JPS61100761A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー、光で光受容
部材を光学的に走査することにより静’１ｔＷＩ像を形
成し１次いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着な
どの処理を行ない１画像を記録する方法がよく知られて
いる。中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レ
ーザーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるい
は半導体レーザー（通常は８５０〜８２０ｎｍの発光波
長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８８３
４１号公報や特開昭５８−８３７４ｆ１号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒ　ａ　
−９ｉＪ　と略記する）から成る光受容部材が注目され
ている。

尚乍ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
ｔｏＩ２ΩＣ膳以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に如えてポロン原子とを特
定の琶範囲で層中に′ｖＡ御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に１層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計−Ｌの許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７Ｑ
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以トの層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５ｆ１号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計との許容度に於いて、或いは製造１、の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進ノー＜シ、商品
化に向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良そ の要因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を形成す
る場合には１画像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光！。とヒ部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入厚差で不
均一であると１反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−’Ｉ　入
（ｍは整数１反射光は弱め合う）の条件のどちらに合う
かによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を
生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±ｓｏｏ　Ａ〜±　１００００Ａの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１ｆ１２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を
黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン
、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方
法（例えば特開昭５７−．１８５８４５号公報）、アル
ミニウム支持体表面を梨地状のアルブイト処理したり、
サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案さ−れている
。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像Ｅに現われる干渉
ｗ４８様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残・存している為に、該正
反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は＆　　５
　＋　Ｐ９を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂層がａ−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を
与えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光！０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１．となる、透
過光ｘ１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　、に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防１卜シて光受容層内部での多重反射を防止
する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、
光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層、構成の光受容部材においては、第４図に示
すように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２１　　　　　　
　　　層での反射光Ｒ１，支持体４０１面での正反射光
Ｒ３の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがっ
て干渉縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材
においては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは
、干渉縞を完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造、管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容＃　５０２が堆積す、るため、支持体５
０１の凹凸の傾斜面と光受容層５ｏ２の凹凸の傾斜面と
が平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｔ＝ｍ入また
は２ｎｄＩ＝　（ｍ＋％）入が成立ち、夫々明部または
暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ
＋　、ｄ２　、ｄｓ　＋ｄ４の夫々の差のあるため明暗
の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又１表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高＜　、　’、Ｉｔ　Ｆ写真特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

〔発明の概要〕

未発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す：
ｊＳ２の層とが支持体側よりこの順に設けられた多層構
成の光受容層を有しており、前記第１の層及び第２の層
の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有される
と共に、前足先受容層は、耐素原ｒ−１炭素原ｒ−１窒
素原ｆの中から選択される少なくとも一種を含有し、か
つショートレンジ内に一対以上の非平行な界面を有し、
該非平行な界面が層厚方向と東直な面内の少なくとも一
方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向に於いて
各々なめらかに連結していることを特徴とする。

以下、本発明を図面に従って基体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小でなめらかな凹凸
形状を有する支持体（不図示）北に、その凹凸の傾斜面
に沿って多層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６
図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の層
厚がｄｂからｄｂと連続的に変化している為に、界面ｆ
＋０３と界面８０４とはすいに傾向きを有している。従
って、この微小部分（ショートレンジ）ｔに入射した可
干渉性光は該微小部分ｔに於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。

又　第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２Ｎ９７ｏ２の自由表面７０４とが非平行
であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光！０に対す
る反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
　（Ｂ）’Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って６第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７ζ　ｄｌｌ）であっても同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６
図のｒ　（Ｄ）　４４Ｎ！り　。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層までｎｆＦ渉性光が透過した場合に就いて本発
明の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．に
対して１反射光Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ５Ｒ４，Ｒ５が存在す
る。その為各々の層で第７図を似って前記に説明したこ
とが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

未発明に於いて、　ｌ！Ｉ凸の傾斜面は反射光を一方向
へ確実に揃える為に、ｍ面仕−ヒげとされるのが望まし
い。

本発明に適した微小部分の大きさｔ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｔ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｂ　）は、旧射光の波
長をλとすると、 λ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２０層各層の形成には
木９１１−１のし目的をより効果的且つ容易に達成する
為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できることから
プラズマ気相法ＣＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法が採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等のりＪ削加ＩＩ
機械の所定（ぐ置に固定し１例えば円筒状支持体を予め
所望に従って設計されたプログラムに従って回転させな
がら規則的に所定方向に移動させることにより、支持体
表面を１Ｅｆｉｌに切削加工することで、所望のなめら
かな凹凸形状、ピッチ、深さで形成される。この様な切
削加工法によって形成される凹凸が作り出す正弦関数形
線状突起部は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋
構造を有する。この様な構造の一例を第９図に示す、第
９図においてＬは支持体の長さであり。

