JPS6258260A

JPS6258260A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6258260A
Application number: JP60198050A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-09-07
Filing date: 1985-09-07
Publication date: 1987-03-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することＫより静電潜像を形成し１次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行ない１画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では。

レーザーとして、小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーある
いは半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光
波長を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的で
ある。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適し圧電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され。

例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−８
５７４６号会報にみられるようなシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）から成る光受
容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８１層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ω−以上の
暗抵抗を確保するＫは。

水素原子やハｐゲン原子、或いはこれ等に加えてボロン
原子とを特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に
含有させる必要性があり、ために層形成に当って各種条
件を厳密にコン）ａ−ルすることが要求される等、光受
容部材の設計についての許容度に可成シの制限がある。

そしてそうした設計上の許容度の問題をある程度低暗抵
抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様にす
る等して改善する提案がなされている。即ち１例えば、
特開昭５４−１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５
３号公報、特開昭５７−４１７２号公報にみられるよう
に光受容層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の
層構成として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或
いは特開＠　５７−５２１７８号、同５２１７９号、同
５２１８０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５
８１６１号の各公報にみられるように支持体と光受容層
の間、又は／及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた
多層構造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受
容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがち択これを用いてレーザ
ー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光であ
るので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受容
層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（以
後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「界
面」と称する。）よシ反射して来る反射光の夫々が干渉
を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現像が顕著に
なるという問題がめる。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重。と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって１層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだらかに五以上の層厚
差で不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝：ｍ
λ（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ　＝（ｍ　
＋２　）λ（ｍは整数１反射光は弱め合う）の条件のど
ちらに合うかによって。

ある層の吸収光量および透過光量に変化が生じる。即ち
、光受容部材が第７図に示すような。

２若しくはそれ以上の層（多層）構成のものであるもの
においては、それらの各層について第６図に示すような
干渉効果が起って、第７図に示すような状態となシ、そ
の結果、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉縞
模様を呈するところとなシ、それがそのま＼転写部材に
影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞が
転写、定着される可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

この問題を解消する策として、（、）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５ｏｏＡ〜±１００００大の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報参照）　、　（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報
参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアル
マイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細
凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照
）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

［有］）の方法については、黒色アルマイト処理では、
完全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存
してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は
、ａ−８１層を形成する際。

樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受容層の層
品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−８１層形成の
際のプラズマによってダメージを受けて１本来の吸収機
能を低減させると共に。

表面状態の悪化によるその後のａ−８１層の形成に悪影
響を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に１例えば入
射光ＩＯは、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ１となり、残りは、先受客層８０２の内部
に進入して透過光重１となる。透過光重１は、支持体８
０１０表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
に１、Ｋ２、Ｋ３・・・となり。

残如が正反射されて反射光Ｒ２となυ、その一部が出射
光Ｒ３となって外部に出ては行くが、出射光Ｒ３は１反
射光Ｒ１と干渉する成分であっていずれにしろ残留する
ため依然として干渉縞模様が完全圧消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１０
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特Ｋ、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
１、支持体９０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように１通常、支持体１００１０表面の凹凸形状１
００６に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１００３’、１００４’で示すように平行
になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ１＝ｍλま
たは２ｎｄ１　＝　（ｍ＋’Ａ　）λの関係が成立ち、
夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体では光
受容層の層厚ｄ１、ａ２．ｄ４．　ｄ４の夫々のλ 差の中の最大が五以上である様な層厚の不均一性がめる
ため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

更にまた。こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題はその表面層に関係するところ
も大である。即ち、上述したところからして明らかなよ
うに、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接し
ている感光層との界面での反射光による干渉現象が起き
て、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。

ところで、表面層の層厚が不均一である状態は１表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。

こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい。

そうした表面層を有する光受容部材は、その形成時読に
感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を具有する
わけであ）、それを使用したとなれば初期画像から採用
に価しないものを与えてしまう。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受客層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある。ａ−８１で構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８１で構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高８Ｎ比特性及
び高電気的耐圧性を有する。ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に達し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る。ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供するととに、２１）る。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得。

該知見に基づいて本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上Ｋ、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、シリコン原子
と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一種とを含有する非晶質材料で構成された表
面層とを有する光受容層を備えた光受容部材であって、
前記感光層と前記表面層との界面において光学的バンド
ギャップが整合しており、前記光受容層中のショートレ
ンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平行
な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多
数配列し、該非平行な界面が配列方向において各各なめ
らかに連結してなることを骨子とする光受容部材に関す
る。

ところで１本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、以下に記述するところである。

即ち、支持体上に表面層と感光層とを有する光受容層を
備えた光受容部材にあっては、表面層と感光層との界面
において、表面層の有する一１ツー光学的バンドギャップと、該表面層が直接設けられる感
光層の有する光学的・２ンドギヤツプとが整合するよう
に構成した場合、表面層と感光層との界面における入射
光の反射が防止され、表面層の形成時における層厚むら
又は／及び表面層の摩耗による層厚むらによってもたら
されるところの干渉模様や感度むらの問題が解消される
というものである。

また、該光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹
凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状の
１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称す
。）内に少くとも一対の非平行な界面を有するようにし
、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも
一方向に多数配列せしめ、該非平行な界面を配列方向に
おいて各々なめらかに連結せしめた場合、画像形成時に
現われる干渉模様の問題が解消されること、そして、そ
の場合、支持体表面に設けるなめらかな凹凸の凸部の縦
断形状を、ショートレンジ内に形成される各珊の層厚の
管理さ一１日− れた不均一化、支持体と該支持体上に直接設けられる層
との間の良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的
接触性を確保する為に、正弦関数形状とすることが望ま
しいというものである。

ところで後者の知見は１本発明者らが試みた各種の実験
により得た事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材の層構成を示す模式
図であり、微小にして、なめらかな凹凸形状を有する支
持体上に、その凹凸の傾斜面に沿って感光層１０２と表
面層１０３とを備え走光受容部材を示している。

第２乃至４図は１本発明の光受容部材において、干渉縞
模様の問題が解消されるところを説明するための図であ
る。第２（Ａ）図は前記構成の光受容部材の一部を拡大
して示し九図でめ９、第２　（Ｂ）図は同部分における
明るさを示す図である。図中、２０２は感光層、２０３
は表面層、２０４は自由表面、２０５は感光層と表面層
との界面を示している。第２（Ａ）図に示すごとく、表
面層２０６０層厚は、ショートレンジを内においてｄ２
１からｄ２２に連続的に変化しているため、自由表面２
０４と界面２０５とは互いに異なる傾むきを有している
。したがって、このショートレンジを内に入射したレー
ザー光等の可干渉性光は、該ショートレンジｔにおいて
干渉をおこし、微小な干渉縞模様が生成はする。しかし
、ショートレンジｔにおいて生ずる干渉縞は、ショート
レンジｔの大きさが照射光スポット径より小さい、即ち
、解像度限界より小さいため１画像に現われることはな
い。又、はとんどないことではあるが、仮に１画像に現
われる状況が生じたとしても肉眼の分解能以下なので、
実質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し図中、３０２は感光層、３０３は表
面層、３０４は自由表面、！＋０５は感光層３０２と表
面層３０３との界面を示す。）に示すように。

感光層３０２と表面層３０３との界面３０５と、自由表
面３０４とが非平行である（第６（Ａ）図参照）場合に
は、入射光ＩＯＫ対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはそ
の進行方向が異なるため、界面３０５と自由表面３０４
とが平行である（第５０）図参照）場合に比べて、干渉
の度合が減少する。即ち、干渉が生じても、第３（Ｃ）
図に示すごとく、一対の界面が平行な関係にある場合よ
りも、一対の界面が非平行な関係にある場合の方が干渉
の度合が小さくなるため、干渉縞模様の明暗の差が無視
しうる程度に小さくなり、その結果、入射光量は平均化
される。

