JP2000171995A

JP2000171995A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JP2000171995A
Application number: JP10349024A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Niino; 博明新納; Satoshi Furushima; 聡古島; Nobufumi Tsuchida; 伸史土田; Makoto Aoki; 誠青木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-12-08
Filing date: 1998-12-08
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】帯電能の向上と、温度特性および光メモリー
の低減とを高次元で両立して、画像品質が向上した電子
写真用光受容部材を提供する。【解決手段】導電性支持体と、この導電性支持体の表
面上に、水素原子および／又はハロゲン原子、並びに周
期律表第IIIｂ族に属する元素を含有し、シリコン原子
を母体とするアモルファス材料からなる光導電層を備え
た電子写真用光受容部材において、その光導電層は、特
定の水素原子の含有量、光学的バンドギャップ及び特性
エネルギー（Ｅｕ）を有する第１の層領域と第２の層領
域とを有し、かつ、この光導電層の光の入射側の領域に
おける周期律表第IIIｂ族に属する元素の含有量が、こ
の光導電層の支持体側の領域より少ない構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
光受容部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であるこ
と、等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィ
スで使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部
材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。

【０００３】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する。）があり、例えば、特公昭６０−３５
０５９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が
記載されている。

【０００４】このような光受容部材は、一般的には、導
電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、この支持体上
に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等
の成膜法によりアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から
なる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、
すなわち、原料ガスを高周波あるいはマイクロ波グロー
放電によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成
する方法が好適なものとして実用に付されている。

【０００５】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する。）
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。この公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、
電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、
光学的特性を得ることができるとしている。

【０００６】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性、および耐湿性等の使用環境特性、
さらには経時的安定性について改善を図るため、シリコ
ン原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導
電層上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電
性のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける
技術が記載されている。さらに、特開昭６０−６７９５
１号公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素およ
び弗素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積
層する感光体についての技術が記載され、特開昭６２−
１６８１６１号公報には、表面層として、シリコン原子
と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素と
して含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。

【０００７】そして、特開昭５８−８８１１５号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、光導電層において支持体側で周期律表第III族の原
子を多く含有することが開示されており、特開昭６２−
１１２１６６号公報には、ＳｉＨ₄に対するＢ₂Ｈ₆の流
量比を３．３×１０^-7以上に保ってキャリア輸送層の生
成を行い残像現象をなくす技術が開示されている。

【０００８】さらに、特開昭６２−８３４７０号公報に
は、電子写真用感光体の光導電層において光吸収スペク
トルの指数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下
にすることにより残像現象のない高品質の画像を得る技
術が開示されている。

【０００９】そして、特開昭５８−２１２５７号公報に
は、光導電層の作製中に支持体温度を変化させることに
より光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であって
光感度領域の広い感光体を得る技術が開示され、特開昭
５９−１４３３７９号公報ならびに特開昭６１−２０１
４８１号公報には、水素含有量の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを
積層することにより暗抵抗が高く高感度の感光体を得る
技術が開示されている。

【００１０】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。

【００１１】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。

【００１３】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては、電気的特性や光導電特性の更なる向上ととも
に、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に
性能を延ばすことが求められている。

【００１４】そして、電子写真装置の画像特性の向上の
ために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写
装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材に
おいても従来以上の画像特性の向上が求められるように
なった。

【００１５】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性の向上が図
られてはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関し
ては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコン
系光受容部材の更なる高画質化ヘの課題として、帯電能
および感度の向上や、周囲温度の変化による電子写真特
性の変動あるいはブランクメモリーやゴーストといった
光メモリーを低減することがいっそう求められるように
なってきた。

【００１６】例えば、従来、感光体の画像流れの防止の
ためには、前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載さ
れているように、複写機内にドラムヒーターを設置して
感光体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしな
がら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリ
アの生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度
特性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感
光体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざる
をえなかった。例えば、室温での使用時に比ベてドラム
ヒーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が
１００Ｖ程度低下してしまっていた。

【００１７】また、従来は、複写機を使用しない夜間で
もドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によ
って生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着
することによって発生する画像流れを防止するようにし
ていた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写
機の夜間通電を極力行わないようになってきている。ま
た、このような状態で連続複写をすると複写機内の感光
体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下
して、複写中に画像濃度が変わってしまうという問題が
生じていた。

【００１８】さらに、同一原稿を連続して繰り返し複写
すると、画像上に前回の複写行程での像露光の残像が生
じるいわゆるゴーストや、トナーを節約するために連続
複写時の紙間において感光体に照射される、いわゆるブ
ランク露光の影響によって複写画像上に濃度差が生じる
ブランクメモリー等が画像品質を向上させる上で問題に
なってきた。

【００１９】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記のような問題が解決されるように電子写
真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合的
な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料そのも
のの一段の特性改良を図ることが必要とされている。

【００２０】本発明は、上述した従来のａ−Ｓｉで構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材における
諸問題を解決することを目的とするものである。

【００２１】すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能
の向上と、温度特性の低減および光メモリーの低減とを
高次元で両立して画像品質を飛躍的に向上させた、シリ
コン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容
層を有する光受容部材を提供することにある。

【００２２】特に、電気的、光学的、光導電的特性が使
用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定し
ており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化
現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほと
んど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子
を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者らは、光導電層のキャリアの挙動に着目
し、ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態密度分布と
温度特性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結
果、光導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学的
バンドギャップ、バンドギャップ内の局在状態密度の分
布を制御することにより上記目的を達成できるという知
見を得た。そして、伝導性を制御する物質である周期律
表第IIIｂ族に属する元素の含有状態を制御することに
より、より効果的に上記目的を達成できるとともに、帯
電能および感度（感度の直線性）を大幅に向上すること
ができるという知見を得た。

【００２４】すなわち、シリコン原子を母体とし、水素
原子および／又はハロゲン原子を含有する非単結晶材料
で構成された光導電層を有する光受容部材において、そ
の層構造を特定化するように設計されて作製された光受
容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光受容部材と比ベてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、特に電子写真用の光受容部材とし
て優れた特性を有していることを見い出した。

【００２５】このようなことから、本発明は次のような
特徴を有する発明を提供するものである。

【００２６】第１の発明は、少なくとも導電性支持体
と、該導電性支持体の表面上に、水素原子および／又は
ハロゲン原子、並びに周期律表第IIIｂ族に属する少な
くとも１つの元素を含有し、シリコン原子を母体とする
アモルファス材料からなる光導電層を備えた電子写真用
光受容部材において、該光導電層は、水素原子の含有量
（Ｃｈ）が１０〜２５原子％、光学的バンドギャップ
（Ｅｇ）が１．７〜１．８ｅＶ、及び光子エネルギー
（ｈν）を独立変数とし光吸収スペクトルの吸収係数
（α）を従属変数とする式（Ａ）ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1 （Ａ）で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が５０〜５５ｍｅＶである
第１の層領域と、Ｃｈが２５〜４０原子％、Ｅｇが１．
８〜１．９ｅＶ、及びＥｕが５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ
未満である第２の層領域とを有し、かつ、光導電層の光
の入射側の領域における周期律表第IIIｂ族に属する元
素の含有量が、該光導電層の支持体側の領域における周
期律表第IIIｂ族に属する元素の含有量より少ないこと
を特徴とする電子写真用光受容部材に関する。