ｒは支持体の直径であり、Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは
溝の深さである。

）　　　　　　　　　　　正弦関数形突起部の螺旋構造
は、−重、Ｅ重の多毛螺旋構造、又は交叉螺旋構造とさ
れても差支えない。

或いは、！１！旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造
を導入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮したＬで１本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−Ｓｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレ“−ドクリーニングを行う場合、プレートの
いたみが早くなるという問題がある。・上記した層堆積
上の問題点、電子写真法のプロセス上の問題点および、
干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、支持体表面の凹
部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜０．３μｍ、よ
り好ましくは２００１１１１〜１μ、最適には５０ｕ〜
５鱗であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５−１
より＆ｒましくは０．３−〜３−１最適には０．８μ〜
２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチ
と最大深さが上記の範囲にある場合、隣接する凹部と凸
部の各々の極小点と極大点とを結ぶ傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される８層の層Ｈの不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μ〜２ｕ、より好ましくは０、ｌｕ”　　１．５ｕ
、最適には０．２ｐｘ　〜１　ｙａとされるのが望まし
い。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっており、＋ｆＩれた電気的、光学的
、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留型ｆＱの彩−が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の画像を安定して縁返し得ることができる。

更に３本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は１本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体＋００１の１−に、光受容層＋０００を有
し、該光受容層＋０００は自由表面１００５を一方の端
面に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１０Ｇ２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒ　ａ−９ｉ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の層（Ｓ）　１００３とが順に積層された層
構造を有する。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　＋００２又は／及
び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領
域に万一なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が含
有される層の一部の層「１域に偏在する様に含有されて
も良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい、殊に、第１の層ＣＧ）の支持
体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設けられ
る場合には、該層領域（Ｐ　Ｎ）中に含有される前記物
質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選択
することによって支持体から第２の層（Ｓ）中への特定
の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、°第１の層（Ｇ）に
加えて第１の層ＣＧ）　ヒに設けられる第２の層（Ｓ）
中にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層ＣＧ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層ＣＧ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、１１ｉＩ記物質（Ｃ）の稚類及びその含有量を適
宜選択することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定
の極性の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有早−及びその含有の仕方は、その都度所ｃ
７ｊに応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層Ｃ
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのがやましい。

第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に、１９けるのがψましい
。

又、第１の層（Ｇ）と第２のＷ　（Ｓ）とに含有される
前記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）と
に於いて回梓類でも異種類であっても良く、又、その含
有量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、未発１！１に於いては、各層に含有される前記
物質（Ｃ）が両名に於いて一種類である場合には、第１
の？’　（Ｇ）中の含＃量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫
々含有させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物＊　（Ｃ）を含有させることにより、該物
質（Ｃ）の含有される層領域〔第１のＨ（Ｇ）又は第２
の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕
の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来る
ものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半
導体分野で云われる不純物を挙げることが出来１本発明
に於いては、形成される光受容層を構成するａ−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−５ｉＧｅ　（）ｉ　、　Ｘ
）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型
伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属す
る原子（第ｍ族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、Ａｊｌ（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、ＴＩ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＭ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於りて、Ｗ＃層領域ＰＮ）中に含有される伝導
特性を制御する物質（Ｃ）の含＃値としては、好ましく
は０．Ｏ１〜５　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐＰ■、最適には、　　ｌ　〜５　Ｘ　１０３１
０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ８以上、より好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ■以上、最適には１０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって１例
えば該含有させる物’ｌｊ　（Ｃ）が前記のｐ型不純物
の場合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を
受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を
効果的に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には１層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質’（Ｃ）を
含有させても良いし。

或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性を支配する物
質を層領域（ＰＮ）に含有さする実際の量よりも一段と
少ない量にして含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物Ｗ　（Ｃ）の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましく
は、　　０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ＰＰ−、
より好適には０．０５〜５ＱＱ　６ｔｏ＊１ｃｐｐ■、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ−以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）　＋００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって。

１つ均一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１０
０２中に含有される。

本発明に於いては、第１のｅ（Ｇ）、ｈに設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長
上の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受
容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、ｗＳ２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層ＣＧ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又、本発明の光受容部材に於いては、ｗＳｌの層（Ｇ）
と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので積層界
面に於いて化学的−安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜ｓ、ｓｘ　ｔｏＳａｔｏｍｉｃ　ｐｐＨ、より
好ましくは１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏ龜ｉｃ　Ｐｆｌ霞
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の！　（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との
層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な
因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特
性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分
なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、は。

