JPS5986052A - 記録体 - Google Patents
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- JPS5986052A JPS5986052A JP9866682A JP9866682A JPS5986052A JP S5986052 A JPS5986052 A JP S5986052A JP 9866682 A JP9866682 A JP 9866682A JP 9866682 A JP9866682 A JP 9866682A JP S5986052 A JPS5986052 A JP S5986052A
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- JP
- Japan
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- layer
- thickness
- silicon carbide
- fluorinated silicon
- amorphous hydrogenated
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は記録体、例えば光電素子、電子写真感光体等の
静電記録体に関するものである。
静電記録体に関するものである。
従来、電子写Ｘ感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
Ｔｅ 、 Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。
Ｔｅ 、 Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。
しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性”１７機械的強度の点で問題がめる。
性”１７機械的強度の点で問題がめる。
一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと称する
。）を母体として用いた電子写真ｔＷ光体が近年になっ
て提案されている。 ａ −Ｓｉは、５ｔ−８ｉの結合
手が切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、
この欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在
準位が存在する。 このために、熱励起１ｕ体のホッピ
ング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局
在準位にトラップされて光導軍団が悪くなっている。
そこで、上記欠陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＩ
Ｉを結合させることによって、ダングリングボンドを埋
めることが行われる。
。）を母体として用いた電子写真ｔＷ光体が近年になっ
て提案されている。 ａ −Ｓｉは、５ｔ−８ｉの結合
手が切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、
この欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在
準位が存在する。 このために、熱励起１ｕ体のホッピ
ング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局
在準位にトラップされて光導軍団が悪くなっている。
そこで、上記欠陥を水素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＩ
Ｉを結合させることによって、ダングリングボンドを埋
めることが行われる。
このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−のであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。 従って、ａ−８ｉ：ＩＩの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を治している。
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−のであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。 従って、ａ−８ｉ：ＩＩの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を治している。
しかし他方では、可視及び赤外領域の光をＩＫｔ Ｄ−
３すると抵抗率が大きく減少するため、ノ：も光体の感
光層として極めて優れた特性を有している。
３すると抵抗率が大きく減少するため、ノ：も光体の感
光層として極めて優れた特性を有している。
まだ、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に暇されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の彩管等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。 例え（
／１１カ月以上放置し）こものは湿気の影響を受け、受
容電位が著しく低下することが分っている。 一方、ア
モルファス炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：Ｈと称す
る。）について、その製法〜や存在が＃ Ｐｈ１１．
Ｍａｇ、Ｖｏｌ、 ３５ ｙ （１９７Ｂ ）等に記
載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高
いこと、ａ−８ｉ：Ｉ−１と比−幀して高い暗所抵抗率
（１０１２〜１０１３Ω−α）を有すること、炭素量に
よシ光学的エネルギーギャップが１６〜２．８ｅＶの範
囲に亘って変化すること等が知られている。
て大気や湿気に暇されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の彩管等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。 例え（
／１１カ月以上放置し）こものは湿気の影響を受け、受
容電位が著しく低下することが分っている。 一方、ア
モルファス炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：Ｈと称す
る。）について、その製法〜や存在が＃ Ｐｈ１１．
Ｍａｇ、Ｖｏｌ、 ３５ ｙ （１９７Ｂ ）等に記
載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高
いこと、ａ−８ｉ：Ｉ−１と比−幀して高い暗所抵抗率
（１０１２〜１０１３Ω−α）を有すること、炭素量に
よシ光学的エネルギーギャップが１６〜２．８ｅＶの範
囲に亘って変化すること等が知られている。
こうし九ａ−３ｉＣ：ｆ（とａ−８ｉ：１ｉとを組合せ
だ電子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号に
おいて提案されている。 これによれば、ａ−８ｉ：■
（層を感光（光導電）層とし、この受光面上に第１０ａ
−８ｉＣ：Ｈ層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の感光体と
している。
だ電子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号に
おいて提案されている。 これによれば、ａ−８ｉ：■
（層を感光（光導電）層とし、この受光面上に第１０ａ
−８ｉＣ：Ｈ層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の感光体と
している。
本発明者は、こうした３層、１１４造Ｏもつ！（イ長を
生かし、かつその各層の厚み、成分等について従来なさ
れなかった検討を加えつつ、前記ａ −ＳｉＣ：Ｈから
成る高抵抗層と組合式れる光導′１石、層を独得な組成
に形成することによってその比抵抗を充分に高め、記録
体として満足すべき暗抵抗を付与することに成功し、本
発明に到達したもので必る。
生かし、かつその各層の厚み、成分等について従来なさ
れなかった検討を加えつつ、前記ａ −ＳｉＣ：Ｈから
成る高抵抗層と組合式れる光導′１石、層を独得な組成
に形成することによってその比抵抗を充分に高め、記録
体として満足すべき暗抵抗を付与することに成功し、本
発明に到達したもので必る。
叩ち、本発明による記録体は、第２のアモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ
：Ｔ（）層と、アモルファス水素化及び／又はフッ素化
シリコン（例えばａ−８ｔ：Ｈ）からなる光導電層と、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン（例えばａ−８ｊＣ：Ｈボロン、アルミニウム）が
含有せしめられることによって、当該光／ｊ人？ｄ層の
暗抵抗率を１０１０Ω−ζｎ以上に高めることにより光
導電層の面方向の電荷のリークに基＜１元位の減夏を防
止ル、さらに（住ｊ盛度の向上をｉｌす、結果的に仰形
成に必要な高祇抗且つ）’ｃ６感・度の記録体を待るご
とを特徴とするものである。
化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ
：Ｔ（）層と、アモルファス水素化及び／又はフッ素化
