JPS63137243A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は長波長光に対する光感度を高め且つ帯電能を大
きくし、特にレーザービームプリンター搭載用感光体と
して好適な電子写真感光体に関するものである。

（従来技術及びその問題点） 近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｔと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第２図によれば、アルミニウム等の導電性基ｌｌ
１（１）上にａ−３ｉキャリア注入阻止層（２）　、ａ
−Ｓｉキャリア発生層（３）及び表面保護＠　（４）を
順次積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基
板（１）からのキャリアの注入を阻止して表面電位を高
めるために形成されており、また、表面保護層（４）に
は高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。

一方、そのキャリア発生層（３）にゲルマニウム元素（
Ｇｅ）を含有させ、６００乃至８５０ｎｍの波長領域の
光感度を高め、これによって半導体レーザービームプリ
ンター用に適した感光体も提案されている。

しかしながら、後者の感光体によれば、光感度ピークが
長波長側ヘシフトするが、その反面、キャリア発生層（
３）の暗導電率が急激に増大し、これにより、表面電位
が低下し、その結果、濃度の高い画像を得るのが難しく
なるという問題がある。

この問題を解決するために基板上に第２のアモルファス
シリコンカーバイド層、アモルファスシリコンゲルマニ
ウム層及び第１のアモルファスシリコンカーバイド層（
以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−３ｉＣと
略す）を順次積層した感光体が特開昭５８−１９２０４
４号公報に提案されている。

即ち、第１のａ−ＳｉＣ層は前述した表面保護層（４）
と同じ目的のために形成し、帯電と光減衰の繰り返し特
性を安定化させ且つ耐摩耗性及び耐熱性を高めており、
アモルファスシリコンゲルマニウム層（以下、アモルフ
ァスシリコンゲルマニウムをａ−ＳｉＧ６と略す）は長
波長光に対して高い光導電性を示す光導電層であり、第
２のａ−ＳｉＣ層は電位保持及びキャリア輸送の両機能
を担っており、そして、ａ−ＳｉＧｅ層で発生した光キ
ャリアを効率よく速やかに基板へ注入する働きがある。

しかしながら、この積層型感光体によれば、第２のａ−
５ｉＣ層によって電位保持を向上させて表面電位を高め
、これによって濃度の高い画像を得ることができたが、
その反面、このａ−ＳｉＣＮにはカーボンが含有してい
ることに起因してキャリア移動度がａ−５ｔに比べて低
下傾向にあり、これにより、キャリアが第２のａ−Ｓｉ
Ｃ１ｉでトラップされ、その結果、高光感度特性且つ残
留電位の低減化が困難となっている。

更に前記の特開昭５８−１９２０４４号公報によれば、
上記ａ−５ｉＧｅ層にｏ、ｏｏｉ乃至３０原子χのカー
ボンを含有させてその膜自体の特性を改善させるという
点が述べられているが、その改善内容については何等開
示されていない。

また、半導体レーザービームプリンターにおいては、そ
の光源がコヒーレント光であるために画像に干渉縞模様
が発生し易いという問題がある。

この干渉縞模様が発生する原因は、コヒーレント光が基
板へ到達し、その基板での反射光と入射光が干渉するた
めであり、この問題を解決するために基板表面を処理し
て所要の表面粗さに設定し、これによって基板へ到達し
た光を乱反射させることが提案されている。しかしなが
ら、この粗面化処理によって製造コストが大きくなるこ
とが避けられず、その処理を不要にした解決策が望まれ
る。

更にまた、帯電−露光一転写一定着という一連のプロセ
スから成る電子写真法によれば、この帯電に伴ってオゾ
ンが発生し、これによって感光体表面が酸化されること
になり、或いは現像剤の成分として用いられる高分子材
料等が感光体表面に付着する現像（この現像はフィルミ
ングと呼ばれる）が生じ、その結果、感光体の初期の電
子写真特性がその表面劣化によって経時的に低下し、初
期の画像が長期に亘って安定して得られないという問題
がある。

