JPS6194050A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５８−８
３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−３ｉ」　と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

丙午ら、光受容層を単層構成のａ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２Ωｃ１１以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１８１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造」−の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ０と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλλ 浮蓋で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ−（ｍ十−
）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１００００Ａの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、−これ等従来の方法では、画像上に現われる干
渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−９ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■ｏは、光受容Ｒ３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光　■１　　とな
る。透過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その
一部は、光散乱されて拡散光ＫＩ　、に２　＋に３・・
・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その
一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反
射光Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為
、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１０表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
ギが多く、目−っ同一ロットに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ。

−ｍλまたは２ｎｄ１＝　（ｍ＋局）入が成立ち、夫々
明部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄ＋　、ｄ２．ｄｌ、ｄｎの夫々の差のλ あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用〒きる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

、本発明は、シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む
非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含
む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と反
射防止機能を有する表面層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成の光受容層を有しており、前記光受容層は
、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少
なくとも一種を含有し、且つショートレンジ内に１対以
上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と
垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列している事を
特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾胴面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄＳか
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが卵子行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ（、に対す
る反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
　（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（’ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行
な場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干＃縞模様の
明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７〜ｄ８）であっても同様に云え
る為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対
して、反射光Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３Ｒ４＋ＲＳが存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　　　ｄ＋、）は、照射光の
波長を入とすると、 ｄＳ　−ｄ６　≧　　□ ｎ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が Å 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、施盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺線構造を有する。逆■字形突起部の螺線
構造は、二重、三重、多重螺線構造、又は交叉螺線構造
とされても差支えない。

或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ　−Ｓ、ｉ層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００騨〜０
．３μ、より好ましくは２００Ｉｕｎ〜１騨、最適には
５０μ〜５μであるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．ＩＩＬ１１〜
５坤、より好ましくは０．３Ｊ１ｆｆｉ〜３　）ｕｓ　
、最適には０．６牌〜２牌とされるのが望ましい。支持
体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場
合、四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好まし
くは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適
には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１戸〜２障、より好ましくは０、　＋１１ｍ〜　１．
５μ、最適には０．２ｐ〜１牌とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防止機能を有する表面
層が支持体側より順に設けられた多層構成となっており
、優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは、次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、表面層を堆積する感光層
の屈折率をｎａすると、 ｎ引ｉ の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ｕ＋とされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２、
ａｘ２Ｑ３．　Ｚｒ０７、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　Ｃｅ
Ｏ２、ＣｅＦ２．５１０２、ＳｉＯ、Ｔａ２０５　、　
ＡｌＦ２．　ＮａＦ　、Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物や無
機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、
ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化
合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的柱つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　＋００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−５ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の層（Ｓ）　１００３と、反射防止機能を有
する表面層１００６とが順に積層された層構造を有する
。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長連
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より
好ましくは１００〜８ＸＩＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔｅｌは、好ま
しくは３０八〜５０ＪＬ、より好ましくは、４０Ａ〜４
０用、最適には、５０Ａ〜３０ＩＬとされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０用、より好ましくは１〜８０ＩＬ、最適には２〜５０
ｐとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ、＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔａ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００Ｗ、より好適
には１〜８０ル、最適には２〜５０Ｉｉ、とされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ［ｌ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、　／　Ｔ
≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な
数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ、及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、　／　Ｔ≦０．９．最適
にはＴ、　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏ１０５ａｔ
ｏ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔａとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０用以
下、より好ましくは２５用以下、最適には２０ＩＬ以下
とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る
層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構
成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの二
枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲット
を使用してスパッタリングする際、　　゛必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い
。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈａ　、　５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４１Ｇｅ２Ｈ６１Ｇｅ３Ｈ８１Ｇｅ４Ｈ１０＋　Ｇｅ５
Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈｔａ　＋　Ｇｅ７Ｈ１６＋　ＧｅＢＨ
１８＋　ＧｅｇＨ２０等のガス状Ｍの又はガス化し得る
水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率
の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢが
好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素ノハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＩｆｆＦ、ＣＩ！Ｆ３　、　ＢｒＦ５
　、　ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、ＩＣｉ　、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉｃｔ４．　ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

・　グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の
層（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給
用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｆ２．Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の
層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原
子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　　ＨＣＩ、　ＨＢｒ。

