JP2002139858A - 電子写真用光受容部材及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速プロセススピードでも帯電能、感度等の
特性に優れた光受容部材及びこれを用いた電子写真装置
を提供する。 【解決手段】 導電性支持体１０１上に、シリコン原子
を母体とし水素原子及び／又はハロゲン原子を含む非単
結晶材料からなる光導電層１０３を有する光受容層１０
２を有し、光導電層１０３は電荷を輸送する第一の層領
域１１１と電荷を生成する第二の層領域１１２からな
り、第二の層領域１１２は第二Ａの層領域１１３と第二
Ｂの層領域１１４からなり、光学的バンドギャップは第
二Ａの層領域１１３よりも第二Ｂの層領域１１４の方が
広く、第二Ｂの層領域１１４は前露光を所望の割合で吸
収する層領域であり、第二の層領域１１２は前露光の波
長よりも長い波長の像露光を所望の割合で吸収する層領
域である電子写真用光受容部材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光（ここでは広義
の光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線
等を意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
電子写真用光受容部材及びこれを用いた電子写真装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材の光受
容層を形成する光導電材料には、高感度で、ＳＮ比〔光
電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、等の特性
が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用され
る電子写真装置内に組み込まれる光受容部材の場合に
は、上記の使用時における無公害性は重要な点である。

【０００３】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、電子写真用光受容部材として
注目されている。このような光受容部材は、一般的に
は、導電性基体を５０℃〜３５０℃に加熱し、この上に
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成
膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なか
でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あ
るいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上
にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実
用に付されている。

【０００４】また、特開昭５８−１８９６４３号公報あ
るいは特開昭６２−２２６９号公報には、ａ−Ｓｉ半導
体層とａ−ＳｉＧｅ光導電層あるいはμｃ−Ｓｉ光導電
層とａ−Ｓｉ光導電層を順次積層することにより、可視
光から近赤外領域において高感度にする技術が開示され
ている。さらに、特開平６−１９４８５５号公報には、
ある波長より長波長の光に対しては光導電性を示さない
１５μｍ以上の電荷輸送層と、長波長の光に対しても光
導電性を示す１〜１０μｍの光導電層とを組み合わせる
ことにより、帯電電荷と結合するキャリアの移動距離を
短くしてトラップによる残像発生を抑止する技術が開示
されている。また、特公平７−８９２３２号公報には、
電荷発生層を２層構成とし、表面側の電荷発生層のバン
ドギャップを大きくし、各層の価電子帯のバンド端から
フェルミレベルまでのエネルギーを実質的に等しくする
ことにより、広い波長範囲に亘って感度を向上させる技
術が開示されている。

【０００５】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性及び耐久性の点において、各々個々には
特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図
る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。

【０００７】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性のさらなる向上により、
帯電能、感度を改善しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。

【０００８】そして、電子写真装置の画像特性向上のた
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。

【０００９】このような状況下において、前述した従来
技術により上記点についてある程度の特性向上が可能に
なってはきたが、さらなる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特に、アモルファスシリ
コン系光受容部材のさらなる高画質化への課題として、
周囲温度の変化による電子写真特性の変動あるいはゴー
ストに代表される光メモリーを低減することが一層求め
られるようになってきた。

【００１０】例えば、従来は光受容部材の画像流れの防
止のために、特開昭６０−９５５５１号公報に記載され
ているように、複写機内にドラムヒーターを設置して光
受容部材の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかし
ながら、従来の光受容部材では前露光キャリアや熱励起
キャリアの生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆ
る温度特性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では
本来光受容部材が有しているよりも帯電能が低い状態で
使用せざるを得なかった。

【００１１】また、従来は複写機を使用しない夜間でも
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜間に光受容部材表面に吸
着することによって発生する画像流れを防止するように
していた。しかし、現在では省資源・省電力のために複
写機の夜間通電を極力行わないようになってきている。
このような状態で複写をすると、複写機内の光受容部材
周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下し
て、複写中に画像濃度が変わってしまうという現象が生
じていた。

【００１２】さらに、同一原稿を連続して繰り返し複写
すると、前回の複写行程での像露光の残像が次回の複写
時に画像上に生じるいわゆるゴーストや、トナーを節約
するために連続複写時の紙間において光受容部材に照射
される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像
上に濃度差が生じるブランクメモリー等の光メモリーが
画像品質を向上させる上で課題になってきた。

【００１３】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるようにその
光受容部材の層構成、各層の化学的組成等総合的な観点
からの改良を図ることが必要とされている。

【００１４】一方、近年のオフィスや一般家庭へのコン
ピュタの普及が進み、電子写真装置も従来の複写機とし
てだけでなく、ファクシミリやプリンターの役目を担う
ためにデジタル化することが求められるようになってき
た。そのための露光光源として用いられる半導体レーザ
ーやＬＥＤは、発光強度や価格の点から近赤外から赤色
可視光領域までの比較的長波長のものが主流である。さ
らに近年電子写真装置が益々高速化あるいは小型化する
につれ帯電能への要求はより一層高まるとともに、デジ
タル機用とアナログ機用の感光体を共通化してコスト低
減を行うために、露光光源の波長に依存しない層設計が
求められている。

【００１５】そして、電子写真装置の高速度化、小型化
に伴い、帯電装置の小型化、被複写物が複写プロセスを
通過する速度（以下、プロセススピードと称する）の増
加が進行し、帯電器内における感光体の通過時間が短く
なっている。さらには高速なプロセススピードでは前露
光により発生して膜中にトラップされるキャリアが残存
しやすくなり高帯電能を得ることが益々難しくなってき
た。

【００１６】さらに、感度や上述の光メモリーに関して
も高速なプロセススピードにおいては、像露光により発
生して膜中にトラップされるキャリアが残存ししやすく
なり感度が低下したり、光メモリーが発生しやすくなる
場合がある。光メモリーは前露光を過剰に与えることに
よって減少できるが、その際には帯電能の低下が著しく
なってしまい、帯電能とゴーストとが相容れない状況に
なってしまう場合がある。

【００１７】したがって、複写機のみならずプリンター
としても使用することを考えた場合、露光光源としては
約５００ｎｍから約７００ｎｍまでの広い波長に対応
し、充分な帯電能、感度を確保しつつ、光メモリー、温
度特性を減少しなければならない。そのためには、広い
波長領域の光に対して充分に光吸収をして電荷を生成す
るとともに膜中にトラップされる電荷を減らせるように
バランスの取れた層設計をすることが必要である。

【００１８】すなわち、電子写真用光受容部材を設計す
る際に、上記したような課題が解決されるように電子写
真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成等総合的な
観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料そのもの
の一段の特性改良を図ることが必要とされている。

【００１９】本発明は、上述した従来のａ−Ｓｉで構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材における
諸問題を解決することを目的とするものである。

【００２０】すなわち、本発明の主たる目的は、高速な
プロセススピードにおいて露光光源の波長が短波長から
長波長にわたって充分な帯電能を確保するとともに感度
を向上し、光メモリーの低減及び温度特性の低減を高次
元で両立して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン
原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材、及びこれを用いた電子写
真装置を提供することにある。

【００２１】さらに本発明の目的は、電気的、光学的、
光導電的特性が使用環境にほとんど依存することなく実
質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使
用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優
れ、残留電位がほとんど観測されず、さらに画像品質の
良好な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材、及びこ
れを用いた電子写真装置を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、光導電層のキャリアの挙動に着目
し、前露光波長と像露光波長の関係、ａ−Ｓｉの実質的
に光を吸収して電荷を生成する層領域の構成と帯電能、
感度、光メモリーや温度特性との関係について鋭意検討
した。その結果、前露光波長よりも像露光波長の方を長
くして、水素原子及び／又はハロゲン原子含有量、光学
的バンドギャップを制御した異なる層を露光光源の吸収
割合に応じて積層することにより上記目的を達成できる
という知見を得た。

【００２３】より具体的には、本発明者らは、シリコン
原子を母体とし、水素原子及び／又はハロゲン原子を含
有する非単結晶材料で構成された光導電層を有する電子
写真用光受容部材において、前露光波長よりも像露光波
長の方を長くし、実質的に光を吸収して電荷を生成する
層領域の層構造を特定化するように設計して作製した光
受容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の電子写真用光受容部材と比べてみてもあらゆ
る点において凌駕していることを見出した。

