JPS6239865A

JPS6239865A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6239865A
Application number: JP17851385A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-08-15
Filing date: 1985-08-15
Publication date: 1987-02-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行々う、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨθ−Ｎθ　レーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少々い等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるよう々シリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８１層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２０ｍ以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に層形成に当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を
有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４．３号
公報、特開昭５７−４．０５３号公報、特開昭５７ｉ１
−７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１．
７８号、同５２１７９号、同５２１．８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容
層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、
見掛け一ヒの暗抵抗を高めた光受容部材が提案されてい
る。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザ−光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

まだ重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
々るという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■ｏと一ヒ部界面６０２で反射した反射光Ｒ，
、下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている
。

そこにあって、層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだ射光Ｒユ、Ｒ２が２
１’ｌ（１，＝ｍλ　（ｍは整数、反射光は強め合う）
と２ｎｄ−（ｍ４−％）λ　（ｍは整数、反射光は弱め
合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収
光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部材
が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多層
）構成のものであるものにおいては、それらの各層につ
いて第６図に示すような干渉効果が起って、第７図に示
すようん状態となり、その結果、それぞれの干渉が相乗
的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとなり、そ
れがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞
模様に対応した干渉縞が、転写、定着される可視画像に
現出して不良画像をもたらしてしまうといった問題があ
る。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ｘ〜±１０００ＯＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）　、（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１．６５８４５号公
報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のア
ルマイト処理したり、ザンドブラストにより砂目状の微
細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５／Ｉ号公報
参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像」二に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分な
ものでは彦い。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなジに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してし脣うことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的々解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てし捷う。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ　　Ｓコ、層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が
生じ、形成される光受容層の層重質が著しく低下するこ
と、樹脂層が８、　８１層形成の際のゾラズマによって
ダメージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に
、表面状態の悪化によるその後のａ−８１層の形成に悪
影響を、ｌｊえること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法についでは、第８図に示す様に、例えば入
射光Ｔｏは、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容層８０２の内部
に進入１〜で透過光Ｔ］どなる。透　ｑ　−− 過光重１は、支持体８０１の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に１．　Ｋ３．　Ｋ３・・・と々
す、残〕が正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出ては行くが、出射光Ｒ３は
、反射光Ｒ１と干渉する成分であっていずれにしろ残留
するため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８旧の表
面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところ
でかえって光受容層内で光が拡散１−でハレーションを
生じてし捷い結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
１、支持体９０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９
旧表面−コ−０− を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
００８に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１００３’、　１００４’で示すように平
行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ１−ｍλま
たは２　ｎ　（１１−（ｍ十％）λの関係が成立も夫々
明部まだは暗部となる。また、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の一層があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるだめ、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出が々く、且つ画像欠陥や画
像のボケが全く々く、濃度が高く、ノ・−フトーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることので
きる、ａ−８１で構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子及びスズ原子の少くともいずれか一方とを含
有する非晶質材料で構成された感光層を少なくとも有す
る多層構成の光受容層を有する光受容部材において、前
記光受容層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少くとも一種を含有し、且つショートレンジ
内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平行な界
面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配列
してなるととを骨子とする光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねだ結果得た知見
は、概要、光受容層が多層構造を有する光受容部材にお
いて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小々凹
凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状の
１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称す
。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するように
し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくと
も一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現われ
る干渉縞模様の問題が解消されること、そして、その場
合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面形状は、シ
ョートレンジ内に形成される各層の層厚の管理された不
均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層との間の
良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性等
を確保するだめに、逆■字形とするととが必要とされる
というものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る多層構成の光受容層を有する光
受容部材の一例を示す模式図である。

この例では、微小な凹凸形状を有する支持体１０１上に
、その凹凸の傾斜面に沿って第一の層１０２と第二の層
１０３とを備えた光受容層１００を有している。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の光受容層の
一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）図は同部分
における明るさを示す図であり、図中、２０２は第一の
層、２０３は第二の層、２０４は自由表面、２０５は第
一の層と第二の層との界面を示している。第２（Ａ）図
に示すごとく、第二の層２０３０層厚は、ジョートレン
：）Ｌ内においてｄ２１からｄ２２に連続的に変化して
いるだめ、自由表面す仕界面２０５とは互いに異なる傾
きを有している。したがって、このショートレンジを内
に入射したレーザー光等の可干渉性光は、該ジョートレ
ン：ｙＬにおいて干渉をおこし、微小な干渉縞模様が生
成はする。しかし、ジョートレン：）Ｌにおいて生ずる
干渉縞は、シーｒ−）Ｌ／７ジＬの大きさが照射光スポ
ット径より小さい、即ち、解像度限界より小さいだめ、
画像に現われることはない。又、はとんどないことでは
あるが、仮に、画像に現われる状況が生じたとしても肉
眼の分解能以下なので、実質的には何等の支障も々い。

一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３０３は
第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０２
と第二の層３０３との界面を示す。）に示すように、第
一の層３０２と第二の層３０３との界面３０５と、自由
表面３０４とが非平行である（第３（Ａ）図参照）場合
には、入射光量０に対する反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とは
その進行方向が異なるため、界面３０５と自由表面３０
４とが平行である（第３（Ｂ）図参照）場合に比べて、
干渉の度合が減少する。即ち、干渉が生じても、第３（
Ｃ）図に示すごとく、一対の界面が平行な関係にある場
合よシも、一対の界面が非平行な関係にある場合の方が
干渉の度合が小さくなるため、干渉縞模様の明暗の差が
無視しうる程度に小さくなり、その結果、入射光量は平
均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、光受容層の第
二の層２０３０層厚がマクロ的に不均一である場合、即
ち、異なる任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ
２３　、　ｄ２４がｄ２３＼ｄ２４である場合であって
も同様であって、全層領域において入射する光量は第２
（Ｄ）図に示すように均一となる。

