JPS62115169A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様々電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査するととによシ静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
々どの処理を行々う、画像を記録する方法が知られてお
シ、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０＋２Ωα以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性があシ、ため
に層形成に当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を
有効に利用出来る機にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号公
報、特開昭５７−４．．０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたシして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画゛像不良の原因となる。

殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあって
は、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる
。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光りと上部界面６（１２）で反射した反射光Ｒ１
、下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている
。

そこにあって、層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだらかにπ以上の層厚
差で不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ−ｍλ
（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋））
λ　（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化が生じる。即ち、光受容部材が第７図に示すよづ々、
２若しくはそれ以上の層（多層）構成のものであるもの
においては、それらの各層について第６図に示すよう々
干渉効果が起って、第７図に示すよう表状態となり、そ
の結果、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉縞
模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材に
影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞が
転写、定着される可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ｘ〜±１００００大の凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したシ、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参
照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹
凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）
等が提案されている。これ等の提案方法は、一応の結果
はもたらすものの、画像上に現出する干渉縞模様を完全
に解消するに十分なψものではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的々解像度低下をきたしてしまう
。

申）の方法については、黒色アルマイト処理では、完全
吸収は不可能であシ、支持体表面での反射光は残存して
しまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、ａ
−Ｓｉ層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ　−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメニ
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例−１０
＝ えば入射光■。ば、光受容層８（１２）の表面でその一
部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容層８
（１２）の内部に進入して透過光重、となる。透過光■
、は、支持体８０１の表面に於いて、その一部は、光散
乱されて拡散光に１、Ｋ２、Ｋ３・・・となり、残りが
正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出射光Ｒ３
となって外部に出ては行くが、出射光Ｒ３は、反射光Ｒ
０と囃干渉する成分であっていずれにしろ残留するため
依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１の
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９（１２）での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射
光Ｒ４、支持体９０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉
して、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生
じる。従って、多層構成の光受容部材においては、支持
体９０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に
防止することは不可能である。

又、サンドプラ、’ｌ＝）等の方法によって支持体表面
を不規則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いて
バラツキが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不
均一があって、製造管理上問題がある。加えて、比較的
太き力突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたら
してしまう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
０（１３に沿って、光受容層１０（１２）が堆積するた
め、支持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１０（１
２）の凹凸の傾斜面とが１０（１３’、１０（１４’で
示すように平行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｃｉ。

−ｍλまたは２ｎｄ１−（ｒｎ　＋２　）λの関係が成
立ち、夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体
では光受容層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々λ の差の中の最大が了以上である様な層厚の不均一性があ
るため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１０旧表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはでき々い。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の１３一 層厚が均一でないと、該層とそれに接している感光層と
の界面での反射光による干渉現象が起きて、光受容部材
の機能に障害を与えてしまう。

ところで、表面層の層厚が不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。

こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてし捷う。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
で常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ　−Ｓｉで構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子を母体とす
る非晶質材料で構成された感光層と、表面層とを有する
光受容層を備えた光受容部材であって、前記表面層は最
外殻に耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有す
る多層構成であり、前記支持体の表面が、主ピークに副
ピークが重畳して複数の微小な凹凸形状を成している断
面形状のものであり、且つ、該支持体表面上の前記光受
容層が、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界
面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少
くとも一方向に多数配列して々ることを骨子とする光受
容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、以下に記述するところである。

即ち、支持体上に感光層と表面層とを有する光受容層を
備えた光受容部材にあっては、表面層を、最外殻に耐摩
耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成
とした場合、表面層と感光層との界面における入射光の
反射が防止され、表面層の形成時における層厚むら又は
／及び表面層の摩耗による層厚むらによってもたらされ
るところの干渉模様や感度むらの問題が解消されるとい
うものである。

また、該光受容部材に要求される解像力よシも微小な凹
凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状の
１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称す
。）内に少くとも一対の非平行々界面を有するようにし
、該非平行な界面を有するようにし、該非平行な界面が
層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列せ
しめた場合、画像形成時に現れる干渉模様の問題が解消
されること、そして、その場合、支持体表面に設ける凹
凸の凸部の縦断形状を、ショートレンジ内に形成される
各層の層厚の管理された不均一化、支持体と該支持体上
に直接設けられる層との間の良好な密着性、あるいはさ
らに、所望の電気的接触性を確保する為に、主ピークに
副ピークが重畳した形状を呈することが望ましいという
ものである。

ところで後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実験
により得た事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材の層構成の１例を示
す模式図であり、この例では、支持体１０１の表面が、
主ピークに副ピークが重畳して複数の微小な凹凸形状を
なしている断面形状のものであり、該支持体１０１上に
、その凹凸形状に沿って、第一の層１（１２）と第二の
層１（１３．とからなる光受容層を備えている。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において、干渉縞
模様の問題が解消されるところを説明するための図であ
る。第２囚図は前記構成の光受容部材の一部を拡大して
示した図であり、第２＠図は同部分における明るさを示
す図である。図中、２（１２）は感光層、２（１３は表
面層、２（１４は自由表面、２０５は感光層と表面層と
の界面を示している。第２（Ａ）図に示すごとく、表面
層２（１３の層厚は、ショートレンジを内において、ｄ
２１からｄ２２に連続的に変化しているため、自由表面
２（１４と界面２０５とは互いに異なる傾むきを有して
いる。したがって、このショートレンジｔに入射したレ
ーザー等の可干渉性光は、該ショートレンジｔにおいて
干渉をおこし、微小な干渉縞模様が生成はする。しかし
、ショートレンジ内に於て生ずる干渉縞は、ショートレ
ンジｔの大きさが照射光スポット径より小さい為、即ち
、解像度限界より小さい為、画像に現われることはない
。又、はとんどないことではあるが、仮に画像に現われ
る状況が生じたとしても肉眼の分解能以下なので、実質
的には伺等支障々い。

