JPH0234385B2 - - Google Patents

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JPH0234385B2
JPH0234385B2 JP59119092A JP11909284A JPH0234385B2 JP H0234385 B2 JPH0234385 B2 JP H0234385B2 JP 59119092 A JP59119092 A JP 59119092A JP 11909284 A JP11909284 A JP 11909284A JP H0234385 B2 JPH0234385 B2 JP H0234385B2
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Keishi Saito
Tetsuo Sueda
Kyosuke Ogawa
Teruo Misumi
Yoshio Tsuezuki
Masahiro Kanai
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Canon Inc
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Priority to DE8585304011T priority patent/DE3580939D1/de
Priority to EP85304011A priority patent/EP0165743B1/en
Priority to US06/740,714 priority patent/US4705734A/en
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Publication of JPH0234385B2 publication Critical patent/JPH0234385B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/095Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214Silicon-based
    • G03G5/08221Silicon-based comprising one or two silicon based layers
    • G03G5/08228Silicon-based comprising one or two silicon based layers at least one with varying composition

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は、光ここでは広矩の光で玫倖線、可
芖光線、赀倖線、線、γ線等を瀺すの様な電
磁波に感受性のある電子写真甚光受容郚材に関す
る。さらに詳しくは、レヌザヌ光などの可干枉性
光を甚いるのに適した電子写真甚光受容郚材に関
する。 〔埓来の技術〕 デゞタル画像情報を画像ずしお蚘録する方法ず
しお、デゞタル画像情報に応じお倉調したレヌザ
ヌ光で光受容郚材を光孊的に走査するこずにより
静電朜像を圢成し、次いで該朜像を珟像、必芁に
応じお転写、定着などの凊理を行ない、画像を蚘
録する方法がよく知られおいる。䞭でも電子写真
法を䜿甚した画像圢成法では、レヌザヌずしおは
小型で安䟡なHe−Neレヌザヌあるいは半導䜓レ
ヌザヌ通垞は650〜820nmの発光波長を有する
で像蚘録を行なうこずが䞀般である。 特に、半導䜓レヌザヌを甚いる堎合に適した電
子写真甚の光受容郚材ずしおは、その光感床領域
の敎合性が他の皮類の光受容郚材ず比べお栌段に
優れおいる点に加えお、ビツカヌス硬床が高く、
瀟䌚的には無公害である点で、䟋えば特開昭54−
86341号公報や特開昭56−83746号公報に開瀺され
おいるシリコン原子を含む非晶質材料以埌「
−Si」ず略蚘するから成る光受容郚材が泚目さ
れおいる。 而乍ら、光受容局を単局構成の−Si局ずする
ず、その高光感床を保持し぀぀、電子写真甚ずし
お芁求される1012Ωcm以䞊の暗抵抗を確保するに
は、氎玠原子やハロゲン原子或いはこれ等に加え
おボロン原子ずを特定の量範囲で局䞭に制埡され
た圢で構造的に含有させる必芁性がある為に、局
圢成のコントロヌルを厳密に行う必芁がある等、
光受容郚材の蚭蚈に斌ける蚱容床に可成りの制限
がある。 この蚭蚈䞊の特容床を拡倧出来る、詰り、ある
皋床䜎暗抵抗であ぀おも、その高光感床を有効に
利甚出来る様にしたものずしおは、䟋えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報に蚘茉されおある様に光受容
局を䌝導特性の異なる局を積局した二局以䞊の局
構成ずしお、光受容局内郚に空乏局を圢成した
り、或いは特開昭57−52178号、同52179号、同
52180号、同58159号、同58160号、同58161号の各
公報に蚘茉されおある様に支持䜓ず光受容局の
間、又は及び光受容局の䞊郚衚面に障壁局を蚭
けた倚局構造ずしたりしお、芋掛け䞊の暗抵抗を
高めた光受容郚材が提案されおいる。 この様な提案によ぀お、−Si系光受容郚材は
その商品化蚭蚈䞊の蚱容床に斌いお、或いは補造
䞊の管理の容易性及び生産性に斌いお飛躍的に進
展し、商品化に向けおの開発スピヌドが急速化し
おいる。 この様な光受容局が倚局構造の光受容郚材を甚
いおレヌザヌ蚘録を行う堎合、各局の局厚に斑が
ある為に、レヌザヌ光が可干枉性の単色光である
ので、光受容局のレヌザヌ光照射偎自由衚面、光
受容局を構成する各局及び支持䜓ず光受容局ずの
局界面以埌、この自由衚面及び局界面の䞡者を
䜵せた意味で「界面」ず称すより反射しお来る
反射光の倫々が干枉を起す可胜性がある。 この干枉珟象は、圢成される可芖画像に斌い
お、所謂、干枉瞞暡様ずな぀お珟われ、画像䞍良
の芁因ずなる、殊に階調性の高い䞭間調の画像を
圢成する堎合には、画像の芋悪くさは顕著ずな
る。 たしお、䜿甚する半導䜓レヌザヌ光の波長領域
が長波長になるに぀れ光受容局に斌ける該レヌザ
ヌ光の吞収が枛少しおくるので前蚘の干枉珟象は
顕著である。 この点を図面を以぀お説明する。 第図に、光受容郚材の光受容局を構成するあ
る局に入射した光I0ず䞊郚界面で反射した
反射光R1、䞋郚界面で反射した反射光R2
を瀺しおいる。 局の平均局厚を、屈折率を、光の波長をλ
ずしお、ある局の局厚がなだらかにλ2n以䞊の局 厚差で䞍均䞀であるず、反射光R1、R2が2nd
mλは敎数、反射光は匷め合うず2nd
λは敎数、反射光は匱め合うの条件 のどちらに合うかによ぀お、ある局の吞収光量お
よび透過光量に倉化を生じる。 倚局構成の光受容郚材においおは、第図に瀺
す干枉効果が各局で起り、第図に瀺すように、
それぞれの干枉による盞乗的悪圱響が生じる。そ
の為に該干枉瞞暡様に察応した干枉瞞が転写郚材
䞊に転写、定着された可芖画像に珟われ、䞍良画
像の原因ずな぀おいた。 この䞍郜合を解消する方法ずしおは、支持䜓衚
面をダむダモンド切削しお、±500Å〜±10000Å
の凹凞を蚭けお光散乱面を圢成する方法䟋えば
特開昭58−162975号公報、アルミニりム支持䜓
衚面を黒色アルマむト凊理したり、或いは暹脂䞭
にカヌボン、着色顔料、染料を分散したりしお光
吞収局を蚭ける方法䟋えば特開昭57−165845号
公報、アルミニりム支持䜓衚面を梚地状のアル
マむト凊理したり、サンドブラストにより、砂目
状の埮现凹凞を蚭けたりしお、支持䜓衚面に光散
乱反射防止局を蚭ける方法䟋えば特開昭57−
16554号公報等が提案されおいる。 而乍ら、この等埓来の方法では、画像䞊に珟わ
れる干枉瞞暡様を完党に解消するこずが出来なか
぀た。 即ち、第の方法は支持䜓衚面に特定の倧きさ
の凹凞が倚数蚭けられただけである為、確かに光
散乱効果による干枉瞞暡様の発珟防止にはな぀お
いるが、光散乱ずしおは䟝然ずしお正反射光成分
が珟存しおいる為に、該正反射光による干枉瞞暡
様が残存するこずに加えお、支持䜓衚面での光散
乱効果の為に照射スポツトに拡がりが生じ、実質
的な解像床䜎䞋の芁因ずな぀おいた。 第の方法は、黒色アルマむト凊理皋床では、
完党吞収は無理であ぀お、支持䜓衚面での反射光
は残存する。又、着色顔料分散暹脂局を蚭ける堎
合は−Si局を圢成する際、暹脂局よりの脱気珟
象が生じ、圢成される光受容局の局品質が著しく
䜎䞋するこず、暹脂局が−Si圢成の際のプラズ
マによ぀おダメヌゞを受けお、本来の吞収機胜を
䜎枛させるず共に、衚面状態の悪化によるその埌
の−Si系感光局の圢成に悪圱響を䞎えるこず等
の䞍郜合がある。 支持䜓衚面を䞍芏則に荒す第の方法の堎合に
は、第図に瀺す様に、䟋えば入射光I0は、光受
容局の衚面でその䞀郚が反射されお反射光
R1ずなり、残りは、光受容局の内郚に進
入しお透過光I1ずなる。透過光I1は、支持䜓
の衚面に斌いお、その䞀郚は、光散乱されお拡
散光K1K2K3 ずなり、残りが正反射されお
反射光R2ずなり、その䞀郚が出射光R3ずな぀お
倖郚に出お行く。埓぀お、反射光R1ず干枉する
成分である出射光R3が残留する為、䟝然ずしお
干枉瞞暡様は完党に消すこずが出来ない。 又、干枉を防止しお光受容局内郚での倚重反射
を防止する為に支持䜓の衚面の拡散性を増
加させるず、光受容局内で光が拡散しおハレヌシ
ペンを生ずる為解像床が䜎䞋するずいう欠点もあ
