JPS60218653A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に
感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光して、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なｌ（ｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０　ｎｍの発光波長
を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−８ｉＪｃ！：略記する）から成
る感光層を有する光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−ｓｔ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ωの以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハ
ロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の
量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必要
性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必要
がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成如の
制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰如、ある程度抵暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
’Ｆ１９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されてあふ様に光受容層を支持体と感光層の間に
、又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構
造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材
が提案されている。

この様な提案によって、Ａ−ｓｔ系先光受容部材その商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛開的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、多層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面を（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視自修に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に＃調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさけ顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
゛射した光重。と上部界面１０２で反射した反射５Ｆ、
　Ｒ１−下部界面１０１で反射した反射光Ｒ７を示して
いる。

層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１元の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに左以上の層厚差で不均一であ
ると、反射光Ｒ１、Ｒ１が２　ｎ　ｄ＝ｍλ（ｍは整数
、この場合反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋”）λ
（ｍＦｉ整数、この場合反射光は弱め合う）の条件のど
ちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光
量に変化を生じる。

各層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起シ、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為ＫＭ干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色顔
料、染料を分散した）して光吸収層を設けｂ方法（例え
ば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム支
持体表面を梨地状のアルマイト処理したシ、サンドブラ
ストによシ砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表
面に光散乱反射防止層・ヲ１．設ノ仇る方法（例えば特
開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった０ 即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけであそ為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現を低減させてはいるが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現、存している為に、該正
反射ｇ＜よる干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、（所謂、滲み現象）実質的な解像度低下の要因とな
っていた。。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１．着些顔料分散樹脂層を設ける。場合はＡ−８ｔ感元
層を形成する際、樹脂層よシの脱気現象が生じ、形成さ
れる感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ
−８ｔ悪感光形成や際のプラズマによってダメージを受
けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の
悪化によるその後のＡ−ｓｉ感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合忙は、第３図
に示す様に、例えば入射光重。は、光受容層３０２０表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残ルは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光量、となる。透
過光量、は、支持体３０２０　゛表面忙於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光Ｋｒ　、Ｋｔ　９Ｋｇ・・・
・となり、残、りが正反射されて反射光Ｒ８とな力、そ
の一部が出射光Ｅ、となって外部に出て行く。従って、
反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ１が残留する
為、依然と　２して干渉縞模様は完全に消すことが出来
ない。

又、干嬰を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１０表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった０ 特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒し５ても、第
１層４０２の表面での反射光Ｒ１，第２層４０３０表面
での反射光Ｒ，＋支持体４０１の表面での正反射光Ｒ３
の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚に：したがって
干渉縞模様が生じる従って、多層構成の光受容部材にお
いては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干
渉縞を完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一性
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレークダウン
の原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容Ｎ５０２の凹凸の傾斜面
５０４とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ、＝ｍλま
たは２ｎｄ、−（ｍ　＋　２　）λが成立ち、入夫々４
明部または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層
の層厚ｄ１．ｄ１．ｄ８．ｄ４の夫々の差の中の最大が
ス以上である様な層厚の不均一性があるため明加 暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的忙荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図忙おいて、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様受性のある新規な光受容部材を提供するこ
とである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、機械的耐久性、特に耐摩耗
性、及び光受容特性に優れた光受容部材子とを含む非晶
質材料からなる表面層とシリコン原子を含む非晶質材料
から・なしる少′なくともｌ一つＣの感光層とを有する
多層構成の光受容層を支持体上に有する光受容部材に於
て、′パ前記光受容層は酸素原子、窒素原子の中から選
択される原子の少なくとも一種を含有し、且つショート
レンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な
界面が、層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多
数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的忙説明する。

第６図は、１本発明の基本原理を説明するための説明図
である。

第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有
する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って
、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、図
の一部に拡大して示しである。第６図に示されるように
、第２層６０２の層厚ｄ、からｄ６と連続的に変化して
いる為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを
有している。従って、この微小部分（ショートレンジ）
ノに入射した可干渉性光は、該微小部分ｌに於て干渉を
起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７１）３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行
であると、第７図の（Ａ）に示す模に入射光Ｉｏに対す
る反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
（Ｂ）Ｊ）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ　）よ如も非平行な場合
（ｒ（Ａ）Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が
無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２０層厚が
マクロ的忙も不均一（ａｔ〜ａＳ）でも同様に云える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ（
Ｄ）Ｊ参照１）・。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就□いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量◎に対
して、反射光Ｒ，Ｉ島＠　Ｒ１１＋　Ｒ４＋Ｒ３が存在
する。

その為各々の層で第７図を似って前記忙説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内忙於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スーポット径より小さい為、即ち、解像度限
界よシ小さい為、画像忙現れることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、！≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することによ）、回折効果を積極的に利用
することが出来、干渉縞の発揚をより一層抑制すること
が出来る。

又゛本発明の目的をよル効果的に達成する為には微小部
分ｌに於ける層厚の差（ｄａａａ）　は、照射光の波長
をλとすると、 ｄ、−ｄ、≧２ｎ　（、ｎ　：第２層６０２の屈折率）
であるのが望ましい。（第６図参照） 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ノの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が、各層の形成の際に微小カラム内に於いて制御さ
糺るが、この条件を満足するならば該微小カラム内にい
ずれか２つの層界面が平行な関係にあっぞも良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容部材において、感光層上に設けられる表面層には
、機械的耐久性に対する保護層としての働き、および光
学的には反射ｉ止層としての働きを主に荷わせることか
出来る。

