JPS6258261A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記載する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することによシ靜電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
シ、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しがしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度全保持し
つつ、電子写真用として要求される１（１０）２０ｍ以
上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、
或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層
中に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、
ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロールす
ることが要求される等、光受容部材の設計についての許
容度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許
容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感
度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がな
されている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたシして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあシ、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層全構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）よシ反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ。と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ□、
下部界面６（１０）で反射した反射光Ｒ２が示されてい
る。

そこにあって、層の平均層厚ｉｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに五以上の層厚差で不均一であると、反射光Ｒ□、
Ｒ２が２ｎｄ　＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強め合う）
と２ｎｄ　＝　（ｍ＋Σ）λ（ｍは整数、反射光は弱め
合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収
光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部材
が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多層
）構成のものであるものにおいては、それらの各層につ
いて第６図に示すような干渉効果が起って、第７図に示
すような状態となシ、その結果、それぞれの干渉が相乗
的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとなシ、そ
れがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞
模様に対応した干渉縞が転写、定着される可視画像に現
出して不良画像をもたらしてしまうといった問題がある
。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５ｆ３
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したシ、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したシして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参
照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したシ、サンドブラストによシ砂目状の微細凹
凸を設けたシして、支持体表面に光散乱反射防止層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）
等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それによシ光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなシに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果によシ照射スポット
に拡が９が生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層よシの脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。

（ｅ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光Ｉ。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ□となシ、残シは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光Ｉ□となる。

透過光重□は、支持体８（１０）の表面に於いて、その
一部は、光散乱されて拡散光に□、Ｋ２、Ｋ３・・・と
なシ、残シが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出ては行くが、出射光Ｒ３
は、反射光Ｒ１と干渉する成分であっていずれにしろ残
留するため依然とした干渉縞模様が完全に消失はしない
。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８（１０
）の表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうした
ところでかえって光受容層内で光が拡散してハレーショ
ンを生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９（１０）表面を不規則的に荒しても、
第１層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射
光Ｒ□、支持体９（１０）面での正反射光Ｒ３の夫々が
干渉して、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様
が生じる。従って、多層構成の光受容部材においては、
支持体９（１０）表面を不規則に荒すことでは、干渉縞
全完全に防止することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１０（１０）の表面の凹凸形
状１０（１３）に沿って、光受容層１００２が堆積する
ため、支持体１０（１０）の凹凸の傾斜面と光受容層１
００２の凹凸の傾斜面とが１０（１３）’、１００４’
で示すように平行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ□＝ｍ２ま
たは２ｎｄ、　＝（ｍ　＋　１７２　）λの関係が成立
ち、夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体で
は光受容層の層厚ｄ□、ｄ２、ｄ３、ｄ４のλ 夫々の差の中の最大がπ以上である様な層厚の不均一性
があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１０（１０）表面を規則的に荒しただけ
では、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の先受
容部材の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすること全目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しておシ、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰シ返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ノ・−フトーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることので
きる、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子を含有する
非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子と、
酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる原子と、水素原
子及びハロゲン原子の中から選ばれる原子とを含有する
非晶質材料で構成された第二の層とを有する光受容層を
備えた光受容部材であって、前記第一の層が、ゲルマニ
ウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有
する層と、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含
有しない層とを支持体側から順に有する多層構成であり
、且つ、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界
面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少
くとも一方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向
において各々なめらかに連結していることを骨子とする
光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、該光受容部材に要求される解像度よシも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列せしめ該非平行な界面を配列方向
において各々なめらかに連結せしめた場合、画像形成時
に現われる干渉縞模様の問題が解消されること、そして
、その場合、支持体表面に設けるなめらかな凹凸の凸部
の縦断面形状は、ショートレンジ内に形成される各層の
層厚の管理された不均一化、支持体と支持体上に直接設
けられる層との間の良好な密着性、あるいはさらに、所
望の電気的接触性等を確保するために、正弦関数形状と
することが望ましいというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験によシ得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材の層構成を示す模式
図であり、微小にしてなめらかな凹凸形状を有する支持
体１（１０）上に、その凹凸の傾斜面に沿って第一の層
１０２と第二の層１（１３）とを備えた光受容部材を示
している。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の第一の層と
第二の層の一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）
図は同部分における明るさを示す図であり、図中、２０
２は第一の層、２（１３）は第二の層、２０４は自由表
面、２０５は第一の層と第二の層との界面を示している
。第２（Ａ）図に示すごとく、第二の層２（１３）の層
厚は、ショートレンジを内においてｄ２１からｄ、１に
連続的に変化しているため、自由表面２０４と界面２０
５とは互いに異なる傾きを有している。したがって、こ
のショートレンジを内に入射したレーザー光等の可干渉
性光は、該ショートレンジｔにおいて干渉をおこし、微
小な干渉縞模様が生成はする。

しかし、ショートレンジｔにおいて生ずる干渉縞は、シ
ョートレンジｔの大きさが照射光スポット径よシ小さい
、即ち、解像度限界より小さ、いため、画像に現われる
ことはない。又、はとんどないことではあるが、仮に、
画像に現われる状況が生じたとしても肉眼の分解能以下
なので、実質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３（１３
）は第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３
０２と第二の層３（１３）との界面を示す。）に示すよ
うに、第一の層３０２と第二の層３（１３）との界面３
０５と、自由表面３０４とが非平行である（第３（Ａ）
図参照）場合には、入射光量。に対する反射光Ｒ１と出
射光Ｒ３とはその進行方向が異なるため、界面３０５と
自由表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図参照）場
合に比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干渉が生じ
ても、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面が平行な
関係にある場合よシも、一対の界面が非平行な関係にあ
る場合の方が干渉の度合が小さくなるため、干渉縞模様
の明暗の差が無視しうる程度に小さくなり、その結果、
入射光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２（
１３）０層厚がマクロ的に不均一である場合、即ち、異
なる任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ２３、
ｄ２４がｄ２３＼ｄ２４である場合であっても同様であ
って、全層領域において入射する光量は第２（Ｄ）図に
示すように均一となる。

