JPS63125943A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は長波長光に対する光感度を高め且つ帯電能を大
きくし、特にレーザービームプリンター搭載用感光体と
して好適な電子写真感光体に関するものである。

（従来技術及びその問題点） 近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第２図によれば、アルミニウム等の導電性基板（
１）上にａ−５ｔキャリア注入阻止層（２）　、ａ−３
ｉキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次積
層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１
）からのキャリアの注入を阻止して表面電位を高めるた
めに形成されており、また、表面保護層（４）には高硬
度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。

一方、そのキャリア発生層（３）にゲルマニウム元素（
Ｇｅ）を含有させ、６００乃至８５０ｎｍの波長領域の
光感度を高め、これによって半導体レーザービームプリ
ンター用に適した感光体も提案されている。

しかしながら、後者の感光体によれば、光感度ピークが
長波長側ヘシフトするが、その反面、キャリア発生層（
３）の暗導電率が急激に増大し、これにより、表面電位
が低下し、その結果、濃度の高い画像を得るのが難しく
なるという問題がある。

この問題を解決するために基板上に第２のアモルファス
シリコンカーバイド層、アモルファスシリコンゲルマニ
ウム層及び第１のアモルファスシリコンカーバイドＮ（
以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−３ｉＣと
略す）を順次積層した感光体が特開昭５８−１９２０４
４号公報に提案されている。

即ち、第１のａ−３ｉＣＮは前述した表面保護層（４）
と同じ目的のために形成し、帯電と光減衰の繰り返し特
性を安定化させ且つ耐摩耗性及び耐熱性を高めており、
アモルファスシリコンゲルマニウム層（以下、アモルフ
ァスシリコンゲルマニウムをａ−５ｉＧｅと略す）は長
波長光に対して高い光導電性を示す光導電層であり、第
２のａ−ＳｉＣ層は電位保持及びキャリア輸送の両機能
を担っており、そして、ａ−ＳｉＧｅ層で発生した光キ
ャリアを効率よく速やかに基板へ注入する働きがある。

しかしながら、この積層型感光体によれば、第２のａ−
５ｉＣ層によって電位保持を向上させて表面電位を高め
、これによって濃度の高い画像を得ることができたが、
その反面、このａ−３ｉＣ層にはカーボンが含有してい
ることに起因してキャリア移動度がａ−３ｉに比べて低
下傾向にあり、これにより、キャリアが第２のａ−５ｉ
Ｃ層でトラップされ、その結果、高光感度特性且つ残留
電位の低減化が困難となっている。

また、前記の特開昭５８−１９２０４４号公報によれば
、上記ａ−５ｉＧｅ層に０．００１乃至３０原子χのカ
ーボンを含有させてその膜自体の特性を改善させるとい
う点が述べられているが、その改善内容については何等
開示されていない。

更に半導体レーザービームプリンターにおいては、その
光源がコヒーレント光であるために画像に干渉縞模様が
発生し易いという問題がある。この干渉縞模様が発生す
る原因は、コヒーレント光が基板へ到達し、その基板で
の反射光と入射光かによって基板へ到達した光を乱反射
させることが提案されている。しかしながら、この粗面
化処理によって製造コストが大きくなることが避けられ
ず、その処理を不要にした解決策が望まれる。

（発明の目的） 従って本発明は叙上に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は光励起キャリアが感光体の層領域でトラップさ
れるのを防止し、これによって高光感度特性及び残留電
位の低減化を達成し且つ表面電位を高くすることができ
た電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は６００乃至８５０ｎｍの波長領域で
光感度を高めて半導体レーザービームプリンター用に好
適となった電子写真感光体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は画像に干渉縞模様が全く生じな
いようにし且つ低コスト化を達成した電子写真感光体を
提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、導電性基板上に少なくともａ−８ｉ層
とアモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド層（以
下、ａ−５ｉＧｅＣ層と略す）が順次積層され且つａ−
５ｉＧｅＣ層で実質上光キャリアを発生させることを特
徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の電子写真感光体の基本的層構成は、第１図に示
す通りであり、光キヤリア発生層としてａ−ＳｉＧｅＣ
層（５）を選択し、この層（５）とａ−５ｉ層（６）を
組合せると共に第１図に示す通りの積層順序にしたこと
が重要である。