シリコン（例えばａ−８ｔ：Ｈ）からなる光導電層と、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン（例えばａ−８ｊＣ：Ｈボロン、アルミニウム）が
含有せしめられることによって、当該光／ｊ人？ｄ層の
暗抵抗率を１０１０Ω−ζｎ以上に高めることにより光
導電層の面方向の電荷のリークに基＜１元位の減夏を防
止ル、さらに（住ｊ盛度の向上をｉｌす、結果的に仰形
成に必要な高祇抗且つ）’ｃ６感・度の記録体を待るご
とを特徴とするものである。
以下、本発明をＩｇ＜１面に基いて詳細に例示する。
不発１ｙ」による感光体は、例えば第１図に示す如く、
導電性文句）、（、Ｉｋ−１上に」二記第２のａ Ｓ
ｉＣ：Ｈ層２、上記不純物ドープドａ ３ｉ：Ｉ■（光
導電）層３、」二石己第１のａ Ｓａｃ ： １４Ｊ
咎４が用α次Ｊ占層ぜしめられたものからなっている。
導電性文句）、（、Ｉｋ−１上に」二記第２のａ Ｓ
ｉＣ：Ｈ層２、上記不純物ドープドａ ３ｉ：Ｉ■（光
導電）層３、」二石己第１のａ Ｓａｃ ： １４Ｊ
咎４が用α次Ｊ占層ぜしめられたものからなっている。
第２のａ ５ｒＣ＝Ｈ層２は主として電位保持、電
狗輸送及び基板１に対する接着性向上の各機能を有し、
５０００ Ｘ〜８０μｍ（よシ望ましくは５μｍ〜２０
μｍ）の厚みに形成されるのがよい。 光導電層３は光
照射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるもので
あって、ソノ厚ミ（ｄ ２５００ Ａ 〜１０ μｍ
（％ Ｋ ５０００ Ａ〜５ Ｉ’ｍ ）であるのが望
ましい。 更に、第１のａ −ＳｉＣ： Ｈ層４はこの
感光体の表面電位特性の改善、長期に亘る′に位特性の
保持、耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生
成される化学種の影響防止）、表面硬度が高いことによ
る耐刷性の向上、感光体使用時の面１熱性の向上、熱転
写性（特に粘着転写性）の向上等の機能を有し、いわば
表面改質層として働くものである。 この第１のａ−８
ｉＣ： Ｈ層４の厚みは５０Ａ〜２０００Ａ、望捷しく
は４ｏｏＸ〜１６００ Ａと薄くすることが重要である
。
狗輸送及び基板１に対する接着性向上の各機能を有し、
５０００ Ｘ〜８０μｍ（よシ望ましくは５μｍ〜２０
μｍ）の厚みに形成されるのがよい。 光導電層３は光
照射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるもので
あって、ソノ厚ミ（ｄ ２５００ Ａ 〜１０ μｍ
（％ Ｋ ５０００ Ａ〜５ Ｉ’ｍ ）であるのが望
ましい。 更に、第１のａ −ＳｉＣ： Ｈ層４はこの
感光体の表面電位特性の改善、長期に亘る′に位特性の
保持、耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生
成される化学種の影響防止）、表面硬度が高いことによ
る耐刷性の向上、感光体使用時の面１熱性の向上、熱転
写性（特に粘着転写性）の向上等の機能を有し、いわば
表面改質層として働くものである。 この第１のａ−８
ｉＣ： Ｈ層４の厚みは５０Ａ〜２０００Ａ、望捷しく
は４ｏｏＸ〜１６００ Ａと薄くすることが重要である
。
この感光体において注目すべきことは、既述した如きａ
−ＳｉＣ／ ａ −Ｓｉ ： Ｈ／ ａ −ＳｉＣの
積層構造のもつ特長を具備するだけでなく、光導電層と
してのａ−８１：Ｈ層３が周期律表第ＨＡ族元素のドー
ピングによって当該光導電層の暗抵抗率ρＤが１ｏ１０
Ω−ｍ以上に高められていることである。 このように
第１及び第２のａ ＳｉＣ：Ｈからなる高抵抗層を積
層してなせしめる外に不純物ドーピングにより光導電層
の暗抵抗率〜を１０１０Ω−０６以上に設定することは
、本発明者が種々実験を重ねた結果、帯電ｔｄ位を充分
にし、暗減衰率を少なくシ、光感度を高くして実用的に
優れた感光体特性と鮮明な画像をイ４）る土で極めて重
要であり、本発明においてはじめて提案されたものであ
る。 これまでそうし７だ光導電層の暗抵抗率ρＤのコ
ン１−ロールについては充分に検討がなされてはいなか
ったが、仮にρ１）が１０１０Ω−副未満であると画像
濃度が低く、画像かにじんでしまい実用に供しイＵない
感光体しかイ）Ｉられないことが見出されたので４うる
。
−ＳｉＣ／ ａ −Ｓｉ ： Ｈ／ ａ −ＳｉＣの
積層構造のもつ特長を具備するだけでなく、光導電層と
してのａ−８１：Ｈ層３が周期律表第ＨＡ族元素のドー
ピングによって当該光導電層の暗抵抗率ρＤが１ｏ１０
Ω−ｍ以上に高められていることである。 このように
第１及び第２のａ ＳｉＣ：Ｈからなる高抵抗層を積
層してなせしめる外に不純物ドーピングにより光導電層
の暗抵抗率〜を１０１０Ω−０６以上に設定することは
、本発明者が種々実験を重ねた結果、帯電ｔｄ位を充分
にし、暗減衰率を少なくシ、光感度を高くして実用的に
優れた感光体特性と鮮明な画像をイ４）る土で極めて重
要であり、本発明においてはじめて提案されたものであ
る。 これまでそうし７だ光導電層の暗抵抗率ρＤのコ
ン１−ロールについては充分に検討がなされてはいなか
ったが、仮にρ１）が１０１０Ω−副未満であると画像
濃度が低く、画像かにじんでしまい実用に供しイＵない
感光体しかイ）Ｉられないことが見出されたので４うる
。
これに加えて第１図の感光体は上記積層４．ｌｊｔ造か
らなっているので、従来のＳｅ感光体と比較して薄い膜
ｊ９で高い電、位を保持シフ、可視領域及び赤外領域の
光に対して優れた感度を示し、耐熱性、耐刷性が良く、
高画質でかつ安定した対環境性を有するａ−８ｊ系感光
体（例えば電子写真用）を提供することができる。
らなっているので、従来のＳｅ感光体と比較して薄い膜
ｊ９で高い電、位を保持シフ、可視領域及び赤外領域の
光に対して優れた感度を示し、耐熱性、耐刷性が良く、
高画質でかつ安定した対環境性を有するａ−８ｊ系感光
体（例えば電子写真用）を提供することができる。
次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置（グロー放電装置）を第２図について説明する。
置（グロー放電装置）を第２図について説明する。
この装置１１の真空槽１２内では、基板１が基板保持部
１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所定温度に
加熱し得るようになっている。 基板１に対向して高周
波電極１７が配され基板１との間にグロー放電が生ぜし
められる。 なお、図中の２０．２１．２２．２３．２
４．２７．２８．２９．３０．３５．３６．３８は各パ
ルプ、３１はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給
源、３２はＣＨ４又はガス状炭素化合物の供給源、３３
はＡｒ又はｉｈ等のキャリアガヌ供給源、３４は０．１
係アルゴン希釈ジボランガスの供給源である。 このグ
ロー放電装置において、まず支持体である例えばＡｌ基
板１０表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真
空槽１２内のガス圧が１０ ’Ｔｏｒｒとなるようにパ
ルプ３６をＡ節して排気し、かつ基板１を所定温度、例
えば２００°Ｃに加熱保持する。 次いで、高純度の不
活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シ
リコン化合物、及びＣＨ４又はガス状炭素化合物を適当
量希釈した混合ガスを真空槽Ｊ２内に導入し、ｏ、ｏｉ
〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６により高周
波電力を印加する。
１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所定温度に
加熱し得るようになっている。 基板１に対向して高周
波電極１７が配され基板１との間にグロー放電が生ぜし
められる。 なお、図中の２０．２１．２２．２３．２
４．２７．２８．２９．３０．３５．３６．３８は各パ
ルプ、３１はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給
源、３２はＣＨ４又はガス状炭素化合物の供給源、３３
はＡｒ又はｉｈ等のキャリアガヌ供給源、３４は０．１
係アルゴン希釈ジボランガスの供給源である。 このグ
ロー放電装置において、まず支持体である例えばＡｌ基
板１０表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真
空槽１２内のガス圧が１０ ’Ｔｏｒｒとなるようにパ
ルプ３６をＡ節して排気し、かつ基板１を所定温度、例
えば２００°Ｃに加熱保持する。 次いで、高純度の不
活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シ
リコン化合物、及びＣＨ４又はガス状炭素化合物を適当
量希釈した混合ガスを真空槽Ｊ２内に導入し、ｏ、ｏｉ
〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６により高周
波電力を印加する。
これによって、上記各反応ガスをグロー放電分解し、水
素を含むａ−８ｉＣ：Ｈを上記の層２（更には４）とし
て基板１上に堆積させる。 こつ際、シリコン化合物と
炭素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整することに
よって、所望の組成比及び光学的エネルギーギャップを
有するａ−３ｉｘ−ｘＣｘ：Ｈ（例えばＸが０．９８度
のものまで）を析出させることができ、廿た析出するａ
−ＳｉＣ： ＩＩの電気的特性にさほどの影響を寿え
ることなく、１０（１０Ａ ／ｒｎｉｎ以１の速度でａ
−８ｉＣ：Ｈを堆積さぜることか可能である。 更に、
ａ−３ｔ：Ｈ（上記の／＋’ｌ！ｉｉ光層３）を堆積さ
