JPS6332558A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザーを用いたレーザービームプリン
ターに適すると共に帯電能を向上させることによって高
速複写を可能とした電子写真感光体に関するものである
。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。

また、高速印字ができるレーザービームプリンターの開
発に伴ってそのレーザー光源に小型且つ高信頼性の半導
体レーザーが用いられるようになってきたが、このプリ
ンターにアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す
）感光体を搭載した場合、このレーザー光の発振波長が
近赤外付近にあるためその受光側にあるａ−Ｓｉ感光体
の光感度特性が劣るという問題がある。この問題を解決
するために感光体のａ−Ｓｉキャリア発生層にＧｅを適
当量ドーピングしてこの層の光感度領域を長波長側へ移
行させることが提案されているが、これに伴って表面電
位が小さくなるという問題がおきていた・このような問
題を解決するために第３図に示すような機能分離型感光
体が特開昭５８−１９２０４４号公報に提案されている
。

即ち、第３図によれば、導電性基板（１）の上に水素化
アモルファスシリコンカーバイドかう成るキャリア輸送
層（２）、アモルファスシリコンゲルマニウムから成る
キャリア発生層（３）及び表面保護層（４）が順次形成
された積層体が提案されており、そして、このキャリア
輸送層（２）には暗抵抗率及びキャリア移動度の大きい
材料と成り得る水素化アモルファスシリコンカーバイド
（以下、ａ−ＳｉＣ：Ｈと略す）により形成しており、
これによって表面電位及び光感度に優れ且つ残留電位が
小さくなることをねらっている。

しかしながら、この公報に示されたａ−３ｉＣ：Ｈキャ
リア輸送層を形成するに当たっては、例えばグロー放電
分解法を用いる場合、反応圧力、高周波電力などの様々
な放電条件、原料ガスの種類、ガス流量等々に起因して
安定した特性をもつ高品質なａ−５ｉＣ：Ｈ膜を形成す
るのが難しく、且つ、この膜自体水素化アモルファスシ
リコン（以下、ａ−ＳｔユＨと略す）膜に比べてダング
リングボンドが生成し易い傾向にあり、これにより、目
安として１０日Ω・ｃｍ以上の高暗抵抗率を有すると共
に高いキャリア移動度をもつａ−３ｉＣ：Ｈ膜を得るの
が難しくなっており、その結果、この感光体を高速複写
用に用いた場合には光メモリ効果により先の画像が完全
に除去されずに残留し、次の画像形成に伴って先の画像
が再び現れるという問題がある（これはゴースト現象と
呼ばれている）。

更にこのａ−５ｉ伝Ｈ膜を再現性よく安定した条件によ
って形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の両
者の特性に共通してその特性評価ができる検知手段が望
まれている″。

また、Ｇｅを含むキャリア発生層を形成するに当たって
は、キャリア輸送層に対して安定した密着性が得られて
おらず、ガス圧や高周波電力などの放電条件によっては
一部剥離が生じ、その結果、これがピンホールとなって
画像に白抜けなどが発生するという問題がある。

〔発明の目的〕

従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層の暗抵抗率
及びキャリア移動度を向上させ、これにより、大きな帯
電能をもつ電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は高速複写及び高速印字ができる半導
体レーザービームプリンター用の電子写真感光体を提供
することにある。

本発明の更に他の目的はａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層
を製作するに当たってその製造条件の設定が容易である
と共に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提供
することにある。

本発明の更に他の目的はキャリア発生層の下地層に対す
る密着性を大きくしてピンホールを発生させず、これに
より、長期に亘って画像に白抜けなどが発生しなくなっ
て高画質且つ高信頼性を達成した電子写真感光体を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に少なくともキャリア輸送層及
びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、前記
キャリア発生層がアモルファスシリコンゲルマニウムカ
ーバイド（以下、ａ−３ｉＧｅＣと略す）から成ると共
にＳｉとＧｅの原子組成比が１：１乃至１９：１の範囲
に且つＳｔとＣの原子組成比がｌ：１乃至１９：１の範
囲内にあり、前記キャリア輸送層がａ−５ｉＣ：Ｈから
成ると共にＣとＳｉの原子組成比が１：９乃至９：１の
範囲内にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける２８６
０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下であると共に２０
９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上であることを特
徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の典型的な電子写真°感光体には第１図に示す通
り基板（１）上にキャリア注入阻止層（５）、キャリア
輸送層（２ａ）、キャリア発生層（３ａ）及び表面保護
層（４ａ）を順次積層した積層体、或いは第２図に示す
通り、第１図に示した積層体よりキャリア注入阻止層（
５）を除いた積層体があり、また、これらの積層体に対
してキャリア輸送層（２ａ）とキャリア発生層（３ａ）
の積層順序を変えた積層体がある。