即ち、本発明者等の実験によれば、ａ−５ｉＧｅＣ層（
５）の分光感度特性を測定したところ、特に６５０乃至
８５０ｎｍの波長領域で光感度を高くすることができ、
これにより、半導体レーザービームプリンター用感光体
に好適となることを見い出した。

また、このａ−５ｉＧｅＣ層（５）とａ−５ｉ層（６）
を第１図に示す積層順序で組合せた場合、ａ−３ｉ層（
６）はａ−ＳｉＧｅＣ層（５）で発生したキャリアを輸
送すると共に電位保持の働きがあり、そして、基板（１
）か・らａ−３ｉＧｅＣ層（５）へキャリアが注入され
るのを阻止する働きを具備し得る。

このようにキャリア発生層と基板の間にａ−３ｉ層（６
）を介在させた場合、ａ−５ｉ自体キャリアの移動度が
比較的高く、これにより、キャリアがａ−Ｓｉ層の内部
でトラップされることが格段に小さくなり、その結果、
高光感度特性及び残留電位の低減化を達成することがで
きる。

本発明によれば、上記の通りにａ−３ｉ層（６）を形成
した場合、ａ−ＳｉＣ層に比べて帯電能を高めることが
困難となるが、その欠点をａ−３ｉＧｅＣ層（５）で補
完している。

即ち、ａ−′Ｓｉ層（６）はカーボンを含有していない
ので暗導電率を上背に小さな値に設定することができな
いが、それに代わってａ−ＳｉＧｅＣ層（５）にはカー
ボンを含有させており、これによって感光体の帯電能を
大きくすることができる。

更に本発明によれば、第１図に示した積層順序によって
ａ−５ｉＧｅＣ層（５）で実質上光キャリアを発生させ
ている点が重要であり、これにより、基板（１）まで入
射光が到達せず、その結果、画像の干渉縞発生の問題が
解消される。

本発明の電子写真感光体は上述した通りの思想によって
組み立てられているが、下記の通りに種々の限定を行う
ことによって本発明の目的を優位に達成することができ
る。

ａ−５ｉＧｅＣ層（５）については、Ｓｉ元素とＧｅ元
素の含有比率を２：１乃至１００：１の範囲内に、好適
には３：１乃至３０：１の範囲内に設定するとよく、こ
の範囲内であれば長波長光に対して光の吸収率が大きく
ナリ、これによって光怒度を高めると共にレーザー光に
よる干渉縞の発生を防止することができる。

また、Ｓｉ元素とＣ元素の含有比率は１：１乃至１００
：１の範囲内に、好適には３：１乃至１００：１の範囲
内に設定するとよ（、この範囲内であれば暗導電率を十
分に小さくして帯電能を向上させることができる。

更にａ−ＳｉＧｅＣＪｍ（５）の厚みは、この層が実質
上光キャリアの発生層と成り得るように適宜法められる
が、本発明者等がその厚みを幾通りにも変えて実験を行
った結果、このａ−５ｉＧｅＣ層（５）の入射光に対す
る透過率が３０％以下に、望ましくは２０％以下になる
ようにその厚みを設定すれば基板（１）へ光が全く到達
しなくなる。この層（５）はその厚みを大きくするのに
伴って透過率を小さくすることができるが、その反面、
この感光体の残留電位が増加傾向となる。従って、ａ−
ＳｉＧｅＣｆｉ！（５）の厚みはその層の透過率及び残
留電位によって決められることになり、本発明者等が繰
り返し行った実験によれば、■乃至１００μｍ、好適に
は１乃至３０μｍ、最適には１乃至５μｍの範囲内に設
定すればよいことを見い出した。

ａ−５ｉＧｅＣ層（５）が光導電性を有するように含有
させるダングリングボンド終端用元素には水素元素（１
１）やハロゲン元素があり、これらの元素の含有量は５
乃至５０原子χ、好適には５乃至４０原子χ、最適には
１０乃至３０原子χがよく、通常、Ｈ元素が用いられる
。このＨ元素は上記終端部に取り込まれ易いのでバンド
ギャップ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、
優れた半導体特性が得られる。

