JP2002311614A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents
電子写真用光受容部材Info
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- JP2002311614A JP2002311614A JP2001118127A JP2001118127A JP2002311614A JP 2002311614 A JP2002311614 A JP 2002311614A JP 2001118127 A JP2001118127 A JP 2001118127A JP 2001118127 A JP2001118127 A JP 2001118127A JP 2002311614 A JP2002311614 A JP 2002311614A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 帯電能の向上および温度特性ならびに光メモ
リーの低減が高次元で両立し、優れた電位特性、画像特
性を有する光受容部材を提供する。 【解決手段】 光受容部材の光導電層中に水素含有量、
光学的バンドギャップならびに光吸収スペクトルから得
られる指数関数裾の特性エネルギーの異なる層領域を有
する、特定の第一の層領域、第二の層領域、第三の層領
域を構成する。さらに周期律表第１３族元素の含有を各
層領域で支持体側で多くなるようにし各層領域の最小含
有量および最大含有量を特定値となるように構成する。
リーの低減が高次元で両立し、優れた電位特性、画像特
性を有する光受容部材を提供する。 【解決手段】 光受容部材の光導電層中に水素含有量、
光学的バンドギャップならびに光吸収スペクトルから得
られる指数関数裾の特性エネルギーの異なる層領域を有
する、特定の第一の層領域、第二の層領域、第三の層領
域を構成する。さらに周期律表第１３族元素の含有を各
層領域で支持体側で多くなるようにし各層領域の最小含
有量および最大含有量を特定値となるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等
を意味する。）のような電磁波に対して感受性を有する
光受容部材に関する。
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等
を意味する。）のような電磁波に対して感受性を有する
光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比「光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）」が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィス等
で使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部材
の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点
である。
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比「光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）」が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィス等
で使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部材
の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点
である。
【０００３】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、ａ-Ｓi:Ｈと
表記する）があり、例えば、特公昭６０-３５０５９号
公報には電子写真用光受容部材としての応用が記載され
ている。このような光受容部材は、一般的には、導電性
支持体を５０〜３５０℃に加熱し該支持体上に真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によ
りａ-Ｓiからなる光導電層を形成する。なかでもプラズ
マＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あるいはマイ
クロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ-Ｓi堆
積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付されて
いる。
料に水素化アモルファスシリコン（以下、ａ-Ｓi:Ｈと
表記する）があり、例えば、特公昭６０-３５０５９号
公報には電子写真用光受容部材としての応用が記載され
ている。このような光受容部材は、一般的には、導電性
支持体を５０〜３５０℃に加熱し該支持体上に真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によ
りａ-Ｓiからなる光導電層を形成する。なかでもプラズ
マＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あるいはマイ
クロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ-Ｓi堆
積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付されて
いる。
【０００４】また、特開昭５６-８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ-Ｓi（以下、ａ-Ｓi:Ｘと表記する）光導電層
からなる電子写真用光受容部材が提案されている。当該
公報においては、ａ-Ｓiにハロゲン原子を１〜４０原子
％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真用光
受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性を
得ることができるとしている。
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ-Ｓi（以下、ａ-Ｓi:Ｘと表記する）光導電層
からなる電子写真用光受容部材が提案されている。当該
公報においては、ａ-Ｓiにハロゲン原子を１〜４０原子
％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真用光
受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性を
得ることができるとしている。
【０００５】また、特開昭５７-１１５５５６号公報に
は、ａ-Ｓi堆積膜で構成された光導電層を有する光導電
部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学
的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。さらに、特開昭６０-６７９５１号
公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素および弗
素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層す
る感光体についての技術が記載され、また、特開昭６２
-１６８１６１号公報には、表面層として、シリコン原
子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素
として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
は、ａ-Ｓi堆積膜で構成された光導電層を有する光導電
部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学
的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。さらに、特開昭６０-６７９５１号
公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素および弗
素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層す
る感光体についての技術が記載され、また、特開昭６２
-１６８１６１号公報には、表面層として、シリコン原
子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素
として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
【０００６】さらに、特開昭５７-１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ-1と２０００ｃｍ-1の吸収ピークの
吸収係数比が０.２〜１.７であるａ-Ｓi:Ｈを光導電層
に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光体
が得られることが記載され、また、特開昭６２-８３４
７０号公報には、電子写真用感光体の光導電層において
光吸収スペクトルの指数関数裾の特性エネルギーを０.
０９ｅＶ以下にすることにより残像現象のない高品質の
画像を得る技術が開示されている。
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ-1と２０００ｃｍ-1の吸収ピークの
吸収係数比が０.２〜１.７であるａ-Ｓi:Ｈを光導電層
に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光体
が得られることが記載され、また、特開昭６２-８３４
７０号公報には、電子写真用感光体の光導電層において
光吸収スペクトルの指数関数裾の特性エネルギーを０.
０９ｅＶ以下にすることにより残像現象のない高品質の
画像を得る技術が開示されている。
【０００７】さらに、特開昭５８-２１２５７号公報に
は、光導電層の作製中に支持体温度を変化させることに
より光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であって
光感度領域の広い感光体を得る技術が開示され、また、
特開昭５８-１２１０４２号公報には、光導電層の膜厚
方向にエネルギーギャップ状態密度を変化させ、表層の
エネルギーギャップ状態密度を１０17〜１０19ｃｍ-3と
することにより、湿度による表面電位の低下を防止する
技術が開示されている。
は、光導電層の作製中に支持体温度を変化させることに
より光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であって
光感度領域の広い感光体を得る技術が開示され、また、
特開昭５８-１２１０４２号公報には、光導電層の膜厚
方向にエネルギーギャップ状態密度を変化させ、表層の
エネルギーギャップ状態密度を１０17〜１０19ｃｍ-3と
することにより、湿度による表面電位の低下を防止する
技術が開示されている。
【０００８】また、特開昭５９-１４３３７９号公報な
らびに特開昭６１-２０１４８１号公報には、水素含有
量の異なるａ-Ｓi:Ｈを積層することにより暗抵抗が高
く高感度の感光体を得る技術が開示されている。また、
特開昭５８-８８１１５号公報には、アモルファスシリ
コン感光体の光導電層中に周期律表第１３族元素を支持
体側に多くなるように分布させることにより、電荷保持
能が向上し、且つ残留電位のない感光体を得る技術が開
示されている。
らびに特開昭６１-２０１４８１号公報には、水素含有
量の異なるａ-Ｓi:Ｈを積層することにより暗抵抗が高
く高感度の感光体を得る技術が開示されている。また、
特開昭５８-８８１１５号公報には、アモルファスシリ
コン感光体の光導電層中に周期律表第１３族元素を支持
体側に多くなるように分布させることにより、電荷保持
能が向上し、且つ残留電位のない感光体を得る技術が開
示されている。
【０００９】一方、特開昭６０-９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。これらの技術により、電子写真用光
受容部材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環
境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してき
た。
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。これらの技術により、電子写真用光
受容部材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環
境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してき
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ-Ｓi系材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、および使用環境特性の点、さ
らには経時安定性および耐久性の点において、各々個々
には特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上
を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情で
ある。
ａ-Ｓi系材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、および使用環境特性の点、さ
らには経時安定性および耐久性の点において、各々個々
には特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上
を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情で
ある。
【００１１】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性のさらなる向上ととも
に、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に
性能を延ばすことが求められている。そして、電子写真
装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光
装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電
子写真用光受容部材においても従来以上の画像特性の向
上が求められるようになった。
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性のさらなる向上ととも
に、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に
性能を延ばすことが求められている。そして、電子写真
装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光
装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電
子写真用光受容部材においても従来以上の画像特性の向
上が求められるようになった。
【００１２】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、さらなる帯電能や画像品質の向上に
関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリ
コン系光受容部材のさらなる高画質化への課題として、
周囲温度の変化による電子写真特性の変動やブランクメ
モリーやゴーストといった光メモリーを低減することが
いっそう求められるようになってきた。
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、さらなる帯電能や画像品質の向上に
関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリ
コン系光受容部材のさらなる高画質化への課題として、
周囲温度の変化による電子写真特性の変動やブランクメ
モリーやゴーストといった光メモリーを低減することが
いっそう求められるようになってきた。
【００１３】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために前記特開昭６０-９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしなが
ら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリア
の生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特
性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光
体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを
えなかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒ
ーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１
００Ｖ程度低下してしまっていた。
ために前記特開昭６０-９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしなが
ら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリア
の生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特
性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光
体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを
えなかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒ
ーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１
００Ｖ程度低下してしまっていた。
【００１４】また、従来は複写機を使用しない夜間でも
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着す
ることによって発生する画像流れを防止するようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。この
ような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温
度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複
写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じてい
た。
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着す
ることによって発生する画像流れを防止するようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。この
ような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温
度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複
写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じてい
た。
【００１５】一方、同一原稿を連続して繰り返し複写す
ると、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃
度の低下やかぶりが生じることがあった。また、トナー
を節約するために違続複写時の紙間において感光体に照
射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画
像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前回の複写
行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、
いわゆるゴースト等が画像品質を向上させる上で問題に
なってきた。したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成等総合的
な観点からの改良を図るとともに、ａ-Ｓi材料そのもの
の一段の特性改良を図ることが必要とされている。
ると、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃
度の低下やかぶりが生じることがあった。また、トナー
を節約するために違続複写時の紙間において感光体に照
射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画
像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前回の複写
行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、
いわゆるゴースト等が画像品質を向上させる上で問題に
なってきた。したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成等総合的
な観点からの改良を図るとともに、ａ-Ｓi材料そのもの
の一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【００１６】そこで、本発明は、上述した従来のａ-Ｓi
で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材に
おける諸問題を解決することを目的とするものである。
すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能の向上と、温
度特性の低減および光メモリーの低減を高次元で両立し
て画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料で構成された光受容層を有する光受
容部材を提供することにある。
で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材に
おける諸問題を解決することを目的とするものである。
すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能の向上と、温
度特性の低減および光メモリーの低減を高次元で両立し
て画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料で構成された光受容層を有する光受
容部材を提供することにある。
【００１７】特に、電気的、光学的、光導電的特性が使
用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定し
ており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化
現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほと
んど観測されず、さらに画像品質の良好な、シリコン原
子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有
する光受容部材を提供することにある。
用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定し
ており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化
現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほと
んど観測されず、さらに画像品質の良好な、シリコン原
子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有
する光受容部材を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決のため、
本発明者は、光導電層のキャリアの挙動に着目し、ａ-
Ｓiの光学的バンドギャップおよびバンドギャップ内の
局在状態密度分布と帯電能や温度特性、光メモリーとの
関係について鋭意検討した結果、光導電層の厚さ方向に
おいて、水素含有量、光学的バンドギャップやバンドギ
ャップ内の局在状態密度を制御した層を積層し、その層
厚比も制御することにより上記目的を達成できるという
知見を得た。
本発明者は、光導電層のキャリアの挙動に着目し、ａ-
Ｓiの光学的バンドギャップおよびバンドギャップ内の
局在状態密度分布と帯電能や温度特性、光メモリーとの
関係について鋭意検討した結果、光導電層の厚さ方向に
おいて、水素含有量、光学的バンドギャップやバンドギ
ャップ内の局在状態密度を制御した層を積層し、その層
厚比も制御することにより上記目的を達成できるという
知見を得た。
【００１９】また、さらに本発明者は、ａ-Ｓiの光学的
バンドギャップおよびバンドギャップ内の局在状態密度
分布に加えて、電気伝導性を制御する周期律表第１３族
元素の分布について、鋭意検討した結果、光導電層の厚
さ方向において、水素含有量、光学的バンドギャップや
バンドギャップ内の局在状態密度の分布を制御し、且つ
周期律表第１３族元素の分布状態を特定することによ
り、上記目的を達成しさらに帯電能の向上とメモリーの
改善ができるという知見を得た。
バンドギャップおよびバンドギャップ内の局在状態密度
分布に加えて、電気伝導性を制御する周期律表第１３族
元素の分布について、鋭意検討した結果、光導電層の厚
さ方向において、水素含有量、光学的バンドギャップや
バンドギャップ内の局在状態密度の分布を制御し、且つ
周期律表第１３族元素の分布状態を特定することによ
り、上記目的を達成しさらに帯電能の向上とメモリーの
改善ができるという知見を得た。
【００２０】すなわち、シリコン原子を母体とし、水素
原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材
料で構成された光導電層を有する光受容部材において、
その層構造を特定化するように設計されて作製された光
受容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、特に電子写真用の光受容部材とし
て優れた特性を有していることを見いだした。
原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材
料で構成された光導電層を有する光受容部材において、
その層構造を特定化するように設計されて作製された光
受容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、特に電子写真用の光受容部材とし
て優れた特性を有していることを見いだした。
【００２１】このようなことから、本発明はつぎのよう
な特徴を有する発明を提供するものである。すなわち、
本発明の光受容部材は、第１に、シリコン原子を母体と
し水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単
結晶材料で構成された光導電層を有する光受容部材にお
いて、前記光導電層中に水素含有量、光学的バンドギャ
ップならびに光吸収スペクトルから得られる指数関数裾
の特性エネルギーの異なる層領域を有して帯電能、温度
特性を向上させると共に光メモリーの発生をなくして良
好な特性を発揮させるようにしたことを特徴としてい
る。
な特徴を有する発明を提供するものである。すなわち、
本発明の光受容部材は、第１に、シリコン原子を母体と
し水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単
結晶材料で構成された光導電層を有する光受容部材にお
いて、前記光導電層中に水素含有量、光学的バンドギャ
ップならびに光吸収スペクトルから得られる指数関数裾
の特性エネルギーの異なる層領域を有して帯電能、温度
特性を向上させると共に光メモリーの発生をなくして良
好な特性を発揮させるようにしたことを特徴としてい
る。
【００２２】そして、その光導電層は、第一の層領域、
第二の層領域と第三の層領域とを積層し、第一の層領域
における水素含有量が１０以上２５原子％以下、光学的
バンドギャップが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、光
吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ーが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、第二の層領
域における水素含有量が１５以上３０原子％以下、光学
的バンドギャップが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、
光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネル
ギーが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下であり、第三の層
領域における水素含有量が２５以上４０原子％以下、光
学的バンドギャップが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以
下、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エ
ネルギーが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とされている
ことを特徴としている。
第二の層領域と第三の層領域とを積層し、第一の層領域
における水素含有量が１０以上２５原子％以下、光学的
バンドギャップが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、光
吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ーが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下であり、第二の層領
域における水素含有量が１５以上３０原子％以下、光学
的バンドギャップが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、
光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネル
ギーが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下であり、第三の層
領域における水素含有量が２５以上４０原子％以下、光
学的バンドギャップが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以
下、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エ
ネルギーが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とされている
ことを特徴としている。
【００２３】さらに、その光導電層は、導電性支持体の
表面上における第一の層領域の上に第二の層領域、第三
の層領域が積層されていることを特徴としている。
表面上における第一の層領域の上に第二の層領域、第三
の層領域が積層されていることを特徴としている。
【００２４】第２に、その光導電層は、光導電層全体に
占める第一の層領域の膜厚の比が、０.０１〜０.３であ
ることを特徴としている。第３に、その光導電層は、光
導電層全体に占める第三の層領域の膜厚の比が０.１〜
０.３であることを特徴としている。
占める第一の層領域の膜厚の比が、０.０１〜０.３であ
ることを特徴としている。第３に、その光導電層は、光
導電層全体に占める第三の層領域の膜厚の比が０.１〜
０.３であることを特徴としている。
【００２５】第４に、その光導電層は、その光導電層中
に周期律表第１３族に属する元素の少なくとも一つを含
有していることを特徴としている。第５に、その光導電
層は、その光導電層中に周期律表第１３族に属する元素
の少なくとも一つを含有し、各層領域の支持体側で増加
していることを特徴としている。
に周期律表第１３族に属する元素の少なくとも一つを含
有していることを特徴としている。第５に、その光導電
層は、その光導電層中に周期律表第１３族に属する元素
の少なくとも一つを含有し、各層領域の支持体側で増加
していることを特徴としている。
【００２６】第６に、第三の層領域の表面側から０.５
μｍ以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素の含有量を０以上０.１ｐｐｍ以
下にすることを特徴としている。第７に、その光導電層
の周期律表第１３族に属する元素の含有量は、第一の層
領域よりも第二の層領域が、第二の層領域よりも第三の
層領域で少なくなっていることを特徴としている。
μｍ以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素の含有量を０以上０.１ｐｐｍ以
下にすることを特徴としている。第７に、その光導電層
の周期律表第１３族に属する元素の含有量は、第一の層
領域よりも第二の層領域が、第二の層領域よりも第三の
層領域で少なくなっていることを特徴としている。
【００２７】第８に、第一の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の平均含有量は、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２５ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。第９に、第二の層領域の周期律表第１３族に属
する元素の平均含有量は、シリコン原子に対して０.０
５ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下であることを特徴としてい
る。
に属する元素の平均含有量は、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２５ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。第９に、第二の層領域の周期律表第１３族に属
する元素の平均含有量は、シリコン原子に対して０.０
５ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下であることを特徴としてい
る。
【００２８】第１０に、第三の層領域の周期律表第１３
族に属する元素の平均含有量は、シリコン原子に対して
０.０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴と
している。第１１に、第一の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最小含有量は、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。
族に属する元素の平均含有量は、シリコン原子に対して
０.０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴と
している。第１１に、第一の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最小含有量は、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。
【００２９】第１２に、第一の層領域の周期律表第１３
族に属する元素の最大含有量は、シリコン原子に対して
０.５ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。第１３に、第二の層領域の周期律表第１３族に
属する元素の最小含有量は、シリコン原子に対して０.
０５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴として
いる。
族に属する元素の最大含有量は、シリコン原子に対して
０.５ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。第１３に、第二の層領域の周期律表第１３族に
属する元素の最小含有量は、シリコン原子に対して０.
０５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴として
いる。
【００３０】第１４に、第二の層領域の周期律表第１３
族に属する元素の最大含有量は、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。第１５に、第三の層領域の周期律表第１３族に
属する元素の最大含有量は、シリコン原子に対して０.
０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴として
いる。
族に属する元素の最大含有量は、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下であることを特徴とし
ている。第１５に、第三の層領域の周期律表第１３族に
属する元素の最大含有量は、シリコン原子に対して０.
０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴として
いる。
【００３１】第１６に、その光導電層は、その光導電層
中に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むことを特
徴としている。第１７に、その光導電層は、その光導電
層の表面上に、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含
むシリコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられて
いることを特徴としている。
中に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むことを特
徴としている。第１７に、その光導電層は、その光導電
層の表面上に、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含
むシリコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられて
いることを特徴としている。
【００３２】第１８に、その光導電層は、シリコン原子
を母体とし炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周
期律表第１３族から選ばれる元素の少なくとも一つを含
む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設け
られ、さらに該光導電層の表面上に、炭素、酸素、窒素
の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料からな
る表面層が設けられていることを特徴としている。
を母体とし炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周
期律表第１３族から選ばれる元素の少なくとも一つを含
む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設け
られ、さらに該光導電層の表面上に、炭素、酸素、窒素
の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料からな
る表面層が設けられていることを特徴としている。
【００３３】第１９に、その表面層は、その層厚が０.
