JPS60225854A - 光受容部材用の支持体及び光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外綴、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに通した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ　−Ｎ　ｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０　ｎｍの発光波長
を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高（、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６　号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以１ｒＡ−８ｉＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

丙午ら、感光層を単層構成のＡＳｉ層とすると、その高
光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される＋０
１！Ωｃｍ　以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に金山させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、ｄ＾す、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３　号公報、特開昭５７−４０り３号公報、特開昭５７
−４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導
特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、
又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造
としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が
提案されている。

この様な提案によって、Ａ−８ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｏと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ、光の波長をλ差で不均
一であると、反射光Ｒ１，几２が２ｎｄ　＝　ｍλ（ｍ
は整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ　−（ｍ＋”　）
λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどち１　ら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００λ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体
表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５
７−１６５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に説われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった０ 即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡＳ＋感光層を形
成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される感
光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−８ｉ
系感光層形成の際のプラズマによってダメージを受けて
、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化
によるその後のＡ−８ｉ系感光層の形成に悪影響を与え
ること等の不都合さが有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉｆとなる。透
過光１１は、支持体３０２０表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に１．Ｋｚ　−Ｋｓ・・・・・・
・・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、
その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従りて、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光ｆＬｓ
が残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すこと
が出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してノ・レージ。

ンを生ずる為解像度が低下するという欠点もあった０ 特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２Ｎ第２層での反射光Ｒ１、支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従りて
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多（、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた０ 又、単に支持体表面５旧を規則的に荒した場合第５図に
示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿って
、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１凹凸の
傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行になる
。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｔ　＝　ｍλ
または２ｎｄ＋＝（ｍ十％）λが成立ち、夫々明部また
は暗部となる１、又、光受容層全体では光受容層の上で
ある様な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現わ
れる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生？完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成での正反
射光と、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層
間の界面での反射光による干渉が加わるため、一層構成
の光受容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る光受容部材用としての新規な支持体及び該支持体をゼ
する光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光な用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材用の支
持体及び該支持体を用いた光受容部材を提供することで
ある０ 本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供′１〜ることでも
ある。

本発明のもう一つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分はノ・−フトーン情報な有するデジ
タル画像記録か鮮明に且つ尚解像度筒品質で行える光受
容部材を提供することでもある０ 不発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、篩ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有するｆ
ｔ、受容部材を提供することでもある。

位置での断面形状が主ピークに副ピークが重畳された凸
状形状である凸部が多数表面に形成されている事を特徴
とする。更に本発明の光受容部材は、前韻支付体と、少
な（とも一部の胎領域が感光性を有する光受容層とな有
する事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って、
１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層は、第６
図の一部に拡大して示されるように、第２　＃　６０２
の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化している為に、界
面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。

従って、この微小部分（シ舗−トレンジ）ｔに入射した
可干渉性光は、該微小部分ｔＫ於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光重◎に対する
反射光８里と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊに較べて干渉の度合が減少する０ 従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ｒ　（Ｂ）　Ｊよりも非平行な場合ｒ
　（Ａ）　Ｊは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視
し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光
量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２０層厚が
マクロ的にも不均一（ｄｙ＋ｄ＠）でも同様に云える為
、岑層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）　Ｊ参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉｏに対し
て、反射光Ｒｔ　、Ｒ２、Ｒｓ　−Ｒａ　、Ｒｓが存在
する。その為各々の層で第７図を似って前記に説明した
ことが生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。そのため各層での干
渉は、層厚の差による干渉と層界面の回折による干渉と
の積として効果が現われるＯ従って、光受容層全体で考
えると干渉は夫々の層での相乗効果となる為、本発明に
よれば、光受容層を構成する層の数が増大するにつれ、
より一層干渉効果を防止することが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じな−１０ 本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｔ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｔ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｔに於ける層厚の差（ｄｆｉ−ｄｌｌ）は、照射光の波
長なλとすると、 λ ｄ、　−ｄ、≧２．　（ｎ　”第２層６０２の屈折率）
であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｔの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が ス　（ｎ：層の屈折率） ｎ 以下である株に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面な
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした綿線構造’ｘＴ４する。突起部の綿線構造
は、二［三重の多重綿線構造、又は交叉螺締構造とされ
ても差支えない。

