JPS6125151A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、゛
デジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容
部材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、
次いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処
理を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に債れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒａ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のａ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子
や／＼ロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間１．又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ−５ｔ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化しているも この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重。と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光゛Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入厚差で不
均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のどちらに合
うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化
を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
に、よる相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様
に対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−３ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ８となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ８．となる
。透過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光に、、に２．に３・・・番と
なり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光
Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干麺して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄＩ＝ｍ入また
は２ｎｄ１＝（ｍ十繕）λが成立ち、夫々明部゛または
暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄｔ
　Ｔａ２　Ｔａ３　Ｔａ４の夫々−性があるため明確の
縞模様、が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体りに多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、支持体と；シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多層構
成の光受容層と；を有し、前記光受容層がショートレン
ジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面
が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列
し、該非平行な界面が配列方向において各々なめらかに
連結している光受容部材において、前記第１の層中にお
け声ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
あることを特徴としている。

以下１本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において、装置の要求解像力よりも微小でなめら
かな凹凸形状を有する支持体（不図示）丑に、その凹凸
の傾斜面に沿って多層構成の光受容層を有する。該光受
容層は第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層
６０２の層厚ｄ５からｄ６と連続的に変化している為に
、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有してい
る。

従って、この微小部分（ショートレンジ）ｆＬに入射し
た可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小
な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光量◇に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　」）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ＣＢ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄｙ≠ｄｅ）でも同様にいえる為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）４参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側か゛
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉｏに対
して、反射光Ｒ＋　、　Ｒ２、Ｒ３，Ｒ，１，Ｒｓが存
在する。その為各々の層で第７図を以って前記に説明し
たことが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾刺面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の−・周
期分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌで
ある。

この様に設計することにより１回折効果を積極的に利用
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄも）は、照射光の波
長をλとすると、 であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が、 ４　　　　　（ｎ二層の屈折率） 　ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成′するシリコン原子とゲルマニウム原子
を含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成に
は、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に
、層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラ
ズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が
採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は１円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。　この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有す
る。この様な構造の一例を第９図に示す。第９図におい
てＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、
Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−３ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様←支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２゛には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００７ｚｍ
〜０．３ｐｍ、より好ましくは２００７ｚ、ｍ　〜ｌｐ
ｍ、最適には５０ｇｍ　〜５ｐｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇ、ｍ−５ｐ 最適には０．６ｇｍ〜２ｐＬｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、隣接する凹部と凸部の各々の極小値点と極大値
点とを結ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、
より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１ｇｍ〜２＃Ｌｍ、より好ましくは０　、　１　ｇｍ　
〜１　、　５ｐＬｍ、最適には０．２ｐｍ〜１ルｍとさ
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材における光受容層はシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多
層構成となっているため、極めて優れた電気的、光学的
、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が早い６以下、図面に従って、本発明の光受
容部材に就て詳細に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第ｉｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有す
る。

光受容層１０００は、支持体１ｏｏｉ側よりゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを含有し必要に応じて水素原子
及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む非晶質
材料（以後ｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する）
で構成された第１の層（Ｃ；）１００２と必要に応じて
水素原子及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含
むａ−５ｉ（以後ｒａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）
で構成され光導電性を有する第２の層（Ｓ）１００３と
が順に積層された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体１００１の設けられである側と
は反対の側（光受容層１Ｏ００の表面側）の方に対して
前記支持体１００１側の方に多く分布した状態となる様
に前記第１の層（Ｇ）１’００２中に含有さ・れる。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分ＩＩｊ状態とされるのが望ま
しいものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全匍域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との間におけ
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部にお
いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（３）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又１本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

尚、各図において、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなるため、極端な
形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解さ
れたい。　実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れるべく、所望される分布濃度線が得られるように、ｔ
、（ｉ≦ｉ≦８）又はＣ，（１≦ｉ≦２０）の値を選ぶ
か、あるいは分布カーブ全体に適当な係数を掛たものを
とるべきであ−る。′ 第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れ６第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢより１．の位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置１．よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
−ｒにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３と
される。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ３となる様な分布状態を形成している。

第１３図に場合には、位＠ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位−Ｗ　ｔ　２と位、犀１　Ｔとの間において、徐々
に連続的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは
実質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限
界量未満の場合である）。

第１４図に場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ＥＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ−ｒにおいて実質的に零とさ
れている。

