JPS6127554A

JPS6127554A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6127554A
Application number: JP59148651A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-07-19
Filing date: 1984-07-19
Publication date: 1986-02-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
゛の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他
の種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加え
て、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６
−８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以後ｒａ−ｓｔＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のａ’−３ｉ層とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る１Ｑ１２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の“許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製進上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化５向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｏと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入入として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ厚着で不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
λ（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
ｉ）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００００Ａの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−３ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光ＩＯは、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは
、光受容層、３０２の内部に進入して透過光■１となる
。透過光重、は、支持体３０２の表面に於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光Ｋｓ　、に２　、に３・・番
拳となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その
一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反
射光Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為
、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ□＝ｍλまた
は２　ｎｄ）＝’（ｍ＋Ｍ）λが成立ち、夫々明部また
は暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ
１　＊　ｄ２　＊　ｄ３　＊　、ｄ４の夫々の差の中の
最大が一以上である様な層厚の不拘ｎ一層があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易ｆある光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、支持体と：シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多層構
成の光受容層と；を有し、前記光受容層がショートレン
ジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面
が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列
し、該非平行な界面が配列方向において各々なめらかに
連結している光受容部材において、前記第１の層中にお
けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
あり、且つ前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方
に伝導性を支配する物質が含有され、該物質が含有され
ている層領域において該物質の分布状態が層厚方向に不
均一であることを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において、装置の要求解像力よりも微小でなめら
かな凹凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸
の傾斜面に沿って多層構成の光受容層を有する。該光受
容層は第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層
６０２の層厚ｄ５からｄ６と連続的に変化している為に
、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有してい
る。

従って、この微小部分（ショートレンジ）見に入射した
可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄｅ）でも同様にいえる為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場′合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対
して、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｓが存在する
。その為各々の層で第７図を以って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない、又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何日支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄｂ）は、照射光の波
長なλとすると、ｄ５−ｄ６≧２ｎ（ｎ’第２層６０２の屈折率）である
のが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が、以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。　この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有す
る。この様な構造の一例を第９図に示す。第９図におい
てＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、
Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−３ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は・大きく変化する。

従って、ａ−５ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみ、が早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００　ｐＬ
ｍ”ｏ’　、　３７Ｌｍ、より好ましくは２００川ｍ〜
１ルｍ、最適には５０ルｍ〜５川ｍであるのが望ましい
。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．・ＪｐＬｍ〜５
　ｐ、　ｍ、より好ましくは０．３Ｂｍ〜３＃Ｌｍ、最
適には０．６＃Ｌｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支
持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある
場合、隣接する凹部と凸部の各々の極小値点と極大値点
とを結ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、よ
り好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度とさ
れるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１ｇｍ〜２ｐＬｍ、より好ましくは０．１ｐＬｍ−１，
５７ｚｍ、最適には０．２ｇｍ〜１ｇｍとされるのが望
ましい。

本発明の光受容部材における光受容層はシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多
層構成となっているため、極めて優れた電気的、光学的
、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が早い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１Ｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有す
る。

光受容層１０００は、支持体１ｏｏｉ側よりゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを含有し必要に応じて水素原子
及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む非晶質
材料（以後ｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する）
で構成された第１の層（Ｇ）１００２と必要に応じて水
素原子及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む
ａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）
で構成され光導電性を有する第２の層（Ｓ）１００３と
が順に積層された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体１００１の設けられである側と
は反対の側（光受容層１Ｏ００の表面側）の方に対して
前記支持体１００１側の方に多く分布した状態となる様
に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間におけ
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部にお
いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

