JPS59119358A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59119358A JPS59119358A JP22671882A JP22671882A JPS59119358A JP S59119358 A JPS59119358 A JP S59119358A JP 22671882 A JP22671882 A JP 22671882A JP 22671882 A JP22671882 A JP 22671882A JP S59119358 A JPS59119358 A JP S59119358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous
- electrophotographic photoreceptor
- charge injection
- photosensitive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、アモルファスＳｔ を感光層として用い
た高感度で耐摩耗性に秀れた電子写真感光体に関する。
た高感度で耐摩耗性に秀れた電子写真感光体に関する。
電子写真感光体としては現在Ｓｇ もしくはＳｅ合金
が一般に広く用いられているが柔ら゛かいために傷がつ
き易く耐久性に欠け、また有毒であるという問題がある
。このため硬度が大きく感度に秀れたアモルファス５ｔ
（ａ−８ｔ ）を電子写真感光体に応用しようとする試
みがなされている。しかしながらＢ、−８ｔは、アンド
ープであっても暗抵抗が１０１１Ω−ＣｎＬと小さいた
め、帯電時の誘電緩和時間が十分大きくとれず、電荷保
持能が小さいので、この点の改善が必要となる。
が一般に広く用いられているが柔ら゛かいために傷がつ
き易く耐久性に欠け、また有毒であるという問題がある
。このため硬度が大きく感度に秀れたアモルファス５ｔ
（ａ−８ｔ ）を電子写真感光体に応用しようとする試
みがなされている。しかしながらＢ、−８ｔは、アンド
ープであっても暗抵抗が１０１１Ω−ＣｎＬと小さいた
め、帯電時の誘電緩和時間が十分大きくとれず、電荷保
持能が小さいので、この点の改善が必要となる。
高感度を維持しながら帯電時の誘電緩和時間を稼ぐのに
有力な方法としては、導電性基板とａ−８ｔ感九層の間
に、基板からの電荷の注入を防ぐ電荷注入阻止層を設け
る方法が知られている。例えばＡｔ基板とａ−ｓｉ感光
層の間にＳ ｌｏｘ等の絶縁物層を挾むか、正帯電用に
はＢ、負帯電用にはＰをドープしたａ−８ｔＭを挾めば
十分な帯Ｍｔの誘電緩和時間を稼げる。
有力な方法としては、導電性基板とａ−８ｔ感九層の間
に、基板からの電荷の注入を防ぐ電荷注入阻止層を設け
る方法が知られている。例えばＡｔ基板とａ−ｓｉ感光
層の間にＳ ｌｏｘ等の絶縁物層を挾むか、正帯電用に
はＢ、負帯電用にはＰをドープしたａ−８ｔＭを挾めば
十分な帯Ｍｔの誘電緩和時間を稼げる。
しかしながら、ＳｉＯｘ 等の絶縁物層を電荷注入阻止
層として用いると、暗減衰率（以下ＤＤＲ）は充分小さ
゛く感度も損なわないが、実際に複写させると疲労効果
が大きく白抜けの多い非常に質）悪い画像しか得られな
い。これは感光層内部に発生した不要な電荷が電荷注入
阻止層の存在によりうまく基板に逃げだせないためであ
る〇一方不純物をドープしたａＥ？を層を電荷注入阻止
層に用いる場合には、充分な電荷保持能を得るためには
、Ｂ等をＳｉ に対して０．１ａｔｒｎ％位入れる必
要がある。しかし０．ａａｔｍ％ものＢを添、加したａ
−８ｉ膜は歪みが大きく、例えばガラス基板の上に成膜
するとひどい場合にはハガレを生じたりする場合も多々
ある。そのため複写して得られる画像が白傷の多いあま
り良好とは貫えないものであることが多い。従って歩留
りは極めて悪く、実際の用途には適さ１（い。
層として用いると、暗減衰率（以下ＤＤＲ）は充分小さ
