ａｒ　＋　５ｉｎ４＋ＣＨ
４）混合ガス及びＰＨ３又はＢ２Ｈ１１ガスをグロー放
電分解することにより、キャリア注入を防止するａ−８
ｉＣ：Ｈ層、更にはＰＨｓ又はＢ２Ｈｓガスは供・給せ
ず（Ａｒ　＋　ＳｉＨ４＋　ＣＨａ　）混合ガス電位保
持及び電荷輸送機能を担うａ−８ｉＣ：Ｈ層を２μｍ／
時の堆積速度で製膜した。反応槽を一旦排気した後、Ｃ
ＨＡ　線供給せず、ＡｒをキャリアガスとしてＳ　ｉＨ
ｎ及びＢ２Ｈ１１を放電分解し、ボロ／ドープドａ−８
ｉ二Ｈ感光層を形成した後、表面改質層を更に設け、電
子写真感光体を完成させた。

このようにして作製した感光体に、各極性で６ＫＶのコ
ロナ放電を行ったところ、表面を負又は正電位に帯電さ
せた。６秒間の暗減衰の後、ｆｌｕｘの光照射によシ表
面電位はほぼ直線的に減衰した。

この時の半減露光量は少なく、残留電位はほとんどなく
、帯電・露光の繰返し特性も非常に良好であった。

比較例１ 反応ガスとしてＰＨ３又はＢ２Ｈｓガスを混合しない以
外は実施例１と同様な製法により、Ａｔ支持体上にａ−
８ｉＣ：Ｈ層５を製膜した。この感光体を用いて実施例
１と同様のテストを行った。この結果、帯電電位が低く
、暗減衰が大きく、像形成時の性能は最高画像濃度が低
かった。

以上の本発明による感光体及び比較用感光体（共にグロ
ー放電法によるもの）を川口電気社製エレクトロメータ
、及びＵ−ＢｉｘＶ−２改造機による性能テストを行な
りた結果を下記表に示した。

但、これらの各試料においては、表面改質層は膜厚１ｓ
ｏｏＡのＡｔ２Ｏｓ層、光導電層線膜厚１μｍのボロ／
ドープドａ−８ｉ：Ｈ層（形成時のＢｔｕｓ／Ｓｉ［４
＝　１００　ｐｐｍ　、　ρ０　＝　２．１　Ｘ　１０
”Ω−ｄ）、電位保持層は炭素原子含有量２０　ａｔｏ
ｍｉｃチ、膜厚１５μｍのａ−８ＩＣ：Ｈ層、基板はア
ルミニウム層からな）、ブロッキング層の膜厚は２００
０にであった。

なお、上記表中、静電特性のＶは初期帯電電位、ΔＶ／
Ｖは帯電終了６秒後の電荷の暗減衰率、Ｅ１／２は半減
露光量（単位：　１．ｕｘ　ｍ　ｓｅｅ　）、ＶＲは残
留電位を示す。