第１５図に示す例に於いては、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位置１３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔＴに於いては濃度ＣＩＯとされ
る。位置ｔ３と位置ｔ−ｒとの間では１分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
ｎより位置ｔ４までは濃度ＣＩ＋の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔ−ｒまでは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より濃
度Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ
、との間においては、濃度ＣＩ６の一定価とされた例が
示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ａｔｅとされる。

位置ｔもと位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置計〇との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る。

位置ｔ８と位置ｔ□との間においては濃度ｃ２゜より実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層ＣＧ）中
の含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ＬＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
る。

本発明における受容部材を構成する光受容層を４＃！成
する第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子が比較的高法度で含有されてい
る局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ｐ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位ｗｔ
Ｂより５角厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、より好適には
５０００ａｔ　ｏｍｆ　ｃｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ
０４ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上とされる様な分布状態
となり得るように層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層は、支持体側からの層厚で５ｐ以内（ｔＢか
ら５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には５〜３゜ａｔ　ｏｍｉ　０％、最適には５〜
２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜状められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ１０５　ａｔ。

ｍｉｃ’ｐｐｍ、より好ましくはｌｏｏ〜８×１０５１
０５ａｔｏ’　　ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ１０５
ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましいものであ
る。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０Ａ〜５０ｇ、より好ましくは、４０Ａ　〜４０．
．最適には、５０Ａ　〜３０．とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ル、より好ましくは１〜８ｏｐＬ最適には２〜５０鋳
とされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（７Ｂ＋Ｔ）としては１両層領域に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光受容部利の層設針の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００、、より好適
には１〜８０川、最適には２〜５０終とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは ＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係
が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定される
のが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（、Ｇ）中に含有されるゲル
マニウムニウム原子の含有量がＩＸＩＯ５ａｊｏｍｉｃ
　　ＰＰｍ以上の場合には、第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢ
としては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ、以下、より好ましくは２５に以下、最適には２
０鉢以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される１例え
ば、グロー放電法によって、ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）
　で構成される第１の層ＣＧ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ１供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線
に従って制御し乍らａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）から成
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス、又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔ
で構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲット
の二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲ
ットを使用してスパッタリングする際、必要に応じて水
素原子（Ｈ）又は／及び／、＼ロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ　ｉ　３
　ＨＢ　、Ｓ　Ｉ　ｏ　Ｈｌ。等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＳ　ｉＨ４、Ｓ　ｉ７８６が
好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ、、Ｈ，、Ｇｅ３　）（８、Ｇｅ４Ｈ１ｏ　、
　Ｇ　ｅ　５　Ｈ１２、Ｇ　ｅ　６　Ｈ１４、Ｇ　ｅ　
７Ｈ１６、Ｇｅｅ　Ｈ＋　ｅ　、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス
状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に１層作成作業時の取
扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇ
ｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　Ｈ８が好ましいものとして挙げら
れる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のカス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子にハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、ＣｌＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ
、、、ＩＦ３、ＩＦ７、ＩＣｆＬ、ＩＢｒ等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子゛
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
Ｓｉ　Ｈ４，３１２Ｈ６、Ｓ　ｚ　０文。、ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体−Ｌにハロゲン原子を含むａ−３ｉＧ
ｅから成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（Ｇ
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二
枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用して
、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気゛中を通過させる事で行う
事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣｕ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化水
素、ＳｉＨ２Ｆ２、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｉ２　、Ｓ　ｉＨ２Ｃ
ｕ２　、Ｓ　１ＨｃＪ１３、ＳｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢ
ｒ３等ノハロゲン置換水素化ケイ素、及びＧｅＨＦ３　
、ＧｅＨ２Ｆ２゜Ｇ　ｅ　Ｈ３Ｆ　、　　Ｇ　ｅ　ＨＣ
見３　　、　　Ｇ　ｅ　Ｆ２　　Ｃｌ　２　　、ＧｅＨ
３Ｃｕ、ＧｅＨＢ　ｒ３　　、ＧｅＦ２　　Ｂ　ｒ２　
　、ＧｅＨ，、Ｂｒ、　　Ｇ　ｅＨｌ、、　　ＧｅＦ２
　Ｉ　２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニ
ウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物
、Ｇ　ｅ　Ｆ　４　、　Ｇ　ｅ　Ｃｌ　４　、　Ｇ　ｅ
　Ｂ　ｒ　ａ、Ｇｅ　Ｉａ　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣ見２
．ＧｅＢｒ２、Ｇｅ　Ｉ２等のハロゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る
。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２、或いはＳｉＨ４、Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓｉ
３　ＨＢ、Ｓｉ４　ＨＩ（、等の水素化硅素％Ｇｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３　Ｈ８，Ｇｅ、Ｈ
ｌ。、Ｇｅ５ＨＩ２　、Ｇｅ６　Ｉ（ｒ、、Ｇｅ７　Ｈ
，６、Ｇｅ５ＨＩ２．Ｇｅｑ、Ｆ２゜等の水素化ゲルマ
ニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

