JPS60211464A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波ｔこ感受性
のある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー
光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関
する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜１象を現鐵、必要に応じて転写、定着などの処
理を行ない、画１象を記録する方法がよく知られている
。中でも成子写真法を使用した画像形成法では、レーザ
ーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜Ｂ２Ｏｎｍの発光波長を
有する）で１象記録を行な・うことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度饋域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後［Ａ−８ｉＪ　と略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−８ｔ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ω儂以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハ
ロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の
量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必要
性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必要
がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの
制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３　号公報、’ｈ開昭５７
−４１７２　号公報に記載されである様に光受容層を伝
導特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、
光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７
−５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同
５８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公
報に記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間
、又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構
造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材
が提案されている。

この様な提案によって、Ａ　Ｓ　ｒ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚をこ斑がある為に、レ
ーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレ
ーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容ｊ−との層界面（以後、この自由表面及
び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反
射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画象正こ於いて所謂、
干渉縞模様となって現われ、画１象不艮の要因となる。

殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画
像の見悪くさは顕著となる。

ましで、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■。と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ８を示している。

層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１先の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに。−０以上の層厚差で不均一
であると、反射光Ｒ，，Ｒ＋、が２ｎｄ−ｍλ　（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ−（ｍ＋、）λ（ｍ
は整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うかに
よって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じ
る。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図ζこ示すように、それぞれの干
渉による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様
匿対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視
画１象に現われ、不良画像の原因となっていた。・ この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００大〜±１００００尤の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中ζこカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブ２ストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画１象上に現われる干
渉縞模様を完全に解消することが出来なかった０ 即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光ｌこよる干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解Ｓ度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−８ｉ感光ノー
を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成され
る感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−
８ｉ感光層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のＡ　−Ｓ　ｉ感光層の形成に悪影響を
与えること等の不都合さが有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光重。は、光受容層３０２のＪ
！面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉｓ　となる
。透過光１．は、支持体３０２の表面に於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光に、、に、、に、・・・・・
となり、残りが正反射されて反射光Ｒ３となり、その一
部が出射光Ｒ８となって外部に出て行く。従って、反射
光Ｒ１と干渉する成分である出射光几、が残留する為、
依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持対３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシ曹ンを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材Ｉこ＃いては、第４図に示
すようｉこ、支持体４０１ｆｉｌｉを不規則的に荒して
も、第１層４０２での反射光ｌｉ、第２層　−での反射
光Ｒ３，支持体４０１ｒｆｔでの正反射光Ｒ３の夫々が
干渉して、光受容部材の各層厚１こしたがりて干渉縞模
様が生じる。従って、多層構成の光受容部材においては
、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を
完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバッフ
中が多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムｌこ形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体氷面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状ζこ
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄＢ−ｍλまた
は２　ｎ　ｄ　ｔ　−（ｒｎ　＋１　／　２　）　’が
成立ち、夫々明部または暗部となる。又、光受容層全体
では光受容層の層厚ａ１ｔｄｌ＋ｄａｓｄｔ　の夫々の
差の中の最１ 大が一以上である様な層厚の不均一性があるたｎ め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造Ｖ理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画歇形成時に現出する干渉縞
模様と反転現謙時の斑点の現出を同時をこ２ しかも完全に解消することができる光受容部材を提供す
ることでもある。

本発明のもう１つの目的は、機械的耐久性、特に耐摩耗
性、及び光受容特性に優れた光受容部材を提供すること
でもある。

本発明の光受容部材は、光受容部材用の支持体と該支持
体上にシリコン原子を含む非晶質材料からなる少なくと
も１つの感光層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非
晶質材料からなる表面層とを前記支持体側より順に設け
た多層構成の光受容層とを有する光受容部材に於て、前
記光受容層がショートレンジ内に１対以上の非平行な界
面を有し、該非平行な界面が、層厚方向と垂直な面内の
少なくとも一方向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って、
１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、第６
図の一部に拡大で示されるように、第２層６０２の層厚
がｄｓからｄ６と連続的に変化している為に、界面６０
３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従って
、この微小部分（ショートレンジ）、ｅに入射した可干
渉性光は、該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。

又、第７図に示す機に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ１とはその進行方向が互いに異る
為、界ＵＩｉｉ７０３と７０４とが平行な場合（第７図
のｒ（Ｂ）Ｊに較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（０）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ｒ（Ｂ）Ｊよりも非平行な場合ｒ（Ａ
）Ｊは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程
度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光量は平均
化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ａｔζａＳ）でも同様ｌこ云える
為、全層領域に於て入射光綾が均一になる（第６図のｒ
（Ｄ）Ｊ参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。に対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ。

凡、、Ｒ４、几、が存在する。その為各々の層で第７図
を似って＠記に説明したことが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画１象に現れることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
備える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ−ｄａ）は、照射光の波長を
λとすると、 ｄ、−ｄ、≧２ｒｌ（ｎ：第２層６０２の屈折率）であ
るのが望ましい２゜ 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
ｌこ於る層厚の差が ２ｎ　（ｎ　：層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容部材において、感光層上に設けられる表面層ｌこ
は、機械的耐久性に対する保護層としての働き、および
光学的には反射防止層としての働きを主に荷わせること
が出来る。