０１〜３μｍであることを特徴としている。第２０に、
その電荷注入阻止層は、その層厚が０.１〜５μｍであ
ることを特徴としている。第２１に、その光導電層の層
厚が２０〜５０μｍであることを特徴としている。
０１〜３μｍであることを特徴としている。第２０に、
その電荷注入阻止層は、その層厚が０.１〜５μｍであ
ることを特徴としている。第２１に、その光導電層の層
厚が２０〜５０μｍであることを特徴としている。
【００３４】なお、本発明において用られている「指数
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾きを
意味している。このことを図１を用いて詳しく説明す
る。図１は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸に吸収係
数αを対数軸として示したａ-Ｓiのサブギャップ光吸収
スペクトルの１例である。このスペクトルは大きく二つ
の部分に分けられる。すなわち吸収係数αが光子エネル
ギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線的に変化す
る部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテイル）と、
αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部分Ａであ
る。
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾きを
意味している。このことを図１を用いて詳しく説明す
る。図１は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸に吸収係
数αを対数軸として示したａ-Ｓiのサブギャップ光吸収
スペクトルの１例である。このスペクトルは大きく二つ
の部分に分けられる。すなわち吸収係数αが光子エネル
ギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線的に変化す
る部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテイル）と、
αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部分Ａであ
る。
【００３５】Ｂ領域はａ-Ｓi中の価電子帯側のテイル準
位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ領
域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次式
で表される。
位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ領
域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次式
で表される。
【００３６】α＝αoｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） この両辺の対数をとると １ｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν±α１ ただし、α１＝
１ｎαo となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少ないことを意味する。
１ｎαo となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少ないことを意味する。
【００３７】（作用）本発明者らは、光学的バンドギャ
ップ（以下、Ｅｇと略記する）ならびにＣＰＭによつて
測定されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求
められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネル
ギー（以下、Ｅｕと略記する）と感光体特性との相関を
種々の条件に渡って調べた結果、Ｅｇ,Ｅｕとａ-Ｓｉ感
光体の帯電能、温度特性や光メモリーとが密接な関係に
あることを見いだし、さらに、それらの異なる膜を積層
することにより良好な感光体特性を発揮することを見い
だした。また、光生成キャリアである正孔子電子の層中
の移動を詳細に検討した結果、正孔の移動が温度特性や
メモリーに深く関わっていることを見出した。
ップ（以下、Ｅｇと略記する）ならびにＣＰＭによつて
測定されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求
められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネル
ギー（以下、Ｅｕと略記する）と感光体特性との相関を
種々の条件に渡って調べた結果、Ｅｇ,Ｅｕとａ-Ｓｉ感
光体の帯電能、温度特性や光メモリーとが密接な関係に
あることを見いだし、さらに、それらの異なる膜を積層
することにより良好な感光体特性を発揮することを見い
だした。また、光生成キャリアである正孔子電子の層中
の移動を詳細に検討した結果、正孔の移動が温度特性や
メモリーに深く関わっていることを見出した。
【００３８】Ｅｇ,Ｅｕの異なる膜を積層し、それぞれ
の層厚比の制御をさらに詳細に検討し、光キャリアの発
生領域の光キャリアと膜中フリーキャリアの挙動、キャ
リア（主に正孔）走行が主となる領域での挙動、そして
下部からの電荷注入によるキャリアと上部から走行キャ
リアの挙動を考察検討し、Ｅｇ,Ｅｕの異なる膜を積
層、層厚比を制御でスムーズなキャリアの動きを得られ
ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
の層厚比の制御をさらに詳細に検討し、光キャリアの発
生領域の光キャリアと膜中フリーキャリアの挙動、キャ
リア（主に正孔）走行が主となる領域での挙動、そして
下部からの電荷注入によるキャリアと上部から走行キャ
リアの挙動を考察検討し、Ｅｇ,Ｅｕの異なる膜を積
層、層厚比を制御でスムーズなキャリアの動きを得られ
ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００３９】またさらに、本発明者はＥｇ,Ｅｕの異な
る膜のそれぞれの層中で主たる電荷が走行するにつれ変
化する電界により、その時々の走行性が変化することを
見出し、Ｅｇ,Ｅｕの異なる膜を積層、層厚比を制御
し、且つその走行性の変化を小さくするように周期律表
第１３族に属する元素の分布制御により、さらに電子写
真特性を改善できることを見出し、本発明を完成するに
至った。
る膜のそれぞれの層中で主たる電荷が走行するにつれ変
化する電界により、その時々の走行性が変化することを
見出し、Ｅｇ,Ｅｕの異なる膜を積層、層厚比を制御
し、且つその走行性の変化を小さくするように周期律表
第１３族に属する元素の分布制御により、さらに電子写
真特性を改善できることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【００４０】すなわち、光学的バンドギャップが大き
く、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくし、且つ欠
陥の少なく膜中フリーキャリアを少なくした層領域を光
導電層の表面側に設置することで、帯電能を大幅に向上
させつつ温度特性を低減させ、そして光導電層の支持体
側に走行する正孔の走行性の変化を小さくすることで、
実質的にメモリーをなくすとともに欠陥の少ない級密な
層で密着性を向上させることができる。
く、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくし、且つ欠
陥の少なく膜中フリーキャリアを少なくした層領域を光
導電層の表面側に設置することで、帯電能を大幅に向上
させつつ温度特性を低減させ、そして光導電層の支持体
側に走行する正孔の走行性の変化を小さくすることで、
実質的にメモリーをなくすとともに欠陥の少ない級密な
層で密着性を向上させることができる。
【００４１】これをさらに詳しく説明すると、一般的
に、ａ-Ｓi:Ｈのバンドギャップ内には、Ｓi-Ｓi結合の
構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓiの未
結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因する
深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕
獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原因
になることが知られている。
に、ａ-Ｓi:Ｈのバンドギャップ内には、Ｓi-Ｓi結合の
構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓiの未
結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因する
深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕
獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原因
になることが知られている。
【００４２】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ ＰｈｏｔｏＣｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏ
ｄ:以後、ＣＰＭと略記する）は、ａ-Ｓi:Ｈの局在準位
にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定
する方法として有用である。
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ ＰｈｏｔｏＣｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏ
ｄ:以後、ＣＰＭと略記する）は、ａ-Ｓi:Ｈの局在準位
にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定
する方法として有用である。
【００４３】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影
響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器
を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、光学的バンドギャッ
プを大きくすることにより熱励起キャリアの生成を抑
え、なお且つキャリアの走行性を向上させることが温度
特性の向上のために必要である。
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影
響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器
を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、光学的バンドギャッ
プを大きくすることにより熱励起キャリアの生成を抑
え、なお且つキャリアの走行性を向上させることが温度
特性の向上のために必要である。
【００４４】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に極力残留すること
なく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走
行性を改善しなければならない。
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に極力残留すること
なく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走
行性を改善しなければならない。
【００４５】したがって、Ｃｈを少なくしてＥｇを広く
しつつＥｕを制御（低減）した光導電領域を光入射部と
して設けることにより、熱励起キャリアや光キャリアが
局在準位に捕獲される割合を小さくすることができるた
めにキャリアの走行性が飛躍的に改善される。またさら
なる効果として第二、第三の光導電領域は主たるキャリ
アを正孔としてその走行性を改善した層設計が可能とな
る。すなわち主たる光導電層にはＣｈを多くしてＥｇを
拡大しつつＥｕを制御（低減）した層を用いることによ
って、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なお且つ熱励
起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を
小さくすることができるためにキャリアの走行性が飛躍
的に改善される。
しつつＥｕを制御（低減）した光導電領域を光入射部と
して設けることにより、熱励起キャリアや光キャリアが
局在準位に捕獲される割合を小さくすることができるた
めにキャリアの走行性が飛躍的に改善される。またさら
なる効果として第二、第三の光導電領域は主たるキャリ
アを正孔としてその走行性を改善した層設計が可能とな
る。すなわち主たる光導電層にはＣｈを多くしてＥｇを
拡大しつつＥｕを制御（低減）した層を用いることによ
って、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なお且つ熱励
起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を
小さくすることができるためにキャリアの走行性が飛躍
的に改善される。
【００４６】さらに、伝導性を制御する物質の含有量お
よび分布を制御することにより、光導電層全体の正孔と
電子の走行性のバランスを改善される。つまり、光受容
部材の最表面側に第三の光導電領域を設けて、実質的に
光を吸収する領域を第三の光導電領域とすることによ
り、正孔電子個運剤領域を小さくし、且つ伝導性を制御
する物質の含有量および分布を制御することにより帯電
能、温度特性、メモリーを改善する点で顕著な効果が見
られる。
よび分布を制御することにより、光導電層全体の正孔と
電子の走行性のバランスを改善される。つまり、光受容
部材の最表面側に第三の光導電領域を設けて、実質的に
光を吸収する領域を第三の光導電領域とすることによ
り、正孔電子個運剤領域を小さくし、且つ伝導性を制御
する物質の含有量および分布を制御することにより帯電
能、温度特性、メモリーを改善する点で顕著な効果が見
られる。
【００４７】また、光受容部材の最も支持体側にＣｈを
少なくしてＥｇを狭くしつつＥｕを制御（低減）した層
領域において伝導性を制御する物質である周期律表第１
３族に属する元素の含有量を第二の光導電領域より多
く、且つ支持体側で多くなるように含有させた第一の光
導電領域を設けることにより、基板からの電荷（電子）
の注入を阻止する能力が向上すると共に、上部から走行
してくる電荷（正孔）の通過を妨げることなく、また電
界が小さくなる光導電層の支持体側での走行性を向上さ
せ、阻止能力と走行性のバランスをとざことで、帯電能
およびメモリー等を改善する効果が見られる。そして、
このような第一の光導電領域を基にした阻止層を光導電
層と支持体の間に設けることで、上記の効果がより有効
に現れると共に、密着性が向上することも明らかになっ
た。
少なくしてＥｇを狭くしつつＥｕを制御（低減）した層
領域において伝導性を制御する物質である周期律表第１
３族に属する元素の含有量を第二の光導電領域より多
く、且つ支持体側で多くなるように含有させた第一の光
導電領域を設けることにより、基板からの電荷（電子）
の注入を阻止する能力が向上すると共に、上部から走行
してくる電荷（正孔）の通過を妨げることなく、また電
界が小さくなる光導電層の支持体側での走行性を向上さ
せ、阻止能力と走行性のバランスをとざことで、帯電能
およびメモリー等を改善する効果が見られる。そして、
このような第一の光導電領域を基にした阻止層を光導電
層と支持体の間に設けることで、上記の効果がより有効
に現れると共に、密着性が向上することも明らかになっ
た。
【００４８】このとき、長波長をカットしたアナログ光
源（ハロゲンランプ）の光（６００ｎｍ付近を最長の波
長とする波長分布を持つ光）を実質的に吸収する光導電
層の領域、すなわち第三の層領域の表面側から０.５以
上１.５μｍ以下までの領域においては、周期律表第１
３族の元素の含有を極微少にして、電子の走行性を重視
した領域に調整することで、光導電層全域におけるキャ
リアの走行性をバランス良く改善できる。
源（ハロゲンランプ）の光（６００ｎｍ付近を最長の波
長とする波長分布を持つ光）を実質的に吸収する光導電
層の領域、すなわち第三の層領域の表面側から０.５以
上１.５μｍ以下までの領域においては、周期律表第１
３族の元素の含有を極微少にして、電子の走行性を重視
した領域に調整することで、光導電層全域におけるキャ
リアの走行性をバランス良く改善できる。
【００４９】つまり、光受容部材の主たる光導電領域で
ある第二の層領域の最表面側に第二の層領域よりＥｇが
大きい第三の層領域を設けて、実質的に光を吸収する領
域とし、支持体側に第二の層領域よりＥｇが小さい第一
の層領域を設置し、周期律表第１３族の元素の分布を支
持体側で多く且つ第三の層領域の表面側から０.５以上
１.５μｍ以下までの領域においては周期律表第１３族
に属する元素の含有量を０以上０.１ｐｐｍ以下にする
ことにより、特に帯電能、温度特性、メモリーについて
顕著な効果が見られる。
ある第二の層領域の最表面側に第二の層領域よりＥｇが
大きい第三の層領域を設けて、実質的に光を吸収する領
域とし、支持体側に第二の層領域よりＥｇが小さい第一
の層領域を設置し、周期律表第１３族の元素の分布を支
持体側で多く且つ第三の層領域の表面側から０.５以上
１.５μｍ以下までの領域においては周期律表第１３族
に属する元素の含有量を０以上０.１ｐｐｍ以下にする
ことにより、特に帯電能、温度特性、メモリーについて
顕著な効果が見られる。
【００５０】したがって、本発明は上記構成によって、
帯電能の向上と温度特性ならびに光メモリーの低減とを
高い次元で両立させ、前記した従来技術における諸問題
の全てを解決することができ、極めて優れた電気的、光
学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環境
性を示す光受容部材を得ることができる。
帯電能の向上と温度特性ならびに光メモリーの低減とを
高い次元で両立させ、前記した従来技術における諸問題
の全てを解決することができ、極めて優れた電気的、光
学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環境
性を示す光受容部材を得ることができる。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施態様を具体的
に説明する。図面に基づいて本発明の光受容部材につい
て詳細に説明する。図２は、本発明の光受容部材の層構
成を説明するための模式的構成図である。図２（ａ）に
示す光受容部材２００は、光受容部材用としての支持体
２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。該光
受容層２０２はａ-Ｓi:Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する
光導電層２０３で構成され、光導電層２０３は支持体２
０１側から順に第一の層領域２１１と第二の層領域２１
２、第三の層領域２１３とからなっている。
に説明する。図面に基づいて本発明の光受容部材につい
て詳細に説明する。図２は、本発明の光受容部材の層構
成を説明するための模式的構成図である。図２（ａ）に
示す光受容部材２００は、光受容部材用としての支持体
２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。該光
受容層２０２はａ-Ｓi:Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する
光導電層２０３で構成され、光導電層２０３は支持体２
０１側から順に第一の層領域２１１と第二の層領域２１
２、第三の層領域２１３とからなっている。
【００５２】図２（ｂ）に示す光受容部材２００は、光
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。該光受容層２０２はａ-Ｓi:Ｈ,Ｘ
からなり光導電性を有する光導電層２０３と、アモルフ
ァスシリコン系表面層２０４とから構成されている。ま
た、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第一の層
領域２１１と第二の層領域２１２、第三の層領域２１３
とからなっている。
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。該光受容層２０２はａ-Ｓi:Ｈ,Ｘ
からなり光導電性を有する光導電層２０３と、アモルフ
ァスシリコン系表面層２０４とから構成されている。ま
た、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第一の層
領域２１１と第二の層領域２１２、第三の層領域２１３
とからなっている。
【００５３】図２（ｃ）に示す光受容部材２００は、光
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。該光受容層２０２は支持体２０１
側から順にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層２０
５と、ａ-Ｓi:Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する光導電層
２０３と、アモルファスシリコン系表面層２０４とから
構成されている。また、光導電層２０３は電荷注入阻止
層２０５側から順に第一の層領域２１１と第二の層領域
２１２、第三の層領域２１３とからなっている。
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。該光受容層２０２は支持体２０１
側から順にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層２０
５と、ａ-Ｓi:Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する光導電層
２０３と、アモルファスシリコン系表面層２０４とから
構成されている。また、光導電層２０３は電荷注入阻止
層２０５側から順に第一の層領域２１１と第二の層領域
２１２、第三の層領域２１３とからなっている。
【００５４】（支持体）本発明において使用される支持
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、Ａl,Ｃr,Ｍo,Ａu,Ｉn,Ｎb,Ｔe,
Ｖ,Ｔi,Ｐt,Ｐd,Ｆe等の金属、およびこれらの合金、例
えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、
ポリエチレン、ポリカーボネードセルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、
ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラ
ス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも光受
容層を形成する側の表面を導電処理した支持体も用いる
ことができる。
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、Ａl,Ｃr,Ｍo,Ａu,Ｉn,Ｎb,Ｔe,
Ｖ,Ｔi,Ｐt,Ｐd,Ｆe等の金属、およびこれらの合金、例
えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、
ポリエチレン、ポリカーボネードセルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、
ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラ
ス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも光受
容層を形成する側の表面を導電処理した支持体も用いる
ことができる。
【００５５】本発明において使用される支持体２０１の
形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受
容部材２００を形成し得るように適宜決定するが、光受
容部材２００としての可撓性が要求される場合には、支
持体２０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体２
０１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から
通常は１０μｍ以上とされる。
形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受
容部材２００を形成し得るように適宜決定するが、光受
容部材２００としての可撓性が要求される場合には、支
持体２０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体２
０１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から
通常は１０μｍ以上とされる。
【００５６】（光導電層）本発明において、その目的を
効果的に達成するためた支持体２０１上に形成され、光
受容層２０２の一部を構成する光導電層２０３は真空堆
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成する
ことができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備
資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部
材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採
用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造する
に当たっての条件の制御が比較的容易であることからグ
ロー放電法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波グ
ロー放電法が好適である。
効果的に達成するためた支持体２０１上に形成され、光
受容層２０２の一部を構成する光導電層２０３は真空堆
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成する
ことができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備
資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部
材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採
用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造する
に当たっての条件の制御が比較的容易であることからグ
ロー放電法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波グ
ロー放電法が好適である。
【００５７】グロー放電法によって光導電層２０３を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓi）を供給し
得るＳi供給用の原料ガスと、水素原子Ｈを供給し得る
Ｈ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子Ｘを供
給し得るＸ供給用の原料ガスを内部が減圧にし得る反応
容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグ
ロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置され
てある所定の支持体２０１上にａ-Ｓi:Ｈ,Ｘからなる層
を形成すればよい。
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓi）を供給し
得るＳi供給用の原料ガスと、水素原子Ｈを供給し得る
Ｈ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子Ｘを供
給し得るＸ供給用の原料ガスを内部が減圧にし得る反応
容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグ
ロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置され
てある所定の支持体２０１上にａ-Ｓi:Ｈ,Ｘからなる層
を形成すればよい。
【００５８】また、本発明においては光導電層２０３中
に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されるこ
とが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補
償し層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は、第一の層領域の場合、シリ
コン原子と水素原子または／およびハロゲン原子の和に
対して１０〜２５原子％とされるのが望ましく、第二の
層領域の場合、シリコン原子と水素原子または／および
