JPH1165146A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 感度の温度特性、感度の直線性の改善と光メ
モリーの低減、帯電能の向上ならびに温度特性を高次元
で両立し、特に露光光源に用いる可視レーザーやＬＥＤ
に適した優れた電位特性、画像特性を有する光受容部材
を提供する。 【解決手段】 導電性支持体と、該導電性支持体の表面
上に、シリコン原子を母体とし水素原子及び／またはハ
ロゲン原子及び周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を含
有する非単結晶材料で構成される光導電層を有する光受
容層とから成る電子写真用光受容部材において、該光導
電層の水素含有量、光学的バンドギャップ、光吸収スペ
クトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーを特定
し、該光導電層に入射する像露光を一定量吸収する第三
の層領域、前露光を一定量吸収する層領域から第三の層
領域を差し引いた第二の層領域及びその他の第一の素領
域で該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の願湯量が異
なることを特徴とする電子写真用光受容部材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
電子写真用光受容部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であるこ
と、等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィ
スで使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部
材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。

【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記
載されている。

【０００４】このような光受容部材は、一般的には、導
電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該支持体上に
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成
膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なか
でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あ
るいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上
にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実
用に付されている。

【０００５】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案されてい
る。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１
ないし４０原子％含有させることにより、耐熱性が高
く、電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気
的、光学的特性を得ることができるとしている。

【０００６】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時安定性について改善を図るため、シリコン原子
を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上
に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモ
ルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記
載されている。更に、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。

【０００７】特開昭６２−８３４７０号公報には、電子
写真用感光体の光導電層において光吸収スペクトルの指
数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下にするこ
とにより残像現象のない高品質の画像を得る技術が開示
されており、更に特開昭５８−８８１１５号公報にはア
モルファスシリコン感光体の画像品質向上のために、光
導電層において支持体側で周期律表第ＩＩＩｂ族の原子
を多く含有することが開示されており、特開昭６２−１
１２１６６号公報にはＢ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄流量比を３．３
×１０^-7以上に保ってキャリア輸送層の生成を行い残像
現象をなくす技術が開示されている。

【０００８】その他、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。

【０００９】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。

【００１１】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、
帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。

【００１２】そして、電子写真装置の画像特性向上のた
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。

【００１３】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動やブランクメモリ
ーやゴーストといった光メモリーを低減することがいっ
そう求められるようになってきた。

【００１４】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしなが
ら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリア
の生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特
性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光
体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを
えなかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒ
ーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１
００Ｖ程度低下してしまっていた。

【００１５】また、従来は複写機を使用しない夜間でも
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着す
ることによって発生する画像流れを防止するようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。この
ような状態で複写をすると複写機内の感光体周囲温度が
徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複写中
に画像濃度が変わってしまうという現象が生じていた。

【００１６】更に、同一原稿を連続して繰り返し複写す
ると、前回の複写行程での像露光の残像が次回の複写時
に画像上に生じるいわゆるゴーストや、トナーを節約す
るために連続複写時の紙間において感光体に照射され
る、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像上に
濃度差が生じるブランクメモリー等が画像品質を向上さ
せる上で課題になってきた。

【００１７】一方、近年のオフィスや一般家庭へのコン
ピューターの普及が進み、電子写真装置も従来の複写機
としてだけでなく、ファクシミリやプリンターの役目を
担うためにデジタル化することが求められるようになっ
てきた。そのための露光光源として用いられる半導体レ
ーザーやＬＥＤは、発光強度や価格の点から近赤外から
赤色可視光までの比較的長波長のものが主流である。そ
のため、従来のハロゲン光を用いたアナログ機には見ら
れなかった特性上の課題について改善することが求めら
れるようになった。

【００１８】特に露光量と感光体表面電位の関係、いわ
ゆるＥ−Ｖ特性（曲線）が温度によってシフトする（感
度の温度特性）ことや、Ｅ−Ｖ特性（曲線）が鈍ってそ
の直線性（感度の直線性）が低下することが半導体レー
ザーやＬＥＤを用いることによる特徴的なこととして注
目されるようになってきた。

【００１９】即ち、半導体レーザーやＬＥＤを露光光源
として用いたデジタル機では、感光体温度を前述のドラ
ムヒーターによる制御をしない場合、感度の温度特性や
感度の直線性の低下のために、周囲温度によって感度が
変化して画像濃度が変わってしまうという新たな課題が
生じていた。

【００２０】そして更に、上述の光メモリーに関しても
露光光源として用いられる半導体レーザーやＬＥＤが近
赤外から赤色可視光までの比較的長波長のため、光キャ
リアが従来のアナログ機で用いられていた時よりも相対
的に表面から深い場所で生成されるため残留し易くな
り、光メモリーが発生し易いという新たな課題が生じて
いた。

【００２１】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような課題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。

【００２２】本発明は、上述した従来のａ−Ｓｉで構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材における
諸問題を解決することを目的とするものである。

【００２３】即ち、本発明の主たる目的は、帯電能の向
上と、温度特性の低減および光メモリーの低減を高次元
で両立して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原
子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有
する電子写真用光受容部材を提供することにある。

【００２４】更に、露光光源として半導体レーザーやＬ
ＥＤを用いたときの感度の温度特性、感度の直線性及び
光メモリーを改善して画像品質を飛躍的に向上させた、
シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光
受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することに
ある。

【００２５】そして、電気的、光学的、光導電的特性が
使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定
しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣
化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほ
とんど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原
子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有
する電子写真用光受容部材を提供することにある。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者は光導電層のキャリアの挙動に着目し、ａ
−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態密度分布と温度特
性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結果、光
導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学的バンド
ギャップやバンドギャップ内の局在状態密度の分布を制
御することにより上記目的を達成できるという知見を得
た。即ち、シリコン原子を母体とし、水素原子及び／ま
たはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された
光導電層を有する光受容部材において、その層構造を特
定化するように設計されて作製された光受容部材は、実
用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光受
容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕している
こと、特に電子写真用の光受容部材として優れた特性を
有していることを見い出した。

【００２７】また、本発明はデジタル化に対応した長波
長光（レーザーやＬＥＤ）に最適化するために、特に光
電変換に関わる光入射部、即ち、像露光及び前露光が入
射する部分とそれ以外の部分との役割を考慮しながら、
水素含有量、光学的バンドギャップや光吸収スペクトル
から得られる指数関数裾の特性エネルギーの分布と導電
性を制御する物質で有る周期律表第ＩＩＩｂ族に属する
元素の分布を関連させながら制御することにより感度の
温度特性、感度の直線性及び光メモリー（ゴーストメモ
リー）を改善し、更に帯電能及び温度特性を改善すると
いう目的を達成できるという知見を得た。

【００２８】このようなことから、本発明はつぎのよう
な特徴を有する発明を提供するものである。即ち、本発
明の光受容部材は、第１に、導電性支持体上にシリコン
原子を母体とし水素原子及び／またはハロゲン原子及び
周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を含有する非単結晶
材料で構成される光導電層を有する光受容層とから成る
電子写真用光受容部材において、該光導電層は水素含有
量が１０〜３０原子％、光学的バンドギャップが１．７
５ｅＶ〜１．８５ｅＶ、光吸収スペクトルから得られる
指数関数裾の特性エネルギーが５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶ
であって、表面側から該導電性支持体側に向かって、該
光導電層に入射する像露光を一定量吸収する第三の層領
域、前露光を一定量吸収する層領域から第三の層領域を
差し引いた第二の層領域及びその他の第一の層領域を有
し、該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は第
一の層領域、第二の層領域、第三の層領域の順に減少す
ることを特徴としている。

【００２９】第２に、導電性支持体上に、シリコン原子
を母体とし水素原子及び／またはハロゲン原子及び周期
律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を含有する非単結晶材料
で構成される光導電層を有する光受容層とから成る電子
写真用光受容部材において、該光導電層は水素含有量が
１０〜２０原子％、光学的バンドギャップが１．６５ｅ
Ｖ〜１．７５ｅＶ、光吸収スペクトルから得られる指数
関数裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶであ
って、表面側から該導電性支持体側に向かって、該光導
電層に入射する像露光を一定量吸収する第三の層領域、
前露光を一定量吸収する層領域から第三の層領域を差し
引いた第二の層領域及びその他の第一の層領域を有し、
該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は第一の
層領域、第二の層領域、第三の層領域の順に減少するこ
とを特徴としている。

【００３０】第３に、導電性支持体上に、シリコン原子
を母体とし水素原子及び／またはハロゲン原子及び周期
律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を含有する非単結晶材料
で構成される光導電層を有する光受容層とから成る電子
写真用光受容部材において、該光導電層は水素含有量が
２５〜４０原子％、光学的バンドギャップが１．８０ｅ
Ｖ〜１．９０ｅＶ、光吸収スペクトルから得られる指数
関数裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶであ
って、表面側から該導電性支持体側に向かって、該光導
電層に入射する像露光を一定量吸収する第三の層領域、
前露光を一定量吸収する層領域から第三の層領域を差し
引いた第二の層領域及びその他の第一の層領域を有し、
該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は第一の
層領域、第二の層領域、第三の層領域の順に減少するこ
とを特徴としている。

【００３１】第４に、その光導電層は、第三の層領域が
像露光を５０％〜９０％吸収する層領域であることを特
徴としている。

【００３２】第５に、その光導電層は、第二の層領域が
前露光を６０％〜９０％吸収する層領域から第三の層領
域を差し引いた層領域であることを特徴としている。

【００３３】第６に、その光導電層は、第三の層領域の
該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコ
ン原子に対して０．０３ｐｐｍ〜５ｐｐｍであることを
特徴としている。

【００３４】第７に、その光導電層は、第二の層領域の
該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコ
ン原子に対して０．２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであることを
特徴としている。

【００３５】第８に、その光導電層は、第三の層領域の
該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量に対する
第二の層領域での該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素
の含有量の割合が１．２〜２００であることを特徴とし
ている。