表面層は、次の条件を満た４時、反射防止層としての機
能を果するのに適しでいる。

即ち、表面層の屈折率をｎ１層厚を６１入射光の波長を
λとすると、 ｄ＝土 ｎ の時、又はその１数倍のとき表面層は、反射防止層とし
て適している。又、感光層の屈折率をπαとした場合、
表面層の屈折率ｎが ｎ＝ｉ 適である。ａ−８ｔ：Ｈを感光層として用いる場合、ａ
−８ｔ：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層と
しては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−ｓｉ
ｃ：ａは、Ｃの°量を調整することにより、このような
値の屈折率とすることが出来、かつ機械的耐久性、眉間
の密着性及び電気的特性も十分に満足させるととが出来
るので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層を反射防止層としての役割に重点を置く場合
には、表面層の層厚としては０．０５〜２μとされるの
がより望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成に１８、 は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることによル、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。

この様な切削加工法によって形成される凹凸が作シ出す
逆■字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸を中心に
した綿線構造を有する。逆■字形突起部の綿線構造は、
二重、三重の多重綿線構造、又は交叉輝線構造とされて
も差支えない。

或いは、綿線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に、二等辺三角形、直角三角形成−は不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンションは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は感光層を構成するＡ　−Ｓｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。従って、Ａ−ｓｉ感九九層
層品質の低下を招来しない様に支持体表面に設けられる
凹凸のディメンションを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、両
群形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ−１μｍ、最適
には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、よシ好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０・６
μｍ〜２μｍとされふのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと澱大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜ｌＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはｏ
、１μｍ〜２μｍ、よシ好ましくはＱ・ｌ　ｕ　ｍ　−
１，５ｐ　ｍ　、最適忙は０．２　μｍ　〜１　μｍと
されるのが望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感光層１
００４．表面層１ｏｏｓが設けられた構成とされている
。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよ−。導電性支持体としては、例えばＮｉＣｒ、ｘ
テｙレス、ＡＩ、Ｃｒ　＋Ｍｏ　＋Ａｕ　＊Ｎｂ　＋　
Ｔａ　＋　Ｖ　＊　Ｔｌ　’　＊　Ｐ　ｔ　＋　Ｐ４等
の金属又はこれ等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮＬＣｒ　＋ＡＩ
　、　Ｃｒ　、　ＭＯ、Ａｌｌ　、Ｉｒ　、　Ｎｂ　、
　Ｔａ、Ｖｌｉ、、ＰＬ、ムコｕ。

Ｐｄ　、ＩｎρＩＩ　＃　Ｓｎｏｗ　＃　ＩＴＯ（ｘｎ
、ｏ、　十Ｓｎｏｗ）等から成る薄膜を設けることによ
って導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等
の合成ｍｍフィルムであれば、ＮｉＣｒ　Ｉ　Ａｌ　ｌ
　ｈｇ　＊　ｐａ　、　ｚｎ　＊　Ｎｉ＊Ａｕ　＊　Ｃ
ｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ　＋　Ｔａ　＊　Ｖ
　＃　Ｔｉ　ｅ　Ｐｔ　＋等の金属の薄膜を真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は、前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１６図の光受
容部材１００５を電子写真用像形成ｉ材として使用する
のであれば連続複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が十分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、こ
の様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点から、好ましくは１０μ以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を切込で見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−８ｉ（以後ｒＡ−８ｔ（Ｈ
，Ｘ）Ｊと配す）で構成されると共に伝導性を支配する
物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層１００３に含有される伝導性を支配する
物質（Ｃ）としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げ石ことができ、本発明に於ては、ｆ３ｋｋｃ
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導
性を与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的に
は、ｐ型不純物としては周期律−第■族に属する原子（
第■族原子）、例えばＢ（硼素）、Ｍ（アルミニウム）
、Ｃａ（ガリウム向＋　ｉｎ　（インジウム）、ＴＩ（
タリウム）等が１Ｌ殊に好適釦用いられるのは、Ｂ。

Ｑａ・、である。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）、Ａｌ（砒素）。

Ｓｂ（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であシ
、殊に好適に用いられるのは、Ｐ　＃　Ａｓ　Ｉである
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は。

要求される電荷注入防止特性、或いは該電荷注入防止層
１００３が支持体１００１上に直に接触して設けられる
場合には、該支持体１００１との接触界面に於ける特性
との関係尋、有機的関連性に於いて、適宜選択すること
が出来る。又、前記電荷注入防止層に直に接触して設け
られる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御す
る物質（Ｃ）の含有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３中忙含有される
伝導性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好適に
は％０．００１〜５　ｘ　１　Ｇ’　ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ　Ｉよシ好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ。

最適には１〜５　Ｘ　１　Ｇ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
以上、よ如好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
最適Ｋｌｒｉ　１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とす
ることによって、以下に述べる効果をよル顕著に得るこ
とが出来る。例えば含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型
不純物の場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電
処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電
子の移動を、よシ効果的に阻止することが出来、又、前
記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面が○極性に帯電処理を受けた際に
支持体側から感光層中へ注入される正孔の移動を、よシ
効果的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは、ａｏＸ
−１ｏμ、より好適には４０Ａ〜８μ、最適には５０Ｘ
〜５μとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成サレ、レ
ーザー元の照射によってフォトキャリアを発生する電荷
発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を
有する。

感光層１００４０層厚としては、好ましくは、１−１０
０　ｐ　ｍ　、よジ好ましくは１〜８０μｍ。

最適には２〜５０μｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性
の伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止
層１００３に含有される実際の量が多す場合には、数量
よシも一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１０（１４中に含有される前
記伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入
防止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適にはｏ、ｏｓ−５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、最適には０．１〜２００　ａｔ−ｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００４に於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（
Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％
、より好適には５−３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、　Ｆ　、　Ｃ１ｌ　、　
Ｂｒ　。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、αが好ましいものとし
て挙げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、所謂、障壁層
を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層１
００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、ＡＡ！２０３　、ＳｉＯ２、
５ＩＩＮ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等
の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