ハロゲン原子の和に対して１５〜３０原子％とされるの
が望ましく、第三の層領域の場合、シリコン原子と水素
原子または／およびハロゲン原子の和に対して２５〜４
０原子％とされるのが望ましい。
に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されるこ
とが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補
償し層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は、第一の層領域の場合、シリ
コン原子と水素原子または／およびハロゲン原子の和に
対して１０〜２５原子％とされるのが望ましく、第二の
層領域の場合、シリコン原子と水素原子または／および
ハロゲン原子の和に対して１５〜３０原子％とされるの
が望ましく、第三の層領域の場合、シリコン原子と水素
原子または／およびハロゲン原子の和に対して２５〜４
０原子％とされるのが望ましい。
【００５９】本発明において使用されるＳi供給用ガス
となり得る物質としては、ＳiＨ4,Ｓi2Ｈ6,Ｓi3Ｈ8,Ｓi
4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
さらに、層作製時の取り扱い易さ、Ｓi供給効率の良
さ、等の点でＳiＨ4,Ｓi2Ｈ6が好ましいものとして挙げ
られる。
となり得る物質としては、ＳiＨ4,Ｓi2Ｈ6,Ｓi3Ｈ8,Ｓi
4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
さらに、層作製時の取り扱い易さ、Ｓi供給効率の良
さ、等の点でＳiＨ4,Ｓi2Ｈ6が好ましいものとして挙げ
られる。
【００６０】そして、形成される光導電層２０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2お
よび／またはＨeあるいは水素原子を含む珪素化合物の
ガスも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2お
よび／またはＨeあるいは水素原子を含む珪素化合物の
ガスも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。
【００６１】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガスＦ2,ＢrＦ,ＣlＦ,
ＣlＦ3,ＢrＦ3,Ｂr5,ＩＦ3,ＩＦ7等のハロゲン間化合物
を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合
物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体と
しては、具体的には、例えばＳiＦ4,Ｓi2Ｆ6等の弗化珪
素が好ましいものとして挙げることができる。
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガスＦ2,ＢrＦ,ＣlＦ,
ＣlＦ3,ＢrＦ3,Ｂr5,ＩＦ3,ＩＦ7等のハロゲン間化合物
を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合
物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体と
しては、具体的には、例えばＳiＦ4,Ｓi2Ｆ6等の弗化珪
素が好ましいものとして挙げることができる。
【００６２】光導電層２０３中に含有される水素原子ま
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体２０１の温度、水素原子または／およびハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体２０１の温度、水素原子または／およびハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００６３】本発明においては、光導電層２０３に伝導
性を制御する原子を分布させることが必要である。伝導
性を制御する原子は、光導電層２０３中に第一の層領域
および第二の層領域の層厚方向支持体側が多くなるよう
に分布させれば、層領域中で不均一な分布状態で含有さ
れていてもよいが、第三の層領域の表面側から０.５以
上１.５μｍ以下までの領域においては伝導性を制御す
る原子の含有が微少になるように分布させることが必要
である。
性を制御する原子を分布させることが必要である。伝導
性を制御する原子は、光導電層２０３中に第一の層領域
および第二の層領域の層厚方向支持体側が多くなるよう
に分布させれば、層領域中で不均一な分布状態で含有さ
れていてもよいが、第三の層領域の表面側から０.５以
上１.５μｍ以下までの領域においては伝導性を制御す
る原子の含有が微少になるように分布させることが必要
である。
【００６４】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原子
（以後、第１３族原子と略記する）を用いることができ
る。第１３族原子としては具体的には、硼素Ｂ、アルミ
ニウムＡl、ガリウムＧa、インジウムＩn、タリウムＴ
ｌ等があり、特にＢ,Ａl,Ｇaが好適である。
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原子
（以後、第１３族原子と略記する）を用いることができ
る。第１３族原子としては具体的には、硼素Ｂ、アルミ
ニウムＡl、ガリウムＧa、インジウムＩn、タリウムＴ
ｌ等があり、特にＢ,Ａl,Ｇaが好適である。
【００６５】第一の層領域２１１に含有される、伝導性
を制御する原子の含有量としては、０.１〜２５ｐｐ
ｍ、第二の層領域２１２に含有される伝導性を制御する
原子の含有量としては、０.０５〜１５ｐｐｍ、第三の
層領域２１３に含有される伝導性を制御する原子の含有
量としては、０.０１〜１０ｐｐｍの間で各層領域で適
宜選択して含有されるのが望ましい。また、分布させる
場合も最大含有量および最小含有量を各層で適宜選択し
て含有変化させることが望ましい。そのとき、各層領域
の支持体側で伝導性を制御する原子の含有量を多くする
ことが必要である。
を制御する原子の含有量としては、０.１〜２５ｐｐ
ｍ、第二の層領域２１２に含有される伝導性を制御する
原子の含有量としては、０.０５〜１５ｐｐｍ、第三の
層領域２１３に含有される伝導性を制御する原子の含有
量としては、０.０１〜１０ｐｐｍの間で各層領域で適
宜選択して含有されるのが望ましい。また、分布させる
場合も最大含有量および最小含有量を各層で適宜選択し
て含有変化させることが望ましい。そのとき、各層領域
の支持体側で伝導性を制御する原子の含有量を多くする
ことが必要である。
【００６６】さらに第一の層領域２１１における分布に
ついては、伝導性を制御する原子の第一の層領域の最大
含有量はシリコン原子に対して０.５ｐｐｍ以上５０ｐ
ｐｍ以下、最小含有量はシリコン原子に対して０.１ｐ
ｐｍ以上２０ｐｐｍ以下となるようすることが望まし
い。第二の層領域２１２における分布については、伝導
性を制御する原子の第二の層領域の最大含有量はシリコ
ン原子に対して０.１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下、最小
含有量はシリコン原子に対して０.０５ｐｐｍ以上１０
ｐｐｍ以下となるようすることが望ましい。そして第三
の層領域２１３における分布については、伝導性を制御
する原子の第三の層領域の最大含有量はシリコン原子に
対して０.０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下とすることが
望ましい。
ついては、伝導性を制御する原子の第一の層領域の最大
含有量はシリコン原子に対して０.５ｐｐｍ以上５０ｐ
ｐｍ以下、最小含有量はシリコン原子に対して０.１ｐ
ｐｍ以上２０ｐｐｍ以下となるようすることが望まし
い。第二の層領域２１２における分布については、伝導
性を制御する原子の第二の層領域の最大含有量はシリコ
ン原子に対して０.１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下、最小
含有量はシリコン原子に対して０.０５ｐｐｍ以上１０
ｐｐｍ以下となるようすることが望ましい。そして第三
の層領域２１３における分布については、伝導性を制御
する原子の第三の層領域の最大含有量はシリコン原子に
対して０.０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下とすることが
望ましい。
【００６７】また、第三の層領域の表面側から０.５以
上１.５μｍ以下までの領域においては伝導性を制御す
る原子の含有量はシリコン原子に対して０以上０.１ｐ
ｐｍ以下になるようにすることが望ましい。各層領域に
おいては、伝導性を制御する原子を最大含有量から最小
含有量へ変化させて含有させることが望ましい。
上１.５μｍ以下までの領域においては伝導性を制御す
る原子の含有量はシリコン原子に対して０以上０.１ｐ
ｐｍ以下になるようにすることが望ましい。各層領域に
おいては、伝導性を制御する原子を最大含有量から最小
含有量へ変化させて含有させることが望ましい。
【００６８】伝導性を制御する原子の平均含有量が、第
一の層領域で０.１ｐｐｍ以下、第二の層領域で０.０５
ｐｐｍ以下、第三の層領域で０.０１ｐｐｍ以下である
と、正孔の走行性が小さく、特性の改善を示さずに残留
電位およびメモリー電位の改善ができない。また伝導性
を制御する原子の平均含有量が、第一の層領域で２５ｐ
ｐｍ以上、第二の層領域で２０ｐｐｍ以上、第三の層領
域で１５ｐｐｍ以上、特に第三の層領域の表面側０.５
以上１.５μｍの領域において伝導性を制御する原子の
含有量の層中平均が０.１ｐｐｍ以上であると、含有量
が多くなりすぎて、フリーキャリア増となり帯電能およ
び温度特性の改善がなされない。
一の層領域で０.１ｐｐｍ以下、第二の層領域で０.０５
ｐｐｍ以下、第三の層領域で０.０１ｐｐｍ以下である
と、正孔の走行性が小さく、特性の改善を示さずに残留
電位およびメモリー電位の改善ができない。また伝導性
を制御する原子の平均含有量が、第一の層領域で２５ｐ
ｐｍ以上、第二の層領域で２０ｐｐｍ以上、第三の層領
域で１５ｐｐｍ以上、特に第三の層領域の表面側０.５
以上１.５μｍの領域において伝導性を制御する原子の
含有量の層中平均が０.１ｐｐｍ以上であると、含有量
が多くなりすぎて、フリーキャリア増となり帯電能およ
び温度特性の改善がなされない。
【００６９】また、伝導性を制御する原子を分布させる
場合には、その最大含有量から最小含有量へ変化させて
分布させることが必要であるが、その最小含有量は、第
一の層領域で０.１ｐｐｍ以下、第二の層領域で０.０５
ｐｐｍ以下であると、正孔の走行性が小さく、特性の改
善を示さずに残留電位およびメモリー電位の上昇が生じ
る。また伝導性を制御する原子の最大含有量が、第一の
層領域で５０ｐｐｍ以上、第二の層領域で２５ｐｐｍ以
上、第三の層領域で１８ｐｐｍ以上、特に第三の層領域
の表面側０.５以上１.５μｍの領域において伝導性を制
御する原子の含有量の層中平均が０.１ｐｐｍ以上であ
ると、含有量が多くなりすぎると、フリーキャリア増に
なり帯電能および温度特性の改善がなされない。
場合には、その最大含有量から最小含有量へ変化させて
分布させることが必要であるが、その最小含有量は、第
一の層領域で０.１ｐｐｍ以下、第二の層領域で０.０５
ｐｐｍ以下であると、正孔の走行性が小さく、特性の改
善を示さずに残留電位およびメモリー電位の上昇が生じ
る。また伝導性を制御する原子の最大含有量が、第一の
層領域で５０ｐｐｍ以上、第二の層領域で２５ｐｐｍ以
上、第三の層領域で１８ｐｐｍ以上、特に第三の層領域
の表面側０.５以上１.５μｍの領域において伝導性を制
御する原子の含有量の層中平均が０.１ｐｐｍ以上であ
ると、含有量が多くなりすぎると、フリーキャリア増に
なり帯電能および温度特性の改善がなされない。
【００７０】伝導性を制御する原子、例えば、第１３族
原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族
原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導
電層２０３を形成するための他のガスとともに導入して
やればよい。第１３族原子導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。
原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族
原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導
電層２０３を形成するための他のガスとともに導入して
やればよい。第１３族原子導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。
【００７１】そのような第１３族原子導入用の原料物質
として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6,
Ｂ4Ｈ10,Ｂ5Ｈ9,Ｂ5Ｈ11,Ｂ6Ｈ10,Ｂ6Ｈ12,Ｂ6Ｈ14等の
水素化硼素、ＢＦ3,ＢＣl3,ＢＢr3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、ＡlＣl3,ＧaＣl3,Ｇa(ＣＨ3)
3,ＩnＣl3,ＴlＣl3等も挙げることができる。また、こ
れらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に
応じてＨ2および／またはＨｅにより希釈して使用して
もよい。
として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6,
Ｂ4Ｈ10,Ｂ5Ｈ9,Ｂ5Ｈ11,Ｂ6Ｈ10,Ｂ6Ｈ12,Ｂ6Ｈ14等の
水素化硼素、ＢＦ3,ＢＣl3,ＢＢr3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、ＡlＣl3,ＧaＣl3,Ｇa(ＣＨ3)
3,ＩnＣl3,ＴlＣl3等も挙げることができる。また、こ
れらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に
応じてＨ2および／またはＨｅにより希釈して使用して
もよい。
【００７２】さらに本発明においては、光導電層２０３
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子を含有させることも有効である。炭素原子および／
または酸素原子／およびまたは窒素原子の含有量はシリ
コン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に対
して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましく
は１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原子
％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子および
／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有
されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化す
るような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子を含有させることも有効である。炭素原子および／
または酸素原子／およびまたは窒素原子の含有量はシリ
コン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に対
して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましく
は１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原子
％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子および
／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有
されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化す
るような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
【００７３】本発明において、光導電層２０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２
０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適に
は２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０μ
ｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実
用上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層
の作製時間が長くなって製造コストが高くなる。
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２
０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適に
は２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０μ
ｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実
用上不充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層
の作製時間が長くなって製造コストが高くなる。
【００７４】また、本発明において、光導電層２０３全
体（第一の層領域＋第二の層領域＋第三の層領域）に占
める第一の層領域の膜厚の比は、０.０１以上０.３以下
とすることが望ましい。また、第三の層領域の膜厚の比
は、０.１以上０.３以下とすることが望ましい。第一の
層領域の膜厚比が０.０１より小さいと、正孔が走行す
る区間中の第二の層領域の部分が増え、正孔の走行性に
最適化した第一の層領域の役割を発揮することができ
ず、帯電能向上やメモリー低減の効果を充分に発揮する
ことができない。また、密着性の向上についての効果も
充分に発揮することができない。
体（第一の層領域＋第二の層領域＋第三の層領域）に占
める第一の層領域の膜厚の比は、０.０１以上０.３以下
とすることが望ましい。また、第三の層領域の膜厚の比
は、０.１以上０.３以下とすることが望ましい。第一の
層領域の膜厚比が０.０１より小さいと、正孔が走行す
る区間中の第二の層領域の部分が増え、正孔の走行性に
最適化した第一の層領域の役割を発揮することができ
ず、帯電能向上やメモリー低減の効果を充分に発揮する
ことができない。また、密着性の向上についての効果も
充分に発揮することができない。
【００７５】また、第一の層領域を０.３より大きくす
ると、光学的バンドギャップの小さい領域が増加するこ
とにより熱励起キャリアの生成が増加し、温度特性の低
減の効果が小さくなる。また所望の特性を有する第一の
層領域を得るためには堆積速度を小さくする必要がある
ため、第一の層領域を厚くすることは生産時間が長時間
になりコストが上昇する。
ると、光学的バンドギャップの小さい領域が増加するこ
とにより熱励起キャリアの生成が増加し、温度特性の低
減の効果が小さくなる。また所望の特性を有する第一の
層領域を得るためには堆積速度を小さくする必要がある
ため、第一の層領域を厚くすることは生産時間が長時間
になりコストが上昇する。
【００７６】第三の層領域の膜厚比が０.１より小さい
と、光キャリアの生成領域が第二の層領域まで達してし
まう、すなわち光学的バンドギャップの小さな領域が表
面に近いところにも増えることとなり、そのため熱励起
キャリアが伝導に関与する割合が増える、さらに正孔が
走行する区間中の第二の層領域の部分も増えることとな
り、帯電中のキャリアの走行性や光キヤリアの走行性に
最適化した第三の層領域の役割を発揮することができ
ず、帯電能向上、温度特性の改善やメモリー低減の効果
を充分に発揮することができない。
と、光キャリアの生成領域が第二の層領域まで達してし
まう、すなわち光学的バンドギャップの小さな領域が表
面に近いところにも増えることとなり、そのため熱励起
キャリアが伝導に関与する割合が増える、さらに正孔が
走行する区間中の第二の層領域の部分も増えることとな
り、帯電中のキャリアの走行性や光キヤリアの走行性に
最適化した第三の層領域の役割を発揮することができ
ず、帯電能向上、温度特性の改善やメモリー低減の効果
を充分に発揮することができない。
【００７７】また、第三の層領域を０.３より大きくす
ると、光学的バンドギャップの大きい領域が増えて、バ
ンドギャップ内で伝導帯まであがれないキャリアの増加
や帯電中で掃き出されないキャリアの増加を導き、帯電
能の向上や温度特性の低減の効果が小さくなる。
ると、光学的バンドギャップの大きい領域が増えて、バ
ンドギャップ内で伝導帯まであがれないキャリアの増加
や帯電中で掃き出されないキャリアの増加を導き、帯電
能の向上や温度特性の低減の効果が小さくなる。
【００７８】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層２０３を形成するにはＳi供給用のガスと
希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力な
らびに支持体温度を適宜設定することが必要である。希
釈ガスとして使用するＨ2および／またはＨｅの流量
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓi供給用ガスに対しＨ2および／またはＨeを、通常の
場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５〜
１０倍の範囲に制御することが望ましい。反応容器内の
ガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、通常の場合１.０×１０-2〜１.０×１０3Ｐ
ａ、好ましくは５.０×１０-2〜５.０×１０2Ｐａ、最
適には１.０×１０-1〜１.０×１０2Ｐａとするのが好
ましい。
する光導電層２０３を形成するにはＳi供給用のガスと
希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力な
らびに支持体温度を適宜設定することが必要である。希
釈ガスとして使用するＨ2および／またはＨｅの流量
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓi供給用ガスに対しＨ2および／またはＨeを、通常の
場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５〜
１０倍の範囲に制御することが望ましい。反応容器内の
ガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、通常の場合１.０×１０-2〜１.０×１０3Ｐ
ａ、好ましくは５.０×１０-2〜５.０×１０2Ｐａ、最
適には１.０×１０-1〜１.０×１０2Ｐａとするのが好
ましい。
【００７９】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓi供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、第一の層領域は０.５〜４、
好ましくは１〜３の範囲に設定することが望ましく、第
二の層領域は２〜８、好ましくは３〜６の範囲に設定す
ることが望ましく、第三の層領域は３〜１０、好ましく
は４〜８の範囲に設定することが望ましい。また、第二
の層領域および第三の層領域のＳi供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を第一の層領域に比べて大きく
し、いわゆるフローリミット領域で作製することが好ま
しい。さらに、支持体２０１の温度は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓi供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、第一の層領域は０.５〜４、
好ましくは１〜３の範囲に設定することが望ましく、第
二の層領域は２〜８、好ましくは３〜６の範囲に設定す
ることが望ましく、第三の層領域は３〜１０、好ましく
は４〜８の範囲に設定することが望ましい。また、第二
の層領域および第三の層領域のＳi供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を第一の層領域に比べて大きく
し、いわゆるフローリミット領域で作製することが好ま
しい。さらに、支持体２０１の温度は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【００８０】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。
【００８１】（表面層）本発明においては、上述のよう
にして支持体２０１上に形成された光導電層２０３の上
に、さらにアモルファスシリコン系の表面層２０４を形
成することが好ましい。この表面層２０４は自由表面２
０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的
を達成するために設けられる。また、本発明において
は、光受容層２０２を構成する光導電層２０３と表面層
２０４とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子と
いう共通の構成要素を有しているので、積層界面におい
て化学的な安定性の確保が十分成されている。
にして支持体２０１上に形成された光導電層２０３の上
に、さらにアモルファスシリコン系の表面層２０４を形
成することが好ましい。この表面層２０４は自由表面２
０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的
を達成するために設けられる。また、本発明において
は、光受容層２０２を構成する光導電層２０３と表面層
２０４とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子と
いう共通の構成要素を有しているので、積層界面におい
て化学的な安定性の確保が十分成されている。
【００８２】表面層２０４は、アモルファスシリコン系
の材料であれば、いれずの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子Ｈおよび／またはハロゲン原子Ｘを含有
し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下、ａ-ＳiＣ:Ｈ,Ｘと表記する）、水素原子Ｈおよ
び／またはハロゲン原子Ｘを含有し、さらに酸素原子を
含有するアモルファスシリコン（以下、ａ-ＳiＯ:Ｈ,Ｘ
と表記する）、水素原子Ｈおよび／またはハロゲン原子
Ｘを含有し、さらに窒素原子を含有するアモルファスシ
リコン（以下、ａ-ＳiＮ:Ｈ,Ｘと表記する）、水素原子
Ｈおよび／またはハロゲン原子Ｘを含有し、さらに炭素
原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有する
アモルファスシリコン（以下、ａ-ＳiＣＯＮ:Ｈ,Ｘと表
記する）等の材料が好適に用いられる。
の材料であれば、いれずの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子Ｈおよび／またはハロゲン原子Ｘを含有
し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下、ａ-ＳiＣ:Ｈ,Ｘと表記する）、水素原子Ｈおよ
び／またはハロゲン原子Ｘを含有し、さらに酸素原子を
含有するアモルファスシリコン（以下、ａ-ＳiＯ:Ｈ,Ｘ
と表記する）、水素原子Ｈおよび／またはハロゲン原子
Ｘを含有し、さらに窒素原子を含有するアモルファスシ
リコン（以下、ａ-ＳiＮ:Ｈ,Ｘと表記する）、水素原子
Ｈおよび／またはハロゲン原子Ｘを含有し、さらに炭素
原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有する
アモルファスシリコン（以下、ａ-ＳiＣＯＮ:Ｈ,Ｘと表
記する）等の材料が好適に用いられる。
【００８３】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層２０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
するために、表面層２０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
【００８４】これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資
本投資下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材
に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用
されるが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆
積法によることが好ましい。例えば、グロー放電法によ
ってａ-ＳiＣ:Ｈ,Ｘよりなる表面層２０４を形成するに
は、基本的にはシリコン原子Ｓiを供給し得るＳi供給用
