JPS62113153A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容層内部こ関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後「ａ−５ｉ　Ｊと略記する）
から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材なこついては、光受容層
を単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持
しつつ、電子写真用として要求される１０′２Ω儂以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範団で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各５種条件をＭｉ密にコントロール
することが要求される等、光受容部材の設計についての
許容度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の
許容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光
感度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案が
なさ６ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の
異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層
内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１
７８夛、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５
９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみら
れるように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層
の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見
掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多磨購造を有する光受容部
材は、各層の層厚ｉこばらつきがあり、これを用いてレ
ーザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光
であるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光
受容層を構成する各ノー及び支持体と光受容層との層界
面（以後、この自由表面及び層界面の９両者を併せた意
味で「界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫
々が干渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合、にあって
は、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる
。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少し【くるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ムと上部界面６０２で反射した反射光Ｒ１１下
部界面６（１１で反射した反射光＆が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１光の波
長をλとして、ある層のｊ−厚がなだλ らかに五泉上の層厚差で不均一であると、反射光４、亀
が２ｎｄ　＝　ｍλ（ｍは整数、反射光は強め合う）と
２ｎｄ＝（ｍ＋壺）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）
の条件のどちらに合うかによって、ある膚の吸収光量お
よび透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部材が第７
図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多層）構成
のものであるものにおい【は、それらの各層について第
、６図に示すような干渉効果が起って、第７図に示すよ
うな状態となり、その結果、それぞれの干渉が相乗的に
作用し合って干渉縞模様を呈するところとな９、それが
そのま−転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞模様
に対応した干渉縞が転写、定着され可視画像に現出して
不良画像をもたらしてしま、うといった問題がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±１０００ＯＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）７／Ｌ／ミニウム
支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂
中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公
報参照）　、（ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状の
アルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報
参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の屑品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−５ｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−８ｉ　Ｈの形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光１．は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光量、となる。透過充Ｉ、は、支持体８
（１１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散
光Ｋｓ　、Ｋｌ　、−・・・となり、残りが正反射され
て反射光Ｒ３となり、その一部が出射光−となって外部
に出ては行くが、出射光−は、反射光Ｒ，と干渉する成
分であっていずれにしろ残留するため依然として干渉縞
模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８（１１
の表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたと
ころでかえつて光受容層内で光が拡散してハレーション
を生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９（１１表面を不規則的に荒しても、第
１　＠　９０２での表面での反射光−１第２層での反射
光狭１、支持体９（１１面での正反射光−の夫々が干渉
して、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生
じる。従って、多層構成の光受容部材Ｑこおいては、支
持体９（１１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞な完
全に防止することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１０（１１の表面の凹凸形状
１００８に沿って、光受容層１００２が堆積するため、
支持体１０（１１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の
凹凸の傾斜面とが１０（１３’、　１００４’で示すよ
うに平行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ、＝：ｍλ
または２ｎｄ＋＝（ｍ＋”）λの関係が成立ち、夫々明
部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層
の層厚ｄ８、ｄ、、ｄ、、山の夫々の、　λ 差の中の最大かπ以上である様な層厚の不均一性がある
ため明暗の縞模様が現われろ。

従って、支持体１０（１１表面を規則的に荒しただけで
は、干渉縞模様の発生を完全をこ防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層・構成の
光受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光
と、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の
界面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光
受容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

（発明の目的〕 本発明は、主としてａ−５ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８Ｌで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−５ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
５ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子
と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構成された第
二の層とを有する光受容層を備えた光受容部材において
、前記支持体の表面が、主ピークＧこ副ピークが重畳し
て複数の微小な凹凸形状を成している断面形状のもので
あり、且つ、該支持体表面上の前記光受容層が、ショー
トレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非
平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に
多数配列しているものであることを骨子とする光受容部
材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、該光受容部材に要求され′る解像度よりも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分く以下、「ショートレンジ」と称
す〕内に、少くとも一対の非平行な界面を有するように
し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくと
も一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現われ
る干渉縞模様の問題が解消されること、そして、その場
合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面形状は、シ
ョートレンジ内に形成される各層の層厚の管理された不
均一化、支持体と支持体上に直接設けられる届との間の
良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性等
を確保するために、主ピークに副ピークが重畳した形状
を呈することが望ましいというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る多層構成の光受容」を有する光
受容部材の一例を示す模式図である。

この例では、支持体１（１１の表面が、主ピークに副ピ
ークが重畳しＣＦＸ数の微小な凹凸形状をなし【いる断
面形状のものであり、該支持体１（１１上に、その凹凸
形状に沿って、第一の層１０２と第二のＰ７Ａ１（１３
とからなる光受容層ヲ備えている。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の第一の層と
第二の廖の一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）
図は同部分における明るさを示す図であり、図中、２０
２は第一の層、２（１３は第二の層、２０４は自由表面
、２０５は第一の層と第二の層との界面を示している。

第２（Ａ）図に示すごとく、第二の層２（１３の層厚は
、ショートレンジ！内においてｄ□からａｌｔに連続的
に麦化しているため、自由表面２０４と界面２０５とは
互いに異なる傾きを有している。したがって、このショ
ートレンジ！内に入射したレーザー光等の可干渉性光は
、該ショートレンジｌにおいて干渉をおこし、微小な干
渉縞模様が生成はする。しかし、ショートレンジｌにお
いて生ずる干渉縞は、ショートレンジｌの大きさが照射
光スポット径より小さい、即ち、解像度限界より小さい
ため、画像に現われることはない。又、はとんどないこ
とではあるが、仮に、画像に現われる状況が生じたとし
ても肉眼の分解能以下なので、実質的には何等の支障も
ない。

一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３（１３
は第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０
２と第二の層３（１３との界面を示す。

）に示すよ、うに、第一の層３０２と第二の層３（１３
との界面３０５と、自由表面３０４とが非平行である（
第３（Ａ）図参照）場合には、入射光ムに対する反射光
Ｒ１と出射光九とはその進行方向が異なるため、界面３
０５と自由表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図参
照）場合に比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干渉
が生じても、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面が
平行な関係にある場合よりも、一対の界面が非平行な関
係にある場合の方が干渉の度合が小さくなるため、干渉
縞模様の明暗の差が無視しうる程度に小さくなり、その
結果、入射光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２（
１３の層厚がマクロ的に不均一である場合、即ち、異な
る任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ、、、ｄ
□がｄｌ、〜（ｉｔａである場合であっても同様であっ
て、全員領域において入射する光量は第２（ｐ）図に示
すように均一となる。

以上、支持体上に第一の層と第二の層とが積層されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材の第一
の層が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示
すように支持体４（１１上に、二つの構成層４０２′と
４０２”から構成される第一の層４０２、および第二の
層４（１３とが積層されている場合であワても、入射光
ムに対して、反射光Ｒ１、島、Ｒ，、Ｒ４および−が存
在するが、４０２′、４０２＃及び４（１３の各層にお
いて、第３図によって説明したごとき入射する光量が平
均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジ！内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差（こよる干渉と、
層界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は光受容層を構成する眉の数が増大するにつれ、より一
層干渉による形番な防止することができる。

