JPH11133646A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電能の向上と温度特性の低減及び光メモリ
ーの低減を高次元で両立して画像品質を向上させた電子
写真用光受容部材を提供する。 【解決手段】 シリコン原子を母体とし、水素原子及び
／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成さ
れた光導電層を有する光受容部材において、前記光導電
層中に水素含有量、光学的バンドギャップ並びに光吸収
スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーの
異なる光導電層領域を有し、その分布とレーザー光の入
射光を吸収する膜厚に関連して伝導性を制御する物質で
ある周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を分布させるこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
電子写真用光受容部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であるこ
と、等の特性が要求される。特に、事務機としてオフイ
スで使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部
材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。

【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記
載されている。

【０００４】このような光受容部材は、一般的には、導
電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該支持体上に
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテイング
法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成
膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なか
でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あ
るいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上
にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実
用に付されている。

【０００５】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、
電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、
光学的特性を得ることができるとしている。

【０００６】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時安定性について改善を図るため、シリコン原子
を母体としたアモルフアス材料で構成された光導電層上
に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモ
ルフアス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記
載されている。更に、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルフアスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載されヽ特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。

【０００７】さらに、特開昭６２−８３４７０号公報に
は、電子写真用感光体の光導電層において光吸収スペク
トルの指数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下
にすることにより残像現象のない高品質の画像を得る技
術が開示されている。

【０００８】そして、特開昭５８−２１２５７号公報に
は、光導電層の作成中に支持体温度を変化させすること
により光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であっ
て光感度領域の広い感光体を得る技術が開示され、特開
昭５８−１２１０４２号公報には、光導電層の膜厚方向
にエネルギーギャップ状態密度を変化させ、表層のエネ
ルギーギャップ状態密度を１０¹⁷〜１０¹⁹ｃｍ^-3とする
ことにより、湿度による表面電位の低下を防止する技術
が開示されている。また、特開昭５９−１４３３７９号
公報ならびに特開昭６１−２０１４８１号公報には、水
素含有量の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを積層することにより暗
抵抗が高く高感度の感光体を得る技術が開示されてい
る。

【０００９】さらに、特開昭５８−８８１１５号公報に
はアモルフアスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、光導電層において支持体側で周期律表第ＩＩＩ族の
原子を多く含有することが開示されており、特開昭６２
−１１２１６６号公報にはＢ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄流量比を
３．３×１０^-7以上に保ってキャリア輸送層の生成を行
い残像現象を無くす技術が開示されている。

【００１０】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルフアスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。

【００１１】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ-Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。

【００１３】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、
帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。

【００１４】そして、電子写真装置の画像特性向上のた
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。

【００１５】また、近年のオフイスや一般家庭ヘのコン
ピューターの普及と文章画像のデジタル化が進みマルチ
メデイア時代に向けて電子写真装置も従来の複写機だけ
でなくファクシミリやプリンターの役目を担うためにデ
ジタル化が求められるようになった。デジタル化のため
に用いられる半導体レーザーやＬＥＤは発光強度や価格
の点から赤外から赤色可視光までの物が主流である。そ
のため、従来のハロゲン光を用いたアナログ複写機には
見られなかった特性の改善が求められる様になった。

【００１６】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化ヘの課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労あるいは
ブランクメモリーやゴーストといった光メモリーを低減
することがいっそう求められるようになってきた。ま
た、デジタル化に伴いレーザーやＬＥＤを用いる事で、
光量・帯電能曲線の変化部分が温度によって変化する
（感度の温度特性）ことやその変化部分が直線から鈍っ
てくる（感度の直線性）ことが新たに注目される様にな
ってきた。

【００１７】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしなが
ら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリア
の生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特
性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光
体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを
えなかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒ
ーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１
００Ｖ程度低下してしまっていた。

【００１８】また、従来は複写機を使用しない夜間でも
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜問に感光体表面に吸着す
ることによって発生する画像流れを防止するようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜問通電を極力行わないようになってきている。この
ような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温
度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複
写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じてい
た。

【００１９】また、レーザーやＬＥＤを用いたデジタル
機で上記の様にドラムヒーター等により感光体の温度を
一定に制御していない場合、感度の温度特性や感度の直
線性のために、感光体周囲温度が変化することによっ
て、感度が変化し画像濃度が変わってしまうという問題
が生じていた。

【００２０】一方、同一原稿を連続して繰り返し複写す
ると、前回の複写行程の像露光の残像が次回の複写時に
画像上に生じる、いわゆるゴースト等が画像品質を向上
させる上で問題になってきた。

【００２１】また、省スペース、デスクトップ型の要望
から、小型の電子写真用光受容部材の必要性が要求され
る様になってきている。そのために、曲率が小さい小径
支持体ヘの密着性を高めることが従来以上に重要になっ
てきている。

【００２２】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
そこで、本発明は、上述した従来のａ−Ｓｉで構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材における諸問
題を解決することを目的とするものである。

【００２３】すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能
の向上と、温度特性の低減および光メモリーの低減を高
次元で両立して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコ
ン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層
を有する光受容部材を提供することにある。

【００２４】特に、電気的、光学的、光導電的特性が使
用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定し
ており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化
現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほと
んど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子
を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者は、光導電層のキャリアの挙動に着目し、
ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態密度分布と温度
特性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結果、
光導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学的バン
ドギャップやバンドギャップ内の局在状態密度の分布を
制御することにより上記目的を達成できるという知見を
得た。すなわち、シリコン原子を母体とし、水素原子及
び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成
された光導電層を有する光受容部材において、その層構
造を特定化するょうに設計されて作成された光受容部材
は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来
の光受容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、特に電子写真用の光受容部材として優れた
特性を有していることを見いだした。

【００２６】そして、本発明はデジタル化に対応したレ
ーザーやＬＥＤに最適化するために、特に光電変換に関
わる光入射部について、水素含有量、バンドギャップ内
の局在状態密度分布を制御することにより感度の温度特
性や感度の直線性を改善するという目的を達成できた。
さらに、光が入射する部分とそれ以外の部分との役割を
考慮しながら、上記水素含有量、光学的バンドギャップ
やバンドギャップ内の局在状態密度分布と伝導性を制御
する物質で有る周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の分
布を関連させながら制御する事によりさらに帯電能と光
メモリー（ゴーストメモリー）を改善するという目的を
達成できるという知見を得た。また、支持体との密着性
と下部電荷阻止能力、下部ヘの光生成キャリアの走行性
をバランスよく両立させるために、光導電層下部領域に
はａ−Ｓｉの綾密なネットワークを構成させると共に、
水素含有量、バンドギャップ内の局在状態密度分布を制
御することで、目的を達成できるという知見を得た。

【００２７】このようなことから、本発明は以下のよう
な発明を提供するものである。

【００２８】すなわち、本発明は、少なくとも導電性支
持体と、該導電性支持体の表面上に、水素原子及び／ま
たはハロゲン原子と周期律表第ＩＩＩｂ族に属する少な
くとも一つの元素とを含有し、シリコン原子を母体とす
る非単結晶材料からなる光導電性を示す光導電層を有す
る光受容層とを少なくとも有する電子写真用光受容部材
において、該光導電層が支持体側から第一の光導電領
域、第二の光導電領域、第三の光導電領域からなり、該
第二の光導電領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）に比
べて該第三の光導電領域の光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）が狭いと共に、該第三の光導電領域の光が入射する
側の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該
第二、第一の光導電領域の支持体側の含有量より少な
く、かつ該各々の光導電領域の支持体側の周期律表第Ｉ
ＩＩｂ族に属する元素の含有量が該第三、第二、第一の
光導電領域の順番に多く前記光導電層は光子エネルギー
（ｈν）を独立変数とし光吸収スペクトルの吸収係数
（α）を従属変数とする式（ＩＩ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν十α₁（ＩＩ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）を５５以上６５ｍｅＶ以下
とし、水素原子及帆またはハロゲン原子の含有量（Ｃ
ｈ）が２０原子％以上３５原子％未満、光学的バンドギ
ャップ（Ｅｇ）が１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下で
ある第二の光導電領域と、前記特性エネルギー（Ｅｕ）
を５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、Ｃｈが１０原子％
以上２５原子％未満、Ｅｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ
以下である第一と第三の光導電領域を備えることを特徴
とする電子写真用光受容部材を提供するものであり、前
記第一の光導電領域に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族
に属する元素の量は、シリコン原子に対して０．２ｐｐ
ｍ以上１００ｐｐｍ以下であること、前記第二の光導電
領域に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の
量は、シリコン原子に対して０．０１ｐｐｍ以上２０ｐ
ｐｍ以下であること、前記第三の光導電領域に含有され
る周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン
原子に対して０．００２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であ
ること、少なくとも前記第三の光導電領域の最表面から
露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域での周期
律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第三の光
導電領域の支持体側の該含有量より少ないこと、少なく
とも前記第三の光導電領域の最表面から露光波長の７０
％以上を吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ
族に属する元素の含有量は、シリコン原子に対して０．
００５ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下であること、前記光導電
層に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の該
含有量が、支持体側から表面側に階段状に減少している
こと、前記光導電層に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族
に属する元素の該含有量が、支持体側から表面側に滑ら
かに減少していること、前記第三の光導電領域を像露光
に用いる光のピーク波長の光吸収率が８０％以上９５％
以下になるのに要する部分とすること、前記光導電層
は、その表面上に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを
含むシリコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられ
ていること、前記光導電層は、シリコン原子を母体と
し、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表
第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なく
とも一つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の
表面上に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭素、
酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶
材料からなる前記表面層が設けられていること、前記表
面層は、その層厚が０．０１〜３μｍであること、前記
電荷注入阻止層は、その層厚が０．１〜５μｍであるこ
と、前記光導電層の全層厚が２０〜５０μｍである前記
第一の光導電領域は全光導電層の５％以上３０％以下で
ある少なくとも導電性支持体と、該導電性支持体の表面
上に、水素原子及び／またはハロゲン原子と周期律表第
ＩＩＩｂ族に属する少なくとも一つの元素とを含有し、
シリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電
性を示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有す
る電子写真用光受容部材において、該光導電層が支持体
側から第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三の光
導電領域からなり、該第二の光導電領域の光学的バンド
ギャップ（Ｅｇ）に比べて該第三の光導電領域の光学的
バンドギャップ（Ｅｇ）が狭いと共に該第三の光導電領
域の光が入射する側の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元
素の含有量が、該第二、第一の光導電領域の支持体側の
含有量より少なく、かつ該各々の光導電領域の支持体側
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が該第
三、第二、第一の光導電領域の順番に多く、前記光導電
層は光子エネルギニ（ｈν）を独立変数とし光吸収スペ
クトルの吸収係数（α）を従属変数とする式（ＩＩ） ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν十α₁（ＩＩ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）を５０以上５５ｍｅＶ以下
とし、水素原子及び／またはハロゲン原子の含有量に
ｈ）が２５原子％以上４０原子％未満、光学的バンドギ
ャップ（Ｅｇ）が１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ以下で
ある第二の光導電領域と、前記特性エネルギー（Ｅｕ）
を５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、Ｃｈが１０原子％
以上２５原子％未満、Ｅｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ
以下である第一と第三の光導電領域を備えること、前記
第一の光導電領域に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族に
属する元素の量は、シリコン原子に対して０．２ｐｐｍ
以上１００ｐｐｍ以下であること、前記第二の光導電領
域に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量
はシリコン原子に対して０・０１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ
以下であること、前記第三の光導電領域に含有される周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子
に対して０．００２ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下であるこ
と、少なくとも前記第三の光導電領域の最表面から露光
波長の７０％以上を吸収するに要する領域での周期律表
第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第二の光導電
領域の支持体側の該含有量より少ないこと、少なくとも
前記第三の光導電領域の最表面から露光波長の７０％以
上を吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に
属する元素の含有量は、シリコン原子に対して０．０１
ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下であること、前記光導電層に含
有される周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の該含有量
が、支持体側から表面側に階段状に減少していること、
前記光導電層に含有される周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る元素の該含有量が、支持体側から表面側に滑らかに減
少していること、前記第三の光導電領域を、像露光に用
いる光のピーク波長の光吸収率が８０％以上９５％以下
になるのに要する部分とすること、前記光導電層は、そ
の表面上に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシ
リコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられている
こと、前記光導電層は、シリコン原子を母体とし、炭
素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも一
つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上
に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭素、酸素、
窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料か
らなる前記表面層が設けられていること、前記表面層
は、その層厚が０．０１〜３μｍであること、前記電荷
注入阻止層は、その層厚が０．１〜５μｍであること前
記光導電層の全層厚が２０〜５０μｍであること、前記
第１の光導電領域は全光導電層の５％以上３０％以下で
あることを含む。