以上、支持体上に第一の層と第二の層とが積層されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材の第一
の層が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示
すように支持体４（１０）上に、二つの構成層４０２′
と４０２“から構成される第一の層４０２、および第二
の層４（１３）ヲ積層してなる場合であっても、入射光
量。に対して、反射光Ｒ□、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ
５が存在するが、　４０２’、４０２”および４（１３
）の各層において、第３図によって説明したごとき入射
する光量が平均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジを内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は第一の層を構成する層の数が増大するにつれ、よシ一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸はなめらかな凹凸であって、好ましくは正弦
関数影線状突起によって形成されているものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｔは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｔ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
二の層とからなシ、該第−の層は、シリコン原子（Ｓｔ
）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）又はスズ原子（Ｓｎ
）の少なくともいずれか一方と、好ましくはさらに水素
原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ′）の少なくともいず
れか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ
−８ｉ（ＧｅｙＳｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構
成される層と、シリコン原子（ＳＬ）と、好ましくはさ
らに水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくと
もいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、
ｒ　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。〕で構成さ
れる層とが支持体側よシ順に設けられた多層構成である
。該第−の層は、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれ、且つ、第二の層に含有されない原子を含有
せしめることができ、さらに伝導性を制御する物質を含
有せしめることができる。そして、特に好ましくは、伝
導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層全構成層
の１つとして有するか、または／及び、障壁層を構成層
の１つとして有するものである。

また、前記第二の層は、シリコン原子（Ｓｉ）と、酸素
原子（０）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くと
も一種と、水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔
以下、ｒ　ａ−８ｉ（Ｑ、Ｎ）。

（Ｈ，Ｘ）ｊと表記する。〕で構成される。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上″に、第一の層と第二の層と全積層して有し、さ
らに第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を
防止することを目的として、第一の層の支持体側の端部
にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に
含有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の
層の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多
量に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成
せしめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障
壁層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明
の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が
形成されることとなるが、本発明の光受容部材において
は、ショートレンジを内に少なくとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をよシ効果的に達成するためには
、ショートレンジｔに於ける層厚の差、例えば前述の第
２（Ａ）図におけるｄ４□とｄ２２の差は、照射光の波
長をλとすると、次式：ｄ２１　　ｄ２２≧、、　（ｎ
　：構成層の屈折率）全満足することが望ましい。そし
て該層厚の差の上限は、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ
１よシ好ましくけ０．１μｍ〜１．５μｍ１最適には０
．２μｍ〜１μｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジを内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限シにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差をΔｔとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率ｉｎとした場合、次式：］ を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。

本発明の第一の層及び第二の層の作成についでは、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スバツタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図によυ本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１（１０）は支持体、１０２は第一の層、１０２′は
ゲルマニウム原子またはスズ原子の少なくともいずれか
一方を含有する層、１０２”はゲルマニウム原子および
スズ原子のいずれも含有しない層、１（１３）は第二の
層、１０４は自由衣　　面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１（１０）は、その
表面が光受容部材に要求される解像力よシも微小にして
なめらかな凹凸を有し、好ましくは、該なめらかな凹凸
が正弦関数影線状突起によって形成されているものであ
る。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトラフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることによシ、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作シ出す正弦関数影線状突起部は
、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する
。この様な構造の一例を第５図に示す。第５図において
Ｌは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、Ｐ
は螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
又はａ−８ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−Ｓｔ　（Ｑｅ、
Ｓｎ　）（Ｈ，Ｘ）層の層品質の低下を招来しない様に
支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定す
る必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、通常は０．３μｍ〜５０
０μｍ、好ましくは１μｍ〜２００μｍ１より好ましく
は５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
１よシ好ましくは０．３μｍ〜３μｍ最適には０．６μ
ｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は
線上突起部）の傾斜面の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、よシ好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とするのが望ましい。

本発明に用いる支持体１（１０）は、導電性のものであ
っても、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性
支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　。

ステンレス、ＡＺ　ＳＣｒ　、ＭＯｌＡｎ、　Ｎｂ、　
Ｔａ。

ＶＳＴｉＳＰｔＳＰｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　。

ＡＬ、Ｃｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ％　Ｔｉ　ｓｐｔ　、　ｐａ　５Ｉｎ２（１３）、Ｓ
ｎＯ２、Ｉ　Ｔｏ　（Ｉｎ２Ｏ３＋　５ｎｏ２）等から
成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、
ＮｉＣｒ、　Ａｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ。

Ｚｎ、　Ｎｉ　、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ
、Ｔａ、Ｖ、Ｔｔ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又
は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面
に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状であることができるが、用途、所
望によって、その形状は適宜に決めることのできるもの
である。例えば、第１図の光受容部材１００ヲ電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通シの光受容部材を形成しう
る様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしなが
ら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μ以上とされる。

第一の層 本発明の光受容部材においては、第一の層１０２は前述
の支持体１（１０）上に設けられ、該第−の層は支持体
１（１０）側よシ、ゲルマニウム原子（Ｑｅ　）又はス
ズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方と、好ましく
はさらに水素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれ
か一方を含有するａ−８ｉ〔以下、ｒ　ａ−８ｉ　（Ｇ
ｅ、Ｓｎ）　（Ｈ＋Ｘ）　Ｊ　　と表記する。〕で構成
された層１０２′と、必要に応じて水素原子及びハロゲ
ン原子の少なくともいずれか一方を含有するａ−８ｉ（
以下、ｒ　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成
された層１ｏ２〃とが順に積層された多層構造を有する
。さらに該第−の層１０２には、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれ、且つ、第二の層に含有され
ない原子を含有せしめることができ、さらに必要に応じ
て伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。

第一の層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして第一の層１０２中に含有せしめる水素原子（
Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、通常１〜４゜
ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％
とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的全効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あ）、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、よシ好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることによシ、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
を光線とした場合に特に顕著である。

本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、支持体１（１０）に接する層１
０２′中に均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
不均一な分布状態で含有せしめるものである（ここで均
一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な面方
向において均一であり、層１０２′の層厚方向にも均一
であることをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、層１０２
′の支持体表面と平行な面方行には均一であるが、層１
０２′の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の層１０２′においては、特に、ゲルマニ
ウム原子及び／又はスズ原子は、層１０２〃側ニジも支
持体側の方に多く分布した状態とな　　゛るように含有
せしめることが望ましく、こうした場合、支持体側の端
部においてゲルマニウム原子及び／又はスズ原子の分布
濃度を極端に大きくすることによシ、半導体レーザ等の
長波長の光源を用いた場合に、層１０２“においては殆
んど吸収しきれない長波長の光を、層１０２′において
実質的に完全に吸収することができ、支持体表面からの
反射光による干渉が防止されるようになる。

また、本発明の光受容部材においては、層１０２′と層
１０２“とを構成する非晶質材料が各々、シリコン原子
という共通の構成要素を有しているので積層界面におい
て化学的な安定性が充分確保されている。