第１Ｏ図に示される光受容部材１ｏｏｏにおいては、感
光層１００４上に形成される表面層１００５は自由表面
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧
性、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性において
本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、［ａ　（ＳＩＸＣＩ　Ｘ）Ｙ（ｎ、ｘ）＋−丁」と記
す。但し、Ｏ＜、、Ｙ＜１）で構成される。

ａ（５ｔｘｅ、ｘ　）ｙ　（Ｈ＋Ｘ）＋　ｙ　で構成さ
れる表面層１００５の形成はグロー放電法のようなプラ
ズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム法等に
よって成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の製条性の制御が比較的容易である、
シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製
する表面層１００５中に導入するのが容易に代える等の
利点からグロー放電法或はスメッ・ター１．１Ｊング法
が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して表面層１００５を形
成してもよい。

グロー放電法によって表面層１００５を形成するにはａ
　（５ｉｘＣ＋　ｘ　）ｙ　（）ｉ　、Ｘ）＋　ｙ形成
用の　。

原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し、
導入されたガスを、グロー放電を生起させることでガス
プラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである層
上にａ　−（Ｓｌ工ＣＩＸ）？（’ｎ、ｘ）、−１を堆
積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　（５ＩＸＣＩ　ｘ　）ｙ　（Ｈ＋
Ｘ）＋　ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（
Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水嵩原子（Ｈ）、ハロゲン原
子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状
の物質又は、・ガ／ス化１し得る物質をガス化したもの
の中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ＋Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと、
Ｓｉ％Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することができる。

又、別には、ＢとＨとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし、
ＳｔとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明忙於いて、表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ　、　Ｃｌ　。

Ｂｒ　、　Ｉであり、殊にＦ　、　Ｃｌが望ましいもの
である。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができ石。

本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、Ｓｉ　とＨとを構成原子とす
るＳｉＨ４，ｓｔ赳ａ　＋　５ｉｌＨｓ　＊　５１４Ｈ
ＩＯ等のシラン（５ｉＩｌａｎｅ　）　類等の水素化硅
素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜
４のゲン化水素、ノ・ロゲン間化合物、ハロゲン化硅素
、ハロゲン置換水素硅素、水素化硅素等を挙げる事がで
きる。具体的には、飽和炭イｅ水素としてはメタン（Ｃ
Ｈ，）、エタン（Ｃ迅。）、プロノくン（Ｃ８Ｈ，）、
ｎ−ブタン（ｎ　Ｃ４ＨＩＯ）、ペンタン（ＣｓＨ＋ｔ
　）　−エチレン系炭化水素としては、エチレン（０２
Ｈ４）、プロピレン（Ｃ出。）、ブテン−１（ｃ、Ｈｓ
）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ，Ｈ，
）　、ペンテン（ＣｓＨ＋。）、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（ＣＪｓ　）　−メチルアセチレ
ン（ＣＺ、）、ブチン（Ｃ，１（６）　、ノ・ロゲン単
体としては、フ・ン素、塩素、臭素、ヨウ累のノ・ロゲ
ンガス、ノ１０グン化、　ＨＩ　、　ＨＣＩ　、’ＨＢ
ｒ　、ノ１ｏゲン°間化合物としては、ＢｒＦ　、　Ｃ
ＩＦ　−ＣｌＩＦ５　、ＣＩＦａ　。

ＢｒＦＢ　＊　ＢｒＦ３１　ＩＦｔ　＃　ＩＦ６　＋　
ＩＣ／　＊　’ＩＢｒ　ｓ　ノーロゲン化硅素としては
５ＩＦ４　＊　５ｌｓＦ”ａ　＊　５ＩＣ７３ＢＦ’　
＊　５ＩＣ１ｔＢｒ＠ｍ５ｉＣＩＢｒ３＋　５ｉＣＪ、
Ｉ　＊　５ＩＢｒ４、ノ・ロゲン置換水素花硅素として
は、３ｔＨＩＦ１１　ＳＩＨ＊Ｃ４＊　５ＩＨＣ４＋５
ＩＨ３Ｃｌ＋　５ＩＩＩ（ＩＢｒ　、　５ｉＨＪｒ２　
、５ＩＨＢｒ□６１．Ｉ水素化硅素としては、ＳｉＨ４
’＊　’５ｌｔＨｓ　ｍ　５ｌｓＨａ’　＋　５ｉ４）
ｊｌｏ等のシラン（Ｓｉ／ａｎｅ　）類−等々を挙げる
ことができる。

これ等の他にＣＦ４　、’ＣＣｌ４−　ＣＢｒ、　−Ｃ
ＨＦａ　。

ＣＨＪ＊　、ＣＨｓ　Ｆ　、　ＣＨｓＣＡ！’　、　Ｃ
Ｈ３Ｂｒ　、　ＣＨａＩ　、　ＣｔＨｓ（Ｖ　。

等のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４　＊８
Ｆａ等のフッ素ｉヒ硫黄化合物、Ｓｉ　（ＣＨＢ　）４
　ｍ５ｉ（ＣＪｓ）＋、等のケイ化アルキルやＳｉＣｌ
　（ＣＨｓ”）ａ　＊５ＩＣｌｔ（’ＣＨｓ）２＃　５
ｘＣＡ！ａｃＨｓ等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして皐げることかできる。

これ等の表面層１００５形成物質は、形成される表面層
１００５中に所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びノーロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有され
る様に、表面層１００５の形成の際に所望に従って選択
されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と　“の含
有が容易に成゛し得て且つ所望の特性の層が形成され得
るＳｉ　（ＣＨｓ　）４と、ノ・ロゲン原子を含有させ
るものとしての５ｉＨＣ＃ｓ　、　ＳｉＨ，Ｃ７２，５
ｉＣ１ａ、或いはＳ　１ＨａＣ１等を所定の混合比にし
てガス状態で表面層１００５形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによってａ　（ＳｉｘＣ＋
　ｘ　）ｙ（ＣＡｉ　十Ｈ）＋−１からなる表面層１０
０５を形成することができる。