以上、光受容層が第一の層と第二の層とで構成される場
合について記載したが、本発明の光受容部材が３層以上
の多層構成の光受容層を有している場合、例えば、第４
図に示すように支持体４０１上に形成される光受容層が
、第一の層４０２、第二の層４０３、および第三の層４
０４とから構成される場合であっても、入射光■ｏに対
して、反射光Ｆｊ、、　、　Ｒ２，Ｒ３，Ｒ，およびＲ
５が存在するが、各層において、第３図によって説明し
たごとき入射する光量が平均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジを内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は光受容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆■字形を呈するもの
である。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつ々がる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｔは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、Ｌ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の多層構成の光受容層は、シ
リコン原子と、ゲルマニウム原子及びスズ原子の少くと
もいずれか一方とを含有するアモルファス材料、特にシ
リコン原子（Ｓｉ　）と、ゲルマニウム原子（Ｇθ）及
びスズ原子（Ｓｎ）の少くともいずれか一方と、水素原
子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少くともいずれか一
方とを含有するアモルファス材料で構成され、さらに酸
素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中
から選ばれる少なくとも一種を光受容層の全層中もしく
は一部の層中に含有しており、さらに必要に応じて伝導
性を制御する物質を全層中もしくは一部の層中に含有せ
しめることができる。そして、該光受容層は、伝導性を
制御する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つ
として有するか、または／及び障壁層を構成層の１つと
１〜で有することが望ま１〜い。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、光
受容層が多層構成であって、特に好ましくは、後に詳述
するように、干渉を防止することを目的として支持体側
の端部にゲルマニウム原子及びスズ原子の少くともいず
れか一方を比較的多量に含有する局在領域を形成せしめ
るか、又は／及び支持体の端部に伝導性を制御する物質
を比較的多量に含有する電荷注入阻止層を形成せしめる
か、又は／及び障壁層を構成層の１つとすることが望ま
しく、光受容層中に複数の層による複数の界面が形成さ
れることとなるが、との様な本発明の光受容部材におい
ては、ショートレンジを内に少なくとも一対の非平行な
界面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ショートレンジＬに於ける層厚の差、例えば、前述の
第２（Ａ）図におけるｄ２］とｄ２２の差は、照射光の
波長をλとすると、次式：を満足することが望ましい。

そして、該層厚の差の上限は、好ましくはＯ、］、　ｉ
ｔｍ、　＝　２μｍ１より好ましくはｏ、ｉμｍ〜１．
５μｍ１最適には０．２μｍ〜１μｍとするのが望まし
い。

前述のごとく、多層構成の光受容層のショートレンジを
内（以後、「微小カラム」と称す。）において、少くと
もいずれか２つの界面が非平行な関係にあるように各層
の層厚が制御されるが、との条件を満たす限りにおいて
、平行な関係にある界面が存在してもよい。但し、その
場合、平行な関係にある界面について、任意の２つの位
置をとって、それらの位置における層厚の差を△Ｌとし
、照射光の波長をλ、層の屈折率をｎと１〜だ場合、次
式：を満足するように、各構成層を形成するのが望才しい。

本発明の光受容層の作成については、本発明の前述の目
的を効率的に達成するために、光受容層を構成する各層
の層厚を光学的レベルで制御する必要があることから、
グロー放電法、スノξツタリング法、イオンシレーティ
ング法等の真空堆積法が通常採用されるが、これらの他
、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明するが、本発明はこれによって限定さ
れるものではない。

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示しだ図
であり、図において１００は光受容層、１０１は支持体
、１．０２　、１０３は構成層、１０４は自由表面を表
わしている。

支持体本発明の光受容部材における支持体］０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆■字形を呈す
るものである。該逆Ｖ字形の形状は、好ましくは第５図
に示すように実質的に二等辺三角形、直角三角形あるい
は不等辺三角形とすることが望ましい。これ等の形状の
うち、特に二等辺三角形、又は直角三角形とするのが望
せしい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ、−８ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−８］層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来々くなる。

寸だ、ブレードクリーニングを行う場合、ブｌ／−ドの
いたみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討し７た結果
、支持体表面の凹部のピッチは、好１しくは０．３１ｔ
ｍ　〜５００μｍ　、より好１しくば１μｍ　〜２００
１ｔｔｎ、　、最適には５μｍ〜５０μｍであるのが望
才しい。

又凹部の最大の深さは、好捷しくは０．１μｍ〜５μｍ
、より奸才しくは０．３μｍ〜３μｍ１最適には０２６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好脣しくに３度〜１５度、最適には４度〜１
０度とするのが望ましい。

支持体表面に設けられる上記構成の凹凸は、７字形状の
切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機
械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望
に従って設計されたプログラムに従って回転させ々から
規則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、
深さで形成する。この様々切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す逆■字形線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にしだ螺線構造を有する。逆■字形突起
部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉
螺線構造としても差支え々い。

或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入してもよい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、まだ電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステアＬ／７．、Ａｚ
、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔ
１、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる
。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラ入セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望捷しい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａ、／＝、　Ｃｒ　、　ＭＯｌＡｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ
、Ｖ、Ｔ１、ｐｔ。

ｐａ、工ｎ２０３．５ｎ０２、工ＴＯ（■ｎ２０３＋５
ｎＯ２）等から成る薄膜を設けることによって導電性を
付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　
Ｚｎ、　Ｎｉ、Ａｕ５Ｃｒ、ＭＯ１■ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｖ、’１４．Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビー
ム蒸着、スノ々ツタリング等でその表面に設け、又は前
記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導
電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状であることができるが、用途、所望に
よって、その形状は適宜に決めることのできるものであ
る。例えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様
に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。

大ｘ’８貢本発明の光受容部材においては、前述の支持体１旧上に
光受容層１００を設けるものであり、該受容層１旧は、
シリコン原子とし、ゲルマニウム原子及びスズ原子の少
なくともいずれか一方と、好ましくはさらに、水素原子
及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有する
アモルファス材料で構成されており、酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有し
、さらに、該光受容層には、必要に応じて伝導性を制御
する物質を含有せしめることが可能である。そして、本
発明の光受容層は、多層構成となっており、例えば第１
図に示す例においては第一の層１０２と第二の層１０３
とより構成され、光受容層の支持体側と反対の側には自
由表面１０４を有している。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
を光源とした場合に特に顕著である。

本発明における光受容層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、光受容層の全層領域に均一な分
布状態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で
含有せしめるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、光受容層の支持体表面と平
行な面方向において均一であり、光受容層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、光
受容層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
光受容層の層厚方向には不均一であることをいう。）そして本発明の光受容層においては、特に、支持体側の
端部（第１図における第一の層１０２）にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な分布状態
で含有する層を設ける。

か、あるいは自由表面側よりも支持体側の方に多く分布
した状態となる様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子を含有せしめることが望ましく、こうした場合、支持
体側の端部においてゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の分布濃度を極端に大きくすることにより、半導体レ
ーザ等の長波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由
表面側に近い構成層又は層領域においては殆んど吸収し
きれない長波長の光を、光受容層の支持体と接する構成
層又は層領域において実質的に完全に吸収されるため、
支持体表面からの反射光による干渉が防止されるように
なる。