【００２９】なお、本発明において用られている「指数
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾き
を意味している。

【００３０】このことを図１を用いて詳しく説明する。

【００３１】図１は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸
に吸収係数αを対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャ
ップ光吸収スペクトルの１例である。このズペクトルは
大きく二つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが
光子エネルギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線
的に変化する部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテ
イル）と、αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部
分Ａである。

【００３２】Ｂ領域はａ−Ｓｉ中の価電子帯側のテイル
準位から伝導帯ヘの光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。

【００３３】α＝α₀ｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） この両辺の対数をとると ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α₁ ただし、α₁＝ｌｎα₀ となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少ないことを意味する。

【００３４】また、本発明において用いられている感度
の温度特性および感度の直線性について図２を用いて説
明する。

【００３５】図２は、室温（ドラムヒーターＯＦＦ）と
約４５℃（ドラムヒーターＯＮ）において、それぞれ感
光体の暗電位として４００Ｖの表面電位に帯電し、次に
露光光源として６８０ｎｍのＬＥＤ光を照射して露光量
を変えた時の表面電位（明電位）の変化、いわゆるＥ−
Ｖ特性（曲線）の１例である。

【００３６】感度の温度特性は、暗電位と明電位の差が
２００Ｖとなる時（△２００）の露光量（半減露光量）
の室温での値と約４５℃での値との差である。

【００３７】また、感度の直線性は、暗電位と明電位の
差が３５０Ｖとなる時（△３５０）の露光量（実測値）
と、露光なしの点（暗状態）と半減露光量を照射した状
態の点とを結ぶ直線を外挿して△３５０となる露光量
（計算値）との差である。

【００３８】いずれもその値が小さいほど感光体として
良好な特性を示すことを意味する。

【００３９】本発明者らは、光学的バンドギャップ（以
下、「Ｅｇ」と略記する）ならびにＣＰＭによって測定
されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求めら
れる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー
（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光体特性との相関を
種々の条件に渡って調べた結果、伝導性制御物質の含有
量並びに分布による光入射部の正孔と電子の走行性のバ
ランス及びＥｇ、Ｅｕとａ−Ｓｉ感光体の帯電能、温度
特性や光メモリーとが密接な関係にあることを見いだし
た。さらに、それらの異なる膜の分布と入射光の吸収領
域との関連を特に伝導性制御する物質である周期律表第
ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量の分布について詳細に
調べた結果、上記特性の異なる膜からなり光が入射する
側の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量を、該
第一の光導電領域の支持体側の含有量より少なくするこ
とにより良好な感光体特性を発揮することを見いだし本
発明を完成するに至った。

【００４０】特にレーザーやＬＥＤに最適化するため
に、伝導性制御物質の含有量並びに分布による光入射部
の正孔と電子の走行性のバランス及びＥｇ、Ｅｕとレー
ザーやＬＥＤを用いた時の感光体特性を詳細に検討した
結果、伝導性制御物資の含有量並びに分布及びＥｇ，Ｅ
ｕと感度の温度特性、感度の直線性とが密接な関係にあ
る事を見いだし、光入射部のＥｇ、Ｅｕ及び水素含有量
を特定の範囲内にすると共に、少なくとも第三の光導電
領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸収するに要
する領域の伝導性制御物質である周期律表第Шｂ族に属
する元素の含有量が、該第二の光導電領域支持体側の伝
導性制御物質である周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
含有量より少なくなる様に分布制御することによりデジ
タル化に適した感光体特性を発揮する事を見いだし本発
明を完成するに至った。

【００４１】すなわち、光学的バンドギャップが小さ
く、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくした光導電
領域を光導電層の上部、第三の光導電領域に設置し、さ
らに少なくとも第三の光導電領域の最表面から露光波長
の７０％以上を吸収するに要する領域の伝導性制御物質
である周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、
該第二の光導電領域支持体側の伝導性制御物質である周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素含有量より少なくなる
様に分布制御することにより、感度の温度特性及び感度
の直線性を大幅に改善し、さらに帯電能を向上させ、光
メモリーを実質的になくすることができることが本発明
者の実験により明らかになった。

【００４２】また、光学的バンドギャップが小さく、キ
ャリアの局在準位への捕獲率を小さくした層領域を光導
電層と阻止層の界面領域、第一の光導電領域に介在させ
ることにより、帯電能の向上と温度特性および光メモリ
ーの低減とを両立させ、なおかつ該層領域を基にして阻
止層を構成する事でいっそうの密着性向上により小径支
持体への積層に伴う応力増大にも問題なく対応できるこ
とも明らかになった。

【００４３】これをさらに詳しく説明すると、一般的
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓ
ｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起
因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔
の捕獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる
原因になることが知られている。

【００４４】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ ＰｈｏｔｏＣｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する）は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の局在準位にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを
簡便に測定する方法として有用である。

【００４５】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。したがって、主となる光導電層の光
学的バンドギャップを大きくすることにより熱励起キャ
リアの生成を抑え、なおかつ深い局在準位を少なくする
事によりキャリアの走行性を向上させることが温度特性
の向上のために必要である。

【００４６】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に極力残留すること
なく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走
行性を改善しなければならない。

【００４７】また、感度の温度特性は、光導電層の正孔
と電子の走行性の違いが大きい上に、走行性が温度によ
って変化するために生じる。光入射部内では正孔電子が
対で生成され、正孔は支持体側へ電子は表面層側へ走行
するが、その移動中に光入射部で正孔と電子が混在する
と、支持体や表面に達するまでに再結合をしてしまう割
合が多くなる。その再結合の割合が再捕獲中心からの熱
励起により変化するために、露光量すなわち光生成キャ
リアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度によっ
て変化することになり、その結果感度が温度によって変
わる事になる。したがって、光入射部での再結合の割合
を少なくする、すなわち再捕獲中心となる深い準位を少
なくする事と正孔と電子の混在領域が小さくなるよう
に、露光の光吸収率の大きくし、そしてキャリアの走行
性も改善しなければならない。

【００４８】さらに、感度の直線性はレーザーやＬＥＤ
の露光量が多くなるにしたがって、相対的に表面から深
い場所での光生成キャリアが増加し、走行距離が長いキ
ャリア（電子）が増加するために生じる。したがって、
光入射部の光吸収率を高めると共に、伝導性を制御する
物質の含有量及び分布を変えて、特に光入射部の正孔と
電子の走行性のバランスを改善しなければならない。

【００４９】したがって、Ｃｈを少なくしてＥｇを狭く
しつつＥｕを制御（低減）した光導電領域を光入射部と
して設けることにより、熱励起キャリアや光キャリアが
局在準位に捕獲される割合を小さくすることができるた
めにキャリアの走行性が飛躍的に改善される。Ｅｇを小
さくする事で露光の吸収が大きくなり光入射部を小さく
できるために、正孔電子混在領域が縮小できる。また更
なる効果として支持体側光導電層は主たるキャリアを正
孔としてその走行性を改善した層設計が可能となる。す
なわち主たる光導電層にはＣｈを多くしてＥｇを拡大し
つつＥｕを制御（低減）した層を用いる事によって、熱
励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリ
アや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくす
ることができるためにキャリアの走行性が飛躍的に改善
される。さらに、伝導性を制御する物質の含有量及び分
布を制御する事により、上記の効果を助長し光導電層全
体の正孔と電子の走行性のバランスを改善される。

【００５０】つまり、光受容部材の最表面側に第三の光
導電領域を設けて、実質的に光を吸収する領域を第三の
光導電領域とすることにより、特にレーザーやＬＥＤを
用いた時の感度の温度特性、感度の直線性を大幅に改善
し、伝導性を制御する物質の含有量及び分布を制御する
事により帯電能、温度特性、メモリーを改善する点で顕
著な効果が見られる。

【００５１】また、光受容部材の最も支持体側にＣｈを
少なくしてＥｇを狭くしつつＥｕを制御（低減）した層
領域において伝導性制御物質である周期律表第ＩＩＩｂ
族に属する元素の含有量を第二の光導電領域より多く、
かつ支持体側で多くなるように含有させた第一の光導電
領域を設けることにより、下部からの電荷（電子）の注
入を阻止する能力が向上すると共に、上部から走行して
くる電荷（正孔）の通過を妨げる事無く、また電荷の駆
動力である電界が小さくなる光導電層の支持体側での走
行性を向上させ、阻止能力走行性のバランスをとること
で、帯電能及びメモリー等を改善する効果が見られる。
そして、この様な第一の光導電領域を基にした阻止層を
光導電層と支持体の間に設ける事で、上記の効果がより
有効に現れると共に、曲率の小さい小径支持体等ヘの積
層に伴う応力増大にも問題なく対応できる密着性が確保
できることも明らかになった。

【００５２】したがって、本発明は上記構成によって、
レーザーやＬＥＤを用いた時の感度の温度特性、感度の
直線性および帯電能の向上と温度特性減少ならびに光メ
モリーの低減とを高い次元で両立させ、前記した従来技
術における諸問題の全てを解決することができ、極めて
優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久
性および使用環境性を示す光受容部材を得ることができ
る。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の電子
写真用光受容部材について詳細に説明する。

【００５４】図３は、本発明の電子写真用光受容部材の
層構成を説明するための模式的構成図である。

【００５５】図３（ａ）に示す電子写真用光受容部材３
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層３０３で構成され、光導電層３０３は支持体３０
１側から順に第一の光導電領域３１１と第二の光導電領
域３１２、第三の光導電領域３１３とからなっている。

【００５６】点線で示されているのが、周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族に属する元素の含有状態である。

【００５７】図３（ａ）では、滑らかに２段階に変化さ
せている。

【００５８】図３（ｂ）では、２段階に変化させてい
る。

【００５９】図３（ｃ）では、表面層側だけを直線的に
変化させている。

【００６０】図３（ｄ）では、３段階に変化させてい
る。

【００６１】図３（ｅ）に示す電子写真用光受容部材３
００は、電子写真用光受容部材用としての支持体３０１
の上に、光受容層３０２が設けられている。該光受容層
３０２は支持体３０１側から順にアモルファスシリコン
系電荷注入阻止層３０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり
光導電性を有する光導電層３０３と、アモルフアスシリ
コン系表面層３０４とから構成されている。また、光導
電層３０３は電荷注入阻止層３０５側から順に第一の光
導電領域３１１と第二の光導電領域３１２とからなって
いる。