本発明によれば、機能分離型感光体に用いられるキャリ
ア輸送層（２ａ）にａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を用いると共にキ
ャリア発生層（３ａ）にａ−ＳｉＧｅＣ膜を用いてこれ
らの層に種々の条件を設定することにより本発明の目的
が達成できることを見出したものである。

このキャリア輸送層に用いられるａ−ＳｉＣ：Ｈ膜は、
例えば後述するグロー放電分解法によって生成され、そ
の放電条件等によって暗抵抗率とキャリア移動度が鋭敏
に作用を受けており、これに対して、本発明者等はこの
原因を解明すべく種々の実験を繰り返し行った結果、Ｃ
とＨの結合状態並びにＳｔとＨの結合状態が前記特性に
顕著に影響することを知見した。

即ち、ａ−５ｉＣ：Ｈ膜の赤外線吸収スペクトルを測定
するとＣＨ２結合及びＣＨ３結合の伸縮モードを示す吸
収ピークが２８６０ｃｍ−’の波数に表われ、ＳｉＨ結
合及びＳｉＨ２結合の伸縮モードを示す吸収ピークが２
０９０ｃｍ−’の波数に表われることを確認し、そして
この２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下である
と共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上、好
適には２８６０ｃＣ’の吸収係数が５００以下であると
共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上であれ
ばダングリングボンドが少なくなって大きなキャリア移
ｖＪ度となることが判った。尚、本発明にて表わす吸収
係数の値は当業者が一般に用いているｃｍ−’を単位と
する。

本発明によれば、このａ−５ｉＣ：Ｈ膜中のＳｉとＣの
原子組成比が重要であり、この比が１＝９乃至９：１、
好適には２：８乃至８：２の範囲内に設定されると暗抵
抗率が１０１１Ω・ｃｍ以上となることを見い出した。

また膜中の水素含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連する
が、膜中５乃至４０原子％、好適には１０乃至３０原子
％の範囲内になるようにすればよい。

このキャリア輸送層の厚みは１乃至５０μｍ、好適には
５乃至３０μｍの範囲内に設定するのがよく、１μｍ未
満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象が顕著に
なり、５０μｍを越えると画像の分解能が劣化すると共
に残留電位が大きくなる。

更にこのキャリア輸送層はＳｉ、　Ｃ及びＨの三種類の
原子を必須とするものであるが、他の原子を必要に応じ
てドーピングすることは何ら差支えない。例えばＢなど
の周期律表ｍａ族元素をドーピングすれば暗抵抗率を向
上させたり、キャリア移動度を大きくすることができ、
更にキャリア発生層とキャリア輸送層との界面における
フェルミレヘルをシフトさせることもできるのでキャリ
ア発生層で生じた光キャリアをキャリア輸送層へスムー
ズに注入することができ、これにより、光感度を高めて
残留電位を小さくすることができる。

更に、ａ−３ｉＣ：Ｈ膜を形成するに当たってはグロー
放電分解法、イオンブレーティング法、反応性スパッタ
リング法、真空薄着法、ＣＶＤ法などの薄膜形成技術を
用いることができ、また、これに用いられる原料には固
体、液体、気体のいずれでもよい。例えはグロー放電分
解法に用いられる気体原料としてＳｉＨ４，５ｉｚＨｂ
＋５ｉＪｓなどのＳｉ系ガス、Ｃ１ｔｅ、ＣＪ４．Ｃｚ
Ｈｚ、ＣｚＨ６，ＣＪｓなどのＣ系ガスを用いればよく
、更にＨ，、Ｈｅ＋Ｎｅ＋＾ｒなどをキャリアーガスと
して用いてもよい。