前述のごとく、本発明の光受容層においてはゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中において均一に分布
せしめることもでき、また層厚方向に連続的かつ不均一
に分布せしめることもできるが、以下、層厚方向に連続
的かつ不均一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲ
ルマニウム原子を例として、第１１乃至１９図により説
明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、光受容層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の光受容層の端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の自由表面側の端部の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される光受容層はｔＢ側よりｔ
Ｔ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確で彦くなる為、極端な形
で図示しておりこれらの図はあくまでも理解を容易にす
るだめの説明のだめの模式的なものである。

第１１図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる光受容層が形成される支持体表面と光受容層とが接
する界面位置ｔＢよりｔｌの位置捷では、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃコなる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が光受容層に含有され、位置１コよりは
濃度Ｃ２より位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少さ
れている。位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは実質的に零とされる。（ここで実質的に零とは
検出限界量未満の場合である）。

第１３図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ４と々る様な分布状態を形成１〜でいる。

第１４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。

第１５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第１６図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少されてい
る。

第１７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度Ｃ，ｔＯまで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第１８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ］１
　より一次関数的に減少されて、零に至っている。

第１９図においては、位置ｔＢより位＃七６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度０１３１で一次関数的に減少され、位置上６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度ＣＩ３の一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ７に至る寸ではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、１．の位置伺近においては、急激に減少され
て位置１．では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１ａ　と々す、位置ｔ８と位置ｔ９との間では
、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至
る。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度ｃＪ’＋
　より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に
従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、光受容層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、端面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設けられ
ているのが重重しい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する光受容層は
、好ましくは上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
Ｂより５μ以内に設けられるのが重重しい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１ｏｏｏ　ａｔｏｍ
ｉｃ　Ｔｌ１１１１ｍ以上、より好適には５０００　ａ
ｔｏｍｉｃ　Ｉ）１）ｍ以上、最［１ｃｕ　］　ＸＩＯ
’ａ、ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」−とされる様な分布状態
となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５　ｌｔ厚の層領域
）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成され
るのが好捷しいものである。

本発明の光受容部材において、光受容層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
決める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０５１０５ａ
ｔｏ　ｐｐｍ　トｆ　ルカ、ＤＩＩ。

くば１０〜３　ＸＩＯ”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、ヨリ
好ｔ　Ｌ＜　ハ］　Ｘ　１０”　〜２　Ｘ　］Ｑ５ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

まだ、本発明の光受容部材において、光受容層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要か要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材の光受容層に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せ１
〜める目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高
暗抵抗化、そ［〜て支持体と光受容層との間の密着性の
向−ヒにある。

本発明の光受容層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せし７
める場合、層厚方向に均一々分布状態で含有せしめるか
、あるいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめる
かは、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果に
よって異なり、しだがって、含有せしめる量も異なると
ころとなる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、光受容層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、光受容層に含有−せしめる炭
素原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と光受容層との密着性の向上を目的とする
場合にｄ２、光受容層の支持体側の端部の構成層１０２
中に均一に含有せしめるか、あるいは、光受容層の支持
体側端部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子
の中から選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるよ
うな分布状態で含有せしめ、この場合、光受容層に含有
せしめる酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選
ばれる少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を
確実に図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、光受容層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種の量は、しかし、上述のごとき光受容層に要求
される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面にお
ける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定され
るものであり、通常は０．００１〜５Ｑ　ａｔｏｍｉｃ
％、好ましくは０．００２〜４Ｑ　ａｔｏｍｉ、ｃ　％
、最適には０．００３〜３Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％とスル
。

ところで、光受容層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の光受容層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限は少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、光受容層の層厚の
２７５となるよう々場合には、含有せしめる量は、通常
３Ｑ　ａｔＯｍｉＣ％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍ
ｉｃ　％以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にさ
れる。

次に本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、
支持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部
から自由表面側の端部に向かって減少し、光受容層の自
由表面側の端部伺近においては、比較的少量となるか、
あるいは実質的にゼロに近くなるように分布ぜしめる場
合の池型的な例のいくつかを、第２０図乃至第２８図に
よって説明する。しかし、本発明はとれらの例によって
限定されるものではない。

以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一種を１原子（０，Ｃ，Ｎ　）　Ｊと表記す
る。第２０乃至罠図において、横軸は原子（０，０，Ｎ
　）の分布濃度Ｃを、縦軸は光受容層の層厚を示し、ｔ
■３ｂ、支持体と光受容層との界面位置を、１Ｔは光受
容層の［’ｌ　Ｆｈ表面側の☆：畠面の位置を示す。

第２０図は、光受容層中に含有ぜしめる原子（０，Ｃ２
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一・の典型例を示（７て
いる。該例では、原子（ｏ、ａ、Ｎ）を−・４１− 含有する光受容層と支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ
１″！、では、原子（０，０，Ｎ　）の分布濃度ＣがＣ
□なる一定値をとり、位置ｔ□より自由表面側端面位置
ｔＴまでは原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布良度Ｃが濃度Ｃ
２から連続的に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ２Ｎ）の分布濃度が０３となる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、光受容層に含有
せしめる原子（ｏ、ｃ、ｎ　）の分布濃度Ｃは、位置ｔ
Ｂから位置ｔＴにいたる差で、濃度Ｃ４から連続的に減
少し、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。

第２２図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは原
子（Ｏ２Ｃ２Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６々る一定値を
保ち、位置ｔ、から位置ｔＴにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的
に減少して位置ｔＴにおいては原子（０゜Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２３図に示す例では、ｆ９．千（ｏ、ｃ、Ｎ）ノ分布
濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたる捷で、濃度Ｃ８
から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいて−４２＝は原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロと
なる。

第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ２Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ０の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃ９から濃度０１０　となる寸で、−次間数的に減
少する。

第５図に示す例では、原子（０，０，Ｎ　）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたる才では濃度Ｃ工、
の一定値にあり、位ｆｔ　ｔ４より位置ｔＴにいたる寸
では濃度Ｃ工、から濃度０１３となるまで一次関数的に
減少する。

第２６図に示す例においては、原子（０１（：！ＩＮ　
）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる址で
、濃度Ｃ工、から実質的にゼロとなる壕で一次関数的に
減少する。

第２７図に示す例では、原子（０，Ｃ２Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたる丑で濃度Ｃ工、か
ら濃度Ｃ工。となる捷で一次関数的に減少し、位置ｔ５
から位置ｔＴまでは濃度Ｃ工。の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、原子（０，Ｃ９Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃエヮであシ、位
置ｔ８から位置ｔ６までは、濃度Ｃ】ツからはじめはゆ
っくり減少して、位置上〇付近では急激に減少し、位置
上〇では濃度Ｃ工、となる。次に、位置ｔ６から位置ｔ
７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ工、となる。