以上の実仕的をこ確認された事実関係をもってする前述
の構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光
受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、
しかも該凹凸の断面形状が、主ピークにａビークが重畳
した形状を呈し【いるものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１７．１期の大きさｌは、照射光のスポット径
をＬとすれば、Δ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
二の層とからなり、該第−の層は、シリコン原子とゲル
マニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方と
、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種とを含有するアモルファス材料で構成され、
特に望ましくはシリコン原子（Ｓｉ　）と、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ　）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともい
ずれか一方と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒
素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも一種と、さらに
水素原子（）１）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも
いずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、「
ａ−８ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（０，（：、Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成され、さらに必要に応じて
伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。そ
して、該第−の層は、多層構造を有することもあり、特
に好ましくは、伝導性を制御する物質を含有する電荷注
入阻止層を構成層の１つとして有するか、または／及び
、障壁層を構成層の１つとして有するものである。

また、前記第二の層は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と
を含有するアモルファス材料で構成され、特に望ましく
は、シリコン原子（Ｓｉ　）と、酸素源、子（０）、炭
素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少く
とも一種と、水素原子（Ｉ（）及びハロゲン原子（Ｘ）
の少なくともいずれか一方とを含有するアモルファス材
料〔以下、［ａ−８ｉ　（ｏｓｃｓｉ）　（ｕ、ｘ）　
Ｊと表記する。）で構成される。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、第一の層と第二の層とを積層して有し、さら
に第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を防
止することを目的として、第一の層の支持体側の端部に
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に含
有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の層
の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量
に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成せ
しめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障壁
層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明の
光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が形
成されることとなるが、本発明の光受容部材におい【は
、ショートレンジ！内に少なくとも一対の非平行な界面
が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ショートレンジｊに於ける層厚の差、例えば、前述の
第２（Ａ）図におけるｄ□とｄ。

を満足することが望ましい。そして該層厚の差の上限は
、好ましくは０．１ａｍ〜２μｍ、より好ましくは０．
１　Ａｍ　〜１．５　μｍ、最適には０．２ａｒｗ１μ
ｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジ！内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差をΔノとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率をｎとした場合、次式： を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。

本発明の第一の層及び第二の眉の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１（１１は支持体、１０２は第一の層、１（１３は第
二力層、１０４は自由表面を示す。

叉庄体 本発明の光受容部材における支持体１（１１は、その表
面が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピーク
が重畳した形状を呈し【いるものである。

支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、スパッタリング
などの物理的方法、旋盤加工などの機械的方法などによ
りズ形成されるが、生産管理を容易に行なうためには、
旋盤などの機械的加工方法が好ましい。

たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、７字形
状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め
所望に従って設計されたプログラムに従って回転させな
がら規則的に所定方向に移動させることにより、支持体
表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、ピ
ッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によって
形成される凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋
構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造
とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入してもよい。

また、前記凹凸形状は、本発明の目的を効率的に達成す
るために、規則的、または周期的に配列されていること
が好ましい。更に、これに加えて、入射光を効率よく一
方向に散乱するために、前記凹凸形状が、その主ピーク
を中心に対称（第５図（Ａ））　％または、非対称（第
５図（Ｂ））に統一されていることが好ましい。しかし
、支持体の加工管理の自由度を高めるためには、両方が
混在しているのがよい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる微小な凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮
した上で、本発明の目的を効率的に達成出来る様に設定
される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−８ｉ（Ｑｅ。

Ｓｎ）　（０、Ｃ、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）層は、層形成され
る表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じて層
品質は大きく変化する。

従っ【、ａ−Ｓｔ　（Ｇｅ５Ｓｎ　）　（（１１Ｃ２Ｎ
　）　（Ｈ）ｘ）層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンションを設定する
必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、グレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した着層積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは０．３μｍ〜
５００μｍ１より好ましくは１μｍ〜２００μｍ１最適
には５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
１より好ましくは０．３μｍ〜３北、最適には０．６μ
ｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部（又は
線　突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０
度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０
度とするのが望ましい。

本発明に用いる支持体１（１１は、導電性のものであっ
−〔も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性
支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　。

ステンレス、ＡＪ！　、Ｃ：ｒ　、　Ｍｏ　１．Ａｕ　
％Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　ＴＬｐｔ、ｐｂ等の金
属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　１Ａ
！、ＣｒｌＭｏ、　Ａｕ、Ｉｒ％Ｎｂ、ｈＴａ、　Ｖｌ
Ｔｉ、Ｐｔ。

Ｐｄ　、　Ｉｎ、Ｏ，，５ｎＯ１、ＩＴＯ（Ｉｒｂ　Ｏ
ｓ　＋　Ｓｎｏｗ）等から成る薄膜を設けることによっ
−Ｃ導電・注を付与し、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａ１．　
Ａ３１Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　ＮＬ　、　Ａｕ。

Ｃｒ　１Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ　１Ｔａ、　Ｖ　１
ＴＡ！　１Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸蕾、スパッタリング等でその表面に設け、又は筋記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電比
を付与する。支持体の形状は、日商状、ベルト状、板状
等任意の形状であることができるが、用途、所望によっ
て、その形状は適宜に決めることのできるものである。

例えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成
部材として使用するのであれば、連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚≧は、所望通りの光受容部材を形成しつる様
に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。

に立１ 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１（１１
上に第一の層１０２を設けるものであや、該第−の層は
、シリコン原子とゲルマニウム原子又はスズ原子の少な
くともいずれか一方と、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種と、好ましくはさら
に水素原子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方
を含有する非晶質材料で構成され、さらに、該第−の１
０２には、必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せ
しめることが可能である。また該第−の層は多層椙成で
あってもよく、好ましくは、伝導性を制御する物質を比
較的多量に含有する電荷注入阻止層又は／及び障壁層を
支持体側端部の屓として有することが望ましい。

本発明において、第一の層中に含有せしめることのでき
るハロゲン原子は、具体的には、フッ素、塩素、臭素及
びヨウ素が挙げられるが、好ましくはフッ素及び塩素を
挙げることができる。そして、本発明の第一の層に含有
せしめる水素原子（Ｈ）の１、又はハロゲン原子（Ｘ）
の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の塁の和（Ｈ＋
Ｘ）は、好ましくは０．（１１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
、より好ましくは０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最
適には０．１〜２５れ０耐Ｃ％とする。

また、本発明において、第一の層の層厚は、本発明の目
的を効率的に達成するには重要な要因の１つであって、
光受容部材に所望の特性が与えられるように、光受容部
材の設計の際には充分な注意を払う必要があり、通常は
１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０μ、より好
ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長
波長上の全領域の波長の光に対して光感度が侵れ光応答
性の速いものとなる。ぞしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合に特に顕著ヤある。