【００２４】すなわち本発明は、導電性支持体上に、シ
リコン原子を母体とし水素原子及び／又はハロゲン原子
を含有する非単結晶材料で構成される光導電層を有する
光受容層を少なくとも有する電子写真用光受容部材にお
いて、該光導電層は該導電性支持体側から表面側に向か
って、実質的に電荷を輸送する第一の層領域と実質的に
光を吸収して電荷を生成する第二の層領域を順次積層し
てなるものであり、第二の層領域は、該導電性支持体側
から表面側に向かって第二Ａの層領域と第二Ｂの層領域
からなり、光学的バンドギャップは第二Ａの層領域より
も第二Ｂの層領域の方が広く、第二Ｂの層領域は前露光
を所望の割合で吸収する層領域であり、第二の層領域は
前露光の波長よりも長い波長の像露光を所望の割合で吸
収する層領域領域であることを特徴とする電子写真用光
受容部材である。

【００２５】さらに本発明は、光受容部材として上記電
子写真用光受容部材を用い、５００ｎｍ〜７００ｎｍの
範囲内の波長光により前露光及び像露光を行なう前露光
手段及び像露光手段を備え、かつ前露光よりも像露光の
方が波長が長いことを特徴とする電子写真装置である。

【００２６】以下、本発明が完成された経緯と、本発明
の作用等について説明する。

【００２７】本発明者らは、露光光源の関係と実質的に
光を吸収して電荷を生成する層領域の層構造、光学的バ
ンドギャップ（以下、「Ｅｇ」と略記する）と電子写真
感光体特性との相関を種々の条件にわたって調べた結
果、前露光波長と像露光波長の関係、層領域のＥｇ、水
素原子及び／又はハロゲン原子含有量、露光光源の吸収
領域とａ−Ｓｉ感光体の帯電能、感度、光メモリーや温
度特性とが密接な関係にあることを見出した。そしてさ
らに、露光光源の吸収領域について詳細に調べた結果、
例えば、前露光と像露光を一定量吸収する領域の膜厚比
を特定することなどにより、良好な電子写真感光体特性
を発揮することを見出した。

【００２８】すなわち、露光光源として前露光波長より
も像露光波長の方が長い場合において、実質的に光を吸
収して電荷を生成する層領域を二層化し、両層の光学的
バンドギャップの大小を規定することにより、また、よ
り好ましくは各層の光学的バンドギャップ、水素原子及
び／又はハロゲン原子含有量を規定し、前露光と像露光
入射部が一定量吸収する領域の膜厚比を特定化すること
により、光メモリーを実質的に無くすことができ、帯電
能、感度、温度特性が向上できるという事が、本発明者
らの実験により明らかになった。

【００２９】光メモリーは、前露光及び像露光によって
生じた光キャリアが残留することによって生じると考え
られる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャ
リアのうち残留したキャリアが、次回の帯電時あるいは
それ以降に表面電荷による電界によって掃き出され、像
露光の照射された部分とその他の部分とで電位差が生
じ、その結果画像上に濃淡が生じる。この際、像露光の
照射された部分で残留するキャリアとしては、像露光の
照射されていない部分にも存在する前露光キャリアに加
えて像露光キャリアがある。そして、残留する前露光キ
ャリアと像露光キャリアの兼ね合いで画像の濃淡が決ま
るが、いずれのキャリアも極力残留しないことが光メモ
リーの向上には有効であると考えられる。したがって、
光キャリアが光導電層内に極力残留することなく、１回
の複写行程で走行するように、前露光キャリア及び像露
光キャリアの走行性を改善しなければならない。さら
に、感度に関しても同様に、像露光により発生して膜中
にトラップされるキャリアが残存しやすくなると感度が
低下する。よって、光キャリアが光導電層内に極力残留
することがなく、１回の複写行程で走行するように光キ
ャリアの走行性を改善しなければならない。

【００３０】また、ドラムヒーター等で感光体を加熱し
たときに帯電能が低下する原因として、熱励起されたキ
ャリアが帯電時の電界に引かれて、表面電荷を打ち消し
てしまうことが挙げられる。このとき、帯電器を通過す
る間に表面に到達したキャリアについては帯電能の低下
にはほとんど影響が無いが、帯電器を通過した後に膜中
にトラップされていたキャリアは表面へ到達して表面電
荷を打ち消すために温度特性として観測される。また、
帯電器を通過した後に熱励起されたキャリアも、表面電
荷を打ち消し帯電能の低下を引き起こす。したがって、
熱励起キャリアの生成を抑えると共に、膜中にトラップ
されていたキャリアが減少するようにキャリアの走行性
を向上させてバランスをとることが、温度特性、帯電能
の向上のために必要である。

【００３１】そして近年、電子写真装置の高速度化や小
型化に伴い、帯電装置の小型化、プロセススピードの高
速度化が進行し、帯電器内における感光体の通過時間が
短くなっている。さらに高速なプロセススピードにおい
ては、前露光により発生して膜中にトラップされるキャ
リアが残存しやすくなり、高帯電能を得ることがますま
す難しくなってきており、帯電能の向上が切望されてい
る。

【００３２】また従来、前露光については、像露光より
も長い波長が用いられることが多かった。これは、次の
ような理由によると考えられる。すなわち、像露光で発
生したキャリアのほとんどは膜中を走行して瞬時に消滅
するが、膜中にトラップされるものがある。それを打ち
消すには、残留電位を消去するために使用する前露光を
有効利用する。前露光は像露光に比べて露光量が大きい
ため、たくさんのキャリアを生成しトラップされた電荷
を吐き出させることができる。このとき、像露光でキャ
リアが生成する領域よりも広い領域でキャリアを発生さ
せた方が、よりトラップされたキャリアを消滅し易くな
る。

【００３３】一方、露光波長とａ−Ｓｉの吸収係数との
関係から、前露光を短波長化していけば光の吸収領域を
薄くでき、電子（正帯電の場合）走行距離が短くなると
ともにキャリアが再結合しやすくなる。その結果、膜中
にトラップされ表面電荷を打ち消して帯電能の低下を引
き起こす電子が減少し、帯電能は向上することができ
る。

【００３４】しかし、従来の前露光波長よりも像露光波
長が短い関係では、高速なプロセススピードにも充分対
応できるように帯電能を向上させようと前露光を短波長
化していくと、像露光の短波長化により感度が低下して
しまう場合が生じる。すなわち、像露光の短波長化では
前述したように光の吸収領域を薄くでき、電子（正帯電
の場合）の走行距離が短くなると共にキャリアが再結合
し易くなる。そして、キャリアの再結合による寄与の方
が大きいため、感度は低下してしまうと考えられる。

【００３５】そこで、前露光の短波長化で帯電能を向上
させるが、感度の低下を考えると像露光波長は前露光ほ
ど短波長化できないので、従来の前露光波長よりも像露
光波長が短い関係ではなく、前露光波長よりも像露光波
長が長い場合に関しての検討が必要となる。

【００３６】しかし、単に前露光を短波長化していき像
露光よりも短くするだけでは帯電能は向上できるが、前
述のように像露光よりも前露光の波長が長い方が像露光
で生成しトラップされたキャリアを消滅し易いので、像
露光も関与する感度、光メモリーに関しては向上は得ら
れない。

【００３７】そこで本発明者らは、前露光波長よりも像
露光波長が長い場合において帯電能を向上し、かつ像露
光も関与する感度、光メモリーの向上をも可能にする方
法に関して鋭意検討した。その結果、例えば、前露光及
び像露光を特定の範囲内の割合で吸収する領域を設けて
キャリアの走行性のバランスをとることで、帯電能を向
上しつつ像露光も関与する感度、光メモリーの向上も可
能になることが分かった。

【００３８】光導電層として水素原子及び／又はハロゲ
ン原子含有量を少なくしてＥｇを狭くすると、熱励起キ
ャリアの生成はＥｇを拡大したものより比較的多くな
る。しかし、長波長光の吸収が大きくなり光入射部を小
さくできるために、電子（正帯電の場合）の走行距離が
減り膜中にトラップされる割合が減り、電子の走行性が
改善される。

