JPS6129846A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒａ−ＳｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のａ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１Ｑ１２Ωｃｍ以−ヒの暗抵抗の確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ−Ｓｉ系光受容部材はその商
品化設計トの許容度に於いて、或いは製造りの管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｏと一ヒ部界面１０２で反射した反射光Ｒ３
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入入 として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ 原基で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ−ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悲影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材１−に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００００Ａの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−５ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Ｓｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｔ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の
表面でその一部が反射ｙれて反射光Ｒ，となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ、となる。

透過光Ｉ、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、、に２．に３・・・φとな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出用光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防ＩＩ
−する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加さぜると
、光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解
像度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２。

第２層での反射光Ｈ１、支持体４０１面での正反射光Ｒ
３の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって
干渉縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材に
おいては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、
干渉縞を完全に防Ｉｌ二することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ、＝ｍλまた
は２ｎｄｌ＝（ｍ子局）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｃｉ、
　　ｌ　ｄ２　＋　ｄ３　＋　ｄ４の夫々一層があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を
提供することにある。

〔発明のＳ要〕

本発明の光受容部材は、支持体と；シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材ネ′Ｉで構成され光導
電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含
む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設け
られた多層構成の光受容層と；を有し、前記光受容層が
ショートレンジ内に１対以トの非平行な界面を有し、該
非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方
向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向において各
々なめらかに連結している光受容部材において、前記第
１の層中におけるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方
向に不均一であり、目一つ前記第１の層及び第２の層の
少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有され、該
物質が含有されている層領域において該物質の分布状態
が層厚方向に不均一であることを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において、装置の要求解像力よりも微小でなめら
かな凹凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸
の傾斜面に沿って多層構成の光受容層を有する。該光受
容層は第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層
６０２の層厚ｄ、からｄ６と連続的に変化している為に
、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有してい
る。

従って、この微小部分（ショートレンジ）見に入射した
可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７゜４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向がＶいに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入用光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄｅ）でも同様にいえる為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。に対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３，Ｒ１，Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面化１−げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ交（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄ５−ｄｒ、）は、照射光の波
長を入とすると、 であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が、 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。　この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有す
る。この様な構造の一例を第９図に示す。第９図におい
てＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、
Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効ｌ　ソ 果的に達成出来る様に設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ　　３　ｉＲは、
層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｊ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

１−記した層堆積」−の問題点、電子写真法のプロセス
上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結
果、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００ｇ
ｍ　〜０．３ＪＬｍ、より好ましくは２００ＪＬｍ−１
ｇｍ、最適には５０ｇｍ　〜５ｇｍであるのが望ましい
。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．ＩＩｉ、ｍ−５
ｐＬ 最適には０．６ｐＬｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。

支持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、隣接する四部と凸部の各々の極小値点と極大値
点とを結ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、
より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜ｌＯ度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体−Ｊ＝に堆積される各層の層厚の不
均一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは
Ｏ．ｌＩＬｍ〜２ＩＬｍ、より好ましくは０、１ｐｍ”
１．５ｐｍ、最適には０．２ｇｍ〜Ｉｇｍとされるのが
望ましい。

本発明の光受容部刹における光受容層はシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含
む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設け
られた多層構成となっているため、極めて優れた電気的
、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特
性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、珪つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
■一つ光応答がＶい。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層ｔｏｏｏを有す
る。

光受容層１０００は、支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを含有し必要に応じて水素原子
及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む非晶質
材料（以後ｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する）
で構成された第１の層（Ｇ）１００２と必要に応じて水
素原子及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む
ａ−５ｔ（以後ｒａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊ　と略記する）
で構成され光導電性を有する第２の層（Ｓ）１００３と
、表面層１００５とが順に積層された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の！（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体１００１の設けられである側と
は反対の側（光受容層１０００の表面層１００５側）の
方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状
態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有され
る。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層ＣＧ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間におけ
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部にお
いてゲルマニウム原子の分ｍＷ度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防Ｉ卜することが出
来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

尚、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなるため、極端な
形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解さ
れたい。　実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れるべく、所望される分布濃度線が得られるように、ｔ
、（ｉ≦ｉ≦８）又はＣ，（１≦ｉ≦２０）の値を選ぶ
か、あるいは分布カーブ全体に適当な係数を掛だものを
とるべきである。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ−
ｒに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
ｔ−ｒにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３
とされる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ−ｒに至る
まで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ−ｒに
おいて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までｌオ、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて１分布濃度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於いては、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔｎと位置し３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔＴに於いては濃度ＣＩＯとされ
る。位置ｔ３と位置ｔ−ｒとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ、より位置ｔ−ｒまでは濃度Ｃ１２より濃度ＣＩ３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ＥＢより位置ｔ−ｒ
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ
４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より濃
度ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位置し５と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ１＆の一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置
し６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置上６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置し７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１゜となり、位置ｔ７と位置上〇との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２Ｑに至る。