【００２７】第２の発明は、上記第１の発明において、
前記光導電層は、光の入射側の領域では周期律表第III
ｂ族に属する元素を実質的に含有しないか又は０．３ｐ
ｐｍ以下含有し、その領域の厚さが０．０５μｍ〜５μ
ｍであって、その他の領域では周期律表第IIIｂ族に属
する元素の含有量が、支持体側から光の入射側に向かっ
て滑らかに減少していることを特徴とする電子写真用光
受容部材に関する。

【００２８】第３の発明は、上記第１の発明において、
前記光導電層は、光の入射側の領域では周期律表第III
ｂ族に属する元素を実質的に含有しないか又は０．３ｐ
ｐｍ以下含有し、その領域の厚さが０．０５μｍ〜５μ
ｍであって、その他の領域では周期律表第IIIｂ族に属
する元素の含有量が、支持体側から光の入射側に向かっ
て階段状に減少していることを特徴とする電子写真用光
受容部材に関する。

【００２９】第４の発明は、上記第１〜第３のいずれか
の発明において、前記光導電層は、周期律表第IIIｂ族
に属する元素の含有量の層中の平均量が０．０５〜３ｐ
ｐｍであることを特徴とする電子写真用光受容部材に関
する。

【００３０】第５の発明は、上記第１〜第４のいずれか
の発明において、前記光導電層全体に占める第２の層領
域の割合が０．０１〜０．３であることを特徴とする電
子写真用光容部材に関する。

【００３１】第６の発明は、上記第１〜第５のいずれか
の発明において、前記光導電層は、第１の層領域の上に
第２の層領域が積層されていることを特徴とする電子写
真用光受容部材に関する。

【００３２】第７の発明は、上記第１〜第５のいずれか
の発明において、前記光導電層は、第２の層領域の上に
第１の層領域が積層されていることを特徴とする電子写
真用光受容部材に関する。

【００３３】第８の発明は、上記第１〜第５のいずれか
の発明において、前記光導電層は、第２の層領域の上に
第１の層領域が積層され、さらにその上に第２の層領域
が積層されていることを特徴とする電子写真用光受容部
材に関する。

【００３４】第９の発明は、上記第１〜第８のいずれか
の発明において、前記光導電層は、その光導電層中に炭
素、酸素、窒素の少なくとも１つを含むことを特徴とす
る電子写真用光受容部材に関する。

【００３５】第１０の発明は、上記第１〜第９のいずれ
かの発明において、前記光導電層の表面上に、炭素、酸
素、窒素の少なくとも１つを含むシリコン系非単結晶材
料からなる表面層が設けられていることを特徴とする電
子写真用光受容部材に関する。

【００３６】第１１の発明は、上記第１〜第９のいずれ
かの発明において、前記光導電層は、シリコン原子を母
体とし、炭素、酸素、窒素の少なくとも１つ及び周期律
表第IIIｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なく
とも１つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の
表面上に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭素、
酸素、窒素の少なくとも１つを含むシリコン系非単結晶
材料からなる表面層が設けられていることを特徴とする
電子写真用光受容部材に関する。

【００３７】第１２の発明は、上記第１〜第１１のいず
れかの発明において、前記光導電層は、その層厚が２０
〜５０μｍである電子写真用光受容部材に関する。

【００３８】第１３の発明は、上記第１０又は第１１の
発明において、前記表面層は、その層厚が０．０１〜３
μｍである電子写真用光受容部材に関する。

【００３９】第１４の発明は、上記第１１の発明におい
て、前記電荷注入阻止層は、その層厚が０．１〜５μｍ
である電子写真用光受容部材に関する。

【００４０】次に、本発明における「指数関数裾」およ
び「特性エネルギー」について図３を用いて詳しく説明
する。

【００４１】図３は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸
に吸収係数αを対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャ
ップ光吸収スペクトルの一例である。このスペクトルは
大きく２つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが
光子エネルギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線
的に変化する部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテ
イル）と、αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部
分Ａである。

【００４２】Ｂ領域はａ−Ｓｉ中の価電子帯側のテイル
準位から伝導帯ヘの光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。

【００４３】α＝α。ｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ）この両辺の対数をとるとｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν十α1 ただし、α1＝ｌｎα。となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少ないことを意味する。

【００４４】次に、本発明において用いられている感度
の直線性について図４を用いて説明する。

【００４５】図４は、感光体の暗電位として４００Ｖの
表面電位に帯電し、次に像露光を照射し、その露光量を
変えた時の表面電位（明電位）の変化、いわゆるＥ−Ｖ
特性（曲線）の一例である。

【００４６】感度の直線性は、暗電位と明電位の差が３
５０Ｖとなる時（△３５０）の露光量（実測値）と、非
露光状態（暗状態）と半減露光量を照射した状態の点と
を結ぶ直線を外挿して△３５０となる露光量（計算値）
との差である。

【００４７】すなわち、その値が小さいほど感光体とし
て良好な特性を示すことを意味する。

【００４８】

【作用】本発明者らは、光学的バンドギャツプ（以下
「Ｅｇ」と略記する。）、及びＣＰＭ（一定光電流法）
によって測定されたサブバンドギャツプ光吸収スペクト
ルから求められる指数関数裾（アーバックテイル）の特
性エネルギー（以下「Ｅｕ」と略記する。）と感光体特
性との相関を種々の条件に渡って調ベた結果、Ｅｇ、Ｅ
ｕとａ−Ｓｉ感光体の帯電能、温度特性、光メモリーと
が密接な関係にあることを見い出し、それらの異なる層
領域を積層し、さらに伝導性を制御する物質である周期
律表第IIIｂ族に属する元素の含有量およびその含有パ
ターンを制御することにより良好な感光体特性を発揮す
ることを見い出し、本発明を完成するに至つた。

【００４９】すなわち、光学的バンドギャップＥｕが大
きく、キャリアの局在準位ヘの捕獲率を小さくした層領
域を、光導電層と表面層の界面領域に介在させることに
より、帯電能を大幅に向上させつつ温度特性を低減さ
せ、なおかつ光メモリーの発生を実質的になくすことが
できることが本発明者らの実験により明らかになった。

【００５０】また、光学的バンドギャップＥｕが大き
く、キャリアの局在準位ヘの捕獲率を小さくした層領域
を、光導電層と阻止層の界面領域に介在させることによ
り、帯電能の向上と温度特性および光メモリーの低減と
を両立させ、なおかつガサツキが低減されることも明ら
かになった。そして、周期律表第IIIｂ族に属する元素
の含有量とその含有パターンを特定範囲に制御すること
により上記の特性向上に加えて感度およびその直線性が
大幅に向上することが明らかになった。

【００５１】これをさらに詳しく説明すると、一般的
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓ
ｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起
因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔
の捕獲、再結合中心として働き、素子の特性を低下させ
る原因になることが知られている。

【００５２】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈ
ｏｄ：以下「ＣＰＭ」と略記する。）は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の局在準位にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを
簡便に測定する方法として有用である。

【００５３】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位ヘの捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
するキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面ヘ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。したがって、光学的バンドギャップ
を大きくすることにより熱励起キャリアの生成を抑え、
なおかつキャリアの走行性を向上させることが温度特性
の向上のために必要である。

【００５４】さらに、光メモリーは、ブランク露光や像
露光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局
在準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留するこ
とによって生じる。すなわち、ある複写行程において生
じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリア
が、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電
界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他
の部分よりも低くなり、その結果、画像上に濃淡が生じ
る。したがって、光キャリアが光導電層内に極力残留す
ることなく、１回の複写行程で走行するように、キャリ
アの走行性を改善しなければならない。