（発明の目的） 従って本発明は畝上に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は光励起キャリアが感光体の層領域でトラップさ
れるのを防止し、これによって高光感度特性及び残留電
位の低減化を達成し且つ表面電位を高くすることができ
た電子写真感光体を　・提供することにある。

本発明の他の目的は感光体表面の経時的な劣化を解消し
、これによって初期の画像を長期間に亘って得ら些る高
信頼性の電子写真感光体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は６００乃至８５０ｎｍの波長領
域で光感度を高めて半導体レーザービームプリンター用
に好適となった電子写真感光体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は画像に干渉縞模様が全く生じな
いようにし且つ低コスト化を達成した電子写真感光体を
提供することにある。

（問題点を解決するための手段） ゛本発明によれば、導電性基板上に少なくともａ−３ｉ
層とアモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド層（
以下、ａ−ＳｉＧｅＣ層と略す）が順次積層され且つａ
−５ｉＧｅＣＮを感光体の表面層としたことを特徴とす
る電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の電子写真感光体の基本的層構成は、第１図に示
す通りであり、ａ−ＳｉＧｅＣ層（５）を感光体の表面
層とすると共にキャリア発生層としても形成しており、
この層（５）とａ−５ｔ層（６）を組合せると共に第１
図に示す通りの積層順序にしたことが重要である。

即ち、本発明者等の実験によれば、ａ−３ｉＧｅＣ層（
５）の分光感度特性を測定したところ、特に６５０乃至
８５０ｎｍの波長領域で光感度を高くすることができ、
これにより、半導体レーザービームプリンター用感光体
に好適となることを見い出した。

また、このａ−５ｉＧｅＣ層（５）とａ−Ｓｉ層（６）
を第１図に示す積層順序で組合せた場合、ａ−Ｓｉ［（
６）はａ−ＳｉＧｅＣ層（５）で発生したキャリアを輸
送すると共に電位保持の働きがあり、そして、基板（１
）からａ−ＳｉＧｅＣ層（５）へキャリアが注入される
のを阻止する働きを具備し得る。

このようにキャリア発生層と基板の間にａ−Ｓｉ層（６
）を介在させた場合、ａ−Ｓｔ自体キャリアの移動度が
比較的高（、これにより、キャリアがａ−Ｓｉ層の内部
でトラップされることが格段に小さくなり、その結果、
高光感度特性及び残留電位の低減化を達成することがで
きる。

本発明によれば、上記の通りにａ−５ｔＪｉ（６）を形
成した場合、ａ−３ｉＣ層に比べて帯電能を高めること
が困難となるが、その欠点をａ−ＳｉＧｅＣ層（５）で
補完している。

即ち、ａ−Ｓｉ層（６）はカーボンを含有していないの
で暗導電率を十分に小さな値に設定することができない
が、それに代わってａ−ＳｉＧｅＣＩｔ！（５）にはカ
ーボンを含有させており、これによって感光体の帯電能
を大きくすることができる。

更に本発明によれば、このａ−３ｉＧｅＣ層（５）を感
光体の表面層としているためにそれ自体で帯電能及び耐
環境性に優れ且つ非光導電性ａ−３ｉＣ表面保護層に比
べて硬度が小さくなり、これにより、その表面を研磨剤
などで研磨再生を繰り返し行ってもその研磨量において
制限を受けずに感光体の初期特性を維持することができ
る。例えば、コロナ放電による被曝或いは現像剤の樹脂
成分による感光体表面へのフィルミング等によって表面
が劣化してもこの研磨再生によって良好な画像を長期に
亘り安定して供給することができる。

また本発明によれば、第１図に示した積層順序によって
ａ−３ｉＧｅＣ層（５）を形成した場合、この層（５）
を感光体のなかの実質上の光キヤリア発生層とすること
ができ、これにより、基板（１）まで入射光が到達せず
、その結果、画像の干渉縞発生の問題が解消される。