本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、第一の層の全層領域に均一な分
布状態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で
含有せしめるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平
行な面方向において均一であり、第一の層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、第
一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び、／又はスズ原子を比較的
多量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるい
は自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態と
なる様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せ
しめることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部
においてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃
度を極端に大きくすることによリ、半導体レーザー等の
長波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に
近い構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない
長波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層
領域において実質的に完全に吸収されるため、支持体表
面からの反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の第一の層にはゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せしめること
もでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分布せしめ
ることもできるが、以下、層厚方向の分布状態の典型的
な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例として、第１
１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される第一の層はｔＢ側よりｔ
Ｔ側に向って層形成がなされ・る。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しておりこれらの図はあくまでも理解を容易にす
るための説明のための模式的なものである。

第１１図には、第一の層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接
する界面位置ｔＢより１１の位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が第一の層に含有され、位ｆｆｌ　ｔｔ
よりは濃度Ｇより界面位置を一二至るまで徐々に連続的
に減少されている。位置ｔ、においてはゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である。

） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ１から徐々に連続的に減少して立置ｔ７におい
て濃度らとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置１より位置り、までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度へと一定位置とされ、
位Ｉｎ　ｅｔと位ｉｔ７との間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置セ、より位置ｔ７に至るまで、濃度へより初め連続
的に徐々に減少され、位置ｔ。

よりは急速に連続的に減少されて位置ｔ７において実質
的に零とされている。

第１５図に示す例、こ於ては、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置し、と位に論量においては、濃度６と一
定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃは零とされる
。位置−と位置ｔ７との間では、分布４度Ｃは一次関数
的に位置−より位置を丁に至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位ＩＷ
ｔＢより位置ｔ、までは濃度Ｃ１の一定値を取り、位置
し、より位置を丁までは濃度へより濃度Ｃ１，まで−大
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例におい【は、位置ｔＢより位置を丁に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１ｌ
より一次関数的に減少されて、零に至っている。

第１８図においては、位置ｔＢより位置−に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１ｔより濃度
Ｃ１ａまで一次関数的に減少され、位置−と位置ｔ７と
の間においては、濃度Ｃ１ｍの一定値とされた例が示さ
れている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ、に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、し、の位置付近をこおいては、急激に減少さ
れて位置ｔＴでは濃度ＣＩｌとされる。

位置ｔ、と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ、
で濃度Ｃ１，となり、位置ｔ、と位置ｔ、との間では、
徐々に減少されて位置−において、濃度Ｃ目に至る。位
置ｔ、と位置を丁との間においては濃度Ｑｖより実質的
に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従っ【減少さ
れている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第一の層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側にふいて、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子あ分布濃度Ｃの高い部分を有
し、端面ｔ７側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設けられ
ているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
Ｂより５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５ｏｏｏ　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最遠には１×ＩＱａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成され
るのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。

本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効果的に達成しうる様に所望に従って適宜
法める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　ｘ　１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好ましくはＩ　Ｘ
　１０”〜２　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとす
る。

また、本発明の光受容部材の第一の層に、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含
有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感度化
と高暗抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着性
の向上にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、第一の層の支持体側端
部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中か
ら選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分
布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に
図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、第一の層をこ含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、しかし、上述のごとき第一の層に
要求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面
における特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定
されるものであり、通常は０．０（１１〜５０ａｔｏｍ
ｉｃ％、好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍｉｃ％、
最適には０．０（１３、′＋３０ａｔｏｍｉｃ％とする
。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中をこ占める割合が大きい場合には、前述の含有せし
める量の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、
例えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚
のスとなるような場合には、含有せしめる量は通常３０
ａｔｏｍｉｃ％以下、好ましくは２０ａｊｏｍｉｃ％以
下、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の
端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の端部付近においては、比較的少量となる
が、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せしめ
る場合の典型的な例のいくつかを、第２０図乃至第２８
図をこよって説明する。しかし、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素
原子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０ｅＣｓ
Ｎ　）Ｊと表記する。

第２０乃至２８図をこおいて、横軸は原子（ＯＳＣ＊Ｎ
）の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体と第一の層との界面位置を、ｔＴｌよ第一の層
と第二の屑との界面の位置を示す。

第２０図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ　）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示してい
る。該層では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有する第一の
層と支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ、までは、原子
（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度ＣがＣＩなる一定値をとり
、位置ｔｉより第二の層との界面位置ｔ７までは原子（
０ＩＣＩＮ　）の分布濃度Ｃが濃度らから連続的に減少
し、位置ｔ７においては原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度がＣ３となる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、第一の眉に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢ
から位置ｔｙにいたるまで、濃度−から連続的に減少し
、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ１となる。

第２２図に示す例では、位置ｔＢから位置を鵞までは原
子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ、から位置ｔＴにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃヮから徐々に連続的
をこ減少して位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ　）
の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ、にいなるまで、濃度Ｃ１か
ら連続的に徐々に減少し、位置シ丁においては原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは、位置しＢより位置セ、の間においては濃度への
一定値にあり、位置ｔ、から位ｉｔでの間においズは、
濃度らから濃度Ｃ８゜となるまで、−次関数的に減少す
る。

第２５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは、位置１より位置−にいたるまでは濃度ｅｌｌの
一定値をこあり、位１’ｉ！ｔｔ４より位置ｔ７にいた
るまでは濃度Ｑｔから濃度Ｃ１，どなるまで−次関数的
に減少する。

第２６図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは、位置ｔ、から位置り、にいたるまで、濃
度ＣＩ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少
する。

第２７図に示す例では、原子（０，（：、Ｎ　）の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ、にいたるまで濃度Ｃ１
ｓから」度Ｃ３，となるまで一次関数的に減少し、位Ｃ
Ｌ　ｔ＊から位置叶までは濃度ａＳＳの一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、原子（ＯｈＣ＊Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｉにおいて濃度Ｑｖであり、位置ｔ
Ｂから位置−までは、濃度Ｃ□からはじめはゆっくり減
少して、位置−付近では急厳に減少し、位置ムでは濃度
Ｃ１ｍとなる。次に、位Ｃｔａから位置ｔマまでははじ
めのうちは急激に減少し、その後は緩かに徐々に減少し
、位置ｔ、においては濃度Ｑｅとなる。更に位１ＩＬｔ
ｖと位Ｋ１−５の間では極めてゆっくりと徐々に減少し
、位置ｔ、において濃度へ・となる。また更に、位Ｒｔ
ａから位置ｔ７にいたるまでは濃度Ｃ４ｅから実質的に
ゼロとなるまで徐々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては
、該分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは
実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては
、第一の層の支持体側の端部に原子（ｏ、ｃ、Ｎ）の分
布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好
ましくは該局在領域を支持体表面と第一の層との界面位
ｉｔＢから５μ以内に設けることにより、支持体と第一
の層とのｅ着性の向上をより一層効率的に達成すること
ができる。