位置ｔ８と位置を丁との間においては濃度Ｃ２０より実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
の含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔ１側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
る。

本発明における受容部材を構成する光受容層を構成する
第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている局
在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ＩＬ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
　より５川厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌ、）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１ｏｏｏａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、より好適には
５０００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ
０’　ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上とされる様な分布状
態となり得るように層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層は、支持体側からの層厚で５川以内（ｔＢか
ら５ＪＬ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存
在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％
、より好適には５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には
５〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有皺としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ１０５　ａｔ。

ｍｉＱ　　ｐｐｍ、より好ましくはｌＯＯ〜８×１０５
１０５ａｔｏ　　ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ１０５
ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましいものであ
る。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０人〜５０終、より好ましくは、４０Ａ〜４０ル、
最適には、５０Ａ〜３０舊とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０終、より好ましくは１〜８０川最適には２〜５０１１
．とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ＩＬ、より好
適には１〜８０ＩＬ、最適には２〜５０ルとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ　Ｂ
／Ｔ≦１なる関係を満足する様に、夫々に対して適宜適
切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは Ｔ　　／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なり る関係が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定
されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量が１×１０５１０５ａｔｏ　
　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０−以下、より好ましくは２５＃１．以下、最適には２
０＃Ｌ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例
えば、グロー放電法によって、ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）　で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る
層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構
成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの二
枚を使用して、又はＳｔとＧｅの混合されたターゲット
を使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素原
子（）（）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，５ｔ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ
、５ｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点で５ｆＨ４，５ｉ２Ｔ（６が好ましいものとし
て挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２　Ｈ６，Ｇｅ３　Ｈ，、Ｇｅ４Ｈ、０，Ｇ　
ｅ　ｓ　Ｈｌ　２　、　Ｇ　ｅ　６ＨＩ　４　、　Ｇ　
ｅ　ｙＨ（６、Ｇ　ｅＢ　ＨＨＢ　、　Ｇｅｇ　Ｈ２ｏ
等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ
Ｈ４、Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢが好ましいものとし
て挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＪＩＩＦ。

ＣｌＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３、ＩＦ３．ＩＦ、、ＩＣ
１、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２　Ｆ６．Ｓｉ０文４、Ｓ　ｉ　Ｂ　ｒ４
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅ
から成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体−ヒに第１の層（Ｇ）を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原
子を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（Ｇ
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二
枚を、或いはＳｆとＧｅから成るターゲットを使用して
、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロン
ビーム法（ＨＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事
が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中に／＼ロゲン原子を導入
するには、前記のノ＼ロゲン化合物又は前記のハロゲン
原子を含むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである
。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ノ＼ロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いは／＼ロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン
化水素、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ見
２．５ｉＨＣ文３、ＳｉＨ，Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等ノ
／＼ロゲン置換水素化ケイ素、及びＧｅＨＦ３．ＧｅＨ
，、Ｆ２、ＧｅＢ３　　Ｆ、　　ＧｅＨＣｌ３　　、　
　ＧｅＢ２　　Ｃ見２、ＧｅＢ３　Ｃ１、ＧｅＨＢｒ３
　　、　　ＧｅＢ２　　Ｂ　　ｒ２　　、ＧｅＢ３　　
Ｂｒ、　　ＧｅＨＩ３　　、　　ＧｅＢ２　Ｉ　２　、
ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４　
、ＧｅＣ１，、ＧｅＢｒ４、Ｇｅ　Ｉ４．ＧｅＦ２　、
ＧｅＣ１，、ＧｅＢ　ｒ２゜Ｇｅ　Ｉ２　等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙
げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２、或いはＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２　Ｈ６、
Ｓｉ３　ＨＢ、５ｆ４ＨＩｏ等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ、
、Ｈ，。、Ｇｅ５Ｈ，２，Ｇｅ６Ｈ，４，Ｇｅ、Ｈ，６
，ＧｅＢＨ，Ｂ　、Ｇｅｇ　Ｆ２゜等の水素化ゲルマニ
ウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合物
と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又は／＼ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは０．０１〜
４０ａｔｏｍｉ　ｃ％、より好適には０．０５〜３０ａ
ｔｏｍｉ、ｃ％、最適にはｏ、ｔ〜２５ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ）を
形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが
出来る。

即ち、本発明において、ａ−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例え１ｆＡ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを
スパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材１００４においては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

本発明においては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に含有されてもよく、物質（Ｃ）が含有される層の一部
の層領域に偏在する様に含有されていてもよい。

しかし、いずれの場合においても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）において、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。

