JPS5967540A - 記録体 - Google Patents
記録体Info
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- JPS5967540A JPS5967540A JP17800182A JP17800182A JPS5967540A JP S5967540 A JPS5967540 A JP S5967540A JP 17800182 A JP17800182 A JP 17800182A JP 17800182 A JP17800182 A JP 17800182A JP S5967540 A JPS5967540 A JP S5967540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- thickness
- charge
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
従来、電子写真感光体として、Se、又はSeにA8、
Te%Sb等をドープした感光体、ZnO’p CdS
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。 しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモル
ファスシリコン(a−81)を母材として用いた電子写
真感光体が近年になって提案されている。 a−8iは
、81−81の 結合手が切れたいわゆるダングリング
ボンドを有しており、この欠陥に起因してエネルギーギ
ャップ内に多くの局在準位が存在する。 このために、
熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、
また光励起担体が局在準位にトラップされて光導電性が
悪くなっている。 そこで、上記欠陥を水素原子σDで
補償してSlにHを結合させることKよって、ダングリ
ングボンドを埋めることが行なわれる。
Te%Sb等をドープした感光体、ZnO’p CdS
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。 しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモル
ファスシリコン(a−81)を母材として用いた電子写
真感光体が近年になって提案されている。 a−8iは
、81−81の 結合手が切れたいわゆるダングリング
ボンドを有しており、この欠陥に起因してエネルギーギ
ャップ内に多くの局在準位が存在する。 このために、
熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、
また光励起担体が局在準位にトラップされて光導電性が
悪くなっている。 そこで、上記欠陥を水素原子σDで
補償してSlにHを結合させることKよって、ダングリ
ングボンドを埋めることが行なわれる。
このような7モル7アス水素化シリコン(以下、a−8
L:Hと称する。)の暗所での抵抗率は10’〜10’
Ω−儂であって、アモルファスSeと比較すれば約1万
分の1も低い。 従ってa−8i:Hの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帝4′−位
が低いという問題点を有している。 しかし他方では、
可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大キク誠少
するため、感光体の感光+fiiとして、極めて曖れた
特性を有し“Cいる。
L:Hと称する。)の暗所での抵抗率は10’〜10’
Ω−儂であって、アモルファスSeと比較すれば約1万
分の1も低い。 従ってa−8i:Hの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帝4′−位
が低いという問題点を有している。 しかし他方では、
可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大キク誠少
するため、感光体の感光+fiiとして、極めて曖れた
特性を有し“Cいる。
そこで、このようなa −8i : HIc ’に位保
持能を付与するため、ホウ素をドープすることにより抵
抗率を約1012Ω−園にまで高めることができるが、
ホウ素値をそのように正確に制御することは容易ではな
い上に、IQljΩ−cm程度の抵抗率でもカールソン
万代による感光プルセスに使用するKは光感度が不十分
であり、′d荷保持特性もなお不十分である。 また、
ホウ素と共に機縁の酸素を4人することにより101s
Ω−CII+程反の高抵抗化が可能でちるが、これを感
光体に用いた場合には光導′1性が低下し、裾切れの悪
化や残留14位の発生という問題が生じる。
持能を付与するため、ホウ素をドープすることにより抵
抗率を約1012Ω−園にまで高めることができるが、
ホウ素値をそのように正確に制御することは容易ではな
い上に、IQljΩ−cm程度の抵抗率でもカールソン
万代による感光プルセスに使用するKは光感度が不十分