更に位置ｔ、と位置上〇の間では極めてゆっくりと徐々
に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ３゜となる。捷た更
に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度０２０
から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、光受容層の支
持体側端部に原子（ｏ、ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、光受容層の自由表面側端部においては、該分
布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的
にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、光受
容層の支持体側端部に原子（０，Ｃ１Ｎ）の分布濃度が
比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と光受容層との界面位置ｔＢか
ら５μ以内に設けることによシ、支持体と光受容層との
密着性の向上をより一層効率的に達成することができる
。

前記局在領域は、原子（０，０，Ｎ　）を含有せしめる
光受容層の支持体側端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される光受容層に要求される特性に従って適宜決めら
れる。

局在領域に含有せしめる原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ２Ｎ）の分子濃度Ｃの最大１直が５ＱＱ　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好址しくは８００ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にば１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以−ヒとなるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて光受
容層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ州法導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、ｈｌ（アルミニウム）、（）ａ（ガリウム
）、工ｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げる
ことができるが、特に好１トシいものは、Ｂ、Ｇａであ
る。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、ＡＳ（砒素）
、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｊ、（ビスマン）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、Ｐ、Ｓｂであ
る。

本発明の光受容層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

４６一すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
吠中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ後原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はｌ　Ｘ　１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであシ、好
ましくは５　Ｘ　１０−”〜５　Ｘ　１０２ａｔｏｍ１
０２ａｔｏ最適にはＩ　Ｘ　４０−１−　２　Ｘ　１０
２１０２ａｔｏ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する構成層１０２中に第■族原子又は
第Ｖ後原子を均一な分布状態で富有せしめるか、あるい
は層厚方向における第１■族原子又は第Ｖ後原子の分布
濃度が、支持体と接する側において高濃度となるように
含有せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ後
原子を含有する構成層（第１図における構成層１０２）
あるいは第１■族原子又は第Ｖ後原子を高濃度に含有す
る層領域は、電荷注入阻止層として機能するところとな
る。即ち、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容
層の自由表面が■極性に帯電処理を受けだ際に、支持体
側から光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的
に阻止することができ、又、第Ｖ後原子を含有せしめた
場合には、光受容層の自由表面がθ極性に帯電処理を受
けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の
移動をより効率的に阻止することができる。そして、こ
うした場合の含有量は比較的多量であって、具体的には
、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好
ましくは５Ｃ）〜Ｉ　Ｘ　１．０’ａｔｏｍｉｃ　１）
１）ｍ　、最適には１　ｘ　１０２〜５　ｘ　１０”ａ
ｔｏｍｉｃｐｐｍとする。さらに、該電荷注入用ＩＥ層
としての効果を効率的に奏するためには、第１ｎ族原子
又は第Ｖ後原子を含有する支持体側の端部に設けられる
層又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとし
た場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成立することが望まし
く、よシ好ましくは該関係式の値が０．３５以下、最適
には０．３以下となるようにするのが重重しい。まだ、
該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３　Ｘ　１．０
’−”〜１ｏμとするが、好ましくは４　Ｘ　１０−３
〜８μ、最適には５ＸＩＯ−３〜５μとするのが望まし
い。

光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ後原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から自由表面を有する側に向って減少し、光受容層の自
由表面付近においては、比較的少量となるかあるいは実
質的にゼロに近くなるように第１■族原子又は第Ｖ後原
子を分布させる場合の典型的な例は、前述の光受容層に
酸素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少々くともい
ずれか１つを含有せしめる場合に例示した第２０乃至２
８図のと同様な例によって説明することができるが、本
発明はこれらの例によって限定されるものではない。

そして、第２０図〜第２８図に示しだ例のごとく、光受
容層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ後原子の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、光受容層の自由表面側に
おいては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるい
は実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあって
は、支持体側に近い部分に第１１１１族原子又は第Ｖ後
原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設＝４
９− けること、好丑しくは該局在領域を支持体表面と接触す
る界面位置から５μ以内に設けることにより、第■族原
子又は第Ｖ後原子の分布濃度が高濃度である層領域が電
荷注入阻止層を形成するという前述の作用効果がよシ一
層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ後原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ後原子の分布状態および光受容
層に含有せしめる第１■族原子又は第Ｖ後原子の量を、
必要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは
、いうまでもない。例えば、光受容層の支持体側の端部
に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層（第１
図１０２）以外の光受容層の構成層（第１図１０３）に
、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する物質
の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有せし
めてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する物質
を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と少ない
量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料とｌ、テは、Ａｇ２Ｏ３，５１０３、Ｓ　ｉ３　Ｎ
４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネ−１・等の不接
電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された多層
構成の光受容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解
決でき、特に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光
源として用いた場合にも、干渉現象による形成画像にお
ける干渉縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な
可視画像を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、丑だ、特に長波長側の光感度特注に優れてい
るだめ殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材とし２て適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的耐圧性が安定［７ており高感度で、高ＳＮ比を有する
ものであって、耐光疲労、繰返し使用特開に長け、濃度
が高く、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス・Ｑツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはス・ぐツタリング法が好適で
ある。

そして、グロー放ｉＥ法とスパッタリング法とを同一装
置系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８］（）ｅ（Ｈ，Ｘ）で構成
される光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓ］）
を供給しうるＳ１洪給用の原料ガスと、ゲルマニウム原
子（ＧＯ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素
原子（Ｈ）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を供給しり
る水素原子（Ｈ）又は／及び・・ロデン原子（Ｘ）供給
用の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せ
しめて、予め所定位義に設置しである所定の支持体表面
上に、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成す
る。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、５
ＩＨ４、Ｓ　ｉ、２　Ｈ６，５ｉ３Ｉ（Ｂ、５ｉ４Ｈ工
。等のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（フラン
類）が挙げられ、特に、層形成作業時の取扱い易さ、Ｓ
］−供給効率の良さ等の点から、Ｓ　ｉ、Ｈ４およびＳ
　ｉ　２Ｈ６が好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＴ（４、Ｃ］ｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８、（）ｅ４
　Ｉ（１，０、、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７
Ｈ１６、ＧｅＢＨＩＢ、Ｃ＋８９Ｉ（２Ｑ等のガス状態
の又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いることが
できる。特に、層形成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効
率の良さ等の点から、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧ
ｏ３ＨＢが好丑しい。