或いは、綿線構造に加えて中心軸に沿った連線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一形状であることが好まし％Ｘ。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは周期的に配列されていることが好ましい。又、更に
、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と支
持体との密着性を高めるために、副ピークを複数重する
ことが好ましい。これ等の夫々に加えて、入射光を効率
よく一方向に散乱するために、前記凸部が主ピークを中
心に対称（第９図（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ
））に統一されていることが好ましい。しかし、支持体
の加工管理の自由度を筒める為には両方が混在している
のが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジ鱈ンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

１　即ち、第１は感光層な構成するＡ−８ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感モあって、表面状態にＹ
６じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−８ｉ悪感光の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジ、ンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来な（なる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ１　より好ましくは２００μｍ〜１μｍ１最
適には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
１より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ１最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好ましくは３度〜１５の不均一に基く層厚差
の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０１μｍ〜２μｍ
１より好ましくは０．１μｍ〜１．５μｍ１最適には０
，２μｍ〜１μｍとされるのが望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１Ｏ図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３、感光層１
００４で構成されている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　
％ステンレス、ＡＩ　、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ
、Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、Ｎｔ　Ｃｒ　−Ａ
ｌ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｉｎｚ　Ｏｓ、８ｎＯ２゜ＩＴＯ（Ｉｎ２０
ａ　＋　５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによっ
て導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、’ＮｉＣｒ、ＡＩ　、Ａｇ
、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ
、Ｔａ。

Ｖ−Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は、前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば第１０図の光受容部材１００
０を電子写真用像形成部材として使用するのであれば連
続複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が十分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかし
ながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、好ましくは１０μ以上とされる
。

電荷注入防止層１０００は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１０００は、水素原子又は／及び・・ロ
ゲン原子（Ｘ）を含有するＡ−８ｉ（以後ｒＡ−８ｉ　
（Ｈ−Ｘ）Ｊと記す）で構成されると共に伝導性を支配
する物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止層１００３
に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、い
わゆる半導体分野で言われる不純物ｉ　を挙げることが
でき、本発明に於ては、８１に対して、ｐ型伝導特性を
与えるｎ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を
挙げることができる。

具体的には、ｎ型不純物としては周期杯表第Ｄ１族族 に属する原子（第ｆｆｉ％原子）、例えばＢ（硼素）Ａ
Ｉ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジ
ウム）、ＴＩ（タリウム）等があり、殊に好適に用いら
れるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等でアリ、殊に
好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前
記を荷注入防止層に直に接触して設けられる他の層領域
の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
制御する物質の含有量としては、好適には、０．００１
〜５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適ニハ０
．５〜ｌＸ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には
１〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ま
しい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０　ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ以上、より好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とするこ
とによって、例えば含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型
不純物の場合には、光受容層の自由かの極性に帯電処理
な受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電子の
移動を、より効果的に阻止することが出来、又、前記含
有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光
受容層の自由表面がθ極性に帯電処理を受けた際に支持
体側から感光層中へ注入される正孔の移動を、より効果
的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００３層厚は、好ましくは、３０人〜
１０μ、より好適には４０Ａ〜８μ、最適には５０λ〜
５μとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レ
ーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する電荷
発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両者を有
する。

感光層１００４０層厚としては、好ましくは、１〜１０
０μｍ１より好ましくは１〜８０μｍ１最適には２〜５
０μｍとされるのが望ましい。

感光Ｊ’＠　１００４には、電荷注入防止層１００３に
含有される伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性
の伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止
層１００３に含有される実際の量よりも一段と少ない量
にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、よ
り好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００４の於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以下とするのが望まし
い。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（
Ｈ−１−Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、
より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ、Ｉが挙
げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものとして挙
げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、い！　わゆる
障壁層を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防
止層１００３とを併用しても差支えな％　Ｓ。

障壁層形成材料としては、Ａ７２０３，５ｉ０２，５ｔ
３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有
機電気絶縁材料を挙げることができる。

第１１図には、本発明の別の好ましい具体例が示される
。第１１図に示す電子写真用の光受容部材１１００は、
微小でなめらかな凹凸を有する導電性支持体１１０１の
上に導電層１１０２と、障壁層１１０３と電荷発生層１
１０４及び電荷輸送層１１０５からなる多廣構造の光受
容ＨＡ　１１０６と、を有する。