一方、第３図（但し、図中、３（１２）は感光層、３（
１３は表面層、３（１４は自由表面、３０５は感光層と
表面層との界面を示す。）に示すように、感光層３（１
２）と表面層３（１３との界面３０５と、自由表面３（
１４とが第３■図のごとく非平行である場合には、入射
光■。に対する反射光Ｒ７と出射光Ｒ３とはその進行方
向が異なるため、第３（Ｂ）図に示すごとく界面３０５
と自由表面３（１４とが平行である場合にくらべて干渉
の度合が減少する。即ち、干渉が生じても第３　（Ｃ’
）図に示す如く、一対の界面が平行な関係にある場合よ
りも、一対の界面が非平行な関係にある場合の方が干渉
の度合が小さくなるため、干渉縞模様の明暗の差が無視
しうる程度に小さくなシ、その結果、入射光量は平均化
される。

このことは、第２（０図に示すように、表面層２（１３
の層厚がマクロ的にも不均一である場合、即ち、異なる
２つの任意の位置における層厚ｄ２３、ｄ２４がｄ２３
＼ｄ２４である場合であっても同様であって、全層領域
において入射する光量は第２図（ト）に示すように均一
となる。

以上、支持体上に感光層と表面層とが積層されている場
合について記載したが、本発明の光受容部材の感光層が
多層構造を有している場合、例えば第４図に示すように
支持体上に、二つの構成層４（１２）′と４（１２）”
からなる感光層４（１２）、および表面層４（１３が積
層されている場合であっても、入射光Ｉｏに対して反射
光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７およびＲ５が存在するが、４
（１２）′、４（１２）〃、４（１３の各々の層におい
て第３図において説明したごとき入射する光量が平均化
される現象が生ずる。

その上、ショートレンジを内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生ずる。そのため
、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層界面の回
折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると干渉は各々の層で
の相乗効果となるため、本発明の光受容部材においては
、光受容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが重畳し
た形状を呈しているものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｔは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｔ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面
層とからなり、該感光層は、シリコン原子を母体とする
アモルファス材料、特に好１しくけシリコン原子（Ｓｉ
）と、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なく
とも一方を含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ−
８ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕、あるいは、酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも
一種を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成されており、
該第−の層には、さらに伝導性を制御する物質を含有せ
しめることが好ましい。そして、該第−の層は多層構造
を有していることもあり、特に好ましくは、前記伝導性
を制御する物質を含有する電荷注入阻止層又は／及び電
気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を構成層の一つと
して有するものである。

また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを
含有する非晶質材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓ
ｉ）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子
（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一種と、水素原子（
Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方
とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ−８ｉ　
（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕または、無
機弗化物、無機酸化物及び無機硫化物の中から選ばれる
物質で構成されている。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、感光層と表面層とを積層して有し、さらに感
光層にあっては、後で詳述するように、感光層の支持体
側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量に含有す
る局在領域（すなわち電荷注入阻止層）を形成せしめる
こと、又は／及び、感光層の支持体側の端部に障壁層を
形成せしめることが望捷しく、こうした構成層を有する
本発明の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の
界面が形成されることと々るが、本発明の光受容部材に
おいては、光受容層のショートレンジｔの層厚内（以後
、「微小カラム」と称す。）において、少なくとも一対
の非平行な界面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成する為には微
小カラムにおける層厚の差、前述の第２（ａ）図におけ
るｄ２１とｄ２２の差は、照射光の波長をλとすると、
次式： ｄ２１　　ｄ２２≧２ｎ　（ｎ　＝光受容層の屈折率）
を満足することが望ましい。そして、該層厚の差の上限
は、好ましくは帆１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．
１μｍ〜１．５μｍ１最適には０．２μｍ〜１μｍとす
ることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においてはショート
レンジｌ内において、少くともいずれか２つの界面が非
平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、こ
の条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面が
存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある界
面について、任意の２つの位置をとって、それらの位置
における層厚の差をΔｔとし、照射光の波長をλ、層の
屈折率をｎとした場合、次式：を満足するように、層又
は層領域を形成するのが望ましい。

本発明の光受容層の作成については、本発明の前述の目
的を効率的に達成するために、その層厚を光学的レベル
で制御する必要があることから、グロー放電法、スパッ
タリング法、イオンブレーティング法等の真空堆積法が
通常採用されるが、これらの他、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法等を採用することもできる。

以下、第１図によυ本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は本発明の光受容部材の層構成を説明するために
模式的に示した図であり、図において１００は光受容部
材、１０１は支持体、１（１２）は感光層、１（１３は
表面層、１（１４は自由表面を表わしている。

本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが
重畳した形状を呈しているものである。

支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、スパッタリング
などの物理的方法、旋盤加工などの機械的方法などによ
って形成されるが、生産管理を容易に行なうためには、
旋盤などの機械的加工方法が好ましい。

たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、７字形
状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め
所望に従って設計されたプログラムに従って回転させな
がら規則的に所定方向に移動させることにより、支持体
表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、ピ
ッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によって
形成される凹凸が作シ出す線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋
構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造
とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

また、前記凹凸形状は、本発明の目的を効率的に達成す
るために、規則的、または周期的に配列されていること
が好ましい。更に、これに加えて、入射光を効率よく一
方向に散乱するために、前記凹凸形状が、その主ピーク
を中心に対称（第５図（Ａ））、または、非対称（第５
図（ト））に統一されていることが好ましい。しかし、
支持体の加工管理の自由度を高めるためには、両方が混
在しているのがよい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には、光受容層を構成するａ−８ｉ層は、層
形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に
応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−８ｉ層の層品質の低下を招来し力い様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことができなくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、通常は０．３μｍ〜５０
０μｍ、好ましくは１μｍ〜２００μｍ１　より好まし
くは５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとするのが望才しい。支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は
線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０
度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０
度とするのが望ましい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｔ１Ｃ
ｒ、　ＭＯ，Ａｌｌ、　Ｎｂ、　Ｔａ。