更に、前記ハロ２ン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があり、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化ｅｌ、ハロゲン間化合物、ハロゲ
ンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化
（〜うる・・ロゲン化合物を用いることができる。具体
的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、
ＢｒＦ、　ＣｌＦ、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ３、
■Ｆ３、工Ｆ７、ｌＣｅ１Ｉ’Ｂｒ等のハロゲン間化合
物、督よびＳ　］、Ｆ４．５１２Ｆ６．５１Ｃ１４，５
ｊ−Ｂｒ４等の・・ロゲン化硅素等が好寸しいものとし
て挙げられる。

上述のごときノ・ロゲン原子を含む硅素化合物のガス状
態のもの又はガス化し７うるものを原忙１ガスとしてグ
ロー放電法により形成する場合には、８１原子１其給用
原刺ガスとしての水素化硅素ガスを使用することなく、
所定の支持体上に・・ロデン原子を含有するａ−８１で
構成される層を形成するととができるので、特に有効で
ある。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｊ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅイＪ（給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡ
ｒ、　Ｆ２、’Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とツｒス
流号に々るようにして堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
より、支持体−１−に光受容層を形成するものであるが
、電気的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有
効であるところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層
容易にするためには、これ等のガスに更に水素原子供給
用の原料ガスを混合することもできる。該水素原子供給
用のガスとしては、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４，５ｊ
−２Ｈ６、Ｓ　ｉ３　ＨＢ、Ｓｊ、４Ｈ１゜等の水素化
硅素のガスが用いられる。また、水素原子供給用ガスと
して、ＨＦ、　ＨＣ／？、　ＨＢｒ、　ＨＩ　　等のハ
ロゲン化物、Ｓ　１Ｔ（２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．３ｉＨ
２ＣＩ？２．８］、ＨＣ（ｈ、Ｓ：１−Ｆ２Ｂｒ２．５
ｉＴ（Ｂｒ３　　等のハロゲン置換水素化硅素等のガス
状態のあるいはガス化しうるものを用いた場合には、・
・ロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導
入されるので、有効である。

スパッタリング法によってａ−８−ＩＧｏ（Ｈ，Ｘ）で
構成される光受容層を形成するには、シリコンから成る
ターゲットと、１ゲルマニウムから成るターゲットとの
二枚を、あるいけ、シリコンとゲルマニウムからなるタ
ーゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・Ｑ
ツタリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｋ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過ぜしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンシレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のノ・ロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ′雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あ
るいは前記１〜だ水素化シラン類又は／及び水Ｘ化ゲル
マニウム等のガス類をス・Ｑツタリング用の堆積室内に
導入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すれば
よい。さらに・・ロデン原子供給用の原料ガスとしては
、前記のハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物
が有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、Ｈ
ＯＡ、　ＨＢｒ、　１（Ｉ　等の／Ｓロゲン化水素、５
ｉＨ２ＴＩ’２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２ＯＡ！２、Ｓ
ｊ、ＨＣ／？３、Ｓ：ｉ、Ｆ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等
のハロゲン置換水素化硅素、およびＧｅＨＦ３、Ｇ　ｅ
Ｈ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、　ＧｅＨ３１３、（）ｅＨ２０
！４２、ＧｅＨ３Ｏ１，０ｅＨＢｒ３、Ｇ　ｅＨ２Ｂｒ
２、ＧｅＨ３Ｏ１，ＧｅＦ３、ＧｅＨ２工３、ＧｅＨ３
Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、Ｇ
ｅＣｌ４、ＧｅＢｒ４、Ｇｅ工。、ＧｅＦ２、ＧｅＣ１
２、ＧｅＢｒ２、Ｇｅ　Ｉ２等のノ１０ゲン化ゲルマニ
ウム等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出
発物質として使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又は・・ロデン原子（Ｘ
）の量又は水素原子と・・ロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ
）は、好ましくはＯ、Ｏ］〜４０　ａｔｏｍｉ　ｃ係、
より好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適
には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、「ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記す
る。）で構成される光受容層を形成するには、」二連の
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成すれる層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓｎ
　）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（Ｓ　ｎ　Ｈ４）やＳｎＦ２．５
ｎＦ４．５ｎ（Ｊｚ、５ｎＯＡ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢ
ｒ４、Ｓｎ工２、Ｓｎ工。

等の・・ロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化しうる
ものを用いることができ、）・ロゲン化スズを用いる場
合には、所定の支持体上にノ・ロゲン原子を含有するａ
−８ｉで構成される層を形成することができるので、特
に有効である。なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、５ｎＣ１４が好ましい
。

そして、５ｎＣ１４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＯ１４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ、等の不活
性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いて・々プリング
するのが重重しく、こうして生成したガスを、内部を減
圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法を用いて、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選ばれる少くとも一種を含有するａ−８ｉＧｅ
（Ｈ，Ｘ）、ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）又はａ−３ｉＧｅ
ｆＥＩｎ（Ｈ、Ｘ　）で構成される層又は一部の層領域
を形成するには、上述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／
及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質を、ａ−６
ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）形
成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へのそ
れらの量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

そのような原子（０，Ｃ９Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，０ＩＮ　）を構成原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどの
ものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎ
ｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）
、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４
）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）　、三二酸化窒素（Ｎｏ
３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原
子（Ｈ）とを構成原子とする１例えば、ジシロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８
ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等が挙げられ、
炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質としては、例えば、メ
タン（ＣＨ，）、エタン（０２Ｈ６）、プロノξン（０
３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ０４Ｈ１ｏ　）　、ペンタン
（０５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチ
レン（０２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−
１（Ｃ！４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチ
レン（Ｃａ、Ｈｅ　）、（ンテン（０５Ｈ□。）等の炭
素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（０２Ｈ
２）、メチルアセチレン（０３Ｈ４）、ブチン（Ｃ，Ｈ
，、）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙
げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質としては、例
えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドロ１
− ラリン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３、
アジ化アンモニウム（ＨＨ４Ｎ３　）　、三弗化窒素（
Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ、Ｎ）等が挙げられる。

また、スパッタリング法を用いて原子（０，Ｃ２Ｎ）を
含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）、ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，
Ｘ）またはａ−６ｉＧθｓｎ、（ａ、ｘ）で構成される
層を形成する場合には、原子（０ＩＯＩＮ　）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質トシて、
５１０２、Ｓｉ３Ｎ４、カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用することが
できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　−５ｉＳｎ
（Ｈ、Ｘ　）で構成される層又は一部の層領域を形成す
るには、−上述のａ−ＥｉｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及び
ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ−８
ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＳｎ（Ｈ、Ｘ　）
形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中への
それらの量を制御しながら含有せしめることによって行
なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２　Ｈ６、Ｂ４Ｈ１゜、Ｂ５Ｈ９、
Ｂ５Ｈ１□、”’６　Ｈｌｏ　、Ｂ６　Ｂ１２、Ｂ６Ｈ
１４等の水素化硼素、Ｂｒ３、ＢＣｌ３、’ｆ３Ｂｒ３
等の・・ロゲン化硼素等が挙げられる。

