JPS6239864A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｈｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４．−８６３４１号公報や特
開昭５６−８３７４６号公報にみもれるようなシリコン
原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）
から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−ｓｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωｍ以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロケ９ン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成シの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７’−４０５３号公報、特開昭５７−４
１．７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の
異々る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層
内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１
７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５
９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみら
れるように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層
の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見
掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面１と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重０と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに−以上の層厚差で不均一であると、反射ｎ 光Ｒ工、Ｒ３が２ｎｄ、＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強
め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋Σ）λ（ｍは整数、反射光は
弱め合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の
吸収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容
部材が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（
多層）構成のものであるものにおいては、それらの各層
について第６図に示すような干渉効果が起って、第７図
に示すような状態となり、その結果、それぞれの干渉が
相乗的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとなり
、それがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干
渉縞模様に対応１〜た干渉縞が転写、定着される可視画
像に現出して不良画像をもたらしてしまうといつだ問題
がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報参照）、（１））アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理しだシ、或いは、樹脂中に
カー１ボン、着色顔料、染料を分散したシして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報
参照）、（０）アルミニウム支持体表面を梨地状のアル
マイト処理したり、サンドブラストによシ砂目状の微細
凹凸を設けたシして、支持体表面に光散乱反射防止層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照
）等が提案されている。これ等の提案方法は、一応の結
果はもたらすものの、画像上に現出する干渉縞模様を完
全に解消するに十分なものではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなシに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果にょシ照射スポット
に拡がシが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であシ、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層よシの脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層重質が著しく低下すること、
樹脂層がａ−９ｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。

（ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ１となシ、残りは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光重、と々る。透過光■１は、支持体８
０１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
に１．、に２、Ｋ３・・・となシ、残りが正反射されて
反射光Ｒ２となり、その一部が出射光Ｒ３となって外部
に出ては行くが、出射光Ｒ３は、反射光Ｒ工と干渉する
成分であっていずれにしろ残留するだめ依然として干渉
縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１０
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
］、支持体９０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いて、２ラ
ツキが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大き
な突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大き
な突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらして
しまう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１ｏ旧の表面の凹凸形状１．
００３に沿って、光受容層１００２が堆積するだめ、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１００３’、１．００４’で示すように平
行になる。

したがって、その部分では入射光（ｄ、２ｎｄ１．＝＝
ｍλまたは２ｎａ１−（ｍ　＋％　）λの関係が成立ち
、夫夫明部または暗部となる。丑だ、光受容層全体では
光受容層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差λ の中の最大が一以上である様々層厚の不均一性ｎ があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８１で構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測され々く、製造管理が容易で
ある、ａ　　８１で構成された光受容層を有する光受容
部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８ｊで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層重質の高い、ａ　
　８１で構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、・・−７１・−ンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることの
できる、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容
部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体と、該支持体上に、シリコン原
子を母体とし、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なく
ともいずれか一方を含有し、さらに必要に応じて伝導性
を制御する物質を含有する非晶質材料で構成され光導電
性を有する光受容層とからなる光受容部材において、前
記支持体の前記光受容層と接する表面が、要求される解
像力よシも微小な規則的凹凸形状を有していて、該凹凸
の凸部の縦断面形状が逆■字形であり、かつ該凹凸形状
の１周期内に少くとも一対の非平行な界面を有してなる
ことを骨子とする光受容部材に関する。

ところで本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見は
、概要、光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹
凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状の
１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称す
。）内に少くとも一対の非平行な界面を有するようにし
、−コ−４− 該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なそして、
その場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断形状を
、形成される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理さ
れた不均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる
層との間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保す
る為に逆Ｖ字形にすることが必要とされるというもので
ある。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実１験によシ得
た事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするだめ、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材の層構成を示す模式
図であり、第２乃至５図はその内容等を説明するだめの
図である。第２（Ａ）図は前記構成の光受容部材の一部
を拡大して示しだ図であわ、第２（Ｂ）図は同部分にお
ける明るさを示す図である。図中、２０１は支持体、２
０２は光受容層、２０３は自由表面、２０４は支持体と
光受容層との界面を示している。光受容層２０２の層厚
ば、ジョートレン：）ｌ内において、ｄ２□からｄ２２
に連続的に変化しているため、自由表面２０３と界面２
０４とは互いに異なる傾むきを有している。よって、こ
のショートレンジｌに入射したレーザー等の可干渉性光
は、該微少部分ｌにおいて干渉をおこし、微小な干渉縞
模様が生成する。