【００３６】第９に、その光導電層は、第一の層領域の
該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量がシリコ
ン原子に対して１ｐｐｍ〜２５ｐｐｍであることを特徴
としている。

【００３７】第１０に、その光導電層は、周期律表第Ｉ
ＩＩｂ族に属する元素の含有量が、前記導電性支持体側
から表面側に向かって階段状に減少していることを特徴
としている。

【００３８】第１１に、その光導電層は、周期律表第Ｉ
ＩＩｂ族に属する元素の含有量が、前記導電性支持体側
から表面側に向かって滑らかに減少していることを特徴
としている。

【００３９】第１２に、その光導電層は、光導電層中に
炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むことを特徴と
している。

【００４０】第１３に、その光導電層は、その表面上に
炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非
単結晶材料からなる表面層が設けられていることを特徴
としている。

【００４１】第１４に、その光導電層は、シリコン原子
を母体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有
し、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表
第ＩＩＩｂ族から選ばれる元素の少なくとも一つを含む
非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設けら
れ、更に該光導電層の表面上に、炭素、酸素、窒素の少
なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料からなる前
記表面層が設けられていることを特徴としている。

【００４２】第１５に、その表面層は、その膜厚が０．
０１〜３μｍであることを特徴としている。

【００４３】第１６に、その電荷注入阻止層は、その膜
厚が０．１〜５μｍであることを特徴としている。

【００４４】第１７に、その光導電層の膜厚が２０〜５
０μｍであることを特徴としている。

【００４５】なお、本発明において用られている「指数
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾き
を意味している。

【００４６】このことを図２を用いて詳しく説明する。

【００４７】図２は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸
に吸収係数αを対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャ
ップ光吸収スペクトルの１例である。このスペクトルは
大きく二つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが
光子エネルギーｈνに対して指数関数的、すなわち直線
的に変化する部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテ
イル）と、αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部
分Ａである。

【００４８】Ｂ領域はａ−Ｓｉ中の価電子帯側のテイル
準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。 α＝α_oｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） この両辺の対数をとると ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α１ ただし、α１＝ｌｎα_o となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少なく、キャリアの局在準位への捕獲率が小さいこ
とを意味する。

【００４９】また、本発明において用いられている感度
の温度特性および感度の直線性について図５を用いて説
明する。

【００５０】図５は、室温（ドラムヒーターＯＦＦ）と
約４５℃（ドラムヒーターＯＮ）において、それぞれ感
光体の暗電位として４００Ｖの表面電位に帯電し、次に
露光光源として６８０ｎｍのＬＥＤ光を照射して露光量
を変えた時の表面電位（明電位）の変化、いわゆるＥ−
Ｖ特性（曲線）の１例である。

【００５１】感度の温度特性は、暗電位と明電位の差が
２００Ｖとなる時（△２００）の露光量（半減露光量）
の室温での値と約４５℃での値との差である。

【００５２】また、感度の直線性は、暗電位と明電位の
差が３５０Ｖとなる時（△３５０）の露光量（実測値）
と、露光なしの点（暗状態）と半減露光量を照射した状
態の点とを結ぶ直線套外挿して△３５０となる露光量
（計算値）との差である。

【００５３】いずれもその値が小さいほど感光体として
良好な特性を示すことを意味する。

【００５４】

【作用】本発明者らは、光学的バンドギャップ（以下、
「Ｅｇ」と略記する）ならびに一定光電流法（Ｃｏｎｓ
ｔａｎｔ Ｐｈｏｔｏ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏ
ｄ）によって測定されたサブバンドギャップ光吸収スペ
クトルから求められる指数関数裾（アーバックテイル）
の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光
体特性との相関を種々の条件にわたって調べた結果、Ｅ
ｇ、Ｅｕとａ−Ｓｉ感光体の帯電能、温度特性や光メモ
リーとが密接な関係にあることを見いだした。そして更
に、像露光及び前露光の吸収領域と導電性を制御する物
質である周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量に
ついて詳細に調べた結果、上記特性を特定した膜を像露
光及び前露光の吸収領域により周期律表第ＩＩＩｂ族に
属する元素の含有量を規定し、更に入射光側と反対側の
方が周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を多い分布状態
にすることでより良好な感光体特性を発揮することを見
いだし本発明を完成するに至った。

【００５５】特に長波長レーザーに最適化するために、
伝導性制御物質の含有量並びに分布による像露光及び前
露光入射部の正孔と電子の走行性のバランス及びＥｇ、
Ｅｕと露光光源として半導体レーザー及びＬＥＤを用い
た時の感光体特性を詳細に検討した結果、伝導性制御物
質の含有量並びに分布及びＥｇ、Ｅｕと感度の温度特
性、感度の直線性とが密接な関係にある事を見出した。
そして、更に光メモリーとも密接な関係にある事を見出
した。即ち、光導電層のＥｇ、Ｅｕ及び水素含有量を特
定の範囲内にすると共に像露光及び前露光入射部の吸収
深さにより周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素のシリコ
ン原子に対する含有量を制御し、入射光側と反対側の方
が周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を多い分布状態に
制御することによりデジタル化に適した良好な感光体特
性を発揮する事を見出し本発明を完成するに至った。

【００５６】即ち、水素含有量、光学的バンドギャッ
プ、キャリアの局在準位への捕獲率を規定した光導電層
において、像露光及び前露光入射部の吸収深さにより周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素のシリコン原子に対す
る含有量を制御し、入射光側と反対側の方が周期律表第
ＩＩＩｂ族に属する元素を多い分布状態にすることで、
感度の温度特性及び感度の直線性を大幅に改善し、更に
光メモリーを実質的になくすことができ、帯電能、温度
特性が向上できることが本発明者の実験により明らかに
なった。

【００５７】一方、本発明者は本発明に先立って、水素
含有量、光学的バンドギャップ、キャリアの局在準位へ
の捕獲率を規定した光導電層において、像露光入射部の
吸収深さにより周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素のシ
リコン原子に対する含有量を制御し、光の入射側と反対
側の方で周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素を多い分布
状態にするという発明により、良好な光受容部材が得ら
れることを示した。しかしながら、総合的な特性向上を
図る上で更に改良される余地が存在するのが実状であ
る。そこで、本発明者は更にデジタル化に対応した長波
長光（レーザーやＬＥＤ）に最適化するために鋭意検討
を重ねた結果、像露光ばかりではなく、前露光が入射す
る部分の役割も考慮して材料設計をすることで光メモリ
ー改善の効果がより大きくなり、デジタル化に適した光
受容部材が得られることが分かった。

【００５８】これを更に詳しく説明すると、一般的に、
ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合
の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓｉの
未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因す
る深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕
獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原因
になることが知られている。

【００５９】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ ＰｈｏｔｏＣｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する）は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の局在準位にもとづくサブギャップ光吸収スペクトルを
簡便に測定する方法として有用である。

【００６０】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。従って、熱励起キャリアの生成を抑
え、なおかつ深い局在準位を少なくする事によりキャリ
アの走行性を向上させてバランスを取ることが温度特
性、帯電能の向上のために必要である。

【００６１】更に、光メモリーは前露光及び像露光によ
って生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に
捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによっ
て生じると考えられる。即ち、ある複写行程において生
じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリア
が、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電
界によって掃き出され、像露光の照射された部分とその
他の部分とで電位差が生じ、その結果画像上に濃淡が生
じる。この際、像露光の照射された部分で残留するキャ
リアとしては、像露光の照射されていない部分にも存在
する前露光キャリアに加えて像露光キャリアがある。そ
して、残留する前露光キャリアと像露光キャリアの兼ね
合いで画像の濃淡が決まるが、いずれのキャリアも極力
残留しないことが光メモリーの向上には有効であると考
えられる。従って、光キャリアが光導電層内に極力残留
することなく、１回の複写行程で走行するように、前露
光キャリア及び像露光キャリアの走行性を改善しなけれ
ばならない。そのためには、光導電層の膜質の向上とと
もに伝導性を制御する物質の含有量及び分布を前露光及
び像露光の吸収領域に応じて変化させてバランスを取
り、光キャリアの走行性を改善しなければならない。

【００６２】また、感度の温度特性は、光導電層の正孔
と電子では電子の方が正孔よりも走行性が速くて走行性
の違いが大きい上に、その走行性が温度によって変化す
るために生じる。光入射部内では正孔、電子が対で生成
され、正帯電ドラムでは正孔は支持体側へ電子は表面層
側へ走行するが、その移動中に光入射部で正孔と電子が
混在すると、支持体や表面に達するまでに再結合をして
しまう割合が多くなる。その再結合の割合が再捕獲中心
からの熱励起により変化するために、像露光量すなわち
光キャリアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度
によって変化することになり、その結果感度が温度によ
って変わる事になる。更には、前露光で光導電層内に生
じた光キャリアの再結合の割合も温度によって変化し
て、残留する光キャリアも変わるため帯電能が変化し感
度も温度によって影響を受ける事になる。従って、光入
射部での再結合の割合を少なくする、即ち再捕獲中心と
なる深い準位を少なくする事と正孔と電子の混在領域が
小さくなるように、長波長レーザー及びＬＥＤ光の光吸
収率を大きくし、かつ伝導性を制御する物質の含有量及
び分布を変えて、光入射部の電子の走行性と正孔の走行
性も改善できるようにバランスを取らなければならな
い。

【００６３】更に、感度の直線性は長波長レーザー及び
ＬＥＤの像露光量が多くなるにしたがって、相対的に表
面から深い場所での光キャリアが増加し、走行距離が長
いキャリア（電子）が増加することに起因する。更に
は、前露光で光導電層内に生じた光キャリアの再結合の
割合も温度によって変化して、残留する光キャリアも変
わるため像露光で生成した光キャリアの走行性に影響を
与えることにも起因している。従って、光入射部の光吸
収率を高めると共に、伝導性を制御する物質の含有量及
び分布を変えて、光入射部の電子の走行性と正孔の走行
性を改善できるようにバランスを取らなければならな
い。