どの他、ＡｌＣｌ３、Ｃａ　Ｏ１３、Ｇａ　（０Ｈ３）
２、：［ｎＯ＃３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる
。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｂ２　Ｈ６等の水素比隣、ＰＨ
４工、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣ１３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３
、ＰＢｒ３、ｐＩ３等の・・ロゲン北隣が挙げられる。

この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ２、ＡｅＢｒ３
、ＡＳＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５ｂＣ１
３，５ｂＣ１５、ＢｉＨ３、Ｂ１ｃ１３、Ｂ１Ｂｒ３　
等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層の
光受容層は、グロー放電法、ス・ξツタリング法等を用
いて形成するが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいはさ
らに水素原子及び／又は）・ロゲン原子の各々の含有量
の制御は、堆積室内へ流入する、各々の原子供給用出発
物質のガス流量あるいは各々の原子供給用出発物質間の
ガス流量比を制御することにより行われる。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電・ξワー等の条件は、所望の特性を有する光受容
部材を得るためには重要な要因であシ、形成する層の機
能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに
、これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記
の各原子の種類及び量によっても異なることもあること
から、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考
慮をはらって決定する必要もある。

具体的には、原子（０，０，Ｎ　）を含有せしめだａ−
８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する場合、あるい
は原子（０，Ｃ２Ｎ）および第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有せしめたａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成する場合については、支持体温度は、通常５０〜３５
０℃とするが、よシ好ましくは５０〜３００℃、特に好
ましくは１００〜３００℃とする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜５ＴＯｒ
ｒとするが、好ましくは、０．００１〜３　ＴＯｒｒ、
特に好ましくは０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、放
電パワーは０．００５〜５０Ｗ／Ｃｒｎ２とするのが通
常であるが、好ましくはＯ０旧〜３０　Ｗ　／　ａｒｉ
”　、特に好１しくけ０．０１〜２０　Ｗ／ＣＴＬ２と
する。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電・ｑワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

ととるで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０，Ｃ２Ｎ）、第■
族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又は／及びノ
・ロゲン原子の分布状態を均一とするためには、光受容
層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つこと
が必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（
０，Ｃ２Ｎ）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態
を有する光受容層を形成するには、グロー放電法を用い
る場合であれば、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
、原子（０，Ｃ２Ｎ）、あるいは第１ＴＩ族原子又は第
Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する
際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ、
その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス
流量を変化させるには、具体的には、例えば手動あるい
は外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法
によシ、ガス流路系−の途中に設けられた所定のニード
ルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることも
できる。

また、光受容層をス・ξツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又１はスズ原子、原子（０，Ｃ
２Ｎ）、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向
の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分
布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場合と同
様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，
Ｎ　）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する
際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１５に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２９図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２９０２．２９０３．２９０４．２９０５．２９
０６　　のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るための原料ガスが密封されており、その−例として、
たとえば、２９０２ば５ｊ−Ｆ４ガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２９０３はＧｅＦ、ガス（純度９９．９
９９　％　）ボンベ、２９０４ばＣＨ４ガス（純度９９
．９９９係）ボンベ、２９０５はＢ２で稀釈されだＢ２
Ｈ６ガス（純度９９．９４）９乃、以下Ｂ、Ｈ６／Ｈ２
と略す。）ボンベであり、２９０６は不活性ガスである
Ｈｅガスボンベ、２９０６’は５ｎＣ１４が入った密閉
容器である。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６、
リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９１７
〜２９２１　、補助バルブ２９３２．２９３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２９３４を開
いて反応室２９０］、ガス配管内を排気する。

次に真空計２９３６の読みが約５　Ｘ　１Ｏ−６ｔｏｒ
ｒ　　になった時点で、補助バルブ２９３２．２９３３
、流出バルブ２９１７〜２９２１を閉じる。

Ａｌシリンダー２９３７上に光受容層１．００を形成す
る場合の一例を以下に記載する。

寸ず、ガスボンベ２９０２よりＳｉＦ４ガス、ガスボン
ベ２９０３よりＧｅＦ４ガス、プｒスボンベ２９０４よ
りＣＨ４ヲデス、ガスボンベ２９０５よりＢ２Ｈ６／Ｂ
２　　ガスの夫々をバルブ２９２２．２９２３．２９２
４．２９２５を開いて出口圧ゲージ２９２７．２９２８
．２９２９．２９３０の圧を１−　ｋｇ／ｍ、”に調整
し、流入バルブ２９］−２，２９１３゜２９１４、　、
２９］、５　ヲ徐々ＶＣ開ケて、マスフロコントローラ
２９０７．２９０８．２９０９．２９１０内に流入させ
る。

引き続いて流出バルブ２９１７．２９］、８．２９１９
．２９２０、補助バルブ２９３２を徐々に開いてガスを
反応室２９旧内に流入さぜる。このときのＳ　Ｉ　Ｆ４
ガス流量、ＧｅＴｌ’４ガス流量、ＣＨ４ガス流量、Ｂ
２Ｈ６／■■２ガス流＝ｌの比が所望の値になるように
流出バルブ２９１７゜−６９〜２９１８、２９］、９．２９２０を調整し、又、反応室
２９０１内の圧力が所望の値になるように真空計２９３
６の読みを見ながらメインバルブ２９３４の開口を調整
する。そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒー
ター２９３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設
定されていることを確認された後、電源２９４０を所望
の電力に設定して反応室２９０１内にグロー放電を生起
せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず
）を用いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、
５ｊＦ４ガス、ＧｅＦ”４ガスＣＨ４ガス、Ｂ２　Ｈ６
／　Ｂ２ガスの流量を制御し外から、基体シリンダー２
９３７１に光受容層を形成する。

光受容層中に水素原子を含有せしめる場合に、」二記ガ
スに、Ｂ２ガスを更に付加して反応室に送り込んでもよ
い。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出・ミルブは全て閉じることは言うまでもない。

捷だ、光受容層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原石ガスとして５ｎＣ１４を出発物−゛ン〇− 質としたガスを用（へる場合には、２９０６’に入れら
れた固体状５ｎＣ１４を加熱手段（図示せず）を用いて
加熱するとともに、該５ｎＣ１４中にＡｒ、Ｈｅ等の不
活性ガスボンベ２９０６よりＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
を吹き込み、バブリングする。発生したＥＩｎＣ！１４
のガスは、前述の８１．Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ
２Ｈ６／Ｈ２ガス等と同様の手順により反応室内に流入
させる。