また、このＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよ
く、これによって局在準位密度を下げて光導電性及び耐
熱性（温度特性）を高めることができ、その置換比率は
ダングリングボンド終端用全元素中０．０１乃至５０原
子χ、好適には１乃至３ｏ原子χがよい。また、このハ
ロゲン元素にはＦ、ＣＩ。

Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ等があるが、就中、Ｆを用いるとその大
きな電気陰性度によって原子間の結合が大きくなり、こ
れによって熱的安定性に優れるという点で望ましい。

ａ−５ｉ層（６）にもダングリングボンド終端用元素を
含有させる必要があり、その元素の種類及び含有量は上
述したａ−ＳｉＧｅＣ層（５）と同じ条件で適宜法めら
れる。

本発明によれば、上述した２層構造の積層型感光体を基
本とし、更に第３図乃至第５図に示すように他の層を積
層して電子写真特性を高めることができる。

即ち、第３図によれば、基板（１）　とａ−５ｉ層（６
）の間にキャリア注入阻止層（７）を介在させ、ａ−Ｓ
ｉ層（６）からのキャリアを基板（１）に効率的に注入
させると共に基板（１）からのキャリアの注入を阻止し
、これによって表面電位を一段と高めることができる。

このキャリア注入阻止層（７）はポリイミド樹脂などの
有機材料、ＳｉＯ□、Ｓｉｎ、八１ｚＯｘ、ＳｉＣ。

Ｓ　＋　３Ｎ　４　＋アモルファスカーボン、ａ−５ｉ
、ａ−５ｉＣなどの無機材料によって形成される。

また、このキャリア注入阻止層（７）を半導体材料によ
り形成するに当たって、感光体を正損性に帯電させる場
合にはその伝導型をＰ型に制御し、負極性に帯電させる
場合にはＮ型に制御するのが良く、これによってキャリ
アの注入阻止作用が一段と向上する。例えば、このＰ型
半導体材料にはＢ等の周期律表第１Ｉ［ａ族元素を、Ｎ
型半導体材料にはＰ等の周期率表筒Ｖａ族元素をそれぞ
れ５０乃至５０００ｐｐｍの範囲内で含をさせたａ−５
ｉ又はａ７ＳｉＣがある。

更に、第１図及び第３図に示すように感光体の表面側に
カーボンを含有する光導電性アモルファス層を形成した
場合、それ自体で帯電能及び耐環境性に優れ且つ非光導
電性ａ−ＳｉＣ表面保護層に比べて硬度が小さくなり、
これにより、その表面を研磨剤などで研磨再生を繰り返
し行ってもその研１１ｆｆｉにおいて制限を受けずに感
光体の初期特性を維持することができる。例えば、コロ
ナ放電による被曝或いは現像剤の樹脂成分による感光体
表面へのフィルミング等によって表面が劣化してもこの
研磨再生によって良好な画像を長期に亘り安定して供給
することができる。

また、第４図によれば、第１図の基本的な積層型感光体
の表面に表面保護層（８）を形成した場合を示しており
、この層（８）にはそれ自体高絶縁性、高耐蝕性及び高
硬度特性を有するものであれば、種々の材料を用いるこ
とができる。例えば前記のキャリア注入阻止層（７）に
用いたのと同じ無機材料又は１１１材料を用いることが
でき、これにより、感光体の耐久性及び耐環境性を高め
ることができる。

更にまた、第５図に示すようなキャリア注入阻止層（７
）及び表面保護層（８）を形成した積層型感光体であれ
ば電子写真特性を更に一段と高めることができる。

また、ａ−３ｉ層（６）とａ−５ｉＧｅＣ層（５）の界
面に両者の層を接合して電子写真特性を向上させる接合
層（この層の厚みは３μｍ以下が望ましい）を介在させ
てもよい。この接合層には、例えばａ−３ｉ層（６）を
薄膜形成した後、漸次カーボン（Ｃ）及び／又はゲルマ
ニウム（Ｇｅ）のそれぞれの含有量をその層方向に亘っ
て増大させ、その接合層の形成終了時にそれぞれの含有
量をａ−３ｉＧｅＣ層（５）の所要なＣ，ｌとＧｅｌと
一致させるように設定した層がある。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３１層
（６）及びａ−３ｉＧｅＣ層（５）を組み合わせた積層
型感光体によってキャリアが感光体の層内部でトラップ
されず、これによって高光感度特性及び残留電位の低減
化を達成し且つ表面電位を高くすることができ、更に入
射光が基板へ到達しないために基板の粗面化処理を不要
とした半導体レーザービームプリンター用に好適な感光
体となった。