前述の導電層１１０２としては、例えばアルミニウム、
錫や金などの導電性金属の蒸着膜又は樹脂中に導電性粉
体を分散含有せしめた被膜を用いることができる。この
際に用いる導電性粉体としては、アルミニウム、錫、銀
などの金属粉体、カーボン粉体や酸化チタン、硫酸バリ
ウムｓ酸化亜鉛や酸化錫などの金属酸化物を主体とした
導電性顔料などを挙げることができる。又、この導電層
１１０２に光吸収剤を含有させることもできる。

導電性顔料を分散する樹脂は、（１）基体に対する密着
性が強固である仁と、（２）粉体の分散性が良好である
こと、（３）耐溶剤性が十分であること、などの条件を
満たすものであれば使用できるが、特に硬化性ゴム、ポ
リウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ポリエ
ステル樹脂、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂
等の熱硬化性樹脂が好適である。導電性顔料を分散した
樹脂の体積抵抗率は１０１３０ｃｍ以下、好ましくは１
０１２０ｃｍ以下が適している。そのため塗膜において
、導電性顔料は塗膜中１０〜６０重量％の割合で含有さ
れていることが好ましい０ 導電層１１０２には、シリコンオイルや各種界面活性剤
などの表面エネルギー低下剤を含有させることができ、
これにより塗膜欠陥が小さい均一塗膜面を得ることかで
きる。導電性粉体な樹脂中に分散させる方法としては、
ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライタ
ー、サンドミル、コロイドミルなどの常法によることが
でき、基体がシート状である場合は、ワイヤーノ（−コ
ート、ブレードコート、ナイフコート、ロールコート、
スクリーンコートなどが適しており、基体が円筒状であ
る場合には、浸漬塗布法が適している。

導電層１１０２は、一般Ｋ　Ｉ　Ｉｔ　ｍ　〜５０μｍ
ｓ好ましくは５μｍ〜３０μｍ程度の膜厚で被膜形成す
ることによって、導電性基体１の突起体２の高さｈが１
００μｍ以下の場合で、その表面欠陥を十分に隠蔽する
ことができる。

導電層１１０２と電荷発生層１１０４との中間には、電
気的な障壁効果を示す障壁機能と接着機能をもつ障壁Ｎ
　１１０３が設けである。

障壁層１１０３は、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、
ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１
０、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど
）、ポリウレタン、ゼラチン、などによって形成できる
。

障壁層１１０３０層厚は、好ましくは０．１μ〜５μ、
より好ましくは０．５μ〜３μとされるのが望ましい。

電荷発生層１１０４は、スーダンレッド、グイアンプル
−、ジェナスグリーンＢなどのアゾ顔料、アルコールイ
エロー、ピレンキノン、インダンスレンブリリアントバ
イオレットＲＲＰなとのキノン顔料、キノシアニン顔料
、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴ等のインジゴ
顔料、インドファーストオレンジトナーなどのビスベン
ゾイミダゾール顔料、銅フタロシアニン、アルミクロル
−フタロシアニンなどの７タロシアニン顔料、キナクリ
ドン顔料やアズレン化合物から選ばれた電荷発生性物質
を、ポリエステル、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルピロリドン、メチルセルロース、ポリア
クリル酸エステル類、セルロースエステルなどの結着剤
樹脂に分散して形成される。その厚さは好ましくは０．
０１μｍ〜１μ、より好ましくは０．０５μ〜０．５μ
程度とされるのが望ましい。

また、電荷輸送層１１０５は主鎖又は側鎖にアントラセ
ン、ピレン、フェナントレン、コロネンなどの多環芳香
族化合物又はインドール、カルパゾイ ール、オキサゾール、インオキサゾール、チアゾール、
イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾ
リン、チアジアゾール、トリアゾールなどの含窒素環式
化合物を有する化合物、ヒドラゾン化合物等の正孔輸送
性物質を成膜性のある樹脂に溶解させて形成される。こ
れは電荷輸送性物質が一般的に低分子量で、それ自身で
は成膜性に乏しいためである。そのような樹脂としては
、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル類、ボ
リアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリサル
ホン、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレ
ン−メタクリル酸メチルコポリマー等が挙げられる。

電荷輸送層１１０５の層厚は好ましくは５μ〜２０μで
あるのが望ましい。又、前述の電荷発生層１１０４を電
荷輸送層１１ｏ５の上に積層した構造の感光層とするこ
ともできる。