せるには、炭素化合物を供給しないでシリコン化合物と
共に周期律表７ ＩＩＩ Ａ族元素のガス状化合物、例
えばＢ２Ｈ＊を適当）ｉ添加し、両ガスをグロー放電分
解しているので、ａ−８ｔ：Ｈの光導電性の向上と共に
その高抵抗化も図れる。
素を含むａ−８ｉＣ：Ｈを上記の層２（更には４）とし
て基板１上に堆積させる。 こつ際、シリコン化合物と
炭素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整することに
よって、所望の組成比及び光学的エネルギーギャップを
有するａ−３ｉｘ−ｘＣｘ：Ｈ（例えばＸが０．９８度
のものまで）を析出させることができ、廿た析出するａ
−ＳｉＣ： ＩＩの電気的特性にさほどの影響を寿え
ることなく、１０（１０Ａ ／ｒｎｉｎ以１の速度でａ
−８ｉＣ：Ｈを堆積さぜることか可能である。 更に、
ａ−３ｔ：Ｈ（上記の／＋’ｌ！ｉｉ光層３）を堆積さ
せるには、炭素化合物を供給しないでシリコン化合物と
共に周期律表７ ＩＩＩ Ａ族元素のガス状化合物、例
えばＢ２Ｈ＊を適当）ｉ添加し、両ガスをグロー放電分
解しているので、ａ−８ｔ：Ｈの光導電性の向上と共に
その高抵抗化も図れる。
上記の第１及び第２のａ−８ｉＣ：）Ｉ層ともに、水素
を含有することが必要であるが、水素を含有しない場合
には感光体の電荷保持特性が実用的なものとはならない
からである。 このだめ、水素含有量は１〜４０ ａｔ
ｏｍｉｃ利更には１０〜３０ａｔｏｍｉｃ係）とするの
が望ましい。 光導電層３中の水素含有量は、ダングリ
ングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上さ
せるだめに必須不可欠であって、通常は１〜４０ ａｔ
ｏｍｉｃ係であや、３５〜２Ｏａｔｏｍｉｃ係であるの
がよシ望捷しい。
を含有することが必要であるが、水素を含有しない場合
には感光体の電荷保持特性が実用的なものとはならない
からである。 このだめ、水素含有量は１〜４０ ａｔ
ｏｍｉｃ利更には１０〜３０ａｔｏｍｉｃ係）とするの
が望ましい。 光導電層３中の水素含有量は、ダングリ
ングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上さ
せるだめに必須不可欠であって、通常は１〜４０ ａｔ
ｏｍｉｃ係であや、３５〜２Ｏａｔｏｍｉｃ係であるの
がよシ望捷しい。
このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、特
に光導電層３に門し、ジボランガスとシリコン化合物ガ
ス（例えばモノシラン）トノ流量比を適切に選ぶことが
必要である。 第３図には、１３□ＥＩｓ ／ ＳｉＨ
＜の流量比にょるａ−３ｉ：Ｈ層のＰｏ変化が示されて
いるが、これによれば、上記流量比を２０〜３００ ｐ
ｐｍとすればＰＤを１ｏ１０Ω−ｃｍ以上にでき、本発
明め目的を達成できることが分る。 上記流量比を更に
選択すれば、ａ−８ｉ：Ｈ層３を実質的に真性化してＰ
Ｄを１ｏ１１Ω−ｍ以上、更には１ｏ１２Ω−ｍ以上に
まで高めることができる。 なお、使用する反応ガスの
ｆｆｆａによっては、上記流量比を１０〜５（ｌｏｐｐ
ｍとすることも可能である。
に光導電層３に門し、ジボランガスとシリコン化合物ガ
ス（例えばモノシラン）トノ流量比を適切に選ぶことが
必要である。 第３図には、１３□ＥＩｓ ／ ＳｉＨ
＜の流量比にょるａ−３ｉ：Ｈ層のＰｏ変化が示されて
いるが、これによれば、上記流量比を２０〜３００ ｐ
ｐｍとすればＰＤを１ｏ１０Ω−ｃｍ以上にでき、本発
明め目的を達成できることが分る。 上記流量比を更に
選択すれば、ａ−８ｉ：Ｈ層３を実質的に真性化してＰ
Ｄを１ｏ１１Ω−ｍ以上、更には１ｏ１２Ω−ｍ以上に
まで高めることができる。 なお、使用する反応ガスの
ｆｆｆａによっては、上記流量比を１０〜５（ｌｏｐｐ
ｍとすることも可能である。
第４図は、本発明による感光体を蒸着法により作成する
のに用いる蒸着装置を示すものである０ペルジヤー４１
は、バタフライバルブ４２を有する排気管４３を介して
真空ポンプ（図示せず）を接続し、これにより尚該ベル
ジーｖ ４１内を例えば１０−３〜１０ ’Ｔｏｒｒ
の高真空状態とし、嶋該ペルジャー４１内には基板１を
配置してこれをヒーター４５によシ温度１５０へ−５０
（）０Ｃ１好すしくは２５０〜４５０°Ｃに加熱すると
共に、直流電源４６によシ基板１にＯ〜−１０ＫＶ 、
好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、その
出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接
続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び水
素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と
対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及びアルミニウ
ム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッターＳを
開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速度比が例
えば１：０、Ｏ】〜０．２となる蒸発速度で同時に蒸発
せしめる。
のに用いる蒸着装置を示すものである０ペルジヤー４１
は、バタフライバルブ４２を有する排気管４３を介して
真空ポンプ（図示せず）を接続し、これにより尚該ベル
ジーｖ ４１内を例えば１０−３〜１０ ’Ｔｏｒｒ
の高真空状態とし、嶋該ペルジャー４１内には基板１を
配置してこれをヒーター４５によシ温度１５０へ−５０
（）０Ｃ１好すしくは２５０〜４５０°Ｃに加熱すると
共に、直流電源４６によシ基板１にＯ〜−１０ＫＶ 、
好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、その
出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接
続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び水
素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と
対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及びアルミニウ
ム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッターＳを
開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速度比が例
えば１：０、Ｏ】〜０．２となる蒸発速度で同時に蒸発
せしめる。
これによシアルミニウムドープドａ−３ｉ：Ｈ層３（第
１図参照）を形成する。 また、アルミニウム蒸発源４
９上のシャッターＳを閉じ、ペルジャー４１内へ、放電
管５０によシ活性化されたメタンガスを導入し、これに
よりａ −ＳｉＣ：ＨＪｄ ２．４（第１図参照）を基
板１上に形成する。
１図参照）を形成する。 また、アルミニウム蒸発源４
９上のシャッターＳを閉じ、ペルジャー４１内へ、放電
管５０によシ活性化されたメタンガスを導入し、これに
よりａ −ＳｉＣ：ＨＪｄ ２．４（第１図参照）を基
板１上に形成する。
上記の放電管４７．５０の構造を例えは放電管４７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設
けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６６
とよシ成り、前記一方の’ｒｌｉ、ｔｋ部材６２と他方
の電極部材６６との間に直流又は交流の電圧が印加され
ることによシ、ガス人口６１を介して供給された例えば
水素ガスが放電空間６３においてグロー放電を生じ、こ
れによｌｉ子エネルギー的に賦活された水素原子若しく
は分子よシ成る活性水素及びイオン化された水素イオン
が出口６５より排出される。 この図示の例の放電空間
部材６４は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る
構成を有し、６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。
いて示すと、第５図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設
けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６６
とよシ成り、前記一方の’ｒｌｉ、ｔｋ部材６２と他方
の電極部材６６との間に直流又は交流の電圧が印加され
ることによシ、ガス人口６１を介して供給された例えば
水素ガスが放電空間６３においてグロー放電を生じ、こ
れによｌｉ子エネルギー的に賦活された水素原子若しく
は分子よシ成る活性水素及びイオン化された水素イオン
が出口６５より排出される。 この図示の例の放電空間
部材６４は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る
構成を有し、６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。
６９は一方の電極部材６２の冷却用フィンである。上記
の水ンガス放１ε背４７における電極間距離は１０〜１
５ｃｔｎであシ、印加電圧は６００ Ｖ、放電空間６；
３の圧力は１０ ”Ｔｏｒｒ程）几とされる。
の水ンガス放１ε背４７における電極間距離は１０〜１
５ｃｔｎであシ、印加電圧は６００ Ｖ、放電空間６；