゛く感度も損なわないが、実際に複写させると疲労効果
が大きく白抜けの多い非常に質）悪い画像しか得られな
い。これは感光層内部に発生した不要な電荷が電荷注入
阻止層の存在によりうまく基板に逃げだせないためであ
る〇一方不純物をドープしたａＥ？を層を電荷注入阻止
層に用いる場合には、充分な電荷保持能を得るためには
、Ｂ等をＳｉ に対して０．１ａｔｒｎ％位入れる必
要がある。しかし０．ａａｔｍ％ものＢを添、加したａ
−８ｉ膜は歪みが大きく、例えばガラス基板の上に成膜
するとひどい場合にはハガレを生じたりする場合も多々
ある。そのため複写して得られる画像が白傷の多いあま
り良好とは貫えないものであることが多い。従って歩留
りは極めて悪く、実際の用途には適さ１（い。
本発明は、上述した従来の問題を改善したもので、ａ−
８ｔＯ高感度特性を活かしながら十分な電荷保持能をも
たせ、しかも光疲労のない良好な画質の画像を得ること
を可能とした・電子写真感光体を提供することを目的と
する。
８ｔＯ高感度特性を活かしながら十分な電荷保持能をも
たせ、しかも光疲労のない良好な画質の画像を得ること
を可能とした・電子写真感光体を提供することを目的と
する。
本発明は、ａＳｔ感光層に対する電荷注入阻止層として
、膜厚が１．５〜５μｍ 、光学的バンドギャップが１
．８ｅＶ 以上であってがっ暗抵抗が１０７Ω−Ｃｊｔ
二以下のＳｉ を母体とする物質膜を用いる。具体的
には、ａ−８ｉＫＣ、ＯまたはＮの少なくともいずれか
を含有させて光学的バンドギャップを大きくした絶縁物
に近いものを基本とし、これに帯電させる電荷に応じて
ｐ型またはｎ型不純物を好ましくは５ａｔｍ％以下添加
して、フェルミレベルをシフトさせた５ｉＣｘ 。
、膜厚が１．５〜５μｍ 、光学的バンドギャップが１
．８ｅＶ 以上であってがっ暗抵抗が１０７Ω−Ｃｊｔ
二以下のＳｉ を母体とする物質膜を用いる。具体的
には、ａ−８ｉＫＣ、ＯまたはＮの少なくともいずれか
を含有させて光学的バンドギャップを大きくした絶縁物
に近いものを基本とし、これに帯電させる電荷に応じて
ｐ型またはｎ型不純物を好ましくは５ａｔｍ％以下添加
して、フェルミレベルをシフトさせた５ｉＣｘ 。
５ＩＯｘ またはＳｉＮｘ 膜等を電荷注入阻止層と
する。
する。
ここで、光学的バンドギャップとは、一般に良く知られ
た αｈνｏｃ（ｈ Ｖ −Ｅｏ ）” （” ：光
学吸収１５ｉＪｊ）の関係により求まるＥ。である０ 〔発明の効果〕 本発明によれば、光学的バンドギャップが１．８ｅＶ以
上のＳｉ を母体とする絶縁物に近いものを電荷注入
阻止層として用いるので、基板から感光層への電荷の注
入を確実に抑えることができ、良好な電荷保持能を発揮
できる０また、この電荷注入阻止層は不純物をドープし
て暗抵抗を低くしている結果、感光層内部で発生した不
要な電荷を容易に基板側へ逃がすことができるので、光
疲労が少なく白抜けのない良好な画像を得ることができ
る。更に、光学的バンドギャップが１，８ｅＶ 以上の
Ｓｌ を母体とする絶縁物に近い物質、例えばＳ ｉ
ｃｘ 等ではＣも一部Ｓｔ のネットワークの中に入
っているので、これにＢ＋Ｐ等をドープしてもａ−８ｉ
ＫＢやＰ等金ドープする場合エリもはるかに歪みが少な
く、ふくれやハガレの生じにくい均質な膜を得ることが
容易である。又、膜厚を１．５〜５μにすることにエリ
基板の影響も諷く歩留りに優れている。従ってこのよう
な膜を電荷注入阻止層に用いる本発明による電子写真感
光体は傷、欠陥のない良質な画像を容易に得ることが出
来、かつ生産時の歩留りもよく量産に適している。
た αｈνｏｃ（ｈ Ｖ −Ｅｏ ）” （” ：光
学吸収１５ｉＪｊ）の関係により求まるＥ。である０ 〔発明の効果〕 本発明によれば、光学的バンドギャップが１．８ｅＶ以
上のＳｉ を母体とする絶縁物に近いものを電荷注入
阻止層として用いるので、基板から感光層への電荷の注
入を確実に抑えることができ、良好な電荷保持能を発揮