又、前述の感光層としては前述のものに限らず、例えば
Ｉ　Ｂ　Ｍ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　’Ｒｅａ
ｅａｃｈ　ａｎｄ　ｌ）ｅｖｅｌｏｐ−ｍｅｎｔ　−１
９７１年１月、　Ｐ、　７５〜Ｐ、　８９に開示された
ポリビニルカルバソールとトリニトロフルオレノンから
なる電荷移動錯体、米国特許第４３１５９８３号公報米
国特許第４３２７１６９号公報などに記載されたビリリ
ウム系化合物を用いた感光層あるいはよく知られている
酸化亜鉛や硫化カドミウムなどの無機光導電性物質を樹
脂中に分散含有させた感光層やセレン、セレン−テルル
、セレン化砒紫”Ｊの蒸着系の感光層を使用することも
可能である。

以下本発明の実施例について説明する。

実ＪＩｊ例１ 本実施ν１１ではスポット系８０μｍの半導体レーザー
（波長７８Ｑ　ｎ　ｍ　）を使用した。したがってＡ−
８ｉ：Ｈ７＆堆墳させる円筒状のＡｔ支持体（長さくＩ
、）３５７　＋ｎｍ　、径ｂ）　８０　ｍｍ）上に旋盤
で螺線状の溝を作製した。このときの溝の断面形状を第
１２図（Ｂ）に示す。

このＡｔ支持体上に第１３図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１３０１は局周波電源、１
３０２はマツナングボノクス、１３０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１３０４はＡ　を支
持体回転用モータ、１３０５はＡｔ支持体、１３０６支
持体加熱用ヒータ、１３０７はガス導入管、１３０８は
高周波導入用カソード電極、１３０９はシールド板、１
３１０はヒータ用電源、１３２１〜１３２５．１３４１
〜１３４５はバルブ、１３３１〜１３３５はマスフロコ
ントローラー、１３５１〜１３５５はレギーレーター、
１３６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１３６２はシラン（Ｓ
ｉＨ４）ボンベ、１３６３はジボラン（８２Ｈ６）ボン
ベ、１３６４は酸化窒素（ＮＯ）ボンベ、１３６７はメ
タン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１３６１〜１３６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラ〜
およびバルブを開け、１３０３の拡散ポンプにより堆積
装置内を１０＝’ｌ’ｏｒｒまで減圧した。それと同時
に１３０６のヒーターにより１３０５のＡ／＝支持体を
２５０℃まで加熱し２５０℃で一定忙保った。

１３０５のＡｔ支持体の温度が２５０℃で一定になった
後１３２１〜１３２５．１３４１〜１３４５．１３５１
〜１３５５のバルブを閉じ、１３６１〜１３６５のボン
ベの元栓ヲ開Ｂ、１３０３の拡散ポンプをメカニカルブ
ースターポンプに代える。１３５１〜１３５５のレギュ
レーター付きパルプの二次圧を１．５　Ｋｉｃｍ”に設
定した。１３３１のマスフロコントローラーを３００　
ＳＣＣＭに設定し、１３４１のパルプと１３２１のパル
プを順に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１３６１のＳｉＨ４ガスを１３３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０　ＳＣＣＭに設定して、Ｈ２
ガスの導入と同様の操作でＳｉＨ＊ガスを堆積装置に導
入した。次に１３６３０Ｂ　２　Ｂ　ｅ　ガス流量を８
ｉＨ４ガス流ｉＫ対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐｍにな
るように１３３３のマスフロコントローラーを設定して
、Ｈｚガスの導入と同様な操作でＢ　ｘ　Ｈａガスを堆
積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２　Ｔｏｒｒで安定した
ら、１３０１の高周波電源のスイッチを入れ１３ｏ２の
マツチングボックスを調節して、１３０５のＡｔ支持体
と１３０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を１５０Ｗとし５μｍ厚でＡ−Ｓｉ　：　Ｈ
層（Ｂを含むＰ型（７）Ａ−８ｉ：Ｈ層となる）を堆積
した（電荷注入防止層）・５μｍ厚のＡ−８ｉ：Ｈ（Ｐ
型）を堆積したのち放電を切らずに、１３２３のパルプ
な閉めＢ　ｘ　Ｈｓの流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗで２０μｍ厚のＡ−８ｉＳＨ
層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ　１を堆積した（感光層）、そ
の後高周波電源およびガスのパルプをすべて閉じ堆積装
置を排気し、Ａｔ支持体の温度を室温まで下げて、光受
容層を形成した支持体を取り出した。