前記局在領域は、原子（０）ＣＩＮ　）を含有せしめる
第一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であって
も、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、
形成される第一の層に要求される特性に従って適宜決め
る。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ　）の量は、
原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分子濃度Ｃの最大値が５００ａ
ｅｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上、最適には１０（１１０００ａｔｏ　ｐｐ
ｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質とし【は、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第ｍ族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａノ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、ＴＪ（タリウム）等を挙げるこ
とができるが、特に好ましいものは、８％Ｇａである。

また第Ｖ族原子とし【は、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓ
ｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙げることが
できるが、特に好ましいものは、Ｐｌ　Ｓｂである。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第徂族
原子又は第■族原子を含有せしめる場合、金石領域に含
有せしめるが、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる値も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝４″ｊ型又は／及び伝導率を制
御することを主たる目的にする場合には、光受容部の全
層領域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ
族原子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　
１０−ｓ〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり
、好ましくはｓ　Ｘ　１０−’　〜５　Ｘ　１０”。

ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　ｓｆ＆適にはＩ　Ｘ　１０−’
〜２　Ｘ　１０”　ａｔｃｍｉｃｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第■族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第１Ｉｌ族原子又は第■族
原子を含有する措成困あるいは第■族原子を高濃度に含
有する層領域は、電荷注入阻止ｊ〜として機能するとこ
ろとなる。

即ち、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の
自由表面がｅ極性の帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻
止することができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合
には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動
をより効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有量は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ　。

好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ａｘ　、最適にはＩ　Ｘ　１０”〜５　ｘ　１０”　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻止層
としての効果を効率的に奏するためには、第■族原子を
含有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域の層
厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ　／　
Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好ま
しくは該関係式の値が０．３５以下、最適には０．３以
下となるようにするのが望ましい。また、該層又は層領
域の層厚ｔは、一般的には３　Ｘ　１０’〜１０μとす
るが、好ましくは４　Ｘ　１０”〜８μ、最適には５×
１０″４〜５μとするのが望ましい。

第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付近
においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布させ
る場合の典型的な例は、前述の第一の層に酸素原子、炭
素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つを
含有せしめる場合に例示した第２０乃至２８図のと同様
な例によって説明することができるが、本発明はこれら
の例によって限定されるものではない。

そして、第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層の第二の層に近
い側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分
あるいは実質的をこゼロに近い濃度の部分を有する場合
にあつては、支持体側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設け
ること、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する
界面位置から５μ以内に設けることにより、第■族原子
又は第■族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷
注入阻止層を形成するという前述の作用効果がより一層
効果的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入阻止層ｔこ含有せしめた伝導性を
制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物
質を含有せしめてもよく、あるいは、同種性の伝導性を
制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも
一段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｌｔ　Ｏｓ、Ｓｉへ、Ｓｉ、Ｎ、等の
無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶縁
材料を挙げることができる。

差≦≦λ１ 本発明の光受容部材の第二の層１（１３は、上述の第一
の層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、
すなわち表面層であり、酸素原子、炭素原子又は窒素原
子のうちの少なくともいずれか１つを均一な分布状態で
含有する７モルファスシリコン〔以下、ｒ　ａ−５ｉ　
（０，Ｃ，Ｎ　）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成
されている。

本発明の光受容部材に第二の層１（１３を設ける目的は
、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、および耐久性等を向上させることにあり、これ
らの目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともい
ずれか１つを含有せしめることにより達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１（１３を構成するアモルファス材料の各々が
、シリコン原子という共通した構成原子を有しているの
で、第一の層１０２と第二の層１（１３との界面におい
て化学的安定性が確保できる。

第二の層１（１３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、こ
れらの原子含有せしめる量の増加に伴って、前述の緒特
性は向上する。しかし、多すぎると層品質が低下し、電
気的および機械的特性も低下する。こうしたことから、
これらの原子の含有量は、通常０．０（１１〜９０ａｔ
ｏｍｉｃ％、好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方を含有せしめることが望ましく、第二の層
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原
子（Ｘ）の量あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、好ましく
は５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５ａｔｏｍ
ｉｃ％とする。

第二の層１（１３は、所望通りの特性が得られるように
注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、お
よび酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及び
ハロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含
有量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から
非晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導
電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質
から非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じ
た所望の特性を有する第二の層１（１３を形成しうるよ
うに、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重
要である。

例えば、第二の層１（１３を電気的耐圧性の向上を主た
る目的として設ける場合には、第二の層１（１３を構成
する非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動
の顕著なものとして形成する。又、第二の層１（１３を
連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的
として設ける場合には、第二の層１（１３を構成する非
晶質材料は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度復和
するが、照射する光に対しである程度の感度を有するも
のとして形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される特
性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要
がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点
においても考慮する必要もある。こうしたことから、第
二の層の層厚は通常は３×１０４〜３０μとするが、よ
り好ましくは４×１（１１〜２０μ、特に好ましくは５
　Ｘ　１０”〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容部を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉ｙ４１％による形成画像における干
渉縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画
像を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れ【い
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合をこ
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
でちって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜進択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ　（）Ｉ、Ｘ　）で
構成される光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓ
Ｌ）を供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ　）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
しうる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供
給用の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望
のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起
せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支持体表
面上に、ａ−９ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層を
形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉｎ、、Ｓｉ、Ｈ４、ＳＬ−１ＳＬＨｔ。等のガス状態
の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）が挙げられ
、特に、層作成作業時の取扱い易さ、ＳＬ供給効率の良
さ等の点から、５ｉＨａおよびＳｉ、１％が好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、Ｇｅ１（４、ＧｅｔＨａ、Ｇｅ５Ｈａ、　Ｇｅ４Ｈ
ｎ、Ｇｅ５Ｈｔ＊、Ｇｅ、Ｈ，、Ｇ　ｅｔ　Ｈ＋　＊、
Ｇ　ｅ＠　Ｈ＋　＊、Ｇｅ５Ｈｔ＊　　等のガス状態の
又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、履作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率
の良さ等の点から、ＧｅＨ４、ＧｈＬ、およびＧｅ、Ｈ
，が好ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうろ物
質としては、多くのハロゲン化合物があり、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
うるハロゲン化合物を用いることができる。具体的には
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ
、　ＣＩＦ　１ＣＩＦｓ、ＢｒＦ５、ＢｒＦ５　、ＩＦ
ａ、ＩＦ、、ＩＣｌ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、および５ｉＦａ、Ｓ　ｉ
、Ｆ、、５ＬＣＩａ　、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素
等が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓｉ原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にハロゲン原子を含有するａ−５ｉで構成される
層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ％
Ｈ，、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支持
体上に光受容層を形成するものであるが、電気的あるい
は充電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にするため
には、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを
混合することもできる。該水素原子供給用のガスとして
は、水素ガスあるいは、ＳｉＨ，、Ｓｉ函、Ｓｉ函、５
ｉ４Ｈｔ。