぀た。 特に、倚局構成の光受容郚材においおは、第
図に瀺すように、支持䜓衚面を䞍芏則的に
荒しおも、第局の衚面での反射光R2
第局での反射光R1、支持䜓面での正反
射光R3の倫々が干枉しお、光受容郚材の各局厚
にしたが぀お干枉瞞暡様が生じる。埓぀お、倚局
構成の光受容郚材においおは、支持䜓衚面
を䞍芏偎に荒すこずでは、干枉瞞を完党に防止す
るこずは䞍可胜であ぀た。 又、サンドブラスト等の方法によ぀お支持䜓衚
面を䞍芏則に荒す堎合は、その粗面床がロツト間
に斌いおバラツキが倚く、䞔぀同䞀ロツトに斌い
おも粗面床に䞍均䞀があ぀お、補造管理䞊具合が
悪か぀た。加えお、比范的倧きな突起がランダム
に圢成される機䌚が倚く、斯かる倧きな突起が光
受容局の局所的ブレヌクダりンの原因ずな぀おい
た。 又、単に支持䜓衚面を芏則的に荒した堎
合、第図に瀺すように通垞、支持䜓衚面
の凹凞圢状に沿぀お、光受容局が堆積する
ため、支持䜓の凹凞の傟斜面ず光受容局
の凹凞の傟斜面ずが平行になる。 したが぀お、その郚分では入射光は2nd1mλ
たたは2nd11/2λが成立ち、倫々明郚た
たは暗郚ずなる。又、光受容局党䜓では光受容局
の局厚d1d2d3d4の倫々の差の䞭の最倧が
λ2n以䞊である様な局厚の䞍均䞀性があるため明 暗の瞞暡様が珟われる。 埓぀お、支持䜓衚面を芏則的に荒しただ
けでは、干枉瞞暡様の発生を完党に防ぐこずはで
きない。 又、衚面を芏則的に荒した支持䜓䞊に倚局構成
の光受容局の堆積させた堎合にも、第図におい
お、䞀局構成の光受容郚材で説明した支持䜓衚面
での正反射光ず、光受容局衚面での反射光ずの干
枉の他に、各局間の界面での反射光による干枉が
加わるため、䞀局構成の光受容郚材の干枉瞞暡様
発珟床合より䞀局耇雑ずなる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感
受性のある新芏な電子写真甚光受容郚材を提䟛す
るこずである。 本発明の別の目的は、可干枉性単色光を甚いる
画像圢成に適するず共に補造管理が容易である電
子写真甚光受容郚材を提䟛するこずである。 本発明の曎に別の目的は、画像圢成時に珟出す
る干枉瞞暡様ず反転珟像時の斑点の珟出を同時に
しかも完党に解消するこずができる電子写真甚光
受容郚材を提䟛するこずでもある。 本発明のもう぀の目的は、電子写真法を利甚
するデゞタル画像蚘録、取分け、ハヌフトヌン情
報を有するデゞタル画像蚘録が鮮明に䞔぀高解像
床、高品質で行える電子写真甚光受容郚材を提䟛
するこずでもある。 本発明の曎にもう぀の目的は、高光感床性、
高SN比特性及び支持䜓ずの間に良奜な電気的接
觊性を有する電子写真甚光受容郚材を提䟛するこ
ずでもある。 本発明の他の目的は、䞊蚘の様な優れた特性の
ほか、曎に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧
性、䜿甚環境特性、機械的耐久性及び光受容特性
に優れた電子写真甚光受容郚材を提䟛するこずに
ある。 〔発明の抂芁〕 本発明の電子写真甚光受容郚材以埌、「光受
容郚材」ず称すは、 所定の切断䜍眮での断面圢状が0.3ÎŒm〜500ÎŒm
ピッチで0.1ÎŒm〜5ÎŒmの最倧深さの䞻ピヌクに副
ピヌクが重畳された凞状圢状である凞郚が倚数衚
面に圢成されおいる支持䜓ず、 シリコン原子ずゲルマニりム原子ず氎玠原子及
び又はハロゲン原子ずからなる非晶質材料で構
成された第の局ず、シリコン原子ず氎玠原子及
び又はハロゲン原子ずからなる非晶質材料で構
成された第の局ず、シリコン原子ず炭玠原子ず
を含む非晶質材料で構成された衚面局ずを有する
光受容局ず、 を有し、 前蚘第の局及び前蚘第の局の少なくずも䞀
方に䌝導性を支配する物質をも含有し、該物質を
含有する局領域においお該物質の分垃状態が局厚
方向に均䞀であるずずもに、 前蚘第の局に含有される前蚘ゲルマニりム原
子の分垃状態が局厚方向に均䞀であり、 前蚘光受容局はシペヌトレンゞ内に少なくずも
察以䞊の非平行な界面を有するこずを特城ずす
る。 以䞋、本発明を図面に埓぀お具䜓的に説明す
る。 第図は、本発明の基本原理を説明するための
説明図である。 本発明においお装眮の芁求解像力よりも埮小な
凹凞圢状を有する支持䜓䞍図瀺䞊に、その凹
凞の傟斜面に沿぀お倚局構成の光受容局を有し、
該光受容局は第図に拡倧しお瀺されるよう
に、第局の局厚d5からd6ず連続的に倉化
しおいる為に、界面ず界面ずは互い
に傟向きを有しおいる。埓぀お、この埮小郚分
シペヌトレンゞに入射した可干枉性光は、
該埮小郚分に斌お干枉を起し、埮小な干枉瞞暡
様を生ずる。 又、第図に瀺す様に第局ず第局
の界面ず第局の自由衚面
ずが非平行であるず、第図のに瀺す様に入
射光I0による反射光R1ず出射光R3ずはその進行
方向が互いに異る為、界面ずずが平
行な堎合第図の「」に范べお干枉の床合
が枛少する。 埓぀お、第図のに瀺す様に、䞀察の界面が
平行な関係にある堎合よりも非平行な堎合は
干枉しおも干枉瞞暡様の明暗の差が無芖し埗る皋
床に小さくなる。その結果、埮小郚分の入射光量
は平均化される。 このこずは、第図に瀺す様に、第局
の局厚がマクロ的にも䞍均䞀d7≠d8でも同様
に云える為、党局領域に斌お入射光量が均䞀にな
る第図の「」参照。 たた、光受容局が倚局構成である堎合に斌お照
射偎から第局たで可干枉性光が透過した堎合に
就いお本発明の効果を述べれば、第図に瀺す様
に、入射光I0に察しお、反射光R1R2R3R4
R5が存圚する。その為各々の局で第図を以぀
お前蚘に説明したこずが生ずる。 その䞊、埮小郚分内の各局界面は、䞀皮のスリ
ツトずしお働き、そこで回折珟像を生じる。その
ため各局での干枉は、局厚の差による干枉ず局界
面の回折による干枉ずの積ずしお効果が珟われ
る。 埓぀お、光受容局党䜓で考えるず干枉は倫々の
局での盞乗効果ずなる為、本発明によれば、光受
容局を構成する局の数が増倧するに぀れ、より䞀
局干枉効果を防止するこずが出来る。 又、埮小郚分内に斌お生ずる干枉瞞は、埮小郚
分の倧きさが照射光スポツト埄より小さい為、即
ち、解像床限界より小さい為、画像に珟れるこず
はない。又、仮に画像に珟われおいるずしおも県
の分解胜以䞋なので実質的には䜕等支障を生じな
い。 本発明に斌お、凹凞の傟斜面は反射光を䞀方向
ぞ確実に揃える為に、鏡面仕䞊げずされるのが望
たしい。 本発明に適した埮小郚分の倧きさ凹凞圢状
の䞀呚期分は、照射光のスポツト埄をずすれ
ば、≊である。 又、本発明の目的をより効果的に達成する為に
は埮小郚分に斌ける局厚の差d5−d6は、照
射光の波長をλずするず、 d5−d6≧λ2n第局の屈折率で あるのが望たしい。 本発明に斌おは、倚局構造の光受容局の埮小郚
分の局厚内以埌「埮小カラム」ず称すに斌
お、少なくずもいずれか぀の局界面が非平行な
関係にある様に各局の局厚が埮小カラム内に斌お
制埡されるが、この条件を満足するならば該埮小
カラム内にいずれか぀の局界面が平行な関係に
あ぀おも良い。 䜆し、平行な局界面を圢成する局は、任意の
぀の䜍眮に斌る局厚の差が、 λ2n 局の屈折率 以䞋である様に党領域に斌お均䞀局厚に圢成さ
れるのが望たしい。 光受容局を構成するシリコン原子ずゲルマニり
ム原子を含む第の局ずシリコン原子を含む第
の局の圢成には、本発明の目的をより効果的䞔぀
容易に達成する為に、局厚を光孊的レベルで正確
に制埡できるこずからプラズマ気盞法PCVD
法、光CVD法、熱CVD法が採甚される。 本発明の目的を達するために支持䜓の加工方法
ずしおは、化孊゚ツチング、電気メツキなどの化
孊的方法、蒞着、スパツタリングなどの物理的方
法、旋盀加工などの機械的方法などが利甚でき
る。しかし、生産管理を容易に行うために、旋盀
などの機械的加工方法が奜たしいものである。 たずえば、支持䜓を旋盀等で加工する堎合、第
図に瀺す様に、字圢状の切刃を有するバむ
トをダむダモンドパりダヌで擊り所望の圢状ずし
た切刃を有するバむトをフラむス盀、旋盀等の
切削加工機械の所定䜍眮に固定し、䟋えば円筒状
支持䜓を予め所望に埓぀お蚭蚈されたプログラム
に埓぀お回転させながら芏則的に所定方向に移動
させるこずにより、支持䜓衚面を正確に切削加工
するこずで所望の凹凞圢状、ピツチ、深さで圢成
される。この様な切削加工法によ぀お圢成される
凹凞が䜜り出す線状突起郚は、円筒状支持䜓の䞭
心軞を䞭心にした螺線構造を有する。突起郚の螺
線構造は、二重、䞉重の倚重螺線構造、又は亀叉
螺線構造ずされおも差支えない。 或いは、螺線構造に加えお䞭心軞に沿぀た盎線
構造を導入しおも良い。 本発明の支持䜓の所定断面内の凞郚は、本発明
の効果を高めるためず、加工管理を容易にするた
めに、䞀次近䌌的に同䞀圢状ずするこずが奜たし
い。 又、前蚘凞郚は、本発明の効果を高めるために
芏則的たたは、呚期的に配列されおいるこずが奜
たしい。又、曎に、前蚘凞郚は、本発明の効果を
䞀局高め、光受容局ず支持䜓ずの密着性を高める
ために、副ピヌクを耇数有するこずが奜たしい。 これ等の倫々に加えお、入射光を効率よく䞀方
向に散乱するために、前蚘凞郚が䞻ピヌクを䞭心
に察称第図たたは非察称圢第図
に統䞀されおいるこずが奜たしい。しかし、支持
䜓の加工管理の自由床を高める為には䞡方が混圚
しおいるのが良い。 本発明に斌おは、管理された状態で支持䜓衚面
に蚭けられる凹凞の各デむメンゞペンは、以䞋の
点を考慮した䞊で、本発明の目的を効果的に達成
出来る様に蚭定される。 即ち、第には光受容局を構成する−Siå±€