一方、第３図（但し、図中、３０１は支持体、３０２は
光受容層、３０３は自由表面、３０４は支持体と光受容
層との界面を示す。）に示すように、支持体３０１と光
受容層３０２との界面３０４と自由表面３０３とが第３
　（Ａ、）図のごとく非平行であると入射光量。に対す
る反射光Ｒ工と出射光Ｒ３とはその進行方向が異なるた
め、第３（Ｂ）図に示すごとく界面３０４と自由表面３
０３とが平行である場合にくらべて干渉の度合が減少す
る。即ち、干渉を生じても第３（Ｃ）図に示す如く、一
対の界面が平行な関係にある場合よりも、一対の界面が
非平行な関係にある場合の方が干渉の度合が小さくなる
だめ、干渉縞模様の明暗の差が無視しうる程度に小さく
なり、その結果、入射光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すごとく光受容層２０２
の層厚がマクロ的にも不均一である場合、即ち、異なる
２つの任意の位置における層厚ｄ２３、（１２４がｄ２
３キｄ２４である場合であっても同様であって、全層領
域において入射する光量は第２図（Ｄ）のごとく均一と
なる。

さらに、光受容層が多層領域構造となった場合、例えば
第４図に示すように支持体４０１上に形成される光受容
層が層領域４０２′と層領域４０２″とから構成される
場合であっても、入射光量。に対して反射光Ｒ工、Ｒ３
、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５が存在するが、各々の層領域に
おいて第３図において説明したごとき入射する光量が平
均化される現象が生ずるので、光受容層全体で考えると
干渉は各々の層領域での相乗効果となる。即ち、光受容
層を構成する層領域の数が増大するにつれ、より一層干
渉による影響を防止することができる。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形を呈するもの
である。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｌは、照射光−］８− のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌの関係にあることが
必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、シリコン原子
を母体とし、ゲルマニウム原子およびスズ原子の少なく
ともいずれか一方を含有するアモルファス材料で構成さ
れるが、特にシリコン原子（Ｓｉ）を母体とし、ゲルマ
ニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（Ｓｎ）の少々くと
もいずれか一方と、水素原子（）■）およびノ・ロゲン
原子（Ｘ）の少々くともいずれか一方とを含有するアモ
ルファス材料〔以下、これらを「ａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）Ｊｒ　ａ　　５ｉＳｎ　（Ｈ、Ｘ　）　Ｊあるいは［
ａ　−５ｉＧｅＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成
されることが望ましく、さらに必要に応じて伝導性を制
御する物質を含有せしめることができる。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材においては、光
受容層のショートレンジｌの層厚内（以後、「微小カラ
ム」と称す。）において、少なくとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成する為には微
小カラムにおける層厚の差、即ち、前述の第２八）図に
おける（１２１とｄ２２の差は、照射光の波長をλとす
ると、次式： ｄ２１　　ｄ２２≧２ｎ　（ｎ’光受容層の屈折率）を
満足するととが望ましく、該層厚の差は、好丑しくけ０
．１μｍ〜２μｍ以内、よシ好ましくは０．１　ｔｔｍ
　〜１．５　、ｕｒｎ以内、最適にはＯ−２１１ｍ　〜
１１ｔｍ以内とすることが望ましい。

また、本発明の光受容部材の光受容層にあっては、後に
詳述するように、干渉を防止することを目的として、支
持体側の端部にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を
比較的多量に含有する局在領域を形成せしめるか、又は
／及び支持体側端部に伝導性を制御する物質を比較的多
量に含有する局在領域（すなわち電荷阻止層）を形成せ
しめることが望ましいが、これらの場合には、光受容層
中に複数の層領域による複数の界面が形成されることと
なる。この様々本発明の光受容部材にあっては、光受容
層の微小カラムにおいて、少なくとも一対の非平行な関
係を有する界面が存在するようにされる。

そして、この条件を満たす限りにおいて、平行々関係に
ある界面が存在してもよい。但し、その場合、平行な関
係にある界面について、任意の２つの位置をとって、そ
れらの位置における層厚の差を△ｌとし、照射光の波長
をλ、層の屈折率をｎとした場合、次式。

λ △ｌく− ｎ を満足するように、層又は層領域を形成するのが望捷し
い。

本発明の光受容層の作成については、本発明の前述の目
的を効率的に達成するために、その層厚を光学的レベル
で制御する必要があることから、グロー放電法、スノ々
ツタリング法、イオンブレーティング法等の真空堆積法
が通常採用−２］、　− されるが、これらの他、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採
用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は本発明の光受容部材の層構成を説明するために
模式的に示しだ図であり、図において１００は光受容部
材、１０１は支持体、１０２は光受容層、１０３は自由
表面を表わしている。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆■字形を呈す
るものである。

該逆■字形の形状は、好ましくは第５図に示すように実
質的に二等辺三角形、直角三角形あるいは不等辺三角形
とすることが望ましい。これ等の形状のうち、特に二等
辺三角形、又は直角三角形とするのが望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−８１層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層重質は大きく変化する。

従って、ａ　　８１層の層重質の低下を招来しない様に
支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定す
る必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことができなく々る。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

−上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討１７た結
果、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは０．３μ
ｍ〜５００１１ｍ、より好ましくは１μｍ〜２００μｍ
１最適には５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとするのが望ましい。支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は
線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０
度、よシ好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０
度とするのが望ましい。

