JPS61113068A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８１３
３４１号公報や特開昭５８−８３７４８号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒ　ａ　
−９ｉ、１　と略記する）から成る光受容部材が注目さ
れている。

烈乍ら、光受容層を単層構成のａ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｌ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７８号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたすし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、　ａ　−９ｉ系先光受容材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
子扉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■ｏと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ厚差で不
均一であると、反射光Ｒ１＋Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−）λ（ｍ
は整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うかに
よって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じ
る。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１００００人の凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

然乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−９ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−９ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に１表面状態の悪化による
その後のａ−９ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ！となる。透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光ＫＩ、に２　、に３・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ１
と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然と
して干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ＋＝ｍ入また
は２ｎｄＩ−（ｍ＋坏）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ＋
　、ｄ２．（１＋　、（Ｌの夫々の差のλ あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全、に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体」二に多層構成の光受
容層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成
の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光
受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面で
の反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部
材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む
非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成の光受容層とを有しており、前記第１の層
中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不
均一であり、且つ前記第１の層及び前記第２の層の少な
くとも一方に伝導性を支配する物質が含有され、該物質
が含有されている層領域に於いて、該物質の分布状態が
層厚方向に不均一であると共に、前記光受容層は、酸素
原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくと
も一種を含有する事を複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ、か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層？０２の界
面７Ｑ３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１、に対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ、
（Ｂ）Ｊ）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７４ｄａ）であっても同様に云え
る為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１０に対
して、反射光”Ｉ　＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する
。その為各々の層で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スボッＩ・径より小さい為、即ち、解像度限
界より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に
画像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質
的には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面化」−げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　　　ｄ６）は、照射光の波
長なんとすると、 ｄｓ　　　　ｄ６　≧　　□ ｎ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が に 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされて
も差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数布す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を有する支持体におていは、支持体上に形成
されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言うも
のとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−３ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−９ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００μ〜０
．３ｕ、より好ましくは２００μ〜１μ、最適には５０
騨〜５騨であるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５ｕＩ
、より好ましくは０．３ｕ　〜３　賜、　最Ｈニハ０．
６ｇｏ＋〜２μとされるのが望ましい。支持体表面の凹
部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部（
又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜
２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜
１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μ〜２騨、より好ましくは０．１騨〜　１．５ｕ、
最適には０．２−〜１μとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子
とを含む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっており、前記第１の層中に
於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一
となっているため、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高３Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光
応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
面層には、機械的耐久性に対する保護層としての働き、
および、光学的には、反射防止層としての働きを主に荷
わせることが出来る。

上記表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち、表面層の屈折率ｎ、層厚をｄ、入射光の波長を入
とすると、 の時、又は、その奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。

又、第２の層の屈折率をｎａとした場合、表面層の屈折
率ｎが、 ｎ＝呂 す時、表面層は、反射防止層として最適である。

ａ−３ｉ：Ｈを第２の層として用いる場合、ａ−９ｉ　
：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層としては
、屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−３ｉＧ：Ｈは、Ｃの量を調整することにより、この
ような値の屈折率とすることが出来、かつ、機械的耐久
性、層間の密着性、及び電気的特性も十分に満足させる
ことが出来るので、表面層の材料としては最適なもので
ある。

また表面層を、反射防止層としての役割に重点を置く場
合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２騨とされ
るのがより望ましい。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１Ｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−３ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有
する第２の層（Ｓ）　１００３と、シリコン原子と炭素
原子とを含む非晶質材料からなる表面層１００８とが順
に積層された層構造を有する。

第１０図に示される光受容部材１００４においては、第
２の層１００３上に形成される表面層１００６は、自由
表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的
耐圧性、機械的耐久性、光受容特性において、本発明の
目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層１００８は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、’　ａ−（ＳｔＸｃｌ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋
−ｙ　Ｊと記す。但し、Ｏ＜　ｘ、　　ｙ＜　１）で構
成される。

ａ−（Ｓｔ、　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　
ｙで構成される表面層１００８の形成はグロー放電法の
ようなプラズマ気相法（ＰＧＶＤ法）、あルイは光ＣＶ
Ｏ法、熱ｃｖｎ法、スパッタリング法、エレクトロンビ
ーム法等によって成される。これ等の製造法は、製造条
件、設！ａ資本投下の負荷程度、製造規模、作製される
光導電部材に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導電部材
を製造するための作製条件の制御が比較的容易である、
シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製
する表面層１００Ｂ中に導入するのが容易に行える等の
利点から、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適
に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１００Ｂ形成し
てもよい。

グロー放電法によって表面層１００Ｂを形成するには、
ａ−（Ｓｔｙ　ｃｌ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し
、導入されたガスをグロー放電を生起させることにより
ガスプラズマ化して、前記支持体に既に形成されである
第１から第２の層上にａ−（ＳＩＸ　ＣＩ　−ｘ　）ｙ
　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン
原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及びハ
ロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子
として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨな構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、　ＣおよびＨの３つを構成原子とする原料
ガス又はＳｉ、　ＣおよびＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００６中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ　、　ＣＩ、Ｂｒ
、　Ｉであり、殊にＦ　、　Ｃｌが望ましいものである
。