【００６４】また、光導電層として水素含有量を小さく
してＥｇを狭くすると熱励起キャリアの生成はＥｇを拡
大したものよりも比較的多くなるが、長波長光の吸収が
大きくなり光入射部を小さくできるために、正孔電子混
在領域が縮小でき、更にＥｕを低減する事で熱励起キャ
リアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合が小さく
なりキャリアの走行性が飛躍的に改善される。一方、水
素含有量を多くしてＥｇを拡大すると、長波長光の吸収
はＥｇを狭くしたものよりも小さいので光入射部はＥｇ
を狭くしたものより大きくなり正孔電子混在領域が比較
的広くなるが、Ｅｇを拡大すると熱励起キャリアの生成
が抑えられ、なおかつＥｕを低減することにより熱励起
キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小
さくすることができるためにキャリアの走行性が飛躍的
に改善される。

【００６５】従って、上述のように水素含有量、Ｅｇ及
びＥｕをバランスを取りつつ制御し、更に像露光及び前
露光入射部の吸収深さにより伝導性を制御する物質であ
る周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素のシリコン原子に
対する含有量を制御してトータルバランスを取ること
で、熱励起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲され
る割合を小さくするとともに電子と正孔の走行性が飛躍
的に改善される。

【００６６】つまり、本発明は上記構成によって、露光
光源として半導体レーザー及びＬＥＤ光を用いた時の感
度の温度特性、感度の直線性および光メモリーの低減、
帯電能の向上と温度特性の減少とを高い次元で両立さ
せ、前記した従来技術における諸問題の全てを解決する
ことができ、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、画像品質、耐久性および使用環境性を示す光受容部
材を得ることができる。

【００６７】

【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の電子
写真用光受容部材について詳細に説明する。

【００６８】図１は、本発明の電子写真用光受容部材の
好適な層構成の一例を説明するための模式的構成図であ
る。

【００６９】図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光
受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２はａ
−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０
３で構成されている。

【００７０】図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容
部材の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０３と、ア
モルファスシリコン系表面層１０４とから構成されてい
る。

【００７１】図１（ｃ）は、本発明の電子写真用光受容
部材の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０３と、ア
モルファスシリコン系表面層１０４と、アモルファスシ
リコン系電荷注入阻止層１０５とから構成されている。

【００７２】〈支持体〉本発明において使用される支持
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、
Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、お
よびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。

【００７３】また、電気絶縁性材料としてポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレ
ン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、
ガラス、セラミック等を挙げることができる。本発明に
おいてはこれら電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層
を形成する側の表面を導電処理して支持体として用いる
ことができる。

【００７４】本発明に於いて使用される支持体１０１の
形状は平滑表面あるいは微少な凹凸表面を有する円筒状
または無端ベルト状であることができ、その厚さは、所
望通りの電子写真用光受容部材１００を形成し得るよう
に適宜決定する。電子写真用光受容部材１００としての
可撓性が要求される場合には、支持体１０１としての機
能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることが
できる。しかしながら、支持体１０１は製造上および取
り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上と
される。

【００７５】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
るために、支持体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。
支持体１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−
１６８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同
６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法に
より作成される。

【００７６】また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
る別の方法として、支持体１０１の表面に複数の球状痕
跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体１
０１の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。支持体１０１の表面
に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭
６１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法によ
り作成される。

【００７７】〈光導電層〉本発明に於いて、その目的を
効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光
受容層１０２の少なくとも一部を構成する光導電層１０
３は、例えば真空堆積膜形成方法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定
され、また、使用される原料ガスなどが選択されて作製
される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶ
Ｄ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交
流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によっ
て形成することができる。

【００７８】これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資
本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用
光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真用光
受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較的容
易であることから、高周波グロー放電法が好適である。

【００７９】グロー放電法によって光導電層１０３を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガス及び／またはハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００８０】また、本発明において光導電層１０３中に
水素原子及び／またはハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これは層中のシリコン原子の未結合手を
補償するために含有され、層品質の向上、特に光導電性
および電荷保持特性を向上させるために不可欠であるか
らである。水素原子またはハロゲン原子の含有量、また
は水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水
素原子及び／またはハロゲン原子の和に対して好ましく
は１０〜４５原子％、より好ましくは１０〜４０原子％
とされるのが望ましい。

【００８１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙
げられる。

【００８２】そして、形成される光導電層１０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂及び
／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガス
を所望量混合した雰囲気で層形成することが必要であ
る。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えないものである。

【００８３】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げる
ことができる。

【００８４】光導電層１０３中に含有される水素原子及
び／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１０１の温度、水素原子及び／またはハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【００８５】本発明においては、光導電層１０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが必
要である。これは光導電層のＥｇやＥｕといった物性か
ら得られるキャリアの走行性を調整し、また或は補償し
て走行性を高次でバランスさせることにより、帯電能、
温度特性、光メモリー特性、更には感度の温度特性、感
度の直線性を向上させるために必須不可欠であるからで
ある。よって本発明の効果を得るためには、周期律表第
ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は、第一の層領域、第
二の層領域、第三の層領域の順に少なくなり、前記光導
電層の第三の層領域が像露光を５０％〜９０％吸収する
層領域でシリコン原子に対して０．０３ｐｐｍ〜５ｐｐ
ｍであり、第二の層領域が前露光を６０％〜９０％吸収
する層領域から第三の層領域を差し引いた層領域でシリ
コン原子に対して０．２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであり、第
三の層領域の該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含
有量に対する第二の層領域での該周期律表第ＩＩＩｂ族
に属する元素の含有量の割合が１．２〜２００であり、
第一の層領域の該周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の
含有量がシリコン原子に対して１ｐｐｍ〜２５ｐｐｍで
あることが望ましい。上記範囲外の場合、帯電能、残留
電位、温度特性、ゴースト、感度の温度特性及び感度の
直線性の改善に対する効果が充分に現れない。

【００８６】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原
子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）を用いるこ
とができる。

【００８７】第ＩＩＩｂ族原子として具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。

【００８８】伝導性を制御する原子、第ＩＩＩｂ族原子
を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族
原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導
電層１０３を形成するための他のガスとともに導入して
やればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。

【００８９】そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料
物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ_{1 4}等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、
ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等
も挙げることができる。中でもＢ₂Ｈ₆は取り扱いの面か
らも好ましい原料物質の一つである。

【００９０】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【００９１】更に本発明においては、光導電層ｌ０３に
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子を
含有させることも有効である。炭素原子及び／または酸
素原子及び／または窒素原子の含有量はシリコン原子、
炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ましく
は１×１０^-4〜１０原子％、より好ましくは１×１０ ^-4
〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望まし
い。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原
子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良い
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があっても良い。

【００９２】本発明において、光導電層１０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０
〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、更に好ま
しくは２５〜４０μｍとするのが望ましい。層厚が２０
μｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が
実用上不充分となる場合があり、５０μｍより厚くなる
と、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高く
なることがある。

【００９３】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。

【００９４】希釈ガスとして使用するＨ₂及び／または
Ｈｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／またはＨｅ
を、通常の場合３〜３０倍、好ましくは４〜２５倍、最
適には５〜２０倍の範囲に制御することが望ましい。ま
た、その範囲の値で一定になるように制御することが好
ましい。

【００９５】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2〜５×１
０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａとするの
が好ましい。

【００９６】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、０．３〜１０、好ましくは
０．５〜９、さらに好ましくは１〜６の範囲に設定する
ことが望ましい。

【００９７】更に、支持体１０１の温度は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に
好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。

【００９８】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。

【００９９】〈表面層〉本発明においては、上述のよう
にして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上
に、更にアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成
することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１０
６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を
達成するために設けられる。

【０１００】また、本発明においては、光受容層１０２
を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分なされている。

【０１０１】表面層１０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材
料が好適に用いられる。

【０１０２】本発明に於いて、その目的を効果的に達成
するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法
によることが好ましい。

【０１０３】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層１０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
１０３を形成した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ
からなる層を形成すればよい。

【０１０４】本発明に於いて用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
良いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【０１０５】特に、表面層をａ−ＳｉＣを主成分として
構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和
に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。

【０１０６】また、本発明において表面層１０４中に水
素原子及び／またはハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子などの構成原子の未結
合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および
電荷保持特性を向上させるために不可欠である。水素含
有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７０
原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、更に好まし
くは４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗素
原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原子
％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４
原子％とするのが望ましい。

【０１０７】これらの水素及び／または弗素含有量の範
囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えぼ自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や
光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前
記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰
り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙
げられる。

【０１０８】しかしながら表面層内の水素含有量を３０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。

【０１０９】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる場合がある。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの
流量（流量比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等に
よって制御し得る。

【０１１０】また、表面層中の弗素含有量を０．０１原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。

【０１１１】一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原
子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認
められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中の
キャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモ
リーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素
含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特
性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素
含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。

【０１１２】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂
Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１１３】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。

【０１１４】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。また、これら
の窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【０１１５】また、形成される表面層１０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。

【０１１６】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラ
ン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合
物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子
とハロゲン原子とを混合要素とするガス状のまたはガス
化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効
なものとして挙げることができる。

【０１１７】本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げる
ことができる。

【０１１８】表面層１０４中に含有される水素原子及び
／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体１０１の温度、水素原子及び／またはハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１１９】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。

【０１２０】更に本発明においては、表面層１０４には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中に
万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。

【０１２１】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属す
る原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子
（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることがで
きる。

【０１２２】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモ
ン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ
が好適である。

【０１２３】表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

【０１２４】伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩ
Ｉｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質
あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、表面層１０４を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の
原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ ₆Ｈ₁₀、Ｂ
₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢ
ｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、Ｔｌ
Ｃｌ₃等も挙げることができる。

【０１２５】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、
Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡＳＦ₃ ＡｓＣ
ｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、Ｓｂ
Ｆ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、Ｂ
ｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