【００５５】したがって、水素の含有量Ｃｈを多くして
光学的バンドギャップＥｇを拡大しつつ特性エネルギー
Ｅｕを制御（低減）した層領域を設けることにより、熱
励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリ
アや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくす
ることができるためにキャリアの走行性が飛躍的に改善
される。

【００５６】つまり、光受容部材の最表面側に第２の層
領域を設けて、この第２の層領域を実質的に光を吸収す
る領域とすることにより、特に帯電能、温度特性、光メ
モリーについて顕著な効果が見られ、光受容部材の最表
面側に第１の層領域を設けて、この第１の層領域を実質
的に光を吸収する領域とすることにより、特に帯電能、
温度特性、ガサツキの点で顕著な効果が見られる。

【００５７】そして、周期律表第IIIｂ族に属する元素
を支持体（または電荷注入阻止層）側に多く含有し、表
面側に向けて含有量が減少するようにし、さらに表面側
の光を吸収する領域では実質的に周期律表第IIIｂ族に
属する元素を含有しないようにすることにより、帯電
能、感度および感度の直線性の点で効果が見られる。

【００５８】したがって、本発明は上記構成によって、
帯電能および感度の向上と温度特性および光メモリーの
低減とを高い次元で両立させ、なおかつ感度およびその
直線性を大幅に向上させて、前記した従来技術における
諸問題の全てを解決することができ、極めて優れた電気
的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使
用環境性を示す光受容部材を得ることができる。

【００５９】

【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の光受
容部材の実施の形態について詳細に説明する。

【００６０】図１は、本発明の光受容部材の層構成を説
明するための模式的構成図である。図１（ａ）に示す光
受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１
の上に、光受容層１０２が設けられている。この光受容
層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する
光導電層１０３で構成され、光導電層１０３は支持体１
０１側から順に第１の層領域１１１と第２の層領域１１
２とからなっている。

【００６１】図１（ｂ）に示す光受容部材１００は、光
受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０
２が設けられている。この光受容層１０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０３で構成
され、光導電層１０３は支持体１０１側から順に第２の
層領域１１２と第１の層領域１１１と第２の層領域１１
２とからなっている。

【００６２】図１（ｃ）に示す光受容部材１００は、光
受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０
２が設けられている。この光受容層１０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０３と、ア
モルファスシリコン系表面層１０４とから構成されてい
る。また、光導電層１０３は支持体１０１側から順に第
１の層領域１１１と第２の層領域１１２とからなってい
る。

【００６３】図１（ｄ）に示す光受容部材１００は、光
受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０
２が設けられている。この光受容層１０２は支持体１０
１側から順にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層１
０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなリ光導電性を有する光
導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４
とから構成されている。また、光導電層１０３は電荷注
入阻止層１０５側から順に第１の層領域１１１と第２の
層領域１１２とからなっている。

【００６４】図１（ｅ）に示す光受容部材１００は、光
受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０
２が設けられている。この光受容層１０２は支持体１０
１側から順にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層１
０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４
とから構成されている。また、光導電層１０３は電荷注
入阻止層１０５側から順に第２の層領域１１２、第１の
層領域１１１、第２の層領域１１２とからなっている。

【００６５】また、図２は、本発明の光受容部材の光導
電層における周期律表第IIIｂ族に属する元素の分布状
態を説明するための模式図である。縦軸は周期律表第II
Iｂ族に属する元素の分布量を示し、横軸は光導電層中
の支持体側から光入射側にかけての分布位置を示す。

【００６６】〈支持体〉本発明において使用される支持
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、
Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、お
よびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。
また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネー
ト、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支
持体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処
理した支持体も用いることができる。

【００６７】本発明において使用される支持体１０１の
形状は、平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端
ベルト状であることができ、その厚さは、所望通りの光
受容部材１００を形成し得るように適宜決定するが、光
受容部材１００としての可撓性が要求される場合には、
支持体１０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可
能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体
１０１は製造上、取り扱い上、機坪的強度等の点から通
常は１０μｍ以上とすることが望ましい。

【００６８】〈光導電層〉本発明において、その目的を
効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光
受容層１０２の１部を構成する光導電層１０３は、真空
堆積膜形成方法によって、所望の特性が得られるように
適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製され
る。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの種々の薄膜堆積法によって
形成することができる。

【００６９】これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資
本投資下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材
に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用
されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに
当たっての条件の制御が比較的容易であることからグロ
ー放電法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロ
ー放電法が好適である。グロー放電法によって光導電層
１０３を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入し
て、この反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじ
め所定の位置に設置された所定の支持体１０１上にａ−
Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００７０】また、本発明において光導電層１０３中に
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。このよ
うな効果を得るためには、水素原子もしくはハロゲン原
子の含有量、または水素原子とハロゲン原子の和の量
は、第１の層領域の場合、シリコン原子と水素原子また
は／及びハロゲン原子の和に対して１５〜３０原子％と
されるのが望ましく、第２の層領域の場合、シリコン原
子と水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して２
５〜４０原子％とされるのが望ましい。

【００７１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして
挙げられる。

【００７２】そして、形成される光導電層１０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成す
る膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂及び／
又はＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所
望量混合して層形成することが必要である。また、各ガ
スは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても
差し支えない。

【００７３】また、本発明において使用されるハロゲン
原子供給用の原料ガスとして有効なものは、例えば、ハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましいものとし
て挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン
原子とを構成要素とするガス状の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして
挙げることができる。本発明において好適に使用し得る
ハロゲン化合物としては、具体的には、弗素ガス
（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、Ｂｒ
Ｆ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げること
ができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハ
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には、例えばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好まし
いものとして挙げることができる。

【００７４】光導電層１０３中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば、
支持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
ヘの導入量、放電電力等を制御すればよい。

【００７５】本発明において、光導電層１０３には伝導
性を制御する原子を光導電層１０３の層厚方向に不均一
な分布状態で含有することが好ましい。これは、光導電
層のキャリアの走行性を調整し、また或は補償して走行
性を高次でバランスさせることにより、帯電能の向上、
光メモリーの低減、感度の向上、さらには感度の直線性
の向上を図ることができるからである。

【００７６】前記伝導性を制御する原子の含有量は、層
中の平均として、０．０５〜３ｐｐｍとするのが望まし
い。さらに、光導電層の光の入射側から露光の５０％〜
９０％を吸収するのに要する領域では、その部分の正孔
と電子の走行性を高次でバランスさせるため、実質的に
含有しないかあるいは０．３ｐｐｍ以下に制御するのが
望ましい。

【００７７】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属する原子
（以後「第IIIｂ族原子」と略記する。）を用いること
ができる。

【００７８】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。

【００７９】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第II
Iｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、光導電層１０３を形成するための他のガスとともに
導入してやればよい。

【００８０】第IIIｂ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状の又は少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。そのような第IIIｂ族原子導入用の原料物質
は、硼素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ
₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼
素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が
挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（Ｃ
Ｈ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができ
る。

【００８１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂及び／又はＨｅにより
希釈して使用してもよい。

【００８２】さらに本発明においては、光導電層１０３
に、炭素原子、酸素原子、窒素原子から選ばれる一種以
上を含有させてもよい。炭素原子、酸素原子、窒素原子
から選ばれる一種以上の原子の含有量は、シリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子、酸素原子、窒素原子から選ばれる一種
以上の原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されて
もよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。