本発明に於いて、表面層１００Ｂを形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる６本発明に於いて、表面層１００６
形成用の原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉと
■とを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３Ｈ
Ｂ　、　Ｓｉ４Ｈ１０等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等
の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素原子数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素
等を挙げることができる。具体的には、飽和炭化水素と
しては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、　　
プロパ７　（（３Ｈｅ　）　、　ｎ−ブタン（ｎ−ＣＪ
　１６　）　、ペンタン（ＣｓＨ＋２　）　、エチレン
系炭化水素としては、エチレン（Ｃ：２Ｈ４）、プロピ
レン（（：３Ｈ６）、ブテン−１（ＣａＨａ　）　、ブ
テン−２（０４Ｈ８）　、　　インブチレン（ＣａＨｅ
　）　、ペンテン（Ｃ５Ｈ，。）、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ：２Ｈ２）、　メチルアセ
チレン（Ｃ：ｉＨＪ、ブチン（ＣａＨ６）　、ハロゲン
単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
ガス、ハロゲン化水素としては、Ｆ）Ｉ、　）ＩＩ、■
α、ＨＢｒ　、ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ　、
　ＣｔＦ　、　ＣｌＦ３、ＣｔＦ５．　ＢｒＦｒ、、Ｂ
ｒＦ３、ＩＦ７、ＩＦ５、ＩＣ１，ＩＢｒ　、　ハロゲ
ン化硅素としてはＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣｆ３
Ｂｒ　、　５ｉＣｆｆｉ２Ｂｒ２．５ｉＣｉＢｒ３　、
５ｉＣｆ３Ｉ、　ＳｉＢｒ４　、　ハロゲン置換水素化
硅素としては、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２、ＳｉＨ２α２．５ｉ
ＨＣ１３、ＳｉＨ３ＣＩ　、　５ｉＨ３Ｂｒ、　５ｉＨ
２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３水素化硅素としては、ＳｉＨ
，，５ｉ２ＨＢ　、　５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等
のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類、等々を挙げることができ
る。

これ等の他に、ＣＦ４、ＣＣｌ４．０８丁。、Ｃ旺３、
Ｃｌ２Ｆ　２　、　ＣＨ３Ｆ　、　ＧＨ３Ｃｊ！、ＣＨ
３Ｂｒ　、　ＣＨ３１，Ｃ２Ｈ５α等のハロゲン置換パ
ラフィン系炭化水素、ＳＦ４、ＳＦ６等のフッ素化硫黄
化合物；　５ｉ（ＣＨ３）＋、５Ｉ（Ｃ２Ｈ５）４等の
ケイ化アルキルやＳｉＣ（ＣＩ３）３、Ｓｉα２（ＣＨ
３）２　、　Ｓｉα３ＣＨ３等のハロゲン含有ケイ化ア
ルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙げること
ができる。

これ等の表面層１００６形成物質は、形成される表面層
１００Ｂ中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有される
様に、表面層１００６の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得る５
ｉ（Ｃ）１３）４と、ハロゲン原子を含有させるものと
しての５ｉＨＣ！３　、５ｉＨ２Ｃｆ２　、５ｉＣ１４
、或いは、Ｓ　ｉ　Ｈ３Ｃ１等を所定の混合比にしてガ
ス状態で表面層１００６形成用の装置内に導入してグロ
ー放電を生起させることによってａ−（ｓｔＸｃ、−Ｘ
）ｙ　（Ｃｌ　＋Ｈ）＋−ｙから成る表面層１００６を
形成することができる。

スパッタリング法によって表面層１００６を形成するに
は、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハ
ーあるいはＳｉ、ｑＣが混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロ
ゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々
のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行え
ばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スバ・ンター用の堆積室中に導
入し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉ
ウェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲラ）・を使
用することによって、必要に応じて水素原子又は／及び
ハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリング
することによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原
料ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で
示した表面層１００６形成用の物質がスパッタリング法
の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００Ｂをグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂φ希ガス、例えばＨｅ、　Ｍｅ、Ａｒ等が好
適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００６は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じて■又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉ
ｘ　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）Ｉ−アが形成される
様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、表面層１００８を電気的耐圧性の向上を主
な目的として設ける場合には、ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ＋　−
ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙは使用環境に於いて電気
絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００８が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（
ＳｔＸＣ＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙが作成さ
れる。第２の層１００３の表面上にａ−（ＳｉＸＣ１−
ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙから成る表面層１００Ｂ
を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する重要な因子の一つであって、
本発明においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓｉ
Ｘｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙが所望通りに
作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００Ｇの形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００６の形成が実行されるが、好まし
くは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、最適
には１００〜３００℃とされるのが望ましいものである
。表面層１００６の形成には、層を構成する原子の組成
比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易である事
等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で表面層１００６を形
成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワーが作成されるａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　４　）
ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙの特性を左右する重要な因子の
一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（Ｓｔ、　ＣＩ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
ｒ−ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくは１０〜１００ＯＷ、より好
適には２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされ
るのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜Ｉ　
Ｔｏｒｒ、好適には、　０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明に於いては表面層１００６を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ
−（Ｓ１ｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘＬ−ｙから成る表面層
１００ｆｉが形成されるように相互的有機的関連性に基
づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが望
ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００８に含有され
る炭素原子の量は、表面Ｒｔｏｏｅの作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００６が形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００６に含有される炭素原子の
量は、表面層１００６を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓ１ｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
＋−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　
ａ−９ｉａＣ：　Ｉ−ａ　Ｊと記す。但し、Ｏ＜　ａ＜
　　１）　、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓｉｂｃ、　−
ｂ　）ｃ　Ｈ＋−０」と記す。但し、Ｏ＜　ｂ、ｃ　＜
　１）　、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子と必
要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後、
ｒａ−（Ｓｉ、＋Ｃ＋−，＋）ａ（Ｈ，Ｘ）ｌ−１１４
と記す。但し、０＜　ｄ、　ｅ　＜　１）に分類される
。