【０１２６】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１２７】本発明に於ける表面層１０４の層厚として
は、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０．
０５〜２μｍ、更に好ましくは０．１〜１μｍとされる
のが望ましいものである。層厚が０．０１μｍよりも薄
いと光受容部材を使用中に摩耗等の理由により表面層が
失われてしまい易く、３μｍを越えると残留電位の増加
等の電子写真特性の低下がみられる場合がある。

【０１２８】本発明による表面層１０４は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。即ち、ＳｉとＣ、Ｎおよび０からなる群から選択
された少なくとも一つの元素、Ｈ及び／またはＸを構成
要素とする物質はその形成条件によって構造的には多結
晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの形態
（総称して非単結晶）を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、又、光導電的性
質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、
本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する化
合物が形成される様に、所望に従ってその形成条件の選
択が厳密になされる。

【０１２９】例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。

【０１３０】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和さ
れ、照射される光に対してある程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。

【０１３１】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。

【０１３２】支持体１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望まし
い。

【０１３３】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１
０^-2〜５×１０²、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａ
とするのが好ましい。

【０１３４】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。

【０１３５】更に本発明においては、光導電層と表面層
の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表面
層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設ける
ことも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効で
ある。

【０１３６】また表面層１０４と光導電層１０３との間
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変
化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の
影響をより少なくすることができる。

【０１３７】〈電荷注入阻止層〉本発明の電子写真用光
受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間
に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きの
ある電荷注入阻止層を設けるのがいっそう効果的であ
る。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の
帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導
電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆
の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮
されない、いわゆる極性依存性を有している。そのよう
な機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を
制御する原字を光導電層に比べ比較的多く含有させる。

【０１３８】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。

【０１３９】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。電荷注入阻止層に含有される伝
導性を制御する原子としては、半導体分野における、い
わゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与え
る周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩ
ｂ族原子」と略記する）を用いることができる。

【０１４０】第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、
Ｂ（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。

【０１４１】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子ｐｐ
ｍ、より好ましくは５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、更に
好ましくは１×１０²〜３×１０³原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。

【０１４２】更に、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒
素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させること
によって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる
他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ることが
できる。

【０１４３】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。

【０１４４】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／また
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定されるが、一種の場合はその量とし
て、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×
１０^-3〜５０原子％、より好ましくは５×１０^-3〜３０
原子％、更に好ましくは１×１０^-2〜１０原子％とされ
るのが望ましい。

【０１４５】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電
荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは
水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜
５０原子％、より好ましくは５〜４０原子％、更に好ま
しくは１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１４６】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等
の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、更に好ましくは０．５〜３μｍとされ
るのが望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支
持体からの電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯
電能が得られない場合があり、５μｍより厚くしても実
質的な電子写真特性の向上よりも、作製時間の延長によ
る製造コスト増を招く。

【０１４７】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【０１４８】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と
同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応
容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度
を適宜設定することが必要である。

【０１４９】希釈ガスであるＨ₂及び／またはＨｅの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／またはＨｅを、好
ましくは１〜２０倍、より好ましくは３〜１５倍、更に
好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。

【０１５０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜２×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-2〜５×１
０²、最適には１×１０^-1〜２×１０²Ｐａとするのが望
ましい。

【０１５１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ま
しくは２〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定する
ことが望ましい。

【０１５２】更に、支持体１０１の温度は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に
好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。

【０１５３】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１５４】このほかに、本発明の電子写真用光受容部
材においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子及び／またはハロゲン原子が層厚方向に不均一な分
布状態で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１５５】また、本発明の電子写真用光受容部材に於
いては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注
入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的
で、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、あるいはシ
リコン原子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン
原子と、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒
素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設け
ても良い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の
発生を防止するための光吸収層を設けても良い。

【０１５６】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。

【０１５７】図３は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的
な構成図である。図３に示す製造装置の構成は以下の通
りである。

【０１５８】この装置は大別すると、堆積装置（３１０
０）、原料ガスの供給装置（３２００）、反応容器（３
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（３１００）中の反応容器
（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持体
加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（３１１
４）が設置され、更に高周波マッチングボックス（３１
１５）が接続されている。

【０１５９】原料ガス供給装置（３２００）は、ＳｉＨ
₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３１〜
３２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６）
およびマスフローコントローラー（３２１１〜３２１
６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２
６０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管
（３１１４）に接続されている。

【０１６０】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器（３
１１１）内に円筒状支持体（３１１２）を設置し、不図
示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器（３
１１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター
（３１１３）により円筒状支持体（３１１２）の温度を
２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。

【０１６１】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３７）、反応容器のリークバルブ（３１１７）
が閉じられていることを確認し、叉、流入バルブ（３２
４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５
６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応容
器（３１１１）およびガス配管内（３１１６）を排気す
る。

【０１６２】次に真空計（３１１９）の読みが約１×１
０^-2Ｐａになった時点で補助バルブ（３２６０）、流出
バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じる。

【０１６３】その後、ガスボンベ（３２２１〜３２２
６）より各ガスをバルブ（３２３１〜３２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（３２６１〜３２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ
（３２４１〜３２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（３２１１〜３２１６）内に導入
する。

【０１６４】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１６５】円筒状支持体（３１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（３２５１〜３２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（３２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（３２２１〜３２２６）から所定のガ
スをガス導入管（３１１４）を介して反応容器（３１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（３
２１１〜３２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（３１１１）内
の圧力が１．５×１０²Ｐａ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計（３１１９）を見ながらメインバルブ（３１
１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス（３１１５）
を通じて反応容器（３１１１）内にＲＦ電力を導入し、
グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって
反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支
持体（３１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆
積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行
われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて
反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。

【０１６６】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（３
２５１〜３２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（３２
５１〜３２５６）を閉じ、補助バルブ（３２６０）を開
き、さらにメインバルブ（３１１８）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１６７】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（３１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１６８】更に、上述のガス種およびバルブ操作は各
々の層の作成条件にしたがって変更が加えられることは
言うまでもない。

【０１６９】上記の方法において堆積膜形成時の支持体
温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好ましくは２
３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０℃以上
３１０℃以下が望ましい。支持体の加熱方法は、真空仕
様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状
ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミッ
クヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外
線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒
とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段
の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、
銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使
用することができる。

【０１７０】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。

【０１７１】

【実験例】以下、実験例により本発明の効果を具体的に
説明する。

【０１７２】《実験例１》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層及び表
面層の順に成膜を行って光受容部材を作製した。光導電
層は表面側から支持体側に向かって、６８０ｎｍの光を
７０％吸収できる膜厚に相当する第三の層領域、７００
ｎｍの光を９０％吸収できる層領域から第三の層領域を
差し引いた膜厚に相当する第二の層領域及びその他の第
一の層領域からなる。また、第ＩＩＩｂ族元素を含有す
るガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する
第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０１７３】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の
作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラ
ス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を
測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指
数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエ
ハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）を
測定した。

【０１７４】表１の例ではＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ
２３原子％、１．８１ｅＶ、６０ｍｅＶであった
（ａ）。

【０１７５】次いで表１においてＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガス
との混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力との比率ならびに
支持体温度を種々変えることによって、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１０原子％、１．７５ｅＶ、
５５ｍｅＶ（ｂ）、２６原子％、１．８３ｅＶ、６２ｍ
ｅＶ（ｃ）及び３０原子％、１．８５ｅＶ、６５ｍｅＶ
（ｄ）とＣｈが１０〜３０原子％、Ｅｇが１．７５ｅＶ
〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶの種々
の光受容部材を作製した。

【０１７６】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６６５０を実験用に改造した物）にセット
して、電位特性の評価を行った。

【０１７７】この際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓ
ｅｃ、像露光（波長６８０ｎｍのＬＥＤ）にセットし
て、帯電器の電流値ｌ０００μＡの条件にて、電子写真
装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社
Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光受容部
材の表面電位を測定し、それを帯電能とし、像露光１．
５ｌｕｘ・ｓｅｃの時の表面電位を測定し、それを残留
電位とした。

【０１７８】また、光受容部材に内蔵したドラムヒータ
ーにより温度を室温（約２５℃）から５０℃まで変え
て、上記の条件にて帯電能を測定し、そのときの温度１
℃当たりの帯電能の変化を温度特性とした。

【０１７９】そして、室温と４５℃のそれぞれについて
暗電位が４００Ｖとなるように帯電条件を設定し、Ｅ−
Ｖ特性（曲線）を測定して、感度の温度特性ならびに感
度の直線性を評価した。

【０１８０】更に、メモリー電位は、上述の条件下にお
いて同様の電位センサーにより非像露光状態での表面電
位と一旦像露光した後に再度帯電した時との電位差を測
定した。

【０１８１】そしてその後、ハーフトーン画像、文字原
稿及び写真原稿を用いて画像特性の評価を行った。

【０１８２】それぞれの電位特性に関して、光導電層
（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二の層領域また
は第三の層領域のみで構成した場合を１として帯電能、
残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性及
び感度の直線性について以下のように相対評価を行っ
た。

【０１８３】［帯電能］ ◎：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも
２０％以上向上 ○：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも
１０％〜２０％向上 △：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合と同等 ×：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも
低下

【０１８４】［残留電位、温度特性、メモリー電位、感
度の温度特性、感度の直線性］ ◎：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも
３０％以上低減 ○：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも
１０％〜３０％低減 △：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合と同等 ×：光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二
の層領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも
増加

【０１８５】結果を表２、表３及び表４に示す。表２〜
表４から明らかなように帯電能、温度特性、メモリー電
位、感度の温度特性及び感度の直線性いずれについても
光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域、第二の層
領域または第三の層領域のみで構成した場合よりも非常
に良好であり、画像特性においてもハーフトーン画像に
ムラは無く均一で良好な画像が得られることが分かっ
た。更に文字原稿を複写したところ、黒濃度が高く鮮明
な画像が得られた。そして、写真原稿の複写においても
原稿に忠実で鮮明な画像を得ることができた。また、像
露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０
ｎｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０１８６】

【表１】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、前露光７００ｎｍの光を９０％吸
収できる層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とし
た。 ＊＊＊第三の層領域は、像露光６８０ｎｍの光を７０％
吸収できる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０１８７】

