JP2002123021A - 電子写真用光受容部材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ａ−Ｓｉ系の光導電層を有する電子写真用光受
容部材において、残留電位および光メモリーを低減し、
高いドット再現性を実現し、環境の変動による影響を抑
制する。 【解決手段】光導電層の表面側領域（上層）２１２を、
ヘリウムガスを含む希釈ガスを用いて作製し、水素原子
およびハロゲン原子の中で上層２１２に含まれる原子の
総含有量（Ｃｈ）を１原子％以上、１５原子％以下また
は２０原子％以下とし、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）
を１．５ｅＶ以上、１．６５ｅＶ以下または１．７５ｅ
Ｖ以下とし、特性エネルギー（Ｅｕ）を４０ｍｅＶ以上
５０ｍｅＶ以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する）の様な電磁波に対して感受性のある光受
容部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点で
ある。

【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉとも表記する）、特
に水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈとも表記
する）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９号公報
には電子写真用光受容部材としての応用が記載されてい
る。

【０００４】このような光受容部材は、一般的には、導
電性基体を５０℃〜３５０℃に加熱し、この基体上に真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成
膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なか
でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あ
るいはマイクロ波グロー放電によって分解し、基体上に
ａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用
に付されている。

【０００５】特開昭５６−８３７４６号公報において
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含
むａ−Ｓｉ（ａ−Ｓｉ：Ｘとも表記する）光導電層から
なる電子写真用光受容部材が提案されている。当該公報
においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原子
％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真用光
受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性を
得ることができるとされている。

【０００６】特開昭５７−１１５５５６号公報には、ａ
−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材
の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、
光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さらには経
時的安定性について改善を図るため、シリコン原子を母
体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、
シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモルフ
ァス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載さ
れている。

【０００７】特開昭６０−６７９５１号公報には、アモ
ルファスシリコン、炭素、酸素及びフッ素を含有してな
る透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体につい
ての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１号公報
には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜
７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料
を用いる技術が記載されている。

【０００８】特開昭５７−１５８６５０号公報には、水
素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペクトルの２
１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの吸収係数
比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層に用
いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光体が得
られることが記載されている。

【０００９】特開昭６０−９５５５１号公報には、アモ
ルファスシリコン感光体の画像品質向上のために、感光
体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して帯電、露
光、現像および転写といった画像作製行程を行うことに
より、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の低下
とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術が開示
されている。

【００１０】特に、特開平９−６２０２０号公報には、
水素原子および／またはハロゲン原子を含有しシリコン
原子を母体とするアモルファス材料（ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ
とも表記する）からなる積層構造の光導電層を備えた電
子写真用光受容部材において、表面側の層の光学的バン
ドギャップ（Ｅｇ）を１．７０〜１．８２ｅＶとし、特
性エネルギー（Ｅｕ）を５０〜６５ｍｅＶとすることが
提案されており、製造の際に、希釈ガスとしてＨ₂及び
Ｈｅを使用することが開示されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上で述べた様な技術
の進展により、電子写真用光受容部材の電気的、光学
的、光導電的特性及び使用環境特性が向上し、それに伴
って画像品質も向上してきた。

【００１２】しかしながら、電子写真装置への高画質、
高速化、高耐久化の要求は急速に高まっており、電子写
真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更
なる向上とともに、帯電能、感度を維持しつつあらゆる
環境下で大幅に性能を延ばすことが求められている。

【００１３】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、帯電
能および感度の向上や、周囲温度の変化による電子写真
特性の変動あるいはゴーストに代表される光メモリーを
低減することがいっそう求められるようになってきた。

【００１４】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。

【００１５】一方、オフィスや一般家庭へのコンピュー
ターの普及が進み、電子写真装置も従来の複写機として
だけでなく、ファクシミリやプリンターの役目を担うた
めにデジタル化することが求められるようになってき
た。また、オフィス等におけるドキュメントの多様化、
高品位化が進む中でデジタル複写機の画質に対する要求
はますます高まってきている。

【００１６】ところで、デジタル露光光源として用いら
れる半導体レーザーやＬＥＤは、発光強度や価格の点か
ら赤色可視光領域から近赤外領域までの比較的長波長の
ものが主流である。そのため、従来のハロゲン光を用い
たアナログ機には見られなかった特性上の課題について
改善することが求められるようになった。即ち、ハロゲ
ン光に比べて光受容部材への光の侵入深さが大きく、光
が及ぼす影響が大きくなることにより、デジタル機に特
有の課題が浮上することとなった。特に、周囲の温度変
化による帯電能、感度(明部位での電位)等の電子写真特
性の変動や、ゴーストに代表される光メモリー、デジタ
ルに固有のドット再現性などが注目されるようになって
きた。

【００１７】また、電子写真装置が高速化するにつれ帯
電能への要求はますます高まっている。そこで、高い帯
電能を維持しつつ、感度やゴースト、ドット再現性な
ど、上記に挙げた電子写真諸特性を更に向上させ、高次
元で両立させなければならないという問題もあった。

【００１８】本発明は、ａ−Ｓｉで構成された光受容層
を有する電子写真用光受容部材において、光源としてた
とえば可視光領域の波長の光、より具体的には波長５５
０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を発生する半導体レーザ
ー及びＬＥＤ等を使用した場合に、特に顕著となる諸問
題を解決することを目的とするものである。

【００１９】すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能
と感度を向上させると共に、デジタル画像の画像品質を
向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で
構成された光受容層を有する光受容部材を提供すること
にある。

【００２０】特に、電気的、光学的光導電的特性が使用
環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定して
おり、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現
象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとん
ど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子を
母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によれば、シリコン原子を母体とする非単結晶
材料で構成され、少なくとも２層以上の積層からなる光
導電層を有する電子写真用光受容部材において、該光導
電層の表面側領域（上層）は、シリコン原子含有ガス及
びヘリウムガスを用いてプラズマ気相成長法により作製
され、水素原子およびハロゲン原子の中で上層に含まれ
る原子の総含有量（Ｃｈ）は１原子％以上１５原子％以
下であり、上層の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）は１．
５ｅＶ以上１．６５ｅＶ以下であり、光子エネルギー
（ｈν）を独立変数（ｅＶ）とし光吸収スペクトルの吸
収係数（α）を従属変数（ｃｍ^-1）とする下記関係式
（１） Ｌｎα ＝ （１／Ｅｕ）・ｈν ＋ α₁ （１） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）の傾きの
逆数から決定される上層の特性エネルギー（Ｅｕ）は４
０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下であり、該光導電層の表面
側以外の領域（下層）は、シリコン原子含有ガス及び水
素ガスを用いて、プラズマ気相成長法により作製されも
のであることを特徴とする電子写真用光受容部材が提供
される。

【００２２】また、本発明によれば、シリコン原子を母
体とする非単結晶材料で構成され、少なくとも２層以上
の積層からなる光導電層を有する電子写真用光受容部材
において、該光導電層の表面側領域（上層）は、シリコ
ン原子含有ガス、ヘリウムガス及び水素ガスを用いて、
ヘリウムガス及び水素ガスの混合比を堆積方向に変化さ
せながら、プラズマ気相成長法により作製され、水素原
子およびハロゲン原子の中で上層に含まれる原子の総含
有量（Ｃｈ）は１原子％以上２０原子％以下であり、上
層の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）は１．５ｅＶ以上
１．７５ｅＶ以下であり、光子エネルギー（ｈν）を独
立変数（ｅＶ）とし光吸収スペクトルの吸収係数（α）
を従属変数（ｃｍ^-1）とする下記関係式（１） Ｌｎα ＝ （１／Ｅｕ）・ｈν ＋ α₁ （１） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）の傾きの
逆数から決定される上層の特性エネルギー（Ｅｕ）は４
０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下であり、該光導電層の表面
側以外の領域（下層）は、シリコン原子含有ガス及び水
素ガスを用いて、プラズマ気相成長法により作製されも
のであることを特徴とする電子写真用光受容部材が提供
される。

【００２３】更に、本発明によれば、シリコン原子を母
体とする非単結晶材料で構成され、少なくとも２層以上
の積層からなる光導電層を有する電子写真用光受容部材
の製造方法において、水素ガスにより希釈されたシリコ
ン原子含有ガスを用いて、プラズマ気相成長法により、
該光導電層の表面側以外の領域（下層）を作製する工程
と、該下層上に、ヘリウムガスにより希釈されたシリコ
ン原子含有ガスを用いて、プラズマ気相成長法により、
該光導電層の表面側領域（上層）を作製する工程と、を
含むことを特徴とする電子写真用光受容部材の製造方法
が提供される。