以下、層１０２′に含有されるゲルマニウム原子及び／
又はスズ原子の層１０２′の層厚方向の分布状態の典型
的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例として第１
１乃至１９図によシ説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、層１０２′の層厚を示し、
ｔ、は支持体側の層１０２′の端部の位置を、ｔ？は支
持体側とは反対側の層１０２”側の端面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される層１０２′はｔ１
側よりもｔ？側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しておシ、これらの図はあくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。

第１１図には、層１０２′中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示されるＳ
ｏ（／′る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる層１０２′が形成される支持体表面と層１０２′と
が接する界面位置ｔ、よりｔ□の位置までは、ゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ□なる一定の値を取シ乍
らゲルマニウム原子が層１０２′に含有され、位置ｔ□
よシは濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置１Ｔにおいてはゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＩｌよ多位置１テに至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔ？にお
いて濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔ、ニジ位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置１テとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔ、ｒにおいて、分布濃度Ｃは実質的
にゼロとされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔｌｌよ多位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６よシ初め
連続的に徐々に減少され、位置ｔ３よシは急速に連続的
に減少されて位置ｔ？において実質的にゼロとされてい
る。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔ、と位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔ、に於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置（、と位置ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４よ多位置１テに至るまで減少されてい
る。

第１６図に示される例においては、分布撫度Ｃは位置１
．よ多位置−までは濃度Ｃ８の一定値を取シ、位置ｔ、
よ多位置ｔ７までは濃度Ｃ９よシ濃度Ｃ□。まで−次間
数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔ、よ多位置ｔ、に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１ｌ
よシー次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１８図においては、位置１．よ多位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２よシ濃
度Ｃ１，まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置１
テとの間においては、濃度０．３の一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ１において濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４よシ初めはゆつくシと
減少され、ｔ、の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ、では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度ＣＩ６となシ、位置ｔ８と位置ｔ、との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度ＣＩ７に至る
。位置ｔ、と位置１Ｔとの間においては濃度ＣＩ７よシ
実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図によシ、層１０２′中に含
有されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方
向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
の光受容部材においては、支持体側において、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を
有し、界面ｔ、側においては、前記分布濃度Ｃは支持体
側に比べてかなシ低くされた部分を有するゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布状態が構成層１０２′に
設けられているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材全構成する構成層１０
２′は、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１
．よシ５μ以内に設ゆられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔｌｌよシ５μ厚ま
での全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一
部とされる場合もある。

局在領域を層１０２′の一部とするか又は全部とするか
は、形成される光受容層に要求される特性に従って適宜
決められる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形
成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される層１０２′は、支持
体側からの層厚で５μ以内（ｔｍから５μ層の層領域）
に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成される
のが好ましいものである。

本発明の光受容部材において、層１０２’中に含有せし
めるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、
本発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適
宜決める必要があシ、通常は１〜６　Ｘ　１０５１０５
ａｔｏ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１
０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、よシ好ましくはＩ　Ｘ　１
０２〜２　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとする。

本発明の光受容部材においては、第一の層１０２に酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくと
も一種で、且つ第二の層には含有されない原子を含有せ
しめることができる。

具体的には第二の層が酸素原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）で構成されている場合、第一の層には炭素原子又
は／及び窒素原子を含有せしめることができ、第二の層
が窒素原子を含有するａ−８ｉ（ａ　ｔ　Ｘ　）で構成
されている場合、第一の層には炭素原子又は／及び酸素
原子を含有せしめることができ、またさらに、第二の層
が酸素原子および窒素原子を含有するａ−８ｉ　（Ｈ、
Ｘ）で構成されている場合、第一の層には炭素原子を含
有せしめることができる。

本発明の光受容部材の第一の層に酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種（以下、「原
子（０，Ｃ，Ｎ）Ｊと表記する。）を含有せしめる目的
は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化、
そして、支持体と第一の層との間の密着性の向上にある
。

本発明の第一の層においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含
有せしめる場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せし
めるか、あるいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せ
しめるかは、前述の目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異な夛、したがって含有せしめる量も異な
るところとなる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる原子
（０，Ｃ，Ｎ）の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には第一の層の支持体側の端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは第一の層の支持体側の端
部において、原子（０，Ｃ，Ｎ）の濃度が高くなるよう
な分布状態で含有せしめ、この場合、第一の層中に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、比較的多量にされ
る。

本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
原子（０、Ｃ、Ｎ）の量は、しかし、上述のごとき第一
の層に要求される特性に対する考慮の他、支持体との接
触界面における特性等、有機的関連性にも考慮をはらっ
て決定されるものであり、通常は０．０（１０）〜５０
　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは０．００２〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃチ、最適には０．０（１３）〜３０ａｔｏｍ
ｉｃ　％とする。

ところで原子’（０，Ｃ，Ｎ）Ｔｈ、第一の層の全層領
域中に含有せしめるか、あるいは含有せしめる一部の層
領域の層厚の第一の層の層厚中に占める割合が大きい場
合には、前述の含有せしめる量の上限を少なめにされる
。すなわちその場合、たとえば、含有せしめる層領域の
層厚が、第一の層の層厚の百となるような場合には、含
有せしめる量は、通常３０　ａｔｏｍｉｃ　％以下、好
ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には１０　ａ
ｔｏｍｉｃ％以下にされる。

次に本発明の第一の層に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ
）の量が、支持体側においては比較的多量であり、支持
体側の端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第
一の層の第二の層側の端部付近においては、比較的少量
となるか、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布
せしめる場合の典型的な例のいくつかを、第２０乃至２
８図によって説明する。しがし本発明はこれらの例によ
って限定されるものではない。

第２０乃至２８図において、横軸は原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔ
、は支持体と第一の層との界面位置を、ｔ！は第一の層
と第二の層との界面位置を示す。

第２０図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。該例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する第一の層と
支持体表面とが接する界面位置ｔ、よ多位置ｔ、までは
、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが（１０）麦る一定
値をとシ、位置ｔ１よシ第二の層との界面位置ｔ？まで
は、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連
続的に減少し、界面位置ｔ、においては原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度ＣがＣ８となる。

第２１図は、他の典型例の１つを示している。

該例では、第一の層に含有せしめる原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔ１から位置ｔ！にいたるま
で、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置１テにおいて濃
度Ｃ６となる。

第２２図に示す例では、位置１．から位置ｔ２までは原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ２から位置１．にいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１から徐々に連続的に
減少して位置ｔ、においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、ここで実質的にゼ
ロとは、検出限界量未満の場合をいう。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔｌよ多位置ｔ？にいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置ｔＴ　においては原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔ１より位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあシ、位置ｔ３から位置１゜の間においては、
濃度Ｃ０から濃度Ｃ１０となるまで、−次間数的に減少
する。