であり、′d荷保持特性もなお不十分である。 また、
ホウ素と共に機縁の酸素を4人することにより101s
Ω−CII+程反の高抵抗化が可能でちるが、これを感
光体に用いた場合には光導′1性が低下し、裾切れの悪
化や残留14位の発生という問題が生じる。
また、a−8l:Hな表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる#5譬、コロナ放電
で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性
に関して、これ迄十分な検1寸がなされていない。 例
えば1力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容
電位が著しく低下することが分っている。 更に%a−
81:HはAIやステンレス等の支持体に対して膜付き
(接着性)が悪く、電子写真感光体として実用化する上
で問題となる。 この対策として、特開昭55−871
54号における如ぎシランカップリング剤、特開昭56
−74257号における如きポリイミド樹脂又はトリア
ジン樹脂等の有機高分子化合物からなる接着層をa−8
t:H層と支持体との間に設けることが知られている。
て大気や湿気に曝されることによる#5譬、コロナ放電
で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性
に関して、これ迄十分な検1寸がなされていない。 例
えば1力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容
電位が著しく低下することが分っている。 更に%a−
81:HはAIやステンレス等の支持体に対して膜付き
(接着性)が悪く、電子写真感光体として実用化する上
で問題となる。 この対策として、特開昭55−871
54号における如ぎシランカップリング剤、特開昭56
−74257号における如きポリイミド樹脂又はトリア
ジン樹脂等の有機高分子化合物からなる接着層をa−8
t:H層と支持体との間に設けることが知られている。
しかしながら、これらの場合、接着層の形成とa−8
1:H層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、その
ために新たな製膜装置を用いなければならず、作業性が
不良となる。
1:H層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、その
ために新たな製膜装置を用いなければならず、作業性が
不良となる。
しかも、a−81:T(層を光導電性の良好なものとす
るには、そのI!i膜時の基板(支持体)温度を通常約
200℃又はそれ以上忙保持することを要するが、この
ような温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることがで
きない。 一方、a−8i:H窃素原子を含有せしめた
窒素原子含有a−8t:H(以下、a−8iN:Hと称
することがある。)によって光導電層を形成することが
、特開昭54−145539号、特開昭57−3735
2号の各明細書に記載されている。 この公知のa−8
iN:H層は、ポーンのドーピングによって暗所比抵抗
九が約lXl0”Ω−cmK高められ得ると共に、光4
畦性(感度)にも優れている。 しかしながら、本狛明
者の検討によれば、上記の公知の感光体においては、a
−8iN:H層への導電性支持体がらの不要な′−荷
の注入が生じ易い上に、a−8iN:)(Iljと支持
体との接着性も不充分であることが分った。
るには、そのI!i膜時の基板(支持体)温度を通常約
200℃又はそれ以上忙保持することを要するが、この
ような温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることがで
きない。 一方、a−8i:H窃素原子を含有せしめた
窒素原子含有a−8t:H(以下、a−8iN:Hと称
することがある。)によって光導電層を形成することが
、特開昭54−145539号、特開昭57−3735
2号の各明細書に記載されている。 この公知のa−8
iN:H層は、ポーンのドーピングによって暗所比抵抗
九が約lXl0”Ω−cmK高められ得ると共に、光4
畦性(感度)にも優れている。 しかしながら、本狛明
者の検討によれば、上記の公知の感光体においては、a
−8iN:H層への導電性支持体がらの不要な′−荷
の注入が生じ易い上に、a−8iN:)(Iljと支持
体との接着性も不充分であることが分った。
本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体(例えばAe等の導電性支持体)と、この
基体上に形成されたアモルファス水素化及び/又はフッ
素化炭化シリコン(例えばa−8iC:H)からなる厚
さ1100X−11tの電荷プpツキング層と、この電
荷プpツキング層上に形成された窒素原子含有アモルフ
ァス水素化及び/又はフッ素化シリコン(例えばa−8
IN:H)からなるJすさ2〜80μInの光導電層と
からなる ことを特徴とする記録1木に係るものである
。
