JPS60225853A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しく嬬、レーザー光
などの可干渉性光！を用い′るのに適した光受容部材に
関する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザ−光で光受容部
材を光学的に走査することによシ静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後［ｋ−８ｉＪと略記する）から成る感
光層を有する光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−８ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ω副以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハ
ロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の
量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必要
性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必要
があル等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成シの
制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又は
／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ　−Ｓ　ｉ系光受容部材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為Ｋ、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）よシ反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさけ顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以りて説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ。と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに１以上の層厚ｎ 差で不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２　ｎ　ｄ　
＝　ｍλ（ｍは整数、この場合反射光は強め合う）と２
ｎｄ＝（ｍ＋Ｔ）λ（ｍは整数、この場合反射光は弱め
合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収
光量および透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すよう釦、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００λ〜±ｘｏｏｏｏＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色顔
料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例え
ば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム支
持体表面を梨地状のアルマイト処理したシ、サンドブラ
ストによシ砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表
面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５７
−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光１　散乱効果に
よる干渉縞模様の発現を低減させてはいるが、光散乱と
しては依然として正反射光成分が現存している為に、該
正反射光による干渉縞模様が残存するととに加えて、支
持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが
生じ、（所謂、；倦み現象）実質的な解像度低下の要因
となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を敗ける場合はＡ−８ｉ悪感光を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−８
ｉ悪感光形成の際のプラズマによってダメージを受けて
、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化
によるその後のＡ−８ｉ悪感光の形成に悪影響を与える
こと等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ□となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光重１となる。透
過光重、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に、　、に９．に３・・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外音μに出て行く。従って、反射光
Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反対を防止す
る為に支持体３０１０表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してノ・レーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２，第２層４０３の表面で
の反射光Ｒ０，支持体４０１の表面での正反射光Ｒ３の
夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干渉
縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材におい
ては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉
縞を完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不拘、−
性がありて、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレークダウ
ンの原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
溢って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容層５０２の凹凸の傾斜面
５０４とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍλまた
は２ｎｄ１＝＝　（ｍ＋　２　）λが成立ち、夫々明部
または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大が５以
上である様な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が
現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光忙感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は電子写真法を利用するデジタ
ル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジタ
ル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光受
容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高８Ｎ比
特性、及び支持体との間に良好な電気的接解性を有する
光受容部材を提供することでもある。

〔発明の概要〕 本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子を含
む非晶質材料からなり少なくとも一部の層領域が感光性
を有する光受容層とを有する光受容部材に於いて、前記
光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選
択される少なくとも一種を含有することを特徴としてい
る。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有
する支持体（下図示）上に、その凹凸の傾斜面ＫＧって
、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、図
の一部に拡大して示しである。第６図に示されるように
、第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化し
ている為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向き
を有している。従って、この微小部分（ショートレンジ
）ｌに入射した可干渉性光は、該微小部分ｌに於て干渉
を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図の「（
Ｂ、）Ｊ）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（０）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ　）よりも非平行な場合
（ｒ（Ａ）Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が
無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図忙示す様に、第２層７０２０層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７＼ｄ８）でも同様に言える為
、全層領域に於て入射光景が均一になる（第６図のｒ（
Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量。に対し
て、反射光Ｒ□、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、几、が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像が生じる。

そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することが出来、干渉縞の発現をより一層 層抑制することが出来る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６）は、照射光の波長を
２とすると、 λ ｄ５−’ｄ６≧２ｎ（ｎ　’第２層６０２の屈折率）で
あるのが望ましい。（第６図参照） 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が、各層の形成の際に微小カラム内に於いて制御さ
れるが、この条件を満足するならば該微小カラム内にい
ずれか２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が ス　（ｎ：層の屈折率） ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をよシ効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＯ
ＶＤ法）、光ＯＶＤ法、熱ＯＶＤ法が採用される。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化す 学的方法、蒸着、スパッタソングなどの物理的方法、旋
盤加工などの機械的方法などが利用できる。