尚、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなるため、極端な
形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解さ
れたい。　実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れるべく、所望される分布濃度線が得られるように、ｔ
、（１≦ｉ≦８）又はＣ，（１≦ｉ≦２０）の値を選ぶ
か、あるいは分布カーブ全体に適当な係数を掛たものを
とるべきである。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢより１．の位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置ｔ、よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ□
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
１においてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３とさ
れる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
１位置ｔ２と位置ｔ１との間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔ　より位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ１において実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於いては、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔ１に於いては濃度ＣＩＯとされ
る０位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ３より位ＮｔＴに至るまで減少されてい
る。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ｎより位１　ｔ　ａまでは濃度Ｃ目の一定値を取り、位
置ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ−ｒ
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ
Ａより実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
はゲルマニウム−原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣｔＳより
濃度ＣＩ＆まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置
計〇との間においては、濃度Ｃ１Ｇの一定値とされた例
が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは１位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ？であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ｃｔｅとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２ｏに至る。

位置ｔ８と位置ｔ−ｒとの間においては濃度Ｃ２０より
実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って
減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
の含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
る。

本発明における受容部材を構成する光受容層を構成する
第１の層ＣＧ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている局
在領域・（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ＩＬ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
　より５終厚までの全層領域（Ｌｌ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌｌ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍ　ａ　ｘがシリコン原子に対して、好ま
しくは１０００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、より好適
には５０００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、最適にはｌ
Ｘｌ０４ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上とされる様な分布
状態となり得るように層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層は、支持体側からの層厚で５に以内（ｔＢか
ら５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍ、ａｘが存
在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には５〜
２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜状められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ１０５　ａｔ。

ｍｉｃｐｐｍ、より好ましくはｌＯＯ〜８Ｘ１０５１０
５ａｔｏ　　ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ１０５ａｔ
ｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０Ａ〜５０終、より好ましくは、４０Ａ〜４０川、
最適には、５０Ａ〜３０ｐＬとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ＞の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ル、より好ましくは１〜８０ｐＬ最適には２〜５０ル
とされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ｐ−２より好
適には１〜８０ＩＬ、最適には２〜５０ｇとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくはＴ　　／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なりる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定
されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量がＩＸＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　
　ＰＰｍ以上の場合には、第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢと
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０ＩＬ以下、より好ましくは２５．以下、最適には２０
＃Ｌ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によッテ、ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）　で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
射ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る
層を形成させれば良い。又、スパッタリンク法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構
成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの二
枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲット
を使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
スパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ　１
３Ｈａ　、Ｓ　１４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳ’ｉ　Ｈ４、Ｓ　ｉ２　Ｈ６が
好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２　Ｈ６、ＧＥ３３ＨＢ　、Ｇｅ４１（１６、
Ｇｅ５Ｈ＋　２　、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ，、、Ｇｅ
ＢＨ，８，ＧｅＢＨ２（、等のガス状態の又はガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３　
ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、／＼ロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、Ｃ！ｌＦ、ＣｌＦ３．ＢｒＦ５．Ｂｒ
Ｆ３．ＩＦ３、ＩＦ７、ＩＣＪＩ、ＩＢｒ等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２　Ｆ６．ＳｉＣ見。、ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の暦
（、Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原
子を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（Ｇ
、）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合に
はＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの
二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用し
て、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリン
グし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム
又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレク、ト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行
う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水
素、ＳｉＨ２’Ｆ２、ＳｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ１２，
５ｉＨＣＪ１３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の入
ロゲン置換水素化ケイ素、及びＧｅＨＦ；　、ＧｅＢ２
　Ｆ２　ｔ−ＧｅＢ３　　Ｆ、ＧｅＨＣｌ３　　、Ｇｅ
Ｂ２　　Ｃ１２、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３　、Ｇｅ
Ｂ２　　Ｂ　ｒ２　　、ＧｅＢ３　　Ｂｒ、ＧｅＨＩ３
　　、ＧｅＢ２　Ｉ２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲ
ン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物、ＧｅＦ４．ＧｅＣ見、、ＧｅＢｒ、、Ｇ
ｅ　Ｉ４．ＧｅＦ２　、ＧｅＣ１２、ＧｅＢ　ｒ２、Ｇ
ｅ　Ｉ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２、或いはＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２　Ｈ６，
５ｉ３Ｈ６，５ｉａＨｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３　Ｈ８，Ｇｅ４　Ｈ
，、、Ｇｅ５ＨＩ２．Ｇｅ６Ｈ，、、Ｇｅ、Ｈ１６，Ｇ
ｅｅＨ＋　ｏ　、Ｇｅｇ　Ｆ２゜等の水素化ゲルマニウ
ムとＳｔを供給する為のシリコン又はシリコン化合物と
、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う
事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔ　ｏ
ｍｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内）導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の中発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質（第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を形
成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが出
来る。