表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層としての機
能を果すのに適している。

即ち、表面層の屈折率をｎ１層厚を６１入射光の波長を
λとすると、 ｄ細− ｎ の時、又はその奇数倍のとき表面層は反射防止層として
適している。又、感光層の屈折率をｎａ　とした場合、
表面層の屈折率ｎが ｎ−仄 を満し、且つ表面層の層厚ｄがｄ−４ｎ又はその奇数倍
を満たす時、表面層は反射防止層として最適である。

７ ａ−８ｉ：Ｈを感光層として用いる場合、ａ　−８１：
Ｈの屈折率は約３．３であるので、表面層としては、屈
折率１．８２の材料が適している。ａ　−８１０：Ｈは
０の量を調整すること化より、このような値の屈折率と
することが出来、かつ機械的耐久性２層間の密着性及び
電気的特性も十分に満足させることが出来るので、表面
層の材料としては最適なものである。

また表面層を、反射防止層としての役割に重点を置く場
合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２μとされ
るのが、より望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＯ
ＶＤ法）、光ＯＶＤ法、熱ＯＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、■字形状の切刃を有す
るバイトを７：フイス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形
成される。

この様な切削加工法によって形成される凹凸が作り出す
逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸を中心に
した綿線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の綿線構造は、
二重、三重の多重標線構造、又は交叉標線構造とされて
も差支えない。

或いは、綿線構造に加えて中心軸に沿った連線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果曲に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は感光層を構成するＡ−８ｉ　層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。従って、Ａ−８！悪感光の
層品質の低下を招来しない様に支持体表面ζこ設けられ
る凹凸のディメンジョンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由樹園に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最適
には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｎ
１．より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０゜
０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面
の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四
部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とされるのが望ましい。

厚 又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１μｍ〜２ｐｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１．５μ
ｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとされるのが望ましい
。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材１００ｏは、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００５を有し、該光受容層１００５は支
持体１００１側より電荷性１ 入切止層１００２１感光層１００３．表面層１００４で
構成されている。

支持体１００１としては、４′ｖｔ性でも電気絶縁性で
あってもよい。導電性支持体としては、例えば、Ｎ１０
ｒ、ステンレス、　ＡＩ　、　Ｏｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　
。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＩ　、Ｐｉ、Ｐｄ等の金属又はこれ
等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ホリカーボ４−）、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリ
スチレ／、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、七うばツク、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮムＯｒ。

ＡＩ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＩ
、Ｐｔ。

Ｐ　ｄ　、−Ｉｎｍ　ｏ、　Ｉ　５ｎＯｓ　ｌ　ＩＴＯ
（Ｉ　ｎｌ　Ｏｎ　＋８ｎＯｍ　）等から成る薄膜を設
けることによって導電性が付２ 与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムチあれば、Ｎｉ０ｒ、ＡＩ、Ａｇ、Ｐｄ、ＺｎＮ１
　、Ａ、ｕ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
、Ｐｔ。

等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は、前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、例えば、第１０図の光受容部材１０００を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が十分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、こ
の様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点から、好ましくは１０μ以上とされる。

電荷注入防止層１００２は、感光層１００３へ３ の支持体１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の
高抵抗化を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００２は、水素原子父は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−８ｉ（以後「Ａ−８１（Ｈ
，Ｘ）Ｊと記す）で構成されると共に伝導性を支配する
物質（０）が含有される。

電荷注入防止層１００２に含有される伝導性を支配する
物質（０）としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Ｓｉに対し
て、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を
与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的には、
ｐ型不純物とし５災 では周期律表第■族に属する原子（第■属原子）例えば
Ｂ（硼素）ＩＡＩ（アル建ニウム）　、　Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、’ｒｔ（タリウム）等があ
り、殊に好適に用いられるのは、ＢＧａ　、である。

旅 ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ１ｍに属する原塊 子（第ＶＫ原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）ｓｂ
　（アンチそン）、Ｂｌ（ビスマス）等でアリ、。

４ 殊に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００２に含有される伝
導性を支配する物質（０）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００２が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前
記電荷注入防止層に直に接触して設けられる他の層領域
の特性や、腰仙の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
制御する物質の含有量としては、好適には、０．００１
〜５　Ｘ　１０　’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適
には０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最
適には１〜５Ｘ１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とされる
のが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００２に於ける物質（
０）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
以上、より好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
最５ 適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることに
よって、例えば含有させる物質（０）が前記のｎ型不純
物の場合には、光受容層の自由が■極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から感光層中へ注入される電子の移動
を、より効果的屹阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質（０）が前記の１１型不純物の場合には、光受
容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体
側から感光層中へ注入される正孔の移動を、より効果的
ζこ阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００２の層厚は、好ましくは３０！７
Ｌ〜１０μ、より好適には４０＾〜８μ　、最適には５
０．１〜５μとされるのが望ましい。

感光層１００３は、Ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レ
ーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する電荷
発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両者を有
する。

