JPH01161251A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH01161251A JPH01161251A JP62318638A JP31863887A JPH01161251A JP H01161251 A JPH01161251 A JP H01161251A JP 62318638 A JP62318638 A JP 62318638A JP 31863887 A JP31863887 A JP 31863887A JP H01161251 A JPH01161251 A JP H01161251A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
支持体とアモルファスシリコンから成る感光層との間に
電荷阻止層を有する電子写真感光体に関し、 感光体の帯電特性を改善して高品位の印字を行えるよう
にすることを目的とし、 支持体とアモルファスシリコンから成る感光層との間に
電荷阻止層を有する電子写真感光体において、前記電荷
阻止層がＰ＋型のアモルファス炭化シリコンで形成され
た構成とする。
電荷阻止層を有する電子写真感光体に関し、 感光体の帯電特性を改善して高品位の印字を行えるよう
にすることを目的とし、 支持体とアモルファスシリコンから成る感光層との間に
電荷阻止層を有する電子写真感光体において、前記電荷
阻止層がＰ＋型のアモルファス炭化シリコンで形成され
た構成とする。
本発明は支持体とアモルファスシリコンから成る感光層
との間に電界阻止層を有する電子写真感光体に関する。
との間に電界阻止層を有する電子写真感光体に関する。
支持体上に形成された感光体の表面を一様に帯電させ、
この上に印字情報に基づきレーザ光等を選択的に照射し
感光体の帯電電位を選択的に減衰させて潜像を形成した
後、これを現像して形成されたトナー像を記録紙に転写
、定着する電子写真記録装置は周知であるが、この場合
に使用される感光体としては、近年、セレン系よりも、
機械的強度の強いアモルファスシリコンが用いられるよ
うになってきている。
この上に印字情報に基づきレーザ光等を選択的に照射し
感光体の帯電電位を選択的に減衰させて潜像を形成した
後、これを現像して形成されたトナー像を記録紙に転写
、定着する電子写真記録装置は周知であるが、この場合
に使用される感光体としては、近年、セレン系よりも、
機械的強度の強いアモルファスシリコンが用いられるよ
うになってきている。
本発明はこのアモルファスシリコン膜の感光層を備えた
感光体に適用されるものである。
感光体に適用されるものである。
第５図はこの種の従来の感光体の構造説明図で、該感光
体は、アルミニウム等の導電性材料で形成された支持体
１の上に、電荷阻止層２と、感光層３と、表面保護層４
とを順次形成して構成された機能分離型になっており、
各層ごとにそれぞれの機能を分担させて性能を向上させ
るようになっている。
体は、アルミニウム等の導電性材料で形成された支持体
１の上に、電荷阻止層２と、感光層３と、表面保護層４
とを順次形成して構成された機能分離型になっており、
各層ごとにそれぞれの機能を分担させて性能を向上させ
るようになっている。
ところで、感光体を正に帯電させる形式の電子写真プロ
セスに用いる場合、表面から支持体に向かって発生する
電界のため、支持体から感光層に電荷を注入するような
力が働く。これを阻止するのが電荷阻止層２の役割であ
り、Ｐ゛型の水素化アモルファスシリコン（ａ −３ｉ
： Ｈ） 、すなわち■族の元素（一般にはボロン（
Ｂ）を用いることが多い）を高濃度にドニピングしたａ
−３ｉ ： Ｈを用いていた。
セスに用いる場合、表面から支持体に向かって発生する
電界のため、支持体から感光層に電荷を注入するような
力が働く。これを阻止するのが電荷阻止層２の役割であ
り、Ｐ゛型の水素化アモルファスシリコン（ａ −３ｉ
： Ｈ） 、すなわち■族の元素（一般にはボロン（
Ｂ）を用いることが多い）を高濃度にドニピングしたａ
−３ｉ ： Ｈを用いていた。
しかし、ａ −３ｉ ： ＨはＢドープ量により抵抗率
が第６図に示すように変化することが知られており、ｌ
Ｑ Ｏ〜１，０００ｐｐｍドープすると抵抗率は１０
７〜１０８Ω・ｃｍ程度と低くなるため、電荷阻止機能
を上げるためにドープ量を増やすと抵抗率が低下し、逆
に電荷阻止機能が低下して感光体の帯電能を下げる結果
となっていた。
が第６図に示すように変化することが知られており、ｌ
Ｑ Ｏ〜１，０００ｐｐｍドープすると抵抗率は１０
７〜１０８Ω・ｃｍ程度と低くなるため、電荷阻止機能
を上げるためにドープ量を増やすと抵抗率が低下し、逆
に電荷阻止機能が低下して感光体の帯電能を下げる結果
となっていた。
本発明は感光体の帯電特性を改善して高品位の印字を行
えるようにすることを目的とするものである。
えるようにすることを目的とするものである。
上述の問題点を解決するため、本発明では、支持体とア
モルファスシリコンから成る感光層との間に電界阻止層
を有する電子写真感光体において、前記電荷阻止層がＰ
′″型のアモルファス炭化シリコンで形成された構成と
している。
モルファスシリコンから成る感光層との間に電界阻止層
を有する電子写真感光体において、前記電荷阻止層がＰ
′″型のアモルファス炭化シリコンで形成された構成と
している。
