JPS60177357A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

ネらに詳しくは、レーザー光なとの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応して変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０　ｒ＋ｍの発光波長
を有する）で像記録を行なうことか一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段にイサれている点に加え
て、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で、例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５１
３−８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を
含む非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成
る感光層を有する光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を中層構成のＡ−５ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ωｃｆｉｌ以」−の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子と
を特定の；ｉｉ範囲で層中に制御された形で構造的に含
有させる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳
密に行う８貿がある等、光受容部材の設計に於ける。ｉ
′１容度に町成りの制限がある。

この、世評−にの許容度を拡大出来る、詰り、ある程度
低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る
様にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７
４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７
−４１７２号公報に記載されてあ〜る様に光受容層を伝
導特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、
光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７
−　５２１７８号、同５２１７９号、同５２１７９号、
同５８１５９号、同５８１６０号、同５８１８１号の各
公報に記載されである様に光受容層を支持体と感光層の
間、又は／及び感光層の」一部表面に障壁層を設けた多
層構造としたりして、見掛け」二の暗抵抗を高めた光受
容部材が提案されている。

この様な提案によって、Ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化膜ｉＦｌ上の許容度に於いて、或いは製造上の管
理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進１ｊ（Ｌ、商
品化に向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域か長波ｋ
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので１１１１記の干渉現象は顕勇である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと」二部界面　１０２で反射した反射光Ｒ
１、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している
。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を層厚差で不
均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、この場合反射光は強め場合反則光は弱め合う）の
条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量およ
び透過光量に変化を生しる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材」−に転写、定ｒ、された可
視画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をタイ
ヤモンド切削して、±　５００人〜±　１００００人の
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えは４、ν開
閉５８−１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン
、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方
法（例えは特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミ
ニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サ
ンドブラストにより砂ｌ」状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することか出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、礒かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現を低減させてはいるか、光７１々乱と
しては依然として止反躬光成分が現イｆしている為に、
該止反射光による−１渉縞模様か残存することに加えて
、支持体表面での光散乱効果の為に照射スポフトに拡か
りが生じ、（ＩＩｌ′ｉ謂、滲み現象）実質的な解像度
低ドの要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理４’＋、＋度では、
完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残イ
イする。又、着色顔ネ′］分１挟樹脂層を設ける場合は
Ａ−３ｉ感光層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が
生じ、形成される感光層の層品質がＸＬ＜低下すること
、樹脂層がＡ−５ｉ感光層形成の際のプラズマによって
タメーシを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に
、表面状態の悪化によるその後のＡ−５ｉ感光層のと 形成に悪影響を与えること等の不都合さが有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方ツノ、の場合には、第
３図に小才様に、例えば人Ｑ４光■ｏは。

光受容層３０２の表面でその一部か反射されて反射光Ｒ
，となり、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光　ＩＩ　となる。透過光　１．は、支持体３０２の
表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光ＫＩ＋
　Ｋ２＋　Ｋ３　・・・・となり、残りか１１８反川５
れて反射光Ｒ２となり、その一部か出射光Ｒ３となって
外部に出て行く。

従って１反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３か
残留する為、依然としてＩ渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

を増加させると、光受容層内で光か拡散してハレーショ
ンを生ずる為解像度が低ドするという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２、第２層４０３の表面で
の反射光Ｒ１＋支持体４０１の表面での正反射光Ｒ３の
夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干渉
縞模様が生しる。従って、多層構成の光受容部材におい
ては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉
縞を完全に防止することは不■ｆ能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト１１１１に於いて
バラツキが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不
均一性があって、製造管理」−具合が悪かった。加えて
、比較的大きな突起がランダムに形成される機会が多く
、斯かる大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレー
クダウンの原因となっていた。

又、巾に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
治って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容層５０２の凹凸の傾斜面
５０４とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は　２ｎｄｔ　＝ｍ入
または２ｎｄｌ　＝　（ｍ＋Ｈ）入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ１．ｄ２、ｄ３、ｄ４の不均一・性があるため明暗
の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、〜層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の光受容部材は、シリコン原子を含む非晶質材料
からなる少なくとも１つの感光層をイＳする多Ｐ：！：
Ｘ構成の光受容層を支持体上にイＩする光受容部材に於
て、前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の中
から選択される原子の少なくとも一種を含有し、且つシ
ョートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非
平行な界面が、層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方
向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