好ましくは３０Ａ〜５０周、より好ましくは、４０Ａ〜
４０終、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０鉢、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０ｇと
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚■８と第２のＲ（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔｇ　＋　Ｔ　）としては１両暦領誠に要求される
特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機
的関連性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従
って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔａ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０ｇ、最適には２〜５０勝とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ、及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴｉ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚■８及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、／Ｔ≦０．３．最適には
Ｔ留／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ＠
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１のＦ！　（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含＃量がｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｓ以上の場合には、第１のＦｉ’　ＣＧ）の層
厚Ｔ、としては、可成り薄くされるのが望ましく、好ま
しくは３０＃Ｌ以下、より好ましくは２５ＩＬ以下、最
適には２０ｐＬ以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の屑（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、＋１！素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。

本発明においテ、　　ａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　テ
構成される第１の層ＣＧ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によって、ａ−９ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳＩ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分＃濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で
形成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ“□　
　　　　　　　　　スをベースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｉで構成されたターゲットとＧｅでｙ！成された
ターゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合さ
れたターゲットを使用してスパッタリングする際。

必要に応じて水素源ｆ　（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に４人
してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉ７）１６　。

Ｓ＋３ＨＢ　＋　ＳｉＪ　＋。等のガス状！Ｅの又ガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に１層作成作！時の取扱い易さ　
Ｓｉ供給効率の良さ等の点で５ｉＨａ、Ｓｉ□Ｈら　。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、　Ｇｅ
Ｈ４，、Ｇｅ２）１６　、　Ｇｅ３Ｈｒ）　、　Ｇｅａ
ＨＨｏ　、　Ｇｅ５Ｈ＋ｚ　。

Ｇｅ６Ｈｌａ　、　ＧｅｔＨ（６＋　ＧｅＪ　Ｉｅ　＋
　Ｇｅ５Ｈ＋ｚ等のガス状％）又はガス化し得、る水素
化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等のへで。

ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ＆、　Ｇｌ！３Ｈ［ｌが好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、αＦ、ＣＩ　Ｆ３　、　ＢｒＦ５　。

８ｒＦ３　、［Ｆ］　、　ＩＦフ、１α、ＩＢｒ等のハ
ロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、又体重には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる賽が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体ヒにハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層ＣＧ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層Ｃ
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例え１ｆｓｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，）Ｉｅ等の
ガス等を所定の混合比とカス流量になる様にして第１の
層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って、所望の支持体りに第１の層ＣＧ）を形成しく）る
ものであるが、水素原子の導入Ｍ命の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望Ｉ混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉ−から成るターゲットとＧｅから成るターゲッ
トの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使
用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタ
リングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはニレ
先トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
′ＩｉＡ蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過さ
せる事で行う事が出来る。

；　　　　　　　　　　この際、スパッタリング法、イ
オンブレーティング法の何れの場合にも形成される層中
に！＼ロゲン原子を導入するには、前記のＩ＼ロゲン化
合物又は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
ネ１ガス、例えば、Ｆ２．或いは前記した・シラン類又
は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリン
グ用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記された／−ロゲン化合物或いは／Ｘロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、）Ｉα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　Ｓｉ１％　Ｆ２　、　Ｓｉ
Ｈ２１２。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＩＪ１　、５ｉＨ２Ｂｒ２　、
５ｉＨＢｒ３等の／＼ロゲン置換水素化硅素、及びＧｅ
）ｌＦ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

Ｇｅ）Ｉα３．　　ＧｅＨＢｒ３　　、　ＧｅＨ３α、
　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢｒ３硅 水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとする／＼ロゲン化物、　ＧｅＦａ　＋ＧｅＣｆ
４　　、ＧｅＢｒａ　　、Ｇｅ１４．ＧｅＦ２．ＧｅＣ
髪２　　、ＧｅＢｒ２　　。

Ｇｅ１２等ノハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状！
Ｅの或いはガス化し得る物質も有効な：ＪＳｌの層（・
Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので１本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ＋。等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、　ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｇ　、　Ｇｅａ
Ｈｌ、）　、　Ｇｅｒ、ＨＩ２　。