【００８３】本発明において、光導電層１０３の層厚
は、所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果
等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは
２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適
には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が２０
μｍ以上であれば帯電能や感度等の電子写真特性が実用
上充分となり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作
製時間が長くなり製造コストが高くなる。

【００８４】また、本発明において、光導電層１０３全
体（第１の層領域＋第２の層領域）に占める第２の層領
域の膜厚の比は、０．０１〜０．３とすることが望まし
い。その割合が０．０１以上であれば電荷の注入阻止性
能が充分となり、また特に第２の層領域を表面層側に位
置させた時でも、前露光や像露光の長波長成分を充分に
吸収することができ、温度特性や光メモリー低減の効果
を充分に発揮することができる。本発明の目的を達成
し、所望の膜特性を有する光導電層１０３を形成するに
は、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器
内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定す
ることが必要である。

【００８５】希釈ガスとして使用するＨ₂及び／又はＨ
ｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択さ
れるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／又はＨｅを、
通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最適に
は５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。反応容
器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲
が選択されるが、通常の場合１×１０^-2〜１×１０³Ｐ
ａ、好ましくは５×１０^-2〜５×１０²Ｐａ、最適には
１×１０^-1〜１×１０²Ｐａとするのが好ましい。

【００８６】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、第１の層領域の場合は０．３
〜４、好ましくは０．５〜３の範囲に設定することが望
ましく、第２の層領域の場合は３〜８、好ましくは４〜
６の範囲に設定することが望ましい。

【００８７】さらに、支持体２０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【００８８】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。

【００８９】〈表面層〉本発明においては、上述のよう
にして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上
に、更にアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成
することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１１
０を有し、主に耐湿性、連続繰リ返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を
達成するために設けられる。

【００９０】また、本発明においては、光受容層１０２
を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分成されている。

【００９１】表面層１０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいれずの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含
有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）、水素原
字（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）、水素原子（Ｈ）及び
／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する。）、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも１つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）等の
材料が好適に用いられる。

【００９２】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層２０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望の特性が得られるように適宜成膜パラメーター
の数値条件が設定されて作製される。具体的には、例え
ばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法また
はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは
直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
などの数々の薄膜堆積法によって形成することができ
る。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下
の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法に
よることが好ましい。

【００９３】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層１０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給
用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、この反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
１０３を形成した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ
からなる層を形成すればよい。

【００９４】本発明において用いる表面層の材質として
は、シリコンを含有するアモルファス材料ならば何れで
もよいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なく
とも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特に
ａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【００９５】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０〜９０原子％の範囲が好ましい。

【００９６】また、本発明において表面層１０４中に水
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構
成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。また、ハロゲン原子の含有量とし
て、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．
１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるの
が望ましい。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原
子が好ましいものとして挙げられる。

【００９７】これらの水素及び／又はハロゲン原子含有
量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面において
従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るも
のである。この理由は次の通りである。

【００９８】表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原
子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受
容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られてい
る。この悪影響としては、例えば、自由表面から電荷の
注入による帯電特性の劣化、高い湿度等の使用環境のも
とで表面構造が変化することによる帯電特性の変動、さ
らにコロナ帯電時や光照射時に光導電層から表面層に電
荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップさ
れることによる繰り返し使用時の残像現象の発生等がこ
の悪影響として挙げられる。

【００９９】しかしながら、表面層内の水素含有量を３
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比ベて電気的特性および高速
連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
一方、前記表面層中の水素含有量が７０原子％以内であ
れば表面層の硬度が低下することなく、繰り返し使用に
十分に耐えられる。したがって、表面層中の水素含有量
を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望の電
子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つである。
表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１００】また、表面層中のハロゲン含有量を０．０
１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコ
ン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成する
ことが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン原子の
働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と
炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができ
る。一方、表面層中のハロゲン含有量が１５原子％を超
えると、表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発
生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を防止する効果が大きく低下し
ていく。さらに、過剰のハロゲン原子が表面層中のキャ
リアの走行性を阻害するようになるため、残留電位や画
像メモリーの抑制効果が大きく低下するようになる。し
たがって、表面層中のハロゲン含有量を前記範囲内に制
御することが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子
の１つである。表面層中のハロゲン含有量は、水素含有
量と同様に原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パ
ワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１０１】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、又はガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に
使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取リ
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂
Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１０２】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、又はガス化し得る炭化水素が有効に使用されるもの
として挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。

【０１０３】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状態の、又はガス化し得る化合物が有
効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの
窒素または酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、
Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【０１０４】また、形成される表面層１０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスに更に、水素ガス又は水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えない。

【０１０５】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なものは、例えば、ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロ
ゲンを含むハロゲン問化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状の又はガス化し得るハロゲン化合
物が好ましいものとして挙げられる。また、さらにはシ
リコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状の
又はガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合
物も有効なものとして挙げることができる。

【０１０６】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、Ｂｒ
Ｆ、ＣＩＦ、ＣＩＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ
₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲ
ン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳ
ｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙
げることができる。

【０１０７】表面層１０４中に含有される水素原子また
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば、支
持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１０８】表面層１０４中に含有される上記の炭素原
子、酸素原子、窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に
含有されてもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があってもよ
い。

【０１０９】さらに本発明においては、表面層２０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層２０４中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。

【０１１０】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表IIIｂ族に属する原
子（以後「第IIIｂ族原子」と略記する。）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後
「第Ｖｂ族原子」と略記する。）を用いることができ
る。

【０１１１】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等が挙げられ、
特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子として
は、具体的には、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン
（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等が挙げられ、特にＰ、Ａ
ｓが好適である。

【０１１２】表面層２０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

【０１１３】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、表面層２０４を形成するための他のガスとと
もに導入してやればよい。

【０１１４】第IIIｂ族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状の、又は少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

【０１１５】そのような第IIIｂ族原子導入用の原料物
質としては、具体的に、硼素原子導入用として、Ｂ
₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化珊素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、
ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等
も挙げることができる。

【０１１６】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるものは、燐原子導入用として、ＰＨ₃、Ｐ₂
Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、
ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、
ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓ
ｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。

【０１１７】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１１８】本発明における表面層１０４の層厚として
は、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましい。層
厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用中に摩
耗等の理由により表面層が失われてしまう虞があり、３
μｍを超えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下
がみられる。

【０１１９】本発明による表面層１０４は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。すなわち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／又は
Ｏ、Ｈ及び／又はＸを構成要素とする物質は、その形成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を各々示すので、本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成され
るように、所望に従ってその形成条件の選択が厳密にな
される。

【０１２０】例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。

【０１２１】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１０４を設ける場合
には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照
射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶材
料として形成される。

【０１２２】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応
容器内のガス圧を、所望にしたがって適宜設定する必要
がある。支持体２０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１２３】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-2〜１×１０³Ｐａ、より好ましくは５
×１０^-1〜５×１０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜１×
１０²Ｐａとするのが好ましい。

【０１２４】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記の
範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を
形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を
決めるのが望ましい。

【０１２５】さらに本発明においては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効
である。

【０１２６】また表面層１０４と光導電層１０３との間
に炭素原子および／又は酸素原子および／又は窒素原子
の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変
化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、光キャリアの表面ヘの移動がス
ムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光の
反射による干渉の影響をより少なくすることができる。