）（Ｉ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ
２１２。

ＳｉＨ２α２　ｔ　’　Ｓ　＋　ＩＣ１ｇ　＋　Ｓ　ｉ
　Ｆ２　Ｂｒ２１　Ｓ””　”３等のハロゲン置換水素
化硅素、及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、　Ｇｅ
Ｈ３Ｆ。

ＧｅＨＣｆｆｉ　３　、　ＧａＦ２　Ｃｌ　２　、　Ｇ
ｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢｒ３ 水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４゜ＧｅＣ１ｆ４　
　、ＧｅＢｒ４　　、ＧｅＩ４．ＧｅＨ７，Ｇｅ（４７
、ＧｅＢｒ２　　。

ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＩ７．或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＲ、５ｉ４ＨＨ（、等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ４＋　”’２Ｈ６＋　Ｇｅ３Ｈ８＋　Ｇｅ
４Ｈ１０＋　Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７Ｈ
１６＋　Ｇｅ８ＨＩ８　＋　”’９Ｈ２０等の水素化ゲ
ルマニウムと８１を供給する為のシリコン又はシリコン
化合物とを堆積室中に共存ｙせて放電を生起させる事で
も行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．１〜４０　
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又ｔ±／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ　−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成ｙれる
第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
ＣＧ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（
Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（
Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行う
ことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合に
は、例えばＡｒ、Ｈσ等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成された
ターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２層
（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より
好適には５−３５−３０ａｔｏ％、最適には５〜２５ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選釈される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又ｔ±不均一な分布状態で含有され
る。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は
、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、
光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在さ
せても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均−で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（（ＩＧＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＧＮ）に直に接触して他の層側゛域
が設けられる場合には、該他のＭ債域の特性や、該他の
層領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて
、原子（ＯＧＮ）の含有量が適宜逮択される。

層領域（ＯＧＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜決められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏ層ｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には（１−０（１３〜３Ｑａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣ：Ｎ）が光受容層の全域
を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、
層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（ＯＣＮ）の含有量の」１限は、前記の値より
充分小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
にはＩＯａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
１体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで
、支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが
出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、Ｉｖ
素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば
酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良
い。

第１６図乃至第２４図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第１６図乃至第２４図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
１丁は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＮ）はｔＢ側より１丁側に向って層形成がなされ
る。

第１６図には、層領域（ＱＣ：Ｎ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１
の門型例が示される。

第１６図に示される例では、原子（０１１１：Ｎ）の含
有される層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域
（ＯＣＮ）の表面とが接する界面位置ｔＢより１１の位
置までは、原子（ＯＧＮ）の分布濃度ＣがＣ！なる一定
の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（Ｏ
ＣＮ）に含有され、位置ｔ１よりは濃度ｃ２より界面位
置を丁に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面
位置１Ｔにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度
Ｃ３とされる。

第１７図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位ＺｔｔＢよりｔ丁に至るまで濃
度Ｃ１１から徐々に連続的に減少して位置ｔ□において
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１８図の場合には、位置１Ｂより位置し２までは原子
（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、
位置ｔ２と位置１丁との間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１９図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置１．より位置１丁に至るまで、濃度ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置を丁において、実質的に零とされ
ている。

第２０図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置を日と位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１゜とされる。位
置ｔ３と位置ｔ□との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している。

第２１図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度ＣＩ＋の一定値を取り、位置
ｔ４より位置１丁までは濃度０１２より濃度Ｃ１３まで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２２図に示す例においては、位置ｔＢより位置１丁に
至るまで、原子（ＯＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２３図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ｃＩｓより０１
６までの一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置１Ｔと
の間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示さ
れている。

第２４図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいては濃度０１７であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｌフより初めは緩やかに
減少よれ、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ’ＩＯとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７どの間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置計８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置１丁の間においては濃度
Ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第１６図乃至第２４図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（ＱＣ：Ｎ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＱＣ：Ｎ）が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受
容層との間の密着性をより一層向上させることが出来る
。