【００２４】加えて、本発明によれば、シリコン原子を
母体とする非単結晶材料で構成され、少なくとも２層以
上の積層からなる光導電層を有する電子写真用光受容部
材の製造方法において、水素ガスにより希釈されたシリ
コン原子含有ガスを用いて、プラズマ気相成長法によ
り、該光導電層の表面側以外の領域（下層）を作製する
工程と、該下層上に、ヘリウムガス及び水素ガスにより
希釈されたシリコン原子含有ガスを用いて、ヘリウムガ
ス及び水素ガスの混合比を堆積方向に変化させながら、
プラズマ気相成長法により、該光導電層の表面側領域
（上層）を作製する工程と、を含むことを特徴とする電
子写真用光受容部材の製造方法が提供される。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明者らは、光導電層の光吸収
部分に着目し、ａ−Ｓｉの光学的バンドギャップ及びバ
ンドギャップ内の局在状態密度分布と帯電能や温度特
性、光メモリーとの関係について検討した結果、光学的
バンドギャップやバンドギャップ内の局在状態密度を制
御した層を積層し、その層厚比も制御することにより上
記目的を達成できるという知見を得た。

【００２６】さらに本発明者らは、その知見を基にして
鋭意検討をした結果、光吸収部の層厚を薄くしていき、
キャリア移動部分を正孔の移動だけを主として層設計す
る事により、デジタル露光での画像品質を格段に向上で
きることがわかった。そこで、本発明者らは光吸収部を
薄くするために、ａ−Ｓｉの光学的バンドギャップを小
さくし、かつ光生成キャリアの再結合が少ない膜を用い
る事で、上記目的を達成できるという知見を得た。

【００２７】すなわち、シリコン原子を母体とし、例え
ば、水素原子及びハロゲン原子からなる群から選択され
た少なくともひとつの元素を含有する非晶質材料（ａ−
Ｓｉ：Ｈ，Ｘとも記載する）で構成された光導電層を有
する光受容部材において、光吸収部の層構造を特定化す
るために、他の層部分とは異なり多量のヘリウムガスを
用いて大希釈すると共に、反応容器内圧力を高めにして
作製された層を積層した光受容部材は、実用上、優れた
特性を有していることを見いだした。

【００２８】すなわち、本発明の電子写真用光受容部材
を使用すれば、光源として可視光領域の波長の光を発生
する半導体レーザー及びＬＥＤ等を使用した場合におい
ても、従来にもまして帯電能と感度が向上すると共に、
デジタル画像の画像品質が向上する。

【００２９】特に、電気的、光学的光導電的特性が使用
環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定して
おり、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現
象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとん
ど観測されず、更に画像品質の良好な電子写真用光受容
部材を得ることができる。

【００３０】なお、本発明において用いられている「指
数関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネル
ギー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指してお
り、また、「特性エネルギー」（Ｅｕとも略記する）と
は、この指数関数裾の傾きを意味している。

【００３１】このことを図１を用いて詳しく説明する。

【００３２】図１は、横軸に光子エネルギーｈν（ｅ
Ｖ）、縦軸に吸収係数α（ｃｍ^-1）を対数軸として示し
たａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクトルの例であ
る。このスペクトルは大きく二つの部分に分けられる。
すなわち吸収係数αが光子エネルギーｈνに対して指数
関数的、すなわち直線的に変化する部分Ｂ（指数関数裾
またはＵｒｂａｃｈテイル）と、αがｈνに対しより緩
やかな依存性を示す部分Ａである。

【００３３】Ｂ領域はａ−Ｓｉ中の価電子帯側のテイル
準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は、
以下の関係式（２）で表される； α＝α₀ｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） （２） ここで、α₀は、ｈυ＝０の場合の吸収係数（外挿値）
である。

【００３４】従って、関係式（２）の両辺の対数を取る
と、以下の関係式（１）を得る； Ｌｎα ＝ （１／Ｅｕ）・ｈν ＋ α₁ （１） ここで、α₁＝Ｌｎα₀である。

【００３５】よって、特性エネルギーＥｕの逆数（１／
Ｅｕ）が、Ｂ部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電
子帯側のテイル準位の指数関数的エネルギー分布の特性
エネルギーに相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯
側のテイル準位が少ないことを意味する。

【００３６】本発明者らは、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇとも略記する）、及び一定光電流法（Ｃｏｎｓｔａｎ
ｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ：ＣＰＭ
とも略記する）で測定されたサブバンドギャップ光吸収
スペクトルから求められる指数関数裾（アーバックテイ
ル）の特性エネルギーＥｕと感光体特性との相関を種々
の条件に渡って調べた結果、Ｅｇ、Ｅｕとａ−Ｓｉ感光
体の帯電能、温度特性や光メモリーとが密接な関係にあ
ることを見いだした。さらに、それらの異なる膜を積層
することにより良好な感光体特性を発揮することを見い
だした。

【００３７】また、光生成キャリアである正孔電子の層
中の移動を詳細に検討した結果、正孔の移動が温度特性
やメモリーに深く関わっていることを見出した。Ｅｇ、
Ｅｕの異なる膜を積層し、それぞれの層厚比の制御をさ
らに詳細に検討し、光キャリア発生領域の光キャリアと
膜中フリーキャリアの挙動、キャリア（主に正孔）走行
が主となる領域での挙動、そして下部からの電荷注入に
よるキャリアと上部から走行キャリアの挙動を考察検討
し、Ｅｇ、Ｅｕの異なる膜を積層、層厚比を制御でスム
ーズなキャリアの動きを得られることを見出した。

【００３８】そして、光キャリアの発生領域である表面
側の光吸収部分の膜厚を薄くする方が、デジタル化した
電子写真装置の画像品質を向上させることを見出した。
そこで膜厚を薄くするために、光学的バンドギャップを
小さく、かつＥｕの小さな膜について検討した結果、多
量のヘリウムガスを用いてＳｉＨ₄等の原料ガスを大希
釈すると共に、反応容器内圧力を高めにした特定の条件
下で作製することで所望の特性を持つ膜が得られること
が分かり、本発明を完成するに至った。

【００３９】光学的バンドギャップが小さい膜として低
水素の非晶質シリコンの作製にアルゴンガスを希釈ガス
として用いて、アルゴンガスのスパッタの効果で膜中の
水素原子を減少させる方法が知られているが、この方法
では、アルゴン原子が重く大きいために、膜表面のスパ
ッタ効果が強く、膜中または膜表面の構造欠陥を増加さ
せてしまい、構造欠陥を少なくすることと光学的バンド
ギャップを小さくすることを両立させることが非常に困
難である。

【００４０】そこで、本発明者らはヘリウムガスを希釈
ガスとして用いて同様の効果を得る方法を検討した。し
かしながら、ヘリウムガスではその質量が小さくスパッ
タの効果が小さいために、アルゴンガスを用いた場合ほ
どの低水素の狭いバンドギャップの膜を得ることができ
ない。通常ＲＦグロー放電法においては反応容器内圧力
を低圧にした方が、気相反応が制御され膜中の欠陥（異
常成長や気相成長した粒子の取り込み）が少ない低欠陥
の膜が得られることが分かっていたが、スパッタの効果
を高めるために、通常よりも高い反応容器内圧力で検討
を行った。その結果、膜中欠陥をさらに減少させながら
も、光学的バンドギャップを狭くした膜を得ることがわ
かり本発明を完成するに至った。

【００４１】これは、質量の小さいヘリウム原子による
衝撃の小さいスパッタ効果であってもヘリウムガスで大
量に希釈することで、堆積速度が下がり成長最表面での
水素原子の結合を切るためには十分なエネルギーを与え
る事ができたと考えられる。また、反応容器内圧力をあ
げて最表面に衝突するヘリウム原子の数を増やしたこと
がこの効果を得るために必要である。しかしながら、反
応容器内圧力をこの効果を得るためにあげていくと、一
定範囲以上の内圧にすると気相成長による粒子やヘリウ
ム原子の衝突による最表面の欠陥の増加のためと考えら
れる膜中欠陥が増加してくることがわかった。

【００４２】さらに、本発明者らはＥｇ、Ｅｕの異なる
膜を単に積層するだけでは、Ｅｇの大きく異なる界面が
生じて、キャリアの移動に対して障壁となることから、
その界面部（接合部分）は水素ガスとヘリウムガスを混
合して徐々にガス組成を変化させながら層を接合させる
ことでさらに電子写真特性を改善できることを見出し、
本発明を完成するに至った。

【００４３】そして、光学的バンドギャップが小さくし
て光吸収部分を薄くして光生成キャリアの発生部を集中
させ、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくし、かつ
欠陥が少なく膜中フリーキャリアを少なくした層領域を
光導電層の表面側に設置することで、耐電能を大幅に向
上させるとともに、デジタル化した電子写真装置の画像
品質を向上させることができる。