即ち、本発明において、ａ　　Ｓ　ｌ　（Ｈ＋　Ｘ　）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的
には前記したシリコン原子（Ｓｉ、）を供給し得るＳｔ
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良１．Ｘ。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及び／＼ロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材１００４においては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

本発明においては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に含有されてもよく、物質（Ｃ）が含有される層の一部
の層領域に偏在する様に含有されていてもよい。

しかし、いずれの場合においても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）において、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。

つまり、例えば、第１の層（Ｇ）の全層領域に前記物質
（Ｃ）を含有させるのであれば、第１の層（Ｇ）の支持
体側の方に多く分布する様に前記物質（Ｃ）が第１の層
（Ｇ）中に含有される。

この様に、層領域（ＰＮ）において、前記物質（Ｃ）の
層厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との
接触界面での光学的、電気的接合を良好にすることがで
きる。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層ＣＧ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜法められる。　
。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
ＣＧ）中に含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層ＣＧ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の−・部又は全部の層領域のいずれでも
良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来るものであるが、この様な物質としては、所謂、半
導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明
に於いては、形成される光受容層を構成するａ−３ｉ（
Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、
ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与
えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素：１．Ａｎ　
（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウ
ム）、ＴｆＬ（タリウム）等があり、殊に好適に用いら
れるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
５が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の層領域や、該他の層領域との接触界面に於ｉする特性
との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）
の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に警有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０４ａｔ　ｏｍｉｃ　　’ｐｐｍ、よ
り好適には０．５〜１ＸＩＯ’　ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐ
ｍ、最適には、１〜５×ｌＯ３１０３ａｔｏ　　ＰＰｍ
とされるのが望ましい・本発明に於いて、伝導特性を支
配する物質（Ｃ）が含有される層領域（ＰＮ）に於ける
該物質（Ｃ）の含有量を好ましくは３０ａｔ　ｏｍｉ　
ｃｐｐｍ以上、より好適には５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐ
ｍ以、し、最適には１００１００ａｔｏ　　ｐｐｍ以上
とすることによって、例えば該含有させる物質（Ｃ）が
前記のｐ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が■
極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの光受容層中
への電子注入を効果的に阻止することが出来、又、前記
含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支
持体側から光受容中への正孔の注入を効果的に阻止する
ことが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ、）には、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を
有する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）
に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（Ｐ、Ｎ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量
に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好
ましくは、０．００１−１０００ａｔｍｉｃ　　ｐｐｍ
、より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐ
ｍ、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第２７図乃至第３５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚
、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値で
示すと各々の図の違いが明確でなでなくなるため、極端
な形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解
されたい。実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れる可く所望される分布濃度線が得られる様に。

ｔ、（１≦ｉ≦９）又はＣ０（１≦ｉ≦１７）の値を選
ぶか、あるいは分布カーブ全体に適当な係数を掛たもの
をとるべきである。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＰＮ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側の層領域（Ｐ　Ｎ）の端面の位置を
示す。即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）は
ｔＢ側よりｔ−ｒ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＮ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２７図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される層
領域（ＰＮ、）が形成される表面と該層領域（ＰＮ）の
表面とが接する界面位置ｔｎよりｔｌの位置までは、物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を取り乍ら物
質（Ｃ）が形成される層領域（ＰＮ）に含有され、位置
１．よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔｒに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置し１にお
いては物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる（
ここでは実質的に零とは検出限界量未満の場合である）
。