電荷阻止層にＰ゛型アモルファス炭化シリコンを用いる
ことで、該電荷阻止層は十分な電荷阻止機能を有するよ
うになり、高い帯電能を持つ感光体が得られる。具体的
には、本発明の電荷阻止層の場合、Ｂを１００〜１１０
００ｐｐ ドープしても抵抗率が１０８〜１０１１Ω・
ｃｍ （ｘ ＝ ０．１〜０．５の場合）と高いため、
第５．６図に示した従来のものより高い電荷阻止機能を
持たせることができる。
ことで、該電荷阻止層は十分な電荷阻止機能を有するよ
うになり、高い帯電能を持つ感光体が得られる。具体的
には、本発明の電荷阻止層の場合、Ｂを１００〜１１０
００ｐｐ ドープしても抵抗率が１０８〜１０１１Ω・
ｃｍ （ｘ ＝ ０．１〜０．５の場合）と高いため、
第５．６図に示した従来のものより高い電荷阻止機能を
持たせることができる。
以下、第１図乃至第４図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本発明に係る感光体の構造説明図で、図中、１
０１は電荷阻止層である。なお、従来と同様の部材には
従来と同様の符号を付している。
０１は電荷阻止層である。なお、従来と同様の部材には
従来と同様の符号を付している。
電荷阻止層１０１は、Ｐ゛型水素化アモルファス炭化シ
リコン（Ｐ＋型ａ −３ｉＣ： Ｈ）から成り、支持体
ｌと感光層３の間に形成されて支持体１から感光層３へ
の電荷注入を阻止する役割を果たしている。このＰ１型
ａ −３ｉＣ： ＨはＢを高濃度にドーピングしたもの
で、Ｂドープ量による抵抗率の変化は第２図に示す通り
である。なお、第２図には、従来のＰ“型ａ −３ｉ
： Ｈの場合の変化（第６図と同様のもの）も参考に示
している。本図に明らかなように、本発明のＰ＋型ａｓ
ｉｃ：ＨはＢを１００〜１１０００ｐｐ ドープしても
抵抗率が１０８〜１０目Ω・ｃｍ （ｘ ＝ ０．’１
〜０．５の場合）と高く、付記した従来のＰ゛型ａ−３
ｉ ： Ｈより高い阻止機能を有している。
リコン（Ｐ＋型ａ −３ｉＣ： Ｈ）から成り、支持体
ｌと感光層３の間に形成されて支持体１から感光層３へ
の電荷注入を阻止する役割を果たしている。このＰ１型
ａ −３ｉＣ： ＨはＢを高濃度にドーピングしたもの
で、Ｂドープ量による抵抗率の変化は第２図に示す通り
である。なお、第２図には、従来のＰ“型ａ −３ｉ
： Ｈの場合の変化（第６図と同様のもの）も参考に示
している。本図に明らかなように、本発明のＰ＋型ａｓ
ｉｃ：ＨはＢを１００〜１１０００ｐｐ ドープしても
抵抗率が１０８〜１０目Ω・ｃｍ （ｘ ＝ ０．’１
〜０．５の場合）と高く、付記した従来のＰ゛型ａ−３
ｉ ： Ｈより高い阻止機能を有している。
このような電荷阻止層１０１を有する感光体は第３図の
装置により次のように成膜される。
装置により次のように成膜される。
まず真空容器１１内にアルミニウム製の円筒状支持体１
２をセットし、ポンプ１３，２７，１４゜１５を適宜使
用して真空容器１１内を真空排気する。そして、支持体
１２を回転機構１６により回転させ、ヒータ１７により
１５０〜３５０℃に加熱する。次に、シラン系ガス（Ｓ
ｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等）。
２をセットし、ポンプ１３，２７，１４゜１５を適宜使
用して真空容器１１内を真空排気する。そして、支持体
１２を回転機構１６により回転させ、ヒータ１７により
１５０〜３５０℃に加熱する。次に、シラン系ガス（Ｓ
ｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等）。
炭化水素系ガス（ＣＨｔ、 ＣｚＨｔ、ＣＪｓ、Ｃｚ）
Ｉ２等）及びジボランガス（Ｂ２Ｈ２）等をボンベ１８
．１９及び２０から流量計２１．２２．２３を介して放
電電極２４の内側に設けられた噴出口２５より導入する
。そして、高周波電源２６より高周波電力を供給し、放
電電極２４と支持体１２の間でクロー放電を起こしてガ
スをプラズマ状に分解し、支持体１２上に電荷阻止層１
０１を成膜する。次にガスをシラン系、ジボランガスの
みにして感光層３を成膜する。そして、最後に、シラン
系、炭化水素系ガスを導入して表面保護層４を成膜し、
以上によりすべての成膜が完了する。
Ｉ２等）及びジボランガス（Ｂ２Ｈ２）等をボンベ１８
．１９及び２０から流量計２１．２２．２３を介して放
電電極２４の内側に設けられた噴出口２５より導入する
。そして、高周波電源２６より高周波電力を供給し、放
電電極２４と支持体１２の間でクロー放電を起こしてガ
スをプラズマ状に分解し、支持体１２上に電荷阻止層１
０１を成膜する。次にガスをシラン系、ジボランガスの
みにして感光層３を成膜する。そして、最後に、シラン
系、炭化水素系ガスを導入して表面保護層４を成膜し、
以上によりすべての成膜が完了する。
このような成膜によって作製した感光体の帯電特性を第
４図に示す。横軸はコロトロン電圧、縦軸は帯電電位で
、曲線Ａは本発明の感光体の特性を、曲線Ｂは従来の感
光体の特性をそれぞれ示している。本図より、帯電特性
が大幅に改善されることば明らかである。
４図に示す。横軸はコロトロン電圧、縦軸は帯電電位で
、曲線Ａは本発明の感光体の特性を、曲線Ｂは従来の感
光体の特性をそれぞれ示している。本図より、帯電特性
が大幅に改善されることば明らかである。
以上述べたように、本発明によれば、電化阻止層をＰ゛