【００４４】これをさらに詳しく説明すると、一般的
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓ
ｉの未結合（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因
する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の
捕獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原
因になることが知られている。

【００４５】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でもＣＰＭは、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈの局在準位にもとづくサブギャップ光吸収スペク
トルを簡便に測定する方法として有用である。

【００４６】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面は到達として表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、光学的バンドギャッ
プを小さくすることにより光吸収部分を薄くして、光生
成キャリアを集中させて、表面電荷をうち消すために走
行する距離を実質的に短くし、かつ欠陥を少なくして熱
生成キャリアを減らすと共にキャリアの走行性を向上さ
せることが温度特性を向上させ帯電能のために必要であ
る。

【００４７】つまり、光吸収部（光キャリア生成部）と
生成キャリア移動部と光導電層を二つの機能領域に分け
た光受容部材において、光受容部材の表面側に本発明の
ヘリウム大量希釈による層領域を設けて、実質的に光を
吸収する領域を該層領域とすることにより正孔電子混合
領域を薄くする事で、帯電能の向上とデジタル画像の高
品質化には効果が見られる。

【００４８】デジタル画像の高品質化を進める上で、画
像形成ドット（レーザースポット）の微小化が進められ
ているが、従来の様に光吸収部が厚くなると光生成キャ
リアが表面電荷をうち消すために走行する層領域の距離
が長いために画像形成ドットよりも大きな領域の表面電
荷をうち消してしまい、表面側で形成される潜像がぼや
けてくる。このため、トナーにより現像した際に、詳し
く画像を観察すると輪郭部にトナーの飛散が多い状況が
生じやすい。

【００４９】光吸収部を薄くすることで、画像形成ドッ
トの大きさとうち消される表面電荷の面積が近づいてく
るために、この潜像のぼやけ、すなわち輪郭部のトナー
飛散の度合いを減らすことができて、画像品質を向上さ
せることができた。

【００５０】したがって、本発明は上記構成によって、
帯電能の向上とデジタル画像の高品質化を高い次元で両
立させ、前記した従来技術における諸問題の全てを解決
することができ、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、画像品質、耐久性および使用環境性を示す光受
容部材を得ることができる。

【００５１】以下、図面に従って本発明の電子写真用光
受容部材について詳細に説明する。

【００５２】図２は、本発明の電子写真用光受容部材の
層構成例を説明するための模式的構成図である。

【００５３】図２（ａ）に示す電子写真用光受容部材２
００は、光受容部材用としての支持体２０１の上に、光
受容層２０２が設けられている。この光受容層２０２
は、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電
層２０３で構成され、光導電層２０３は、支持体２０１
側から自由表面２１０に向かって順に第１の層領域（表
面側以外の層、下層）２１１と第２の層領域（表面側の
層、上層）２１２とからなっている。第１の層領域（表
面側以外の層、下層）２１１は電荷輸送部として機能
し、第２の層領域（表面側の層、上層）２１２は光吸収
部として機能する。

【００５４】図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材２
００は、光受容部材用としての支持体２０１の上に、光
受容層２０２が設けられている。この光受容層２０２は
ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２
０３と、ａ−Ｓｉ系表面層２０４とから構成され、表面
層２０４は自由表面２１０を有している。また、光導電
層２０３は支持体２０１側から順に第１の層領域（表面
側以外の層、下層）２１１と第２の層領域（表面側の
層、上層）２１２とからなっている。第１の層領域（表
面側以外の層、下層）２１１は電荷輸送部として機能
し、第２の層領域（表面側の層、上層）２１２は光吸収
部として機能する。

【００５５】図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材２
００は、光受容部材用としての支持体２０１の上に、光
受容層２０２が設けられている。この光受容層２０２は
支持体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０
５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導
電層２０３と、ａ−Ｓｉ系表面層２０４とから構成さ
れ、表面層２０４は自由表面２１０を有している。ま
た、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第１の層
領域（表面側以外の層、下層）２１１と第２の層領域
（表面側の層、上層）２１２とからなっている。第１の
層領域（表面側以外の層、下層）２１１は電荷輸送部と
して機能し、第２の層領域（表面側の層、上層）２１２
は光吸収部として機能する。

【００５６】＜支持体＞本発明において使用される支持
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、
Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｃ等の金属、及
びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。

【００５７】また、電気絶縁性材料としてポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレ
ン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、
ガラス、セラミック等を挙げることができる。これら電
気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を作製する側の表
面を導電処理して支持体として用いることができる。

【００５８】使用される支持体の形状は平滑表面あるい
は微小な凹凸表面を有する円筒状または無端ベルト状で
あることができ、その厚さは、所望通りの電子写真用光
受容部材を形成し得るように適宜決定する。電子写真用
光受容部材としての可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄
くすることができる。しかしながら、支持体は、製造上
及び取り扱い上、機械的強度等の点から、通常１０μｍ
以上とされる。

【００５９】＜光導電層＞支持体上に作製され、光受容
層の一部を構成する光導電層は、真空堆積膜作製方法に
よって、成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製
される。具体的には、グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、
高周波ＣＶＤ法等）によって作製することができる。

【００６０】本発明の製造方法においては、シリコン原
子含有ガスをヘリウムガスで特定の範囲内で希釈制御
し、また反応容器内圧力も特定の範囲内で制御し、かつ
放電電力をシリコン原子含有ガスの流量に対して特定の
範囲内で制御する。

【００６１】グロー放電法によって光導電層を作製する
には、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る
Ｓｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得る
Ｈ供給用の希釈ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得
るＸ供給用の原料ガスと、ヘリウムガスとを、内部が減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ
からなる層を作製する。

【００６２】所望の膜特性を有する光導電層を作製する
には、シリコン原子含有ガスと希釈ガスとの混合比と、
放電電力から、総合的に判断して、反応容器内の内圧や
支持体温度を適宜設定することが必要である。

【００６３】表面層側の光吸収部（上層）を作製する場
合は、ヘリウムガス流量をシリコン原子含有ガス流量の
２５容量倍以上２００容量倍以下とすることが好まし
い。

【００６４】また、表面層側の光吸収部（上層）を作製
する場合は、ヘリウムガス及び水素ガス総流量をシリコ
ン原子含有ガス流量の２５容量倍以上２００容量倍以下
とし、水素ガス流量をヘリウムガス流量の４０容量％以
下とすることが好ましい。

【００６５】更に、表面層側の光吸収部（上層）を作製
する場合は、反応容器内の圧力を７０Ｐａ以上５００Ｐ
ａ以下とすることが好ましい。

【００６６】加えて、放電電力の制御も重要であり、表
面層側の光吸収部（上層）を作製する場合は、放電電力
を、シリコン原子含有ガス流量（ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒ
ｍａｌ））の０．２倍以上２倍以下となる様に制御する
ことが好ましい。

【００６７】一方、光導電層の電荷輸送部にあたる部分
（下層）を作製する場合は、水素ガス流量をシリコン原
子含有ガス流量の３容量倍以上とすることが好ましく、
４容量倍以上とすることがより好ましく、５容量倍以上
とすることが更に好ましい。また、上限としては、２０
容量倍以下とすることが好ましく、１５容量倍以下とす
ることがより好ましく、１０容量倍以下とすることが更
に好ましい。

【００６８】また、光導電層の電荷輸送部にあたる部分
（下層）を作製する場合は、反応容器内の圧力を上層作
製時の圧力未満とすることが好ましく、具体的には、
０．１Ｐａ以上１００Ｐａ以下の範囲内で選択して制御
することが好ましい。

【００６９】更に、光導電層の電荷輸送部にあたる部分
（下層）を作製する場合は、放電電力を、シリコン原子
含有ガス流量（ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））の１倍
以上６倍以下となる様に制御することが好ましい。

【００７０】なお、下層から上層に到る接続部を作製す
る場合は、水素ガス及びヘリウムガスを混合し、徐々に
水素ガスをヘリウムガスに変えながら作製することが好
ましい。

【００７１】即ち、電荷輸送部分と光吸収部分の接合部
分は、電荷輸送部分のガス組成から徐々に光吸収部分の
ガス組成に変化させるために、ＨｅとＨ₂の混合ガスを
希釈ガスとして用いることが好ましい。

【００７２】更に、内圧や放電電力も徐々に変化させる
ことが好ましい。

【００７３】なお、下層、上層および接合部分を作製す
る際の、支持体の温度は、層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、下限としては、２００℃以上が好
ましく、２３０℃以上がより好ましく、２５０℃以上が
更に好ましい。上限としては、３５０℃以下が好まし
く、３３０℃以下がより好ましく、3１０℃以下が更に
好ましい。