ｖＳ’ｒｉ、　ｐｔ、　ｐｂ等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｊＣｒ。

ＡＬ、　Ｃｒ、　Ｍｏ１Ａ、ｕ、　　Ｉｒ、　Ｎｂ、’
Ｉ’ａ、Ｖ、Ｔｉ。

ｐｔ、ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｉ　Ｔｏ　（Ｉｎ
２Ｏ３＋５ｎｏｚ　）等から成る薄膜を設けることによ
って導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡｔｌＡｇ、
　Ｐｂ。

ＺｎＳＮｉ、Ａｕ１Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ
、ＴＬ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状であることができるが、用途、所望によって
、その形状は適宜に決めることのできるものである。例
えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限シ薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、１０μ以上とされる。

本発明の光受容部材において、感光層１（１２）は、前
述の支持体１０１上に設けられるものであって、ａ−８
ｉ（Ｈ，Ｘ）又は酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種を含有するａ−Ｓｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成されておシ、好ましくはさらに伝導性を制御
する物質が含有されているものである。

感光層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１（１２）中に含有される水素原子（
Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０ａ
ｔＯｍｉＣ係、好適には５〜３Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１００μとするが、好丑しくは１〜８０
μ、より好１しくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗抵
抗化、そして支持体と感光層との間の密着性の向上にあ
る。

本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の量は、比較的少量でよい。

＝３４− また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子モ及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に図るため
に、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは０．０（１２）〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、
最適には０．０（１３〜３０ａｔｏｍｉｃφとする。と
ころで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、あるい
は、含有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中
に占める割合が大きい割合には、前述の含有せしめる量
の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えば
、含有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の百とな
るような場合には、含有せしめる量は通常３０　ａｔｏ
ｍｉｃチ以下、好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ　％以下、
最適には１０　ａｔｏｍｉｃ　％以下にされる。

次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層側
の端部付近においては、比較的少量となるか、あるいは
実質的にゼロに近く彦るように分布せしめる場合の典型
的な例のいくつかを、第１１図乃至第１９図によって説
明する。しかし、本発明はこれらの例によって限定され
るものではない。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ
）Ｊと表記する。第１１乃至１９図において、横軸は原
子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層
厚を示し、ｔＢは支持体と感光層との界面位置を、ｔＴ
は感光層の表面層との界面の位置を示す。

第１１図は、感光層中に含有せしめる原子（Ｏ、Ｃ。

Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示１〜でい
る。該例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する感光層と
支持体との界面位置ｔＢよ部位置ｔ１までは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定値をとり、位置
ｔ１よシ第二の層との界面位置ｔＴまでは原子（０，Ｃ
，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位
置ｔ、においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が（１
３となる。

第１２図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢか
ら位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減少し
、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ６となる。

第１３図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２ま一３７
＝ では原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６々る一
定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔ、にいたるまでは、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連
続的に減少して位置砦においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１４図に示す例では、原子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢよ部位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢよ部位置ｔ３の間においては濃度Ｃ０の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃ０から濃度Ｃ＋Ｏとなるまで、−次間数的に減少
する。

第１６図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢよ部位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１１
の一定値にあシ、位置ｔ４よ部位置ｔＴにいたるまでは
濃度ＣＩ２から濃度ＣＩ３となるまで一次関数的に減少
する。

第１７図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
ＣＩ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。

第１８図に示す例では、原子（０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ＬＢから位置ｔ、にいたるまで濃度ＣＩ６と
々るまで一次関数的に減少し、　位置ｔ５から位置ｔＴ
まではｂ度ＣＩ６の一定値を保つ。

最後に、第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位
置ｔＢから位置ｔ６までは、濃度ＣＩ７からはじめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
上〇では濃度０１８となる。次に、位置ｔ６から位置ｔ
７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度ＣＩ９となる。

更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと徐々
に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。また更
に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度Ｃ２０
から実質的にゼロとなる苔で徐々に減少する。

第１１図〜第１９図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布
濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層
の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該
局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔＢから５
μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密着性
の向上をより一層効率的に達成することができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる感
光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても、
あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形成
される第一の層に要求される特性に従って適宜法める。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００　ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上七なるような分布状態とするのが望ましい。

本発明の光受容部材においては感光層に伝導性を制御す
る物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均一
力分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導、性を制御する物質としては、半導体分野にお
いていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導
性を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第
■族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期
律表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称
す。）が使用される。具体的には、第■族原子としては
、Ｂ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、■ｎ（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、Ｅ、　Ｇａであ
る。寸だ第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒素
）、Ｓｂ（アンチモン）、１３ｉ　（ビスマン）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂで
ある。

４１一 本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。

すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０−”
〜Ｉ　Ｘ　１（１３ａｔｏｍ１（１３ａｔｏ、最適には
Ｉ　Ｘ　１０−”　〜２　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍである。

捷だ、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度と々るように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する一部の層領域ちるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところと力る。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動をよ）効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には
、光受容層の、自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動を
より効率的に阻止することができる。そして、この場合
の含有量は比較的多量である。具体的には、一般的には
３０〜５Ｘ　１０　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎとするが
、好ましくは５０〜１Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、最適には１×１（１２）〜５×１（１３１（１３ａ
ｔｏ　ｐｐｍである。そして、該効果を効率的に奏する
ためには、一部の層領域あるいは高濃度に含有する層領
域の層厚をｔとし、それ以外の感光層の層厚をｔ。とじ
た場合、ｔ　／　ｔ　＋　ｔｏ≦０．４の関係式が成立
することが望捷しく、より好ましくは該関係式の値が０
．３５以下、最適には０．３以下となるようにするのが
望ましい。