Ｇｅ６ＨＨａ　、　Ｇｅ７Ｈ＋６＋　ＧｅＢＨｌ（ｌ　
ｌ　Ｇｅ９Ｈ２ｏ　’ｉＦの水素化ゲルマニウムと５１
を供給する為のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る
。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子１）の早
又はハロゲン原子（Ｘ）の♀又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１＝４０　
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、＠適には０．１〜２５ａｔｏｓｉｃ％とされ
るのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子ＣＸ’）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

未発明に於いて、ａ−ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される第
２のｙｍ　（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ
）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

即ち、本発明において、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例え
ば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る１ｔ！積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位とに設
置されである所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをヘースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原′　　　　　　　　　　子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）１例えば、第■族原子或いは第■族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、Ｐ形成の際に、第ｍ族原ｒ−導入用の
出発物質或いは第Ｖ族原了導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い、この様な第■族原子導入用の出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが１ましい、その様な第ｍ族原子４人用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、
　Ｂ２Ｈｓ　、ＢａＨｒｏ　、Ｂ、Ｈ９Ｂ、Ｈ，いＢ６
Ｈｔｏ　、ＢａＨｒｔ　、ＢＡＨ１４等の水素化硼素、
　ＢＦ３ＢＣｊ　３　、　ＢＢｒ３　’４のハロゲン化
硼素等が挙げられる。この他、７１Ｊα３　、　　Ｇａ
Ｃｌ３　、　Ｇａ　（Ｃ）１３）３＋ＴｎＣ１３、ＴＣ
１３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として５本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　Ｐ）１
３　、　　Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ，Ｉ　、　ＰＦ
、　。

ＰＦ５　、　Ｐｃｔ　３　、　Ｐ’Ｃｊ５．　ＰＢｒ３
．　ＰＢｒ＝、、　ＰＩ３等ノハロゲン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

＾ｓｃ１３　、　　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ
３，ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５ｂＣｊ３　、　５ｂＣｊ
１１．　ＳｉＨ３，５ｉＣｊｓ　、　　Ｂ１Ｂｒ３等も
第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとし。

て挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間のＶ、着性の改良
を図る目的の為に、先受′Ｂ層中には、酸素原子、炭素
原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原
子が層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有さ
れる。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）
は、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは
、光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在
させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが９１ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＩＪ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向丘を４三たる１１的とする場合には、光受容層の全
層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間
の密着性の強化を図るのをしたる目的とする場合には、
光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる
。

前者の場合１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含＃星は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ　）の含有量は１層領域（
１）ＣＭ）自体に要求される特性、或いはＡｋ、層領域
（ＯＣＮ）が支持体との接触して設けられる場合には、
該支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的
関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０（：Ｎ）に直に接触して他の層領域
が設けられる場合には、故地の層領域の特性や、故地の
層領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて
、原子（００％）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔａｍｉｃ％、最適には０．００３＃　３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、！いは、光受容層の全域を占めなくとも１層
領域（ｏｃｍ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、Ｎ領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（Ｏｌｌ：Ｎ）の含有量の上限は、前記の値より
充分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光″
　　　　　　ウ。、、！□ア、９．ア、。、−５５カ。

２ツ上となる様な場合には１層領域（ＯＣＮ）中に含イ
イされる原子（０（：Ｎ）の上限としては、好ましくは
３０ａｔｏｓｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、最適には１Ｏａｔａｓｉｃ％以下とされる
のが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣに）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には１例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えばｍ
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第１１図乃至′：ＪＳｔＳ図には１本発明における光受
容部材の層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（００％
）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示
される。

第１１図乃至第１９図において、横軸は原子（ＯＣＲ）
の分／ＵＷ度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣｌｌ）の層厚を
示し、ＬＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置
を、ＬＴは支持体側とは反対側の層領域（００％）の端
面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＸ）の含有される層
領域（ＯＣＮ）はＬＢ側よりＬＴ側に向って層形成がな
される。

第１１図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣｌｌ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１
の典型例が示される。

第１１図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（００％）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位１１１ｔｉ＋より１．の位
置までは、原子（０（：Ｎ）の分布濃度ＣがＣ５なる一
定の値を取り乍ら原子（ＯＣｌｌ）が形成される層領域
（０（：Ｎ）に含有され１位ｆｆ１ｔ＋よりは濃度４よ
り界面位置を丁に至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位Ｐｔｔｖにおいては原子（ＯＣＮ）の分Ｉａ
濃度Ｃは濃度Ｃ３とされる。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）　（Ｆ）分子ａ濃度Ｃは位ＩＷｔＩＩよりＬＴに
至るまで濃度Ｃ６から徐々に？１！続的に減少して位置
を丁において濃度らと生る様な分布状態を形成している
。