感光層１００３の層厚としては、好ましくは、１〜１０
０μｍ、より好ましくは１〜８０μｍ。

最適には２〜５　Ｑ　ｓｍとされるのが望ましい。

６ 感光層１００３には、電荷注入防止層１００２に含有さ
れる伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１０
０２に含有される実際の鎗よりも一段と少ない量にして
含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００３中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００２に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１〜ｉｏｏ。

ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好適には０．０５〜５０
０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適には０．１〜２００　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００２及び感光層１０
０３ζこ同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合
には、感光層１００３の於ける含有量としては、好まし
くは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以下とするのが望ま
しい。

７ 本発明に於て、電荷注入防止層１００２及び感光層１０
０３中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
十Ｘ）は好ましくは１〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％、よ
り好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ま
しい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｏｆ、Ｂｒ、Ｉが挙
げられ、これ等の中でＦ、０１が好ましいものとして挙
げられる。

第１０図に示す光受容部材正こ於ては、電荷注入防止層
１００２の代りに電気絶縁材料から成る、いわゆる障壁
層を設けても良い。或いは、核障壁層と電荷注入防止層
１００２とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としてはＡｌ、　０．　、　Ｓ　１０．
　、８１゜〜４　等の無機電気絶縁材料やポリカーボネ
ート等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

第１０図に示される光受容部材１０００においては、感
光層１００３上に形成される表面層１００４は自由表面
を有し、主に耐湿性、連続縁８ 返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性２機械的耐
久性、光受容特性において本発明の目的を達成する為に
設けられる。

本発明に於ける表面層１００４は、シリコン原子（Ｓｉ
　）と炭素原子（０）と、必要に応じて水素原子（１■
）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料
（以後、Ｊａ　（ＳｉｘＯｔ−Ｘ）ｙ（ＨｔＸ）Ｉ−ｙ
Ｊと記す。但し、Ｏ（ｘ　ｔ　ｙ＜１　）で構成される
。

ａ−（ＳｔｘＯｌ−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１　ｙで構成すれ
る表面層１００４の形成はグロー放電法のようなプラズ
マ気相法（ＰＯＶＤ法）、あるいは光ＯＶ’Ｄ法、熱Ｏ
ＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム法等に
よって成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の製条性の制御が比較的容易である、
シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製
する表９ 面層１００４中に導入するのが容易に行える等の利点か
らグロー放電法或はスパッターリング法が好適に採用さ
れる。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスノくツタ−
リング法とを同一装置系内で併用して表面層１００４を
形成してもよい。

グロー放電法によって表面Ｊ−１００４を形成するには
ａ　−（８ムｘｉ１−ｘ）ｙ（１’ＬＸ）１−３’形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し、
導入されたガスを、グロー放電を生起させることでガス
プラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである光
受容層上にａ　−（８ムｘ０１−ｘ）ｙ（ＨｔＸ）ｔ−
ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　（Ｓｉｘ０１−ｘ）ｙ（ＨｔＸ）
１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（８ｉ
）、炭素原子（０）、水素原子（Ｈ）、ノ・ロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

０ Ｓｔ、Ｏ，Ｈ，Ｘの中の一つとして８１を構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｌを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガス七を、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、
８ｉ、０及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又はｓ
ｉ、ｏ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することができる。

又、別には、Ｓｉ　とＨとを構成原子とする原料ガスｉ
こＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
いし、Ｓｉ　とＸとを構成原子とする原料ガスζこ０を
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、表面層１００４中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Ｏｌ。

１ Ｒｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｏｌ　が望ましいものである
Ｏ 本発明に於いて、表面層１００４を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
１こ於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１０　（１４形成用の原料ガス
として有効に使用されるのは、Ｓｉとｒ（とを構成原子
とする５ＩＨ４，Ｓｌ　、Ｉ−１，，５１３Ｈ，，８１
４Ｈ，。

等のシラン（５ｌｌａｎｅ　）　類等の水素化硅素ガス
、０とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロ
ゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロ
ゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる
。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＯＨ４）
、エタン（０寓Ｈｓ）プロパン（ＯｓＨａ）、ｎ−ブタ
ン（ｎ−ＯａＨｘｏ）、ペンタン（ＯｓＨｌｍ）、エチ
レン系炭化水素としては、エチレン（ＣＩＨ，）、プロ
ピレン（Ｏｍｎｓ）、２ ブテン−１（０４Ｈｓ）、ブテン−２（０４Ｈ８）、イ
ンブチンｙ（０４Ｈｓ）、ペンテン（ＯＩＩＨＩＧ）、
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（ＯｍＨｓ
）メチルアセチレン’（０８Ｈ４）、ブチン（０４Ｈｓ
）、ハ１０゛・ゲ′ン・単体としては、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素としては
、ＦＨ，ＨＩ、ＨＯＡｉ、ＨＢｒ　、　ハロゲン間化合
物としては、ＢｒＦ、ＣＩＰ、（：ＪＦｓ　、ＯｌｌＦ
ｗ　、ＢｒＦ、　、ＢｒｉｍＩＦｖ　、ＩＦ＊　、ＩＯ
Ａ＋ＩＢｒ、ハＩ：Ｉゲン化硅素としてはＳＩＦ、　、
Ｓｉｔ　Ｆｓ　、５ｉＯ１ｓ　Ｂｒ　、５ｉＯ１，Ｂｒ
＊　ｔＳ　ｌ０ＪＪ３ｒ、　、　Ｓ　ｉｏｌ、　Ｉ　、
　８　ｉＢｒ、、ハロゲン置換水素化硅素としては、Ｓ
　ｉＨｔ　Ｆｔ　＊　Ｓ　ｉＨｔ　０１ｌｓ　ｔＳ　（
ＨＯＺ　＠　ｔ　Ｓ　ＩＨｓ　０１２　＋　Ｓ　ｉ　Ｈ
６Ｂ　ｒ　ｒ　Ｓ　ＩＨ＠　Ｂ　ｒ　＠　ｅ８ｉＨＢｒ
、、水素化硅素としては、ＳｉＨ４゜Ｓ　ｉ　、　Ｈ，
、８１：、ｉ）Ｌ　、　Ｓ　ｉ　ａ　Ｈｒ。等のシラｙ
　（５ｉｌａｎｅ）類、等々を挙げることができる。