本発明に於いて、表面層１００６がａ−３ｉｌＧ　、−
＠で構成される場合、表面層１００６に含有ネれる炭素
原子の量は、好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０−３〜９０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏｍｉｃ％、最
適には１０〜７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−９ｉ６Ｃ１−ａのａの表示
で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．９９９！１１９
、より好適には０．２〜０．８８、最適には０２２５〜
０．９である。

一方、本発明に於いて、表面層１００６がａ−（Ｓｉｂ
Ｃ１４）。Ｈｌ−０で構成される場合、表面層１００Ｂ
に含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸｌ０−３
〜８０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは１〜９０
ａｔｏＩＩｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましいものである。水素原子の含有量と
しては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好ま
しくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜３０ａｔ
ｏ＋＊ｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（Ｓｔｌ、Ｃ１−ｂ”）ｃＨｌ−ａの表
示で行えば、ｂが好ましくは０．１〜０．９！３８９９
、より好適には０．１〜０．８８、最適には０．１５〜
０．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適に
は０．８５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であ
るのが望ましい。

表面層１００６が、ａ−（Ｓ　Ｌ＋　ＣＩ　−ａ　）。

（Ｈ，ＸＬ−ａ　テ構成される場合には、表面！　１０
０Ｂ中に含有される炭素原子の含有量としては、好まし
くは、　ｌＸｌ０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適
には１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン
原子の含有量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲ
ン原子含有量がある場合に作成される光受容部材を実際
面に充分適用させ得るものである。必要に応じて含有さ
れる水素原子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏ
ｍｉｃ％以下、より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下と
されるのが望ましいものである。

即ち、先ｃｙ）ａ−（Ｓｉ、ＩＣｌ−、、）ｓ（Ｈ，Ｘ
Ｌ−ａのｄ、ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは、０．
１〜０．９８９９９より好適には０．１〜０．８８、最
適には０．１５〜Ｏ，Ｓ、ｅが好ましくは０．８〜０．
９８、より好適には０．８２〜０．９９、最適には０．
８５〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００６の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００θの層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００８の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０μ、より好適にはｏ、ｏｏａ〜２
０μ、最適には０．００５〜１０−とされるのが望まし
いものである。

本発明の光受容部材！００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）　１００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層
領域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の
一部の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１のＪＷ
　（Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるので
あれば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する
様に前記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｃ）の層
厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との接
触界面での光学的、電気的接合を良好にすることが出来
る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜状められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面子ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔＄１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−５
ｉ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対
して、ｐ型伝導特性をケえるｐ型不純物及びｎ型伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｊ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、ＴＡ　（タリウム）等があり、殊
に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期（１！表第Ｖ族に属する原子
（第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓ
ｂ（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、
殊に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐ
ｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以−１−１最適には
　１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」二とすることによ
って、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理
を受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物
質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自
由表面がＯ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光
受容層中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来
る。

−に記の様な場合に゛は、前述した様に、前記層領域（
ＰＮ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　
Ｎ）に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極
性とは別の伝導型の極性の伝導性性を支配する物質を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜１０００ａｔｏ＋ｗｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ層以下とするのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが好ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第２７図乃至第３５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＭ）中に含有される物質層（Ｃ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於いて
、層厚及び濃度の表示はそのままの値価で示すと各々の
図の違い力く明確でなくな°る為、極端な形で図示して
ηりこれらの図は模式的なものと理解されたい。

実際の分布としては、本発明の目的が達成される可く、
所望される分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ
≦８）又はＣ１（１≦ｉ≦１７）の値を選らぶか、或い
は分布カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべき
である。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＰＮ）の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、ｔ□は支持
体側とは反対側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を示す。

即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）はｔＢ側
よりｔｌ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＮ）中に含有される物質（Ｃ
）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２７図に示される例では、物質（Ｇ）の含有される層
領域（ＰＮ）が形成される表面と該層（Ｇ）の表面とが
接する界面位置１Ｂよりｔｌの位置までは、物質（Ｃ）
の分布１３度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が、形成される層（ＰＮ）に含有され、位置し、
よりは濃度Ｃ２より界面位置１丁に至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置ｔ□においては物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。（ここでは実質
的に零とは検出限界量未満の場合である。） 第２８図は示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔａより位置ｔ□に至るまで濃度
Ｃ１から徐々に連続的に減少して位置１丁において濃度
Ｃ，ｌとなる様な分布状態を形成している。

第２８図の場合には、位置ｔＢより位１ｔｔ２までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔ□との間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔ□において、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置し
Ｂより位置１丁に至るまで、濃度Ｃ６より初め連続的に
徐々に減少され、位置ｔ３よりは、急速に連続的に減少
されて、位置１Ｔにおいて実質的に零とされている。