捷た、該層領域の層厚は、一般的には３　Ｘ　１０−３
〜１０μとするが、好寸しくは４　Ｘ　１０　”〜８μ
、最適には５×１０〜５μである。

次に感光層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層と接する付近に
おいては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第■族原子又は第■族原子を分布させる
場合の典型的例は、前述の感光層に酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せ
しめる場合に例示した、第１１図乃至１９図の例と同様
の例によって説明することができる。しかし、本発明は
、これらの例によって限定されるものではない。

そして、第１１〜１９図に示した例のごとく、感光層の
支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度Ｃの高い部分を有し、感光層の表面層側においては、
該分布濃度Ｃがかなシ低い濃度の部分あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体
側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が
比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以
内に設けることによシ、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成す
るという前述の作用効果がよシ一層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有
せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する
物質を、電荷阻止層に含有される量よシも一段と少ない
量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｔ２Ｑ３．５ｉｏ２、Ｓｉ３Ｎ４等の
無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶縁
材料を挙げることができる。

表面層 本発明の光受容部材の表面層１（１３は、前述の感光層
１（１２）の上に設けられ、自由表面１（１４を有して
いる。

該表面層１（１３は、光受容部材の自由表面１（１４に
おける入射光の反射をへらし、透過率を増加させぬとと
もに、光受容部材の耐湿性、連続繰−４６＝ 返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性および耐久
性等の諸特性を向上せしめる目的で、感光層１（１２）
の上に形成せしめるものである。そして、第二の層の形
成材料は、それをもってして構成される層が優れた反射
防止機能を奏するとともに、前述の諸行性向上せしめる
機能を奏するという条件の他に、光受容部材の光導電性
に悪影響を与えないごと、電子写真特性、例えば、ある
程度以上の抵抗を有すること、液体現像法を採用する場
合には耐溶剤性にすぐれていること、すでに形成されて
いる感光層の諸特性を低下させないこと等の条件が要求
されるものであって、こうした諸条件を満たし、有効に
使用しうるものとしては、シリコン原子（Ｓｉ）と、酸
素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中
から選ばれる少くとも一種と、好ましくはさらに水素原
子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか
一方を含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ−８ｉ
（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕あるいは、
ＭｇＦ２、Ａｔ２（１３、ＺｎＳ１ＴｉＯ２、ＺｒＯ２
、ＣｅＯ２、ＣｅＦ３、ＡｌＦ２、ＮａＦ等の無機弗化
物、無機酸化物及び無機硫化物の中から選ばれる少くと
も一種が挙げられる。

そして、本発明の光受容部材にあっては、該表面層の層
厚むらによって生じる干渉模様や感度むらの問題を解消
するため、表面層の構成を、最外殻に耐摩耗層、内部に
反射防止層を少なくとも有する多層構成とするものであ
る。即ち、表面層を多層構成とする本発明の光受容部材
にあっては、表面層内に複数の界面が生じ、各界面での
反射が互いに打ち消し合うことによシ、表面層と感光層
との界面における反射を減少せしめることができるため
、従来の表面層の層厚むらによる反射率の変化という問
題が解消されることとなる。

本発明の表面層を構成する耐摩耗層（最外部層）および
反射防止層（内部層）は、それ等に要求される特性を満
足する様に形成されるものであれば、各々、一層構成の
みならず、二層以上の多層構成としてもよいことはいう
までもない。

表面層をこうした多層構成とするには、耐摩耗層（最外
部層）と反射防止層（内部層）を構成する層の光学的バ
ンドギャップ（Ｅｏｐｔ　）が異なるように形成する。

具体的には、耐摩耗層（最外部層）の屈折率と反射防止
層（内部層）の屈折率と、表面層が直接設けられる感光
層の屈折率を各々異なるように形成せしめる。

そして、感光層の屈折率をｎｌ、表面層を構成する耐摩
耗層の屈折率をｎ２、反射防止層の屈折率をｎ３、反射
防止層の厚さをｄ、入射光の波長をλとした場合、次式
： ％式％） ２ｎ３ｄ−（）＋ｍ）λ（ｍは整数を表わす。）の関係
を満足するようにすることにより、感光層と表面層の界
面における反射をゼロとするととができる。

上記の例ではｎ、〈ｎ３＜ｎ２としたが、該例は１例で
あって、これに限定される必要はなく、例えば、ｎ、（
ｎ２（ｎ３とすることも可能である。

表面層をシリコン原子と、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルフ
ァス材料で構成する場合、表面層中に含有せしめる酸素
原子、炭素原子又は窒素原子の量を耐摩耗層と反射防止
層とで異ならしめることによシ、屈折率を異ならしめる
。

具体的には、感光層をａ−８ｉ［で構成し、表面層をａ
−８ｉＣＨで構成する場合であれば、耐摩耗層中に含有
せしめる炭素原子の量を、反射防止層中に含有せしめる
炭素原子の量よシも多くし、感光層の屈折率ｎ１、反射
防止層の屈折率ｎ３、耐摩耗層の屈折率ｎ２、耐摩耗層
の層厚ｄの各々をｎ、　ｚ２．０、Ｔ１２：　３．５、
ｎ３ｚ２．６５、ｄ；７５５Ｘとする。また、表面層中
に含有せしめる酸素原子、炭素原子又は窒素原子を、耐
摩耗層と反射防止層とで異ならしめることによシ、各々
との屈折率を異ならしめることもできる。具体的には、
耐摩耗層をａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で形成せしめ、反射防
止層をａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉＯ（Ｈ，Ｘ）
　ｆ形成せしめることができる。