第２５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置１．よ多位置ｔＦいたるまでは濃度ＣｔＳの
一定値にあシ、位置ｔ４よ多位置ｔ、までは濃度Ｃ１２
から濃度Ｃ１３となるまで−次関数的に減少する。

第２６図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
ＣＩ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。

第２７図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置１８）から位置ｔ、にいたるまで濃度Ｃ１５
から濃度Ｃ１ａとなるまで一次関数的に減少し、位置ｔ
Ｂから位置１Ｔまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔ８において濃度ＣＩ７であ
り、位置ｔＢから位置ｔ６までは濃度Ｃ１７からはじめ
はゆつくシ減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、
位置ｔ６では濃度ＣｔＳとなる。次に、位置ｔ６から位
置ｔ７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度ＣＩＯとな
る。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆつくシと
徐々に減少し、位置ｔ８において濃度０２０となる。ま
た更に、位置ｔ８から位置ｔアにいたるまでは、濃度Ｃ
２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）　　の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、第一の層の表面層側の端部においては
、該分布濃度Ｃがかなシ低い部分を有するか、あるいは
実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては
、第一の層支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ま
しくは該局在領域を支持体表面と第一の層との界面位置
ｔ、から５μ以内に設けることによシ、支持体と第一の
層との密着性の向上をよシ一層効率的に達成することが
できる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）’ｅ金含有しめる
第一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であって
も、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、
形成される第一の層に要求される特性に従って適宜法め
る。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００　ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

本発明の光受容部材においては第一の層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第１族に属する原子（以下単に「第１
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第１族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｔ　（アルミニウム）、Ｑａ（ガリウム
）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｔ　（タリウム）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａであ
る。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａ８　（砒素）
、Ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ　（ビスマン）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂであ
る。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第１族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、第一の層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
”−３〜Ｉ　Ｘ　１（１３）ａｔｏ１（１３）ａｔｏで
あり、好ましくは５×１０−２〜５×１０２１０２ａｔ
ｏ　ｐｐｍ　、最適にはＩ　Ｘ　１０−”〜２　Ｘ　１
０２ａｔｏ１０２ａｔｏである。

また、支持体と接する一部の層領域に第１族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第１族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第１族原子又は第Ｖ族原子
を含有する構成層あるいは第１族原子又は第Ｖ防原子を
高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第■族原子を含有せしめた場
合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される電子の移
動をよシ効率的に阻止することができ、又、第Ｖ族原子
を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面がｅ極性
に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注
入される正孔の移動をよシ効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量であっ
て、具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１×１０２〜５　Ｘ　１（
１３）１（１３）ａｔｏ　ｐｐｍとする。さらに、該電
荷注入阻止層としての効果を効率的に奏するためには、
第１族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端部に
設けられる層又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層
厚をＴとした場合、ｔ　／　Ｔ　＜：０．４の関係が成
立することが望ましく、より好ましくは該関係式の値が
０．３５以下、最適には０．３以下となるようにするの
が望ましい。また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的
には３Ｘ　１０”−３〜１０μとするが、好ましくは４
　Ｘ　１０−”〜８μ、最適には５×１０−３〜５μと
するのが望ましい。

次に第一の層に含有せしめる第１族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から第二の層側に向って減少し、第二の層との界面
付近においては、比較的少量となるかあるいは実質的に
ゼロに近くなるように第１族原子又は第Ｖ族原子を分布
させる場合の典型的例は、前述の第一の層に酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
を含有せしめる場合に例示した、第２０乃至２８図の例
と同様の例によって説明することができる。しかし、本
発明は、これらの例によって゛限定されるものではない
。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、第二の層との界面側においては、
該分布濃度Ｃがかなシ低い濃度の部分あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体
側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が
比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以
内に設けることによシ、第１族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成す
るという前述の作用効果がより一層効率的に奏される。

以上、第１族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第璽族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制
御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質
金含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制
御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量よシも一
段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わシに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｔ２（１３）、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４
等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気
絶縁材料を挙げることができる。

第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１（１３）は、上述の第
一の層１０２上に設けられ、自由表面１０４″ｆ。

有する層、すなわち表面層であり、酸素原子、及び窒素
原子の中から選ばれる少なくとも一種と、水素原子又は
ハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを均一な分布
状態で含有するアモルファスシリコン〔以下、ｒ　ａ　
５ｉ（０，Ｎ）　（ＨｌＸ）　Ｊと表記する。〕で構成
されている。

本発明の光受容部材に第二の層１（１３）ヲ設ける目的
は、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、および耐久性等を向上させることにあり、こ
れらの目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
を含有せしめることによシ達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１（１３）ヲ構成するアモルファス材料の各々
が、シリコン原子という共通した構成原子を有している
ので、第一の層１０２と第二の層１（１３）との界面に
おいて化学的安定性が確保できる。

第二の層１（１３）中には、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を均一な分布状態
で含有せしめるものであるが、これらの原子の含有せし
める量の増加に伴って、前述の緒特性は向上する。しか
し、多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特
性も低下する。こうしたことから、これらの原子の含有
量は、通常０．０（１０）〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、
好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜
８０ａｔＯｍｉＣ％とする。

第二の層には水素原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方を含有せしめるが、第二の層中に含有せしめ
る水素原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、
あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は
、通常１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは５〜３０ａ
ｔＯｍｉＣ％、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％と
する。

第二の層１（１３）は、所望通シの特性が得られるよう
に注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、
酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
、および水素原子又は／及びハロゲン原子を構成原子と
する物質は、各構成原子の含有量やその他の作成条件に
よって、形態は結晶状態から非晶質状態までをとシ、電
気的物性は導電性から、半導電性、絶縁性までを、さら
に光電的性質は光導電的性質から非光導電的性質までを
、各々示すため、目的に応じた所望の特性を有する第二
の・層１（１３）ヲ形成しうるように、各構成原子の含
有量や作成条件等を選ぶことが重要である。