【００３９】一方、水素原子及び／又はハロゲン原子含
有量を多くしてＥｇを拡大すると、長波長光の吸収はＥ
ｇを狭くしたものよりも小さいので、光入射部はＥｇを
狭くしたものより大きくなる。しかし、短波長光の吸収
に関しては光入射部を充分小さくできると共に、熱励起
キャリアの生成が抑えられ、表面側からの電荷の注入阻
止性能も向上する。

【００４０】したがって、光導電層を導電性支持体側か
ら表面側に向けて実質的に生成したキャリアを輸送する
第一の層領域と実質的に光を吸収してキャリアを生成す
る第二の層領域とに分割し、第二の層領域を導電性支持
体側から表面側に向けてＥｇの小さい第二Ａの層領域と
Ｅｇの大きい第二Ｂの層領域の二重構造とすることによ
って広い波長領域にわたって充分な光吸収と表面側から
の電荷の注入阻止性能が得られ、帯電能、感度の向上、
光メモリーの低減が観られる。そして、Ｅｇが大きい層
領域を表面側に設けることにより、熱励起キャリアの生
成が抑えられ、帯電能を向上させつつ温度特性を低減さ
せることができる。

【００４１】さらに、前露光を特定の範囲内の割合で吸
収する領域を第二Ｂの層領域、像露光を特定の範囲内の
割合で吸収する領域を第二の層領域にし、かつ、第二Ａ
の層領域に対する第二Ｂの層領域の膜厚比を一定の範囲
内に設定しトータルバランスをとることで、光キャリア
の走行性が改善され帯電能及び感度の向上、光メモリー
の低減が観られる。特に感度に関しては、第二Ａの層領
域に対する第二Ｂの層領域の膜厚比を一定の範囲内に設
定しトータルバランスをとって光キャリアの走行性を改
善することで、連続使用した際にも感度の振れ幅（感度
を複数回測定したときの平均値から最も差が大きい値と
の差の絶対値）が減少し、より精度の高い電子写真特性
が得られるという効果を発現することが、本発明者らの
実験により明らかになった。

【００４２】つまり、本発明は上記構成によって、光メ
モリーの低減、帯電能及び感度の向上、感度の振れ幅及
び温度特性の減少とを高い次元で両立させ、先に述べた
従来技術の諸問題の全てを解決することができ、極めて
優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久
性及び使用環境性を示す電子写真用光受容部材を提供す
ることができる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、図面に従って、本発明の電
子写真用光受容部材の好適な実施形態について説明す
る。

【００４４】図１は、本発明の光受容部材の層構成を説
明するための模式的構成図である。図１（ａ）に示す光
受容部材１００は、光受容部材用の支持体１０１の上
に、光受容層１０２が設けられている。光受容層１０２
はａ−Ｓｉ：Ｈ,Ｘからなり、光導電性を有する光導電
層１０３で構成され、光導電層１０３は支持体１０１側
から順に第一の層領域１１１と第二の層領域１１２とか
らなり、第二の層領域１１２は第二Ａの層領域１１３と
第二Ｂの層領域１１４とからなっている。

【００４５】図１（ｂ）に示す光受容部材１００は、光
受容部材用の支持体１０１の上に、光受容層１０２が設
けられている。光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ,Ｘから
なり光導電性を有する光導電層１０３と、アモルファス
シリコン系表面層１０４とから構成されている。また、
光導電層１０３は支持体１０１側から順に第一の層領域
１１１と第二の層領域１１２とからなり、第二層領域１
１２は第二Ａの層領域１１３と第二Ｂの層領域１１４と
からなっている。

【００４６】図１（ｃ）に示す光受容部材１００は、光
受容部材用の支持体１０１の上に、光受容層１０２が設
けられている。光受容層１０２は支持体１０１側から順
にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層１０５と、ａ
−Ｓｉ：Ｈ,Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０
３と、アモルファスシリコン系表面層１０４とから構成
されている。また、光導電層１０３は電荷注入阻止層１
０５側から順に第一の層領域１１１と第二の層領域１１
２とからなり、第二の層領域１１２は第二Ａの層領域１
１３と第二Ｂの層領域１１４とからなっている。

【００４７】＜支持体＞本発明において使用される導電
性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎ
ｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およ
びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。ま
た、電気絶縁性材料としてポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド
等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミ
ック等を用い、これらの電気絶縁性支持体の少なくとも
光受容層を形成する側の表面を導電処理して、導電性支
持体として用いることができる。

【００４８】本発明において使用される支持体１０１の
形状は平滑表面あるいは微少な凹凸表面を有する円筒状
又は無端ベルト状であることができ、その厚さは所望通
りの電子写真用光受容部材１００を形成し得るように適
宜決定する。電子写真用光受容部材１００としての可撓
性が要求される場合には、支持体１０１としての機能が
充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体１０１は製造上及び取り扱い
上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされ
る。

【００４９】＜光導電層＞本発明において、その目的を
効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光
受容層１０２の少なくとも一部を構成する光導電層１０
３は、例えば真空堆積膜形成方法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定
され、また、使用される原料ガス等が選択されて作製さ
れる。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法又はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放
電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタ
リング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光Ｃ
ＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成
することができる。

【００５０】これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資
本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用
光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真用光
受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較的容
易であることから、高周波グロー放電法が好適である。

【００５１】グロー放電法によって光導電層１０３を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器
内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設
置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ：Ｈ,Ｘ
からなる層を形成すればよい。

【００５２】また、本発明において光導電層１０３中に
は水素原子又は／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これは層中のシリコン原子の未結合手を
補償するために含有され、層品質の向上、特に光導電性
及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である
からである。水素原子又はハロゲン原子の含有量、又は
水素原子とハロゲン原子の和の量は、シリコン原子と水
素原子又は／及びハロゲン原子の和に対して好ましくは
１０〜４５原子％、より好ましくは１０〜４０原子％と
されるのが望ましい。

【００５３】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、又はガス化し得る水素化
珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙
げられる。

【００５４】そして、形成される光導電層１０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
一層容易になるように図り、本発明の目的を達成する膜
特性を得るために、これらのガスにさらにＨ₂及び／又
はＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスを所望
量混合した雰囲気で層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。

【００５５】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の又
はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。
また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることがで
きる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物
としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を
含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシ
ラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂
Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることがで
きる。

【００５６】光導電層１０３中に含有される水素原子又
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体１０１の温度、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入
する量、放電電力等を制御すればよい。

【００５７】本発明においては、光導電層１０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有している部分
があってもよい。

【００５８】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第13族に属する原子（以
後「第13族原子」と略記する）又はｎ型伝導特性を与え
る周期律表第15族に属する原子（以後「第15族原子」と
略記する）を用いることができる。

【００５９】第13族原子として具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第15族原子としては、具
体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００６０】光導電層１０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１
００原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５０原子
ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１０原子ｐｐｍとされる
のが望ましい。さらに、第二の層領域に比べて第一の層
領域での伝導性を制御する原子の含有量を多くすること
が好ましく、第二の層領域の含有量に対する第一の層領
域の含有量比は３〜１０００にすることが好ましい。

【００６１】伝導性を制御する原子、第13族原子あるい
は第15族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、
第13族原子導入用の原料物質あるいは第15族原子導入用
の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層１０３
を形成するための他のガスとともに導入してやればよ
い。第13族原子導入用の原料物質あるいは第15族原子導
入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。

【００６２】そのような第13族原子導入用の原料物質と
して具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ
₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄
等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣ
ｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げ
ることができる。

【００６３】第15族原子導入用の原料物質として有効に
使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂Ｈ
₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、Ｐ
Ｃｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が挙
げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、Ａ
ｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓｂ
Ｃｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃等
も第15族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることができる。

【００６４】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂及び／又はＨｅにより
希釈して使用してもよい。