これ等の他にＯＦ、、ＯＯｌ、、ＯＢｒ、、ＯＨＦ、。

ＯＨ，Ｆ、、０ＨｓＦ、０ＨａＯＡ、ＯＨ，Ｂｒ、ＯＨ
，Ｉ。

０、　Ｈ，０７等のハロゲン置換パラフィン系炭化水素
、ＳＦ４．８Ｆ、等のフッ素化硫黄化合物、３ Ｓｉ（ＯＨ，）、、８１（０，Ｈ，）、　、等のケイ化
アルキルやＳｉｎ／（ＯＨ，）、、８量０ム（０，ｆ（
、）、　。

Ｓ　Ｉ　Ｏｌ、　Ｏ）Ｉ、等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシラン誘導体も有効なものとして挙げることが
できる。

これ等の表面層１００４形成物質は、形成される表面層
１００４中ζこ、所定の組成比でシリコン原子、炭素原
子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有さ
れる様に、表面層１０ｏ４の形成の際に所望に従って選
択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（ＯＨ，）４と、ハロゲン原子を含有させるものとして
のＳｉ−ＩＯ／、　、　Ｓ　ＩＨ，Ｏｌ、　。

５ｌｏ１．、或いは８１Ｈ，０／　等を所定の混合比に
してガス状態で表面層１００４形成用の装置内に導入し
てグロー放電を生起させることをこよってａ−（ＳＩｘ
Ｏｓ−ｘ）ｙ（ＯＪ＋Ｉ（）ｔ−ｙから成６ａｍ層１０
０４を形成することができる。

スパッターリング法ζこよって表面層１００４を４ 形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉ　ウェーッー−
又はＣウェーハー又はＳｔ　とＣが混合されて含有され
ているウェーッへ−をターゲットとして、これらを必要
に応じてノ・ロゲン原子又は／及び水素原子を構成要素
として含む種々のガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって行えば良い。

例えば、Ｓｔ　ウェーハーをターゲットして使用すれば
、０とＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉ　ウ
ェーッ・−をスパッターリングすれば良い。

又、別には、Ｓｉと０とは別々のターゲットとして、又
はＳｉ　とＣの混合した一枚のターゲットを使用するこ
とによって、必要に応じて水素原子又は／及びノ・ロゲ
ン原子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって成される。

０、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質としては先
述したグロー放電の例で示した表面層１００４形成用の
物質がスパッターリング法の場５ 合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００４，１をグロー放電法又
はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガ
スとしては、新組・希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等
が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１ｏｏ４．ｆｆは、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、Ｓｔ、Ｏ，必要に応じてＩＪ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　（８
１ｘＯｓ−ｘ）ｙ（Ｈ＊　Ｘ　）　ｓ−ｙが形成される
様に、所４に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、表面層１００４を電気的耐圧性の向上を主
な目的として設けるにはａ−（８ｔｘＯｔ　ｘ）ｙ（Ｈ
，Ｘ）１−ｙ６ は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目、的として表面層１００４が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　
（Ｓｊｘｏｓ−ｘ））’（■ｉ、Ｘ）ｔ−ｙが作成され
る。

光受容層１００５にａ　（ＳｉＸＯｌ−ｘ）ｙ（ＨＩＸ
）１−ｙから成る表面層１００４を形成する際、層形成
中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右
する重要な因子であって、本発明に於いては、目的とす
る特性を有するａ−（ＳｉｚＯｔ−ｘ）ｙ（ＨＩＸ）＊
−ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温
度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００４の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００４の形成が実行されるが、好まし
くは、２０〜４００℃、よ７ り好適には５０〜３５０°Ｃ１最適には１００〜３００
℃とされるのが望ましいものである。表面層１００４の
形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事等のた
めに、グロー放電法やスパッターリング法の採用が有利
であるが、これ等の層形成法で表面層１００４を形成す
る場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ−（ＳｉｘＯトＸ）ｙ（Ｈ９Ｘ
）１−ｙ　′の特性を左右する重要な因子の一つである
。