この場合には第１２図（Ｂ）、（Ｃ）のように感光層−
の表面と支持体の表面とは非平行であった。この場合Ａ
ｔ支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μ
ｍであった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７ｇＱ　
ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０μｍで第１４図
に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画
像を得た。

この場合、干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電
子写真特性を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状Ａｔ支持体の表面を旋盤で、第１５図のよ
うに加工した。

このシリンダー状Ａ／＝支持体上に実施例１と同様な条
件でａ−８ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作製した。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に第１４図
の装置で画像露光を行い現像、転写して画像を得た。こ
の場合の転写画像には、干渉縞はみられず実用上十分な
特性であった。

実施例３ 第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持
体上に、第１表に示す条件で電子写真用光受容部材を形
成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転写
、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像形
成プロセスを１０万回連続繰返し行った。この場合、得
られた画像の総てに於いて干渉縞は見られず、実用に十
分な特性であった。又、初期の画像と１０万回目の画像
の間には、何等差違はなく、高品質の画像であった。

実施例４ 第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持
体上に、第２表に示す条件で電子写真用光受容部材を形
成した。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現
像、転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例５ 第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持
体上に、第３表に示す条件で電子写真用光受容部材を形
成した。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現
像、転写、定着して普通紙上に可視画像を得たり この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった６− 実施例６ 第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持
体上に、第４表に示す条件で電子写真用光受容部材を形
成した。これら電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現
像、転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例７ 直径６Ｑｔｎｍ、長さ２５８　ｍｍの円筒状アルミニウ
ム支持体を第１６図、第１７図の表面性に加工した。

次に、チタン工業■製の酸化チタン（ＥＣＴ−６２）２
５重量部、堺工業■製の酸化チタン（ＳＲ−ＩＴ）２５
重重部と大日本インキ■製のツーノール樹脂（プライオ
ーフェンＪ３２５）　をメタノールとメチルセロソルブ
（メタノール／メチルセロンルプー４重量部／１５重量
部）５００重量部に混合し、攪拌した後、直径１　ｍｍ
のガラスピーズ５０重量部とともにサンドミル分散機で
１０時間分散した。

この分散液に東芝シリコーン■製のシリコンオ〒 イル（ＳＨ２８９Ａｌを固形分として５０ｐｐｍ　加え
てから、持拌して導電層形成用塗布液を調整した。

この導電層形成用塗布液を前述の切削加工した円筒状ア
ルミニウムの表面に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるよう
に浸漬塗布し、その後１４０℃で３０分間過熱乾燥して
、導電層を形成した。

次忙共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ　−８
０００、東し■製）１０重量部をメタノール６０重量部
とブタノール４０重量部からなる混合液に溶解し、上記
導電層上に浸漬塗布して、１μ厚のポリアミド樹脂層を
設けた。

次にε型銅フタロシアニン（リオノールブルーＢＳ、東
洋インキ＠製）１重量部、ブチラール樹脂（エスレック
ＢＭ−２；種水化学■！！り１重量部をシクロヘキサノ
ン１０重量部を１ｍｍφガラスピーズを入れたサンドミ
ル分散機で２０時間分散した後、２０重量部のメチルエ
チルケトンで希釈した。この液を先に形成したポリアミ
ド樹脂層の上に浸漬塗布し乾燥させて電荷発生層を形成
した〇この時の膜厚は０．３μであった。

次いで、下記構造式のヒドラゾン化合物１０重量部 およびスチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂（商品
名：Ｍ８２００ｉ製鉄化学■製）１５重量部をトルエン
８−０重量部に溶解した。この液を上記電荷発生層上に
塗布して１００℃で１時間の熱風乾燥なして、１６μ厚
の電荷輸送層を形成した。

この様にして作成した電子写真用光受容部材を発振波長
７７８１ｍの半導体レーザーを備えた反転現像方式の電
子写真方式プリンターであるキャノンレーザービームプ
リンタＬＢＰ−ＯＸ　（キャノン■製）に装填した後に
、全面にラインスキャンな行ない全面が黒色トナー像と
なる画像を形成したところ、この全黒色画像中には干渉
縞模様が全く現われていなかった。

次に、レーザービームな文字信号に従ってラインスキャ
ンし、画像として文字を形成させる操作を温匿１５℃で
相対湿度１０％の条件下で２０００回繰り返して、２０
００枚目のコピー文字画像を取り出した。このコピー文
字画像中の直径Ｑ、２ｍｍ以上の大きさをもつ黒斑点（
黒ポチ）の数を測定したところ、全く黒斑点は見い出せ
なかった。