一本発明に於いて、　ａ７ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第２の層Ｃ５）を形成するには、前記した納１の層
（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を餘いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ））を使用し
て、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条
件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−５ｉ（Ｈ＊　Ｘ　）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ　−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ見、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビこリデン、ポリ
スチレン５ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

Ｓ　ｎ０２　　、　Ｉ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ２０３　＋５ｎ
０２　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂７
４ルムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＪＬ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔ　ａ　、　Ｖ　、　Ｔ　ｉ　、　Ｐ　を等の金属の薄
膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。

支持体、の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が１例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
用に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様
な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点
から、好ましくは１０ル以上とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の
光受容部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例として例えば２００２は、ＳｉＨ４ガス（純
度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉ　Ｈ４と略す）ボンベ、
２００３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下　
ＧｅＨ４と略す）ボンベ、２００４は５ｉＦａガス（純
度９９．９９％、以下Ｓ　ｉ　Ｆ４と略す）ボンベ、２
００５はＨｅガス（純度９９．９９９％）ボンベ、２０
０６はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、である
。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
また流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１．及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２０３６の読みが約５Ｘ１０−６Ｔ。

ｒｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次に、シリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｆ
Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅ’Ｈａガス、２
００６よりＨ２ガスをバルブ２０２２．２０２３．２０
２６を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０３
１の圧を１Ｋｇ７０ｍ２に調整し、流入バルブ２０１２
．２０１３．２０１６を徐々に開ケて、マスフロコント
ローラ２００７．２００８．２０１１内に夫々流入させ
る。引続いて流出バルブ２０１７、　２０１８．２０２
１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開いて夫々
のガスを反応室２００１に流入させる。このときの５ｉ
ｔ（４ガス流量、ＧｅＨ４ガス流量、Ｈ２ガス流量の比
が所望の値になるように流出バルブ２０１７．２０１８
．２０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が
所望の値になるように真空計２０３６の読みを見ながら
メインバルブ２０３４の開口を調整する。　そして、基
体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜
４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認した
後、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００
１内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計さ
れたガス変化率曲線に従ってＱｅＨ４ガスの流量を手動
あるいは外部駆動モータ等の方法によってパルプ２０１
８の開口を漸次変化させる操作を行って形成される層中
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１゛の層（Ｇ）が形成された段階において、
流出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じ
て放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って
所望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上
にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）を形成することができる。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第９図に示される形状（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ
）８０ｍｍ、ピッチ（Ｐ）２５ｇｍ、深さくＤ）０．８
層ｍの螺旋溝表面形状）のＡ１支持体を作製した。

次に、第２０図の堆積装置を使用し、第３表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、前述のＡｌ支持体上に
ａ−Ｓ＋光受容層を堆積した（試料Ｎｏ、１−’ｌ）。

なお、第１層のａ−（Ｓ　ｉ：Ｇｅ）：　８層は、Ｇ　
ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第２２図のようになる
ようにＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラ
ー２００７および２００８をコンピューター（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

別に同一の表面性の円筒状Ａ１支持体上に、第１層及び
第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外は
上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ、
第２１図（Ａ）に示す様に第２層２１０３の表面は支持
体２１０１の表面に対して平行になっていた。　この場
合　Ａｌ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差はＩ
ｇｍであった（試料Ｎｏ、１−２）。

また、前記試料Ｎ　ｏ　、　１．−１の場合には第２１
図ＣＢ）の様に第２層２１０３の表面と支持体２１０１
の表面とは非平行であった。この場合、Ａｌ支持体の中
央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０　ｐｍで第
２６図に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。第２１図（Ａ）に示す表面性の光受
容部材（試料Ｎｏ。