【００７４】光導電層を作製するための支持体温度、内
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を作製すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【００７５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₈が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作製
時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
₄が好ましいものとして挙げられる。

【００７６】そして、作製される光導電層中の電荷輸送
部分にあたる部分に水素原子を構造的に導入し、水素原
子の導入割合の制御するために導入される希釈ガスは、
Ｈ₂が有効に使用されるものとして挙げられる。

【００７７】作製される光導電層中の光吸収部分におい
ては、膜中の欠陥を増やすことなく水素原子の導入割合
を減らして光学的バンドギャップを小さく制御するため
に、導入される希釈ガスとして、ヘリウムガスを用い
る。

【００７８】本発明においては、必要に応じて光導電層
に伝導性を制御する原子を含有させることができる。し
かしながら、光吸収部分には伝導性を制御する原子を含
有させないようにする方が好ましい。電界輸送部分に
は、伝導性を制御する原子を含有させる方が好ましく、
伝導性を制御する原子は、万遍なく均一に分布した状態
で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な
分布状態で含有している部分があってもよい。

【００７９】伝導性を制御する原子としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型
伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原子（第１
３族原子とも略記する）を用いることができる。

【００８０】第１３族原子としては、具体的には、ホウ
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。

【００８１】伝導性を制御する原子、たとえば、第１３
族原子を構造的に導入するには、層作製の際に、第１３
族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光
導電層を作製するための他のガスとともに導入する。第
１３族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、
常温常圧でガス状物、または、少なくとも層作製条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

【００８２】そのような第１３族原子導入用の原料物質
としては具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀等の水素化ホウ素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢ
ｒ₃等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、Ａ
ｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃等も挙げることが
できる。この中で、本発明の効果をより有効に引き出
し、かつ取り扱いの面からＢ₂Ｈ₆を水素希釈したものを
用いる事が最も望ましい。

【００８３】また電荷輸送部分にハロゲン原子を含有さ
せる場合、ハロゲン原子含有原料ガスとして、たとえば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン
間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状物、またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子
とを構成要素とするガス状物、またはガス化し得るハロ
ゲン原子を含む水素化ケイ素化合物も有効なものとして
挙げることができる。具体的にはフッ素ガス（Ｆ₂）、
ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、
ＩＦ₇等のハロゲン化合物を挙げることができる。ハロ
ゲン原子を含むケイ素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえ
ばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ化ケイ素を好ましいもの
として挙げることができる。

【００８４】さらに、電荷輸送部分に、炭素原子、酸素
原子および窒素原子から選ばれる１種以上の原子を含有
させても有効である。この場合、これらの原子の含有量
は、構成原子全体に対して、１×１０^-5原子％以上１０
原子％以下が好ましく、光導電層中に万遍なく均一に含
有されても良いし、光導電層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があっても良
い。

【００８５】光導電層の層厚は、所望の電子写真特性が
得られること及び経済的効果等の点から適宜所望にした
がって決定され、下限としては、２０μｍ以上が好まし
く、２３μｍ以上がより好ましく、２５μｍ以上が更に
好ましい。上限としては、５０μｍ以下が好ましく、４
５μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が更に好まし
い。

【００８６】特に、光吸収部分（上層）の層厚は、用い
る露光の最長波長光の吸収が９０％以上となる様にする
事が望ましい。また、画像品質の向上のために、２μｍ
以下とすることが好ましい。

【００８７】＜表面層＞本発明においては、支持体上に
形成された光導電層の上に、ａ−Ｓｉ系の表面層を形成
することができる。この表面層は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために
設けられる。

【００８８】また、光受容層を構成する光導電層と表面
層とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という
共通の構成要素を有しているので、積層界面において化
学的な安定性の確保が十分成されている。

【００８９】表面層は、ａ−Ｓｉ系の材料であればいず
れの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）お
よび／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素
原子を含有するアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｘとも表記する）、水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに酸素原子を含有す
るアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘとも表記
する）、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有し、さらに窒素原子を含有するアモルファ
スシリコン（ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘとも表記する）、水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有
し、さらに炭素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも
一つを含有するアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＣＯ
Ｎ：Ｈ，Ｘとも表記する）等の材料が好適に用いられ
る。

【００９０】表面層は真空堆積膜形成方法によって、所
望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条
件が設定されて作製される。具体的には、例えばグロー
放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイク
ロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電
ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々
の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの
薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、
製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法による
ことが好ましい。

【００９１】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス及
びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガス
を、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で
導入して、この反応容器内にグロー放電を生起させ、あ
らかじめ所定の位置に設置された光導電層を形成した支
持体上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよ
い。

【００９２】表面層の材質としてはシリコンを含有する
アモルファス材料ならば何れでも良いが、炭素、窒素お
よび酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコ
ン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分
としたものが好ましい。

【００９３】特に、表面層をａ−ＳｉＣを主成分として
構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和
に対して３０原子％から９０原子％の範囲が好ましい。

【００９４】また、表面層中に水素原子および／または
ハロゲン原子を含有することができるが、これらはシリ
コン原子などの構成原子の未結合手を補償し、層品質の
向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させ
る。水素含有量は、構成原子の総量に対して好ましくは
２０〜７０原子％、より好ましくは２５〜６５原子％、
さらに好ましくは３０〜６０原子％とする。また、ハロ
ゲン原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５
原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．５
〜５原子％とする。

【００９５】これらの水素および／またはハロゲン含有
量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて
優れたものとして使用される。即ち、表面層内に存在す
る欠陥（主にシリコン原子や炭素原子のダングリングボ
ンド）は電子写真用光受容部材としての特性に悪影響を
及ぼすことが知られている。例えば自由表面から電荷の
注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度
のもとで表面構造が変化することによる帯電特性の変
動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光導電層により表
面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷がト
ラップされることにより繰り返し使用時の残像現象の発
生等がこの悪影響として挙げられる。

【００９６】しかしながら、表面層内の水素含有量を２
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速
連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。

【００９７】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下する場合があり、
繰り返し使用に耐えられなくなる場合がある。従って、
表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが
優れた所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の１つ
である。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（流
量比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。

【００９８】また、表面層中のハロゲン含有量を０．０
１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコ
ン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成する
ことが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン原子の
働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と
炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができ
る。

【００９９】一方、表面層中のハロゲン含有量が１５原
子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結
合の発生の効果、コロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果等が不十分と
なる場合がある。さらに、過剰のハロゲン原子が表面層
中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像
メモリーが発生する場合がある。従って、表面層中のハ
ロゲン含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子
写真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中
のハロゲン含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流
量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって
制御し得る。

【０１００】表面層の形成において使用されるシリコン
（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状物、ま
たはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使
用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱
い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ
₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳ
ｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、
Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１０１】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状
物、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好
ましいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用
の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の
ガスにより希釈して使用してもよい。

【０１０２】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状物、またはガス化し得る化合物が有
効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの
窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【０１０３】また、形成される表面層中に導入される水
素原子の導入割合の制御を一層容易になるように図るた
めに、これらのガスにさらに水素ガス又は水素原子を含
むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成すること
が好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。

【０１０４】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状物、またはガス化し得るハロゲン
化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン
原子とハロゲン原子とを混要素とするガス状物、または
ガス化し得るハロゲン原子を含む水素化ケイ素化合物も
有効なものとして挙げることができる。

【０１０５】好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的にはフッ素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、
ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲ
ン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む
ケイ素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラ
ン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂
Ｆ₆等のフッ化ケイ素が好ましいものとして挙げること
ができる。

【０１０６】表面層中に含有される水素原子および／ま
たはハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体の
温度、水素原子および／またはハロゲン原子を含有させ
るために使用される原料物質の反応容器内へ導入する
量、放電電力等を制御すればよい。

【０１０７】炭素原子、酸素原子および窒素原子の１つ
以上の原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層中の層厚方向に含有量が変化するような
不均一な分布をもたせた部分があっても良い。

【０１０８】さらに、表面層には必要に応じて伝導性を
制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制
御する原子は、表面層中に万遍なく均一に分布した状態
で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な
分布状態で含有している部分があってもよい。

【０１０９】伝導性を制御する原子としては、ｐ型電導
特性を与える第１３族原子、またはｎ型電導特性を与え
る周期律表第１５族に属する原子（第１５族原子とも略
記する）を用いることができる。

【０１１０】第１３族原子としては、具体的には、ホウ
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子としては、
具体的にはリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１１１】表面層に含有される伝導性を制御する原子
の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×１０³
原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１０²原
子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１０²原子ｐｐｍとさ
れる。

【０１１２】伝導性を制御する原子、たとえば、第１３
族原子または第１５族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質または第１
５族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、
表面層を形成するための他のガスとともに導入してやれ
ばよい。第１３族原子導入用の原料物質または第１５族
原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常
圧でガス状物、または、少なくとも層形成条件下で容易
にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

