JPS58220144A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS58220144A JPS58220144A JP10488982A JP10488982A JPS58220144A JP S58220144 A JPS58220144 A JP S58220144A JP 10488982 A JP10488982 A JP 10488982A JP 10488982 A JP10488982 A JP 10488982A JP S58220144 A JPS58220144 A JP S58220144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- amorphous silicon
- asi
- electrophotographic receptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体に関するものであり、特に水素
化アモルファスシリコンを感光層とした感光体に関する
ものである。
化アモルファスシリコンを感光層とした感光体に関する
ものである。
７程子写真感光体の拐料として従来からセレン。
硫化カドミウム、酸化亜鉛等が広く利用されているか、
これらの材料は人体に有害であったり、また感光体とし
ての特性や寿命が充分でない等の問題かあった。上記の
ような感光体材料に代って最近水素化アモルファスシリ
コン（以下ａＳｉ：Ｈと表わす）が注目を集めている。
これらの材料は人体に有害であったり、また感光体とし
ての特性や寿命が充分でない等の問題かあった。上記の
ような感光体材料に代って最近水素化アモルファスシリ
コン（以下ａＳｉ：Ｈと表わす）が注目を集めている。
この種のａＳｉ：Ｈは、電子写真感光体として心太とさ
れる高い光感度と高い抵抗の両方の性質を一応兼ね備え
ているばかりでなく、無公害である上に硬度の高いａＳ
ｉ二Ｈを容易に作成し得るという利点かある。
れる高い光感度と高い抵抗の両方の性質を一応兼ね備え
ているばかりでなく、無公害である上に硬度の高いａＳ
ｉ二Ｈを容易に作成し得るという利点かある。
処で電子写真感光体を構成するためには高い光感度を備
えることかまず第１に必要になるか、ａＳｉ：Ｈは光に
対する吸収係数か非常に大きく、入射面から数ミクロン
の深さで充分に光か吸収され、それ以上の深さにはほと
んど到達する成分はない。従って光感度のみに注目した
場合感光体としては数ｉクロンの厚さで充分に機能を果
すことかできる。しかし従来から公知の電子写真複写装
置に適用されている作像、現像及び転写ブワセスを経て
ＰＰＣ複写像を得るためには、感光体は光感度特性のみ
では不充分であり、他に重要な特性として帯電電荷保持
特性かある。該帯電電荷保持特性は、作像プロセスにお
いてコロナ放電により感光体表面を数百ボルトに帯電さ
せ、その帯電電位を約２０秒間にも亘って保持させる必
要があることに基くもので、このような比較的長い時間
に酊る保持特性を得るためには、感光体自身の抵抗か１
０１３Ωｍ程度の非常に高いものであることに相当する
。このような帯電保持の必要性から感光体としてｔｉ単
に光に感じる層のみの場合に充分な厚さに比して非常に
厚い感光体か用いられることになる。
えることかまず第１に必要になるか、ａＳｉ：Ｈは光に
対する吸収係数か非常に大きく、入射面から数ミクロン
の深さで充分に光か吸収され、それ以上の深さにはほと
んど到達する成分はない。従って光感度のみに注目した
場合感光体としては数ｉクロンの厚さで充分に機能を果
すことかできる。しかし従来から公知の電子写真複写装
置に適用されている作像、現像及び転写ブワセスを経て
ＰＰＣ複写像を得るためには、感光体は光感度特性のみ
では不充分であり、他に重要な特性として帯電電荷保持
特性かある。該帯電電荷保持特性は、作像プロセスにお
いてコロナ放電により感光体表面を数百ボルトに帯電さ
せ、その帯電電位を約２０秒間にも亘って保持させる必
要があることに基くもので、このような比較的長い時間
に酊る保持特性を得るためには、感光体自身の抵抗か１
０１３Ωｍ程度の非常に高いものであることに相当する
。このような帯電保持の必要性から感光体としてｔｉ単
に光に感じる層のみの場合に充分な厚さに比して非常に
厚い感光体か用いられることになる。
上記のような諸性性に鑑みて従来から開発されているａ
ｓｉ：ＩＩを用いた感光体は、アルミニウド等の金属ド
ラノ、土にａＳｉ：ＩＴを３〜４０／ｌ程度の厚さに成
膜して帯電保持させることか試みられている。通常−に
配従来のａｓｉ：１１膜は、ボロン及び酸素か人々棒く
微量に添加されて、上記のような帯電保持に必要な高抵
抗を得る試みがなされている。
ｓｉ：ＩＩを用いた感光体は、アルミニウド等の金属ド
ラノ、土にａＳｉ：ＩＴを３〜４０／ｌ程度の厚さに成
膜して帯電保持させることか試みられている。通常−に
配従来のａｓｉ：１１膜は、ボロン及び酸素か人々棒く
微量に添加されて、上記のような帯電保持に必要な高抵
抗を得る試みがなされている。
しかし添加するボロンの晴は、通常のＧｌ）−ＣＶＩ）
θくで作成されるａＳｉ：Ｉ（膜が極くわずかにｎ型半