【０１２７】〈電荷注入阻止層〉本発明の光受容部材に
おいては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支
持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入
阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、
電荷注入阻止層は、光受容層が一定の極性の帯電処理を
その自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電
荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯
電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、
いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付
与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原
子を光導電層に比ベ比較的多く含有させる。

【０１２８】この電荷注入阻止層に含有される伝導性を
制御する原子は、この層中に万偏なく均一に分布されて
もよいし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されては
いるが、不均一に分布する状態で含有している部分があ
ってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に
多く分布するように含有させるのが好適である。

【０１２９】但し、いずれの場合にも支持体の表面と平
行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有され
ることが、面内方向における特性の均一化を図る点から
も望ましい。

【０１３０】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIｂ族に属する原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記
する。）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族
に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する。）を
用いることができる。

【０１３１】第IIIｂ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（砒素），Ｓｂ
（アンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。

【０１３２】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適に
は１×１０²〜３×１０³原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。

【０１３３】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子および酸素原子の少なくとも１種を含有させる
ことによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図るこ
とができる。

【０１３４】電荷注入阻止層に含有される炭素原子また
は窒素原子または酸素原子は、この層中に万偏なく均一
に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万偏なく
含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有して
いる部分があってもよい。但し、いずれの場合にも支持
体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏
なく含有されることが面内方向における特性の均一化を
はかる点からも望ましい。

【０１３５】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／又は窒素原子および／又
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定されるが、１種の場合はその量とし
て、２種以上の場合はその総和として、好ましくは１×
１０^-3〜３０原子％、よリ好適には５×１０^-3〜２０原
子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされるのが望
ましい。

【０１３６】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／又はハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電
荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは
水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜
５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１
０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１３７】本発明において、電荷注入阻止層の層厚
は、所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効
果等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましく
は０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるの
が望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体
からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能
が得られなくなる虞があり、５μｍより厚くしても電子
写真特性の向上は期待できず、作製時間の延長による製
造コストの増加を招くだけである。

【０１３８】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【０１３９】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と
同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応
容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度
を適宜設定することが必要である。

【０１４０】希釈ガスであるＨ₂及び／又はＨｅの流量
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／又はＨｅを、通常の場
合０．３〜２０倍、好ましくは０．５〜１５倍、最適に
は１〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１４１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜１×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-1〜５×１
０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐａとするの
が好ましい。

【０１４２】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０．５〜８、好ま
しくは０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。

【０１４３】さらに、支持体１０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１４４】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記の範囲が挙げられ
るが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する表面層
を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作
製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１４５】この他に、本発明の光受容部材において
は、光受容層２０２の前記支持体２０１側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／
及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有
する層領域を有することが望ましい。

【０１４６】また、本発明の光受容部材においては、支
持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注入阻止層１
０５との間の密着性のより一層の向上を図る目的で、例
えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、あるいはシリコン
原子を母体とし、水素原子および／又はハロゲン原子
と、炭素原子および／又は酸素原子および／又は窒素原
子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても
よい。さらに、支持体からの反射光による干渉模様の発
生を防止するための光吸収層を設けてもよい。

【０１４７】〈膜形成装置および膜形成方法〉次に、光
受容層を形成するための装置および膜形成方法について
詳述する。

【０１４８】図５は、電源周波数としてＲＦ帯を用いた
高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略
記する。）による光受容部材の製造装置の一例を示す模
式的な構成図である。図５に示す製造装置の構成は以下
の通りである。

【０１４９】この装置は大別すると、堆積装置（５１０
０）、原料ガスの供給装置（５２００）、反応容器（５
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（５１００）中の反応容器
（５１１１）内には円筒状支持体（５１１２）、支持体
加熱用ヒーター（５１１３）、原料ガス導入管（５１１
４）が設置され、さらに高周波マッチングボックス（５
１１５）が接続されている。

【０１５０】原料ガス供給装置（５２００）は、ＳｉＨ
₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＮＯ等の原料ガスのボンベ
（５２２１〜５２２６）とバルブ（５２３１〜５２３
６，５２４１〜５２４６，５２５１〜５２５６）及びマ
スフローコントローラー（５２１１〜５２１６）から構
成され、各原料ガスのボンベはバルブ（５２６０）を介
して反応容器（５１１１）内のガス導入管（５１１４）
に接続されている。

【０１５１】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０１５２】まず、反応容器（５１１１）内に円筒状支
持体（５１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器（５１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（５１１３）により
円筒状支持体（５１１２）の温度を２００〜３５０℃の
所定の温度に制御する。

【０１５３】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（５１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（５２３
１〜５２３６）、反応容器のリークバルブ（５１１７）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（５
２４１〜５２４６）、流出バルブ（５２５１〜５２５
６）及び補助バルブ（５２６０）が開かれていることを
確認して、まずメインバルブ（５１１８）を開いて反応
容器（５１１１）及びガス配管内（５１１６）を排気す
る。

【０１５４】次に、真空計（５１１９）の読みが約５×
１０^-4Ｐａになった時点で補助バルブ（５２６０）及び
流出バルブ（５２５１〜５２５６）を閉じる。

【０１５５】その後、ガスボンベ（５２２１〜５２２
６）より各ガスをバルブ（５２３１〜５２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（５２６１〜５２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ
（５２４１〜５２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（５２１１〜５２１６）内に導入
する。

【０１５６】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（５
１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（５
２５１〜５２５６）のうちの必要なものおよび補助バル
ブ（５２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（５２２１〜
５２２６）から所定のガスをガス導入管（５１１４）を
介して反応容器（５１１１）内に導入する。

【０１５７】次に、マスフローコントローラー（５２１
１〜５２１６）によって各原料ガスが所定の流量になる
ように調整する。その際、反応容器（５１１１）内の圧
力が１００Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計
（５１１９）を見ながらメイン排気バルブ（５１１８）
の開口を調整する。

【０１５８】内圧が安定したところで、周波数１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定し
て、高周波マッチングボックス（５１１５）を通じて反
応容器（５１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー放電
を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体（５１
１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成
されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、
ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器ヘ
のガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１５９】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１６０】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言う
までもなく、また、それぞれのガスが反応容器（５１１
１）内、流出バルブ（５２５１〜５２５６）から反応容
器（５１１１）に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ（５２５１〜５２５６）を閉じ、補助
バルブ（５２６０）を開き、さらにメインバルブ（５１
１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

【０１６１】また、膜形成の均―化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（５１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１６２】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。

【０１６３】堆積膜形成時の支持体温度は、特に２００
〜３５０℃、好ましくは２３０〜３３０℃、より好まし
くは２５０〜３１０℃が望ましい。

【０１６４】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。

【０１６５】上記の方法以外にも、反応容器以外に加熱
専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で
支持体を搬送する方法を用いてもよい。

【０１６６】

【実験例】以下、実験例により本発明の効果を具体的に
説明する。

【０１６７】＜実験例１＞図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層および
表面層からなる光受容部材を作製した。

【０１６８】

【表１】一方、アルミニウムシリンダー（支持体）に代えて、サ
ンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形のサ
ンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社７０
５９）及びＳｉウエハー上に、上記光導電層の作成条件
で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上
の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を測定した
後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエハー上の
堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）を測定し
た。

【０１６９】表１の例では、第１の層領域のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ１８原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍ
ｅＶであり、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞ
れ３５原子％、１．８５ｅＶ、５４ｍｅＶであった。