【００６５】さらに本発明においては、光導電層１０３
に炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子を含
有させることも有効である。炭素原子及び／又は酸素原
子／又は窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、
酸素原子及び窒素原子の和に対して好ましくは１×１０
^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜８原子
％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。炭素原
子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子は、光導電層
中に万遍なく均一に含有されてもよいし、光導電層の層
厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせ
た部分があってもよい。

【００６６】本発明において、光導電層１０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０
〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、さらに好
ましくは２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が
２０μｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特
性が実用上不充分となる場合があり、５０μｍより厚く
なると、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが
高くなることがある。

【００６７】また、本発明においては第二Ｂの層領域１
１４は前露光を６０％〜９０％吸収する層領域であるこ
とが好ましく、第二の層領域１１２は像露光を６０％〜
９０％吸収する層領域であることが好ましく、さらに第
二Ａの層領域１１３の膜厚に対する第二Ｂの層領域１１
４の膜厚比が０.３〜７であることが好ましい。上記範
囲外では、広い波長領域にわたって充分な光吸収が行わ
れずトータルバランスを失い、光キャリアの走行性が改
善されず本発明の効果が充分には得られない場合があ
る。

【００６８】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。

【００６９】希釈ガスとして使用するＨ₂及び／又はＨ
ｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択さ
れるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／又はＨｅを、
通常の場合３〜３０倍、好ましくは４〜２５倍、最適に
は５〜２０倍の範囲に制御することが望ましい。また、
その範囲の値で一定になるように制御することが好まし
い。

【００７０】反応容器内のガス圧も、同様に層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×
１０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2〜５×
１０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａとする
のが好ましい。

【００７１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を０.３〜１０、好ましくは０.５
〜９、さらに好ましくは１〜６の範囲に設定することが
望ましい。

【００７２】さらに、支持体１０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、さ
らに好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。

【００７３】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。

【００７４】＜表面層＞本発明においては、上述のよう
にして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上
に、さらにアモルファスシリコン系の表面層１０４を形
成することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１
０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的
を達成するために設けられる。

【００７５】また、本発明においては、光受容層１０２
を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する
非晶質材料が各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が充分なされている。

【００７６】表面層１０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含
有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ,Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに
酸素原子を含有するアモルファスシリコン、水素原子
（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに
窒素原子を含有するアモルファスシリコン、水素原子
（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに
炭素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有
するアモルファスシリコン等の材料が好適に用いられ
る。

【００７７】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法又はマ
イクロ波ＣＶＤ法等の交流放電のＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これ
らの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程
度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法に
よることが好ましい。

【００７８】例えば、グロー放電法にによってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ,Ｘよりなる表面層１０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給
用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生
起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層１
０３を形成した支持体１０１上に、ａ−ＳｉＣ：Ｈ,Ｘ
からなる層を形成すればよい。

【００７９】本発明において用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならばいずれで
もよいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なく
とも一つを含むシリコン原子との化合物が好ましく、特
にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。特に、表
面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成する場合の炭素量
は、シリコン原子と炭素原子の和に対して３０〜９０％
の範囲が好ましい。

【００８０】また本発明においては、表面層１０４中に
水素原子又は／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子等の構成原子の未結合
手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電荷
保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素含
有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７０
原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、さらに好ま
しくは４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗
素原子の含有量としては、通常の場合は０.０１〜１５
原子％、好適には０.１〜１０原子％、最適には０.６〜
４原子％とされるのが望ましい。

【００８１】これらの水素及び／又は弗素含有量の範囲
内で形成される光受容部材は、実際面において従来にな
い格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度の下で表面構造が変化
することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や
光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前
記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰
り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙
げられる。

【００８２】しかしながら、表面層内の水素含有量を３
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速
連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。

【００８３】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる場合がある。したがって、
表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御すること
が、格段に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に
重要な因子の１つである。表面層中の水素含有量は、原
料ガスの流量（流量比）、支持体温度、放電パワー、ガ
ス圧等によって制御し得る。

【００８４】また、表面層中の弗素含有量を０.０１原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。

【００８５】一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認め
られなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキ
ャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリ
ーが顕著に認められてくる。したがって、表面層中の弗
素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真
特性を得る上で重要な要因の一つである。表面層中の弗
素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量
（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。

【００８６】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、又はガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に
使用されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂
Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００８７】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、又はガス化し得る炭化水素が有効に使用されるもの
として挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率のよさ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。

【００８８】窒素又は酸素供給用のガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状態の、又はガス化し得る化合物が有
効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの
窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【００８９】また、形成される表面層１０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように
図るために、これらのガスにさらに水素ガス又は水素原
子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成する
ことが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定
の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。

【００９０】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状の又はガス化し得るハロゲン化合物が
好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハ
ロゲン原子とを構成要素とするガス状の又はガス化し得
る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なもの
として挙げることができる。

【００９１】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ
₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲ
ン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げる
ことができる。

【００９２】表面層１０４中に含有される水素原子又は
／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体
１０１の温度、水素原子又は／及びハロゲン原子を含有
させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入す
る量、放電電力等を制御すればよい。

【００９３】炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒
素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されてもよい
し、表面層中の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があってもよい。

【００９４】さらに本発明においては、表面層１０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中
に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。

【００９５】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第13族に属する原子
（以後「第13族原子」と略記する）又はｎ型伝導特性を
与える周期律表第15族に属する原子（以後「第15族原
子」と略記する）を用いることができる。

【００９６】第13族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第15族原子としては、具
体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００９７】表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

【００９８】伝導性を制御する原子、例えば、第13族原
子あるいは第15族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に、第13族原子導入用の原料物質あるいは第15族原
子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、表面層
１０４を形成するための他のガスとともに導入してやれ
ばよい。第13族原子導入用の原料物質あるいは第15族原
子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧
でガス状の、又は、少なくとも層形成条件下で容易にガ
ス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような
第13族原子導入用の原料物質として、具体的には、硼素
原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ
₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（Ｃ
Ｈ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができ
る。

【００９９】第15族原子導入用の原料物質として有効に
使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂Ｈ
₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、Ｐ
Ｃｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が挙
げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、Ａ
ｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓｂ
Ｃｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃等
も第15族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることができる。

【０１００】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１０１】本発明における表面層１０４の層厚として
は、好ましくは０.０１〜３μｍ、より好ましくは０.０
５〜２μｍ、さらに好ましくは０.１〜１μｍとされる
のが望ましいものである。層厚が０.０１μｍよりも薄
いと光受容部材を使用中に摩耗等の理由により表面層が
失われてしまい易く、３μｍを越えると残留電位の増加
等の電子写真特性の低下がみられる場合がある。

【０１０２】本発明による表面層１０４は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。すなわち、ＳｉとＣ、Ｎ及びＯからなる群から選
択された少なくとも一つの元素、Ｈ及び／又ははＸを構
成要素とする物質は、その形成条件によって構造的には
多結晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの
形態（総称して非単結晶）をとり、電気物性的には導電
性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示す
ので、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有
する化合物が形成されるように、所望にしたがってその
形成条件の選択が厳密になされる。

【０１０３】例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。また、
連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目
的として表面層１０４が設けられる場合には、上記の電
気絶縁性の度合いはある程度緩和され、照射される光に
対してある程度の感度を有する非単結晶材料として形成
される。

【０１０４】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。

【０１０５】支持体１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望まし
い。

【０１０６】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-2〜１×１０³Ｐａ、より好ましくは５
×１０^-2〜５×１０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜２×
１０²Ｐａとするのが好ましい。

【０１０７】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。

【０１０８】さらに本発明においては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有
効である。

【０１０９】また表面層１０４と光導電層１０３との間
に炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子の含
有量が光導電層１０３に向かって減少するように変化す
る領域を設けてもよい。これにより表面層と光導電層の
密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の影響
をより少なくすることができる。

【０１１０】＜電荷注入阻止層＞本発明の電子写真用光
受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間
に、導電性支持体側から電荷の注入を阻止する働きのあ
る電荷注入阻止層を設けるのが一層効果的である。すな
わち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理
をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に
電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の
帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されな
い、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能
を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御す
る原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。

【０１１１】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよし、あるい
は層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に
分布する状態で含有している部分があってもよい。分布
濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよう
に含有させるのが好適である。