第３１図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
、位置ｔＢと位置１４間においては濃度Ｃ７と一定値で
あり、位置１．に於ては分布濃度Ｃは零とされる。位置
ｔ４とｔｉとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置
ｔ４より位置を丁に至るまで減少されている。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置１丁までは濃度Ｇ９より濃度ＣＯＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第３３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ□に
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１□より一
次関数的に連続して減少されて、零に至っている。

第３４図においては、位置１Ｂより位置ｔ６に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃度Ｃｔ
３まで一時間数的に減少され、位置ｔ６と位置１丁との
間においては、濃度Ｃ＋３の一定値とされた例が示され
ている。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔａにおいて濃度Ｃ１４であり、位置ｔ７に
至るまではこの濃度０１４より初めはゆっくりと減少さ
れ、ｔｌの位置付近においては、急激に減少されて位置
ｔ７では濃度ｃｐｓとされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１６となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度ＣＩ７に至る
。位置ｔ９と位置１丁との間においては濃度（ｌｔ７よ
り実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（ＰＮ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔ□側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が層領域（ＰＮ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する層領域（ＰＮ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するの
が望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ｐ以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、」二記局在領域（Ｂ）は、界面位置１
Ｂより５角厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子構造的に導
入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を形
成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物
質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に各層を形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得５す るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。その様な第■放原子導入用の出発物質とし
て、具体的には硼素導入用としては、Ｂ２Ｈ６＋　　Ｂ
４ＨＩＯ＋　Ｂ５Ｈ９＋　　ＢＳ’ｌ＋　＋　　”６Ｈ
ＩＯ＋Ｂ６Ｈ１２＋　　Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ３　、　ＢＣｌ３゜ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が
挙げられる。このほか、ＭＣｆ３　、　ＧａＣ１３、Ｇ
ａ（Ｏｆ−１３）３．　ＩｎＣｆ３　、　’ｒｌｃｔ３
等も上げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　ＰＨ３
，Ｐ２Ｈ，等の水素化燐、ＰＨＪ　、　　ＰＦ３　。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ３　、　ＰＣｌ５　、　ＰＢｒ３　
、　ＰＢｒ３　、　　ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げら
れる。この他ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣｌ３．　　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３
，ＳｂＦ３．　　ＳＭ：ｆｆ１５゜５ｂＣｉ　、　Ｂｉ
Ｉ３　、　　Ｂ１Ｃ１３、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る
。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１００１の表面１０ｏ５側）
の方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層（Ｇ）　ｌ００２ｃｌ＋に
含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は１層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いてｔ±、第１の層（Ｇ）上に設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長
連の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受
容部材とし得るものである。

又、第１のＭ　（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側
より第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられて
いるので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於
ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に
於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくす
ることにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２
の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１
の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止することが出
来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１８図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１８図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、１Ｂは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔ□は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔ□側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層ＣＧ
＞の表面とが接する界面位置ｔＢより１、の位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ，なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置１．よりは濃度らより界面位置ｔ工に
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ工
においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と
される。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ□に至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１丁におい
て濃度へとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置り丁との間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔ□において、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ□において実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置を日と位置１３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置し、に於ては濃度ＣＩ０とされる。

位置ｔ３と位置１丁との間では、分ＩＯ濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置１Ｔに至るまで減少されている
。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
Ｂより位置ｔ４までは濃度０１１の一定値を取り、位置
し４より位置り丁までは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置しＢより位置１丁に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＧＩ４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては１位置ｔａより位置ｔ５に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より濃
度Ｃ’１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置
を丁との間においては、濃度ｃｏ６の一定値とされた例
が示されている。

第１８図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ｃｔ７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度”Ｉｌｌとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置し７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置計〇において、
濃度Ｃ２Ｑに至る。位置ｔ８と位置ｔ、との間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以」；、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前記分布濃度Ｃ
は支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられて
いるのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
川以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、」−記局在領域（Ａ）は、界面位置１
日より５ＰＬ厚までの全層領域（Ｌ□）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌ□）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ工）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｗａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋ｗ以上、より好適に
は５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩＸ
１ｌＸ１０４ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態
となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５ｐＬ以内
（ｔＢから５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成ごれるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成Ｓれる光受容層を構成する第２の
Ｆ　（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ十Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
、より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、　
より好ましくは１００〜８×１０５１０５ａｔｏ　ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚丁Ｂは、好まし
くは３０Ａ〜５０１Ｌ、より好ましくは、４０．Ａ〜４
０ＪＬ、最適には、５０八〜３０ルとされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ル、より好ましくは１〜８０ＪＬ最適には２〜５０＃
Ｌとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚丁ａと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁Ｂ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔａ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１−１００角、より好適
には１〜８０ル、最適には２〜５０ルとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、に記の層
厚Ｔ、及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＩＩ／　Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。　　　　　　　′上記の
場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に於いて
、より好ましくは、ｒａ　／　Ｔ≦０．９．最適にはＴ
、／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚丁Ｂ及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ８とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ＪＬ以下、より好ましくは２５ル以下、最適には２０Ｊ
Ｌ以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２のＪ！　（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロ
ゲン原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇａ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入様
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線
に従って制御し乍らａ−３ｉｄｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る
層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構
成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲラトの二
枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲット
を使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
スパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６。

Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４［−１１゜等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｔ供給効率の良ｙ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４１Ｇｅ２Ｈ６＋　Ｇｅ３ＨＢ　Ｉ　Ｇｅ４Ｈ１０＋　
Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅｎＨ
ＩＢ　、　ＧｅｇＨ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得
る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効
率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ７Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素ノハロゲンガス、ＢｒＦ、Ｃｆｆ１　Ｆ、（Ｊ　
Ｆ３　、　ＢｒＦ５゜ＢｒＦ３　ｊＦ３　、　ＩＦ７　
、ｒａ　、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣＩ４　、　ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生、起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す源冊と、吟よ
って、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形９＃、シ得
るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易
になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望酸混合して層形成
しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
Ｉ２　。

５ｉＨ２Ｃｆ２　、５ｉＨＣ１３、５ｉＨ２Ｂｒ２　、
５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨ
Ｆ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨ（１３、Ｇｅ）＋２　Ｃ１２、ＧｅＨＢｒ３　、
　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢｒ３　ＧｅＨＩ３　、　
ＧｅＨＢｒ３．　ＧｅＨ３１等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４゜ＧｅＣｌ４．　ＧｅＢｒ４　、　Ｇｅ
Ｉ４．　ＧｅＦ２．　ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ２　。

ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２　＋或いはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６”、　Ｇｅ３ＨＢ　、　
Ｇｅ４Ｈｚ。＋　Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈ１４＊　Ｇｅ
’７Ｈ１１＞　＋　’Ｇ’ｇａＨｔｏ　ｌ　ＧｅｇＨ２
゜等の水素化ゲルマニウムとＳｉミラ給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によっテａ−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面」二にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
でＳｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけば良
い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＧＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＧＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＧＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）の量
には、形成される光受容部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１
〜５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＤＯＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＧＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（０１１１：Ｎ）中に含有される
原子（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏ
麿ｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏ■ｉｃ％以下
、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望まし
い。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、＋１６抵抗の向上と高光感度の確保が一層
出来るので、光受容層に所望量含有されることが望まし
い。

又、これ等の原子（ＱＣ：Ｎ）は、光受容層中に複数種
含有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸
素原子を含有させたり、或いは、同一・層領域中に例え
ば酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても
良い。

第４３図乃至第５１図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有ぎれる原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第４３図乃至第５１図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＧＮ）の層厚を示し
、１Ｂは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
ｔ工は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔ１側に向って層形成がなされ
る。

第４３図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第４３図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＱＣ
：Ｎ）の表面とが接する界面位置１丁より１１の位置ま
では、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ
）に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置を
丁に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
ｔ□においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度自と
される。

第４４図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＧＮ）の分Ｉｒｉ濃度Ｃは位置ｔＢより１丁に至るまで
濃度Ｃ，ｌから徐々に連続的に減少して位置ｔ□におい
て濃度ちとなる様な分布状態を形成している。

第４５図の場合には、位置１Ｂより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置し２と位置１丁との間において、徐々に連続的に減少
され１位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第４６図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
Ｍｔａより位置ｔ□に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置１丁において、実質的に零とされ
ている。

第４７図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔ３より位置ｔ１に至るまで、濃度Ｃ９
により実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第４８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ａより位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔ□までは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ０３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第４８図に示す例においては、位置ｔ、３より位置１丁
に至るまで、原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ
４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第５０図においては、位置ｔａより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは、濃度ｃｐｓよりＣ
Ｉ６までの連続的に徐々に減少され、位置ｔ５と位置を
丁との間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が
示されている。

第５１図に示される例においては、原子（ＱＣ：Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔａにおいては濃度ＣＩ７であり、
位置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃａ７より初めは緩やか
に減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置上６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度０１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
Ｃ２゜に至る。位置ｔ８と位ＷＬｒの間においては濃度
Ｃ２゜より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第４３図乃至第５１図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発
明においては、支持体側において、原子（ＯＧＮ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１．側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状７ｇが層領域（０ＯＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＧＮ）は、１−
記した様に支持体側の方に原子（ＱＣ：Ｎ）が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光
受容層との間の密着性をより一層向上させることが出来
る。

−１−記局在領域（Ｂ）は、第４３図乃至第５１図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５ｐＬ以
内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、」二記局在領域（Ｂ）は、界面位置
しＢより５に厚までの全領域（Ｌ□）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以−１−と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５Ｉｉ。

