JPH1184700A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents
電子写真用光受容部材Info
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- JPH1184700A JPH1184700A JP24553497A JP24553497A JPH1184700A JP H1184700 A JPH1184700 A JP H1184700A JP 24553497 A JP24553497 A JP 24553497A JP 24553497 A JP24553497 A JP 24553497A JP H1184700 A JPH1184700 A JP H1184700A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラを改善可能な電子写真用受
容部材を提供する。 【解決手段】 光導電層は水素原子及び／またはハロゲ
ン原子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）が特定範囲の導電性支持体側の第１の層領域と表面
側の第２の層領域からなり、光エネルギー（ｈν）を独
立変数として光吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属
変数とする式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1 （Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が第１、第２の層領域が特
定の範囲からなり、該第１の層領域のＥｇが第２の層領
域のＥｇより大きいことを特徴とする。
性、感度の直線性、感度ムラを改善可能な電子写真用受
容部材を提供する。 【解決手段】 光導電層は水素原子及び／またはハロゲ
ン原子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）が特定範囲の導電性支持体側の第１の層領域と表面
側の第２の層領域からなり、光エネルギー（ｈν）を独
立変数として光吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属
変数とする式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1 （Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が第１、第２の層領域が特
定の範囲からなり、該第１の層領域のＥｇが第２の層領
域のＥｇより大きいことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
電子写真用光受容部材に関する。
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
電子写真用光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野において、電子写真用光受容
部材における光受容層を形成する光導電材料としては、
高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕
が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸
収スペクトルを有すること、光応答性が早く、所望の暗
抵抗値を有すること、使用時において人体に対して無害
であること、等の特性が要求される。特に、事務機とし
てオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる
電子写真用光受容部材の場合には、上記の使用時におけ
る無公害性は重要な点である。
部材における光受容層を形成する光導電材料としては、
高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕
が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸
収スペクトルを有すること、光応答性が早く、所望の暗
抵抗値を有すること、使用時において人体に対して無害
であること、等の特性が要求される。特に、事務機とし
てオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる
電子写真用光受容部材の場合には、上記の使用時におけ
る無公害性は重要な点である。
【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０-3５０５
９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記載
されている。
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０-3５０５
９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記載
されている。
【０００４】このような電子写真用光受容部材は、一般
的には、導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を高周波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解
し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適な
ものとして実用に付されている。
的には、導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を高周波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解
し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適な
ものとして実用に付されている。
【０００５】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、
電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、
光学的特性を得ることができるとしている。
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、
電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、
光学的特性を得ることができるとしている。
【０００６】そして、特開昭５７−１１５５５６号公報
には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光
導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さ
らには経時的安定性について改善を図るため、シリコン
原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電
層上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。更に、特開昭６２−１６８１６１号
公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４
１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質
材料を用いる技術が記載されている。
には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光
導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さ
らには経時的安定性について改善を図るため、シリコン
原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電
層上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。更に、特開昭６２−１６８１６１号
公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４
１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質
材料を用いる技術が記載されている。
【０００７】さらに、特開昭６２−８３４７０号公報に
は、電子写真用感光体の光導電層において光吸収スペク
トルの指数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下
にすることにより残像現象のない高品質の画像を得る技
術が記載されている。
は、電子写真用感光体の光導電層において光吸収スペク
トルの指数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下
にすることにより残像現象のない高品質の画像を得る技
術が記載されている。
【０００８】そして、特開昭５８−２１２５７号号公報
には、光導電層の作成中に支持体温度を変化させること
により光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であっ
て光感度領域の広い感光体を得る技術が記載され、特開
昭５８−６７０２２号公報には、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガス
の混合比の異なる層を積層することにより、帯電能が高
く高感度の感光体を得る技術が記載され、特開昭５９−
１４３３７９号公報ならびに特開昭６１−２０１４８１
号公報には、水素含有量の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを積層す
ることにより暗抵抗が高く高感度の感光体を得る技術が
記載されている。
には、光導電層の作成中に支持体温度を変化させること
により光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であっ
て光感度領域の広い感光体を得る技術が記載され、特開
昭５８−６７０２２号公報には、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガス
の混合比の異なる層を積層することにより、帯電能が高
く高感度の感光体を得る技術が記載され、特開昭５９−
１４３３７９号公報ならびに特開昭６１−２０１４８１
号公報には、水素含有量の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを積層す
ることにより暗抵抗が高く高感度の感光体を得る技術が
記載されている。
【０００９】さらに、特開昭５８−８８１１５号公報に
はアモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、光導電層において支持体側で周期律表第ＩＩＩ族の
原子を多く含有することが開示されており、特開昭６２
−１１２１６６号公報にはＢ2Ｈ6／ＳｉＨ4流量比を
３．３×１０-7以上に保ってキャリア輸送層の生成を行
い残像現象を無くす技術が開示されている。
はアモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、光導電層において支持体側で周期律表第ＩＩＩ族の
原子を多く含有することが開示されており、特開昭６２
−１１２１６６号公報にはＢ2Ｈ6／ＳｉＨ4流量比を
３．３×１０-7以上に保ってキャリア輸送層の生成を行
い残像現象を無くす技術が開示されている。
【００１０】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が記載されている。
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が記載されている。
【００１１】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。
【００１３】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、
帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、
帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。
【００１４】そして、電子写真装置の画像特性向上のた
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。
【００１５】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動やブランクメモリ
ーやゴーストといった光メモリーを低減することがいっ
そう求められるようになってきた。
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動やブランクメモリ
ーやゴーストといった光メモリーを低減することがいっ
そう求められるようになってきた。
【００１６】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。そして複写機
を使用しない夜間でもドラムヒーターに通電して、帯電
器のコロナ放電によって生成されたオゾン生成物が夜間
に感光体表面に吸着することによって発生する画像流れ
を防止するようにしていた。しかし、現在では省資源・
省電力のために複写機の夜間通電を極力行わないように
なってきている。このような状態で複写をすると複写機
内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて画像
濃度が変わってしまうという問題が生じていた。
ために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。そして複写機
を使用しない夜間でもドラムヒーターに通電して、帯電
器のコロナ放電によって生成されたオゾン生成物が夜間
に感光体表面に吸着することによって発生する画像流れ
を防止するようにしていた。しかし、現在では省資源・
省電力のために複写機の夜間通電を極力行わないように
なってきている。このような状態で複写をすると複写機
内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて画像
濃度が変わってしまうという問題が生じていた。
【００１７】さらに、同一原稿を連続して繰り返し複写
すると、前回の複写行程での像露光の残像が次回の複写
時に画像上に生じるいわゆるゴーストや、トナーを節約
するために連続複写時の紙間において感光体に照射され
る、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像上に
濃度差が生じるブランクメモリー等が画像品質を向上さ
せる上で問題になってきた。
すると、前回の複写行程での像露光の残像が次回の複写
時に画像上に生じるいわゆるゴーストや、トナーを節約
するために連続複写時の紙間において感光体に照射され
る、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像上に
濃度差が生じるブランクメモリー等が画像品質を向上さ
せる上で問題になってきた。
【００１８】また、電子写真装置も従来の複写機として
だけでなく、ファクシミリやプリンターの役目を担うた
めにデジタル化することが求められるようになってき
た。そして、そのための露光用光源としで主に用いられ
る半導体レーザーやＬＥＤは、発光強度や価格の点から
近赤外から赤色可視光までの比較的長波長のものが主流
である。そのため、従来のハロゲン光を露光用光源に用
いたアナログ機には見られなかった特性上の課題につい
て改善することが求められるようになった。
だけでなく、ファクシミリやプリンターの役目を担うた
めにデジタル化することが求められるようになってき
た。そして、そのための露光用光源としで主に用いられ
る半導体レーザーやＬＥＤは、発光強度や価格の点から
近赤外から赤色可視光までの比較的長波長のものが主流
である。そのため、従来のハロゲン光を露光用光源に用
いたアナログ機には見られなかった特性上の課題につい
て改善することが求められるようになった。
【００１９】特に半導体レーザーに比べて発光波長に分
布を有するＬＥＤを用いることによる特徴的なこととし
て、露光量（Ｅ）と感光体表面電位（Ｖ）の関係、いわ
ゆるＥ−Ｖ曲線が温度によってシフトする（感度の温度
特性）ことや、Ｅ−Ｖ曲線の直線性（感度の直線性）が
鈍ることが注目されるようになってきた。
布を有するＬＥＤを用いることによる特徴的なこととし
て、露光量（Ｅ）と感光体表面電位（Ｖ）の関係、いわ
ゆるＥ−Ｖ曲線が温度によってシフトする（感度の温度
特性）ことや、Ｅ−Ｖ曲線の直線性（感度の直線性）が
鈍ることが注目されるようになってきた。
【００２０】すなわち、ＬＥＤを露光用光源として用い
たデジタル機では、感度の温度特性の増加や感度の直線
性の低下のために、周囲温度によって感度が変化して画
像濃度が変わってしまうという新たな課題が生じてい
た。
たデジタル機では、感度の温度特性の増加や感度の直線
性の低下のために、周囲温度によって感度が変化して画
像濃度が変わってしまうという新たな課題が生じてい
た。
【００２１】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような課題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
する際に、上記したような課題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【００２２】本発明は、上述した従来のａ−Ｓｉで構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材における
諸問題を解決することを目的とするものである。
された光受容層を有する電子写真用光受容部材における
諸問題を解決することを目的とするものである。
【００２３】すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能
の向上、帯電能の温度特性及び光メモリーの低減ならび
に像露光用光源として主としてＬＥＤを用いたときの感
度の温度特性や感度の直線性を改善して画像品質を飛躍
的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材
料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
を提供することにある。
の向上、帯電能の温度特性及び光メモリーの低減ならび
に像露光用光源として主としてＬＥＤを用いたときの感
度の温度特性や感度の直線性を改善して画像品質を飛躍
的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材
料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
を提供することにある。
【００２４】そして、電気的、光学的、光導電的特性が
使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定
しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣
化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほ
とんど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原
子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有
する電子写真用光受容部材を提供することにある。
使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定
しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣
化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほ
とんど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原
子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有
する電子写真用光受容部材を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。
によって達成される。
【００２６】すなわち、本発明者らは、光導電層のキャ
リアの挙動に着目し、ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局
在状態密度分布と帯電能、帯電能の温度特性、感度の温
度特性や感度の直線性ならびに光メモリーとの関係につ
いて鋭意検討した結果、光導電層の厚さ方向において、
水素含有量、光学的バンドギャップやバンドギャップ内
の局在状態密度の分布を制御することにより上記目的を
達成できるという知見を得た。すなわち、シリコン原子
を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子を含有
する非単結晶材料で構成された光導電層を有する電子写
真用光受容部材において、その層構造を特定化するよう
に設計されて作成された電子写真用光受容部材は、実用
上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の電子写
真用光受容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、特に電子写真用の光受容部材として優れ
た特性を有していることを見いだした。
リアの挙動に着目し、ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局
在状態密度分布と帯電能、帯電能の温度特性、感度の温
度特性や感度の直線性ならびに光メモリーとの関係につ
いて鋭意検討した結果、光導電層の厚さ方向において、
水素含有量、光学的バンドギャップやバンドギャップ内
の局在状態密度の分布を制御することにより上記目的を
達成できるという知見を得た。すなわち、シリコン原子
を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子を含有
する非単結晶材料で構成された光導電層を有する電子写
真用光受容部材において、その層構造を特定化するよう
に設計されて作成された電子写真用光受容部材は、実用
上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の電子写
真用光受容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、特に電子写真用の光受容部材として優れ
た特性を有していることを見いだした。
【００２７】特に、像露光用光源として長波長光（半導
体レーザーやＬＥＤ）を用いた場合の光電変換に関わる
光入射部について、水素含有量、光学的バンドギャップ
やバンドギャップ内の局在状態密度の分布を制御するこ
とにより帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、
感度の直線性、さらには感度ムラを改善することができ
るという知見を得た。
体レーザーやＬＥＤ）を用いた場合の光電変換に関わる
光入射部について、水素含有量、光学的バンドギャップ
やバンドギャップ内の局在状態密度の分布を制御するこ
とにより帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、
感度の直線性、さらには感度ムラを改善することができ
るという知見を得た。
【００２８】そしてさらに、光電変換に関わる光入射部
について、光が入射する部分とそれ以外の部分との役割
を考慮しながら、伝導性を制御する物質である周期律表
第ＩＩＩｂ族の元素の分布を行うことで光メモリーをよ
り改善することができるという知見を得て完成したもの
で、少なくとも導電性支持体と、水素原子及び／または
ハロゲン原子を含有し、シリコン原子を母体とする非単
結晶材料からなる光導電層を備えた電子写真用光受容部
材において、該光導電層は、水素原子及び／またはハロ
ゲン原子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）がそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下である導電性支持体側の第１の
層領域と１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ
以上１．７５ｅＶ以下である表面側の第２の層領域から
なり、光子エネルギー（ｈν）を独立変数とし光吸収ス
ペクトルの吸収係数（α）を従属変数とする式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）＝ｈν＋α1（Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が該第１の層領域は５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、該第２の層領域は６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であり、且つ、該第１の層領
域のＥｇが該第２の層領域のＥｇより大きいことを特徴
とする電子写真用光受容部材を提案するものであり、少
なくとも導電性支持体と、水素原子及び／またはハロゲ
ン原子を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶材
料からなる光導電層を備えた電子写真用光受容部材にお
いて、該光導電層は、水素原子及び／またはハロゲン原
子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）が
それぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以
上１．８ｅＶ以下である導電性支持体側の第１の層領域
と１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下である表面側の第２の層領域からな
り、光子エネルギー（ｈν）を独立変数とし光吸収スペ
クトルの吸収係数（α）を従属変数とする式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1（Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が該第１の層領域は５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、該第２の層領域は６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であり、且つ、該第１の層領
域のＥｇが該第２の層領域のＥｇより大きく、さらに該
第２の層領域の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含
有量が該第１の層領域より少ないことを特徴とする電子
写真用光受容部材を提案するものであり、前記光導電層
は、第２の層領域を、像露光のピーク波長光を５０％以
上９０％以下吸収する領域とすること、前記光導電層
は、第１の層領域の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量がシリコン原子に対して０．２ｐｐｍ以上３０
ｐｐｍ以下であること、前記光導電層は、第２の層領域
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコ
ン原子に対して０．０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であ
ること、前記光導電層は、周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る元素の含有量が、支持体側から表面側に向かって減少
していること、前記光電層は、炭素、酸素、窒素の少な
くとも一つを含むこと、前記光電層は、その表面上に炭
素、酸素窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結
晶材料からなる表面層が設けられていること、前記光電
層はシリコン原子を母体として水素原子及び／またはハ
ロゲン原子を含有し、炭素、酸素、窒素の少なくとも一
つおよび周期律表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ば
れる元素の少なくとも一つを含む非単結晶材料からなる
電荷注入阻止層の表面上に設けられ、更に該光導電層の
表面上に、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシ
リコン系非単結晶材料からなる前記表面層が設けられて
いること、前記表面層は、層厚が０．０１〜３μｍであ
ること、前記電荷注入阻止層は、層厚が０．１〜５μｍ
であること、前記光導電層は、層厚が２０〜５０μｍで
あることを含む。
について、光が入射する部分とそれ以外の部分との役割
を考慮しながら、伝導性を制御する物質である周期律表
第ＩＩＩｂ族の元素の分布を行うことで光メモリーをよ
り改善することができるという知見を得て完成したもの