【０１７０】次いで、第２の層領域においてＳｉＨ₄ガ
スとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力との比
率ならびに支持体温度を種々変えることによって、第２
の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕの異なる種々の光受容部材
を作製した。

【０１７１】なお、第１の光導電層および第２の層領域
の膜厚はそれぞれ２９μｍおよび１μｍに固定した。

【０１７２】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造した装置）にセッ
トして、電位特性の評価を行った。

【０１７３】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・
ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子
写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥ
Ｋ社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより光受
容部材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。ま
た、光受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を
室温（約２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件に
て帯電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能
の変化を温度特性とした。また、メモリー電位は、像露
光光源にハロゲンランプを用い、上述の条件下において
同様の電位センサーにより非露光状態での表面電位と−
旦露光した後に再度帯電した時との電位差を測定した。

【０１７４】本実験例のＥｕ及びＥｇと、帯電能、温度
特性及びメモリーとの関係をそれぞれ図６、図７及び図
８に示す。それぞれの特性に関して、光導電層（膜厚３
０μｍ）を第１の層領域のみで構成した場合に対する相
対値で示した。

【０１７５】図６、図７及び図８から明らかなように、
第２の層領域において、Ｅｇが１．８〜１．９ｅＶ（Ｃ
ｈが２５〜４０原子％）、Ｅｕが５０〜５５ｍｅＶの条
件において、帯電能、温度特性、メモリーともに良好な
特性を得られることがわかった。

【０１７６】＜実験例２＞図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１と同様の
条件で、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム
シリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層
および表面層からなる光受容部材を作製した。この際、
光導電層は、電荷注入阻止層側から第２の層領域、第１
の層領域、第２の層領域の順で積層した構成とした。

【０１７７】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様の評価を行い、さらに画像特性としてべタ黒画
像による濃度分布（いわゆるガサツキ）について調ベた
ところ、第２の層領域において、Ｅｇが１．８〜１．９
ｅＶ（Ｃｈが２５〜４０原子％）、Ｅｕが５０〜５５ｍ
ｅＶの条件において、光導電層を第１の層領域のみで構
成した場合に比ベ、帯電能、温度特性、光メモリー及び
ガサツキレベルの全てに渡って特性が向上することがわ
かった。

【０１７８】＜実験例３＞図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表２に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層および
表面層からなる光受容部材を作製した。

【０１７９】

【表２】一方、アルミニウムシリンダー（支持体）に代えて、サ
ンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形のサ
ンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社７０
５９）及びＳｉウエハー上に、上記光導電層の作製条件
で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上
の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を測定した
後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾
の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエハー上の
堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）を測定し
た。

【０１８０】表２の例では、第１の層領域のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ２２原子％、１．７５ｅＶ、５４ｍ
ｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３
５原子％、１．８６ｅＶ、５５ｍｅＶであった。

【０１８１】ここで、光導電層に含有される周期律表第
IIIｂ族に属する元素であるホウ素原子の含有パターン
が、図２（ａ）に示す分布状態となるように、光導電層
の第１の層領域全体にわたってＳｉＨ₄に対するＢ₂Ｈ₆
量を変化させ、また、第１の層領域および第２の層領域
の層厚を変えることによって光導電層全体に占める第２
の層領域の割合を変え、さらに、第１の層領域での初期
Ｂ₂Ｈ₆量を変えることによって光導電層に含有される周
期律表第IIIｂ族に属する元素であるホウ素原子含有量
の層中平均が異なる光受容部材を作製した。

【０１８２】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造した装置）にセッ
トして、電位特性の評価を行った。

【０１８３】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長５６５ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・
ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子
写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥ
Ｋ社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより光受
容部材の表面電位を測定し、それを帯電能とした。ま
た、光受容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を
室温（約２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件に
て帯電能を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能
の変化を温度特性とした。また、メモリー電位は、像露
光光源にハロゲンランプを用い、上述の条件下において
同様の電位センサーにより非露光状態での表面電位と一
旦露光した後に再度帯電した時との電位差を測定した。

【０１８４】本実験例の第２の層領域の割合およびホウ
素含有量（層中の平均量）と帯電能、光メモリー及び感
度の直線性との関係をそれぞれ図９、図１０及び図１１
に示す。それぞれの特性に関して、光導電層の全ての層
領域を第１の層領域のみで構成し、ホウ素原子含有量を
１．５ｐｐｍ（均一）にした場合に対する相対値で示し
た。

【０１８５】図９、図１０及び図１１から明らかなよう
に、光導電層全体に占める第２の層領域の割合を０．０
１〜０．３とし、光導電層における周期律表第IIIｂ族
に属する元素の含有量の層中の平均量を０．０５〜３ｐ
ｐｍとすることによって、帯電能、光メモリー及び感度
の直線性のいずれも良好な特性を得られることがわかっ
た。

【０１８６】＜実験例４＞図５に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表３に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層および
表面層からなる光受容部材を作製した。

【０１８７】

【表３】一方、アルミニウムシリンダー（支持体）に代えて、サ
ンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形のサ
ンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社７０
５９）およびＳｉウエハー上に、上記光導電層の作製条
件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板
上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を測定し
た後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数
裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエハー上
の堆積膜はＦＴＩＲによリ水素含有量（Ｃｈ）を測定し
た。

【０１８８】表３の例では、第１の層領域のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ１６原子％、１．７２ｅＶ、５２ｍ
ｅＶであリ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それ
ぞれ２９原子％、１．８１ｅＶ、５０ｍｅＶであった。

【０１８９】ここで、光導電層に含有される周期律表第
IIIｂ族に属する元素であるホウ素原子の含有パターン
が図２（ａ）に示す分布状態となるように、光導電層の
第１の層領域全体にわたってＳｉＨ₄に対するＢ₂Ｈ₆量
を変化させ、さらに、光入射側のホウ素原子含有量の少
ない領域のホウ素原子含有量、及びその領域の厚さを変
えて種々の光受容部材を作製した。

【０１９０】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様の電位特性評価を行った。本実験例の光入射側
のホウ素含有量およびその領域の厚さと、帯電能、メモ
リー及び感度の直線性との関係をそれぞれ図１２、図１
３及び図１４に示す。それぞれの特性に関して、光導電
層の全ての層領域でホウ素含有量を１ｐｐｍ（均一）に
した場合に対する相対値で示した。

【０１９１】図１２、図１３及び図１４から明らかなよ
うに、光入射側の周期律表第IIIｂ族に属する元素の含
有量を、実質的に含有されないか又は０．３ｐｐｍ以下
とし、その領域の厚さを０．０５〜５μｍとすることに
よって、帯電能、光メモリー、感度の直線性のいずれも
良好な特性を得られることがわかった。

【０１９２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。

【０１９３】＜実施例１＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。この際、光導電層を電荷注入阻止層側
から第１の層領域、第２の層領域の順とした。

【０１９４】表４にこのときの光受容部材の作製条件を
示す。

【０１９５】

【表４】また、光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属す
る元素であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｂ）に
示す分布状態となるようにした。

【０１９６】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２１原子％、１．７６ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ３１原子％、１．８３ｅＶ、５２ｍｅＶという
結果が得られた。

【０１９７】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造した装置）にセッ
トして、電位特性の評価を行ったところ、帯電能、温度
特性、メモリーとも良好な特性が得られた。

