JPS6240466A

JPS6240466A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6240466A
Application number: JP18078185A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-08-18
Filing date: 1985-08-18
Publication date: 1987-02-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０１ｍの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後「ａ、−８ｉＪと略記する）
から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ　−Ｓ　ｉ層とすると、その高光感度を保
持しつつ、電子写真用として要求される１０１２Ωｍ以
上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、
成層はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層
中に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、
ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロールす
ることが要求される等、光受容部材の設計についての許
容度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許
容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感
度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がな
されている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１（１１）号、同５８１６１号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容
層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、
見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている
。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあシ、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った両画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ０と上部界面（１１）２で反射した反射光も
、下部界面（１１）１で反射した反射光Ｒ２が示されて
いる。

そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに三以上の厚層差で不均一であると、反射光Ｒ，、
Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強め合う）と
２　ｎｄ　＝　（ｍ　＋’　）λ（ｍは整数、反射光は
弱め合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の
吸収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容
部材が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（
多層）構成のものであるものにおいては、それらの各層
について第６図に示すような干渉効果が起って、第７図
に示すような状態となり、その結果、それぞれの干渉が
相乗的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとなシ
、それがそのま５転写部材に影響し、該部材上に前記干
渉縞模様に対応した干渉縞が転写、定着され可視画像に
現出して不良画像をもたらしてしまうといった問題があ
る。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ｘ〜±１００００にの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参
照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹
凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）
等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それＫよシ光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ　−Ｓ　ｉ層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ　−Ｓ　ｉ層の形成に悪
影響を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光Ｉ。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光電となシ、残りは、光受容層８０２の内部に
進入して透過光Ｉｌとなる。

透過光Ｉ、は、支持体８０１０表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、　、Ｋ２、Ｋ３・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出ては行くが、出射光Ｒ３ば、
反射光Ｒ，と干渉する成分であっていずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１の
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
１、支持体９旧面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
００８に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１００３’、１．００４’で示すように平
行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ１＝ｍλま
たは２　ｎｄ　１＝　（ｍ−）−！−）λの関係が成立
ち、夫々明部または暗部となる。まだ、光受容層全体で
は光受容層の層厚ｄ１％　６２％　６３％　ｄ４の夫々
−性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１０叫表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ　−Ｓ　ｉで構成された光受容層を有する光受
容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰シ返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子れる少なく
とも一種とを含有する非晶質材料で構成された第一の層
と、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子
の中から選ばれる少なくとも一種とを含有する非晶質材
料で構成された第二の層とを有する光受容層を備えた光
受容部材において、ショートレンジ内に少なくとも一対
の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向垂直
な面内の少なくとも一方向に多数配列してなることを骨
子とする光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小な凹
凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状の
１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称す
。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するように
し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくと
も一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現われ
る干渉縞模様の問題が解消されること、そして、その場
合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面形状は、シ
ョートレンジ内に形成される各層の層厚の管理された不
均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層との間の
良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性等
を確保するために、逆Ｖ字形とすることが必要とされる
というものである。

この知見は、本発明者らが試みだ各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材の層構成を示、す模
式図であり、微小な凹凸形状を有する支持体１０１上に
、その凹凸の傾斜面に沿って第一の層１０２と第二の層
１０３とを備えた光受容部材を示している。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の第一の層と
第二の層の一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）
図は同部分における明るさを示す図であり、図中、２０
２は第一の層、２０３は第二の層、２０４は自由表面、
２０５は第一の層と第二の層との界面を示している。第
２（Ａ）図に示すごとく、第二の層２０３の層厚は、シ
ョーレンジを内においてｄ２１力戸、らｄ２□に連続的
に変化しているため、自由表面２０４と界面２０５とは
互いに異なる傾きを有している。したがって、このショ
ートレンジを内に入射したレーザー光等の可干渉性光は
、該ショートレンジｔにおいて干渉をおこし、微小な干
渉縞模様が生成はする。しかし、ショートレンジｔにお
いて生ずる干渉縞は、ショートレンジｔの大きさが照射
光スポット径より小さい、即ち、解像度限界より小さい
ため、画像に現われることはない。又、はとんどないこ
とではあるが、仮に、画像に現われる状況が生じたとし
ても肉眼の分解能以下なので、実質的には何等の支障も
ない。

一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３０３は
第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０２
と第二の層３０３との界面を示す。）に示すように、第
一の層３０２と第二の層３０３との界面３０５と、自由
表面３０４とが非平行である（第３（Ａ）図参照）場合
には、入射光■。に対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とは
その進行方向が異なるため、界面３０５と自由表面３０
４とが平行である（第３（Ｂ）図参照）場合に比べて、
干渉の度合が減少する。即ち、干渉が生じても、第３（
Ｃ）図に示すごとく、一対の界面が平行な関係にある場
合よりも、一対の界面が非平行な関係にある場合の方が
干渉の度合が小さくなるため、干渉縞模様の明暗の差が
無視しうる程度に小さくなり、その結果、入射光量は平
均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２０
３の層厚がマクロ的に不均一である場合、即ち、異なる
任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ２３、ｄ２
４がｄ２３＼ｄ２４である場合であっても同様であって
、全す領域において入射する光量は第２（Ｄ）図に示す
ように均一となる。

以上、支持体上に第一の層と第二の層とが積層されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材の第一
の層が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示
すように支持体４０１上に、二つの構成層４０２′と４
０２〃から構成される第一の層４０２、および第二の層
４０３とが積層されている場合であっても、入射光Ｉ０
に対して、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５が
存在するが％　４０２’　、４０２“及び４０３の各層
において、第３図によって説明したごとき入射する光量
が平均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジを内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差にょる干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は光受容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形を呈するもの
である。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｔは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｔ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
この層とからなり、該第−の層は、シリコン原子とゲル
マニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方と
、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種とを含有するアモルファス材料で構成され、
特に望ましくはシリコン原子（８ｉ）と、ゲルマニウム
原子（Ｇｅ）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれ
か一方と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原
Ｉｃ中から選ばれる少くとも一種と、さらに水素原子（
Ｈ）又はハロゲン原ｆｆＸ）の少なくともいずれか一方
とを含有するアモルファス材料〔以下、「ａ−８ｉ　（
Ｇｅ　、　Ｓｎ　）　（０、Ｃ。

Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成され、さらに必
要に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめることが
できる。そして、該第−の層は、多層構造を有すること
もあり、特に好ましくは、伝導性を制御する物質を含有
する電荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか、ま
だは／及び、障壁層を構成層の１つとして有するもので
ある。

また、前記第二の層は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と
を含有するアモルファス材料で構成され、特に望ましく
は、シリコン原子（Ｓｉ）と、酸素原子（０）、炭素原
子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも
一種と、水素原子（Ｈ）及び−・ロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔
以下、「ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記す
る。〕で構成される。

本発明の光受容部材においては、前述の表面容部材にあ
っては、支持体上に、第一の層と第二の層とを積層して
有し、さらに第一の層にあっては、後で詳述す、るよう
に、干渉を防止することを目的として、第一の層の支持
体側の端部にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比
較的多量に含有する局在領域を形成せしめるか、又は／
及び第一の層の支持体側の端部に伝導性を制御する物質
を比較的多量に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止
層）を形成せしめるか、又は／及び第一の層の支持体側
の端部に障壁層を形成することが望ましく、こうした構
成の本発明の光受容部材は支持体上に複数の層による複
数の界面が形成されることどなるが、本発明の光受容部
材においては、ショートレンジを内に少なくとも一対の
非平行な界面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ショートレンジｔに於ける層厚の差、例えば、前述の
第２（Ａ）図におけるｄ２□とｄ２□の差は照射光の波
長をλとすると、次式：ｄ２１−ｄ２□≧５（ｎ：構成
層の屈折率）を満足することが望ましい。そして該層厚
の差の上限は、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ１より好
ましくは帆１μｍ〜１．５μｍ１最適には０．２μ酊〜
１μｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジを内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限シにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差をΔｔとし、照射光の波長を１１層
の屈折率をｎとした場合、次式：を満足するように層又
は層領域を形成するのが望ましい。

本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するだめ
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１０４は自由表面を示す。

支持体本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形を呈す
るものである。

該逆Ｖ字形の形状は、好ましくは第５図に示すように実
質的に二等辺三角形、直角三角形あるいは不等辺三角形
とすることが望ましい。これ等の形状のうち、特に二等
辺三角形、又は直角三角形とするのが望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ　−Ｓ　ｉ層は、層
形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に
応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−８ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは０．３μｍ〜
５００μｍ１よシ好ましくは１μｍ〜２００μｍ１最適
には５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
１より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ１　　最適には０
・６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の
凹部のピーツチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹
部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜ＩＯ度とするのが望ましい。

支持体表面に設けられる上記構成の凹凸は、７字形状の
切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機
械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望
に従って設計されたプログラムに従って回転させながら
規則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、
深さで形成する。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体
の・中心軸を中心にした標線構造を有する。逆■字形突
起部の標線構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交
叉綿線構造としても差支えない。

或いは、標線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入してもよい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、　ＮｉＣｒ。

ステンレス、Ａｔ％Ｃｒ　、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　
Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ホリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
、　Ｃｒ％Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ％Ｖ
、　Ｔｉ　。

Ｐｔ、　Ｐｄ、　１０）２Ｏ３，５ｏＯ２、■ＴＯ（工
ｎ２０．＋ＳｎＯ□）等から成る薄膜を設けることによ
って導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｔ％Ａｇ、Ｐ
ｂ。

Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎ
ｂ、　Ｔａ％Ｖ。

Ｔｔ、：Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状であることができるが、用途、所望によって
、その形状は適宜に決めることのできるものである。例
えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可撲性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、１０μ以上とされる。

第一の層本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に第一の層１０２を設けるものであり、該第−の層は、
シリコン原子とゲルマニウム原子又はスズ原子の少なく
ともいずれか一方と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子
の中から選ばれる少なくとも一種と、好ましくはさらに
水素原子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方を
含有する非晶質材料で構成され、さらＫ、該第−（ｇ町
ｏ２には、必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せ
しめることが可能である。

ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合に特に顕著である。

本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、第一の層の全層領域に均一な分
布状態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で
含有せしめるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平
行な面方向において均一であり、第一の層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、第
一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。）そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子又は／及び・スズ原子を含有せ
しめることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部
においてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃
度を極端に大きくすることにより、半導体レーザ遵の長
波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に近
い構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長
波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領
域において実質的に完全に吸収されるため、支持体表面
からの反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の第一の層にはゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せしめること
もでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分布せしめ
ることもできるが、以下、層厚方向の分布状態の典型的
な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例として、第１
１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される第一の層はｔＢ側より１
Ｔ側に向って層形成がなされる。

伺、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しておりこれらの図はあくまでも理解を容易にす
るだめの説明のだめの模式的なものである。

第１１図には、第一の層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接
する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ０なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が第一の層に含有され、位置ｔ１よりは
濃度Ｃ２より界面位置１Ｔに至るまで徐々に連続的に減
少されている。位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここで実質的に零とは検出限界景未満の場合である。

）第１３図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔ、において、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。

第１５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢよ多位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的−
に減少されて位置ｔＴにおいて実質的に零とされている
。

第１６図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置１４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置ｔ、に至るまで減少されてい
る。

第１７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ０より濃度Ｃ１゜まで−次
間数的に減少する分布状態とされている。

第１８図に示す例においては、位置ｔＢより位置１Ｔに
＾で、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃハ濃度Ｃｓ　ｔよ
り一次関数的に減少されて、零に至っている。

度Ｃ１２よシ濃度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位
置ｔ、と位置ｔＴとの間においては、濃度Ｃ１３の一定
値とされた例が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４’Ｑ　ｈす、
位置ｔ７に至るまではこの濃度ＣＩＡよシ初めはゆっく
りと減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少
されて位置ｔ７では濃度ＣＩ５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１６となり、位置ｔ８と位置ｔ、との間では、
徐々に減少されて位置ｔ、において、濃度Ｃ１７に至る
。位置ｔ９と位置ｔＴ　　との間においては濃度ＣＩ７
より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第一の層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、端面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設けられ
ているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては１局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
、よ９５８以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態といてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ０’３ｔ□ｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。