【００６２】点線で示されているのが、周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族に属する元素の含有状態である。

【００６３】また、図５は、本特許の周期律表第Щｂ族
に属する元素の分布様式例を説明するための模式的構成
図である。

【００６４】〈支持体〉本発明において使用される支持
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、ＭＯ、Ａｕ、Ｉｎ、
Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ：Ｆｅ等の金属、お
よびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。
また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネー
ト、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性
支持体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電
処理した支持体も用いることができる。

【００６５】本発明に於いて使用される支持体３０１の
形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受
容部材３００を形成し得るように適宜決定するが、光受
容部材３００としての可撓性が要求される場合には、支
持体３０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体３
０１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から
通常は１０μｍ以上とされる。

【００６６】〈光導電層〉本発明に於いて、その目的を
効果的に達成するために支持体３０１上に形成され、光
受容層３０２の一部を構成する光導電層３０３は真空堆
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造す
るに当たっての条件の制御が比較的容易であることから
グロー放電法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波
グロー放電法が好適である。

【００６７】グロー放電法によって光導電層３０３を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体３０１上にａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００６８】また、本発明において光導電層３０３中に
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は、第一の光導電領域の場合
は、シリコン原子と水素原子または／及びハロゲン原子
の和に対して１０原子％以上２５原子％未満とされるの
が望ましく、第二の光導電領域（Ａ）の場合、シリコン
原子と水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して
２０原子％以上３５原子％未満とされるのが望ましく、
また第二の光導電領域（Ｂ）の場合、シリコン原子と水
素原子または／及びハロゲン原子の和に対して２５原子
％以上４０原子％未満とされるのが望ましい、そして第
三の光導電領域の場合、シリコン原子と水素原子または
／及びハロゲン原子の和に対して１０原子％以上２５原
子％未満とされるのが望ましい。

【００６９】また、本発明において光導電層３０３中に
伝導性を制御する元素である周期律表第ＩＩＩｂ族に属
する元素を含有させる事が必要であるが、これは光導電
層のＥｇやＥｕといった物性から得られるキャリアの走
行性を調整し、また或は補償して走行性を高次でバラン
スさせることにより、帯電能や光メモリー特性を向上さ
せるために必須不可欠であるからである。更にいうと、
光生成キャリアの支持体側に走行する正孔（ホール）
は、表面側に走行する電子に比ベて走行性が小さい。こ
の正孔の走行性により、ゴーストレベルの低下や残留電
位の上昇等の弊害が生じる。この正孔の走行性を改善し
電子の走行性とバランスを取るために周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素を含有させる。しかし、周期律表第Ｉ
ＩＩｂ族に属する元素を含有させていくと膜中の準位
（欠陥）増により帯電能の低下という影響も生じる。こ
の相反する二つの問題をバランスよく効果的に解決する
ために周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有を分布
させることが効果的である。

【００７０】よって周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は、第一の光導電領域はシリコン原子に対して
０．２ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下に制御するのが望ま
しく、第二の光導電領域（Ａ）はシリコン原子に対して
０．０１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下に制御するのが望ま
しく、第二の光導電領域（Ｂ）はシリコン原子に対して
０．０１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下に制御するのが望ま
しい、そして第三の光導電領域は０．００２ｐｐｍ以上
１０ｐｐｍ以下に制御するのが望ましい、そして正孔電
子対が生成し走行する部分である第三の光導電領域の最
表面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域
では、その部分の正孔と電子の走行性を高次でバランス
させるために特に注意してシリコン原子に対して０．０
０５ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下に制御されるのが望まし
い。

【００７１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙
げられる。

【００７２】そして、形成される光導電層３０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂およ
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。

【００７３】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げる
ことができる。

【００７４】光導電層３０３中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体３０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【００７５】本発明においては、光導電層３０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有および分布制御
することが必要である。

【００７６】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原
子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）を用いるこ
とができる。

【００７７】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。

【００７８】伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩ
Ｉｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第
ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器
中に、光導電層３０３を形成するための他のガスととも
に導入してやればよい。

【００７９】第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。

【００８０】そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料
物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ_{1 4}等の水素化側素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、
ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等
も挙げることができる。

【００８１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【００８２】さらに本発明においては、光導電層３０３
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
を含有させることも有効であるら炭素原子及び／または
酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０^-4〜８原子％、最適には１×１０³〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良い
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があっても良い。

【００８３】本発明において、光導電層３０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０
〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には
２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０μｍ
より薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用
上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の
作製時間が長くなって製造コストが高くなる。

【００８４】また、本発明において、光導電層３０３全
体（第一の光導電領域十第二の光導電領域十第三の光導
電領域）に占める第三の光導電領域の厚さの割合は、第
三の光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸
収するに要する為に必要な厚さ以上で、全体の５０％未
満とすることが望ましい。その割合が小さいと、第三の
光導電領域を表面層側に位置させた時に前露光や像露光
を充分に吸収することができず、感度の温度特性の低減
や感度の直線性の改善の効果を充分に発揮することがで
きない。また、５０％以上になると帯電能の向上や温度
特性低減の効果が充分発揮することができない。

【００８５】また、本発明において、光導電層３０３全
体（第一の光導電領域十第二の光導電領域十第三の光導
電領域）に占める第一の光導電領域の厚さの割合は、５
％以上３０％以下とすることが望ましい。その割合が５
％より小さいと、密着性や阻止能力のの改善の効果を充
分に発揮することができない。また、３０％より多くな
ると、第二の光導電領域に比ベて光学的バンドギヤップ
が小さい事から熱生成キヤリアが相対的に増える為、帯
電能の向上や温度特性低減の効果が充分発揮することが
できない。

【００８６】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層３０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。

【００８７】希釈ガスとして使用するＨ₂および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、第一の光導電領域の場合、Ｓｉ供給用ガス
に対しＨ₂および／またはＨｅの流量を、通常の場合
０．５〜１０倍、好ましくは１〜８倍、最適には２〜６
倍の範囲に制御することが望ましく、第二の光導電領域
（Ａ）の場合、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂および／また
はＨｅの流量を、通常の場合４〜２０倍、好ましくは５
〜１５倍、最適には６〜１０倍の範囲に制御することが
望ましく、第二の光導電領域（Ｂ）の場合、Ｓｉ供給用
ガスに対しＨ₂および／またはＨｅの流量を、通常の場
合２〜１５倍、好ましくは３〜１２倍、最適には４〜８
倍の範囲に制御することが望ましい、そして第三の光導
電領域の場合、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂および／また
はＨｅの流量を、通常の場合０．５〜１０倍、好ましく
は１〜８倍、最適には２〜６倍の範囲に制御することが
望ましい。

【００８８】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がうて適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2〜５×１
０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜１．５×１０²Ｐａとす
るのが好ましい。

【００８９】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、第二の光導電領域（Ａ）の場
合は０．３〜８、好ましくは０．５〜８、最適には１〜
６の範囲に設定することが望ましく、第二の光導電領域
（Ｂ）の場合は０．５〜１０、好ましくは１〜８、最適
には４〜６の範囲に設定することが望ましい。また、第
一や第三の光導電領域の場合は０．２〜６、好ましくは
０．４〜５、最適には０．５〜４の範囲に設定すること
が望ましい。そして、第二の光導電領域のＳｉ供給用の
ガスの流量に対する放電電力の比を第一や第三の光導電
領域のそれに比ベて大きくし、いわゆるフローリミット
領域で作成することが好ましい。

【００９０】さらに、支持体３０１の温度は、層設計に
したがぅて適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【００９１】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。

【００９２】〈表面層〉本発明においては、上述のよう
にして支持体３０１上に形成された光導電層３０３の上
に、更にアモルファスシリコン系の表面層３０４を形成
することが好ましい。この表面層３０４は自由表面３０
６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を
達成するために設けられる。

【００９３】又、本発明においては、光受容層３０２を
構成する光導電層３０３と表面層３０４とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を
有しているので、積層界面において化学的な安定性の確
保が十分成されている。

【００９４】表面層３０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材
料が好適に用いられる。

【００９５】本発明に於いて、その目的を効果的に達成
するために、表面層３０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には例えばグ
ロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマ
ィクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流
放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これ
らの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程
度、製造規模、作成される光受容部材に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、光受容
部材の生産性から光導電層と同等の堆積法によることが
好ましい。

【００９６】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層３０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
３０３を形成した支持体３０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘ
からなる層を形成すればよい。

【００９７】本発明に於いて用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
良いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１う含むシリコン原子との化合物が好ましくく特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【００９８】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。

【００９９】また、本発明において表面層３０４中に水
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構
成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、通
常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１
０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ま
しい。

【０１００】これらの水素及び／または弗素含有量の範
囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や
光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入され、前記
表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り
返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げ
られる。

【０１０１】しかしながら表面層内の水素含有量を３０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比ベて電気的特性面及び高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。

【０１０２】一方、前記表面層中の水素含有量が７０原
子％を越えると表面層の硬度が低下するために、繰り返
し使用に耐えられなくなる。従って、表面層中の水素含
有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望
の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つであ
る。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。

【０１０３】また、表面層中の弗素含有量を０．０１原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。

【０１０４】一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認
められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中の
キャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモ
リーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素
含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特
性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素
含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。

【０１０５】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂
Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１０６】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₆等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。

【０１０７】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。また、これら
の窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【０１０８】また、形成される表面層３０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。

【０１０９】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適
に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素
ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、Ｂ
ｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。

【０１１０】表面層３０４中に含有される水素原子また
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体３０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１１１】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。

【０１１２】さらに本発明においては、表面層３０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層３０４中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。

【０１１３】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子
（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることがで
きる。

【０１１４】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
側素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、破素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。

【０１１５】表面層３０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、た
とえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質
をガス状態で反応容器中に、表面層３０４を形成するた
めの他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ
族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の
または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ
族原子導入用の原料物質として具体的には、側素原子導
入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ
₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化側素、ＢＦ₃、ＢＣ
ｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ
₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。

【０１１６】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、
Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣ
ｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、Ｓｂ
Ｆ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、Ｂ
ｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

【０１１７】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１１８】本発明に於ける表面層３０４の層厚として
は、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を
使用中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、
３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下がみられる。

【０１１９】本発明による表面層３０４は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。即ち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、
Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質はそめ形成条件
によって構造的には結晶からアモルフアスまでの形態を
取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を各々示すので、本発明においては、目的
に応じた所望の特性を有する化合物が形成される様に、
所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。

【０１２０】例えば、表面層３０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。

【０１２１】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層３０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶
材料として形成される。

【０１２２】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層３０４を形成するには、支持体３０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。

【０１２３】支持体３０１の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１２４】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１
０^-2〜５×１０²、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａ
とするのが好ましい。

【０１２５】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。

【０１２６】さらに本発明に於いては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効
である。

【０１２７】また表面層３０４と光導電層３０３との間
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層３０３に向かって減少するように変
化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、光キャリアの表面ヘの移動がス
ムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光の
反射による千渉の影響をより少なくすることができる。