本発明に用いられるキャリア発生層（３ａ）はＧｅを含
む層から成るのでａ−５ｉ層に比べて分光感度特性が長
波長側ヘシフトする。この層（３ａ）はＳｉとＧｅの原
子組成比が１＝１乃至１９：１、好適には２：１乃至１
０：１の範囲内に設定することが重要であり、これによ
って約７８０ｎｍの発振波長をもつ半導体レーザー光に
対する光感度特性がａ−３ｉキャリア発生層を用いた感
光体に比べて顕著に向上する。そして、本発明者等が行
った実験によれば、ａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層を形
成して成る機能分離型感光体に対してはＳｉとＧｅの原
子組成比を２＝１乃至５：１の範囲内に設定するのが望
ましく、この範囲内であれば残留電位が小さくなって一
段と高い帯電能を有する感光体が得られる。

更にこのキャリア発生層（３ａ）にはＣを含有しており
、これにより、キャリア輸送Ｊｉ！　（２ａ）などの下
地層との密着性を大きくすることができる。このために
層中のＳｔとＣの原子組成比を１：１乃至１９：１、好
適には２：１乃至１０：１の範囲内に設定する必要があ
り、この原子組成比が１：１から外れた場合７８０ｎｍ
付近の長波長側の光感度特性が低下して実用上支障が生
じ、１９：１から外れた原子組成比の場合には下地層と
の密着性が期待できない。

このキャリア発生層はＨやハロゲン元素（Ｆ、ＣＩ。

Ｂｒ等）を含有しており、この含有量は５乃至４０原子
％、好適には１０乃至３０原子％がよ（、また、周期律
表第Ｕｌａ族元素（Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ等）や第Ｖａ
族元素（Ｐ　、　Ａｓ、Ｓｂ等）を０．０５乃至５００
０ｐｐｍ、好適には０．１乃至２０００ｐｐｍ含をすれ
ばよく、これにより、膜の伝導型を補償したり、或いは
暗抵抗値を大きくすることができ、その結果、優れた帯
電能が得られる。

本発明によれば、キャリア注入阻止層（５）はキャリア
輸送層（２ａ）へのキャリアの注入を阻止するために設
けられており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、
Ｓ　ｉ　Ｏｚ　ｌＳ　ｉＯ＋　Ａ　Ｉ　２０　ｘ　＋　
Ｓ　ｉＣ＋　Ｓ　ｉ　Ｃｓ　Ｎ　４．ａ　−Ｓ　ｉ。

ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−３ｉ：Ｆ、　ａ−３ｉＣ，ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ＋ａ−ＳｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いて形成さ
れる。Ｓｉ系又はＳｉＣ系を用いた場合には周期律ｍａ
族元素や第Ｖａ族元素を５０乃至５０００ｐｐｍの範囲
内で添加してキャリアの注入阻止を一段と高めることが
できる。そして、本発明の電子写真感光体についてはａ
−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層が十分に大きな暗抵抗を得
ることができるので、このキャリア注入阻止層を必ず形
成しなくてはならぬというものではなく、本発明者等が
繰り返し行った実験によれば、キャリア輸送層の暗抵抗
率が１０１′Ω・ｃｍ以上であればキャリア注入阻止層
を形成しなくても電子写真感光体として十分実用に供す
ることができることを見い出した。

表面保護層（４ａ）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及
び高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いる
ことができ、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、５
１０ｚ＋ＳｉＯ，ＡｌｚＯｚ、ＳｉＣ，５ｉＪ４．ａ−
３ｉ＋ａ−５ｔ：Ｈ，ａ−３ｉ：Ｆ、　ａ−３ｉＣ１ａ
−３ｉＣ；Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いる
ことができる。

更に本発明によれば、ａ−ＳｉＣ膜、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
又はａ−ＳｉＧｅＣ膜をグロー放電分解法により形成す
るに当たってその原料にＳｉＨ４ガス及びＣＪｚガスを
用いれば大きい成膜速度（約５乃至２０μｌｌ１時）が
得られる。従って、この両者のガスを用いてキャリア注
入阻止層（５）、キャリア輸送層（２ａ）及び表面保護
層（４ａ）をａ−３ｉＣ膜又はａ−３ｉＣ：Ｈ膜により
形成することにより同じ成膜装置を用いて連続的に形成
でき、且つその成膜時間を著しく小さくすることができ
る。因にＳｉＨ４ガスとＣ１，ガスを用いてａ−３ｉＣ
膜やａ−３ｉＣ：Ｈ膜を生成した場合その成膜速度は約
０．３乃至１μｍ／時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第４図により説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５タンク（６）（７
）（８）（９）（１０）には、それぞれＳｉＨ４，ＣＪ
２．ＧｅＨ４，ＢＪａ、Ｈｚガスが密封されており、Ｈ
２はキャリーガスとしても用いられる。これらのガスは
対応する第１．第２．第３．第４．第５３１整弁（１１
）（１２）（１３）　　（１４）（１５）を開放するこ
とにより放出され、その流量がマスフローコントローラ
（１６）（１７）（１８）（１９）（２０）により制御
されてメインパイプ（２１）へ送られる。尚、（２２）
は止め弁である。メインパイプ（２１）を通じて流れる
ガスは反応管（２３）へと送り込まれるが、この反応管
（２３）の内部には容量結合型放電用電極（２４）が設
置されており、それに印加される高周波電力は５０ｗ乃
至３Ｋｗが、またその周波数は１ＭＨｚ乃至１０ＭＨｚ
が適当である。