型アモルファス炭化シリコンで形成することにより感光
体の帯電特性を改善することができ、高品位の印字が可
能になる。
型アモルファス炭化シリコンで形成することにより感光
体の帯電特性を改善することができ、高品位の印字が可
能になる。
第１図は本発明の実施例の感光体の構造説明図、第２図
は本発明の実施例のａ−３ｉ＋−ＸＣｘ ： Ｈ（Ｂ）
のＢドープによる抵抗率の変化を示すグラフ、第３図は
本発明の実施例の感光体の成膜装置の構造を示す概要図
、 第４図は本発明の効果説明図、 第５図は従来の感光体の構造説明図、 第６図は従来のａ −Ｓｉ ： Ｈ（Ｂ）のＢドープに
よる抵抗率の変化を示すグラフで、 図中、 １は支持体、 ３は感光層、 ４ば表面保護層、 １０１は電荷阻止層である。
は本発明の実施例のａ−３ｉ＋−ＸＣｘ ： Ｈ（Ｂ）
のＢドープによる抵抗率の変化を示すグラフ、第３図は
本発明の実施例の感光体の成膜装置の構造を示す概要図
、 第４図は本発明の効果説明図、 第５図は従来の感光体の構造説明図、 第６図は従来のａ −Ｓｉ ： Ｈ（Ｂ）のＢドープに
よる抵抗率の変化を示すグラフで、 図中、 １は支持体、 ３は感光層、 ４ば表面保護層、 １０１は電荷阻止層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 支持体（１）とアモルファスシリコンから成る感光層
（３）との間に電荷阻止層（１０１）を有する電子写真
感光体において、 前記電荷阻止層（１０１）が、Ｐ＾＋型のアモルファス
炭化シリコンで形成されたことを特徴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318638A JPH01161251A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318638A JPH01161251A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161251A true JPH01161251A (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=18101373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318638A Pending JPH01161251A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660421A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121793A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ウロキナ−ゼの回収方法 |
| JPS58219565A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS5967540A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS59119358A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6194054A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318638A patent/JPH01161251A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| US6075256A (en) * | 1993-12-16 | 2000-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| EP0660421A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| EP0660421A3 (en) * | 1993-12-27 | 1997-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| US6512279B2 (en) | 1993-12-27 | 2003-01-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| US6982422B2 (en) | 1993-12-27 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| US7022997B2 (en) | 1993-12-27 | 2006-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| USRE39780E1 (en) * | 1993-12-27 | 2007-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
| USRE42157E1 (en) | 1993-12-27 | 2011-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter |
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