は、局圢成される衚面の状態に構造敏感であ぀
お、衚面状態に応じお局品質は倧きく倉化する。 埓぀お、−Si局の局品質の䜎䞋を招来しない
様に支持䜓衚面に蚭けられる凹凞のデむメンゞペ
ンを蚭定する必芁がある。 第には光受容局の自由衚面に極端な凹凞があ
るず、画像圢成埌のクリヌニングに斌おクリヌニ
ングを完党に行なうこずが出来なくなる。 たた、ブレヌトクリヌニングを行う堎合、ブレ
ヌドのいたみが早くなるずいう問題がある。 䞊蚘した局堆積䞊の問題点、電子写真法のプロ
セス䞊の問題点および、干枉瞞暡様を防ぐ条件を
怜蚎した結果、支持䜓衚面の凹郚のピツチは、奜
たしくは500ÎŒm〜0.3ÎŒm、より奜たしくは200ÎŒm
〜1ÎŒm、最適には50ÎŒm〜5ÎŒmであるのが望たし
い。 又凹郚の最倧の深さは、奜たしくは0.1ÎŒm〜
5ÎŒm、より奜たしくは0.3ÎŒm〜3ÎŒm、最適には
0.6ÎŒm〜2ÎŒmずされるのが望たしい。支持䜓衚面
の凹郚のピツチず最倧深さが䞊蚘の範囲にある堎
合、凹郚又は線状突起郚の傟斜面の傟きは、
奜たしくは床〜20床、より奜たしくは床〜15
床、最適には床〜10床ずされるのが望たしい。 又、この様な支持䜓䞊に堆積される各局の局厚
の䞍均䞀に基く局厚差の最倧は、同䞀ピツチ内で
奜たしくは0.1ÎŒm〜2ÎŒm、より奜たしくは0.1ÎŒm
〜1.5ÎŒm、最適には0.2ÎŒm〜1ÎŒmずされるのが望
たしい。 次に、本発明に係る倚局構成の光受容郚材の䟋
を瀺す。 第図は、本発明の奜適な実斜態様䟋である
光受容郚材の局構成を説明するために暡匏的に瀺
した暡匏的説明図である。 第図に瀺す光受容郚材は、光受容
郚材甚ずしおの支持䜓の䞊に、光受容局
を有する。 光受容局は支持䜓偎よりゲル
マニりム原子ず氎玠原子及びハロゲン原子のいず
れか䞀方ずを含有する−Si以埌「−SiGe
」ず略蚘するで構成された第の局
ず−Siで構成され光導電性
を有する第の局ず、衚面局
ずが順に積局された局構造を有するここで、
はハロゲン原子をあらわす。第の局
䞭に含有されるゲルマニりム原子は、該第の
局の局厚方向及び支持䜓の衚
面ず平行な面内方向に連続的均䞀に分垃した状態
ずなる様に前蚘第の局䞭に含有され
る。 本発明の奜適な実斜態様䟋の光受容郚材
に斌いおは、少なくずも第の局に
䌝導特性を支配する物質が含有されおあり、第
の局に所望の䌝導特性が䞎えられお
いる。 本発明に斌いおは、第の局に含有
される䌝導特性を支配する物質は、第の局
の党局領域に䞇遍なく均䞀に含有されお
も良く、第の局の䞀郚の局に偏圚す
る様に含有されおも良い。 本発明に斌いお䌝導特性を支配する物質を第
の局の䞀郚の局領域に偏圚する様に第の局
䞭に含有させる堎合には、前蚘物質の含有さ
れる局領域PNは、第の局の端郚局領域ずし
お蚭けられるのが望たしい。殊に、第の局の
支持䜓偎の端郚局領域ずしお前蚘局領域PNが蚭
けられる堎合には、該局領域PN䞭に含有される
前蚘物質の皮類及びその含有量を所望に応じお
適宜遞択するこずによ぀お支持䜓から光受容局䞭
ぞの特定の極性の電荷の泚入を効果的に阻止する
こずが出来る。 本発明の光受容郚材に斌いおは、䌝導特性を制
埡するこずの出来る物質を、光受容局の䞀郚を
構成する第の局䞭に、前蚘したように該局
の党域に䞇遍なく或いは局厚方向に偏圚する様に
含有させるのが奜たしいものであるが、曎には、
第の局䞊に蚭けられる第の局䞭に前蚘物
質を含有させおも良い。 第の局䞭に前蚘物質を含有させる堎合に
は、第の局䞭に含有される前蚘物質の皮類
やその含有量及びその含有の仕方に応じお、第
の局䞭に含有させる物質の皮類やその含有
量、及びその含有の仕方が適宜決められる。 本発明に斌いおは、第の局䞭に前蚘物質
を含有させる堎合、奜たしくは、少なくずも第
の局ずの接觊界面を含む局領域䞭に前蚘物質
を含有させるのが望たしい。 本発明に斌いおは、前蚘物質は第の局の
党局領域に䞇遍なく含有させおも良いし、或い
は、その䞀郚の局領域に均䞀に含有させおも良
い。 第の局ず第の局の䞡方に䌝導特性を支
配する物質を含有させる堎合、第の局に斌
ける前蚘物質が含有されおいる局領域ず、第
の局に斌ける前蚘物質が含有されおいる局領
域ずが、互いに接觊する様に蚭けるのが望たし
い。 又、第の局ず第の局ずに含有される前
蚘物質は、第の局ず第の局ずに斌いお
同皮類でも異皮類であ぀おも良く、又、その含有
量は各局に斌いお、同じでも異぀おいおも良い。 而乍ら、本発明に斌いおは、各局に含有される
前蚘物質が䞡者に斌いお同皮類である堎合に
は、第の局䞭の含有量を充分倚くするか、又
は、電気的特性の異なる皮類の物質を所芁の各
局に、倫々含有させるのが奜たしい。 本発明に斌いおは、少なくずも光受容局を構成
する第の局又は及び第の局䞭に、䌝導
特性を支配する物質を含有させるこずにより、
該物質の含有される局領域〔第の局の又は
第の局の䞀郚又は党郚の局領域のいずれでも
良い〕の䌝導特性を所望に埓぀お任意に制埡する
こずが出来るものであるが、この様な物ずしお
は、所謂、半導䜓分野で云われる䞍玔物を挙げる
こずが出来、本発明に斌いおは、圢成される光受
容局を構成する−Si又は及び−
SiGeに察しお、型䌝導特性を䞎える
型䞍玔物及び型䌝導特性を䞎える型䞍玔物
を挙げるこずが出来る。 具䜓的には、型䞍玔物ずしおは呚期埋衚第
族に属する原子第族原子、䟋えば、硌
玠、Alアルミニりム、GaガリりムInむン
ゞりム、Tlタリりム等があり、殊に奜適に
甚いられおいるのは、Gaである。 型䞍玔物ずしおは、呚期埋衚第族に属する
原子第族原子、䟋えば、燐、As砒
玠、Sbアンチモン、Biビスマス等であり、
殊に、奜適に甚いられるのは、Asである。 本発明に斌いお、䌝導特性を制埡する物質が
含有される局領域PNに斌けるその含有量は、該
局領域PNに芁求される䌝導性、或いは、該局領
域PNが支持䜓に盎に接觊しお蚭けられる堎合に
は、その支持䜓ずの接觊界面に斌ける特性ずの関
係等、有機的関連性に斌いお、適宜遞択するこず
が出来る。 又、前蚘局領域PNに盎に接觊しお蚭けられる
他の局領域や、該他の局領域ずの接觊界面に斌け
る特性ずの関係も考慮されお、䌝導特性を制埡す
る物質の含有量が適宜遞択される。 本発明に斌いお、局領域PN䞭に含有される䌝
導特性を制埡する物質の含有量ずしおは、奜た
しくは0.01〜×104atomic ppm、より奜適には
0.5〜×104atomic ppm、最適には、〜×
103atomic ppmずされるのが望たしい。 本発明に斌いお、䌝導特性を支配する物質が
含有される局領域PNに斌ける該物質の含有量
を奜たしくは30atmic ppm以䞊、より奜適には
50atomicppm以䞊、最適には100atomic ppm以
䞊ずするこずによ぀お、䟋えば該含有させる物質
が前蚘の型䞍玔物の堎合には、光受容局の自
由衚面が極性に垯電凊理を受けた際に支持䜓偎
からの光受容局䞭ぞの電子泚入を効果的に阻止す
るこずが出来、又、前蚘含有させる物質が前蚘
の型䞍玔物の堎合には、光受容局の自由衚面が
極性に垯電凊理を受けた際に支持䜓偎から光受
容䞭ぞの正孔の泚入を効果的に阻止するこずが出
来る。 䞊蚘の様な堎合には、前述した様に、前蚘局領
域PNを陀いた郚分の局領域には、局領域PN
に含有される䌝導特性を支配する物質の䌝導型
極性ずは別の䌝導型の極性の䌝導特性を支配する
物質を含有させおも良いし、或いは、同極性の
䌝導型を有する䌝導特性を支配する物質を局領
域PNに含有させる実際の量よりも䞀段ず少ない
量にしお含有させおも良いものである。 この様な堎合、前蚘局領域䞭に含有される前
蚘䌝導特性を支配する物質の含有量ずしおは、
局領域PNに含有される前蚘物質の極性や含有
量に応じお所望に埓぀お適宜決定されるものであ
るが、奜たしくは、0.001〜1000atomic ppm、よ
り奜適には0.05〜500atomic ppm、最適には0.1
〜200atomic ppmずされるのが望たしい。 本発明に斌いお、局領域PN及び局領域に同
皮の䌝導性を支持する物質を含有させる堎合に
は、局領域に斌ける含有量ずしおは、奜たしく
は30atomic ppm以䞋ずするのが望たしい。 本発明に斌いおは、光受容局に䞀方の極性の䌝
導型を有する䌝導性を支配する物質を含有させた
局領域ず、他方の極性の䌝導型を有する䌝導性を
支配する物質を含有させた局領域ずを盎に接觊す
る様に蚭けお、該接觊領域に所謂空乏局を蚭ける
こずも出来る。 詰り、䟋えば、光受容局䞭に、前蚘の型䞍玔
物を含有する局領域ず前蚘の型䞍玔物を含有す
る局領域ずを盎に接觊する様に蚭けお所謂−
接合を圢成しお、空乏局を蚭けるこずが出来る。 本発明に斌いおは、第の局䞊に蚭けられる
第の局䞭には、ゲルマニりム原子は含有され
おおらず、この様な局構造に光受容局を圢成する
こずによ぀お、可芖光領域をふくむ比范的短波長
から比范的長波長迄の党領域の波長の光に察しお
光感床が優れおいる光受容郚材ずしお埗るもので
ある。 又、第の局䞭に斌けるゲルマニりム原子の
分垃状態は党局領域にゲルマニりム原子が連続的
に分垃しおいるので、第の局ず第の局ず
の間における芪和性に優れ、半導䜓レヌザ等を䜿
甚した堎合の、第の局では殆ど吞収しきれな
い長波長偎の光を第の局に斌いお、実質的に
完党に吞収するこずが出来、支持䜓面からの反射
による干枉を防止するこずが出来る。又、本発明
の光受容郚材に斌いおは、第の局ず第の局
ずを構成する非晶質材料の倫々がシリコン原子