実施例１支持体として、シリンダー状Ａｌ基体（長さ３５７朋、
径８０ｙ＋ｍ）に第３０図（Ｐ：ピンチ、Ｄ°深さ）に
示すような旋盤加工を施して得た第１Ａ表上瀾に示すも
のを使用した。なお、第３０　（Ａ）図はＡ６支持体の
全体図であり、第：）ＪＯ（Ｂ）図はその部分拡大断面
図である。

次に、該Ａｌ支持体（試ＭＮｏ　１０１〜１０４　）上
に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第２９図に示した製
造装置により光受容層を形成した。なお、光受容層中に
含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＦ４　＋　Ｇ
ｅＦ、　ｊ：＝；　１００　ｐｐｍであって、該層の全
層について約２００　ｐｐｍドーピングされているよう
になるべく導入した。

こうして得られた光受容部材の各々について、そ汎らの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、第１Ａ
表下欄に示す結果を得た。

さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、
転写を行なって画像を得た。

得られた画像は、いずれも干渉縞模様は全く観察されず
、そして極めて良質のものであった。

なお、第３１．　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に
示す平面略図であり、第３１　（Ｂ）図は露光装置の全
体を模式的に示す側面略図である。図中、３１０１は光
受容部材、３１０２は半導体レーザー、３１０３はｆθ
レンズ、３１０４はポリゴンミラーを示している。

第　　Ｉ　　Ａ　　表＝７４− 実施例２実施例１と同様にして第２Ａ表上欄に示すようなＡｌ支
持体（試料Ｎα２０１〜２０４）を得た。

次に得られた各々のＡｌ支持体上に第２９図に示した製
造装置を用い、第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した。得られた光受容部材について実施例１
と同様な方法で層厚を測定したところ第２Ａ表下欄の結
果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好表結
果が得られた。

第　　２　　Ａ　　表７フー７実施例３実施例１と同様にして第３Ａ表上欄に示すよりなＡ７支
持体（試料Ｎ（１３０１〜３０４）を得た。

次に得られた各々のＡＡ支持体上に、第２９図に示した
装置を用いて、第３Ｂ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した。この際、Ｓ　］、Ｆ４ガス、（）ｅＦ
４ガス、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス及びＣＨ４ガスのガス流量
は第３２図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコン
ピュータ−制御により自動的に調整した。また、光受容
層中に含有せしめる硼素原子は実施例１と同様の条件で
導入した。得られた光受容部材について実施例１と同様
な方法で層厚を測定したところ、第３Ａ表下欄の結果を
得た。

これらの光受容部材について、実施例と同様の方法で画
像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られた。

−７８〜第　　３　　Ａ　　表実施例４実施例１と同様にして第４Ａ表上欄に示すＡ、ｌ支持体
（試料Ｎｎ　４０１〜４．０４　）　ｆ得た。

次に得られた各々のＡｌ支持体上に第２９図に示した製
造装置を用い、第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した。この際、Ｎ２ガス及びＢ２Ｈ６７Ｈ２
ガスのガス流量は第３３図に示す流量変化線に従って、
マイクロコンピュータ−制御によシ自動的に調整した。

々お、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１
と同様の条件で導入した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で層
厚を測定したところ第４Ａ表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

第　　４　　Ａ　　表８２一実施例５第５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例■と同様にして、Ａｌ支持体（試ｆ４
Ｎｏ１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際
Ｓ　］、Ｆ４ガＮ４ガスＦ４ガス、Ｎ２ガス、Ｂ２Ｈ６
／Ｈｅガス及びＮ２ガスのガス流量は、第３４図に示す
流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−制御に
よシ自動的に調整し、光受容層中に含有せしめる硼素原
子は、実施例１と同様の条件で導入し念。

実施例６第６表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｌ支持体（試料Ｎ
ｏ、１．０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この
際Ｈ２ガス、Ｂ２Ｈ６／　Ｈ２ガス、およびＮ、ガスの
ガス流量は第３５図に示す流量変化曲線に従って、マイ
クロコンピュータ−制御により自動的に調整した。なお
、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と同
様の条件となるようにして導入Ｉ７た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行々つたところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

実施例７第７表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にしてＡｌ支持体（試料Ｎｏ
、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。なお、光
受容層中に含有せしめる硼素原子は実施例１と同様の条
件で導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行々ったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

−８８＝実施例８第８表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｌ支持体（試料Ｎ
ｏ、ＩＯＩ〜ｌ０４）上に光受容層を形成した。この際
、Ｓｊ、Ｈ４ガス、ＧｅＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２Ｈ２
ガスＮｏガスのガス流量は、第３６図に示す流量変化曲
線に従って、マイクロコンｅ　ニー　ター制御により自
動的に調整した。なお、光受容層中に含有せしめる硼素
原子は、実施例１と同様の条件と々るようにして導入し
た。

−９１＝実施例９第９表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、ＡＪ支持体（試料Ｎ
ｎ１Ｏ１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際、
ＳｉＨ４ガス、ＧｅＦ４ガス、Ｎｏガス及びＢ２Ｈ６／
Ｈｅガスのガス流量は、第３７図に示す流量変化曲線に
従って、マイクロコンピュータ−制御により自動的に調
整した。なお、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、
実施例１と同様の条件となるようにして導入した。

実施例１０第１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｌ支持体（試料
Ｎｏ、１．０１〜１０４）上に光受容層を形成した。こ
の際、ＣＨ４ガス及びＢ２Ｈ６／　Ｎ２ガスのガス流量
は、第３８図に示す流量変化曲線に従ッテ、マイクロコ
ンピュータ−制御により自動的に調整した。なお、光受
容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と同様の条
件となるようにして導入した。

９５　一実施例１１第１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｌ支持体（試料
Ｎｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この
際、ＳｉＨ４ガス、（）ｅＨｔガス（又はＳ　ｎ　Ｃ７
４／　Ｈｅガス）、Ｎ２ガス及びＢ２Ｈ６／Ｎ２ガスの
ガス流量は、第３９図に示す流量変化曲線に従って、マ
イクロコンピュータ−制御にょシ自動的に調整した。々
お、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と
同様の条件となるようにして導入した。