第１３図の場合には１位置ｔ８より位１！ｈまでは原子
（ＯＣＮ）の分ｈＷ度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、位
ｉｔｚと位ＰｔＬｔとの間において、徐々に連続的に減
少され１位１１Ｌｒにおいて１分布ｃｉ度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１４図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
ａｈａより位置【Ｔに至るまで、濃度Ｃｅより連続的に
徐々に減少され１位Ｈｔ丁において、実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置を日と位置し３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位２ｔｔｙにおいては濃度ＣＯＯとされる０
位置Ｌ３と位置を丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位２１ｔ３より位置を丁に至るまで減少している。

第１８図に示される例においては、分ｌａ濃度Ｃは位置
ｔａより位置ｔ４までは濃度ＣＯの一定値を取り、位ｉ
ｔ４より位ｆｆ１ｔｒまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１Ｊ
までは一次関数的に減少する分布状！ムとされている。

第１７図に示す例においては１位２ｔｔｓより位置ＬＴ
に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位ＦｊＬｓより位！！ｔｓに至る
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より
Ｃ１０までの一次関数的に減少され、位ｆｉｔｓと位置
１丁との間においては、１１度Ｃ１＆の一定値とされた
例が示されている。

第１８図に示される例においては、原子（ＯＣＸ）の９
　　　　　　　　　　分布濃度Ｃは、位ｉｔ　ｔｓにお
いては濃度ＣＩ７であり１位！！Ｌ＆に至るまではこの
濃度Ｃａｔより初めは緩やかに減少され、ｔもの位置付
近においては、急激に減少されて位２ｔｔ６では濃度Ｃ
ＩＩＩとされる。

位ｉ！ｔｂと位２ｔｈとの間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩畢かに徐々に減少されて位置Ｌ
７で濃度Ｃ１りとなり１位置ｔ７と位Ｍｔｏとの間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、Ｃ
度Ｃ？Ｏに至る０位置ｔ８とイ装置１．の間番こおいて
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至ｉ１９図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（０ＯＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発明
においては、支持体側において、原子（ａｃｉｄ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ□側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（０（：Ｎ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（０（：Ｎ）は、上
記した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較・型窩
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光
受容層との曲の密着性をより一層向上させることが出来
る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１１図乃至第１９図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位Ｈｔ日より５蓼以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、−上記局在領域（Ｂ）は、界面位置
ｔＢより５＃Ｌ厚までの全領域（Ｌｙ　）とされる場合
もあるし、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もあ
゛る。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適イｆ決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔａｓｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ■ｉｃ　ＰＰ會以
と、最適にはｌｏｏｏａｔａｍｉｃ　ｐｐ−以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち１本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＱＣ：Ｎ）は、支持体側からの層厚で５勝以内
（Ｌｍから５＃Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ
ｌ３貫が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において　Ｆｌ領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部
の層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣ
Ｎ）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに
変化する様に、原子（ＯＧＮ）の層厚方向の分布状態を
形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防１トすることが出来る。

又、層領域（ＱＣＮ）中での原子（０（：Ｎ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折事変化を勢える点で、Ｍ統
して緩やかに変化しているのが甲ましい。

この点から、例えば第１１図万全第１４図、第１７図及
び第１Ｓ図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＱＣ８）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（０１１：Ｎ）を設けるには、光受容層の形成
の際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受
容層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその艮を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（０に！１）を形成するのにグロー放゛１Ｌ法を
用いる場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の
中から所望に従って選択されたものに原子（０（：Ｎ）
導入用の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二鎖化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（８２０ｓ　）　、四二酸
化窒素（Ｎ２０ｍ）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシ
フ　　　　　°０″“°“°°°“ゝ゛Ｊｙ７ｏ＄９７
（Ｈ３ＳｉＯＳｉｌ＋２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキ
サン、メタン（ＣＭ１）、　エタン（Ｃ７Ｈ６）、プロ
パン（Ｃ３Ｈｅ　）、ｎ−ブタｙ　（ｎ−ＣａＨｔｏ）
　、ペンタ７（ＣｓＨ＋２）等の炭素数１〜５の飽和炭
化水素、エチレン（ｃ、　Ｈ４）　。