３の圧力は１０ ”Ｔｏｒｒ程）几とされる。
この第４図及びン巴５図の蒸着装置により作成される感
光体においても、ａ−８ｉ：１工層５２１１アルミニウ
ムのドーピングによってρＤが１ｏ１０Ω−Ｏｎ以上（
ぜらには１０１２Ω−ｃｍ以上）高められ（更には実質
的に真性化）されていることが８煩不可欠である。
光体においても、ａ−８ｉ：１工層５２１１アルミニウ
ムのドーピングによってρＤが１ｏ１０Ω−Ｏｎ以上（
ぜらには１０１２Ω−ｃｍ以上）高められ（更には実質
的に真性化）されていることが８煩不可欠である。
このだめには、蒸着時にシリコン蒸気に対しアルミニウ
ム７Ａ ｆｆｉ、を１．ｏ 〜５００ ｐｐＴｌ＋ −
、Ｅには２０〜３ｏｏｐｐｍの（０度にするのがよい。
ム７Ａ ｆｆｉ、を１．ｏ 〜５００ ｐｐＴｌ＋ −
、Ｅには２０〜３ｏｏｐｐｍの（０度にするのがよい。
次に、本発明による感光体の各層を更に詳しくＭ１２四
−１る。
−１る。
第１のａ−ＳｊＣ：ＩＩ層
このａ−８ｉＣ：Ｈ層４は感光体の表面を改質してａ−
Ｓｉ糸感光体を実用的に優れたものとするために８防１
不ｉｉＪ欠なもめである。 即ち、表面での電荷保持と
、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体と
しての基本的な動作を可能とするものである。 従って
、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となシ、長期
間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特
性を再現できる。 これに反し、ａ−８ｉ二Ｈを表面と
した感光体の場合には、湿気、大気、オゾン芥囲気等の
影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。
Ｓｉ糸感光体を実用的に優れたものとするために８防１
不ｉｉＪ欠なもめである。 即ち、表面での電荷保持と
、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体と
しての基本的な動作を可能とするものである。 従って
、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となシ、長期
間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特
性を再現できる。 これに反し、ａ−８ｉ二Ｈを表面と
した感光体の場合には、湿気、大気、オゾン芥囲気等の
影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。
また、ａ−８ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、
転写、クリーニング等の工程における剛摩耗性があシ、
更に耐熱性も良いことがら粘着転写等の如く熱を付与す
るグロセスを適用することができる。
転写、クリーニング等の工程における剛摩耗性があシ、
更に耐熱性も良いことがら粘着転写等の如く熱を付与す
るグロセスを適用することができる。
このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記しだ５ｏＸ〜ｚｏｏ。
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記しだ５ｏＸ〜ｚｏｏ。
Ａの範囲内に選択することが重要である。 即ち、その
膜厚を２０００ Ｘ以上とした場合には、残留電位が高
くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体と
しての良好な特性を失なってし−まり。
膜厚を２０００ Ｘ以上とした場合には、残留電位が高
くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体と
しての良好な特性を失なってし−まり。
また、膜厚を５０Ａ未満とした場合には、トンネル効果
によりて電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の著しい低下が生じてしまう。 従って
、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚は２０００Ａ未満、５０Ａ
以上とするのがよい。
によりて電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の著しい低下が生じてしまう。 従って
、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚は２０００Ａ未満、５０Ａ
以上とするのがよい。
また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層４については、上記した効
果を発揮する上でその炭素組成を選択するととも重要で
あることが分った。 組成比をａ ５ｉｘ−ｘＣｘ：
Ｈと表わせば、Ｘを０．４以上、特に０．４≦Ｘ≦０．
９とすること（炭素原子含有量が４０ ａｔｏｍｉｃ
％〜９０ ａｔｏｍｉｃ ｆ６であること）が望ましい
。 即ち、０．４≦Ｘとすれば、光学的エネルギーギャ
ップがほぼ２．３ ｅＶ以上となシ、第６図に示したよ
うに、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性（但、ρ
Ｄは暗所での抵抗率、ρＬは光照射時の抵抗率であって
、ρＤ／ρＬが小さい稈元導電性が低い）を示さず、い
わゆる光学的に透明な窓効果により殆んど照射光はａ
−Ｓｔ ｒＨ層 （電荷発生層）３に到達することにな
る。 逆にＺ （Ｏ，４であると、一部分の光は表面層
４に吸収され、感光体の光感度が低下し易くなる。 ま
た、Ｘが０．９を越えると層の殆んどが炭素となシ、半
導体特性が失なわれる外、ａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放
電法で形成するときの堆積速度が低下するから、Ｘ≦０
．９とするのがよい。
果を発揮する上でその炭素組成を選択するととも重要で
あることが分った。 組成比をａ ５ｉｘ−ｘＣｘ：
Ｈと表わせば、Ｘを０．４以上、特に０．４≦Ｘ≦０．
９とすること（炭素原子含有量が４０ ａｔｏｍｉｃ
％〜９０ ａｔｏｍｉｃ ｆ６であること）が望ましい
。 即ち、０．４≦Ｘとすれば、光学的エネルギーギャ
ップがほぼ２．３ ｅＶ以上となシ、第６図に示したよ
うに、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性（但、ρ
Ｄは暗所での抵抗率、ρＬは光照射時の抵抗率であって
、ρＤ／ρＬが小さい稈元導電性が低い）を示さず、い
わゆる光学的に透明な窓効果により殆んど照射光はａ
−Ｓｔ ｒＨ層 （電荷発生層）３に到達することにな
る。 逆にＺ （Ｏ，４であると、一部分の光は表面層
４に吸収され、感光体の光感度が低下し易くなる。 ま
た、Ｘが０．９を越えると層の殆んどが炭素となシ、半
導体特性が失なわれる外、ａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放
電法で形成するときの堆積速度が低下するから、Ｘ≦０
．９とするのがよい。
第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層
とのａ−８ｉＣ：Ｉ（層２は電位保持及び電荷輸送の両
機能を担い、暗抵抗率が１０１２Ω−ｍ以上あって、耐
高電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が高り
、シかも感光層３から注入される電子またはホールが大
きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率よく支持
体１側へ輸送する。 また、炭素の組成によってエネル
ギーギャップの大きさを調節できるため、感光層３にお
いて光照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作る
ことなく、効率よく注入させることができる。 まだ、
この第２のａ −ＳｉＣ： Ｈ層２は支持体１、例えば
Ａｔ電極との接着性や膜付きが良いという性質も有して
いる。 従ってこのａ−８ｉＣ：Ｈ層２は実用レベルの
高い表面電位を保持し、ａ−８ｉ：Ｉ−Ｉ層３で発生し
た電荷担体を効率良く速やかに輸送し、筒感度で残留電
位のない感光体とする働きがある。
機能を担い、暗抵抗率が１０１２Ω−ｍ以上あって、耐
高電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が高り
、シかも感光層３から注入される電子またはホールが大
きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率よく支持
体１側へ輸送する。 また、炭素の組成によってエネル
ギーギャップの大きさを調節できるため、感光層３にお
いて光照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作る
ことなく、効率よく注入させることができる。 まだ、
この第２のａ −ＳｉＣ： Ｈ層２は支持体１、例えば
Ａｔ電極との接着性や膜付きが良いという性質も有して
いる。 従ってこのａ−８ｉＣ：Ｈ層２は実用レベルの
高い表面電位を保持し、ａ−８ｉ：Ｉ−Ｉ層３で発生し
た電荷担体を効率良く速やかに輸送し、筒感度で残留電
位のない感光体とする働きがある。
こうした機能を果すために、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２の膜厚
は、例えばカールソン方式による乾式現像法を適用する
だめには５０００ Ｘ〜８ｏｐｍであることが望ましい