あって、基体(例えばAe等の導電性支持体)と、この
基体上に形成されたアモルファス水素化及び/又はフッ
素化炭化シリコン(例えばa−8iC:H)からなる厚
さ1100X−11tの電荷プpツキング層と、この電
荷プpツキング層上に形成された窒素原子含有アモルフ
ァス水素化及び/又はフッ素化シリコン(例えばa−8
IN:H)からなるJすさ2〜80μInの光導電層と
からなる ことを特徴とする記録1木に係るものである
。
本免明によれば、光導電層は窒素含有a−81で形成し
ているので、窒素量のコント番ゴールによって可視及び
赤外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の
制御を窒素量及び不純物ドーピング4で任意に行なえる
ものとなっている。 特に、ン1クウ素等のドーピング
で10100−ぼ以上のP、 を示すので、光感度と
共に電位保持能にも優れた光導電層となる。
ているので、窒素量のコント番ゴールによって可視及び
赤外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の
制御を窒素量及び不純物ドーピング4で任意に行なえる
ものとなっている。 特に、ン1クウ素等のドーピング
で10100−ぼ以上のP、 を示すので、光感度と
共に電位保持能にも優れた光導電層となる。
しかも、この光導諷層下には、a−8iCからなるブロ
ッキング層を設けているので、これがない場合に比べて
、基体からの不要なキャリアの注入を防止して感光体の
帝−電位の保持能を著しく向上させることができ、かつ
基体との接着性も充分となる。
ッキング層を設けているので、これがない場合に比べて
、基体からの不要なキャリアの注入を防止して感光体の
帝−電位の保持能を著しく向上させることができ、かつ
基体との接着性も充分となる。
以下、本発明な火砲的について図面参照下に詳、爾1に
説明する。
説明する。
第1図〜第3図には、感光体の構造が例示されている。
第1図の感光体は1,1等の導電性支持体基板1上に、
a−8IC:Hからなる電荷ブーツキング層2と、a−
8IN:Hからなる光導電層3とが 順次積層された構
造からなっている。
a−8IC:Hからなる電荷ブーツキング層2と、a−
8IN:Hからなる光導電層3とが 順次積層された構
造からなっている。
光導電層3は、特に窒素原子含有′−を1〜30ato
mic % (望ましくは15〜25 atomic%
)とすることによって、第4図に示す如く、暗所抵抗率
Bと光照射時の抵抗率P、との比が充分であり、光感度
(特に可視及び赤外領域の光に対するもの)が良好とな
る。 また、周期表第1ffA族元素、例えばホウ素を
後述の流量比(82H6/ S I H4) =1〜5
00 ppmでドーピングすることによって、第5図の
如く、固有抵抗を10′!Ω−儒以上とし、高抵抗化で
きることが分る。 この高抵抗化によって電荷保持能を
向上させることができる。 これによって、光感度、電
位保持能共に良好な光4電層とすることができる。 比
較のために、第5図中に破線でa−8i:Hへの不純物
ドーピングによる抵抗変化を示したが、&−8l:Hで
は高抵抗化の程度が不充分であり、しかもIQIOΩ−
鋼程度でしか安定した高抵抗値を得ることができない。
mic % (望ましくは15〜25 atomic%
)とすることによって、第4図に示す如く、暗所抵抗率
Bと光照射時の抵抗率P、との比が充分であり、光感度
(特に可視及び赤外領域の光に対するもの)が良好とな
る。 また、周期表第1ffA族元素、例えばホウ素を
後述の流量比(82H6/ S I H4) =1〜5
00 ppmでドーピングすることによって、第5図の
如く、固有抵抗を10′!Ω−儒以上とし、高抵抗化で
きることが分る。 この高抵抗化によって電荷保持能を
向上させることができる。 これによって、光感度、電
位保持能共に良好な光4電層とすることができる。 比
較のために、第5図中に破線でa−8i:Hへの不純物
ドーピングによる抵抗変化を示したが、&−8l:Hで
は高抵抗化の程度が不充分であり、しかもIQIOΩ−
鋼程度でしか安定した高抵抗値を得ることができない。
また、第4図から理解されるように、a−81N:H
では窒素1によってもρを制御できるし、不純物ドーピ
ングとの組合せで抵抗制御の範囲を広(とることができ
る。 また、第6図に示す如く、光導t1.層3は、窒
素含有量の増加に伴なって光学的エネルギーギャップ(
a−81:Hの場合には約1.65eV)を大きくし、
入射光に対する吸収特性をフン)I−−ルできることが
分る。
では窒素1によってもρを制御できるし、不純物ドーピ
ングとの組合せで抵抗制御の範囲を広(とることができ
る。 また、第6図に示す如く、光導t1.層3は、窒
素含有量の増加に伴なって光学的エネルギーギャップ(
a−81:Hの場合には約1.65eV)を大きくし、
入射光に対する吸収特性をフン)I−−ルできることが
分る。
上記ブロッキング層2は、炭素原子含有量を5〜90
atomic%(望ましくは10〜50atomlc
%)とすることによって 7% −101t〜1o18