本発明屹於ける目的が達成されるための特性を有するａ
　−（Ｓｉｚｏｌ　）Ｏｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙ　が生産性
良く効果的に作成されるための放電パワー条件としては
、好ましくは１０〜ｉｏｏｏｗ、より好適には２０〜７
５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望ましい
ものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜１Ｔｏｒｒ。

より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ根度とされるのが
望ましい。

本発明に於いては表面層１００４を作成するた８ めの支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として
前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ　−（ＳＩＸＯＩ−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）ｔ−ｙ
から成る表面層１００４が形成される様に相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００４に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００４の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００４が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００４に含有される炭素原子の
葉は、表面層１００４を構成する非晶材料の種類及びそ
の特性に応じて適宜所望に応じて決められるものである
。

即ち、前記一般式ａ（Ｓｉ）（０＊　ｘ）ｙ（Ｈ＊Ｘ）
ｔ　ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、［ａ
−８ｉＢＯＩ　Ｂ　Ｊと記す。但し、０（ａ（１）、９ シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒａ　（８１１）０１−ｂ）ｃ１４ｔ　
−ｃｌと記す。但し、０〈ｂ、Ｃ〈１）、シリコン原子
と炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで
構成される非晶質材料（以後、ｒａ　（ＳｉａＯｓ−ｄ
）ｅ　（Ｈ２Ｘ）　ｓ　−ｅＪ　と記す。但し０〈ｄｌ
ｅ　＜　１　）　、に分類される。

本発明に於いて、表面Ｉ＠　１００４がａｓｉｌｏｌ−
Ｂで構成される場合、表面層１００４に含有される炭素
原子の量は好ましくは、ｌＸ１０＝　〜９０ａｔｏｍｉ
ｃ　％、より好適には１〜８０　ａｔｏｍｌｃ　％、最
適には１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％　とされるのが望ま
しいものである。即ち、先のａｓｉｌｏｌ−Ｈのａの表
示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．９９９９９、
より好適には０．２〜０．９９、最適には０．２５〜０
．９である。

本発明に於いて、表面層１００４がａ−（８１ｂ０１１
）　）　ＣＨ１ｃで構成される場合、表面層１００４に
含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸｌ０−”　
〜９０　ａｔｏｍｌｃ　チとされ、より好ま０ しくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適ζこは１０
〜８０ａｔｏｍｉｃ　％　とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０
ａｔｎｍｉｃ％、より好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉ
ｃ　％　。

最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％　とされるのが望ま
しく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成され
る光受容部材は、実際面に於いて優れたものとして充分
適用させ得る。

即ち、先のａ　−（ＳｉｂＯｉ−ｂ）ｃＨｔ　Ｃの１表
示で行えばｂが好ましくは０．１〜０．９９９９９、よ
り好適には０．１〜０．９９、最適にはｏ、ｔｓ〜ｏ、
ｓ、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適には０
．６５〜０．９８　、最適には０．７〜０．９５である
のが望ましい。

表面層１００４が、ａ　（Ｓ１ｄＯｓ−ｄ）ｅ（Ｈ＊Ｘ
）ｔ−ｅで構成される場合には、表面層１００４中に含
有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、Ｉ　
Ｘ　１０　”　〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、より好適ｌ
こは１〜９０ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜８０　
ａｔｏｍｉｃ　％　とされるのが望ましいものである。

ハロゲン原子の含有１ 量としては、好ましくは、１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％　
と断面に充分適用させ得るものである。必要ζこ応じて
含有される水素原子の含有量としては、好ましくは１９
　ａｔｏｍ１ｃ％以下、より好適には１３　・ａｔｏｍ
ｉｃ％以下とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（ＳｉｄＯｌ−ｄ）ｅ（Ｈ＋Ｘ）１−ｅ
（７）ｄ、ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．１〜
０．９９９９９、より好適には０．１〜０．９９、最適
ζこは０．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．
９９、より好適ζこは０．８２〜０．９９、最適には０
．８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００４の層厚の数範囲は、本発
明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様ζこ所期の目的に応
じて適宜所望ｉこ従って決められる。

又、表面層１００４の層厚は、該層１００４中に含有さ
れる炭素原子の量や光受容層１００５の２ 層厚との関係に於いても、各々の層に要求される特性ｉ
こ応じた有機的な関連性の下に所望ｌこ従って適宜決定
される必要がある。

更に加え得るζこ、生産性や量産性を加味した経済性の
点に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００４の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０＃、好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましいも
のである。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット系８０μｍの半導体レーザー（波
長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−８ｉ！Ｈを
堆積させる円筒状のＡ／支持体（長さくＴ、）３５７ｍ
ｍ、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤でピッチ（Ｐ　）　２
５　ａｍで深さくＤ）０．８８で螺線状の溝を作製した
。このときの溝の形を第１１図に示す。

このＡｌ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層２表面層から成る光受容層を次の３ 様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ１２０４はｋｌ支持体
回転用モータ、１２０５はＡＪ支持体、１２０６はＡ／
支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２０８
は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド板、
１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５．１２４
１〜１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５はマス７０
コントローラー、１２５１〜１２５５はレギュレーター
、１２６１は水素（Ｈｌ）ボンベ、１２６２はシラン（
８ｉＨ，）　ボンベ、１２６３はジボラン（ＢＩＨ，）
ボンベ、１２６４は酸化窒素（ＮＯ）ボンベ、１２６７
はメタン（ＯＨ，）ボンベである。