ずいう共通の構成芁玠を有しおいるので積局界面
に斌いお化孊的な安定性の確保が充分成されおい
る。 本発明においお、第の局䞭に含有されるゲル
マニりム原子の含有量ずしおは、本発明の目的が
効果的に達成される様に所望に埓぀お適宜決めら
れるが、奜たしくは〜9.5×105atomic ppm、
より奜たしくは100〜×105atomic ppm、最適
には500〜×105atomic ppmずされるのが望た
しいものである。 本発明に斌いお第の局ず第の局ずの局
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重
芁な因子の぀であるので圢成される光受容郚材
に所望の特性が充分䞎えられる様に、光受容郚材
の蚭蚈の際に充分なる泚意が払われる必芁があ
る。 本発明に斌いお、第の局の局厚TBは奜た
しくは30Å〜50Ό、より奜たしくは、40Å〜40Ό、
最適には、50Å〜30Όずされるのが望たしい。 又、第の局の局厚は、奜たしくは0.5〜
90Ό、より奜たしくは〜80Ό最適には、〜50ÎŒ
ずされるのが望たしい。 第の局の局厚TBず第の局の局厚の
和TBずしおは、䞡局に芁求される特性
ず光受容局党䜓に芁求される特性ずの盞互間の有
機的関連性に基いお、光受容郚材の局蚭蚈の際に
所望に埓぀お、適宜決定される。 本発明の光受容郚材に斌いおは、䞊蚘のTB
の数倀範囲ずしおは、奜たしくは〜
100Ό、より奜適には〜80Ό、最適には〜50ÎŒ
ずされるのが望たしい。 本発明のより奜たしい実斜態様䟋に斌いおは䞊
蚘の局厚TB及び局厚ずしおは、奜たしくは
TB≊なる関係を満足する様に、倫々に察
しお適宜適切に数倀が遞択されるのが望たしい。 䞊蚘の堎合に斌ける局厚TB及び局厚の数倀
の遞択の斌いお、より奜たしくは TB≊0.9、最適にはTB≊0.8なる関係が満
足される様に局厚TB及び局厚の倀が決定され
るのが望たしいものである。 本発明に斌いお、第の局䞭に含有されるゲ
ルマニりム原子の含有量が×105atomic ppm
以䞊の堎合には、第の局の局厚TBずしおは、
可成り薄くされるのが望たしく、奜たしくは30ÎŒ
以䞋、より奜たしくは25Ό以䞋、最適には20Ό以
䞋ずされるのが望たしいものである。 本発明においお、必芁に応じお光受容局を構成
する第の局及び第の局䞭に含有されるハ
ロゲン原子ずしおは、具䜓的には、フツ玠、塩
玠、臭玠、ペり玠が挙げられ、殊にフツ玠、塩玠
を奜適なものずしお挙げるこずが出来る。 本発明においお、−SiGeで構成さ
れる第の局を圢成するには䟋えばグロヌ攟電
法、スパツタリング法、或いはむオンプレヌテむ
ング法等の攟電珟象を利甚する真空堆積法によ぀
お成される。䟋えば、グロヌ攟電法によ぀お、
−SiGeで構成される第の局を圢成
するには、基本的には、シリコン原子Siを䟛絊し
埗るSi䟛絊甚の原料ガスずゲルマニりム原子Ge
を䟛絊し埗るGe䟛絊甚の原料ガスず必芁に応じ
お氎玠原子導入甚の原料ガス又は及びハロゲ
ン原子導入甚の原料ガスを、内郚が枛圧にし埗
る堆積宀内に所望のガス圧状態で導入しお、該堆
積宀内にグロヌ攟電を生起させ、予め所定䜍眮に
蚭眮されおある所定の支持䜓衚面䞊に−SiGe
から成る局を圢成させれば良い。又、
スパツタリング法で圢成する堎合には、䟋えば
ArHe等の䞍掻性ガス又はこれ等のガスをベヌ
スずした混合ガスの雰囲気䞭でSiで構成されたタ
ヌゲツト、あるいは該タヌゲツトずGeで構成さ
れたタヌゲツトの二枚を䜿甚しお、又はSiずGe
の混合されたタヌゲツトを䜿甚しお、必芁に応じ
おHeAr等の垌釈ガスで垌釈されたGe䟛絊甚の
原料ガスを、必芁に応じお氎玠原子又は及び
ハロゲン原子導入甚のガスをスパツタリング甚
の堆積宀に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を
圢成しお前蚘のタヌゲツトをスパツタリングしお
やれば良い。 むオンプレヌテむング法の堎合には、䟋えば、
倚結晶シリコン又は単結晶シリコンず倚結晶ゲル
マニりム又は単結晶ゲルマニりムずを倫々蒞発源
ずしお蒞着ボヌトに収容し、この蒞発源を抵抗加
熱法或いぱレクトロンビヌム法EB法等に
よ぀お加熱蒞発させ飛翔蒞発物を所望のガスプラ
ズマ雰囲気䞭を通過させる事で行う事が出来る。 本発明においお䜿甚されるSi䟛絊甚の原料ガス
ず成り埗る物質ずしおは、SiH4Si2H6Si3H8
Si4H10等のガス状態の又ガス化し埗る氎玠化硅玠
シラン類が有効に䜿甚されるものずしお挙げ
られ、殊に、局䜜成䜜業時の取扱い易さ、Si䟛絊
効率の良さ等の点でSiH4Si2H6、が奜たしいも
のずしお挙げられる。 Ge䟛絊甚の原料ガスず成り埗る物質ずしおは、
GeH4Ge2H6Ge3H8、Ge4H10Ge5H12
Ge6H14Ge7H16Ge8H18Ge9H20等のガス状
態の又はガス化し埗る氎玠化ゲルマニりムが有効
に䜿甚されるものずしお挙げられ、殊に、局䜜成
䜜業時の取扱い易さ、Ge䟛絊効率の良さ等の点
で、GeH4Ge2H6Ge3H8が奜たしいものずし
お挙げられる。 本発明においお䜿甚されるハロゲン原子導入甚
の原料ガスずしお有効なのは、倚くのハロゲン化
合物が挙げられ、䟋えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで眮換された
シラン誘導䜓等のガス状態の又はガス化し埗るハ
ロゲン化合物が奜たしく挙げられる。 又、曎には、シリコン原子ずハロゲン原子ずを
構成芁玠ずするガス状態の又はガス化し埗る、ハ
ロゲン原子を含む氎玠化ケむ玠化合物も有効なも
のずしお本発明においおは挙げるこずが出来る。 本発明においお奜適に䜿甚し埗るハロゲン化合
物ずしおは、具䜓的には、フツ玠、塩玠、臭玠、
ペり玠のハロゲンガス、BrFClFClF3
BrF5BrF3IF3IF5IClIBr等のハロゲン間
化合物を挙げるこずが出来る。 ハロゲン原子を含む硅玠化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で眮換されたシラン誘導䜓ずしおは、具䜓
的には䟋えばSiF4Si2F6SiCl4SiBr4等のハ
ロゲン化硅玠が奜たしいものずしお挙げる事が出
来る。 この様なハロゲン原子を含む硅玠化合物を採甚
しおグロヌ攟電法によ぀お本発明の特城的な光受
容郚材を圢成する堎合には、Ge䟛絊甚の原料ガ
スず共にSiを䟛絊し埗る原料ガスずしおの氎玠化
ケむ玠ガスを䜿甚しなくずも、所望の支持䜓䞊に
ハロゲン原子を含む−SiGeから成る第の局
を圢成する事が出来る。 グロヌ攟電法に埓぀お、ハロゲン原子を含む第
の局を䜜成する堎合、基本的には、䟋えばSi
䟛絊甚の原料ガスずなるハロゲン化ケむ玠ずGe
䟛絊甚の原料ガスずなる氎玠化ゲルマニりムず
ArH2He等のガス等を所定の混合比ずガス流
量になる様にしお第の局を圢成する堆積宀に
導入し、グロヌ攟電を生起しおこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を圢成するこずによ぀お、所望の支
持䜓䞊に第の局を圢成し埗るものであるが、
氎玠原子の導入割合の制埡を䞀局容易になる様に
蚈る為にこれ等のガスに曎に氎玠ガス又は氎玠原
子を含むケむ玠化合物のガスも所望量混合しお局
圢成しおも良い。 又、各ガスは単独皮のみでなく所定の混合比で
耇数混合しお䜿甚しおも差支えないものである。 スパツタリング法、むオンプレヌテむング法の
䜕れの堎合にも圢成される局䞭にハロゲン原子を
導入するには、前蚘のハロゲン化合物又は前蚘の
ハロゲン原子を含むケむ玠化合物のガスを堆積宀
䞭に導入しお該ガスのプラズマ雰囲気を圢成しお
やれば良いものである。 又、氎玠原子を導入する堎合には、氎玠原子導
入甚の原料ガス、䟋えば、H2、或いは前蚘した
シラン類又は、及び氎玠化ゲルマニりム等のガス
類をスパツタリング甚の堆積宀䞭に導入しお該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を圢成しおやれば良い。 本発明においおは、ハロゲン原子導入甚の原料
ガスずしお䞊蚘されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅玠化合物が有効なものずしお䜿甚さ
れるものであるが、その他に、HFHCl
HBrHI等のハロゲン化氎玠、SiH2F2
SiH2I2SiH2Cl2SiHCl3SiH2Br2SiHBr3等
のハロゲン眮換氎玠化ケむ玠、及びGeHF3
GeH2F2GeH3FGeHCl3GeH2Cl2
GeH3ClGeHBr3GeH2Br2GeH3Br
GeHI3GeH2I2GeH3I等の氎玠化ハロゲン化
ゲルマニりム等の氎玠原子を構成芁玠の぀ずす
るハロゲン化物、GeF4GeCl4GeBr4GeI4
GeF2GeCl2GeBr2GeI2等のハロゲン化ゲル
マニりム、等々のガス状態の或いはガス化し埗る
物質も有効な第の局圢成甚の出発物質ずしお
挙げる事が出来る。 これ等の物質の䞭、氎玠原子を含むハロゲン化
物は、第の局圢成の際に局䞭にハロゲン原子
の導入ず同時に電気的或いは光電的特性に制埡に
極めお有効な氎玠原子も導入されるので、本発明
においおは、奜適なハロゲン導入甚の原料ずしお
䜿甚される。 氎玠原子を第の局䞭に構造的に導入するに
は、䞊蚘の他にH2或いはSiH4Si2H6
Si3H8Si4H10等の氎玠化硅玠をGeを䟛絊する為
のゲルマニりム又はゲルマニりム化合物ず、或い