Ω−伽と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。 ズpツキング効果を高める点で
は、第2図の如く、周期表第VA族元素(例えばリン)
のドーピング忙よってa−8i C: H層2をNW(
更にはN 型)化すれば特に負帯電時での基板からのホ
ールの注入が充分に阻止される。
atomic%(望ましくは10〜50atomlc
%)とすることによって 7% −101t〜1o18
Ω−伽と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。 ズpツキング効果を高める点で
は、第2図の如く、周期表第VA族元素(例えばリン)
のドーピング忙よってa−8i C: H層2をNW(
更にはN 型)化すれば特に負帯電時での基板からのホ
ールの注入が充分に阻止される。
このためのリンドープ量は流量比で表わせばPH。
/SiH+=lOO〜10.OOOppmとするのがよ
い。
い。
また、正帯電時の塙板からの電子の注入を充分に防ぐに
は、周期表第mA族元素(例えばホルン)を流量比J
Ha / S I H4=500〜100,000 p
−でドープして、第3図の如くP型(更には2士型)化
するとよい。
は、周期表第mA族元素(例えばホルン)を流量比J
Ha / S I H4=500〜100,000 p
−でドープして、第3図の如くP型(更には2士型)化
するとよい。
上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光4電層3は2〜80μm(望ましくは5〜30μ
m)、ズG1ノキング層2は1ooX−1μm(望まし
くは400〜5oooX)とすべきである。
り、光4電層3は2〜80μm(望ましくは5〜30μ
m)、ズG1ノキング層2は1ooX−1μm(望まし
くは400〜5oooX)とすべきである。
光導電層3が2μm未満であると帯電電位が充分でなく
、また80μmを越えることは実用上不適当であり、製
膜にも時間がかかる。 ブロッキング層2も1ooX未
満であるとプpツ千ング効果がな(、また、1μmを越
えると電荷輸送能が不良と1.cる1、なお、上記の各
層は水素を含有することが必要であるが、水素を含有し
ない場合には感光体の電荷保持特性が実用的なものとは
ならないからである。 このため、水素含有量は1〜4
0 atomlc%(更にはlO〜30 atomic
”76 ) とするのが望ましい。
、また80μmを越えることは実用上不適当であり、製
膜にも時間がかかる。 ブロッキング層2も1ooX未
満であるとプpツ千ング効果がな(、また、1μmを越
えると電荷輸送能が不良と1.cる1、なお、上記の各
層は水素を含有することが必要であるが、水素を含有し
ない場合には感光体の電荷保持特性が実用的なものとは
ならないからである。 このため、水素含有量は1〜4
0 atomlc%(更にはlO〜30 atomic
”76 ) とするのが望ましい。
特に、光導電層3中の水素含有量は、ダングリングボン
ドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるため
に必須不可欠であって、通常は1〜40 atomic
φであり、3.5〜20 atomlc%であるのがよ
り望ましい。 また、プpツキング層2の導電型を制御
するための不純物として、P型化のためにホルン以外に
もAl、Ga、In、TJ等の周期表第1I[A族元素
を使用でき、N型化にはP、As、Sb、Bt等の周期
表第VA族元素をドープできる。
ドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるため
に必須不可欠であって、通常は1〜40 atomic
φであり、3.5〜20 atomlc%であるのがよ
り望ましい。 また、プpツキング層2の導電型を制御
するための不純物として、P型化のためにホルン以外に
もAl、Ga、In、TJ等の周期表第1I[A族元素
を使用でき、N型化にはP、As、Sb、Bt等の周期
表第VA族元素をドープできる。
なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
たI(の代り圧、或いはHと併用して7〕素な導入し、
a−8IN:F、a−8iN:H:F、a−8lC:F
、a−8iC:H:Fとすることもできる。 この場合
のフッ素置は0.01〜20 atomic%がよく、
0.5〜I G atomic%がより望ましい。
たI(の代り圧、或いはHと併用して7〕素な導入し、
a−8IN:F、a−8iN:H:F、a−8lC:F
、a−8iC:H:Fとすることもできる。 この場合
のフッ素置は0.01〜20 atomic%がよく、
0.5〜I G atomic%がより望ましい。
次に、上記した感光体の製造方法及び装置(グルー放電
装置)を第7図について説明する。
装置)を第7図について説明する。
この装置11の真空槽12内では、上記した基板1が基
板保持部14上に同定され、ヒーター16で基板lを所
定温度に加熱し得るようになっている。 基板1に対向
して高周波電極17が配され、基板lとの間にグルー放
電が生ぜしめられる。