反応管（２３）の内部には、アルミニウムから成る筒状
の成膜用基板（２５）が試料保持台（２６）の上に載置
されており、この保持台（２６）はモーター（２７）に
より回転駆動されるようになっており、そして、基板（
２５）は適当な加熱手段により、約５０乃至４００℃好
ましくは約１５０乃至３００℃の温度に均一に加熱され
る。更に、反応管（２３）の内部は膜形成時に高度の真
空状Ｂ（放電圧０．１乃至２，０Ｔｏｒｒ　）を必要と
することにより回転ポンプ（２８）と拡散ポンプ（２９
）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を基板（２５）上に形成する
場合には、第１、第２、第５調製弁（１１）（１２）（
１５）を開いてそれぞれよりＳｉＨ４、ＣｚＨｚ、　ｌ
（ｚガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ
（１６）（１７）により制御されて５ｉＨｚ、ＣｚＨｚ
、Ｈｚの混合ガスがメインパイプ（２１）を介して反応
管（２３）へと流し込まれる。そして、反応管（２３）
の内部が０．１乃至２，０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基
板温度が５０乃至４００°Ｃ１放電用電極（２４）の高
周波電力が５０Ｗ乃至３ＫＷ、また周波数が１乃至１０
ＭＨｚに設定されていることに相俟ってグロー放電がお
こり、ガスが分解してａ−３ｉＣ：Ｈ膜が基板上に高速
で形成される。

但し、後述する実施例において、ａ−ＳｉＣ：Ｈキャリ
ア輸送層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定
するに当たっては３Ｘ３ｃｍの角形の平板を用意し、そ
して、前述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り
欠いてこの切り欠き部に平板を設置し、この平板上にａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜を生成する。

また、これら成膜速度、４電率及び赤外線吸収特性の測
定用平板にはそれぞれアルミニウム板、ＮＥＳＡガラス
板及び高砥抗単結晶シリコン板を用いる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

〔例　１　〕 本例においてはａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層をアルミ
ニウム製平板上に生成してその成膜速度を測定した。

即ち、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置を
用いそ第１タンク（６）よりＳｉＨ４ガスを、第２タン
ク（７）よりＣ２Ｈ，ガスをこれらの合計流量が２７０
　ｓｅｃｍになるように放出し、必要に応じて第５タン
ク（１０）よりＨ２ガスを放出し、グロー放電分解法に
基づいてａ−ＳｉＣ：ｌ（膜を形成してこの成膜速度を
測定したところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する成膜速度を表しており、○印、△印及び目印
はそれぞれＨ２ガスが無添加、流１２００　ｓｅｃｍ。

流量５００　ｓｅｃｍの場合のプロットであり、ａ１ｂ
＋ｃはそれぞれの特性曲線である。

第５図から明らかな通り、Ｈ２ガスが無添加の場合、（
Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）比が大きくなるのに伴って成膜速度が増
加傾向にある。そして、Ｈ２ガスの流量が２００　ｓｃ
ｃｍ、５００　ｓｃｃｍと大きくなるのに伴って成膜速
度が小さくなる傾向にあるが、Ｈ２ガス流量が５００ｓ
ｅｃｍの場合であっても６μｍ／時以上の高速成膜が得
られる。

〔例　２　〕 本例においては、６例１〕と同様の製造操作によってａ
−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層をＮＥＳＡガラス製平板に
生成してその層の導電率を測定した。この結果は第６図
に示す通りである。

即ち、第６図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ
＋Ｃ）に対する導電率を表しており、○印、△印及び目
印はそれぞれＨ２ガスが無添加、流ｆｆ１２００　ｓｃ
ｃｍ。