支持体表面に設けられる上記構成の凹凸は、７字形状の
切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機
械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望
に従って設計されたプログラムに従って回転させ女から
規則的に所定方向に移動させることによシ、支持体表面
を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、
深さで形成する。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す逆■字形線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした輝線構造を有する。逆■字形突起
部の輝線構造は、二重、三重の多重輝線構造、又は交叉
蝉線構造としても差支えない。

或いは、輝線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入してもよい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、　
ＯｒｌＭｏｌＡｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ　等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎ１ｃｒ。

Ａ６．Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
。

Ｐｔ、Ｐｄ、　　工ｎ２０３．５ｎ０２、■ＴＯ（Ｉｎ
２Ｏ３＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けることに
よって導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａｌ、　
Ａｇ　、　Ｐｂ、Ｚｎ、　　Ｎｉ、　Ａｕ、　　Ｃｒ、
　ＭＯ，Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ。

Ｔｌ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、ス・ξツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状であることができるが、用途、所望によって
、その形状は適宜に決めることのできるものである。例
えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限シ薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度−２６＝ 等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

光受容層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、シリコン原子を母体とし、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、さらに必要に応じて水素原子又は／及び
ハロゲン原子を含有する非晶質材料で構成され、光導電
性を有する光受容層１０２が積層されておシ、該光受容
層は自由表面１０３を一方の端面に有している。さらに
、該光受容層には、必要に応じて伝導性を制御する物質
を含有せしめることもできる。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向−卜せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
を光源とした場合に特に顕著である。

本発明における光受容層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領域に均一な分布状態
で含有せしめるかあるいは不拘−々分布状態で含有せし
めるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、光受容層の支持体表面と平
行な面方向において均一であシ、光受容層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、光
受容層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
光受容層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして、特に、光受容層の層厚方向には連続的であり、
且つ自由表面側よシも支持体と接する側の方に多く分布
した状態となる様に分布せしめることが望ましく、支持
体側端部においてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度を極端に大きくすることによシ、半導体レー
ザ等の長波長の光源を用いた場合に光受容層の自由表面
側に近い層領域においては殆んど吸収しきれない長波長
の光を、光受容層の支持体と接する層領域において実質
的に完全に吸収することができるため、支持体表面から
の反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の光受容層においては、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を全層領域において均一に
分布せしめることもでき、捷た層厚方向に連続的かつ不
均一に分布せしめることもできるが、以下、層厚方向の
分布状態の與型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子
ヲ例とｊ〜で、第１１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、光受容層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の光受容層の端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の自由表面側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される光受容層はｔＢ側よりｔ
Ｔ側に向って層形成がなされる。

同、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するだめの説明のだめの模式的なものである。

第１１図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる光受容層が形成される支持体表面と光受容層とが接
する界面位置ｔＢよりｔ□のＭ置捷では、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ工なる一定の値を取シ乍らゲ
ルマニウム原子が光受容層に含有され、位置上〇よりは
濃度Ｃ２より位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少さ
れている。位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である）
。

第１３図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢよ逆位置ｔＴに至る丑
で濃度Ｃ３から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔｌまでは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
の減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。

第１５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６よシ初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第１６図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ、間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４よ逆位置ｔＴに至るまで減少されてい
る。

第１７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂよ逆位置ｔ５ｔでは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度Ｃ工０まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１８図に示す例においては、位置ｔＢよ逆位置１Ｔに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ□１
よシー次関数的に減少されて、零に至っている。

第１９図においては、位置ｔＢよ逆位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度０１．２より
濃度Ｃ工、まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置
ｔＴとの間においては、濃度Ｃ□３の一定値とされた例
が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ）３において濃度Ｃ工４であり、位
置ｔ、に至るまではこの濃度Ｃｘａ　より初めはゆっく
りと減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少
されて位置ｔヮでは濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ、７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ
８で濃度Ｃ□６となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間で１
は、徐々に減少されて立置ｔ９において、濃度０１’／
に至る。位置ｔ９と位ＲｔＴとの間においては濃度Ｃ１
ワより実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に
従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、光受容層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、端面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設けられ
ているのが望すしい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する光受容層は
、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
Ｂよ９５８以内に設けられるのが望捷しい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｏｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適には１．　Ｘ　１．０’ａｔｏｍ
ｉｃ　Ｉ）１）ｍ以」二とされる様な分布状態となり得
る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Ｏｍａｘが存在する様に形成されるの
が好コトシいものである。

本発明の光受容部材において、光受容層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
法める必要があり、通常は１〜６　ｘ　１０１０５ａｔ
ｏ、ｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは］Ｏ〜３　Ｘ　１
０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、より好ましくはＩ　Ｘ　
１１０”　ｗ　２　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍと
する。

また、本発明の光受容部材において、光受容層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要が要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あシ、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、よシ好ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材においては光受容層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型缶導性
を与える周期律表第１ｎ族に属する原子（以下単に「第
■族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期
律表第■族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称
す。）が使用される。具体的には、第■族原子としては
、Ｂ（硼素）、ｉ　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、■ｎ　（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、　Ｇａで
ある。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、ＡＳ　（砒
素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｐ、Ｓｂで
ある。