板保持部14上に同定され、ヒーター16で基板lを所
定温度に加熱し得るようになっている。 基板1に対向
して高周波電極17が配され、基板lとの間にグルー放
電が生ぜしめられる。
なお、図中の20.21.22.23.24.25.2
7.28.29.30.31.37.38.40は各パ
ルプ、32はSin、又はガス状シリコン化合物の供給
源、33はNH,又はN□等の窒素の供給源、34はC
)14等の炭化水素ガスの供給源、35はAr又はH,
等のキャリアガス洪給源、A6は不純物ガス(例えばB
、 H,又はPH,)供給源である。 このグルー放電
装+Nにおいて、まず支持体である例えばl基板1の表
面を清浄化した後に真空槽12内に配置aシ、真空槽1
2内のガス圧が10−’ Torrとなるようにパルプ
37を調節して排気し、かつ基板1を所定温度、例えば
30〜400℃に加熱保持する。 次いで、高純度の不
活性ガスをキャリアガスとして、S i H4又はガス
状シリコン化合物、及びNH,又はN2を適当量希釈し
た混合ガス、及びCH,、B、 11.等を適宜真空槽
12内に導入し、例えば0.01〜10 Torrの反
応圧下で高周波電源16により高周波電圧(例えば13
.56M1lz ) を印加する。 これによって、
上記各反応ガスをグルー放電分解し、a−8iC:H1
水素を含むa−8iN:Hを上記の層2.3として基板
上に順次堆4’ttさせる。 この際、シリコン化合物
と窒素化合物又は炭素化合物の流址比及び基板温度を適
宜調整することによって、所望の組成比及び光学的エネ
ルギーギ’rツブを有するa−8i 1−xNx :
Hla −8i 1−yCy :Hを析出させることが
でき、また析出する膜の電気的特性にさほど影響を与え
ることなく、1000 X / mm以上の速度で堆積
させることが可能である。 このよう圧して、本発明に
よるa−8iC:H/a−8iN:Hを基本構造とする
感光体は、使用する反応ガスの種類及び流敬を変えるだ
けで同一装置により順次各層を製膜することによって作
成できる。
7.28.29.30.31.37.38.40は各パ
ルプ、32はSin、又はガス状シリコン化合物の供給
源、33はNH,又はN□等の窒素の供給源、34はC
)14等の炭化水素ガスの供給源、35はAr又はH,
等のキャリアガス洪給源、A6は不純物ガス(例えばB
、 H,又はPH,)供給源である。 このグルー放電
装+Nにおいて、まず支持体である例えばl基板1の表
面を清浄化した後に真空槽12内に配置aシ、真空槽1
2内のガス圧が10−’ Torrとなるようにパルプ
37を調節して排気し、かつ基板1を所定温度、例えば
30〜400℃に加熱保持する。 次いで、高純度の不
活性ガスをキャリアガスとして、S i H4又はガス
状シリコン化合物、及びNH,又はN2を適当量希釈し
た混合ガス、及びCH,、B、 11.等を適宜真空槽
12内に導入し、例えば0.01〜10 Torrの反
応圧下で高周波電源16により高周波電圧(例えば13
.56M1lz ) を印加する。 これによって、
上記各反応ガスをグルー放電分解し、a−8iC:H1
水素を含むa−8iN:Hを上記の層2.3として基板
上に順次堆4’ttさせる。 この際、シリコン化合物
と窒素化合物又は炭素化合物の流址比及び基板温度を適
宜調整することによって、所望の組成比及び光学的エネ
ルギーギ’rツブを有するa−8i 1−xNx :
Hla −8i 1−yCy :Hを析出させることが
でき、また析出する膜の電気的特性にさほど影響を与え
ることなく、1000 X / mm以上の速度で堆積
させることが可能である。 このよう圧して、本発明に
よるa−8iC:H/a−8iN:Hを基本構造とする
感光体は、使用する反応ガスの種類及び流敬を変えるだ
けで同一装置により順次各層を製膜することによって作
成できる。
なお、上記の製造方法はグルー放電分解法によるもので
あるが、これ以外罠も、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素数゛成管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でSNを蒸発させる方法(特に、本出願
人による特開11156−1413号(特願昭54−1
52455号)の方法)等によっても上記感光体の製造
が可能である。
あるが、これ以外罠も、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素数゛成管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でSNを蒸発させる方法(特に、本出願
人による特開11156−1413号(特願昭54−1
52455号)の方法)等によっても上記感光体の製造
が可能である。
使用する反応ガスは、S i )I4以夕)にもStg
)l、、SiF、 、5iHF、 、又はそのvj尋体
ガス、CII。
)l、、SiF、 、5iHF、 、又はそのvj尋体
ガス、CII。
以外のCm Ha 、 Ca Ha等の低級炭化水素ガ
スが使用可能である。
スが使用可能である。
第8図は、本発明匠よる感光体を上記特開昭56−78