実施例Ｊ２第１２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例Ｊと同様にして、ｋｌ支持体（試料
Ｎｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この
際、ＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス、Ｈ２ガス、ＣＨ４ガ
ス及びＢ２ｌ−１ａ／Ｈ２ガスのガス流量は、第４０図
に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−
制御によシ自動的に調整した。

なお、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１
と同様の条件となるようにして導入した。

＝　９９− 実施例］３第１３表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａ、ｌ支持体（試
料Ｎｏ、１．０１〜１０４）上に光受容層を形成シタ。

コノ際、Ｓｌ、Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス、Ｈ２ガス、Ｎ
ｏガス、ＣＨａガス及びＢ２Ｈ６／　Ｐｉ２ガスのガス
流量は、第４１図に示す流量変化曲線に従って、マイク
ロコンピュータ−制御により自動的に調整した。彦お、
光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と同様
の条件とがるようにして導入した。

実施例１４第１４表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａ／支持体（試料
Ｎｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この
際、Ｓ　］、Ｆ４ガス、Ｇｅ　Ｆ４ガス、Ｈ２ガス、Ｃ
Ｈａガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は、第４２
図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ
−制御により自動的に調整した。

１．０２− 実施例１５第１５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ＡＡ支持体（試料
Ｎｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。々お
、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と同
様の条件となるようにして導入した。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質々可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−フトー］、０６− −ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、光受容層の構成層各層の界面が非平
行な場合に干渉縞の発生が防止しうることを示す図、第
３図は、光受容層の構成層各層の“界面が平行である場
合と非平行である場合の反射光強度を比較する図、第４
図は、光受容層の構成層が玉取上の多層である場合にお
ける干渉縞の発生の防止を説明する図である。第５図は
、本発明の光受容部材の支持体の表面形状の典型例を示
す図である。第６乃至１０図は、従来の光受容部材にお
ける干渉縞の発生を説明する図であって、第６図は、光
受容層における干渉縞の発生、第７図は、多層構成の光
受容層における干渉縞の発生、第８図は、散乱光による
干渉縞の発生、第９図−１，Ｏ’７− は、多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の
発生、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行
である場合の干渉縞の発生を各々示している。第１１〜
１９図は、本発明の光受容層におけるゲルマニウム原子
又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、
第２０〜２８図は、本発明の光受容層における酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
、および第■族原子又は第■族原子の層厚方向の分布状
態を表わす図であり、各図において、縦軸は光受容層の
層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第２９図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造する
ための装置の１例で、グロー放電法による製造装置の模
式的説明図である。第３０図は、本発明の円筒状アルミ
ニウム支持体の表面処理を説明する図であシ、第３１図
はレーザー光による画像露光装置を説明する図である。第３２乃至４２図は、本発明の光受容層形成におけるガ
ス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は光受容層の
層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示している。第１乃至第４図について、１００−・・光受容層、１０１−・・支持体、１０２．
２０２゜３０２、４０２・・・第一の層、１０３．２０
３．３０３．４０３−・・第二の層、４０４・・・第三
の層、１０４．２０４．３０４・・・自由表面、２０５
．３０５・・・第一の層と第二の層との界面、第６乃至１０図について、６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７０３・・・光受容層、８０１
・・・支持体、８０２・・・光受容層、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９０３・・・第２層、１０
０１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１００３
・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面、　　
パ第２９図において、２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’−５ｎＣ４槽、２９０７〜２９１１
−・−７スフロコントローラ、２９１２〜２９１６・・
・流入ノミルプ、２９１７〜２９２１・・・流出パルプ
、２９２２〜２９２６・・・パルプ、２９２７〜２９３
１・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・・・補助パ
ルプ、２９３４・・・メインパルプ、２９３５・・・リ
ークノζルブ、２９３Ｇ・・・真空計、２９３７・・・
基体シリンダー、２９３８・・・加熱ヒーター、２９３
９・・・モーター、２９４０・・・高周波電源、第３１図において、３１０１・・・光受容部材、３１０２・・・半導体レー
ザー、３１０３・・・ｆθレンズ、３１０４・・・ポリ
ゴンミラー。Ｃ９派　　　　く　　　　　　− 一一−−− 証ｊつ憎第１０図位置第１１図第１２図第１３図第１４図第１５図第１６図第１７図第１８図第１９図第２０図第２１図第２５図 −ＣＯ沫第３１図手続補正書（方式）昭和６０年１０月１４日特許庁長官　宇　賀　道　部　殿　　　　巻・１、事件
の表示昭和６０年特許願第１７８５１３号２、発明の名称光受容部材３、補正をする者事件との関係　　　　　特許出願人性　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社４、代理人住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル６、補正の対象明細書および図面７、補正の内容願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおシ（内容に変更なし）以上手　　続　　補　　正　　書昭和６０年１０月１４　日１、事件の表示昭和６０年特許願第１．７８５１３号２、発明の名称光受容部材３、補正をする者事件との関係　　　　　特許出願人柱　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）　　キャノン株式会社４、代理人住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル６、補正の対象図面の記載７、補正の内容１０図　面第１乃至４２図を別添のとおシに訂正する。以上Ｃ’３派　　　　（［ＬＬＩピ峙伯Ｓ　　　　　　　　　８コｒ０（Ａ）（Ｃ）第５図位置第７図位置第８図第９図第１０図位置第１１図第１２図第１３図１＝１第１４図第１５図第１６図第１７図第１８図第１９図第２０図第２１図第２６図 □Ｃ第２８図　１、 “１゜第３１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
及びスズ原子の少くともいずれか一方とを含有する非晶
質材料で構成された感光層を少なくとも有する多層構成
の光受容層を有する光受容部材であって、前記光受容層
が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種を含有し、且つショートレンジ内に少くと
も一対の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方
向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配列しているこ
とを特徴とする光受容部材。
（２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（３）非平行な界面の配列が規則的である、特許請求の
範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（４）非平行な界面の配列が周期的である、特許請求の
範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（５）ショートレンジが０．３〜５００μである、特許
請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（６）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規則
的に配列している凹凸に基づいて形成されている、特許
請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（７）支持体の表面に設けられた規則的に配列している
凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形である、特許請求の
範囲第（６）項に記載の光受容部材。
（８）逆Ｖ字形の側の傾きが１〜２０度である、特許請
求の範囲第（７）項に記載の光受容部材。
（９）逆Ｖ字形が二等辺三角形である、特許請求の範囲
第（７）項に記載の光受容部材。
（１０）逆Ｖ字形が直角三角形である、特許請求の範囲
第（７）項に記載の光受容部材。
（１１）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する
電荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求
の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１２）光受容層が構成層の１つとして障壁層を有する
、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。