本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子文は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効果的に達成しうる様に所望に従って適宜
決める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０５１０５ａ
ｔｏ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　ｌ（
１’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくはＩ　Ｘ　
１０２〜２　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、！：
する。

また、本発明において、第一の層の層厚は、本発明の目
的を効率的に達成するには重要な要因の１つであって、
光受容部材に所望の特性が与えられるように、光受容部
材の設計の際には充分な注意を払う必要があり、通常は
１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０μ、より好
ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材の第一の層に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せし
める目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗
抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着性の向上
にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗（１ｓｓ
を目的とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分
布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめ
る炭素原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、第一の層の支持体側端
部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中か
ら選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分
布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に
図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種の量は、しかし、上述のごとき第一の層に要
求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面に
おける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定さ
れるものであり、通常は０−００１〜５０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、好ましくけ０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、
最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とする。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚の
スとなるような場合には、含有せしめる量は通常３Ｑ　
ａｔｏｍｉｃ　％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ
　％以下、最適にはＩＱ　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる
。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の
端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の端部付近においては、比較的少量となる
が、＼あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せし
める場合の典型的な例のいくつかを、第２０図乃至第２
８図によって説明する。しかし、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素
原子の中から選ばれる少くとも一種を［原子（０，Ｃ，
Ｎ）Ｊと表記する。

第２０乃至２８図において、横軸は原子（Ｏ２０，Ｎ）
の分布濃度Ｃ・を、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔ８
は支持体と第一の層との界面位置を、ｔＴは第一の層の
第二の層との界面の位置を示す。

第２０図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。該例では、原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）を含有する第一の層と支持体との界面位置ｔＢより
位置１．までは、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが０
１なる一定値をとり、位置ｔ１より第二の層との界面位
置ｔＴまでは原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置
ｔ、においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が０３と
なる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、第一の層に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢ
から位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減少
し、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。

第２２図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ２から位置１Ｔにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的に
減少して位置ｔ。

においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的に
ゼロとなる。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置１７においては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第一２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ６
の一定値にあり、位置ｔ３から位置１丁の間においては
、濃度Ｃ３から濃度ＣＩＯとなるまで、−次間数的に減
少する。

第２５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１□
の一定値にあり、位置ｔ４より位置ＩＴにいたるまでは
濃度Ｃ１□から濃度ＣＩ３となるまで一次関数的に減少
する。

第２６図に示す例においては、原子（Ｏ，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるま
で、濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的
に減少する。

第２７図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１５か
ら濃度ＣＩ６となるまで一次関数的に減少し、位置ｔ５
から位置ＩＴまでは濃度ＣＩ６の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、原子（０゜Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔ８において濃度ＣＩ？であり、位
置ｔ、から位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
１ｇでは濃度ＣＩ８となる。

次に、位置ｔ６から位置ｔ７までははじめのうちは急激
に減少し、その後は緩かに徐々に減少し、位置ｔ７にお
いては濃度Ｃ１９となる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間
では極めてゆっくりと徐々に減少し、位置ｔ８において
濃度Ｃ２０となる。また更に、位置ｔ８から位置ｔＴに
いたるまでは濃度Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで徐
々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては、
該分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実
質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、
第一の層の支持体側の端部に原子（０，、Ｃ，、Ｎ）の
分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、
好ましくは該局在領域を支持体表面と「−の層との界面
位置ｔＢから５μ以内に設けることにより、支持体と第
一の層との密着性の向上をより一層効率的に達成するこ
とができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる第
一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される第一の層に要求される特性に従って適宜法める
。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ後原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（［素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、１０）（インジウム）、Ｔｔ（ｌす１ｐ以ム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、　Ｂ、　Ｇ
ａである。また第Ｖ後原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ（
砒素）％Ｓｂ（アンチモ／）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂで
ある。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ後原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ後原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、好ま
しくは５　Ｘ　１０　”〜５　Ｘ　１０２ａ　ｔｏｍｌ
　Ｃｐｐｍ　ｓ最適にはＩ　Ｘ　１０−’〜２　ｘ　ｌ
Ｑ２ａｔｏ−ｍｉｃ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ後原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ後原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめるに含有する層領域は、電荷注入阻止層として機
能するととるとなる。　　　　　“ 即ち、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の
自由表面かの極性の帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻
止することができ、又、第Ｖ後原子を含有せしめた場合
には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動
をより効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有量は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５　Ｘ　ＩＱ’　ａｔｏｍｉｃｐ狙
、好ましくは５０〜ｌ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ、最適には１　ｘ　１０２〜５　ｘ　１０３１０３
ａｔｏ　ｐＩ）ｍとする。さらに、端部に設けられる屑
又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした
場合、　ｔ／Ｔ≦帆４のの関係が成立することが望まし
く、より好ましくは該関係式の値が０．３５以下、最適
には０．３以下となるようにするのが望ましい。また、
該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３　Ｘ　１０　
”〜１０μとするが、好ましくは４Ｘ１０−３〜８μ、
最適には５Ｘ１０−３〜５μとするのが望ましい。

第一の層に含有せしめる第ｍ族原子又は第Ｖ後原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付近
においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近くなるように第■族原子又は第Ｖ後原子を分布させ
る場合の典型的な例は、前述の第一の層に酸素原子、炭
素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つを
含有せしめる場合に例示した第２０乃至２８図のと同様
な例によって説明することができるが、本発明はこれら
の例によって限定されるものではない。

そして、第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ後原子の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層の第二の層に近
い側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分
あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合に
あっては、支持体側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ後
原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設ける
こと、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界
面位置から５μ以内に設けることにより、第■族原子又
は第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注
入阻止層を形成するという前述の作用効果がより一層効
果的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るにりいては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制
御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質
を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制
御する物質を、電荷注入阻止層に含有される素よりも一
段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａ、ｆ！、２０．、ＳｉＯ□、Ｓｉ３Ｎ
、等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電
気絶縁材料を挙げることができる。

第二の層本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、す
なわち表面層であり、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つを均一な分布状態で含
有するアモルファスシリコン〔以下、「ａ−８ｉ　（０
，Ｃ，Ｎ）（Ｈ。