413号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。
413号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。
ペルジャー41は、バタフライバルブ42を有する排気
管43を介して真空ポンプ(図示せず)を接続し、こ才
]により当該ペルジャー41内を例えば10 B=10
” Torrの高置空状態とし、当該ペルジャー41
内には基板1を配置してこれをヒーター45により温度
150〜500℃、好ましくは250〜450℃に加熱
すると共に、直流電綜46により基板I K O〜−1
0kV、好ましくは−1〜−6kVの直流負電圧を印加
し、その出口が基板1と対向するようペルジャー41に
出口を接続して設けた水素ガス放電管47より活性水素
及び水素イオンをペルジャー41内に導入しながら、基
板1と対向するよう設けたシリコン蒸発源48及び必要
あわばアルミニウム蒸発源49を加熱すると共に各上方
のシャッターSを開き、シリコン及びアルミニウムをそ
の蒸発速度比が例えば1:10−’ と なる蒸発速度
で同時に蒸発させ、かつペルジャー41内へ、放電管5
0により活性化されたNH,ガス又はCH1ガスを導入
し、これにより必要あればアルミニウムを所定量含有す
るa−8iN:H層3、a−8iC:H層2(第1図〜
第3図参照)を形成する。
管43を介して真空ポンプ(図示せず)を接続し、こ才
]により当該ペルジャー41内を例えば10 B=10
” Torrの高置空状態とし、当該ペルジャー41
内には基板1を配置してこれをヒーター45により温度
150〜500℃、好ましくは250〜450℃に加熱
すると共に、直流電綜46により基板I K O〜−1
0kV、好ましくは−1〜−6kVの直流負電圧を印加
し、その出口が基板1と対向するようペルジャー41に
出口を接続して設けた水素ガス放電管47より活性水素
及び水素イオンをペルジャー41内に導入しながら、基
板1と対向するよう設けたシリコン蒸発源48及び必要
あわばアルミニウム蒸発源49を加熱すると共に各上方
のシャッターSを開き、シリコン及びアルミニウムをそ
の蒸発速度比が例えば1:10−’ と なる蒸発速度
で同時に蒸発させ、かつペルジャー41内へ、放電管5
0により活性化されたNH,ガス又はCH1ガスを導入
し、これにより必要あればアルミニウムを所定量含有す
るa−8iN:H層3、a−8iC:H層2(第1図〜
第3図参照)を形成する。
上記の放電管47.50の構造を例えば放電管47につ
いて示すと、第9図の如く、ガス人口61を有する筒状
の一方の電極部材62と、この一方の電極部材62を一
端に設けた、放電空間63を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材64と、この放電空間部材64の他端に設
ゆた、出口65 を有するリング状の他方の電極部材6
6とより成り、前記一方の電極部材62と他方の電極部
材66との間に直流又は交流の′i圧が印加されること
により、ガス人口61を介して供給された例えば水素ガ
スが放電空間63においてグルー放電を生じ、これによ
り電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子
より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口
65より排出される。 この図示の例の放電空間部材6
4は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を
有し、67.68が冷却水入口及び出口を示す。 69
は一方の電極部材62の冷却用フィンである。 上記の
水素ガス放電管47における′ば極間距離は10〜15
cmであり、印加電圧は600V、放電空間63の圧力
は10−”Torr程度とされる。
いて示すと、第9図の如く、ガス人口61を有する筒状
の一方の電極部材62と、この一方の電極部材62を一
端に設けた、放電空間63を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材64と、この放電空間部材64の他端に設
ゆた、出口65 を有するリング状の他方の電極部材6
6とより成り、前記一方の電極部材62と他方の電極部
材66との間に直流又は交流の′i圧が印加されること
により、ガス人口61を介して供給された例えば水素ガ
スが放電空間63においてグルー放電を生じ、これによ
り電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子
より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口
65より排出される。 この図示の例の放電空間部材6
4は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を
有し、67.68が冷却水入口及び出口を示す。 69
は一方の電極部材62の冷却用フィンである。 上記の
水素ガス放電管47における′ば極間距離は10〜15