等の水素化硅素のガスが用いられる。また、水素原子供
給用ガスとして、ＩＦ　１ＨＣＩ　１ＨＢｒ　、　ＩＩ
等のハロゲン化物、５ｉ）１．Ｆ、、Ｓｉ鳥Ｉ８、ＳＩ
＆Ｃ１ｍ、５ｉＨＣ１ａ、ＳｉＨ，Ｂｒ、、５ｉＨＢｒ
、等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態のあるいは
ガス化しうるものを用いた場合には、ハロゲン原子（Ｘ
）の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、有
効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）
で構成される光受容層を形成するには、シリコンから成
るターゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの
二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるタ
ーゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にノ）ロゲン原子を含有せ
しめるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すれ・ばよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えば鳥ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、ＩＰ。

ＨＣＩ　、１ｉＢｒ　、　ＩＩ等のハロゲン化水素、Ｓ
ｉＨ，Ｆ、、Ｓｉ＆Ｉ奪、Ｓｉ＆Ｃ１Ｎ、５ｉＨＣＪ、
、ＳｉＨ，Ｂｒ、、５ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水素
化硅素、およびＧｅＨＦｍ、ＧｅＨ，Ｆ、、ＧｅＨｓＦ
　、　Ｇｅ）ＩＣＪｓ、Ｇｅ＆Ｃ＆、ＧｅＨａＣＪ　、
　ＧｅＨＢｒａ、ＧｅＨ，Ｂｒ、、ＧｅＨ，Ｂｒ　、　
ＧｅＨＩ、、Ｇｅ　Ｈ，１，、Ｇｅ）１ａＩ等の水素化
ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ、　、ＧｅＣ＆、Ｇ
ｅ　Ｂ　ｒａ、ＧｅＬ、ＧｅＦ、、ＧｅＣ＆、ＧｅＢｒ
、、Ｇｅ１．等のノ１０ゲン化ゲルマニウム等々のガス
状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として使
用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．（１１〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３ｏ　ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされる
のが望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンプレー
テ（フグ法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、ｒ　ａ−５ｔＳｎ（ＬＸ）Ｊと表記す
る。）で構成される光受容層を形成するには、上述のＢ
−８ｘＧｅ　（Ｈ２ｘ）で構成される層の形成の際に、
ダルマ三つム原子供給゛用の出発物質を、スズ原子（釦
）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中への
その量を制御しながら含有せしめることによって行なう
。

前記スズ原子（Ｓｎ　）供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（５ｎＨ４）やＳｎＦ＊、Ｓｎ
Ｆ　４．５ｎＣＪ＊、５ｎＣＪａ、ＳｎＢｒｍ、５ｒＢ
ｒａ、５ｎＩｔ、　ＳｎＬ等のハロゲン化スズ等のガス
状態の又はガス化しうるちのを用いることができ、ハロ
ゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロゲ
ン原子を含有するａ−５ｉで構成される層を形成するこ
とができるので、特に有効である。なかでも届作成作業
時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、Ｓｎ
Ｃ＆が好ましい。

そして、　５ｎＣＪａをスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、固体状
の５ｎＣ１４を加熱するとともに、Ａｒ。

Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いて
バグリングするのが望ましく、こうして生成したガスを
、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入
する。

グロー放電法を用いて、酸素原子、炭素原子、又は窒素
原子を含有するａ−３ｉＧｅ　（ＨＪ　）、ａ−８ｉＳ
ｎ（Ｈ，Ｘ　）又はａ−８ｉＧｅＳｎ　（Ｈ，Ｘ　）で
構成される７１又は一部の層領域を形成するには、上述
のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ　）又は／及びａ−５ｉＳｎ　
（）ｔ、Ｘ　）で構成される層の形成の際に、原子（０
，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質を、ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ
，Ｘ　）又は／及びａ−３ｉＳｎ　（Ｈ。

Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中
へのそれらの量を制御しながら含有せしめることによっ
て行なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ　）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（へ）、オゾン（ｏｎ）、−酸化窒素（Ｎｏ
）％二酸化窒素（ＮＯＷ）、−二酸化窒素（島Ｏ）、三
二酸化窒素（Ｎｔｏｗ）、四二酸化窒素（鳥０４）、三
二酸化窒素（Ｎ、へ）、二酸化窒素（ＮＯｘ）、シリコ
ン原子（ＳＬ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサン（ｘｓｉｏｓｉ
Ｈａ）、）ジシロキサン（山５ｉＯ８ｉＨ，０５ｉＨｓ
）等の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導
入用の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＬ）、エ
タン（晴０、プロパン（Ｃ，）ｉｓ）、ｎ−ブタン（ｎ
−Ｃ４）１ｔｏ）、ペンタン（ＣＳ　）［＊　）等の炭
素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン・（馴０、プロピ
レン（ＣＪ、）、ブテン−１（Ｃ４馬）、ブテン−２（
Ｃ４Ｈ４）、イソブチレンジ山）、ペンテン（Ｃ，Ｈ，
・）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレ
ン（ＣｔＵ＊）、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈ４）、ブチ
ン（馴イ等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が
挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質としては、
例えば、窒素（Ｎ、）、アンモニア（Ｎ−）、ヒドラジ
ン（）Ｌ、ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＮＬ）、アジ化ア
ンモニウム（ＮＨ４ＮＳ）、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四
弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等が挙げられる。

また、スパッタリング法を用いて原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）を含有するａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）、ａ−８ｉ
Ｓｎ　（Ｈ，Ｘ　）またはａ−９ｉＧｅＳｎ　（Ｈ，Ｘ
　）で構成される層を形成する場合には、原子（０，Ｃ
，Ｎ　）導入用の出発物質としては、グロー放電法の際
に列挙した前記の°ガス化可能な出発物質の外に、固体
化出発物質として、５ＬＯｔｚ　５ｉｓＬ、カーボンブ
ラック等を挙けることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のタ
ーゲットとしての形で使用することができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第■族原子又は第■族原子を含有
するａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）又は／及びａ−８ｉＳ
ｎ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層又は一部の層領域を形
成するには、上述のａ−８ｘＧｅ　（ＨｓＸ　）又は／
及びａ−ＳｉＳｎ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層の形成
の際に、第ｍ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を
、ｇ−８ｉＧｅ　（ＨｓＸ　）又は／及びａ−ＳｉＳｎ
（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成す
る層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめること
によって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、ＢＩＨ＠、Ｂｉｂ１・、ＢＪ−１Ｂ、
山處、Ｂｓ　Ｈｔ・、＆Ｈ電！、鳥Ｈ１４等の水素化硼
素、ＢＦｓ、ＢＣｌａ、ＢＢｒｍ等のハロゲン化硼素等
が挙げられろ。