表面層を構成する耐摩耗層及び反射防止層中には、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、こ
れらの原子の含有せしめる量の増加に伴い、前述の諸行
性は向上する。しかし、多すぎると、層重質が低下し、
電気的及び機械的特性も低下する。こうしたことから、
表面層中に含有せしめるこれらの原子の量は、通常０．
００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは１〜９０
　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％とする。さらに該表面層にも水素原子又はハロゲ
ン原子の少なくともいずれか一方を含有せしめることが
望ましく、表面層に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、
又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロ
ゲン原子の和（Ｈ＋Ｘ　）は、通常１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、好ましくは５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には
５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とする。

また更に、表面層を無機弗化物、無機酸化物、及び無機
硫化物の中から選ばれる少くとも一種で構成する場合に
は、以下に例示する各々の無機化合物及びその混合物の
屈折率を考慮して、感光層、耐摩耗層および反射防止層
の各々の屈折率が異なり、前述した条件を満たすべく選
択して用いる。無機化合物及びその混合物の屈折率はカ
ッコ書きで示す。Ｚｒ（１２）（２，００）、ＴｉＯ２
（２，２６）、ＺｒＯ２／ＴｉＯ２＝　６　／　１　（
２、０９）、ＴｉＯ２／Ｚｒ（１３＝３／１（２，２０
）、Ｇ”（１２）　（２，２３）、ＺｎＳ　（２，２４
）、Ａｌ２Ｏ３（１，６３）、ＧｅＦ３（１，６０）、
Ａｔ２（１３／ｚｒｏ２＝　１　／　１（１，６８）、
ＭｇＦ２（１，３８）。

なお、これ等の屈折率については、作成する層の種類、
条件等により、多少変動するものであることはいうまで
も々い。

また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、・・ロゲン
原子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性
に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要が
ある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点に
おいても考慮する必要もある。

こうしたことから、表面層の層厚は通常ば３×１０−３
〜３０μとするが、より好ましくは４　Ｘ　１０−３〜
２０μ、特に好ましくば５×１０〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全く々く、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいスレモダロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であシ、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同−装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−ｓｉ（ｕ、ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起やせ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２
Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓ　ｉ＜　ＨＩＯ等のガス状態の又
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特
に、層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
、ＳｉＨ４、ｓｉ、、ｎ６が好ましい。

ｔｉ、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ノ・ロゲン間化合物、ハロゲンで置換さ
れたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロ
ゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　ＣｔＦ　、　Ｃ
ｔＦ３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、■Ｆ７、ＩＣｔ、　ＩＢ
ｒ　　等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２
Ｆ６、Ｓ　１Ｃｔ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等
が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガス状態
の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用
の原料ガスを別途使用することなくして、ハロゲン原子
を含有するａ−８ｉで構成された層が形成できるので、
特に有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ　、　ＨＣ／ｌ−、ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロ
ゲン化物、５ｉＩ（４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ
４Ｈ□。等の水素化硅素、あるいはＳｉＨ２Ｆ２、Ｓｉ
Ｈ２工２．５ｉＨ２Ｃｔ２．５ｉＨＣｔ３．５ＩＨ２Ｂ
ｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素等のガ
ス状態の又はガス化しうるものを用いることができ、こ
れらの原料ガスを用いた場合には、電気的あるいは光電
的特性の制御という点で極めて有効であるところの水素
原子（Ｈ）の含有量の制御を容易に行うことができるた
め、有効である。そして、前記ノ・ロゲン化水素又は前
記ノ・ロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはノ・ロゲ
ン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので
、特に有効である。

また、ａ−８ｉ層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は
／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）の量の制御は、例えば支持
体温度、水素原子（Ｈ）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ
）を導入するために用いる出発物質の堆積室内へ導入す
る量、放電電力等を制御することによって行われる。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　　から成る層を形成する
には、例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原
子を導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前
記のノ・ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよ
い。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ノ・ロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガ
スを必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングすることによって、支持体上
にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）にさらに第
■族原子又は第■族原子、窒素原子、酸素原子あるいは
炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形
成するには、ａ　−Ｓ　ｉ（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に
、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、窒素原
子導入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質、ある
いは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層
中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやること
によって行なう。

例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層
領域を形成するには、上述のａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される層の形成の際に、第■族原子又は第■族原子導
入用の出発物質を、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発
物質とともに使用して、形成する層中へのそれらの量を
制御しながら含有せしめることによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１ｏ、Ｂ５Ｈ９、Ｂ
５Ｈ１□、Ｂ６Ｈ□。、Ｂ６Ｈ□２、Ｂ６Ｈ１４等の水
素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ２、ＢＢｒ３等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。

この他、ＡＩ−ｃｔ３、ＧａＣｔ３、Ｇａ（ＣＨ３）ｚ
、■ｎＣｔ３、ＴｌｃＬａ、等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｂ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ４
■、ＰＦ３、ＰＦ５、ＢＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、
ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙げられる。この
他、ＡｓＦ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ２、ＡＳＢｒ３、Ａ
ｓＦ３．５ｂＨ２、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５Ｉ）Ｃｔ３
．５ｂＣｔ５、ＢｉＦ３．５ｉＣｔ３、Ｂ１Ｂｒ３等も
第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして差ける
ことができる。

酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
　ｅ構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）　ｋ構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、酸素原
子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０□）、オゾン（（１３）、
−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四三酸化
窒素（Ｎ２（１４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（Ｎ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（
Ｎ３　Ｓ　ＩＯ８ｌＨ２Ｏ５ＩＨ３）等の低級１シロキ
サン等を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＳｉＯ２ウェーハ、又はＳｉとＳｉＯ□が混合
されて含有されているウェーハをターゲットとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパ
ッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉ　、！：５ｉｎ２とは別々のターゲッ
トとして、又はＳｉとＳｉＯ２の混合した一枚のターゲ
ットを使用することによって、スパッター用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形
成できる。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