例えば、第二の層１（１３）ヲ電気的耐圧性の向上を主
たる目的として設ける場合には、第二の層１（１３）ヲ
構成する非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的
挙動の顕著なものとして形成する。又、第二の層１（１
３）　’（ｆ一連続繰返し使用特性や使用環境特性の向
上を主たる目的として設ける場合には、第二の層１（１
３）ヲ構成する非晶質材料は、前述の電気的絶縁性の度
合はある程度緩和するが、照射する光に対しである程度
の感度を有するものとして形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、窒素原子、ハロゲン原子、水素
原子の量、あるいは第二の層に要求される特性に応じて
相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要がある。更
に、生産性や量産性をも加味した経済性の点においても
考慮する必要もある。こうしたことから、第二の層の層
厚は通常は３×１０−３〜３０μとするが、よシ好まし
くは４　Ｘ　１０”−３〜　　２０μ、特に好ましくは
５　Ｘ　１０−３〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像全安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法と全同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）’ｒ供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、
水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ　（Ｈ、
Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２
Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ４Ｈ□。等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くの７１０ゲン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガス
、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換さ
れたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロ
ゲン化合物が好ましい、具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハ１ｌｆｆゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＬＦ、　
ＣＬＦ３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ７、ＩＣ２，ＩＢ
ｒ等のノーロゲン間化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ
６．５ｉＣ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が挙げ
られる。上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又は
ガス化しうるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料
ガスを別途使用することなくして、７１０ゲン原子を含
有するａ−３ｉで構成された層が形成できるので、特に
有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、■１、ＨＣｔ、　ＨＢｒ５ＨＩ等のハロゲン化物、
ＳｉＨ４、５１２Ｈ６、５ｉａＨｓ、５ｉ４Ｈ□。等の
水素化硅素、あるいはＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２工２．５
ｉＨ２Ｃ４２，５ｉＨＣ２３，５ｉＨ２Ｂｒ２、Ｓ　１
ＨＢｒａ等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態の又
はガス化しうるものを用いることができ、これらの原料
ガスを用いた場合には、電気的あるいは光電的特性の制
御という点で極めて有効であるところの水素原子（Ｈ）
の含有量の制御を容易に行うことができるため、有効で
ある。そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置
換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同
時に水素原子（田も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガロ２− スのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットヲ使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びルガスを
必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉター
ゲットヲスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（ＳＬ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）　’に供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（埒を供給しりる水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料
ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧状態
で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予
め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−
８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、前述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成す
る場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、ＧｅＨ、、Ｇｅ２Ｉ（６、Ｇｅ３Ｈ８、Ｇｅ４Ｈ□
。、Ｇｅ５Ｈ，２，、Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇ
ｅ、Ｈ，Ｂ、　Ｇｅ９）（２０等のガス状態の又はガス
化しりる水素化ゲルマニウムを用いることができる。特
に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等
の点がら、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６およびＧｅ３Ｈ８が好
ましい。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコンから成るターゲッ
トと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、あ
るいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを
用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロ
ンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめる
ことで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨセ・ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類ヲスパッタリンク用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ。

Ｈｅ２．　ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ’ｆ
ＬｚＦ２’＊：ＳｉＨ２工２．５ｉＨ２Ｃ４２，５ｉＨ
ｃｔ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒａ等のハロゲン置
換水素化硅素、およびＧｅＨＦ３、ＧｅＨＢｒ３、Ｇｅ
Ｈ３Ｆ　、　ｃｅＨＣｚ３、ＧｅＨ２Ｃｔ２、ＧｅＨＢ
ｒ３゜ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ３ＢｒＳ
Ｇｅ■３、ＧｅＨ２工２、ＧｅＦ３工等の水素化ハロゲ
ン化ゲルマニウム等、［有］Ｆ４、ａｅｃｔ、、ＧｅＢ
ｒ４、ＧｅＩ４　ｓ　ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ４、ＧｅＢｒ
２、　　　ＧｅＩ２等のハロゲン化ケルマニウム等々の
ガス状、態１．の・・又゛、は、・、−）ｔｔｘ化しう
る物質も有効な出発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、ｒａ−８ｉｓｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記す
る。）で構成される光受容層全形成するには、上述のａ
−８ｉＱｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓｎ
）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中への
その量を制御しながら含有せしめることによって行なう
。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）やＳｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎＣ４２，５ｎＣｔ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４
、ＳｎＩ２、ＳｎＩ４等のへロゲン化スズ等のガス状態
の又はガス化しうるものを用いることができ、ハロゲン
化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロゲン原
子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成することが
できるので、特に有効である。

なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の
良さ等の点から、５ｎＣｔ４が好ましい。

そして、５ｎｃ４　ｆスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、・固体状
の５ｎｅｔ、　ｆ加熱するとともに、Ａｒ５Ｈｅ１等の
不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリン
グするのが望ましく、こうして生成したガスを、内部全
減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）又はａ
−８ｔ（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）にさらに第１族原子
又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭素原子
を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形成するに
は、ａ−８ｌ　（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ（Ｑｅ　、　Ｓ
ｎ）　（Ｈ、Ｘ）の層の形成の際に、第１族原子又は第
Ｖ族原子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質
、酸素原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子導入用
の出発物質を、前述したａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８
ｉ（Ｑｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に
使用して、形成する層中へのそれらの量を制御しながら
含有せしめてやることによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ。

Ｎ）を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層、又
は原子（０，Ｃ，Ｎ）’ｅ金含有るａ　−Ｓｉ　（Ｑｅ
　、　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには
、前述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又はａ−８
ｉ（Ｇｅ　、　Ｓｎ）　（Ｈ、Ｘ）で構成される層を形
成する際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質を、
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用又はａ　　５ｔ（ＧｅｔＳｎ
）（Ｈ２Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して形成す
る層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめること
によって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には、酸素原子（０）導入用の出発物質として、
例えば、酸素（０２）、オゾン（Ｏｓ）、−酸化窒素（
ＮＯ２）、−二酸化窒素（ＮｔＯ）、三二酸化窒素（Ｎ
２（１３））、四三酸化窒素（ＮｔＯ＋）、三二酸化窒
素（Ｎ２０Ｂ　）　、三二酸化窒素（Ｎｏｎ）、シリコ
ン原子（Ｓｔ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする。例えばジシロキサン（Ｈ８ＳｉＯ８ｉ
Ｈ３）、トリシロキサン（Ｈｓ　５ｉＯ８ｉＬＯ８ｉＨ
ｓ）等の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）
導入用の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパ：’　（ＣａＨａ）、ｎ
−ブタン（ｎ　　Ｃ４Ｈ１Ｇ）、ペンタン（ＣＩ　Ｈ１
２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（ｃｔ
ｌ、プロピレン（ＣｓＨｅ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）
、ブテン−２（Ｃ６迅）、インブチレン（０４山）、ペ
ンテン（Ｃ１０）ＨＩＯ）等の炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、アセチレン（ｃｚｕｚ）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４
のアセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）
導入用の出発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＨｓ）、ヒドラジン（ＮリシＮＨ，）、ア
ジ化水素（正Ｎ、ｌ＞’Ｉ）、アジ化アンモニウム（Ｎ
ＬＮａ　）、三弗化窒素（ＦａＮ）、四弗化窒素（Ｆ４
Ｎ）等が挙げられる。