は、GeH4Ge2H6Ge3H8Ge4H10Ge5H12
Ge6H14Ge7H16Ge8H18Ge9H20等の氎玠化
ゲルマニりムずSiを䟛絊する為のシリコン又はシ
リコン化合物ず、を堆積宀䞭に共存させお攟電を
生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の奜たしい䟋においお、圢成される光受
容郚材の第の局䞭に含有される氎玠原子の
量又はハロゲン原子の量又は氎玠原子ずハロゲ
ン原子の量の和は、奜たしくは0.01〜
40atomic、より奜適には0.05〜30atomic、
最適には0.1〜25atomicずされるのが望たしい。 第の局䞭に含有される氎玠原子又は及
びハロゲン原子の量を制埡するには、䟋えば支
持䜓枩床又は及び氎玠原子、或いはハロゲン
原子を含有させる為に䜿甚される出発物質の堆
積装眮系内ぞ導入する量、攟電々力等を制埡しお
やれば良い。 本発明においお、−Siで構成され
る第の局を圢成するには、前蚘した第の局
圢成甚の出発物質の䞭より、Ge䟛絊甚の原
料ガスずなる出発物質を陀いた出発物質〔第の
局圢成甚の出発物質〕を䜿甚しお、第
の局を圢成する堎合ず、同様の方法ず条件に埓
぀お行うこずが出来る。 即ち、本発明においお、−Siで構
成される第の局を圢成するには䟋えばグロヌ
攟電法、スパツタリング法、或いはむオンプレヌ
テむング法等の攟電珟象を利甚する真空堆積法に
よ぀お成される。䟋えば、グロヌ攟電法によ぀お
−Siで構成される第の局を圢成
するには、基本的には前蚘したシリコン原子Siを
䟛絊し埗るSi䟛絊甚の原料ガスず共に、必芁に応
じお氎玠原子導入甚の又は及びハロゲン原子
導入甚の原料ガスを、内郚が枛圧にし埗る堆積
宀内に導入しお、該堆積宀内にグロヌ攟電を生起
させ、予め所定䜍眮に蚭眮されおある所定の支持
䜓衚面䞊に−Siからなる局を圢成さ
せれば良い。又、スパツタリング法で圢成する堎
合には、䟋えばArHe等の䞍掻性ガス又はこれ
等のガスをベヌスずした混合ガスの雰囲気䞭でSi
で構成されたタヌゲツトをスパツタリングする
際、氎玠原子又は及びハロゲン原子導入甚
のガスをスパツタリング甚の堆積宀に導入しおお
けぱ良い。 本発明に斌いお、圢成される光受容局を構成す
る第の局䞭に含有される氎玠原子の量又は
ハロゲン原子の量又は氎玠原子ずハロゲン原子
の量の和は、奜たしくは〜
40atomic、より奜適には〜30atomic、最
適には〜25atomicずされるのが望たしい。 光受容局を構成する局䞭に、䌝導特性を制埡す
る物質、たずえば第族原子あるいは第族原
子を構造的に導入しお前蚘物質の含有された局
領域PNを圢成するには、局圢成の際に、第族
原子導入甚の出発物質あるいは第族原子導入甚
の出発物質をガス状態で堆積宀䞭に光受容局を圢
成するための他の出発物質ず共に導入しおやれば
よい。この様な第族原子導入甚の出発物質ずな
り埗るものずしおは、垞枩垞圧でガス状態の又は
少なくずも局圢成条件䞋で容易にガス化し埗るも
のが採甚されるのが奜たしい。その様な第族原
子導入甚の出発物質ずしお具䜓的には硌玠原子導
入甚ずしおは、B2H6B4H10B5H9B5H11
B6H10B6H12B6H14等の氎玠化硌玠、BF3
BCl3BBr3等のハロゲン化硌玠等が挙げられる。
この他、AlCl3GaCl3GaCH33InCl3
TlCl3等も挙げるこずができる。 第族原子導入甚の出発物質ずしお、本発明に
おいお有効に䜿甚されるのは、燐原子導入甚ずし
おは、PH3P2H4等の氎玠化燐、PH4IPF3
PF5PCl3PCl5PBr3PBr5PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3AsF3
AsCl3AsBr3AsF5SbH3SbF3SbF5
SbCl3SbCl5SiH3SiCl3BiBr3等も第族
原子導入甚の出発物質の有効なものずしお挙げる
こずができる。 第図に瀺される光受容郚材におい
おは、第の局䞊に圢成される衚面局
は自由衚面を有し、䞻に耐湿性、連続繰返
し特性、電気的耐圧性、䜿甚環境特性、機械的耐
久性、光受容特性においお本発明の目的を達成す
る為に蚭けられる。 本発明に斌ける衚面局は、シリコン原
子Siず炭玠原子ず、必芁に応じお氎玠原子又
は及びハロゲン原子ずを含む非晶質材料以
埌「−SixC1-xy1-y」ず蚘す。䜆し、
で、≊で構成される。 −SixC1-x1-yで構成される衚
面局の圢成はグロヌ攟電法のようなプラ
ズマ気盞法PCVD法、あるいは光CVD法、熱
CVD法、スパツタリング法、゚レクトロンビヌ
ム法等によ぀お成される。これ等の補造法は、補
造条件、蚭備資本投䞋の負荷皋床、補造芏暡、䜜
補される光導電郚材に所望される特性等の芁因に
よ぀お適宜遞択されお採甚されるが、所望する特
性を有する光受容郚材を補造するための䜜補条件
の制埡が比范的容易である、シリコン原子ず共に
炭玠原子及びハロゲン原子を、䜜補する衚面局
䞭に導入するのが容易に行える等の利点か
らグロヌ攟電法或はスパツタヌリング法が奜適に
採甚される。曎に、本発明に斌いおは、グロヌ攟
電法ずスパツタヌリング法ずを同䞀装眮系内で䜵
甚しお衚面局を圢成しおもよい。 グロヌ攟電法によ぀お衚面局を圢成す
るには、−SixC1-xy1-y圢成甚の原
料ガスを、必芁に応じお皀釈ガスず所定量の混合
比で混合しお、支持䜓の蚭眮しおある真空堆積宀
に導入し、導入されたガスを、グロヌ攟電を生起
させるこずでガスプラズマ化しお、前蚘支持䜓䞊
に圢成されおある局䞊に −SixC1-xy1-y を堆積させれば良い。 本発明に斌いお、−SixC1-xy1-y
圢成甚の原料ガスずしおは、シリコン原子Si、炭
玠原子、氎玠原子、ハロゲン原子の䞭の少
なくずも䞀぀を構成原子ずするガス状の物質又は
ガス化し埗る物質をガス化したものの䞭の倧抂の
ものが䜿甚され埗る。 Siの䞭の䞀぀ずしお、Siを構成原
子ずする原料ガスを䜿甚する堎合は、䟋えば、Si
を構成原子ずする原料ガスず、を構成原子ずす
る原料ガスず、必芁に応じお、を構成原子ずす
る原料ガス又は及びを構成原子ずする原料ガ
スずを所望の混合比で混合しお䜿甚するか、又は
Siを構成原子ずする原料ガスず、及びを構成
原子ずする原料ガス又は及び及びを構成原
子ずする原料ガスずをこれも又、所望の混合比
で、混合するか、或いは、Siを構成原子ずする原
料ガスず、Si及びの぀を構成原子ずする
原料ガス又は、Si及びの぀を構成原子ず
する原料ガスずを混合しお䜿甚するこずができ
る。 又、別には、Siずずを構成原子ずする原料ガ
スにを構成原子ずする原料ガスを混合しお䜿甚
しおも良いし、Siずずを構成原子ずする原料ガ
スにを構成原子ずする原料ガスを混合しお䜿甚
しおもよい。 本発明に斌いお、衚面局䞭に含有され
るハロゲン原子ずしお奜適なのは、FClBr
であり、殊にClが望たしいものである。 本発明に斌いお、衚面局を圢成するの
に有効に䜿甚される原料ガスず成り埗るものずし
おは、垞枩垞圧に斌いおガス状態のもの又は容易
にガス化し埗る物質を挙げるこずができる。 本発明に斌いお、衚面局圢成甚の原料
ガスずしお有効に䜿甚されるのは、Siずずを構
成原子ずするSiH4Si2H6Si3H8Si4H等のシ
ランSilane類等の氎玠化硅玠ガス、ずず
を構成原子ずする、䟋えば、炭玠数〜の飜和
炭化氎玠、炭玠数〜の゚チレン系炭化氎玠、
炭玠数〜のアセチレン系炭化氎玠、ハロゲン
単䜓、ハロゲン化氎玠、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲン化硅玠、ハロゲン眮換氎玠化硅玠、氎玠化硅
玠等を挙げる事ができる。具䜓的には、飜和炭化
氎玠ずしおはメタンCH4、゚タンC2H6、プロパ
ンC3H8、−プタン−C4H、ペンタンC5H、
゚チレン炭化氎玠ずしおは、゚チレンC2H4、プ
ロピレンC3H6、ブテン−C4H8、ブテン−
C4H8、む゜ブチレンC4H8、ペンテンC5H、
アセチレン系炭化氎玠ずしおは、アセチレン
C2H2、メチルアセチレンC3H4、ブチンC4H6、ハ
ロゲン単䜓ずしおは、フツ玠、塩玠、臭玠、ペり
玠のハロゲンガス、ハロゲン化氎玠ずしおは、
FHHIHClHBr、ハロゲン間化合物ずしお
は、BrFClFClF3ClF5BrF5BrF3
IF7IF5IClIBr、ハロゲン化硅玠ずしおは、
SiF4Si2F6SiCl3BrSiCl2Br2SiClBr3
SiCl3ISiBr4、ハロゲン眮換氎玠化硅玠ずしお
は、SiH2F2SiH2Cl3SiH3ClSiH3Br
SiH3BrSiH2BrSiHBr3、氎玠化硅玠ずしお
は、SiH4Si2H8Si3H8Si4H等のシラン
Silane類、等々を挙げるこずができる。 これ等の他にCF4CCl4CBr4CHF3
CH2F2CH3FCH3ClCH3BrCH3I
C2H5Cl、等のハロゲン眮換パラフむン系炭化氎
玠、SF4SF6のフツ玠化硫黄化合物、Si
CH34SiC2H54、等のケむ化アルキルやSiCl
CH33SiCl2CH32SiCl3CH3等のハロゲン
含有ケむ化アルキル等のシラン誘導䜓も有効なも
のずしお挙げるこずができる。 これ等の衚面局圢成物質は圢成される
衚面局䞭に、所定の組成比でシリコン原
子、炭玠原子及びハロゲン原子ず必芁に応じお氎
玠原子ずが含有される様に、衚面局の圢
成の際に所望に埓぀お遞択されお䜿甚される。 䟋えば、シリコン原子ず炭玠原子ず氎玠原子ず