以内（ｔＢから５ＰＬ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大
値Ｃｍａｙが存在する様に形成されるのが望まし゛い。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において。屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻ｆにし、干渉縞模様の発現をよ
り効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第４３図乃至第４６図、第４８図及
び第５１図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＱＣ：Ｎ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−耐
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、四三酸化
窒素（Ｎ２０Ａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化
窒素（ＮＯ３）　、　シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジ
シロキサン（Ｈ３５ｉＯ３ｉＨ３）、トリシクロキサン
（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキサ
ン、メタン（（８４）　、　エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロ
パン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃａ　Ｈｒｏ　）
　、ペンタン（Ｃｓ　Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和
炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ：３
Ｈ６）、ブテン−１（Ｃａ　Ｈｓ　）、ブテン−２（Ｃ
４Ｈ８）　、インブチレン（ＣａＨｓ）、ペンテン（Ｃ
ｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、ア
セチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）
、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系
炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒド
ラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素（ＨＮ３）、ア
ジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ３
Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙げることが出来る
。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＧＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ、、カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｆｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を
形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃを変
化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガスを
、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化さ
せ乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＷ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積空中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎ１Ｇｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、Ｍｏ、　Ａｕ
、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＭｉｎｔ、Ａ１１
．　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ、
　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡＩ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚ
ｎ、旧、Ａｕ、　Ｏｒ、Ｎｏ、Ｉｔ、　Ｎｂ、Ｔａ、■
、Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状
は決定されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００
４を電子写真用光受容部材として使用するのであれば連
続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とする
のが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材
が形成される様に適宜決定されるが、光受容部材として
、可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

面子ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
能的強度の点から、好ましくは１０ＩＬ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度８ｉ
３．ｉ３９！３％、以下、Ｓ　ｉ　Ｈ４と略す）ボンベ
、２００３はＧｅＨ４ガス（純度１１９．９９９％、以
下ＧｅＨ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度
９９．９９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５は
Ｈ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度Ｈ，９９９％、以
下Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２と略す）ボンベ、２００ＢはＨ２
ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１
７〜２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計２０３Ｂの読みが約５　Ｘ　１Ｏ−６ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よりＢ
２Ｈ６／　Ｈ２ガス、２００６よりＨ２ガスをバルブ２
０２２．２０２３．２０２４．２０２５．２０２６を開
いて出口圧ゲージ２０２７゜２０２８．２０２９．２０
３０．２０３１（７）圧をＩ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し
、流入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５
．２０１６ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２０
０７．２００８．２００８．２０１０．２０１１内に夫
々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１
８．２０１９．２０２０．２０２１、補助バルブ２０３
２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００
１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ４
ガス流量、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流
出バルブ２０１７．２０１８．２０１９．２０２０．２
０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所望
の値になるように真空計２０３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２０
３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後、電
源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１内に
グロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変
化率曲線に従って、ＧｅＨ４ガスの流量及びＢ２Ｈ６ガ
スの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によっ
てバルブ２０１８．２０２０の開口を暫時変化させる操
作を行って形成される層中に含有されるゲルマニウム原
子及び硼素原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１８あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸素
原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また
、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子を
含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガスを
例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて、層形
成を行なえばよい。また、使用するガスの種類を増やす
場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成を
行なえばよい。層形成を行っている間は層形成の均一化
を計るため基体２０３７はモーター２０３８により一定
速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、上記第２の層（Ｓ）を形成後、例えば２００Ｂ
の水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（ＣＨ４）ガスボン
ヘニ取す換地、マスフローコントローラー２００７と２
０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な条件と手
順に従って所望時間グロー放電を維持炭素原子から主に
形成される表面層を形成することができる。

−１−記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表
面層をスパッタリングで形成する場合には、例えば２０
０８の水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガス
ボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソード電極上
に例えばＳｉからなるスパッタリング用ターゲットとグ
ラファイトからなるスパッタリング用ターゲットを、所
望の面積比になるように一面に張る。その後、装置内に
第２の層（Ｓ）まで形成したものを設置し、減圧した後
アルゴンガスを導入し、グロー放電を生起させ表面層材
料をスパッタリングして、所望層厚に表面層を形成する
。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１ ＡＩ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ
）８０ｍｍ）を旋盤で第２１図（Ｂ）に示す様な表面性
に加−「シた。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積袋置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ−３ｉ系主電子写真用
光受容材を作製した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４、５ｌｔ（４、Ｂ２　Ｈ６／
　Ｈ２の各ガスの流量を第２２図及び第３６図のように
なるように、マスフロコントローラー２００？、　２０
０８及び２０１０をコンピューター（ＩＰ９８４５Ｂ）
により制御した。また、シリコン原子と炭素原子から主
に形成される表面層の堆積は、次の様にして行なわれた
。すなわち、第２層の堆積後、第１表に示す様にＣＨ４
ガスの流量がＳｉＨ４ｉス泣縫に対して論量比がＳｉＨ
４／ＣＨ４＝　　１／３０となる様に各ガスに対応する
マスフロコントローラーを設定し、高周波電力を３００
Ｗとしてグロー放電を生じさせることにより、表面層を
形成した。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
１図（Ｃ）の様であった。

以−にの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｆｆｉ、ス
ポット径８０ＪＬＩＩ　）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞
は模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２ 第１ｉを形成する際、ＧｅＨ４、５ｉＦ（４、Ｂ２　ｉ
（６／　Ｈ２の各ガスの流量を第２３図及び第３７１４
のようになるように、マスフロコントローラー２００７
．２００８及び２０１０をコンピューター（ＩＰ９８４
５Ｂ）により制御した以外は、実施例１と同様の条件で
ａ−９ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