【０１１２】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化を図る
点からも必要である。

【０１１３】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第13族に属する原子（以後「第13族原子」と略記す
る）、又はｎ型伝導特性を与える周期律表第15族に属す
る原子（以後「第15族原子」と略記する）を用いること
ができる。

【０１１４】第13族原子としては、具体的には、Ｂ（ほ
う素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉ
ｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第15族原子としては、Ｐ
（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ
（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。

【０１１５】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１０⁴原子ｐｐｍ、よ
り好ましくは５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、さらに好ま
しくは１×１０²〜３×１０³原子ｐｐｍとされるのが望
ましい。

【０１１６】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をより一層図ることがで
きる。

【０１１７】該層に含有される炭素原子又は窒素原子又
は酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面
と平行面内方向においては、均一な分布が万遍なく含有
されることが面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。

【０１１８】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子及び／又は窒素原子及び／又は酸
素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成される
ように適宜決定されるが、一種の場合はその量として、
二種以上の場合はその総和として、 好ましくは１×１
０^-3〜５０原子％、より好ましくは５×１０^-3〜３０原
子％、さらに好ましくは１×１０^-2〜１０原子％とされ
るのが望ましい。

【０１１９】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子及び／又はハロゲン原子は層内に存在
する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷
注入阻止層中の水素原子又はハロゲン原子あるいは水素
原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０
原子％、より好ましくは５〜４０原子％、さらに好まし
くは１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１２０】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等
の点から好ましくは、０.１〜５μｍ、より好ましくは
０.３〜４μｍ、さらに好ましくはは０.５〜３μｍとさ
れるのが望ましい。層厚が０.１μｍより薄くなると、
支持体からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な
帯電能が得られない場合があり、５μｍより厚くしても
実質的な電子写真特性の向上よりも、作製時間の延長に
よる製造コスト増を招く。

【０１２１】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【０１２２】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と
同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応
容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度
を適宜設定することが必要である。

【０１２３】希釈ガスであるＨ₂及び／又はＨｅの流量
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるがＳ
ｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／又はＨｅを、好ましくは
１〜２０倍、より好ましくは３〜１５倍、さらに好まし
くは５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１２４】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2〜５×１
０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａとするの
が望ましい。

【０１２５】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ま
しくは２〜６、さらに好ましくは３〜５の範囲に設定す
ることが望ましい。

【０１２６】さらに支持体１０１の温度は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、さら
に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。

【０１２７】本発明において、電荷注入阻止層を形成す
るための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持体
温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられ
るが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する表面層
を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作
成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１２８】この他に、本発明の電子写真用光受容部材
においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側に、
少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子
又は／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態
で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１２９】また、本発明の電子写真用光受容部材にお
いては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注
入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的
で、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、あるいはシ
リコン原子を母体とし、水素原子及び／又はハロゲン原
子と、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子
とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けてもよ
い。

【０１３０】次に、本発明の光受容層を形成するための
装置及び膜形成方法について詳述する。

【０１３１】図２は、電源周波数としてＲＦ帯の高周波
プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な
構成図である。図２に示す製造装置の構成は以下の通り
である。

【０１３２】この装置は大別すると、堆積装置（２１０
０）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応容器（２
１１１）内を減圧するための排気装置（図示せず）から
構成されている。堆積装置（２１００）中の反応容器
（２１１１）内には円筒状支持体（２１１２）、支持体
加熱用ヒーター（２１１３）、原料ガス導入管（２１１
４）が設置され、さらに高周波マッチングボックス（２
１１５）が接続されている。

【０１３３】原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ
₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜
２２３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６）
及びマスフローコントローラー(２２１１〜２２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６
０）を介して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２
１１４）に接続されている。

【０１３４】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。まず、反応容器（２１
１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、不図示
の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器（２１
１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター
（２１１３）により円筒状支持体（２１１２）の温度を
２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。

【０１３５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（２１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（２１１７）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２
２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（２１１８）を開いて反応容
器（２１１１）及びガス配管内（２１１６）を排気す
る。

【０１３６】次に、真空計（２１１９）の読みが約１×
１０^-2Ｐａになった時点で補助バルブ（２２６０）、流
出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。

【０１３７】その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を０.２ＭＰａに調整する。次に、流入バルブ
（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入
する。

【０１３８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で、各層の形成を行う。

【０１３９】円筒状支持体（２１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のう
ちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開
き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガス
をガス導入管（２１１４）を介して反応容器（２１１
１）内に導入する。次に、マスフローコントローラー
（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流
量になるように調整する。その際、反応容器（２１１
１）内の圧力が１.５×１０²Ｐａ以下の所定の圧力にな
るように真空計（２１１９）を見ながらメインバルブ
（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定したところ
で、周波数１３.５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所
望の電力に設定し、高周波マッチングボックス（２１１
５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ電力を導入
し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによ
って反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒
状支持体（２１１２）上に所定のシリコンを主成分とす
る堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成
が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉
じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終
える。

【０１４０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブは全
て閉じられていることはいうまでもなく、また、それぞ
れのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配管
内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２５
１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（５２６０）を開
き、さらにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１４１】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、支持体（２１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１４２】さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各
々の層の作成条件にしたがって変更が加えられることは
いうまでもない。

【０１４３】上記の方法において、堆積膜形成時の支持
体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好ましくは
２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０℃以
上３１０℃以下が望ましい。支持体の加熱方法は、真空
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース
状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミ
ックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤
外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温
媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手
段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウ
ム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等
を使用することができる。

【０１４４】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。

【０１４５】図３は、本発明の電子写真装置の構成例
と、画像形成プロセスの一例を示す概略図である。この
電子写真装置においては、光受容部材３０１が回転して
複写操作を行う。光受容部材３０１の周辺には、主帯電
器３０２、静電潜像形成部位３０３、ブランク露光ＬＥ
Ｄ３２０、現像器３０４、転写紙供給系３０５、転写帯
電器３０６（ａ）、分離帯電器３０６（ｂ）、クリーニ
ングローラー３０７、搬送系３０８、前露光源３０９等
が配設されている。

【０１４６】以下、さらに具体的に画像形成プロセスを
説明すると、光受容部材３０１は高電圧を印加した主帯
電器３０２により一様に帯電され、これにレーザーユニ
ット３１８から発せられミラー３１９を経由した光によ
って静電潜像が形成され、この潜像に現像器３０４から
ネガ或いはポジ極性トナーが供給されてトナー像が形成
される。レーザーユニット３１８の制御には、ＣＣＤか
らの信号が用いられる。即ち、ハロゲンランプ３１０か
ら発した光が原稿台ガラス３１１上に置かれた原稿３１
２に反射し、ミラー３１３、３１４、３１５を経由し、
レンズユニット３１６のレンズによって結像され、ＣＣ
Ｄユニット３１７によって電気信号に変換された信号が
導かれている。

【０１４７】一方、転写紙供給系３０５を通って、レジ
ストローラー３２２によって先端タイミングを調整さ
れ、光受容部材３０１方向に供給される転写材Ｐは高電
圧を印加した転写帯電器３０６（ａ）と光受容部材３０
１の間隙において背面から、トナーとは逆極性の電界を
与えられ、これによって光受容部材表面のネガ或いはポ
ジ極性のトナー像は転写材Ｐに転写する。次いで、高圧
ＡＣ電圧を印加した分離帯電器３０６（ｂ）により、転
写材Ｐは転写搬送系３０８を通って定着装置３２３に至
り、トナー像が定着されて装置外に搬出される。

【０１４８】光受容部材３０１上に残留するトナーはク
リーニングユニットのクリーニングブレード３２１によ
って回収され、残留する静電潜像は前露光源３０９によ
って消去される。

【０１４９】この結果、本発明の電子写真用光受容部材
と、５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内の波長光により前
露光及び像露光を行なう前露光手段及び像露光手段を備
え、かつ前露光よりも像露光の方が波長が長くした電子
写真装置として、複写機のみならずプリンター等も製造
することができる。

【０１５０】

【実施例】以下、実験例及び実施例により、本発明をよ
り具体的に説明する。

【０１５１】＜実験例１＞図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で、電荷注入阻止層、光導電層（第
一の層領域、第二Ａの層領域、第二Ｂの層領域）及び表
面層の順に成膜を行って光受容部材を作製した。