本発明の電子写真感光体は上述した通りの思想によって
組み立てられているが、下記の通りに種々の限定を行う
ことによって本発明の目的を優位に達成することができ
る。

ａ−ＳｉＧｅＣ層（５）については、Ｓｉ元素とＧｅ元
素の含有比率を２＝１乃至１００：１の範囲内に、好適
には３：１乃至３０：ｌの範囲内に設定するとよく、こ
の範囲内であれば長波長光に対して光の吸収率が大きく
なり、これによって光感度を高めると共にレーザー光に
よる干渉縞の発生を防止することができる。

また、Ｓｉ元素とＣ元素の含有比率は１：１乃至１００
：１の範囲内に、好適には３：１乃至１００：ｌの範囲
内に設定するとよく、この範囲内であれば暗導電率を十
分に小さくして帯電能を向上させることができる。

更にａ−ＳｉＧｅＣ層（５）の厚みは、この層が実質上
光キャリアの発生層と成り得るように適宜法められるが
、本発明者等がその厚みを幾通りにも変えて実験を行っ
た結果、このａ−ＳｉＧｅＣ［（５）の入射光に対する
透過率が３０％以下に、望ましくは２０％以下になるよ
うにその厚みを設定すれば基板（１）へ光が全く到達し
なくなる。このＮ（５）はその厚みを大きくするのに伴
って透過率を小さくすることができるが、その反面、こ
の感光体の残留電位が増加傾向となる。従って、ａ−５
ｉＧｅＣ層（５）の厚みはその層の透過率及び残留電位
によって決められることになり、本発明者等が繰り返し
行った実験によれば、■乃至１００μｍ、好適には１乃
至３０μｍ、最適には１乃至５μｍの範囲内に設定すれ
ばよいことを見い出した。

ａ−５ｉＧｅＣ層（５）が光導電性を有するように含有
させるダングリングボンド終端用元素には水素元素（Ｈ
）やハロゲン元素があり、これらの元素の含有量は５乃
至５０原子χ、好適には５乃至４０原子χ、最適にはｌ
Ｏ乃至３０原子χがよく、通常、Ｈ元素が用いられる。

このＨ元素は上記終端部に取り込まれ易いのでバンドギ
ャップ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、優
れた半導体特性が得られる。

また、このＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよ
（、これによって局在準位密度を下げて光導電性及び耐
熱性（温度特性）を高めることができ、その置換比率は
ダングリングボンド終端用全元素中０．０１乃至５０原
子２、好適には１乃至３０原子χがよい。また、このハ
ロゲン元素にはＰ、ＣＩ。

Ｂｒ、１．Ａｔ等があるが、就中、Ｆを用いるとその大
きな電気陰性度によって原子間の結合が大きくなり、こ
れによって熱的安定性に優れるという点で望ましい。

ａ−３ｉ層（６）にもダングリングボンド終端用元素を
含有させる必要があり、その元素の種類及び含有量は上
述したａ−３ｉＧｅＣ層（５）と同じ条件で適宜法めら
れる。

本発明によれば、上述した２層構造の積層型感光体を基
本とし、更に第３図に示すように他の層を積層して電子
写真特性を高めることができる。

即ち、第３図によれば、基板（１）とａ−Ｓｉ層（６）
の間にキャリア注入阻止層（７）を介在させ、ａ−Ｓｉ
層（６）からのキャリアを基板（１）に効率的に注入さ
せると共に基板（１）からのキャリアの注入を■止し、
これによって表面電位を一段と高めることができる。こ
のキャリア注入阻止層（７）はポリイミド樹脂などの有
機材料、ＳｉＯ□ＳｉＯ，Ａｌ□０３．ＳｉＣ。

Ｓ’１３Ｎｔ＋アモルファスカーボン＋ａ−Ｓｉ＋ａ−
ＳｉＣなどの無機材料によって形成される。

また、このキャリア注入阻止層（７）を半導体材料によ
り形成するに当たって、感光体を正極性に帯電させる場
合にはその伝導型をＰ型に制御し、負極性に帯電させる
場合にはＮ型に制御するのが良く、これによってキャリ
アの注入阻止作用が一段と向上する０例えば、このＰ型
半導体材料にはＢ等の周期律表第１［Ｉａ族元素を、Ｎ
型半導体材料にはＰ等の周期率表第Ｖａ族元素をそれぞ
れ５０乃至１１００００ｐｐの範囲内で含有させたａ−
Ｓ！又はａ−３ｉＣがある。