で、少なくとも導電性支持体と、水素原子及び／または
ハロゲン原子を含有し、シリコン原子を母体とする非単
結晶材料からなる光導電層を備えた電子写真用光受容部
材において、該光導電層は、水素原子及び／またはハロ
ゲン原子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）がそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下である導電性支持体側の第１の
層領域と１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ
以上１．７５ｅＶ以下である表面側の第２の層領域から
なり、光子エネルギー（ｈν）を独立変数とし光吸収ス
ペクトルの吸収係数（α）を従属変数とする式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）＝ｈν＋α1（Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が該第１の層領域は５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、該第２の層領域は６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であり、且つ、該第１の層領
域のＥｇが該第２の層領域のＥｇより大きいことを特徴
とする電子写真用光受容部材を提案するものであり、少
なくとも導電性支持体と、水素原子及び／またはハロゲ
ン原子を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶材
料からなる光導電層を備えた電子写真用光受容部材にお
いて、該光導電層は、水素原子及び／またはハロゲン原
子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）が
それぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以
上１．８ｅＶ以下である導電性支持体側の第１の層領域
と１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下である表面側の第２の層領域からな
り、光子エネルギー（ｈν）を独立変数とし光吸収スペ
クトルの吸収係数（α）を従属変数とする式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1（Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が該第１の層領域は５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、該第２の層領域は６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であり、且つ、該第１の層領
域のＥｇが該第２の層領域のＥｇより大きく、さらに該
第２の層領域の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含
有量が該第１の層領域より少ないことを特徴とする電子
写真用光受容部材を提案するものであり、前記光導電層
は、第２の層領域を、像露光のピーク波長光を５０％以
上９０％以下吸収する領域とすること、前記光導電層
は、第１の層領域の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量がシリコン原子に対して０．２ｐｐｍ以上３０
ｐｐｍ以下であること、前記光導電層は、第２の層領域
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコ
ン原子に対して０．０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であ
ること、前記光導電層は、周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る元素の含有量が、支持体側から表面側に向かって減少
していること、前記光電層は、炭素、酸素、窒素の少な
くとも一つを含むこと、前記光電層は、その表面上に炭
素、酸素窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結
晶材料からなる表面層が設けられていること、前記光電
層はシリコン原子を母体として水素原子及び／またはハ
ロゲン原子を含有し、炭素、酸素、窒素の少なくとも一
つおよび周期律表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ば
れる元素の少なくとも一つを含む非単結晶材料からなる
電荷注入阻止層の表面上に設けられ、更に該光導電層の
表面上に、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシ
リコン系非単結晶材料からなる前記表面層が設けられて
いること、前記表面層は、層厚が０．０１〜３μｍであ
ること、前記電荷注入阻止層は、層厚が０．１〜５μｍ
であること、前記光導電層は、層厚が２０〜５０μｍで
あることを含む。
【００２９】なお、本発明において用られている「指数
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾き
を意味している。
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾き
を意味している。
【００３０】このことを図１を用いて詳しく説明する。
【００３１】図１は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸
に吸収係数αを対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャ
ップ光吸収スペクトルの１例である。このスペクトルは
大きく二つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが
光子エネルギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線
的に変化する部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテ
イル）と、αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部
分Ａである。
に吸収係数αを対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャ
ップ光吸収スペクトルの１例である。このスペクトルは
大きく二つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが
光子エネルギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線
的に変化する部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテ
イル）と、αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部
分Ａである。
【００３２】Ｂ領域はａ−Ｓｉ中の価電子帯側のテイル
準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。
準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。
【００３３】α＝αｏｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） この両辺の対数をとると ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α１ ただし、α１＝ｌｎαｏとなり、特性エネルギーＥｕの
逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ部分の傾きを表すことになる。
Ｅｕは価電子帯側のテイル準位の指数関数的エネルギー
分布の特性エネルギーに相当するため、Ｅｕが小さけれ
ば、価電子帯側のテイル準位が少ないことを意味する。
逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ部分の傾きを表すことになる。
Ｅｕは価電子帯側のテイル準位の指数関数的エネルギー
分布の特性エネルギーに相当するため、Ｅｕが小さけれ
ば、価電子帯側のテイル準位が少ないことを意味する。
【００３４】また、本発明において用いられている感度
の温度特性および感度の直線性について図２を用いて説
明する。
の温度特性および感度の直線性について図２を用いて説
明する。
【００３５】図２は、室温（ドラムヒーターＯＦＦ）と
約４５℃（ドラムヒーターＯＮ）において、それぞれ感
光体の暗電位として４００Ｖの表面電位となるように帯
電し、次に露光光源としてピーク波長が６８０ｎｍのＬ
ＥＤ光を照射して、その露光量を変えた時の表面電位
（明電位）の変化、いわゆるＥ・Ｖ特性（曲線）の１例
である。
約４５℃（ドラムヒーターＯＮ）において、それぞれ感
光体の暗電位として４００Ｖの表面電位となるように帯
電し、次に露光光源としてピーク波長が６８０ｎｍのＬ
ＥＤ光を照射して、その露光量を変えた時の表面電位
（明電位）の変化、いわゆるＥ・Ｖ特性（曲線）の１例
である。
【００３６】感度の温度特性は、暗電位と明電位の差が
２００Ｖとなる時（△２００）の露光量（半減露光量）
の室温での値と約４５℃での値との差で定義する。
２００Ｖとなる時（△２００）の露光量（半減露光量）
の室温での値と約４５℃での値との差で定義する。
【００３７】また、感度の直線性は、暗電位と明電位の
差が３５０Ｖとなる時（△３５０）の露光量（実測値）
と、露光なしの点（暗状態）と半減露光量を照射した状
態の点とを結ぶ直線を外挿して全３５０となる露光量
（計算値）との差で定義する。
差が３５０Ｖとなる時（△３５０）の露光量（実測値）
と、露光なしの点（暗状態）と半減露光量を照射した状
態の点とを結ぶ直線を外挿して全３５０となる露光量
（計算値）との差で定義する。
【００３８】いずれもその値が小さいほど感光体として
良好な特性を示すことを意味する。
良好な特性を示すことを意味する。
【００３９】本発明者らは、光学的バンドギャップ（以
下、「Ｅｇ」と略記する）ならびにＣＰＭによつて測定
されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求めら
れる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー
（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光体特性との相関を
種々の条件に渡って調べた。
下、「Ｅｇ」と略記する）ならびにＣＰＭによつて測定
されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求めら
れる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー
（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光体特性との相関を
種々の条件に渡って調べた。
【００４０】その結果、像露光光源として半導体レーザ
ーやＬＥＤを用いた時の光入射部のＥｇ、Ｅｕと帯電
能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線性
および感度ムラとが密接な関係にある事を見いだし、光
入射部のＥｇ、Ｅｕを特定の範囲内に制御することによ
り比較的長波長の光に適した感光体特性を発揮すること
を見いだし本発明を完成するに至った。
ーやＬＥＤを用いた時の光入射部のＥｇ、Ｅｕと帯電
能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線性
および感度ムラとが密接な関係にある事を見いだし、光
入射部のＥｇ、Ｅｕを特定の範囲内に制御することによ
り比較的長波長の光に適した感光体特性を発揮すること
を見いだし本発明を完成するに至った。
【００４１】すなわち、光導電層として光学的バンドギ
ャップが比較的小さい層領域（第２の層領域）を表面側
に配設して主たる光電変換部とし、且つ、支持体側にキ
ャリアの局在準位への捕獲率を小さくし、第２の層領域
より大きい光学的バンドギャップ層領域（第１の層領
域）を配設して熱励起キャリアを減少させ、キャリアの
走行性を良くすることで、帯電能、帯電能の温度特性、
感度の温度特性、感度の直線性および感度ムラを改善す
ることができ、さらに光メモリーを低減できることが本
発明者らの実験により明らかになった。
ャップが比較的小さい層領域（第２の層領域）を表面側
に配設して主たる光電変換部とし、且つ、支持体側にキ
ャリアの局在準位への捕獲率を小さくし、第２の層領域
より大きい光学的バンドギャップ層領域（第１の層領
域）を配設して熱励起キャリアを減少させ、キャリアの
走行性を良くすることで、帯電能、帯電能の温度特性、
感度の温度特性、感度の直線性および感度ムラを改善す
ることができ、さらに光メモリーを低減できることが本
発明者らの実験により明らかになった。
【００４２】また、光導電層として光学的バンドギャッ
プが比較的小さい層領域（第２の層領域）を表面側に配
設して主たる光電変換部とし、支持体側にキャリアの局
在準位ヘの捕獲率を小さくし、第２の層領域より大きい
光学的バンドギャップ層領域（第１の層領域）を配設
し、さらに伝導性を制御する物質である周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族の元素の分布を行うことで光メモリーがよりいっ
そう改善できることも明らかになった。
プが比較的小さい層領域（第２の層領域）を表面側に配
設して主たる光電変換部とし、支持体側にキャリアの局
在準位ヘの捕獲率を小さくし、第２の層領域より大きい
光学的バンドギャップ層領域（第１の層領域）を配設
し、さらに伝導性を制御する物質である周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族の元素の分布を行うことで光メモリーがよりいっ
そう改善できることも明らかになった。
【００４３】これをさらに詳しく説明すると、一般的
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓ
ｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起
因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔
の捕獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる
原因になることが知られている。
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓ
ｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起
因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔
の捕獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる
原因になることが知られている。
【００４４】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ ＰｈｏｔｏＣｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する）は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の局在準位にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを
簡便に測定する方法として有用である。
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ ＰｈｏｔｏＣｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する）は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の局在準位にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを
簡便に測定する方法として有用である。
【００４５】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。従って、熱励起キャリアの生成を抑
え、なおかつ深い局在準位を少なくする事によりキャリ
アの走行性を向上させてバランスを取ることが帯電能及
び帯電能の温度特性の向上のために必要である。
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。従って、熱励起キャリアの生成を抑
え、なおかつ深い局在準位を少なくする事によりキャリ
アの走行性を向上させてバランスを取ることが帯電能及
び帯電能の温度特性の向上のために必要である。
【００４６】光メモリーはブランク露光や像露光によっ
て生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕
獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって
生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャ
リアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯
電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃
き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも
低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがっ
て、光キャリアが光導電層内に極力残留することなく、
１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を
改善しなければならない。
て生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕
獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって
生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャ
リアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯
電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃
き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも
低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがっ
て、光キャリアが光導電層内に極力残留することなく、
１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を
改善しなければならない。
【００４７】また、感度の温度特性は、光導電層の電子
と正孔の走行性の違いが大きい上に、走行性が温度によ
って変化するために生じる。光入射部ではキャリア（電
子−正孔対）が生成され、正帯電の場合、電子は表面層
側へ正孔は支持体側へと走行するが、半導体レーザーや
ＬＥＤではその波長とａ−Ｓｉの吸収係数の関係から光
が深くまで進入してキャリアの生成領域が厚くなってし
まう。そして、その光入射部で正孔と電子が混在する
と、支持体や表面に達するまでに再結合をしてしまう割
合が多くなる。その再結合の割合が再結合中心からの熱
励起により変化するために、露光量すなわち光生成キャ
リアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度によっ
て変化することになり、その結果感度が温度によって変
わることとなり、感度ムラの原因ともなる。したがっ
て、光入射部での再結合の割合を少なくする、すなわち
再結合中心となる深い準位を減らし、正孔と電子の混在
領域が極力少なくなるように光の吸収率を大きく、かつ
キャリアの走行性も改善しバランスを取らなければなら
ない。
と正孔の走行性の違いが大きい上に、走行性が温度によ
って変化するために生じる。光入射部ではキャリア（電
子−正孔対）が生成され、正帯電の場合、電子は表面層
側へ正孔は支持体側へと走行するが、半導体レーザーや
ＬＥＤではその波長とａ−Ｓｉの吸収係数の関係から光
が深くまで進入してキャリアの生成領域が厚くなってし
まう。そして、その光入射部で正孔と電子が混在する
と、支持体や表面に達するまでに再結合をしてしまう割
合が多くなる。その再結合の割合が再結合中心からの熱
励起により変化するために、露光量すなわち光生成キャ
リアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度によっ
て変化することになり、その結果感度が温度によって変
わることとなり、感度ムラの原因ともなる。したがっ
て、光入射部での再結合の割合を少なくする、すなわち
再結合中心となる深い準位を減らし、正孔と電子の混在
領域が極力少なくなるように光の吸収率を大きく、かつ
キャリアの走行性も改善しバランスを取らなければなら
ない。
【００４８】さらに、感度の直線性は長波長の半導体レ
ーザーやＬＥＤの露光量が多くなるにしたがって、相対
的に表面から深い場所での光生成キャリアの数が増加
し、表面電荷を打ち消すに必要なキャリア（正帯電の場
合は電子）の走行距離が増加するために生じる。したが
って、光入射部の光の吸収率を高めると共に、光入射部
で生成した電子の走行性と正孔の走行性を改善しバラン
スを取らなければならない。
ーザーやＬＥＤの露光量が多くなるにしたがって、相対
的に表面から深い場所での光生成キャリアの数が増加
し、表面電荷を打ち消すに必要なキャリア（正帯電の場
合は電子）の走行距離が増加するために生じる。したが
って、光入射部の光の吸収率を高めると共に、光入射部
で生成した電子の走行性と正孔の走行性を改善しバラン
スを取らなければならない。
【００４９】したがって、Ｃｈを少なくしてＥｇを小さ
くした第２の層領域を表面側に設けることにより長波長
光の吸収が大きくなって光入射部を薄くすることができ
るために、正孔−電子の混在領域が縮小でき、且つ、Ｅ
ｇを第２の層領域のＥｇより大きくした第１の層域を支
持体側に設けることで熱励起キャリアが減少し、且つＥ
ｕを低減することで熱励起キャリアや光キャリアが局在
準位に捕獲される割合を小さくすることができるため
に、キャリアの走行性が飛躍的に改善される。
くした第２の層領域を表面側に設けることにより長波長
光の吸収が大きくなって光入射部を薄くすることができ
るために、正孔−電子の混在領域が縮小でき、且つ、Ｅ
ｇを第２の層領域のＥｇより大きくした第１の層域を支
持体側に設けることで熱励起キャリアが減少し、且つＥ
ｕを低減することで熱励起キャリアや光キャリアが局在
準位に捕獲される割合を小さくすることができるため
に、キャリアの走行性が飛躍的に改善される。
【００５０】つまり、上述のようにＣｈ、Ｅｇ及びＥｕ
をバランスを取りつつ制御することで、特に半導体レー
ザーやＬＥＤを像露光用光源として用いた時の帯電能、
帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線性さら
には感度ムラが大幅に改善されるという効果が認められ
る。
をバランスを取りつつ制御することで、特に半導体レー
ザーやＬＥＤを像露光用光源として用いた時の帯電能、
帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線性さら
には感度ムラが大幅に改善されるという効果が認められ
る。
【００５１】さらに、光入射部の吸収深さにより周期律
表第ＩＩＩｂ族に属する元素のシリコン原子に対する含
有量を規定し、入射光側と反対側の方が周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族に属する元素を多い分布状態にすることで光入射
部で生成した電子の走行性と正孔の走行性のバランスが
大きく改善され、光メモリーがより改善されるという効
果が認められる。
表第ＩＩＩｂ族に属する元素のシリコン原子に対する含
有量を規定し、入射光側と反対側の方が周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族に属する元素を多い分布状態にすることで光入射
部で生成した電子の走行性と正孔の走行性のバランスが
大きく改善され、光メモリーがより改善されるという効
果が認められる。
【００５２】すなわち本発明は、上記構成によって、帯
電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性の低減、感度
の直線性、感度ムラの改善、および光メモリーの低減を
高い次元で両立させ、前記した従来技術における諸問題
の全てを解決することができ、極めて優れた電気的、光
学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環境
性を示す光受容部材を得ることができる。
電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性の低減、感度
の直線性、感度ムラの改善、および光メモリーの低減を
高い次元で両立させ、前記した従来技術における諸問題
の全てを解決することができ、極めて優れた電気的、光
学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環境
性を示す光受容部材を得ることができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の電子
写真用光受容部材について詳細に説明する。
写真用光受容部材について詳細に説明する。
【００５４】図３は、本発明の電子写真用光受容部材の
層構成を説明するための模式的構成図である。
層構成を説明するための模式的構成図である。
【００５５】図３（ａ）に示す電子写真用光受容部材３
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層３０３で構成され、光導電層３０３は支持体３０
１側から順に第１の層領域３１１と第２の層領域３１２
とからなっている。
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層３０３で構成され、光導電層３０３は支持体３０
１側から順に第１の層領域３１１と第２の層領域３１２
とからなっている。
【００５６】図３（ｂ）に示す電子写真用光受容部材３
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層３０３と、アモルファスシリコン系表面層３０４
とから構成されている。また、光導電層３０３は支持体
３０１側から順に第１の層領域３１１と第２の層領域３
１２とからなっている。
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層３０３と、アモルファスシリコン系表面層３０４
とから構成されている。また、光導電層３０３は支持体
３０１側から順に第１の層領域３１１と第２の層領域３
１２とからなっている。
【００５７】図３（ｃ）に示す電子写真用光受容部材３
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２は支持体３０１側から順にアモルファスシリコン
系電荷注入阻止層３０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり
光導電性を有する光導電層３０３と、アモルファスシリ
コン系表面層３０４とから構成されている。また、光導
電層３０３は電荷注入阻止層３０５側から順に第１の層
領域３１１と第２の層領域３１２とからなっている。 〈支持体〉本発明において使用される支持体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体と
しては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２は支持体３０１側から順にアモルファスシリコン
系電荷注入阻止層３０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり
光導電性を有する光導電層３０３と、アモルファスシリ
コン系表面層３０４とから構成されている。また、光導
電層３０３は電荷注入阻止層３０５側から順に第１の層
領域３１１と第２の層領域３１２とからなっている。 〈支持体〉本発明において使用される支持体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体と
しては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。
【００５８】本発明に於いて使用される支持体３０１の
形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受