の原料ガスと、炭素原子Ｃを供給し得るＣ供給用の原料
ガスと、水素原子Ｈを供給し得るＨ供給用の原料ガスま
たは／およびハロゲン原子Ｘを供給し得るＸ供給用の原
料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス
状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起さ
せ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層２０３
を形成した支持体２０１上にａ-ＳiＣ:Ｈ,Ｘからなる層
を形成すればよい。
本投資下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材
に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用
されるが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆
積法によることが好ましい。例えば、グロー放電法によ
ってａ-ＳiＣ:Ｈ,Ｘよりなる表面層２０４を形成するに
は、基本的にはシリコン原子Ｓiを供給し得るＳi供給用
の原料ガスと、炭素原子Ｃを供給し得るＣ供給用の原料
ガスと、水素原子Ｈを供給し得るＨ供給用の原料ガスま
たは／およびハロゲン原子Ｘを供給し得るＸ供給用の原
料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス
状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起さ
せ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層２０３
を形成した支持体２０１上にａ-ＳiＣ:Ｈ,Ｘからなる層
を形成すればよい。
【００８５】本発明において用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
よいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
-ＳiＣを主成分としたものが好ましい。
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
よいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
-ＳiＣを主成分としたものが好ましい。
【００８６】表面層をａ-ＳiＣを主成分として構成する
場合の炭素原子量は、シリコン原子と炭素原子の和に対
して３０〜９０％の範囲が好ましい。また表面層の自由
表面側に向けて炭素原子量の増加は、光導電層および表
面層ともにシリコン原子という共通の構成要素を有する
ことによる積層界面での化学的な安定性の確保と、耐湿
性、連続繰り返し使用特性の高次での両立に対して効果
的である。
場合の炭素原子量は、シリコン原子と炭素原子の和に対
して３０〜９０％の範囲が好ましい。また表面層の自由
表面側に向けて炭素原子量の増加は、光導電層および表
面層ともにシリコン原子という共通の構成要素を有する
ことによる積層界面での化学的な安定性の確保と、耐湿
性、連続繰り返し使用特性の高次での両立に対して効果
的である。
【００８７】また、本発明において表面層２０４中に水
素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原
子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量とし
て、通常の場合は０.０１〜１５原子％、好適には０.１
〜１０原子％、最適には０.６〜４原子％とされるのが
望ましい。
素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原
子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量とし
て、通常の場合は０.０１〜１５原子％、好適には０.１
〜１０原子％、最適には０.６〜４原子％とされるのが
望ましい。
【００８８】これらの水素および／または弗素含有量の
範囲内で形成される光受容部材は、実際面において、従
来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るもの
である。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリ
コン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真
用光受容部材としての特性に悪影響を及ばすことが知ら
れている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特
性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造
が変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯
電時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入さ
れ、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることに
より繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響と
して挙げられる。
範囲内で形成される光受容部材は、実際面において、従
来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るもの
である。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリ
コン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真
用光受容部材としての特性に悪影響を及ばすことが知ら
れている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特
性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造
が変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯
電時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入さ
れ、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることに
より繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響と
して挙げられる。
【００８９】しかしながら、表面層内の水素含有量を３
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高
速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができ
る。
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高
速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができ
る。
【００９０】一方、前記表面層中の水素含有量が７０原
子％を越えると、表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層中の
水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れ
た所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１
つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量
（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。
子％を越えると、表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層中の
水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れ
た所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１
つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量
（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。
【００９１】また、表面層中の弗素含有量を０.０１原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。
【００９２】一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認
められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中の
キャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモ
リーが顕著に認められてくる。したがって、表面層中の
弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写
真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の
弗素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量
（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認
められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中の
キャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモ
リーが顕著に認められてくる。したがって、表面層中の
弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写
真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の
弗素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量
（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。
【００９３】本発明の表面層の形成において使用される
シリコンＳi供給用ガスとなり得る物質としては、ＳiＨ
4,Ｓi2Ｈ6,Ｓi3Ｈ8,Ｓi4Ｈ10等のガス状態の、またはガ
ス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、
Ｓi供給効率の良さ等の点でＳiＨ4,Ｓi2Ｈ6が好ましい
ものとして挙げられる。また、これらのＳi供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ2,Ｈe,Ａr,Ｎe等のガスにより
希釈して使用してもよい。
シリコンＳi供給用ガスとなり得る物質としては、ＳiＨ
4,Ｓi2Ｈ6,Ｓi3Ｈ8,Ｓi4Ｈ10等のガス状態の、またはガ
ス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、
Ｓi供給効率の良さ等の点でＳiＨ4,Ｓi2Ｈ6が好ましい
ものとして挙げられる。また、これらのＳi供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ2,Ｈe,Ａr,Ｎe等のガスにより
希釈して使用してもよい。
【００９４】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ4,Ｃ2Ｈ2,Ｃ2Ｈ6,Ｃ3Ｈ8,Ｃ4Ｈ 10等のガス状態の、
またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものと
して挙げられ、さらに、層作製時の取り扱い易さ、Ｓi
供給効率の良さ等の点で、ＣＨ4,Ｃ2Ｈ2,Ｃ2Ｈ6が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ2,Ｈe,Ａr,Ｎe等のガスによ
り希釈して使用してもよい。
ＣＨ4,Ｃ2Ｈ2,Ｃ2Ｈ6,Ｃ3Ｈ8,Ｃ4Ｈ 10等のガス状態の、
またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものと
して挙げられ、さらに、層作製時の取り扱い易さ、Ｓi
供給効率の良さ等の点で、ＣＨ4,Ｃ2Ｈ2,Ｃ2Ｈ6が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ2,Ｈe,Ａr,Ｎe等のガスによ
り希釈して使用してもよい。
【００９５】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3,ＮＯ,Ｎ2Ｏ,ＮＯ,Ｏ2,ＣＯ,ＣＯ2,Ｎ2
等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使
用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、
酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2,Ｈe,Ａr,Ｎe
等のガスにより希釈して使用してもよい。
としては、ＮＨ3,ＮＯ,Ｎ2Ｏ,ＮＯ,Ｏ2,ＣＯ,ＣＯ2,Ｎ2
等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使
用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、
酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2,Ｈe,Ａr,Ｎe
等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９６】また、形成される表面層２０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは
水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形
成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでな
く所定の混合比で複数種混合しても差し支えないもので
ある。
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは
水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形
成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでな
く所定の混合比で複数種混合しても差し支えないもので
ある。
【００９７】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
をふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラ
ン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合
物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子
とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス
化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効
なものとして挙げることができる。
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
をふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラ
ン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合
物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子
とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス
化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効
なものとして挙げることができる。
【００９８】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス(Ｆ2),ＢrＦ,Ｃl
Ｆ,ＣlＦ3,ＢrＦ3,ＢrＦ5,ＩＦ3,ＩＦ7等のハロゲン間
化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素
化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体としては、具体的には、例えばＳiＦ4,Ｓi2Ｆ6等の弗
化珪素が好ましいものとして挙げることができる。表面
層２０４中に含有される水素原子または／およびハロゲ
ン原子の量を制御するには、例えば支持体２０１の温
度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、
放電電力等を制御すればよい。
化合物としては、具体的には弗素ガス(Ｆ2),ＢrＦ,Ｃl
Ｆ,ＣlＦ3,ＢrＦ3,ＢrＦ5,ＩＦ3,ＩＦ7等のハロゲン間
化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素
化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体としては、具体的には、例えばＳiＦ4,Ｓi2Ｆ6等の弗
化珪素が好ましいものとして挙げることができる。表面
層２０４中に含有される水素原子または／およびハロゲ
ン原子の量を制御するには、例えば支持体２０１の温
度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、
放電電力等を制御すればよい。
【００９９】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。さらに
本発明においては、表面層２０４には必要に応じて伝導
性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性
を制御する原子は、表面層２０４中に万偏なく均一に分
布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に
は不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。さらに
本発明においては、表面層２０４には必要に応じて伝導
性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性
を制御する原子は、表面層２０４中に万偏なく均一に分
布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に
は不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。
【０１００】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原
子（以後、第１３族原子と略記する）、ｎ型伝導特性を
与える周期律表第１５族に属する原子（以後、第１５族
原子と略記する）を用いることができる。第１３族原子
としては、具体的には、硼素Ｂ、アルミニウムＡl、ガ
リウムＧa、インジウムＩn、タリウムＴl等があり、特
にＢ,Ａl,Ｇaが好適である。第１５族原子としては、具
体的には燐Ｐ、砒素Ａs、アンチモンＳb、ビスマスＢi
等があり、特にＰ,Ａsが好適である。
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原
子（以後、第１３族原子と略記する）、ｎ型伝導特性を
与える周期律表第１５族に属する原子（以後、第１５族
原子と略記する）を用いることができる。第１３族原子
としては、具体的には、硼素Ｂ、アルミニウムＡl、ガ
リウムＧa、インジウムＩn、タリウムＴl等があり、特
にＢ,Ａl,Ｇaが好適である。第１５族原子としては、具
体的には燐Ｐ、砒素Ａs、アンチモンＳb、ビスマスＢi
等があり、特にＰ,Ａsが好適である。
【０１０１】表面層２０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、例
えば、第１３族原子あるいは第１５族原子を構造的に導
入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用の原料
物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質をガス状態
で反応容器中に、表面層２０４を形成するための他のガ
スとともに導入してやればよい。
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、例
えば、第１３族原子あるいは第１５族原子を構造的に導
入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用の原料
物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質をガス状態
で反応容器中に、表面層２０４を形成するための他のガ
スとともに導入してやればよい。
【０１０２】第１３族原子導入用の原料物質あるいは第
１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、
常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
のような第１３族原子導入用の原料物質として具体的に
は、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6,Ｂ4Ｈ10,Ｂ5Ｈ9,
Ｂ5Ｈ11,Ｂ6Ｈ10,Ｂ6Ｈ12,Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ3,ＢＣl3,ＢＢr3等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡlＣl3,ＧaＣl3,Ｇa（ＣＨ3）3,ＩnＣl3,
ＴlＣl3等も挙げることができる。
１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、
常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
のような第１３族原子導入用の原料物質として具体的に
は、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6,Ｂ4Ｈ10,Ｂ5Ｈ9,
Ｂ5Ｈ11,Ｂ6Ｈ10,Ｂ6Ｈ12,Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ3,ＢＣl3,ＢＢr3等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡlＣl3,ＧaＣl3,Ｇa（ＣＨ3）3,ＩnＣl3,
ＴlＣl3等も挙げることができる。
【０１０３】第１５族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3,Ｐ
2Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ,ＰＦ3,ＰＦ5,ＰＣl3,ＰＣ
ｌ5,ＰＢr3,ＰＢr5,ＰＩ3等のハロゲン化燐が挙げられ
る。この他、ＡsＨ3,ＡsＦ3,ＡsＣl3,ＡsＢr3,ＡsＦ5,
ＳbＨ3,ＳbＦ3,ＳbＦ5,ＳbＣl3,ＳbＣl5,ＢiＨ3,ＢiＣl
3,ＢiＢr3等も第１５族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。また、これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2,Ｈ
e,Ａr,Ｎe等のガスにより希釈して使用してもよい。
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3,Ｐ
2Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ,ＰＦ3,ＰＦ5,ＰＣl3,ＰＣ
ｌ5,ＰＢr3,ＰＢr5,ＰＩ3等のハロゲン化燐が挙げられ
る。この他、ＡsＨ3,ＡsＦ3,ＡsＣl3,ＡsＢr3,ＡsＦ5,
ＳbＨ3,ＳbＦ3,ＳbＦ5,ＳbＣl3,ＳbＣl5,ＢiＨ3,ＢiＣl
3,ＢiＢr3等も第１５族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。また、これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2,Ｈ
e,Ａr,Ｎe等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１０４】本発明における表面層２０４の層厚として
は、通常０.０１〜３μｍ、好適には０.０５〜２μｍ、
最適には０.１〜１μｍとされるのが望ましいものであ
る。層厚が０.０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、３μ
ｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が
みられる。
は、通常０.０１〜３μｍ、好適には０.０５〜２μｍ、
最適には０.１〜１μｍとされるのが望ましいものであ
る。層厚が０.０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、３μ
ｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が
みられる。
【０１０５】本発明による表面層２０４はその要求され
る特性が所望通りに与えられるように注意深く形成され
る。すなわち、Ｓi,Ｃおよび／またはＮおよび／または
Ｏ,Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質はその形
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成され
るように、所望にしたがってその形成条件の選択が厳密
になされる。例えば、表面層２０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。また、
連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目
的として表面層２０４が設けられる場合には、上記の電
気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対
して有る程度の感度を有する非単結晶材料として形成さ
れる。
る特性が所望通りに与えられるように注意深く形成され
る。すなわち、Ｓi,Ｃおよび／またはＮおよび／または
Ｏ,Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質はその形
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成され
るように、所望にしたがってその形成条件の選択が厳密
になされる。例えば、表面層２０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。また、
連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目
的として表面層２０４が設けられる場合には、上記の電
気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対
して有る程度の感度を有する非単結晶材料として形成さ
れる。
【０１０６】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層２０４を形成するには、支持体２０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。支持体２０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３
０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。
面層２０４を形成するには、支持体２０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。支持体２０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３
０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。
【０１０７】反応容器内のガス圧も、同様に層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは１.０×１０-2〜１.０×１０3Ｐａ、より好ま
しくは５.０×１０-1〜５.０×１０2Ｐａ、最適には１.
０×１０-1〜１.０×１０2Ｐａとするのが好ましい。
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは１.０×１０-2〜１.０×１０3Ｐａ、より好ま
しくは５.０×１０-1〜５.０×１０2Ｐａ、最適には１.