【０１９８】また、作製した光受容部材を正帯電して画
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ず、その他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良
好な電子写真特性が得られた。

【０１９９】すなわち、光導電層を、電荷注入阻止層側
から第１の層領域、第２の層領域の順とした場合におい
ても、光導電層の第１の層領域において、Ｅｇ（Ｃ
ｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．７ｅＶ〜１．８ｅＶ（１０〜
２５原子％）、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ未満とし、第
２の層領域において、Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ
１．８〜１．９ｅＶ（２５〜４０原子％）、５０〜５５
ｍｅＶとすることが良好な電子写真特性を得るために必
要であることがわかった。

【０２００】＜実施例２＞本実施例では、光導電層を、
電荷注入阻止層側から第２の層領域、第１の層領域の順
で形成し、また、実施例１の表面層に代えて、表面層の
シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均
一な分布状態とした表面層を設けた。表５に、このとき
の光受容部材の作製条件を示す。

【０２０１】

【表５】また、光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属す
る元素であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｃ）に
示す分布状態となるようにした。

【０２０２】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２０３】すなわち、光導電層を、電荷注入阻止層側
から第２の層領域、第１の層領域の順で形成し、表面層
のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不
均−な分布状態とした表面層を設けた場合においても、
光導電層の第１の層領域においてＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕを
それぞれ１．７ｅＶ〜１．８ｅＶ（１０〜２５原子
％）、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ未満とし、第２の層領
域においてＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ、１．８〜
１．９ｅＶ（２５〜４０原子％）、５０〜５５ｍｅＶと
することが良好な電子写真特性を得るために必要である
ことがわかった。

【０２０４】＜実施例３＞本実施例では、光導電層を、
電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順
で形成し、実施例１の表面層に代えて、表面層のシリコ
ン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分
布状態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフッ
素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を
含有させた。表６に、このときの光受容部材の作製条件
を示す。

【０２０５】

【表６】また、光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属す
る元素であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｄ）に
示す分布状態となるようにした。

【０２０６】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２０７】すなわち、光導電層を、電荷注入阻止層側
から第２の層領域、第１の層領域の順で形成し、表面層
のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不
均一な分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての
層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子およ
び窒素原子を含有させた場合においても、光導電層の第
１の層領域において、Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ
１．７ｅＶ〜１．８ｅｖ（１０〜２５原子％）、５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅｖ未満とし、第２の層領域において、
Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．８〜１．９ｅＶ（２
５〜４０原子％）、５０〜５５ｍｅＶとすることが良好
な電子写真特性を得るために必要であることがわかっ
た。

【０２０８】＜実施例４＞本実施例では、光導電層を、
電荷注入阻止層側から第２の層領域、第１の層領域、第
２の層領域の順で形成し、シリコン原子および炭素原子
の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を
設けた。表７に、このときの光受容部材の作製条件を示
す。

【０２０９】

【表７】また、光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属す
る元素であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｅ）に
示す分布状態となるようにした。

【０２１０】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２１１】すなわち、光導電層を、電荷注入阻止層側
から第２の層領域、第１の層領域、第２の層領域の順と
した三層構成とし、シリコン原子および炭素原子の含有
量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた
場合においても、光導電層の第１の層領域において、Ｅ
ｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．７ｅＶ〜１．８ｅＶ
（１０〜２５原子％）、５０ｍｅＶ以上５５ｍｅＶ未満
とし、第２の層領域において、Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそ
れぞれ１．８〜１．９ｅＶ（２５〜４０原子％）、５０
〜５５ｍｅＶとすることが良好な電子写真特性を得るた
めに必要であることがわかった。

【０２１２】＜実施例５＞本実施例では、光導電層を、
電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順
で形成し、また、表面層を、構成原子として炭素原子の
代わりに窒素原子を表面層に含有させて設けた。表８に
このときの光受容部材の作製条件を示す。

【０２１３】

【表８】光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属する元素
であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｆ）に示す分
布状態となるようにした。

【０２１４】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２１５】すなわち、光導電層を、電荷注入阻止層側
から第１の層領域、第２の層領域の順で形成し、表面層
を構成する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を
含有させた表面層を設けた場合においても、光導電層の
第１の層領域において、Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ
１．７ｅＶ〜１．８ｅＶ（１０〜２５原子％）、５０ｍ
ｅＶ以上５５ｍｅＶ未満とし、第２の層領域において、
Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．８〜１．９ｅＶ（２
５〜４０原子％）、５０〜５５ｍｅＶとすることが良好
な電子写真特性を得るために必要であることがわかっ
た。

【０２１６】＜実施例６＞本実施例では、光導電層を、
電荷注入阻止層側から第２の層領域、第１の層領域の順
で形成し、表面層に窒素原子および酸素原子を含有させ
た。表９に、このときの光受容部材の作製条件を示す。

【０２１７】

【表９】光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属する元素
であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｇ）に示す分
布状態となるようにした。

【０２１８】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２１９】すなわち、光導電層を、電荷注入阻止層側
から第２の層領域、第１の層領域の順で形成し、表面層
を構成する原子として、窒素原子および酸素原子を含有
させた表面層を設けた場合においても、光導電層の第１
の層領域において、Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．
７ｅＶ〜１．８ｅＶ（１０〜２５原子％）、５０ｍｅＶ
以上５５ｍｅＶ未満とし、第２の層領域において、Ｅｇ
（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．８〜１．９ｅＶ（２５〜
４０原子％）、５０〜５５ｍｅＶとすることが良好な電
子写真特性を得るために必要であることがわかった。

【０２２０】＜実施例７＞本実施例では、光導電層を、
電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順
で形成し、実施例１のＨ₂に代えてＨｅを使用し、全て
の層にフッ素原子を含有させた。表１０に、このときの
光受容部材の作製条件を示す。

【０２２１】

【表１０】光導電層に含有される周期律表第IIIｂ族に属する元素
であるホウ素原子の含有パターンを図２（ｈ）に示す分
布状態となるようにした。

【０２２２】作製した光受容部材を実施例１と同様の評
価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得られ
た。

【０２２３】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第２の層領域、第１の層領域の順で形成し、表面層を
構成する原子として、窒素原子および酸素原子を含有さ
せた表面層を設けた場合においても、光導電層の第１の
層領域において、Ｅｇ（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．７
ｅＶ〜１．８ｅＶ（１０〜２５原子％）、５０ｍｅＶ以
上５５ｍｅＶ未満とし、第２の層領域において、Ｅｇ
（Ｃｈ）、Ｅｕをそれぞれ１．８〜１．９ｅＶ（２５〜
４０原子％）、５０〜５５ｍｅＶとすることが良好な電
子写真特性を得るために必要であることがわかつた。

【０２２４】

【発明の効果】本発明によれば、光受容部材の使用温度
領域での温度特性が飛躍的に改善されるとともに光メモ
リーの発生を実質的になくすことができるために、光受
容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトー
ンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定し
て得ることができる電子写真用光受容部材が得られる。

【０２２５】本発明の電子写真用光受容部材は、前述の
ごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成さ
れた従来の電子写真用光受容部材における諸問題をすべ
て解決することができ、特にきわめて優れた電気的特
性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性および
使用環境特性を示す。