この結果から、本発明による感光体は、帯電電位が充分
であってその暗減衰率が少なく、しかも高感度であるこ
とが分る。更に、多数枚の繰返しコピーにおいても、鮮
明な高濃度画偉が得られることが分った。これに対し、
比較例のものでは、電位、暗減衰等が悪く、繰返し特性
も著しく劣ることが分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第２図は上記感光体を製造
するグロー放電装置の概略断面図、 第３図はドープドａ−８ｉＣ：Ｈな製膜するときのＰ）
（ｓ／　５ｉｆ４流量比による暗抵抗変化を示すグラフ
、 第４図はドープドａ−８ｉＣ：Ｈを製膜するときのＢ２
Ｈ６／ＳｉＨ４流量比による暗抵抗変化を示すグラフ、 第５図は蒸着装置の概略断面図、 第６図は放電部の断面図、 第７図はａ−８ｉ：Ｈ及び各組成のａ−８ｉＣ：）（の
光導電性を示すグラフ である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・支持体（基板） ２・・・・・・・・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（電位保持層）
・３・・・・・・・・・ａ−８ｉ：Ｈ感光層（光導電層
）４・・・・・・・・・表面改質層 １１・・・・・・・・・グロー放電装置１７・・・・・
・・・・高周波電極 ３１・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３
２・・・・・・・・・ガス状炭素化合物供給源３３・・
・・・・・・・キャリアガス供給源あ・・・・・・・・
・ＢＩＩＨ６又ｔｉＰＨ３供給源４１・・・・・・・・
・蒸着槽 ４７、関・・・・・・・・・放電部 ４８・・・・・・・・・シリコン蒸発源４９・・・・・
・・・・アルミニウム又はアンチモン蒸発源である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　　宏 −ゝ 第１　図 ＠３０ □　、　ＰＨａム昭ｐｐｍ） 第４０ ８′”’　／ｓｉｓ＋　（ｐｐ−） ３ 第６日 第１頁の続き ０発　明　者　明官功 日野型さくら町１番地小西六写 真工業株式会社内 １醒 印引手続補正書 昭和５８年４月２４日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 １、事件の表示 昭和５７年　　特許　願第１０２４１８号２、発明の名
称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、？！正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明細書第８頁１４行目のｒ　５０００人」を「
１μｍ」と訂正します。 （２）、同第８頁末行のｒ　５０００人」をｒ　２５０
０人」と訂正します。 （３）、同第１２頁１２行目の「３．５〜２０Ｊを「１
０〜３０」と訂正します。 （４）、同第１４頁９行目のｒｐｐｍＪをｒｐｐｍ　　
（更には２００〜２０００ｐｐｍ　）　Ｊと訂正します
。 （５）、同第１８頁１１行目のｒＺｎＳ　ｊをｒＺｎｓ
　、　ａ　−３ｉＣ：Ｈ（又はＦ）Ｊと訂正します。 一以　上− （自引手続補正書 昭和５８年５月ＩＯ日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 １、事件の表示 昭和５７年　　特許　願第１０２４１８号２、発明の名
称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明細書第９頁１０行目のｒａ−３ｉＣｊをｒａ
　−５ｉＣ：Ｎ　Ｊと訂正します。 （２）、同第１０頁下から４行目の「ガス」を削除しま
す。 （３）、同第１５真下から７行目のｒｌ：０．０１〜０
．２」をｒ　１　ｉ　０．０１Ｊと訂正します。 （４）、同第１８頁１１行目の「からなる群」を［、ａ
　−３ｉＮ　　：Ｈ（又はＦ）からなる群」と訂正しま
す。 （５〉、同第２０頁２〜３行目の「、好ましくは３０〜
９０　　ａｔｏｍｉｃ　　％」を削除します。 （，６）、同第２０頁８〜１０行目の［また・・・・・
・・・・されてもよい。」を削除します。 （７）、同第２０頁頁末のｒ　５ｏｏｏ人」を［１μｍ
（好ましくは４００〜５０００人）」と訂正します。 （８）、同第２１頁１行目のｒ　５０００人」をｒ１μ
ｍＪと訂正します。 （９）、同第２２頁１１行目のｒｓｉＨＦ３Ｊをｒｓｉ
ＨＰ　ａ、Ｓｉｒ手　」と訂正します。 （１０）　、同第２２頁１２〜１３行目の「低級炭化水
素ガス」を「低級炭化水素ガスやＣＦ４Ｊと訂正します
。 （１１）　、同第２２頁頁末の「実施例１」を「実施例
」と訂正します。 （１２）　、同第２３頁ＩＯ行目のｒａ　Ｆ　１　ｊｏ
、５　Ｊをｒ２　：　１　：０．８　Ｊと訂正します。 （１３）　、同第２３頁１４行目のｒ　（Ａ　ｒ　＋Ｓ
ｉＨ４＋ＣＨ◆）混合ガス」を削除します。 （１４）　、同第２３頁下から３行目の［及び・・・・
・・・・・ａ−Ｓｉを［を放電分解し、ａ−５目と訂正
します。 （１５）　、同第２３頁下から２行目の「表面改質層」
を［無機物質からなる表面改質層」と訂正します。 （１６）　、同第２４頁８行目の「比較例１」を「比較
例」と訂正します。 （１７）　、同第２４頁９〜１１行目の［反応ガス・・