以」二の電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様に、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎ＋＊、スポット径８０騨）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例３ 第２表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、本２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−３ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４、５ｉＨｉ＋　、　Ｂ２Ｈ６
／　Ｈ２の各ガスの流量を第２４図及び第３８図のよう
になるよう　　　　　喝に、マスフロコントローラー２
００７．２００８及び２０１Ｏをコンピュータ（ＨＰ９
８４５Ｂ）により制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎ腸、スポット径８０μ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には、
干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例４ 第１層を形成する際、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、Ｂ２　Ｈ６
／　Ｈ２の各ガスの流量を第２５図及び第３９図のよう
になるように、マスフロコントローラー２００７．２０
０８及び２０１０をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御した以外は、実施例３と同様の条件で、ａ　−
９ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０１層、スポット径８０μ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例５ 第３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、Ｂ２　Ｈ
６／　Ｂ２の各ガスの流量を第４０図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８及び２
０１０をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎ嘗、スポット径８０騨）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例６ 第４表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４、５ｉＨ４ｒ　Ｂ２　
Ｈｂ　／　Ｂ２の各ガスの流量を第４１図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８及
び２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により
制御した。

以−Ｌの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の
波長７８０ｎｍ、スポット径８０μ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像に
は、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例７ 第５表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、８２Ｈ６
／　Ｂ２の各ガスのｉｔを第４２図のようになるように
、７６ス フロコントロ−ラ 瞥　　　　　ピユータ（ＩＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。

以りの電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０１ｓ、スポット径８０μｓ）で画像露光を行な
い，それを現像、転写して画像を得た。得られた画像に
は、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例８ 実施例１において使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２８図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径８０μｓ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像に
は、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例９ 実施例１において使用したＮｏガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２８図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１Ｏ 実施例３において使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない
、それを現像，転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１１ 実施例３に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７ＢＯｒ＋＋ｓ、スポット径８０μ）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像
には、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１２ 実施例５において使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎ腸、スポット径８０μ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１３ 実施例５において使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｉ系電子写真用受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７Ｂ０ｎ■、スポット径８０騨）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１４ 第６表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て、第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子
写真用光受容部材を作製した。

なお、　Ｓ＋Ｈｎ　、　ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２の
流量を第５２図のようになるようにして、また窒素原子
含有層は、ＮＨ３の流量を第５Ｂ図のようになるように
、各々ＳｉＨ４、ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２およびＮ
Ｈ３（７）マスフロコントローラー２００７．２００８
．２０１０．２００９をコンピュータ（ＩＰ９８４５Ｂ
）により制御して形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７ＢＯｎ層、スポット径８０μ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１５ 実施例１４に於て使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１４と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎ鵬、スポット径８０μ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１Ｂ 実施例１４に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスにえ
た以外は実施例１４と同様の条件と手順に従って　　　
　　　１ａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎ腸、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１７ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０ｍｓ）を、第６０図に示す様な表面性に旋盤で加工
した。

次に、第７表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、Ｓ！Ｈ４’、　ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２の流
量を第５３図のようになるように、また炭素原子含有層
は、ＣＩ、の流量を第５７図のようになるように、各々
ＳｉＨ４、ＧｅＨ４，Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２およびＣＨ４ノ
マスフロコントローラ−２００７，２００Ｂ、　２０１
０．２００９をコンピュータ（ＨＰ８８４５Ｂ）により
制御して形成した。また、表面層は、実施例１と同様に
して形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径８０騨）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１８ 実施例１７に於て使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１７と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２Ｂ図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎ＋ｓ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。得られた画像には、干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１７に於て使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例１７と同様の条件と手順に従ってａ−
３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

これらの電子写真用光受容部材について実施例１と同様
にして、第２Ｂ図に示す画像露光装置（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径８０牌）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例２０ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７＋ｗｍ、径（ｒ　
）　８０ｍｍ）を、第６１図に示すような表面性に旋盤
で加工した。

次に、第８表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／　Ｂ２の流量を
第５４図のようになるように、また酸素原子含有層は、
ＮＯの流量を第５８図のようになるように、各々ＳｉＨ
４゜ＧｅＨ４、８２Ｈ６／　Ｂ２およびＮｏのマスフロ
コントローラー２００７．２００８．２０１０．２００
９をコンピュータ（ｌ（Ｐ９Ｂ４５Ｂ）により制御して
形成した。また、表面層は、実施例１と同様にして形成
した。

以上の電子写真用の光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０１１ｆｆｉ、
スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

実施例２１ 実施例２０に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件と手順に従ってａ−８
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
実施例１と同様にして、第２６図に示す画像露光装置（
レーザー光の波長７Ｂ０ｎｍ、スポット径８０牌）で画
像露光を行ない、それを現像、転写して画像を得た。得
られた画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分な
ものであった。

実施例２２ 実施例２０に於て使用したＮｏガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件と手順に従ってａ−９
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第２６図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった。

実施例２３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図に示すような表面性に旋盤で
加工した。

次に、第９表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、Ｓ　ｉ　Ｈ４、ＧｅＨ４、Ｂ２　Ｈ６／　［２の
流量を第５５図のようになるよう番乙また窒素原子含有
層は、　ＮＨ３の流量を第５９図のようになるように、
各々５ＩＨ４１ＧｅＨ４，Ｂ２　Ｈｂ　／　Ｂ２および
ＮＨ３のマスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０．２００９をコンピュータ（ＩＰ！３８４５Ｂ
）により制御して形成した。また、表面層は、実施例１
と同様にして形成した。