容部材３００を形成し得るように適宜決定するが、光受
容部材３００としての可撓性が要求される場合には、支
持体３０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体３
０１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から
通常は１０μｍ以上とされる。 〈光導電層〉本発明に於いて、その目的を効果的に達成
するために支持体３０１上に形成され、光受容層３０２
の一部を構成する光導電層３０３は真空堆積膜形成方法
によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメー
ターの数値条件が設定されて作成される。具体的には、
例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法
またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、ある
いは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸
着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができ
る。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下
の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当たっ
ての条件の制御が比較的容易であることからグロー放電
法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電
法が好適である。
形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受
容部材３００を形成し得るように適宜決定するが、光受
容部材３００としての可撓性が要求される場合には、支
持体３０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体３
０１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から
通常は１０μｍ以上とされる。 〈光導電層〉本発明に於いて、その目的を効果的に達成
するために支持体３０１上に形成され、光受容層３０２
の一部を構成する光導電層３０３は真空堆積膜形成方法
によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメー
ターの数値条件が設定されて作成される。具体的には、
例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法
またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、ある
いは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸
着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができ
る。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下
の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当たっ
ての条件の制御が比較的容易であることからグロー放電
法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電
法が好適である。
【００５９】グロー放電法によって光導電層３０３を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体３０１上にａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体３０１上にａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００６０】また、本発明において光導電層３０３中に
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は、第１の層領域は１０原子％
以上２５原子％以下、第２の層領域は１０原子％以上２
０原子％以下とされるのが望ましい。
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は、第１の層領域は１０原子％
以上２５原子％以下、第２の層領域は１０原子％以上２
０原子％以下とされるのが望ましい。
【００６１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ
8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ
8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。
【００６２】そして、形成される光導電層３０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ2およ
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ2およ
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。
【００６３】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素するガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、Ｃ
ｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等の
ハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子
を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換された
シラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉ
Ｆ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素するガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、Ｃ
ｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等の
ハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子
を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換された
シラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉ
Ｆ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。
【００６４】光導電層３０３中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体３０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体３０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００６５】本発明においては、光導電層３０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層３０３中に
万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層３０３中に
万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。
【００６６】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原
子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後
「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原
子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後
「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【００６７】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、硼素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、硼素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。
【００６８】光導電層３０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１
００原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５０原子
ｐｐｍ、最適には１×１０-2〜３０原子ｐｐｍとされる
のが望ましい。
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１
００原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５０原子
ｐｐｍ、最適には１×１０-2〜３０原子ｐｐｍとされる
のが望ましい。
【００６９】また特に、本発明において光導電層３０３
中に伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族
に属する元素を第２の層領域３１２よりも第１の層領域
３１１の方が多くなるように含有させると、より光メモ
リーの改善が顕著になるが、これは光導電層のＥｇやＥ
ｕといった物性から得られるキャリアの走行性を調整し
て走行性を高次でバランスさせることによると考えられ
る。そしてより光メモリーの改善を行う場合、正孔電子
対が主に生成する部分である第２の層領域３１２は露光
波長のピーク波長光を５０％以上９０％以下を吸収する
領域とし、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量
は、第１の層領域３１１にはシリコン原子に対して０．
２ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下に制御するのが望ましく、
そして第２の層領域３１２には０．０１ｐｐｍ以上１０
ｐｐｍ以下に制御するのが望ましい。
中に伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族
に属する元素を第２の層領域３１２よりも第１の層領域
３１１の方が多くなるように含有させると、より光メモ
リーの改善が顕著になるが、これは光導電層のＥｇやＥ
ｕといった物性から得られるキャリアの走行性を調整し
て走行性を高次でバランスさせることによると考えられ
る。そしてより光メモリーの改善を行う場合、正孔電子
対が主に生成する部分である第２の層領域３１２は露光
波長のピーク波長光を５０％以上９０％以下を吸収する
領域とし、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量
は、第１の層領域３１１にはシリコン原子に対して０．
２ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下に制御するのが望ましく、
そして第２の層領域３１２には０．０１ｐｐｍ以上１０
ｐｐｍ以下に制御するのが望ましい。
【００７０】伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩ
Ｉｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原料導入用の原料物質
あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、光導電層３０３を形成するための他のガス
とともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質とな
り得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少な
くとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。
Ｉｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原料導入用の原料物質
あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、光導電層３０３を形成するための他のガス
とともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質とな
り得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少な
くとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。
【００７１】そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料
物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2
Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9，、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ
6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化側素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢ
ｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、Ｔｌ
Ｃｌ3等も挙げることができる。
物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2
Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9，、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ
6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化側素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢ
ｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、Ｔｌ
Ｃｌ3等も挙げることができる。
【００７２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、
ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ 3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、
ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、Ｓ
ｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、
ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ 3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、
ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、Ｓ
ｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
【００７３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。
用の原料物質を必要に応じてＨ2および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。
【００７４】さらに本発明においては、光導電層３０３
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
を含有させることも有効である。炭素原子及び／または
酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良い
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があっても良い。
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
を含有させることも有効である。炭素原子及び／または
酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良い
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があっても良い。
【００７５】本発明において、光導電層３０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０
〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には
２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０μｍ
より薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用
上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の
作製時間が長くなって製造コストが高くなる。
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０
〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には
２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０μｍ
より薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用
上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の
作製時間が長くなって製造コストが高くなる。
【００７６】また、本発明において、光導電層における
表面側に配設された第２の層領域は、露光波長のピーク
波長光を５０％以上９０％以下を吸収する領域とするこ
とが望ましい。上記範囲外では、前露光や像露光の吸収
領域と生成するキャリアの走光性のバランスから、帯電
能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線
性、感度ムラ、光メモリーの改善の効果を充分に発揮す
ることができない。
表面側に配設された第２の層領域は、露光波長のピーク
波長光を５０％以上９０％以下を吸収する領域とするこ
とが望ましい。上記範囲外では、前露光や像露光の吸収
領域と生成するキャリアの走光性のバランスから、帯電
能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線
性、感度ムラ、光メモリーの改善の効果を充分に発揮す
ることができない。
【００７７】また本発明において、光導電層３０３中に
伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族に属
する元素を第２の層領域３１２よりも第１の層領域３１
１の方が多くなるように含有させてより光メモリーの改
善が顕著に得られるようにするには、光導電層３０３に
占める第２の層領域３１２の領域を、入射光のピーク波
長光を５０％以上９０％以下吸収する膜厚にすることが
望ましい。上記範囲外では、前露光ゃ像露光の吸収領域
と伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族に
属する元素の分布によるキャリアの走光性のバランスか
ら、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度
の直線性、感度ムラ、光メモリーの改善の効果が薄れ
る。
伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族に属
する元素を第２の層領域３１２よりも第１の層領域３１
１の方が多くなるように含有させてより光メモリーの改
善が顕著に得られるようにするには、光導電層３０３に
占める第２の層領域３１２の領域を、入射光のピーク波
長光を５０％以上９０％以下吸収する膜厚にすることが
望ましい。上記範囲外では、前露光ゃ像露光の吸収領域
と伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族に
属する元素の分布によるキャリアの走光性のバランスか
ら、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度
の直線性、感度ムラ、光メモリーの改善の効果が薄れ
る。
【００７８】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層３０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
する光導電層３０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
【００７９】希釈ガスとして使用するＨ2および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、、第１の層領域の場合、Ｓｉ供給用ガスに
対しＨ2および／またはＨｅの流量を、通常の場合０．
５〜１０倍、好ましくは１〜８倍、最適には２〜６倍の
範囲に制御することが望ましく、第２の層領域の場合、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2および／またはＨｅの流量
を、通常の場合０．１〜４倍、好ましくは０．２〜３．
５倍、最適には０．５〜３倍の範囲に制御することが望
ましい。
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、、第１の層領域の場合、Ｓｉ供給用ガスに
対しＨ2および／またはＨｅの流量を、通常の場合０．
５〜１０倍、好ましくは１〜８倍、最適には２〜６倍の
範囲に制御することが望ましく、第２の層領域の場合、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2および／またはＨｅの流量
を、通常の場合０．１〜４倍、好ましくは０．２〜３．
５倍、最適には０．５〜３倍の範囲に制御することが望
ましい。
【００８０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０-2〜２×１０3Ｐａ、好ましくは５×１０-2〜５×１
０2Ｐａ、最適には１×１０-1〜２×１０2Ｐａとするの
が好ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０-2〜２×１０3Ｐａ、好ましくは５×１０-2〜５×１
０2Ｐａ、最適には１×１０-1〜２×１０2Ｐａとするの
が好ましい。
【００８１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を０．３〜５、好ましくは０．５
〜４、最適には１〜３の範囲に設定することが望まし
い。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を０．３〜５、好ましくは０．５
〜４、最適には１〜３の範囲に設定することが望まし
い。
【００８２】さらに、支持体３０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２１０〜
３４０℃、最適には２２０〜３３０℃とするのが望まし
い。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２１０〜
３４０℃、最適には２２０〜３３０℃とするのが望まし
い。
【００８３】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。 〈表面層〉本発明においては、上述のようにして支持体
３０１上に形成された光導電層３０３の上に、更にアモ
ルファスシリコン系の表面層３０４を形成することが好
ましい。この表面層３０４は自由表面３１０を有し、主
に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するため
に設けられる。
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。 〈表面層〉本発明においては、上述のようにして支持体
３０１上に形成された光導電層３０３の上に、更にアモ
ルファスシリコン系の表面層３０４を形成することが好
ましい。この表面層３０４は自由表面３１０を有し、主
に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するため
に設けられる。
【００８４】又、本発明においては、光受容層３０２を
構成する光導電層３０３と表面層３０４とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を
有しているので、積層界面において化学的な安定性の確
保が十分成されている。
構成する光導電層３０３と表面層３０４とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を
有しているので、積層界面において化学的な安定性の確
保が十分成されている。
【００８５】表面層３０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればの材質でも可能であるが、例えば、水素
原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、
更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に酸素原
子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ
Ｏ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／また
はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有す
るアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」
と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原
子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素原子
の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材料が
好適に用いられる。
の材料であればの材質でも可能であるが、例えば、水素
原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、
更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に酸素原
子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ
Ｏ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／また
はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有す
るアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」
と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原
子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素原子
の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材料が
好適に用いられる。
【００８６】本発明に於いて、その目的を効果的に達成
するために、表面層３０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、光受
容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法によること
が好ましい。
するために、表面層３０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、光受
容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法によること
が好ましい。