【０１５２】

【表１】

【０１５３】光導電層の第二の層領域は６８０ｎｍの像
露光を８０％吸収できる層領域、第二Ｂの層領域は６６
０ｎｍの前露光を８０％吸収できる層領域からなり、第
二Ａの層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は
２であった。また、第13族元素を含有するガス種として
はＢ₂Ｈ₆を用いて、シリコン原子に対する第13族元素の
含有量を調節した。

【０１５４】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するために溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の
作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラ
ス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を
測定し、Ｓｉウェハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素
含有量（Ｃｈ）を測定した。表１の例では第二Ａの層領
域のＥｇは１.７０ｅＶ、Ｃｈは１６原子％、第二Ｂの
層領域のＥｇは１.８５ｅＶ、Ｃｈは３３原子％であっ
た。

【０１５５】次いで、表１において第二Ａの層領域のＳ
ｉＨ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電
力との比率ならびに支持体温度を種々変えることによっ
て、第二Ａの層領域のＥｇ、Ｃｈがそれぞれ、１.６０
ｅＶ、７原子％、１.６５ｅＶ、１０原子％、１.７５ｅ
Ｖ、２０原子％、１.８０ｅＶ、２４原子％の種々の光
受容部材を作製した。このとき、これらの光受容部材の
第二Ａの層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比
は１〜４の範囲内であった。

【０１５６】以上作製した５種類の光受容部材を電子写
真装置にセットして、以下のように電位特性の評価を行
った。

【０１５７】まず光受容部材を、キャノン製ＮＰ−６６
５０をプロセススピード４７０ｍｍ／ｓｅｃ、前露光
（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）７ｌｘ・ｓ、像露光（波長
６８０ｎｍのＬＥＤ又は半導体レーザー）と実験用に改
造したものにセットして、帯電器の電流値１０００μＡ
の条件にて、電子写真装置の現像器位置にセットした表
面電位計（ＴＲＥＫ社、Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位セ
ンサーにより光受容部材の表面電位を測定し、それを帯
電能とし、像露光１.５ｌｘ・ｓｃのときの表面電位を
測定し、それを残留電位とした。

【０１５８】また、光受容部材に内蔵したドラムヒータ
ーにより温度を室温（約２５℃）から５０℃まで変え
て、上記の条件にて帯電能を測定し、そのときの温度１
℃当たりの帯電能の変化を温度特性とした。

【０１５９】そして、光受容部材に内蔵したドラムヒー
ターにより温度を４０℃にして暗電位が４００Ｖとなる
ように帯電条件を設定し、表面電位が５０Ｖになるとき
の像露光量値を感度とした。また、感度測定を連続して
２０回行い、その平均値から最も差が大きい値との差の
絶対値を感度の振れ幅とした。

【０１６０】さらにメモリー電位は、上述の条件下にお
いて同様の電位センサーにより非像露光状態での表面電
位と一旦像露光した後に再度帯電したときとの電位差を
測定した。

【０１６１】そしてその後、ハーフトーン画像、文字原
稿及び写真原稿を用いて画像特性の評価を行った。

【０１６２】それぞれの電位特性に関して、光導電層
（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで構成した場合
を１として、帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度
の振れ幅及びメモリー電位について以下のように相対評
価を行った。

【０１６３】［帯電能、残留電位、温度特性、感度、感
度の振れ幅、メモリー電位］ ◎：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで
構成した場合よりも２０％以上改善 ○：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで
構成した場合よりも１０％〜２０％改善 △：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで
構成した場合と同等 ×：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで
構成した場合よりも悪化 結果を表２に示す。

【０１６４】

【表２】

【０１６５】表２から明らかなように、第二Ａの層領域
のＥｇ＝１.６５ｅＶ〜１.７５ｅＶ、Ｃｈ＝１０〜２０
原子％において、帯電能、残留電位、温度特性、感度、
感度の振れ幅及びメモリー電位いずれについても光導電
層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで構成した場
合よりも良好であることが分かった。また、画像特性に
おいても、ハーフトーン画像にムラは無く、均一で良好
な画像が得られることが分かった。さらに文字原稿を複
写したところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。そ
して、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画
像を得ることができた。

【０１６６】＜実験例２＞図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、実験例１と同様の表１に示す条件で、電荷注入阻止
層、光導電層（第一の層領域、第二Ａの層領域、第二Ｂ
の層領域）及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を
作製した。次いで、表１において第二Ｂの層領域のＳｉ
Ｈ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力
との比率ならびに支持体温度を種々変えることによっ
て、第二Ｂの層領域のＥｇ、Ｃｈがそれぞれ１.７５ｅ
Ｖ、２１原子％、１.８０ｅＶ、２５原子％、１.９０ｅ
Ｖ、４０原子％、１.９３ｅＶ、４５原子％の種々の光
受容部材を作製した。このとき、これらの光受容部材の
第二Ａの層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比
は１〜４の範囲内であった。

【０１６７】作製した種々の光受容部材について実験例
１と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、感度、感
度の振れ幅、メモリー電位、及び画像特性について評価
を行った。結果を表３に示す。

【０１６８】

【表３】

【０１６９】表３から明らかなように、第二Ｂの層領域
のＥｇ＝１.８０ｅＶ〜１.９０ｅＶ、Ｃｈ＝２５〜４０
原子％において、帯電能、残留電位、温度特性、感度、
感度の振れ幅及びメモリー電位いずれについても光導電
層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで構成した場
合よりも良好であることがわかった。また、画像特性に
おいても、ハーフトーン画像にムラは無く、均一で良好
な画像が得られることがわかった。さらに文字原稿を複
写したところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。そ
して、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画
像を得ることができた。

【０１７０】＜実験例３＞図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、実験例１と同様の表１に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層（第一の層領域、第二Ａの層領域、第二Ｂ
の層領域）及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を
作製した。次いで、表１において第二の層領域は６８０
ｎｍの像露光を８０％吸収できる層領域に固定し、第二
Ｂの層領域の膜厚を変化させて第二Ｂの層領域が６６０
ｎｍの前露光を吸収する割合を５０％、６０％、７０
％、９０％、９５％と変化させた種々の光受容部材を作
製した。このとき、これらの光受容部材の第二Ａの層領
域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は１〜４の範
囲内であった。

【０１７１】作製した種々の光受容部材について実験例
１と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、感度、感
度の振れ幅、メモリー電位、及び画像特性について評価
を行った。結果を表４に示す。

【０１７２】

【表４】

【０１７３】表４から明らかなように、第二Ｂの層領域
が前露光を６０％〜９０％吸収する層領域において帯電
能、残留電位、温度特性、感度、感度の振れ幅及びメモ
リー電位いずれについても光導電層（総膜厚３０μｍ）
を第一の層領域のみで構成した場合よりも良好であるこ
とがわかった。また、画像特性においてもハーフトーン
画像にムラは無く、均一で良好な画像が得られることが
わかった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が
高く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写に
おいても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。

【０１７４】＜実験例４＞図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、実験例１と同様の表１に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層（第一の層領域、第二Ａの層領域、第二Ｂ
の層領域）及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を
作製した。次いで、表１において第二Ｂの層領域は６６
０ｎｍの前露光を８０％吸収できる層領域に固定し、第
二Ａの層領域の膜厚を変化させて第二の層領域が６８０
ｎｍの像露光を吸収する割合を５０％、６０％、７０
％、９０％、９５％と変化させた種々の光受容部材を作
製した。このとき、これらの光受容部材の第二Ａの層領
域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は１〜４の範
囲内であった。

【０１７５】作製した種々の光受容部材について実験例
１と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、感度、感
度の振れ幅、メモリー電位、及び画像特性について評価
を行った。結果を表５に示す。

【０１７６】

【表５】

【０１７７】表５から明らかなように、第二の層領域が
像露光を６０％〜９０％吸収する層領域において帯電
能、残留電位、温度特性、感度、感度の振れ幅及びメモ
リー電位いずれについても光導電層（総膜厚３０μｍ）
を第一の層領域のみで構成した場合よりも良好であるこ
とがわかった。また、画像特性においてもハーフトーン
画像にムラは無く、均一で良好な画像が得られることが
わかった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が
高く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写に
おいても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。