プロピレン（ＣｊＨ＆）、ブテン−１（Ｃａ　Ｈｓ　）
　、　。

ブテン−２（Ｃａｂｇ）　、インブチレン（Ｃａ）ｌ＠
）、ペンテン（ＣＳＨＩＯ）等の）に１数２〜５のエチ
レン系炭化水素、アセチレン（（ｓＨｚ）、　メチルア
セチレン（ＣｉＨ４）、ブチン（ＣａＨ６）４１ｔｉの
炭素数２〜４のアセチレン系＆　化水Ｊ　、　窒Ｉｎ　
（Ｎ２　）　、アンモニア（Ｎ）１３）　、　　ヒドラ
ジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素（）ＩＴｏ）　、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素ＣＦ
３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙げることが出来
る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
　５ｉ０２．　Ｓｉ３　Ｈｍ、カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｔ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（０（：Ｎ）を設ける場合。

該層領域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態（ｄｅｐｆｂｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣ
Ｎ）を形成するには、グロー放電の場合には１分布濃度
Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＲ）導入用の出発物質の
ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜
変化させ乍も、堆積室内に導入することによって成され
る。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルパルプの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく１例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＭ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒａｆ　ｉ　Ｉｓ）を形成するに
は。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、Ｆ！に子
導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室
中へ導入する際・のガス流量を所ψに従って適宜変化さ
せることによって成される。第一にはスパッタリング用
のターゲットを１例えばＳｌと５ｉ０２との混合された
ターゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との
混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させ
ておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導゛ＩＥ性支持体としては
１例えば、旧Ｃ「、ステンレス、Ｍ。

Ｃｒ、　Ｎｏ、Ａｕ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、
　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はとれ等の合金が挙げられる
。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ　−リエ
チレン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又
はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ。

Ａ１．　Ｃｒ、Ｎｏ、　Ａｕ、Ｉｔ、　Ｎｂ、　Ｔａ、
　Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２．
　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、　ＮｉＣ
ｒ、　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、旧、Ａｕ、　Ｃ
ｒ。

Ｎｏ、　Ｔｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属のＳａを真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状゛としては１円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが１例えば、第１Ｏ図の光受容部材！００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは、所雫通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、先受ｖｇ部材として、
ａ（撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
能的強度の点から、好ましくは１０＃Ｌ以−ヒとされる
。

次に本発明の光受容部材の装造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには２本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度１１
９．ｌｌＨ％、以下、５ｉＨｎ＋！ｌ：略す）ボンへ、
２００３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ
ｌ！Ｈ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９
９．９９１１％、以ドＮＯと略す）ボンベ、　２００５
はＨ２で稀釈された８２Ｈ，ガス（純度９９．９９９％
、以ド８２　Ｈｂ　／　８２と略す）ボンベ。

２００８はＨ２ガス（純度！３９，８９８％）ボンベで
ある。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００８のバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
　　リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認
し、又。

流入バルブ２０１２〜２０１６．流出バルブ２０１７〜
２０２１　。

補助バルブ２０３２．２０３３が開かれていることを確
認しテ、先ずメインバルブ２０３４′を開いて反応室２
００１、及び各ガス配管内を排気する６次に真空計２０
３６の読みが約５　Ｘ　１０−＠ｔｏｒｒになった時点
で補助バルブ２０３２．２０３３．流出バルブ２０１７
〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳ　ｉ
　Ｈ４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガ
スボンベ２００４よりＮＯガス、ガスポンベ２００５よ
りＢ、　Ｈ。

／　８２ガス、２００８よりＨ２ガスをバルブ２０２２
．２０２３゜２０２４、２０２５．２０２６を開いて出
口圧ゲージ２１）’？。

２０２８、２０２９．２０３０．２０３１の圧をｌ　Ｋ
ｇ／ｃｒｎ’に２ｇＢ！！Ｉ！し、流入バルブ２０１２
．２Ｇ１３．２０１４．２０１５．２０１８ヲ徐々に開
けて、マスプロコントローラ２００７゜２００Ｂ、２０
０９．２０１Ｏ１２０１１内に夫々法人させる。引き続
いて流出バルブ２０１７．２０１８．２０１Ｌ　２０２
０゜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に
開いて夫々のガスを反応室２００１に流入させる。この
ときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ４ガス流Ｑｌ、Ｎｏガス
流量の比が所望の値になるように流出バルブ２０１７．
２０＋１１．２０１９゜２０２０．２０２Ｉを調整し、
また１反応室２００！内の圧力が所望の値になるように
真空計２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０３４
の開口を調整する。そして、基体２０３７の温度が加熱
ヒーター２０３８により５０〜４００℃の鈍囲の温度に
設定されていることを確認した後、電源２０４０を所望
の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電を生起
させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、　Ａｌｉ体２０３７上に第１のＪ！！ｔ（Ｇ）を
形成する。所望層厚に第１の層ＣＧ）が形成された段階
に於て、流出バルブ２０Ｉ８を完全に閉じること及び必
要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手順
に従って所望時間グロー放電を維持することで第１の層
（Ｇ）　−１にゲルマニウム原子の実質的に含有されな
い第２の層（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１３あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸′
Ｊ原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。ま
た、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいはＩに素原
子を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガ
スを例えばＭ１３ガスあるいはＣ）Ｉ４ガス等に代えて
１層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成を行なえばよい６層形成を行っている間は層形成の
均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３８によ
り一定速度で回転させてやるのが望ましい。