【０１１３】そのような第１３族原子導入用の原料物質
としては具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等
の水素化ホウ素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲ
ン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、Ｇａ
Ｃｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｉＣｌ₃等も挙
げることができる。

【０１１４】第１５族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、リン原子導入用としては、Ｐ
Ｈ₃、Ｐ₂Ｈ₄等の水素化リン、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、
ＰＣｌ₃、ＰＣｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃
等のハロゲン化リンが挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、
ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、
ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ５、Ｓｂｃｌ₃、ＳｂＣｌ₅、
ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃等も第１５族原子導入
用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【０１１５】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じて、Ｈ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１１６】表面層の層厚としては、好ましくは０．０
１〜３μｍ、より好ましくは０．０５〜２μｍ、さらに
好ましくは０．１〜１μｍとされる。層厚が０．０１μ
ｍより薄いと、光受容部材を使用中に磨耗等の理由によ
り表面層が失われ易い場合があり、３μｍを越えると残
留電位の増加する場合があり、電子写真特性の低下する
場合がある。

【０１１７】表面層は、その要求される特性が所望通り
に与えられるように注意深く作製される。即ち、Ｓｉ、
Ｃ、Ｎ及びＯからなる群から選択された少なくともひと
つの原子と、Ｈ及び／又はＸとを構成要素とする物質
は、その形成条件によって構造的には多結晶や微結晶の
ような結晶性からアモルファスまでの形態（総称して非
単結晶）を取り、電気物性的には導電性から半導体性、
絶縁性までの間の性質を、又、光導電的性質から非光導
電的性質までの間の性質を各々示すので、目的に応じた
所望の特性を有する化合物が形成される様に、作製条件
の選択が厳密になされる。

【０１１８】例えば、表面層を耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非単結晶材料として作製される。

【０１１９】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層が設けられる場合に
は、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射
される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶材料
として形成される。

【０１２０】表面層を形成するには、支持体の温度、反
応容器内のガス圧を所望に従って、適宜設定する必要が
ある。

【０１２１】支持体の温度は、層設計に従って適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜
３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には
２５０〜３１０℃とする。

【０１２２】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましく
は１×１０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2
〜５×１０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐａ
とする。

【０１２３】表面層を形成するための支持体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【０１２４】さらに、光導電層と表面層の間に、炭素原
子、酸素原子および窒素原子の１つ以上の原子の含有量
を表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を
設けることも帯電能等の特性をさらに向上させるために
は有効である。

【０１２５】また、表面層と光導電層との間に、炭素原
子、酸素原子および窒素原子の１つ以上の原子の含有量
が光導電層に向かって減少するように変化する領域を設
けても良い。これにより表面層と光導電層の密着性を向
上させ、界面での光の反射による干渉の影響をより少な
くすることができる。

【０１２６】＜電荷注入阻止層＞本発明の電子写真用光
受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間
に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きの
ある電荷注入阻止層を設けるのが一層効果的である。即
ち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理を
その自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電
荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯
電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、
いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付
与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原
子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。

【０１２７】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子は、層中に万遍なく均一に分布されても良い
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く
分布するように含有させるのが好適である。

【０１２８】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されること画面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。

【０１２９】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、第１３族原子および第１５族原子を
用いることができる。

【０１３０】第１３族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子と
しては、具体的には、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。

【０１３１】伝導性を制御する原子の含有量としては、
好ましくは１０〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましく
は５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、さらに好ましくは１×
１０²〜１×１０³原子ｐｐｍとされる。

【０１３２】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子および酸素原子の少なくとも１種を含有させる
ことにより、電荷注入阻止層に直接接触して設けられる
他の層との間の密着性の向上できる。

【０１３３】電荷注入阻止層に含有される炭素原子、窒
素原子および酸素原子の１つ以上の原子は、層中に万遍
なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には
万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で
含有している部分があってもよい。しかしながら、いず
れの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、
均一な分布で万遍なく含有されることが面内方向におけ
る特性の均一化をはかる点からも必要である。

【０１３４】電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭
素原子、窒素原子および酸素原子の１種以上の原子の含
有量は、１種の場合はその量として、２種以上の場合は
その総和として、好ましくは１×１０^-3〜５０原子％、
より好ましくは５×１０^-3〜３０原子％、さらに好まし
くは１×１０^-2〜１０原子％とされる。

【０１３５】また、電荷注入阻止層に含有される水素原
子および／またはハロゲン原子は層内に存在する未結合
手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層
中の水素原子の含有量、ハロゲン原子の含有量、又は水
素原子およびハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とする。

【０１３６】電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特
性が得られること、及び経済的効果等の点から好ましく
は０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、さ
らに好ましくは０．５〜３μｍとされる。層厚が０．１
μｍより薄くなると、支持体からの電化の注入阻止膿が
不十分となる場合があり、十分な帯電能が得られない場
合がある。一方、５μｍより厚くしても実質的な電子写
真特性の向上よりも、作製時間の延長による製造コスト
増を招く場合がある。

【０１３７】電荷注入阻止層は、光導電層の場合と同様
に、真空堆積法により作製することができる。その際、
光導電層の場合と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガス
との混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支
持体の温度を適宜設定することが必要である。

【０１３８】Ｈ₂及び／又はＨｅの流量は、層設計に従
って適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対
しＨ₂及び／又はＨｅを、好ましくは１〜２０倍、より
好ましくは３〜１５倍、さらに好ましくは５〜１０倍の
範囲に制御することが望ましい。

【０１３９】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て、適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０
^-2〜２×１０³Ｐａ、より好ましくは５×１０^-2〜５×
１０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａとする
のが望ましい。

【０１４０】放電電力もまた同様に層設計に従って適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ましく
は２〜６倍、さらにこのましくは３〜５倍の範囲に設定
することが望ましい。

【０１４１】さらに、支持体の温度は、層設計に従って
適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３５
０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、さらに好まし
くは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。

【０１４２】電荷注入阻止層を形成するための希釈ガス
の混合比、ガス圧、放電電力、支持体温度の望ましい数
値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層
作製ファクターは通常は独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互
的かつ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの最
適値を決めるのが望ましい。

【０１４３】このほかに、本発明の電子写真用光受容部
材においては、光受容層の前記支持体側に、少なくとも
アルミニウム原子、シリコン原子、水素原子、ハロゲン
原子等が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域
を有することが望ましい。

【０１４４】また、支持体と、光導電層または電荷注入
阻止層との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ又はシリコン原子を母
体とし、水素原子および／またはハロゲン原子と、炭素
原子、酸素原子および窒素原子から選ばれる１種以上の
原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けて
も良い。

【０１４５】次に、本発明の光受容層を作製するの装置
及び膜形成方法について詳述する。

【０１４６】図３は、電源周波数としてＲＦ帯を用いた
高周波プラズマＣＶＤ法（ＲＦ−ＰＣＶＤとも略記す
る）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な
構成図である。図３に示す製造装置の構成は以下の通り
である。

【０１４７】この装置は大別すると、堆積装置（３１０
０）、原料ガスの供給装置（３２００）、反応容器（３
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（３１００）中の反応容器
（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持体
加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（３１１
４）が設置され、さらに高周波マッチングボックス（３
１１５）が接続されている。

【０１４８】原料ガス供給装置（３２００）は、ＳｉＨ
₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３１〜
３２３６、３２４１〜３２４６、３２５１〜３２５６）
及びマスフローコントローラー（３２１１〜３２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２６
０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（３
１１４）に接続されている。

【０１４９】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０１５０】先ず、反応容器（３１１１）内に円筒状支
持体（３１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１３）により
円筒状支持体（３１１２）の温度を２００℃乃至３５０
℃の所定の温度に制御する。

【０１５１】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３６）、反応容器のリークバルブ（３１１７）
が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ（３２
４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５
６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応容
器（３１１１）及びガス配管内（３１１６）を排気す
る。

【０１５２】次に、真空計（３１１９）の読みが約１×
１０^-2Ｐａになった時点で補助バルブ（３２６０）、流
出バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じる。

【０１５３】その後、ガスボンベ（３２２１〜３２２
６）より各ガスをバルブ（３２３１〜３２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（３２６１〜３２６６）により各
ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に、流入バルブ
（３２４１〜３２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（３２１１〜３２１６）内に導入
する。