０×１０-1〜１.０×１０2Ｐａとするのが好ましい。
【０１０８】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。
【０１０９】さらに本発明においては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有
効である。また、表面層２０４と光導電層２０３との間
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子の含有量が光導電層２０３に向かって減少するよう
に変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光
導電層の密着性を向上させ、光キャリアの表面へ移動が
スムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光
の反射による干渉の影響をより少なくすることができ
る。
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有
効である。また、表面層２０４と光導電層２０３との間
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子の含有量が光導電層２０３に向かって減少するよう
に変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光
導電層の密着性を向上させ、光キャリアの表面へ移動が
スムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光
の反射による干渉の影響をより少なくすることができ
る。
【０１１０】（電荷注入阻止層）本発明の光受容部材に
おいては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支
持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入
阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、
電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理をそめ
自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が
注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処
理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわ
ゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与す
るために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を
光導電層に比べ比較的多く含有させる。
おいては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支
持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入
阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、
電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理をそめ
自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が
注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処
理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわ
ゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与す
るために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を
光導電層に比べ比較的多く含有させる。
【０１１１】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万偏なく均一に分布されてもよいし、ある
いは支持体の表面に平行な方向には万偏なく含有されて
はいるが、不均一に分布する状態で含有している部分が
あってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側
に多く分布するように含有させるのが好適である。
は、該層中に万偏なく均一に分布されてもよいし、ある
いは支持体の表面に平行な方向には万偏なく含有されて
はいるが、不均一に分布する状態で含有している部分が
あってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側
に多く分布するように含有させるのが好適である。
【０１１２】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。電荷注入阻止層に含有され伝導
性を制御する原子としては、半導体分野におけるいわゆ
る不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周
期律表第１３族に属する原子（以後、第１３族原子と略
記する）を用いることができる。
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。電荷注入阻止層に含有され伝導
性を制御する原子としては、半導体分野におけるいわゆ
る不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周
期律表第１３族に属する原子（以後、第１３族原子と略
記する）を用いることができる。
【０１１３】第１３族原子としては、具体的には、ほう
素Ｂ、アルミニウムＡl、ガリウムＧa、インジウムＩ
n、タリウムＴa等があり、特にＢ,Ａl,Ｇaが好適であ
る。本発明において電荷注入阻止層中に含有される伝導
性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定され
るが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐｍ、より好
適には５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、最適には１×１０2
〜３×１０3原子ｐｐｍとされるのが望ましい。さら
に、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子および酸
素原子の少なくとも一種を含有させることによって、該
電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間
の密着性の向上をよりいっそう図ることができる。
素Ｂ、アルミニウムＡl、ガリウムＧa、インジウムＩ
n、タリウムＴa等があり、特にＢ,Ａl,Ｇaが好適であ
る。本発明において電荷注入阻止層中に含有される伝導
性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定され
るが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐｍ、より好
適には５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、最適には１×１０2
〜３×１０3原子ｐｐｍとされるのが望ましい。さら
に、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子および酸
素原子の少なくとも一種を含有させることによって、該
電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間
の密着性の向上をよりいっそう図ることができる。
【０１１４】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は、該層中に万偏なく均一に分布されて
もよいし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されては
いるが、不均一に分布する状態で含有している部分があ
ってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。
または酸素原子は、該層中に万偏なく均一に分布されて
もよいし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されては
いるが、不均一に分布する状態で含有している部分があ
ってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。
【０１１５】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量
として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは
１×１０-3〜３０原子％、より好適には５×１０-3〜２
０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とされるの
が望ましい。
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量
として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは
１×１０-3〜３０原子％、より好適には５×１０-3〜２
０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とされるの
が望ましい。
【０１１６】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１１７】本発明において、電荷注入阻止層の層厚
は、所望の電子写真特性が得られること、および経済的
効果等の点から好ましくは０.１〜５μｍ、より好まし
くは０.３〜４μｍ、最適には０.５〜３μｍとされるの
が望ましい。層厚が０.１μｍより薄くなると、支持体
からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能
が得られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性
の向上は期待できず、作製時間の延長による製造コスト
の増加を招くだけである。
は、所望の電子写真特性が得られること、および経済的
効果等の点から好ましくは０.１〜５μｍ、より好まし
くは０.３〜４μｍ、最適には０.５〜３μｍとされるの
が望ましい。層厚が０.１μｍより薄くなると、支持体
からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能
が得られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性
の向上は期待できず、作製時間の延長による製造コスト
の増加を招くだけである。
【０１１８】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。本発明の目的を達成し得る特性を有す
る電荷注入阻止層２０５を形成するには、光導電層２０
３と同様に、Ｓi供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体２０１の
温度を適宜設定することが必要である。
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。本発明の目的を達成し得る特性を有す
る電荷注入阻止層２０５を形成するには、光導電層２０
３と同様に、Ｓi供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体２０１の
温度を適宜設定することが必要である。
【０１１９】希釈ガスであるＨ2および／またはＨeの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓi供給用ガスに対しＨ2および／またはＨeを、通
常の場合０.３〜２０倍、好ましくは０.５〜１５倍、最
適には１〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。反
応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合１.０×１０-2〜１.０
×１０3Ｐａ、好ましくは５.０×１０-1〜５.０×１０2
Ｐａ、最適には１.０×１０-1〜１.０×１０2Ｐａとす
るのが好ましい。
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓi供給用ガスに対しＨ2および／またはＨeを、通
常の場合０.３〜２０倍、好ましくは０.５〜１５倍、最
適には１〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。反
応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合１.０×１０-2〜１.０
×１０3Ｐａ、好ましくは５.０×１０-1〜５.０×１０2
Ｐａ、最適には１.０×１０-1〜１.０×１０2Ｐａとす
るのが好ましい。
【０１２０】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓi供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０.５〜８、好ま
しくは０.８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。さらに、支持体２０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望
ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓi供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０.５〜８、好ま
しくは０.８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。さらに、支持体２０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望
ましい。
【０１２１】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作製ファクターは、通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表
面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各
層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作製ファクターは、通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表
面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各
層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
【０１２２】このほかに、本発明の光受容部材において
は、光受容層２０２の前記支持体２０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／
およびハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含
有する層領域を有することが望ましい。
は、光受容層２０２の前記支持体２０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／
およびハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含
有する層領域を有することが望ましい。
【０１２３】また、本発明の光受容部材においては、支
持体２０１と光導電層２０３あるいは電荷注入阻止層２
０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓi3Ｎ4,ＳiＯ2,ＳiＯあるいはシリコン原子を母体
とし、水素原子および／またはハロゲン原子と、炭素原
子および／または酸素原子および／または窒素原子とを
含む非晶質材料等で構成される密着層を設けてもよい。
さらに、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防
止するための光吸収層を設けてもよい。
持体２０１と光導電層２０３あるいは電荷注入阻止層２
０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓi3Ｎ4,ＳiＯ2,ＳiＯあるいはシリコン原子を母体
とし、水素原子および／またはハロゲン原子と、炭素原
子および／または酸素原子および／または窒素原子とを
含む非晶質材料等で構成される密着層を設けてもよい。
さらに、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防
止するための光吸収層を設けてもよい。
【０１２４】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。図３は電源周波数とし
てＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後、ＲＦ
-ＰＣＶＤと略記する）による光受容部材の製造装置の
一例を示す模式的な構成図である。図３に示す製造装置
の構成は以下の通りである。
び膜形成方法について詳述する。図３は電源周波数とし
てＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後、ＲＦ
-ＰＣＶＤと略記する）による光受容部材の製造装置の
一例を示す模式的な構成図である。図３に示す製造装置
の構成は以下の通りである。
【０１２５】この装置は大別すると、堆積装置（３１０
０）、原料ガスの供給装置（３２００）、反応容器（３
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（３１００）中の反応容器
（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持体
加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（３１１
４）が設置され、さらに高周波マッチングボックス（３
１１５）が接続されている。
０）、原料ガスの供給装置（３２００）、反応容器（３
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（３１００）中の反応容器
（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持体
加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（３１１
４）が設置され、さらに高周波マッチングボックス（３
１１５）が接続されている。
【０１２６】原料ガス供給装置（３２００）は、Ｓi
Ｈ4,ＧeＨ4,Ｈ2,ＣＨ4,Ｂ2Ｈ6,ＰＨ3等の原料ガスのボ
ンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３１〜３２
３６,３２４１〜３２４６,３２５１〜３２５６）および
マスフローコントローラー（３２１１〜３２１６）から
構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２６０）を
介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（３１１
４）に接続されている。
Ｈ4,ＧeＨ4,Ｈ2,ＣＨ4,Ｂ2Ｈ6,ＰＨ3等の原料ガスのボ
ンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３１〜３２
３６,３２４１〜３２４６,３２５１〜３２５６）および
マスフローコントローラー（３２１１〜３２１６）から
構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２６０）を
介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（３１１
４）に接続されている。
【０１２７】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器（３
１１１）内に円筒状支持体（３１１２）を設置し、不図
示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器（３
１１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター
（３１１３）により円筒状支持体（３１１２）の温度を
２００〜３５０℃の所定の温度に制御する。
以下のように行なうことができる。まず、反応容器（３
１１１）内に円筒状支持体（３１１２）を設置し、不図
示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器（３
１１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター
（３１１３）により円筒状支持体（３１１２）の温度を
２００〜３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１２８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３７）、反応容器のリークバルブ（３１１７）
が閉じられていることを確認し、叉、流入バルブ（３２
４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５
６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応容
器（３１１１）およびガス配管内（３１１６）を排気す
る。
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３７）、反応容器のリークバルブ（３１１７）
が閉じられていることを確認し、叉、流入バルブ（３２
４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５
６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応容
器（３１１１）およびガス配管内（３１１６）を排気す
る。
【０１２９】次に真空計（３１１９）の読みが約５×１
０-4Ｐａになった時点で補助バルブ（３２６０）、流出
バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じる。その後、ガス
ボンベ（３２２１〜３２２６）より各ガスをバルブ（３
２３１〜３２３６）を開いて導入し、圧力調整器（３２
６１〜３２６６）により各ガス圧を２００ｋＰａに調整
する。次に、流入バルブ（３２４１〜３２４６）を徐々
に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（３２１
１〜３２１６）内に導入する。
０-4Ｐａになった時点で補助バルブ（３２６０）、流出
バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じる。その後、ガス
ボンベ（３２２１〜３２２６）より各ガスをバルブ（３
２３１〜３２３６）を開いて導入し、圧力調整器（３２
６１〜３２６６）により各ガス圧を２００ｋＰａに調整
する。次に、流入バルブ（３２４１〜３２４６）を徐々
に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（３２１
１〜３２１６）内に導入する。
【０１３０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（３
１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（３
２５１〜３２５６）のうちの必要なものおよび補助バル
ブ（３２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（３２２１〜
３２２６）から所定のガスをガス導入管（３１１４）を
介して反応容器（３１１１）内に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（３２１１〜３２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器（３１１１）内の圧力が１００Ｐａ以下の所定
の圧力になるように真空計（３１１９）を見ながらメイ
ンバルブ（３１１８）の開口を調整する。
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（３
１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（３
２５１〜３２５６）のうちの必要なものおよび補助バル
ブ（３２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（３２２１〜
３２２６）から所定のガスをガス導入管（３１１４）を
介して反応容器（３１１１）内に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（３２１１〜３２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器（３１１１）内の圧力が１００Ｐａ以下の所定
の圧力になるように真空計（３１１９）を見ながらメイ
ンバルブ（３１１８）の開口を調整する。
【０１３１】内圧が安定したところで、周波数１３.５
６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定し
て、高周波マッチングボックス（３１１５）を通じて反
応容器（３１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー放電
を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体（３１
１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成
されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、
ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へ
のガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定し
て、高周波マッチングボックス（３１１５）を通じて反
応容器（３１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー放電
を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体（３１
１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成
されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、
ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へ
のガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１３２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（３
２５１〜３２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（３２
５１〜３２５６）を閉じ、補助バルブ（３２６０）を開
き、さらにメインバルブ（３１１８）を全開にして反応
容器内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（３
２５１〜３２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（３２
５１〜３２５６）を閉じ、補助バルブ（３２６０）を開
き、さらにメインバルブ（３１１８）を全開にして反応
容器内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。
【０１３３】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（３１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々
の層の作製条件にしたがって変更が加えられることは言
うまでもない。
成を行なっている間は、支持体（３１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々
の層の作製条件にしたがって変更が加えられることは言
うまでもない。
【０１３４】堆積膜形成時の支持体の温度は、特に２０
０℃以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３３０
℃以下、より好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が望
ましい。支持体の加熱方法は真空仕様である発熱体であ
ればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付け
ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気
抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射
ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段によ
る発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステ
ンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラ
ミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設
け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送す
る方法が用いられる。
０℃以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３３０
℃以下、より好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が望
ましい。支持体の加熱方法は真空仕様である発熱体であ
ればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付け
ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気
抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射
ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段によ
る発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステ
ンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラ
ミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設
け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送す
る方法が用いられる。
【０１３５】（試験例）以下、試験例により本発明の効
果を具体的に説明する。
果を具体的に説明する。
【０１３６】（試験例１）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域
の順で光導電層を形成した。
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域
の順で光導電層を形成した。
【０１３７】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の
作製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定し
た後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆
積膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の
作製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定し
た後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆
積膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
【０１３８】表１の例では、第一の層領域はＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１.７２ｅＶ,５３ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２９原
子％、１.８３ｅＶ、５９ｍｅＶであり、第三の層領域
はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３１原子％、１.８５ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶであった。光導電層が第二の層領域だけ
の光受容部材（イ）、第一の層領域と第二の層領域から
なる光受容部材（ロ）、第二の層領域と第三の層領域か
らなる光受容部材（ハ）、そして第一の層領域、第二の
層領域と第三の層領域からなる光受容部材（ニ）の４種
の光受容部材を作製した。
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１.７２ｅＶ,５３ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２９原
子％、１.８３ｅＶ、５９ｍｅＶであり、第三の層領域
はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３１原子％、１.８５ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶであった。光導電層が第二の層領域だけ
の光受容部材（イ）、第一の層領域と第二の層領域から
なる光受容部材（ロ）、第二の層領域と第三の層領域か
らなる光受容部材（ハ）、そして第一の層領域、第二の
層領域と第三の層領域からなる光受容部材（ニ）の４種
の光受容部材を作製した。
【０１３９】周期律表第１３族に属する元素はとしてＢ
を第一の光導電層および第二の層領域、第三の層領域と
もに０.５ｐｐｍで一定にした。そのとき、第三の層領
域の表面から１.５μｍまでの領域は、０ｐｐｍとなる
ようにした。なお、第一の光導電層および第二の層領
域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ５μｍおよび２０μ
ｍ、５μｍに固定した。作製した光受容部材を電子写真
装置（キヤノン製ＮＰ-６５５０を試験用に改造）にセ
ットして、電位特性の評価を行った。
を第一の光導電層および第二の層領域、第三の層領域と
もに０.５ｐｐｍで一定にした。そのとき、第三の層領
域の表面から１.５μｍまでの領域は、０ｐｐｍとなる
ようにした。なお、第一の光導電層および第二の層領
域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ５μｍおよび２０μ
ｍ、５μｍに固定した。作製した光受容部材を電子写真
装置（キヤノン製ＮＰ-６５５０を試験用に改造）にセ
ットして、電位特性の評価を行った。
【０１４０】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４１ｕｘ・Ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光
受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温
（約２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件にて帯
電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変
化を温度特性とした。また、メモリー電位は、上述の条
件下において同様の電位センサーにより非露光状態での
表面電位と一旦露光した後に再度帯電したときとの電位
差を測定した。残留電位は、通常の像露光強度の２倍の
強露光を照射したときの表面電位を測定した。
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４１ｕｘ・Ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光
受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温
（約２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件にて帯
電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変
化を温度特性とした。また、メモリー電位は、上述の条
件下において同様の電位センサーにより非露光状態での
表面電位と一旦露光した後に再度帯電したときとの電位
差を測定した。残留電位は、通常の像露光強度の２倍の
強露光を照射したときの表面電位を測定した。
【０１４１】本例の帯電能、温度特性、メモリー、残留
電位の評価結果を表２に示す。特性評価の基準として光
導電層（総膜厚３０μｍ）を第二の層領域のみで構成し
た光受容部材を作成した。帯電能に関して基準と比較し
て、±２０Ｖ以内を△で、＋２０Ｖ以上で○、＋４０Ｖ
以上で◎、-２０Ｖ以下を▽で示す。
電位の評価結果を表２に示す。特性評価の基準として光
導電層（総膜厚３０μｍ）を第二の層領域のみで構成し
た光受容部材を作成した。帯電能に関して基準と比較し
て、±２０Ｖ以内を△で、＋２０Ｖ以上で○、＋４０Ｖ
以上で◎、-２０Ｖ以下を▽で示す。
【０１４２】温度特性は、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以下を◎
（優）、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を○（良）、±３Ｖ／ｄｅ
ｇ以上を△（可）、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を▽（実用上問
題無し）で示す。メモリーは、メモリー電位が５Ｖ以下
なら○、８Ｖ以下なら△、１０Ｖ以上を▽で示す。
（優）、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を○（良）、±３Ｖ／ｄｅ
ｇ以上を△（可）、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を▽（実用上問
題無し）で示す。メモリーは、メモリー電位が５Ｖ以下
なら○、８Ｖ以下なら△、１０Ｖ以上を▽で示す。
【０１４３】残留電位は、２０Ｖ以下なら○、４０Ｖ以
下なら△、４０Ｖ以上なら▽で示す。表２から明らかな
ように、基板側からＣｈが１０原子％以上２５原子％以
下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５
０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃ
ｈが１５原子％以上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅ
Ｖ以上１.８５ｅＶ以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上
６５ｍｅＶ以下である第二の層領域と、Ｃｈが２５原子
％以上４０原子％以下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０
ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
である第三の層領域を積層した条件において、帯電能、
温度特性、メモリー、残留電位ともに良好な特性を得ら
れることがわかった。
下なら△、４０Ｖ以上なら▽で示す。表２から明らかな
ように、基板側からＣｈが１０原子％以上２５原子％以
下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５
０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃ
ｈが１５原子％以上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅ
Ｖ以上１.８５ｅＶ以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上
６５ｍｅＶ以下である第二の層領域と、Ｃｈが２５原子
％以上４０原子％以下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０
ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
である第三の層領域を積層した条件において、帯電能、
温度特性、メモリー、残留電位ともに良好な特性を得ら
れることがわかった。
【０１４４】
【表１】
【０１４５】
【表２】
【０１４６】（試験例２）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域
の順で光導電層を形成した。
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域
の順で光導電層を形成した。
【０１４７】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の
作製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定し
た後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆
積膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の
作製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定し
た後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆
積膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
【０１４８】表１の例では、第一の層領域はＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１.７２ｅＶ、５３ｍｅＶ
であり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２９
原子％、１.８３ｅＶ、５９ｍｅＶであり、第三の層領
域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３１原子％、１.８５ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶであった。
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１.７２ｅＶ、５３ｍｅＶ
であり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２９
原子％、１.８３ｅＶ、５９ｍｅＶであり、第三の層領
域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３１原子％、１.８５ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶであった。
【０１４９】次いで第一の層領域においてＳiＨ4ガスと
Ｈ2ガスとの混合比、ＳiＨ4ガスと放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第一の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）,Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。周期律表第１３族に属する元素として、Ｂを
第一の光導電層および第二の層領域、第三の層領域とも
に０.５ｐｐｍで一定にした。そのとき、第三の層領域
の表面から１.５μｍまでの領域は、０ｐｐｍとなるよ
うにした。
Ｈ2ガスとの混合比、ＳiＨ4ガスと放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第一の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）,Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。周期律表第１３族に属する元素として、Ｂを
第一の光導電層および第二の層領域、第三の層領域とも
に０.５ｐｐｍで一定にした。そのとき、第三の層領域
の表面から１.５μｍまでの領域は、０ｐｐｍとなるよ
うにした。
【０１５０】なお、第一の光導電層および第二の層領
域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ５μｍおよび２０μ
ｍ、５μｍに固定した。作製した光受容部材を、電子写
真装置（キヤノン製ＮＰ-６５５０を試験用に改造）に
セットして、電位特性の評価を行った。
域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ５μｍおよび２０μ
ｍ、５μｍに固定した。作製した光受容部材を、電子写
真装置（キヤノン製ＮＰ-６５５０を試験用に改造）に
セットして、電位特性の評価を行った。
【０１５１】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４１ｕｘ・ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセツトした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光
受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温
（約２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件にて帯
電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変
化を温度特性とした。また、メモリー電位は、上述の条
件下において同様の電位センサーにより非露光状態での
表面電位と一旦露光した後に再度帯電したときとの電位
差を測定した。
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４１ｕｘ・ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセツトした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光
受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温
（約２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件にて帯
電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変
化を温度特性とした。また、メモリー電位は、上述の条
件下において同様の電位センサーにより非露光状態での
表面電位と一旦露光した後に再度帯電したときとの電位
差を測定した。
【０１５２】本例のＥｕならびにＥｇと帯電能、温度特
性、メモリーとの関係をそれぞれ図４、図５、図６に示
す。特性評価の基準（０点）として光導電層（総膜厚３
０μｍ）を第二の層領域のみで構成した光受容部材を作
成した。帯電能は基準と比較して±２０Ｖ以内を０で、
＋２０Ｖ以上で＋１、＋４０Ｖ以上で＋２、−２０Ｖ以
下を−１とする。温度特性は、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以下
を＋２、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以
上を０、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を-１とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、１０Ｖ以上を−１とする。
性、メモリーとの関係をそれぞれ図４、図５、図６に示
す。特性評価の基準（０点）として光導電層（総膜厚３
０μｍ）を第二の層領域のみで構成した光受容部材を作
成した。帯電能は基準と比較して±２０Ｖ以内を０で、
＋２０Ｖ以上で＋１、＋４０Ｖ以上で＋２、−２０Ｖ以
下を−１とする。温度特性は、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以下
を＋２、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以
上を０、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を-１とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、１０Ｖ以上を−１とする。
【０１５３】図４、図５ならびに図６から明らかなよう
に、第一の層領域において、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の
条件において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好
な特性を得られることがわかった。
に、第一の層領域において、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の
条件において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好
な特性を得られることがわかった。
【０１５４】（試験例３）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域
の順で光導電層を形成した。
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻
止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域
の順で光導電層を形成した。
【０１５５】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の作
製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定した
後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆積
膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の作
製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定した
後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆積
膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
【０１５６】表１の例では、第一の層領域はＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１.７２ｅＶ,５３ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２９原
子％、１.８３ｅＶ,５９ｍｅＶであり、第三の層領域は
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３１原子％、１.８５ｅＶ,５
２ｍｅＶであった。
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１.７２ｅＶ,５３ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２９原
子％、１.８３ｅＶ,５９ｍｅＶであり、第三の層領域は
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３１原子％、１.８５ｅＶ,５
２ｍｅＶであった。
【０１５７】次いで第三の層領域においてＳiＨ4ガスと
Ｈ2ガスとの混合比、ＳiＨ4ガスと放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第三の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）,Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。周期律表第１３族に属する元素はとしてＢを
第一の光導電層および第二の層領域、第三の層領域とも
に０.５ｐｐｍで一定にした。そのとき、第三の層領域
の表面から１.５μｍまでの領域は、０ｐｐｍとなるよ
うにした。
Ｈ2ガスとの混合比、ＳiＨ4ガスと放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第三の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）,Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。周期律表第１３族に属する元素はとしてＢを
第一の光導電層および第二の層領域、第三の層領域とも
に０.５ｐｐｍで一定にした。そのとき、第三の層領域
の表面から１.５μｍまでの領域は、０ｐｐｍとなるよ
うにした。
【０１５８】なお、第一の光導電層および第二の層領
域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ５μｍおよび２０μ
ｍ、５μｍに固定した。作製した光受容部材を、電子写
真装置（キヤノン製ＮＰ-６５５０を試験用に改造）に
セットして、電位特性の評価を行った。
域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ５μｍおよび２０μ
ｍ、５μｍに固定した。作製した光受容部材を、電子写
真装置（キヤノン製ＮＰ-６５５０を試験用に改造）に
セットして、電位特性の評価を行った。
【０１５９】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４１ｕｘ・ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４１ｕｘ・ｓ
ｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。
【０１６０】また、光受容部材に内蔵したドラムヒータ
ーにより温度を室温（約２５℃）から５０℃まで変え
て、上記の条件にて帯電能を測定し、そのときの温度１
℃当たりの帯電能の変化を温度特性とした。また、メモ
リー電位は、上述の条件下において同様の電位センサー
により非露光状態での表面電位と一旦露光した後に再度
帯電したときとの電位差を測定した。
ーにより温度を室温（約２５℃）から５０℃まで変え
て、上記の条件にて帯電能を測定し、そのときの温度１
℃当たりの帯電能の変化を温度特性とした。また、メモ
リー電位は、上述の条件下において同様の電位センサー
により非露光状態での表面電位と一旦露光した後に再度
帯電したときとの電位差を測定した。
【０１６１】本例のＥｕならびにＥｇと帯電能、温度特
性、メモリーとの関係をそれぞれ図７、図８、図９に示
す。特性評価の基準（０点）として光導電層（総膜厚３
０μｍ）を第二の層領域のみで構成した光受容部材を作
成した。帯電能は基準と比較して±２０Ｖ以内を０で、
＋２０Ｖ以上で＋１、＋４０Ｖ以上で＋２、−２０Ｖ以
下を−１とする。温度特性は、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以下
を＋２、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以
上を０、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を-１とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、１０Ｖ以上を−１とする。
性、メモリーとの関係をそれぞれ図７、図８、図９に示
す。特性評価の基準（０点）として光導電層（総膜厚３
０μｍ）を第二の層領域のみで構成した光受容部材を作
成した。帯電能は基準と比較して±２０Ｖ以内を０で、
＋２０Ｖ以上で＋１、＋４０Ｖ以上で＋２、−２０Ｖ以
下を−１とする。温度特性は、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以下
を＋２、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以
上を０、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を-１とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、１０Ｖ以上を−１とする。
【０１６２】図７、図８ならびに図９から明らかなよう
に、第三の層領域において、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.