このことは、第２０）図に示すように、表面層２０５の
層厚がマクμ的に不均一である場合、即ち、異なる任意
の２つの位置における表面層の層厚ｄ２３　、　ｄ２４
がｄ２３＼ｄ２４である場合であっても同様であって、
全層領域において入射する光量は第２（Ｄ）図に示すよ
うに均一となる。

以上、支持体上に感光層と表面層とが積層されている場
合について記載したが、本発明の光受容部材の感光層が
多層構造を有している場合、例えば、第４図に示すよう
に支持体４旧上に。

二つの構成層４０２′と４０２“から構成される感光層
４０２、および表面層４０３を積層してなる場合であっ
ても、入射光量０に対して、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３，
Ｒ４およびＲ５が存在するが、４０２′、４０２“およ
び４０３の各層において、第３図によって説明したごと
き入射する光量が平均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジを内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は感光層を構成する層の数が増大するにつれ、より一層
干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よ〕も微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸はなめらかな凹凸であって、好ましくは該な
めらかな凹凸が正弦関数形線状突起によって形成されて
いるものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射するととＫより干渉し形成さ
れる画像が縞模様と々ることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について。

好適な凹凸形状の１周期の大きさＬは、照射光のスポッ
ト径をＬとすれば、ｔ≦Ｌの関係にあることが必要であ
る。

また１本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面
層とからなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニ
ウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含
有するアモルファス材料で構成され、特に望ましくはシ
リコン原子（８１）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又は
スズ原とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒａ−８
１（Ｇｏ、８ｎ）　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。〕、あ
るいは、酸素原子Ｏ）、炭素原子（Ｃ’）及び窒素原子
（ロ）の中から選ばれる少なくとも一種を含有するａ−
８ｉ（Ｇｅ、８ｎ）（Ｈ，Ｘ）　Ｃ以下、ｒａ−８１（
Ｇｅ、８ｎ）（０，Ｃ，Ｎ）（ＨｌＸ）Ｊと表記する。

〕で構成され、さらに必要に応じて伝導性を制御する物
質を含有せしめることができる。そして、該感光層は、
多層構造を有することもあシ、特に好ましくは、伝導性
を制御する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１
つとして有するか、または／及び、障壁層を構成層の１
つとして有するものである。

また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを
含有するアモルファス材料特に望ましくは、シリコン原
子（８１）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒
素原子（６）の中から選ばれる少くとも一種と、水素原
子（ロ）及びノ１μゲン原子（３）の少なくともいずれ
か一方とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒａ−８
１（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ月と表記する。〕で構成され
る。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、感光層と表面層とを積層して有し、さらに感
光層にあっては、後で詳述するように、干渉を防止する
ことを目的として、感光層の支持体側の端部にゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に含有する局
在領域を形成せしめるか、又は／及び感光層の支持体側
の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量に含有する
局在領域（すなわち、電荷阻止層）ｆ形成せしめるか。

又は／及び感光層の支持体側の端部に障壁層を形成する
ことが望ましく、こうした構成の本発明の光受容部材は
支持体上に複数の層による複数の界面が形成されること
となるが、本発明の光受容部材においては、ショートレ
ンジを内に少なくとも一対の非平行な界面が存在するよ
うにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ショートレンジｔに於ける層厚の差５例えば前述の第
２（Ａ）図におけるｄ２１とｄ２２の差は、照射光の波
長′ｔ−スとすると、次式：′ｄ４１’−ｄ２２≧２ｎ
　（ｎ’構成層の屈折率）を満足することが望ましい、
そして該層厚の差の上限は、好ましくは０．１μｍ〜２
μｍ、より好ましくは０．１　μｍ　〜１．５　＃ｍ　
、最適には０．２μｍ〜１μｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジを内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限９において、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、半行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差をΔｔとし、照射光の波長を１１層
の屈折率ｉｎとした場合、次式：を満足するように層又
は層領域を形成するのが望ましい。

本発明の感光層及び表面層の作成については、本発明の
前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を光学
的レベルで正確に制御する必要があることから、グロー
放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光ＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は１本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中。

１００は光受容部材、１０１は支持体、１０２は感光層
、１０３は表面層、１０４は自由表面を示す。

支持体本発明の光受容部材における支持体１０１は。

その表面が光受容部材に要求される解像力よりも微小に
してなめらかな凹凸を有し、好ましくは、該なめらかな
凹凸が正弦関数形線状突起によって形成されているもの
である。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部は
、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する
。この様な構造の一例を第５図に示す。第５図において
Ｌは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径でめシ、Ｐ
は螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さであの多重螺旋構造
、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジヨンは、以下の点を考慮した上
で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には、光受容層を構成するａ−８１（Ｇ１３
　、８ｎ）　（Ｈ＋Ｘ）層は１層形成される表面の状態
に構造敏感であって１表面状態に応じて層品質は大きく
変化する。

従って、　ａ−８１（Ｇｏ、８ｎ）（Ｈ，Ｘ）層の層品
質の低下を招来しない様に支持体表面に設けられる凹凸
のディメンシロンを設定する必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、通常は０．５μｍ〜５０
０＃ｍ、好ましくは１μｍ〜２００μｍ、より好ましく
は５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは［１，１声ｍ〜５　
ｓｍ　、よ）好ましくは０．３μｍ〜６μｍ、最適には
α６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の
凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部
（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度
〜・２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とするのが望ましい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい、導電性支持
体としては１例えば、ＮｉＣｒ。

ステンレス、ＡＡ、ＯｒｌＭｏ、Ａｕ、Ｎｂ１Ｔａ、　
Ｖ、Ｔｉ、ｐｔ　、　ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ボリカーボ＄−）、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラオツク１紙
等が挙げられる。これ等の電気絶縁性支持体は、好適に
は少なくともその一方の表面を導電処理し、該導電処理
された表面側に光受容層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、　ＮｉＣｒ、Ａ
ｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、’Ｉ’
ｉ　、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｔｍ２Ｏ３、５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０Ｂ　＋８
ｎ０２）等から成る薄膜を設けることＫよって導電性を
付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａｔ、Ａｇ　、　Ｐｂ　
、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、Ａｕ　。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、　Ｖ、　ＴＡ、Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支持
体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状であ
ることができるが。

用途、所望によって、その形状は適宜に決めることので
きるものである。例えば、第１図の光受容部材１００を
電子写真用像形成部材として使用するのであれば、連続
高速複写の場合には。

無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様
に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、機緘的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。

感光層本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、感光層１０２が設けられており、ｌ＊感元層は、ａ
−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ（Ｇｏ、
５ｎ）（０／Ｃ＃Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成されており、好
ましくは、さらに伝導性を制御する物質を含有せしめる
ことができる。

感光層中に含有せしめるハロゲン原子（イ）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１０２中に含有される水素原子（ロ）
の量又はハロゲン原子凶の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合１〜４０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好適には３〜５０　ａｔｏｍｉｃ　Ｔｏとさ
れるのが望ましい。

また１本発明の光受容部材において、感光層の層厚は１
本発明の目的を効率的に達成するには１喪な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り１通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０
μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特性
を向上せしめるととにある。

即ち、前記感光層中にゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子を含有せしめる仁とにより、本発明の光受容部材は
、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中で
も特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波
長患の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答性
の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザー
を光線とした場合に特に顕著である。

本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、その全層領域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層領域に含有せしめて
もよい。後者の場合、感光層は、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子を含有する構成層と、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成層が支持
体側の端部よりこの順に積層された層構成を有するもの
となる。そして、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
を全層領域に含有せしめる場合および一部の層領域にの
み含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中に。

均一な分布状態で含有せしめてもよく、あるいは不均一
な分布状態で含有せしめてもよい。

（こむで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行
な面方向において均一でアリ。

感光層の層厚方向にも均一であることをいい、又、不均
一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行な面方行に
は均一であるが、感光層の層厚方向には不均一であるこ
とをいう。）そして本発明の感光層においては、４！に
、支持体側の端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原
子を比較的多量に均一な分布状態で含有する層を設ける
か、あるいは自由表面側よりも支持体側の方に多く分布
した状態となる様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子を含有せしめることが望ましく、こうした場合、支持
体側の端部においてゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の分布濃度を極端に大きくすることにより。