【０１５４】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１５５】円筒状支持体（３１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（３２５１〜３２５６）のう
ちの必要なもの及び補助バルブ（３２６０）を徐々に開
き、ガスボンベ（３２２１〜３２６６）から所定のガス
をガス導入管（３１１４）を介して反応容器（３１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（３
２１１〜３２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（３１１１）内
の圧力が１．５×１０²Ｐａ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計（３１１９）を見ながらメインバルブ（３１
１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス（３１１５）
を通じて反応容器（３１１１）内にＲＦ電力を導入し、
グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって
反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支
持体（３１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆
積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行
われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて
反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。

【０１５６】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（３
２５１〜３２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（３２
５１〜３２５６）を閉じ、補助バルブ（３２６０）を開
き、さらにメインバルブ（３１１８）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１５７】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（３１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１５８】さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各
々の層の作製条件に従って変更が加えられることは言う
までもない。

【０１５９】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。

【０１６０】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。

【０１６１】以上の様な方法により製造される電子写真
用光受容部材は、光源として可視光領域の広い範囲の波
長の光に対応でき、十分な帯電能および感度を実現で
き、残留電位および光メモリーを低減でき、ドット再現
性を高次元で成立できる。

【０１６２】この結果、本発明の電子写真用光受容部材
は電子写真装置として、複写機のみならずプリンター
（例えばＬＢＰプリンター）等に好適に適用することが
できる。

【０１６３】

【実施例】以下、実験例により本発明の効果を具体的に
説明する。

【０１６４】＜実験例１＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、アルミ
ニウムシリンダーに代えて、サンプル基板を設置するた
めの溝加工を施した円筒形のサンプルホルダーを用い、
ガラス基板（コーニング社 ７０５９）およびＳｉウエ
ハー上に、表１の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜
を堆積した。希釈ガスの流量を表２に示すように変化さ
せて数種類のサンプルを作製した。ガラス基板上の堆積
膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を測定した後、Ｃ
ｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性
エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜
はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）を測定した。表３
に作製したサンプルのＣｈ、Ｅｇ及びＥｕは示す。

【０１６５】表４から明らかなように、２５容量倍以上
２００容量倍以下のヘリウムガスを添加することで、Ｃ
ｈが１原子％以上１５原子％以下、Ｅｇが１．５ｅＶ以
上１．６５ｅＶ以下、Ｅｕが４０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ
以下の堆積膜が得られた。

【０１６６】

【表１】

【０１６７】なお、表１中の流量に関する単位は、ｍＬ
／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０１６８】

【表２】

【０１６９】なお、表２中の流量に関する単位は、ｍＬ
／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０１７０】

【表３】

【０１７１】次に、図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表４
に示す作製条件で表面層側の層領域に、表１及び２に示
した作製条件の膜を堆積して電子写真用光受容部材を作
製した。

【０１７２】作製した電子写真用光受容部材を電子写真
装置（キヤノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセ
ットして、電位特性の評価を行った。なお、表５中のサ
ンプル２〜６で示した電子写真用光受容部材が、実施例
１−１〜１−５である。

【０１７３】評価の際、プロセススピード３８０ｍｍ／
ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）７ｌｕｘ・
ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子
写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥ
Ｋ社 Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受
容部材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。

【０１７４】また、光受容部材に内蔵したドラムヒータ
ーにより装置温度を室温（約２５℃）から５０℃まで昇
温し、上記の条件にて帯電能を測定し、そのときの温度
１℃当たりの帯電能の変化を温度特性とした。

【０１７５】更に、メモリー電位は、上述の条件下にお
いて同様の電位センサーにより像露光光源に波長６６０
ｎｍのＬＥＤを用いてて、像露光の非露光状態での表面
電位と一旦露光した後に再度帯電したときとの電位差を
測定した。

【０１７６】加えて、像露光光源に波長６６０ｎｍのレ
ーザーを用いて、径６０μｍのワンドットの露光を与え
て表面電位の電位勾配を測定し、半値巾とドット径を比
較してドット再現性を評価した。

【０１７７】以上の測定条件により得られた帯電能、温
度特性、メモリー及びドット再現性の評価結果を表５に
示した。特性評価の基準としては、光導電層（層膜厚３
０μｍ）を第１の層領域のみで構成した電子写真用光受
容部材を作製した。帯電能に付いては、基準と比較し
て、±２０Ｖ以内を△、＋２０Ｖ以上を○、＋４０Ｖ以
上を◎、−２０Ｖ以下を▽とした。温度特性に付いて
は、±１．５Ｖ／ｄｅｇ以下を◎（優）、±３Ｖ／ｄｅ
ｇ以下を○（良）、±３Ｖ／ｄｅｇ以上を△（可）、±
５Ｖ／ｄｅｇ以上を▽（実用上問題無し）とした。メモ
リーに付いては、メモリー電位が５Ｖ以下を○、８Ｖ以
下を▽、１０Ｖ以上を▽とした。ドット再現性に付いて
は、１２０％以下を◎、１５０％以下を○、２００％以
下を△、２００％以上を▽とした。

【０１７８】表５から明らかなように、表面層側の層領
域に、２５容量倍以上２００容量倍以下のヘリウムガス
で希釈した堆積膜を用いることで、帯電能、温度特性、
メモリー及びドット再現性ともに良好な特性を得られる
ことが分かった。

【０１７９】

【表４】

【０１８０】なお、表４中の流量に関する単位は、ｍＬ
／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０１８１】

【表５】

【０１８２】＜実験例２＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムシリ
ンダーに代えて、サンプル基板を設置するための溝加工
を施した円筒形のサンプルホルダーを用い、ガラス基板
（コーニング社 ７０５９）及びＳｉウエハー上に、表
６の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。
圧力を表７に示すように変化させて数種類のサンプルを
作製し実験例１と同様に評価した。得られた結果を表８
に示した。

【０１８３】表８から明らかなように、圧力を７０Ｐａ
以上５００Ｐａ以下にすることで、Ｃｈが１原子％以上
１５原子％以下、Ｅｇが１．５ｅＶ以上１．６５ｅＶ以
下、Ｅｕが４０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下の堆積膜が得
られた。

【０１８４】

【表６】

【０１８５】なお、表６中の流量に関する単位は、ｍＬ
／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０１８６】

【表７】

【０１８７】

【表８】

【０１８８】次に、図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表９
に示す作製条件で表面層側の層領域に表６及び７に示し
た作製条件の膜を堆積して電子写真用光受容部材を作製
した。

【０１８９】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセットして、
実験例１と同様に電位特性の評価を行った。なお、表１
０中のサンプル３〜６で示した電子写真用光受容部材
が、実施例２−１〜２−４である。

【０１９０】表１０から明らかなように、表面層側の層
領域で圧力を７０Ｐａ以上１００Ｐａ以下とし、２５容
量倍以上２００容量倍以下のヘリウムガスで希釈した堆
積膜を用いることで、帯電能、温度特性、メモリー及び
ドット再現性ともに良好な特性を得られることが分かっ
た。

【０１９１】

【表９】

【０１９２】なお、表９中の流量に関する単位は、ｍＬ
／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０１９３】

【表１０】

【０１９４】＜実験例３＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、アルミニウムシリ
ンダーに代えて、サンプル基板を設置するための溝加工
を施した円筒形のサンプルホルダーを用い、ガラス基板
（コーニング社 ７０５９）及びＳｉウエハー上に、表
１１の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積し
た。希釈ガスとしてヘリウム及び水素の混合ガスを用
い、混合比を表１２示すように変化させて数種類のサン
プルを作製して実験例１と同様に評価した。得られた評
価を表１３に示した。

【０１９５】表１３から明らかなように、ヘリウムガス
に加える水素ガスの混合比を４０容量％以下にして混合
ガスを用いることで、Ｃｈが１０原子％以上２０原子％
以下、Ｅｇが１．５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが
４０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下の堆積膜が得られた。

【０１９６】

【表１１】

【０１９７】なお、表１１中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０１９８】

【表１２】

【０１９９】

【表１３】

【０２００】次に、図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表１
４に示す作製条件で表面層側の層領域に表１１及び１２
に示した作製条件から表面に向かって水素ガスの混合比
を減少するように変化させて膜を堆積して電子写真用光
受容部材を作製した。

【０２０１】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造）にセットして、
実験例１と同様に電位特性の評価を行った。なお、表１
５中のサンプル１〜５で示した電子写真用光受容部材
が、実施例３−１〜３−５である。

【０２０２】本例の帯電能、温度特性、メモリー、ドッ
ト再現性の評価結果を表１５に示した。表１５から明ら
かなように、表面層側の層領域で圧力を７０Ｐａ以上５
００Ｐａ以下とし、２５倍容量以上２００倍容量以下ヘ
リウムガス及び水素ガスで希釈し、水素ガスを４０容量
％以下の条件で作製された堆積膜を用いることで、帯電
能、温度特性、メモリー及びドット再現性ともに良好な
特性を得られることが分かった。