第６図には装置ηの要求解像力よりも微小な凹凸形状を
有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿っ
て、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、
図の一部に拡大して示しである。第６図に示されるよう
に、第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６　と連続的に変
化している為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾
向きを有している。従って、この微小部分（ショートレ
ンジ）文に入射したり干渉性光は、＋ｉＡ微小部分文に
於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＯに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干＃縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小
部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７＃ｄ８）でも同様に云える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量０に対し
て、反射光Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することが出来、干渉縞の発現をより一層抑制すること
が出来る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
りに於ける層厚の差（ｄ５ｄｓ　）は、照射光の波長を
入とすると、 であるのが望ましい。（第６図参照） 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が、各層の形成の際に微小カラム内に於いて制御さ
れるが、この条件を満足するならば該微小カラム内にい
ずれか２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が 一入−（ｎ＝層の屈折率） ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を一構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶
縁性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目
的をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的
レベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（Ｐ
にＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させなから都側的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした鎖線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の蛛線
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線構造
とされても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆■字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に、二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。　本発明に於ては、管
理された状態で支持体表面に設けられる凹凸の各ディメ
ンションは、以下の点を考慮した上で、本発明の目的を
結果的に達成出来る様に設定される。

即ち、第１は感光層を構成するＡ−３ｉ層は、層形成さ
れる表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じて
膜品質は大きく変化する。

従って、Ａ−９ｉ感光層の膜品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンションを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００　μｍ
　−０，３ｐ−ｍ　、より好ましくは２００ｋｍ〜ｌｐ
ｍ、最適には５０ｇｍ〜５＊　ｇ　ｍであるのが望まし
い。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１　ｋｍ〜５ｇ
ｍ、より好ましくは０．３ｇ　ｍ　〜３　ｇ　ｍ　。

最適には０．８ｐｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。

支持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１　ｇｍ〜２　ｐ、　ｍ　、より好ましくは０．３ｇ
ｍ　−１，５μｍ、最適には０．２ｇｍ〜ｌＩＬｍとさ
れるのが望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の其体例を示
す。

ｉ１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体＋００１」
二に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は
支持体１００１側より電荷注入防止層１００３゜感光層
１００４が設けられた構成とされている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、
ステア１／ス、　ＡＩ、　Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｎ
ｂ。

Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこ
れ等の合金か」二げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ１１１化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフ
ィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使
用される。これ等のｔ［気絶縁性支持体は、好適には少
なくともその一方の表面を導電処理され、該導電処理さ
れた表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、Ｎ１Ｇｒ。

ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｄ、Ｉｒ＋２０３　、５ｎ０２’、　ＩＴＯ（Ｉｎ２
Ｏ３＋　５ｎ０２　）等から成る薄１１！２を設けるこ
とによって導電性がイ１与され、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、　ＮｉＣｒ、　
ＡＩ、　Ａｇ、　Ｐｄ。

Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎ
ｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ。

Ｐｔ９等の金属のＳ膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パッタリング等でその表面に設け、又は、前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が伺与
される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００５を電
子写真用像形成部材として使用するのであれば連続複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら
、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的
強度等の点から、好ましくは１０＃Ｌ以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの゛電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗
化を計る目的で設けられる。

°重荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｉ（以後ｒＡ　−Ｓｉ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　ト記ｔ）　テａ成すレ６　ト共に伝
導性を支配する物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止
層１００３に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）と
しては、いわゆる半導体分野で言われる不純物を挙げる
ことができ、本発明に於ては、Ｓｉに対して、ｐ型伝導
特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不
純物を挙げることができる。具体的には。

ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属する原子（第■
属原子）、例えばＢ（硼素）９Ｍ（アルミニウム）、Ｇ
ａ（カリウム）、Ｉｎ（インジウム）、ＴＩ（タリウム
）等があり、殊に好適Ｊ）、Ｓｂ（アンチモン）　、　
Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるの
は、Ｐ、Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００２が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。又、
前記電荷注入防止層に直に接触して設けられる他の層領
域の特性や、該量の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３中に含有される
伝導性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好適に
は、０．００１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐＰ
ｍ、より好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ。

最適には１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質Ｃ
，Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ以」二、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、最適には　ＩＱＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とするこ
とによって、以下に述べる効果をより顕著に得ることが
出来る。例えば含有させる物質ＣＣ）が前記のｐ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面が（Ｄ極性に帯電処
理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電子
の移動を、より効果的に阻止することが出来、又、前記
含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面がθ極性に帯電処理を受けた際に支
持体側から感光層中へ注入される正孔の移動を、より効
果的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００２の層厚は、好ましくは、３０人
〜１０終、より好適には４０人〜８Ｊｔ、最適には５０
人〜５ルとされるのが望ましい。

感光層１００４は、　Ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成さ
れ、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生す
る電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両
機能を塙する。

感光層１００４の層厚としては、好ましくは、１〜１１
００７ｚ、より好ましくは１〜８０ｇｍ、最適には２〜
５Ｑｐｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００２に含有さ
れる伝導特性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性
の伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止
層１００２に含有される実際の量が多い場合には、核間
よりも一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１−１０００ａｔｏａ＋ｉｃ　ＰＰ１１．
より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　
＋最適には０．１〜２００　ａｔｏｌｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００３に於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好
適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、ＣＩ２．Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、αが好ましいものとし
て挙げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、所謂、障壁層
を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層１
００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、八ρ２−０３１５１０２　＋
Ｓｉ３　Ｉ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化とに暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
含有される。光受容層中に含有されるこの様な原子（Ｏ
ＣＮ）は、光受容層の全層領域に刃傷なく含有されても
良いし、或いは、光受容層の一部の層領域のみに含有さ
せることで偏在させても良い。

酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）行な面内に
於い、ηψることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合側こは、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較。

的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、数量の層領域の特性や、数量の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子 （ＯＣＮ）の量は、形成される光導電部材に要求される
特性に応じて所望に従って　適宜状められるが、好まし
くは０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましく
は、０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．
００３〜３Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、より好ましくは２０６ｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
障壁層には、少なくとも含有される。詰り、光受容層の
支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させること
で、支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ること
が出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が出来るの
で、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、とれ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で含有させても良い。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲと ン原子を含有すルＡ−Ｓｉ　（ｒ　Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）
　Ｊ記す）へ で構成される感光層を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティグ法等゛
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ（）ｌ、Ｘ）　
−Ｔ！、構成される感光層を形成するには、基本的には
、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，
Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合に−は、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必要に
応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ
雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタリングし
てやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
ドに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓ１２　Ｈ６。

５Ｉ３Ｈ１，５Ｌ４Ｈａ等のガス状態の又はガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の増動 扱い易さ、Ｓｉ供給交率の良さ等の点でＳｉＨ４゜Ｓ１
２　Ｈ６、が好ましいものとしてげられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。　又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ　。

ＣＲＦ３　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　’、　ＩＦ３
．　ＩＦ７．　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合
物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、　Ｓｉ２Ｆ６　、　５ｉＧｐ４　、　ＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持
体上にハロゲン原子を含むａ−Ｓｉから成る感光層を形
成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様に−して感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原
子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類　１　
等 のガス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い６　。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣｆＬ、　ＨＢｒ、　Ｈｒ等のハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２゜５ｉＨ２Ｉ２　、　ＳｉＨ２Ｃｐ２　、５ｉ
ＨＣＪ２３　、５ｉＨ２Ｂｒ２　。

Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｂ　ｒ　２　、Ｓ　ｉ　ＨＢ　ｒ　３等の
ハロゲン置換水素化硅素、等のガス状５Ｂの或いはガス
化し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として挙
げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、感
光層形成の際に層中に／＼ロゲン原子の導入と同時に電
気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入
用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導る為の他の出発物質と共に導入してや
れば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質と成り
得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい、その様な第■族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６＋　
Ｂ４Ｈ１ｌ　。