cmであり、印加電圧は600V、放電空間63の圧力
は10−”Torr程度とされる。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
トリフルルエチレンで洗浄し、0.1%NaOH水溶液
、0.1%HNO,水浴液でエツチングしたAl基板を
第7図のグルー放成装置内にセット、/反応槽内な10
−6Torr台の高真空度に排気し、支持体温度を20
0℃に加熱した後高純度Arガスを導入し、0.5To
rrの背圧のもとで周波数13.56 M)lz 、
mカ密度0.04W /、の高周波電力を印加し、15
分間の予備放電を行った。 次いで、5IH4とCH4
からなる反応ガスを導入し% (Ar+SiH,+CH
4)混合ガス及びPH,又はB2H6ガスをグμ−放電
分解することにより、キャリア注入を防止するa−8L
C:HTdを形成した。 光導電層の形成に当っては、
5iI(4、H7、及び必要あればB*Haを放電分解
し、a−8iN:H感光層を形成した。
、0.1%HNO,水浴液でエツチングしたAl基板を
第7図のグルー放成装置内にセット、/反応槽内な10
−6Torr台の高真空度に排気し、支持体温度を20
0℃に加熱した後高純度Arガスを導入し、0.5To
rrの背圧のもとで周波数13.56 M)lz 、
mカ密度0.04W /、の高周波電力を印加し、15
分間の予備放電を行った。 次いで、5IH4とCH4
からなる反応ガスを導入し% (Ar+SiH,+CH
4)混合ガス及びPH,又はB2H6ガスをグμ−放電
分解することにより、キャリア注入を防止するa−8L
C:HTdを形成した。 光導電層の形成に当っては、
5iI(4、H7、及び必要あればB*Haを放電分解
し、a−8iN:H感光層を形成した。
このようvr、 して作成した電子写真感光体をエレク
ト−メーターSP−428m(川口電機(株)製)に装
着し、帯電器放電、極に対する印加電圧を6kVとし、
5秒間帯′亀操作を行ない、この帯電、操作直後におけ
る感光体表面の帯電電位をVo (V)とし、この帯電
d位をl/2に減衰せしめるために必要な照射光蓋を半
減露光址El/2 (1ux−sec )とした。
ト−メーターSP−428m(川口電機(株)製)に装
着し、帯電器放電、極に対する印加電圧を6kVとし、
5秒間帯′亀操作を行ない、この帯電、操作直後におけ
る感光体表面の帯電電位をVo (V)とし、この帯電
d位をl/2に減衰せしめるために必要な照射光蓋を半
減露光址El/2 (1ux−sec )とした。
表面電位の光減衰曲線はある有限の電位でフラットとt
【す、完全にゼpとならない場合があるが、この電位を
残留電位VR(V)と称する。また、画質については、
感光体をドラム状に作成し、20℃、604RHで電子
写真複写機U−H1xV(小西六写真工業(株)#J)
に装着し、絵出しを行ない、(初期画質(1000コピ
一時の111ii質)及び多数回使用時の画質(10万
コピ一時の画質)を次の如くに評価した。
【す、完全にゼpとならない場合があるが、この電位を
残留電位VR(V)と称する。また、画質については、
感光体をドラム状に作成し、20℃、604RHで電子
写真複写機U−H1xV(小西六写真工業(株)#J)
に装着し、絵出しを行ない、(初期画質(1000コピ
一時の111ii質)及び多数回使用時の画質(10万
コピ一時の画質)を次の如くに評価した。
画像濃度 1.0以上 ◎ (画質が非常に良好)〃0
.6〜1.0 0 (画質が良好)〃0.6未満 へ
(画1永にボケが発生)× (譲度が著しく低く判別
不能) 本発明による各感光体を比較例と共に第10図に示した
が、光U4電層(感光層)に不純物をドープして窒素値
をフン)P−ルした場合には著しく特性が向上する。
この感光層をはじめ、プpノキング層の組成や厚みを適
切に選べば結果が良好となることも分る。
.6〜1.0 0 (画質が良好)〃0.6未満 へ
(画1永にボケが発生)× (譲度が著しく低く判別
不能) 本発明による各感光体を比較例と共に第10図に示した
が、光U4電層(感光層)に不純物をドープして窒素値
をフン)P−ルした場合には著しく特性が向上する。
この感光層をはじめ、プpノキング層の組成や厚みを適
切に選べば結果が良好となることも分る。
図面は本発明の実絢例を示すものであって、第1図、第
2図、第3図は感光体の三例の各断面図、 第4図は仝累菫によるa−8iN:IIの抵抗変化を示
すグラフ、 第5図は不純物ドーピングによるa −81(N) :
Hの抵抗変化を示すグラフ、 第6図は窒素艙によるa−8iN:Hの光学的 エネル
ギーギャップの変化を示すグラフ、第7図はグルー故弯
、装置の概略断面図、第8図は真空蒸着装置の概略断面
図、 第9図はガス放電管の断面図、 第10図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 l・・・・・・・・・支持体基板 2・・・・・・・・・a 78 i C: II Iu
(プpソキング層)3・・・・・・・・・a−8IN
:Iu傅(光尋覗層又は感光−)である。 代理人 逢 坂 宏 第 10 @2四 第30 @4E a−5D−xNx:H @50 a−5it−xNx:H 第7日 @8′日 第9日