スパッターリング法によって表面層１００５を形成する
には、単結晶又は多結晶のＳｉ　ウエノ・−又はＣクエ
・−・バー又はＳｉとＣが混合さｆれて含有されている
ウェー　バーをターゲットとして、これらを必要に応じ
てノ・ロゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として
含む種々のガス雰囲気中でスノ（ツタ−リングすること
によって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーッ１−をターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スノ（・ンター用の堆積室中に
導入し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓ
ｉウェーッ１−をスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングすること
によって成される。

Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物ηとしては先
述したグロー放電の例で示した表面層１００５形成用の
物質がスパッターリング法の場合にも有効な物質として
使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂拳希ガス、例えばＨｅ　、、Ｎｅ　、　Ａ
ｒ　等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ３必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取〕、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　（ｓｔ
ｘｃ、　ｘ　）ｒ（Ｈ，Ｘ）、−１が形成される様に、
所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例
えば、表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはａ　−（ＳｉｚＣ＋−ｘ　）　ｙ　（
Ｈｓ　Ｘ　）＋−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙
動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００５が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有すふ非晶質材料としてａ　（
Ｓ１ｘＣ＋　ｘ　）　ｒ　（Ｈ，Ｘ）＋　Ｙが作成され
る。

光受容層にａ　（Ｓ１ｘＣ１ｘ　）ｙ　（ｎ、ｘ）＋　
Ｙから成ふ表面層１００５を形成する際、層形成中の支
持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重
要な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性
を見する＆　（Ｓ１ｘＣ＋　ｘ　）ｙ　（ｎ、、ｘ）＋
　Ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温
度が厳密忙制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００５の形成が実行されるが、好まし
くは、２０〜４００”Ｃ１よル好適には５０〜３５０℃
、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましいもの
である。表面層１００５の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御中層厚の制御が他の方法に較べて
比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッ
ターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法
で表面層１００５を形成する場合には、前記の支持体温
度と同様に層形成の際、の放電パワーが作成されるａ　
（ＳｉｘＣ＋　ｘ　）ｒ　（Ｈ−Ｘ）＋　Ｔの特性を左
右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
　（ＳｉｘＣ１ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）Ｉ　Ｔが生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては、
好ましくはｌＯ〜１００ＯＷ、よル好適には２０〜７５
０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望ましいも
のである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜Ｉ　ＴＯｒｒ
ｓよシ好適１／Ｃ＃ｉ、　０．１〜．０．５　Ｔｏｒｒ
　８　度とされるのが望ましい。

本発明に於いては表面層１００５を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的忙別々に決められるもので社なく、所望特性の
ａ　（５ｉｚＣ＋　ｘ）ｖ（Ｈ、Ｘ　）＞−ｙ　から成
る表面層１００５が形成される様に相互的有機的関連性
に基づいて各層作成７アククーの最適値が決められるの
が望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５１ｃ含有さ
れる炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層
１００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１ｏｏｓを構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
ふ。

即ち、前記一般式ａ　’　Ｃ３ＬｘＣＨ−ｘ　）Ｙ　（
Ｈ＋　Ｘ　）ｌ−Ｙで示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後、「ａ−ｓｉｉＬｃｍａ　Ｊ　と記す。但し、０
（ａ（１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓ、ｉ６＋Ｃ１
−ｂ）ｃＨｌ−ｃ　Ｊと記す。

但し、ｏ（ｂ、ｃ（１）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要忙応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後＊　ｒ　ａ−（ｂ’ａｃｉ−ｄ）ｅ（Ｈａ
ＸＩ）Ｉ−ｅＪと記す。但しｏ（ｄ％ｅ（１）、分類さ
れる。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−８ｉ４．Ｃ１−
＆で構成される場合、表面層１００５に含有される炭素
原子の量は好ましくは５ｌＸｌＯ−ａ〜９０ａｔｏｍｉ
ｃ　％１より好適Ｊ／ｃは１〜Ｂ　□　ａｔｏｍｉｃ　
９６　ｈ最適にはＩ　Ｏ−７５ａｔｏｌ！ｎｉｃ　％と
されるのが望ま１、ｔ、−４，ノテ４ル。即ち、先のａ
−８ｉ、、ｐ、　−ａ　ｏ　ａの表示で行えば、ａが好
ましくは０．１−０．９９９９９゜より好適には０．２
〜０．９９、最適には０．２５〜０．９である。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−７（Ｓｉ６）Ｃ
１−ｂ　）ｃＨ＋−ｃで構成される場合１表面層１００
５に含有される炭素原子の量は、好ｔＬ＜は１　ｘ　１
　ｏ−”−？１９０　ａｔｏｍｉｃ　ｆＡとされ、より
好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜９
０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいものである
。水素原子の含有量としては、好ましくはｌ〜４□６　
ａｔｏｍｉｃチ、よ郵好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には５〜３０ａｔｏｍｉｅｓとされるのが望
ましく、これ等の範囲忙水素含有量がある場合に形成さ
れる光受容部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得る。

即ち、先のａ−（８ｉｓ＋Ｃ１−ｂ）ｃＨ，−′ｃ　の
表示で行えばわが好ましくはｏ、ｉ〜０．９９９９９、
よシ好適には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０
．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適には
０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５である
のが望ましい。