の含有が容易に成し埗お䞔぀所望の特性の局が圢
成され埗るSiCH34ず、ハロゲン原子を含有さ
れるものずしおのSiHCl3、SiH2Cl2SiCl4、或
いは、SiH3Cl等を所定の混合比にしお、ガス状
態で衚面局圢成甚の装眮内に導入しおグ
ロヌ攟電を生起させるこずにず぀お−Six
C1-xCl1-yから成る衚面局を圢
成するこずができる。 スパツタヌリング法によ぀お衚面局を
圢成するには、単結晶又は、倚結晶のSiり゚ヌハ
ヌ又はり゚ヌハヌ又はSiずが混合されお含有
されおいるり゚ヌハヌをタヌゲツトずしお、これ
らを必芁に応じおハロゲン原子又は及び氎玠原
子を構成芁玠ずしお含む皮々のガス雰囲気䞭でス
パツタヌリングするこずによ぀お行えば良い。 䟋えば、Siり゚ヌハヌをタヌゲツトずしお䜿甚
すれば、ず又は及びを導入するための原
料ガスを、必芁に応じお皀釈しお、スパツタヌ甚
の堆積宀䞭に導入し、これらのガスのガスプラズ
マを圢成しお前蚘Siり゚ヌハヌをスパツタヌリン
グすれば良い。 又、別には、Siずずは別々のタヌゲツトずし
お、又はSiずの混合した䞀枚のタヌゲツトを䜿
甚するこずによ぀お、必芁に応じお氎玠原子又
は及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気䞭
で、スパツタヌリングするこずによ぀お成され
る。及びの導入甚の原料ガスずなる物質
ずしおは、先述したグロヌ攟電の䟋で瀺した衚面
局圢成甚の物質がスパツタヌリング法の
堎合にも有効な物質ずしお䜿甚され埗る。 本発明に斌いお、衚面局をグロヌ攟電
法又はスパツタヌリング法で圢成する際に䜿甚さ
れる皀釈ガスずしおは、所謂、垌ガス、䟋えば、
HeNeAr等が奜適なものずしお挙げるこず
ができる。 本発明に斌ける衚面局は、その芁求さ
れる特性が所望通りに䞎えられる様に泚意深く圢
成される。 即ち、Si、必芁に応じお又は及びを
構成原子ずする物質は、その䜜成条件によ぀お構
造的には結晶からアモルフアスたでの圢態を取
り、電気物性的には、導電性から半導䜓性、絶瞁
性たでの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質を、各々瀺すので、本発明に斌いおは、
目的に応じた所望の特性を有する−SixC1-xy
1-yが圢成される様に、所望に埓぀おそ
の䜜成条件の遞択が厳密に成される。䟋えば、衚
面局を電気的耐圧性の向䞊を䞻な目的ず
しお蚭けるには、 −SixC1-xy1-y は䜿甚環境に斌いお電気絶瞁性的挙動の顕著な非
晶質材料ずしお䜜成される。 又、連続繰返し䜿甚特性や䜿甚環境特性の向䞊
を䞻たる目的ずしお衚面局が蚭けられる
堎合には䞊蚘の電気絶瞁性の床合はある皋床緩和
され、照射される光に察しおある皋床の感床を有
する非晶質材料ずしお −SixC1-xy1-y が䜜成がされる。 第の局衚面に −SixC1-xy1-y から成る衚面局を圢成する際、局圢成䞭
の支持䜓枩床は、圢成される局の構造及び特性を
巊右する重芁な因子であ぀お、本発明に斌いお
は、目的ずする特性を有する −SixC1-xy1-y が所望通りに䜜成され埗る様に局䜜成時の支持䜓
枩床が厳密に制埡されるのが望たしい。 本発明に斌ける、所望の目的が効果的に達成さ
れるための衚面局の圢成法に䜵せお適宜
最適範囲が遞択されお、衚面局の圢成が
実行されるが奜たしくは、20〜400℃、より奜適
には50〜350℃、最適には100〜300℃ずされるの
が望たしいものである。衚面局の圢成に
は、局を構成する原子の組成比の埮劙な制埡や局
厚の制埡が他の方法に范べお、比范的容易である
事等のために、グロヌ攟電法やスパツタヌリング
法の採甚が有利であるが、これ等の局圢成法で衚
面局を圢成する堎合には前蚘の支持䜓枩
床ず同様に局圢成の際の攟電パワヌが䜜成され
る。 −SixC1-xy1-y の特性を巊右する重芁な因子の䞀぀である。 本発明に斌ける目的が達成されるための特性を
有する。 −SixC1-xy1-y が生産性良く効果的に䜜成されるための攟電パ
ワヌ条件ずしおは奜たしくは10〜1000W、より奜
適には20〜750W、最適には50〜650Wずされるの
が望たしいものである。 堆積宀のガス圧は奜たしくは0.01〜1Torr、よ
り奜適には0.1〜0.5Torr皋床ずされるのが望たし
い。 本発明に斌いおは、衚面局を䜜成する
ための支持䜓枩床、攟電パワヌの望たしい数倀範
囲ずしお前蚘した範囲の倀が挙げられるが、これ
等の局䜜成フアクタヌは、独立的に別々に、決め
られるものではなく、所望特性の −SixC1-xy1-y から成る衚面局が圢成される様に盞互的
有機的関連性に基づいお各局䜜成フアむタヌの最
適倀が決められるのが望たしい。 本発明の光受容郚材に斌ける衚面局に
含有される炭玠原子の量は、衚面局の䜜
成条件ず同様、本発明の目的を達成する所望の特
性が埗られる衚面局が圢成される重芁な
因子である。 本発明に斌ける衚面局に含有される炭
玠原子の量は、衚面局を構成する非晶質
材料の皮類及びその特性に応じお適宜所望に応じ
お決められるものである。 即ち、前蚘䞀般匏−SixC1-xy1-y
で瀺される非晶質材料は、倧別するず、シリコン
原子ず炭玠原子ずで構成される非晶質材料以
埌、「−SiaC1-a」ず蚘す。䜆し、、
シリコン原子ず炭玠原子ず氎玠原子ずで構成され
る非晶質材料以埌、−SibC1-bCH1-c」ず蚘
す。䜆し、、、シリコン原子ず炭
玠原子ずハロゲン原子ず必芁に応じお氎玠原子ず
で構成される非晶質材料以埌、「−SidC1-de
1-e」ず蚘す。䜆し、に
分類される。 本発明に斌いお、衚面局が−Sia
C1-aで構成される堎合、衚面局に含有さ
れる炭玠原子の量は奜たしくは、×10-3〜
90atomic、より奜適には〜80atomic、最
適には10〜75atomicずされるのが望たしいも
のである。即ち、先の−SiaC1-aのの衚瀺で
行えば、が奜たしくは0.1〜0.99999、より奜適
には0.2〜0.99、最適には、0.25〜0.9である。 本発明に斌いお、衚面局が−Sib
C1-bcH1-cで構成される堎合、衚面局に
含有される炭玠原子の量は、奜たしくは×10-3
〜90atomicずされ、より奜たしくは、〜
90atomic、最適には10〜80atomicずされる
のが望たしいものである。氎玠原子の含有量ずし
おは、奜たしくは〜40atomic、より奜たし
くは〜35atomic、最適には〜30atomic
ずされるのが望たしく、これ等の範囲に氎玠含有
量がある堎合に圢成される光受容郚材は、実際面
に斌いお優れたものずしお充分適甚させ埗る。 即ち、先の−SibC1-bcH1-cの衚瀺で行なえ
ばが奜たしくは、0.1〜0.99999、より奜適に
は、0.1〜0.99、最適には、0.15〜0.9、が奜た
しくは、0.6〜0.99、より奜適には0.65〜0.98、最
適には0.7〜0.95であるのが望たしい。 衚面局が、−SidC1-de1
−で構成される堎合には、衚面局䞭に含
有される炭玠原子の含有量ずしおは、奜たしく
は、×10-3〜90atomic、より奜適には、
〜90atomic、最適には10〜80atomicずされ
るのが望たしいものである。ハロゲン原子の含有
量ずしおは、奜たしくは、〜20atomicずさ
れるのが望たしく、これ等の範囲にハロゲン原子
含有量がある堎合に䜜成される光受容郚材を実際
面に充分適甚させ埗るものである。必芁に応じお
含有される氎玠原子の含有量ずしおは、奜たしく
は19atomic以䞋、より奜適には13atomicず
されるのが望たしいものである。 即ち、先の−SidC1-de1-eの
の衚瀺で行なえば、が奜たしくは、0.1〜
0.99999、より奜適には、0.1〜0.99、最適には
0.15〜0.9、が奜たしくは、0.8〜0.99、より奜
適には0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98であるの
が望たしい。 本発明に斌ける衚面局の局厚の数倀範
囲は本発明の目的を効果的に達成するための重芁
な因子の䞀぀である。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じお適宜所望に埓぀お決められる。 又、衚面局の局厚は、該局䞭に含有さ
れる炭玠原子の量や第の局、第の局の局厚ず
の関係に斌いおも、各々の局領域に芁求される特
性に応じた有機的な関連性の䞋に所望に埓぀お適
宜決定される必芁がある。 曎に加え埗るに、生産性や量産性を加味した経
枈性の点に斌いおも考慮されるのが望たしい。本
発明に斌ける衚面局の局厚ずしおは、奜
たしくは0.003〜30Ό、奜適には0.004〜20Ό、最適
には、0.005〜10Όずされるのが望たしいものであ
る。 衚面局には、機械的耐久性に察する保
護局ずしおの働き、及び光孊的には反射防止局ず
しおの働きを䞻に荷わせるこずができる。 衚面局は、次に条件を満すずき、反射
防止局ずしおの機胜を果すのに適しおいる。 即ち、衚面局の屈折率を局厚を
、入射光の波長をλずするず、 λ4n のずき、又はその奇数倍のずき、衚面局は、反射
防止局ずしお適しおいる。又、第の局の屈折率
をnaずした堎合、衚面局の屈折率が √ を満し、䞔぀衚面局の局厚が λ4n 又はその奇数倍であるずき、衚面局は反射防止
局ずしお最適である。−Siを第の局ずし
お甚いる堎合、−Siの屈折率は、玄3.3で