次番と作製手順を説明する。１２６１〜１２６５のボン
ベの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラ
ーおよびバルブを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆
積装置内を１０７　Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時
に１２０６のヒータにより４ １２０５のＡｔ支持体を２５０°Ｃまで加熱し２５０°
０で一定に保った。１２０５のＡＪ支持体の温度が２５
０℃で一定になった後１２２１〜１２２５１２４１〜１
２４５．１２５１〜１２５５のバルブを閉じ、１２６１
〜１２６５のボンベの元栓を開け、１２０３の拡散ポン
プをメカニカルブースターポンプに代える。１２５１〜
１２５５のレギュレーター付きバルブの二次圧を１．５
７ｉ／ｍに設定した。１２３１のマス７０コントローラ
ーヲ３００ＳＯＯＭに設定し、１２４１のバルブと１２
２１のバルブを順に開き堆積装置内にＨ，ガスを導入し
た。

次に１２６１のＳｉＨ，ガスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０ＳＯＯＭに設定してＨ８ガス
の導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置に導入し
た。次に１２６３のＢ、Ｈ，ガス流量をＳｉＨ，ガス流
量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐｍ　ｌｃｆ、にるよ
うに１２３３のマス７０−コントローラーを設定して、
Ｈ８ガスの導入と同様な操作でＢ、Ｈ。

ガスを堆積装置内に導入した。

５ そして堆積装置内の内圧が９．２Ｔｏｒｒで安定したら
、１ｔＯ１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２のマ
ツチングボックスを調節して、　１２０１ＳのＡＳ持特
体１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を１５０Ｗとし５μｍ厚でＡ−８ｉ！Ｈ層Ｃ
Ｂを含むＰ型のＡ−８１：Ｈ層となる）を堆積した（電
荷注入防止層）、５μｍ厚のＡ−８１２ＨＣＰ型）を堆
積したのち放電を切らずに、１！２３のバルブを閉めＢ
ヨＨ６の流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗで２０　ｐｍ厚のＡ−８４：
Ｈ層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ　）を堆積した（感光層）、
その後１２３２のマスフロコントローラーの設定を３１
５＠ｅｅｍに変え、１２６１５のＣＨ４ガス流量が８１
Ｈ４ガス流量に対して流量比が５ＩＨ４／ＣＨ４−１／
３Ｇとなるようにあらかじめ設定されている１２３５の
マスフロコントローラーから、バルブ１２２５を開ける
ことによってＣＨ４ガ不を導入し、高周波電力１５０Ｗ
で０、５　μｍ厚のａ＋−８ＩＣ（Ｈ）を堆積した（表
面層）。

高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積装置を
排気し、　Ａｔ支持体の温度を室温まで下８ げて、光受容層を形成した支持体を取り出した。

別に、同一の表面性の同筒状Ａｔ支持体上に高周波電力
を５０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製
手順で電荷注入防止層と感光層と表面層とから成る光受
容層を支持体上に形成したところ第１３図に示すように
感光層１３０３の表面は、支持体１３０１の表面に対し
て平行になっていた。このときｈｔ支持体の中央と両端
部とで全層の層厚の差は１μｍであった。

また、前記の高周波電力を１５０Ｗにした場合には第１
４図のように感光層１４０３の表面と支持体１４０１の
表面とは非平行であった。この場合Ａｔ支持体の中央と
両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０　ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０μｍで第
１５図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写
して画像を得た。層作製時の高周波電力ｌ５ＯＷで、第
１３回に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様が観
察された。

７ 一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状Ａｔ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（４１０１〜１０Ｂ）のＡｊ支持体
上に、実施例１の干渉縞模様の消えた条件（高周波電力
１５０Ｗ）と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作
製した（／ｌ６１１１〜１１Ｂ）。

このときの電子写真用光受容部材のＡｔ支持体の中央と
両端部での平均層厚の差は２μｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し感光層のピッチ内での差を測定したところ、第２表
のような結果を得た。これらの光受容部材について、実
施例１と同様に第１５図の装置で波長７８０　ｎｍの半
導体レーザーを使い、スボ、ト径８０μｍで画像露光を
行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で先受８ 容部材を作製した（Ａ１２１〜１２８）。そのとき電荷
注入防止層の層厚な１０μｍとした。このときの電荷注
入防止層の中央と両端部での平均層厚の差は１μｍ、感
光層の層厚分布中央と両端部での平均の差は２μｍであ
ったＡ１０１〜１０８の各支持体上に作製した各層の厚
さを電子顕微鏡で測定したところ、ｍ３表のような結果
を得た。これらの光受容部材について、実施例１と同様
な像露光装置において、画像露光を行った結果、第３表
の結果を得た。