Ｘ）」と表記する。」で構成されている。

本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける目的は、
耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、および耐久性等を向上させることにあり、これら
の目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、酸
素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいず
れか１つを含有せしめることにより達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々が、
シリコ／原子という共通した構成原子を有しているので
、第一の層１０２と第二の層１０３との界面において化
学的安定性が確保できる。

第二の層１０３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、これ
らの原子含有せしめる量の増加に伴って、前述の諸特性
は向上する。しかし、多すぎると層品質が低下し、電気
的および機械的特性も低下する。こうしたことから、こ
れらの原子の含有量は、通常帆００１〜９０　ａｔｏｍ
ｉｃ係、好ましくは１〜ｇ□　ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は１０〜８０ａｔｏｍｉｃ　％　　とする。

第二の層にも、水素原子又は・・ロゲン原子の少なくと
もいずれか１万を含有せしめることが望ましく、第二の
層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、又は・・ロゲ
ン原子（Ｘ）の量あるいは水素原子と・・ロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃチ、最適には５〜２
５　ａｔｏｍｉｃ　％とする。

第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、およ
び酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及びノ
・ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含
有量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から
非晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導
電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質
から非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じ
た所望の特性を有する第二の層１０３を形成しうるよう
に、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重要
である。

例えば、第二の層１０３ヲ電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二の層１０３を構成する
非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連続繰
返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として
設ける場合には、第二の層１０３ヲ構成する非晶質材料
は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和するが、
照射する光に対しである程度の感度を有するものとして
形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ノ・ロゲ
ン原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される
特性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必
要がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要もある。こうしたことから、
第二の層の層厚は通常は３　Ｘ　ｌｏ−１〜３０μとす
るが、より好ましくは４　Ｘ　１０　”〜２０μ、特に
好ましくは５　Ｘ　１０−”〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
ニジ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
い次場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

ま念、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比含有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層全構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象全利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

ソシテ、グロー放電法とスパッタリング法トヲ同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ３ｉＧｅ　（Ｈｔ　Ｘ　）で構
成される光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓｔ
）　ｋ供給しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）　ｋ供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
しつる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供
給用の原料ガス？、内部を減圧にしうる堆積室内に所望
のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起
せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支持体表
面上に、ａ　　Ｓ　ｉＧｅ　（Ｈ！　Ｘ　）で構成され
る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
　ｉＬ　、　５１２Ｈ４，５１ｓＨａ　、５ＩＪ（ｔｏ
等のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類
）が挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点から、５ｉＨ４お工び５ｘ２Ｌが
好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、ＧｅＩ（４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５Ｈｓ　、Ｇｅ４Ｈ
１０、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６ＨＩイＧｅ７Ｈ１ａ、Ｇｅ
、Ｈ，Ｂ、ＧｅｇＨ２，等のガス状態の又はガス化しう
る水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、層
作成作業時の取扱い易さ、Ｑｅ供給効率の良さ等の点か
ら、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧｅ晶が好ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くの・・ロゲン化合物がちシ、例えばハ
ロゲンガス、）−ロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化しうるハロゲン化合物を用いることができる。具体的
には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の・・ロゲンガス、
ＢｒＦ　％ＣｔＦ　、　ＣＬＦｓ、Ｂ　ＩＦ３、ＢｒＦ
、、ＩＦ８、ＩＦ７、Ｉｃｔ。

ＩＢｒ等のハロゲン化合物、お工びＳ　ＩＦ４　ＳＳ　
１２Ｆａ、５ｉＣ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等
が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓｉ原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される
層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
Ｈ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支持
体上に光受容層を形成するものであるが、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にするため
には、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを
混合することもできる。該水素原子供給用めガスとして
は、水素ガスあるいは、ＳｉＨ，，５１２Ｈ６，５ｉ３
Ｈ，、Ｓ　１４ＨＩＯ等の水素化硅素のガスが用いられ
る。ｔｏｙ、水素原子供給用ガスとして、叩、ＨＣｌ　
、　）ｒＢｒ　、　ＩＩ等のハロゲン化物−８ｉＬ　Ｆ
２．５ｆＨ２Ｉｚ、５ｉＨ２Ｃ４、ｓ　ｉＨＣｔ８．５
ｉＨ２Ｂｒ、、ｓ　ｉＨ］３　ｒｓ　　等のノ・ロゲン
置換水素化硅素等のガス状態のあるいはガス化しうるも
のを用いた場合には、ノ・ロゲン原子（Ｘ）の導入と同
時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、有効である。

スパッタリング法に工ってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される光受容層を形成するには、シリコンから成るタ
ーゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚
を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ラトラ用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等に工
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物全所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にノ・ロゲン原子を含有せ
しめるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガス全堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する
場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨｌある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類全スパッタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ノ・ロゲン化物或いはノ・ロゲンを含む硅素化合物が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ。

ＨＣｌ、ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨ２
Ｆ、、、５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃｔ２．５ｉＨＣｔｓ
、５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置換水素
化硅素、およびＧｅＩ（Ｆ３、ＧｅＩ２　Ｆ２、ＧｅＨ
３ＲＧｅＨＣｌ８、ＧｅＩ２　Ｃ４、Ｇｅ４Ｈ１０ｔ、
　ＧｅＨＢ　ｒｓ、ＧｅＩ２Ｂｒ２、ＧｅＨＣｌ８　、
　ＧｅＨＩｓ、ｃｅＨ，ｒ２、ＧｅＨ３■等の水素化ハ
ロゲン化ケルマニウム等、ＧｅＦ４．　ＧｅＣ１いＧｅ
Ｂｒ４ＳＧｅＩ４、ＧｅＦ２、ＧｅＣｔ２、ＧｅＢｒ２
、Ｇｅ■２　等の７１０ゲン化ゲルマニウム等々のガス
状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として使
用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃチ、ニジ好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃチとされ
るのが望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子全含有するアモルファス
シリコン（以下、ｒａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記す
る。）で構成される光受容層を形成するには、上述のａ
−８ｉＧｅ　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成される層の形成の際
に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（
Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中
へのその貸金制御しながら含有せしめることによって行
なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（Ｓｒ＋Ｈ４）やＳｎＦ２．５ｎ
Ｆ４．５ｎＣ４，５ｎＣ４、ＳｎＢｒ２、Ｓｒ＋Ｂｒ４
、ＳｎＩ２、ＳｎＩ。

等のハロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、ハロゲン化スズを用いる場合に
は、所定の支持体上にハロゲン原子全含有するａ−８ｉ
で構成される鳴音形成することができるので、特に有効
である。なかでも層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給
効率の良さ等の点から、ＳｎＣ４が好ましい。

そして、５ｎｃｚ４ｉスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これ全ガス化するには、固体状の
Ｓｎ　（’　ｔ４ｆ加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ等の
不活性ガスを吹き込み、該不活性ガス音用いてバブリン
グするのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を
減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法金用いて、酸素原子、炭素原子、又は窒素
原子を含有するａ−８ｉｃｅ　（Ｈ，Ｘ）、ａ−８ｉＳ
ｎ　（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉＧｅＳｎ　（’Ｈ，Ｘ）で
構成される層又は一部の層領域を形成するには、上述の
ａ−８ｘＧｅ　（Ｈ＋　Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（
Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、原子（０，Ｃ，
Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−５ｉｃｅ　（Ｈ、Ｘ）又
は／及びａ−８ｉＳｎ　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と
ともに使用して、形成する層中へのそれらの貸金制御し
ながら含有せしめることによって行なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒素（Ｎ２０
）、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、四三酸化窒素（Ｎ２０
．）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）　、三二酸化窒素（Ｎ
Ｏ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素
原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン
（Ｈ３Ｓ　ＩＯ８１Ｈ３）、トリシロキサン（ＨｓＳｉ
Ｏ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等が挙げら
れ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質としては、例えば
、メタ７（ＣＨ４）、ｘ　タン（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７
　（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタ７　（ｎ　−Ｃ，Ｈ，ｏ）、
ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレフ　（Ｃ３Ｈ６）
、ブチ７−１　（Ｃ，Ｈ，）、ブチ：／−２（Ｃ４Ｈ８
）、インブチレン（Ｃ，Ｈ，）、パンテン（Ｃ５ＨＩＯ
）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン
（Ｃ−Ｈａ）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素
等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質として
は、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒ
ドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３　Ｎ　
）３　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化
窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ、Ｎ）等が挙げられる
。

また、スパッタリング法金用いて原子（０，Ｃ。

Ｎ）を含有するａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）、ａ　−Ｓ　
ｉＳｎ　（Ｈ，Ｘ）またはａ　−５ｉＧｅＳｎ　（Ｈ、
Ｘ）で構成される層を形成する場合には、原子（０，Ｃ
，Ｎ）導入用の出発物質としては、グロー放電法の際に
列挙した前記のガス化可能な出発物質の外に、固体化出
発物質として、Ｓ　１０２、Ｓｉ３Ｎいカーボンブラッ
ク等ヲ挙げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲ
−ｙ　　””’ｒ’ｃＤ豐ＴＷ惰することができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第１族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ−８ｔＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（
Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成するに
は、上述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　　Ｓ
　ｉＳｎ　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成される層の形成の際に
、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質を、ａ−
８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ
）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。

第夏族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、ＢＪＩＧ　、　ＢｓＨｏ。

Ｂ５ＨＩＩ、ＢａＨ＋ｏ　、　Ｂ６ＨＩ２、Ｂ６ＨＩ４
等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｔｓ、ＢＢｒ３等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｔｃｔ３、Ｃａ
（：ｔ３、Ｇａ（ＣＨｓ）ｚ、ｘｎｃｚ３、ＴＬＣ４ｓ
等も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ，
Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ、、ＰＣｔ、、ｐｃｚ６、ＰＢｒｓ、
ＰＢｒ３、Ｐ工５等のハロゲン比隣が挙げられる。この
他、ＡｓＨ１３、ＡＳＦ３、Ａ８Ｃ４、ＡＳＢｒ、、Ａ
ｓＦ５．５ｂＩ（３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ３．５ｂｃｚ、
、５ｂｃｔ、、ＢｉＨ３、Ｂ１Ｃ４３、Ｂ１Ｂｒ。

等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法？用いて、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つを含有するアモルファ
スシリコン、即チ、ａ−８ｔ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）
で構成される第二の層１０３　ｉ形成すルニは、ａ−８
ｔ　（０，Ｃ、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質全使
用して、上述の原子（０，Ｃ，Ｎ）　’に含むａ　−５
ｉＧｅ　（）ｉ　、　Ｘ）又は／及びａ　　Ｓ　ｉＳｎ
　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成される第一の層を形成する場合
と同様にして行なう。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロー放電法
にょシ形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）　ｋ構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロ
ゲン原子（Ｘ）’を構成原子とする原料ガスとを所望の
混合比で混合して使用するが、又は、シリコ／原子（Ｓ
ｉ）　ｋ構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及
び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスと金、これ
も又所望の混合比で混合するが、或いは、シリコン原子
（Ｓｉ）　’ｅ構成原子とする原料ガスと、シリコン原
子（Ｓｉ）、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つ
を構成原子とする原料ガスとを混合して使用することが
できる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）全構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような酸素原子導入用の出発物質とじては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質分ガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０□）、オゾン（０３）、−酸化窒素（ＮＯ）、
二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二数化窒素（Ｎ２０）、三
二酸化窒素（Ｎ２　ａ３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）
　、五二Ｗ化窒素（Ｎ２０５）　、三酸化窒素（ＮＯ３
）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子
（Ｈ）と全構成原子とする、例えば、ジシηキサン（Ｈ
３ＳｉＯ８ＩＨ３）、トリンロキサン（Ｈｓ　Ｓ　１０
Ｓ　１Ｈ２０Ｓ　ｉＨｓ　）等の低級シロキサン等を挙
げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層を形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又は５ｉ
０２ウエーハ、又はｓｉと５ｉｏ２が混合されて含有さ
れているウェーハをターゲットとして、これ等を種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子全導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉと５ｉＱ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉと５ｉ０２の混合した一つのターゲット全
使用することによって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　’！＆構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示し之原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