窒素原子を含有する層または層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える。その様な゛窒素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層重たは層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）　、ヒドラジン（Ｎ２ＮＮＨ２）、アジ化水素
（、ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３　）等
のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒素
原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入
も行えるという点から、三弗化窒素（ＦａＮ）、四弗化
窒素（Ｆ４Ｎ２）等のノ・ロゲン化窒素化合物を挙げる
ことができる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＳ　ｉ　３Ｎ４　ウエーノ・、又はＳｉ　、！
：　Ｓｉ３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハを
ターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパ
ッタリングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウエーノ・をターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウエーノ１を
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
じて、又はＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲラ
トラ使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）　ｅ構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
形成できる。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素源子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有する光受容層をグロー放電
法によシ形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びノ
・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又はシリコン原子（Ｓ
ｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び
水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも
又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ
）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）　を構成原子と
する原料ガスを混合するか、更に捷た、シリコン原子（
Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスと炭
素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
する。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第一の層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はｓｉ
とＣが混合されて含有されているウェーハをターゲット
として、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行う。

例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を、導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈ
ｅ等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳ
ｉウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするが、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉＨ４，５ｉ２Ｈ６、Ｓｉ３
Ｈ８，５ｉ４Ｈ１ｏ等のシラン（５ｉｌａｎｅ　）　Ｍ
等（Ｄ水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例
えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（ＣａＨｓ）、ｎ−７
リン（ｎＣ４Ｈ１０）、ペンタン（ｃ５ＨＩ２）、エチ
レン系炭化水素としては、エチレ°ン（Ｃ２Ｈ４）、プ
ロピ１／　ン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、
シラン２　（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ヘンテン（Ｃ５Ｈ１０）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチル７　セ−ｙ−ｖ　
７　（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる
。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｊ（Ｃ２Ｈｓ）４等ノケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとして゛は勿論Ｈ２も使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法により本発明の感光層および表面層を形成
する場合、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）に導入する酸素原子、
炭素原子、窒素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子の含有
量の制御は、堆積室中に流入される出発物質のガス流量
、ガス流量比を制御することにより行なわれる。

捷た、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であり、形成する層の機能
に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに、
これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記の
各原子の種類及び量によっても異なることもあることか
ら、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考慮
をはらって決定する必要もある。

具体的には、支持体温度は、通常５０〜３５０　℃とす
るが、特に打型しくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒとす
るが、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする
。また、放電パワーは０．００５〜５０　Ｗ　／　ｃｒ
ｌとするのが通常であるが、より好ましくは０．０１〜
３０　Ｗ／　ｃｒｌ　、特に好ましくは０．０１〜２０
　Ｗ　／　ｃａとする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であシ、そのた
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
にするについては、成膜操作中、放電パワー、ガス圧を
比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放電パワー、ガス圧は、使用ガスの種類
、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等によ
って異り、これらの種々の条件を考慮して決定される。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、
炭素原子、“窒素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あ
るいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態を均
一とするためには、光受容層を形成するのに際して、前
記の諸条件を一讃摘つことか必要である。

また、本発明において、感光層の形成の際に、該層中に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、あるいは
第■族原子゛又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態を有する感光層を形
成するには、グロー放電法を用いる場合であれば、酸素
原子、炭素原子、窒素原子あるいは第■族原子又は第Ｖ
族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する際
のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ、そ
の他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス流
量を変化させるには、具体的には、例えば手動あるいは
外部駆動モータ等の通常用いられている伺らかの方法に
よシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルパ
ルプの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。このと
き、流量の変化量は線型である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に従
って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもでき
る。

また、感光層をスパッタリング法を用いて形成する場合
、酸素原子、炭素原子、窒素原子あるいは第■族原子又
は第■族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化さ
せて所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グロー
放電法を用いた場合と同様に、酸素原子、炭素原子、窒
素原子あるいは第面族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する
際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

また、本発明の表面層を、無機弗化物、無機酸化物、無
機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成する場
合、こうした表面層を形成するについても、その層厚を
光学的レベルで制御する必要があることから、蒸着法、
スパッタリング法、プラズマ気相法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法等が使用される。これらの形成方法は、表面層の
形成材料の種類、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模等の要因を考慮して適宜選択されて使用される
ことはいうまでもない。

ところで、操作の容易さ、条件設定の容易さ等の観点か
らして、表面層を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合スパッタリング法を採用するのがよい
。即ち、表面層形成用の無機化合物をターゲットとして
用い、スノくツタリングガスとしてはＡｒガスを用い、
グロー放電を生起せしめて、無機化合物をスパッタリン
グすることによシ、層を堆積する。

−＋−７３− 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至２０に従って、よシ詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、感光層はグロー放電法を用い、表
面層はグロー放電法又はスパッタリング法を用いて形成
した。第２０図はグロー放電法による本発明の光受容部
材の製造装置である。

図中の２０（１２）．２０（１３．２０（１４．２００
５．２００６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形
成するための原料ガスが密封されており、その−例とし
て、たとえば、２０（１３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈａ
ガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｉ（０／Ｈ２と略
す。）ボンベ、２０（１４はＳｉＦ４ガス（純度９９．
９９９チ）ボンベ、２００５はＣＨ４ガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、２００６はＨ２ガス（純度９９．９
９９係）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２０（１２）〜２００６のパルプ２（１２）２〜２
（１２）６、リークパルプ２（１３５が閉じられている
ことを確認し又、流入パルプ２０１２〜２０１６、流出
パルプ２０１７〜２（１２）１、補助バルブ２（１３２
．２（１３３が開かれていることを確認して、先ずメイ
ンノくルブ２（１３４を開いて反応室２００１、ガス配
管内を排気する。次に真空計２（１３６の読みが約５　
Ｘ　１０　’Ｔｏｒｒになった時点で、補助バルブ２（
１３２．２（１３３、流出バルブ２０１７〜２（１２）
１を閉じる。