この他、ｈｌｃｌｓ、ＧａＣ１５、Ｇａ　（ＣＨｓ）ｔ
、　ＩｎＣｌ５、ｕｃｌＪｓ等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはｐＨＪ、ｐｔＨ，等の水素化燐、ＰＬＩ
、ＰＦ、、ＰＦｓ、ｐｃｌｓ、ＰＣｌ５、ＰＢｒ、、Ｐ
　Ｂ　ｒｓ　ｘＰＩａ等のハロゲン化燐が挙げられる。

この他、Ａｓｈ、、ＡｓＦ、、Ａｎｃｌ、、Ａ　ｓ　Ｂ
　ｒ、、ＡｓＦ５、ｓｂｚ、ＳｂＦ、、５ｂＦｓ％５ｂ
Ｃ１＊　、ＳｂＣ６ｍ、Ｂｉｂ、、ＢｉＣＪｊｓ、Ｂ　
ｉ　Ｂ　ｒｅ等も第■族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つを含有するアモルファ
スシリコン、即ち、ａ−５Ｌ　（０，ｃ、Ｎ　）　（Ｌ
Ｘ　）で構成される第二の屓１（１３を形成するには、
ａ−５Ｌ　（０，Ｃ，Ｎ　）　（Ｈ，Ｘ　）形成用の出
発物質を使用して、上述の原子（０，Ｃ。

Ｎ）を含むａ−５ｔＧｅ　（Ｈ＊Ｘ　）又は／及びａ−
８ｉＳｎ　（Ｈ。

Ｘ）で構成される第一の層を形成する場合と同様にして
行なう。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロー放電法
により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原
料ガスと、必要に応じ【水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、シリコン原子（ＳＬ
）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水
素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又
所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓ
ｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ
　）、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成
原子とする原料ガスとを混合して使用することができる
。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化りうる物質をガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。

酸素原子導入用の出発物質とし【は具体的には、例えば
酸素（へ）、オゾン（０，）、−酸化窒素（ＮＯ）、二
酸化窒素（Ｎへ）、−二酸化窒素（ＮＩＯ）、三二酸化
窒素（ＮｏＱａ）、四三酸化窒素（ＮｏＯａ）、三二酸
化窒素（Ｎ、へ）、三酸化窒素（Ｎｏｗ）、シリコン原
子（ＳＬ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成
原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，ＳｉＳ１０８
ｉＨ、）ジシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨｓＯ５ｉＨａ
）等の低級シロキサン等を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層を形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又はＳｌ
ヘウエーハ、又はＳｉとＳｉへが混合されて含有されて
いるウェーハをターゲットとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって行えばよい
。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉへとは別々のターゲットとして
、又はＳｉとＳｉへの混合した一つのターゲットを使用
することによって、スパッタリング用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによつて成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

また、例えば炭素原子を含有する第二の層をグロー放電
法により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とす
る原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又はシリコン原子（Ｓ
ｉ　）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及
び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これ
も又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子（
Ｓｉ　）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｉ　＞、炭釆原子（Ｃ）及び水素原子（Ｒ）を構成原
子とする原料ガスを混合するか、更にまた、シリコン原
子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガス
と炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスを混合して
使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とするＳｉｎ、　、Ｓｉ、＆、ＳＬ晶
、Ｓ　１４Ｈｔｓ等のシラ：ｔ　（５ｉｌａｎｅ　）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ山）、プロパン（ｃｓＬ）、ｎ−ブタン（
ｎ　−ＱＨｔｓ）、ペンタン（Ｃ１ｌｌＫ、）、エチレ
ン系炭化水素としては、エチレン（へ“Ｈ４）、プロピ
レン（Ｃ，Ｉ（、）、ブテン−１（Ｃ４山）、ブテン−
２（Ｃ４）１１）、イソブチレン（饋０、ペンテン（Ｃ
５Ｈｔ　＊）　、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（ｃｒａｍ）、メチルアセチレン（Ｃ１ｌ（４）
、ブチン（饋０　等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨａ）ｍ、Ｓｉ幅Ｈ，）４等の〜ケイ化７ｐ午ル
を挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導入
用の原料ガスとしては勿論鳥も使用できる。

スパッタリング法によってａ−５ｉＣ（Ｈ，Ｘ　）で構
成される１二の層を形成するには、単結晶又は多結晶の
Ｓｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳ
ｉとＣが混合されて含有されているつ工−ハをターゲッ
トとして、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行う。

例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ
等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳｉ
ウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするが、あるいは
ＳｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。

更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するを
こは、シリコン原子（Ｓｉ）全構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原子（１１）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するかして使用することができる。

又、別）こは、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を［相］成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものであれば、いずれのもの
であってもよい。

窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ＊）、アンモニア（Ｎｕｍ）
、ヒドラジン（ＨＩ　ＮＮＨＩ）％アジ化水素（Ｎｕｎ
）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｍ）等の窒素、窒化
物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。

この他に、三弗化窒素（ＦＩＮ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ
ｌ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができ、こ
れらのハロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（
Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もできる
。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又は
Ｓｉ、Ｎ、ウェーハ、又はＳｉとＳ　ｉｓ　Ｌ　が混合
されて含有されているウェーハをターゲットとして、こ
れ等’ａ一種々のガス雰囲気中でスパッタリングするこ
とによっ【行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉミラニーへ
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉ、Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとｓＬｘの混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（１１
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成
される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第■族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
り行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって追立選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、第一の層および
第二の眉に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によ
っても異なることもあることから、含有せしめる原子の
種類あるいはその社等にも考慮をはらって決定する必要
もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｔ　（ＨｓＸ　）からなる第二の層を形成す
る場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、箱に好筐しくは５ｏ〜２５０℃とする。堆積室内の
ガス圧は、通常０．（１１〜ＩＴｏｒｒとするが、特に
好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。また、放
電パワーは０．００５〜５０　Ｗ〆一とするのが通常で
あるが、より好ましくは０．（１１〜３０Ｗ／ｄ、特に
好まＬ　＜　ハ０．（１１〜２０　Ｗ　／ｄとする。

ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）からなる第一の層を形成す
る場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せし
めたａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）からなる第一の層を形
成する場合については、支持体温度は、通常５０〜３５
０℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃、特に好
ｆしくは１００〜３００℃とする。そして、堆積室内の
ガス圧は、通常０．（１１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好
ましくは、０．０（１１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好ま
しくは０．１〜１　’ｒｏｒｒとする。また、放電パワ
ーは０．００５〜５０Ｗ／ｄとするのが通常であるが、
好ましくは０．（１１〜３０　Ｗ　／ｃＩｉとし、特に
好ましくは０．（１１〜２０Ｗ／ｄとする。