しかし、生産管理を容易に行うために、旋盤などの機械
的加工法が好ましいものである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、Ｖ字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした輝線構造を有する。突起部の輝線構造は、
二重、三重の多重螺線構造、又は交叉標線構造とされて
も差支えない。

或いは、輝線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするだめに、−次近似
的に同一形状であることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配−列されていることが好ましい。又、
更に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層
と支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有
することが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンションは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は感光層を構成するＡ−８ｉｆｆｉｔｄ、層
形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に
応じて層品質は大きく変化する。従って、Ａ−８ｉ感光
層の層品質の低下を招来しない様に支持体表面に設けら
れる凹凸のディメンションを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ、よシ好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最適
には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又四部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０、１　μｍ　〜１
．５　ｐ　ｍ　、最適には０．２μｍ〜１μｍとされる
のが望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感光層１
００４が設けられた構成とされている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ、
　ステンレス、ＡＩ　、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ。

Ｎ　ｂ　、　Ｔ　ａ　、　Ｖ　、　Ｔ　ｉ　、　Ｐ　ｔ
　、　Ｐ　ｄ等の金属又はこれ等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、Ｎｉ０ｒ　。

Ａ　Ｉ　、　Ｏｒ　、　Ｍ　ｏ　、　Ａ　ｕ　、　Ｉ　
ｒ　、　Ｎ　ｂ　、　Ｔ　ａ　、　Ｖ　。

Ｔ　ｉ　、　Ｐ　ｔ　、　Ｐ　ｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３，５
−ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋８ｎＯ２）等から成る
薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポ
リエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ
ｉ０ｒ、　Ａ　Ｉ　、　Ａ　ｇ　、　Ｐ　ｄ　。

Ｚ　ｎ　、　Ｎ　ｉ　、　Ａ　ｕ　、　Ｏｒ　、　Ｍ　
ｏ　、　Ｉ　ｒ　、　Ｎ　ｂ　。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スバ、タリング等でその表面に設け、又
は、前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性が付与される。寥持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状１等任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１０図の光受
容部材１０００を電子写真用像形成部材として使用する
のであれば連続複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光
受容部材が形成される様に適宜決定されるが、光受容部
材として可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは１０μ
以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感六層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−８ｉ（以後ｇＡ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で構成されると共に伝導性を支配す
る物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止層１００３に
含有される伝導性を支配する物質（０）としては、いわ
ゆる半導体分野で言われる不純物を挙げることができ、
本発明に於ては、Ｓｉに対して、ｐ型伝導特性を与える
ｎ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を挙げる
ことがＡＩ　（アルミニウム）　、　Ｏａ　（ガリウム
）　、　Ｉｎ　（インジウム）、ＴＩ（タリウム）等が
あり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａ、である。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）　、　Ａｓ　（砒素）、５ｂ
（７ｙチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊
に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（０）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００２が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。又、
前記電荷注入防止層に直に接触して設けられる他の層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（０）の
含有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３中に含有される
伝導性を制御する物質（０）の含有量としては、好適に
は、０．００１〜５Ｘ１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よ
り好適には０５〜１×１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最
適には１〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
０）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
上、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上・最適
には１０　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることに
よって、以下忙述べる効果をより顕著に得ることが出来
る。例えば含有させる物質（０）が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から感光層中へ注入される電子の移動
を、より効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質（ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容
層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側
から感光層中へ注入される正孔の移動を、より効果的に
阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００２の層厚は、好ましくは、３０人
〜１０μ、より好適には４ｏＸ〜８μ、最適には５ｏＸ
〜５μとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レ
ーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する電荷
発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を
有する。