上記局在領域（Ｂ）は、第１８図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置を日より５ｐ−以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５ＪＬ厚までの全領域（ＬＴ　）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌ、）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＱＣ：Ｎ）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃｔｓａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ＊ｉｃ　ｐｐ
ｍ以上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（
ｔｏから５ｐＬ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｗ
ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において。屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第１６図乃至第１９図、第２２図及
び第２４図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＱＣ：Ｎ）の含有さ
れた層領域（ＱＣ：Ｎ）を設けるには、光受容層の形成
の際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受
容層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＱＣ：Ｎ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（８０２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、四重酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシ
ロキサン（Ｈ３５ｉＯ３ｉＨ３）、トリシクロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキサン
、メタン（ＣＨ４）　、エタン（Ｃ２Ｈ６）　、プロパ
ン（Ｃ３Ｈｓ　）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ，ＩＨｌ。）、
ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）　。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（ＣＬ＋Ｈ８）、
ブテン−２（Ｃ，１Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）
、ペンテン（Ｃ５Ｈ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４
のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素
（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、
三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙
げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｈ４、カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＧＮ
）の含有される層領域（ＯＣＭ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＣＩＣＮ）
を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃを
変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガス
を、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化
させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状ｆｆｉ　（ｄｅｐ４ｈｐｒｏｆ　ｉ　Ｉｅ）を形成
するには、第一には、グロー放電法による場合と同様に
、原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを
堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変
化させることによって成される。第二にはスパッタリン
グ用のターゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合さ
れたターゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２
との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化
させておくことによ成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＸ、Ｃｒ、　Ｎｏ、Ａ
ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等
の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテ−Ｉ・、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮ１Ｇｒ、Ａｆ、
　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ＩＴＯ
（Ｉｎ２０３　＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設け
ることによって導電性が付与され、或いはポリエステル
フィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　
ＡＩ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｏ
ｒ、Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、Ｔａ、■、Ｔ１、ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形
状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例
えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用光受
容部材として使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様に適
宜決定されるが、光受容部材として、可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な場
合支持体の製造上及び取扱い上、機能的強度の点から、
好ましくは１０ル以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１２図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｇのガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下、ＳｉＨ，＋と略す）ボンベ、２００
３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ，
と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９．９９
９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００６はＨ２ガス（
純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスポ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１８、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯガス、２００６よりＨ２ガスをバ
ルブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２６を開いて
出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２８．２０３１
の圧をＩ　Ｋｇ／ｃｍ’に調整し、流入バルブ２０１２
．２０１３．２０１４．２０１６を徐々に開けて、マス
フロコントローラ２００７．２００８．２００８．２０
１１内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１
７．２０１８．２０１９．２０２１、補助バルブ２０３
２、２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００
１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ４
ガス疏量、Ｎｏガス流量とＨ２ガス流量の比が所望の値
になるように流出バルブ２０１７．２０１８．２０１９
．２０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が
所望の値になるように真空計２０３６の読みを見ながら
メインバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体
２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０−４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後
、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１
内にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持すること−ｃ’ｉｔのｆｆ１（Ｇ
）Ｊ：にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２
の層（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１８を適宜開閉することで酸素原子を含
有させたり、含有させなかったり、あるいは各層の一部
の層領域にだけ酸素原子を含有させることも出来る。ま
た、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮｏガス
を例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて、層
形成を行なえばよい。また、使用するガスの種類を増や
す場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成
を行なえばよい。層形成を行っている間は層形成の均一
化を計るため基体２０３７はモーター２０３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の層（Ｓ）上に反射防１に機能を待つ表面
層を堆積させるために、例えば２００８の水素（Ｈ２）
ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、
堆積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一
面に張る。その後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成し
たものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グ
ロー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして、
所望層厚に表面層を形成する。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット径８０騨の半導体レーザー（波長
７８０ｎ＋ｗ）を使用した。したがってａ−９ｉ：Ｈを
堆積させる円筒状のＭ支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ
、径（ｒ）　８０ｍ＋ａ）上に旋盤でピー２チ（Ｐ）　
２５．で深さくＤ）０．８８で螺線状の溝を作成した。

このときの溝の形を第１１図に示す。

次に、第１ａ表に示す条件で、第１２図の膜堆積装置を
使用し、所定の操作手順に従って表面層の積層されたａ
−３ｉ系電子写真用光受容部材を作成した。

なお、Ｎｏガスは、その流量がＳｉＨ４ガス流量とＧｅ
Ｈ４ガス流量との和に対して、初期値が３．４マロ１％
になるようにマスフロコントローラを設定して導入した
。

また、表面層は、第１２図の膜堆積装置のカソード電極
上に、第２９表に示すような各種材料の板（厚さ３ｍｍ
）、本例ではＺｒＯ２を一面に張り、第１層および第２
層形成時に使用したＨ２ガスをＡｒガスに５５′ 取りかえた後、装置内を約５　Ｘ　１０’　ｔｏｏｒの
真空とし、次いでＡｒガスを導入して、高周波電力を３
００Ｗとしてグロー放電を起し、カソード電極上のＺｒ
Ｏ２をスパッタリングすることによって形成した。