つまり、例えば、第１の層ＣＧ）の全層領域に前記物質
（Ｃ）を含有させるのであれば、第１の層（Ｇ）の支持
体側の方に多く分布する様に前記物質（Ｃ）が第１の層
（Ｇ）中に含有される。

この様に、層領域（ＰＮ）において、前記物質（Ｃ）の
層厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との
接触界面での光学的、電気的接合を良好にすることがで
きる。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層ＣＧ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１のＪ！　（Ｇ）と第２の層（Ｓ）
とに於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その
含有量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中に含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）に対して、ｐ
型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与え
るｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ４（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｕ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５ＸＩＯ４ａｔ　ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、より
好適には０．５〜ＩＸＩＯ４ａｔｏｍｉｃ　　ＰＰｍ、
最適には、１〜５×１０３１０３ａｔｏ　　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
好ましくは３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、より好適には
５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、最適には１００１０
０ａｔｏ　　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支
持体側からの光受容層中への電子注入を効果的に阻Ｉ］
ニすることが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前
記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がθ極
性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容中への正
孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

」二記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（Ｐ
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を
有する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）
に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは、０．００１〜１００１０００ａｔ　　ｐｐｍ、
より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ
、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
ｙせた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成′して、空
乏層を設けることが出来る。

第２７図乃至第３５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚
、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値で
示すと各々の図の違いが明確でなでなくなるため、極端
な形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解
されたい。実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れる可く所望される分＊濃度線が得られる様に、ｔ、（
１≦ｉ≦９）又はＣ，（１≦ｉ≦１７）の＋　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１値を選ぶか、あるいは分布カーブ全体に適当な係数を
掛だものをとるべきである。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＰＮ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を、ｔｌは
支持体側とは反対側の層領域（Ｐ　Ｎ）の端面の位置を
示す。即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）は
ｔＢ側よりｔ−ｒ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＮ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２７図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される層
領域（ＰＮ）が形成される表面と該層領域（ＰＮ）の表
面とが接する界面位置ｔｎよりｔ、の位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成される層領域（ＰＮ）に含有され、位置ｔ
１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ１に至る まで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ１にお
いては物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる（
ここでは実質的に零とは検出限界量床満の場合である）
。

第２８図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ−ｒに至るまで濃
度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃
度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ｃ５と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔ−ｒとの間において、徐々に連続的に減少
され、位ＭｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ。に至るまで、濃度Ｃ６より初め連続的に
徐々に減少され１１位置ｔ３よりは、急速に連続的に減
少されて位置ｔ１において実質的に零とされている。

第３１図に示す例に於いては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置ｔ４との間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置Ｅ□に於いては濃度Ｃは零とされる
。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔ１までは濃度Ｃ９より濃度ＣＩＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第３３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ、に
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ＋　より
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第３４図においては、位置ｔｎより位置ｔ６に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ
３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置計〇との
間においては、濃度ＣＩ３の一定値とされた例が示され
ている。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位ＷｔＢにおいて濃度 ＣＩ４であり、位置ｔ７に至るまではこの濃度ＣＩ４よ
り初めはゆっくりと減少され、ｔ７の位置付近において
は、急激に減少されて位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる
。

位置ｔ７と位置ｔ６との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置計８
で濃度Ｃ１６となり、位置計〇と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度ＣＩ７に至る
。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度ＣＩ７ より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（ＰＮ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が層領域（ＰＮ）に設けられているのが望ましい。

本発明における受容部材を構成する光受容層を構成する
層領域（ＰＮ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
に物質（Ｃ）が比較的高濃度で含有されている局在領域
（Ｂ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔｎより
５Ｊｊ、以内に設けられているのが望ましいものである
。

本発明に於ては、Ｌ記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔＢ
より５１Ｌ厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、たとえば第■族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有Ｘれた層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質あるいは第■族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成するための他の出発物質と
共に導入してやればよい。この様な第■族原子導入用の
出発物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状態
の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが好ましい。その様な第■族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては
、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＩ　Ｏ、Ｂ５Ｈ９・ＢＳＨＩＩ・Ｂ
６　ＨＩ　Ｏ・Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素
、ＢＦ３　、ＢＣ１３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣｌ３．Ｇａ
　（ＣＨ３）３．ＩｎＣｌ３．ＴｌＣｌ３等も挙げるこ
とができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３．ＰＦ５　、
ＰＣ１３、ＰＣＩ５　。

ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ３等ノハロゲン化燐が挙げら
れる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３　、ＡｓＣｌ３．Ａ
ｓＢｒ３、ＡｓＦ５．５ｂＩ（３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５
．ＳｂＣ＋３，５ｂＣ１５，５ｉ）１３　、Ｓ　ｉｃ　
１３　、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることができる。