実施例８ 微粒子酸化亜鉛（堺化学■製５ａｚａｘ　２０００　）
　１０　ｇｓアクリル系樹脂（三菱レーヨン■製ダイヤ
ナールＬＲＯＯ９）４ｇ、トルエン］、　Ｏｇと下記構
造式のアズレニウム化合物１０ｍｇ＆ボールミル中で十
分に混合して感光層用塗布液な調整した。

この感光層用塗布液を乾燥後の膜厚が２１μｍとなる様
に、実施例７で用いた電荷発生層と電荷輸送層からなる
積層構造の感光層に代えて設けたほか、実施例７と同様
の方法で電子写真用光受容部材を調整した。この光受容
部材を実施例７で使用したレーザービームプリンター（
但し、帯電が正極性となる様に帯電器を変更した）に取
り付けて、同様の測定を行なったところ、全面黒色画像
中には干渉縞模様がなく、しかも２０００枚目の文字コ
ピー中には直径Ｑ、２ｍｍ以上の黒斑点が全（見い出せ
ず、極めて良好な画像であることが判明した。

実施例９ 実施例７の切削加工した円筒状アルミニウム支持体を常
法により陽極酸化処理して酸化アルミニウムの薄膜を形
成し、その上にセレン化砒素層（テルル；１０重量％）
を真空蒸着法により層厚１５μｍに形成した。

この電子写真用光受容部材を実施例８で使用したレーザ
ービームプリンターに取り付けて、同様の測定を行なっ
たところ、同様の結果が得られた。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易である
光受容部材用の支持体及び光受容部材を提供することが
できる。また画像形成時に高光感度性、高ＳＮ比特性及
び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光受容部
材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は、散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 、パ１°“・賛’８−ｍ＃ｆ＞４！ｒＮｉａ＞ＷＷｒ”
専ξ１８の干渉縞の説明図である。 第６図は、光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干
渉縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）０３）は、それぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１０図及び第１１図は、光受容部材の層構成の説明図
である。 第１３図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１４図は、実施例で使用した画像露光装置である。 第１２図、第１５図、第１６図、第１７図は、実施例で
使用したＡ−を支持体の表面状態の説明図である。 １０００．１１００・・・・・・・・・・・・・・光受
容部材１００２、１１０６・・・・・・・・・・・・・
光受容層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・Ａｔ支持体１００３・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・電荷注入防止層１００
４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
感光層１１０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・支持体１１０２・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・導電層１１０３・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・障考；レー１１砧：１１０４
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電荷
発生層１１ｏ５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電荷輸送層１４０１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１
４０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・半導体レーザー１４０３・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ｆθレンズ−１４０４・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴン
ミラー１４０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・結党装置の平面図１４ｏ６・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・算光装置の側面図第
２■ イ、ｉｊＪｊ 第６図 （０） ｎ ＣＡ＞ ＣＢ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている事を特徴とする光受容部材用の支持体。 （２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材用の支持体。 （３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材用の支持体。 （４）前記凸部め夫々は、−次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材用の支持体
   。 （５）前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材用の支持体。 （６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材用の支持体。 （７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材用の支持体。 （８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
   請求の範囲第１項に記載の光受容部材用の支持体。 （９）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、少なくとも一部の層領域が感光性を
   有する光受容層と、を有する事を特徴とする光受容部材
   。 （ト）前記層領域が、光導電性を有する特許請求の範囲
   第９項に記載の光受容部材。 缶）前記層領域が、シリコン原子を含む非晶質材料から
   成る特許請求の範囲第９項に記載の光受容部材。 （２）前記層領域が、有機光導電材料から成る特許請求
   の範囲第９項に記載の光受容部材。 （ツ　前記光受容層が、多層構造を有する特許請求の範
   囲第９項に記載の光受容部材。 （１４前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第９項に記載の光受容部材。 （１９前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第９項に記載の光受容部材。 ０Ｑ　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第９項に記載の光受容部材。 σ７）前記凸部は、ｉｌｌビークを特徴とする特許請求
   の範囲第９項に記載の光受容部材。 ＱＢ）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して対称形状である特許請求の範囲第９項に記載の光受
   容部材。 側　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にして
   非対称形状である特許請求の範囲第９項に記載の光受容
   部材。 （イ）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
   請求の範囲第９項に記載の光受容部材。