ＢｓＨｓ　＊　ＢｓＨｎ　＊　ＢｓＨＩａ＋　Ｂ６Ｈ＋
２　＋　Ｂ６ＨＭ等の水素化硼素、ＢＦ３　、　Ｂ（４
２３、ＢＢｒ３Ｂｒ３日ノハロゲン化硼素げられる。こ
の他、Ｍα３　、　Ｇａα３゜Ｇａ（ＣＨｘ　）３　、
　’　ＩｎＣＱ３　、　ＴＱＣＱ３等も挙げることが出
来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２山等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ。

ＰＦ３　＋　ＰＦ５　、　ＰＣＱ３　、　ＰＣｊ２５　
、ＰＢｒ３　、ＰＢｒ３　、　ＰＩ３等のハロゲン化燐
が挙げられる。この他ＡｓＨ３゜ＡｓＦ３　、ＡｓＣＯ
２３、ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５　、　ＳｂＨ３。

ＳｂＦ３　、　ＳｂＦ５　、　ＳｂＣ，９３、ＳｂＣλ
５　＋　”Ｂ３　＋Ｂｉ（：ｆｉ＊　、　Ｂ１Ｂｒ３等
も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることが出来る。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）。

−酸化窒素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二
酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二
酸化窒素（Ｎ２ＱＩ）、五二鹸化窒素（Ｎｚ　Ｏｓ　）
　＋　三酸化窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする
、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳＩＯ９ＩＨ３）　＋　
ト’Ｊ　”ロキサ７　（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ２０ＳｉＨ３
）等の低級シロギサン、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ
２ＨＧ）　＋　プロパン（Ｃ３ＨＩ＋）、ｎ−ブタン（
ｎ　−Ｃ４１１１１）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭
素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２１（４）　
、プロピレン（Ｃ３Ｈｓ　）　＊ブテンー’　（Ｃ４Ｈ
ｉ　）　＋　ブテン−２（Ｃ４ＨＩ）、インブチレン（
Ｃ４Ｈ１）、ペンテン（ＣｓＨ＋ａ）等の炭素数２〜５
のエチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｂ２　）　＋
メチルアセチレン　（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）
等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２
　）　、アンモニア（ＭＨｚ）、ヒドラジン（Ｂ２　Ｎ
ＮＢ２　）　、アジ化水素（ＨＢｈ’）３＋アジ化アン
モニウム（ＮＨ４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗
化窒素Ｉ瞬学憂４　。

（Ｂ４　Ｎ２　）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＤＯＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
Ｓ　ｒ　０２　、Ｓ　ｈ　Ｈ４＋カーボンブラック等を
挙げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと
共にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用さ
れる。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット系８（Ｉｇ、ｍの半導体レーザー
（波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−３ｉ：
Ｈを堆積させる円筒状のＡｎ支持体（長さく　Ｌ　）　
３５７ｍ＋ｎ、径（ｒ　）　８０ｍｍ）上に旋盤でピッ
チ（Ｐ）２５ＩＬｍテ深す（Ｄ）　ｏ、５ｓ−ｃ螺線状
の溝を作製した。このときの溝の形を第１１図に示す。