第１０図に示される光受容部材１００４においては、第
２の層１００３上に形成される表面層１００５は自由表
面を有し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的耐圧性
、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性において本
発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子（Ｓ　
ｉ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後ｒａ−（ＳｉＣ＋）ｘ　　　　　　−ｘｙ （Ｈ９Ｘ）１　　」と記す。但し、Ｏ＜Ｘ、ｙ≦　ｙ ｌ）で構成される。

ａ　（Ｓｉ　Ｃ＋　）　（Ｈ，Ｘ）＋　”ｔ’Ｘ　　　
−Ｘ　　ｙ−ｙ 構成される表面層１００５の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光受容部材を製造
するための作製条件の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する表
面層１００５中に導入するのが容易に行える等の利点か
らグロー放電法或はスパッターリング法が好適に採用さ
れる。更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッ
ターリング法とを同一装置系内で併用して表面層１００
５を形成してもよい。

グロー放電法によって表面層１００５を形成するには。

ａ−（Ｓｉ　　　　ＣＨ）　　　　　（Ｈ，Ｘ）＋　　
　　　。

ｘ　　　−ｘｙ 形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体−Ｌに形成されで
ある層上に ａ−（Ｓｉ　　Ｃ＋　　　）　　　（１（、Ｘ）＋　　
。

ｘ　　　　　−ｘｙ を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣ１） ｘ　　　　　−ｘｙ （Ｈ，Ｘ）＋　　　形成用の原料ガスとしては、シ　ｙ リコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）
、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中ノ一つトシテ、ｓＩを構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えば、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及び
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｔを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス
又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガス
とを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｔとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて１表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

Ｃ１，Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｃ１が望ましいもので
ある。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓ　ｉ２　Ｈｂ　＊　Ｓ　１３ＨＢ、５
ｉ４Ｈ１，等のシラ７（ＳｉＪｌｊａｎｅ）類等の水素
化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば、炭素
数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭
化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲ
ン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン
化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げ
る事ができる。具体的には、飽和炭化水素としてはメタ
ン（ＣＨ４）、エタン（ＣＺ　Ｈ６）　、プロパン（Ｃ
３Ｈａ）、ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃ４ＨＩＯ）、ペンタン
（Ｃｓ　Ｈ＋　２　）　、エチレン炭化水素としては、
エチレン（Ｃ２Ｈ４）　、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブ
テン−１（Ｃ４Ｈｅ）、ブテン−２（Ｃ４）（８）、　
イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）　、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ
２）　、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４
）Ｈ６）、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のノ＼ロゲンガス、ハロゲン化水素としては、
ＦＨ，Ｈｌ、ＨＣＭ、ＨＢｒ、ハロゲン間化合物として
は、ＢｒＦ、ＣＩＦ、ＣｌＦ３．ＣｌＦ５．ＢｒＦ５　
、ＢｒＦ３　、ＩＦ７　、ＩＦ５．ＩＣＪＬ、ＩＢｒ、
ハロゲン化硅素としては、ＳｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６　．５
ｉＣｕ３Ｂｒ、５ｉＣｕ２Ｂｒ２　．５ｉＣｕＢｒ３．
５ｉＣＪＪ３　Ｉ　、ＳｉＢｒ４．ハロゲン置換水素化
硅素としては、ＳｉＨ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｃ文、、５ｉＨ
Ｃ文３，５ｉＨ３Ｃ見、５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、
５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢ　ｒ３．水素化硅素としては
、ＳｉＨ４。

Ｓｉ２　Ｈ６，５ｔ３Ｈ８，５ｉ４Ｈ１゜等のシラン（
ＳｉＱａｎｅ）類、等々を挙げることができる。

これ等の他にＣＦ４．ＣＣＪＩ、、ＣＢｒ４　、ＣＨＦ
３　、ＣＨ２Ｆ２　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３０文　、ＣＨ
３Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ、Ｃ２Ｈ３ＯＭ等ノハロゲン置換パラ
フィン系炭化水素、ＳＦ、、ＳＦ６等のフッ素化硫黄化
合物、Ｓ　ｉ　（ＣＨ３）　４　、　Ｓ　ｉ（Ｃ２Ｈ５
）４等のケイ化アルキルや５ｉＣＪ１（ＣＨ３）３　　
、ＳｉＣ見２　　（ＣＨ３）　２　、　Ｓ　１ＣＪｌ１
３　ＣＩ（３等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラ
ン誘導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される
様に、表面層１００５の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳ　
ｉ　（ＣＨ３）ａと、ハロゲン原子を含有させるものと
しての５ｉＨＣＪ１３．５ｉＨ２Ｃ交２　　、ＳｉＣ見
４、或いは、５ｉＨ３Ｃ見等を所定の混合比にして、ガ
ス状態で表面層１００５形成用の装置内に導入してグロ
ー放電を生起させることによッテａ　−（Ｓ　ｉ　　Ｃ
＋　　　）　　（Ｃｌ＋ｘ　　　　　−ｘ Ｈ）、　　から成る表面層１００５を形成するこ−ｙ とができる。