例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第１族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ（Ｇｅ、
Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層領域を形成す
るには、上述のａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｔ　（
Ｇ　ｅ　＋　Ｓ　”　）　（Ｈｒ　Ｘ）で構成される層
の形成の際に、第１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質を、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）又はａ　−Ｓｉ　（Ｑｅ
　、　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用
して、□形成する層中へのそれらの量を制御しながら含
有せしめることによって行なう。

第１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０ＳＢ５Ｈ９、Ｂ
５Ｈ□□、Ｂ６Ｈ１ｏ、Ｂ６Ｈ□２、Ｂ６Ｈ□４等の水
素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ２、ＢＢｒ３等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。

この他、ＡｌＣｌ２、ＣａＣｌ２、Ｇａ（ＣＨ３）２、
Ｉ　ｎｃｔ３、ＴｉＣｌ２等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｂ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ４
Ｉ、Ｐ１８１ＳＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３
、ＰＢｒ３、ＰＩ、等のハロゲン北隣が挙げられる。こ
の他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ２、Ａｓ１３ｒ３
、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５ｂＣｔ
３．５ｂＣ２５、ＢｉＦ３、Ｂ　１ＣＬ３、Ｂ１８）ｒ
３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。

酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）’ｉ構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（ｏ）　ｉ構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）　？構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するが、又は、シリコン原子（Ｓｔ）　’ｅ
構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原
子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）
　ｆ構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）
、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（ＳＬ）　と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（Ｏ３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎｔ　Ｏ３）、四二酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２（１０）１　
）、三酸化窒素（ＮＯり、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素
原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例え
ば、シフ３− シロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等
を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＳｉＯ２ウェーハー、又はＳｉとＳｉＯ２が
混合されて含有されているウェーハーをターゲットとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングする
ことによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉＯ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉＯ２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）　’ｉｉ−構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
形成できる。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法によ多形成するには、シ
リコン原子（Ｓｉ）　ｆ構成原子とする原料ガスと、炭
素原子（Ｃ）　’に構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　
’に構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はシリコン原子（ＳＬ）　’ｅ構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ
）　’に構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の
混合比で混合するか、或いはシリコン原子（Ｓｔ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素
原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）　’ｅ構成原子とする原
料ガスを混合するか、更にまた、シリコン原子（Ｓｉ）
と水素原子（Ｈ）　？構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）　’に構成原子とする原料ガスを混合して使
用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とするＳＬ山、Ｓ　ｉ　２Ｈ６１，。

５ｔ３ＨＢ、５ｉ４Ｈｔｏ等のシラン（５ｉｌａｎｅ）
類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例
えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈａ）、プロパン（ＣｓＨａ）　、ｎ−
ブタン（ｎ　　Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１０）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃ３Ｈ１５）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）
、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）
、ペンテン（ＣｓＨｓｏ）、アセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ
ＩｌＨ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

３ｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨ３）４、Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ３）４等のケイ化ア
ルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論ルも使用できる。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉとＣが
混合されているウェーハをターゲットとして、これ等を
所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
行う。

例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ％Ｈｅ
等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳｉ
ウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするが、あるいは
ＳｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、カスプラズマを形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。

窒素原子を含有する層または層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればほとん
どのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
　’に構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（ｓｉ）　ｉ構成
原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（
Ｈ）　’（ｉｌ−構成原子とする原料ガスとを、これも
又所望の混合比で混合するかして使用することができる
。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、ヒドラジン（ＮＨ去ＮＨ２）、アジ化水素（
ＮＨｓ　）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３　）等の
ガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等
の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原
子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も
行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒
素（Ｆ４　Ｎ２　）等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことができる。

スパッターリング法によって、窒素原子全含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
エーノ１−又はＳｉ３Ｎ４ウエーノ・−１又はＳｉとＳ
ｉ３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをター
ゲットとして、これ等を種種のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウエーノ蔦−
ヲスパッターリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉ、Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉと５ｔ３Ｎ４の混合した一枚のターゲラ
トラ使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（）Ｉ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　？構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
形成できる。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第１族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
り行われる。

また、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を有す
る光受容部材を得るためには重要な要因であり、形成す
る層の機能に考慮をはらって適宜選択されるものである
。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表面層
に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によっても異
なることもあることから、含有せしめる原子の種類ある
いはその量等にも考慮をはらって決定する必要もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めるａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を形成する
場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが
、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内のガ
ス圧は、通常０．（１０）〜ＩＴｏｒｒとするが、特に
好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

また、放電パワーは０．００５〜５０Ｗ／ｄとするのが
通常であるが、よシ好ましくは０．（１０）〜３０Ｗ、
／Ｊ。

特に好ましくは０．（１０）〜２０Ｗ／ｃＩ／ｌとする
。

ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
、あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめたａ
−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層金形成する場合に
ついては、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが
、より好ましくは５０〜３００℃、特に好ましくは１０
０〜３００℃とする。そして、堆積室内のガス圧は、通
常０゜（１０）〜５　’ｌ’ｏｒｒとするが、好ましく
は、０．０（１０）〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好ましく
は帆１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは０．
００５〜５０Ｗ／ｄとするのが通常であるが、好ましく
は０．（１０）〜３０Ｗ／ｄとし、特に好ましくは０．
（１０）〜２０Ｗ／−とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であ勺、そのた
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
にするについては、成膜操作中、放電パワー、ガス圧を
比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放電パワー、ガス圧は、使用ガスの種類
、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等によ
って異シ、これらの種々の条件全考慮して決定される。

ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又
は／及びノ１０ゲン原子の分布状態全均一とするために
は、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に
保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第１族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、グロ
ー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あ
るいは第１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガ
スの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望変化率に
従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形
成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体的に
は、例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操
作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型である
必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設
計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有
率曲線を得ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子の層
厚方向の分布濃度を８５一 層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布状態を形成
するには、グロー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する際
のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、よシ詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２９図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２９０２．２９（１３）．２９０４．２９０５．
２９０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るための原料ガスが密封されておシ、その１例として、
たとえば、２９０２はＳｉＦ４ガス（純度９９．９９９
％）ボンベ、２９（１３）は鴇で稀釈されたＢ、Ｈ６ガ
ス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す。

）ボンベ、２９０４はＣＨ，ガス（純度９９．９９９チ
）ボンベ、２９０５はＧｅＦ、ガス（純度９９．９９９
　％　）ボンベ、　２９０６は不活性ガス（Ｈｅ　）ボ
ンベである。そして、２９０６’は５ｎＣ２４が入った
密閉容器である。