第２８図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔｎより位置ｔｒに至るまで濃度
Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度
Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には、位置ｔｎより位置ｔ２までは、物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置しＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より初め連続的に
徐々に減少され、位置ｔ３よりは、急速に連続的に減少
されて位置ＥＴにおいて実質的に零とされている。

第３１図に示す例に於いては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置ｔ４との間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔ−ｒに於いては濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置ｔ−ｒに至るまで減少されて
いる。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度ＣＩＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第３３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ−ｒ
に至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ＋　よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第３４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１
３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔＴとの
間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が示され
ている。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔｎにおいて濃度Ｃ１４であり、位置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４よ
り初めはゆっくりと減少され、ｔ７の位置付近において
は、急激に減少されて位置ｔ７では濃度ｃｔｓとされる
。

位置ｔ７と位置計８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位ｉ１　
ｔ　ｓで濃度ＣＩ＆となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間
では、徐々に減少゛されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１
７に至る０位置計９と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ
Ｉ？より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（ＰＮ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔ１側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が層領域（ＰＮ）に設けられているのが望ましい。

本発明における受容部材を構成する光受容層を構成する
層領域（ＰＮ）は好ましくは上記した様に支持体側の方
に物質（Ｃ）が比較的高濃度で含有されている局在領域
（Ｂ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位ＩｔＢより
５＃Ｌ以内に設けられているのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔＢ
より５川厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜法められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、たとえば第■族原子あるい緘第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（ｄ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質あるいは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成するための他の出発物質と
共に導入してやればよい、この様な第■族原子導入用の
出発物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状態
の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが好ましい、その様な第■族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては
、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４ＨＩ　Ｏ、ＢＳ　Ｈ９・Ｂｓ　）Ｉｔ
　１．　Ｂ６　Ｈｔ　ｏ・Ｂ６Ｈ，２，Ｂ６Ｈ，４等の
水素化硼素、ＢＦ３　、ＢＣ１３，ＢＢｒ３等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣ
ｌ３．Ｇａ　（ＣＨ３）３．ＩｎＣｌ３．ＴｌＣｌ３等
も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２　Ｈａ等の水素化燐、Ｐ　Ｈａ工、ＰＦ３．ＰＦ３
、ＰＣ１３、ＰＣＩｓ、ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．Ｐｌ、等
＋７）　ハＣｌゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ
３、ＡｓＦ３　、ＡｓＣｌ３．ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５．
ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５、Ｓ　ｂ　Ｃｌ　３．　
Ｓ　ｂ　Ｃ１ｓ、ＳｉＨ３，Ｓ　ｉ　Ｃ１３、Ｂ　ｉ　
Ｂ　ｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙げることがフきる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｆｔ、Ｃｒ、Ｎｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔ、ａ、Ｖ、Ｔｆ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビこ、ル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａ文
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２　）等か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂７　、ｌ　）Ｉ
ｉムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＪＬ、Ａｇ　、Ｐｂ　。

Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又
は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面
に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは１０ｕＬ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の
光受容部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例として例えば２００２は、５ｉＨａガス（純
度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉ　Ｈ，と略す）ボンベ、
２００３はＧｅ１．ガス（純度９９．９９９％、以下　
ＧｅＨ４と略す）ボンベ、２００４はＳｉＦ４ガス（純
度９９．９９％、以下Ｓ　ｉ　Ｆ４と略す）ボンベ、２
００５はＢ２で希釈されたＢ２）（６ガス（純度９９”
、　９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す）ボンベ、２
００６はＢ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである
。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のパル・ブ２０２２〜２０２６
、リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し
、また流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０
１７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１．及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２０３６の読みが約５Ｘ１０−６Ｔ。

ｒｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次に、シリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３よリＧｅＨ４ガス、ガス
ポンベ２００５よりＢ２Ｈ６／　Ｈ’２ガス、２００６
よりＨ２ガスをバルブ２０２２．２０２３．２０２５．
２０２６を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２
０３０．２０３１の圧をＩＫｇ／Ｃｍ２に調整し、流入
バルブ２０１２．２０１３．２０１５．２０１６を徐々
に開けて、マスフロコントローラ２００７．２００８．
２０１０．２０１１内に夫々流入させる。引続いて流出
バルブ２０１７．２０１８．２０２０．２０２１、補助
バルブ２０３２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを
反応室２００１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４
ガス流量、ＧｅＨ４ガス流量、ＢｚＨ６７Ｈ２ガス流量
、Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ
２０１７．２０１８．２０２０．２０２１を調整し、ま
た、反応室２００１内の圧力が所望の値になるように真
空計２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０３４の
開口を調整する。　そして、基体２０３７の温度が加熱
ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範囲の温度に
設定されていることを確認した後、電源２０４０を所望
の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電を生起
させ、同時にあらかじめ設計されたガス変化率曲線に従
ってＧ、ｅＨ，ガスの流量及びＢ２Ｈ６／Ｈｚガスの流
量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバル
ブ２０１８．２０２０の開口を漸次変化させる操作を行
って形成される層中に含有される硼素原子の分布濃度を
制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層ＣＧ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階において、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層ＣＧ）上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ
）を形成することができる。

又、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、流
出バルブ２０２０を適宜開閉することで硼素を含有させ
たり、含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領
域にだけ硼素を含有させることもできる。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第９図に示される形状（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｙ
）８０ｍｍ、ピッチ（Ｐ）２５ｇｍ、深さくＤ）０．．
８＃Ｌｍの螺旋溝表面形状）のＡＩ支持体を作製した。

次に、第２０図の堆積装置を使用し、第３表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、前述のＡｔ支持体上に
ａ−Ｓｉ光受容層を堆積した（試料Ｎｏ、１−１）。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６／　Ｈ
２の各ガスの流量を第２２図及−び第３６図のようにな
るように、マスフロコントローラー２００７．２００８
．２０１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により
制御して形成した。

別に同一の表面性の円筒状Ａｔ支持体上に、第１層及び
第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外は
上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ、
第２１図（Ａ）に示す様に第２層２１０３の表面は支持
体２１０１の表面に対して平行になっていた。　この場
合、Ａ１支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差は１
＃Ｌ、ｍであった（試料Ｎｏ、１−２）。

また、前記試料Ｎｏ、１−１の場合には第２１図（Ｂ）
の様に第２層２１０３の表面と支持体２１０１の表面と
は非平行であった。この場合、Ａｌ支持体の中央と両端
部とでの平均層厚の層厚差は２ルｍであった・以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８（）ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ｐｍで第
２６図に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。第２１図（Ａ）に示す表面性の光受
容部材（試料Ｎｏ。

１−２）では干渉縞模様が観察された。

一方、第２１図（Ｂ）に示す表面性を有する光受容部材
（試料Ｎｏ、１−１）では干渉縞模様は観察されず、実
用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例２シリンダー状ＡｆＬ支持体の表面を旋盤で、第１表のよ
うに加工した。これ等（シリンダＮｏ、１Ｏ１〜１０８
）の円筒状のＡＩ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ
−１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作
製した（試料Ｎｏ、１１１〜１１８）。このときの電子
写真用光受容部材のＡｌ支持体の中央と両端部での平均
層厚の差は２．２川ｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定し、たところ、
第２表の様な結果を得た。これらの光受容部材について
実施例１と同様に第２６図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使い、スポ・ント径８０ｐＬｍで画像露
光を行ったところ、第２表の結果を得た。