スパッターリング法によって表面層１００５を形成する
には、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェー
ハー又はＳｔとＣが混合されて含有されているウェーハ
ーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲン
原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々のガ
ス雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば
良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては、先述したグロー放電の例で示した
表面層１００５形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等が
好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓ
ＸＸＣ＋　　　）　　　ＣＨ，Ｘ）＋−が形成される様
に、−ｘ　　　　ｙ　　　　　　　　　　　　　　　　
ｙ所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。

例えば、表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設けるには、 ａ−（Ｓｔ　　（ｇ　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　　。

ｘ　　　　　　−ｘｙ は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００５が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料として ａ　−（Ｓｉ　　Ｃ１）　　　（Ｈ＋Ｘ）ｔ　　。

ｘ　　　　　　−ｘｙ が作成がされる。

第２の層表面に ａ−（Ｓｉ　　ＣＩ　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　−ｙｘ
　　　　　　−ｘｙ から成る表面層１００５を形成する際、層形成中の支持
体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要
な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性を
有する ａ　−（Ｓｉ　　ＣＩ　　）　　　（Ｈ＋Ｘ）　１−ｙ
ｘ　　　　　　−ｘｙ が所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００５の形成が実行されるが好ましく
は、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００℃とされるのが望ましいものであ
る。表面層１００５の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて、比
較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッタ
ーリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で
表面層１００５を形成する場合には前記の支持体温度と
同様に層形成の際の放電パワーが作成される ａ　　（Ｓ　ｉＣｒ　　　）　　　（Ｈ９ｘ）　ｔ　　
ｙｘ　　　　　　−ｘｙ の特性を左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有する ａ−（Ｓｉ　ＣＩ　　）　　（Ｈ９ｘ）Ｉ−アｘ　　　
　　　−ｘｙ が生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件
としては好ましくは１０〜１００ＯＷ、より好適には２
０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくは０．０ｌ−ＩＴ。

ｒｒ、より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
の ａ　　（Ｓ　ｉＣＨ）　　　（Ｈ＊　Ｘ　）　１ｙｘ　
　　　　　−ｘｙ から成る表面層１００５が形成される様に相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面！１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉＣ１） ｘ　　　　　−ｘｙ （Ｈ，Ｘ）＋　　　で示される非晶質材料は、大別　ｙ すると、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質
材料（以後、ｒａ−３ｉＣＩＪと記ａ　　　　　−ａ す。但し、０＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓｉ
　　Ｃ８）　　Ｉ（＋　　　Ｊと記す。

ｂ　　　　　−ｂｅ　　　　　−ｃ 但し、ｏ＜ｂ、ｃａｌ）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、　　ｒａ　　（Ｓ　ｉ　ｄＣ＋　　　）
　　　（Ｈ，Ｘ）ｔ　　　］と記す。但し０−ｄ　　　
　ｅ　　　　　　　　　　　　　−ｅ＜ｄ、ｅ＜１）、
に分類される。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−３ｉａＣ亀　　
で構成される場合、表面層１００５に含　ａ 有される炭素原子の量は好ましくは、ｌＸｌ０−３〜９
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０　ａ　ｔ　ｏ
　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には１０〜７５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましものである。　即ち、先のａ−３ｉ　
　（，１のａの表示で行えば、ａ　　　　　　−ａ ａが好ましくは０．１〜０．９９９９９、より好適には
０．２〜０．９９、最適には、０．２５〜０．９である
。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−（ＳｉｂＣｓ　
　　）　　Ｈ＋　　　で構成される場合、表面層ｂｅ　
　　　　−ｃ １００５に含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸ
ｌ０−３〜９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされ、より好まし
くは、１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原
子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ
％、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｆｃ％、最適には
５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲に水素含有量がある場合に形成される光受容部材
は、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得る
。

即ち、先のａ−（Ｓｉ　　Ｃ＋　　５）。Ｈ，−８の表
示で行なえばｂが好ましくは、０．１〜０゜９９９９９
、より好適には、０．１〜０．９９、最適には、０．１
５〜０．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９、より
好適には０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜０．９
５であるのが望ましい。

表面層１００５が、ａ−（ＳｉＣ１） ｄ　　　−ｄｅ （Ｈ、Ｘ）　＋　　　で構成される場合には、表面層　
ｅ １００５中に含有される炭素原子の含有量としては、好
ましくは、ｌＸｌ０−３〜９０ａｔ　ｏｍｉＣ％、より
好適には、１〜９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には１０
〜８０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが望まし
いものである。ハロゲン原子の含有量としては、好まし
くは、１〜２０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望まし
く、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作
成される光受容部材を実際面に充分適用させ得るもので
ある。必要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には
１３ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％以下とされるのが望ましいもの
である。