表面層１００５がｓ　ａ−（ＳｉａＤ＋−Ｊ）’ｅ（Ｈ
＊Ｘ）１−”で構成される場合には、表面層１００５中
に含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、
ｌ　Ｘ　１　Ｇ−”　〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、よ〕
好適には１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　ｆｎ、最適にはｌ　
Ｏ〜８０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいもの
である。ハロゲン原子の含有量としては、好ましくは、
１〜２０　ａｔｏｍｉｃを実際面に充分適用させ得るも
のである。必°賛に応じて含有される水素原子の含有量
としては、好ましくはｌ　９　ａｔｏｍｉｃ％以下、よ
如好適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望まし
ｂものである。

即ち、先のａ−（Ｓ　１ｊ１Ｃｔ　−ｄ）　ｅ（ｋｌ　
＊　Ｘ　）１−　ｃのｄ。

ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．１〜０．９９９
９９、より好適には０．１〜０．９９、最適忙は０．１
５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、より好
適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５〜０．９
８であるのが望ましい。　一 本発明に於は為表面層１００５０層厚の数範囲は、本発
明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様にＦｌｉ期の目的に
応じて適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭紫
原子の量や表面Ｎ智外の層の層厚との関係に於いても、
名々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関連性
の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜ｌＯμとされるのが望ましいも
のである。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種の原子が含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＮ）は、光
受容層の全層領域に万偏なく含有されても良いし、或い
は、光受容層の一部の層領域のみに含有させるととヤ偏
在させても良い。

原子（ＯＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＮ）が、光受
容層の層厚方向及び支持体の表面と平行な面内に於いて
均一であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＮ）の
含有されている層領域（ＯＮ）は、光感度と暗抵抗の向
上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領域を
占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密着性
の強化を因るのを主たる目的とする場合には、光受容層
の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＮ）中に含有される原子（ＯＮ
）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくさ
れ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に
図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＮ）
に含有される原子（ＯＮ）の含有量は、層領域（ＯＮ）
自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＮ）が支持
体に直に接触して設けられる場合に、該支持体との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。

ス、前記層領域（ＯＮ）に直に接触して他の層領域が設
けられる場合には、数個の層領域の特性や、数個の層領
域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、原
子（ＯＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＮ）中に含有される原子（ＯＮ）の量は、形
成される光受容部材に要求されふ特性に応じて所望に従
って適宜決められるが、好ましくは０．００１−５０　
ａｔｏｍｉｃ％、よシ好ましくは１０．００２−４０　
ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０．００３〜３’Ｏａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望まし込。

本発明に於いて、層領域（ＯＮ）が光受容層の全域を占
めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領
域（ＯＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める割合
が充分多い場合には、層領域（ＯＮ）に含有される原子
（ＯＮ）の含有量の上限は、前記の値よ）充分多なくさ
れるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＮ）の層厚Ｔ。

が光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上
となる様な場合には、層領域（ＯＮ）中に含有される原
子（ＯＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａｔｏｍ
ｉｃ　％以下、よシ好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下
、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ま
しい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＮ）は、
支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び障
壁層には、少なくとも含有される。

詰り、光受容層の支持体側端部層領域に原子（、αＮ）
を含有させることで、支持体と光受容層との間の密着性
の強化を計ることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於ηで、暗抵抗の向上と高光感度の確保が出来るの
で、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＮ）は、光受容層中に複□数種含
有させても良い。即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたシ、或すは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で一含有させても良い。

本発明にお−て、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有すルＡ−８ｉ　（ｒＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で
構成される感光層を形成するｋは例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によって、ａ　−Ｓ’　（Ｈ＃　Ｘ　
）　で構成される感光層を形成するには、基本的には、
シリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）４人用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ。

Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混
合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用
して、必要に応じてＨｅ　＊　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈
された水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室忙導入し、所望
のガスのプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットを
スパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合忙は、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
トＩｃ収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレ
クトロンと一ム法（Ｅｌｌ）等によって加熱蒸発させ、
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行う
ことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成〕
得る物質としては、Ｓ　Ｉｎ２　＊　Ｓ　１ｆｆｉ）Ｔ
ｌｌ　ｌ５ｉｓＨｓ　ｓ　５ｆｉＨ＋。等のガス状態の
又はガス化し得る水゛素化硅素（シラン類）が有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取
扱い易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ
、Ｈ６，′が好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは−多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得ゐ、し１０ゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明忙お
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得漬ハロゲン化合物として
は、具体的には、７ツ紫、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、　ＣＩＦ’ｓ　−Ｂｒ
’Ｆｓ　、ＢｒＦａ　、　ＩＦｓ　、　ＩＦ７　、ＩＣ
４ＩＩＢｒ　等のハロゲン間化合物を挙げることが出来
る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ｉＦｎ　＃　５ｉｔＦａ　＊　５ｉｃｋ＜　＋　５ｉＢ
ｒ、等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げゐこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−３ｉから成る感光層を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には１例えばＳ１供給用の原料ガス
となるハロゲン化合物とＡｒ＊ＨｔｓＨｅ等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして感光層を形成−
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガ
スのプラズマ雰Ｈ気を・形成゛するととによって、所望
の支持体上に感光層を形成し得るものであふが、水素原
子の導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ
等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物
のガスも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えばｈ　Ｈ１ｂ或いは前記シラン類等のガス
類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類の
プラズマ雰囲気を形成してや本発明においては、ハロゲ
ン原子導入用の原料ガスとして上記されたハロゲン化合
物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なものとして
使用されるものであるが、その他に、ＨＦ　、Ｈ（Ｖ　
、ＨＢｒ　、ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨｚＦｚ　
、８ｉＨｚｌｚ　、５ｉＨｚＣ７ｌｚ　、８ｉＨＣＩＪ
ａ　、８ｉＨｚＢｒｚ　、８ｉＨｚＢｒｚ　、８ｉＨＢ
ｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等のガス状態の或い
はガス化し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、感
光層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