以下の実施例においても、表面層形成材料を変える以外
は、本例と同様にして表面層の形成を行った。

別に、同一の裏面性の同筒状Ｍ支持体上に高周波電力を
４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製手
段で第１の層と第２の層と反射防止層とを支持体上に形
成したところ第１３図に示すように光受容層の表面は、
支持体１３０１の平面に対して平行になっていた。この
ときＭ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差は１μ
ｓであった。

また、前記の高周波電力を１８０Ｗにした場合には、第
１４図のように光受容量の表面と支持体１４０１の表面
とは非平行であった。この場合な支持体の中央と両端部
とでの平均層厚の層厚差は２牌であった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０μで第１５
図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して
画像を得た。層作製時の高周波電力４０Ｗで、第１３図
に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様が観察され
た。

一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状ＡＩ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（試料、ｌ／Ｌ　１０１〜１０８）
の円筒状のＡｔ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消
χた条件（高周波電力１６０Ｗ）と同様の条件で、電子
写真用光受容部材を作製した（試料ｆ１１１〜１１８）
。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２牌であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、第２の層のピッチ内での差を測定したところ、第
２表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様に第１５図の装置で波長？８０ｎｍの
半導体レーザーを使い、スポット径８０騨で画像露光を
行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した（試料ｉ　１２１〜１２８）。そのとき第１の
層の層厚をｌｏｇとした。このときの第１の層の中央と
両端部での平均層厚の差は１．２μ。

第２の層の層厚の中央と両端部での平均の差は２．３μ
であった。ｆ１２１〜１２８の各層の厚さを電子顕微鏡
で測定したところ、第３表のような結果を得た。どれら
の光受容部材について、実施例１と同様な像露光装置に
おいて、画像露光を行った結果、第３表の結果を得た。

実施例４ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持体（Ｎ６．１
０１〜１０８）上に窒素を含有する第１の層を設けた光
受容部材を第４表に示す条件で作製した（試料酸４０１
〜４０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で０．０９ｇであった。第２の層の平均層厚はシ
リンダーの中央と両端で３牌であった。

各光受容部材の第２の層のショートレンジ内での層厚差
は、第５表に示す値であった。これらの各光受容部材に
ついて実施例１と同様にレーザー光で画像露光したとこ
ろ第５表に示す結果を得た。

実施例５ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持体（Ｎ６４０
１〜１０８　）を用い、支持体上に窒素を含有する第１
の層を設けた光受容部材を第６表に示す条件で作製した
（試料酸５０１〜５０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で０．３μであった。第２の層の平均層厚はシリ
ンダーの中央と両端で３．２ｕであった。

各光受容部材の各層のショートレンジ内での層厚差は、
第７表に示す値であった。これらの各光受容部材につい
て実施例１と同様にレーザー光↑画像露光したところ第
７表に示す結果を得た。

実施例６ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持体（ｉ　ｔｏ
ｔ〜１０８）を用い、支持体上に炭素を含有する第１の
層を設けた光受容部材を第８表に示す条件で作製した（
試料酸９０１〜９０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で０．０８ｕであった。第２の層の平均層厚はシ
リンダーの中央と両端で２６５牌であった。

各光受容部材の第２の層のショートレンジ内での層厚差
は、第９表に示す値であった。これらの各光受容部材に
ついて実施例１と同様にレーザー光で画像露光したとこ
ろ第９表に示す結果を得た。

実施例７ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持体（遂１０１
〜１０８）を用い、支持体上に炭素を含有する第１の層
を設けた光受容部材を第１θ表に示す条件で作製した（
試料、ｔｚ　１１０１〜１１０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で１．１ｇであった。第２の層の平均層厚はシリ
ンダーの中央と両端で３．４ｕであった・ 各光受容部材の第２の層のショートレンジ内での層厚差
は、第１１表に示す値であった。これらの各光受容部材
について実施例１と同様にレーザー光で画像露光したと
ころ第１１表に示す結果を得た。