【０１７８】＜実験例５＞図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、実験例１と同様の表１に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層（第一の層領域、第二Ａの層領域、第二Ｂ
の層領域）及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を
作製した。次いで、表１において第二Ｂの層領域は６６
０ｎｍの光を８０％吸収できる層領域に固定し、第二Ａ
の層領域の膜厚を変化させて、第二Ａの層領域の膜厚に
対する第二Ｂの層領域の膜厚比を０.２、０.３、１、
３、５、７、８と変化させた種々の光受容部材を作製し
た。このとき、第二の層領域が６８０ｎｍの像露光を吸
収する割合は６０％〜９０％の範囲内であった。

【０１７９】作製した種々の光受容部材について実験例
１と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、感度、感
度の振れ幅、メモリー電位、及び画像特性について評価
を行った。結果を表６に示す。

【０１８０】

【表６】

【０１８１】表６から明らかなように、第二Ａの層領域
膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比が０.３〜７の範
囲内において帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度
の振れ幅及びメモリー電位いずれについても光導電層
（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで構成した場合
よりも良好であることがわかった。また、画像特性にお
いてもハーフトーン画像にムラは無く、均一で良好な画
像が得られることがわかった。さらに文字原稿を複写し
たところ、黒濃度が高く鮮明な画像が得られた。そし
て、写真原稿の複写においても原稿に忠実で鮮明な画像
を得ることができた。

【０１８２】以下、実施例により本発明をさらに具体的
に説明する。

【０１８３】＜実施例１＞本例では、図２に示す製造装
置を用い、表７に示した条件で表面層のシリコン原子及
び炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とし
た表面層を有する光受容部材を、電荷注入阻止層、光導
電層（第一の層領域、第二Ａの層領域、第二Ｂの層領
域）及び表面層の順に作製した。

【０１８４】

【表７】

【０１８５】光導電層の第二の層領域は６８０ｎｍの像
露光を７０％吸収する層領域、第二Ｂの層領域は６３０
ｎｍの前露光を８５％吸収する層領域からなり、第二Ａ
の層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は４で
あった。表７の作製条件の第二Ａの層領域のＥｇは１.
６５ｅＶ、Ｃｈは１３原子％、第二Ｂの層領域のＥｇは
１.８０ｅＶ、Ｃｈは２９原子％であった。また、第13
族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコ
ン原子に対する第13族元素の含有量を調節した。

【０１８６】作製した光受容部材を、前露光６３０ｎ
ｍ、像露光６８０ｎｍで実験例１と同様にして評価を行
ったところ、実験例１で第二Ａの層領域がＥｇ＝１.６
５ｅＶ〜１.７５ｅＶ、Ｃｈ＝１０〜２０原子％の場合
と同様に、帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度の
振れ幅及びメモリー電位いずれについても良好であるこ
とがわかった。また、画像特性においてもハーフトーン
画像にムラは無く、均一で良好な画像が得られることが
わかった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が
高く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写に
おいても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。

【０１８７】すなわち、本発明において表面層のシリコ
ン原子及び炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布
状態とした表面層を設けた場合においても、良好な電子
写真特性が得られることがわかった。さらに、前露光及
び像露光は５００ｎｍ〜７００ｎｍの波長を用い、か
つ、前露光よりも像露光の方が波長が長い場合に関して
も同様の効果が得られることがわかった。

【０１８８】＜実施例２＞本例では、図２に示す製造装
置を用い、表８に示した条件で表面層のシリコン原子及
び炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とし
た表面層を設けると共に、全ての層にフッ素原子、ホウ
素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有する光受
容部材を電荷注入阻止層、光導電層（第一の層領域、第
二Ａの層領域、第二Ｂの層領域）及び表面層の順に作製
した。

【０１８９】

【表８】

【０１９０】光導電層の第二の層領域は７００ｎｍの像
露光を６０％吸収する層領域、第二Ｂの層領域は６６０
ｎｍの前露光を７０％吸収する層領域からなり、第二Ａ
の層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は７で
あった。表７の作製条件の第二Ａの層領域のＥｇは１.
７０ｅＶ、Ｃｈは１５原子％、第二Ｂの層領域のＥｇは
１.８５ｅＶ、Ｃｈは３６原子％であった。また第13族
元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン
原子に対する第13族元素の含有量を調節した。

【０１９１】作製した光受容部材を、前露光６６０ｎ
ｍ、像露光７００ｎｍで実験例１と同様にして評価を行
ったところ、実験例１で第二Ａの層領域がＥｇ＝１.６
５ｅＶ〜１.７５ｅＶ、Ｃｈ＝１０〜２０原子％の場合
と同様に帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度の振
れ幅及びメモリー電位いずれについても良好であること
がわかった。また、画像特性においてもハーフトーン画
像にムラは無く、均一で良好な画像が得られることがわ
かった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が高
く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写にお
いても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。さ
らに、前露光及び像露光は５００ｎｍ〜７００ｎｍの波
長を用い、かつ、前露光よりも像露光の方が波長が長い
場合に関しても同様の効果が得られることがわかった。

【０１９２】すなわち本発明において、表面層のシリコ
ン原子及び炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布
状態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフッ素
原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を含
有させた場合においても、良好な電子写真特性が得られ
ることがわかった。

【０１９３】＜実施例３＞本例では、図２に示す製造装
置を用い、表９に示した条件で、表面層を構成する原子
として炭素原子の代わりに窒素原子を含有させた光受容
部材を、電荷注入阻止層、光導電層（第一の層領域、第
二Ａの層領域、第二Ｂの層領域）及び表面層の順に作製
した。

【０１９４】

【表９】

【０１９５】光導電層の第二の層領域は５６５ｎｍの像
露光を８０％吸収する層領域、第二Ｂの層領域は５００
ｎｍの前露光を９０％吸収する層領域からなり、第二Ａ
の層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は３で
あった。表９の作製条件の第二Ａの層領域のＥｇは１.
７５ｅＶ、Ｃｈは２０原子％、第二Ｂの層領域のＥｇは
１.９０ｅＶ、Ｃｈは４０原子％であった。また、第13
族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコ
ン原子に対する第13族元素の含有量を調節した。

【０１９６】作製した光受容部材を、前露光を５００ｎ
ｍ、像露光を５６５ｎｍで実験例１と同様にして評価を
行ったところ、実験例１で第二Ａの層領域がＥｇ＝１.
６５ｅＶ〜１.７５ｅＶ、Ｃｈ＝１０〜２０原子％の場
合と同様に帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度の
振れ幅及びメモリー電位いずれについても良好であるこ
とがわかった。また、画像特性においてもハーフトーン
画像にムラはなく、均一で良好な画像が得られることが
わかった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が
高く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写に
おいても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。
さらに、前露光及び像露光は５００ｎｍ〜７００ｎｍの
波長を用い、かつ、前露光よりも像露光の方が波長が長
い場合に関しても同様の効果が得られることがわかっ
た。

【０１９７】すなわち本発明において、表面層を構成す
る原子として炭素原子の代わりに窒素原子を含有させた
表面層を設けた場合においても、良好な電子写真特性を
得られることがわかった。

【０１９８】＜実施例４＞本例では、図２に示す製造装
置を用い、表１０に示した条件で、表面層を構成する原
子として窒素原子及び酸素原子を含有させた光受容部材
を、電荷注入阻止層、光導電層（第一の層領域、第二Ａ
の層領域、第二Ｂの層領域）及び表面層の順に作製し
た。

【０１９９】

【表１０】

【０２００】光導電層の第二の層領域は６００ｎｍの像
露光を７０％吸収する層領域、第二Ｂの層領域は５８０
ｎｍの前露光を８０％吸収する層領域からなり、第二Ａ
の層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は２で
あった。表１０の作製条件の第二Ａの層領域のＥｇは
１.７３ｅＶ、Ｃｈは１６原子％、第二Ｂの層領域のＥ
ｇは１.８６ｅＶ、Ｃｈは３８原子％であった。また、
第13族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシ
リコン原子に対する第13族元素の含有量を調節した。