光受容層を構成する電′荷注入防止層又は感光層中に、
伝導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或
いは第■族原子を構造的に導入するには、各層の形成の
際に、第１族原子導入用の出発物質或いは第１族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成
する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この
様な第１族原子導入用の出発物質と成り得るものとして
は、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第１族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、Ｂ２ｕｓ。

Ｂ４Ｈ１Ｇ　、Ｂ５Ｈ９、Ｂｌ）Ｈｌｌ　、Ｂ６Ｈ１Ｇ
　、Ｂ６Ｈ１２、Ｈ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦｓ　
、ＢＣｌｓ　、ＢＢｒａ等のハロゲン化合物等が挙げら
れる。この他、ＡＩＣノｓ、ＧａＣ７１ｓ。

Ｇａ　（ＣＨｓ）３．　ＩｎｅＪ３　、ＴノＣ１ｓ等も
挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ　、ＰＰｓ　。

ＰＦｓ　、Ｐ（Ｊ　３　、ＰＣｌ　ｓ　、ＰＢｒ　ａ　
、ＰＢｒａ　、ＰＩ　３等ノハロケン化燐が挙げられる
。この他Ａｓｈｓ　、ＡＳＦ３　、ＡｓＣＣ／ｓ、Ａｓ
Ｂｒ　３．ＡｓＦ５．５ｂＨｓ　、　８ｂＦｓ　、８ｂ
Ｆｓ　、８ｂＣＪ　ｍ　。

８ｂ（Ｊｓ　、ＢｉＨｓ　、ＢｉＣＪｓ　、Ｂ１Ｂｒ５
等も第■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明罠於いて、光受容層に原子（ＯＮ）の含有された
層領域（ＯＮ）’ｅ設けるには、光受容層の形成の際に
原子（ＯＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中にその量
を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（ＯＮ）’ｅ層形成るの罠グロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＮ）導入用の出
発物質が加えられる。その様な原子（ＯＮ）導入用の出
発物質としては、少なくとも原子（ＯＮ）を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）　、オゾン（Ｏｓ）。

−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化９素（ＮＯ２）、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（ＮｚＵａ）、四二酸化
窒素（ＮｚＯｉ）　、三二酸化窒素（ＮｚＯｓ）　、三
酸化窒素（Ｎｕｓ）、シリコン原子（８ｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（Ｈｓ８ｉ０８ｉＨｓ　）　、　トリシロ
キサン（ＨｓＳｉ０８ｉｌ［（ｇ　０８ｉＨｓ　）　等
の低級シロキサン窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨｓ）
、ヒドラジン（ＨｇＮＮＨｚ）　、アジ化水素（ＨＮｓ
Ｎ）ｓ　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｇ　）　、三
弗化窒素（ＦｓＮ）、四人用の出発物質としては、グロ
ー放電法の際に列挙した前記のガス化可能な出発物質の
他に、固体化出発物質として、５ｉｆ２．８ｉｓＮ４；
ヨヒエ蔭光匣≠；テ等を挙げることが出来る。これ等は
、Ｓｉ等のターゲットと共にスパッタリング用のターゲ
ットとしての形で使用される。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 禾実施例ではスポット系８０μｍの半導体レーザー（波
長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−８ｉ：Ｈｔ
堆積させる円筒状のＡｌ支持体（長さくＬ）　３５７　
ｍｍ　、径（ｒ）’８０ｍｍ）上に旋盤でピッチ（Ｐ）
２５μｍで深さＣＤ）０．８８で螺線状の溝を作製した
。このときの溝の形を第１１図に示す。　□ このＡｌ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層、表面層からなる光受容層を次の様にして堆積し
九。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波１［源、
１２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプ
およびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡｌ支
持体回転用モータ、１２０５はＡｌ支持体、１２０６は
Ａｌ支持体加熱用ヒータ、１２０７Ｈガス導入管、１２
０８は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド
板、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５．１
２４１〜１２４５はパルプ、１２３１〜１２３５はマス
フロコントローラー、１２５１〜１２５５はレギュレー
ター、１２６１は水素（Ｂ２）ボンベ、１２６２はシラ
ン（８ｉＨ４）ボンベ、１２６３はジボラン（ＢｚＨｓ
　）ボンベ、１２６４は酸化窒素（ＮＯ）ボンベ、１２
６７はメタン（Ｃ’Ｈ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１２６１〜１２６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマス７０コントローラー
およびパルプを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆積
装置内ｔ−１０−’　Ｔ　ｏ　ｒ　、ｒ　１！で減圧し
た。それと同時に１２０６のヒータによシ１２０５のＡ
ｌ支持体を２５０″Ｃｔで加熱し２！％０℃で一定に保
った。１２ｏ５のＡｌ支持体の温度が２５０℃で一定に
なった後１２２１〜１２２５．１２４１〜１２４５．１
２５１〜１２５５のパルプを閉じ、１２６１〜１２６５
のボンベの元栓を開け、１２０３の拡散ポンプをメカニ
カルブースターポンプ（代える。１２５１〜１２５５の
レギュレーター付きパルプの二次圧’ｔ−１，５に９／
ｃＩＩＫ設定シタ。１２３１のマスフロコントロラーを
３００８０ＣＭに設定し、１２４１のパルプと１２２１
のパルプを順に開き堆積装置内にＢ２ガスを導入した。

次に１２６１の８ｉＨ４ガスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定ｔ１５０８ｃｃＭに設定して、Ｂ２ガ
スの導入と同様の操作で８ｉＨ４ガスを堆積装置に導入
し１２６３のＢ２Ｈ６ガス流量ｔ−８ｉＨ４ガス流量に
対して、１６００Ｖｏｌｐｐｍになるように１２３３の
マスフローコントローラーを設定して、Ｉｈガスの導入
と同様な操作で８２Ｈ６ガスを堆積装置内に導入した。