これらのガスを反応室２９（１０）に流入させるにはガ
スボンベ２９０２〜２９０６のパルプ２９２２〜２９２
６、リークパルプ２９３５が閉じられていることを確認
し又、流入パルプ２９１２〜２９１６、流出パルプ２９
１７〜２９２１　、補助パルプ２９３２．２９３３が開
かれていることを確認して、先ずメインパルプ２９３４
　’ｅ開いて反応室２９（１０）、ガス配管内を排気す
る。次に真空Ａｔシリンダー２９３７上に第一の層及び
第二の層を形成する場合の１例を以下に記載する。

まス、ガスボンベ２９０２よ、９ＳｉＦ、ガス、ガスボ
ンベ２９（１３）よシＢ２Ｈａ／Ｈ２ガス、ガスボンベ
２９０５よりＧｅＦ４ガスの夫々をパルプ２９２２．２
９２３．２９２５を開いて出口圧ゲージ２９２７．２９
２８．２９３０の正金ＩＫｇ／Ｊに調整し、流入パルプ
２９１２．２９１３．２９１５　’ｅ徐々に開けて、マ
スフロコントローラ、２９０７．２９０８．２９１０内
に流入させる。引き続いて流出パルプ２９１７．２９１
８．２９２０、補助パルプ２９３２　全徐々に開いてガ
ス全反応室２９（１０）内に流入させる。このときのＳ
ｉＦ４ガス流量、ＧｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガ
ス流量の比が所望の値になるように流出パルプ２９１７
．２９１８．２９２０　　を調整し、又、反応室２９（
１０）内の圧力が所望の値になるように真空計２９３６
の読みを見ながらメインパルプ２９３４の開口を調整す
る。

そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒーター２
９３８によシ５０〜４００℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源２９４０’を所望の電力
に設定して反応室２９（１０）内にグロー放電を生起せ
しめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）
を用いて、あらかじめ設計された流量変化率線に従って
、ＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ、ガス及びＢｔＨａ／Ｈ２ガス
のガス流量を制御しながら、基体シリンダー２９３７上
に先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子
を含有する層１０２”ｅ形成する。所望の層厚に層１０
２′が形成された段階において、流出パルプ２９１８．
２９２０　ｅ完全に閉じ、必要に応じて放電条件をかえ
る以外は同様の手順に従ってグロー放電を続けることに
よシ層１０２′の上に、ゲルマニウム原子を実質的に含
有しない層１０２“を形成することができる。

上記と同様の操作によシ、第一の層上に第二の層全形成
するには、例えば５ＩＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨ６，Ａｒ、Ｈ。

等の稀釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で反応室２９
（１０）内に流入し、所望の条件に従って、グロー放電
を生起せしめることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２９（１０）内、流出パルプ２９１７〜２９２１から反
応室２９（１０）内に至るガス配管内に残留することを
避けるために、流出パルプ２９１７〜２９２１を閉じ補
助パルプ２９３２．２９３３全開いてメインパルプ２９
３４　’ｅ全全開て系内金一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎｃｔ４　’ｒ：出発物質とした
ガスを用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状
５ｎＣ４ｋ加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとと
もに、該５ｎｃＬ４中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボン
ベ２９０６よＪ）　Ａｒ　、　Ｈｅ’４の不活性ガスを
吹き込み、バブリングする。発生しｆＣ５ｎＣ４のガス
は、前述のＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ、ガス及びＢ２Ｈａ／
Ｈ２ガス等と同様の手順によシ反応室内に流入させる。

実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａｔ基体（長さ３５７ｍｍ
、径８０ｍｍ）に第５図（ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示
すような旋盤加工を施して得た第１Ａ表上欄に示すもの
を使用した。なお、第５（Ａ）図はＡｔ支持体の全体図
であり、第５（Ｂ）図はその部分拡大断面図である。

次に、該Ａｔ支持体（試料Ａ１（１０）〜１０８）上に
、−美一 以下の第１８）表に示す条件で、第２９図に示した製造
装置によシ光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容
層の表面は、支持体の表面に対して非平行となっていた
。また、微小部分における層厚の差は、第１Ａ表中欄に
示すとおシであった。更に光受容層のＡｔ支持体の中央
と両端とでの平均層厚の差は２．２μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、第３０図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ。

スポット径８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を
行ない、現像、転写を行なって画像を得た。得られた画
像の干渉縞模様の発生状況は第１Ａ表下欄に示すとおシ
であった。

なお、第３０　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第３０　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、３０（１０）は
光受容部材、３００２は半導体レーザー、３０（１３）
はｆθレンズ、　３００４はポリゴンミラーを示してい
る。　　　　−９１− 比較例１ 比較実験として、実施例１の光受容部材を作成した際に
使用したＡｔ支持体に代えて、サンドブラスト法により
　Ａｔ支持体の表面を粗面化したり支持体を採用したほ
かは前述の実施例１の高周波電力２５０〜３００　Ｗで
作製した光受容部材と全く同様の方法で光受容部材を作
成した。

この際のサンドブラスト法によシ表面粗面化処理したＡ
ｔ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（５Ｅ−３０）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８μｍであることが判
明した。

この比較用光受容部材を実施例１で用いた第３０図の装
置に取シ付けて、同様の画像形成を行なったところ、全
面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

比較例２ 実施例１と同一の表面形状を有するＡｔ支持体上に、光
受容層の形成時における放電電力をいずれも４０Ｗとし
た以外はすべて実施例１と同様にして光受容層を形成し
た。

得られた光受容部材の各々について、それらの光受容層
全実施例１と同様にして測定したところ、いずれも第３
１図に示す様に、光受容層の表面は支持体の表面に対し
て平行になっていた。ｔ　７’ｎ　Ａｔ支持体の中央と
両端部とで光受容層の層厚の差は平均１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像には実用には適
さない干渉縞の発生が観察された。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料Ａ
１（１０）〜１０８）上に光受容層を形成した。第一の
層形成時におけるＧｅＦ４ガス及びｓｉＦ、ガス流量の
変化は、第３２図に示す流量変化線に従って、マイクロ
コンピュータ−制御によシ、自動的に調整した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で微
小部分の層厚才〜測定したところ第２Ａ表上欄の結果を
得た。光受容層のシリンダーの中央と両端での平均層厚
の差は２．３μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像における干渉
縞発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおシであった。