ま之、例えば炭素原子を含有する第二の層をグロー放電
法により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）　ｋ構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）　（ｒ構成原子
とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスと全
所望の混合比で混合して使用するか、又はシリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）’を構成原
子とする原料ガス全混合するか、更にまた、シリコン原
子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガス
と炭素原子（Ｃ）　（ｉ−構成原子とする原料ガスを混
合して使用する。

この工うな原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉＩ（４，５ｉ２Ｉ（６，５
１ｓＨａ、Ｓ　１４Ｈ１ｏ等のシラ：ｙ　（５ｉｔａｎ
ｅ　）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨと′！！−構成原
子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数
２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレ
ン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタ：’　（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７　（Ｃ３Ｈ８）、
ｎ−ブタン（ｎＣ４ＨＩＯ）、ペンタン（Ｃ５ＨＩ２）
　、エチレン系炭化水素としては、エチレーン（Ｃ２Ｈ
４）、プロピレン（Ｃ３ＨＩｌｌ）、ブテン−１（Ｃ４
Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４
Ｈ４）、ペンテン（Ｃ５Ｈ＋ｏ　）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチｖ　：／　（Ｃ２Ｈ２）、メチル
アセチレン（ｃ３１１４）、ブチン（Ｃ４Ｈｓ　）等が
挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨｓ）４、Ｓ　１　（Ｃ２Ｈ３）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉ
とＣが混合されて含有されているウェーハをターゲット
として、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することに工って行う。

例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
全導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ
等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマ全形成して３ｉ
ウエーハ全スパツタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするが、あるいは
ＳｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマ全形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
の１ま使用できる。

更に、例えば免素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと
、窒素原子（Ｎ）　ｋ構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）　
’ｅ構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質全ガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。

窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３　
）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等の窒素、窒化
物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。

この他に、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ
２　）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができ、
これらのハロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もでき
る。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又は
ｓ　ｉ３Ｎ４ウェーハ、又はＳｉと５ｊ３Ｎ４が混合さ
れて含有されているウェーハをターゲットとして、これ
等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ３Ｎ、の混合した一枚のターゲラ
トラ使用することに工って、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　ｅ構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て成される。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第１族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
り行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性含
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、第一の層および
第二の層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によ
っても異なることもあることから、含有せしめる原子の
種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要
もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ　　３ｔ　（Ｈ＋　Ｘ）からなる第二の層を形成
する場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とす
るが、特に好壕しくけ５０〜２５０℃とする。堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒとするが、特
に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ　とする。また
、放電パワーは０．００５〜５０　Ｗ／ｃＡとするのが
通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃＡ
、特に好１しくは０．０１〜２０　Ｗ／！とする。

ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる第一の着金形成する
場合、あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめ
２　ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成
する場合については、支持体温度は、通常５０〜３５０
℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃、特に好ま
しくは１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常０．０１〜５　’Ｉ”ｏｒｒとするが、好
筐しくけ、０．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好１し
くは帆１〜ｌ　Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは帆
００５〜５０　Ｗ／ｃｒＡとするのが通常であるが、好
ましくは０．０１〜３０Ｗ／−とし、特に好ましくは０
．０１〜２０　Ｗ／ｃＡとする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有激的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ）、第１
族原子又は第■族原子、あるいは水素原子又は／及びノ
・ロゲン原子の分布状態を均一とする几めには、光受容
層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つこと
が必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（
０，Ｃ，Ｎ）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態
を有する光受容層を形成するには、グロー放電法を用い
る場合であれば、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
、原子（０，Ｃ，Ｎ）、あるいは第１族原子又は第Ｖ族
原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する際の
ガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ、その
他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス流量
を変化させるには、具体的には、例えば手動あるいは外
部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法によ
り、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルパル
プの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。このとき
、流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイコ
ン等を用いて、あらかじめ設計されｔ変化率曲線に従っ
て流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる
。

また、光受容着金スパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０、Ｃ、Ｎ
）、あるいは第１族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分
布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布状
態を形成するには、グロー放電法を用い友場合と同様に
、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ）
あるいは第璽族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を
ガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する際のガ
ス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至８に従って、より詳細に説
明するが、本発明はこれ等によって限定されるものでは
ない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２９図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２９０２．２９０３．２９０４．２９０５．２９
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その１例として、たと
えば、２９０２はＳｉＦ４ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、２９０３はＨ２で稀釈されたＢ２ｌ−ガス（純
度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ，／Ｈｅと略す。）ボン
ベ、２９０４はＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボン
ベ、２９０５はＧｅＦ４ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、２９０６は不活性ガス（Ｈｅ）ボンベである。そ
して、２９０６’は５ｎＣ４４が入った密閉容器である
。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のパルプ２９２２〜２９２６、
リークバルブ２９３５が閉じられていること全確認し又
、流入パルプ２９１２〜２９１６、流出パルプ２９１７
〜２９２１、補助パルプ２９３２．２９３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインパルプ２９３４１を開
いて反応室２９０１、ガス配管内を排気する。次に真空
Ａｔシリンダー２９３７上に第一の層及び第二の層を形
成する場合の１例を以下に記載する。

１ず、ガスボンベ２９０２工りＳｉＦ４ガス、ガスボン
ベ２９０３工りＢ２Ｈ６／Ｈｅガス、ガスボンベ２９０
４工すＣＨ４ガス、ガスボンベ２９０５工りＧｅＦ、ガ
スの夫々全パルプ２９２２．２９２３．２９２４．２９
２５を開いて出口圧ゲージ２９２７．２９２８．２９２
９．２９３０の圧ｋ１Ｋｇ／ｉに調整し、流入パルプ２
９１２．２９１３．２９１４．２９１５を徐々に開けて
、マスク、ロコントローラ２９０７．２９０８．２９０
９．２９１０内に流入される。引き続いて流出パルプ２
９１７．２９１８．２９１９．２９２０、補助パルプ２
９３２を徐々に開いエガスを反応室２９０１内に流入さ
れる。このときのＳｉＦ４ガス流量、ＧｅＦ４ガス流量
、ＣＨ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／■Ｉ２ガス流量の比が所
望の値になるように流出パルプ２９１７．２９１８．２
９１９．２９２０全調整し、又、反応室２９０１内の圧
力が所望の値になるように真空計２９３６の読みを見な
がらメインパルプ２９３４の開口を調整する。そして基
体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒーター２９３８に
より５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていること
を確認されｔ後、電源２９４０を所望の電力に設定して
反応室２９０１内にグロー放電を生起せしめるとともに
、マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あら
かじめ設計された流量変化率線に従って、５ｉＦ４ガス
、ＧｅＦ４ガス、ＣＨ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスの
ガス流量を制御しながら、基体シリンダー２９３７上に
先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子、炭素原子及び
硼素原子を含有する第一の層を形成する。