本発明の光受容層に伝導性を制御する物質である第１■
族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に
含有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめる
かは、後述するように目的とするところ乃至期待する作
用効果によって異なり、含有ぜしめる量も異々るところ
となる。

すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第■族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、好ま
しくは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０２ａｔｏ１０２
ａｔｏ　ｓ最適には１×１０−１〜２×１０２ａｔＯ１
０２ａｔＯである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。そし
て、この場合の含有量は比較的多量である。具体的には
、一般的には３０〜５Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉ、ｃ　ｐ
ｐｍとするが、好丑しくは５０〜１ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０”　〜５　Ｘ
　１．０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。そして、該効
果を効率的に奏するためには、一部の層領域あるいは高
濃度に含有する層領域の層厚をｔとし、それ以外の光受
容層の層厚をｔｏとした場合、１／１＋１ｏ≦０．４の
関係式が成立することが望捷しく、よシ好ましくは該関
係式の値が０．３５以下、最適には０．３以下となるよ
うにするのが望ましい。まだ、該層領域の層厚ば、一般
的には３Ｘ１０−”〜１０μとするが、好ましくは４．
　Ｘ　１０’−３〜８μ、最適には５Ｘ１０−”〜５μ
である。

次に光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的−３８＝ 多量であって、支持体側から自由表面を有する側に向っ
て減少し、光受容層の自由表面付近においては、比較的
少量となるかあるいは実質的にゼロに近くなるように第
■族原子又は第Ｖ族原子を分布させる場合の典型的例の
いくつかを、第２０図乃至第四図によって説明するが、
本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

各図において、横軸は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃを、縦軸は光受容層の層厚を示し、ｔＢは支持体
と光受容層との界面位置を、ｔＴは光受容層の自由表面
側の端面の位置を示す。

第２０図は、光受容層中に含有せしめる第■族原子又は
第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示し
ている。該例では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
る光受容層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢよシ位
置ｔ１４では、第１ｎ族原子又は第■族原子の分布濃度
ＣがＣユなる一定値をとり、位置ｔｌよシ自由表面側の
端面位置ｔＴまでは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置ｔＴにおい
ては第■族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃが０３とな
る。

第２１図は、他の典型例の１つを示している。

該例では、光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる
まで、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる。

第２２図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２″！、で
は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６な
る一定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは
、第■族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７か
ら徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいては第■族原
子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

但し、ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合
をいう。

第２３図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔＴにいたる址で、濃度Ｃ
８から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては第■
族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとな
る。

第２４図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度
Ｃ９の一定値にあシ、位置ｔ３から位置ｔＴの間におい
ては、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１ｏ　となるまで、−次間数
的に減少する。

第５図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢよシ装置ｔ４にいたる呼では濃度Ｃ
１□の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔＴまでは濃度
Ｃ工、から濃度Ｃ１３となる寸で一次関数的に減少する
。

第２６図に示す例においては、第■族原子又は第■族原
子の分布濃度Ｃば、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる丑で
、濃度０１４から実質的にゼロとなる珠で一次関数的に
減少する。

第２７図に示す例では、第１ｎ族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたる壕で濃度
Ｃ１，５から濃度Ｃ１６となるまで一次関数的に減少し
、位置ｔＢから位置ｔＴまでは濃度Ｃ工６の一定値を保
つ。

最後に、第２８図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１マであ
シ、位置ｔＢから位置上〇までは濃度Ｃ工、からはじめ
はゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、
位置ｔ６では濃度０１８　となる。次に、位置ｔ６から
位置ｔｙまでははじめのうちは急激に減少し、その後は
緩かに徐々に減少し、位置ｔヮにおいては濃度Ｃ工９と
なる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくり
と徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ工。となる。