実施例４ 第４表に示す表面性のシリンダー状Ａｔ支持体（４２０
１〜２０７）上に電荷注入防止層として酸化シリコン層
を設けた光受容部材を以下の様に作製した。

酸化シリコン層は、５ｉＨ４の流量を５０８ＣＣＭ　。

Ａを６０８ＣＣＭとして、他の条件は、実施例２の電荷
注入防止層の作製条件と同様にして、０．２μｍ厚に形
成された。

その酸化シリコン層上に実施例２と同様な条件９ で２０μｍ厚の感光層ｔ、０．５μ厚の表面層を形成し
た。

こうして作製した電子写真用光受容部材の中央と両端の
平均層厚の差は１μｍあった。

これらの電子写真用光受容部材の各ピッチ内での層厚差
を電子顕微鏡で観察したところＡｔシリンダーの表面の
ピッチ内で酸化シリコン層の層厚の差は０．０６μｍで
あった。同様にＡ−８ｌ：Ｈ感光層の層厚の差は第５表
に示す結果であった。これらの電子写真用光受容部材を
、実施例１と同様にレーザ光で画像露光したところ第６
表に示す結果を得た。

実施例５ 窒化シリフン層を設けた光受容部材を以下の様に作製し
た。

窒化シリコン層は、実施例４で、ＮＯガスをＮＨ。

ガスニかえ８１Ｈ，の流１を３０８ＣＣＭ　、　ＮＨ，
（７）流量を２００８０ＣＭとして、他の条件は実施例
２の電荷注入防止層の作製条件と同様にして、０．２μ
ｍ厚に形成された。

その窒化シリコン層上に高周波電力１００Ｗで他の条件
は実施例２と同様にして、２０μｍ厚に感光層ｔｏ、５
μ厚の表面層を形成した。こうして作製した電子写真用
光受容部材の中央と両端の平均層厚の差は１μｍであっ
た。

この電子写真用光受容部材の各ピッチ内での層厚差を電
子顕微鏡で測定したところ、窒化シリコン層では、層厚
の差は０．０５μｍ以下であった。

一方Ａ−８１：Ｈ感光層では各ピッチ内での層厚の差は
第６表に示す結果であった。

これらの電子写真用光受容部材（４２１１〜２１７）に
ついて実施例１と同様にレーザー光で画像露光したとこ
ろ第６表に示す結果を得た。

実施例６ 第４表に示す表面性のシリンダー状Ａｔ支持体（Ａ２０
２〜２０７）上に電荷注入防止層として、炭化シリコン
層を設けた光受容部材を以下の様に作製した。

炭化シリコン層は、実施例４で、　Ｎ６ガスをＣＨ４１ ガスにかえ、ＣＨ４ガスの流量を６００ＳＣＣＭ。

８１Ｈ４ガス流量を２０８ＣＣＭとして、他の条件は、
実施例２の電荷注入防止層の作製条件と同様にして０．
３μｍ厚形成した。

その炭化シリコン層上に、高周波電力２００Ｗで他の条
件は実施例２と同様にして２０μｍＡ−８１：）（感光
層及びＯ，ｌＳμｍ厚の表面層を形成した。

こうして作製したａ−８１１１子写真用感光体の中央と
両端の平均の層厚の差は１．１５μｍであった。

このＡ−８１の電子写真用感光体を電子顕微鏡で観察し
たところ炭化シリコン層では各ピッチ内で層厚の差は０
．０７μｍ以下であった。

一方、Ａ−８１：Ｈ感光層では、各ピッチ内で層厚の差
は第７表に示す結果であった。

これらの電子写真用光受容部材（７１６２２１−１２７
）について、実施例１と同様にレーザー光で画像露光し
たところ第７表に示す結果を得た。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
成した際に使用したＡｔ支持体に代えて、２ サンドブラスト法によりＡｔ支持体の表面な粗面化した
Ａｔ支持体を採用したほかは前述の実施例１の高周波電
力ｉｓｏｗで作製した電子写真用光受容部材と全く同様
の方法でＡ−８１電子写真用光受容部材を作成した。こ
の際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡｔ
支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小板
研究所の万能表面形状測定器（８Ｂ−３ｃ　）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８μｍであることが判
明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
１５図の装置に取り付けて、同様の測定を行なったとこ
ろ、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた
。

実施例７ 実施例１と同様な形状のＡｔ支持体上に、第１２図の装
置を用いスパッタリング法で電荷注入防止層、感光層、
表面層からなる光受容層を次の様にして堆積した。

まず第１２図の装置において実施例１と興なる点を説明
する。本実施例では電荷注入防止層、感光３ 層の堆積時には、カソード電極上に、ポリシリコンから
成る厚さ５隨のシリコン板を一面にはり、表面層の堆積
時には、ポリシリコンとグラファイトの面積比が、第８
表のよう（二なるようにポリシリコン板とグラファイト
板を一面（二はりた。また新しく、Ａｒガス（１２６６
）導入用のバルブ（１２２６，１２４６，１２５６）と
マスフローコントローラー（１２３６）を設けた。