次に本発明者等は上記の結果を踏まえて、更に鋭意研究
に努めた結果、前記ａ−ＳｉＧｅＣ層（５）のカーボン
（Ｃ）含有量及びゲルマニウム（Ｇｅ）含有量を層厚方
向に亘って変化させ、これによって種々の態様の感光体
が得られることを見い出した。

即ち、第６図乃至第１３図によれば、横軸はａ−３ｉＧ
ｅＣ層（５）のａ−３ｉ層との界面（ａ）からその反対
側の表面（ｂ）までの層厚を表しており、縦軸はＣ含有
量及びＧｅ含有量を表しており、いずれの含有量もそれ
ぞれ相対量である。尚、これらの図において実線及び破
線はそれぞれＣ含有量及びＧｅ含有量を示す。

これらの図から明らかな通り、ａ−５ｉＧｅＣ層（５）
の内部の入射光側のｂ側に近い層領域においてはＧｅ含
有量を比較的少な（するか或いはＣ含有量を比較的多く
しており、これにより、入射光側の層領域でバンドギャ
ップが大きくなり、更に高い光導電性があり、その結果
、入射光が高効率に光電変換されて光怒度を高めること
ができる。

これに対して、３面に近い層領域においてはＧｅ含有量
を比較的多くするか或いはＣ含有量を比較的少なくして
おり、これにより、この層領域での吸収係数が大きくな
り、入射光がこの層領域内で完全に吸収される。

従って、上述したような両者の層領域を形成することに
よって高光感度特性を存し且つ干渉縞の発生を一段と抑
えた電子写真感光体と成り得る。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−５ｉ層（６）及びａ−３ｉＧｅＣ層（５）はグロー
放電分解法、イオンブレーティング法、反応性スパンタ
リング法、真空蒸着法、熱ＣＶＤ法等の薄膜形成手段を
用いることができ、また、これに用いられる原料には固
体、液体、気体のいずれでもよい。

また、ａ−３ｉ層（６）及びａ−５ｉＧｅＣ層（５）以
外の層を形成するに当たって、これらの層をａ−５ｉ又
はａ−５ｉＣにより形成するのであれば、同様な薄膜形
成手段を用いることができるという点で望ましく、更に
同一の成膜装置を用いた場合、共通した薄膜形成手段に
よって連続的に積層することができるという利点がある
。

例えばグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ層、　ａ−
ＳｉＣ層又はａ−３ｉＧｅＣ層から成る感光体を製作す
る場合、その気体原料としてＳｉＨ４，５ｉｚｌ１６．
Ｓｉ：＋ｌＩｅなどのＳｉ系ガス、Ｃｌ１ａ、　Ｃ２Ｈ
２，ＣｚＨａ、　ＣｚｔＬ、　ＣｚｌｌｓなどのＣ系ガ
ス、ＧｅＨ４，Ｇｅｚｌｌｉ、などのＧｅ系ガスがあり
、そして、ｌｉｅガス＋Ｈｚガスなどをキャリアガスと
して用いればよい。

このグロー放電分解法によれば、Ｓｉ系ガス及び／又は
Ｇｅ系ガスに対してアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスを添加
した混合ガスよりａ−３ｉＣｉ又はａ−ＳｉＧｅＣ層を
形成した場合、著しく大きな高速成膜性が達成できると
いう点で望ましい。

次に本発明の実施例に用いられる電子写真感光体をグロ
ー放電分解法を用いてａ−５ｉ、　ａ−５ｉＣ又はａ−
３ｉＧｅＣにより形成する場合、その製作法を第１４図
の容量結合型グロー放電分解装置により説明する。