できる０また、この電荷注入阻止層は不純物をドープし
て暗抵抗を低くしている結果、感光層内部で発生した不
要な電荷を容易に基板側へ逃がすことができるので、光
疲労が少なく白抜けのない良好な画像を得ることができ
る。更に、光学的バンドギャップが１，８ｅＶ 以上の
Ｓｌ を母体とする絶縁物に近い物質、例えばＳ ｉ
ｃｘ 等ではＣも一部Ｓｔ のネットワークの中に入
っているので、これにＢ＋Ｐ等をドープしてもａ−８ｉ
ＫＢやＰ等金ドープする場合エリもはるかに歪みが少な
く、ふくれやハガレの生じにくい均質な膜を得ることが
容易である。又、膜厚を１．５〜５μにすることにエリ
基板の影響も諷く歩留りに優れている。従ってこのよう
な膜を電荷注入阻止層に用いる本発明による電子写真感
光体は傷、欠陥のない良質な画像を容易に得ることが出
来、かつ生産時の歩留りもよく量産に適している。
導電性基板としてＡ、／＝ ドラムを用い、この上に
通常のグロー放電分解にエリＢ−３ｔ等を堆積し−で電
子写真感光体を作った実施例を図を参照して説明する。
通常のグロー放電分解にエリＢ−３ｔ等を堆積し−で電
子写真感光体を作った実施例を図を参照して説明する。
脱脂洗浄後、２００℃まで昇温したＡｔ ドラム１の
上に、まず電荷注入阻止層としてａ−８ｔに少しＣが入
りがっ０．１ａｔｍ％のβが入った５ｉＣｘ 膜２を
２μｍ成膜する。これはＳ ｉ Ｔ（、、Ｃ’）Ｉ、
、 Ｂ２Ｈ，の混合ガス（混合比はＣＨ”５ｉ）ｉ４”
２ ’ ＞３２Ｈ６／５ｉＨ４＝１０−３）をＱ、４
ｔｏｒｒ。
上に、まず電荷注入阻止層としてａ−８ｔに少しＣが入
りがっ０．１ａｔｍ％のβが入った５ｉＣｘ 膜２を
２μｍ成膜する。これはＳ ｉ Ｔ（、、Ｃ’）Ｉ、
、 Ｂ２Ｈ，の混合ガス（混合比はＣＨ”５ｉ）ｉ４”
２ ’ ＞３２Ｈ６／５ｉＨ４＝１０−３）をＱ、４
ｔｏｒｒ。
２０Ｗでグロー放電分解して形成した。この５ｉＣｘ
Ｈ２のＦＴＩＲのスペクトルはＳ ｉ−Ｃ，Ｓ ｉ −
ＣＨ３の結合のピークが見られる。
Ｈ２のＦＴＩＲのスペクトルはＳ ｉ−Ｃ，Ｓ ｉ −
ＣＨ３の結合のピークが見られる。
すなわち、Ｃが少しＳｔ のネットワークの中に入っ
てきている。その結果光学的バンドギャップはほぼ２．
０６Ｖ であり、−万Ｂをドープしであるかの暗抵抗は
１０’Ω−Ｃｍ と小さくなっている。このＳ ｉＣｘ
膜２は、Ｓｌ とこれにエリ原子半径の小さなＣと
がネットワークを構成しているので、Ｂをａｔｍ％のオ
ーダーで添加してもＳｉ にＢを加える場合等とは異
なり、歪みや割れ、ハガレを生じない。次にこの上にＳ
ｊＨ，にＢ２Ｈ６を微量加えたガス（混合比 Ｂ２Ｈ６／５ｉＨ４−１０−６）ノブロー放電分解によ
り感光層となる真性のＢ、−８ｉ：Ｈ膜３を２０μ７７
を形成する。この時の堆債条件は、０．５ ｔｏｒｒ
、 ５０Ｗである。この膜の明抵抗と暗抵抗の比は６５
Ｑ ｎｍの光に対してほぼ１０５ であり光感度とし
ては極めて秀れている。そして最後にＳ ｉ Ｈ４，Ｃ
Ｈ。
てきている。その結果光学的バンドギャップはほぼ２．
０６Ｖ であり、−万Ｂをドープしであるかの暗抵抗は
１０’Ω−Ｃｍ と小さくなっている。このＳ ｉＣｘ
膜２は、Ｓｌ とこれにエリ原子半径の小さなＣと
がネットワークを構成しているので、Ｂをａｔｍ％のオ
ーダーで添加してもＳｉ にＢを加える場合等とは異
なり、歪みや割れ、ハガレを生じない。次にこの上にＳ
ｊＨ，にＢ２Ｈ６を微量加えたガス（混合比 Ｂ２Ｈ６／５ｉＨ４−１０−６）ノブロー放電分解によ
り感光層となる真性のＢ、−８ｉ：Ｈ膜３を２０μ７７
を形成する。この時の堆債条件は、０．５ ｔｏｒｒ
、 ５０Ｗである。この膜の明抵抗と暗抵抗の比は６５
Ｑ ｎｍの光に対してほぼ１０５ であり光感度とし
ては極めて秀れている。そして最後にＳ ｉ Ｈ４，Ｃ
Ｈ。
の混合Ｎ ス（流量比ＣＨｖＳ、Ｈ４＝、、 ＯＯ％）
ヲ０．４ ｔａｒｔ 、 １００Ｗでグロー放電分
解して、ｉ ００ ｏＸ （ｏ ５ｉＣｘ 膜４を形成