感光層１００４の層厚としては、好捷しくは、１〜１０
０μｍ、よシ好ましくは１〜８０μｍ。

最適には２〜５０μｍとされるのが望ましい。

感光Ｍ１００４には、電荷注入防止層１００２に含有さ
れる伝導特性を支配する物質（０）の極性とは別の極性
の伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止
層１００２に含有される実際の量が多い場合には、該量
よシも一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従りて適宜決定されるものであるが、好まし
くはｏ、ｏｏｉ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最
適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有きせる場合に
は、感光層重００３に於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｊｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
十Ｘ　）は、好ましくは１〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、
よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、０１．Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、０１が好ましいものと
して挙げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代シに電気絶縁性材料から成る、所謂、障壁層
を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層１
００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａ１□０３＊　Ｓ　１０２　
、　Ｓ　ｔ　３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボ
ネート等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
含有される。光受容層中に含有されるこの様な原子（Ｏ
ＯＮ）は、先受１　客層の全層領域に万偏なく含有され
ても良いし、或いは、光受容層の一部の層領域のみに含
有させることで偏在させても良い。

原子（ＯＯＮ）の分布状態は分布濃度０　（ＯＯＮ）が
、光受容層の層厚方向及び支持体の表面と平行な面内に
於いて均一であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＯＮ）
の含有されている層領域（ＯＯＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＯＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＯＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＯＮ
　）に含有される原子（ＯＯＮ）の含有量は、層領域（
ＯＯＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＯ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＯＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＯＮ　）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＯＮ）中に含有される原子（ＯＯＮ）の量は
、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜５
　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、０、００２〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＯＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＯＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（０ＯＮ）に含有され
る原子（ＯＯＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合忙は、層領域（ＯＯＮ）の層厚Ｔ。

が光受容層の層厚ＴＫ対して占める割合が５分の２以上
となる様な場合には、層領域（ＯＯＮ）中に含有される
原子（ＯＯＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、よし好ましくは２゜ａｔｏｍｉｃ％以
下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望
ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＯＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
障壁層には、少なくとも含有される。詰り、光受容層の
支持体側端部層領域に原子（ＯＯＮ）を含有させること
で、支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ること
が出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が出来るの
で、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＯＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で含有させても良い。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−８ｉ　（「Ａ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ）Ｊと記す）
で構成される感光層を形成するには例えハクロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンプレーティグ法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によって、ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ　
）で構成される感光層を形成するには、基本的には、シ
リコン原子（８ｉ）を供給し得るＳｊ供給用の原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上Ｋａ　−８ｉ　（Ｈ、
Ｘ　）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡ　ｒ　、　Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガス
の雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、
必要に応じてＨｅ　、　Ａ　ｒ等の稀釈ガスで稀釈され
た水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガ
スのプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパ
ッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＢＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８
゜Ｓ　１４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊Ｋ、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ−供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明忙おいて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化゛　物が挙げら
れ、例えば・・ロゲンガス、・・ロゲン化合物、ハロゲ
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子と
を構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲ
ン原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発
明においては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハｔｆ
ｆゲンガス、ＢｒＦ、ＯＩＦ、０ＩＦ３．ＢｒＦ５．Ｂ
ｒＦ３゜正８．ＩＦ７．　ＩＯＩ　、　ＩＢｒ等のハロ
ゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例エバＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６，５ｉＯ１４，８ｉＢｒ４等（Ｄ　
ハロゲン化合物が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−８ｉから成る感光層を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳ量供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡ　ｒ　。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、■２、或いは前記した７ラン類のガス
類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類の
プラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＯＩ。

ＨＢ、　ｒ　、　ＨＩ等のハＩｆｆゲン化水素、ＳｉＨ
２Ｆ２゜Ｓｉ馬Ｉ、、５ｉＨ２０ｆ２，５ｉ）ＴＯ１３
，８ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉｎ２Ｂｒ２゜５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化硅素、等のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン原子は、感
光層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（０）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するＫは、各層の形成の際
に、第１族原子導入用の出発物質或いは第■族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様
な第１族原子導入用の出発物質と成り得るものとしては
、。