半導体レーザー等の長波長の光源を用いた場合に、光受
容層の自由表面側に近い構成層又は層領域においては殆
んど吸収しきれいな長波長の光を、光受容層の支持体と
接する構成層又は層領域において実質的に完全に吸収さ
れるため、支持体表面からの反射光による干渉が防止さ
れるようになる。

前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中又は一部の層中に均
一に分布せしめることもでき、あるいは、全層又は一部
の層の層厚方向に連続的かつ不均一に分布せしめること
もできるが、以下１層厚方向に連続的かつ不均一な分布
状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例
として、第１１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、感光層全層又は支持体と接
する一部の層の層厚を示し。

ｔＢは支持体側の感光層の端面の位置を、　１＝は支持
体側とは反対側の表面層側の端面、又はゲルマニウム原
子を含有する構成層とゲルマニウムを含有しない構成層
との界面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される感光層はｔＢ側よ
りｔ−１＠に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて１層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はめくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。

第１１図には、感光層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる感光層が形成される支持体表面と核層とが接する界
面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取シ乍らゲルマニ
ウム原子が感光層に含有され１位置ｔ１よりは濃度Ｃ２
より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されて
いる。界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウムＪｌの分布
濃度Ｃは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴＫ至るま
で濃度Ｃ５から徐々に連続的に減少して位置ｔ、ｚ　に
おいて濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢよ）位置ｔ２ｔでは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置１Ｔとの間において、徐々に連続的
に減少され１位置１Ｔにおいて１分布濃度Ｃは実質的に
ゼロとされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置１＝に至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され１位置ｔ３よ如は急速に連続的に
減少されて位置ｔＴにおいて実質的にゼロとされている
。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり１位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃはゼロとさ
れる。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では１分布濃度Ｃけ一
次関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては１分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｅより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度０１０まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１１
より一次関数的に減少されて、上目に至っている。

第１８図においては１位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度自２より濃度
Ｃ１１、まで−次間数的に減少され１位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度０１ｇの一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置軸において濃度Ｃ１４であり１位ｆｉ
ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度−６となシ、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、徐
々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至る。

位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ１７より実
質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に従って
減少されている。

以上、Ｍ１１図乃至第１９図により、感光層中に含有さ
れるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の
分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光
受容部材においては、支持体側圧おいて、ゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
。

端面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設けられてい
るのが望ましい。

即ち１本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は。

第１１図乃至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、
界面位置ｔＢより５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、液適にはＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５Ａ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるの
が好ましい亀のである。

本発明の光受容部材において、感光層中に含有せしめる
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本発
明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜法
める必要があり。

通常は１〜６　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする
が、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ　、より好ましくはｌＸ１０２〜２　Ｘ　１０５ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

ところで１本発明の光受容部材の感光層に。

酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種を含有せしめる目的は、主として該光受容部材
の高光感度化と高暗抵抗化、そして支持体と感光層との
間の密着性の向上にある。

本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合１層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の量は、比較的少量でよい。

また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は、支持体との密着性の向上を確実に図るために
、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常はｏ、ｏｏｉ〜５０　ａｔｏｍｉｃチ、
好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　ｑ６、最
適には０．００３〜５０ａｔｏｍｉｃ　％とする。

ところで、感光層の全層領域に含有せしめるか、Ｔｏる
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚
中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる
量の上限を少なめＫされる。すなわち、その場合１例え
ば、含有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚のｉと
なるような場合には、含有せしめる量は通常３０ａｔｏ
ｍｉｃ　％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ　％以
下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ　９４以下にされる。

次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の置が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層側
の端部付近においては、比較的少量となるか、あるいは
実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型
的な例のいくつかを、第２０図乃至＃Ｉ２８図によって
説明する。しかし１本発明はこれらの例によって限定さ
れるものではない。以下。

炭素原子、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種を「原子（０，０＃Ｎ）　Ｊと表記する。

第２０乃至２８図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し。

ｔＢは支持体と感光層との界面位置を、ｔＴは感光層の
表面層との界面の位置を示す。

第２０図は、感光層中に含有せしめる原子（０，Ｃ！、
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。該例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する感光層と支
持体との界面位置軸より位置ｔ１までは、原子（０，Ｃ
！、Ｎ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定値をとり１位置ｔ
１より表面層との′界２１面位置ｔｒ　ｔでは原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し
、位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が
０３となる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは。

位置ｔＢから位置ｔ、ｚ　Ｋいたるまで、濃度Ｃ４から
連続的に減少し１位置ｔＴにおいて濃度Ｃｓとなる。

第２２図に示す例では１位置ｔＢから位置ｔ２４６一までは原子（ＯｓＣ＋Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる
一定値を保ち１位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、
原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に
連続的に減少して位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ’、
Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度ＣＢから
連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあり９位置ｔ３から位置１．の間においては、
濃度Ｃ９から濃度０１０となるまで。

−次間数的に減少する。

第２５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位［ｔｓにいたるまでは濃度ｃ１．
の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔＴにいたるまでは
濃度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで一次関数的に減少
する。

第２６図に示す例においては、原子（０，Ｃ’、Ｎ）の
分布濃度Ｃは１位置ｔＢから位置ｔｙにいたるまで、濃
度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少
する。

第２７図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１５か
ら濃度−６となるまで一次関数的に減少し１位置ｔ５か
ら位置１．２までは濃度自６の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、原子（０＋ＣｅＮ）の
分布濃度Ｃは、位置軸において濃度Ｃ１７であり１位置
ｔ５から位置ｔ６までは、濃度−７からはじめはゆつく
９減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置ｔ６
では濃度−８となる。次に。

位置ｔ６から位置ｔ７までははじめのうちは急激に減少
し、その後は緩かに徐々に減少し１位置ｔ７においては
濃度−９となる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極め
てゆっくりと徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２
０となる。また更に１位置ｔ８から位置ｔ！にいたるま
では、濃度Ｃ２Ｏから実質的にゼロとなるまで徐々に減
少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布
濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層
の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは骸
局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔＢから５
μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密着性
の向上をより一層効率的に達成することができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）　ｔ−含有せしめ
る感光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であって
も、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、
形成される感光層に要求される特性に従って適宜法める
。

局在領域に含有せしめる原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の量は。

原子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

さらに１本発明の光受容部材においては感光層に伝導性
を制御する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又
は不均一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す、入又は、ｎ型伝導性を与える周期律表
第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す。

）が使用され机具体的には、第１族原子として　　　　
　□は、Ｂ（硼素）１Ｍ（アルオニウム）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム）
等を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、
　Ｇａである。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａ
ｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂ１（ビスマン）等
を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｐ、８
ｂである。

本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第厘族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。

すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合。

第臘族原子又は第Ｖ族原子の含有量は比較的わずかでよ
く１通常はｌＸ１０”３〜Ｉ　Ｘ　１０！Ｉａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍであり、好ましくは５　Ｘ　１０−２〜５Ｘ１
０２ａｔｏｍｉｃ１）１）ｍ　％最適にはＩ　Ｘ　１０
−’　〜２　Ｘ　１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第１族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第■族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には
、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動をよ
り効率的に阻止することができる。

そして、この場合の含有量は比較的多量である。具体的
には、一般的には６０〜５　Ｘ　１０’　ａ−１ｃｐｐ
ｍとするが、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘｌ（１４ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０２〜５　Ｘ　１０
５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。そして、該効果を効率
的に奏するためには、一部の層領域あるいは高濃度に含
有する層領域の層厚をｔとし、それ以外の感光層の層厚
をｔｏとした場合、ｔ／　ｔ　＋　ｔｏ≦０．４の関係
式が成立することが望ましく、よシ好ましくは該関係式
の値が０．６５以下、最適には０．３以下となるように
するのが望ましい。また、核層領域の層厚は、一般的に
は３　Ｘ　１０’−’〜１０μとするが、好ましくは４
　Ｘ　ｉ　Ｏ−３〜８μ、最適には５×１０−６〜５μ
である。