2図、第3図は感光体の三例の各断面図、 第4図は仝累菫によるa−8iN:IIの抵抗変化を示
すグラフ、 第5図は不純物ドーピングによるa −81(N) :
Hの抵抗変化を示すグラフ、 第6図は窒素艙によるa−8iN:Hの光学的 エネル
ギーギャップの変化を示すグラフ、第7図はグルー故弯
、装置の概略断面図、第8図は真空蒸着装置の概略断面
図、 第9図はガス放電管の断面図、 第10図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 l・・・・・・・・・支持体基板 2・・・・・・・・・a 78 i C: II Iu
(プpソキング層)3・・・・・・・・・a−8IN
:Iu傅(光尋覗層又は感光−)である。 代理人 逢 坂 宏 第 10 @2四 第30 @4E a−5D−xNx:H @50 a−5it−xNx:H 第7日 @8′日 第9日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体と、この基体上に形成されたアモルファス水素
化及び/又はフッ素化炭化シリコンからなる厚さ100
X〜1μmの電荷ブーツキング層と、この電荷ブp゛ソ
キング層上に形成された窒素原子含有アモルファス水素
化及び/又はフッ素化シリコンからなる厚さ2〜80μ
mの光導電層とからなることを特徴とする記録体。 2、光導電層の窒素原子含有量が1〜30 atomi
c悌、電荷ブpノキング層の炭素原子含有量が5〜90
atomic%である、特許請求の範囲の第1項に記
載した記録体。 3、光導電層の窒素原子含有量が15〜25 atom
ia係、電荷プpノキング層の炭素原子含有値が10〜
50 ato+nic %である、特許請求の範囲の第
2項に記載した記録体。 4、光導電層の固有抵抗が、周期表第■A族元素のドー
ピングによって10ItΩ−い以上となっている、特許
請求の範囲の第1項〜第3項のいずれか1項に記載した
記録体。 5、電荷プpツキング1−が、周期表AVA族元素のド
ーピングによってN型の導電型を示している、特許請求
の範囲の第1項〜第4項のいずれか1項に記載した記録
体。 6、電荷ブーツキング層が、周期表第[A族元素のドー
ピングによってP型の導電型を示している、特許請求の
範囲の第1項〜第4項のいずれか1項に記載した記録体
。 7、電荷ブーツキング層の厚さが400〜5000X、
光導電層の厚さが5〜30μmである、特許請求の範囲
の第1項〜第6項のいずれか1項に記載した記録体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17800182A JPS5967540A (ja) | 1982-10-11 | 1982-10-11 | 記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17800182A JPS5967540A (ja) | 1982-10-11 | 1982-10-11 | 記録体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5967540A true JPS5967540A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16040809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17800182A Pending JPS5967540A (ja) | 1982-10-11 | 1982-10-11 | 記録体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5967540A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01161251A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
US4859554A (en) * | 1984-03-28 | 1989-08-22 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Multilayer photoreceptor |
-
1982
- 1982-10-11 JP JP17800182A patent/JPS5967540A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4859554A (en) * | 1984-03-28 | 1989-08-22 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Multilayer photoreceptor |
JPH01161251A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
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