【００８７】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層３０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
３０３を形成した支持体３０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ
からなる層を形成すればよい。
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層３０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
３０３を形成した支持体３０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ
からなる層を形成すればよい。
【００８８】本発明に於いて用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良
いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも
１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−
ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
はシリコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良
いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも
１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−
ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【００８９】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。
【００９０】また、本発明において表面層３０４中に水
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構
成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、通
常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１
０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ま
しい。
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構
成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、通
常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１
０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ま
しい。
【００９１】これらの水素及び／または弗素含有量の範
囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の劣化、更にコロナ帯電時や
光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入され、前記
表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り
返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げ
られる。
囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の劣化、更にコロナ帯電時や
光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入され、前記
表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り
返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げ
られる。
【００９２】しかしながら表面層内の水素含有量を３０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
【００９３】一方、前記表面層中の水素含有量が７０原
子％を越えると表面層の硬度が低下するために、繰り返
し使用に耐えられなくなる。従って、表面層中の水素含
有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望
の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つであ
る。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。
子％を越えると表面層の硬度が低下するために、繰り返
し使用に耐えられなくなる。従って、表面層中の水素含
有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望
の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つであ
る。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。
【００９４】また、表面層中の弗素含有量を０．０１原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。
【００９５】一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認
められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中の
キャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモ
リーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素
含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特
性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素
含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認
められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中の
キャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモ
リーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素
含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特
性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素
含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。
【００９６】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９７】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。
ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。
【００９８】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯ、Ｃ
Ｏ2、Ｎ2等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。また、これら
の窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
としては、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯ、Ｃ
Ｏ2、Ｎ2等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。また、これら
の窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
【００９９】また，形成される表面層３０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。
【０１００】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適
に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素
ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、Ｂ
ｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適
に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素
ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、Ｂ
ｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。
【０１０１】表面層３０４中に含有される水素原子また
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体３０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体３０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。
【０１０２】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【０１０３】さらに本発明においては、表面層３０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層３０４中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層３０４中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。
【０１０４】前記の伝導性を制御する原子としでは、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子
（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることがで
きる。
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子
（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることがで
きる。
【０１０５】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、硼素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、硼素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。
【０１０６】表面層３０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、た
とえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質
をガス状態で反応容器中に、表面層３０４を形成するた
めの他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ
族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の
または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ
族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導
入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ
6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣ
ｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ
3、ＴｌＣｌ3等も挙げることができる。
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、た
とえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質
をガス状態で反応容器中に、表面層３０４を形成するた
めの他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ
族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の
または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ
族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導
入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ
6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣ
ｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ
3、ＴｌＣｌ3等も挙げることができる。
【０１０７】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3、
Ｐ2Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣ
ｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣ
ｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、Ｓｂ
Ｆ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、Ｂ
ｉＢｒ3等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。 また、これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2、
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3、
Ｐ2Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣ
ｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣ
ｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、Ｓｂ
Ｆ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、Ｂ
ｉＢｒ3等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。 また、これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2、
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
【０１０８】本発明に於ける表面層３０４の層厚として
は、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を
使用中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、
３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下がみられる。
は、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を
使用中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、
３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下がみられる。
【０１０９】本発明による表面層３０４は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。即ち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、
Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質はその形成条件
によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態を
取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を各々示すので、本発明においては、目的
に応じた所望の特性を有する化合物が形成される様に、
所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。即ち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、
Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質はその形成条件
によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態を
取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を各々示すので、本発明においては、目的
に応じた所望の特性を有する化合物が形成される様に、
所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。
【０１１０】例えば、表面層３０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。
な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。
【０１１１】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層３０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶
材料として形成される。
の向上を主たる目的として表面層３０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶
材料として形成される。
【０１１２】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層３０４を形成するには、ガスの混合比、反応容器内
のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定する
ことが必要であるが、これらの層作成ファクターは通常
は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性
を有する電荷注入阻止層を形成すべく相互的且つ有機的
関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
面層３０４を形成するには、ガスの混合比、反応容器内
のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定する
ことが必要であるが、これらの層作成ファクターは通常
は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性
を有する電荷注入阻止層を形成すべく相互的且つ有機的
関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１１３】さらに本発明に於いては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効
である。
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効
である。
【０１１４】また表面層３０４と光導電層３０３との間
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層３０３に向かって減少するように変
化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、光キャリアの表面への移動がス
ムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光の
反射による干渉の影響をより少なくすることができる。 〈電荷注入阻止層〉本発明の光受容部材においては、導
電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの
電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設け
るのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注入阻止
層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受
けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入されるの
を阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際
にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存
性を有している。そのような機能を付与するために、電
荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比
べ比較的多く含有させる。
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層３０３に向かって減少するように変
化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、光キャリアの表面への移動がス
ムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光の
反射による干渉の影響をより少なくすることができる。 〈電荷注入阻止層〉本発明の光受容部材においては、導
電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの
電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設け
るのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注入阻止
層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受
けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入されるの
を阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際
にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存
性を有している。そのような機能を付与するために、電
荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比
べ比較的多く含有させる。
【０１１５】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。
は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。
【０１１６】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。
【０１１７】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」
と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ
ｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）
を用いることができる。
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」
と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ
ｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）
を用いることができる。
【０１１８】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
Ｂ（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（砒素），Ｓｂ
（アンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。
Ｂ（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（砒素），Ｓｂ
（アンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。
【０１１９】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０3子ｐｐｍ、最適には
１×１０2〜３×１０3原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０3子ｐｐｍ、最適には
１×１０2〜３×１０3原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。
【０１２０】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。
【０１２１】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。本発明における電荷注入阻止層の
全層領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子お
よび／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果
的に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合は
その量として、二種以上の場合はその総和として、好ま
しくは１×１０-3〜３０原子％、より好適には５×１０
-3〜２０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とさ
れるのが望ましい。
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。本発明における電荷注入阻止層の
全層領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子お
よび／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果
的に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合は
その量として、二種以上の場合はその総和として、好ま
しくは１×１０-3〜３０原子％、より好適には５×１０
-3〜２０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とさ
れるのが望ましい。
【０１２２】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１２３】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等
の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが
望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体か
らの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が
得られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の
向上は期待できず、作製時間の延長による製造コストの
増加を招くだけである。
所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等
の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが
望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体か
らの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が
得られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の
向上は期待できず、作製時間の延長による製造コストの
増加を招くだけである。
【０１２４】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。
【０１２５】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層３０５を形成するには、ガスの混合比、反
応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜
設定することが必要であるが、これらの層作成ファクタ
ーは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所
望の特性を有する電荷注入阻止層を形成すべく相互的且
つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。
荷注入阻止層３０５を形成するには、ガスの混合比、反
応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜
設定することが必要であるが、これらの層作成ファクタ
ーは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所
望の特性を有する電荷注入阻止層を形成すべく相互的且
つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。
【０１２６】このほかに、本発明の光受容部材において
は、光受容層３０２の前記支持体３０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／
及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有
する層領域を有することが望ましい。
は、光受容層３０２の前記支持体３０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／
及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有
する層領域を有することが望ましい。
【０１２７】また、本発明の光受容部材に於いては、支
持体３０１と光導電層３０３あるいは電荷注入阻止層３
０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、あるいはシリコン原
子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子と
を含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良
い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を
防止するための光吸収層を設けても良い。
持体３０１と光導電層３０３あるいは電荷注入阻止層３
０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、あるいはシリコン原
子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子と
を含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良
い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を
防止するための光吸収層を設けても良い。
【０１２８】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。
び膜形成方法について詳述する。
【０１２９】図４は、ＲＦ帯の電源周波数を用いた高周
波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な
構成図である。図４に示す製造装置の構成は以下の通り
である。
波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な
構成図である。図４に示す製造装置の構成は以下の通り
である。
【０１３０】この装置は大別すると、堆積装置（４１０
０）、原料ガスの供給装置（４２００）、反応容器（４
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（４１００）中の反応容器
（４１１１）内には円筒状支持体（４１１２）、支持体
加熱用ヒーター（４１１３）、原料ガス導入管（４１１
４）が設置され、更に高周波マッチングボックス（４１
１５）が接続されている。
０）、原料ガスの供給装置（４２００）、反応容器（４
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（４１００）中の反応容器
（４１１１）内には円筒状支持体（４１１２）、支持体
加熱用ヒーター（４１１３）、原料ガス導入管（４１１
４）が設置され、更に高周波マッチングボックス（４１
１５）が接続されている。
【０１３１】原料ガス供給装置（４２００）は、ＳｉＨ
4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガス
のボンベ（４２２１〜４２２６）とバルブ（４２３１〜
４２３６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６）
およびマスフローコントローラー（４２１１〜４２１
６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（４２
６０）を介して反応容器（４１１１）内のガス導入管
（４１１４）に接続されている。
4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガス
のボンベ（４２２１〜４２２６）とバルブ（４２３１〜
４２３６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６）
およびマスフローコントローラー（４２１１〜４２１
６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（４２
６０）を介して反応容器（４１１１）内のガス導入管
（４１１４）に接続されている。
【０１３２】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。
以下のように行なうことができる。
【０１３３】まず、反応容器（４１１１）内に円筒状支
持体（４１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器（４１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（４１１３）により
円筒状支持体（４１１２）の温度を２００℃乃至３５０
℃の所定の温度に制御する。
持体（４１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器（４１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（４１１３）により
円筒状支持体（４１１２）の温度を２００℃乃至３５０
℃の所定の温度に制御する。
【０１３４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（４１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（４２３
１〜４２３７）、反応容器のリークバルブ（４１１７）
が閉じられていることを確認し、叉、流入バルブ（４２
４１〜４２４６）、流出バルブ（４２５１〜４２５
６）、補助バルブ（４２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（４１１８）を開いて反応容
器（４１１１）およびガス配管内（４１１６）を排気す
る。
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（４２３
１〜４２３７）、反応容器のリークバルブ（４１１７）
が閉じられていることを確認し、叉、流入バルブ（４２
４１〜４２４６）、流出バルブ（４２５１〜４２５
６）、補助バルブ（４２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（４１１８）を開いて反応容
器（４１１１）およびガス配管内（４１１６）を排気す
る。
【０１３５】次に真空計（４１１９）の読みが約１×１
０-2Ｐａになった時点で補助バルブ（４２６０）、流出
バルブ（４２５１〜４２５６）を閉じる。
０-2Ｐａになった時点で補助バルブ（４２６０）、流出
バルブ（４２５１〜４２５６）を閉じる。
【０１３６】その後、ガスボンベ（４２２１〜４２２
６）より各ガスをバルブ（４２３１〜４２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（４２６１〜４２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ
（４２４１〜４２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（４２１１〜４２１６）内に導入
する。
６）より各ガスをバルブ（４２３１〜４２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（４２６１〜４２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ
（４２４１〜４２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（４２１１〜４２１６）内に導入
する。
【０１３７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。
後、以下の手順で各層の形成を行う。
【０１３８】円筒状支持体（４１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（４２５１〜４２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（４２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（４２２１〜４２２６）から所定のガ
スをガス導入管（４１１４）を介して反応容器（４１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（４
２１１〜４２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（４１１１）内
の圧力が１．５×１０2Ｐａ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計（４１１９）を見ながらメインバルブ（４１
１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス（４１１５）
を通じて反応容器（４１１１）内にＲＦ電力を導入し、
グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって
反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支
持体（４１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆
積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行
われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて
反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。
なったところで流出バルブ（４２５１〜４２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（４２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（４２２１〜４２２６）から所定のガ
スをガス導入管（４１１４）を介して反応容器（４１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（４
２１１〜４２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（４１１１）内
の圧力が１．５×１０2Ｐａ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計（４１１９）を見ながらメインバルブ（４１
１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス（４１１５）
を通じて反応容器（４１１１）内にＲＦ電力を導入し、
グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって
反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支
持体（４１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆
積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行
われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて
反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。
【０１３９】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１４０】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（４１１
１）内、流出バルブ（４２５１〜４２５６）から反応容
器（４１１１）に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ（４２５１〜４２５６）を閉じ、補助
バルブ（４２６０）を開き、さらにメインバルブ（４１
１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（４１１
１）内、流出バルブ（４２５１〜４２５６）から反応容
器（４１１１）に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ（４２５１〜４２５６）を閉じ、補助
バルブ（４２６０）を開き、さらにメインバルブ（４１
１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。
【０１４１】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（４１１２）を駆動装置
（不図示）によつて所定の速度で回転させることも有効
である。
成を行なっている間は、支持体（４１１２）を駆動装置
（不図示）によつて所定の速度で回転させることも有効
である。
【０１４２】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。
【０１４３】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２１０℃以上３４０℃以下、より好ましくは２２０
℃以上３３０℃以下が望ましい。
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２１０℃以上３４０℃以下、より好ましくは２２０
℃以上３３０℃以下が望ましい。
【０１４４】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。
【０１４５】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。
【０１４６】以下、実験例、実施例により本発明の効果
を具体的に説明するが、本発明はこれによって何等限定
されるものではない。 〈実験例〉 《実験例１》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
この際、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層
領域の順で光導電層を形成した。
を具体的に説明するが、本発明はこれによって何等限定
されるものではない。 〈実験例〉 《実験例１》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に、表１に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
この際、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層
領域の順で光導電層を形成した。
【０１４７】
【表１】 一方、アルミニウムシリンダーに代えて、サンプル基板
を設置するための溝加工を施した円筒形のサンプルホル
ダーを用い、ガラス基板（コーニング社 ７０５９）な
らびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の各層領域の作
成条件にて、膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）
を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウ
エハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）
を測定した。
を設置するための溝加工を施した円筒形のサンプルホル
ダーを用い、ガラス基板（コーニング社 ７０５９）な
らびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の各層領域の作
成条件にて、膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）
を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウ
エハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）
を測定した。
【０１４８】表１の例では第１の層領域はＣｈ、Ｅｇ、
Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．７２ｅＶ、５２ｍｅＶ
であり、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２
０原子％、１．６５ｅＶ、６９ｍｅＶであった。
Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．７２ｅＶ、５２ｍｅＶ
であり、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２
０原子％、１．６５ｅＶ、６９ｍｅＶであった。
【０１４９】次いで、各層領域の厚さは変えずに、Ｓｉ
Ｈ4ガス流量、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合比、Ｓｉ
Ｈ2ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を
種々変えることによって、第１の層領域のＥｇ（Ｃ
ｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を作製した。
Ｈ4ガス流量、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合比、Ｓｉ
Ｈ2ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を
種々変えることによって、第１の層領域のＥｇ（Ｃ
ｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を作製した。
【０１５０】作製した光受容部材を電子写真装置（キャ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセットして、
電位特性の評価を行った。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセットして、
電位特性の評価を行った。
【０１５１】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ、コロナ帯電器の帯電ワイヤーの電流値１０００μ
Ａの条件にて、電子写真装置の現像器位置にセットした
表面電位計（ＴＲＥＫ社 Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位
センサーにより光受容部材の暗状態での表面電位（暗電
位）を測定し帯電能とした。次に、光受容部材に内蔵し
たドラムヒーターにより温度を室温（約２５℃）から４
５℃まで変えて、上記の条件にて帯電能を測定し、その
ときの温度１℃当たりの帯電能の変化を帯電能、帯電能
の温度特性とした。また、光受容部材の表面温度を室温
および４５℃において暗電位が４００Ｖとなるように帯
電条件を設定し、像露光光源としてピーク波長６８０ｎ
ｍのＬＥＤを用い、その露光量を変えてＥ−Ｖ特性（曲
線）を測定して感度の温度特性ならびに感度の直線性を
評価した。感度ムラは、先ずドラムヒーターにょり光受
容部材の表面温度を４５℃まで昇温させて、暗電位が４
００Ｖとなるように帯電条件を設定する。そして次に、
像露光光源としてピーク波長６８０ｎｍのＬＥＤを用
い、電位が５０Ｖになる光量を光受容部材の軸方向に１
０点測定して最大値と最小値の差を感度ムラとした。光
メモリー電位は、感度の測定と同様に像毎光半源に６８
０ｎｍのＬＥＤを用い、上述の条件下において同様の電
位センサーにより非露光状態での表面電位と、一旦露光
した後に再度帯電したときの電位との差を測定した。
ｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ、コロナ帯電器の帯電ワイヤーの電流値１０００μ
Ａの条件にて、電子写真装置の現像器位置にセットした
表面電位計（ＴＲＥＫ社 Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位
センサーにより光受容部材の暗状態での表面電位（暗電
位）を測定し帯電能とした。次に、光受容部材に内蔵し
たドラムヒーターにより温度を室温（約２５℃）から４
５℃まで変えて、上記の条件にて帯電能を測定し、その
ときの温度１℃当たりの帯電能の変化を帯電能、帯電能
の温度特性とした。また、光受容部材の表面温度を室温
および４５℃において暗電位が４００Ｖとなるように帯
電条件を設定し、像露光光源としてピーク波長６８０ｎ
ｍのＬＥＤを用い、その露光量を変えてＥ−Ｖ特性（曲
線）を測定して感度の温度特性ならびに感度の直線性を
評価した。感度ムラは、先ずドラムヒーターにょり光受
容部材の表面温度を４５℃まで昇温させて、暗電位が４
００Ｖとなるように帯電条件を設定する。そして次に、
像露光光源としてピーク波長６８０ｎｍのＬＥＤを用
い、電位が５０Ｖになる光量を光受容部材の軸方向に１
０点測定して最大値と最小値の差を感度ムラとした。光
メモリー電位は、感度の測定と同様に像毎光半源に６８
０ｎｍのＬＥＤを用い、上述の条件下において同様の電
位センサーにより非露光状態での表面電位と、一旦露光
した後に再度帯電したときの電位との差を測定した。
【０１５２】本実験例のＥｇ、Ｅｕと帯電能、帯電能の
温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラな
らびに光メモリーとの関係をそれぞれ図５、図６、図
７、図８、図９ならびに図１０に示す。それぞれの特性
に関して、光導電層を全て第２の層領域のみで構成した
場合を１としたときの相対値で示した６図５、図６、図
７、図８、図９ならびに図１０から明らかなように、第
１の層領域においてＥｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下において、帯
電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線
性、感度ムラならびに光メモリーのいずれも良好な特性
を得られることがわかった。また、像露光光源をＬＥＤ
から半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同
様な結果が得られることがわかった。 《実験例２》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例１と同様に表１に示す条件で、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。その際、光導電層の第２の層領域にお
けるピーク波長６８０ｎｍのＬＥＤの吸収率を４０％〜
９５％まで変化させて作製した。
温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラな
らびに光メモリーとの関係をそれぞれ図５、図６、図
７、図８、図９ならびに図１０に示す。それぞれの特性
に関して、光導電層を全て第２の層領域のみで構成した
場合を１としたときの相対値で示した６図５、図６、図
７、図８、図９ならびに図１０から明らかなように、第
１の層領域においてＥｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下において、帯
電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線
性、感度ムラならびに光メモリーのいずれも良好な特性
を得られることがわかった。また、像露光光源をＬＥＤ
から半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同
様な結果が得られることがわかった。 《実験例２》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例１と同様に表１に示す条件で、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。その際、光導電層の第２の層領域にお
けるピーク波長６８０ｎｍのＬＥＤの吸収率を４０％〜
９５％まで変化させて作製した。
【０１５３】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様の電位特性評価を行った。
１と同様の電位特性評価を行った。
【０１５４】本実験例の光導電層における第２の層領域
の光吸収率と、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度
特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの
関係をそれぞれ図１１、図１２、図１３、図１４、図１
５ならびに図１６に示す。それぞれの特性に関して、光
導電層を第２の層領域のみで構成した場合を１としたと
きの相対値で示した。図１１、図１２、図１３、図１
４、図１５ならびに図１６から明らかなように、光導電
層における第２の層領域の光吸収率が５０％以上９０％
以下の場合に、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度
特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーいず
れも良好な特性を得られることがわかった。また、像露
光光源をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）
にした場合も同様な結果が得られることがわかった。 《実験例３》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例１の表１において光導電層における第１の層領域
の執原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を２
ｐｐｍに変更し、第２の層領域の層厚はピーク波長６８
０ｎｍのＬＥＤを８５％吸収できる厚さとし、光導電層
の全層厚は３０μｍとした以外は全て実験例１と同じ条
件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、
表面層からなる光受容部材を作製した。結果は、第１の
層領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．
７２ｅＶ、５２ｍｅＶであり、第２の層領域のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ２０原子％、１．６５ｅＶ、６９ｍ
ｅＶであった（実験例３−Ａ）。次いで、各層領域の厚
さは変えずに、ＳｉＨ4ガス流量、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガ
スとの混合比、ＳｉＨ4ガス流量と放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第１の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。