次に感光層に含有せしめる第臘族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層と接する側に向って減少し、表面層と接す
る付近においては。

比較的少量となるかあるいは実質的にゼｐに近くなるよ
うに第ｍ族原子又は第Ｖ族原子を分布させる場合の典灘
的例は、前述の感光層に酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめる場合
に例示した。

第２０図乃至２８図の例と同様の例によって説明するこ
とができる。しかし、本発明は、これらの例によって限
定されるものではない。

そして、４２０〜２８図に示した例のごとく。

感光層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、感光層の表面層側にお
いては、該分布濃度Ｃがかなプ低い濃度の部分あるいは
実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合におっては
、支持体側に近い部分に第膳族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好
ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界面位置か
ら５μ以内に設けることにより。

第厘族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層
領域が電荷注入阻止層を形成するという前述の作用効果
がより一層効率的に奏される。

以上、第厘族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および感光層
に含有せしめｂ第曹族原子又は第Ｖ族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有
せしめてもよく、必るいは、同極性の伝導性を制御する
物質を、電荷阻止層に含有される量よりも一段と少ない
量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは。

咳障壁層と電荷注入阻止層との両方を構成層とすること
もできる。こうした障壁層を構成する材料としては、＊
ｚ２ｏ５　、５ｉｏ２．８１３Ｎ４等の無機電気絶縁材
料やポリカーボネート等の有機電気絶縁材料を挙げるこ
とができる。

表面層本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
０２の上に設けられ、自由表面１０４　’ｉｉ−有して
いる。該表面層は、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及
び窒素原子員の中から選ばれる少なくとも一種、好まし
くはさらに水素原子０及びハロゲン原子（イ）の少なく
ともいずれか一方を含有するａ−８ｉ　（以下、ｒａ−
８１（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記すん〕で構成
されていて、光受容部材の自由表面１０４における入射
光の反射をへらし、透過率を増加させる機能を奏すると
ともに、光受容部材の耐湿性、連続繰返し使用特性、電
気的耐圧性、使用環境特性および耐久性等の緒特性を向
上せしめる機能を奏するものである。

そして、本発明の光受容部材にあっては、表面層１０６
と感光層１０２との界面において１表面層の有する光学
的バンドギャップＥｏｐｔと、ｌ＊表面層が直接設けら
れている感光層１０２の有する光学的バンドギャップＥ
ｏｐｔとが、整合するか、あるいは表面層１０３と感光
層１０２との界面における入射光の反射を実質的に防止
しうる程度に整合するように構成される必要がある。

さらＫ、上述の条件に加えて、表面層１０３の自由表面
側の端部においては、表面層の下に設けられている感光
層１０２に到達する入射光の光量が充分に確保できるよ
うにするため、表面層１０３の自由表面側の端部におい
ては１表面層の有する光学的バンドギャップＥｏｐｔを
充分に大きくするように構成されることが望ましい。

そして１表面層１０３と感光層１０２との界面において
光学的バンドギャップＥｏｐｔが整合するように構成す
るとともに、表面層の自由表面側の端部において光学的
バンドギャップＦｉｏｐｔを充分に大きくするように構
成する場合１表面層の有する光学的バンドギャップが１
表面層の層厚方向において連続的に変化するように構成
される。

表面層の光学的バンドギャップＥｏｐｔの層厚方向にお
ける値を前述のごとく制御するには。

光学的バンドギャップの調整原子であるところの酸素原
子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（６）の中から
選ばれる少くとも一種の表面層に含有せしめる量を制御
することによって行なわれる。

具体的には、感光層の表面層と接する側の端部において
酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ’）及び窒素原−５ツー子（社）の中から選ばれる少なくとも一種〔以下、「原
子（０，Ｃ，Ｎ）　Ｊと表記する。〕が含有されていな
い場合には、表面層の感光層と接する側の端部における
原子（０，Ｃ，Ｎ）の含有量をゼロ又はゼロに近い値と
し、感光層の表面層と接する側の端部□において原子（
０，Ｃ，Ｎ）が含有されている場合については、表面層
の感光層と接する側の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ）
の含有量と、感光層の表面層と接する側の端部における
原子（０，Ｃ，Ｎ）の含有量とが同じか、あるいは実質
的に差がないようにする。そして１表面層の感光層側の
端部から自由゛表面側の端部に向かって、原子（０゜Ｃ
、Ｎ）の量を連続的に増加させ、自由表面側の端部付近
においては、自由表面における入射光の反射を防止する
のに充分な量の原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる。以
下、表面層における原子（０゜Ｃ，Ｎ）の分布状態の典
型的な例のいくつかを、第２９乃至３１図によって説明
するが１本＃、＠ｉｉはこれらの例によって限定される
ものではない。

第２９乃至５１図において、横軸は原＋（０，Ｃ，Ｎ）
およびシリコン原子の分布濃度Ｃ１縦軸は表面層の層厚
ｔを示しており１図中、　ｔｚは感光層と表面層との界
面位置、　１．は自由表面位置、実線は原子（０，Ｃ，
Ｎ）の分布濃度の変化、破線はシリコン原子（Ｓｌ）の
分布濃度の変化を示している。

第２９図は１表面層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ
）とシリコン原子（Ｓｌ）の層厚方向の分布状態の第一
の典臘例を示している。皺例では、界面位置ｔ！より位
置ｔ１マで、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃがゼロよ
り濃度Ｃ１となるまで一次関数的に増加し、一方、シリ
コン原子の分布濃度は、濃度Ｃ２から濃度Ｃ３となるま
で一次関数的に減少し。

位置ｔ１から位置ｔ？にいたるまでは、原子（０，Ｃ，
Ｎ）およびシリコン原子の分布＠度Ｃは各々濃度Ｃ１お
よび濃度Ｃ５の一定値を保つ。

第６０図に示す例では、原子（０，Ｃ！、Ｎ）の分布濃
度Ｃは界面位置ｔｙよ多位置ｔ３まではゼロから濃度ｃ
４　ｔで一次関数的に増加し、位置ｔ３より位置ｔ１に
いたるまでは、濃度Ｃ４の一定値を保つ。一方、シリコ
ン原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＴよ多位置ｔ２までは濃
度Ｃ５から濃度Ｃ６まで一次関数的に減少し１位置ｔ２
よ）位置ｔ３までは、濃度Ｃ６から濃度Ｃ７まで一次関
数的に減少し、位置ｔ５から位置１．にいたるまでは、
濃度Ｃ７の一定値を保つ。表面層の形成の初期において
、シリコン原子の濃度が高い場合、成膜速度が速くなる
が、この例のようにシリコン原子の分布濃度を２段階で
減少することにより、成膜速度を補正することができる
。

第３１図に示す例では１位置ｔ２から位置ｔ４までは、
原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度はゼロから濃度ｃ、３’
ｌで連続的に増加し、一方、シリコン原子（Ｓｌ）の分
布濃度Ｃは、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１［１まで連続的に減
少し１位置ｔ４から位置ｔ７にいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度およびシリコン原子（Ｓｌ）の分
布濃度は、各々濃度Ｃ８および濃度Ｃ１ｏの一定値を保
つ。この例のごとく、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度を
徐々に連続して増加せしめる場合には、表面層の層厚方
向の屈折率の変化率をほぼ一定とすることができる。

本発明の光受容部材の表面層は、第２０乃至２８図に示
したごとく１表面層の感光層側の端部においては原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度を実質的にゼロに近い濃度とし
、自由表面側に向かって連続的に増加させ１表面層の自
由表面側の端部においては、比較的高濃度である層領域
を設けるようにすることが望ましい。そして、この場合
の該層領域の層厚は１反射防止層としての機能および、
保護層としての機能を果たすため。

通常は［Ｌ１＃ｍ以上となるようにされる。

表面層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有せしめることが望ましく。

含有せしめる水素原子０の量又は）１０ゲン原子閃の量
、あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　
）は１通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは５
Ｐ−５０ａｔｏｍｉｃ　９に、最適には３〜２５　ａｔ
ｏｍｉＣ％とする。