する。この最後の膜はａ−８ｔ悪感光の変質を防ぐと同
時に電荷保持能の向上に有効である。
ヲ０．４ ｔａｒｔ 、 １００Ｗでグロー放電分
解して、ｉ ００ ｏＸ （ｏ ５ｉＣｘ 膜４を形成
する。この最後の膜はａ−８ｔ悪感光の変質を防ぐと同
時に電荷保持能の向上に有効である。
こうして作られた電子写真感光体はトク期表面電位＋５
０６Ｖ 、１５秒後）電荷保持率６５５６ ｇ感度（５
，７Ａｕｘｏｓｅｃであり、光疲労全くなＸＩＡ非富非
電れた特性を示し、かつ得られる画像も従来の８１
にＢをドープした膜を電荷注入阻止層に用いたものに見
られる白傷、欠陥が全くない極めて良質のものであった
。歩留りも著しく向上した０ 次に別の実施例を説明する。脱脂洗浄したＭ ドラム上
に、まずＳ ｉＨ４＋ ＣＨ４＋ Ｂ２Ｉ（６の混合カ
ス（混合比０Ｈ４／ｓ、Ｈ，＝３００％。
０６Ｖ 、１５秒後）電荷保持率６５５６ ｇ感度（５
，７Ａｕｘｏｓｅｃであり、光疲労全くなＸＩＡ非富非
電れた特性を示し、かつ得られる画像も従来の８１
にＢをドープした膜を電荷注入阻止層に用いたものに見
られる白傷、欠陥が全くない極めて良質のものであった
。歩留りも著しく向上した０ 次に別の実施例を説明する。脱脂洗浄したＭ ドラム上
に、まずＳ ｉＨ４＋ ＣＨ４＋ Ｂ２Ｉ（６の混合カ
ス（混合比０Ｈ４／ｓ、Ｈ，＝３００％。
Ｂ２Ｈ６／６、Ｈ４−１０−３）を用い、先の実施例よ
り高イパワー、具体的Ｋｉ’！２００Ｗ、ガス圧１ ｔ
ｏｒｒの条件でグロー放電分解させてＳ ｉＣｘ 膜を
２．５μｍ程成膜する。この条件下で成膜したＳ ＩＣ
ｘ 膜はＦＴＩＲのスペクトルを観測すると５ｔ−Ｃの
大きなピークとともにＣ−Ｈのピークも観測され、Ｃは
Ｓｔ とともにネットワークを構成している。この５
ｉＣｘ 膜の上に、Ｂを微量添加したａ−８ｔ：Ｈ膜を
、Ｓ ｉ Ｈ４＋ Ｂ２Ｈ６（流量比Ｂ２”／５ｔ）Ｉ
、＝１０−’ ）ガスのグロー放電分解にエリ２０μｍ
程成膜し、更にＳｉＨ４に同流量のＣＨ，を加えたガス
のグロー放電分解により１００ＯＸ程の５ｉＣｘ 膜を
形成した。
り高イパワー、具体的Ｋｉ’！２００Ｗ、ガス圧１ ｔ
ｏｒｒの条件でグロー放電分解させてＳ ｉＣｘ 膜を
２．５μｍ程成膜する。この条件下で成膜したＳ ＩＣ
ｘ 膜はＦＴＩＲのスペクトルを観測すると５ｔ−Ｃの
大きなピークとともにＣ−Ｈのピークも観測され、Ｃは
Ｓｔ とともにネットワークを構成している。この５
ｉＣｘ 膜の上に、Ｂを微量添加したａ−８ｔ：Ｈ膜を
、Ｓ ｉ Ｈ４＋ Ｂ２Ｈ６（流量比Ｂ２”／５ｔ）Ｉ
、＝１０−’ ）ガスのグロー放電分解にエリ２０μｍ
程成膜し、更にＳｉＨ４に同流量のＣＨ，を加えたガス
のグロー放電分解により１００ＯＸ程の５ｉＣｘ 膜を
形成した。
こうして得られた電子写真感光体は、初期表面電位＋５
５０Ｖ 、感度０．６ ｔｕｘ−ｓｃｃ、 １５秒後の
電荷保持率３５チの良好な特性を示し、得られる画像も
傷のない極めて良好なものであった。
５０Ｖ 、感度０．６ ｔｕｘ−ｓｃｃ、 １５秒後の
電荷保持率３５チの良好な特性を示し、得られる画像も
傷のない極めて良好なものであった。
尚、通常Ａｔ ドラムの表面はダイアモンド研摩して
もかなり凹凸があり、又Ｓｔ 堆積時には基板温度は
２００℃程度に上がるのでこの凹凸は一段に顕著になる
。又、ドラム形成後も表面にキズが入ることがある。従
ってこの様な下地の影響を避ける為に電荷注入阻止層の
膜厚は１．５μｍ以上とすることが必要である。これ以
下であると感光層と基板との間で部分的にリークが生じ
、特にハーフトーンの像を出した場合にＡ、５表面のこ
れらキズがそのまマ殊に出て実用にならない。一方、膜
形成のスルーブツトは低く、現在３μｍ７１時間程度で
ある。従って電荷注入阻止層の厚さは５μｍ以下好まし
くは３μｍ以下にする必要がある。それ以上にすると膜
形成に時間を要し好ましくない。
もかなり凹凸があり、又Ｓｔ 堆積時には基板温度は