【０２０３】

【表１４】

【０２０４】なお、表１４中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２０５】

【表１５】

【０２０６】＜実施例４＞本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順とし、
表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１６
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２０７】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１．７４ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ３原子％、１．５８ｅＶｍ、４７ｍｅＶであっ
た。

【０２０８】作製した光受容部材を実験例１と同様の評
価をしたところ、同用に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２０９】すなわち、表面層のシリコン原子および炭
素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表
面層を設けた場合においても、電子写真用光受容部材と
して総合的に良好な特性を示すことが分かった。

【０２１０】

【表１６】

【０２１１】＜実施例５＞本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域、第３の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子、炭
素原子、酸素原子、窒素原子を含有した。表１７に、こ
のときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２１２】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２３原子％、１．７８ｅ
Ｖ、６０ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１６原子％、１．７５ｅＶ、５８ｍｅＶ、第３
の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１２原子％、
１．６２ｅＶ、４９ｍｅＶという結果が得られた。

【０２１３】作製した光受容部材を実験例１と同様の評
価をしたところ、同用に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２１４】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素原子、酸素
原子、窒素原子を含有させた場合においても、電子写真
用光受容部材として総合的に良好な特性を示すことが分
かった。

【０２１５】

【表１７】

【０２１６】なお、表１７中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２１７】＜実施例６＞本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順とし、
表面層を構成する原子として、炭素原子の代わりに窒素
原子の代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。
表１８に、このときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２１８】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１．８１ｅ
Ｖ、６０ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ９原子％、１．５５ｅＶｍ、４５ｍｅＶという
結果が得られた。

【０２１９】また、作製した光受容部材を実験例１と同
様の評価をしたところ、同用に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２２０】すなわち、表面層を構成する原子として、
炭素原子の代わりに窒素原子に含有させた表面層を設け
た場合においても、電子写真用光受容部材として総合的
に良好な特性を示すことが分かった。

【０２２１】

【表１８】

【０２２２】なお、表１８中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２２３】＜実施例７＞本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順とし、
表面層に窒素原子および酸素原子を含有させた。表１９
にこのときの光受容部材の作製条件を示した。そのと
き、第２の層領域は、水素ガスとヘリウムガスの混合ガ
スを用いて、混合比を直線的に変化させた。

【０２２４】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２５原子％、１．７４ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第２の層領域の支持体側のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕは、それぞれ１９原子％、１．７３ｅＶ、５０
ｍｅＶ、第２の層領域の表面側のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ５原子％、１．５８ｅＶ、４７ｍｅＶという結
果が得られた。

【０２２５】また、作製した光受容部材を実験例１と同
様の評価をしたところ、同用に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２２６】すなわち、表面側の層領域を積層すること
で、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことが分かった。

【０２２７】

【表１９】

【０２２８】なお、表１９中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２２９】＜実施例８＞本例では、光導電層に炭素源
としてＣＨ₄ガスを用いて炭素原子を含有する第１の層
領域と第２の層領域および表面層を形成した。表２０
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２３０】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１．７８ｅ
Ｖ、５３ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ６原子％、１．５ｅＶ、４５ｍｅＶ、第３の層
領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２３原子％、１．
８５ｅＶ、５４ｍｅＶという結果が得られた。

【０２３１】作製した光受容部材を実験例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２３２】すなわち、光導電層に炭素原子を含有さ
せ、電荷注入阻止層側から、第１の層領域、第２の層領
域の順とした２層構成とし、炭素原子を光導電層に含有
させた場合においても、表面側の層領域を積層すること
で、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことが分かった。

【０２３３】

【表２０】

【０２３４】なお、表２０中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２３５】＜実施例９＞本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順とし、
表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表２１
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２３６】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２９原子％、１．８３ｅ
Ｖ、６５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１０原子％、１．５７ｅＶ、４６ｍｅＶ、とい
う結果が得られた。

【０２３７】作製した光受容部材を実験例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２３８】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合に
おいても、表面側の層領域を積層することで、電子写真
用光受容部材として総合的に良好な特性を示すことが分
かった。

【０２３９】

【表２１】

【０２４０】なお、表２１中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２４１】＜実施例１０＞本例では、光導電層を電荷
注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域、第３の
層領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子
の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を
設けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子、
炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有させた。表２２
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２４２】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３１原子％、１．８２ｅ
Ｖ、６２ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ２２原子％、１．７８ｅＶ、５７ｍｅＶ、第３
の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１０原子％、
１．６０ｅＶ、４８ｍｅＶという結果が得られた。

【０２４３】作製した光受容部材を実験例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２４４】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に、全てのフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原
子、窒素原子を含有させた場合においても、表面側の層
領域を積層することで、電子写真用光受容部材として総
合的に良好な特性を示すことが分かった。

【０２４５】

【表２２】

【０２４６】なお、表２２中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２４７】＜実施例１１＞本例では、光導電層を電荷
注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域、第３の
層領域とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の
代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。表２３
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２４８】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２５原子％、１．７８ｅ
Ｖ、６２ｍｅＶ、第２の層領域の支持体側でＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１．７７ｅＶ、６０
ｍｅＶ、第２の層領域の表面側でＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１０原子％、１．６０ｅＶ、５０ｍｅＶ、第３
の層領域の支持体側でＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ１
２原子％、１．６１ｅＶ、４８ｍｅＶ、第３の層領域の
表面側でＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２原子％、１．
５２ｅＶ、４３ｍｅＶという結果が得られた。

【０２４９】また、作製した光受容部材を実験例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２５０】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域の順と
し、表面層を構成する原子として、炭素原子の代わりに
窒素原子を含有させた表面層を設けた場合においても、
表面側の層領域を積層することで、電子写真用光受容部
材として総合的に良好な特性を示すことが分かった。

【０２５１】

【表２３】

【０２５２】なお、表２３中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２５３】＜実施例１２＞本例では、光導電層を電荷
注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順と
し、表面層に窒素原子および酸素原子を含有させた。表
２４にこのときの光受容部材の作製条件を示した。

【０２５４】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１．８２ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ９原子％、１．５４ｅＶ、４７ｍｅＶという結
果が得られた。

【０２５５】また、作製した光受容部材を実験例１と同
様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得
られた。

【０２５６】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第１の層領域、第２の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子および酸素原子を含有させた
表面層を設けた場合においても、表面側の層領域を積層
することで、電子写真用光受容部材として総合的に良好
な特性を示すことが分かった。

【０２５７】

【表２４】

【０２５８】なお、表２４中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２５９】＜実施例１３＞本例では、光導電層に炭素
減としてＣＨ₄ガスを用いて炭素原子を含有する第１の
層領域と第２の層領域および表面層を形成した。表２５
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。光導電
層に含有させるホウ素原子は、層厚方向に不均一な分布
状態（指数関数的に表面側に向かって減少）とした。

【０２６０】本例では、光導電層の第１の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２３原子％、１．８０ｅ
Ｖ、６３ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１３原子％、１．６１ｅＶ、４９ｍｅＶ、とい
う結果が得られた。

【０２６１】作製した光受容部材を実験例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２６２】すなわち、光導電層に炭素原子を含有さ
せ、電荷注入阻止層側から、第１の層領域、第２の層領
域の順とした２層構成とし、炭素原子を光導電層に含有
させた場合においても、表面側の層領域を積層すること
で、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことが分かった。

【０２６３】

【表２５】

【０２６４】なお、表２５中の流量に関する単位は、ｍ
Ｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）である。

【０２６５】

【発明の効果】本発明によれば、光受容部材の使用温度
領域での温度特性と、デジタル画像のドット再現性が飛
躍的に改善されるとともに、光メモリーの発生を実質的
になくすることができるために、光受容部材の使用環境
に対する安定性が向上し、解像力の高い高品質の画像を
安定して得ることができる電子写真用光受容部材が得ら
れる。

【０２６６】したがって、本発明の電子写真用光受容部
材を前述のごとき製造方法により特定の構成としたこと
により、ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受容
部材における問題を改善でき、優れた電気特性、光学的
特性、光導電特性、画像特性、耐久性および使用環境特
性を実現できる。

【０２６７】特に、光導電層の表面層側の層領域を、光
導電層のその他の領域より高い反応容器内圧力で、ヘリ
ウムガスで２５容量倍以上２００容量倍以下に希釈し、
その堆積膜のＣｈを１原子％以上１５原子％以下、Ｅｇ
を１．５ｅＶ以上１．６５ｅＶ以下、およびＥｕを４０
ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下にすることによって、高い帯
電能、優れた電位特性、良好なデジタル画像特性（ドッ
ト再現性の向上）を実現でき、周囲環境の変動に対する
表面電位の変化を抑制できる。