導体の性質を有しでいることを補償し、これを打ち消す
ことを目的として添加されるもので、従って非常に微量
か摘除となるか、このような最適添加駄に制御すること
は非常に困難である。寸だもう一つの添加物である酸素
は、抵抗値を高める作用はするか、反面添加によってａ
Ｓｉ の光感度を大きく減少させるという欠点かあり
、必ずしも好ましい感光体を作成し得ているとはいえな
かった。
θくで作成されるａＳｉ：Ｉ（膜が極くわずかにｎ型半
導体の性質を有しでいることを補償し、これを打ち消す
ことを目的として添加されるもので、従って非常に微量
か摘除となるか、このような最適添加駄に制御すること
は非常に困難である。寸だもう一つの添加物である酸素
は、抵抗値を高める作用はするか、反面添加によってａ
Ｓｉ の光感度を大きく減少させるという欠点かあり
、必ずしも好ましい感光体を作成し得ているとはいえな
かった。
また上記ボロン及び酸素を添加する代りに、ａｓｉ：Ｈ
膜上に電流のブロッキング層として作用する極く薄い０
． Ｉ 、１ｔ〜１μ程度の絶縁層を設けて、帯電保持
を行わせようとしたａｓｉ：Ｈ感光体も提案されている
。しかしブロッキング層としての作用を果し得る絶縁層
の材質と厚さか容易に決められるものではなく、実用化
には到っていない。
膜上に電流のブロッキング層として作用する極く薄い０
． Ｉ 、１ｔ〜１μ程度の絶縁層を設けて、帯電保持
を行わせようとしたａｓｉ：Ｈ感光体も提案されている
。しかしブロッキング層としての作用を果し得る絶縁層
の材質と厚さか容易に決められるものではなく、実用化
には到っていない。
本発明は上記従来のａＳｉ：Ｈ感光体の問題点に鑑みて
なされたもので、所望の感光特性か得られるだけではな
く、硬度の高い表面層を備えた感光体を提供するもので
、次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
なされたもので、所望の感光特性か得られるだけではな
く、硬度の高い表面層を備えた感光体を提供するもので
、次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
’、１’ＩＩＩ
図に於て１はアルミニウム、ステンレス等の金属や絶縁
板の表面に導電体膜を被着して導電性をもたせた基板で
、該基板ｉ土にボロンを微険添加したａｓｉｌ１層２か
約２ｉの厚さに形成されている。該ａｓｉ：Ｈ層２は入
射された光に応じて光電キャリアを発生する感光特性を
もつ光電キャリア発生層として機能する。上記ａＳｉ：
Ｈ層２の更に上部には、ａＳｉ：０層２よりもより光学
的バンドギャップＥｇか大きい水素化アモルファスシリ
コンカーバイド（ａｓｉｃ：Ｈ）３か積層されている。
板の表面に導電体膜を被着して導電性をもたせた基板で
、該基板ｉ土にボロンを微険添加したａｓｉｌ１層２か
約２ｉの厚さに形成されている。該ａｓｉ：Ｈ層２は入
射された光に応じて光電キャリアを発生する感光特性を
もつ光電キャリア発生層として機能する。上記ａＳｉ：
Ｈ層２の更に上部には、ａＳｉ：０層２よりもより光学
的バンドギャップＥｇか大きい水素化アモルファスシリ
コンカーバイド（ａｓｉｃ：Ｈ）３か積層されている。
該ａＳｉＣ：Ｈ層３は上記ａｓｉ：Ｈ層２と共にＧＤ−
ＣＶ Ｉ）法によって成膜され、ａＳｉ：０層２よりも
厚く例えば２０膜程度の膜厚に形成されて、２層のアモ
ルファスシリコンか堆積されて感光体を構成する。
ＣＶ Ｉ）法によって成膜され、ａＳｉ：０層２よりも
厚く例えば２０膜程度の膜厚に形成されて、２層のアモ
ルファスシリコンか堆積されて感光体を構成する。
ここでａＳｉＣ：ｌ（層３はバンドギャップＥｇが大き
いため、熱的に励起されるキャリアの数も少なく、ａＳ
ｉ：０層２よりも抵抗を高くすることが可能であり、薄
い膜厚のものでも帯電電位を保持できる利点かあってａ
Ｓｉ：０層２のキャリア発生層に対してキャリア輸送層
として機能する。
いため、熱的に励起されるキャリアの数も少なく、ａＳ
ｉ：０層２よりも抵抗を高くすることが可能であり、薄
い膜厚のものでも帯電電位を保持できる利点かあってａ
Ｓｉ：０層２のキャリア発生層に対してキャリア輸送層
として機能する。
上記実施例の説明において水素化アモルファスシリコン
は、水素のみを安定化のために添加したアモルファスシ
リコンに限られるものではなく、従来からアモルファス
シリコン膜の作成に用いられている水素及びフッ素を安
定化のために添加したアモルファスシリコンも含まれる
。
は、水素のみを安定化のために添加したアモルファスシ
リコンに限られるものではなく、従来からアモルファス
シリコン膜の作成に用いられている水素及びフッ素を安
定化のために添加したアモルファスシリコンも含まれる
。
尚上記感光体層構造では、キャリア発生層がキャリア輸
送層の下に配置されているため、従来から考案されてい
る感光体積層構造とは逆構造になる。しかし上記実施例
では、上部のａＳｉＣ：Ｈ層３はバンドギャップＥｇが
大きいため入射された光を透過させることかでき、且つ
高抵抗であるので、たとえ光電層であるａＳｉ：０層２
か下側に積層されていても光に対して支障をきたすこと
はない。
送層の下に配置されているため、従来から考案されてい