。 この膜厚が５０００ Ｘ未満であると薄すぎるため
に現像に必要な表面電位が得られず、まだ８０μｍを越
えると表面電位が高くなって付着したトナーの剥離性が
悪くなし、二成分系現像剤のキャリアも付着してしまう
。 但、とのａ −ＳｉＣ：Ｈ層の膜厚は、ｓｅ感光体
と比較して薄くしても（例えば十数μｍ）実用レベルの
表面電位が得られる。
は、例えばカールソン方式による乾式現像法を適用する
だめには５０００ Ｘ〜８ｏｐｍであることが望ましい
。 この膜厚が５０００ Ｘ未満であると薄すぎるため
に現像に必要な表面電位が得られず、まだ８０μｍを越
えると表面電位が高くなって付着したトナーの剥離性が
悪くなし、二成分系現像剤のキャリアも付着してしまう
。 但、とのａ −ＳｉＣ：Ｈ層の膜厚は、ｓｅ感光体
と比較して薄くしても（例えば十数μｍ）実用レベルの
表面電位が得られる。
寸だ、？：ニーノミ−ＳｉＣ：Ｈ層２をａ−８ｉｔ−ｘ
Ｃｘ：Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原
子含有量が１０ ａｔｏｍｉｃ １〜９０ ａｔｏｍｉ
ｃ ％、好ましくは３０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％）とす
るのが望ましい。 ０．１≦Ｘとすればａ−３ｉ：Ｈ層
３とは全く異なったものにでき、また０、９ （Ｘとす
れば層の殆んどが炭素になシ半導体特性が失なわれる他
に製膜時の堆積速度が低下し、これらを防ぐためにはＸ
≦０．９とするのがよいからである。
Ｃｘ：Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原
子含有量が１０ ａｔｏｍｉｃ １〜９０ ａｔｏｍｉ
ｃ ％、好ましくは３０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％）とす
るのが望ましい。 ０．１≦Ｘとすればａ−３ｉ：Ｈ層
３とは全く異なったものにでき、また０、９ （Ｘとす
れば層の殆んどが炭素になシ半導体特性が失なわれる他
に製膜時の堆積速度が低下し、これらを防ぐためにはＸ
≦０．９とするのがよいからである。
ａ−８ｉ：Ｈ屑（光導電層又は感光層）とのａ−８ｔ：
Ｈ層３は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性を有
するものであって、第６図に示す如く、波長６５０ ｎ
ｍ付近での赤色光に対しρＤ／ρＬが最高〜１０′とな
る。 このａ−３ｉ：Ｉ（を感光層として用いれば、可
視領域全域及び赤外領域の光に対して高感度な感光体を
作成できる。 しかも、当該感光層は周期律表第１１１
Ａ族元素のドーピングによシρＤが１０１０Ω−ｍ以上
に高抵抗化され、これに伴なって感光体の帯電電位、暗
滅べ感度共に良好となっている。 可視光及び赤外光を
無駄なく吸収して電荷担体を発生させるためには、ａ−
８ｉ：Ｈ層３の膜厚は２５００ Ａ〜１０μｍとするの
が望ましい。 膜厚が２５００ Ａ未満であると照射さ
れた光は全て吸収されず、一部分は下地のａ−３ｉＣ：
Ｈ層２に到達するために光感度が大幅に低下する。
Ｈ層３は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性を有
するものであって、第６図に示す如く、波長６５０ ｎ
ｍ付近での赤色光に対しρＤ／ρＬが最高〜１０′とな
る。 このａ−３ｉ：Ｉ（を感光層として用いれば、可
視領域全域及び赤外領域の光に対して高感度な感光体を
作成できる。 しかも、当該感光層は周期律表第１１１
Ａ族元素のドーピングによシρＤが１０１０Ω−ｍ以上
に高抵抗化され、これに伴なって感光体の帯電電位、暗
滅べ感度共に良好となっている。 可視光及び赤外光を
無駄なく吸収して電荷担体を発生させるためには、ａ−
８ｉ：Ｈ層３の膜厚は２５００ Ａ〜１０μｍとするの
が望ましい。 膜厚が２５００ Ａ未満であると照射さ
れた光は全て吸収されず、一部分は下地のａ−３ｉＣ：
Ｈ層２に到達するために光感度が大幅に低下する。
また、ａ Ｓｉ：Ｈ層３は感光層として光吸収に必要
な厚さ以」二に厚くする必要はなく、最大１０μｍとす
れば充分である。
な厚さ以」二に厚くする必要はなく、最大１０μｍとす
れば充分である。
以上に説明した例においては、ダングリングボンドを補
償するためには、ａ−Ｓｉに対しては上記したＨの代り
に、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｔ ：
Ｆ、 ａ−８ｉ ：Ｈ：Ｆ、 ａ−８ｉＣ：Ｆ、 ａ
−８ｉＣ：Ｈ二Ｆ とすることもできる。 この場合
のフッ素置はｏ、ｏ １〜２０ ａｔｏｍｔｃ％がよく
、０．５〜１０ ａｔｏｍｉｃ係がよシ望ましい。
償するためには、ａ−Ｓｉに対しては上記したＨの代り
に、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｔ ：
Ｆ、 ａ−８ｉ ：Ｈ：Ｆ、 ａ−８ｉＣ：Ｆ、 ａ
−８ｉＣ：Ｈ二Ｆ とすることもできる。 この場合
のフッ素置はｏ、ｏ １〜２０ ａｔｏｍｔｃ％がよく
、０．５〜１０ ａｔｏｍｉｃ係がよシ望ましい。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法又はＭ−着法
によるものであるが、これ以外にも、スパッタリング法
、イオンブレーティング法等によっても」１記感光体の
製造が可能である。 使用する反応ガスはＳｉＬ以外に
もＳ ｔ ２ Ｈｓ、Ｓ １Ｉ（Ｆ’３又ｉ、ｊ： ’
ｃ （０６４６４体ミスＨ４以外（７） Ｃ２Ｈ６、ｃ
ｓ■Ｉａ’ａノ低ＨＪ化水素ガスが使用可能である。
更に、ドーピングされる不純物は上記のボロン、アルミ
ニウム以外にもガリウム、インジウム等の他の周期律表
第１１１Ａ族元素が使用可能である。
によるものであるが、これ以外にも、スパッタリング法
、イオンブレーティング法等によっても」１記感光体の
製造が可能である。 使用する反応ガスはＳｉＬ以外に
もＳ ｔ ２ Ｈｓ、Ｓ １Ｉ（Ｆ’３又ｉ、ｊ： ’
ｃ （０６４６４体ミスＨ４以外（７） Ｃ２Ｈ６、ｃ
ｓ■Ｉａ’ａノ低ＨＪ化水素ガスが使用可能である。
更に、ドーピングされる不純物は上記のボロン、アルミ
ニウム以外にもガリウム、インジウム等の他の周期律表
第１１１Ａ族元素が使用可能である。
本発明による感光体は、例えば第７図に示す如く構成し
てよい。 即ち、第２のａ−ＳｉＣ：）ｆ層２は電位保
持、電荷輸送及び基板１からの電荷注入導電層３は光照
射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるものであ
って、特に６００〜８５０ ｎｍの長波長域で高感度を
示し、その厚みは５ｏｏｏＸ〜８０μｍであるのが望ま
しい。 更に、第１のａ −８ｉＣ：Ｈ層４はこの感光
体の表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、
耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成され
る化学種の影響防止）、炭素含有による結合エネルギー
の向上で表面硬度が高くなることによる機械的強度及び
耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性
（特に粘着転写性）の向上等の機能を有し、いわば表面
改質層として働くものである。 そして、この第１のａ
−８ｉＣ：Ｈ層４の厚みｔを上記の如＜５ｏＸ≦ｔ≦５
０００ Ｘに選択することが非常に重要である。
てよい。 即ち、第２のａ−ＳｉＣ：）ｆ層２は電位保
持、電荷輸送及び基板１からの電荷注入導電層３は光照
射に応じて電荷担体（キャリア）を発生させるものであ
って、特に６００〜８５０ ｎｍの長波長域で高感度を
示し、その厚みは５ｏｏｏＸ〜８０μｍであるのが望ま
しい。 更に、第１のａ −８ｉＣ：Ｈ層４はこの感光
体の表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、
耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成され
る化学種の影響防止）、炭素含有による結合エネルギー
の向上で表面硬度が高くなることによる機械的強度及び
耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性
（特に粘着転写性）の向上等の機能を有し、いわば表面
改質層として働くものである。 そして、この第１のａ
−８ｉＣ：Ｈ層４の厚みｔを上記の如＜５ｏＸ≦ｔ≦５
０００ Ｘに選択することが非常に重要である。
次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例１
グロー放電分解法によシＡｔ支持体上に第」図の構造の
電子写真感光体を作製した。 先ず平滑な表面を持つ清
浄なＡＸ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に
設置した。 反応槽内を１Ｏ−８Ｔｏｒｒ台の高真空度
に排気し、支持体温度を２００°Ｃに加熱した後高純度
Ａｒガスを導入し、０．５ Ｔｏｒｒの背圧のもとて周
波数１３．５６ＭＨｚ ）電力密度０．０４ Ｗ／♂の
高周波電力を印加し、１５分間の予備放電を行った。
次いで、ＳｉＨ４とＣＨ４からなる反応ガスを導入ｔ−
１流量比３ ： １ ： ０．５の（Ａｒ ＋ ＳｉＨ
４＋ ＣＨ４）混合ガスをグロー放電分解することによ
シ、電位保持及び電荷輸送機能を担うａ−８ｉＣ：Ｈ層
を２μｍ／時の堆積速度で製膜した。 このａ−８ｉＣ
：Ｈ層中の炭素含有率は、オージェ電子分光分析の結果
２０ ａｔｏｍｉｃ ％であった。 反応槽を一旦排気
した後、ＣＨ４は供給せず、Ａｒをキャリアガスとして
ＳｉＨ４及びＢ ２ Ｈ−を放電分解し、ボロンドープ