常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。その
様な第１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６゜Ｂ４Ｈ１ｏ、Ｂ、Ｎ９
．Ｂ５Ｈ□１．Ｂ、Ｈｌｏ、Ｂ６Ｈ１□、Ｂ６Ｈ，４等
の水素化硼素、ＢＦ３．ＨＯＩ３．ＢＢｒ３等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ１０１３．Ｃ！ａ
０１３，０ａ（ＯＨ３）３．Ｉｎ０１３゜Ｔ１０■３等
も挙げることが出来る。

第１族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３．ＰＦ５゜Ｐ
Ｃｌ３．ＰＣｌ３．ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ３等のハ
ロゲン比隣が挙げられる。この他ＡｓＨ３，ＡｓＦａ　
＊　ＡｓＣ）Ｃ１１ｓ　、ＡｓＢ　ｒ　ａ　＊　ＡｓＦ
　ｓ　＊ＳｂＨ３，ＳｂＦ５．５ｂａｔ　３．５ｂＯ１
５，ＢｉＨ３，Ｂ１１１３．Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＯＮ）の含有され
た層領域（ＯＯＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＯＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（ＯＯＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＯＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＯＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＯＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０□）、オゾン（０３）。

−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化
窒素（Ｎ２０　）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、Ｎ：酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、三酸
化窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子０
と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロ
キサン（Ｈａ　Ｓ　ｒ　ｏｓ　ｔＨ３）　＊　トリシロ
キサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０Ｓ　ｉ　Ｎ３４の低級シ
ロキサン、メタン（ＯＨ４）、エタン（０２Ｈ６）　、
プロパン（０３Ｈ８）、　ｎ−ブタ７　（ｎ−０４Ｈ，
。）　。

ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（０２Ｈ４）　、プロピレン（０３Ｈ６）
、ブテン−１（０４）Ｉ８）、ブテン−２（０４Ｈ８）
、イソブチレン（０４Ｈ８）　。

ペンテン（９ｓＨ１ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（０２Ｈ２）、メチルアセチレン
（０３Ｈ４）　、ブチン（０４Ｈ，）等の炭素数２〜４
のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素
（ＨＮ３Ｎ）　３．アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）
　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）
等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＯＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
８ｔＯ□、Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲ、４３トと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット系８０μｍの半導体レーザー（波
長７８０　ｎｍ）を使用した。したがって八−８ｉ：Ｈ
を堆積させる円筒状のＡｌ支持体（長さく　Ｌ　）　３
５７　ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤で１　溝を作
製した。このときの溝の形を第１１図（Ｂ）に示す。

このＡｔ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２ｏ１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ１２０４はＡｌ支持体
回転用モータ、１２ｏ５はＡｌ支持体、１２０６はＡｌ
支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２０８
は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド板、
１２１゜フロコントローラー、１２５１〜１２５をはレ
ギュレーター、１２６１は水素（Ｎ２）ボンベ、１２６
２はシラン（ＳｉＨ４）ボンベ、１２６３はジボランの
ボンベの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントロ
ーラーおよびパルプを開け、１２ｏ３の拡散ポンプによ
シ堆積装置内を１０”Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同
時に１２０６のヒータにょＤ　１２０５のＡｌ支持体を
２５０℃まで加熱し２５０℃で一１２６１〜１２６％の
ボンベの元栓を開け、　１２０３の拡散ポンプをメカニ
カルブースターポンプに代える。１２５１〜１２５蚤の
レギュレーター付きパルプの二次圧を１．５　ｋｇ／ｃ
ｒｎ２に設定した。１２３１のマスフロコントロラー全
３００８ＣａｌｌＴＩニ設定シ、１２４１のパルプと１
２２１のパルプを順に開き次に１２６束のＳ　ｉ　Ｈ４
ガスを１２３２のマスフロコントローラーの設定を１５
０ＳＯＯＭに設定して、Ｎ２ガスの導入と同様の操作で
Ｓ　ｒ　Ｈ４ガスを堆積装置に導入し１２６３のＢ２Ｈ
６ガス流量をＳ　ｉ　Ｈ４ガス流量に対して、１６００
Ｖｏｌ　ｐｐｍになるように１２３３のマス７０−コン
トローラーを設定して、Ｎ２ガスの導入と同様な操作で
Ｂ２Ｈ６ガスを堆積装置内に導入した。