実施例８ 第１の層を形成する際、ＮＯガス流量をＳｉＨ４ガス流
量とＧｅＨ４ガス流量との和に対して、第２２図に示す
ように変化させて、層作製終了時にはＮＯガス流量が零
になるようにした以外は、実施例１の高周被電力を　１
６０Ｗにした場合と同様の条件で電子写真用光受容部材
を作成した。別に、高周波電力を４０Ｗとした以外は、
上記の場合と同様の条件と作製手段で第１の層と第２の
層とを支持体上に形成したところ第１３図に示すように
光受容層の表面は、支持体１３０１の平面に対して平行
になっていた。このときな支持体１３０１の中央と両端
部とで全層の層厚の差はｔｇであった。

また、前記の高周波電力を１６０Ｗにした場合には、第
１４図のように第２の層１４０３の表面と支持体１４０
１の表面とは非平行であった。この場合Ｍ支持体の中央
と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μであった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０μｓで第１
５図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写し
て画像を得た。層作製時の高周波電力４０Ｗで、第１３
図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様が観察さ
れた。

一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例９ シリンダー状ＡＩ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（逅１０１〜１０８）の円筒状のＡ
Ｉ支持体上に、実施例８の干渉縞模様の消えた条件（高
周波電力ＩＢＯＷ）と同様の条件で、電子写真用光受容
部材を作製した（試料１ｔ２ｏｔ〜１２０８）。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２牌であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、第２の層のピッチ内での差を測定したところ、第
１２表のような結果を得た。これらの光受容部材につい
て、実施例８と同様に第１５図の装置で波長７８０ｎ■
の半導体レーザーを使い、スポット径８０騨で画像露光
を行ったところ第１２表の結果を得た。

実施例１０ 以下の点を除いて実施例９と同様な条件で光受容部材を
作製した（ｆ試料１３０１〜１３０８）。そのとき第１
の層の層厚を１０μとした。このときの第１の層の中央
と両端部での平均層厚の差は１．２μ。

第２の層の層厚の中央と両端部での平均の差は２．３鱗
であった。遂１３０１〜１３０８の第１の層と第２の層
の厚さを電子顕微鏡で測定したところ、第１３表のよう
な結果を得た。これらの光受容部材について、実施例１
と同様な像露光装置において、画像露光を行った結果、
第１３表の結果を得た。

実施例１１ 第１表に示す表面性のシリンダー状ＡＩ支持体（Ｊ／Ｌ
　１０１〜１０８）を用い、支持体上に窒素を含有する
第１の層を設けた光受容部材を第１４表に示す条件にし
た以外は実施例９と同様の条件と手順に従って作製した
（試料Ｍ６１５０１〜１５０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で０．０９μｓであった。第２の層の平均層厚は
シリンダーの中央と両端で３牌であった。

各光受容部材（試料、１１５０１〜１５０８）の第２の
層のショートレンジ内での層厚差は、第１５表に示す値
であった。

各光受容部材（試料、６１５０１〜１５０８）について
実施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第１
５表に示す結果を得た。

実施例１２ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持体（述１０１
〜１０８）を用い、支持体上に窒素を含有する第１の層
を設けた光受容部材を第１６表に示す条件にした以外は
実施例９と同様の条件と手順に従って作製した（試料逅
１７０１〜１７０８）。

」−記の条件で作製した光受容部材（試料、／１１７０
１〜１７０Ｂ）の断面を、電子顕微鏡で観測した。第１
の層の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で０．３牌
であった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端
で０．３μであった。

各光受容部材（試料遂１７０１〜１７０８）の各層のシ
ョートレンジ内での層厚差は、第１７表に示す値でめっ
た。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第１７表に示す結果を得た。

実施例１３ 第１表に示す表面性のシリンダー状へ！支持体（！　１
０１−１０８　）を用い、支持体上に窒素を含有する第
１の層を設けた光受容部材を第１８表に示す条件にした
以外は実施例９と同様の条件と手順に従って作製した（
試料Ｊ、１９０１〜１９０８）。

上記の条件で作製した光受容部材（試料、６１９０１〜
１９０８）の断面を、電子顕微鏡で観測した。第１の層
の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で０．０８ｕで
あった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端で
２．５μであった。

各光受容部材（試料Ｊ／１１９０１〜１９０Ｂ）の第２
の層のショートレンジ内での層厚差は、第１９表に示す
値であった。

各光受容部材（試料魚１９０１〜１９０２）について実
施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第１９
表に示す結果を得た。