図中、タンク（９）　（１０）　（１１）　（１２）　
（１３）　（１４）にはそれぞれ５ｉＨｎ、Ｇｌｌ！Ｈ
４，ＣｚＨｚ、ＢＪａ（Ｈｚガス希釈で０．２Ｘ含有）
、Ｈ２，Ｎｏガスが密封されており、Ｈ２はキャリアガ
スとしても用いられる。これらのガスは対応する調整弁
（１５）　（１６）　（１７）　（１８）　（１９）　
（２０）を開放することによって放出され、その流量が
マスフローコントローラ（２１）　（２２）　（２３）
　（２４）　（２５）　（２６）により制御され、タン
ク（９）　（１０）　（１１）　（１２）　（１３）か
らのガスは主管（２７）へ、り：／　／ｙ　（１４）か
ら（７）Ｎｏガスは主管（２８）へ送られる。尚、（２
９）　（３０）は止め弁である。主管（２７）　（２８
）を通じて流れるガスは反応管（３１）へと送り込まれ
るが、この反応管（３１）の内部には容量結合型放電用
電極（３２）が設置されており、それに印加される高周
波電力は５０Ｗ乃至３ＫＷが、また周波数はＩＭＨｚ乃
至１０ＭＨ２が適当である。反応管（３１）の内部には
アルミニウムがら成る筒状の成膜用基板（３３）が試料
保持台（３４）の上に載置されており、この保持台（３
４）はモーター（３５）により回転駆動されるようにな
っており、そして、基板（３３）は適当な加熱手段によ
り、約２００乃至４００　’Ｃ１好ましくは約２００乃
至３５０℃の温度に均一に加熱される。更に反応管（３
１）の内部にはａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真空状態（
放電時のガス圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ）を必要とす
ることにより回転ポンプ（３６）と拡散ポンプ（３７）
に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−５ｉＧｅＣ膜を基板（３５）に形成する場
合には、調整弁（１５）　（１６）　（１７）　（１９
）を開いてそれぞれＳｉＨ４＋ＧｅＬ、ＣｚＨｚ＋ｌＩ
ｚガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ（
２１）　（２２）　（２３）　（２５）により制御され
、これらの混合ガスは主管（２７）を介して反応管（３
１）へと流し込まれる。そして、反応管（３１）の内部
が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度
が２００乃至４００°Ｃ１容量結合型放電用電極（３２
）の高周波電力が５０讐乃至３ＫＷ　、周波数が１乃至
５０ＭＩＩｚに設定されていることに相俟ってグロー放
電がおこり、ガスが分解してａ−５ｉＧｅＣ膜がｉ上に
高速で形成される。

（実施例） 次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 本例においては層厚方向に亘って１ｉｉ−’＋Ａ成のａ
−５ｉＧｅＣ膜を形成して分光感度特性を測定した。

即ち、３Ｘ３ｃｍの角形のアルミニウム製平板を用意し
、第１４図に示したアルミニウム製筒状基板（３３）の
周面を一部切り欠いてこの切り欠き部にこの平板を設置
し、タンク（９）より５ｉ）１４ガス、タンク（１０）
よりＧｅｔ１４ガスを、タンク（１１）よりＣＺＨ２ガ
スを、タンク（１３）よりＨ２ガスを第１表に示すガス
流量で放出し、更に製造条件も所定の通りに設定し、グ
ロー放電分解法により上記平板上に５μｍの厚みのａ−
５ｉＣ膜又はａ−ＳｉＧｅＣ膜を形成した。

〔以下余白〕 かくして得られた試料Ａ（ａ−３ｉＣ膜）及び試料Ｂ。

Ｃ（ａ−５ｉＧｅＣ膜）についてそれぞれ分光感度特性
を測定した結果、第１５図に示す通りとなった。図中、
○印、Ｏ印及び・印はそれぞれ試料Ａ、Ｂ、Ｃの分光感
度プロットであり、Ｘ＋Ｖ＋Ｚはそれぞれの分光感度曲
線である。尚、この分光感度の測定値は櫛型電極法によ
り各波長において等エネルギー光を照射した時の光導電
率を示す。

この結果から明らかな通り、Ｇｅ含有量が多くなるのに
伴って分光感度ピークが長波長側ヘシフトし、半導体レ
ーザービームプリンターに好適な電子写真感光体に成る
ことが判る。