実施例３第３表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４、Ｂ２Ｈ６／Ｈ
２の各ガスの流量を第２３図及び第３７図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例４第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、ＧｅＨａ、ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６／Ｈ２
の各ガスの流量を第２４図及び第３８図のようになるよ
うに、マスフロコントローラー２００７．２００８．２
０１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御
して形成した。

実施例５第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層は、Ｇ　ｅ　Ｈ４、Ｓ　ｉ　Ｈ４、□　Ｂ
２Ｈ６／　Ｈ２の各ガスの流量を第２５図及び第３９図
のようになるように、マスフロコントローラー２００７
．２００８．２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御して形成した。

実施例６第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−ｌの場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧ　ｅ　Ｈ４，Ｓ　ｉ　Ｈ４、
Ｂ２Ｈ＆／Ｈ２の各ガスの流量を第４０図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピユー・ター（ＨＰ９８４５Ｂ）により
制御して形成した。

実施例７第６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ，、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ２
Ｈ６／Ｈ２の各ガスの流量を第４１図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８．２０
１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
て形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

実施例８第７表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ，、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｂ２
Ｈ６／Ｈ２の各ガスの流量を第４２図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８．２０
１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
て形成した。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡＩ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡＩ支持体の表面を粗面化したＡＩ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と全く同様の方法でａ−Ｓｉ電子写真用光受容部材を
作製した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
Ｉ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３０）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８１Ｌｍであることが
判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
２６図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像詩の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には、高光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体との間
に良好な電気的接触性を有し、デジタル画像記録に好適
な光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図は支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明するための説明図である。第２０図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。第２１図は、実施例で作製した光受容部材の構造図であ
る。第２２図から第２５図及び第３６図から第４２図までは
、実施例におけるガス流量の変化を示す説明図である。第２６図は、実施例で使用した画像露光装置である。第２７図から第３５図は、層領域（ＰＮ）における物質
（Ｃ）の分布状態を説明するための説明図である。１０００・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・Ａｎ支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層１００３・・・・・・・・・第２の層１００４・・・・・・・・・光受容部材２６０１・・・
・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・・・・・
・・・・半導体レーザー２６０３・・・・・・・・・ｆ
θレンズ２６０４・・・・・・・・・ポリゴンミラー２
６０５・・・・・・・・・露光装置の平面図２６０６・
・・・・・・・・露光装置の側面図。［〕て：＝て〕コ第　３　図ｉ１４　　図 π　５　図ど第７図（Ａ）、　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ）ｐ４！Ｌ！第９図第１０図 ′Ｉａ　ｌｌ　図Ｃ１！　／２　　図りｔａ１３ｒ５Ｊ笛！４　　図ＩＩ／ダ図し第１６図第２１図１１２２図第２３図咋藺（令）１４２４図１１２５図ＩＩＩ間（分）第２６図第２７　　図第２８図ｇ２９　　図ｔＲ３０図ｇ　３１図第３２　図Ｃ＠　　３３図第３４　図９３５図ＣＩＩ　３６１Ｍ第　３７図力スハ第犯図１！　３９　図第４０図＠　４１　　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
が支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と；
を有し、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の
非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非平行な界
面が配列方向において各々なめらかに連結している光受
容部材において、前記第１の層中におけるゲルマニウム
原子の分布状態が層厚方向に不均一であり、且つ前記第
１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配す
る物質が含有され、該物質が含有されている層領域にお
いて該物質の分布状態が層厚方向に不均一であることを
特徴とする、光受容部材。
（２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。
（６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
容部材。
（７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第７項に記載の
光受容部材。
（９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
範囲第８項に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受
容部材。
（１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
載の光受容部材。
（１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
の範囲第１２項に記載の光受容部材。
（１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
載の光受容部材。
（１５）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
方に水素原子が含有されている、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（１６）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
方にハロゲン原子が含有されている、特許請求の範囲第
１項又は第１５項に記載の光受容部材。
（１７）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（１８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。