次に１２６４のぬガス流量を８ｉＨ４ガス流量に対して
、３．４Ｖｏ１％になるように１２３４のマスフロコン
トローラーを設定して、Ｂ２ガスの導入と同様な操作で
ＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、１２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２のマ
ツチングボックスを調節して、　１２０５のＡｌ支持体
と１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力’１１６０Ｗとし５／ｊ　ｍ厚にＡ−８ｉ　
：Ｈ：８層（Ｂ’ｉ含むＰ型（ＤＡ−８ｉＳＨ層となる
）を堆積した（電荷注入防止層）。この様にして５μｍ
厚ｆ）　Ａ−８ｉ　：Ｈ：Ｂ　（Ｐ型）ｔ−堆積したの
ち放電を切らずに、１２２３のパルプを閉めＢ２Ｈ６の
流入を止めた・ そして高周波電力１６０Ｗで２０μｍ厚のＡ−８ｉ：Ｈ
層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ　）　ｆ堆積した（感光層）。

その後１２３２のマスフロコントローラーの設定を３５
ＳＣＣＭに変え、１２６５のＣＨａガス流量がＳｉＨ４
ガス流量に対して流量比がＳｉＨ４／　（、”Ｈ４＝　
１７３０となるようにあらかじめ設定されている１２３
５のマスフロコントローラーから、バルブ１２２５を開
けることによってＣＨ４ガスを導入し、高周波電力１６
０ＷでＱ、５μｍ厚のａ−８ｉＣ：Ｈｆ堆積した（表面
層）。高周波電源およびガスのノくルプをすべて閉じ堆
積装置を排気し、ＡＪ支持体の温度を室温まで下げて、
光受容層を形成した支持体を取ｐ出した。（試料１’１
＆１ｌ−１）別に、同一の表面性の同筒状ＡＪ支持体上
に高周波電力を４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様
の条件と作製手順で電荷注入防止層と感光層とを支持体
上に形成したところ第１３図に示すように感光層１３０
３の表面は、支持体１３０１の平面に対して平行になっ
ていた。このときＡＩ−支持体の中央と両端部とで全層
の層厚の差は１μｍであった。（試料隨１−２） また、前記の高周波電力ｖｉ−１６０Ｗにした場合には
第１４図のように感光層１４０３の表面と支持体１４０
１の表面とは非平行であった。この場合ＡＩ支持体の中
央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをδポット径８０μｍで第１
５図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写し
て画像を得た。層作製時の高周波電力４０Ｗで、第１３
図に示す表面性の光受容部材（試料賜１−２）では、干
渉縞模様が観察された。

一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材（試料
隘１−１）では、干渉縞模様は、観察されず、実用に十
分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状ＡＩ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（１’Ｖ＆１１０１〜１０８）の円
筒状のＡＪ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消えた
条件（高周波電力１６０Ｗ）と同様の条件で、電子写真
用光受容部材を作製した（隆１１１〜１１８）。・この
ときの電子写真用光受容部材のＡＪ支持体の中央と両端
部での平均層厚の差は２．２μｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第２
表のような結果金得た。これらの光受容部材について、
実施例１と同様に第１５図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使い、スポット径８０μｍで画像露光を
行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した（述１２１〜１２８）。そのとき電荷注入防止
層の層厚を１０μｍとした。このときの電荷注入防止層
の中央と両端部での平均層厚の差は１．２μｍ、感光層
の層厚の中央と両端部での平均の差は２．３μｍであっ
た。隘１２１〜１９Ｒ／７’ｌ久１の同改を雷半面撒鐘
で泪１１定したところ、第３表のような結果’ｋ（％た
。これらの光受容部材について、実施例１と同様な１象
露光装置において、画像露光を行った結果、第３表の結
果を得た。

実施例４ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａ）支持体（１’４
１０１〜１０８）上に窒素を含有する電荷注入防止層を
設けた光受容部材を第４表に示す条件で作製した。（電
４０１〜４０８） 上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で０．１μｍ未満であった。感光層の平均
層厚はシリンダーの中央と両端で３μｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第５表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第５表に示す結果を得た。

実施例５ 第１ｆｉに示す表面性のシリンダー状ＡＪ支持体（ｊ４
１０１〜１０８）上に窒素含含有する電荷注入防止層を
設けた光受容部材を第６表に示す条件で作製し友。（Ｎ
１５０１〜５０８） 上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で０．３μｍであった。

感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端で３．２μ
ｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第７表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光画像
露光したところ第７表に示す結果を得た。

実施例６ ゛　実施例１と同様な形状のＡ！支持体上に、第１２図
〒装置５を用い、スパッタリング法で電荷注入防止層、
感光層、表面層からなる光受容層を次の様にして堆積し
た。

まず第１２＠′の装置において、実施例１と異なる点を
説明−する。本実施例宅は、電荷注入防止層、感光層の
堆積時には、カソード電極上に、ポリシリコンから成る
厚さ５．１１のシリコン板’ｔ−面にはり、表面層の堆
積時には、ポリシリコンとグラファイトの面積比が第８
表のようになるようにポリシリコン板とグラファイト板
を一面にはった。ｆた新しくＡｒガス（ガスボンベ１２
６６）導入用のバルブ（１２２６，１２４６，１２５６
）とマスフローコントローラー（１２３６）　ｋ設ケｆ
ｔ。

次に作製手順全説明する。実施例１と同様に堆積装置内
’１ｒｌｏ−’Ｔｏｒｒｇで減圧し、ＡＪ支持体の温度
を２５０℃で一定に保つ。その後、Ａｒガスを２００　
ＳＣＣＭ１Ｈ２ガス１１００５ＣＣ。