の光吸収率と、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度
特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの
関係をそれぞれ図１１、図１２、図１３、図１４、図１
５ならびに図１６に示す。それぞれの特性に関して、光
導電層を第２の層領域のみで構成した場合を１としたと
きの相対値で示した。図１１、図１２、図１３、図１
４、図１５ならびに図１６から明らかなように、光導電
層における第２の層領域の光吸収率が５０％以上９０％
以下の場合に、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度
特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーいず
れも良好な特性を得られることがわかった。また、像露
光光源をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）
にした場合も同様な結果が得られることがわかった。 《実験例３》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例１の表１において光導電層における第１の層領域
の執原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を２
ｐｐｍに変更し、第２の層領域の層厚はピーク波長６８
０ｎｍのＬＥＤを８５％吸収できる厚さとし、光導電層
の全層厚は３０μｍとした以外は全て実験例１と同じ条
件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、
表面層からなる光受容部材を作製した。結果は、第１の
層領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．
７２ｅＶ、５２ｍｅＶであり、第２の層領域のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ２０原子％、１．６５ｅＶ、６９ｍ
ｅＶであった（実験例３−Ａ）。次いで、各層領域の厚
さは変えずに、ＳｉＨ4ガス流量、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガ
スとの混合比、ＳｉＨ4ガス流量と放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第１の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。
【０１５５】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にＥｇ、Ｅｕと帯電能、帯電能の温度特性、感
度の温度特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモ
リーとの関係を調べたところ、実験例１と同様の傾向を
示し、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有
量を光導電層で分布させた場合も、第１の層領域におい
てＥｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下において、帯電能、帯電能の温
度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラなら
びに光メモリーのいずれも良好な特性を得られることが
わかった。特に、光メモリーの改善が顕著であり実験例
１で作製したものよりも良好な結果が得られた。また、
像露光光源をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様な結果が得られることがわかっ
た。 《実験例４》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて第２の層領域がピーク波長６８０
ｎｍのＬＥＤの吸収率を４０％〜９５％まで変化させた
以外は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻
止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製し
た。
１と同様にＥｇ、Ｅｕと帯電能、帯電能の温度特性、感
度の温度特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモ
リーとの関係を調べたところ、実験例１と同様の傾向を
示し、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有
量を光導電層で分布させた場合も、第１の層領域におい
てＥｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下において、帯電能、帯電能の温
度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラなら
びに光メモリーのいずれも良好な特性を得られることが
わかった。特に、光メモリーの改善が顕著であり実験例
１で作製したものよりも良好な結果が得られた。また、
像露光光源をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様な結果が得られることがわかっ
た。 《実験例４》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて第２の層領域がピーク波長６８０
ｎｍのＬＥＤの吸収率を４０％〜９５％まで変化させた
以外は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻
止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製し
た。
【０１５６】作製した個々の光受容部材について実験例
３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの関
係を調べたところ、第２の層領域の光吸収率を５０％以
上９０％以下にして作製したものは実験例３と同様に良
好な結果を示し、第２の層領域の光吸収率を５０％以上
９０％以下にすることで本発明の効果が得られることが
わかった。また、像露光光源をＬＥＤから半導体レーザ
ー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得られ
ることがわかった。 《実験例５》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて光導電層におけるＳｉ原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を第２の層領域は
０．１ｐｐｍに固定して、第１の層領域において、０．
１５ｐｐｍ、０．２ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２
０ｐｐｍ、３０ｐｐｍおよび３５ｐｐｍに変更した以外
は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの関
係を調べたところ、第２の層領域の光吸収率を５０％以
上９０％以下にして作製したものは実験例３と同様に良
好な結果を示し、第２の層領域の光吸収率を５０％以上
９０％以下にすることで本発明の効果が得られることが
わかった。また、像露光光源をＬＥＤから半導体レーザ
ー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得られ
ることがわかった。 《実験例５》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて光導電層におけるＳｉ原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を第２の層領域は
０．１ｐｐｍに固定して、第１の層領域において、０．
１５ｐｐｍ、０．２ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２
０ｐｐｍ、３０ｐｐｍおよび３５ｐｐｍに変更した以外
は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
【０１５７】作製した個々の光受容部材について実験例
３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの関
係を調べたところ、第１の層領域において、Ｓｉ原子に
対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．２ｐｐｍ
以上３０ｐｐｍ以下にして作製したものは実験例３と同
様に良好な結果を示し、第１の層領域においてＳｉ原子
に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．２ｐｐ
ｍ以上３０ｐｐｍ以下にすることで本発明の効果が得ら
れることがわかった。また、像露光光源をＬＥＤから半
導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結
果が得られることがわかった。 《実験例６》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて光導電層におけるＳｉ原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を第１の層領域は１
２ｐｐｍに固定して、第２の層領域において、０．００
５ｐｐｍ、０．０１ｐｐｍ、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、
５ｐｐｍ、１０ｐｐｍおよび１１ｐｐｍに変更した以外
は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの関
係を調べたところ、第１の層領域において、Ｓｉ原子に
対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．２ｐｐｍ
以上３０ｐｐｍ以下にして作製したものは実験例３と同
様に良好な結果を示し、第１の層領域においてＳｉ原子
に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．２ｐｐ
ｍ以上３０ｐｐｍ以下にすることで本発明の効果が得ら
れることがわかった。また、像露光光源をＬＥＤから半
導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結
果が得られることがわかった。 《実験例６》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて光導電層におけるＳｉ原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を第１の層領域は１
２ｐｐｍに固定して、第２の層領域において、０．００
５ｐｐｍ、０．０１ｐｐｍ、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、
５ｐｐｍ、１０ｐｐｍおよび１１ｐｐｍに変更した以外
は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
【０１５８】作製した個々の光受容部材について実験例
３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの関
係を調べたところ、第２の層領域において、樹原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．０１ｐｐｍ
以上１０ｐｐｍ以下にして作製したものは実験例３と同
様に良好な結果を示し、第１の層領域においてＳｉ原子
に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．０１ｐ
ｐｍ以上１０ｐｐｍ以下にすることで本発明の効果が得
られることがわかった。また、像露光光源をＬＥＤから
半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な
結果が得られることがわかった。 《実験例７》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて光導電層における樹原子に対する
第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を （１）第１の層領
域は１０ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３の（ａ）〜（ｇ）に
示したように変化させ、それぞれに対して第２の層領域
は１．５ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１３の（ａ）〜
（ｂ）に示した用に変化させた。
３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特
性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリーとの関
係を調べたところ、第２の層領域において、樹原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．０１ｐｐｍ
以上１０ｐｐｍ以下にして作製したものは実験例３と同
様に良好な結果を示し、第１の層領域においてＳｉ原子
に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を０．０１ｐ
ｐｍ以上１０ｐｐｍ以下にすることで本発明の効果が得
られることがわかった。また、像露光光源をＬＥＤから
半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な
結果が得られることがわかった。 《実験例７》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
実験例３−Ａにおいて光導電層における樹原子に対する
第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量を （１）第１の層領
域は１０ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３の（ａ）〜（ｇ）に
示したように変化させ、それぞれに対して第２の層領域
は１．５ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１３の（ａ）〜
（ｂ）に示した用に変化させた。
【０１５９】（２）第１の層領域は１０ｐｐｍ→２ｐｐ
ｍに図１３の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、
それぞれに対して第２の層領域は１．５ｐｐｍ一定とし
た。
ｍに図１３の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、
それぞれに対して第２の層領域は１．５ｐｐｍ一定とし
た。
【０１６０】（３）第１の層領域は１０ｐｐｍ一定に
し、第２の層領域は１．５ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１
３の（ａ）〜（ｇ）に示した用に変化させた。
し、第２の層領域は１．５ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１
３の（ａ）〜（ｇ）に示した用に変化させた。
【０１６１】上記の（１）〜（３）のようにした以外は
全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、
光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
全て同じ条件で直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、
光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。
【０１６２】作製した（１）〜（３）の光受容部材につ
いて実験例３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度
の温度特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリ
ーとの関係を調べたところ実験例３と同様に良好な結果
を示し、本発明の効果が得られることがわかった。ま
た、像露光光源をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８
０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得られることがわか
った。
いて実験例３と同様に帯電能、帯電能の温度特性、感度
の温度特性、感度の直線性、感度ムラならびに光メモリ
ーとの関係を調べたところ実験例３と同様に良好な結果
を示し、本発明の効果が得られることがわかった。ま
た、像露光光源をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８
０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得られることがわか
った。
【０１６３】
【実施例】以下実施例により本発明をさらに具体的に説
明する。 《実施例１》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層
からなる光受容部材を作製した。この際、光導電層を電
荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
し、実験例１の表面層に代えて、表面層のシリコン原子
および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態
とした表面層を設けた。
明する。 《実施例１》図４に示す光受容部材の製造装置を用い、
直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層
からなる光受容部材を作製した。この際、光導電層を電
荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
し、実験例１の表面層に代えて、表面層のシリコン原子
および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態
とした表面層を設けた。
【０１６４】表２にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。
示した。
【０１６５】
【表２】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ１５原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子
％、１．７０ｅＶ、６５ｍｅＶという結果が得られた。
は、それぞれ１５原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子
％、１．７０ｅＶ、６５ｍｅＶという結果が得られた。
【０１６６】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実験例１と同
様の電位特性の評価を行ったところ、帯電能、帯電能の
温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラな
らびに光メモリーとも良好な結果が得られ、像露光光源
をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様な結果が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実験例１と同
様の電位特性の評価を行ったところ、帯電能、帯電能の
温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラな
らびに光メモリーとも良好な結果が得られ、像露光光源
をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様な結果が得られることがわかった。
【０１６７】また、作製した光受容部材を正帯電して画
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好
な特性が得られた。
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好
な特性が得られた。
【０１６８】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電
層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原
子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域
は１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下と
し、第１の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大き
くすることが良好な電子写真特性を得るために必要であ
ることがわかった。 《実施例２》実施例１において光導電層における第１の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を３ｐｐｍに変更し、第２の層領域の層厚はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤを８０％吸収できる厚さとし、
光導電層の全層厚は３２μｍとした以外は全て同じ条件
で直径８０ｍ品の鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電
層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原
子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域
は１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下と
し、第１の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大き
くすることが良好な電子写真特性を得るために必要であ
ることがわかった。 《実施例２》実施例１において光導電層における第１の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を３ｐｐｍに変更し、第２の層領域の層厚はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤを８０％吸収できる厚さとし、
光導電層の全層厚は３２μｍとした以外は全て同じ条件
で直径８０ｍ品の鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。
【０１６９】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実験例１と同
様の電位特性の評価を行ったところ、帯電能、帯電能の
温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラな
らびに光メモリーとも良好な結果が得られ、像露光光源
をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様な結果が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実験例１と同
様の電位特性の評価を行ったところ、帯電能、帯電能の
温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラな
らびに光メモリーとも良好な結果が得られ、像露光光源
をＬＥＤから半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様な結果が得られることがわかった。
【０１７０】また、作製した光受容部材を正帯電して画
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好
な特性が得られた。
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好
な特性が得られた。
【０１７１】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電
層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原
子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域
は１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下と
し、第１の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大き
く、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量
に分布を持たせることが良好な電子写真特性を得るため
に必要であることがわかった。 《実施例３》本例では、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電
層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域
の順とし、実施例１のＨ2に代えてＨｅを使用した。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電
層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原
子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域
は１０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下と
し、第１の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大き
く、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量
に分布を持たせることが良好な電子写真特性を得るため
に必要であることがわかった。 《実施例３》本例では、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電
層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域
の順とし、実施例１のＨ2に代えてＨｅを使用した。
【０１７２】表３に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１７３】
【表３】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２５原子％、１．８ｅＶ、５４ｍｅＶ、第
２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１５原子
％、１．７３ｅＶ、６３ｍｅＶという結果が得られた。
は、それぞれ２５原子％、１．８ｅＶ、５４ｍｅＶ、第
２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１５原子
％、１．７３ｅＶ、６３ｍｅＶという結果が得られた。
【０１７４】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
【０１７５】すなわち、Ｈ２に代えてＨｅを使用して光
導電層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
Ｖ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２
の層領域のＥｇより大きくすることが良好な電子写真特
性を得るために必要であることがわかった。 《実施例４》実施例３において光導電層における第１の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を３ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｂ）のように変化
させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍのＬ
ＥＤを７５％吸収できる厚さとし、光導電層の全層厚は
３０μｍとした以外は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。
導電層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
Ｖ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２
の層領域のＥｇより大きくすることが良好な電子写真特