しかし、これらの、層形成を行うについ【の支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとｔ、　一対の非平行な界
面を有するように形成されていることが必要であり、そ
のために支持体上に形成される層の表面が支持体表面に
対し非平行となるように形成されろわけであるが、その
よう（こするについては、成膜操作中、放電パワー、ガ
ス圧を比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放電パワー、ガス、圧は、使用ガスの種
類、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等に
よって異り、これらの種々の条件を考慮し【決定される
。

ところで、本発明の光受容ｊ弓に含有せしめるゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子、原子（０ｓＣｓＮ　）　
、第■族原子又は第■族原子、あるいは水素原子又は／
及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには、光
受容層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つ
ことが必要である。

また、本発明に」３いて、光受容層の形成の際に、該層
中に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子
（ｏ、ｃ、Ｎ）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度な層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態を有する光受容層を形成するには、グロー放電法を用
いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子、原子（０＊Ｃ＊Ｎ　）　、あるいは第■族原子又は
第■族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入す
る際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ
、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガ
ス流量を変化させるには、具体的には、例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方
法により、ガス流路系の途中をこ設けられた所定のニー
ドｙパルプの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。

このとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例え
ばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ること
もできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ
）　、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の
分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布
状態を形成するには、グロー放電法を用いた場合と同様
に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ
　）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する際
のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１３に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２９図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２９０２．２９（１３．２９０４．２９０５．２
９０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
ための原料ガスが密封されており、その１例として、た
とえば、２９０２はＳｉＦ、ガス（純度９９．９９９％
）ボンベ、２９（１３はＨｌで稀釈されたＢＡＨ，ガス
（純度９９．９９９％、以下ＢｔＨａ　／　Ｈｔと略す
。）ボンベ、２９０４はＣＨ４ガス（純度９９．９９９
％）ボンベ、２９０５はＧｅＦ、ガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２９０６は不活性ガス（１（ｅ　）ボン
ベである。そして、２９０６’はＳｎＣ＆が入った密閉
容器である。

これらのガスを反応室２９（１１に流入させるにはガス
ボンベ２９０２〜２９０６のパルブ２９２２〜２９２６
゜リークパルプ２９３５が閉じられていることを確認し
又、流入パルプ２９１２〜２９１６、流出パルプ２９１
７〜２９２１　、補助パルプ２９３２．２９３３が開か
れていることを確認して、先ずメインパルプ２９３４を
開いて反応室２９（１１　　ガス配管内を排気する０次
に真空Ａｌシリンダー２９３７上に第一の層及び第二の
層を形成する場合の１例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ２９０２よりＳｉＦ、ガス、ガスボン
へ２９（１３よりち岬１ガス、ガスボンベ２９０４より
Ｃ）１４ガス、ガスボンベ２９０５よりＧｅＦａガスの
夫夫をパルプ２９２２．２９２３．２９２４．２９２５
を開いて出口圧ゲージ２９２７．２９２８．２９２９．
２９３０の圧を１〜／ｄに調整し、流入パルプ２９１２
．２９１３．２９１４．２９１５ヲ徐々に開けて、マス
フロコントローラ２９（１７．２９０８．２９０９．２
９１０内に流入される。引き続いて流出パルプ２９１７
．２９１８．２９１人２９２０　、補助パルプ２９３２
を徐々に開いてガスを反応室２９（１１内に流入される
。このときのＳｉＦ。

、ガス流量、ＧｅＦ、ガス流量、ＣＨ，ガス流量、４馴
１ガス流量の比が所望の値になるように流出パルプ２９
１７．２９１８．２９１９．２９２０を調整し、又、反
応室２９（１１内の圧力が所望の値になるように真空計
２９３６の読みを見ながらメインパルプ２９３４の開口
を調整する。そして基体シリンダー２９３７の温度が加
熱ヒーター２９３８により５０〜４００℃の範囲の温度
に設定されていることを確認された後、電源２９４０を
所望の電力に設定して反応室２９（１１内にグロー放電
を生起せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図
示せず）を用いて、あらかじめ設計された流量変化率線
に従って、ＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ、ガス、ＣＨ４ガス及
び−Ｈａ／Ｈａガスのガス流量を制御しながら、基体シ
リンダー　２９３７上に先ず、シリコン原子、ゲルマニ
ウム原子、炭素原子及び硼素原子を含有する第一の層を
形成する。

上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えば５ｉＦａガス、及びＣ）１４ガスの夫
々を、必要に応じてＨｅ、　Ａｔ、　Ｈａ等の稀釈ガス
で稀釈して、所望のガス流量で反応室２９（１１内に流
入し、所望の条件に従って、グロー放電を生起せしめる
ことによって成される。

夫々の眉を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２９（１１内、流出パルプ２９１７〜２９２１から反応
室２９（１１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出パルプ２９１７〜２９２１を閉じ補助パ
ルプ２９３２．２９３３を開いてメインパルプ２９３４
を全開して系内な一旦高真空・こ排気する操作を必要に
応じて行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣＩＩａを出発物質としたガス
を用いる場合には、　２９０６’に入れられた固体状５
ｎＣ１４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとと
もに、該５ｎＣＪ４中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボン
ベ２９０６よりＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込
み、バブリングする。発生した５ｎＣ１ａのガスは、前
述のＳｉＦ、ガス、ＧｅＦ、ガス、ＣＬガス、ＢｔＨ／
Ｉｌａガス等と同様の手順により反応室内に流入させる
。

実施例１ 支持体として、シリンダー状ＡＪ基体（長さ３５７ｓＥ
ｌｌ、径８０ｍ）に旋盤で第３０（Ａ）図に示すような
溝を形成した。このときの溝の形の断面形状は第３０　
（Ｂ）図に示すとおりであった。なお、第３０（Ａ）図
は該Ａノ支持体の全体図であり、第３０（Ｂ）図は、そ
の表面の一部分の断面形状を示す図である。

次に、該Ａノ支持体上に、以下の第１表に示す条件で、
第２９図に示した製造装置により光受容層を形成した。

な希、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、ＢｍＨａ
　／５ｉＦａ　＋　Ｇｅ１％　’ｉ　１００　ｐｐｍで
あって、該層の全治について約２００　ｐｐｍドーピン
グされ【いるようになるべく導入した。

こうして得られた光受容部材について、その光受容層の
層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容層の表面は
、支持体の表面に対して非平行となっており、ＡＩ支持
体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであ
った。

さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、
転写を行なって画像を得た。

得られた両像において、干渉縞模様の発生は観察されず
、実用性の良好な電子写真特性を示すものが得られた。

なお、第３１（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第３１（Ｂ）図は露光装置の全体を模
式的に示す側面略図である。図中、３１（１１は光受容
部材、３１０２は半導体レーザー、３１（１３はｆθレ
ンズ、３１０４はポリゴンミラーを示している。