即ち、先のａ−（ＳｉＣ＋） ｄ　　　−ｄｅ （Ｈ，Ｘ）＋　　　のｄ、ｅの表示で行なえば、　ｅ ｄが好ましくは、Ｏ，ｌ−０，９９９９９、より好適に
は、０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、ｅ
が好ましくは、０．８〜０．９９、より好適には０．８
２〜０．９９、最適には　０．８５〜０．９８であるの
が望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１の層、第２の層の層厚との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０用、好適には０．００４〜２０１
Ｌ、最適には、０．００５ＮｌＯ川とされるのが望まし
いものである。

表面層１００５には、とりわけ、機械的耐久性に対する
保護層としての働き、及び光学的には反射防止層として
の働きを主に荷わせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防止層と
しての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ９層厚をｄ、入射光
の波長をλとすると、 のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。又、第２の層の屈折率をｎ　とした
場合、表面層の屈折率ｎがｎ＝（ｎ）展 を満し、且つ表面層の層厚ｄが 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−Ｓｉ：Ｈを第２の層として用いる場合
、ａ−３ｉ：Ｈの屈折率は、約３゜３であるので、表面
層としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−
ＳｉＣ：ＨはＣの量を調整することにより、このような
値の屈折率とすることかでき、かつ機械的耐久性、層間
の密着性及び電気的特性も十分に満足させることができ
るので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層１００５を反射防止層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２１
１．ｍとされるのがより望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＪＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ　
ｕ　、　Ｎ　ｂ　、　Ｔ　ａ　、　Ｖ　、　Ｔ　ｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＪＪ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＪ
Ｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３　＋５ｎ０２　）等
から成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、
或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、ＮｉＣｒ、ＡＭ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。

支持体の形状としては１円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは１ＯＩＬ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、２００２〜２００６．２０４５のガスボンベには
１本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが密封
されており、その−例として例えば２００２は、ＳｉＨ
４ガス（純度９９．９９９％、以下　ＳｉＨ４と略す）
ボンベ、２００３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％
、以下　ＧｅＨ４と略す）ボンベ、２００４はＳｉＦ４
ガス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ４と略す）ボンベ
、２００５はＨ２で希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９
．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す）ボンベ、２０
０６はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、２０４
５はＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスポ
ンベ２００２〜２００６．２０４５のバルブ２０２２〜
２０２６．２０４４、リークバルブ２０３５が閉じられ
ていることを確認し、また流入バルブ２０１２〜２０１
６．２０４３、流出バルブ２０１７〜２０２１．２０４
１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれていること
を確認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて反応室
２００１、及び各ガス配管内を排気する。　次に真空計
２０３６７）読みが約５ＸＩＯ−６Ｔｏｒｒになった時
点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バルブ２０１
７〜２０２１．２０４１を閉じる。

次に、シリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガス
ポンベ２００５よりＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス、２００６より
Ｈ２ガスをバルブ２０２２．２０２３．２０２５．２０
２６を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０３
０．２０３１の圧をＩ　Ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ　２に調整
し、流入バルブ２０１２．２０１３．２０１５．２０１
６を徐々に開けて、マスフロコントローラ２００７．２
００８．２０１０．２０１１内に夫々流入させる。引続
いて流出バルブ２０１７．２０１８．２０２０．２０２
１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開いて夫々
のガスを反応室２００１に流入させる。このときのＳｉ
Ｈ４ガス流量、ＧｅＨ，ガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス
流量、Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出バ
ルブ２０１７．２０１８．２０２０．２０２１を調整し
、また、反応室２００１内の圧力が所望の値になるよう
に真空計２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０３
４の開口を調整する。　そして、基体２０３７の温度が
加熱ヒーター２０３８により５０〜４００’Ｏの範囲の
温度に設定されていることを確認した後、電源２０４０
を所望の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電
を生起させ、同時にあらかじめ設計されたガス変化率曲
線に従ってＧｅＨ４ガスの流量及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス
の流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によって
バルブ２０１８．２０２０の開口を漸次変化させる操作
を行って形成される層中に含有される硼素原子の分布濃
度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階において、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層ＣＧ）上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ
）を形成することができる。

又、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、流
出バルブ２０２０を適宜開閉することで硼素を含有させ
たり、含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領
域にだけ硼素を含有させることもできる。