２００℃程度に上がるのでこの凹凸は一段に顕著になる
。又、ドラム形成後も表面にキズが入ることがある。従
ってこの様な下地の影響を避ける為に電荷注入阻止層の
膜厚は１．５μｍ以上とすることが必要である。これ以
下であると感光層と基板との間で部分的にリークが生じ
、特にハーフトーンの像を出した場合にＡ、５表面のこ
れらキズがそのまマ殊に出て実用にならない。一方、膜
形成のスルーブツトは低く、現在３μｍ７１時間程度で
ある。従って電荷注入阻止層の厚さは５μｍ以下好まし
くは３μｍ以下にする必要がある。それ以上にすると膜
形成に時間を要し好ましくない。
従って、本発明において電荷注入阻止層の厚さは１．５
〜５μｍ１好ましくは１．５〜３μｍにする必要がある
。これは、ａ ドラムの他Ａｔ 合金（Ａｔ−Ｃｕ合金
、Ａ７−Ｚｎ合金等）、ステンレスや黄銅ドラムを用い
ても同様である。その、地平板状の導電性基板を用いて
も良いものである。
〜５μｍ１好ましくは１．５〜３μｍにする必要がある
。これは、ａ ドラムの他Ａｔ 合金（Ａｔ−Ｃｕ合金
、Ａ７−Ｚｎ合金等）、ステンレスや黄銅ドラムを用い
ても同様である。その、地平板状の導電性基板を用いて
も良いものである。
以上の実施例では、電荷注入阻止層としてＳｔ にＣ
を添加したが、ＮまたはＯでも同様の効果が得られる。
を添加したが、ＮまたはＯでも同様の効果が得られる。
また負帯電の感光体を作る場合には、この電荷注入阻止
層に添加する不純物どしてＰ 、 Ａｓ 等のｎｕ不
純物を用いればよい。
層に添加する不純物どしてＰ 、 Ａｓ 等のｎｕ不
純物を用いればよい。
又、感光層としてのａ−８ｉはいわゆる微結晶３１
や多結晶シリコンを含むものであってもよい。更に感光
層にＧｅ をドーグして光学的バンドギャップを小さ
くすれば、長波長に感度をもつレーザープリンタ等用い
ることができる感光体が得られる。
や多結晶シリコンを含むものであってもよい。更に感光
層にＧｅ をドーグして光学的バンドギャップを小さ
くすれば、長波長に感度をもつレーザープリンタ等用い
ることができる感光体が得られる。
図は本発明の一実施例の電子写真感光体を示す断面図で
ある。 Ｉ・・四μ ドラム（導電性基板）、２・・・Ｂドープ
５ｉＣｘ膜（電荷注入阻止層）、３＝−ａ−８ｉ：Ｈ膜
（感光層）、４−８ｉＣｘｋ。
ある。 Ｉ・・四μ ドラム（導電性基板）、２・・・Ｂドープ
５ｉＣｘ膜（電荷注入阻止層）、３＝−ａ−８ｉ：Ｈ膜
（感光層）、４−８ｉＣｘｋ。
Claims (8)
- （１）導電性基板上に電荷注入阻止層を介してアモルフ
ァスＳｉ からなる感光層を形成してなる電子写真感
光体において、前記電荷、注入阻止層として膜厚が１．
５〜５μｍ 、暗抵抗が１０７Ω−ｃｍ以下で光学的バ
ンドギャップが１．８ｅｖ 以上のＳｔ を母体とす
る物質膜を用いたことを特徴とする電子写真感光体。 - （２）前記電荷注入阻止層が、微量のｐ型またはｎ型不
純物を含み、かつＳｉ とＣ，Ｎ、Ｏの少なくとも一
つとを含む特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。 - （３） 前記ｐ型またはｎ型不純物の含有量が５Ｂｔ
ｍ％以下である特許請求の範囲第２項記載の電子写真感
光体。 - （４）前記感光層としてのアモルファス５ｉ７５ｆ水素
化子モルファスＳｔ である特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体０ - （５）前記感光層としてのアモルファスＳｔ がパｐ
ゲンを含むアモルファスＳｉ である特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。 - （６）前記感光層としてのアモルファスＳｉ が微量
の蔦を含むものである特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体。 - （７）前記感光層としてのアモルファスＳｉ がＧｅ
を含むものである特許請求の範囲第１項記載の電子
写真感光体。 - （８）前記感光層としてのアモルファスＳｔ が微結
晶Ｓｉ を含むアモルファス８１ である特許請求
の範囲第１項記載の電子写真感光体○（９）前記感光層
上にＳｉ とＣ，Ｎ。０の少なくとも一つとを含む膜
を形成した特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22671882A JPS59119358A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22671882A JPS59119358A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119358A true JPS59119358A (ja) | 1984-07-10 |
| JPH0514900B2 JPH0514900B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16849538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22671882A Granted JPS59119358A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119358A (ja) |
Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6199148A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS61295562A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS6278567A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-10 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS62195673A (ja) * | 1986-02-23 | 1987-08-28 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS62198869A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63178248A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-07-22 | ゼロックス コーポレーション | バリヤー層を有する無定形ケイ素像形成部材 |
| JPH01123247A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPH01161251A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
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1982
- 1982-12-27 JP JP22671882A patent/JPS59119358A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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Also Published As
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| JPH0514900B2 (ja) | 1993-02-26 |
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