このＡｎ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。　１２０１は高周波電源、
１２０２はマツチングボックス、　１２０３は拡散ポン
プおよびメカニカルブースターポンプ、＋２０４はＡｎ
支持体回転用モータ、１２ｏ５はＡｆＬ支持体、１２０
６はＡｎ支持体加熱用ヒータ、１２Ｑ７はガス導入管、
１２０８は高周波導入用カソード電極、１２０８はシー
ルド板、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５
．１２４１〜１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５は
マスフロコントローラー、　１２５１〜１２５５はレギ
ュレーター、１２６１は水素（Ｂ２）ボンベ、１２６２
はシラン（ＳｉＨ４）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ
ｐ　Ｈｓ　）ボンベ、１２６４は酸化窒素（ＮＯ）ボン
ベ、１２６７はメタン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１２８１−１２６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆積
装置内を１Ｏ−７Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時に
１２０６のヒータにより１２０５のＡｎ支持体を２５０
°Ｃまで加熱し２５０　’０で一定に保った。１２０５
のＡｎ支持体の温度が２５０　”Ｏで一定になった後１
２２１−１２２５．１２４１〜１２４５．１２５１〜１
２５５のバルブを閉じ、１２８１−１２１３５のボンベ
の覚栓を開け、１２０３の拡散ポンプをメカニカルブー
スターポンプに代える。１２５１〜１２５５のレギュレ
ーター付きバルブの二次圧を１．５ｋｇ／ｌ−に設定し
た。１２３１のマスフロコントロラーを３００ＳＣＣＭ
に設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブを順に
開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１２８１のＳｉＨ４ガスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０８ＧＣＭに設定して、　Ｈ２
ガスの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置に導
入し１２６３のＢ２　ＨＧガス流量をＳｉＨ４ガス流量
に対して、１８００Ｖｏｌ　ＰＰＭになるように１２３
３のマスフロコントローラーを設定して、Ｈ２ガスの導
入と同様な操作でＢｆｆｉ　ａｓガスを堆積装置内に導
入した。

次に１２６４のＮＯガス流量をＳｉＨ４ガス流量に対し
て、３．４　Ｖｏ１％になるように１２３４のマスフロ
コントローラーを設定して、Ｈ２ガスの導入と同様な操
作でＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２　Ｔａｒｔで安定した
ら、１２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２の
マツチングボックスを調節して、１２０５のＡｉｌ支持
体と１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ
、高周波電力を１５０Ｗとし５μｍ厚番：Ａ−８ｊ：Ｈ
：Ｂ層（Ｂを含むＰ型）Ａ−９ｉ：Ｈ層トする）を堆積
した（電荷注入防止層）、この様にして５ＩＬｍ厚（７
）　Ａ−３ｉ：Ｈ：Ｂ　（Ｐ型）を堆積したのち放電を
切らずに、１２２３のバルブを閉めＢ、　Ｈ，の流入を
止めた。

そして高周波電力１５０Ｗ　テ２０　ｔｉ−ｍ厚ｃ７）
Ａ−Ｓｉ：８層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感
光層）。その後高周波電源およびガスのバルブをすべて
閉じ堆積装置を排気し、Ａｉ支持体の温度を室温まで下
げて、光受容層を形成した支持体を取り出した。

別に、同一の表面性の同筒状Ａｎ支持体上に高周波電力
を４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製
手順で電荷注入防止層と感光層とを支持体上に形成した
ところ第１３図に示すように感光層１３０３の表面は、
支持体１３０１の平面に対して平行になっていた。この
ときＡＭ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差はＩ
ｇｍであった。

また、前記の高周波電力をＩＥＩＯＷにした場合には第
１４図のように感光層１４０３の表面と支持体１４０１
の表面とは非平行であった。この場合Ａｎ支持体の中央
と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容層部材について、波長
７８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ＩＬｍで
ｆｔ５１５図に示す装置で画像露光を行い、それを現像
、転写して画像を得た。層性製時の高周波電力４０Ｗで
、第１３図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様
が観察された。

一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（Ｎｏ、１０１−１０８）の円筒状
のＡＩＶ詰仕トに　宏′ｍｍｌの乎鮒鎮模様の消えた条
件（高周波電力１８０Ｗ　）と同様の条件で、電子写真
用光受容部材を作製した（Ｎｏ、１１１〜１１８）。こ
のときの電子写真用光受容部材のＡｎ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２川ｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第２
表のような結果を得た。これらの光受容部材について、
実施例１と同様に第１５図の装置で波長７ＢＯｎ量の半
導体レーザーを使い、スポット径８０ｇｍで画像露光を
行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した（Ｎｏ１２１〜１２８）。そのとき電荷注入防
止層の層厚を！ｏＩＬｍとした。このときの電荷注入防
止層の中央と両端部での平均層厚の差は１．２１Ｌｍ、
感光層の層厚の中央と両端部での平均の差は２．３ＪＬ
ｍであった。　Ｎｏ、１２１〜１２８のＡ　ｊＦＩ　／
７１　ａｔセル骨工潴す柚鴫騙つ１諷し置において、画
像露光を行った結果、第３表の結果を得た。