９０ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の
条件において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好
な特性を得られることがわかった。
に、第三の層領域において、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.
９０ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下の
条件において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好
な特性を得られることがわかった。
【０１６３】（試験例４）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、試験例１と同様の
条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム
シリンダー（支持体）上に、表３に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を種々作
製した。
による光受容部材の製造装置を用い、試験例１と同様の
条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム
シリンダー（支持体）上に、表３に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を種々作
製した。
【０１６４】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の作
製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定した
後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆積
膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の作
製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定した
後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆積
膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
【０１６５】表３の例では、第一の層領域はＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕはそれぞれ１９原子％、１.６６ｅＶ,５２ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２８原
子％、１.８４ｅＶ,６２ｍｅＶであり、第三の層領域は
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２７原子％、１.８８ｅＶ,５
５ｍｅＶであった。試験例４では、Ｂ元素の含有を第一
の層領域、第二の層領域、第三の層領域各々において支
持体側で増加するようにした。そのとき、第三の層領域
の表面側から１.５μｍまでの領域においては周期律表
第１３族に属する元素を添加しなかった。なお、第一の
光導電層および第二の層領域、第三の層領域の膜厚はそ
れぞれ４μｍおよび２２μｍ、４μｍに固定した。
Ｅｕはそれぞれ１９原子％、１.６６ｅＶ,５２ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２８原
子％、１.８４ｅＶ,６２ｍｅＶであり、第三の層領域は
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２７原子％、１.８８ｅＶ,５
５ｍｅＶであった。試験例４では、Ｂ元素の含有を第一
の層領域、第二の層領域、第三の層領域各々において支
持体側で増加するようにした。そのとき、第三の層領域
の表面側から１.５μｍまでの領域においては周期律表
第１３族に属する元素を添加しなかった。なお、第一の
光導電層および第二の層領域、第三の層領域の膜厚はそ
れぞれ４μｍおよび２２μｍ、４μｍに固定した。
【０１６６】作製した個々の光受容部材について試験例
１と同様の評価を行ったところ、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層し、
且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二の層領域、
第三の層領域各々において支持体側で増加している条件
において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な特
性を得られることがわかった。
１と同様の評価を行ったところ、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層し、
且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二の層領域、
第三の層領域各々において支持体側で増加している条件
において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な特
性を得られることがわかった。
【０１６７】
【表３】
【０１６８】（試験例５）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、試験例１と同じ表
３の条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる光受容部材を種々作製した試験例
１と変えて比較例１では、第一の層領域および第二の層
領域、第三の層領域のＢ元素の平均含有量を表４に示す
ように種々変化させた。そのとき、第三の層領域の表面
側から１.５μｍまでの領域においては周期律表第１３
族に属する元素を添加しなかった。なお、第一の光導電
層および第二の層領域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ
３μｍおよび２４μｍ、３μｍに固定した。
による光受容部材の製造装置を用い、試験例１と同じ表
３の条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる光受容部材を種々作製した試験例
１と変えて比較例１では、第一の層領域および第二の層
領域、第三の層領域のＢ元素の平均含有量を表４に示す
ように種々変化させた。そのとき、第三の層領域の表面
側から１.５μｍまでの領域においては周期律表第１３
族に属する元素を添加しなかった。なお、第一の光導電
層および第二の層領域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ
３μｍおよび２４μｍ、３μｍに固定した。
【０１６９】作製した個々の光受容部材について試験例
１と同様の評価を行い、帯電能、温度特性、メモリー、
残留電位の測定を行い評価結果を表５に示す。試験例１
の条件で作製したものを基準（１）として評価した。帯
電能は基準に対して２０Ｖ以内を０で、＋２０Ｖ以上で
１、＋４０Ｖ以上で２、−２０Ｖ以上で−１とする。温
度特性は、±３.０Ｖ／ｄｅｇを越えると、温度変化に
より画像の濃度が変化するために、±１.５Ｖ／ｄｅｇ
以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を０、３Ｖ／ｄｅｇ以
上を−１、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を−２とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、画像の濃度差が大きくなる８Ｖ以上を-１でとす
る。残留電位は、２０Ｖ以下なら＋１、４０Ｖ以下なら
０、４０Ｖ以上なら−１、６０Ｖ以上を−２とする。
１と同様の評価を行い、帯電能、温度特性、メモリー、
残留電位の測定を行い評価結果を表５に示す。試験例１
の条件で作製したものを基準（１）として評価した。帯
電能は基準に対して２０Ｖ以内を０で、＋２０Ｖ以上で
１、＋４０Ｖ以上で２、−２０Ｖ以上で−１とする。温
度特性は、±３.０Ｖ／ｄｅｇを越えると、温度変化に
より画像の濃度が変化するために、±１.５Ｖ／ｄｅｇ
以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を０、３Ｖ／ｄｅｇ以
上を−１、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を−２とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、画像の濃度差が大きくなる８Ｖ以上を-１でとす
る。残留電位は、２０Ｖ以下なら＋１、４０Ｖ以下なら
０、４０Ｖ以上なら−１、６０Ｖ以上を−２とする。
【０１７０】表５から明らかなように、周期律表第１３
族に属する元素の第一の層領域の平均含有量を０.１以
上２５ｐｐｍ以下、第二の層領域の平均含有量を０.０
５以上１５ｐｐｍ以下、第三の層領域の平均含有量を
０.１以上１０ｐｐｍ以下とするとともに、第三の層領
域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域にお
いては，周期律表第１３族に属する元素を極微少（本試
験では無添加）にすることにより、電子写真用光受容部
材として総合的に良好な特性を示すことがわかった。
族に属する元素の第一の層領域の平均含有量を０.１以
上２５ｐｐｍ以下、第二の層領域の平均含有量を０.０
５以上１５ｐｐｍ以下、第三の層領域の平均含有量を
０.１以上１０ｐｐｍ以下とするとともに、第三の層領
域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域にお
いては，周期律表第１３族に属する元素を極微少（本試
験では無添加）にすることにより、電子写真用光受容部
材として総合的に良好な特性を示すことがわかった。
【０１７１】
【表４】
【０１７２】
【表５】
【０１７３】（試験例６）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表６に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を種々作製した。
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表６に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を種々作製した。
【０１７４】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の作
製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定した
後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆積
膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の作
製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定した
後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆積
膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
【０１７５】表６の例では、第一の層領域はＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕはそれぞれ１７原子％、１.６６ｅＶ,５３ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２８原
子％、１.８４ｅＶ,６４ｍｅＶであり、第三の層領域は
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３５原子％、１.８９ｅＶ,５
５ｍｅＶであった。
Ｅｕはそれぞれ１７原子％、１.６６ｅＶ,５３ｍｅＶで
あり、第二の層領域はＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ２８原
子％、１.８４ｅＶ,６４ｍｅＶであり、第三の層領域は
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３５原子％、１.８９ｅＶ,５
５ｍｅＶであった。
【０１７６】試験例１と変え試験例２では、Ｂ元素の含
有を第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域各々に
おいて支持体側で増加するようにした。そのとき、第一
の層領域の最小含有量と第二の層領域の最大含有量が同
じになるようにした。分布は図１０（ａ）の様に変化さ
せて含有させた。なお、第一の光導電層および第二の層
領域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ４μｍおよび２２
μｍ、４μｍに固定した。
有を第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域各々に
おいて支持体側で増加するようにした。そのとき、第一
の層領域の最小含有量と第二の層領域の最大含有量が同
じになるようにした。分布は図１０（ａ）の様に変化さ
せて含有させた。なお、第一の光導電層および第二の層
領域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ４μｍおよび２２
μｍ、４μｍに固定した。
【０１７７】作製した個々の光受容部材について試験例
１と同様の評価を行ったところ、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅ）が５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層し、
且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二の層領域、
第三の層領域各々において支持体側で増加している条件
において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な特
性を得られることがわかった。
１と同様の評価を行ったところ、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅ）が５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層し、
且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二の層領域、
第三の層領域各々において支持体側で増加している条件
において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な特
性を得られることがわかった。
【０１７８】
【表６】
【０１７９】（試験例７）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、試験例２と同じ表
６の条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる光受容部材を種々作製した。
による光受容部材の製造装置を用い、試験例２と同じ表
６の条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる光受容部材を種々作製した。
【０１８０】試験例６と変えて試験例７では、第一の層
領域および第二の層領域、第三の層領域の最小含有量お
よび最大含有量を表７に示すように種々変化させた。分
布は直線的に変化させた。そのとき、第三の層領域の表
面側から１.０μｍまでの領域においては周期律表第１
３族に属する元素を添加しなかった。なお、第一の光導
電層および第二の層領域、第三の層領域の膜厚はそれぞ
れ６μｍおよび１８μｍ、６μｍに固定した。
領域および第二の層領域、第三の層領域の最小含有量お
よび最大含有量を表７に示すように種々変化させた。分
布は直線的に変化させた。そのとき、第三の層領域の表
面側から１.０μｍまでの領域においては周期律表第１
３族に属する元素を添加しなかった。なお、第一の光導
電層および第二の層領域、第三の層領域の膜厚はそれぞ
れ６μｍおよび１８μｍ、６μｍに固定した。
【０１８１】作製した個々の光受容部材について試験例
１と同様の評価を行い、帯電能、温度特性、メモリー、
残留電位の測定を行い評価結果を表８に示す。試験例１
の条件で作製したものを基準（１）として評価した。帯
電能は基準に対して±２０Ｖ以内を０で、＋２０Ｖ以上
で１、＋４０Ｖ以上で２、-２０Ｖ以上で-１とする。温
度特性は±３.０Ｖ／ｄｅｇを越えると、温度変化によ
り画像の濃度が変化するために、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以
下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を０、±３Ｖ／ｄｅｇ以
上を−１、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を−２とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、画像の濃度差が大きくなる８Ｖ以上を-１でとす
る。残留電位は、２０Ｖ以下なら＋１、４０Ｖ以下なら
０、４０Ｖ以上なら−１、６０Ｖ以上を−２とする。
１と同様の評価を行い、帯電能、温度特性、メモリー、
残留電位の測定を行い評価結果を表８に示す。試験例１
の条件で作製したものを基準（１）として評価した。帯
電能は基準に対して±２０Ｖ以内を０で、＋２０Ｖ以上
で１、＋４０Ｖ以上で２、-２０Ｖ以上で-１とする。温
度特性は±３.０Ｖ／ｄｅｇを越えると、温度変化によ
り画像の濃度が変化するために、±１.５Ｖ／ｄｅｇ以
下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を０、±３Ｖ／ｄｅｇ以
上を−１、±５Ｖ／ｄｅｇ以上を−２とする。メモリー
は、メモリー電位が５Ｖ以下なら＋１、８Ｖ以下なら
０、画像の濃度差が大きくなる８Ｖ以上を-１でとす
る。残留電位は、２０Ｖ以下なら＋１、４０Ｖ以下なら
０、４０Ｖ以上なら−１、６０Ｖ以上を−２とする。
【０１８２】表８から明らかなように、周期律表第１３
族に属する元素の第一の層領域の最小含有量を０.１以
上２０ｐｐｍ以下および最大含有量を０.５以上５０ｐ
ｐｍ以下、第二の層領域の最小含有量を０.０５以上１
０ｐｐｍ以下および最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ
以下、第三の層領域の最大含有量を０.０１以上１０ｐ
ｐｍ以下とするとともに、第三の層領域の表面側から
０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素を極微少（本試験では無添加）に
することで、電子写真用光受容部材として総合的に良好
な特性を示すことがわかった。
族に属する元素の第一の層領域の最小含有量を０.１以
上２０ｐｐｍ以下および最大含有量を０.５以上５０ｐ
ｐｍ以下、第二の層領域の最小含有量を０.０５以上１
０ｐｐｍ以下および最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ
以下、第三の層領域の最大含有量を０.０１以上１０ｐ
ｐｍ以下とするとともに、第三の層領域の表面側から
０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素を極微少（本試験では無添加）に
することで、電子写真用光受容部材として総合的に良好
な特性を示すことがわかった。
【０１８３】
【表７】
【０１８４】
【表８】
【０１８５】（試験例８）図３に示すすＲＦ-ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。この際、光導電層を電荷注入阻止層側
から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
した。
法による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。この際、光導電層を電荷注入阻止層側
から第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
した。
【０１８６】表９にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。そのとき、第二の層領域の表面側から０.５μ
ｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元素
を添加しなかった。そして、各層領域のＢ元素の含有さ
せる部分は、含有量を図１０（ａ）の様に変化させて含
有させた。
示した。そのとき、第二の層領域の表面側から０.５μ
ｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元素
を添加しなかった。そして、各層領域のＢ元素の含有さ
せる部分は、含有量を図１０（ａ）の様に変化させて含
有させた。
【０１８７】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の
作製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定し
た後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆
積膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプル正孔ダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳiウエハー上に、上記光導電層の
作製条件で膜厚約１μｍのａ-Ｓi膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップＥｇを測定し
た後、Ｃrの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギーＥｕを測定し、Ｓiウエハー上の堆
積膜はＦＴＩＲにより水素含有量Ｃｈを測定した。
【０１８８】本例では光導電層の第一の層領域のＣｈ,
Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１６原子％、１.６６ｅＶ,５２
ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３
０原子％、１.８５ｅＶ,６４ｍｅＶ、第三の層領域はＣ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３５原子％、１.８８ｅＶ,５４
ｍｅＶであった。なお、第一の光導電層および第二の層
領域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ９μｍおよび１２
μｍ、９μｍに固定した。
Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１６原子％、１.６６ｅＶ,５２
ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３
０原子％、１.８５ｅＶ,６４ｍｅＶ、第三の層領域はＣ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕはそれぞれ３５原子％、１.８８ｅＶ,５４
ｍｅＶであった。なお、第一の光導電層および第二の層
領域、第三の層領域の膜厚はそれぞれ９μｍおよび１２
μｍ、９μｍに固定した。
【０１８９】作製した個々の光受答部材について試験例
１と同様の評価を行ったところ、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅｖ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層し、
且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二の層領域、
第三の層領域各々において支持体側で増加している条件
において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な特
性を得られることがわかった。
１と同様の評価を行ったところ、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅｖ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層し、
且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二の層領域、
第三の層領域各々において支持体側で増加している条件
において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な特
性を得られることがわかった。
【０１９０】
【表９】
【０１９１】（試験例９）図３に示すＲＦ-ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、試験例３と同じ表
９の条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる光受容部材を種々作製した試験例
８と変えて試験例９では、第三の層領域の周期律表第１
３族に属する元素を添加しない領域を表１０のように変
化させた。なお、第一の光導電層および第二の層領域、
第三の層領域の膜厚はそれぞれ９μｍおよび１２μｍ、
９μｍに固定した。
による光受容部材の製造装置を用い、試験例３と同じ表
９の条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる光受容部材を種々作製した試験例
８と変えて試験例９では、第三の層領域の周期律表第１
３族に属する元素を添加しない領域を表１０のように変
化させた。なお、第一の光導電層および第二の層領域、
第三の層領域の膜厚はそれぞれ９μｍおよび１２μｍ、
９μｍに固定した。
【０１９２】作製した個々の光受容部材について試験例
１と同様の評価を行い、帯電能、温度特性、メモリー、
残留電位の測定を行い評価結果を表１１に示す。試験例
１の条件で作製したものを基準（１）として評価した。
帯電能は基準に対して±１０Ｖ以内を０で、＋１０Ｖ以
上で１、＋２０Ｖ以上で２、-１０Ｖ以上で-１とする。
温度特性は±３.０Ｖ／ｄｅｇを越えると、温度変化に
より画像の濃度が変化するために、±１.５Ｖ／ｄｅｇ
以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を０、±３Ｖ／ｄｅｇ
以上を-１とする。メモリーは、メモリー電位が基準に
対して±１Ｖ以下なら０、＋１Ｖ以上なら−１、−１Ｖ
以上なら＋１とする。残留電位は基準に対して、±５Ｖ
以下なら０、−５Ｖ以下なら＋１、＋５Ｖ以上なら−１
とする。
１と同様の評価を行い、帯電能、温度特性、メモリー、
残留電位の測定を行い評価結果を表１１に示す。試験例
１の条件で作製したものを基準（１）として評価した。
帯電能は基準に対して±１０Ｖ以内を０で、＋１０Ｖ以
上で１、＋２０Ｖ以上で２、-１０Ｖ以上で-１とする。
温度特性は±３.０Ｖ／ｄｅｇを越えると、温度変化に
より画像の濃度が変化するために、±１.５Ｖ／ｄｅｇ
以下を＋１、±３Ｖ／ｄｅｇ以下を０、±３Ｖ／ｄｅｇ
以上を-１とする。メモリーは、メモリー電位が基準に
対して±１Ｖ以下なら０、＋１Ｖ以上なら−１、−１Ｖ
以上なら＋１とする。残留電位は基準に対して、±５Ｖ
以下なら０、−５Ｖ以下なら＋１、＋５Ｖ以上なら−１
とする。
【０１９３】表１１から明らかなように、基板側から、
Ｃｈが１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５
ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５
ｍｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以
上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ
以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下であ
る第二の層領域とＣｈが２５原子％以上４０原子％以
下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥ
ｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域
を積層し、且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二
の層領域、第三の層領域各々において支持体側で増加し
ているともに、第三の層領域の表面側から０.５以上１.