【表２】 光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層領域のみで構成
した場合との比較

【０１８８】

【表３】 光導電層（総膜厚３０μｍ）を第二の層領域のみで構成
した場合との比較

【０１８９】

【表４】 光導電層（総膜厚３０μｍ）を第三の層領域のみで構成
した場合との比較

【０１９０】《実験例２》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１の（ａ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材
を作製した。但しこの際、第三の層領域は、像露光６８
０ｎｍの光を（ａ）４０％、（ｂ）５０％、（ｃ）８０
％、（ｄ）９０％及び（ｅ）９２％吸収できる膜厚に変
化させた。

【０１９１】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にして光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層
領域のみで構成した場合を１として帯電能、残留電位、
温度特性、メモリー電位、感度の温度特性及び感度の直
線性について相対評価を行った。

【０１９２】結果を表５に示す。表５から明らかなよう
に第三の層領域が、像露光を５０％〜９０％吸収できる
層領域において本発明の効果が得られ、画像特性におい
ても実験例１と同様に良好な画像が得られることが分か
った。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザ
ー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果が得られ
ることが分かった。

【０１９３】

【表５】

【０１９４】《実験例３》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１の（ａ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材
を作製した。但しこの際、第三の層領域は、像露光６８
０ｎｍの光を５５％吸収できる膜厚に固定して、第二の
層領域が前露光を（ａ）５５％、（ｂ）６０％、（ｃ）
８０％、（ｄ）９０％及び（ｅ）９２％吸収できる層領
域から第三の層領域を差し引いた膜厚に変化させた。

【０１９５】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にして光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一の層
領域のみで構成した場合を１として帯電能、残留電位、
温度特性、メモリー電位、感度の温度特性及び感度の直
線性について相対評価を行った。

【０１９６】結果を表６に示す。表６から明らかなよう
に第二の層領域が、前露光を６０％〜９０％吸収する層
領域から第三の層領域を差し引いた層領域において本発
明の効果が得られ、画像特性においても実験例１と同様
に良好な画像が得られることが分かった。また、像露光
光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０１９７】

【表６】

【０１９８】《実験例４》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１（ｂ）と
同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、
光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を作
製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を第一の層領域は７ｐｐｍ、第二の層領
域は６ｐｐｍとし、第三の層領域のシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．０１ｐｐｍ、０．０
３ｐｐｍ、０．１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び５．
５ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含
有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０１９９】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にして実験例４において光導電層（総膜厚３０
μｍ）を第一の層領域のみで構成した場合を基準として
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性及び感度の直線性について相対評価を行った。

【０２００】結果を表７に示す。結果から明らかなよう
に第三の層領域においてシリコン原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素の含有量を０．０３ｐｐｍ〜５ｐｐｍにするこ
とで本発明の結果が得られ、画像特性においても実験例
１と同様に良好な画像が得られることが分かった。ま
た、像露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長
６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果が得られることが
分かった。

【０２０１】

【表７】

【０２０２】《実験例５》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１（ｃ）と
同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、
光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を作
製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を第一の層領域は１３ｐｐｍ、第三の層
領域は０．１３ｐｐｍとし、第二の層領域のシリコン原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．１５ｐｐ
ｍ、０．２ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１２ｐｐｍ
と変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガ
ス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第Ｉ
ＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２０３】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にして実験例５において光導電層（総膜厚３０
μｍ）を第一の層領域のみで構成した場合を１として帯
電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度
特性及び感度の直線性について相対評価を行った。

【０２０４】結果を表８に示す。結果から明らかなよう
に第二の層領域においてシリコン原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素の含有量を０．２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍにするこ
とで本発明の結果が得られ、画像特性においても実験例
１と同様に良好な画像が得られることが分かった。ま
た、像露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長
６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果が得られることが
分かった。

【０２０５】

【表８】

【０２０６】《実験例６》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１（ｄ）と
同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、
光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を作
製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を第一の層領域は８ｐｐｍ、第二の層領
域は６ｐｐｍに固定し、第三の層領域のシリコン原子に
対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量に対する第二の層領域
のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量の割
合を（ａ）６００、（ｂ）２００、（ｃ）８０、（ｄ）
３、（ｅ）１．２及び（ｆ）１．１と変化させた。この
時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆
を用いてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有
量を調節した。

【０２０７】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にして実験例６において光導電層（総膜厚３０
μｍ）を第一の層領域のみで構成した場合を１として帯
電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度
特性及び感度の直線性について相対評価を行った。

【０２０８】結果を表９に示す。結果から明らかなよう
に第三の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元
素の含有量に対する第二の層領域のシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量の割合を１．２〜２００に
することで本発明の結果が得られ、画像特性においても
実験例１と同様に良好な画像が得られることが分かっ
た。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー
（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果が得られる
ことが分かった。

【０２０９】

【表９】

【０２１０】《実験例７》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、実験例１（ｄ）と
同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、
光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材を作
製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を第二の層領域は０．４ｐｐｍ、第三の
層領域は０．３ｐｐｍに固定し、第一の層領域のシリコ
ン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．５ｐｐ
ｍ、１ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１５ｐｐｍ、２５ｐｐｍ及び
３０ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元素を
含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に
対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２１１】作製した個々の光受容部材について実験例
１と同様にして実験例７において光導電層（総膜厚３０
μｍ）を第二の層領域のみで構成した場合を１として帯
電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度
特性及び感度の直線性について相対評価を行った。

【０２１２】結果を表１０に示す。結果から明らかなよ
うに第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族
元素の含有量を１ｐｐｍ〜２５ｐｐｍにすることで本発
明の結果が得られ、画像特性においても実験例１と同様
に良好な画像が得られることが分かった。また、像露光
光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０２１３】

【表１０】

【０２１４】《実験例８》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜を
行って光受容部材を作製した。この際、実験例１の表１
の光導電層について （Ａ）第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体側）から表
面層側（光入射側）に向かって３ｐｐｍから２ｐｐｍに
図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、第二の
層領域、第三の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素の含有量をそれぞれ０．５ｐｐｍ、０．１ｐｐ
ｍとした。 （Ｂ）第一の層領域、第三の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量をそれぞれ２ｐｐｍ、
０．０５ｐｐｍとし、第二の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）に向かって０．５ｐｐｍ
から０．３ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したよう
に変化させた。 （Ｃ）第一の層領域、第二の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量をそれぞれ２ｐｐｍ、
０．５ｐｐｍとし、第三の層領域のシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体側）
から表面層側（光入射側）に向かって０．４ｐｐｍから
０．１ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変
化させた。 （Ｄ）第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体側）から表
面層側（光入射側）に向かって３ｐｐｍから２ｐｐｍに
図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、それぞ
れに対して第二の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体側）から表面
層側（光入射側）に向かって０．５ｐｐｍから０．３ｐ
ｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、
更にそれぞれに対して第三の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）に向かって０．２ｐｐｍ
から０．１ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したよう
に変化させた。

【０２１５】作製した光受容部材を実験例１と同様にし
て評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、残留電
位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、感度の
直線性及び画像特性のいずれについても良好な結果が得
られ、画像特性においても実験例１と同様に良好な画像
が得られることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤ
に代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合
も同様の結果が得られることが分かった。

【０２１６】《実験例９》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層及び
表面層の順に成膜を行って光受容部材を作製した。光導
電層は表面側から支持体側に向かって、６８０ｎｍの光
を７０％吸収できる膜厚に相当する第三の層領域、７０
０ｎｍの光を９０％吸収できる層領域から第三の層領域
を差し引いた膜厚に相当する第二の層領域及びその他の
第一の層領域からなる。また、第ＩＩＩｂ族元素を含有
するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２１７】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の
作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラ
ス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を
測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指
数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエ
ハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）を
測定した。

【０２１８】表１１の例ではＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞ
れ２０原子％、１．７５ｅＶ、５５ｍｅＶであった
（ａ）。次いで表１１においてＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスと
の混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力との比率ならびに支
持体温度を種々変えることによって、光導電層のＣｈ、
Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ１０原子％、１．６５ＣＶ、５０
ｍｅＶ（ｂ）、１５原子％、１．７０ｅＶ、５２ｍｅＶ
（ｃ）及び１８原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶ
（ｄ）とＣｈが１０〜２０原子％、Ｅｇが１．６５ｅＶ
〜１．７５ｅＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々
の光受容部材を作製した。そして実験例１と同様にして
（ａ）〜（ｄ）について評価を行ったところ実験例１と
同様に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感
度の温度特性、感度の直線性及び画像特性のいずれにつ
いても良好であることが分かった。また、露光光源をＬ
ＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様の結果が得られることが分かった。

【０２１９】

【表１１】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を９０％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を７０％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２２０】《実験例１０》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例９の
（ａ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行って光受容部
材を作製した。但しこの際、第三の層領域は、像露光６
８０ｎｍの光を（ａ）４０％、（ｂ）５０％、（ｃ）８
０％、（ｄ）９０％及び（ｅ）９２％吸収できる膜厚に
変化させた。

【０２２１】作製した（ａ）〜（ｅ）個々の光受容部材
について実験例２と同様にして帯電能、残留電位、温度
特性、メモリー電位、感度の温度特性、感度の直線性及
び画像特性について評価を行ったところ実験例２と同様
に第二の層領域が、像露光を５０％〜９０％吸収できる
膜厚において本発明の効果が得られ、画像特性において
も良好な画像が得られることが分かった。また、像露光
光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０２２２】《実験例１１》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例９（ｂ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層、表面層の順に成膜を行って光受容部材を
作製した。但しこの際、第三の層領域は、像露光６８０
ｎｍの光を５５％吸収できる膜厚に固定して、第二の層
領域が前露光を（ａ）５５％、（ｂ）６０％、（ｃ）８
０％、（ｄ）９０％及び（ｅ）９２％吸収できる層領域
から第三の層領域を差し引いた膜厚に変化させた。