〔実施例〕

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ １　　　　　　Ｍ９＋ｉｉ！！Ｉ′″ｖｓｈ６ＷＮｋ　
＜１に！“）３５７“・１０）８０層ｌ、ピッチＣＰ）
　２５ｍ、深さく０）０，８μの螺旋溝表面形状）のＭ
支持体を作製した。

次に、第２０図のＷ２堆！ａ装置を使用し、第１表に示
す条件で種々の操作手順にしたがって、ｆｒ＋ｉＡのＭ
支持体とにａ−５ｉ光受容層を堆積した（試料Ｎ０１ｌ
−１）　。

別に、同一の表面性の回筒状Ｍ支持体上に、第１層及び
第２Ｆ形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした環外は
］−記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ
、第２８図に示す様に光受容層の表面は支持体８２０１
の表面に対して平行になっていた。この場合、超支特体
の中央と両端部とで全層の層厚の差はｌｐｍであった（
試料ＮＯ，１−２）　。

また１曲記試料Ｎｏ、１−１の場合には第２９図の様に
光受容層の表面と支持体８４０１の表面とは非平行であ
った。この場合、Ａ１支持体の中央と両端部とでの平均
層厚の層厚差は２μｍであった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
−の半導体レーザーをスポー、ト径８０ｕで第２に図に
示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像
を得た。第２８図に示す表面性の光受容部材では、干渉
縞模様が観察された。

一方、第２９図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性を示
すものが得られた。

実施例２ シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第２表のように
加工した。これ等（シリンダーＪＩＩＬ　１０１〜１０
８）の円筒状のＭ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、１
−１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作
製した（試料遂１ｕ〜■８）。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２−であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
３表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様に第２１図の装置で波長７８０１の半
導体レーザーを使い、スポット径８０−で画像露光を行
ったところ、第３表の結果を得た。

実施例３ 第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成したた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず１．実用に十分なものであ
った。

実施例４　。

第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以との電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は！ｌｌ察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例５ 第６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画ｆＩｌ露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像
、転写、定着して佇通紙上に可視画像を得た。得られた
画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ 第７表に示す条件で実施例１の試料Ｎ’ｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光！ＩＩを用いて１画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例７ 第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ−１の場）
　　　　　　　　　合と同様にして電子写真用光受容部
材を形成した。

以Ｉ−の電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。　ｆｌられ
た画像にはＦ渉縞性様は観察されず、実用に十分なもの
であった。

実施例８ 第９表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお１
層作成中、ＮｏガスのＧｅＨａガスとＳｉＨ，Ｉガスと
の和に対する流へ）比を、第２２図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。Ｐ４られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例９ 第１０表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお、
Ｎ作成中、Ｎ）Ｉ３ガスノＧｅＨ，ガスとＳｉＨ４ガス
との和に対する流量比を、第２３図に示す゛変化率−曲
線に従゛って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない′、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様゛は観察されず、実用に十分なも゛の
であった。

実施例１Ｏ 第１１表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成ルた。なお
、層作成中、ＣＭ、ガスのＧｅＨ４ガスと５ｉＨａガス
との和に対する流量比を、第２４図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

以上の電子写真用光′受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１１ 第１２表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ’−１の
場合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。′
なお、層作′成中、罰ガスのＧｅＨ４ガ久とＳｉＨ４ガ
スとの和に対する流量比を、第２５図に示す変化率曲線
に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着してｆｔ１ｆ＋紙上に０ｉ視画像を得た。得ら
れた画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なも
のであった。