５μｍ以下までの領域においては周期律表第１３族に属
する元素を極微少（０以上０.１ｐｐｍ以下）にするこ
とで、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性
を示すことがわかった。
Ｃｈが１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５
ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５
ｍｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以
上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ
以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下であ
る第二の層領域とＣｈが２５原子％以上４０原子％以
下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥ
ｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域
を積層し、且つ含有されるＢ元素が第一の層領域、第二
の層領域、第三の層領域各々において支持体側で増加し
ているともに、第三の層領域の表面側から０.５以上１.
５μｍ以下までの領域においては周期律表第１３族に属
する元素を極微少（０以上０.１ｐｐｍ以下）にするこ
とで、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性
を示すことがわかった。
【０１９４】
【表１０】
【０１９５】
【表１１】
【０１９６】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【０１９７】［実施例１］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた。表１２に、このときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.２μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素の
含有量を０.１ｐｐｍになるようにした。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた。表１２に、このときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.２μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素の
含有量を０.１ｐｐｍになるようにした。
【０１９８】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１.７４ｅＶ,５
５ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２４原子％、１.７８ｅＶ,６１ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１.８３ｅＶ,
５２ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１.７４ｅＶ,５
５ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２４原子％、１.７８ｅＶ,６１ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１.８３ｅＶ,
５２ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０１９９】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合に
おいても、基板側からＣｈが１０原子％以上２５原子％
以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが
５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第一の層領域と、
Ｃｈが１５原子％以上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５
ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以
上６５ｍｅＶ以下である第二の層領域と、Ｃｈが２５原
子％以上４０原子％以下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９
０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以
下である第三の層領域を積層するともに、周期律表第１
３族元素の第三の層領域の表面側から０.５以上１.５牛
ｍ以下までの領域においては周期律表第１３族に属する
元素の含有量を微少にすることで、電子写真用光受容部
材として総合的に良好な特性を示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合に
おいても、基板側からＣｈが１０原子％以上２５原子％
以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが
５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第一の層領域と、
Ｃｈが１５原子％以上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５
ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以
上６５ｍｅＶ以下である第二の層領域と、Ｃｈが２５原
子％以上４０原子％以下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９
０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以
下である第三の層領域を積層するともに、周期律表第１
３族元素の第三の層領域の表面側から０.５以上１.５牛
ｍ以下までの領域においては周期律表第１３族に属する
元素の含有量を微少にすることで、電子写真用光受容部
材として総合的に良好な特性を示すことがわかった。
【０２００】
【表１２】
【０２０１】［実施例２］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素
原子、酸素原子、窒素原子を含有させた。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素
原子、酸素原子、窒素原子を含有させた。
【０２０２】表１３にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.０
μｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元
素を添加しなかった。本例では、光導電層の第一の層領
域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１３原子％、１.６５
ｅＶ,５１ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、
それぞれ１６原子％、１.７７ｅＶ,５８ｍｅＶ、第三の
層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１.
８０ｅＶ,５１ｍｅＶという結果が得られた。作製した
光受容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様
に良好な電子写真特性が得られた。
を示した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.０
μｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元
素を添加しなかった。本例では、光導電層の第一の層領
域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１３原子％、１.６５
ｅＶ,５１ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、
それぞれ１６原子％、１.７７ｅＶ,５８ｍｅＶ、第三の
層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１.
８０ｅＶ,５１ｍｅＶという結果が得られた。作製した
光受容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様
に良好な電子写真特性が得られた。
【０２０３】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素原子、酸素
原子、窒素原子を含有させた場合においても、基板側か
らＣｈが１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６
５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５
５ｍｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％
以上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅ
Ｖ以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下で
ある第二の層領域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％
以下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、および
Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領
域を積層するとともに、周期律表第１３族元素の第三の
層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域
においては周期律表第１３族に属する元素の含有量を微
少にすることで、電子写真用光受容部材として総合的に
良好な特性を示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素原子、酸素
原子、窒素原子を含有させた場合においても、基板側か
らＣｈが１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６
５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５
５ｍｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％
以上３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅ
Ｖ以下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下で
ある第二の層領域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％
以下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、および
Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領
域を積層するとともに、周期律表第１３族元素の第三の
層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域
においては周期律表第１３族に属する元素の含有量を微
少にすることで、電子写真用光受容部材として総合的に
良好な特性を示すことがわかった。
【０２０４】
【表１３】
【０２０５】［実施例３］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層を構成する原子として、炭素原子
の代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層を構成する原子として、炭素原子
の代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。
【０２０６】表１４にこのときの光受容部材の作製条件
を示した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.４
μｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元
素の含有量を０.０５ｐｐｍになるようにした。本例で
は、光導電層の寧一の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それ
ぞれ１８原子％、１.６７ｅＶ,５４ｍｅＶ、第二の層領
域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２４原子％、１.８１
ｅＶ,６０ｍｅＶ、第三の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、
それぞれ２９原子％、１.８５ｅＶ,５５ｍｅＶという結
果が得られた。また、作製した光受容部材を試験例１と
同様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が
得られた。
を示した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.４
μｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元
素の含有量を０.０５ｐｐｍになるようにした。本例で
は、光導電層の寧一の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それ
ぞれ１８原子％、１.６７ｅＶ,５４ｍｅＶ、第二の層領
域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２４原子％、１.８１
ｅＶ,６０ｍｅＶ、第三の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、
それぞれ２９原子％、１.８５ｅＶ,５５ｍｅＶという結
果が得られた。また、作製した光受容部材を試験例１と
同様の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が
得られた。
【０２０７】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子をに含有
させた表面層を設けた場合においても、基板側から、Ｃ
ｈが１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅ
Ｖ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上
３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以
下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である
第二の層領域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以
下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥ
ｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域
を積層するとともに、周期律表第１３族元素の第三の層
領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域に
おいては周期律表第１３族に属する元素の含有量を微少
にすることで、電子写真用光受容部材として総合的に良
好な特性を示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子をに含有
させた表面層を設けた場合においても、基板側から、Ｃ
ｈが１０原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅ
Ｖ以上１.７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上
３０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以
下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である
第二の層領域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以
下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥ
ｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域
を積層するとともに、周期律表第１３族元素の第三の層
領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域に
おいては周期律表第１３族に属する元素の含有量を微少
にすることで、電子写真用光受容部材として総合的に良
好な特性を示すことがわかった。
【０２０８】
【表１４】
【０２０９】［実施例４］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層に室素原子および酸素原子を含有
させた。表１５にこのときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から０.６μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素を
添加しなかった。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層に室素原子および酸素原子を含有
させた。表１５にこのときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から０.６μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素を
添加しなかった。
【０２１０】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２５原子％、１.７４ｅＶ,５
４ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
３０原子％、１.８５ｅＶ,６５ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３９原子％、１.８８ｅＶ,
５５ｍｅＶという結果が得られた。また、作製した光受
容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良
好な電子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２５原子％、１.７４ｅＶ,５
４ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
３０原子％、１.８５ｅＶ,６５ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３９原子％、１.８８ｅＶ,
５５ｍｅＶという結果が得られた。また、作製した光受
容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良
好な電子写真特性が得られた。
【０２１１】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、窒素原子および酸素原子を含有させた
表面層を設けた場合においても、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層する
とともに、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表面
側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周
期律表第１３族に属する元素の含有量を微少にすること
で、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、窒素原子および酸素原子を含有させた
表面層を設けた場合においても、基板側からＣｈが１０
原子％以上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で
ある第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％
以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、および
Ｅｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領
域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが
１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層する
とともに、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表面
側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周
期律表第１３族に属する元素の含有量を微少にすること
で、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことがわかった。
【０２１２】
【表１５】
【０２１３】［実施例５］本例では、光導電層に炭素源
としてＣＨ４ガスを用いて炭素原子を含有する第一の層
領域と第二の層領域、第三の層領域および表面層を形成
した。表１６に、このときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.０μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素の
含有量を０.０８ｐｐｍになるようにした。
としてＣＨ４ガスを用いて炭素原子を含有する第一の層
領域と第二の層領域、第三の層領域および表面層を形成
した。表１６に、このときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から１.０μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素の
含有量を０.０８ｐｐｍになるようにした。
【０２１４】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１.６８ｅＶ,５
０ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２８原子％、１.８０ｅＶ,６１ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１.８５ｅＶ,
５４ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１.６８ｅＶ,５
０ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２８原子％、１.８０ｅＶ,６１ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１.８５ｅＶ,
５４ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２１５】すなわち、光導電層に炭素原子を含有さ
せ、電荷注入阻止層側から、第一の層領域、第二の層領
域の順とした二層構成とし、炭素原子を光導電層に含有
させた場合においても、基板側からＣｈが１０原子％以
上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ
以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第一
の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％以下、Ｅ
ｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、およびＥｕが５
５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領域と、Ｃ
ｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが１.８０ｅ
Ｖ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍｅＶ以上
５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層するととも
に、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表面側から
０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素の含有量を微少にすることで、電
子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を示すこ
とがわかった。
せ、電荷注入阻止層側から、第一の層領域、第二の層領
域の順とした二層構成とし、炭素原子を光導電層に含有
させた場合においても、基板側からＣｈが１０原子％以
上２５原子％以下、Ｅｇが１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ
以下、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第一
の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３０原子％以下、Ｅ
ｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、およびＥｕが５
５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である第二の層領域と、Ｃ
ｈが２５原子％以上４０原子％以下、Ｅｇが１.８０ｅ
Ｖ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥｕが５０ｍｅＶ以上
５５ｍｅＶ以下である第三の層領域を積層するととも
に、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表面側から
０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素の含有量を微少にすることで、電
子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を示すこ
とがわかった。
【０２１６】
【表１６】
【０２１７】［実施例６］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域の順とし、
表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１７
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。そのと
き、第三の層領域の表面側から１.２μｍまでの領域に
おいては周期律表第１３族に属する元素の含有量を０.
１ｐｐｍになるようにした。そして、各層領域のＢ元素
の含有させる部分は、含有量を図１０（ｂ）の様に変化
させて含有させた。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域の順とし、
表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１７
に、このときの光受容部材の作製条件を示した。そのと
き、第三の層領域の表面側から１.２μｍまでの領域に
おいては周期律表第１３族に属する元素の含有量を０.
１ｐｐｍになるようにした。そして、各層領域のＢ元素
の含有させる部分は、含有量を図１０（ｂ）の様に変化
させて含有させた。
【０２１８】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１５原子％、１.６５ｅＶ,５
１ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２９原子％、１.８３ｅＶ,６５ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３８原子％、１.８７ｅＶ,
５３ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１５原子％、１.６５ｅＶ,５
１ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２９原子％、１.８３ｅＶ,６５ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３８原子％、１.８７ｅＶ,
５３ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２１９】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合に
おいても、光導電層の第一の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕをそれぞれ１０以上２５原子％以下、１.６５ｅＶ
以上１.７５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
とし、第二の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ
１５以上３０原子％以下、１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ
以下、５５ｍｅｖ以上６５ｍｅＶ以下、第三の層領域に
おいてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ２５以上４０原子％以
下、１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上
５５ｍｅＶ以下で、且つ周期律表第１３族元素の含有を
各層領域で支持体側で多くなるようにし、周期律表第１
３族元素の第一の層領域の最小含有量を０.１以上２０
ｐｐｍ以下および最大含有量を０.５以上５０ｐｐｍ以
下とし、第二の層領域の最小含有量を０.０５以上１０
ｐｐｍ以下および最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以
下とし、第三の層領域の最大含有量を０.０１以上１０
ｐｐｍ以下とするとともに、周期律表第１３族元素の第
三の層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの
領域においては周期律表第１３族に属する元素の含有量
を微少にすることで、電子写真用光受容部材として総合
的に良好な特性を示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合に
おいても、光導電層の第一の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,
Ｅｕをそれぞれ１０以上２５原子％以下、１.６５ｅＶ
以上１.７５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
とし、第二の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ
１５以上３０原子％以下、１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ
以下、５５ｍｅｖ以上６５ｍｅＶ以下、第三の層領域に
おいてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ２５以上４０原子％以
下、１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上
５５ｍｅＶ以下で、且つ周期律表第１３族元素の含有を
各層領域で支持体側で多くなるようにし、周期律表第１
３族元素の第一の層領域の最小含有量を０.１以上２０
ｐｐｍ以下および最大含有量を０.５以上５０ｐｐｍ以
下とし、第二の層領域の最小含有量を０.０５以上１０
ｐｐｍ以下および最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以
下とし、第三の層領域の最大含有量を０.０１以上１０
ｐｐｍ以下とするとともに、周期律表第１３族元素の第
三の層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの
領域においては周期律表第１３族に属する元素の含有量
を微少にすることで、電子写真用光受容部材として総合
的に良好な特性を示すことがわかった。
【０２２０】
【表１７】
【０２２１】［実施例７］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素
原子、酸素原子、窒素原子を含有させた。表１８に、こ
のときの光受容部材の作製条件を示した。そのとき、第
三の層領域の表面側から１.２μｍまでの領域において
は周期律表第１３族に属する元素を添加しなかった。そ
して、各層領域のＢ元素の含有させる部分は、含有量を
図１０（ｃ）の様に変化させて含有させた。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素
原子、酸素原子、窒素原子を含有させた。表１８に、こ
のときの光受容部材の作製条件を示した。そのとき、第
三の層領域の表面側から１.２μｍまでの領域において
は周期律表第１３族に属する元素を添加しなかった。そ
して、各層領域のＢ元素の含有させる部分は、含有量を
図１０（ｃ）の様に変化させて含有させた。
【０２２２】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１.６９ｅＶ、
５３ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞ
れ２０原子％、１.８０ｅＶ、６２ｍｅＶ、第三の層領
域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ４０原子％、１.９０
ｅＶ、５５ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受
容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良
好な電子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１.６９ｅＶ、
５３ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞ
れ２０原子％、１.８０ｅＶ、６２ｍｅＶ、第三の層領
域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ４０原子％、１.９０
ｅＶ、５５ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受
容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良
好な電子写真特性が得られた。
【０２２３】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素原子、酸素
原子、窒素厚子を含有させた場合においても、光導電層
の第一の層領域において、Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１
０以上２５原子％以下、１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以
下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第二の層領域
においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上３０原子％
以下、１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５５ｍｅＶ以
上６５ｍｅＶ以下、第三の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅ
ｕをそれぞれ２５以上４０原子％以下、１.８０ｅＶ以
上１.９０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
で、且つ周期律表第１３族元素の含有を各層領域で支持
体側で多くなるようにし、周期律表第１３族元素の第一
の層領域の最小含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下およ
び最大含有量を０.５以上５０ｐｐｍ以下とし、第二の
層領域の最小含有量を０.０５以上１０ｐｐｍ以下およ
び最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下とし、第三の
層領域の最大含有量を０.０１以上１０ｐｐｍ以下とす
るとともに、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表
面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては
周規律表第１３族に属する元素の含有量を微少にするこ
とで、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性
を示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子炭素原子、酸素
原子、窒素厚子を含有させた場合においても、光導電層
の第一の層領域において、Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１
０以上２５原子％以下、１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以
下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第二の層領域
においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上３０原子％
以下、１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５５ｍｅＶ以
上６５ｍｅＶ以下、第三の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅ
ｕをそれぞれ２５以上４０原子％以下、１.８０ｅＶ以
上１.９０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下
で、且つ周期律表第１３族元素の含有を各層領域で支持
体側で多くなるようにし、周期律表第１３族元素の第一
の層領域の最小含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下およ
び最大含有量を０.５以上５０ｐｐｍ以下とし、第二の
層領域の最小含有量を０.０５以上１０ｐｐｍ以下およ
び最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下とし、第三の
層領域の最大含有量を０.０１以上１０ｐｐｍ以下とす
るとともに、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表
面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては
周規律表第１３族に属する元素の含有量を微少にするこ
とで、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性
を示すことがわかった。
【０２２４】
【表１８】
【０２２５】［実施例８］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の代
わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。表１９に
このときの光受容部材の作製条件を示した。そのとき、
第三の層領域の表面側から１.４μｍまでの領域におい
ては周期律表第１３族に属する元素の含有量を０.０２
ｐｐｍになるようにした。そして、各層領域のＢ元素の
含有させる部分は、含有量を図１０（ｄ）の様に変化さ
せて含有させた。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域とし、表面層を構成する原子として、炭素原子の代
わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。表１９に
このときの光受容部材の作製条件を示した。そのとき、
第三の層領域の表面側から１.４μｍまでの領域におい
ては周期律表第１３族に属する元素の含有量を０.０２
ｐｐｍになるようにした。そして、各層領域のＢ元素の
含有させる部分は、含有量を図１０（ｄ）の様に変化さ
せて含有させた。
【０２２６】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１５原子％、１.６８ｅＶ,５
４ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２６原子％、１.８２ｅＶ,６３ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１.８２ｅＶ,
５３ｍｅＶという結果が得られた。また、作製した光受
容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良
好な電子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１５原子％、１.６８ｅＶ,５
４ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２６原子％、１.８２ｅＶ,６３ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１.８２ｅＶ,
５３ｍｅＶという結果が得られた。また、作製した光受
容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良
好な電子写真特性が得られた。
【０２２７】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層を構成する原子として、炭素原子の代わりに
窒素原子をに含有させた表面層を設けた場合において
も、光導電層の第一の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕを
それぞれ１０以上２５原子％以下、１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第
二の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上
３０原子％以下、１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５
５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下、第三の層領域においてＣ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ２５以上４０原子％以下、１.