実施例３ 実施例１と同様にして第３Ｂ表に示す層形成条件で、Ａ
ｔ支持体（試料Ａ１（１０）〜１０８）上に光受容層を
形成した。尚、第一の層形成時におけるＧｅＩ（４ガス
、ＳｉＨ４ガスおよびＮＨ，ガスのガス流量は、第３３
図に示す流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−
によシ、自動的に調整した。得られた光受容部材につい
て実施例１と同様な方法で微小部分の層厚差を測定した
ところ、第３Ａ表上欄の結果を得た。また光受容層のシ
リンダー中央と両端の平均層厚の差は２．３μｍであっ
た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、第３Ａ表下欄に示すとおシ
の干渉縞の発生状況であつ１（１０）　一 実施例４ 実施例１と同様にして第４Ｂ表に示す層形成条件で、Ａ
ｔ支持体（試料Ａ　１（１０）〜１０８）上に、光受容
層を形成した。なお、感光層の層形成時におけるＧｅＦ
ａガス、ＳｉＦ４ガスのガス流量は、第３４図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−により自動
的に調整した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で微
小部分の層厚差を測定したところ第４Ａ表上欄の結果を
得た。また光受容層のシリンダー中央と両端の平均層厚
の差は２．１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像における干渉
縞発生状況は、第４Ａ表下欄に示すとおりであった。

−１（１３）一 実施例５〜１１ 第５〜１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成
した以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（
試料屋１（１３）〜１０６）上に光受容層全形成した。

この際各実施例において第一の層形成時における使用ガ
スのガス流量は、各々第３５〜４１図に示す流量変化線
に従って、マイクロコンピュータ−制御によシ自動的に
調整した。また、各実施例において、第一の層に含有せ
しめる硼素原子は、該層全層中に約２００　ｐｐｍとな
るべく導入した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例〔発明の効果の概略
〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電隼的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として連用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を
説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支
持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０
図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明す
る図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発
生、第７図は、多層構成の光受容層における干渉縞の発
生、第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、
多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発生
、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行であ
る場合の干渉縞の発生を各々示している。第１１〜１９
図は、本発明の第一の層中におけるゲルマニウム原子又
はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、第
２０〜２８図は、本発明の第一の層中における酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種、あるいは、第１族原子又は第■族原子の層厚方向の
分布状態を表わす図であり、各図において、縦横は第一
の層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わして
いる。第２９図は、本発明の光受容部材の第一の層及び
第二の層を製造するための装置の例で、グロー放電法に
よる製造装置の模式的説明図である。第３０図は、レー
ザー光による画像露光装置全説明する図である。第３１
図は、自由表面と支持体の表面が平行である光受容部材
を模式的に示した図である。第３２乃至４１図は、本発
明の第一の層形成におけるガス流量の変化状態を示す図
であり、縦軸は第一の層の層厚、横軸は使用ガスのガス
流量を示している。 第１乃至第４図及び第３１図について、１００・・・光
受容部材　　１（１０）・・・支持体１０２．２０２．
３０２．４０２・・・第一の層１０２′・・・ゲルマニ
ウム原子ｔｉはスズ原子の少なくともいずれか一方を含
有す る層１０２〃・・・ゲルマニウム原子およびスズ原子の
いずれも含有しない層 １（１３）．２（１３）．３（１３）．４（１３）・・
・第二の層４０２′、４０２“・・・第一の層を構成す
る層１０４．２０４．３０４・・・自由表面２０５．３
０５・・・第一の層と第二の層との界面第６乃至１０図
について、６（１０）・・・下部界面　　　６０２・・
・上部界面７（１０）・・・支持体　　７０２．７（１
３）・・・光受容層８（１０）・・・支持体　　８０２
・・・光受容層９（１０）・・・支持体　９０２・・・
第１層　９（１３）・・・第２層１０（１０）・・・支
持体　　１００２・・・光受容層１０（１３）・・・支
持体表面　　１００４・・・光受容層表面第２９図につ
いて、２９（１０）・・・反応室　　２９０２〜２９０
６・・・ガスボンベ２９０６’・５ｎＣ１，用密閉 容器２９０７〜２９１１・・・マスフロコントローラ２
９１２〜２９１６・・・流入パ ルプ２９１７〜２９２１・・・流出パ ルプ２９３６・・・真空計　　２９３７・・・基体シリ
ンダー第３０図について、 ３０（１０）・・・光受容部材　３００２・・・半導体
レーザー３０（１３）・・・ｆθレンズ　３００４・・
・ポリゴンミラー川 第３図 （Ａ）　　　　　　（Ｂ） （Ｃ） Ｒ 位置 −らＱ７− 第４図 第５図 位置 位置 第１０図 位置 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７１！１ 第２０図 第２１図 第２３図 区　　　　　　　　区 綜　　　　　　　綜 □Ｃ Ｏり ｑ 綜 手続　補正　書（方式） 昭和６０年１１月１５日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１９８３９４　号 ２、発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおシ（内容に変更なし） 以上 手　　続　　補　　正　　書 昭和６０年１１月１５　日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１９８３９４号 ２発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 性　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）　　キャノン株式会社４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ５、補正命令の日付　　　　自　　　発６、補正の対象 図面の記載 ７、補正の内容 １０図　面 第４図を別添のとおりに訂正する。 以上

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子を含有する非晶質材料
   で構成された第一の層と、シリコン原子と、酸素原子及
   び窒素原子の中から選ばれる原子と、水素原子及びハロ
   ゲン原子の中から選ばれる原子とを含有する非晶質材料
   で構成された第二の層とを有する光受容層を備えた光受
   容部材であつて、前記第一の層が、ゲルマニウム原子ま
   たはスズ原子の少なくともいずれか一方を含有する層と
   、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含有しない
   層とを支持体側から順に有する多層構成であり、且つシ
   ョートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、
   該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方
   向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向において各
   々なめらかに連結していることを特徴とする光受容部材
   。
2. （２）第二の層が、シリコン原子と、酸素原子、及び窒
   素原子の中から選ばれる少くとも一種とを均一な分布状
   態で含有する非晶質材料で構成された特許請求の範囲第
   （１）項に記載された光受容部材。
3. （３）第一の層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
   中から選ばれ、且つ第二の層に含有されない原子を含有
   している特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材
   。
4. （４）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
7. （７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
9. （９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
10. （１０）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規
    則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成され
    ている特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
11. （１１）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によ
    つて形成されている特許請求の範囲第（１０）項に記載
    の光受容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
13. （１３）正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於い
    て螺線構造を有する特許請求の範囲第（１２）項に記載
    の光受容部材。
14. （１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
    範囲第（１３）項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている特許請求の範囲第（１１）項に記載の
    光受容部材。
16. （１６）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿つている特許請求の範囲第（１５）項
    に記載の光受容部材。
17. （１７）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
    の範囲第（１０）項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１７）項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第（１０）項
    に記載の光受容部材。