また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。

こうしたことから１表面層の層厚は通常は６×１０−３
〜６０μとするが、より好ましくは４Ｘ１０−”〜２０
μ、特に好ましくは５　Ｘ　１０−１〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことＫ
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

ま光、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊Ｋ、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労。

繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定して繰
返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンシレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模１炸裂される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であシ、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと共に、水
素原子（ロ）導入用の又は／及びハロゲン原子■導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置し九所定の支持体表面上にａ−８１（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、５ｔａ４．５ｔ２
ａ４．５ｉ３ａ６　、８１４Ｈ１ｏ等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に
、層形成作業のし易さ、８１供給効率の曳さ等の点で、
８１Ｈ４，８１２Ｈ，６が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハａｆンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるノ１０
ゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハ１ｊ１３ゲンガス、ＢｒＦ　、ＣｔＦ　、
　ＣｔＦ５　、　ＢｒＦ５、ＢｒＦ３　、ＩＦ７　、　
ＸＣＬ　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物。

および８１Ｆ４．８１２Ｆ４　、　ＢｉＣｌ２．８１Ｂ
ｒ４等のハロゲン化硅素等が挙げられる。上述のごとき
ノ〜ロゲン化硅素のガス状態の又はガス化しうるものを
用いる場合には、８１供給用の原料ガスを別途使用する
ことなくして、ハロゲン原子を含有するａ−８１で構成
された層が形成できるので、特に有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ　、　ＨＣＬ　％ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲ
ン化物、　８ｉＨ４、５ｔ２Ｈ４，８１ｓＨ１、５ｉ４
ａ１ｏ等の水素化硅素、あるいは５ｉａ２ｐ２．８ｉＨ
２Ｉ２　、５ｉｎ２ｃｚ２゜８ｉＨＣ！Ｌ３　、８ｉＨ
２Ｂｒ２　、８１ＨＢｒＢ等のハロゲン置換水素化硅素
等のガス状態の又はガス化しうるものを用いることがで
き、これらの原料ガスを用いた場合には、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（ロ）の含有量の制御を容易に行うことがで
きるため、有効である。そして、前記ハロゲン化水素又
は前記ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲ
ン原子の導入と同時に水素原子（ロ）も導入されるので
、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８１（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには１
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、　Ｈ２或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して咳ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば１反応スパッタリング法の場合には、８１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じて）（ｅ　、Ａｒ　醇の不活性ガスも含め
て堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記８
１ターゲツトをスパッタリングするととＫよって、支持
体上にａ−８１（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−８１Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（８１）を供給
しうる８１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｏ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子頓
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しうる水素原子（
ロ）又は／及びハロゲン原子（ト）供給用の原料ガスを
、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入
し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め所定
位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−８ｉＧ
ｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。。

８１供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、前述のａ−ｓｉ（Ｈ，ｘ）で構成される層を形成す
る場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記軸供給用の原料ガスとなりうる物質としては
、　Ｇｅ３Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ４、Ｇｅ５ＨＢ　、Ｇｅ４Ｈ
１ｇ　。

（）ｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇ１３７Ｈ１６、Ｇｅ
６１Ｈ１Ｂ　、ＧｅｐＨ２０等のガス状態の又はガス化
しりる水素化ゲルマニウムを用いることができる。特Ｋ
、層作成作業時の取扱い易さ、　Ｇｅ供給効率の良さ等
の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６＊および（）ｆＱＨ６
が好ましい。

スパッタリング法によってａ−８１Ｇｅ（Ｈ，ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコンから成るターゲッ
トと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、あ
るいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを
用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−８１Ｇｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には、例えば。

多結晶シリーン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレク
トロンビーム法（Ｅ、Ｂ。

法）尋によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガス
プラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンシレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のノ１四ゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する
場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内圧導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、ＨＰ。

ＨＣＬ、ＨＢｒ　、　Ｈ工等のハロゲン化水素、　５ｉ
Ｈ２Ｆ２゜８ｉＨ２Ｉ２．８１Ｈ２ＣＡ２．５ｉＨＣｔ
５．８１Ｈ２Ｂｒ２．８１ＨＢｒ、ｇ等のハロゲン置換
水素化硅素、およびＧｅＨＦｇ。

Ｇ８Ｈ２Ｆ２　、　Ｇ８Ｈ３Ｆ　、　ＧｅＨＣＬ３　、
ＧＯ）（２ＣＡ２　、ＧｅＨｇＣＡ　。

Ｇｆ３ＨＢｒ５　、ＧｅＨ２Ｂｒ２　、Ｇ１３Ｈ５Ｂｒ
　、　ＧｅｐＨ２０、ＧｅＨ２Ｉ２、ＧｅＨｊＩ等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４　、　Ｇｅｃ
Ｌ４　、　ＧｅＢｒ４　、　（）ｅＩ４　、ＧｅＦ２　
、　ＧｅＣＬ２、ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ２　等のハロゲ
ン化ゲルマニウム等々のガス状態の又はガス化しうる物
質も有効な出発物質として使用できる。

グルー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、ｒａ−８１８ｎ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−８１Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（８ｎ
）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中への
その量を制御しながら含有せしめることによって行なう
。

前記スズ原子（８ｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（８ｎＨ４）や８ｎＦ２．８ｎＦ
４　、　ＢｎＣＬ２　、８ｎＣｔ４　、８ｎＢｒ２　、
８ｎＢｒ４　、８ｎＩ２　。

８ｎＩ４等のハロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化
しうるものを用いることができ、ハロゲン化スズを用い
る場合には、所定の支持体上にハロゲン原子を含有する
ａ−８１で構成される層を形成することができるので、
特に有効である。

なかでも１層作成作業時の取扱い易さ、　８ｎ供給効率
の良さ等の点から、　ＢｎＣ１４が好ましい。

そして、ＢｎＣＬ４をスズ原子（８ｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
８ｎＣ４を加熱するとともに、Ａｒ　、Ｈｅ　。

等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブ
リングするのが望ましく、ζうして生成したガスを、内
部を減圧圧した堆積室内に所望のガス圧状態で導入する
。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、　ａ−８１（Ｈ，Ｘ）又はａ−
８１（Ｇｅ、８ｎ）（Ｈ，Ｘ）にさらに第ｍ族原子又は
第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭素原子を含
有せしめた非晶質材料で構成された層を形成するには、
　ａ−８１（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇｅ　ｌ　８ｎ）
（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原
子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、酸素
原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子導入用の出発
物質を、前述したａ−８１（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇ
ｅ、８ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して
、形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せし
めてやるととＫよって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ！、Ｎ）
を含有するａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は原子
（０，Ｃ，Ｎ）　ｔ−含有するａ−８１（Ｇｅ、８ｎ）
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには、前述のａ−
８１（Ｈ，Ｘ）で構成される層又はａ−８ｉ（Ｇｏ、ａ
ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する際に、原子（
０，Ｃ！、Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−８１（Ｈ，Ｘ
）形成用父性ａ−８１（Ｇｏ、８ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用して形成する層中へのそれらの
菫を制御しながら含有せしめることによって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には、酸素原子（０）導入用の出発物質として、
例えば、酸素（０２）、オゾン（Ｏｓ）、−酸化窒素（
ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ
２０ｇ）、四二酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（
Ｎ２０５）、三二酸化窒素ＣＮ４０５ｉ）、シリコン原
子（８１）と酸素原子（０）と水素原子（ロ）とを構成
原子とする例えばジシロキサン（Ｈ５８１０８１Ｈ，）
、トリシロキサン（Ｈ５８１０８１Ｈ２０８１Ｈｓ）等
の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用
の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）、エタ
ン（０２Ｈ＆）、プロパン（Ｃ３Ｈ！１）、ｎ−ブタン
（ｎ−０４ＨＩＱ）　、はブタン（ＣｓＨ１２）等の炭
素数１〜５の飽和炭化水素。

エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（０ｇＨ６）、ブテ
ン−１（０４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブ
チレン（０４Ｈ８）。

ヘンテン（ＣｓＨｌｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（０２Ｈ２）、メチルアセチレン
（（４Ｈ４）、ブチン（０４Ｈ６）等の炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原子（６）導
入用の出発物質としては９例えば、窒素（Ｎ２）、アン
モニア（ＮＨ！ｌ）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、ア
ジ化水素（ＨＮ、Ｎ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ
５）、三弗化窒素（ＦｇＮ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等
が挙げられる。

例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８１（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇｅ、
ａｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層領域を形成する
Ｋは、上述のａ−８１（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇｏ　
、　８ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ−８
１（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇｅ、８ｎ）（Ｈ，Ｘ）形
成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へのそ
れらの量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、　Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１Ｇ　。

Ｂ５Ｈ９、ＢＩ５Ｈ１１、ＢｄＨｌｏ、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ
４Ｈ１４等の水素化硼素、Ｂｒ５　、　ＢＯ２、ＢＢｒ
３等のハロ、ゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｔ
Ｃ４、ＣａＣｌ２　。

Ｇａ（ＣＨ３）２　、　’ＬｎＣＬ５　、　ＴｔＣ２５
等も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ，、ｐ２ａ４等の水素北隣、　ＰＨ
４Ｉ　、ＰＦ５　、ＰＦ５　、ＰＣｌ３　、ＰＣｌ３　
、ＰＢｒ３　。

ＰＢｒ３　、　ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙げられる。

この他、Ａ８Ｈ３、Ａ８Ｆｌ　、　ｋ８ｃＬ１　、　Ａ
３Ｂｒ３　、ＡｇＦ２　、８ｂ）１３゜８ｂＦ３　、５
ｂＦ５．８ｂＣＡｇ　、　８ｂＣ４、ＢｊＨ３、ＢｉＣ
ｌ２　。

ＢｉＢｒｇ等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）　’ｅ構成原子とする原料
ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて水素原子（ロ）又Ｈ／及びハロゲン原子（
ト）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（８１）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子Ｏ）及び水素原子卸を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか。

或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原子Ｏ）及び水素原
子（ロ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して
使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（へ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２人オゾン（０３人−酸化
窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（
Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０．Ｓ）、四二酸化窒素
（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素
（ＮＱＳ）。

シリコン原子（８１）と酸素原子（０）と水素原子（ロ
）とを構成原子とする１例えば、ジシロキサン（Ｈｓ８
１０８１Ｈ，）、　　）ジシロキサン（Ｈ３８ｉ０８１
Ｈ２０８１Ｈ３）等の低級シロキサン等を挙げることが
できる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８１クエ
ーハー又は８１０２ウエーハー。

又は８１と８１０２が混合されて含有されているつニー
バーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって行えばよい。

例えば、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズ−ｑ′１に形成して前記８１ウエー
ハーをスパッタリングすればよい。

又、別には、８１と８１０２とは別々のターｌツー’７
マートとして、又は８１と８１０２の混合した一枚のターゲ
ットを使用することによって、スパッター用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（ロ
）又は／及びノーロゲン原子■を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成
できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グルー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。

また１例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法によ砂形成するには、シ
リコン原子（８１）　ｔ−構成原子とする原料ガスと、
炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応
じて水素原子（ロ）又は／及びハロゲン原子００ｔ−構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はシリコン原子（８１）を構成原子とする原
料ガスと。

炭素原子（Ｃ）及び水素原子（ロ）を構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或い
はシリコン原子（Ｓｉ）　ｔ−構成原子とする原料ガス
と、シリコン原子（８１）、炭素原子（Ｃ）及び水素原
子部を構成原子とする原料ガスを混合するか、更にまた
、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（ロ）を構成原子と
する原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料
ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、８１
とＨとを構成原子とする８ｉＨ４，５ｉ２Ｈ６゜８１、
Ｈ６，８１４Ｈ１０等のシラン（８ｉ１ａｎｅ）類等の
水素化硅素ガス、ＣとＨと管構成原子とする１例えば炭
素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙
げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（０２Ｈ＆）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、　ｎ−
ブタン（ｎ−０４Ｈ１ｏ）、　Ａンタン（０５Ｈ１２）
、エチレン系炭化水素としては一エチレン（Ｃ２ＨＪ）
、プロピレンＣＣｓＨ６入ブテン−１（ＣａＨｓ）、ブ
テン−２ＣＣ５Ｈａχイソブチレン（０４）１８）、ｇ
シラン（０５Ｈ１ｏ）、アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン（Ｃ’２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ！１Ｈ４）、ブチン（０４Ｈ６）
等が挙げられる。

ＳｌとＣと■とを構成原子とする原料ガスとしては、８
１（ＣＨｇ）４．５ｔ（ｃ２ａｓ）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８１０（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエ
ーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｌとＣが
混合されているウエーノ１をターゲットとして、これ等
を所望のガス雰囲気中でスノぞツタリングすることによ
って行う。

例えば８１ウエーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈａ
等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して８１
ウエーハをスパッタリングすればよい。

又、８１とＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し。

ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよい。該
スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガスと
しては、前述のグルー放電法に用いる原料ガスがそのま
ま使用できる。

窒素原子を含有する層または層領域を形成するのにグ目
−放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればｔｌと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（ロ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（２）又は／及びハ關ゲン原子００１
：構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子部及び水素原子部を構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
かして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（ロ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（ロ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層値域管形成する際に使用
する窒素原子（社）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨＩ）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（
ＴＩＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガ
ス状の又はガス化し得る窒素、菫化物及びアジ化物等の
音素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原子
（社）の導入に加えて、ハロゲン原子（３）の導入も行
えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素
（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが
できる。

スパッターリング法によって、窒素原子金含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウ
エーノ１−又は８１３Ｎ４ウエーノ１−１又はＳｌと８
１．５Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをタ
ーゲットとして、これ等を種種のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行えばよい。

例えば、　８１ウエーハーをターゲットとして使用すれ
ば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーノ）
−ラスパラターリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１ｓＮ４とは別々のターゲットと
して、又は８１と８１３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（へ）
又は／及びハロゲン原子■を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成でき
る。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第■族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
シ行われる。

また、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を有す
る光受容部材を得るためには重要な要因であり、形成す
る層の機能に考慮をはらって適宜選択されるものである
。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表面層
に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によっても異
なることもあることから、含有せしめる原子の種類ある
いはその量等にも考慮をはらって決定する必要もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８１（１（、Ｘ）からなる光受容層を形成する
場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが
、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内のガ
ス圧は、通常０．０１〜１Ｔｏｒｒとするが、特に好ま
しくは０．１〜０．５’Ｉ’ｏｒｒとする。

また、放電パワーは０．００３〜５０　Ｗ／ａ＊２　と
するのが通常であるが、より好ましくは［１０１〜ＳＯ
Ｗ／ｍ２特に好ましくは０，０１〜２０　Ｗ／ｆｉ２と
する。

ａ−８１Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめたａ
−８１Ｇｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
については、支持体温度は、通常５０〜５５０℃とする
が、より好ましくは５０〜５ｏｏｃ、特に好ましくは１
００〜′５００℃とする。そして、堆積室内のガス圧は
、通常０．０１〜５　’ｐｏｒｒとするが、好ましくは
、０．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０．
１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーはα００３
〜５０　Ｗ／ｍ２とするのが通常であるが、好ましくは
０．０１〜６０Ｗ／α２とし、特に好ましくは０．０１
〜２０凋ら２　とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電ノ（ワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的・関連性に基づいて、層形成の至適条
件を決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることか必要であり、そのた
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
にするＫついては、成膜操作中、放電パワー、ガス圧を
比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放電パワー、ガス圧は、使用ガスの種類
、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等によ
って異シ、これらの種々の条件を考慮して決定される。

ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保
つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、グロ
ー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あ
るいは第曹族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガ
スの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望変化率に
従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形
成する。そして、ガス流１ｉｉｔを変化させるには、具
体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常
用いられている何らかの方法により、ガス流路系の途中
に設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変化さ
せる操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は練製
である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらか
じめ設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望
の含有率曲線を得ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子あるいは第厘族原子又は第Ｖ族原子の層
厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方
向の分布状！！Ｉを形成するには、グロー放電法を用い
た場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素
原子、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第
Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガス
を堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に従
って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、より靜細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第５２図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の３２０２　、５２０５．３２０４．５２０５．５
２０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
ための原料ガスが密封されており、その１例として、た
とえば、５２０２は８１Ｆ４ガス（純度９９．９９９チ
）ボンベ、３２０５はＨ２で稀釈され九Ｂ２Ｈ４ガス＝
８９− （純度９９．９９９俤、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す。）
ボンベ、３２０４はＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、３２ｏ５はＧｅＦ４ガス（純度９９．９９９　
％　）ボンベ、３２ｏ６は不活性ガス（Ｈｅ）ボンベで
ある。そして、５２０６’はＢｎＣＬ４が入った密閉容
器である。

これらのガスを反応室５２０１　Ｋ流入させるにはガス
ボンベ３２０２〜３２０６のパルプ３２２２〜３２２６
、リークパルプ６２３５が閉じられていることを確認し
又、流入パルプ３２１２〜３２１６．流出パルプ３２１
７〜３２２１　、補助パルプ３２３２．３２３６が開か
れていることを確認して、先ずメインパルプ３２３４を
開いて反応室３２０１　、ガス配管内を排気する。次に
真空Ａｔシリンダー３２５７上に感光層及び表面層を形
成する場合の１例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ３２０２よｆｉ　８１Ｆ４ガス、ガス
ボンベ３２０３よりＢ２Ｈ，５／Ｈ２ガス、ガスボンベ
６２ｏ５よりＧｅＦ４ガスの夫々をパルプ５２２２．５
２２５．３２２５を開いて出口圧ゲージ５２２７．３２
２８．３２５０の圧をＩ　Ｋｆ／ｃｍ２に調整し、流入
パルプ３２１２、−９〇− ５２１３．３２１５　　を徐々に開けて、マス７０コン
トローラ３２０７　、５２０８．５２１０内に流入させ
る。引き続いて流出パルプ５２１７　、５２１Ｂ　、３
２２０．補助パルプ５２３２を徐々に開いてガスを反応
室２９ｏ１内に流入させる。このときの８１Ｆ４ガス流
量、ＧＥ３Ｆ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量の比
が所望の値になるように流出パルプ３２１７ｊ２１８ｊ
２２０　　ｔ−調整し、又、反応室３２０１内の圧力が
所望の値になるように真空計３２５６の読みを見ながら
メインパルプ３２３４の開口を調整する。そして基体シ
リンダー３２３７の温度が加熱ヒーター３２３８により
５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源３２４０　を所望の電力に設定して反
応室３２０１内にグ四−放電を生起せしめるとともに１
マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらか
じめ設計された流量変化率線に従って、　８１Ｆ４ガス
、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ４／Ｈ２ガスのガス流量を制
御しながら、基体シリンダー３２３７上に先ず、シリコ
ン原子、ゲルマニウム原子及び砿素原子を含有する感光
層を形成する。

上記と同様の操作により、感光層上に表面層を形成する
には、例えば８１Ｆ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々を、
必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ　、　Ｈ２等の稀釈ガスで
稀釈して、所望のガス流量で反応室３２０１内に流入し
、所望の条件に従ってグロー放電を生起せしめ、マイク
ロフンビューターによシＢｉＦ４ガスとＣＨ４ガスのガ
ス流量を制御しながら、表面層を形成する。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
６２０１内、流出パルプ３２１７〜３２２１から反応室
６２０１円に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出パルプ３２１７〜３２２１を閉じ補助パルプ
３２５２　、３２３３を開いてメインパルプ３２５４’
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

また、感光層中にスズ原子を含有せしめる場合にあって
、原料ガスとして８ｎＣＡ４　ｔ−出発物質としたガス
を用いる場合には、　５２０６’に入れられた固体状８
ｎＣｊ４　ｔ−加熱手段（図示せず）１用いて加熱する
とともに、該８ｎＣｔ４中にＡｒ１Ｈｅ等の不活性ガス
ボンベ３２０６よりＡｒ１Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込
み、バブリングする０発生した８ｎＣＡ４のガスは、前
述の８１Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ　２Ｈ４／Ｈ２
ガス等と同様の手順によシ反応室内に流入させる。

実施例　１支持体として、シリンダー状Ｕ基体（長さ３５７■、径
８０■）に第５図（ｐ＋ピッチ、Ｄ：深さ）に示すよう
な旋盤加工を施して得た第１人表上欄に示すものを使用
した。なお、第５囚図はｋＡ支持体の全体図であり、第
５０）図はその部分拡大断面図である。

次に、咳尼支持体（試料Ａ１０１〜１０８）上に、以下
の第１Ｂ我に示す条件で、第３２図に示した製造装置に
よシ光受容層を形成した。なお、表面層形成時における
ＣＨ４ガス、Ｈ２ガスおよび８１１Ｐ４ガスの流量変化
は、第３５図に示す流量変化線に従って、マイクロコン
ビニ−ター制御圧より、自動的に調整した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容
層の表面は、支持体の表面に対して非平行となっており
、微小部分における光受容層の層厚差は第１Ａ表ＩＰＦ
、欄ド：に−示すとお）であった、また光受容層のＭ支
持体の中央と両端とでの平均層厚の差は２．２μｍであ
った。

さらに、これらの光受容部材について、第３３１図に示
す画像露光装置を用い、波長７８０　ｎｍ　、スポット
径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、
現像、転写を行々って画像を得た。

得られた画像における干渉縞の発生状況は、第１Ａ表下
欄に示すとおりであった。

なお、第３３に）図は露光装置の全体を模式的に示す平
面略図であり、第３３＠図は露光装置の全体を模式的に
示す側面略図である。図中、３３０１は光受容部材、３
３０２は半導体レーザー、３３０５はｆ−レンＸ’、３
５０４はポリゴン＜　？−ｔ−示している。

比較例　１比較実験として、実施例１の光受容部材を作成した際に
使用し九Ａｔ支持体に代えて、サンドブラスト法によ１
）Ａｔ支持体の表面を粗面化したＭ支持体を採用したほ
かは前述の実施例１の高周波電力２５０〜５００Ｗで作
製した光受容部材と全く同様の方法で光受容部材を作成
した。この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理
したＭ支持体の表面状態については光受容層を設ける前
に小板研究所の万能表面形状測定器（ｓＩｅ−３０）で
測定したが、この時平均表面粗さは１．８μｍであるこ
とが判明した。

この比較用光受容部材を実施例１で用いた第３６図の装
置に取り付けて、同様の画像形成を行なったところ、全
面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

比較例　２実施例１と同一の表面形状を有するＵ支持体上に、光受
容層の形成時における放電電力をいずれも４０Ｗとした
以外はすべて実施例１と同一９ツ一様にして光受容層を形成した。

得られた光受容部材の各々について、それらの光受容層
を実施例１と同様にして測定したところ、いずれも第３
４図に示す様に１表面層の表面は支持体の表面に対して
平行圧なっていた。

またＡｔ支持体の中央と両端部とで光受容層の層厚の差
は平均１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像には実用には適
さない干渉縞の発生が観察された。

実施例　２第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料Ａ
１０１〜１０Ｂ）上に光受容層を形成した。なお、感光
層形成時におけるＧｅＦ４ガス及び８１Ｆ４ガス流量の
変化、および表面層形成時におけるＮ２ガス、Ｎ２ガス
及び８１Ｆ４ガスのガス流量の変化は、各々第３６図及
び第３７図に示す流量変化線に従って、マイクロコンビ
ニ−ター制御により、自動的に調整した。なお、感光層
中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６／８１Ｆ４　＃
　１００　ｐｐｍであって、該層全層について約２００
　ｐｐｍドーピングされているようになるべく導入した
。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で微
小部分の層厚差を測定したところ第２人表上欄の結果を
得た。ｔた、光受容層のＡＡ支持体の中央と両端とでの
平均層厚の差は２．１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったととろ、得られた画像における干渉
縞発生状況は、第２Ａ表下楠に示すとおりであった。