上記の第２の層（Ｓ）を形成した後、マスフロコントロ
ーラー２００７と２０４２を所定の流量比に設定する以
外は同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放電を
維持することで、第２の層（Ｓ）上にシリコン原子と炭
素原子から主に構成される表面層を所望層厚に形成する
ことができる。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第９図に示される形状（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ
）８０ｍｍ、ピッチ（Ｐ）２５ｇｍ、深さくＤ）０．８
ＩＬｍの螺旋溝表面形状）のＡｌ支持体を作製した。

次に、第２０図の堆積装置を使用し、第７表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、前述のＡＩ支持体トに
ａ−３ｔ光受容層を堆積した（試料ｐｉｏ、１−１）。

なお、第１層は、ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４、Ｂ２Ｈ６／　
Ｈ２の各ガスの流量を第２２図及び第３６図のようにな
るように、マスフロコントローラー２００７．２００８
．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により
制御して形成した。

尚、表面層の堆積は次の様にして行なわれた。

第２層の堆積後、第７表に示す様に、ＣＨ４ガス流量が
Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量に対して流ｉ比がＳｉＨ４／ＣＨ
４＝１／３０となる様に各ガスに対応するマスフロコン
トローラーを設定し、高周波電力１５　ｏｗテｏ　、　
５　ＩＬｍ厚のａ−ＳｉＣ（Ｈ）を堆積した。

別に同一の表面性の円筒状Ａｌ支持体−Ｌに、第１層及
び第２層形成時の放電電力をいづれも５゜Ｗとした以外
は一上記の場合と同様にして、光受容層を形成したとこ
ろ、第２１図（Ａ）に示す様に表面層２１０５の表面は
支持体２１０１の表面に対して平行になっていた。　こ
の場合、Ａｌ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差
はｌｐｍであった（試料Ｎｏ、１−２）。

また、前記試料Ｎｏ、１−１の場合には第２１図（Ｂ）
の様に表面層２１０５の表面と支持体２１０１の表面と
は非平行であった。この場合、Ａｌ支持体の中央と両端
部とでの平均層厚の層厚差は２延ｍであった。

以−ヒ２種類の電子写真用の光受容部材について、波長
７８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ｐｍで第
２６図に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。第２１図（Ａ）に示す表面性の光受
容部材では干渉縞模様が観察された。

一方、第２１図（Ｂ）に示す表面性を有する光受容部材
では干渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特
性を示すものが得られた。

実施例２ 実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合と同様にして第２層
まで堆積した後、水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（
Ａｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソ
ード電極−ＬにＳｉからなるスパッタリング用ターゲッ
トとグラファイトからなるスパッタリング用ターゲット
とを面積比が第１表試料Ｎｏ　、ｌｏｔに示す如くにな
る様に一面に張る。前記光受容部材を設置し、堆積装置
内を拡散ポンプで十分に減圧する。その後アルゴンガス
を０．０１５Ｔｏｒｒまで導入し高周波電力１５０Ｗで
グロー放電を起して表面材料をスパッタリングして前記
支持体上に第１表試料Ｎｏ、１０１の表面層を堆積した
。

同様にして、Ｓｉとグラファイトのターゲットの面積比
を変えて、表面層を第１表試料Ｎｏ、１０２〜１０７に
示される様に形成する以外は上記と同様の方法で光受容
部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第１表の如き結果を得た。

実施例３ 表面層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの流量比を
変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は実施例１の試料Ｎｏ、１−１の
場合と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の
夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第２表の如き結果を得た。

実施例４ 表面層の形成時、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４ガス、ＣＨ４
ガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコン原子と
炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１の試料
Ｎｏ、ｌ−１の場合と全く同様な方法によって電子写真
用光受容部材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第３表の如き結果を得た。

実施例５ 表面層の層厚を変える以外は実施例１の試料Ｎｏ、１−
１の場合と全く同様な方法によって電子写真用光受容部
材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様に、作像、現像、クリーニングの工程を
繰り返し、第４表の如き結果を得た。

実施例６ 表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２＃Ｌｍとする以外は実施例１の試料Ｎ０、ｌ−１の場
合と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材を作
製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の平均
層厚差は中央と両端で０．５１万ｍであった。　　また
、微小部分での層厚差は０　、１　ＪＬｍであった。

この様な電子写真用光受容部材では干渉縞は観察されず
、また実施例１と同様な装置で作像、現像、クリーニン
グの工程を繰り返し行ったが、実用に十分なものであっ
た。

実施例７ シリンダー状ＡｆＬ支持体の表面を旋盤で、第５表のよ
うに加工した。これ等（シリンダＮｏ、１０１〜１０８
）の円筒状のＡｔ支持体−ヒに、実施例１の試料Ｎｏ、
１−１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を
作製した（試料Ｎｏ、１１１〜１１８）。このときの電
子写真用光受容部材のＡｌ支持体の中央と両端部での平
均層厚の差は２．２＃Ｌ、ｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子類微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
６表の様な結果を得た。これらの光受容部材について実
施例１と同様に第２６図の装置で波長７８０ｎｍの半導
体レーザーを使い。