上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばＳｉＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ　、　Ｈ２等の稀釈ガ
スで稀釈して、所望のガス流量で反応室２９０１内に流
入し、所望の条件に従って、グロー放電を生起せしめる
ことによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の着金形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２９０１内、流出パルプ２９１７〜２９２１から反応室
２９０１内に至るガス配管内に残留することを避ける之
めに、流出パルプ２９１７〜２９２１を閉じ補助パルプ
２９３２．２９３３全開いてメインパルプ２９３４　’
ｅ全全開て系内金一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎｃｔ４＊出発物質としたガスを
用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎＣ
１４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎＣ４４中にＡｒ、）（ｅ□　等の不活性ガスボ
ンベ２９０６よりＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み
、バブリングする。発生した５ｎＣ４４のガスは、前述
のＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス、ＣＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６
／Ｈ２ガス等と同様の手順に工り反応室内に流入させる
。

実施例１支持体として、シリンダー状Ａｔ基体（長さ３５７闇、
径８０間）に第３０図（ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示す
ような旋盤加工を施して得乏第１Ａ表上欄に示すものを
使用した。なお、第３０（Ａ）図はＡｔ支持体の全体図
であり、第３０　（Ｂ）図はその部分拡大断面図である
。

次に、該Ａｔ支持体（試料Ａｌ０Ｉ〜１０４）上に、以
下の第１Ｂ表に示す条件で、第２９図に示し念製造装置
により第一の層及び第二の層を形成した。なお、第一の
層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６／　ＳｉＦ４
＋　ＧｅＦ４共１００　ｐｐｍであって、該層の全層に
ついて約２００　ｐｐｍドーピングされているようにな
るべく導入した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、第１Ａ
表下欄に示す結果２得た。

さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像蕗光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、
転写を行なって画像を得之。

得られた画像は、いずれも干渉縞模様は全く観察されず
、そして極めて良質のものであった。

なお、第３１（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第３１　（Ｂ）図は露光装置の全体を
模式的に示す側面略図である。図中、３１０１は光受容
部材、３１ｏ２は半導体レーザー、３１０３はｆθレン
ズ、３１ｏ４はポリゴンミラーを示している。

第　　ＩＡ　　表実施例２実施例１と同様にして第２Ａ表上欄に示す工うなＡｔ支
持体（試料＆２０１〜２０４　）　ｋ得た。

次に得られた各々のＡｔ支持体上に第２９図に示した製
造装置を用い、第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成し友。得られｆｔ光受容部材について実施例
１と同様な方法て層厚を測定し念ところ第２Ａ表下欄の
結果を得之。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

第　　２Ａ　　表実施例３実施例１と同様にして第３Ａ表上欄に示す工うなＡｔ支
持体（試料Ａ３０１〜３０４）を得た。

次に得られた各々のＡｔ支持体上に、第２９図に示した
装置を用いて、第３Ｂ表に示す層形−成条件に従って光
受容層を形成し友。

第一の層形成時におけるＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス、
Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス及びＣＨ４ガスのガス流量は第３２
図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ
−制御により自動的に調整し之。また、第一の府中に含
有せしめる硼素原子は実施例１と同様の条件で導入した
。得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で
層厚を測定し友ところ、第３Ａ表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例と同様の方法で画
像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られた。

第　　３Ａ　　表実施例４実施例１と同様にして第４Ａ表上欄に示すＡｔ支持体（
試料屋４０１〜４０４　）　’ｅ得几。

次に得られた各々のＡｔ支持体上に第２９図に示し友製
造装置を用い、第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した。第一の層形成時におけるＨ２ガス及び
Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は第３３図に示す流量変
化線に従って、マイクロコンピュータ−制御に工り自動
的に調整した。なお、第一の層中に含有せしめる硼素原
子は、実施例１と同様の条件で導入した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で層
厚を測定したところ第４Ａ表下欄の結果を得た。

第　　４Ａ　　表実施例５第５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料＆
１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際第−
の層形成時におけるＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス、Ｎ２
ガス、Ｂ２Ｈ６／Ｈｅガス及びＮ２ガスのガス流量は、
第３４図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピ
ュータ−制御により自動的に調整し、第一の層中に含有
せしめる硼素原子は、実施例１と同様の条件で導入した
。

実施例６第６表に示す層形成条件に従って光受容層を形成しｔ以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料＆
１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際第−
の層形成時におけるＮ２ガス、Ｂ２Ｈ６／Ｎ２ガス、お
工びＮ２ガスのガス流量は第３５図に示す流量変化曲線
に従って、マイクロコンピュータ−制御により自動的に
調整した。

なお、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１
と同様の条件となるようにして導入した。

実施例７第７表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料屋
１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。なお、第一
の層中に含有せしめる硼素原子は実施例１と同様の条件
で導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

実施例８第８表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料Ａ
１０１〜１０４）上に光受容層全形成し友。この際、第
一の層形成時におけるＳｉＨ４ガス、ＧｅＨ４ガス、Ｂ
２Ｈ６／Ｈ２ガス及びＮＯガスのガス流量は、第３６図
に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−
制御により自動的に調整した。なお、第一の層中に含有
せしめる硼素原子は、実施例１と同様の条件と５なる工
うＫして導入した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られ友。

実施例９第９表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料点
１０１〜１ｏ４）上に光受容層を形成し几。この際、第
一の層形成時におけるＳｉＨ４ガス、ＧｅＦ、ガス、Ｈ
ｅガス及びＢｚ　Ｈ６／　Ｈｅガスの、ガス流量は、第
３７図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュ
ータ−制御により自動的に調整した。なお、第一の層中
に含有せしめる硼素原子は、実施例１−と同様の条件と
なるようにして導入した。