【０２６８】また、光導電層の表面層側の層領域を、光
導電層のその他の領域より高い反応容器内圧力で、ヘリ
ウムガス及び水素ガスで２５容量倍以上２００容量倍以
下に希釈し、その堆積膜のＣｈを１原子％以上２０原子
％以下、Ｅｇを１．５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、およ
びＥｕを４０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下にすることによ
って、高い帯電能、優れた電位特性、良好なデジタル画
像特性（ドット再現性の向上）を実現でき、周囲環境の
変動に対する表面電位の変化を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】指数関数裾の特性エネルギーを説明するため
の、ａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクトルの例を示
す模式図である。

【図２】本発明の電子写真用光受容部材の例を説明する
ための模式的断面図である。

【図３】本発明の電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示す模式的説明図である。

【符号の説明】

２００ 電子写真用光受容部材 ２０１ 基体 ２０２ 光受容層 ２０３ 光導電層 ２０４ 表面層 ２０５ 電荷注入阻止層 ２１０ 自由表面 ２１１ 下層（第１の光導電層領域） ２１２ 上層（第２の光導電層領域） ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 円筒状基体 ３１１３ 基体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス導入管 ３１１５ マッチングボックス ３１１６ 原料ガス配管 ３１１７ 反応容器リークバルブ ３１１８ メイン排気バルブ ３１１９ 真空計 ３２００ 原料ガス供給装置 ３２１１ マスフローコントローラー ３２１２ マスフローコントローラー ３２１３ マスフローコントローラー ３２１４ マスフローコントローラー ３２１５ マスフローコントローラー ３２１６ マスフローコントローラー ３２２１ 原料ガスボンベ ３２２２ 原料ガスボンベ ３２２３ 原料ガスボンベ ３２２４ 原料ガスボンベ ３２２５ 原料ガスボンベ ３２２６ 原料ガスボンベ ３２３１ 原料ガスボンベバルブ ３２３２ 原料ガスボンベバルブ ３２３３ 原料ガスボンベバルブ ３２３４ 原料ガスボンベバルブ ３２３５ 原料ガスボンベバルブ ３２３６ 原料ガスボンベバルブ ３２４１ ガス流入バルブ ３２４２ ガス流入バルブ ３２４３ ガス流入バルブ ３２４４ ガス流入バルブ ３２４５ ガス流入バルブ ３２４６ ガス流入バルブ ３２５１ ガス流出バルブ ３２５２ ガス流出バルブ ３２５３ ガス流出バルブ ３２５４ ガス流出バルブ ３２５５ ガス流出バルブ ３２５６ ガス流出バルブ ３２６０ 補助バルブ ３２６１ 圧力調整器 ３２６２ 圧力調整器 ３２６３ 圧力調整器 ３２６４ 圧力調整器 ３２６５ 圧力調整器 ３２６６ 圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土田 伸史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 新納 博明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA24 DA31 DA37 EA24 4K030 AA02 AA06 AA16 AA17 BA29 BB12 BB13 CA02 CA07 CA16 CA17 FA01 FA03 JA05 JA06 JA09 KA23 LA17

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン原子を母体とする非単結晶材料
   で構成され、少なくとも２層以上の積層からなる光導電
   層を有する電子写真用光受容部材において、該光導電層
   の表面側領域（上層）は、シリコン原子含有ガス及びヘ
   リウムガスを用いてプラズマ気相成長法により作製さ
   れ、水素原子およびハロゲン原子の中で上層に含まれる
   原子の総含有量（Ｃｈ）は１原子％以上１５原子％以下
   であり、上層の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）は１．５
   ｅＶ以上１．６５ｅＶ以下であり、光子エネルギー（ｈ
   ν）を独立変数（ｅＶ）とし光吸収スペクトルの吸収係
   数（α）を従属変数（ｃｍ^-1）とする下記関係式（１） Ｌｎα ＝ （１／Ｅｕ）・ｈν ＋ α₁ （１） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）の傾きの
   逆数から決定される上層の特性エネルギー（Ｅｕ）は４
   ０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下であり、該光導電層の表面
   側以外の領域（下層）は、シリコン原子含有ガス及び水
   素ガスを用いて、プラズマ気相成長法により作製されも
   のであることを特徴とする電子写真用光受容部材。
2. 【請求項２】 シリコン原子を母体とする非単結晶材料
   で構成され、少なくとも２層以上の積層からなる光導電
   層を有する電子写真用光受容部材において、該光導電層
   の表面側領域（上層）は、シリコン原子含有ガス、ヘリ
   ウムガス及び水素ガスを用いて、ヘリウムガス及び水素
   ガスの混合比を堆積方向に変化させながら、プラズマ気
   相成長法により作製され、水素原子およびハロゲン原子
   の中で上層に含まれる原子の総含有量（Ｃｈ）は１原子
   ％以上２０原子％以下であり、上層の光学的バンドギャ
   ップ（Ｅｇ）は１．５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下であ
   り、光子エネルギー（ｈν）を独立変数（ｅＶ）とし光
   吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属変数（ｃｍ^-1）
   とする下記関係式（１） Ｌｎα ＝ （１／Ｅｕ）・ｈν ＋ α₁ （１） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）の傾きの
   逆数から決定される上層の特性エネルギー（Ｅｕ）は４
   ０ｍｅＶ以上５０ｍｅＶ以下であり、該光導電層の表面
   側以外の領域（下層）は、シリコン原子含有ガス及び水
   素ガスを用いて、プラズマ気相成長法により作製されも
   のであることを特徴とする電子写真用光受容部材。
3. 【請求項３】 前記上層の層厚は、最も長波長の露光を
   ９０％以上吸収するに必要な厚さ以上であることを特徴
   とする請求項１又は２記載の電子写真用光受容部材。
4. 【請求項４】 前記光導電層は、第１３族原子の１種以
   上を含有することを特徴とする請求項１乃至３いずれか
   に記載の電子写真用光受容部材。
5. 【請求項５】 シリコン原子を母体とする非単結晶材料
   で構成され、少なくとも２層以上の積層からなる光導電
   層を有する電子写真用光受容部材の製造方法において、
   水素ガスにより希釈されたシリコン原子含有ガスを用い
   て、プラズマ気相成長法により、該光導電層の表面側以
   外の領域（下層）を作製する工程と、該下層上に、ヘリ
   ウムガスにより希釈されたシリコン原子含有ガスを用い
   て、プラズマ気相成長法により、該光導電層の表面側領
   域（上層）を作製する工程と、を含むことを特徴とする
   電子写真用光受容部材の製造方法。
6. 【請求項６】 シリコン原子を母体とする非単結晶材料
   で構成され、少なくとも２層以上の積層からなる光導電
   層を有する電子写真用光受容部材の製造方法において、
   水素ガスにより希釈されたシリコン原子含有ガスを用い
   て、プラズマ気相成長法により、該光導電層の表面側以
   外の領域（下層）を作製する工程と、該下層上に、ヘリ
   ウムガス及び水素ガスにより希釈されたシリコン原子含
   有ガスを用いて、ヘリウムガス及び水素ガスの混合比を
   堆積方向に変化させながら、プラズマ気相成長法によ
   り、該光導電層の表面側領域（上層）を作製する工程
   と、を含むことを特徴とする電子写真用光受容部材の製
   造方法。
7. 【請求項７】 水素ガス及びヘリウムガスを混合し、徐
   々に水素ガスをヘリウムガスに変えながら、前記下層か
   ら前記上層に到る接続部を作製することを特徴とする請
   求項５又は６記載の電子写真用光受容部材の製造方法。
8. 【請求項８】 前記上層の作製工程において、ヘリウム
   ガス流量はシリコン原子含有ガス流量の２５容量倍以上
   ２００容量倍以下であることを特徴とする請求項５乃至
   ７いずれかに記載の電子写真用光受容部材の製造方法。
9. 【請求項９】 前記上層の作製工程において、ヘリウム
   ガス及び水素ガス総流量はシリコン原子含有ガス流量の
   ２５容量倍以上２００容量倍以下であり、水素ガス流量
   はヘリウムガス流量の４０容量％以下であることを特徴
   とする請求項６又は７記載の電子写真用光受容部材の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 前記下層の作製工程において、反応容
    器内の圧力は上層作製時の圧力未満であり、前記上層の
    作製工程において、反応容器内の圧力は７０Ｐａ以上５
    ００Ｐａ以下であることを特徴とする請求項５乃至９い
    ずれかに記載の電子写真用光受容部材の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記下層の作製工程において、水素ガ
    ス流量はシリコン原子含有ガス流量の３容量倍以上２０
    容量倍以下であることを特徴とする請求項５乃至１０い
    ずれかに記載の電子写真用光受容部材の製造方法。