実施例１２ 第１３表に示す条件で実施例１の試＄４Ｎ０．１−１の
場合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。な
お、ＪＥＦ作成中、　　ＮＨ３ガスのＧｅＨ４ガスと５
ｉ）ｌ、＋ガスとの和に対する流量比を、第２８図に示
す変化率曲線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施□例１と同
様な画像露光゛装置を用いて１画像露光を行ない、現゛
像′、転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。ｍら
れた画像に゛は干渉縞模様は観察されず、実用に十分な
ものであった。

実施例１３ 第１４表に示す条ヂ１で実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ−１の
場合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。な
お１層作成中、　　ＣＨ，ガスノＧ＠Ｈａガスと５ｉＨ
ａガスとの和に対する流量比を、第２７図に示す変化率
曲線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例１４ 第１５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像ノ　　　　　　　　を
１１１だ、得られた画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった。

実施例１５ 第１８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例ＩＢ 実施例１の試Ｉ４Ｎｏ、Ｉ−１の場合及び実施例３から
実ｊ１４Ｍ！５までについて、■りで３０００　ｖｏｌ
　ｐｐ−に希釈した８２〜ガスの代りに、Ｈ２で３００
０マｏｆ　ＰＰ層に希釈したＰＨ３ガスを使用して、電
子写真用光受容部材を夫々作製した。なお、他の作製条
件は、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合及び実施例３
から実施例１５までと同様にした。

以上の電子写真用光受容部材について第２１図に示す画
像露光装！！（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポット
径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像転写して
画像を得た。いづれの画像にも干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡｔ支持体に代えて。

サンドブラスト法によりＭ支持体の表面を粗面化した超
支特体を採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、１
−１の場合と全く同様の方法でａ−９ｉ電子写真用光受
容部材を作製した。この際のサンドブラスト法により表
面粗面化処理したＡｔ支持体の表面状態については光受
容層を設ける前に小板研究所の万歳表面形状測定器（Ｓ
Ｅ−３Ｇ）で測定したが、この時平均表面粗さは１．８
μであることが判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
２１図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の千球
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｇ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ：）は、光受容部材の各層
の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説ＩＪＩ図である。 第９図は支持体の表面状態の一例の説明図である。 第１Ｏ図は、光受容部材の層構成の説明図であ第Ｕ図か
ら第１９図は、それぞれ層領域（０（：Ｎ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第２２図から第２７図はそれぞれ実施例におけるガス流
量の変化率曲線を示すものある。 第２８図及び第２９図は、実施例で作製した光受容部材
の構造因である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面、　　　　　　　　　　　
　２８０１°°°°°°°゛°°°°°“°“電子写真
用光受容部材２８０２・・・・・・・・・・・・・・・
・・・半導体レーザー２６０３・・・・・・・・・・・
・・・・・・・ｆＯレンズ２６０４・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ポリゴンミラー２６０５・・・・・
・・・・・・・・旧・・露光装置のモ面図２６０６・・
・・・・・・・・旧・・・・・露光装置の側面図特許出
願人　　キャノノ株式会社 代　　叩　　人　　　若　　　林　　　　　忠！ｉ。 第１Ｓ 第２図 １３図 第４図 第５図 第６図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ） Ｒ 第７０ 第９図 第１０図 □Ｃ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 ７，１．１５図 第１６図 第１７図 第１８図 □Ｃ 第１９図 力°入二丸量Ｌｃ。 第２２し。 カ゛ス５丸量よ乙 第２３図 フ　　　　　　　　　　　　　　　ガステえ量ヱし第２
４図 力“ス流量太乙 第２５図 力ス５え量工し 第２６図 ガス混ｌ化 第２７図

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
   側よりこの順に設けられた多層構成の光受容層を有して
   おり、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝
   導性を支配する物質が含有されると共に、前記光受容層
   は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される
   少なくとも一種を含有し、かつ ショートレンジ内に一対以上の非平行な界面を有し、該
   非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方
   向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向に於いて各
   々なめらかに連結していることを特徴とする光受容部材
   。
2. （２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
   て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に均一で
   ある特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
3. （３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
   て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に不均一
   である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
   て形成されている特許請求の範囲第７項に記載の光受容
   部材。
9. （９）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
10. （１０）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に
    於いて、螺旋構造を有する特許請求の範囲第９項に記載
    の光受容部材。
11. （１１）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
    範囲第１０項に記載の光受容部材。
12. （１２）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
13. （１３）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第９項に記載
    の光受容部材。
14. （１４）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
    の範囲第７項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記傾斜面が鏡面仕上されている特許請求の範
    囲第１４項に記載の光受容部材。
16. （１６）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第７項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
18. （１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項又は同第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。
20. （２０）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
    。