【０１２８】〈電荷注入阻止層〉本発明の光受容部材に
おいては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支
持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入
阻止層を設けるのがいっそう効果的である。第一の光導
電領域の層を基にした電荷注入阻止層を設けることが、
ａ−Ｓｉネットワークの乱れが小さく、電気的機械的に
も安定した良好な特性を持ち、そして支持体、電荷注入
阻止層、光導伝層との整合性がよいことから、本発明の
効果をより顕著に得ることができる。

【０１２９】電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯
電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電
層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の
極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮さ
れない、いわゆる極性依存性を有している。そのような
機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制
御する原子を光導電層に比ベ比較的多く含有させる。

【０１３０】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。

【０１３１】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。

【０１３２】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」
と略記する）を用いることができる。

【０１３３】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
Ｂ（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。

【０１３４】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適に
は１×１０²〜３×１０³原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。

【０１３５】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。

【０１３６】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。

【０１３７】本発明における電荷注入阻止層の全光導電
領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子および
／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に
達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその
量として、二種以上の場合はその総和として、好ましく
は１×１０^-3〜３０原子％、より好適には５×１０^-3〜
２０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされる
のが望ましい。

【０１３８】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１３９】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等
の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが
望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体か
らの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が
得られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の
向上は期待できず、作製時間の延長による製造コストの
増加を招くだけである。

【０１４０】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【０１４１】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層３０５を形成するには、光導電層３０３と
同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応
容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体３０１の温度
を適宜設定することが必要である。

【０１４２】希釈ガスであるＨ₂および／またはＨｅの
流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂および／またはＨｅを、
通常の場合０．３〜２０倍、好ましくは０．５〜１５
倍、最適には１〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。

【０１４３】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2〜５×１
０²、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａとするのが好
ましい。

【０１４４】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０．５〜８、好ま
しくは０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。

【０１４５】さらに、支持体３０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１４６】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１４７】このほかに、本発明の光受容部材において
は、光受容層３０２の前記支持体３０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／
及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有
する光導電領域を有することが望ましい。

【０１４８】また、本発明の光受容部材に於いては、支
持体３０１と光導電層３０３あるいは電荷注入阻止層３
０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、あるいはシリコン原
子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子と
を含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良
い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を
防止するための光吸収層を設けても良い。

【０１４９】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。

【０１５０】図４は、ＲＦ帯の電源周波数を用いた高周
波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な
構成図である。図３に示す製造装置の構成は以下の通り
である。

【０１５１】この装置は大別すると、堆積装置（４１０
０）、原料ガスの供給装置（４２００）、反応容器（４
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（４１００）中の反応容器
（４１１１）内には円筒状支持体（４１１２）、支持体
加熱用ヒーター（４１１３）、原料ガス導入管（４１１
４）が設置され、更に高周波マッチングボックス（４１
１５）が接続されている。

【０１５２】原料ガス供給装置（４２００）は、ＳｉＨ
₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ（４２２１〜４２２６）とバルブ（４２３１〜
４２３６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６）
およびマスフローコントローラー（４２１１〜４２１
６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（４２
６０）を介して反応容器（４１１１）内のガス導入管
（４１１４）に接続されている。

【０１５３】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０１５４】まず、反応容器（４１１１）内に円筒状支
持体（４１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器（４１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（４１１３）により
円筒状支持体（４１１２）の温度を２００℃乃至３５０
℃の所定の温度に制御する。

【０１５５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（４１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（４２３
１〜４２３７）、反応容器のリークバルブ（４１１７）
が閉じられていることを確認し、叉、流入バルブ（４２
４１〜４２４６）、流出パルブ（４２５１〜４２５
６）、補助バルブ（４２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルプ（４１１８）を開いて反応容
器（４１１１）およびガス配管内（４１１６）を排気す
る。

【０１５６】次に真空計（４１１９）の読みが約１×１
０^-2Ｐａになった時点で補助バルブ（４２６０）、流出
バルブ（４２５１〜４２５６）を閉じる。

【０１５７】その後、ガスボンベ（４２２１〜４２２
６）より各ガスをバルブ（４２３１〜４２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（４２６１〜４２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ
（４２４１〜４２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（４２１１〜４２１６）内に導入
する。

【０１５８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１５９】円筒状支持体（４１１２）が所定の温度に
なったところで流出パルブ（４２５１〜４２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（４２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（４２２１〜４２２６）から所定のガ
スをガス導入管（４１１４）を介して反応容器（４１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（４
２１１〜４２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（４１１１）内
の圧力が１．５×１０２Ｐａ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計（４１１９）を見ながらメインバルブ（４１
１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス（４１１５）
を通じて反応容器（４１１１）内にＲＦ電力を導入し、
グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって
反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支
持体（４１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆
積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行
われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて
反応容器ヘのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。

【０１６０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１６１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（４１１
１）内、流出バルブ（４２５１〜４２５６）から反応容
器（４１１１）に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ（４２５１〜４２５６）を閉じ、補助
バルブ（４２６０）を開き、さらにメインバルブ（４１
１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

【０１６２】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（４１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１６３】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。

【０１６４】〈実験例〉以下、実験例により本発明の効
果を具体的に説明する。

【０１６５】《実験例１》図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三
の光導電領域の順で光導電層を形成した。

【０１６６】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル支持体を設置するための溝加工を施した円筒形
のサンプルホルダーを用い、ガラス支持体（コーニング
社７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層
の作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓ
ｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃ
ｈ）を測定した。

【０１６７】表１の例では第一の光導電領域はＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍ
ｅＶ、第二の光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ
２７原子％、１．８０ｅＶ、５９ｍｅＶであり、第三の
光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１４原子％、
１．７２ｅＶ、５３ｍｅＶであった。

【０１６８】次いで第三の光導電領域においてＳｉＨ₄
ガス流量、ＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄
ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を種々
変えることによって、第三の光導電領域のＥｇ（Ｃ
ｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を作製した。

【０１６９】作成した第三の光導電領域の吸収係数は、
７５６〜４０６８の間であった。

【０１７０】なお、第一の光導領域および第二の光導電
領域、第三の光導電領域の膜厚はそれぞれ３μｍ、２１
μｍおよび６μｍに固定した。

【０１７１】周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有
量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して詞整し
た。

【０１７２】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６６５０を実験用に改造）にセットして、
電位特性の評価を行った。

【０１７３】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより光受容部材
の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光受
容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温（約
２５℃）から４５℃まで変えて、上記条件にて帯電能を
測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変化を温
度特性とした。また、メモリー電位は、像露光光源に波
長６８０ｎｍのＬＥＤを用い、上述の条件下において同
様の電位センサーにより非露光状態での表面電位と一旦
露光した後に再度帯電した時との電位差を測定した。ま
た、感度の温度特性は、暗電位と明電位の差が２００Ｖ
となる時（△２００）の露光量（半減露光量）の室温で
の値と約４５℃での値との差である。

【０１７４】また、感度の直線性は、暗電位と明電位の
差が３５０Ｖとなる時（△３５０）の露光量（実測値）
と、露光なしの点（暗状態）と半減露光量を照射した状
態の点とを結ぶ直線を外挿して△３５０となる露光量
（計算値）との差である。

【０１７５】本例のＥｕならびにＥｇと帯電能、温度特
性、メモリー、感度の温度特性、感度の直線性との関係
をそれぞれ図６、図７、図８、図９、図１０に示す。そ
れぞれの特性に関して、光導電層（総膜厚３０μｍ）を
第一の光導電領域のみで構成した場合を１としたときの
相対値で示した。相対値が大きくなるほど、より改善さ
れている事を示す。

【０１７６】図６、図７ならびに図８、図９、図１０か
ら明らかなように、第三の光導電領域において水素原子
の含有量（Ｃｈ）が１０原子％以上２０原子％以下、Ｅ
ｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ未満、Ｅｕが５０ｍｅＶ
以上５５ｍｅＶ以下の条件において、帯電能、温度特
性、メモリー、感度の温度特性、感度の直線性ともに良
好な特性を得られることがわかった。

【０１７７】

【表１】

【０１７８】《実験例２》図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表２に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三
の光導電領域の順で光導電層を形成した。

【０１７９】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル支持体を設置するための溝加工を施した円筒形
のサンプルホルダーを用い、ガラス支持体（コーニング
社７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層
の作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓ
ｉウェハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃ
ｈ）を測定した。

【０１８０】表２の例では第一の光導電領域はＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ１８原子％、１．７４ｅＶ、５５ｍ
ｅＶ、第二の光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ
２９原子％、１．８３ｅＶ、５８ｍｅＶであり、第三の
光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１６原子％、
１．７０ｅＶ、５２ｍｅＶであった。第三の光導電領域
の吸収係数は、３２７１であった。

【０１８１】なお、第一の光導領域および第二の光導電
領域、第三の光導電領域の膜厚はそれぞれ３μｍ、２１
μｍおよび６μｍに固定した。

【０１８２】次いで第二の光導電領域においてＳｉＨ₄
ガス流量、ＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄
ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を種々
変えることによって、第二の光導電領域のＥｇ（Ｃ
ｈ）、Ｅｕの異なる種々（第二の光導電領域（Ａ）およ
び第二の光導電領域（Ｂ）に属するもの共に含む）の光
受容部材を作製した。

【０１８３】周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有
量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して詞整し
た。

【０１８４】そして、作製した個々の光受容部材につい
て実験例１と同様の電位特性評価を行い、実施例１と同
様にＥｕならびにＥｇと帯電能、温度特性、メモリー、
感度の温度特性、感度の直線性との関係を調ベた。評価
結果を図１１、図１２、図１３、図１４、図１５に示
す。以上より、第二の光導電領域においてＥｇが１．７
５ｅＶ以上１．９０ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上６
５ｍｅＶ以下、水素原子の含有量（Ｃｈ）が２０原子％
以上３５原子％以下で、かつそのとき第一の光導電領域
において水素原子の含有量（Ｃｈ）が１０原子％以上２
５原子％以下、Ｅｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下、
Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下、第三の光導電領
域において水素原子の含有量（Ｃｈ）が１０原子％以上
２５原子％以下、Ｅｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅｖ以
下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の条件におい
て、帯電能、温度特性、メモリー、感度の温度特性、感
度の直線性ともに明らかに良好な特性を得られることが
わかった。

【０１８５】また、４０μｍ幅の直線をレーザーで描画
した時の画像上でのラインエッジのシャープネスを評価
した。結果は図１６に示す。この結果から、第二の光導
電領域（Ａ）よりも第二の光導電領域（Ｂ）を積層した
ほうが、ややシャープネスが向上する事が分かった。

【０１８６】

【表２】

【０１８７】《実験例３》図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表３に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三
の光導電領域の順で光導電層を形成した。

【０１８８】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル支持体を設置するための溝加工を施した円筒形
のサンプルホルダーを用い、ガラス支持体（コーニング
社７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層
の作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャツプ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓ
ｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃ
ｈ）を測定した。

【０１８９】表３の例では第一の光導電領域はＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍ
ｅＶ、第二の光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ
３３原子％、１．８５ｅＶ、５４ｍｅＶであり、第三の
光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１３原子％、
１．７３ｅＶ、５５ｍｅＶであった。第三の光導電領域
の吸収係数は、３８７１であった。

【０１９０】なお、第一の光導領域および第二の光導電
領域、第三の光導電領域の膜厚はそれぞれ３μｍ、２１
μｍおよび６μｍに固定した。

【０１９１】次いで第一の光導電領域においてＳｉＨ₄
ガス流量、ＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄
ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を種々
変えることによって、第一の光導電領域のＥｇ（Ｃ
ｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を作製した。

【０１９２】周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有
量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調整し
た。