【０２２６】特に本発明においては、光導電層を、ギャ
ップ内準位が少ない状態で光学的バンドギャップの異な
る層領域に分割し、さらに周期律表第IIIｂ族に属する
元素の含有状態を不均一に制御することによって、帯電
能および感度が高く、加えて周囲環境の変動に対する表
面電位の変化が抑制され、極めて優れた電位特性、画像
特性を有する光受容部材が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光受容部材の好適な実施形態の層構成
を説明するための模式的層構成図である。

【図２】本発明の光受容部材の好適な実施形態の光導電
層における周期律表第IIIｂ族に属する元素の分布状態
を説明するための模式図である。

【図３】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するための図であり、アモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）のサブギャップ光吸収スペクトルの一例の模式図
である。

【図４】本発明における感度の直線性を説明するための
図であり、アモルファスシリコン感光体の露光特性（Ｅ
−Ｖ特性）の一例の模式図である。

【図５】本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例を示す図であり、ＲＦ帯の高周波を用いた
グロー放電法による光受容部材の製造装置の模式的説明
図である。

【図６】本発明の光受容部材における光導電層の第２の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
帯電能との関係を示す図である。

【図７】本発明の光受容部材における光導電層の第２の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
温度特性との関係を示す図である。

【図８】本発明の光受容部材における光導電層の第２の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
メモリーとの関係を示す図である。

【図９】本発明の光受容部材における光導電層に占める
第２の層領域の割合および光導電層に含まれる周期律表
第IIIｂ族に属する元素の層中の平均量と帯電能との関
係を示す図である。

【図１０】本発明の光受容部材における光導電層に占め
る第２の層領域の割合および光導電層に含まれる周期律
表第IIIｂ族に属する元素の層中の平均量と光メモリー
との関係を示す図である。

【図１１】本発明の光受容部材における光導電層に占め
る第２の層領域の割合および光導電層に含まれる周期律
表第IIIｂ族に属する元素の層中の平均量と感度の直線
性との関係を示す図である。

【図１２】本発明の光受容部材における光の入射側の領
域における周期律表第IIIｂ族に属する元素の含有量お
よびその領域の厚さと帯電能との関係を示す図である。

【図１３】本発明の光受容部材における光の入射側の領
域における周期律表第IIIｂ族に属する元素の含有量お
よびその領域の厚さと光メモリーとの関係を示す図であ
る。

【図１４】本発明の光受容部材における光の入射側の領
域における周期律表第IIIｂ族に属する元素の含有量お
よびその領域の厚さと感度の直線性との関係を示す図で
ある。

【符号の説明】

１００光受容部材１０１導電性支持体１０２光受容層１０３光導電層１０４表面層１０５電荷注入阻止層１１０自由表面１１１第１の層領域１１２第２の層領域５１００推積装置５１１１反応容器５１１２円筒状支持体５１１３支持体加熱用ヒーター５１１４原料ガス導入管５１１５マッチングボックス５１１６原料ガス配管５１１７反応容器リークバルブ５１１８メイン排気バルブ５１１９真空計５２００原料ガス供給装置５２１１〜５２１６マスフローコントローラー５２２１〜５２２６原料ガスボンベ５２３１〜５２３６原料ガスボンベバルブ５２４１〜５２４６ガス流入バルブ５２５１〜５２５６ガス流出バルブ５２６０補助バルブ５２６１〜５２６６圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１４Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１４３１５３１５３１６３１６３３３３３３３３４３３４３３５３３５ (72)発明者土田伸史東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者青木誠東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 DA05 DA06 DA07 DA23 DA24 DA25 DA26 DA27 DA28 DA34 DA35 DA37 DA41 DA56 DA57 DA58 DA59

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも導電性支持体と、該導電性支
持体の表面上に、水素原子および／又はハロゲン原子、
並びに周期律表第IIIｂ族に属する少なくとも１つの元
素を含有し、シリコン原子を母体とするアモルファス材
料からなる光導電層を備えた電子写真用光受容部材にお
いて、該光導電層は、水素原子の含有量（Ｃｈ）が１０〜２５
原子％、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）が１．７〜１．
８ｅＶ、及び光子エネルギー（ｈν）を独立変数とし光
吸収スペクトルの吸収係数（α）を従属変数とする式
（Ａ）ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1 （Ａ）で表される関数の直線関係部分（指数関数裾）から得ら
れる特性エネルギー（Ｅｕ）が５０ｍｅＶ以上５５ｍｅ
Ｖ未満である第１の層領域と、Ｃｈが２５〜４０原子
％、Ｅｇが１．８〜１．９ｅＶ、及びＥｕが５０〜５５
ｍｅＶである第２の層領域とを有し、かつ、光導電層の
光の入射側の領域における周期律表第IIIｂ族に属する
元素の含有量が、該光導電層の支持体側の領域における
周期律表第IIIｂ族に属する元素の含有量より少ないこ
とを特徴とする電子写真用光受容部材。
【請求項２】前記光導電層は、光の入射側の領域では
周期律表第IIIｂ族に属する元素を実質的に含有しない
か又は０．３ｐｐｍ以下含有し、その領域の厚さが０．
０５μｍ〜５μｍであって、その他の領域では周期律表
第IIIｂ族に属する元素の含有量が、支持体側から光の
入射側に向かって滑らかに減少していることを特徴とす
る請求項１記載の電子写真用光受容部材。
【請求項３】前記光導電層は、光の入射側の領域では
周期律表第IIIｂ族に属する元素を実質的に含有しない
か又は０．３ｐｐｍ以下含有し、その領域の厚さが０．
０５μｍ〜５μｍであって、その他の領域では周期律表
第IIIｂ族に属する元素の含有量が、支持体側から光の
入射側に向かって階段状に減少していることを特徴とす
る請求項１記載の電子写真用光受容部材。
【請求項４】前記光導電層は、周期律表第IIIｂ族に
属する元素の含有量の層中の平均量が０．０５〜３ｐｐ
ｍであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電
子写真用光受容部材。
【請求項５】前記光導電層全体に占める第２の層領域
の割合が０．０１〜０．３であることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真用光容部材。
【請求項６】前記光導電層は、第１の層領域の上に第
２の層領域が積層されていることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項７】前記光導電層は、第２の層領域の上に第
１の層領域が積層されていることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項８】前記光導電層は、第２の層領域の上に第
１の層領域が積層され、さらにその上に第２の層領域が
積層されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の電子写真用光受容部材。
【請求項９】前記光導電層は、その光導電層中に炭
素、酸素、窒素の少なくとも１つを含むことを特徴とす
る請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真用光受
容部材。
【請求項１０】前記光導電層の表面上に、炭素、酸
素、窒素の少なくとも１つを含むシリコン系非単結晶材
料からなる表面層が設けられていることを特徴とする請
求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部
材。
【請求項１１】前記光導電層は、シリコン原子を母体
とし、炭素、酸素、窒素の少なくとも１つ及び周期律表
第IIIｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくと
も１つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表
面上に設けられ、更に該光導電層の表面上に、炭素、酸
素、窒素の少なくとも１つを含むシリコン系非単結晶材
料からなる表面層が設けられていることを特徴とする請
求項１〜９のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部
材。
【請求項１２】前記光導電層は、その層厚が２０〜５
０μｍである請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電
子写真用光受容部材。
【請求項１３】前記表面層は、その層厚が０．０１〜
３μｍである請求項１０又は１１記載の電子写真用光受
容部材。
【請求項１４】前記電荷注入阻止層は、その層厚が
０．１〜５μｍである請求項１１記載の電子写真用光受
容部材。