【０２２３】作製した個々の光受容部材について実験例
３と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例３と同様に第三の層領
域が、前露光を６０％〜９０％吸収できる膜厚において
本発明の効果が得られ、画像特性においても良好な画像
が得られることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤ
に代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合
も同様の結果が得られることが分かった。

【０２２４】《実験例１２》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例９（ｂ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材
を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を第一の層領域は７ｐｐｍ、第二の
層領域は６ｐｐｍとし、第三の層領域のシリコン原子に
対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．０１ｐｐｍ、
０．０３ｐｐｍ、０．１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、５ｐｐｍ及
び５．５ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元
素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２２５】作製した個々の光受容部材について実験例
４と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例４と同様に第三の層領
域においてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含
有量を０．０３ｐｐｍ〜５ｐｐｍにすることで本発明の
結果が得られ、画像特性においても良好な画像が得られ
ることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤに代えて
半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の
結果が得られることが分かった。

【０２２６】《実験例１３》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例９（ｃ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材
を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を第一の層領域は１３ｐｐｍ、第三
の層領域は０．１３ｐｐｍとし、第二の層領域のシリコ
ン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．１５ｐ
ｐｍ、０．２ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１２ｐｐ
ｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有する
ガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第
ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２２７】作製した個々の光受容部材について実験例
５と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例５と同様に第二の層領
域においてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含
有量を０．２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍにすることで本発明の
結果が得られ、画像特性においても実験例１と同様に良
好な画像が得られることが分かった。また、像露光光源
をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）に
した場合も同様の結果が得られることが分かった。

【０２２８】《実験例１４》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例９（ｄ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材
を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を第一の層領域は８ｐｐｍ、第二の
層領域は６ｐｐｍに固定し、第三の層領域のシリコン原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量に対する第二の層
領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量
の割合を（ａ）６００、（ｂ）２００、（ｃ）８０、
（ｄ）３、（ｅ）１．２及び（ｆ）１．１と変化させ
た。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガス種として
はＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元
素の含有量を調節した。

【０２２９】作製した個々の光受容部材について実験例
６と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例６と同様に第三の層領
域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量に
対する第二の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量の割合を１．２〜２００にすることで本
発明の結果が得られ、画像特性においても実験例１と同
様に良好な画像が得られることが分かった。また、像露
光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０２３０】《実験例１５》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例９（ｄ）
と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止
層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容部材
を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を第二の層領域は０．４ｐｐｍ、第
三の層領域は０．３ｐｐｍに固定し、第一の層領域のシ
リコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．５
ｐｐｍ、１ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１５ｐｐｍ、２５ｐｐｍ
及び３０ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元
素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２３１】作製した個々の光受容部材について実験例
７と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性及び感度の直線性について評価を
行ったところ実験例７と同様に第一の層領域のシリコン
原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を１ｐｐｍ〜２
５ｐｐｍにすることで本発明の結果が得られ、画像特性
においても実験例１と同様に良好な画像が得られること
が分かった。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導体
レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果が
得られることが分かった。

【０２３２】《実験例１６》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜
を行って光受容部材を作製した。この際、実験例９の表
１１の光導電層について （Ａ）第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体側）から表
面層側（光入射側）に向かって３ｐｐｍから２ｐｐｍに
図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、第二の
層領域、第三の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素の含有量をそれぞれ０．５ｐｐｍ、０．１ｐｐ
ｍとした。 （Ｂ）第一の層領域、第三の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量をそれぞれ２ｐｐｍ、
０．０５ｐｐｍとし、第二の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）に向かって０．５ｐｐｍ
から０．３ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したよう
に変化させた。 （Ｃ）第一の層領域、第二の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量をそれぞれ２ｐｐｍ、
０．５ｐｐｍとし、第三の層領域のシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体側）
から表面層側（光入射側）に向かって０．４ｐｐｍから
０．１ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変
化させた。 （Ｄ）第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体側）から表
面層側（光入射側）に向かって３ｐｐｍから２ｐｐｍに
図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、それぞ
れに対して第二の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体側）から表面
層側（光入射側）に向かって０．５ｐｐｍから０．３ｐ
ｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、
更にそれぞれに対して第三の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）に向かって０．２ｐｐｍ
から０．１ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したよう
に変化させた。

【０２３３】作製した光受容部材を実験例１と同様にし
て評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、残留電
位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、感度の
直線性及び画像特性いずれについても良好な結果が得ら
れ、画像特性においても実験例１と同様に良好な画像が
得られることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様の結果が得られることが分かった。

【０２３４】《実験例１７》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、表１２に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層及
び表面層の順に成膜を行って光受容部材を作製した。光
導電層は表面側から支持体側に向かって、６８０ｎｍの
光を７０％吸収できる膜厚に相当する第三の層領域、７
００ｎｍの光を９０％吸収できる層領域から第三の層領
域を差し引いた膜厚に相当する第二の層領域及びその他
の第一の層領域からなる。また、第ＩＩＩｂ族元素を含
有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２３５】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の
作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラ
ス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を
測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指
数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウエ
ハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）を
測定した。

【０２３６】表１の例ではＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ
３０原子％、１．８４ｅＶ、５３ｍｅＶであった
（ａ）。

【０２３７】次いで表１２においてＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガ
スとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力との比率ならび
に支持体温度を種々変えることによって、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２５原子％、１．８０ｅＶ、
５０ｍｅＶ（ｂ）、３３原子％、１．８５ｅＶ、５４ｍ
ｅＶ（ｃ）及び４０原子％、１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ
（ｄ）とＣｈが２５〜４０原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ
〜１．９０ｅＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々
の光受容部材を作製した。そして実験例１と同様にして
（ａ）〜（ｄ）について評価を行ったところ実験例１と
同様に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感
度の温度特性、感度の直線性及び画像特性のいずれにつ
いても良好であることが分かった。また、露光光源をＬ
ＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様の結果が得られることが分かった。

【０２３８】

【表１２】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を９０％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を７０％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２３９】《実験例１８》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例１７の
（ａ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行って光受容部
材を作製した。但しこの際、第三の層領域は、像露光６
８０ｎｍの光を（ａ）４０％、（ｂ）５０％、（ｃ）８
０％、（ｄ）９０％及び（ｅ）９２％吸収できる膜厚に
変化させた。

【０２４０】作製した（ａ）〜（ｅ）個々の光受容部材
について実験例２と同様にして帯電能、残留電位、温度
特性、メモリー電位、感度の温度特性、感度の直線性及
び画像特性について評価を行ったところ実験例２と同様
に第二の層領域が、像露光を５０％〜９０％吸収できる
膜厚において本発明の効果が得られ、画像特性において
も良好な画像が得られることが分かった。また、像露光
光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０２４１】《実験例１９》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例１７
（ｂ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層、表面層の順に成膜を行って光受容部
材を作製した。但しこの際、第三の層領域は、像露光６
８０ｎｍの光を５５％吸収できる膜厚に固定して、第二
の層領域が前露光を（ａ）５５％、（ｂ）６０％、
（ｃ）８０％、（ｄ）９０％及び（ｅ）９２％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚に変化させ
た。

【０２４２】作製した個々の光受容部材について実験例
３と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例３と同様に第三の層領
域が、前露光を６０％〜９０％吸収できる膜厚において
本発明の効果が得られ、画像特性においても良好な画像
が得られることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤ
に代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合
も同様の結果が得られることが分かった。

【０２４３】《実験例２０》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例１７
（ｂ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容
部材を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第
ＩＩＩｂ族元素の含有量を第一の層領域は７ｐｐｍ、第
二の層領域は６ｐｐｍとし、第三の層領域のシリコン原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．０１ｐｐ
ｍ、０．０３ｐｐｍ、０．１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、５ｐｐ
ｍ及び５．５ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ
族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコ
ン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２４４】作製した個々の光受容部材について実験例
４と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例４と同様に第三の層領
域においてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含
有量を０．０３ｐｐｍ〜５ｐｐｍにすることで本発明の
結果が得られ、画像特性においても良好な画像が得られ
ることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤに代えて
半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の
結果が得られることが分かった。

【０２４５】《実験例２１》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例１７
（ｃ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容
部材を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第
ＩＩＩｂ族元素の含有量を第一の層領域は１３ｐｐｍ、
第三の層領域は０．１３ｐｐｍとし、第二の層領域のシ
リコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を０．１
５ｐｐｍ、０．２ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１２
ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有
するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。

【０２４６】作製した個々の光受容部材について実験例
５と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例５と同様に第二の層領
域においてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含
有量を０．２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍにすることで本発明の
結果が得られ、画像特性においても実験例１と同様に良
好な画像が得られることが分かった。また、像露光光源
をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）に
した場合も同様の結果が得られることが分かった。

【０２４７】《実験例２２》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例１７
（ｄ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容
部材を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第
ＩＩＩｂ族元素の含有量を第一の層領域は８ｐｐｍ、第
二の層領域は６ｐｐｍに固定し、第三の層領域のシリコ
ン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量に対する第二
の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含
有量の割合を（ａ）６００、（ｂ）２００、（ｃ）８
０、（ｄ）３、（ｅ）１．２及び（ｆ）１．１と変化さ
せた。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガス種とし
てはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族
元素の含有量を調節した。

【０２４８】作製した個々の光受容部材について実験例
６と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性及び画像特性につ
いて評価を行ったところ、実験例６と同様に第三の層領
域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量に
対する第二の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量の割合を１．２〜２００にすることで本
発明の結果が得られ、画像特性においても実験例１と同
様に良好な画像が得られることが分かった。また、像露
光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎ
ｍ）にした場合も同様の結果が得られることが分かっ
た。

【０２４９】《実験例２３》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、実験例１７
（ｄ）と同様の条件で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施
したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入
阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜を行って光受容
部材を作製した。但しこの際、シリコン原子に対する第
ＩＩＩｂ族元素の含有量を第二の層領域は０．４ｐｐ
ｍ、第三の層領域は０．３ｐｐｍに固定し、第一の層領
域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を
０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１５ｐｐｍ、２５
ｐｐｍ及び３０ｐｐｍと変化させた。この時、第ＩＩＩ
ｂ族元素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリ
コン原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節し
た。