【０１９３】そして、作製した個々の光受容部材につい
て実験例１と同様の電位特性評価を行い、実験例１と同
様にＥｕならびにＥｇと帯電能、温度特性、メモリー、
感度の温度特性、感度の直線性との関係を詞ベたとこ
ろ、第一の光導電領域において水素原子の含有量（Ｃ
ｈ）が１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１．７ｅ
Ｖ以上１．８ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅ
Ｖ以下では大きな特性の変化も無く、帯電能、温度特
性、メモリー、感度の温度特性、感度の直線性ともに明
らかに良好な特性が得られ、また小径支持体ヘの密着性
を見るために別に図４と同等のＲＦ−ＰＣＶＤ法による
光受容部材の製造装置を用い、直径３０ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に本実験
例の光受容部材を作成し、直径８０ｍｍ支持体の光受容
部材と合わせて急激な温度変化を運続して与えたとこ
ろ、上記のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの範囲外の第一の光導電
領域を積層した光受容部材では端部に若干のハガレが確
認されたが、上記のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの範囲内の膜を
第一の光導電領域に用いた場合には膜ハガレ等の変化は
確認されなかった。

【０１９４】

【表３】

【０１９５】《実験例４》図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三
の光導電領域の順で光導電層を形成した。

【０１９６】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル支持体を設置するための溝加工を施した円筒形
のサンプルホルダーを用い、ガラス支持体（コーニング
社７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層
の作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓ
ｉウェハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃ
ｈ）を測定した。

【０１９７】表４の例では第一の光導電領域はＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ１５原子％、１．７５ｅＶ、５４ｍ
ｅＶ、第二の光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ
２８原子％、１．８７ｅＶ、５２ｍｅＶであり、第三の
光導電領域はＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１６原子％、
１．７１ｅＶ、５３ｍｅＶであった。第三の光導電領域
の吸収係数は、３６４１であった。

【０１９８】なお、光導電層の総膜厚を３０μｍとし
て、第三の光導電領域を表面から露光波長の９５０％、
６０％、７０％、８０％、９０％を吸収するに要する必
要な膜厚とし、残りを第二の光導電領域とした。そのと
き、第一の光導領域の膜厚は３μｍに固定とした。

【０１９９】次いで光導電層中の周期律表第ＩＩＩｂ族
に属する元素の含有量を支持体側からを１．０ｐｐｍで
均一に含有させ、第三の光導電領域の最表面から周期律
表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量を０．３ｐｐｍに
する膜厚は、第三の光導電領域の膜厚を１として、その
１０％〜１００％まで変化させて、その他の第三の光導
電領域の含有量は第二の光導電領域の含有量と同じにし
て、計５種類の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含
有分布の異なる光受容部材を作製した。周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族に属する元素の含有量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリ
コン原子に対して調整した。

【０２００】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様の電位特性評価を行ったところ、本例の第二の
光導電領域の膜厚比ならびに含有量０．３ｐｐｍにした
領域の膜厚と帯電能、温度特性、メモリー、感度の温度
特性、感度の直線性との関係をそれぞれ図１７、図１
８、図１９、図２０、図２１に示す。それぞれの特性に
関して、光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の光導電領
域および第二の光導電領域、第三の光導電領域を通しで
１．０ｐｐｍで均一に含有させた場合を１としたときの
相対値で示した。レベル値が大きくなるほど、より改善
されている事を示す。図１７、図１８ならびに図１９、
図２０、図２１から明らかなように第三の光導電領域の
膜厚が露光波長の８０％以上を吸収するに要する領域と
したどきにおいて、かつ第三の光導電領域の最表面から
露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域での周期
律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量を支持体側の含
有量より減少させた条件で作製したものが、均一に含有
させた物に較ベて帯電能、温度特性、光メモリー、感度
の温度特性、感度の直線性の特性レベルをトータルで判
断して向上することがわかった。

【０２０１】

【表４】

【０２０２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。

【０２０３】《実施例１》図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。この際、光導電層を電荷注入阻止層側
から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三
の光導電領域の順とした。

【０２０４】表５にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。

【０２０５】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１９原子％、１．７４ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｄ
は、それぞれ３２原子％、１．８５ｅＶ、５７ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１９
原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、２９９６であっ
た。

【０２０６】第一の光導電領域は４μｍ、第二の光導電
領域は１６μｍ、第三の光導電領域は１０μｍの膜厚と
した。

【０２０７】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調
整して、第一の光導電領域の支持体側から１０ｐｐｍで
一定とし、第二の光導電領域から２．０ｐｐｍで一定の
含有とし、第三の光導電領域の最表面から露光波長の８
０％を吸収するに要する領域のみ０．４ｐｐｍで一定の
含有とした。

【０２０８】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様に帯電能、温度特性、メモリー、感度の温度特
性、感度の直線性についての電位特性評価を行ったとこ
ろ、いずれの特性ともに良好な特性を得られた。

【０２０９】また、作製した光受容部材を正帯電して画
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ、シャープネス）
についても良好な電子写真特性が得られた。

【０２１０】また、密着性についても良好な結果を示し
た。

【０２１１】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三の光導電
領域の順とした場合においても、光導電層の第一の光導
電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以
下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電
領域においてＥｕを５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下と
し、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２０以上３０原子％未満、
１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下とし、第三の光導電
領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以
下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とすると共に、少な
くとも前記第三の光導電領域の最表面から露光波長の７
０％以上を吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の含有量が、該第二の光導電領域の支
持体側の該含有量より少なくすることが良好な電子写真
特性を得るために必要であることがわかった。

【０２１２】

【表５】

【０２１３】《実施例２》本例では、光導電層中の希釈
ガスを実施例１のＨ₂に代えてＨｅを使用し、実施例１
の表面層に代えて、表面層のシリコン原子および炭素原
子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層
を設けた。

【０２１４】表６に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２１５】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１３原子％、１．７２ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２２原子％、１．７９ｅＶ、６１ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１６
原子％、１．７０ｅＶ、５４ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３１０４であっ
た。

【０２１６】周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有
量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調整し
て、第一の光導電領域の支持体側から４．０ｐｐｍで一
定の含有とし、第三の光導電領域の最表面から露光波長
の８０％を吸収するに要する領域のみ０．１ｐｐｍで一
定の含有とした。

【０２１７】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２１８】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三の光導電
領域の順として、希釈ガスをＨｅにした場合において
も、光導電層の第一の光導電領域においてＥｕを５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１
０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅ
Ｖ以下とし、第二の光導電領域においてＥｕを５５ｍｅ
Ｖ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２０
以上３０原子％未満、１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ以
下とし、第三の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子
％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下
とすると共に、少なくとも前記第三の光導電領域の最表
面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域で
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第
二の光導電領域の支持体側の該含有量より少なくするこ
とが良好な電子写真特性を得るために必要であることカ
ぎわかった。

【０２１９】

【表６】

【０２２０】《実施例３》本例では、電荷注入阻止層側
から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三
の光導電領域の順とし、実施例１の表面層に代えて、表
面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向
に不均一な分布状態とした表面層を設けるとともに、全
ての層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原
子、窒素原子を含有させた。

【０２２１】表７に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２２２】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１５原子％、１．７３ｅ
Ｖ、５３ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
はそれぞれ３０原子％、１．８４ｅＶ、５６ｍｅＶ、第
三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１３原
子％、１．７１ｅＶ、５２ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３４９４であっ
た。

【０２２３】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調
整して、第一の光導電領域の支持体側の２５．０ｐｐｍ
から、第二の光導電領域は１．５ｐｐｍ、第三の光導電
領域の最表面から露光波長の７０％を吸収するに要する
領域の最表面側で０．１ｐｐｍとなるように変化させ
た。変化の形は図５の（ｄ）の様に膜厚を等分して階段
上に分布含有させた。

【０２２４】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２２５】すなわち、光導電層中の周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の含有を図５（ｄ）の様に膜厚を等分
して階段状に分布含有させた場合でも、光導電層の第一
の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ
以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原
子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の
光導電領域においてＥｕを５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以
下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２０以上３０原子％未
満、１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下とし、第三の光
導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％
以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とすると共に、少
なくとも前記第三の光導電領域の最表面から露光波長の
７０％以上を吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩ
Ｉｂ族に属する元素の含有量が、該第二の光導電領域の
支持体側の該含有量より少なくすることが良好な電子写
真特性を得るために必要であることがわかった。

【０２２６】

【表７】

【０２２７】《実施例４》本例では、電荷注入阻止層側
から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三
の光導電領域とし、シリコン原子および炭素原子の含有
量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た。

【０２２８】表８に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２２９】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１７原子％、１・７４ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２５原子％、１．８２ｅＶ、５８ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１７
原子％、１．７２ｅＶ、５１ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３２４２であっ
た。

【０２３０】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２３１】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の６．０ｐｐｍ
から、第三の光導電領域の最表面から露光波長の８５％
を吸収するに要する領域で０．５ｐｐｍとなるように変
化させた。変化の形は図５の（ｃ）の様に第一の光導電
領域で急峻に変化した後、最表面まで緩やかに滑らかな
変化とした。

【０２３２】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２３３】すなわち、図５の（ｃ）の様に第一の光導
電領域で急峻に変化した後、最表面まで緩やかに滑らか
な変化場合においても、光導電層の第一の光導電領域に
おいてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域
においてＥｕを５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ２０以上３０原子％未満、１．７５
ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下とし、第三の光導電領域にお
いてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、
Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記
第三の光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を
吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る元素の含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該
含有量より少なくすることが良好な電子写真特性を得る
ために必要であることがわかった。

【０２３４】

【表８】

【０２３５】《実施例５》本例では、電荷注入阻止層側
から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三
の光導電領域とし、シリコン原子および炭素原子の含有
量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た。

【０２３６】表９にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。

【０２３７】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２原子％、１．７０ｅ
Ｖ、５１ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２７原子％、１．８３ｅＶ、５８ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２
原子％、１．７０ｅＶ、５２ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３９７３であっ
た。

【０２３８】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２３９】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の８．０ｐｐｍ
から、第二の光導電領域で２．８ｐｐｍとし、さらに第
三の光導電領域で０．７ｐｐｍとし、最表面から露光波
長の９０％を吸収するに要する領域で０．２５ｐｐｍと
なるように変化させた。変化の形は図５の（ｂ）の様に
第一の光導電領域で緩やかに変化した後、露光波長の９
０％を吸収するに要する領域で最表面まで急峻にかつ滑
らかな変化とした。

【０２４０】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２４１】すなわち、図５（ｂ）の様に第一の光導電
領域で緩やかに変化した後、露光波長の９０％を吸収す
るに要する領域で最表面まで急峻にかつ滑らかに変化さ
せた場合においても、光導電層の第一の光導電領域にお
いてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、
Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域におい
てＥｕを５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅ
ｇをそれぞれ２０以上３０原子％未満、１．７５ｅＶ以
上１．８５ｅＶ以下とし、第三の光導電領域においてＥ
ｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇを
それぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以
上１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記第三の
光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸収す
るに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該含有量
より少なくすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。

【０２４２】

【表９】

【０２４３】《実施例６》本例では、光導電層をＨ₂に
代えてＨｅを使用し、電荷注入阻止層側から第一の光導
電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三の光導電領域の
順とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の代わ
りに窒素原子を表面層に含有させて設けた。

【０２４４】表１０にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２４５】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０原子％、１．７３ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２３原子％、１．８１ｅＶ、６０ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２
原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３８５３であっ
た。