スポット径８０ｐＬｍで画像露光を行ったところ、第６
表の結果を得た。

実施例８ 第７表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，Ｓ　ｉＨ４、Ｂ２Ｈ６／　
Ｈ２の各ガスの流量を第２３図及び第３７図のようにな
るように、マスフロコントローラー２００７．２００８
．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により
制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

９に の場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であった。　また、初期の画像と
ｌＯ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画
像であった。

実施例９ 第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６／　Ｈ
２の各ガスの流量を第２４図及び第３８図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。　また、初期の画像
と１０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の
画像であった。

実施例１０ 第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，Ｓ　ｉＨ４，Ｂ２Ｈ６／Ｈ
２の各ガスの流量を第２５図及び第３９図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。　また、初期の画像
と１０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の
画像であった。

実施例１１ 第９表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４，Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ２
Ｈ６／Ｈ２の各ガスの流量を第４０図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８．２０
１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
て形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像霧光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙−Ｌに可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。　また、初期の画像
とｌＯ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の
画像であった。

実施例１２ 第１０表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４，Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ２
Ｈ＆／Ｈ２の各ガスの流量を第４１図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８．２０
１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
て形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスをｌＯ万回連続繰返し行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。　また、初期の画像
と１０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の
画像であった。

実施例１３ 第１１表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ２
Ｈ６／Ｈ２の各ガスの流量を第４２図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８．２０
１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
て形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスをｌＯ万回連続繰返し行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。　また、初期の画像
と１０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の
画像であった。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡｔ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡｔ支持体の表面を粗面化したＡｔ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と全く同様の方法でａ−３ｉ電子写真用光受容部材を
作製した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
ｔ支持体の表面ｔ８については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８ｇｍであることが判
明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
２６図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］ 以−１−１詳細に説明した様に、本発明によれば、可干
渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易で
あり、目、つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現
像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することが
でき、しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性、及び光受容
特性に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 Ｃ’Ｊ −第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干
渉縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図は支持体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明するための説明図である。 第２０図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第２１図は、実施例で作製した光受容部材の構造図であ
る。 第２２図から第２５図及び第３６図から第４２図までは
、実施例におけるガス流量の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置である。 第２７図から第３５図は、層領域（ＰＮ）における物質
（Ｃ）の分布状態を説明するための説明図である。 １０００・・・・・・・・・光受容層 １００１・・・・・・・・・Ａｎ支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層 １００３・・・・・・・・・第２の層 １００４・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・表面層 ２６０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６
０２・・・・・・・・・半導体レーザー２６０３・・・
・・・・・・ｆθレンズ２６０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２６０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図２６０６・・・・・・・・・露光装置の側面図。 特開昭Ｇ１−２９８４６（３１） 箪　３　図 笥　４　図 第７図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ） Ｒ イｆＬ　置 Ａ＾１ 寸 ○ ○ 第　ＩＩ　　図 Ｃ 第　１２　　図 し ！　　１３　　図 第１４　　図 第　ｌダ　図 し 第７６図 ＩＩ　２２図 ＭＭ（引 笛２３図 第２６図 ９２７　　図 第２８図 第２９　　図 箪父図 ＠　３１図 ＠３２図 Ｃ 第　３３図 Ｃ 第３４図 第３５図 −一一伽Ｃ 第３６図 第　３７図 ０　　　　　　２０　　　　　　ＱＣ）　　　　　　５
（Ｊｌ　３８図 第３９　図

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
   含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
   を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
   、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる
   表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
   容層と；を有し、前記光受容層がショートレンジ内に１
   対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方
   向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非
   平行な界面が配列方向において各々なめらかに連結して
   いる光受容部材において、前記第１の層中におけるゲル
   マニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であり、且
   つ前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性
   を支配する物質が含有され、該物質が含有されている層
   領域において該物質の分布状態が層厚方向に不均一であ
   ることを特徴とする、光受容部材。
2. （２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
4. （４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
   、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。
6. （６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
   て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
   容部材。
7. （７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
8. （８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
   いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第７項に記載の
   光受容部材。
9. （９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
   範囲第８項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受
    容部材。
11. （１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
    載の光受容部材。
12. （１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
    求の範囲第５項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
    の範囲第１２項に記載の光受容部材。
14. （１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
    載の光受容部材。
15. （１５）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
    方に水素原子が含有されている、特許請求の範囲第１項
    に記載の光受容部材。
16. （１６）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
    方にハロゲン原子が含有されている、特許請求の範囲第
    １項又は第１５項に記載の光受容部材。
17. （１７）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
    部材。
18. （１８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。