また更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたる寸では、濃度
０２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、光受容層の支
持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、光受容層の自由表面側においては
、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的
にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持
体側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましく
は該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ
以内に設けることにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度が高爽度である層領域が電荷注入阻止層を形成
するという前述の作用効果がより一層効率的に奏される
。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述しだが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および光受容
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光賊に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であわ、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とス・々ツタリング法とを同一装
置系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）で構
成される光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓｊ
）を供給しうるＳＩＩ供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し
うる水素原子（Ｉ−■）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ
）供給用の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に
所望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を
生起せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支持
体表面上に、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を
形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ、４Ｈ□。等の
ガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）が
挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点から、５ｉ）Ｔ４およびＳｉ２Ｈ６が
好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなねうる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｃ）ｅ３Ｈ８、Ｇｅ、Ｈｌ
（１、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇ　ｅ６　Ｈｌ　４、Ｇ　ｅ７　
Ｈ１６、ＧｅＢＨＩＢ、ＧｅｇＨ２０等のガス状態の又
はガス化（７うる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇθ供給効率
の良さ等の点から、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６、およびＧ　
ｅ３　ＨＢが好ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くの・・ロゲン化合物があり、例えばハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、・・ロゲン間化合物、・・
ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガ
ス化しうるハロデン化合物を用いることができる。具体
的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のノ・ロデンガス
、ＢｒＦ、　Ｃ１Ｆ１ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、
工Ｆ３、ＩＰ、７．１呪、ＩＢｒ等の／’％ロゲン間化
合物、抄よびＳ　Ｉ　Ｆ４、Ｓ　ｉ２　Ｆ６、ＳコＣ１
４、ＳｉＢｒ４等の・・ロゲン化硅素等が好丑しいもの
として挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓ］原子共給川用利ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にノーロゲン原子を含有するａ−３ｊで構成され
る層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓ１供給用の原料ガスとなる・・ロゲン化硅
素とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ
、　Ｆ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量に
なるようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、
支持体上に光受容層を形成するものであるが、電気的あ
るいは光電的特性の制御という点で極めて有効であると
ころの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にする
ためには、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガ
スを混合することもできる。該水素原子供給用のガスと
しては、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４、Ｓ　１２　Ｈ６
、Ｓ　ｉ　３　Ｈ８，５ｉ４ＨＨ）　　等の水素化硅素
のガスが用いられる。また、水素原子供給用ガスとして
、ＨＦ、　ＨＯｌ、　ＨＢｒ、　ＨＩ　　等のハロゲン
化物、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２工２、ＳｌＨ２Ｏ１２、
Ｓｌ、Ｈｅ４．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　　等の
ハロゲン置換水素化硅素等のガス状態のあるいはガス化
しうるものを用いた場合には、・・ロゲン原子（Ｘ）の
導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、有効で
ある。

スノぐツタリング法によってａ−８ｊＧｅ　（Ｈ、Ｘ）
で構成される光受容層を形成するには、シリコンから成
るターゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの
二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるタ
ーゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・々
ツタリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。

ス・Ｑツタリング法およびイオンシレーティング法のい
ずれの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せ
しめるには、前述のハロゲン化物又は・・ロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを唯積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あ
るいは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマ
ニウム等のガス類をスノξツタリング用の堆積室内に導
入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよ
い。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前
記のハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＯｌ
、　ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５１Ｈ２Ｆ２
、ＳｉＨ２工２．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＯ１３、Ｓｉ
、Ｆ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅
素、およびＧｅＨＦ３、ＧｅＦ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、　
ＧｅＨＣｌ）３、（）ｅＨ２０１２、ＧｅＨ３Ｃ７，Ｃ
）ｅＨＢｒ３、Ｇｅ’Ｈ２Ｂｒ２、Ｇｅ’Ｈ３Ｂｒ、　
ＧｅＨ工３、（）ｅＨ２工２、Ｇ　ｅＨ３Ｉ等の水素化
ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ４、Ｇ
ｅＢｒ、、Ｇｅ工４、ＧｅＦ２、Ｇｅ（：！６２、Ｇ　
ｅ　Ｂｒ２、Ｇｅ工２等のハロゲン化ゲルマニウム等々
のガス状態の又はガス化［７うる物質も有効な出発物質
として使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は
、好ましくは帆０１〜４０　ａｔｏｍｉ、ｃチ、より好
適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０
．１〜２５ａｔｏｍｊ、ｃ％とするのが望ましい。

グロー放電法、ス・々ツタリング法あるいはイオンシレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、［ａ−８ｆｇｎ（Ｈ，Ｘ）ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（Ｓｎ　）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する
層中へのその量を制御しながら含有せしめることによっ
て行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなシうる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ，）やＳｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎＯ１２、Ｅｎ、Ｃ１１，、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢ
ｒ４、ＳｎＩ２、ＳｎＩ４等のハロゲン化スズ等のガス
状態の又はガス化しうるものを用いることができ、ハロ
ゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロゲ
ン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成するこ
とができるので、特に有効である。なかでも、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、５
ｎ（Ｊ、が好ましい。

そして、５ｎＯ１４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ、等の不活
性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望丑しく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、ス・Ｑツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、第１■族原子又は第Ｖ族原子を
含有するａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）又は／及びａ−
８ｉＳｎ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層又は一部の層領
域を形成するには、上述のａ　−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又
は／及びａ−８ｆｇｎ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層の
形成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質を、ａ−８ｆ、Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ　）又は／及びａ−８
ｆｇｎ　（Ｈ、Ｘ　）形成用の出発物質°とともに使用
して、形成する層中へのそれらの量を制御し表から含有
せしめることによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、：５２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１ｏ、Ｂ５Ｈ９、
Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６　Ｈｌｏ　、　ＢａＨｌｚ、Ｂ６Ｈ１
４等の水素化硼素・ＢＦ３・ＢＯ４、ＢＢｒ３等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。