また、ａ−ＳｉＮ（６）とａ−ＳｉＧｅＣ層（５）の界
面に両者の層を接合して電子写真特性を向上させる接合
層（この層の厚みは３μｍ以下が望ましい）を介在させ
てもよい、この接合層には、例えばａ−３ｉ層（６）を
薄膜形成した後、カーボン（Ｃ）及び／又はゲルマニウ
ム（Ｇｅ）のそれぞれの含有量をその層厚方向に亘って
漸次増大させ、その接合層の形成終了時にそれぞれの含
有量をａ　−Ｓ　ｉ　ＧｅＣ層（５）の所要なＣ量とＧ
ｅ量と一致させるように設定した層がある。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３ｉ層
（６）及びａ−３ｉＧｅＣ層（５）を組み合わせた積層
型感光体によってキャリアが感光体の層内部でトラップ
されず、これによって高光感度特性及び残留電位の低減
化を達成し且つ表面電位を高くすることができ、更にａ
−ＳｉＧｅＣ層（５）の表面を研磨しながら再生し、こ
れによって感光体の初期特性を維持することができるよ
うになった。

また、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−ＳｉＧｅ
Ｃ層（５）において実質上光キャリアを発生させること
ができ、そのために入射光が基板へ到達しないために基
板の粗面化処理を不要とした半導体レーザービームプリ
ンター用に好適な感光体となった。

次に本発明者等は上記の結果を踏まえて、更に鋭意研究
に努めた結果、前記ａ−ＳｉＧｅ（：層（５）のカーボ
ン（Ｃ）含有量及びゲルマニウム（Ｇｅ）含有量を層厚
方向に亘って変化させ、これによって種々の態様の感光
体が得られることを見い出した。

即ち、第４図乃至第１１図によれば、横軸はａ−３ｉＧ
ｅＣ層（５）のａ−５ｉＮとの界面（ａ）からその反対
側の表面（ｂ）までの層厚を表しており、縦軸はＣ含有
量及びＧｅ含有量を表しており、いずれの含有量もそれ
ぞれ相対量である。尚、これらの図において実線及び破
線はそれぞれＣ含有量及びＧｅ含有量を示す。

これらの図から明らかな通り、ａ−ＳｉＧｅＣ層（５）
の内部の入射光側のｂ側に近いＮ　９Ｍ域においてはＧ
ｅ含有量を比較的少なくするか或いはＣ含有量を比較的
多くしており、これにより、入射光側の層領域でバンド
ギャップが大きくなり、更に高い光導電性があり、その
結果、入射光が高効率に光電変換されて光感度を高める
ことができる。

これに対して、ａ面に近い層領域においてはＧｅ含有量
を比較的多くするか或いはＣ含有量を比較的少なくして
おり、これにより、このＮ９Ｎ域での吸収係数が大きく
なり、入射光がこの１１６Ｎ域内で完全に吸収される。

従って、上述したような両者の１０１域を形成すること
によって高光感度特性を有し且つ干渉縞の発生を一段と
抑えた電子写真感光体と成り得る。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−Ｓｉ層（６）及びａ−３ｉＧｅＣ層（５）はグロー
放電分解法、イオンブレーティング法、反応性スパンタ
リング法、真空蒸着法、熱ＣＶＤ法等の薄膜形成手段を
用いることができ、また、これに用いられる原料には固
体、液体、気体のいずれでもよい。

また、ａ−Ｓｉ層（６）及びａ−５ｉＧｅＣ層（５）以
外の層を形成するに当たって、これらの層をａ−３ｉ又
はａ−５ｉＣにより形成するのであれば、同様な薄膜形
成手段を用いることができるという点で望ましく、更に
同一の成膜装置を用いた場合、共通した薄膜形成手段に
よって連続的に積層することができるという利点がある
。

例えばグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ層、ａ−３
ｉＣＮ又はａ−ＳｉＧｅＣ層から成る感光体を製作する
場合、その気体原料としてＳ　ｉ　Ｈａ、Ｓ　ｉ　ｔ　
Ｈｂ　＋　Ｓ　ｔ　ｓ　ＨｓなどのＳｉ系ガス、ＣＨ４
，ＣｚＨｚ、Ｃｚｌ（４，ＣＪｉ、ＣＪｓなどのＣ系ガ
ス、Ｇｅ１．、　Ｇ１３ＪａなどのＧｅ系ガスがあり、
そして、Ｈｅガス＋Ｈｔガスなどをキャリアガスとして
用いればよい。

このグロー放電分解法によれば、Ｓｉ系ガス及び／又は
Ｇｅ系ガスに対してアセチレン（ＣＪｚ）ガスを添加し
た混合ガスよりａ−３ｉＣ層又はａ−ＳｉＧｅＣ層を形
成した場合、著しく大きな高速成膜性が達成できるとい
う点で望ましい。

次に本発明の実施例に述べられる電子写真感光体をグロ
ー放電分解法を用いてａ−、Ｓｉ、　ａ−５ｉＣ又はａ
−５ｉＧｅＣにより形成する場合、その製作法を第１２
図の容量結合型グロー放電分解装置により説明する。

図中、タンク（８）　（９）　（１０）　（１１）　（
１２）　（１３）にはそれぞれＳｉＨ４，ＧｅＨａ、Ｃ
Ｊｚ＋ＢＪｉ（Ｈｚガス希釈で０．２１含有）、Ｈｌ、
ＮＯガスが密封されており、Ｈ２はキャリアガスとして
も用いられる。これらのガスは対応する調整弁（１４）
　（１５）　（１６）　（１７）　（１Ｂ）　（１９）
を開放することによって放出され、その流量がマスフロ
ーコントローラ（２０）　（２１）　（２２）　（２３
）　（２４）　（２５）により制御され、タンク（８）
　（９）　（１０）　（１１）　（１２）からのガスは
主管（２６）へ、タンク（１３）からのＮＯガスは主管
（２７）へ送られる。尚、（２８）　（２９）は止め弁
である。主管（２６）　（２７）を通じて流れるガスは
反応管（３０）へと送り込まれるが、この反応管（３０
）の内部には容量結合型放電用電極（３１）が設置され
ており、それに印加される高周波電力は５〇−乃至３に
−が、また周波数はＬＭＨｚ乃至５０ＭＨｚが適当であ
る。反応管（３０）の内部にはアルミニウムから成る筒
状の成膜用基板（３２）が試料保持台（３３）の上に載
置されており、この保持台（３３）はモーター（３４）
により回転駆動されるようになっており、そして、基板
（３２）は適当な加熱手段により約２００乃至４００℃
、好ましくは約２００乃至３５０℃の温度に均一に加熱
される。更に反応管（３０）の内部にはａ−ＳｉＣ膜形
成時に高度の真空状態（放電時のガス圧０．１乃至２．
０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ（３５
）と拡散ポンプ（３６）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＧｅＣ膜を基板（３２）に形成する場
合には、調整弁（１４）　（１５）　（１６）　（１Ｂ
）を開いてそれぞれ５ｉＨｉ＋ＧｅＨｎ、Ｃ！Ｈｚ＋Ｈ
ｚガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ（
２０）　（２１）　（２２）　（２４）により制御され
、これらの混合ガスは主管（２６）を介して反応管（３
０）へと流し込まれる。そして、反応管（３０）の内部
が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度
が２００乃至４００℃、容量結合型放電用電極（３１）
の高周波電力が５〇−乃至３ＫＷ　、周波数が１乃至５
０ＭＨｚに設定されていることに相俟ってグロー放電が
おこり、ガスが分解してａ−ＳｉＧｅＣ膜が基板上に高
速で形成される。