ドａ−３ｔ：Ｔ（感光層を形成した後、再びＣＨａを供
給し、今度は流量比５：１：４の（Ａｒ ＋ ５ｉＨ４
−１−ＣＨ４）混合ガスをグロー放電分解し、ａ −Ｓ
ｉＣ：Ｈ表面改質層を更に設け、電子写真感光体を完成
させた。
電子写真感光体を作製した。 先ず平滑な表面を持つ清
浄なＡＸ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に
設置した。 反応槽内を１Ｏ−８Ｔｏｒｒ台の高真空度
に排気し、支持体温度を２００°Ｃに加熱した後高純度
Ａｒガスを導入し、０．５ Ｔｏｒｒの背圧のもとて周
波数１３．５６ＭＨｚ ）電力密度０．０４ Ｗ／♂の
高周波電力を印加し、１５分間の予備放電を行った。
次いで、ＳｉＨ４とＣＨ４からなる反応ガスを導入ｔ−
１流量比３ ： １ ： ０．５の（Ａｒ ＋ ＳｉＨ
４＋ ＣＨ４）混合ガスをグロー放電分解することによ
シ、電位保持及び電荷輸送機能を担うａ−８ｉＣ：Ｈ層
を２μｍ／時の堆積速度で製膜した。 このａ−８ｉＣ
：Ｈ層中の炭素含有率は、オージェ電子分光分析の結果
２０ ａｔｏｍｉｃ ％であった。 反応槽を一旦排気
した後、ＣＨ４は供給せず、Ａｒをキャリアガスとして
ＳｉＨ４及びＢ ２ Ｈ−を放電分解し、ボロンドープ
ドａ−３ｔ：Ｔ（感光層を形成した後、再びＣＨａを供
給し、今度は流量比５：１：４の（Ａｒ ＋ ５ｉＨ４
−１−ＣＨ４）混合ガスをグロー放電分解し、ａ −Ｓ
ｉＣ：Ｈ表面改質層を更に設け、電子写真感光体を完成
させた。
このａ−８ｉＣ：Ｈ表面改質層の光学的エネルギーギャ
ップは２．５６Ｖであった。 また、炭素組成が５０ａ
ｔｏｍｉｃ ％であることが分析によりわかった。
ップは２．５６Ｖであった。 また、炭素組成が５０ａ
ｔｏｍｉｃ ％であることが分析によりわかった。
このようにして作製した感光体に、正又は負極性で６Ｋ
Ｖのコロナ放電によシ表面を帯電させた。
Ｖのコロナ放電によシ表面を帯電させた。
６秒間の暗減衰の後、、１ｌｕｘの光照射により表面電
位はほぼ直線的に減衰した。 この時の半減露光量は小
さく残留電位も小さく、帯電・露光の繰返し特性も非常
に良好であった。
位はほぼ直線的に減衰した。 この時の半減露光量は小
さく残留電位も小さく、帯電・露光の繰返し特性も非常
に良好であった。
比較例１
反応ガスとしてＢ２Ｈ＋を混合しない以外は実施例１と
同様な製法によ、９、Ａｔ支持体上にａ−３ｉ：）Ｉ層
３を製膜した。 ａ −ＳｉＣ：Ｈｈａについては実施
例１と同様に製膜した。 この感光体を用いて実施例１
と同様のテストを行った。 この結果、暗減衰が大きく
、半減露光量も増大し、像形成時の性能は最高画像濃度
が低ノかった。
同様な製法によ、９、Ａｔ支持体上にａ−３ｉ：）Ｉ層
３を製膜した。 ａ −ＳｉＣ：Ｈｈａについては実施
例１と同様に製膜した。 この感光体を用いて実施例１
と同様のテストを行った。 この結果、暗減衰が大きく
、半減露光量も増大し、像形成時の性能は最高画像濃度
が低ノかった。
実施例２
第４図の真空蒸着槽４１を用いてＡｌ基板１上に、光導
電層としてのアルミニウムドープドａ−８ｉ：Ｈ：Ａ１
層３を形成した。 この光導電層の上、下にはａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ層２．４を前述した蒸着法で形成した。 即ち、
前記槽４１を真空ポンプによｐｌｏ’Ｔｏｒｒに排気し
、この槽４１内に第一５図の放電装置４７を用いて放電
活性化した水素ガス（１００ｃｃ ／ｍｉｎの流量）を
導入し、シリコン蒸発源４８及びＡｔ蒸発源４９を電子
銃加熱して蒸発せしめ、シリコン蒸発量とＡｌ蒸発量を
クリスタルモニターで検知しなから１０’ ： １の比
（Ｓｉの蒸発量に対するＡｔの蒸発量濃度はｉｏｏ ｐ
ｐｍ ）に々るようにし、基板電圧−２ＫＶ ）基板温
度３００°Ｃで蒸着し、ａ −Ｓｉ ：Ｈ：Ａ１層３を
形成【〜だ□ａ−８ｉＣ：Ｈ層２．４の形成時は、メタ
ンガスを３０ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入し、Ａｌ蒸発源
のシャッターを閉じて蒸発を遮断した外は上記と同様に
１〜て、ａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成し、本発明の感光体を
得だ。
電層としてのアルミニウムドープドａ−８ｉ：Ｈ：Ａ１
層３を形成した。 この光導電層の上、下にはａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ層２．４を前述した蒸着法で形成した。 即ち、
前記槽４１を真空ポンプによｐｌｏ’Ｔｏｒｒに排気し
、この槽４１内に第一５図の放電装置４７を用いて放電
活性化した水素ガス（１００ｃｃ ／ｍｉｎの流量）を
導入し、シリコン蒸発源４８及びＡｔ蒸発源４９を電子
銃加熱して蒸発せしめ、シリコン蒸発量とＡｌ蒸発量を
クリスタルモニターで検知しなから１０’ ： １の比
（Ｓｉの蒸発量に対するＡｔの蒸発量濃度はｉｏｏ ｐ
ｐｍ ）に々るようにし、基板電圧−２ＫＶ ）基板温
度３００°Ｃで蒸着し、ａ −Ｓｉ ：Ｈ：Ａ１層３を
形成【〜だ□ａ−８ｉＣ：Ｈ層２．４の形成時は、メタ
ンガスを３０ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入し、Ａｌ蒸発源
のシャッターを閉じて蒸発を遮断した外は上記と同様に
１〜て、ａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成し、本発明の感光体を
得だ。
比較例２
次に比較のため、ａ−８ｉ：Ｈ層としてＡｊをドーピン
グしない層を、Ａｌの蒸発を行なわない条件で上記と同
様にして形成し、これを比較用の感光体とした。
グしない層を、Ａｌの蒸発を行なわない条件で上記と同
様にして形成し、これを比較用の感光体とした。
以上の本発明による感光体及び比較用感光体を川口電気
社製エレクトロメータ及びＵ−ＢｉｘＶ−２改造機によ
る性能テストを行なった結果を下記表に示した。
社製エレクトロメータ及びＵ−ＢｉｘＶ−２改造機によ
る性能テストを行なった結果を下記表に示した。
（以下余白、次頁へ続く）
なお、上記表中、静電特性のＶは初期帯電電位、△Ｖ／
Ｖは帯電終了６秒後の電荷の暗減衰率、Ｅ１／２は半減
露光量（単位： ｌｕｘ 、ｓｅｃ ） 、ＶＲは残留
電位を示す。
Ｖは帯電終了６秒後の電荷の暗減衰率、Ｅ１／２は半減
露光量（単位： ｌｕｘ 、ｓｅｃ ） 、ＶＲは残留
電位を示す。
この結果から、本発明による感光体は、帯電電位が充分
で芝）ってその暗減衰率が少なく、シかも高感度でおる
ことが分る。 更に、２万５千枚以上の繰返しコピーに
おいても、鮮明な高濃度画像が得られる。 これに対し
、比較例のものでは、電位、暗減衰、光感度共に悪く、
繰返し特性も著しく劣ることが分る。
で芝）ってその暗減衰率が少なく、シかも高感度でおる
ことが分る。 更に、２万５千枚以上の繰返しコピーに
おいても、鮮明な高濃度画像が得られる。 これに対し
、比較例のものでは、電位、暗減衰、光感度共に悪く、
繰返し特性も著しく劣ることが分る。
図面は本発明を例示するものであって、第１図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第２図は上記感光体を製造
するグロー放電装置の枝路断面図、 第３図はＢ２Ｈ６／ Ｓｉ、Ｈ＜流量比によるａ−８ｉ
：Ｈ層の暗抵抗事変化を示すグラフ、 第４図は蒸着装置の概略断面図、 第５図は放−軍部の一断面図、 第６図はａ−８ｔ：Ｉ（及び各組成のａ −ＳｉＣ：Ｈ
の光導電性を示すグラフ、 第７図は別の例による感光体の断面図 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・・・・・・・・・支持体（基板）２・・・・・
・・・・・・・・・・・・第２のａ−ｓｉｃ：ｎ層３・
・・・・・・・・・・・・・・・・不純物ドープドａ
−Ｓｔ ：Ｈ感光層（光導電層４・・・・・・・・・・
・・・・・・・第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層１１・・・・・
・・・・・・・・・・グロー放電装置１７・・・・・・
・・・・・・・・・・・・高周波電極３１・・・・・・
・・・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給諒３
２・・・・・・・・・・・・・・・・ガス状炭素化合物
供給源３３・・・・・・・・・・・・・・・・・・キャ
リアガス供給源３４・・・・・・・・・・・・・・・・
・Ｂ ｚＨｓ供給源４１・・・・・・・・・・・・・・
・・・蒸着槽４７．５０・・・・・・・・・放電部 ４８・・・・・・・・・・・・・・・シリコン蒸発源４
９・・・・・・・・・・・・・・アルミニウム蒸発源−
３〃 第１０ 第′３０ ＠７Ｅ］ 争フ ＠５日 （自発） 手続ンｍ正四二 １．事件の表示 昭和５７年 特許 願第９８６６６号２、発明の名称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６．７ｉｌｉ正により増加する発明の数７、補正の対象 （１）、特許請求の範囲を別紙の通シに訂正します。 （２）、明細書第８頁１行目の「２０μｍ」を「３０μ
ｍ」と訂正します。 （３）、同第９頁２行目の「積層してなせしめる」を「
積層せしめる」と訂正します。 （４）、同第９頁８〜１３行目の「これまで・・・・−
・−・・・−である。」を削除します。 （５）、同第９頁下から３行目の「対環境性」を「耐環
境性」と訂正しまず。 （６）、同第１０頁１３行目の「０．１％アルゴン希釈
」を削除します。 （７）、同第１２頁８行目の［３，５〜２０ Ｊを「１
０〜３０」と訂正します。 （８）、同第１３頁末行の「００１〜０，２Ｊをｒ１ｏ