Ｂ２Ｈ６ガス’（ｒ５０　ＳＣＣＭとし、堆積装置の内
圧が５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒになるよう、１２０３のメカ
ニカルブースターボングで調節した。そして高周波電源
によシ、カソード電極とＡ／支持体間に高周波電力ｉ３
００Ｗ投入しグロー放電を生じさせた。こうして電荷注
入防止層ｔ５μｍ堆積した。

次にＢｚＨ６の注入を止め、同様の条件で２０μｍ厚の
感光層を堆積した。

感光層の堆積後、カソード電極上のポリシリコン板′ｆ
ｔはずし、ポリシリコンとグラファイトからな゛る□板
に取シかえた。　□　゛ 、その後、感光層の堆積と゛同一の条件で、表□面！ｆ
：ｏ、　３μｍ堆積した。表面層−の−面は感光層の、
−７二、＝二二：：二：ｓ：ｔ−二一・、。□５　ＫＩ
ＩＬ”Ｃ１光受容部材を作製した。　・ 、、　こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々光
し、作製現像、クリーニング工程を約５万回繰返した後
画像評価をおこなったところ第８表の如） 実施例７ 表面層の形成時、８ｉＨｉガス、とＣＨ４ガスの流量比
゛　を変えて、表面層に於けるシリコン原子と炭素、原
手の含有量比を変化させる以外は実施例１（試；・料１
’＆１−１）と全く同様な方法゛によって電子写真゛月
光受容部材の夫々を作成した。こうして得られ′：た電
子写真用光受容部材の夫々につき、実施例１と同様にレ
ーザーで画、像露光し転写までの工程を約５万豐繰シ返
した後・画像評価全行９たと０ろ・第９表の如き結果を
得た。

実施例８ 表面層の形成時、８ｉＨ４ガス、ＳｉＦ４ガス、ＣＲ２
ガ：：：：：：：：：、：：：：：：：：、、、：；、
ｙ：　、　。

□施例１（試料ＮＩＬ　１、−１　）と全く同様な方法
により　。

て電子写真用光受容部材の夫々を作成した。こう　□１
５．．ゎえ、工□□、１□。え。えっ、　；実施例１と
同様に、レーザー光で画像露光し作像、現像、クリーニ
ングの工程を約５万回繰り返Ｌ−た後、画像評価を行っ
たところ第１０表の如き結果を得た。

、　。

表面層の層厚を変える以外は、実施例１　（試料Ｎ１１
−１）と全く同様な方法によって電子写真−光受容部材
の夫々を作成した。こうして得られた電子写真用光受容
部材の夫々につき、実施例１と゛同様に、作像、現像、
クリーニングの工程を繰υ返し第１１表の結果金得た。

を２μｍとする以外は、実施例１（試料１ｌ−１）と全
く同様な方法によって、電子写真用光受容部材を作製し
た。こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の
平均層厚差は、中央と両端で、０．５μｍであった。ま
た、微小部分での層厚差は、０．１μｍであった。

このような電子写真用光受容部材では、干渉縞は観察さ
れず、また、実施例１と同様な装置で作１象、ｆＡ＠、
クリーニングの工程を繰シ返し行ったが、実用に十分な
耐久性を得た。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画橡形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更にヰ機械的耐久性、特に耐摩耗性、及び光受容特性に
優れた光受容部材を提供することができる。

第　１　表 第　２　表 ×　実用には適さない　○　実用的に良好である△　実
用的に充分である　◎　実用釦最適である第３表 ×　実用には適さない　○　実用的に良好である△　実
用的に充分である　◎　実用に最適である第　４　表 第５表 ×　実用には適さない　Ｑ　実用的に良好である△　実
用的に充分である　◎　実用に最適である第６表 第　７　表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である ○　実用的に良好である ◎　実用に最適である 第　１１　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞発現全
説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合まで展開して説明する為の説
明図である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１０図は、光受容部材の説明図である。 第１１図は、実施例１で用いたＡ／支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１３図、第１４図は夫々、実施例１で作製した光受容
部材の構造を示す模式的説明図である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材１００１．１３０１．１４０１・・・
・・・・・・ＡＪ支持体１００３．１３０２．１４０２
・・・・・・・・・電荷注入防止層１００４．１３０３
．１４０３・・・・・・・・・感光層１００５．１３０
４．１４０４・・・・・・・・・表面層１００２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容層
１５０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・電子写真用光受容部材１５０２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー１５
０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ｆθレンズ１５０４・・・・・・・・・・・・・・・
・・自・・・・・ポリゴンミラー１５０５・・・・・・
・・・・・・川・・団・・・・露光装置の平面図１５０
６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
露光装置の側面図出願人　キャノン株式会社 第３０ 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料か
   らなる表面層とシリコン原子を含む非晶質材料からなる
   少なくともｌ？の感光層とを有する多層構成の光受容層
   を支持体上に有する光受容部材に於いて、前記光受容層
   は酸素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一
   種を含有し、且つショートレンジ、内に・１対以上の非
   平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な
   面内の少なくとも一方向に多数配列してｂる事を特徴き
   する光受答部埜。 （２）、前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。 （３）　前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。 （４）　前記ジョートレンシカ！Ｏ１？〜５００μであ
   る特許請求の範囲第１項に記＄１２）光受容部材。 （５）　前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けら
   れた規則的に配列してｂる凹凸に基づいて形成されてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）　前記、凹凸が逆■字形線状突起によって形成さ
   れている特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）　前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実。 質的に二等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載
   の光受容部材。 （８）　前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   直角三角形である特許請求の範囲第６項に記、載の光受
   容部材。 （９）　前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   不等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受
   容部材。 （ｌＯ）前記支持体が・円筒状であ石特許請求の範囲第
   １項に記載の光受容部材。 （１１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   標線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記綿線構造が多重綿線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
   の光受容部材。 （１５）　前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第
   ５項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。