この他、ＡｌＣｅ３．０ａＣ１３、Ｇａ（ＣＨ３）２、
■ｎｃｌ１３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ，
工、ＰＦ３、ＰＩＴ’５、ＰＯ２、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３
、ＰＢｒ３、Ｐ工３等のハロゲン北隣が挙げられる。こ
の他、Ａ８Ｈ３、ＡｓＦ３、ＡＳＣｅ３、ＡｓＢｒ３、
ｉＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５ｂＯ１３，
５ｂ（Ｊ５、ＢｉＨ３、Ｂ１０１３、Ｂ１Ｂｒ３　等も
第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、ス・々ツタリング法等を用いて形成す
るが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、第■族原子又は第■族原子、あるいは水
素原子及び／又はハロゲン原子の各々の含有量の制御は
、堆積室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガ
ス流量あるいは各々の原子供給用出発物質問のガス流量
比を制御することにより行われる。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電・々ワー等の条件は、所望の特性を有する光受容
部材を得るためには重要な要因であシ、形成する層の機
能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに
、これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる一Ｆ
記の各原子の種類及び量によっても異なることもあるこ
とから、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも
考慮をはらって決定する必要もある。

具体的には、ａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
する場合、あるいは第■族原子又は第■族原子を含有せ
しめたａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）からなる層を形成す
る場合については、支持体温度は、通常５０〜３５０°
Ｃとするが、より好ましくは５０〜３００°Ｃ１特に好
ましくは１００〜３００°Ｃとする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜５’ｒｏ
ｒｒとするが、好ましくは、−０，００１〜３　Ｔｏｒ
ｒ、特に好ましくは０．１〜ｌ　Ｔｏｒｒとする。まだ
、放Ｆ　、Ｑワーは０．００５〜５０Ｗ／ｃＴＬ２とす
るのが通常であるが、好壕しくは０．０１〜３０　Ｗ　
／Ｃｍ”、特に好ましくは０　、０１〜２０　Ｗ　／Ｃ
ｒ／Ｌ２とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電・ξワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
を均一とするためには、光受容層を形成するに際して、
前記の諸条件を一定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子あ
るいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向
に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する光受容
層を形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば
、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第■族
原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内
に導入する際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜
変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そ
して、ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば
手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定
のニードル、２ルプの開口を漸次変化させる操作を行え
ばよい。このとき、流量の変化率は線型である必要は々
く、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された
変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を
得ることもできる。

まだ、光受容層をス・々ツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第■族原
子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変
化させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グ
ロー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原子又
はスズ原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入
する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
は々い。

各実施例においては、 光受容層をグロー放電法を用いて形成した。第２９図は
グロー放電法による本発明の光受容部材の製造装置であ
る。

図中の２９０２．２９０３．２９０４．２９０５．２９
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するだ
めの原料ガスが密封されており、その−例として、たと
えば、２９０２ばＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９チ）
ボンベ、２９０３はＨ２で稀釈されだＢ２Ｈ６ガス（純
５７一 度９９．９９９係、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈθと略す。）ボン
ベ、２９０４はＳｉ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９係）
ボンベ、２９０５はＧｅＨ，ガス（純度９９．９９９％
　）ボンベ、２９０６は不活性ガス（Ｈｅ）ボンベであ
る。そして、２９０６’は５ｎＣｔ４　が入った密閉容
器である。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６、
リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し又
、流入、？ルプ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９１
７〜２９２１、補助バルブ２９３２．２９３３　が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２９３４を
開いて反応室２９０１、ガス配管内を排気する。次に真
空計２９３６の読みが約５　Ｘ　１ｆｌ−６ｔｏｒｒに
なった時点で、補助バルブ２９３２．２９３３、流出、
２ルブ２９１７〜２９２１を閉じる。

基体シリンダー２９３７上に光受容層１０２を形成する
場合の一例をあげる。ガスボンベ２９ｏ２よりＳｉＨ，
／Ｈｅガス、ガスボンベ２９ｏ５よりＧｅＨ，／Ｈｅガ
スの夫々をバルブ２９２２．２９２５　　を開いて出口
圧ダージ２９２７．２９３０　　ｆ７）圧をｌ　Ｋｇ　
／ｌｙｎ”に調整し、流入バルブ２９１２．２９１５　
　を徐々に開けて、マスフロコントローラ２９０７．２
９１０　　内に流入させる。

引き続いて流出バルブ２９１７．２９２０．　補助・＜
ル１２９３２を徐々に開いてガスを反応室２９０１内に
流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量、ＧθＨ４ガ
ス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２９］、
７゜２９２０を調整し、又、反応室２９０１内の圧力が
所望の値になるように真空計２９３６の読みを見ながら
メインバルブ２９３４の開口を調整する。そして基体シ
リンダー２９３７の温度が加熱ヒーター２９３８によＩ
）５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電源２９４０を所望の電力に設定して反
応室２９０１内にグロー放電を生起せしめるとともに、
マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらか
じめ設計された変化率線に従って、ＧｅＨ，ガス流量と
ＳｉＨ４ガス流量の比を制御しながら、基体シリンダー
２９３７上に先ず、ダルマニウム原子を含有する光受容
層を形成する。