性を得るために必要であることがわかった。 《実施例４》実施例３において光導電層における第１の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を３ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｂ）のように変化
させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍのＬ
ＥＤを７５％吸収できる厚さとし、光導電層の全層厚は
３０μｍとした以外は全て同じ条件で直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。
【０１７６】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
【０１７７】すなわち、Ｈ2に代えてＨｅを使用して光
導電層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
ｖ以上７０ｍｅｖ以下とし、第１の層領域、Ｅｇが第２
の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持たせることが良好な
電子写真特性を得るために必要であることがわかった。 《実施例５》本例では、直径８０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とし、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原
子、酸素原子、窒素原子を含有させた。
導電層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
ｖ以上７０ｍｅｖ以下とし、第１の層領域、Ｅｇが第２
の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持たせることが良好な
電子写真特性を得るために必要であることがわかった。 《実施例５》本例では、直径８０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とし、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原
子、酸素原子、窒素原子を含有させた。
【０１７８】表４に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１７９】
【表４】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２１原子％、１．７６ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０原子
％、１．７５ｅＶ、７０ｍｅＶという結果が得られた。
は、それぞれ２１原子％、１．７６ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０原子
％、１．７５ｅＶ、７０ｍｅＶという結果が得られた。
【０１８０】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
【０１８１】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフ
ッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子
を含有させた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、
Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子
％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上
２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、
６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥ
ｇが第２の層領域のＥｇより大きくすることが良好な電
子写真特性を得るために必要であることがわかった。 《実施例６》実施例５において光導電層における第２の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を１ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１３（ｃ）のように
変化させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍ
のＬＥＤを７５％吸収できる厚さとし、光導電層の全層
厚は３０μｍとした以外は全て同じ条件で直径８０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受
容部材を作製した。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフ
ッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子
を含有させた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、
Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子
％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上
２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、
６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥ
ｇが第２の層領域のＥｇより大きくすることが良好な電
子写真特性を得るために必要であることがわかった。 《実施例６》実施例５において光導電層における第２の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を１ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１３（ｃ）のように
変化させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍ
のＬＥＤを７５％吸収できる厚さとし、光導電層の全層
厚は３０μｍとした以外は全て同じ条件で直径８０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受
容部材を作製した。
【０１８２】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
【０１８３】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフ
ッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子
を含有させた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、
Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子
％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上
２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、
６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥ
ｇが第２の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する
第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持たせること
が良好な電子写真特性を得るために必要であることがわ
かった。 《実施例７》本例では、直径８０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とし、全ての層にフッ素原子を含有させるとともに、
シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均
一な分布状態とした表面層を設けた。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフ
ッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子
を含有させた場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、
Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子
％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上
２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、
６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥ
ｇが第２の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する
第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持たせること
が良好な電子写真特性を得るために必要であることがわ
かった。 《実施例７》本例では、直径８０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とし、全ての層にフッ素原子を含有させるとともに、
シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均
一な分布状態とした表面層を設けた。
【０１８４】表５に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１８５】
【表５】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ１６原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１６原子
％、１．７０ｅＶ、６４ｍｅＶという結果が得られた。
は、それぞれ１６原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１６原子
％、１．７０ｅＶ、６４ｍｅＶという結果が得られた。
【０１８６】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
【０１８７】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とした構成とし、全
ての層にフッ素原子を含有させるとともに、シリコン原
子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状
態とした表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５
０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０
原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５
ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の
層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きくすること
が良好な電子写真特性を得るために必要であることがわ
かった。 《実施例８》実施例７において光導電層における第２の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を２ｐｐｍ→１ｐｐｍに図１３（ｄ）のように変化
させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍのＬ
ＥＤを８０％吸収できる厚さとし、光導電層の全層厚は
２５μｍとした以外は全て同じ条件で直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とした構成とし、全
ての層にフッ素原子を含有させるとともに、シリコン原
子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状
態とした表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５
０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０
原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５
ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の
層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きくすること
が良好な電子写真特性を得るために必要であることがわ
かった。 《実施例８》実施例７において光導電層における第２の
層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含
有量を２ｐｐｍ→１ｐｐｍに図１３（ｄ）のように変化
させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍのＬ
ＥＤを８０％吸収できる厚さとし、光導電層の全層厚は
２５μｍとした以外は全て同じ条件で直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。
【０１８８】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
【０１８９】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とした構成とし、全
ての層にフッ素原子を含有させるとともに、シリコン原
子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状
態とした表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５
０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０
原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５
ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の
層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持
たせることが良好な電子写真特性を得るために必要であ
ることがわかった。 《実施例９》本例では、直径６０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とし、Ｈ2に加えてＨｅを使用した。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とした構成とし、全
ての層にフッ素原子を含有させるとともに、シリコン原
子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状
態とした表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５
０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０
原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５
ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の
層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持
たせることが良好な電子写真特性を得るために必要であ
ることがわかった。 《実施例９》本例では、直径６０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とし、Ｈ2に加えてＨｅを使用した。
【０１９０】表６にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。
示した。
【０１９１】
【表６】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ１０原子％、１．７０ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１０原子
％、１．６８ｅＶ、７０ｍｅＶ、という結果が得られ
た。
は、それぞれ１０原子％、１．７０ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１０原子
％、１．６８ｅＶ、７０ｍｅＶ、という結果が得られ
た。
【０１９２】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
【０１９３】すなわち、直径６０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とした構成とし、Ｈ2に加えてＨｅを使用した場合に
おいても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１
の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ
以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、第２の層領域は１０原子％以上２０原子％以下、
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以下と
し、第１の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大き
くすることが良好な電子写真特性を得るために必要であ
ることが分かった。 《実施例１０》実施例９において光導電層における第１
の層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の
含有量を３ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｅ）のように変
化させ、第２の層領域のＳｉ原字に対する第ＩＩＩｂ族
元素（Ｂ）の含有量を１ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１３
（ｆ）のように変化させ、第２の層領域の層厚はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤを８５％吸収できる厚さとし、
光導電層の全層厚は３０μｍとした以外は全て同じ条件
で直径６０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とした構成とし、Ｈ2に加えてＨｅを使用した場合に
おいても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１
の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ
以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、第２の層領域は１０原子％以上２０原子％以下、
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以下と
し、第１の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大き
くすることが良好な電子写真特性を得るために必要であ
ることが分かった。 《実施例１０》実施例９において光導電層における第１
の層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の
含有量を３ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｅ）のように変
化させ、第２の層領域のＳｉ原字に対する第ＩＩＩｂ族
元素（Ｂ）の含有量を１ｐｐｍ→０．５ｐｐｍに図１３
（ｆ）のように変化させ、第２の層領域の層厚はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤを８５％吸収できる厚さとし、
光導電層の全層厚は３０μｍとした以外は全て同じ条件
で直径６０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。
【０１９４】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
【０１９５】すなわち、直径６０ｍｍの鏡面加工を施し
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とした構成とし、Ｈ2に加えてＨｅを使用した場合に
おいても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１
の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ
以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、第２の層領域は１０原子％以上２０原子％以下、
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７
０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２の層領域
のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素
（Ｂ）の含有量に分布を持たせることが良好な電子写真
特性を得るために必要であることがわかった。 《実施例１１》本例では、直径１０８ｍｍの鏡面加工を
施したアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導
電層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領
域の順とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の
代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。
たアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層
を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の
順とした構成とし、Ｈ2に加えてＨｅを使用した場合に
おいても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１
の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ
以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、第２の層領域は１０原子％以上２０原子％以下、
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７
０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２の層領域
のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素
（Ｂ）の含有量に分布を持たせることが良好な電子写真
特性を得るために必要であることがわかった。 《実施例１１》本例では、直径１０８ｍｍの鏡面加工を
施したアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導
電層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領
域の順とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の
代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。
【０１９６】表７にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。
示した。
【０１９７】
【表７】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ１９原子％、１．７４ｅＶ、５５ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子
％、１．７３ｅＶ、６０ｍｅＶという結果が得られた。
は、それぞれ１９原子％、１．７４ｅＶ、５５ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子
％、１．７３ｅＶ、６０ｍｅＶという結果が得られた。
【０１９８】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子与
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同
様の評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子与
真特性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果
が得られることがわかった。
【０１９９】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子をに含有
させた表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５
０ｍｅｖ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０
原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５
ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の
層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きくすること
が良好な電子写真特性を得るために必要であることがわ
かった。 《実施例１２》実施例１１において光導電層における第
１の層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）
の含有量を３ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｇ）のように
変化させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍ
のＬＥＤを９０％吸収できる厚さとし、光導電層の全層
厚は２５μｍとした以外は全て同じ条件で直径６０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受
容部材を作製した。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子をに含有
させた表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５
０ｍｅｖ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１０
原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５
ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の
層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きくすること
が良好な電子写真特性を得るために必要であることがわ
かった。 《実施例１２》実施例１１において光導電層における第
１の層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）
の含有量を３ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｇ）のように
変化させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍ
のＬＥＤを９０％吸収できる厚さとし、光導電層の全層
厚は２５μｍとした以外は全て同じ条件で直径６０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受
容部材を作製した。
【０２００】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光はピーク
波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同
様の電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に
良好な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