１−２）では干渉縞模様が観察された。

一方、第２１図（Ｂ）に示す表面性を有する光受容部材
（試料Ｎｏ、１−１）では干渉縞模様は観察されず、実
用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状ＡｆＬ支持体の表面を旋盤で、第１表のよ
うに加工した。これ等（シリンダＮ０８１０１〜１０８
）の円筒状のＡｌ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、１
−１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作
製した（試料Ｎ０９１１１〜１１８）。このときの電子
写真用光受容部材のＡｌ支持体の中央と両端部での平均
層厚の差は２・２ＪＬｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
２表の様な結果を得た。これらの光受容部材について実
施例１と同様に第２６図の装置で波長７８０ｎｍの半導
体レーザーを使い、スポット径８０ｇｍで画像露光を行
ったところ、第２表の結果を得た。

実施例３ 第３表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層のａ　　（Ｓｉ：Ｇｅ）：８層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ，＋の流量を第２３図のようになるよう
にＧｅＨ，およびＳｉＨ，のマスフロコントローラー２
００７および２００８をコンピューター（ＨＰ９Ｂ４５
Ｂ）により制御した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例４ 第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層ノミ　−（Ｓ　ｉ　：　Ｇｅ）　：　Ｈ層
は、ＧｅＨ４およびＳ　ｉ　Ｈａの流量を第２４図のよ
うになるようにＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコン
トローラ　２００７おＪ：（７２００Ｂをコンビ。−タ
ー（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。・ この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例５ 第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場５
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層ノミ　−（Ｓ　ｉ　：　Ｇｅ）　：　Ｈ層
は。

ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第２５図のようになる
ようにＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラ
ー２００７および２００８をコンピューター（ＨＰ９Ｂ
４５Ｂ）により制御した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡｌ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡｌ支持体の表面を粗面化したＡｌ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場
合と全く同様の方法でａ−３ｉ電子写真用光受容部材を
作製した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
ｌ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８ｇｍであることが判
明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
２６図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

第１表 第２表 ×　実用には適さない Δ　実用的に十分である ０　実用的に良好である Ｏ　実用に最適である 第３表 ［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には高光感度性。

高ＳＮ比特性、及び支持体との間に良好な電気的接触性
を有し、デジタル画像記録に好適な光受容部材を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である操合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図は支持体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明するための説明図である。 第２０図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第２１図は、実施例で作製した光受容部材の構造図であ
る。 第２２図から第２５図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置である。。 “　　　　　　　　　　　　　　１．、、。 １０００・・・・・・・・・光受容層 １００１・・・・・・・・・Ａ文支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層 １００３・・・・・・・・・第２の層 １００４・・・・・・・・・光受容部材２６０１・・・
・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・・・・・
・・・・半導体レーザー２６０３・・・・・・・・・ｆ
Ｏレンズ２６０４・・・・・・・・・ポリゴンミラー２
６０５・・・・・・・・・露光装置の平面図２６０６・
・・・・・・・・露光装置の側面図。 ［）て二二て〕コ ＠　３　図 ｗ　４　図 第　５　図 （Ａ）　　　　　　　　　　　（Ｂ） （Ｃ） Ｒ 第９図 第１０図 第　１１　図 箪　７２　　図 ＠　／３　図 ｍ　／４　　図 −と− 第　ｌダ　図 し 第１６図 笛１７　図 第　Ｉ８　　図 音／２　図 第２１図 第２２ｒＩ！Ｊ ＠Ｍ（分） １１２３　図 ８ｆ藺（金） ＄　２４図 第２５　　閃 １１ｆＦｌｌ’ｌ（匍 第２６図

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
   含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
   を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
   が支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と；
   を有し、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の
   非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
   な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非平行な界
   面が配列方向において各々なめらかに連結している光受
   容部材において、前記第１の層中におけるゲルマニウム
   原子の分布状態が層厚方向に不均一であることを特徴と
   する、光受容部材。
2. （２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
4. （４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
   、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。
6. （６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
   て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
   容部材。
7. （７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
8. （８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
   いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第７項に記載の
   光受容部材。
9. （９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
   範囲第８項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受
    容部材。
11. （１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿つている、特許請求の範囲第７項に記
    載の光受容部材。
12. （１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
    求の範囲第５項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
    の範囲第１２項に記載の光受容部材。
14. （１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
    載の光受容部材。