次に１２６４のＮｏガス流量ｆ　Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量
に対して、３．４Ｖｏ１％になるように１２３４のマス
フロコントローラーを設定して、Ｎ２ガスの導入と同様
な操作でＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２　Ｔｏｒｒで安定した
ら、１２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２ｏ２の
マツチングボックスを調節して、１２０５のＡｌ支持体
と１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を１５０Ｗとし５μｍ厚にＡ−８ｊ：Ｈ：Ｂ
層（Ｂを含むＰ型のＡ−８ｉ：Ｈ層となる）を堆積した
（電荷注入防止層）。

この様にして５ｐｍ厚のＡ−８ｉ：Ｈ：Ｂ（Ｐ型）を堆
積したのち放電を切らずに、１２２３のパルプを閉めＢ
２Ｈ６の流入を止めた。

そして高周波電力１５０Ｗで２０μｍ厚のＡ−８ｉ：Ｈ
層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）。

そ−の後高周波電源およびガスのパルプをすべて閉じ堆
積装置を排気し、Ａｌ支持体の温度を室温まで下げて、
光受容層を形成した支持体を取９出した。この場合、第
１１図（Ｂ）　、　（０）のように感光層の表面と支持
体の表面とは非平行であった。この場合ＡＩ支持体の中
央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーをスポット径８０μｍで第１３図に
示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像
を得た。この場合干渉縞模様は、観察されず、実用に十
分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例２ 第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状Ａ１支持体上如、第１表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転写
、定着して、普通紙上に可視画像を得た。この場合、得
られた画像には干渉縞は見られず、実用上十分な特性で
あった。

“　実施例３ 第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体上に、第２表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。これら電子写真用光受容部材につ
いて、実施例１と同様な画像露光装置を用いて、画像露
光を行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であった。

実施例４ 第１４図、第１５１ａ第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体上に、第３表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。、これら電子写真用光受容部材に
ついて、実施例１と同様な画像露光装置を用いて、画像
露光を行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画
像を得た。このような画像形成プロセスを１０万回連続
繰返し行った。

この場合、得られた画像の総てに於いては、干渉縞は見
られず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と
１０万回目の画像の間には、何等差違はなく、高品質の
画像であった。

実施例５ 第１４図、第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダ
ー状ＡＩ支持体上に、第４表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。これら電子写真用光受容部材につ
いて、実施例１と同様な画像露光装置を用いて、画像露
光を行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であった。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には、高光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体との間
に良好な電気的接触性を有し、デジタル画像記録に好適
な光受容部材を提供することができる。

第　１　表 第　２　表 第　３　表 第　４　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞発現を
説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合まで展開して説明する為の説
明図である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１０１昧、光受容部材の説明図である。 第１１１蝶、実施例１で用いたＡ之支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１６図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 第１４図、第１５図、第１６図は、実施例で作製した支
持体の表面状態の説明図である。 １ｏｏｏ・・・・・光受容部材 １００１・・・・・ＡＬ支持体 １００２・・・・・光受容層 １００６・・・・争電荷注入防止層 １００４・−・・・感光層 １６０１・・・・・電子写真用光受容部材１６０２す０
・半導体レーザー １６０３・争・・・ｆθレンズ １３０４−”・・・ポリゴンミラー １６０５・ｓｅａ・露光装置の平面図 １６ｏ６・・・・・露光装置の側面図 出願人　キャノン株式会社 １１ １ 第２０ イ立　１ｙ１ 第６図 （１１ （０） Ｒ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子を含む非晶質材料から
   なシ少なくとも一部の層領域が感光性を有する光受容層
   とを有する光受容部材に於いて、前記光受容層は、酸素
   原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくと
   も一種を含有することを特徴とする光受容部材。
2. （２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
3. （３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
4. （４）　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を有
   する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。
7. （７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
8. （８）　前記凸部は、機械的加工によって形成された特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。