（実施例） 次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 本例においては層厚方向に亘って単一組成のａ−ＳｉＧ
ｅＣ膜を形成して分光感度特性を測定した。

即ち、３　ｘ３ｃｍの角形のアルミニウム製平板を用意
し、第１２図に示したアルミニウム製筒状基板（３２）
の周面を一部切り欠いてこの切り欠き部にこの平板を設
置し、タンク（８）よりＳｉＨ４ガス、タンク（９）よ
りＧｅＨ４ガスを、タンク（１０）よりＣ，Ｈｔガスを
、タンク（１２）よりＨ２ガスを第１表に示すガス流量
で放出し、更に製造条件も所定の通りに設定し、グロー
放電分解法により上記平板上に５μｍの厚みのａ−Ｓｉ
Ｃ膜又はａ−ＳｉＧｅＣ膜を形成した。

〔以下余白〕

かくして得られた試料Ａ（ａ−ＳｉＣ膜）及び試料Ｂ。

Ｃ（ａ−ＳｉＧｅＣ膜）についてそれぞれ分光感度特性
を測定した結果、第１３図に示す通りとなった。図中、
○印、Ｏ印及び・印はそれぞれ試料Ａ、Ｂ、Ｃの分光感
度プロットであり、Ｘ＋Ｖ＋２はそれぞれの分光感度曲
線である。尚、この分光感度の測定値は櫛型電極法によ
り各波長において等エネルギー光を照射した時の光導電
率を示す。

この結果から明らかな通り、Ｇｅ含有量が多くなるのに
伴って分光感度ピークが長波長側ヘシフトし、半導体レ
ーザービームプリンターに好適な電子写真感光体に成る
ことが判る。

（例２） 本例においては第１２図に示したグロー放電分解装置を
用いて第２表に示した製作条件によって基板（３２）上
にキャリア注入阻止層（７）　、ａ−Ｓｉキャリア輸送
層（６）及びａ−３ｉＧｅＣキャリア発生層（５）を順
次形成し、電子写真感光体ドラムを製作した。

尚、キャリア注入阻止層（７）の形成にＮｏガスを用い
て酸素と窒素をドープし、基板に対する密着性を高めて
いる。

〔以下余白〕

このドラムを半導体レーザービームプリンター（波長？
？０ｎｍ、印字速度２印字速度２０実／して印字したと
ころ、画像濃度が高く、高コントラストでゴースト現象
が全く生じなく、更に画像に干渉縞やカブリが全く生じ
ない良質な画像が得られた。

本例によれば、ａ−３ｉＧｅＣｉ！（５）をガラス基板
に同一条件によって形成し、その透過率（波長７７００
ｍ）を測定したところ、１６Ｘであった。また、この層
（５）のＳｉとＣの原子組成比は４：　１であり、Ｓｉ
とＧｅの原子組成比は５：　１であった。

（例３） （例２）において、ａ−Ｓｔキャリア輸送層の形成に当
たって更にＣｚＨｚガスを１０１０５ｃの流量で放出し
、他は（例２）と全く同一の製造条件によって感光体ド
ラムを製作し、このドラムのキャリア輸送層としてａ−
ＳｉＣ層を形成した場合、この感光体ドラムを（例２）
と同じレーザービームプリンターに実装して印字したと
ころ、画像濃度が高く、ゴースト現象が全く生じなく、
更に画像に干渉縞が生じなかったが、その反面、画像に
カブリが生じた。

（例４） （例２）において、キャリア発生層の形成に当たってＣ
ｚＨｚガスの放出を止め、他は（例２）と全く同一の製
造条件によって感光体ドラムを製作し、このドラムのキ
ャリア発生層としてａ−３ｉＧｅＪｉを形成した場合、
この感光体ドラムを（例２）と同じレーザービームプリ
ンターに実装して印字したところ、画像に干渉縞が生じ
なかった反面、画像濃度が低くてコントラストも悪く、
ゴースト現象が生じた。