実施例１４ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ｍ支持体（遂ｌｏｔ
〜１０８）を用い、支持体上に窒素を含有する第１の層
を設けた光受容部材を第２０表に示す条件にした以外は
実施例９と同様の条件と手順に従って作製した（試料、
１２１０１〜２１０８）。

上記の条件で作製した光受容部材（試料／１２１０１〜
２１０８）の断面を、電子顕微鏡で観測した。第１の層
の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で１．１μであ
った。第２の層の平均層厚はシリンダ、−の中央と両端
で３．４牌であった。

各光受容部材（試料、／１２１０１〜２１０Ｂ）の第２
の層のショートレンジ内での層厚差は、第２１表に示す
値であった。

各光受容部材（試料、／１２１０１〜２１０８）につい
て実施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第
２１表に示す結果を得た。

実施例１５ 第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダ遂１０５）上に第２２表乃至第２５表に
示す各条件で第２５図乃至第２８図に示すガス流量比の
変化率曲線に従ってＮＯとＳｉＨ４とのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させて層形成を行って電子写真
用の光受容部材の夫々（試料遂２２０２〜２２００を得
た。ただし、表面層はＺｒＯ２を材質に用い実施例１と
同様に形成した。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、本発明の目的に適ったものであった。

実施例１６ 第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダｍ１０５）上に第２６表に示す条件で８
２５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、ＮＯと
ＳｉＨ４とのガス流量比を層作成経過時間と共に変化さ
せて層形成を行って電子写真用光受容部材を得た。ただ
し、表面層はＺｒＯ２を材質に用い実施例１と同様に形
成した。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、本発明の目的に適ったものであった。

実施例１７ 第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダ、６ｔｏ５）上に第２７表乃至第２８表
に示す各条件で第２７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従ってＮＨ３とＳｉＨ４とのガス流量比およびＣ１＋
、とＳ　ｉ　Ｈ４とのガス流量比を層作成経過時間と共
に変化させて層形成を行って電子写真用の光受容部材の
夫々（試料遂２２０ｅ〜２２０７）を得た。ただし、表
面層はＺｒＯ２を材質に用い実施例１と同様に形成した
。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、本発明の目的に適ったものであった。

実施例１８ 第１２図に示した製造装置により、シリンダー状（１’
）Ｍ支持体（シリンダＮ６．１０５）−ヒに表面層材質
を第２８表に示す条件ＡＩ６．２７０１〜２７２２の各
種の材料、層厚とする以外は、実施例１と同様の条件と
手順に従って２２個のａ　−３ｉ系電子写真用光受容郁
材を作成した（試料逅２７０１〜２７２２）。

これらの電子写真用光受容部材について、第１５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０騨）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料逅２７０１〜２７２２のいずれかの
画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転時の斑点
の現出を同時にしかも完全に解消することができ、しか
も表面における光反射を低減し、入射光を効率よく利用
できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干＃縞の一般的な説＃Ｊ図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干＃
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説＃Ｊ図である。 第９図（Ａ）　、　（Ｂ）　、　（Ｃ）はネれぞれ代表
的な支持体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明
図である。 第１２図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第１３図及び第１４図は実施例で作成した光受容部材の
層構造を示す説明図である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第１６図から第２４図は、層領域（ＯＣＮ）中の原子（
０，Ｇ：、Ｎ）の分布状態を説明するための説明図であ
る。 第２５図から第２８図は、実施例におけるガス論量の変
化を示す説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａ！
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
２６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレ
ンズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・
・・・・・・・・露光装置の側面図第１！［Ｉ 第８図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第９図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 第２２図 第２３図 □Ｃ 第２４図 力゛スヲえ量すＬ 第２５図 カ゛ス汎量見 第２６図 η′人テＬ量工乙 θ゛ス流量Ｊ：Ｌ

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、反射防
   止機能を有する表面層とが支持体側より順に設けられた
   多層構成の光受容層を有しており、前記光受容層は、酸
   素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なく
   とも一種を含有し、且つショートレンジ内に１対以上の
   非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
   な面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴
   とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向にほ均
   一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
13. （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
    螺線構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
    容部材。
14. （１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請請求
    の範囲第１３項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
    材。
16. （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
    項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材
20. （２０）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
21. （２１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項及び同第２０項に記載の光受容部材。