【０２４６】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の１０．０ｐｐ
ｍから、第二の光導電領域で４．０ｐｐｍ、第三の光導
電領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要す
る領域で１．０ｐｐｍとなるように変化させた。変化の
形は図５の（ｅ）の様に第一の光導電領域の支持体側で
一定の部分を持ち、その後直線的に変化した後、露光波
長の９０％を吸収するに要する領域では一定になる様な
変化とした。

【０２４７】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２４８】すなわち、図５の（ｅ）の様に第一の光導
電領域の支持体側で一定の部分を持ち、その後直線的に
変化した後、露光波長の９０％を吸収するに要する領域
では一定になる様な変化させ、かつ光導電層をＨ₂に代
えてＨｅを使用し、表面層を構成する原子として、炭素
原子の代わりに窒素原子をに含有させた表面層を設けた
場合においても、光導電層の第一の光導電領域において
Ｅｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇ
をそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ
以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域においてＥ
ｕを５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇを
それぞれ２０以上３０原子％未満、１．７５ｅＶ以上
１．８５ｅＶ以下とし、第三の光導電領域においてＥｕ
を５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそ
れぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上
１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記第三の光
導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸収する
に要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の
含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該含有量よ
り少なくすることが良好な電子写真特性を得るために必
要であることがわかった。

【０２４９】

【表１０】

【０２５０】《実施例７》本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域
（Ａ）、第三の光導電領域の順とし、表面層に窒素原子
および酸素原子を含有させた。

【０２５１】表１１にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２５２】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１７原子％、１．７５ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２９原子％、１．８３ｅＶ、６２ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１５
原子％、１．７２ｅＶ、５３ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３４１８であっ
た。

【０２５３】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の２．５ｐｐｍ
から、第三の光導電領域の最表面から露光波長の９０％
を吸収するに要する領域で０．２ｐｐｍとなるように変
化させた。変化の形は図５の（ｆ）の様に第一の光導電
領域の支持体側から２段階の直線での変化とした。

【０２５４】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２５５】すなわち、図５の（ｆ）の様に第一の光導
電領域の支持体側から２段階の直線での変化させ、かつ
表面層に窒素原子および酸素原子を含有させた表面層を
設けた場合においても、光導電層の第一の光導電領域に
おいてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域
においてＥｕを５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ２０以上３０原子％未満、１．７５
ｅＶ以上１．８５ｅＶ以下とし、第三の光導電領域にお
いてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、
Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記
第三の光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を
吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る元素の含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該
含有量より少なくすることが良好な電子写真特性を得る
ために必要であることがわかった。

【０２５６】

【表１１】

【０２５７】《実施例８》本例では、光導電層をＨ₂に
代えてＨｅを使用し、電荷注入阻止層側から第一の光導
電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三の光導電領撃の
順とし、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量
を表面層より減らし、伝導性を制御する原子を除いた中
間層（上部阻止層）を設けた。

【０２５８】表１２にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２５９】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１．７５ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３５原子％、１．８４ｅＶ、６３ｍｅｖ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０
原子％、１．７０ｅＶ、５４ｍｅｖとぃう結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３５６２であっ
た。

【０２６０】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の８．０ｐｐｍ
から、第二の光導電領域の支持体側の３．０ｐｐｍまで
直線で変化して、第三の光導電領域の最表面から露光波
長の９０％を吸収するに要する領域で０．１ｐｐｍとな
るように変化させた。変化の形は図５の（ｇ）の様に第
一の光導電領域の支持体側から２段階の直線での変化と
した。

【０２６１】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２６２】すなわち、図５の（ｇ）の様に第一の光導
電領域の支持体側から２段階の直線で変化させ、かつ光
導電層をＨ₂に代えてＨｅを使用し、伝導性を制御する
原子を除いた中間層（上部阻止層）を設けた場合におい
ても、光導電層の第一の光導電領域においてＥｕを５０
ｍｅＶ以上５５ｍｅｖ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ
１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８
ｅＶ以下とし、第二の光導電領域においてＥｕを５５ｍ
ｅＶ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２
０以上３０原子％未満、１．７５ｅＶ以上１．８５ｅｖ
以下とし、第三の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ
以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原
子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下とすると共に、少なくとも前記第三の光導電領域の最
表面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域
での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該
第二の光導電領域の支持体側の該含有量より少なくする
ことが良好な電子写真特性を得るために必要であること
がわかった。

【０２６３】

【表１２】

【０２６４】《実施例９》本例では、光導電層をＨ₂に
代えてＨｅを使用し、電荷注入阻止層側から第二の光導
電領域、第二の光導電領域（Ａ）、第三の光導電領域の
順とした。

【０２６５】表１３にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２６６】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１９原子％、１．７２ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３０原子％、１．８３ｅＶ、６１ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１３
原子％、１．７４ｅＶ、５２ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３５４４であっ
た。

【０２６７】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の１０．０ｐｐ
ｍから、第二の光導電領域の支持体側の２．５ｐｐｍま
で直線で変化してその後、第二の光導電領域では一定と
し、第三の光導電領域で直線的に変化し第三の光導電領
域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要する領
域で０．０５ｐｐｍで一定となるように変化させた。変
化の形は図５の（ｈ）の様に第一の光導電領域の支持体
側から段階的な直線での変化とした。

【０２６８】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２６９】すなわち、図５の（ｈ）の様に第一の光導
電領域の支持体側から段階的な直線での変化させ、かつ
光導電層をＨ₂に代えてＨｅを使用した場合において
も、光導電層の第一の光導電領域においてＥｕを５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１
０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅ
Ｖ以下とし、第二の光導電領域においてＥｕを５５ｍｅ
Ｖ以上６５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２０
以上３０原子％未満、１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ以
下とし、第三の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子
％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下
とすると共に、少なくとも前記第三の光導電領域の最表
面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域で
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第
二の光導電領域の支持体側の該含有量より少なくするこ
とが良好な電子写真特性を得るために必要であることが
わかった。

【０２７０】

【表１３】

【０２７１】《実施例１０》本例では、光導電層を電荷
注入阻止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域
（Ｂ）、第三の光導電領域の順とした。

【０２７２】表１４にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０２７３】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１９原子％、１．７４ｅ
Ｖ、５５ｍｅｖ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３１原子％、１．８８ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１９
原子％、１．７７ｅｖ、５４ｍｅｖとぃう結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、２９９６であっ
た。

【０２７４】第一の光導電領域は４μｍ、第二の光導電
領域は１６μｍ、第三の光導電領域は１０μｍの膜厚と
した。

【０２７５】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調
整して、第一の光導電領域の支持体側から１０ｐｐｍで
一定とし、第二の光導電領域から２．０ｐｐｍで一定の
含有とし、第三の光導電領域の最表面から露光波長の８
０％を吸収するに要する領域のみ０．４ｐｐｍで一定の
含有とした。

【０２７６】作製した個々の光受容部材について実施例
１と同様に帯電能、温度特性、メモリー、感度の温度特
性、感度の直線性についての電位特性評価を行ったとこ
ろ、いずれの特性ともに良好な特性を得られた。

【０２７７】また、作製した光受容部材を正帯電して画
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ、シャープネス）
にっいても良好な電子写真特性が得られた。

【０２７８】また、密着性についても良好な結果を示し
た。

【０２７９】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三の光導電
領域の順とした場合においても、光導電層の第一の光導
電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以
下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電
領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２５以上３５原子％未満、
１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ以下とし、第三の光導電
領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下と
し、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以
下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とすると共に、少な
くとも前記第三の光導電領域の最表面から露光波長の７
０％以上を吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の含有量が、該第二の光導電領域の支
持体側の該含有量より少なくすることが良好な電子写真
特性を得るために必要であることがわかった。

【０２８０】

【表１４】

【０２８１】《実施例１１》本例では、光導電層中の希
釈ガスを実施例１のＨ₂に代えてＨｅを使用し、実施例
１の表面層のシリコン原子及び炭素原子の含有量を層厚
方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。

【０２８２】表１５に、このときの光受容部材の作製条
件を示した。

【０２８３】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１３原子％、１．７２ｅ
Ｖ、５５ｍｅｖ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２５原子％、１．８８ｅＶ、５２ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１６
原子％、１．７０ｅＶ、５４ｍｅＶとぃう結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３１０４であっ
た。

【０２８４】周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有
量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調整し
て、第一の光導電領域の支持体側から４．０ｐｐｍで一
定の含有とし第三の光導電領域の最表面から露光波長の
８０％を吸収するに要する領域のみ０．１ｐｐｍで一定
の含有とした。

【０２８５】作製した光受容部を実施例１と同様の評価
をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られた。

【０２８６】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の光導電領域、第二の光導電領域、第三の光導電
領域の順として、希釈ガスをＨｅにした場合において
も、光導電層の第一の光導電領域においてＥｕを５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１
０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅ
Ｖ以下とし、第二の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅ
Ｖ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２５
以上３５原子％未満、１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ以
下とし、第三の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子
％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下
とすると共に、少なくとも前記第三の光導電領域の最表
面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域で
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第
二の光導電領域の支持体側の該含有量より少なくするこ
とが良好な電子写真特性を得るために必要であることが
わかった。

【０２８７】

【表１５】

【０２８８】《実施例１２》本例では、電荷注入阻止層
側から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ｂ）、第
三の光導電領域の順とし、実施例１の表面層に代えて、
表面層のシリコン原子お主び炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を設けるとともに、
全ての層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原
子、窒素原子を含有させた。

【０２８９】表１６に、このときの光受容部材の作製条
件を示した。

【０２９０】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１５原子％、１．７３ｅ
Ｖ、５３ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３０原子％、１．８６ｅＶ、５５ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１３
原子％、１．７１ｅＶ、５２ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域あ吸収係数は、３４９４であっ
た。

【０２９１】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量はＢ₂Ｈ₆ガスを用いてシリコン原子に対して調
整して、第一の光導電領域の支持体側の２５．０ｐｐｍ
から、第二の光導電領域は１．５ｐｐｍ、第三の光導電
領域の最表面から露光波長の７０％を吸収するに要する
領域の最表面側で０．１ｐｐｍとなるように変化させ
た。変化の形は図５の（ｄ）の様に膜厚を等分して階段
上に分布含有させた。

【０２９２】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２９３】すなわち、光導電層中の周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の含有を図５（ｄ）の様に膜厚を等分
して階段状に分布含有させた場合においても、光導電層
の第一の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５
ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上
２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅｖ以下とし、
第二の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅｖ以上５５ｍ
ｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２５以上３５原子
％未満、１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ以下とし、第三
の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ
以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原
子％以下、１．７ｅｖ以上１．８ｅｖ以下とすると共
に、少なくとも前記第三の光導電領域の最表面から露光
波長の７０％以上を吸収するに要する領域での周期律表
第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第二の光導電
領域の支持体側の該含有量より少なくすることが良好な
電子写真特性を得るために必要であることがわかった。

【０２９４】

【表１６】

【０２９５】《実施例１３》本例では、電荷注入阻止層
側から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ｂ）、第
三の光導電領域とし、シリコン原子及び炭素原子の含有
量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た。

【０２９６】表１７に、このときの光受容部材の作製条
件を示した。

【０２９７】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１７原子％、１．７４ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２７原子％、１．８７ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１７
原子％、１．７８ｅＶ、５１ｍｅｖという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、２７４２であっ
た。