実施例１０第１０表に示す層形成条件に従って光受容層？形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料
点１０１〜１０４）上に光受容層を形成し友。この際、
第一の層形成時におけるＣＨ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２
ガスのガス流量は、第３８図に示す流量変化曲線に従っ
て、マイクロコンピュータ−制御により自動的に調整し
た。なお、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、実施
例１と同様の条件となるようにして導入した。

実施例１１第１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料
屋１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。この際、
第一の層形成時におけるＳｉＨガス、ＧｅＨ４ガス（又
は５ｎＣＺ　４／Ｈｅガス）、Ｎ２ガス及びＢ２Ｈ６／
Ｈ２ガスのガス流量は、第３９図に示す流量変化曲線に
従って、マイクロコンピュータ−制御により自動的に調
整した。なお、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、
実施例１と同様の条件となるようにして導入した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成全行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

実施例１２第１２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外は、すべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料
屋１０１〜１０４）上に光受容層を形成した。

得られ次光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られｔ０実施例１３第１３表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外は、すべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料
屋１０１〜１ｏ４）上に光受容層を形成した。

得られ次光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、実施例と同様の良好な結果が
得られ念。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
ニジ、前記したアモルファスシリコンで構成され次光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−フト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理全説明するための部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を
説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支
持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０
図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明す
る図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発
生、第７図は、多層構成の光受容層における干渉縞の発
生、第８図は、散乱光による干渉縞の一発生、第９図は
、多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発
生、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行で
ある場合の干渉縞の発生を各々示している。第１１〜１９図は、本発明の第一の層中におけるゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす
図であり、第２０〜２８図は、本発明の第一の層中にお
ける酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種、および第１族原子又は第Ｖ族原子の層厚
方向の分布状態を表わす図であり、各図において、縦軸
は第一の層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表
わしている。第２９図は、本発明の光受容部材の第一の
層及び第二の層を製造するための装置の１例で、グロー
放電法による製造装置の模式的説明図である。第３０図
は、本発明の円筒状アルミニウム支持体の表面処理を説
明する図であり、第３１図はレーザー光による画像露光
装置を説明する図である。第３２乃至４２図は、本発明
の第一の層形成におけるガス流量比の変化状態を示す図
であり、縦軸は第一の層の層厚、横軸は使用ガスのガス
流量を示している。第１乃至第４図について、１００・・・光受容部材　　１０１・・・支持体１０２
．２０２．３０２．４０２・・・第一の層１０３．２０
３．３０３．４０３・・・第二の層４０２′、４０２″
・・・第一の層を構成する層１０４．２０４．３０４・
・・自由表面２０５．３０５・・・第一の層と第二の層
との界面第６乃至１０図について、（１１）１・・・下部界面　　（１１）２・・・上部界
面７０１・・・支持体　　７０２．７０３・・・光受容
層８０１・・・支持体　　８０２・・・光受容層　　９
０１・・・支持体９０２・・・第１層　　９０３・・・
第２層　　１００１・・・支持体１００２・・・光受容
層　　１００３・・・支持体表面１００４・・・光受容
層表面第２９図において、２９０１・・・反応室　　２９０２〜２９０６・・・ガ
スボンベ２９０６’−８ｎＣ１４槽２９０７〜２９１１・・・マスフロコントローラ２９１
２〜２９１６・・・流入バルブ２９１７〜２９２１・・・流出バルブ２９２２〜２９２６・・・バ　ル　プ２９２７〜２９３１・・・圧力調整器２９３２．２９３３・・・補助バルブ　２９３４・・・
メインバルブ２９３５・・・リークバルブ　　２９３６
・・・真　空　計２９３７・・・基体シリンダー　２９
３８・・・加熱ヒーター２９３９・・・モーター　　　
　２９４０・・・高周波電源第３１図において３１０１・・・光受容部材　　３１０２・・・半導体レ
ーザー３１０３・・・ｆθレンズ　　３１０４・・・ポ
リゴンミラ−図面の７７＋害（内容に変更なＩ−）第２回′ （Ｃ）Ｉ尺イ立　３１と □ＣＣ第２９図手　続　補　正　書（方式）。昭和（１１）年１０月１４日１、事件の表示昭和（１１）年特許願第１８０７８１、発明の名称光受容部材ふ　補正をする者事件との関係　　　　　特許出願人性　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社４、代理人住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル６、補正の対象明細書および図面７、補正の内容願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし）以上手　　続　　補　　正　　書昭和（１１）年１０月１４日特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 ■、事件の表示昭和（１１）年特許願第１８０７８１、発明の名称光受容部材＆　補正をする者事件との関係　　　　特許出願人住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）　　キャノン株式会社４、代理人住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル６、補正の対象図面の記載７、補正の内容１０図　面第１乃至４２図を別添のとおシに訂正する。以上第１図第２図位置位置第　３　図（Ａ）　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ）Ｔ口第５図位置位置第８図第９図位置第１１図第１２図第１３図第１４図第１５図第１６図第１７図第１８図 □Ｃ第２０図第２１図第２３図 □Ｃ第２６図 □Ｃ第３３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子
と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構成された第
二の層とを有する光受容層を備えた光受容部材であって
、ショートレンジ内に少なくとも一対の非平行な界面を
有し、該非平行な界面が層厚方向垂直な面内の少なくと
も一方向に多数配列していることを特徴とする光受容部
材。
（２）第二の層がシリコン原子と、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを均一な
分布状態で含有する非晶質材料で構成された特許請求の
範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。
（５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
囲第（１）項に記載の光受容部材。
（８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
囲第（１）項に記載の光受容部材。
（９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１０）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規
則的に配列している凹凸に基づいて形成されている特許
請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１１）支持体の表面に設けられた規則的に配列してい
る凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形である特許請求の
範囲第（１０）項に記載の光受容部材。
（１２）逆Ｖ字形の傾向の傾きが１〜２０度である特許
請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材。
（１３）逆Ｖ字形が二等辺三角形である特許請求の範囲
第（１１）項に記載の光受容部材。
（１４）逆Ｖ字形が直角三角形である特許請求の範囲第
（１１）項に記載の光受容部材。