【０２５０】作製した個々の光受容部材について実験例
７と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性及び感度の直線性について評価を
行ったところ実験例７と同様に第一の層領域のシリコン
原子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を１ｐｐｍ〜２
５ｐｐｍにすることで本発明の結果が得られ、画像特性
においても実験例１と同様に良好な画像が得られること
が分かった。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導体
レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果が
得られることが分かった。

【０２５１】《実験例２４》図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍ
の鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）
上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層の順に成膜
を行って光受容部材を作製した。この際、実験例１７の
表１２の光導電層について （Ａ）第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体側）から表
面層側（光入射側）に向かって３ｐｐｍから２ｐｐｍに
図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、第二の
層領域、第三の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素の含有量をそれぞれ０．５ｐｐｍ、０．１ｐｐ
ｍとした。 （Ｂ）第一の層領域、第三の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量をそれぞれ２ｐｐｍ、
０．０５ｐｐｍとし、第二の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）に向かって０．５ｐｐｍ
から０．３ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したよう
に変化させた。 （Ｃ）第一の層領域、第二の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量をそれぞれ２ｐｐｍ、
０．５ｐｐｍとし、第三の層領域のシリコン原子に対す
る第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体側）
から表面層側（光入射側）に向かって０．４ｐｐｍから
０．１ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変
化させた。 （Ｄ）第一の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ
族元素の含有量を電荷注入岨止層側（支持体側）から表
面層側（光入射側）に向かって３ｐｐｍから２ｐｐｍに
図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、それぞ
れに対して第二の層領域のシリコン原子に対する第ＩＩ
Ｉｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体側）から表面
層側（光入射側）に向かって０．５ｐｐｍから０．３ｐ
ｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したように変化させ、
更にそれぞれに対して第三の層領域のシリコン原子に対
する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を光導電層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）に向かって０．２ｐｐｍ
から０．１ｐｐｍに図４の（ａ）〜（ｇ）に示したよう
に変化させた。

【０２５２】作製した光受容部材を実験例１と同様にし
て評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、残留電
位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、感度の
直線性及び画像特性のいずれについても良好な結果が得
られ、画像特性においても実験例１と同様に良好な画像
が得られることが分かった。また、像露光光源をＬＥＤ
に代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合
も同様の結果が得られることが分かった。

【０２５３】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。

【０２５４】《実施例１》本例では、図３に示す製造装
置を用い表１３に示した条件で表面層のシリコン原子お
よび炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態と
した表面層を有する光受容部材を電荷注入阻止層、光導
電層、表面層の順に作製した。この時、第ＩＩＩｂ族元
素を含有するガス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原
子に対する第ＩＩＩｂ族元素の含有量を調節した。なお
表１３の作製条件の光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれ
ぞれ２５原子％、１．８１ｅＶ、５７ｍｅＶであった。

【０２５５】次いで表１３においてＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガ
スとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力との比率ならび
に支持体温度を種々変えることによって、光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２２原子％、１．８１ｅＶ、
６０ｍｅＶ（ａ）、１０原子％、１．７５ｅＶ、５５ｍ
ｅＶ（ｂ）、２８原子％、１．８３ｅＶ、６２ｍｅＶ
（ｃ）及び３０原子％、１．８５ｅＶ、６５ｍｅＶ
（ｄ）とＣｈが１０〜３０原子％、Ｅｇが１．７５〜
１．８５ｅ、Ｅｕが５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶの種々の光
受容部材、またＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２０原子
％、１．７５ｅＶ、５５ｍｅＶ（ｅ）、１０原子％、
１．６５ｅＶ、５０ｍｅＶ（ｆ）、１５原子％、１．７
０ｅＶ、５２ｍｅＶ（ｇ）及び１９原子％、１．７４ｅ
Ｖ、５３ｍｅＶ（ｈ）とＣｈが１０〜２０原子％、Ｅｇ
が１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ〜５
５ｍｅＶの種々の光受容部材、さらにＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
はそれぞれ３２原子％、１．８５ｅＶ、５３ｍｅＶ
（ｉ）、２５原子％、１．８０ｅＶ、５０ｍｅＶ
（ｊ）、３４原子％、１．８７ｅＶ、５４ｍｅＶ（ｋ）
及び４０原子％、１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ（ｌ）とＣ
ｈが２５〜４０原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ〜１．９０
ｅＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々の光受容部
材を作製した。

【０２５６】作製した（ａ）〜（ｌ）の光受容部材を実
験例１と同様にして評価を行ったところ実験例１と同様
に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の
温度特性、感度の直線性及び画像特性いずれについても
良好な結果が得られた。また、像露光光源をＬＥＤに代
えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同
様の結果が得られることが分かった。即ち、本発明にお
いて表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合に
おいても、良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。

【０２５７】

【表１３】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を８０％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を８０％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２５８】《実施例２》本例では、図３に示す製造装
置を用い表１１に示した条件で表面層のシリコン原子お
よび炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態と
した表面層を設けるとともに、全ての層にフッ素原子、
ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有する
光受容部材を電荷注入阻止層、光導電層、表面層の順に
作製した。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガス種
としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第ＩＩＩ
ｂ族元素の含有量を調節した。なお表１４の作製条件の
光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２３原子％、
１．８２ｅＶ、５６ｍｅＶであった。次いで表１４にお
いてＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと
放電電力との比率ならびに支持体温度を種々変えること
によって、実施例１と同様にＣｈが１０〜３０原子％、
Ｅｇが１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５ｍｅＶ
〜６５ｍｅＶの種々の光受容部材、Ｃｈが１０〜２０原
子％、Ｅｇが１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ、Ｅｕが５０
ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材及びＣｈが２５
〜４０原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ〜１．９０ｅＶ、Ｅ
ｕが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材を作製
した。

【０２５９】作製した種々の光受容部材を実験例１と同
様にして評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、
残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、
感度の直線性及び画像特性のいずれについても良好な結
果が得られた。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果
が得られることが分かった。即ち、表面層のシリコン原
子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状
態とした表面層を設けるとともに、全ての層にフッ素原
子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有
させた表面層を設けた場合においても、良好な電子写真
特性が得られることがわかった。

【０２６０】

【表１４】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を６０％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を６０％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２６１】《実施例３》本例では、図３に示す製造装
置を用い、表１５に示した条件で表面層を構成する原子
として、炭素原子の代わりに窒素原子を含有させた光受
容部材を電荷注入阻止層、光導電層、表面層の順に作製
した。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガス種とし
てはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族
元素の含有量を調節した。なお表１６の作製条件の光導
電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２８原子％、１．８
３ｅＶ、５７ｍｅＶであった。次いで表１５においてＳ
ｉＨ ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電
力との比率ならびに支持体温度を種々変えることによっ
て、実施例１と同様にＣｈが１０〜３０原子％、Ｅｇが
１．７５ｅＶ〜ｌ．８５ｅＶ、Ｅｕが５５ｍｅＶ〜６５
ｍｅＶの種々の光受容部材、Ｃｈが１０〜２０原子％、
Ｅｇが１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ
〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材及びＣｈが２５〜４０
原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ〜１．９０ｅＶ、Ｅｕが５
０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材を作製した。

【０２６２】作製した種々の光受容部材を実験例１と同
様にして評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、
残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、
感度の直線性及び画像特性のいずれについても良好な結
果が得られた。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果
が得られることが分かった。即ち、表面層を構成する原
子として、炭素原子の代わりに窒素原子を含有させた表
面層を設けた場合においても、良好な電子写真特性を得
られることがわかった。

【０２６３】

【表１５】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を９０％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を５０％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２６４】《実施例４》本例では、図３に示す製造装
置を用い、表１６に示した条件で表面層を構成する原子
として、窒素原子および酸素原子を含有させた光受容部
材を電荷注入阻止層、光導電層、表面層の順に作製し
た。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガス種として
はＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第ＩＩＩｂ族元
素の含有量を調節した。なお表１６の作製条件の光導電
層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２５原子％、１．８２
ｅＶ、５５ｍｅＶであった。次いで表１６においてＳｉ
Ｈ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガスと放電電力
との比率ならびに支持体温度を種々変えることによっ
て、実施例１と同様にＣｈが１０〜３０原子％、Ｅｇが
１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５ｍｅＶ〜６５
ｍｅＶの種々の光受容部材、Ｃｈが１０〜２０原子％、
Ｅｇが１．６５ｅＶ〜１．７５ｃＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ
〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材及びＣｈが２５〜４０
原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ〜１．９０ｅＶ、Ｅｕが５
０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材を作製した。

【０２６５】作製した種々の光受容部材を実験例１と同
様にして評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、
残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、
感度の直線性及び画像特性のいずれについても良好な結
果が得られた。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果
が得られることが分かった。即ち、表面層を構成する原
子として、窒素原子および酸素原子を含有させた表面層
を設けた場合においても、良好な電子写真特性を得られ
ることがわかった。

【０２６６】

【表１６】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を７０％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を６５％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２６７】《実施例５》本例では、図３に示す製造装
置を用い、表１７に示す条件で電荷注入阻止層を削除
し、光導電層として炭素源Ｃ₂Ｈ₂ガスを用いて炭素原子
を含有する光導電層及び表面層を順に形成して光受容部
材を作製した。この時、第ＩＩＩｂ族元素を含有するガ
ス種としてはＢ₂Ｈ₆を用いてシリコン原子に対する第Ｉ
ＩＩｂ族元素の含有量を調節した。なお表１７の作製条
件の光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２２原子
％、１．８２ｅＶ、５８ｍｅＶであった。次いで表１７
においてＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスとの混合比、ＳｉＨ₄ガ
スと放電電力との比率ならびに支持体温度を種々変える
ことによって、実施例１と同様にＣｈが１０〜３０原子
％、Ｅｇが１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５ｍ
ｅＶ〜６０ｍｅＶの種々の光受容部材、Ｃｈが１０〜２
０原子％、Ｅｇが１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ以下、Ｅ
ｕが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの種々の光受容部材及びＣ
ｈが２５〜４０原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ〜１．９０
ｅＶ、Ｅｕが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶ以下の種々の光受
容部材を作製した。