【０２９８】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２９９】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の６．０ｐｐｍ
から、第三の光導電領域の最表面から露光波長の８５％
を吸収するに要する領域で０．５ｐｐｍとなるように変
化させた。変化の形は図５の（ｃ）の様に第一の光導電
領域で急峻に変化した後、最表面まで緩やかに滑らかな
変化とした。

【０３００】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０３０１】すなわち、図５の（ｃ）の様に第一の光導
電領域で急峻に変化した後、最表面まで緩やかに滑らか
な変化場合においても、光導電層の第一の光導電領域に
おいてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域
においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ２５以上３５原子％末満、１．８０
ｅｖ以上１．９０ｅｖ以下とし、第三の光導電領域にお
いてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、
Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上、１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前
記第三の光導電領域の最表面かち露光波長の７０％以上
を吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属
する元素の含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の
該含有量より少なくすることが良好な電子写真特性を得
るために必要であることがわかった。

【０３０２】

【表１７】

【０３０３】《実施例１４》本例では、電荷注入阻止層
側から第一の光導電領域、第二の光導電領域（Ｂ）、第
三の光導電領域とし、シリコン原子および炭素原子の含
有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た。

【０３０４】表１８にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０３０５】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２原子％、１．７０ｅ
Ｖ、５１ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３１原子％、１．８６ｅＶ、５２ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２
原子％、１．７６ｅＶ、５２ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３５７３であっ
た。

【０３０６】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０３０７】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の８．０ｐｐｍ
から、第二の光導電領域で２．８ｐｐｍとし、さらに第
三の光導電領域で０．７ｐｐｍとし、最表面から露光波
長の９０％を吸収するに要する領域で０．２５ｐｐｍと
なるように変化させた。変化の形は図５の（ｂ）の様に
第一の光導電領域で緩やかに変化した後、露光波長の９
０％を吸収するに要する領域で最表面まで急峻にかつ滑
らかな変化とした。

【０３０８】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０３０９】すなわち、図５（ｂ）の様に第一の光導電
領域で緩やかに変化した後、露光波長の９０％を吸収す
るに要する領域で最表面まで急峻にかつ滑らかに変化さ
せた場合においても、光導電層の第一の光導電領域にお
いてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、
Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域におい
てＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅ
ｇをそれぞれ２５以上３５原子％未満、１．８０ｅＶ以
上１．９０ｅＶ以下とし、第三の光導電領域においそＥ
ｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇを
それぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以
上１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記第三の
光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸収す
るに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該含有量
より少なくすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。

【０３１０】

【表１８】

【０３１１】《実施例１５》本例では、光導電層をＨ₂
に代えてＨｅを使用し、電荷注入阻止層側から第一の光
導電領域、第二の光導電領域（Ｂ）、第三の光導電領域
の順とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の代
わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。

【０３１２】表１９にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０３１３】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０原子％、１．７３ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３３原子％、１．８９ｅＶ、５４ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２
原子％、１．７８ｅＶ、５３ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、２６５３であっ
た。

【０３１４】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の１０．０ｐｐ
ｍから、第二の光導電領域で４．０ｐｐｍ、第三の光導
電領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要す
る領域で１．０ｐｐｍとなるように変化させた。変化の
形は図５の（ｅ）の様に第一の光導電領域の支持体側で
一定の部分を持ち、その後直線的に変化した後、露光波
長の９０％を吸収するに要する領域では一定になる様な
変化とした。

【０３１５】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０３１６】すなわち、図５の（ｅ）の様に第一の光導
電領域の支持体側で一定の部分を持ち、その後直線的に
変化した後、露光波長の９０％を吸収するに要する領域
では一定になる様な変化させ、かつ光導電層をＨ₂に代
えてＨｅを使用し、表面層を構成する原子として、炭素
原子の代わりに窒素原子をに含有させた表面層を設けた
場合においても、光導電層の第一の光導電領域において
Ｅｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇ
をそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ
以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域においてＥ
ｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇを
それぞれ２５以上３５原子％未満、１．８０ｅＶ以上
１．９０ｅＶ以下とし、第三の光導電領域においてＥｕ
を５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそ
れぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上
１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記第三の光
導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸収する
に要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の
含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該含有量よ
り少なくすることが良好な電子写真特性を得るために必
要であることがわかった。

【０３１７】

【表１９】

【０３１８】《実施例１６》本例では、光導電層を電荷
注入阻止層側から第一の光導電領域、第二の光導電領域
（Ｂ）、第三の光導電領域の順とし、表面層に窒素原子
および酸素原子を含有させた。

【０３１９】表２０にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０３２０】本例では、光導電層の第二の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１７原子％、１．７５ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２８原子％、１．８５ｅＶ、５５ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１５
原子％、１．７２ｅＶ、５３ｍｅＶという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３４１８であっ
た。

【０３２１】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の２．５ｐｐｍ
から、第三の光導電領域の最表面から露光波長の９０％
を吸収するに要する領域で０．２ｐｐｍとなるように変
化させた。変化の形は図５の（ｆ）の様に第一の光導電
領域の支持体側から２段階の直線での変化とした。

【０３２２】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０３２３】すなわち、図５の（ｆ）の様に第一の光導
電領域の支持体側から２段階の直線での変化させ、かつ
表面層に窒素原子および酸素原子を含有させた表面層を
設けた場合においても、光導電層の第一の光導電領域に
おいてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、
１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とし、第二の光導電領域
においてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃ
ｈ、Ｅｇをそれぞれ２５以上３５原子％未満、１．８０
ｅＶ以上１．９０ｅＶ以下とし、第三の光導電領域にお
いてＥｕを５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、
Ｅｇをそれぞれ１０原子％以上２５原子％以下、１．７
ｅＶ以上１．８ｅＶ以下とすると共に、少なくとも前記
第三の光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を
吸収するに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る元素の含有量が、該第二の光導電領域の支持体側の該
含有量より少なくすることが良好な電子写真特性を得る
ために必要であることがわかった。

【０３２４】

【表２０】

【０３２５】《実施例１７》本例では、光導電層をＨ₂
に代えてＨｅを使用し、電荷注入阻止層側から第一の光
導電領域、第二の光導電領域（Ｂ）、第三り光導電領域
の順とし、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有
量を表面層より減らし、伝導性を制御する原字を除いた
中問層（上部阻止層）を設けた。

【０３２６】表２１にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０３２７】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１．７５ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３２原子％、１．８８ｅＶ、５３ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２０
原子％、１．７０ｅＶ、５４ｍｅｖという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３５６２であっ
た。

【０３２８】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の８．０ｐｐｍ
から、第二の光導電領域の支持体側の３．０ｐｐｍまで
直線で変化して、第三の光導電領域の最表面から露光波
長の９０％を吸収するに要する領域で０．１ｐｐｍとな
るように変化させた。変化の形は図５の（ｇ）の様に第
一の光導電領域の支持体側から２段階の直線での変化と
した。

【０３２９】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０３３０】すなわち、図５の（ｇ）の様に第一の光導
電領域の支持体側から２段階の直線で変化させ、かつ光
導電層をＨ₂に代えてＨｅを使用し、伝導性を制御する
原子を除いた中間層（上部阻止層）を設けた場合におい
ても、光導電層の第一の光導電領域においてＥｕを５０
ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ
１０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８
ｅＶ以下とし、第二の光導電領域においてＥｕを５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２
５以上３５原子％未満、１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ
以下とし、第三の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ
以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原
子％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以
下とすると共に、少なくとも前記第三の光導電領域の最
表面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域
での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該
第二の光導電領域の支持体側の該含有量より少なくする
ことが良好な電子写真特性を得るために必要であること
がわかった。

【０３３１】

【表２１】

【０３３２】《実施例１８》本例では、光導電層をＨ₂
に代えてＨｅを使用し、電荷注入阻止層側から第一の光
導電領域、第二の光導電領域（Ｂ）、第三の光導電領域
の順とした。

【０３３３】表２２にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。

【０３３４】本例では、光導電層の第一の光導電領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１９原子％、１．７２ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第二の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ３４原子％、１．９０ｅＶ、５４ｍｅＶ、
第三の光導電領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１３
原子％、１．７５ｅＶ、５２ｍｅｖという結果が得られ
た。第三の光導電領域の吸収係数は、３６４４であっ
た。

【０３３５】また、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量は第一の光導電領域の支持体側の１０．０ｐｐ
ｍから、第二の光導電領域の支持体側の２．５ｐｐｍま
で直線で変化してその後、第二の光導電領域では一定と
し、第三の光導電領域で直線的に変化し第三の光導電領
域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要する領
域で０．０５ｐｐｍで一定となるように変化させた。変
化の形は図５の（ｈ）の様に第一の光導電領域の支持体
側から段階的な直線での変化とした。

【０３３６】また、作製した光受容部材を実施例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０３３７】すなわち、図５の（ｈ）の様に第一の光導
電領域の支持体側から段階的な直線での変化させ、かつ
光導電層をＨ₂に代えてＨｅを使用した場合において
も、光導電層の第一の光導電領域においてＥｕを５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１
０原子％以上２５原子％以下、１．７ｅｖ以上１．８ｅ
ｖ以下とし、第二の光導電領域たおいてＥｕを５０ｍｅ
Ｖ以上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ２５
以上３５原子％未満、１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ以
下とし、第三の光導電領域においてＥｕを５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ以下とし、Ｃｈ、Ｅｇをそれぞれ１０原子
％以上２５原子％以下、１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ以下
とすると共に、少なくとも前記第三の光導電領域の最表
面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域で
の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第
二の光導電領域の支持体側の該含有量より少なくするこ
とが良好な電子写真特性を得るために必要であることが
わかった。

【０３３８】

【表２２】

【０３３９】

【発明の効果】本発明によれば、光受容部材の使用温度
領域での帯電能及び感度の温度特性が飛躍的に改善され
るとともに光メモリーの発生を実質的になくすることが
できるために、光受容部材の使用環境に対する安定性が
向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高
品質の画像を安定して得ることができる電子写真用光受
容部材が得られる。

【０３４０】したがって、本発明の電子写真用光受容部
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓ
ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸
問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた
電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久
性および使用環境特性を示す。

【０３４１】特に本発明においては、光導電層を光学的
バンドギャップの異なる光導電領域を設け、かつ第三の
光導電領域の最表面から露光波長の７０％以上を吸収す
るに要する領域での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量を第一の光導電領域の支持体側の含有量より少
なくなる様に制御することによって、帯電能が高く、加
えて周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制さ
れ、極めて優れた電位特性、画像特性を有するという特
徴を有する。

【０３４２】そして、第一の光導電領域を設置すること
により、小径支持体ヘの密着性が向上して、極めて優れ
た電位特性、画像特性を有するという特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するためのａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクト
ルの１例の模式図である。

【図２】本発明における感度の温度特性および感度の直
線性を説明するためのａ−Ｓｉ感光体の露光量−表面電
位曲線の１例の模式図である。

【図３】本発明の光受容部材の好適な実施態様例の層構
成を説明するための模式的層構成図である。

【図４】本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材の製造装置の模式的説明図であ
る。

【図５】本発明の光受容部材の好適な実施態様例の周期
律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の分布を説明するための
模式図である。

【図６】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と帯電能との関係を示す図である。

【図７】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と帯電能の温度特性との関係を示す図である。

【図８】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）とメモリーとの関係を示す図である。

【図９】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と感度の温度特性との関係を示す図である。

【図１０】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と感度の直線性との関係を示す図である。

【図１１】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックティルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と帯電能との関係を示す図である。