以上の電子写真用の光受容部材について、実施例１と同
様にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の
波長７８０ｎｍ、スポット径８０μ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。画像には干渉縞
模様は観察されず、実用に十分なものであった・ 実施例２４ 実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに変え
た以外は実施例２３と同様の条件と手順に従ってａ−３
ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

これらの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様にして、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の
波長７８０ｎｍ、スポット径８０μ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像に
は、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例２５ 実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例２３と同様の条件と手順に従ってａ−
３ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、実施例１と同様にして、第２６図に示す画像露光装置
（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径８０胛）で
画像露光を行ない、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例２６ 実施例１から実施例２５までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈した８２　Ｈ６ガスの代りにＨ２
で３０００ｖｏｌ　ｐＴＩＩ！ｌに稀釈したＰＨ３ガス
を使用して、電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎ
ｏ、２６０１〜２７００）。　なお、他の作成条件は、
実施例１から実施例２５までと同様にした。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、実
用に十分なものであった。

実施例２７ 第２１図（Ｂ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０ｍｍ
）を用い、表面層形成時のＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの
流量比を第１１表に示すように変化させて、表面層にお
けるシリコン原子と炭素原子の含有比を変える以外は、
実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写
真用光受容部材を作成した（試料、／１２７０１〜２７
０８）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０μｓ）で画像露光し、作像、現像、クリ
ーニングの工程を５万回繰り返した後、画像評価を行っ
たところ第１１表の如き結果を得た。

実施例２８ 第２１図（Ｂ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０＋ｕ
ｇ）を用い、表面層形成時の原料ガスをＳｉＨ４ガス、
　ＣＨ４ガス及びＳｉＦ４とし、これらガスの流量比を
第１２表に示すように変化させる以外は、実施例２７と
同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ系主電子写真用光受
容材を作成した（試料、ｉ、２８０１〜２８０８）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｉｅ。

スポット径８０騨）で画像露光し、作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後１画像評価を行った
ところ第１２表の如き結果を得た。

実施例２８ 第２１図（Ｂ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０ｍｍ
）を用い、表面層をスパッタリング法で形成する以外は
、実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ系主電
子写真用光受容材を作成した（試料遂２９０１〜２９０
？）。

なお、表面層の形成は以下のようにして行なった。すな
わち、第２の層形成後、該層まで形成した支持体を第２
０図の堆積装置内から取り出し、該装置の水素（Ｈ２）
ガスボンベをアルゴン（、Ａ　ｒ　）ガスボンベに取り
換え、装置内を清掃し、カーソード電極上にＳｉからな
る厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットとグラファ
イトからなる厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲット
を、その面積比がそれぞれ第１３表の面積比になるよう
に一面に張る。その後、装置内に第２の層まで形成した
支持体を設置し、減圧した後アルゴンガスを導入して≠
井掬キ常４坤（ロ）キ士ガ明寸ル；高周波電力を３００
Ｗとしてグロー放電を生起させ方ソード電極上の表面層
材料をスパッタリングすることによって表面層を形成し
た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７ＢＯｎ＋ｍ。

スポラ］・径８０騨）で画像露光し、作像、現像、クリ
ーニングの二［程を５万回繰り返した後、画像評価を行
ったところ第１３表の如き結果を得た。

〔発明の効果〕

以−１−１詳細に説明した様に、本発明によれば、可干
渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易で
あり、注つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像
時の回置の現出を同時にしかも完全に解消することがで
き、しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性
に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｇ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１θ図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図及び第８０図乃至第８１図は、実施例で用いた
Ｍ支持体の表面状態の説明図である。 第２２図から第２５図及び第３６図から第４２図及び第
５２図〜第５９図は、実施例におけるガス流量の変化を
示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第２７図から第３５図は、層領域（ＰＮ）に於ける物質
（Ｃ）の分布状態を説明する為の説明図である。 第４３図から第５１図は、層領域（ＯＧＮ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・旧・・・・・・・・光
受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２６０
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレンズ２
８０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴン
ミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
露光装置の平面図２６０Ｂ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・露光装置の側面図特許出願人　　キャノン株
式会社 代　理　　人　　　若　　　林　　　　　−袈１第＋Ｉ
Ｅｌ 第２図 第３図 第４図 第５図 第０図 第１２図 第１４図 第１５図 一一一一一 ｆｌＫＧ濱（酬暮 Ｃｎ 枦ＫＣ該−と 第２６図 第２７図 第２８図 第２９図 第３０図 第３Ｉ図 第３２図 第３３図 第３４図 第３５図 （ノ　　　　　　　　　　　　　（）　、＋−ノぐ ２　区 り　Ｑ ″′　呻 沫 ＩＩ′ｌ； 第４６図 第４９図 ｆＡ４’７図 第４８図 第５０図 第５１図 仲Ｋ（仄−暮 Ｕ〕 〃ス汎■几 力°スン丸量↓Ｌ ブス流ｌル 第５８１ 方゛スラｉｔ）［。 第５９図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
   と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からな
   る表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光
   受容層とを有しており、前記第１の層中に於けるゲルマ
   ニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であり、且つ
   前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導
   性を支配する物質が含有され、該物質が含有されている
   層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不均一
   であると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、
   窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含有する
   事を特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
   一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
4. （４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。
9. （９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
10. （１０）前記凸部は、機械的加工によって形成された特
    許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。