光受容層中にハロケ゛ン原子を含有せしめる場合には、
上記のＳｉＨ，ガスやＧθ町ガスにかえて例えば６ｔｉ
Ｆ、ガスやＧｅＦ、ガスを反応室に送り込めばよい。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもない。

まだ、光受容層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ７４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎＣ
ｔ４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎＣｔ、中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２
９０６よりＡ、ｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バ
ブリングする。発生した５ｎＣ７４のガスは、前述のＳ
ｉＨ，、ＧｅＨ，ガス等と同様の手順により反応室内に
流入させる。

実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａｔ基体（長さ３５７Ｍ、
径８０ｍｍ）に第３０図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示
すような旋盤加工を施して得た第１Ａ表上欄に示すもの
を使用した。なお、第３０　（Ａ）図はＡｔ支持体の全
体図であシ、第３（１（：Ａ１図はその部分拡大断面図
である。

次に、該Ａｔ支持体（試料Ｎ口１０１〜１０４）上に、
以下の第１Ｂ表に示す条件で、第２９図に示した製造装
置により光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したととる、第１Ａ
表下欄に示す結果を得た。

さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０　ｎｍ、スポット径８
０μｍのレーザー照射して画像露光を行ない、現像、転
写を行々つて画像を得た。

得られた画像は、いずれも干渉縞模様は全く観察されず
、そして極めて良質のものであった。

なお、第３１　（Ａ１図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第３１　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、３１０１第　　
Ｉ　　Ａ　　表 〜６２− 第　　Ｉ　　Ｂ　　表 ＡＡ基体温度：２５００Ｇ 放電周波数：　１３．５６　Ｍ１１７ 実施例２ 実施例１と同様にして第２Ａ表上欄に示すようなＡｔ支
持体（試料Ｎｏ、２０１〜２０４）を得た。

次に得られた各々のＡ、を支持体上に第２９図に示した
製造装置を用い、第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光
受容層を形成した。この際ＧｅＦ４ガス及びＳｉＦ４ガ
ス流量の変化は、各々第３２図及び第３３図に示す流量
変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により、
自動的に調整した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で層
厚を測定したところ第２Ａ表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

６６一 実施例３ 実施例１と同様にして第３Ａ表上欄に示すＡｔ支持体（
試料Ｎｏ、３０１〜３０４）を得た。

次に得られた各々のＡｌ支持体（試料Ｎｏ、３０１〜３
０４）上に、第３Ｂ表の層形成条件とした以外は実施例
１と同様にして光受容層を形成し、こうして得られた光
受容部材について実施例１と同様々方法で層厚を測定し
たところ第３Ａ表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について実施例１と同様の方法で画
像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られた。

第　　３　　Ａ　　表 ６８一 実施例４ 実施例１と同様にして第４Ａ表上欄に示すＡｔ支持体（
試料Ｎｏ．４０１〜４０４）を得た。

次に得られた各々のＡ７支持体上に第２９図に示した製
造装置を用い、第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した。得られた光受容部材について実施例１
と同様な方法で層厚を測定したところ第４Ａ表下欄の結
果を得だ。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

実施例５ 第５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料Ｎ
ｏ、　１０１〜１．０４　）　」−に光受容層を形成し
た。この際Ｈ，ガス及びＰＨ３／　Ｈ，、ガスのガス流
量は各々第３４図および第３５図に示す流量変化線に従
って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調
整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好彦結
果が得られた。

実施例６ 第６表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｌ支持体（試料Ｎ
ｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際
ＧθＦ４ガス、ＳｉＦ、ガス、Ｈ，ガス及びＢ２Ｈ６／
　Ｈ２ガスのガス流量は各々第３６図、第３７図、第３
８図および第３９図に示す流量変化曲線に従って、マイ
クロコンピュータ−制御により、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

実施例７ 第７表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はずべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料Ｎｏ
、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

７７一 −ｔ５一 実施例８ 第８表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料Ｎ
ｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際
ＧθＨ４ガス、Ｓ　ｉＨ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス
のガス流量は各々第４０図、第４１図および第４２図に
示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−制
御によシ、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

−８０＝ 実施例９ 第９表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、ｈｌ支持体（試料Ｎ
ｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際
５ｉｎ４ガス、ＧｅＦ、ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ，ガスの
ガス流量は各々第４３図、第４４図および第４２図に示
す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−制御
により、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

＝８］　− −８２一 実施例１０ 第１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ｐ、を支持体（試
料Ｎｏ、１０１〜１ｏ４）上に光受容層を形成した。こ
の際Ｂ、Ｈ６／Ｈｅガスのガス流量は第４５図に示す流
量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−制御によ
り、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