流ｆｆ１５００　ｓｃｃｍの場合のプロットであり、ｄ
＋ｅ＋ｆはそれぞれの特性曲線である。この図から明ら
かな通り、（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が０．１乃至０．９の
範囲内であればいずれも導電率が１０−目　Ω・ａｍ以
下になることが判る。

〔例　３　〕 ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄し、
第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（２８）内に設置した。そして、第１タンク（６）より
５ｉ）Ｉｓガスを、第２タンク（７）よりＣ２Ｈ２ガス
をこれらの合計した流量が２７０ｓｅｃｍになるように
放出し、更に１１□ガスを第５タンク（１０）より必要
に応じて５０ｓｅｃｍ、　２００ｓｃｃｍ、　５００ｓ
ｃｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒに、高
周波電力を０．４Ｗ／ｃｍ２に設定して前述したグロー
放電分解法に基づいて厚み２５μｍのキャリア輸送層（
２ａ）を形成した。

次いで同様の操作によりＳｉＨ４ガス、Ｃ２１１□ガス
、Ｇｅ１ｌａガス及びＨ２ガスをそれぞれ２００ｓｅｃ
ｍ、　２０ｓｃｃｍ。

９０ｓｃｃｍ及び２５０ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス
圧を０．５Ｔｏｒｒに、高周波電力を０．４Ｗ／ｃｍ”
に設定して厚み５μｍのキャリア発生Ｊｉ（３ａ）を形
成した。

然る後、ＳｉＨ４ガス及びＣｔＨｚガスをそれぞれ１５
０ｓｅｃｍ及び１０１００５ｅの流量で放出し、ガス圧
を０．３Ｔｏｒｒに、高周波電力を０．４Ｗ／ｃｍ”に
設定して厚み０．５μｍの表面保護層（４ａ）を形成し
た。

かくして得られた感光体Ａ乃至Ｉについて表面電位、光
感度（投光源として発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ
ーを用いた場合）、残留電位及び画質を測定したことろ
、第１表に示す通りの結果が得られた。

表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高くて高速
複写（５０枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト
現象が生じなく、○印は高速複写を行うと若干ゴースト
現象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、
Ｘ印は残留電位が高くて白地のガブリが顕著に生じて実
用に適さない場合を示す。

また、本例においては感光体Ａ乃至■のそれぞ−れに対
して設定したａ−ＳｉＣ：Ｈキャリアバ送層の製造条件
、即ち（Ｃ／Ｓｉ＋ｃ）比及びＨ２ガス流量を同じにし
て、〔例１〕と同様の製造操作によってａ−ＳｉＣ：Ｈ
キャリア輸送層だけをシリコン単結晶製平板上に生成し
、これに対して２０９０ｃｍ−’の波数及び２８６０ｃ
ｍ−’の波数のそれぞれの赤外線吸収係数を測定してお
り、この結果は第１表に示す通りであ第１表から明らか
な通り、感光体Ａ乃至Ｅ、　Ｇは実用に適した優れた感
光体となり、高速複写用感光体として提供することがで
き、特に感光体Ａ乃至Ｃは光感度が高くて帯電能にも優
れているために高速複写を行っても全くゴースト現象が
生じなかった。然るに感光体Ｆ、Ｈ，Ｉはゴースト現象
が顕著になって実用に適さなかった。

本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段がキャリ
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が２０９０ｃｍ
−’の波数に対して１０００以上であると共に２８６０
ｃｍ−’の波数に対して１０００以下であれば本発明の
感光体が得られることが判る。

更に、本例中キャリア輸送Ｎ（２ａ）を形成するに当た
って第３調整弁（１４）を開放してＢＺＨ＆ガスを１０
１０５ｅで放出してＢを含む層（２ａ）を形成し、これ
により得られた感光体＾乃至■゛に対応する９種類の感
光体についてもそれぞれ同じ画質評価が得られた。

また、感光体Ａの分光感度を測定したところ、第７図に
示す通りの結果が得られた。

即ち、第７図中・印は感光体への分光感度を表わすプロ
ットであり、これに対してＧｅを含まないキャリア発生
層から成る感光体（比較例）の分光感度のプロットはＯ
印で示されており、ｇ、ｈはそれぞれの特性曲線である
。この比較例の感光体は感光体Ａと比べてキャリア発生
層以外はすべて同一であり、このキャリア発生層を形成
するに当たってはＧｅＬガスを用いなくて５ｉ）ｌａガ
ス、ＣＪｚガス及びＨ２ガスを用いており、それぞれの
流量を２００ｓｅｃｍ　、　２０ｓｅｃｍ及び２５０ｓ
ｅｃｍに設定すると共にガス圧を０．５Ｔｏｒｒ　、高
周波電力を０．４Ｗ／ｃｍ”に設定し、これによって厚
み５μｍのキャリア発生層を形成する。