８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下で、且つ周期律表第１３族元素の含有を各層領
域で支持体側で多くなるようにし、周期律表第１３族元
素の第一の層領域の最小含有量を０.１以上２０ｐｐｍ
以下および最大含有量を０.５以上５０ｐｐｍ以下と
し、第二の層領域の最小含有量を０.０５以上１０ｐｐ
ｍ以下および最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下と
し、第三の層領域の最大含有量を０.０１以上１０ｐｐ
ｍ以下とするとともに、周期律表第１３族元素の第三の
層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域
においては周期律表第１３族に属する元素の含有量を微
少にすることで、電子写真用光受容部材として総合的に
良好な特性を示すことがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順と
し、表面層を構成する原子として、炭素原子の代わりに
窒素原子をに含有させた表面層を設けた場合において
も、光導電層の第一の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕを
それぞれ１０以上２５原子％以下、１.６５ｅＶ以上１.
７５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第
二の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上
３０原子％以下、１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５
５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下、第三の層領域においてＣ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ２５以上４０原子％以下、１.
８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍ
ｅＶ以下で、且つ周期律表第１３族元素の含有を各層領
域で支持体側で多くなるようにし、周期律表第１３族元
素の第一の層領域の最小含有量を０.１以上２０ｐｐｍ
以下および最大含有量を０.５以上５０ｐｐｍ以下と
し、第二の層領域の最小含有量を０.０５以上１０ｐｐ
ｍ以下および最大含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下と
し、第三の層領域の最大含有量を０.０１以上１０ｐｐ
ｍ以下とするとともに、周期律表第１３族元素の第三の
層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ以下までの領域
においては周期律表第１３族に属する元素の含有量を微
少にすることで、電子写真用光受容部材として総合的に
良好な特性を示すことがわかった。
【０２２８】
【表１９】
【０２２９】［実施例９］本例では、光導電層を電荷注
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層に窒素原子および酸素原子を含有
させた。表２０にこのときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から０.６μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素の
含有量を０.０１ｐｐｍになるようにした。そして、各
層領域のＢ元素の含有させる部分は、含有量を図１０
（ｅ）の様に第一の層領域から直線的に変化し第三の層
領域で一定部分を持つように変化させて含有させた。
入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域、第三の層
領域の順とし、表面層に窒素原子および酸素原子を含有
させた。表２０にこのときの光受容部材の作製条件を示
した。そのとき、第三の層領域の表面側から０.６μｍ
までの領域においては周期律表第１３族に属する元素の
含有量を０.０１ｐｐｍになるようにした。そして、各
層領域のＢ元素の含有させる部分は、含有量を図１０
（ｅ）の様に第一の層領域から直線的に変化し第三の層
領域で一定部分を持つように変化させて含有させた。
【０２３０】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１.７５ｅＶ,５
５ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２９原子％、１.８４ｅＶ,５９ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３５原子％、１.８８ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶという結果が得られた。また、作製した
光受容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様
に良好な電子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１.７５ｅＶ,５
５ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ
２９原子％、１.８４ｅＶ,５９ｍｅＶ、第三の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ３５原子％、１.８８ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶという結果が得られた。また、作製した
光受容部材を試験例１と同様の評価をしたところ、同様
に良好な電子写真特性が得られた。
【０２３１】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、窒素原子および酸素原子を含有させた
表面層を設けた場合においても、光導電層の第一の層領
域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１０以上２５原子
％以下、１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ
以上５５ｍｅＶ以下とし、第二の層領域においてＣｈ,
Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上３０原子％以下、１.７５
ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ
以下、第三の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ
２５以上４０原子％以下、１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ
以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、且つ周期律表
第１３族元素の含有を各層領域で支持体側で多くなるよ
うにし、周期律表第１３族元素の第一の層領域の、最小
含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下および最大含有量を
０.５以上５０ｐｐｍ以下とし、第二の層領域の最小含
有量を０.０５以上１０ｐｐｍ以下および最大含有量を
０.１以上２０ｐｐｍ以下とし、第三の層領域の最大含
有量を０.０１以上１０ｐｐｍ以下とするとともに、周
期律表第１３族元素の第三の層領域の表面側から０.５
以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表第１
３族に属する元素の含有量を微少にすることで、電子写
真用光受容部材として総合的に良好な特性を示すことが
わかった。
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、窒素原子および酸素原子を含有させた
表面層を設けた場合においても、光導電層の第一の層領
域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１０以上２５原子
％以下、１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、５０ｍｅＶ
以上５５ｍｅＶ以下とし、第二の層領域においてＣｈ,
Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上３０原子％以下、１.７５
ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ
以下、第三の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ
２５以上４０原子％以下、１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ
以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、且つ周期律表
第１３族元素の含有を各層領域で支持体側で多くなるよ
うにし、周期律表第１３族元素の第一の層領域の、最小
含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下および最大含有量を
０.５以上５０ｐｐｍ以下とし、第二の層領域の最小含
有量を０.０５以上１０ｐｐｍ以下および最大含有量を
０.１以上２０ｐｐｍ以下とし、第三の層領域の最大含
有量を０.０１以上１０ｐｐｍ以下とするとともに、周
期律表第１３族元素の第三の層領域の表面側から０.５
以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表第１
３族に属する元素の含有量を微少にすることで、電子写
真用光受容部材として総合的に良好な特性を示すことが
わかった。
【０２３２】
【表２０】
【０２３３】［実施例１０］本例では、光導電層に炭素
源としてＣＨ４ガスを用いて炭素原子を含有する第一の
層領域と第二の層領域、第三の層領域および表面層を形
成した。表２１に、このときの光受容部材の作製条件を
示した。そのとき、第二の層領域の表面側から１.０μ
ｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元素
を添加しなかった。そして、各層領域のＢ元素の含有さ
せる部分は、含有量を図１０（ｆ）の様に変化させて含
有させた。
源としてＣＨ４ガスを用いて炭素原子を含有する第一の
層領域と第二の層領域、第三の層領域および表面層を形
成した。表２１に、このときの光受容部材の作製条件を
示した。そのとき、第二の層領域の表面側から１.０μ
ｍまでの領域においては周期律表第１３族に属する元素
を添加しなかった。そして、各層領域のＢ元素の含有さ
せる部分は、含有量を図１０（ｆ）の様に変化させて含
有させた。
【０２３４】本例では、光導電層の第一の層領域の、Ｃ
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１.７２ｅＶ,５
３ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ.Ｅｇ.Ｅｕは、それぞれ
２３原子％、１.８０ｅＶ,６１ｍｅＶ、第二の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１.８３ｅＶ
５４ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
ｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ１８原子％、１.７２ｅＶ,５
３ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ.Ｅｇ.Ｅｕは、それぞれ
２３原子％、１.８０ｅＶ,６１ｍｅＶ、第二の層領域の
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１.８３ｅＶ
５４ｍｅＶという結果が得られた。作製した光受容部材
を試験例１と同様の評価をしたところ、同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２３５】すなわち、光導電層に炭素原子を含有さ
せ、電荷注入阻止層側から、第一の層領域、第二の層領
域、第三の層領域の順とした三層構成とし、炭素原子を
光導電層に含有させた場合においても、光導電層の第一
の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１０以上２
５原子％以下、１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、５０
ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第二の層領域において
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上３０原子％以下、
１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５５ｍｅＶ以上６５
ｍｅＶ以下、第三の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそ
れぞれ２５以上４０原子％以下、１.８０ｅＶ以上１.９
０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、且つ、
周期律表第１３族元素の含有を各層領域で支持体側で多
くなるようにし、周期律表第１３族元素の第一の層領域
の最小含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下および最大含
有量を０.５以上５０ｐｐｍ以下とし、第二の層領域の
最小含有量を０.０５以上１０ｐｐｍ以下および最大含
有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下とし、第三の層領域の
最大含有量を０.０１以上１０ｐｐｍ以下とするととも
に、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表面側から
０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素の含有量を微少にすることによ
り、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことがわかった。
せ、電荷注入阻止層側から、第一の層領域、第二の層領
域、第三の層領域の順とした三層構成とし、炭素原子を
光導電層に含有させた場合においても、光導電層の第一
の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１０以上２
５原子％以下、１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、５０
ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下とし、第二の層領域において
Ｃｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそれぞれ１５以上３０原子％以下、
１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以下、５５ｍｅＶ以上６５
ｍｅＶ以下、第三の層領域においてＣｈ,Ｅｇ,Ｅｕをそ
れぞれ２５以上４０原子％以下、１.８０ｅＶ以上１.９
０ｅＶ以下、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下で、且つ、
周期律表第１３族元素の含有を各層領域で支持体側で多
くなるようにし、周期律表第１３族元素の第一の層領域
の最小含有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下および最大含
有量を０.５以上５０ｐｐｍ以下とし、第二の層領域の
最小含有量を０.０５以上１０ｐｐｍ以下および最大含
有量を０.１以上２０ｐｐｍ以下とし、第三の層領域の
最大含有量を０.０１以上１０ｐｐｍ以下とするととも
に、周期律表第１３族元素の第三の層領域の表面側から
０.５以上１.５μｍ以下までの領域においては周期律表
第１３族に属する元素の含有量を微少にすることによ
り、電子写真用光受容部材として総合的に良好な特性を
示すことがわかった。
【０２３６】
【表２１】
【０２３７】
【発明の効果】本発明によって、光受容部材の使用温度
領域での温度特性が飛躍的に改善されるとともに、光メ
モリーの発生を実質的になくすることができるために、
光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフ
トーンが鮮明に出て、且つ解像力の高い高品質の画像
を、安定して得ることができる電子写真用光受容部材が
得られる。
領域での温度特性が飛躍的に改善されるとともに、光メ
モリーの発生を実質的になくすることができるために、
光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフ
トーンが鮮明に出て、且つ解像力の高い高品質の画像
を、安定して得ることができる電子写真用光受容部材が
得られる。
【０２３８】したがって、本発明の電子写真用光受容部
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ-Ｓi
で構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問
題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた電
気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性
および使用環境特性を示す。
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ-Ｓi
で構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問
題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた電
気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性
および使用環境特性を示す。
【０２３９】特に本発明においては、光導電層を光学的
バンドギャップとギャップ内準位の異なる層領域に分割
し、且つ第三の層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ
以下までの領域においては周期律表第１３族に属する元
素の含有量を極微少にすることによって、帯電能が高
く、加えて周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑
制され、極めて優れた電位特性、画像特性を有する電子
写真用光受容部材が得られる。
バンドギャップとギャップ内準位の異なる層領域に分割
し、且つ第三の層領域の表面側から０.５以上１.５μｍ
以下までの領域においては周期律表第１３族に属する元
素の含有量を極微少にすることによって、帯電能が高
く、加えて周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑
制され、極めて優れた電位特性、画像特性を有する電子
写真用光受容部材が得られる。
【０２４０】またさらに、各層領域で伝導性を制御する
周期律表第１３族元素を支持体側で多くなるように含有
することによって、帯電能が高くメモリーが改善され、
加えて、周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制
され、極めて優れた電位特性、画像特性を有する電子写
真用光受容部材が得られる。
周期律表第１３族元素を支持体側で多くなるように含有
することによって、帯電能が高くメモリーが改善され、
加えて、周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制
され、極めて優れた電位特性、画像特性を有する電子写
真用光受容部材が得られる。
【図１】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するためのａ-Ｓiのサブギャップ光吸収スペクトル
の１例の模式図。
説明するためのａ-Ｓiのサブギャップ光吸収スペクトル
の１例の模式図。
【図２】本発明の光受容部材の好適な実施態様例の層構
成を説明するための模式的層構成図。
成を説明するための模式的層構成図。
【図３】本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材。製造装置の模式的説明図。
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材。製造装置の模式的説明図。
【図４】本発明の光受容部材における光導電層の第一の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
帯電能との関係を示す図。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
帯電能との関係を示す図。
【図５】本発明の光受容部材における光導電層の第一の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
温度特性との関係を示す図。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
温度特性との関係を示す図。
【図６】本発明の光受容部材における光導電層の第一の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
メモリーとの関係を示す図。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
メモリーとの関係を示す図。
【図７】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
帯電能との関係を示す図。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
帯電能との関係を示す図。
【図８】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
温度特性との関係を示す図。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
温度特性との関係を示す図。
【図９】本発明の光受容部材における光導電層の第三の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
メモリーとの関係を示す図。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
メモリーとの関係を示す図。
【図１０】本発明の光受容部材において周期律表第１３
族元素の分布を示す模式図。
族元素の分布を示す模式図。
【符号の説明】 ２００ 光受容部材 ２０１ 導電性支持体 ２０２ 光受容層 ２０３ 光導電層 ２０４ 表面層 ２０５ 電荷注入阻止層 ２１１ 第一の層領域 ２１２ 第二の層領域 ２１０ 自由表面 ３１００,４１００ 堆積装置 ３１１１,４１１１ 反応容器 ３１１２,４１１２ 円筒状支持体 ３１１３,４１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス導入管 ３１１５,４１１６ マッチングボックス ３１１６ 原料ガス配管 ３１１７ 反応容器リークバルブ ３１１８ メイン排気バルブ ３１１９ 真空計 ３２００ 原料ガス供給装置 ３２１１〜３２１６ マスフローコントローラー ３２２１〜３２２６ 原料ガスボンベ ３２３１〜３２３６ 原料ガスボンベバルブ ３２４１〜３２４６ ガス流入バルブ ３２５１〜３２５６ ガス流出バルブ ３２６１〜３２６６ 圧カ調整器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１４ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１４ ３１５ ３１５ ３１６ ３１６ ３３３ ３３３ ３３４ ３３４ ３３５ ３３５ ３３６ ３３６ (72)発明者 土田 伸史 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 新納 博明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA05 DA06 DA07 DA24 DA25 DA26 DA27 DA28 DA34 DA35 DA36 DA41 DA55 DA56 DA57 DA58
Claims (21)
- 【請求項１】 水素原子および／またはハロゲン原子を
含有しシリコン原子を母体とするアモルファス材料から
なる光導電層を備えた電子写真用光受容部材において、
水素原子および／またはハロゲン原子の含有量（Ｃｈ）
が１０原子％以上２５原子％以下、光学的バンドギヤッ
プ（Ｅｇ）が１.６５ｅＶ以上１.７５ｅＶ以下、ならび
に光子エネルギー（ｈν）を独立変数とし光吸収スペク
トルの吸収係数（α）を従属変数とする式（Ｉ） ｌｎα＝（１/Ｅｕ）・ｈν＋α１ （Ｉ） で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が５０ｍｅＶ以上５５ｍｅ
Ｖ以下である第一の層領域と、Ｃｈが１５原子％以上３
０原子％以下、Ｅｇが１.７５ｅＶ以上１.８５ｅＶ以
下、およびＥｕが５５ｍｅＶ以上６５ｍｅＶ以下である
第二の層領域と、Ｃｈが２５原子％以上４０原子％以
下、Ｅｇが１.８０ｅＶ以上１.９０ｅＶ以下、およびＥ
ｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ以下である第三の層領域
とを備え、且つ該光導電層が導電性支持体の表面上に、
第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順に積層
されてなることを特徴とする電子写真用光受容部材。 - 【請求項２】 前記光導電層は、該光導電層全体の層厚
に対する第一の層領域の層厚の比が０.０１以上０.３以
下であることを特徴とする、請求項１記載の光受容部
材。 - 【請求項３】 前記光導電層は、該光導電層全体の層厚
に対する第三の層領域の層厚の比が０.１以上０.３以下
であることを特徴とする、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項４】 前記光導電層が、周期律表第１３族に属
する元素の少なくとも一種を含有することを特徴とす
る、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項５】 前記光導電層が、該光導電層中に周期律
表第１３族に属する元素の少なくとも一種を含有し、各
層領域の支持体側で増加してなることを特徴とする、請
求項１記載の光受容部材。 - 【請求項６】 前記第三の層領域の表面側から０.５以
上１.５μｍ以下までの領域においては、周期律表第１
３族に属する元素の平均含有量が０以上０.１ｐｐｍ以
下であることを特徴とする、請求項１記載の光受容部
材。 - 【請求項７】 前記光導電層の周期律表第１３族に属す
る元素の含有量は前記第一の層領域よりも第二の層領域
が、第二の層領域よりも第三の層領域がより少ないこと
を特徴とする、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項８】 前記第一の層領域の周期律表第１３族に
属する元素の平均含有量が、シリコン原子に対して０.
１ｐｐｍ以上２５ｐｐｍ以下であることを特徴とする、
請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項９】 前記第二の層領域の周期律表第１３族に
属する元素の平均含有量が、シリコン原子に対して０.
０５ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１０】 前記第三の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の平均含有量が、シリコン原子に対して
０.０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴と
する、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１１】 前記第一の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最小含有量が、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２０ｐｍ以下であることを特徴とす
る、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１２】 前記第一の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最大含有量が、シリコン原子に対して
０.５ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１３】 前記第二の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最小含有量が、シリコン原子に対して
０.０５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴と
する、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１４】 前記第二の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最大含有量が、シリコン原子に対して
０.１ｐｐｍ以上２０ｐｍ以下であることを特徴とす
る、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１５】 前記第三の層領域の周期律表第１３族
に属する元素の最大含有量が、シリコン原子に対して
０.０１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であることを特徴と
する、請求項１記載の光受容部材。 - 【請求項１６】 前記光導電層が、該光導電層中に炭
素、酸素、窒素の少なくとも一種を含むことを特徴とす
る、請求項１ないし１５のいずれかに記載の光受容部
材。 - 【請求項１７】 前記光導電層が、該光導電層表面上に
炭素、酸素、窒素の少なくとも一種を含むシリコン系非
単結晶材料からなる表面層が設けられてなることを特徴
とする、請求項１ないし１６のいずれかに記載の光受容
部材。 - 【請求項１８】 前記光導電層が、シリコン原子を母体
とし、炭素、酸素、窒素の少なくとも一種および周期律
表第１３族から選ばれる元素の少なくとも一種を含む単
結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設けられ、
さらに該光導電層の表面上に、炭素、酸素、窒素の少な
くとも一種を含むシリコン系非単結晶材料からなる前記
表面層が設けられてなることを特徴とする請求項１ない
し１７のいずれかに記載の光受容部材。 - 【請求項１９】 前記表面層は、その層厚が０.０１〜
３μｍであることを特徴とする、請求項１７または１８
記載の光受容部材。 - 【請求項２０】 前記電荷注入阻止層は、その層厚が
０.１〜５μｍであることを特徴とする請求項１８記載
の光受容部材。 - 【請求項２１】 前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍ
であることを特徴とする、請求項１ないし２０のいずれ
かに記載の光受容部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001118127A JP2002311614A (ja) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | 電子写真用光受容部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001118127A JP2002311614A (ja) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | 電子写真用光受容部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002311614A true JP2002311614A (ja) | 2002-10-23 |
Family
ID=18968563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001118127A Pending JP2002311614A (ja) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | 電子写真用光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002311614A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010098414A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method |
-
2001
- 2001-04-17 JP JP2001118127A patent/JP2002311614A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010098414A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method |
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