（例５） 本例においては（例２）により製作した感光体に対して
、研磨再生の評価試験を行った。

即ち、この感光体ドラムの表面をダイヤモンドパウダー
で強制的に研磨し、その表面より約０．３μｍ１約０．
７μｍ１約１．２μｍ及び約２．０μ糟の厚みに亘って
研磨除去し、然る後、その感光体を＋５．６ＫＶのコロ
ナ放電で正帯電し、次いで単色光（７７０ｎｍ）を照射
し、これによって飽和表面電位と光感度を測定し、更に
その感光体を用いて一成分系現象剤にて現像を行い、画
像濃度及びカブリ濃度を画像濃度計を用いて測定したと
ころ、第３表に示す通りの結果が得られた。

更に比較例として第４表に示す条件で第２図に示すよう
なａ−Ｓｉ感光体を製作し、次いでこの感光体に対して
研磨再生の評価試験を行ったところ、第３表に示す通り
の結果が得られた。

〔以下余白〕

第３表から明らかなように、本発明の感光体は表面から
約２．０μｍ研摩後も表面電位、感度は初期特性と大き
く変化せず、画像特性においても初期の良好な画像を維
持することができた。

然るに比較例によれば、表面保護層が存在するまでは（
０，３μｍ研摩）、初期特性を維持することができたが
、０．７μｍを超えた時点から極端に画像が低下し、２
．Ｏ１１ｍ研摩後は表面電位が著しく低下した。

これらの実験から、本発明の感光体ドラムによれば、前
述した所望の研摩手段を用いて研摩再生を行った場合、
少なくとも研摩量２．０μｍまでは初期特性を維持する
ことが確認できた。

（発明の効果） 以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−Ｓ
ｉＧｅＣ層を長波長光に対するキャリア発生層とするこ
とができ、これにより、半導体レーザービームプリンタ
ーに好適な感光体と成り得た。更にこの感光体によれば
、入射光が基板へ到達しないために画像に干渉縞模様が
発生しなくなり、尚且つ基板表面を粗面化してその表面
粗さを大きくすることが不要となり、これによって低コ
ストな電子写真感光体が提供される。

また、本発明の電子写真感光体によれば、光励起キャリ
アが感光体の層領域でトラップされるのを防止でき、こ
れにより、高光感度特性及び残留電位の低減化を達成し
且つ表面電位を高くすることができた。

更に本発明の電子写真感光体は表面保護層を形成しない
で感光体の表面層をａ−３ｉＧｅＣ層とした感光体であ
り、この感光体を用いると黒地濃度が高くてカプリのな
い鮮明な画像が得られ、更にこのａ−ＳｉＧｅＣ層の表
面を研摩剤などで研摩再生し、それを繰り返してもその
研摩量において特性上劣化せず、これによって感光体の
初期特性を維持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の基本的層構成を示す
断面図、第２図は従来の一般的なアモルファスシリコン
感光体の層構成を示す断面図、第３図は発明の電子写真
感光体の他の層構成を示す断面図、第４図、第５図、第
６図、第７図、第８図、第９図、第１０図及び第１１図
は本発明に係る電子写真感光体のアモルファスシリコン
ゲルマニウムカーバイド層の層厚方向に亘るカーボン含
有量及びゲルマニウム含有量を表わす線図、第１２図は
本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解
装置の概略図、第１３図、はアモルファスシリコンゲル
マニウムカーバイド層の分光感度曲線を表わす線図であ
る。 １・・・導電性基板 ４・・・表面保護層 ５・・・アモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド
層 ６・・・アモルファスシリコン層 ７・・・キャリア注入阻止層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社同　　　　河村
　孝夫 第６□　　　　　第７図 とＬ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　し　　　
　　　と（し第８図　　　　第９図 第１０図　　　　　　１１１１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に少なくともアモルファスシリコン層とア
   モルファスシリコンゲルマニウムカーバイド層が順次積
   層され且つアモルファスシリコンゲルマニウムカーバイ
   ド層を感光体の表面層としたことを特徴とする電子写真
   感光体。