’」と訂正します。 （９）、同第１７頁１２〜１４行目の「実質的に・・・
・・・・・・・・・示さず、」を削除します。 α１、同第１７頁１５行目の１殆んど」を削除します。 Ｕυ、同第１９頁５〜７行目の「表面電位・・・・・・
−・・・・してしまう。」をｒａ−８ｉ：Ｈ屑３で発生
した電荷担体の支持体１への到達率が低下してしまう。 」と訂正します。 （１り、同第１９頁１３〜１４行目の「、好ましくは３
０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％」を削除します。 θ転回第２１頁１０行目のｒ ５ｉＨＦｚ Ｊをｒ ５
ｉＨＦａ １ＳｉＦ４Ｊ と訂正します。 （Ｉ４）、同第２１頁１２行目の「ガス」を「ガスやＣ
Ｆ４Ｊと訂正します。 θ９、同第２１頁下から３行目の「電荷輸送及び」を削
除します。 ｔｍ、同第冴頁３行目の「正又は」を削除します。 ０７）、同第２４頁５行目の「６秒間」を「２秒間」と
訂正します。 Ｈ，同第２４頁９〜１６行目の「比較例１−・・・・・
・・・・低かった。」を削除します。 ■、同第２５頁下から５〜１行目の「比較Ｉ＋ｌＩ２・
・・・・・・・・・・・とした。」を削除します。 （イ）、同第２６頁２行目の「エレクトロメータ」を「
エレクトロメークＳ Ｐ−４２８ｊと言］正します。 ←ｌ）、同第２０頁の表を下記の通りに訂正します。 に）、同第２８頁２行目の「６秒後」を「２秒後」と訂
正し７ます。 一以 上− １、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層と、アモルファス水素化及び／又はフッ素化
シリコンからなる光導電層と、第１のアモルファス水素
化及び／又は７ノ素化炭化シリコン層とを基体上に順次
積層せしめた積層体からなシ、前記光導電層に周期律表
第ＴＩＩＡ族元素が含有せしめられることによって、前
記光導電層の暗抵抗率を１０１００−σ以上となしたこ
とを特徴とする記録体。 ２、光導電層の暗抵抗率が１ ｏ ２２Ω−α以上であ
る、特許請求の範囲の第１項に記載した記録体。 ３、 シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期律表第■Ａ族元素を
供給する第２の反応ガスを１０〜５００ｐｐｍの濃度で
供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめるこ
とによって光導電層が形成される、特許請求の範囲の第
１項又は第２項に記載した記録体。 ４、 シリコン蒸気に対し周期律表第１１１族元素の蒸
気を１０〜ｓｏｏｐｐｍの濃度にし、水素原子及び／又
はフッ素原子の混入下で蒸着を行なうことによって光導
電層が形成される、特許請求の範囲の第１項又は第２項
に記載した記録体。 ５、周期律表第］’ｌＴＡ族元素がボロン又はアルミニ
ウムである、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれ
か１項に記載した記録体。 ６、光導電層の厚みが２５００ Ａ〜１０μｍであり、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ａ〜２００ＯＡであり、第２のアモ
ルファス水素化及び／又は７ノ素化炭化シリコン層の厚
みが５０００ Ａ〜８０μｍである、特許請求の範囲の
第１項〜第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７− 光導電層の厚みが５０００ Ａ〜５μｍであり、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが４００Ａ〜１６００Ａであシ、第２のア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
厚みが５μｍ”−３０／Ａｍである、特許請求の範囲の
第６項に記載した記録体〇 ８、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層の厚みが５０Ａ〜５０００ Ａの範囲に選択
さねている、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれ
か１項に記載した記録体。 ９、光導電層の厚みが５０００ Ａ〜８０μｍであシ、
第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ａ〜５０００ Ａである、特許請求
の範囲の第８項に記載した記録体。 １０、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層の炭素原子含有量が４０ａｔｏｍｉｃ％〜
９０ ａｔｏｍｉｃ ％であり、第２のアモルファス水
素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の炭素原子含有
量が１０ ａｔｏｍｉ ｃヂ〜９０ａｔｏｍｉｃ％であ
る、特許請求の範囲の第１項〜第９項のいずれか１項に
記載した記録体。 （命令） 手続ネｉｆｆ ＤＩシ響＝ （方式）昭和５
８年１２月７７日 特許庁長官 若 杉 ｆＩＩ 夫 殿１、事件の
表示 昭和５７年 特許 願第９８６６６号２、発明の名称 記録体 ３、補正をする壱 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発１ｊｌＪの数７、補正の対象 ８、補正の内容 （１）、昭和５８年９月９日付提出の（自発）手続？ｉ
ｉ正書の第３頁末行の「第２０頁」を「第２７頁」と訂
正しまず。 一−以」二一
真感光体の一部分の断面図、第２図は上記感光体を製造
するグロー放電装置の枝路断面図、 第３図はＢ２Ｈ６／ Ｓｉ、Ｈ＜流量比によるａ−８ｉ
：Ｈ層の暗抵抗事変化を示すグラフ、 第４図は蒸着装置の概略断面図、 第５図は放−軍部の一断面図、 第６図はａ−８ｔ：Ｉ（及び各組成のａ −ＳｉＣ：Ｈ
の光導電性を示すグラフ、 第７図は別の例による感光体の断面図 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・・・・・・・・・支持体（基板）２・・・・・
・・・・・・・・・・・・第２のａ−ｓｉｃ：ｎ層３・
・・・・・・・・・・・・・・・・不純物ドープドａ
−Ｓｔ ：Ｈ感光層（光導電層４・・・・・・・・・・
・・・・・・・第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層１１・・・・・
・・・・・・・・・・グロー放電装置１７・・・・・・
・・・・・・・・・・・・高周波電極３１・・・・・・
・・・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給諒３
２・・・・・・・・・・・・・・・・ガス状炭素化合物
供給源３３・・・・・・・・・・・・・・・・・・キャ
リアガス供給源３４・・・・・・・・・・・・・・・・
・Ｂ ｚＨｓ供給源４１・・・・・・・・・・・・・・
・・・蒸着槽４７．５０・・・・・・・・・放電部 ４８・・・・・・・・・・・・・・・シリコン蒸発源４
９・・・・・・・・・・・・・・アルミニウム蒸発源−
３〃 第１０ 第′３０ ＠７Ｅ］ 争フ ＠５日 （自発） 手続ンｍ正四二 １．事件の表示 昭和５７年 特許 願第９８６６６号２、発明の名称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６．７ｉｌｉ正により増加する発明の数７、補正の対象 （１）、特許請求の範囲を別紙の通シに訂正します。 （２）、明細書第８頁１行目の「２０μｍ」を「３０μ
ｍ」と訂正します。 （３）、同第９頁２行目の「積層してなせしめる」を「
積層せしめる」と訂正します。 （４）、同第９頁８〜１３行目の「これまで・・・・−
・−・・・−である。」を削除します。 （５）、同第９頁下から３行目の「対環境性」を「耐環
境性」と訂正しまず。 （６）、同第１０頁１３行目の「０．１％アルゴン希釈
」を削除します。 （７）、同第１２頁８行目の［３，５〜２０ Ｊを「１
０〜３０」と訂正します。 （８）、同第１３頁末行の「００１〜０，２Ｊをｒ１ｏ
’」と訂正します。 （９）、同第１７頁１２〜１４行目の「実質的に・・・
・・・・・・・・・示さず、」を削除します。 α１、同第１７頁１５行目の１殆んど」を削除します。 Ｕυ、同第１９頁５〜７行目の「表面電位・・・・・・
−・・・・してしまう。」をｒａ−８ｉ：Ｈ屑３で発生
した電荷担体の支持体１への到達率が低下してしまう。 」と訂正します。 （１り、同第１９頁１３〜１４行目の「、好ましくは３
０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％」を削除します。 θ転回第２１頁１０行目のｒ ５ｉＨＦｚ Ｊをｒ ５
ｉＨＦａ １ＳｉＦ４Ｊ と訂正します。 （Ｉ４）、同第２１頁１２行目の「ガス」を「ガスやＣ
Ｆ４Ｊと訂正します。 θ９、同第２１頁下から３行目の「電荷輸送及び」を削
除します。 ｔｍ、同第冴頁３行目の「正又は」を削除します。 ０７）、同第２４頁５行目の「６秒間」を「２秒間」と
訂正します。 Ｈ，同第２４頁９〜１６行目の「比較例１−・・・・・
・・・・低かった。」を削除します。 ■、同第２５頁下から５〜１行目の「比較Ｉ＋ｌＩ２・
・・・・・・・・・・・とした。」を削除します。 （イ）、同第２６頁２行目の「エレクトロメータ」を「
エレクトロメークＳ Ｐ−４２８ｊと言］正します。 ←ｌ）、同第２０頁の表を下記の通りに訂正します。 に）、同第２８頁２行目の「６秒後」を「２秒後」と訂
正し７ます。 一以 上− １、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層と、アモルファス水素化及び／又はフッ素化
シリコンからなる光導電層と、第１のアモルファス水素