る感光体積層構造とは逆構造になる。しかし上記実施例
では、上部のａＳｉＣ：Ｈ層３はバンドギャップＥｇが
大きいため入射された光を透過させることかでき、且つ
高抵抗であるので、たとえ光電層であるａＳｉ：０層２
か下側に積層されていても光に対して支障をきたすこと
はない。
むしろ高抵抗値であることによる帯電特性と、高い硬度
をもつことによる表面保護の点で非常に有利である。
をもつことによる表面保護の点で非常に有利である。
以下に具体的な実施例を挙げる。
アルミニウムドラムの基板を２５０℃に保温し、ＧＤ−
、ＣＶＤ法により、流昂： Ｉ ５０ＳＣＣＭのｓ ｉ
）（４ガスを用いてこのガスにＩｏｏｐｐｍの割合でＢ
２Ｈ６を混入し、！ ３．５６ ＭＨｚの高周波パワー
を５０Ｗ供給して１ず第１層目のキャリア発生層となる
ａｓｉ：ＩＩ （Ｂ）の膜を約２１１の厚さに成膜する
。所要時間は約１時間である。次に連続して同じＧ Ｉ
） −ＣＶ Ｄ装置を利用し、異なる原料ガスを流すこ
とによってわずかに低い２００℃に保持された上記基板
上に第２層目のキャリア輸送層を成膜させる。即ち流量
２００ＳＣＣＭのＣ２Ｈ，ｌガスに対して＋ ００ＳＣ
ＣＭの５ｉｌ１４を混入し、高周波パワー７０Ｗを供給
して約２０１ｔのａｓｉｃＨ７（層を作成する。
、ＣＶＤ法により、流昂： Ｉ ５０ＳＣＣＭのｓ ｉ
）（４ガスを用いてこのガスにＩｏｏｐｐｍの割合でＢ
２Ｈ６を混入し、！ ３．５６ ＭＨｚの高周波パワー
を５０Ｗ供給して１ず第１層目のキャリア発生層となる
ａｓｉ：ＩＩ （Ｂ）の膜を約２１１の厚さに成膜する
。所要時間は約１時間である。次に連続して同じＧ Ｉ
） −ＣＶ Ｄ装置を利用し、異なる原料ガスを流すこ
とによってわずかに低い２００℃に保持された上記基板
上に第２層目のキャリア輸送層を成膜させる。即ち流量
２００ＳＣＣＭのＣ２Ｈ，ｌガスに対して＋ ００ＳＣ
ＣＭの５ｉｌ１４を混入し、高周波パワー７０Ｗを供給
して約２０１ｔのａｓｉｃＨ７（層を作成する。
上記１程によ−って作成された感光体を電子写真装置に
装着して■・■・Ｃの複写を行１．た処、非常に良々ｆ
な画質を得ることかでき、２万枚のコピー後にも画Ｔ１
の劣化はほとんど認められず、感光特性及び寿命の両面
から満足し得るものでろ、った。
装着して■・■・Ｃの複写を行１．た処、非常に良々ｆ
な画質を得ることかでき、２万枚のコピー後にも画Ｔ１
の劣化はほとんど認められず、感光特性及び寿命の両面
から満足し得るものでろ、った。
以十本発明によれば、従来装置のようにアモルファスン
リコンの成膜［程時に添加物の困難な制司１）金行う必
安かなく、工程管理か非常にやり易くなり、寸だ感光体
の表面側は硬度の高いアモルファスノリコンカーバイド
で被われることになり、長期間の使用によ、）ても損傷
さノ１．にくく耐久性のすぐれた感光体を得ることがで
きる。
リコンの成膜［程時に添加物の困難な制司１）金行う必
安かなく、工程管理か非常にやり易くなり、寸だ感光体
の表面側は硬度の高いアモルファスノリコンカーバイド
で被われることになり、長期間の使用によ、）ても損傷
さノ１．にくく耐久性のすぐれた感光体を得ることがで
きる。
図は本発明による一実施例を示す感光体の断面図である
。
。
Claims (1)
- １）導電性基体上に水素化アモルファスシリコンを主体
とし、受光によってキャリアを発生するキャリア発生層
を形成し、該キャリア発生層上に、キャリア発生層より
膜厚の厚い水素化アモルファスシリコンカーバイトから
なるキャリア輸送層を積層しでなることを特徴とする電
子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10488982A JPS58220144A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10488982A JPS58220144A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220144A true JPS58220144A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14392735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10488982A Pending JPS58220144A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220144A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624355A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP10488982A patent/JPS58220144A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624355A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
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