次に作製手順を説明する。実施例１と同時（＝堆積装置
内を１０−７Ｔａｒｔまで減圧し、Ａｔ支持体の温度を
２５０℃で一定に保つ。そのｉｌ、Ａｒガスをｆｆｆ１
００８ｃｃ％Ｈ，カＸ　１００８ＣＣＭ、　Ｂ、Ｈ，カ
Ｘヲ５０８ＣＣＭとし、堆積装置の内圧が５　Ｘ　１０
−”Ｔｏｒｒ４ｍなるよう１２０３のメカニカルブース
ターポンプで調節した。そして、高周波電源により、カ
ソード電極と、　ＡＡ支持体間に高周波電力を３００Ｗ
投入しグロー放電を生じさせた。こうして、電荷注入防
止層を６μｍ堆積した。次にＢ、Ｈ，の流入を止め、同
様の条件で２０μｍ厚の感光層を堆積した。

感光層の堆積後、カソード電極上のポリシリコ４ ン板をはずし、ポリシリコンとグラファイトからなる板
に取りかえた。その後、感光層の堆積と同様の条件で、
表面層を０．３μｍ堆積した表面層の表面は感光層の表
面（二対してほぼ平行であった。

表面層の作製時の条件を、第８表のように変えて、光受
容部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々（＝つい
て実施例１と同様にレーザー光で画像露光し、作像現像
、クリーニング工程を約５万回繰り返した後画像評価を
行ったところ第８表の如き結果を得た。

実施例８ 表面層の形成時、５ｉｎ４ガスとＣ，Ｈ４ガスの流量比
を変えて、表面層に於けるシリコン原子と炭素原子の含
有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法に
よって電子写真用光受容部材の夫々を作成した。こうし
て得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、実施例
１と同様（ニレーザーで画像露光し転写までの工程を約
５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、第９表
の如き結５ 呆を得た。

実施例９ 表面層の形成時、８ｉＨ４ガス、５ｉｒ４ガス、Ｃ，）
（４ガスの流量比を変えて、表面層に於けるシリコン原
子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１
と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の夫々
を作成した。こうして得られた電子写真用光受容部材の
夫々につき実施例１と同様１：、レーザー光で画像露光
し作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返し
た後、画像評価を行ったところ第１０表の如き結果を得
た。

実施例１０ 表面層の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様な方
法によって電子写真用光受容部材の夫々を作成した。こ
うして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、実
施例１と同様に、作像、現像、クリーニングの工程を繰
り返し第１１表の結果を得た。

６ １と全く同様な方法によって、電子写真用光受容部材を
作製した。こうして得られた電子写真用光受容部材の表
面層の平均層厚差は、中央と両端で、０．５μｍであっ
た。また、微小部分での層厚差は、０．１μｍであった
。このような電子写真用光受容部材では、干渉縞は観察
されず、また、実施例１と同様な装置で作像、現像、ク
リーニングの工程を繰り返し行ったが、実用Ｃ二十分な
耐久性を得た。

７ 第１表 第２表 Ｘ実用には適さない Δ実用的に充分である ○実用的に良好である ◎実用に最適である 第３表 第４表 ×実用には適さない Δ実用的に充分である ○実用的に良好である ◎実用に最適である ９ 第５表 第６表 ×実用には適さない Δ実用的に充分である ○実用的に良好である ◎実用に最ス商である ０ 第７表 ×実用には適さない △実用的に充分である ○実用的に良好である ◎実用に最適である ６３ 第１１表 ５

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の説明
図である。 第３図は散乱光（：よる干渉縞の説明図である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光（二よ
る干渉縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合（：干
渉縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 武ρ 第１１図は、実施例１で用いた人を支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 １ゴ ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・光受容層１００１．１３０１．１４
０１・・・ＡＡ支持体１００２．１３０２．１４０２・
・・電荷注入防止層１００３．１３０３．１４０３・・
；感光層１００４．１３０４．１４０４・・・表面層１
５０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・　電子写真用光受容部材１５０２・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・半導体レーザー１５０３・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　ｆθレンス
１５０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・　ポリゴンミラー１５０５・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・露光装置の平面図１６０６・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の側面
図イエ１Ｌ

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）光受容部材用の支持体と、該支持体上にシリコン
   原子を含む非晶質材料からなる少くとも１つの感光、鳴
   と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からな
   る表面Ｉｆｉとを前記支持体側より順に設けた多層構成
   の光受容層とを有する光受容部材に於て、前記光受容層
   がシロートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、
   該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一
   方向に多数配列している事を特徴とする光受容部材。
2. （２）　前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
4. （４）　前Ｗ己シ目−トレンジが０．３〜５００μであ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則約１こ配列している凹凸にノ＾づいて形成されて
   いる特＃Ｖ−請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）　前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成され
   ている特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。
7. （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が人質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。
8. （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である時Ｉｆ請求の範囲＠６項に記載の光受容
   部材〇
9. （９）前記逆Ｖ字形劇状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である％ＩＦ祠求の範囲第６項に記載の光受
   容部材。
10. （１０）前記支持体が円面状である時ＶＩｆ　請求の範
    囲第１項に記載の光覚？１り部材〇
11. （１１）逆Ｖ字形線状突起が前記叉特体の面内に於いて
    緯線構造を有する！昨錆求の範囲第１Ｏ項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記綿線構造が多重綿線構造である特許請求の
    範囲第１１項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
    材。
14. （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
    の光受容部材。
15. （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
    項に記載の光受容部材。
16. （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１５項に記載の光受容部材。
17. （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。