・・旧・・製膜した。Ｊを［実施例１においてブロッキ
ング層としてのａ−３ｉＣ！Ｈ層５を形成せず、他は実
施例１と同様にして感光体を作成した。Ｊと訂正します
。 （１Ｂ）　、同第２５頁に記載した表を下記の通りに訂
正します。 記 「 （１９）　、同第２５頁下から５〜４行目の「ボロンド
ープド・・・・・・・・・Ω−（至））」を「ａ−５ｉ
：’Ｈ層Ｊと訂正します。 （２０）　、同第２５頁下から３行目のｒ２０　ａｔｏ
ｍｉｃ％ＪをｒｌＯａ、ｔｏ＋ｗｉｃ％」と訂正します
。 −以　上−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の導電型を付与し得る不純物を高濃度に含有す
   るアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン
   からなるブロッキング層と、アモルファス水素化及び／
   又はフッ素化炭化シリコンからなる電位保持層と、アモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる光
   導電層と、無機物質からなる表面改質層とが基体上に順
   次積層せしめられた積層体によりて構成されていること
   を特徴とする記録体。 ２、ブロッキング層が周期表第ＶＡ族元素の含有によっ
   でＮ　Ｗの導電型を示している、特許請求の範囲の第１
   項に記載した記録体。 ３、ブロッキング層が周期表第１１１Ａ族元素の含有に
   よってＰ型の導電型を示している、特許請求の範囲の第
   １項に記載した記録体。 ４、シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供給
   する第１の反応ガスに対し、周期表第ＶＡ族元素を供給
   する第２の反応ガスを１００〜１０，０００ｐｐｍの濃
   度で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめ
   てアモルファス水素化及び／父性フッ素化炭化シリコン
   からなるＮ　型ブロッキング層が形成される、特許請求
   の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した記録
   体。 ５、　シリコン及び水素原子及び／又拡フッ素原子を供
   給する第１の反応ガスに対し、周期表第ｍＡ族元素を供
   給する第２の反応ガスを１００〜１００，０００ｐｐｍ
   の濃度で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せ
   しめることによってアモルファス水素化及び／又はフッ
   素化炭化シリコンからなるＰ型ブロッキング層が形成さ
   れる、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項
   に記載した記録体。 ６、シリコン蒸気に対し、周期表第ＶＡ族元索の蒸気を
   １００〜１０，０００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子及
   び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行ガうことＫよっ
   て、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ンからなるＮ　型ブロッキング層が形成される、特許請
   求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した記
   録体。 ７、シリコン蒸気に対し、周期表第１１［Ａ族元素の蒸
   気を１００〜１００，０００　ｐｐｍの濃度にし、水素
   原子及び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なうこと
   Ｋよって、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコンからｋるＰ型ブロッキング層が形成される、特
   許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載し
   た記録体。 ８、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ンからなるブロッキング層の厚みが５０Ｘ〜１μｍであ
   る、特許請求の範囲の第１項〜第３項項のいずれか１項
   に記載した記録体。 ９、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ン層からなるブロッキング層の厚みが４００Ｘ〜５００
   ０　Ｘである、特許請求の範囲の第８、項に記載した記
   録体。 １０、ブロッキング層及び電位保持層の炭素原子含有量
   が１０ａｔｏｍｉｃ％−９０ａｔｏｍｉｅ％である、特
   許請求の範囲の第１項〜第９項のいずれか１項に記載し
   た記録体。 １１、表面改質層が、５ｉｎＳＳｉｆｔ、ＡｔｚＯｓ、
   Ｔａ＊Ｏｓ。 Ｃｅ０ｚ、ｚｒＯ２，７ｉＱ２、ＭｇＯ１ＺｎＯ，Ｐｂ
   Ｏ，Ｓｎｏｗ、ＭｇＦｚ、ＺｎＳ　からなる群より選ば
   れた少なくとも１種からなる、特許請求の範囲の第１項
   〜第１０項のいずれか１項に記載した記録体。