（例２） 本例においては第１４図に示したグロー放電分解装置を
用いて第２表に示した製作条件によって基板（３３）上
にキャリア注入阻止層（７）　、ａ−５ｉキャリア輸送
層（６）、ａ−３ｉＧｅＣキャリア発生層（５）、表面
保護層（８）を順次形成し、電子写真感光体ドラムを製
作した。尚、キャリア注入阻止層（７）の形成にＮＯガ
スを用いて酸素と窒素をドープし、基板に対する密着性
を高めている。

〔以下余白〕

このドラムを半導体レーザービームプリンター（波長７
７０ｎｍ、印字速度２０枚／分）に実装して印字したと
ころ、画像濃度が高く、高コントラストでゴースト現象
が全く生じなく、更に画像に干渉縞やカブリが全く生じ
ない良質な画像が得られた。

尚、本例のａ−ＳｉＧｅＣ層（５）をガラス基板に同一
条件によって形成し、その透過率（波長７７０ｎｍ）を
測定したところ、２５χであった。

（例３） （例２）において、ａ−Ｓｉキャリア輸送層の形成Ｃ１
こ当たって更にＣ，ｌ（、ガスを１０１０５ｅの流量で
放出し、他は（例２）と全く同一の製造条件によって感
光体ドラムを製作し、このドラムのキャリア輸送層とし
てａ−５ｉＣ層を形成した場合、この感光体ドラムを（
例２）と同じレーザービームプリンターに実装して印字
したところ、画像濃度が高く、ゴースト現象が全く生じ
なく、更に画像に干渉縞が生じなかったが、その反面、
画像にカブリが生じた。

（例４） （例２）において、キャリア発生層の形成に当たってＣ
ｚＨｚガスの放出を止め、他は（例２）と全く同一の製
造条件によって感光体ドラムを製作し、このドラムのキ
ャリア発生層としてａ−５ｉＧｅ層を形成した場合、こ
の感光体ドラムを（例２）と同じレーザービームプリン
ターに実装して印字したところ、画像に干渉縞が生じな
かった反面、画像濃度が低くてコントラストも悪く、ゴ
ースト現象が生じた。

（発明の効果） 以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３
ｉＧｅＣ層を長波長光に対するキャリア発生層とするこ
とができ、これにより、半導体レーザービームプリンタ
ーに好適な感光体と成り得た。更にこの感光体によれば
、入射光が基板へ到達しないために画像に干渉縞模様が
発生しなくなり、尚且つ基板表面を粗面化してその表面
粗さを大きくすることが不要となり、これによって低コ
ストな電子写真感光体が提供される。

また、本発明の電子写真感光体によれば、光励起キャリ
アが感光体の層領域でトラップされるのを防止でき、こ
れにより、高光感度特性及び残留電位の低減化を達成し
且つ表面電位を高くすることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の基本的層構成を示す
断面図、第２図は従来の一般的なアモルファスシリコン
感光体の層構成を示す断面図、第３図、第４図及び第５
図はそれぞれ本発明の電子写真感光体の他の層構成を示
す断面図、第６図、第７図、第８図、第９図、第１０図
、第１１図、第１２図及び第１３図は本発明に係る電子
写真感光体のアモルファスシリコンゲルマニウムカーバ
イド層の層厚方向に亘るカーボン含有量及びゲルマニウ
ム含有量を表わす線図、第１４図は本発明の実施例に用
いられる容量結合型グロー放電分解装置の概略図、第１
５図はアモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド層
の分光感度曲線を表わす線図である。 １・・・導電性基板 ４．８　　・・表面保護層 ５・・・アモルファスシリコンゲルマニウムカーバイド
層 ６・・・アモルファスシリコン層 ７・・・キャリア注入阻止層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社同　　　　河村
　孝夫 代　理　人　弁理士（８８９８）田原　勝彦第１図 第２図 第３図 第３図　　　　第９図 ａ、　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　し　　
　　　　と（し第１０図　　　　　　第１１図 第１２図　　　　　　第１３図 とＬ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
し　　　　　　　　とＬ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　し第ｒ声 ブ克支

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上に少なくともアモルファスシリコン層とア
   モルファスシリコンゲルマニウムカーバイド層が順次積
   層され且つアモルファスシリコンゲルマニウムカーバイ
   ド層で実質上光キャリアを発生させることを特徴とする
   電子写真感光体。