実施例４ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持゛体（Ｎｏ
、１０１−１０８）上に窒素を含有する電荷注入阻止層
を設けた光受容部材を第４表に示す条件で作製した。（
Ｎｏ、４０１〜４０Ｂ）上記の条件で作製した光受容部
材の断面を、電子顕微鏡で観測した。電荷注入阻止層の
平均層厚は、シリンダーの中央と両端で０．０９＃Ｌｍ
であった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端
で３Ｊｊ、ｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第５表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第５表に示す結果を得た。

実施例５ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｌｌ支持体（Ｎｏ
、１０１〜１０８）上に窒素を含有する電荷注入阻止層
を設けた光受容部材を第６表に示す条件で作製し元。（
Ｎｏ、５０１〜５０８）上記の条件で作製した光受容部
材の断面を、電子顕微鏡で観測した。電荷注入阻止層の
平均層厚は、シリンダーの中央と両端で０．３１Ｌｍで
あった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端で
３．２ＩＬｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第７表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光画像
露光したところ２８７表に示す結果を得た。

実施例６ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ、
　１０１〜１０８）上に炭素を含有する電荷注入阻止層
を設けた光受容部材を第１表に示す条件で作製した。　
（Ｎｏ、９０１〜９０Ｂ）上記の条件で作製した光受容
部材の断面を、電子顕微鏡で観測した。電荷注入阻止層
の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で０．０８１Ｌ
ｍであった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両
端で２．５Ｉｊ、ｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第９表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光画像
露光したところ第９表に示す結果を得た。

実施例７ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ、
１０１〜１０７）上に炭素を含有する電荷注入阻止層を
設けた光受容部材を第１Ｏ表に示す条件で作製した。（
Ｎｏ、１１０１〜１１０Ｂ）上記の条件で作製した光受
容部材の断面を、電子顕微鏡で観測した。電荷注入阻止
層の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で１．１ｐｍ
であった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端
で３．４１Ｌｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１１表に示す値であった。

各光受容部材について実施例井と同様にレー△ ザー光画像露光したところ第１１表に示す結果を得た。

第１表 第　２　表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である Ｏ　実用に最適である 第　３　表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である ０　実用的に良好である ＠　実用に最適である 第　５　表 ×　実用には適さない Ｏ実用に最適である 夕ニ■ 第　７　表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ＠　実用に最適である Ｘ　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ■　実用に最適である 第　１１　表 Ｘ　実用には適さない △　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である Ｏ　実用に最適である

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞発現を
説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。 り へき引回である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の手９＃ｉ−
バｎ＋＋−１ｈかいこ〉ル２賜の黒春す〒４關して説明
する為の説明図である。 第９図（Ａ）　（Ｂ）　（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１θ図は、光受容部材の説明図である。 第１１図は、実施例１で用いたＡＭ支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１３図、第１４図は夫々、実施例１で作製した光受容
部材の構造を示す模式的説明図である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容層１００１．１３０１．１４０１・・・・
・・・・・Ａ文支持体１００２．１３０２．１４０２・
・・・・・・・・電荷注入防止層１００３　、１３０３
．１４０３・・・・・・・・・感光層１００５・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容部材
１５０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・電子写真用光受容部材１５０２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー１５
０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ｆＯレンズ１５０４・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ポリゴンミラー１５０５・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の平
面図１５０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・露光装置の側面図出願人　キャノン株式会社 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　シリコン原子を含む非晶質材料からなる少なく
   とも１つの感光層を有する多層構成の光受容層を支持体
   上に有する光受容部材に於いて。 前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
   選択される少なくとも一種を含有し、且つショートレン
   ジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面
   が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列
   している１￥を特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００ｐである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （ｌＯ）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆■字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を有する特許請求の範囲第１Ｏ項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている４−）　＋ｉｌ請求の範囲〇′Ｓ６項に
   記載の光受容部材。 （１４）前記逆■字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１θ項に記載
   の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１Ｂ）前記傾斜面が鏡面仕」二げされている特許請求
   の範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。