第　　２Ａ　　表 ×　実用には適さない Δ実用上回ム実用的に充分であるＯ実用的に良好である ◎実用に最適である実施例　３実施例１と同様にして第３Ｂ表に示す層形成条件で、Ａ
Ｌ支持体（ｆ試料ｌ６１０１〜１０８）上に光受容層を
形成した。なお、感光層形成時における８１Ｆ４ガス、
ＧｅＦ４ガス、Ｈ２ガス、Ｂ２Ｈ４／Ｈ２ガスのガス流
量変化、および表面層形成時におけるＮｏガス、Ｈ２ガ
スおよび８１Ｆ４ガスのガス流量の変化は、各々、第３
８図及び第３９図に示す流量変化線に従って、マイクロ
コンピュータ−制御により、自動的に制御した。また、
感光層中に含有せしめる硼素原子は、実施例２と同じ条
件で導入した。得られた光受容部材について実施例１′
と同様な方法で微小部分の層厚差を測定したとζろ、第
３Ａ表上欄の結果を得た。また光受容層のシリンダー中
央と両端の平均層厚の差は２．６μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成全行なったところ、第３Ａ表下欄に示すとおり
の干渉縞の発生状況であった。

１０ｇ− 第　　３Ａ　　表Ｘ　実用には適さない Δ　実用上回ム　実用的に充分である０　実用的に良好である ◎　実用に最適である実施例　４実施例１と同様にして第４Ｂ表に示す層形成条件で、Ａ
ｊ支持体（試料ム１０１〜１０８）上に、光受容層を形
成した。なお、感光層形成時における８１Ｆ４ガス、Ｇ
θＦ４ガス、Ｎ２ガス、Ｂ２Ｈ６／Ｎ２ガスのガス流量
および表面層形成時におけるＮ２ガス、Ｎ２ガスおよび
８１Ｆ４ガスのガス流量は、各々第４０図及び第４１図
に示す流量変化線に従ってマイクロコンピュータ−制御
により、自動的に調整した。また感光層中に含有せしめ
る硼素原子は、実施例２と同じ条件で導入した。

得られ走光受容部材について実施例１と同様な方法で微
小部分の層厚差ｔ−測測定たところ第４Ａ表上欄の結果
を得た。また光受容層のシリンダー中央と両端の平均層
厚の差は２．１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像における干渉
縞発生状況は、第４Ａ表下欄に示すとおりであった。

第　　４Ａ　　表 ×　実用には適さない Δ　実用上回ム　実用的に充分であるＯ　実用的に良好である ◎　実用に最適である実施例　３〜１０第３〜１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成
した以外はすべて実施例１と同様にして、ＡＡ支持体（
試料ＡｌＯ３〜１０６）上に光受容層を形成した。なお
、各実施例において、感光層形成時における使用ガスお
よび表面層形成時における使用ガスは各々第１１表に示
すように各々第４２〜５０図に示すガス流量変化線に従
ってマイクロコンピュータ−制御により自動的に調整し
各実施例において光受容層中に含有せしめる硼素原子は
、実施例２と同様の条件で導入した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

ＡＱ− 第　　１１　　表〔発明の効果の概略〕本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と、感光層と表面層の
界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこと
を示す図、第６図は、支持体上に設けられる構成層各層
の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度を比較する図、第４図は、感光層を構成する層が二以
上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を説明
する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支持体
の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０図は
、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明する図
であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発生、
第７図は、多層構成の光受容層における干渉縞の発生、
第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、多層
構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発生、第
１０図は、光受容層の構成層の各層の界面が平行である
場合の干渉縞の発生を各々示している。第１１〜１９図
は、本発明の感光層中におけるゲルマニウム原子又はス
ズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図でおり、第２０
〜２８図は、本発明の感光層中における酸素原子、炭素
原子−１１’／− 又は窒素原子、あるいは第匿族原子又は第Ｖ族原子の層
厚方向の分布状態を表わす図でＴｏ＃）、Ｍ２９〜６１
図は、本発明の表面層中におけるシリコン原子、及び酸
素原子、炭素原子又は窒素原子の層厚方向の分布状態を
表わす図であり、各図において、縦軸は感光層又は表面
層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度ｔ−表わして
いる。第３２図は、本発明の光受容部材の感光層及び表
面層を製造するための装置の例で、グロー放電法による
製造装置の模式的説明図である。第３３図は、レーザー光による画像露光装置を説明する
図である。第３４図は、光受容層の表面と支持体の表面
とが平行である光受容部材を模式的に示した図である。第３５乃至５０図は、本発明の光受容層形成におけるガ
ス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は感光層又は
表面層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示している
。第１乃至第４図及び第５４図について、１０口・・・光
受容部材　　１０１・・・支持体１０２　、２０２．３
０２　、４０２・・・感光層１０３．２０３　、３０５
　、４０３・・・表面層４０２′、４０２“・・・感光
層を構成する層１０４．２０４　、３０４・・・自由表
面２０５　、３０５・・・感光層と表面層との界面第６
乃至１０図について、６０１・・・下部界面　　６０２・・・上部界面７０１
・・・支持体　７０２．７０３・・・光受容層８０１・
・・支持体　８０２・・・光受容層９０１・・・支持体
　９０２・・・第１層　９０３・・・第２層１Ｄ０１・
・・支持体　１００２・・・光受容層１００５・・・支
持体表面　１００４・・・光受容層表面第３２図におい
て、３２０１・・・反応室　　３２０２〜５２０６・・・ガ
スボンベ３２０６’　”・８ｎＣ４４用密閉容器５２０
７〜３２１１・・・マスフロコントローラ３２１２〜３
２１６・・・流入パルプ３２１７〜３２２１・・・流出パルプ３２２２〜３２２６・・・パルプ３２２７〜５２６１・・・圧力調整器５２５２．３２３５・・・補助パルプ３２３４・・・メインパルプ　３２３５・・・リークパ
ルプ６２５６・・・真空計　　３２３７・・・基体シリ
ンダー３２５８・・・加熱ヒーター　３２６９・・・モ
ーター３２４０・・・高周波電源第！１３図について、

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
またはスズ原子の少なくともいずれか一方を含有する非
晶質材料で構成された感光層と、シリコン原子と、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくと
も一種とを含有する非晶質材料で構成された表面層とを
有する光受容層を備えた光受容部材であつて、前記感光
層と前記表面層との界面において光学的バンドギャップ
が整合しており、前記光受容層中のショートレンジ内に
少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平行な界面が
層方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し、
該非平行な界面が配列方向において各々なめらかに連結
していることを特徴とする光受容部材。
（２）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（３）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（４）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
項に記載の光受容部材。
（５）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
注入阻止層を構成層の一つとして有する特許請求の範囲
第（４）項に記載の光受容部材。
（６）感光層が、構成層の一つとして障壁層を有する特
許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
囲第（１）項に記載の光受容部材。
（８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
囲第（１）項に記載の光受容部材。
（９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１０）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規
則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成され
ている特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１１）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によ
つて形成されている特許請求の範囲（１０）項に記載の
光受容部材。
（１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
１）項に記載の光受容部材。
（１３）正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於い
て螺線構造を有する特許請求の範囲第（１２）項に記載
の光受容部材。
（１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
範囲第（１３）項に記載の光受容部材。
（１５）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている特許請求の範囲第（１１）項に記載の
光受容部材。
（１６）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿つている特許請求の範囲第（１５）項
に記載の光受容部材。
（１７）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
の範囲第（１０）項に記載の光受容部材。
（１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
範囲第（１７）項に記載の光受容部材。
（１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第（１０）項
に記載の光受容部材。