ヌ」１鮮ｊ 第２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａ！支持体上に光受
容層を形成した。

こうして得〜れた光受容部材について、それらの微小部
分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定したと
ころ、光受容層の表面は、支持体表面に対して非平行と
なっており、また光受容層のシリンダー中央と両端の平
均層厚の差は２．３μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得られた。

実施例３ 実施例１と同様にして、第３０　（Ｃ）〜（Ｅ）図に示
す断面形状を有するＡＩ支持体（シリンダー宛３（１１
〜３（１３）を得た。

該ＡＩ支持体（シリンダー宛３（１１〜３（１３）上に
、第３表に示す層形成条件に従って、光受容層を形成し
た。なお、第一の層形成時にあけるＳｉＦ４ガス、Ｇｅ
Ｆ、ガスｄ山ｌＬガス及びＣＨ４ガスのガス流量は第３
２図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュー
タ−制御により自動的に調整した。また、第一の層中に
含有せしめる硼素原子は実施例１と同様の条件で導入し
た。

こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の層厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光受容層の表面は支持体の表面に対して非
平行となっ【いた。

また、光受容層のシリンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られた画像において、干
渉縞の発生は観察されず実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得れた。

第３表 第　３　表　（つづき） 放電周波数　：　　１３．５６　ＭＨｚ遣ｌ劃す側一旦 第４〜１３表に示す層形成条件に従って光受容層を形成
した以外はすべて実施例３と同様を、して、Ａ／支持体
（シリンダーＮ０．３（１１〜３（１３）上に光受容層
を形成した。この際、実施例４−６．８〜１１に３ける
使用ガスのガス流社は、各々第３３〜３５．３６〜３９
図に示す流量庇化１線に従って、マイクロコンピュータ
−制御に−り自動的に調整し、各実！Ａ例において光受
容ｊｉ中に含有せしめる硼素原子は、実施例１と同（。

の条件で導入した。

得られた光受容部材ｔこついて、実し′１例１と１１様
にして画像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生力１察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を
説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支
持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０
図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明す
る図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発
生、第７図は、多層構成の光受容層における干渉縞の発
生、第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、
多層構成の光受容）５における散乱光による干渉縞の発
生、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行で
ある場合の干渉縞の発生を各々示している。 ′！、ｉｌｌ〜１９図は、本発明の第一のＩ」中番こお
けるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状
態を表わす図であり、第２０〜２８図は、本発明の第一
の層中における酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少くとも一種、および第■族原子又は第■族
原子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図にお
いて、縦軸は第一の層のｊ−厚を示し、横軸は各原子の
分布濃度を表わしている。第２９図は、本発明の光受容
部材の第一の層及び第二の層を製造するための装置の例
で、グロー放電法による製造装置の模式的説明図である
。第３０　（Ａ１図は旋盤による機械的加工により形成
された、本発明の光受容部材の支持体の全体図であり、
第３０　（Ｂ）〜（Ｅ）図は、該支持体の表面の一部分
の断面形状を示す図である。第３１図は、レーザー光（
こよる画像露光装置を説明する図である。第３２乃至３
９図は、本発明の第一の層形成におけるガス流量の変化
状態を示す図であり、縦軸は第一の層の層厚、横軸は使
用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第４図及び第３１図について、１００・・・光
受容部材、１（１１・・・支持体、１０２．２０２．３
０２．４０２・・・第一の層、１（１３．２（１３．３
（１３．４（１３・・・第二の層、４０２′、４０２′
・・・第一の層を構成する層、１０４．２０４．３０４
・・・自由表面、２０５．３０５・・・第一の層と第二
の層との界面、第６乃至１０図について、 ６（１１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７（
１１・・・支持体、７０２．７（１３・・・光受容層、
８（１１・・・支持体、８０２・・・光受容層、９（１
１・・・支持体、９０２・・・第１層、９（１３・・・
第２層、１０（１１・・・支持体、１００２・・・光受
容層、１０（１３・・・支持体表面、１００４・・」晃
受容層表面、第２９図において、 ２９（１１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガ
スボンベ、２９０６’・５ｎＣ１ａ槽、２９（１７〜２
９１１　・−・−ｒスフロコントローラ、２９１２〜２
９１６・・・流入バルブ、２９１７〜２９２１・・・流
出ハル７’、２９２２〜２９２６・・・バルブ、２９２
７〜２９３１・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・
・・補助バルブ、２９３４・・・メインパル７’、２９
３５・・・ＩＪ−クハルフ、２９３６・・・真空計、２
９３７・・・基体シリンダー、２９３８・・・加熱ヒー
ター、２９３９・・・トター、２９４０・・・高周波電
源、 第３１図において、 ３１（１１・・・光受容部材、３１０２・・・半導体レ
ーザー、３１（１３・・・ｆθレンズ、３１０４・・・
ポリゴンミラー。 図面の１１・君（内ｆ＝に変更なし） 第１図 第３図 （Ａ）　　　　　　　　　（８） （Ｃ） １口 位置 「くや ＜　　　　　　　　　　　閃 ５峙や Ｑ口 第８図 第９図 第１０図 位置 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図７ 第１６図 □Ｃ 第１７図 第１８図 □Ｃ 第２０図 第２１図 し 第２６図 □Ｃ □Ｃ 第３０図 （Ｂｌ （７／ｍ） 第３０図　　　　（Ｃ） （′Ｅ　） （７７ｆｆｉ） （、＆ｍ） （Ａ糧） 第３３図 Ｈ２ガＸＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス 手続補正書（方式） 昭和６１年２月２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２５２９１３号 ２発明の名称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 性　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル 昭和６１年１月８日 ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子、炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
   する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子
   と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
   少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構成された第
   二の層とを有する光受容層を備えた光受容部材であって
   、前記支持体の表面が、主ピークに副ピークが重畳して
   複数の微小な凹凸形状を成している断面形状のものであ
   り、且つ、該支持体表面上の前記光受容層が、ショート
   レンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平
   行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多
   数配列しているものであることを特徴とする光受容部材
   。
2. （２）第二の層がシリコン原子と、酸素原子、炭素原子
   、窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを均一な
   分布状態で含有する非晶質材料で構成された特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。
5. （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（４）項に記載の光受容部材。
6. （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
7. （７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
9. （９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
11. （１１）前記支持体の表面に設けられた凹凸形状が、螺
    旋構造を有する線状突起部を形成している特許請求の範
    囲第（１０）項に記載の光受容部材。
12. （１２）の前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求
    の範囲第（１１）項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記線状突起がその稜線方向に於いて区分され
    ている特許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材
    。
14. （１４）前記線状突起の稜線方向が円筒状支持体の中心
    軸に沿っている特許請求の範囲第（１１）項に記載の光
    受容部材。
15. （１５）前記支持体表面に設けられた凹凸は傾斜面を有
    する特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
16. （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１５）項に記載の光受容部材。
17. （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた微小な凹凸と同一のピッチで配列された微小な凹凸
    が形成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の光
    受容部材。