化及び／又は７ノ素化炭化シリコン層とを基体上に順次
積層せしめた積層体からなシ、前記光導電層に周期律表
第ＴＩＩＡ族元素が含有せしめられることによって、前
記光導電層の暗抵抗率を１０１００−σ以上となしたこ
とを特徴とする記録体。 ２、光導電層の暗抵抗率が１ ｏ ２２Ω−α以上であ
る、特許請求の範囲の第１項に記載した記録体。 ３、 シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期律表第■Ａ族元素を
供給する第２の反応ガスを１０〜５００ｐｐｍの濃度で
供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめるこ
とによって光導電層が形成される、特許請求の範囲の第
１項又は第２項に記載した記録体。 ４、 シリコン蒸気に対し周期律表第１１１族元素の蒸
気を１０〜ｓｏｏｐｐｍの濃度にし、水素原子及び／又
はフッ素原子の混入下で蒸着を行なうことによって光導
電層が形成される、特許請求の範囲の第１項又は第２項
に記載した記録体。 ５、周期律表第］’ｌＴＡ族元素がボロン又はアルミニ
ウムである、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれ
か１項に記載した記録体。 ６、光導電層の厚みが２５００ Ａ〜１０μｍであり、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ａ〜２００ＯＡであり、第２のアモ
ルファス水素化及び／又は７ノ素化炭化シリコン層の厚
みが５０００ Ａ〜８０μｍである、特許請求の範囲の
第１項〜第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７− 光導電層の厚みが５０００ Ａ〜５μｍであり、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが４００Ａ〜１６００Ａであシ、第２のア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
厚みが５μｍ”−３０／Ａｍである、特許請求の範囲の
第６項に記載した記録体〇 ８、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層の厚みが５０Ａ〜５０００ Ａの範囲に選択
さねている、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれ
か１項に記載した記録体。 ９、光導電層の厚みが５０００ Ａ〜８０μｍであシ、
第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ａ〜５０００ Ａである、特許請求
の範囲の第８項に記載した記録体。 １０、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層の炭素原子含有量が４０ａｔｏｍｉｃ％〜
９０ ａｔｏｍｉｃ ％であり、第２のアモルファス水
素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の炭素原子含有
量が１０ ａｔｏｍｉ ｃヂ〜９０ａｔｏｍｉｃ％であ
る、特許請求の範囲の第１項〜第９項のいずれか１項に
記載した記録体。 （命令） 手続ネｉｆｆ ＤＩシ響＝ （方式）昭和５
８年１２月７７日 特許庁長官 若 杉 ｆＩＩ 夫 殿１、事件の
表示 昭和５７年 特許 願第９８６６６号２、発明の名称 記録体 ３、補正をする壱 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発１ｊｌＪの数７、補正の対象 ８、補正の内容 （１）、昭和５８年９月９日付提出の（自発）手続？ｉ
ｉ正書の第３頁末行の「第２０頁」を「第２７頁」と訂
正しまず。 一−以」二一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ；ｌ入２のアモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化シリコン層と、アモルファス水素化及び７７層
とを基体上に順次積層せしめた積層体からなシ、前記光
導電層に周期律表第１１１ Ａ族元素が含有せしめられ
ることによって、前記光４電層の暗抵抗率を１０１ｏΩ
−副板上となしたことを特徴とする記録体。 ２、光導電層の暗抵抗率が１０１２Ω−６ｎ以上である
、特許請求の範囲の第１項に記載した記録体。 ３、 シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期律表第■ＡＡ族元素
供給する第２の反応ガスを１０〜５００ ｐｐｍの濃度
で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめる
ことによって光導電層が形成される、特許請求の範囲の
第１項又は第２項に記載した記録体。 ４、 シリコン蒸気に対し周期律表第１ＩＴＡ族元素の
蒸気を１０〜５００ＰｐｌＴ１の濃度にし、水素原子及
び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なうことによっ
て光導電層が形成される、特許請求の範囲の第１項又は
第２項に記載した記録体。 ５ 周期律表第ＤＩＡ族元素がボロン又はアルミニウム
である、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１
項に記載した記録体。 ６、光導電層の厚みが２５００ Ａ〜１０μｍであシ、
第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ａ〜２０００ Ａであシ、第２のア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
厚みが５０００ Ａ〜８０μｍである、特許請求の範囲
の第１項〜第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７、光導電層の厚みが５０００ Ａ〜５μｍでおシ、声
１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
ン層の厚みが４００Ａ〜１６００ Ａであシ、第２のア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
厚みが５μｔｎ〜２０μｍである、特許請求の範囲の第
６項に記載した記録体。 ８ 第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層の）Ｖみが５０Ａ〜５０００ Ａの範囲に選
択されている、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいず
れか１項に記載した記録体。 ９、光渚電層の厚みが５０ｏｏ Ａ〜８０μＴＩＩであ
り、第２のアモルファス水素化及び／又はフン素化炭化
シリコン層の厚みが５０Ａ〜５０００Ａｆある、特許請
求の範囲の第８項に記載した記録体。 １０、 第’ １のアモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化シリコン層の炭素原子含有量が４０ ａｔｏｍ
ｉｃ％〜９０ ａｔｏｒｎｉｃ ％であり、第２のアモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の炭
素原子含有量が１０ ａｔｏｍｉｃ係〜９０ ａｔｏｍ
ｉｃチである、特許請求の範１ノ１ノの第１項〜第９項
のいずれか１項にＮ１３載した記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9866682A JPS5986052A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9866682A JPS5986052A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986052A true JPS5986052A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=14225830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9866682A Pending JPS5986052A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6405956B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-06-18 | Funai Electric Co., Ltd. | Tape deck having a braking member for producing different braking states on a reel holder |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9866682A patent/JPS5986052A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6405956B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-06-18 | Funai Electric Co., Ltd. | Tape deck having a braking member for producing different braking states on a reel holder |
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