【０２６８】作製した種々の光受容部材を実験例１と同
様にして評価を行ったところ実験例１と同様に帯電能、
残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性、
感度の直線性及び画像特性のいずれについても良好な結
果が得られた。また、像露光光源をＬＥＤに代えて半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様の結果
が得られることが分かった。すなわち、電荷注入阻止層
を削除し、光導電層として炭素源Ｃ₂Ｈ₂ガスを用いて炭
素原子を含有する光導電層および表面層を形成した場合
においても、良好な電子写真特性を得られることがわか
った。

【０２６９】

【表１７】 ＊第一の層領域は、３０μｍから第二の層領域と第三の
層領域の膜厚を引いたものとした。 ＊＊第二の層領域は、７００ｎｍの光を７５％吸収でき
る層領域から第三の層領域を差し引いた膜厚とした。 ＊＊＊第三の層領域は、６８０ｎｍの光を５５％吸収で
きる膜厚とした。 （サンプルで６８０ｎｍ光、７００ｎｍ光の吸収率を測
定）

【０２７０】

【発明の効果】本発明によれば、光受容部材の使用温度
領域で、特に感度の温度特性及び感度の直線性並びに、
光メモリーの発生を実質的になくすることができるとと
もに温度特性が飛躍的に改善され、更に光受容部材の使
用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に
出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ること
ができる電子写真用光受容部材が得られる。

【０２７１】従って、本発明の電子写真用光受容部材を
前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで
構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問題
をすべて解決することができ、特にきわめて優れた電気
的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性お
よび使用環境特性を示す。

【０２７２】特に本発明においては、光導電層の特に光
電変換に関わる前露光及び像露光の光入射部について、
光が一定量吸収する領域とその他の領域との役割を考慮
しながら、水素含有量、光学的バンドギャップや光吸収
スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーの
分布と導電性を制御する物質である周期律表第ＩＩＩｂ
族に属する元素の分布を関連させながら制御することに
より、デジタル化のための長波長レーザー及びＬＥＤに
対して、感度直線の温度依存（傾きや曲線化）、光メモ
リーを小さく抑え、かつ帯電能が高く、加えて周囲環境
の変動に対する表面電位の変化が抑制され、極めて優れ
た電位特性、画像特性を有するという特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光受容部材の好適な実施態様例の層構
成を説明するための模式的層構成図である。

【図２】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するためのａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクト
ルの１例の模式図である。

【図３】本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材の製造装置の模式的説明図であ
る。

【図４】本発明の光受容部材における光導電層に含有さ
れる周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子の分布状態の模
式図である。

【図５】本発明における感度の温度特性および感度の直
線性を説明するためのａ−Ｓｉ感光体の露光量−表面電
位曲線の１例の模式図である。

【符号の説明】

１００ 光受容部材 １０１ 導電性支持体 １０２ 光受容層 １０３ 光導電層 １０４ 表面層 １０５ 電荷注入阻止層 １１０ 自由表面 ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 円筒状支持体 ３１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス導入管 ３１１５ マッチングボックス ３１１６ 原料ガス配管 ３１１７ 反応容器リークバルブ ３１１８ メイン排気バルブ ３１１９ 真空計 ３２００ 原料ガス供給装置 ３２１１〜３２１６ マスフローコントローラー ３２２１〜３２２６ 原料ガスボンベ ３２３１〜３２３６ 原料ガスボンベバルブ ３２４１〜３２４６ ガス流入バルブ ３２５１〜３２５６ ガス流出バルブ ３２６１〜３２６６ 圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１４ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１４ ３１５ ３１５ ３１６ ３１６ ３３２ ３３２ ３３３ ３３３ ３３４ ３３４ ３３５ ３３５ ３３６ ３３６ (72)発明者 古島 聡 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に、シリコン原子を母体
   とし水素原子及び／またはハロゲン原子及び周期律表第
   ＩＩＩｂ族に属する元素を含有する非単結晶材料で構成
   される光導電層を有する光受容層とから成る電子写真用
   光受容部材において、該光導電層は水素含有量が１０〜
   ３０原子％、光学的バンドギャップが１．７５ｅＶ〜
   １．８５ｅＶ、光吸収スペクトルから得られる指数関数
   裾の特性エネルギーが５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶであっ
   て、表面側から該導電性支持体側に向かって、該光導電
   層に入射する像露光を一定量吸収する第三の層領域、前
   露光を一定量吸収する層領域から第三の層領域を差し引
   いた第二の層領域及びその他の第一の層領域を有し、該
   周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は第一の層
   領域、第二の層領域、第三の層領域の順に減少すること
   を特徴とする電子写真用光受容部材。
2. 【請求項２】 導電性支持体上に、シリコン原子を母体
   とし水素原子及び／またはハロゲン原子及び周期律表第
   ＩＩＩｂ族に属する元素を含有する非単結晶材料で構成
   される光導電層を有する光受容層とから成る電子写真用
   光受容部材において、該光導電層は水素含有量が１０〜
   ２０原子％、光学的バンドギャップが１．６５ｅＶ〜
   １．７５ｅＶ、光吸収スペクトルから得られる指数関数
   裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶであっ
   て、表面側から該導電性支持体側に向かって、該光導電
   層に入射する像露光を一定量吸収する第三の層領域、前
   露光を一定量吸収する層領域から第三の層領域を差し引
   いた第二の層領域及びその他の第一の層領域を有し、該
   周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は第一の層
   領域、第二の層領域、第三の層領域の順に減少すること
   を特徴とする電子写真用光受容部材。
3. 【請求項３】 導電性支持体上に、シリコン原子を母体
   とし水素原子及び／またはハロゲン原子及び周期律表第
   ＩＩＩｂ族に属する元素を含有する非単結晶材料で構成
   される光導電層を有する光受容層とから成る電子写真用
   光受容部材において、該光導電層は水素含有量が２５〜
   ４０原子％、光学的バンドギャップが１．８０ｅＶ〜
   １．９０ｅＶ、光吸収スペクトルから得られる指数関数
   裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ〜５５ｍｅＶであっ
   て、表面側から該導電性支持体側に向かって、該光導電
   層に入射する像露光を一定量吸収する第三の層領域、前
   露光を一定量吸収する層領域から第三の層領域を差し引
   いた第二の層領域及びその他の第一の層領域を有し、該
   周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量は第一の層
   領域、第二の層領域、第三の層領域の順に減少すること
   を特徴とする電子写真用光受容部材。
4. 【請求項４】 前記第三の層領域が像露光を５０％〜９
   ０％吸収する層領域であることを特徴とする請求項１な
   いし３の何れかに記載の電子写真用光受容部材。
5. 【請求項５】 前記第二の層領域が前露光を６０％〜９
   ０％吸収する層領域から第三の層領域を差し引いた層領
   域であることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに
   記載の電子写真用光受容部材。
6. 【請求項６】 前記第三の層領域の該周期律表第ＩＩＩ
   ｂ族に属する元素の含有量がシリコン原子に対して０．
   ０３ｐｐｍ〜５ｐｐｍであることを特徴とする請求項４
   または５に記載の電子写真用光受容部材。
7. 【請求項７】 前記第二の層領域の該周期律表第ＩＩＩ
   ｂ族に属する元素の含有量がシリコン原子に対して０．
   ２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであることを特徴とする請求項４
   または５に記載の電子写真用光受容部材。
8. 【請求項８】 前記第三の層領域の該周期律表第ＩＩＩ
   ｂ族に属する元素の含有量に対する第二の層領域での該
   周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量の割合が
   １．２〜２００であることを特徴とする請求項４または
   ５に記載の電子写真用光受容部材。
9. 【請求項９】 前記第一の層領域の該周期律表第ＩＩＩ
   ｂ族に属する元素の含有量がシリコン原子に対して１ｐ
   ｐｍ〜２５ｐｐｍであることを特徴とする請求項４ない
   し８の何れかに記載の電子写真用光受容部材。
10. 【請求項１０】 前記光導電層に含有される前記周期律
    表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、前記導電性支
    持体側から表面側に向かって階段状に減少していること
    を特徴とする請求項１ないし９の何れかに記載の電子写
    真用光受容部材。
11. 【請求項１１】 前記光導電層に含有される前記周期律
    表第ＩＩＩｂ族に属する元素の含有量が、前記導電性支
    持体側から表面側に向かって滑らかに減少していること
    を特徴とする請求項１ないし１０の何れかに記載の電子
    写真用光受容部材。
12. 【請求項１２】 前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の
    少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１ないし
    １１の何れかに記載の電子写真用光受容部材。
13. 【請求項１３】 前記光導電層は、その表面上に炭素、
    酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶
    材料からなる表面層が設けられていることを特徴とする
    請求項１ないし１２の何れかに記載の電子写真用光受容
    部材。
14. 【請求項１４】 前記光導電層は、シリコン原子を母体
    として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有し、炭
    素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第ＩＩ
    Ｉｂ族から選ばれる元素の少なくとも一つを含む非単結
    晶材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設けられ、更
    に該光導電層の表面上に、炭素、酸素、窒素の少なくと
    も一つを含むシリコン系非単結晶材料からなる前記表面
    層が設けられていることを特徴とする請求項１ないし１
    ３の何れかに記載の電子写真用光受容部材。
15. 【請求項１５】 前記表面層は、その膜厚が０．０１〜
    ３μｍであることを特徴とする、請求項１３または１４
    に記載の電子写真用光受容部材。
16. 【請求項１６】 前記電荷注入阻止層は、その膜厚が
    ０．１〜５μｍであることを特徴とする請求項１４に記
    載の電子写真用光受容部材。
17. 【請求項１７】 前記光導電層の膜厚が２０〜５０μｍ
    である請求項１ないし１６の何れかに記載の電子写真用
    光受容部材。