【０２０１】作製した光受容部材を、前露光を５８０ｎ
ｍ、像露光を６００ｎｍで実験例１と同様にして評価を
行ったところ、実験例１で第二Ａの層領域がＥｇ＝１.
６５ｅＶ〜１.７５ｅＶ、Ｃｈ＝１０〜２０原子％の場
合と同様に帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度の
振れ幅及びメモリー電位いずれについても良好であるこ
とがわかった。また、画像特性においてもハーフトーン
画像にムラは無く、均一で良好な画像が得られることが
わかった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が
高く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写に
おいても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。
さらに、前露光及び像露光は５００ｎｍ〜７００ｎｍの
波長を用い、かつ、前露光よりも像露光の方が波長が長
い場合に関しても同様の効果が得られることがわかっ
た。

【０２０２】すなわち本発明において、表面層を構成す
る原子として窒素原子及び酸素原子を含有させた表面層
を設けた場合においても、良好な電子写真特性を得られ
ることがわかった。

【０２０３】＜実施例５＞本例では、図２に示す製造装
置を用い、表１１に示した条件で、電荷注入阻止層を省
略し、光導電層として炭素源Ｃ₂Ｈ₂ガスを用いて炭素原
子を含有する光導電層（第一の層領域、第二Ａの層領
域、第二Ｂの層領域）及び表面層の順に作製した。

【０２０４】

【表１１】

【０２０５】光導電層の第二の層領域は６３０ｎｍの像
露光を８０％吸収する層領域、第二Ｂの層領域は５６５
ｎｍの前露光を８０％吸収する層領域からなり、第二Ａ
の層領域の膜厚に対する第二Ｂの層領域の膜厚比は１で
あった。表１１の作製条件の第二Ａの層領域のＥｇは
１.７６ｅＶ、Ｃｈは１５原子％、第二Ｂの層領域のＥ
ｇは１.８８ｅＶ、Ｃｈは３９原子％であった。また、
第13族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシ
リコン原子に対する第13族元素の含有量を調節した。

【０２０６】作製した光受容部材を、前露光を５６５ｎ
ｍ、像露光を６３０ｎｍで実験例１と同様にして評価を
行ったところ、実験例１で第二Ａの層領域がＥｇ＝１.
６５ｅＶ〜１.７５ｅＶ、Ｃｈ＝１０〜２０原子％の場
合と同様に帯電能、残留電位、温度特性、感度、感度の
振れ幅及びメモリー電位いずれについても良好であるこ
とがわかった。また、画像特性においてもハーフトーン
画像にムラは無く、均一で良好な画像が得られることが
わかった。さらに文字原稿を複写したところ、黒濃度が
高く鮮明な画像が得られた。そして、写真原稿の複写に
おいても原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。
さらに、前露光及び像露光は５００ｎｍ〜７００ｎｍの
波長を用い、かつ、前露光よりも像露光の方が波長が長
い場合に関しても同様の効果が得られることがわかっ
た。

【０２０７】すなわち本発明においては、電荷注入阻止
層を省略し、光導電層として炭素源Ｃ₂Ｈ₂ガスを用いて
炭素原子を含有する光導電層及び表面層を形成した場合
においても、良好な電子写真特性を得られることがわか
った。

【０２０８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高速なプロセススピードにおいて露光光源の波長が短波
長から長波長にわたって充分な帯電能を確保するととも
に感度を向上し、感度の振れ幅、光メモリーの低減及び
温度特性の低減を高次元で両立し、さらに光受容部材の
使用環境に対する安定性が向上し、例えばハーフトーン
が鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して
得ることができる電子写真用光受容部材、及びこれを用
いた電子写真装置を提供できる。

【０２０９】本発明の電子写真用光受容部材は、a−Ｓ
ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸
問題を解決することができ、特に極めて優れた電気的特
性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性及び使
用環境特性を示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の感光体の好適な実施態様例の層領域を
説明するための模式的層構成図である。

【図２】本発明の感光体の光受容層を形成するための装
置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放電法
による感光体の製造装置の模式的説明図である。

【図３】本発明の電子写真装置の構成例と、画像形成プ
ロセスの一例を示す概略図である。

【符号の説明】

１００ 光受容部材 １０１ 支持体 １０２ 光受容層 １０３ 光導電層 １０４ 表面層 １０５ 電荷注入阻止層 １１１ 第一の層領域 １１２ 第二の層領域 １１３ 第二Ａの層領域 １１４ 第二Ｂの層領域 ２１００ 堆積装置 ２１１１ 反応容器 ２１１２ 円筒状支持体 ２１１３ 支持体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５ マッチングボックス ２１１６ 原料ガス配管 ２１１７ 反応容器リークバルブ ２１１８ メイン排気バルブ ２１１９ 真空計 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ 原料バスボンベバルブ ２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ ２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３０１ 光受容部材 ３０２ 主帯電器 ３０３ 静電潜像形成部位 ３０４ 現像器 ３０５ 転写紙供給系 ３０６（ａ） 転写帯電器 ３０６（ｂ） 分離帯電器 ３０７ クリーニングローラー ３０８ 搬送系 ３０９ 前露光源 ３１０ ハロゲンランプ ３１１ 原稿ガラス台 ３１２ 原稿 ３１３ ミラー ３１４ ミラー ３１５ ミラー ３１６ レンズユニット ３１７ ＣＣＤユニット ３１８ レーザーユニット ３１９ ミラー ３２０ ブランク露光ＬＥＤ ３２１ クリーニングブレード ３２２ レジストローラー ３２３ 定着装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古島 聡 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 青木 誠 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA24 DA34 DA37 DA46 FA01 FB07 FB08 2H076 DA37

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に、シリコン原子を母体
   とし水素原子及び／又はハロゲン原子を含有する非単結
   晶材料で構成される光導電層を有する光受容層を少なく
   とも有する電子写真用光受容部材において、 該光導電層は該導電性支持体側から表面側に向かって、
   実質的に電荷を輸送する第一の層領域と実質的に光を吸
   収して電荷を生成する第二の層領域を順次積層してなる
   ものであり、第二の層領域は、該導電性支持体側から表
   面側に向かって第二Ａの層領域と第二Ｂの層領域からな
   り、光学的バンドギャップは第二Ａの層領域よりも第二
   Ｂの層領域の方が広く、第二Ｂの層領域は前露光を所望
   の割合で吸収する層領域であり、第二の層領域は前露光
   の波長よりも長い波長の像露光を所望の割合で吸収する
   層領域領域であることを特徴とする電子写真用光受容部
   材。
2. 【請求項２】 第二Ａの層領域の光学的バンドギャップ
   が１.６５ｅＶ〜１.７５ｅＶであり、第二Ｂの層領域は
   光学的バンドギャップが１.８０ｅＶ〜１.９０ｅＶであ
   る請求項１記載の電子写真用光受容部材。
3. 【請求項３】 第二Ａの層領域は水素原子及び／又はハ
   ロゲン原子含有量が１０〜２０原子％であり、第二Ｂの
   層領域は水素原子及び／又はハロゲン原子含有量が２５
   〜４０原子％である請求項１又は２記載の電子写真用光
   受容部材。
4. 【請求項４】 第二Ｂの層領域は、前露光を６０〜９０
   ％吸収する層領域である請求項１〜３の何れか一項記載
   の電子写真用光受容部材。
5. 【請求項５】 第二の層領域は、像露光を６０〜９０％
   吸収する層領域である請求項１〜４の何れか一項記載の
   電子写真用光受容部材。
6. 【請求項６】 第二Ａの層領域の膜厚に対する第二Ｂの
   層領域の膜厚比が、０.３〜７である請求項１〜５の何
   れか一項記載の電子写真用光受容部材。
7. 【請求項７】 光受容部材として請求項１記載の電子写
   真用光受容部材を用い、５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲
   内の波長光により前露光及び像露光を行なう前露光手段
   及び像露光手段を備え、かつ前露光よりも像露光の方が
   波長が長いことを特徴とする電子写真装置。