−８４一 実施例１１ 第１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料
Ｎｏ、１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この
際ＳｉＨ４ガス、ＧθＨ４ガス（又ハＳｎ　ＣＺ４　／
　ＨＦ３ガス）及びＢ２　Ｈ６／’Ｈ２ガスのガス流量
は各々第４６図、第４７図および第４８図に示す流量変
化曲線に従って、マイクロコンピュータ−制御により、
自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例】と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の光受容部材の層構造を模式的に示し
た図であり、第２乃至５図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉現象防止の原理を説明するだめの部分拡大図で
ある。第６乃至１０図は、従来の光受容部材における干
渉現象の発生を説明するための部分拡大図である。第１
１〜１９図は、本発明の光受容層におけるゲルマニウム
原子又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図であ
シ、第２０〜２８図は、本発明の光受容層における第■
族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態を表わす図
であり、各図において、縦軸は光受容層の層厚を示し、
横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第２９図は、
本発明の光受容部材の光受容層を製造するための装置の
一例で、グロー放電法による製造装置の模式的説明図で
ある。第３０図は、本発明の円筒状アルミニウム支持体
の表面処理を説明する図であり、第３１図はレーザー光
による画像露光装置を説明する図である。第３２乃至４
８図は、本発明の光受容層形成におけるガス流量比の変
化状態を示す図であり、縦軸は光受容層の層厚、横軸は
使用ガスのガス流量比を表わしている。 第１乃至４図について、 １０１、２０１．３０１．４０１・・・支持体、１０２
．２０２．３０２゜４０２’、　４０２″・・・光受容
層、１０３．２０３．３０３．４０３・・・自由表面、
２０４．３０４．４０４・・・支持体表面と光受容層と
の界面、 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７０３・・・光受容層、８０１
・・・支持体、８０２・・・光受容層、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９０３・・・第２層、１０
０１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１００３
・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面、第２
９図において、 ２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’・・・５ｎＣｔ４用密閉容器、２９
０７〜２９１１−−＝ｒガスロコントローラ、２９１２
〜２９１６・・・流入バルブ、２９１７〜２９２１・・
・流出パルプ、２９２２〜２９２６・・・ｉＺ　ルプ、
２９２７〜２９３１・・・圧力調整器、２９３２　。 ２９３３・・・補助パルプ、２９３４・・・メインノζ
ルブ、２９３５・・・リークバルブ、２９３６・・・真
空計、２９３７・・・基体シリンダー、２９３８・・・
加熱ヒーター、２９３９・・・モーター、２９４０・・
・高周波電源、 第３１図において、 ３１０１・・・光受容部材、３１０２・・・半導体レー
ザー、３１０３・・・ｆθレンズ、３１０４・・・ポリ
ゴンミラー。 （’３ ピ呻■ 第５図 位置 第７図 位置 第１０図 位置 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 □Ｃ 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 “１ベニニ暖 区　　　　　　　区 會、、１Ｍ：ＩＩ □Ｃ 区 Ｏ 綜 第３０図 Ｇ　ｅ　Ｆ　４ガス 第３３図 ＳｉＦ４ガス Ｈ２ガス 第旺図 ＰＨ３／Ｈ２ガス 第３６図 Ｇ　ｅ　Ｆ　４ガス 第３７図 ＳｉＦ４ガス 第３８図 ３００　　　ＳＣＣＭ Ｈ２ガス 第３’ｉ図 ３ＱＱ　　　　　ＳＣＣＭ Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス 第＋Ｏ図 μｍ Ｇ　ｅ　Ｈ４ガス 第４−１図 ＳｉＨ４ガス 第４２図 Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス 第４３図 ２００　　　３００　　３８０　　　ＳＣＣＭＳｉＨ４
ガス １００　　　２００　　　３００　　　ＳＣＣＭＧ　ｅ
　Ｆ４ガス ２５０　　　　　　ＳＣＣＭ Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス 第九図 ）ｔｍ １００　　　　　　　　　　　　　　　ＳＣＣＭＳｉＨ
４ガス 第４７図 μｍ ２０　　１００　　　２００　　　　　　ＳＣＣＭＧｅ
Ｈ４ガス 又は ５ｎｃｚ４／Ｈｅガス

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   またはスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有する
   非晶質材料で構成された光受容層を有する光受容部材に
   おいて、ショートレンジ内に少なくとも一対の非平行な
   界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の
   少なくとも一方向に多数配列していることを特徴とする
   光受容部材。
2. （２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規則
   的に配列している凹凸に基づいて形成されている特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
7. （７）支持体の表面に設けられた規則的に配列している
   凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形である特許請求の範
   囲第（６）項に記載の光受容部材。
8. （８）逆Ｖ字形の傾面の傾きが１〜２０度である特許請
   求の範囲第（７）項に記載の光受容部材。
9. （９）逆Ｖ字形が二等辺三角形である特許請求の範囲第
   （７）項に記載の光受容部材。
10. （１０）逆Ｖ字形が直角三角形である特許請求の範囲第
    （７）項に記載の光受容部材。