第７図から明らかな通り、感光体Ａは比較例の感光体に
比べて波長約７８０ｎａ＋の光感度が優れていることが
判る。

〔例４〕 本例においては、〔例３〕の感光体Ａを製作するに当た
って、キャリア発生層のＣとＳｉの原子組成比を変える
ことにより感光体としての表面電位、光感度、残留電位
及び密着性を測定した。

この測定結果は第２表に示す通りであり、密着性につい
ては感光体を液体窒素に浸漬し、その後常温に放置し、
再び液体窒素に浸漬するという温度サイクルを１０回繰
り返すという試験を行い、これによってピンホールが全
く発生しなかったものを◎印で表わし、そして、○印は
０．５１φ以下のピンホールかわずかに発生したが実用
上支障がない場合であり、Ｘ印は０．５ｍｍ　φを越え
るピンホールが比較的高密度で発生した場合を示す。

／″′ 、／ 第２表より明らかな通り、本発明の感光体に、　Ｌ。

阿は光感度及び密着性に優れており、これに対して感光
体Ｊ、Ｎは密着性又は光感度に劣っており、実用に適さ
ない。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、機能分
離型感光体用に形成されるａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送
層の暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させることがで
き、これにより、感光体の暗減衰率が小さくなると共に
帯電能を高めることができ、その結果、高速複写に適し
た電子写真感光体が提供できる。そして、この感光体は
約７８０ｎｍの波長に対して優れた光感度をもっている
ので半導体レーザープリンター用として特に有用である
。

更に本発明によれば、５ｉ）Ｉ４ガス及びＣ２１（２ガ
スを原料としたグロー放電分解法によってキャリア輸送
層、キャリア発生層及び表面保３Ｉ層を同一の成膜装置
を用いて連続的且つ高速に形成することができ、これに
より、製造効率を高めて製造コストを著しく低減するこ
とができる。

また本発明の電子写真感光体によれば、キャリア注入阻
止層を形成しなくても十分に実用に成り得ており、その
ためにはａ−３ｉＣ：）ｌ膜をキャリア輸送層に用いる
と共にこの層の暗抵抗率１０Ｉ３Ω・ｃｍ以上あればよ
く、これにより、この暗抵抗率の値を目安にしてキャリ
ア注入阻止層のない感光体を確実に製作でき、その結果
、製造効率及び製造歩留りが向上する。

更に本発明の電子写真感光体によれば、キャリア発生層
の下地層に対する密着性が向上しており、これにより、
画像に白抜けなどが発生しなくなって長寿命且つ高信頼
性が達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る機能分離型電子写真感光体の層構
造を示す断面図、第２図は本発明に係る機能分離型電子
写真感光体の層構造を示す断面図、第３図は従来の機能
分離型電子写真感光体として示す層構成の断面図、第４
図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置の説明図、第５図は本発明に係る感光体のキャ
リア輸送層の成膜速度を表わす線図、第６図は本発明に
係る感光体のキャリア輸送層の導電率を表わす線図、第
７図は感光体の分光感度を表わす線図である。 １・・・基板 ２．２ａ・・・キャリア輸送層 ３．３ａ・・・キャリア発生層 ４．４ａ・・・表面保護層 ５・・・キャリア注入阻止層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に少なくともキャリア輸送層及びキャリア発生層
   を形成して成る積層体であって、前記キャリア発生層が
   アモルファスシリコンゲルマニウムカーバイドから成る
   と共にシリコンとゲルマニウムの原子組成比が１：１乃
   至１９：１の範囲内に且つシリコンと炭素の原子組成比
   が１：１乃至１９：１の範囲内にあり、前記キャリア輸
   送層が水素化アモルファスシリコンカーバイドから成る
   と共に炭素とシリコンの原子組成比が１：９乃至９：１
   の範囲内にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける２８
   ６０ｃｍ＾−＾１の吸収係数が１０００以下であると共
   に２０９０ｃｍ＾−＾１の吸収係数が１０００以上であ
   ることを特徴とする電子写真感光体。