基体シリンダー２（１３７上に光受容層を形成する場合
の一例をあげる。。ガスポンベ２０（１２）よｐｓｉｌ
−Ｉｔガス、ガスボンベ２０（１３よシＢ２　ＨＩ］／
Ｈ２ガスの夫々をバルブ２（１２）２．２（１２）３を
開いて出口圧ゲージ２（１２）７．２（１２）８の圧を
ｌ　Ｋｇ　／　ｃａに調整し、流入ノくルブ２０１２．
２０１３を徐々に開けて、マスフロコントローラ２０（
１７．２００８内に流入させる。引き続いて流出パルプ
２０１７．２０１８、補助／（ルブ２（１３２を徐々に
開いてガスを反応室２００１内に流入させる。このとき
の５ＩＨ４ガス流量、Ｂ２Ｈｓ／Ｈｐガス流量の比が所
望の値になるように流出）（ルブ２０１７．２０１８を
調整し、又、反応室２００１内の圧力が所望の値になる
−ように真空計２（１３６の読みを児ながらメインバル
ブ２（１３４の開口を調整する。そして基体シリンダー
２（１３７の温度が加熱ヒーター２（１３８により５０
〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源２（１４０を所望の電力に設定して反応室
２００１内にグロー放電を生起せしめるとともに、マイ
クロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじめ
設計された変化率線に従って、Ｂ２　′ｆ−Ｔ８／Ｈ２
ガス流量とｓ　ｉＨ４ガス流量とを制御しながら、基体
シリンダー２（１３７上に先ず、硼素原子を含有するａ
−８ｉＨで構成された感光層を形成する。

上記と同様の操作によシ、感光層の上に表面層を形成す
るには、例えばＳｉＨ４とＮ２ガスの夫々を、必要に応
じて、Ｉ（ｅ　、　Ａｒ　、　Ｎ２　等の稀釈ガスで稀
釈して、所望のガス流量で反応室２００１内に流入し、
所望の条件に従って、グロー放電を生起せしめることに
よって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでも々く、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２００１内、流出パルプ２０１７〜２（１２）１から反
応室２００１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出パルプ２０１７〜２（１２）１を閉じ補
助バルブ２（１３２．２（１３３を開いてメインバルブ
２（１３４を全開して系内金一旦高真空に排気する操作
を必要に応じて行う。

また、感光層をグロー放電法により形成したノチ、表面
層をスパッタリング法により形成する場合は、感光層を
形成するのに用いた各原料ガス及び稀釈ガスのバルブを
閉じたのち、リークバルブ２（１３５を徐々に開いて堆
積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴンガス全屈いて堆
積室内を清掃する。

次にカソード電極（図示せず。）上に、表面層形成用の
無機化合物からなるターゲットを一面に張り、感光層を
形成せしめた支持体を堆積装置内に設置し、リークバル
ブ２（１３５を閉じて堆積装置内を減圧した後、アルゴ
ンガスを堆積装置内が０．０１５〜０．（１２）　’ｌ
’ｏｒｒ程度になるまで導入する。こうしたところに高
周波電力（１５０〜１７０Ｗ程度）でグロー放電を生起
せしめ、無機化合物をスパッタリングして、すでに形成
されている感光層上に表面層を堆積する。

実施例１ 支持体として、シリンダー状ＡＬ基体（長さ３５７ｍｍ
、径８０ｍ）に旋盤で第２１（Ａ図に示すよう外溝を形
成した。このときの溝の形の断面形状は第２１の図に示
すとおりであった。々お、第２１（Ａ図は該Ａｔ支持体
の全体図であり、第２１　（Ｂ）図は、その表面の一部
分の断面形状を示す図である。

次に、該Ａｔ支持体上に、以下のＡ表及びＢ表に示す条
件で、第２０図に示した製造装置により光受容層を形成
した。

こうして得られた光受容部材について、その光受容層の
層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容層の表面は
、支持体の表面に対して非平行となっており、Ａｔ支持
体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであ
った。

さらに、これらの光受容部材について、第２２図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スフ８− ポット径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を行
ない、現像、転写を行なって画像を得た。

得られた画像において、干渉縞模様の発生は観察されず
、実用性の良好な電子写真特性を示すものが得られた。

なお、第２２（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２２＠図は露光装置の全体を模式的
に示す側面略図である。図中、２２０１は光受容部材、
２２（１２）は半導体レーザー、２２（１３はｆθレン
ズ、２２（１４はポリゴンミラーを示している。

実施例２ 実施例１で用いたＡｔ支持体上に、実施例ｆと同様にし
て、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件で光受容層を形成し
た。

こうして得られた光受容部材について、それらの微小部
分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定したと
ころ、光受容層の表面は支持体表面に対して非平行と々
っており、また光受容層のシリンダー中央と両端の平均
層厚の差は２．３μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得られた。

実施例３ 実施例１と同様にして、第２１（Ｃ）〜（ト）図に示す
断面形状を有するＡｔ支持体（シリンダー扁３０１〜３
（１３）を得た。

該Ａｔ支持体（シリンダーＡ３０１〜３（１３）上に、
Ａ表及びＢ表に示す層形成条件に従って、光受容層を形
成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の層厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光受容層の表面は支持体の表面に対して非
平行となっていた。

また、光受容層のシリンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られた画像において、干
渉縞の発生は観察されず、実用性の良好な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例４〜２０ Ａ表及びＢ表に示す層作成条件によシ、実施例３に用い
たＡｔ支持体（シリンダーＡ３０１〜３ｏ３）上に光受
容層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