【図１２】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と帯電能の温度特性との関係を示す図である。

【図１３】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）とメモリーとの関係を示す図である。

【図１４】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と感度の温度特性との関係を示す図である。

【図１５】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と感度の直線性との関係を示す図である。

【図１６】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の光導電領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）と画質のシャープネスとの関係を示す図である。

【図１７】本発明の光受容部材における光導電層の第三
の光導電領域の膜厚と光吸収で決める周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の制御範囲と帯電能との関係を示す図
である。

【図１８】本発明の光受容部材における光導電層の第三
の光導電領域の膜厚と光吸収で決める周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の制御範囲と帯電能の温度特性との関
係を示す図である。

【図１９】本発明の光受容部材における光導電層の第三
の光導電領域の膜厚と光吸収で決める周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の制御範囲と光メモリーとの関係を示
す図である。

【図２０】本発明の光受容部材における光導電層の第三
の光導電領域め膜厚と光吸収で決める周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の制御範囲と感度の温度特性との関係
を示す図である。

【図２１】本発明の光受容部材における光導電層の第三
の光導電領域の膜厚と光吸収で決める周期律表第ＩＩＩ
ｂ族に属する元素の制御範囲と感度の直線性との関係を
示す図である。

【符号の説明】

３００ 光受容部材 ３０１ 導電性支持体 ３０２ 光受容層 ３０３ 光導電層 ３０４ 表面層 ３０５ 電荷注入阻止層 ３１１ 第一の光導電領域 ３１２ 第二の光導電領域 ３１３ 第三の光導電領域 ３１０ 自由表面 ４１００ 堆積装置 ４１１１ 反応容器 ４１１２ 円筒状支持体 ４１１３ 支持体加熱用ヒーター ４１１４ 原料ガス導入管 ４１１５ マッチングボックス ４１１６ 原料ガス配管 ４１１７ 反応容器リークバルブ ４１１８ メイン排気バルプ ４１１９ 真空計 ４２００ 原料ガス供給装置 ４２１１〜４２１６ マスフローコントローラー ４２２１〜４２２６ 原料ガスボンベ ４２３１〜４２３６ 原料ガスボンベバルブ ４２４１〜４２４６ ガス流入バルブ ４２５１〜４２５６ ガス流出バルブ ４２６１〜４２６６ 圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３３３ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３３３ ３３４ ３３４ ３３５ ３３５ ３３６ ３３６ (72)発明者 田澤 大介 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも導電性支持体と、該導電性支
   持体の表面上に、水素原子及び／またはハロゲン原子と
   周期律表第ＩＩＩｂ族に属する少なくとも一つの元素と
   を含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から
   なる光導電性を示す光導電層を有する光受容層とを少な
   くとも有する電子写真用光受容部材において、該光導電
   層が支持体側から第一の光導電領域、第二の光導電領
   域、第三の光導電領域からなり、該第二の光導電領域の
   光学的バンドギャップ（Ｅｇ）に比べて該第三の光導電
   領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）が狭いと共に、該
   第三の光導電領域の光が入射する側の周期律表第ＩＩＩ
   ｂ族に属する元素の含有量が、該第二、第一の光導電領
   域の支持体側の含有量より少なく、かつ該各々の光導電
   領域の支持体側の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の
   含有量が該第三、第二、第一の光導電領域の順番に多
   く、前記光導電層は光子エネルギー（ｈν）を独立変数
   とし光吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属変数とす
   る式（ＩＩ） １ｎα＝（１／Ｅｕ） ・ｈν＋α₁ （ＩＩ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
   れる特性エネルギー（Ｅｕ）を５５以上６５ｍｅＶ以下
   とし、水素原子及び／またはハロゲン原子の含有量（Ｃ
   ｈ）が２０原子％以上３５原子％未満、光学的バンドギ
   ャップ（Ｅｇ）が１．７５ｅｖ以上１．８５ｅＶ以下で
   ある第二の光導電領域と、前記特性エネルギー（Ｅｕ）
   を５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、Ｃｈが１０原子％
   以上２５原子％未満、Ｅｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ
   以下である第一と第三の光導電領域を備えることを特徴
   とする電子写真用光受容部材。
2. 【請求項２】 前記第一の光導電領域に含有される周期
   律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子に
   対して０．２ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である請求項
   １に記載の電子写真用光受容部材。
3. 【請求項３】 前記第二の光導電領域に含有される月期
   律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子に
   対して０．０１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下である請求項
   １に記載の電子写真用光受容部材。
4. 【請求項４】 前記第三の光導電領域に含有される周期
   律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子に
   対して０．００２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下である請求
   項１に記載の電子写真用光受容部材。
5. 【請求項５】 少なくとも前記第三の光導電領域の最表
   面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域で
   の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該第
   三の光導電領域の支持体側の該含有量より少ない請求項
   １に記載の電子写真用光受容部材。
6. 【請求項６】 少なくとも前記第三の光導電領域の最表
   面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域で
   の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は、シリ
   コン原子に対して０．００５ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下で
   ある請求項５に記載の電子写真用光受容部材。
7. 【請求項７】 前記光導電層に含有される周期律表第Ｉ
   ＩＩｂ族に属する元素の該含有量が、支持体側から表面
   側に階段状に減少している請求項１〜６のいずれかに記
   載の電子写真用光受容部材。
8. 【請求項８】 前記光導電層に含有される周期律表第Ｉ
   ＩＩｂ族に属する元素の該含有量が、支持体側から表面
   側に滑らかに減少している請求項１〜６のいずれかに記
   載の電子写真用光受容部材。
9. 【請求項９】 前記第三の光導電領域を、像露光に用い
   る光のピーク波長の光吸収率が８０％以上９５％以下に
   なるのに要する部分とする請求項１〜８のいずれかに記
   載の電子写真用光受容部材。
10. 【請求項１０】 前記光導電層は、その表面上に炭素、
    酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶
    材料からなる表面層が設けられている請求項１〜９のい
    ずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
11. 【請求項１１】 前記光導電層は、シリコン原子を母体
    とし、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律
    表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少な
    くとも一つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層
    の表面上に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭
    素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単
    結晶材料からなる前記表面層が設けられている請求項１
    〜１０のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
12. 【請求項１２】 前記表面層は、その層厚が０．０１〜
    ３μｍである請求項１０または１１に記載の電子写真用
    光受容部材。
13. 【請求項１３】 前記電荷注入阻止層は、その層厚が
    ０．１〜５μｍである請求項１１に記載の電子写真用光
    受容部材。
14. 【請求項１４】 前記光導電層の全層厚が２０〜５０μ
    ｍである請求項１〜１１のいずれかに記載の電子写真用
    光受容部材。
15. 【請求項１５】 前記第一の光導電領域は全光導電層の
    ５％以上３０％以下である請求項１〜１１のいずれかに
    記載の電子写真用光受容部材。
16. 【請求項１６】 少なくとも導電性支持体と、該導電性
    支持体の表面上に、水素原子及び／またはハロゲン原子
    と周期律表第ＩＩＩｂ族に属する少なくとも一つの元素
    とを含有し、シリコン原子を母体とする非単結晶材料か
    らなる光導電性を示す光導電層を有する光受容層とを少
    なくとも有する電子写真用光受容部材において、該光導
    電層が支持体側から第一の光導電領域、第二の光導電領
    域、第三の光導電領域からなり、該第二の光導電領域の
    光学的バンドギャップ（Ｅｇ）に比べて該第三の光導電
    領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）が狭いと共に、該
    第三の光導電領域の光が入射する側の周期律表第ＩＩＩ
    ｂ族に属する元素の含有量が、該第二、第一の光導電領
    域の支持体側の含有量より少なく、かつ該各々の光導電
    領域の支持体側の周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の
    含有量が該第三、第二、第一の光導電領域の順番に多
    く、前記光導電層は光子エネルギー（ｈν）を独立変数
    とし光吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属変数とす
    る式（ＩＩ） １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν十α₁（ＩＩ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
    れる特性エネルギー（Ｅｕ）を５０以上５５ｍｅＶ以下
    とし、水素原子及び／またはハロゲン原子の含有量（Ｃ
    ｈ）が２５原子％以上４０原子％未満、光学的バンドギ
    ャップ（Ｅｇ）が１．８０ｅＶ以上１．９０ｅＶ以下で
    ある第二の光導電領域と、前記特性エネルギー（Ｅｕ）
    を５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、Ｃｈが１０原子％
    以上２５原子％未満、Ｅｇが１．７ｅＶ以上１．８ｅＶ
    以下である第一と第三の光導電領域を備える請求項１に
    記載の電子写真用光受容部材。
17. 【請求項１７】 前記第一の光導電領域に含有される周
    期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子
    に対しで０．２ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である請求
    項１６に記載の電子写真用光受容部材。
18. 【請求項１８】 前記第二の光導電領域に含有される周
    期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子
    に対して０．０１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下である請求
    項１６に記載の電子写真用光受容部材。
19. 【請求項１９】 前記第三の光導電領域に含有される周
    期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の量は、シリコン原子
    に対して０．００２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下である請
    求項１６に記載の電子写真用光受容部材。
20. 【請求項２０】 少なくとも前記第三の光導電領域の最
    表面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域
    での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、該
    第二の光導電領域の支持体側の該含有量より少ない請求
    項１６に記載の電子写真用光受容部材。
21. 【請求項２１】 少なくとも前記第三の光導電領域の最
    表面から露光波長の７０％以上を吸収するに要する領域
    での周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は、シ
    リコン原子に対して０．０１ｐｐｍ以上５ｐｐｍ以下で
    ある請求項２０に記載の電子写真用光受容部材。
22. 【請求項２２】 前記光導電層に含有される周期律表第
    ＩＩＩｂ族に属する元素の該含有量が、支持体側から表
    面側に階段状に減少している請求項１６〜２１のいずれ
    かに記載の電子写真用光受容部材。
23. 【請求項２３】 前記光導電層に含有される周期律表第
    ＩＩＩｂ族に属する元素の該含有量が、支持体側から表
    面側に滑らかに減少している請求項１６〜２１のいずれ
    かに記載の電子写真用光受容部材。
24. 【請求項２４】 前記第三の光導電領域を、像露光に用
    いる光のピーク波長の光吸収率が８０％以上９５％以下
    になるのに要する部分とする請求項１６〜２３のいずれ
    かに記載の電子写真用光受容部材。
25. 【請求項２５】 前記光導電層は、その表面上に炭素、
    酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶
    材料からなる表面層が設けられている請求項１６〜２４
    のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
26. 【請求項２６】 前記光導電層は、シリコン原子を母体
    とし、炭素、酸素、窒素の少なくとも一っおよび周期律
    表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少な
    くとも一つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層
    の表面上に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭
    素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単
    結晶材料からなる前記表面層が設けられている請求項１
    ６〜２５のいずれかに記載の電子写真用光受容部材。
27. 【請求項２７】 前記表面層は、その層厚が０．０１〜
    ３μｍである請求項２５または２６に記載の電子写真用
    光受容部材。
28. 【請求項２８】 前記電荷注入阻止層は、その層厚が
    ０．１〜５μｍである請求項２６に記載の電子写真用光
    受容部材。
29. 【請求項２９】 前記光導電層め全層厚が２０〜５０μ
    ｍである請求項１６〜２６のいずれかに記載の電子写真
    用光受容部材。
30. 【請求項３０】 前記第一の光導電領域は全光導電層の
    ５％以上３０以下である請求項１６〜２６のいずれかに
    記載の電子写真用光受容部材。