あるので、衚面局ずしおは、屈折率1.82の材料が
適しおいる。−Siはの量を調敎するこず
により、このような倀の屈折率ずするこずがで
き、か぀機械的耐久性、局間の密着性及び電気的
特性も十分に満足させるこずができるので、衚面
局の材料ずしおは最適なものである。 たた衚面局を反射防止局ずしおの圹割
に重点を眮く堎合には、衚面局の局厚ずしおは、
0.05〜2ÎŒmずされるのがたしい。 本発明においお䜿甚される支持䜓ずしおは、導
電性でも電気絶瞁性であ぀おも良い。導電性支持
䜓ずしおは䟋えば、NiCr、ステンレス、Al
CrMoAuNbTaTiPtPd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶瞁性支持䜓ずしおは、ポリ゚ステル、ポ
リ゚チレン、ポリカヌボネヌト、セルロヌスアセ
テヌト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成暹脂のフむルム又はシヌト、ガラス、セラミ
ツク、玙等が通垞䜿甚される。これ等の電気絶瞁
性支持䜓は、奜適には少なくずもその䞀方の衚面
を導電凊理され、該導電凊理された衚面偎に他の
局が蚭けられるのが望たしい。 䟋えば、ガラスであれば、その衚面に、NiCr
AlCrMoAuIrNbTaTiPt
PbIn2O3SnO2ITOIn2O3SnO2等から
成る薄膜を蚭けるこずによ぀お導電性が付䞎さ
れ、或いはポリ゚ステルフむルム等の合成暹脂フ
むルムであれば、NiCrAlAgPbZnNi
AuCrMoIrNbTaTiPt等の金
属の薄膜を真空蒞着、電子ビヌム蒞着、スパツタ
リング等でその衚面に蚭け、又は前蚘金属でその
衚面をラミネヌト凊理しお、その衚面に導電性が
付䞎される。支持䜓の圢状ずしおは、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の圢状ずし埗、所望によ぀
お、その圢状は決定されるが、䟋えば、第図
の光受容郚材を電子写真甚光受容郚材ず
しお䜿甚するのであれば連続高速耇写の堎合に
は、無端ベルト状又は円筒状ずするのが望たし
い。支持䜓の厚さは、所望通りの光受容郚材が圢
成される甚に適宜決定されるが、光受容郚材ずし
お可撓性が芁求される堎合には、支持䜓ずしおの
機胜が充分発揮される範囲内であれば可胜な限り
薄くされる。而乍ら、この様な堎合支持䜓の補造
䞊及び取扱い䞊、機械的匷床等の点から、奜たし
くは10Ό以䞊ずされる。 次に、本発明の光受容郚材の補造方法の䞀䟋の
抂略に぀いお説明する。 第図に光受容郚材の補造装眮の䞀䟋を瀺
す。 図䞭、〜のガスボンベには、
本発明の光受容郚材を圢成するための原料ガスが
密封されおおり、その䞀䟋ずしお䟋えば
は、SiH4ガス玔床99.999ボンベ、
はGeH4ガス玔床99.999ボンベ、
はSiF4ガス玔床99.99ボンベ、は
H2で垌釈されたB2H6ガス玔床99.999、以䞋
B2H6H2ず略すボンベ、はH2ガス
玔床99.999ボンベ、はCH4ガス
玔床99.999ボンベである。 これらのガスを反応宀に流入させるに
はガスボンベ〜、のバ
ルブ〜、、リヌクバル
ブが閉じられおいるこずを確認し、たた
流入バルブ〜、、流出
バルブ〜、、補助バル
ブが開かれおいるこずを確認
しお、先ずメむンバルブを開いお反応宀
、及び各ガス配管内を排気する。次に真
空蚈の読みが玄×10-6torrにな぀た時
点で補助バルブ、流出バルブ
〜を閉じる。 次に、シリンダヌ状基䜓䞊に光受容局
を圢成する堎合の䟋をあげるず、ガスボンベ
よりSiH4ガス、ガスボンベより
GeH4ガス、ガスボンベよりB2H6H2
ガス、ガスボンベよりH2ガスをバルブ
、、、を倫々
開いお出口圧ゲヌゞ、
、の圧をKgcm2に調敎し、流入バル
ブを
埐々に開けお、マスフロコントロヌラ
、内に倫々流入させ
る。匕続いお流出バルブ
、補助バルブ
を埐々に開いお倫々のガスを反応宀に
流入させる。このずきのSiH4ガス流量ずGeH4ガ
ス流量B2H6H2ガス流量ずH2ガス流量ずの比が
所望の倀になるように流出バルブ
を調敎し、たた、反応
宀内の圧力が所望の倀になるように真空
蚈の読みを芋ながらメむンバルブ
の開口を調敎する。そしお、基䜓の枩
床が加熱ヒヌタヌにより50〜400℃の範
囲の枩床に蚭定されおいるこずを確認した埌、電
源を所望の電力に蚭定しお反応宀
内にグロヌ攟電を生起させお基䜓䞊に
第の局を圢成する。所望局厚に第の局が
圢成された段階においお、流出バルブを
完党に閉じるこず及び必芁に応じお攟電条件を倉
える以倖は、同様な条件ず手順に埓぀お所望時間
グロヌ攟電を維持するこずで第の局䞊にゲル
マニりム原子の実質的に含有されない第の局
を圢成するこずができる。 第の局䞭に、䌝導性を支配する物質を含
有させるには、第の局の圢成の際に、たずえ
ばB2H6、PH3等のガスを堆積宀の䞭に
導入する他のガスに加えおやればよい。 䞊蚘の第の局を圢成した埌、マスフロコン
トロヌラヌずを所定の流量比に
蚭定する以倖は、同様な条件ず手順に埓぀お、所
望時間グロヌ攟電を維持するこずで、第の局
䞊にシリコン原子ず炭玠原子から䞻に構成される
衚面局を所望局厚に圢成するこずができる。 この様にしお、第の局ず第の局ず衚面
局ずで構成された光受容局が基䜓䞊に圢
成される。 局圢成を行な぀おいる間は局圢成の均䞀化を図
るため基䜓はモヌタヌにより䞀
定速床で回転させおやるのが望たしい。 以䞋実斜䟋に぀いお説明する。 実斜䟋  Al支持䜓長さ357mm、埄80mm
を旋盀で第図に瀺す様な衚面性に加工し
た。 次に、第図の堆積装眮を䜿甚し、第衚に
瀺す条件で皮々の操䜜手順にしたが぀お、−Si
の電子写真甚光受容郚材を前述のAl支持䜓䞊に
堆積した。 尚、衚面局の堆積は次の様にしお行なわれた。 第の局の堆積埌、第衚に瀺す様にCH4ガス
流量がSiH4ガス流量に察しお流量比がSiH4
CH430ずなる様に各ガスに察応するマスフ
ロコントロヌラヌを蚭定し、高呚波電力150Wで
0.5ÎŒm厚の−SiCを堆積した。 この様にしお䜜補した−Siの電子写真甚
光受容郚材の衚面状態は第図の様であ぀
た。 以䞊の様な電子写真甚の光受容郚材に぀いお、
第図に瀺す画像露光装眮レヌザヌ光の波長
780nm、スポツト埄80ÎŒmで画像露光を行い、
それを珟像、転写、しお画像を埗た。埗られた画
像には干枉瞞暡様は芳察されず、実甚に十分なも
のであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様にしお第局たで堆積した埌、
氎玠H2ボンベをアルゎンArガスボンベに取りか
え、堆積装眮を枅掃し、カ゜ヌド電極䞊にSiから
なるスパツタリング甚タヌゲツトずグラフアむト
からなるスパツタリング甚タヌゲツトずを面積比
が第衚詊料No.101に瀺す劂くになる様に䞀面に
はる。前蚘光受容郚材を蚭眮し、堆積装眮内を拡
散ポンプで十分に枛圧する。その埌アルゎンガス
を0.015torrたで導入し高呚波電力150Wでグロヌ
攟電を起しお衚面材料をスパツタリングしお前蚘
支持䜓䞊に第衚詊料No.101の衚面局を堆積した。 同様にしお、Siずグラフアむトのタヌゲツトの
面積比を倉えお、衚面局を第衚詊料No.102〜107
に瀺される様に圢成する以倖は䞊蚘ず同様の方法
で光受容郚材を䜜補した。 こうしお埗られた電子写真甚光受容郚材の倫々
に぀き、実斜䟋ず同様にレヌザヌで画像露光
し、転写たでの工皋を玄䞇回繰り返した埌、画
像評䟡を行぀たずころ、第衚の劂き結果を埗
た。 実斜䟋  衚面局の圢成時、SiH4ガスずCH4ガスの流量
比を倉えお、衚面局におけるシリコン原子ず炭玠
原子の含有量比を倉化させる以倖は実斜䟋ず党
く同様な方法によ぀お電子写真甚光受容郚材の
倫々を䜜補した。 こうしお埗られた電子写真甚光受容郚材の倫々
に぀き、実斜䟋ず同様にレヌザヌで画像露光
し、転写たでの工皋を玄䞇回繰り返した埌、画
像評䟡を行぀たずころ、第衚の劂き結果を埗
た。 実斜䟋  衚面局の圢成時、SiH4ガス、SiF4ガス、CH4
ガスの流量比を倉えお、衚面局におけるシリコン
原子ず炭玠原子の含有量比を倉化させる以倖は実
斜䟋ず党く同様な方法によ぀お電子写真甚光受
容郚材の倫々を䜜補した。 こうしお埗られた電子写真甚光受容郚材の倫々
に぀き、実斜䟋ず同様にレヌザヌで画像露光
し、転写たでの工皋を玄䞇回繰り返した埌、画
像評䟡を行぀たずころ、第衚の劂き結果を埗
た。 実斜䟋  衚面局の局厚を倉える以倖は実斜䟋ず党く同
様な方法によ぀お電子写真甚光受容郚材の倫々を
䜜補した。 こうしお埗られた電子写真甚光受容郚材の倫々
に぀き、実斜䟋ず同様に、䜜像、珟像、クリヌ
ニングの工皋を繰り返し、第衚の劂き結果を埗
た。 実斜䟋  衚面局の䜜補時の攟電電力を300Wずし、平均
局厚2ÎŒmずする以倖は実斜䟋ず党く同様な方法
によ぀お電子写真甚光受容郚材を䜜補した。 こうしお埗られた電子写真甚光受容郚材の衚面
局の平均局厚差は䞭倮ず䞡端で0.5ÎŒmであ぀た。
たた、埮小郚分での局厚差は0.1ÎŒmであ぀た。 この様な電子写真甚光受容郚材では干枉瞞は芳
察されず、たた実斜䟋ず同様な装眮で䜜像、珟
像、クリヌニングの工皋を繰り返し行぀たが、実
甚に十分なものであ぀た。 実斜䟋  第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋らず、実甚に十分な特性であ぀た。又、初
期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異はな