【０２０１】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子をに含有
させた表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、
５。ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１
０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７
５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１
の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ
原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を
持たせることが良好な電子写真特性を得るために必要で
あることがわかった。 《実施例１３》本例では、直径３０ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電
層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域
の順とした。
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子をに含有
させた表面層を設けた場合においても、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ第１の層領域は１０原子％以
上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、
５。ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域は１
０原子％以上２０原子％以下、１．６５ｅＶ以上１．７
５ｅＶ以下、６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１
の層領域のＥｇが第２の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ
原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を
持たせることが良好な電子写真特性を得るために必要で
あることがわかった。 《実施例１３》本例では、直径３０ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電
層を電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域
の順とした。
【０２０２】表８に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０２０３】
【表８】 本例では、光導電層の第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ１２原子％、１．７２ｅＶ、５１ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０原子
％、１．６７ｅＶ、６８ｍｅＶという結果が得られた。
は、それぞれ１２原子％、１．７２ｅＶ、５１ｍｅＶ、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０原子
％、１．６７ｅＶ、６８ｍｅＶという結果が得られた。
【０２０４】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＧＰ−５５を実験用に改造、像露光はピーク波長
６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同様の
評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写真特
性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
ノン製ＧＰ−５５を実験用に改造、像露光はピーク波長
６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例１と同様の
評価をしたところ、実施例１と同様に良好な電子写真特
性が得られた。また、像露光光源をＬＥＤから半導体レ
ーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得
られることがわかった。
【０２０５】すなわち、支持体として直径３０ｍｍのア
ルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層を電
荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
た場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれ
ぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
Ｖ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２
の層領域のＥｇより大きくすることが良好な電子写真特
性を得るために必要であることがわかった。 《実施例１４》実施例１３において光導電層における第
１の層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）
の含有量を４ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｇ）のように
変化させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍ
のＬＥＤを７０％吸収できる厚さとし、光導電層の全層
厚は２５μｍとした以外は全て同じ条件で直径３０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受
容部材を作製した。
ルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層を電
荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
た場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれ
ぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
Ｖ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２
の層領域のＥｇより大きくすることが良好な電子写真特
性を得るために必要であることがわかった。 《実施例１４》実施例１３において光導電層における第
１の層領域のＳｉ原子に対する第ＩＩＩｂ族元素（Ｂ）
の含有量を４ｐｐｍ→２ｐｐｍに図１３（ｇ）のように
変化させ、第２の層領域の層厚はピーク波長６８０ｎｍ
のＬＥＤを７０％吸収できる厚さとし、光導電層の全層
厚は２５μｍとした以外は全て同じ条件で直径３０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受
容部材を作製した。
【０２０６】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＧＰ−５５を実験用に改造、像露光はピーク波長
６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同様の
電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に良好
な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レーザ
ー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得られ
ることがわかった。
ノン製ＧＰ−５５を実験用に改造、像露光はピーク波長
６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットして、実施例２と同様の
電位特性の評価を行ったところ、実施例２と同様に良好
な結果が得られ、像露光光源をＬＥＤから半導体レーザ
ー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様な結果が得られ
ることがわかった。
【０２０７】すなわち、支持体として直径３０ｍｍのア
ルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層を電
荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
た場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれ
ぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
Ｖ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２
の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持たせることが良好な
電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
ルミニウムシリンダー（支持体）を用い、光導電層を電
荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
た場合においても、光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれ
ぞれ第１の層領域は１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域は１０原子％以上２０原子
％以下、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、６０ｍｅ
Ｖ以上７０ｍｅＶ以下とし、第１の層領域のＥｇが第２
の層領域のＥｇより大きく、Ｓｉ原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素（Ｂ）の含有量に分布を持たせることが良好な
電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０２０８】
【発明の効果】本発明によれば、光受容部材の使用温度
領域での帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、
感度の直線性および感度ムラが飛躍的に改善されるとと
もに光メモリーの発生を実質的になくすることができる
ために、光受容部材の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部
材が得られる。
領域での帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、
感度の直線性および感度ムラが飛躍的に改善されるとと
もに光メモリーの発生を実質的になくすることができる
ために、光受容部材の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部
材が得られる。
【０２０９】したがって、本発明の電子写真用光受容部
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓ
ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸
問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた
電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久
性およぴ使用環境特性を示す。
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓ
ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸
問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた
電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久
性およぴ使用環境特性を示す。
【０２１０】特に本発明においては、光導電層の特に光
電変換に関わる光の吸収する領域とその他の領域との役
割を考慮しながら、水素含有量、光学的バンドギャップ
や光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネ
ルギーの分布、さらには導電性を制御する物質で有る周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の分布を関連させなが
ら制御することにより、デジタル化のための長波長レー
ザー及びＬＥＤに対して、感度の温度特性、感度の直線
性、感度ムラ、光メモリーを小さく抑え、極めて優れた
電位特性、画像特性を有するという特徴を有する。
電変換に関わる光の吸収する領域とその他の領域との役
割を考慮しながら、水素含有量、光学的バンドギャップ
や光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネ
ルギーの分布、さらには導電性を制御する物質で有る周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の分布を関連させなが
ら制御することにより、デジタル化のための長波長レー
ザー及びＬＥＤに対して、感度の温度特性、感度の直線
性、感度ムラ、光メモリーを小さく抑え、極めて優れた
電位特性、画像特性を有するという特徴を有する。
【図１】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するためのａ−Ｓｉのサブギャッブ光吸収スペクト
ルの１例の模式図である。
説明するためのａ−Ｓｉのサブギャッブ光吸収スペクト
ルの１例の模式図である。
【図２】本発明における感度の温度特性および感度の直
線性を説明するためのａ−Ｓｉ感光体の露光量対表面電
位（Ｅ−Ｖ）曲線の１例の模式図である。
線性を説明するためのａ−Ｓｉ感光体の露光量対表面電
位（Ｅ−Ｖ）曲線の１例の模式図である。
【図３】本発明の光受容部材の好適な実施態様例の層構
成を説明するための模式的層構成図である。
成を説明するための模式的層構成図である。
【図４】本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材の製造装置の模式的説明図であ
る。
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材の製造装置の模式的説明図であ
る。
【図５】本発明の光受容部材における光導電層の第１の
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と帯電能との関係を示す図である。
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と帯電能との関係を示す図である。
【図６】本発明の光受容部材における光導電層の第１の
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と帯電能の温度特性との関係を示す図で
ある。
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と帯電能の温度特性との関係を示す図で
ある。
【図７】本発明の光受容部材における光導電層の第１の
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と感度の温度特性との関係を示す図であ
る。
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と感度の温度特性との関係を示す図であ
る。
【図８】本発明の光受容部材における光導電層の第１の
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と感度の直線性との関係を示す図であ
る。
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と感度の直線性との関係を示す図であ
る。
【図９】本発明の光受容部材における光導電層の第１の
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と感度ムラとの関係を示す図である。
層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と感度ムラとの関係を示す図である。
【図１０】本発明の光受容部材における光導電層の第１
の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エ
ネルギー（Ｅｕ）と光メモリーとの関係を示す図であ
る。
の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）および特性エ
ネルギー（Ｅｕ）と光メモリーとの関係を示す図であ
る。
【図１１】本発明の光受容部材の光導電層における第２
の層領域の光吸収率と帯電能との関係を示す図である。
の層領域の光吸収率と帯電能との関係を示す図である。
【図１２】本発明の光受容部材の光導電層における第２
の層領域の光吸収率と帯電能の温度特性との関係を示す
図である。
の層領域の光吸収率と帯電能の温度特性との関係を示す
図である。
【図１３】本発明の光受容部材の光導電層における第２
の層領域の光吸収率と感度の温度特性との関係を示す図
である。
の層領域の光吸収率と感度の温度特性との関係を示す図
である。
【図１４】本発明の光受容部材の光導電層における第２
の層領域の光吸収率と感度の直線性との関係を示す図で
ある。
の層領域の光吸収率と感度の直線性との関係を示す図で
ある。
【図１５】本発明の光受容部材の光導電層における第２
の層領域の光吸収率と感度ムラとの関係を示す図であ
る。
の層領域の光吸収率と感度ムラとの関係を示す図であ
る。
【図１６】本発明の光受容部材の光導電層における第２
の層領域の光吸収率と光メモリーとの関係を示す図であ
る。
の層領域の光吸収率と光メモリーとの関係を示す図であ
る。
【図１７】本発明の光受容部材における光導電層に含有
される周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の分布状態の
模式図である。
される周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の分布状態の
模式図である。
３００ 光受容部材 ３０１ 導電性支持体 ３０２ 光受容層 ３０３ 光導電層 ３０４ 表面層 ３０５ 電荷注入阻止層 ３１１ 第１の層領域 ３１２ 第２の層領域 ３１０ 自由表面 ４１００ 堆積装置 ４１１１ 反応容器 ４１１２ 円筒状支持体 ４１１３ 支持体加熱用ヒーター ４１１４ 原料ガス導入管 ４１１５ マッチングボックス ４１１６ 原料ガス配管 ４１１７ 反応容器リークバルブ ４１１８ メイン排気バルブ ４１１９ 真空計 ４２００ 原料ガス供給装置 ４２１１〜４２１６ マスフローコントローラー ４２２１〜４２２６ 原料ガスボンベ ４２３１〜４２３６ 原料ガスボンベバルブ ４２４１〜４２４６ ガス流入バルブ ４２５１〜４２５６ ガス流出バルブ ４２６１〜４２６６ 圧力調整器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古島 聡 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも導電性支持体と、水素原子及
び／またはハロゲン原子を含有し、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料からなる光導電層を備えた電子写真
用光受容部材において、該光導電層は、水素原子及び／
またはハロゲン原子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギ
ャップ（Ｅｇ）がそれぞれ１０原子％以上２５原子％以
下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下である導電性支持体
側の第１の層領域と１０原子％以上２０原子％以下、
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下である表面側の第２
の層領域からなり、光子エネルギー（ｈν）を独立変数
とし光吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属変数とす
る式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1（Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が該第１の層領域は５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、該第２の層領域は６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であり、且つ、該第１の層領
域のＥｇが該第２の層領域のＥｇより大きいことを特徴
とする電子写真用光受容部材。 - 【請求項２】 少なくとも導電性支持体と、水素原子及
び／またはハロゲン原子を含有し、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料からなる光導電層を備えた電子写真
用光受容部材において、該光導電層は、水素原子及び／
またはハロゲン原子の含有量（Ｃｈ）、光学的バンドギ
ャップ（Ｅｇ）がそれぞれ１０原子％以上２５原子％以
下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下である導電性支持体
側の第１の層領域と１０原子％以上２０原子％以下、
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下である表面側の第２
の層領域からなり、光子エネルギー（ｈν）を独立変数
とし光吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属変数とす
る式（Ｉ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1（Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が該第１の層領域は５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、該第２の層領域は６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であり、且つ、該第１の層領
域のＥｇが該第２の層領域のＥｇより大きく、さらに該
第２の層領域の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含
有量が該第１の層領域より少ないことを特徴とする電子
写真用光受容部材。 - 【請求項３】 前記光導電層における第２の層領域を、
像露光のピーク波長光を５０％以上９０％以下吸収する
領域とする請求項１〜２のいずれかに記載の電子写真用
光受容部材。 - 【請求項４】 前記光導電層における第１の層領域の周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコン原
子に対して０．２ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下である請求
項２〜３のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項５】 前記光導電層における第２の層領域の周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコン原
子に対して０．０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下である請
求項２〜４のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項６】 前記光導電層における周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の含有量が、支持体側から表面側に向
かって減少している請求項２〜５のいずれかに記載の電
子写真用光受容部材。 - 【請求項７】 前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の少
なくとも一つを含む請求項１〜６のいずれかに記載の電
子写真用光受容部材。 - 【請求項８】 前記光導電層は、その表面上に炭素、酸
素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材
料からなる表面層が設けられている請求項１〜７のいず
れかに記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項９】 前記光導電層は、シリコン原子を母体と
して水素原子及び／またはハロゲン原子を含有し、炭
素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも一
つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上
に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭素、酸素、
窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料か
らなる前記表面層が設けられている請求項１〜８のいず
れかに記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１０】 前記表面層は、その層厚が０．０１〜
３μｍである請求項８または９に記載の電子写真用光受
容部材。 - 【請求項１１】 前記電荷注入阻止層は、その層厚が
０．１〜５μｍである請求項９に記載の電子写真用光受
容部材。 - 【請求項１２】 前記光導電層の全層厚が２０〜５０μ
ｍである請求項１〜１１のいずれかに記載の電子写真用
光受容部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24553497A JPH1184700A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 電子写真用光受容部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24553497A JPH1184700A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 電子写真用光受容部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184700A true JPH1184700A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17135132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24553497A Pending JPH1184700A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 電子写真用光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009017207A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Kyocera Corporation | 電子写真感光体およびその製造方法、並びに画像形成装置 |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP24553497A patent/JPH1184700A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009017207A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Kyocera Corporation | 電子写真感光体およびその製造方法、並びに画像形成装置 |
| JP4996684B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-08-08 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法、並びに画像形成装置 |
| US8330161B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-12-11 | Kyocera Corporation | Electronic photosensitive body and manufacturing method for same, as well as image forming apparatus |
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