Ａ表 Ｂ表 Ｂ　　　　表　　（続き１） Ｂ　　　表　　（続き２） 〔発明の効果の概要〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたととに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトー只６− −ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構造を模式的に示し
た図であり、第２乃至５図は、本発明に於ける干渉縞の
発生の防止の原理を説明するための部分拡大図であり、
第２図は、自由表面と第一の層と第二の層の界面とが非
平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろことを示す図、
第３図は、支持体上に設けられる構成層各層の界面が平
行である場合と非平行である場合の反射光強度を比較す
る図、第４図は、第一の層を構成する層が二以上の多層
である場合における干渉縞の発生の防止を説明する図で
ある。第５図は、本発明の光受容部材の支持体の表面形
状の典型例を示す図である。第６乃至１０図は、従来の
光受容部材における干渉縞の発生を説明する図であって
、第６図は、光受容層における干渉縞の発生、第７図は
、多層構成の光受容層における干渉縞の発生、第８図は
、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、多層構成の光
受容層における散乱光による干渉縞の発生、第１０図は
、光受容層の構成層各層の界面が平行である場合の干渉
縞の発生を各々示している。第１１〜１９図は、本発明
の光受容層における酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種、および第■族原子又は第
■族原子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図
において、縦軸は光受容層の層厚を示し、横軸は各原子
の分布濃度を表わしている。第２０図は、本発明の光受
容部材の光受容層を製造するための装置の一例で、グロ
ー放電法による製造装置の模式的説明図である。第２１
（イ）図は、旋盤による機械的加工により形成された、
本発明の光受容部材の支持体の全体図であり、第２１（
Ｂ）〜（ト）図は、該支持体の表面の一部分の断面形状
を示す図である。第２２図は、レーザー光による画像露
光装置を説明する図である。 第１乃至４図について、 １０１．２０１．３０１・・・支持体 １（１２）．２（１２）．３（１２）．４（１２）・・
・第一の層４（１２）′、４（１２）″・・・第一の層
を構成する層１（１３．２（１３．３（１３．４（１３
・・・第二の層１（１４．２（１４．３（１４．４（１
４・・・自由表面２０５．３０５．４０５・・・支持体
表面と光受容層との界面第６乃至１０図について６０１
・・・下部界面　　　６（１２）・・・上部界面７０１
・・・支持体　　　　７（１２）．７（１３・・・光受
容層８０１・・・支持体　　　　８（１２）・・・光受
容層９０１・・・支持体　　　　９（１２）・・・第１
層９（１３・・・第２層　　　　１００１・・・支持体
１０（１２）・・・光受容層　　　１０（１３・・・支
持体表面１０（１４・・・光受容層表面第２０図につい
て ２００１・・・反応室　　２０（１２）〜２００６・・
・ガスボンベ２０（１７〜２０１１・・・マスフロコン
トローラ２０１２〜２０１６・・・流入 パルプ２０１７〜２（１２）１・・・ 流出パルプ２（１２）２〜２（１２） ６・・・バ　ル　プ２（１２）７〜２ （１３１・・・圧力調整器２（１３２ ．２（１３３・・・補助パルプ２（１３４・・・メイン
パルプ２（１３５・・・リークパルプ２（１３６・・・
真　空　計　　　２（１３７・・・基体シリンダー２（
１３８・・・加熱ヒーター　　２（１３９・・・モータ
ー２（１４０・・・高周波電源第２２図について、 ２２０１・・・光受容部材　　２２（１２）・・・半導
体レーザー２２（１３・・・ｆθレンズ　　２２（１４
・・・ポリゴンミラー第３図 （Ａ）　　　　　（Ｂ） （Ｃ） Ｔ。 位置 第５図 位置 位置 第８図 第９図 第１０図 位置 □Ｃ 第１７図 −Ｃ 区 〇 弱 ♂ 手続補正書（方式） 昭和６１年２月２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２５３７５４号 ２、発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ５、補正命令の日付 昭和６１年１月８日 （発送日：昭和６１年１月２８８） ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成された感光層と、表面層とを有する光受容層を
   備えた光受容部材であつて、前記表面層は最外殻に耐摩
   耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成
   であり、前記支持体の表面が、主ピークに副ピークが重
   畳して複数の微小な凹凸形状を成している断面形状のも
   のであり、且つ、該支持体表面上の前記光受容層が、シ
   ョートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、
   該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方
   向に多数配列しているものであることを特徴とする光受
   容部材。
2. （２）表面層が、シリコン原子と、酸素原子と炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
   する非晶質材料で構成されたものである特許請求の範囲
   第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）表面層が、無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化
   物の中から選ばれる物質により構成されたものである特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
   から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。
7. （７）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
   注入阻止層を構成層の一つとして有する特許請求の範囲
   第（４）項に記載の光受容部材。
8. （８）感光層が、構成層の一つとして障壁層を有する特
   許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
9. （９）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
10. （１０）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の
    範囲第（１）項に記載の光受容部材。
11. （１１）ショートレンジが０．３〜５００μである特許
    請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記支持体の表面に設けられた凹凸形状が、螺
    旋構造を有する線状突起部を形成している特許請求の範
    囲第（１２）項に記載の光受容部材。
14. （１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
    範囲第（１３）項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記線状突起がその稜線方向に於いて区分され
    ている特許請求の範囲第（１３）項に記載の光受容部材
    。
16. （１６）前記線状突起の稜線方向が円筒状支持体の中心
    軸に沿つている特許請求の範囲第（１３）項に記載の光
    受容部材。
17. （１７）前記支持体表面に設けられた凹凸は傾斜面を有
    する特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１７）項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた微小な凹凸と同一のピッチで配列された微小な凹凸
    が形成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の光
    受容部材。