く、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋  第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋  第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 10 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 11 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第10衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 12 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第11衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 13 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第12衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 14 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第13衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 15 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第14衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 16 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第15衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 17 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第16衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 18 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第17衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 19 第図、第図、第図に瀺す衚面性の
シリンダヌ状Al支持䜓䞊に、第18衚に瀺す条件
で行う以倖は実斜䟋ず同様にしお電子写真甚光
受容郚材を圢成した。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお、実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお、画像露光を行
ない、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像
を埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続
しお行぀た。 この堎合に埗られた画像の党おにおいお、干枉
瞞は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、
初期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異は
なく、高品質の画像であ぀た。 実斜䟋 20 実斜䟋から実斜䟋19たでに぀いお、H2で
3000Vol ppmに垌釈したB2H6ガスの代りにH2で
3000Vol ppmに垌釈したPH3ガスを䜿甚しお、
電子写真甚光受容郚材を倫々䜜補した。 なお、他の䜜補条件は、実斜䟋から実斜䟋19
たでず同様にした。 これら電子写真甚光受容郚材に぀いお実斜䟋
ず同様な画像露光装眮を甚いお画像露光を行な
い、珟像、転写、定着しお普通玙䞊に可芖画像を
埗た。この様な画像圢成プロセスを10䞇回連続し
お行぀た。 この堎合に埗れた画像の党おにおいお、干枉瞞
は芋られず、実甚に十分な特性であ぀た。又、初
期の画像ず10䞇回目の画像の間には䜕等差異はな
く、高品質の画像であ぀た。
【衚】 ◎〓非垞に良奜 ○〓良奜 △〓実甚䞊充分である
×〓画像欠陥を生ずる
【衚】 ◎〓非垞に良奜 ○〓良奜 △〓実甚䞊充分であ
る ×〓画像欠陥を生ずる
【衚】 ◎〓非垞に良奜 ○〓良奜 △〓実甚䞊充分である
×〓画像欠陥を生ずる
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
〔発明の効果〕
以䞊、詳现に説明した様に、本発明によれば、
可干枉性単色光を甚いる画像圢成に適し、補造管
理が容易であり、䞔぀画像圢成時に珟出する干枉
瞞暡様ず反転珟像時の斑点の珟出を同時にしかも
完党に解消するこずができ、しかも機械的耐久
性、特に耐摩耗性、及び光受容特性に優れた光受
容郚材を提䟛するこずができる。
【図面の簡単な説明】
第図は、干枉瞞の䞀般的な説明図である。第
図は、倚局の光受容郚材の堎合の干枉瞞の説明
図である。第図は散乱光による干枉瞞の説明図
である。第図は、倚局の光受容郚材の堎合の散
乱光による干枉瞞の説明図である。第図は、光
受容郚材の各局の界面が平行な堎合の干枉瞞の説
明図である。第図は光受容郚材の各局の界面が
非平行な堎合に干枉瞞が珟われないこずの説明図
である。第図は、光受容郚材の各局の界面が平
行である堎合ず非平行である堎合の反射光匷床の
比范の説明図である。第図は、各局の界面が非
平行である堎合の干枉瞞が珟われないこずの説明
図である。第図は代衚的な支持䜓の衚面状態の
説明図である。第図は、光受容郚材の局構成
の説明図である。第図は、実斜䟋で甚いた光
受容局の堆積装眮の説明図である。第図は、
実斜䟋で甚いたAl支持䜓の衚面状態の説明図で
ある。第図は、実斜䟋で䜿甚した画像露光装
眮である。第図、第図、第図は、実
斜䟋で䜿甚したAl支持䜓の衚面状態の説明図で
ある。第図は、支持䜓の加工を説明するため
の説明図である。   光受容局、  Al支持
䜓、  第の局、  第の
局、  光受容郚材、  衚面
局、  電子写真甚光受容郚材、
  半導䜓レヌザヌ、  Ξレンズ、
  ポリゎンミラヌ、  露光
装眮の平面図、  露光装眮の偎面図。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  所定の切断䜍眮での断面圢状が0.3ÎŒm〜
    500ÎŒmピツチで0.1ÎŒm〜5ÎŒmの最倧深さの䞻ピヌ
    クに副ピヌクが重畳された凞状圢状である凞郚が
    倚数衚面に圢成されおいる支持䜓ず、 シリコン原子ずゲルマニりム原子ず氎玠原子及
    び又はハロゲン原子ずからなる非晶質材料で構
    成された第の局ず、シリコン原子ず氎玠原子及
    び又はハロゲン原子ずからなる非晶質材料で構
    成された第の局ず、シリコン原子ず炭玠原子ず
    を含む非晶質材料で構成された衚面局ずを有する
    光受容局ず、 を有し、 前蚘第の局及び前蚘第の局の少なくずも䞀
    方に䌝導性を支配する物質をも含有し、該物質を
    含有する局領域においお該物質の分垃状態が局厚
    方向に均䞀であるずずもに、 前蚘第の局に含有される前蚘ゲルマニりム原
    子の分垃状態が局厚方向に均䞀であり、 前蚘光受容局はシペヌトレンゞ内に少なくずも
    察以䞊の非平行な界面を有するこずを特城ずす
    る電子写真甚光受容郚材。  前蚘凞郚が芏則的に配列されおいる特蚱請求
    の範囲第項に蚘茉の電子写真甚光受容郚材。  前蚘凞郚が呚期的に配列されおいる特蚱請求
    の範囲第項に蚘茉の電子写真甚光受容郚材。  前蚘凞郚の倫々は、䞀次近䌌的に同䞀圢状を
    有する特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚
    光受容郚材。  前蚘凞郚は、副ピヌクを耇数有する特蚱請求
    の範囲第項に蚘茉の電子写真甚光受容郚材。  前蚘凞郚の前蚘断面圢状は、䞻ピヌクを䞭心
    にしお察称圢状である特蚱請求の範囲第項に蚘
    茉の電子写真甚光受容郚材。  前蚘凞郚の前蚘断面圢状は、䞻ピヌクを䞭心
    にしお非察称圢状である特蚱請求の範囲第項に
    蚘茉の電子写真甚光受容郚材。  前蚘凞郚は、機械的加工によ぀お圢成された
    特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電子写真甚光受容
    郚材。  䌝導性を支配する物質が呚期埋衚第族に属
    する原子である特蚱請求の範囲第項に蚘茉の電
    子写真甚光受容郚材。  䌝導性を支配する物質が呚期埋衚第族に
    属する原子である特蚱請求の範囲第項に蚘茉の
    電子写真甚光受容郚材。
JP59119092A 1984-06-05 1984-06-12 電子写真甚光受容郚材 Granted JPS60263160A (ja)

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