JPS6252555A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外源、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して１逮記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒ　ａ−８ｉ　Ｊと略記する
）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωα以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性がちシ、ため
に層形成に当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計ｊでついての許容
度に可成シの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面に障壁層を設けた多層構造としたシして、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った月画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光量。とＥ部界面６０２で反射した反射光Ｒ工、
下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに−以上の層厚差で不均一であると、反射ｎ 光Ｒ工、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強め
合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋互）λ（ｍは整数、反射光は弱
め合う）の条件のどちらに合うさによって、ある層の吸
収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部
材が纂７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多
層）Ｆｓ成のも、のであるものにおいては、それらの各
層について第６図に示すような干渉効果が起って、第７
図に示すような状態となり、その結果、それぞれの干渉
が相乗的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとな
り、それがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記
干渉縞模様に対応した干渉縞が転写、定着される可視画
像に現出して不良画像をもたらしてしまうといった問題
がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ｘ〜±１００ＯＯＸの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）　、（１，）アルミニウム
支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂
中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公
報参照）　、　（ｅ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドシラストによシ砂目状
の微廁凹凸分設けたりして、支持体表面に光散乱反射防
止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５’４号
公報参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それによシ光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなり（て防止はされるものの
、光散乱としては依然として正反射光成分が残存するた
め、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうこと
に加えて、支持体表面での光散乱効果によシ照射スポッ
トに拡がシが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしま
う。

（ｂ＋の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層よシの脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂層がａ　　０１層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共て、表
面状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響
を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重０は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ工となり、残りは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光量ｌとなる。透過光量１は、支持体８
０１の表面ば於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
に工、Ｋ２、に、・・・となシ、残りが正反射されて反
射光Ｒ２となり、その一部が出射光Ｒ３となって外部に
出ては行くが、出射光凡は、反射光Ｒ工と干渉する部分
であっていずれにしろ残留するため依然として干渉縞模
様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１０
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２＠での反射光Ｒ
１、支持体９０１面での正反射光＆の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能である。

又、サンＰプラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図て
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
００３に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１００３’、１００４’で示すように平行
になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ１＝ｍλま
たは２ｎｄよ＝（ｍ十％）λの関係が成立ち、夫夫明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄ工、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差λ の中の最大が６以上である様な層厚の不均一性があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−Ｅｌｉで構成された光受容層を
有する光受容部材について、上述の諸間逼を排除し、各
種要求を満たすものにすることを目的とするものである
。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しておシ、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、調造管理が容易で
ある、ａ−０１で構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各１間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層高質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層を少なくとも有す
る多層構成の光受容層を有する光受容部材であって、前
記光受容層が、ショートレンジ内に少くとも一対の非平
行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面
内の少くとも一方向に多数配列し、該非平行な界面が配
列方向において各々なめらかに連結していることを骨子
とする光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面を層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列せしめ、該非平行な界面を配列方
向において各々なめらかに連結せしめた場合、画像形成
時に現われる干渉縞模様の問題が解消されること、そし
て、その場合、支持体表面に設けるなめらかな凹凸の凸
部の縦断面形状は、ショートレンジ内に形成される各層
の層厚の管理された不均一化、支持体と支持体上に直接
設けられる層との間の良好な密着性、あるいはさらに、
所望の電気的接触性等を確保するために、正弦関数形状
とす゛ることか望ましいというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る多層構成の光受容層を有する光
受容部材の一例を示す模式図である。

この例では、微小ななめらかな凹凸形状を有する支持体
１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿って第一の層１０２
と第二の層１０３とを備えた光受容ｊｍ工ｏｏを有して
いる。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第２（Ａ１図は、第１図に示す光受容部材の光受容層の
一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）図は同部分
における明るさを示す図であシ、図中、２０２は第一の
層、２０３は第二の層、２０４は自由表面、２０５は第
一の層と第二の層との界面を示している。第２（Ａ）図
に示すごとく、第二の層２０３の層厚は、ジョートレン
：）ｌ内においてｄ２１からｄ２２に連続的に変化して
いるため、自由表面２０４と界面２０５とは互いに異な
る傾きを有している。したがって、このショートレンジ
！内に入射したレーザー光等の可干渉性光は、該ジョー
トレン：）ｌにおいて干渉をおこし、微小な干渉縞模様
が生成はする。しかし、ジョートレン：）ｌにおいて生
ずる干渉縞は、ショー）１／ンジｌの大きさが照射光ス
ポット径よシ小さい。

即ち、解像度限界よシ小さいため、画像に現われるとと
はない。又、はとんどないことではあるが、仮に１画像
に現われる状況が生じたとしても肉眼の分解能以下なの
で、実質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し１中、３０２は第一の層、３０３は
第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０２
と第二の層３０３との界面を示す。）に示すように、第
一の層３０２と第二の層３０３との界面３０５と、自由
表面３０４とが非平行である（第３（蜀図参照）場合に
は、入射光重。に対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはそ
の進行方向が異なるため、界面３０５と自由表面３０４
とが平行である（第３（Ｂ）図参照）場合に比べて、干
渉の度合が減少する。即ち、干渉が生じても、第３（ｃ
）図に示すごとく、一対の界面が平行な関係にある場合
よりも、一対の界面が非平行な関係におる場合の方が干
渉の度合が小さくなるため、干渉縞模様の明暗の差が無
視しうる程度に小さくなり、その結果、入射光量は平均
化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２０
３の層厚がマクｑ的に不均一である場合、即ち、異なる
任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ２３、ｄ２
４がｄ２３＝＋ｄｚ４である場合であっても同様であっ
て、全層領域において入射する光量は第２（Ｄ）図に示
すように均一となる。

以上、光受容１が第一の層と第二の層とで構成されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材が３層
以上の多層構成の光受容層を有している場合、例えば、
第４図忙示すように支持体４０１上に形成される光受容
層が、第一の層４０２、第二の層４０３、および第三の
層４０４とから構成される場合であっても、入射光量。

に対して、反射光Ｒ１，Ｒ２＊　Ｒ３、＆および現が存
在するが、４０２．４０３および４０４の各層において
、第３図によって説明したごとき入射する光量が平均化
される現象が生ずる。

その上、ショートレンジｅ内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は第一の層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される消像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸はなめらかな凹凸であって、好ましくは正弦
関数影線状突起によって形成されているものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することによシ干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防屯し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｌは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｌ≦乙の関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の多層構成の光受容層は、シ
リコン原子と、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なく
ともいずれか一方とを含有するアモルファス材料で構成
され、特に望ましくはシリコン原子（Ｓｌ）と、ゲルマ
ニウム原子（Ｇｏ）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくとも
いずれか一方と、水素原子（Ｉ（）は・・ロゲン原子ｆ
Ｘ）の少なくともいずれか一方とを含有するアモルファ
ス材料〔以下、［ａ−８Ｌ（Ｇｏ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）　
Ｊと表記する。〕で構成された感光層を少なくとも有し
、さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せし
めることができる。そして、該光受容層は、伝導性を制
御する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つと
して有するか、またば／及び障壁層を構成層の１つとし
て有することが望ましい。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上尾、第一の居と第二の層とを積層して有し、さら
に第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を防
止することを目的として、第一の層の支持体側の端部に
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に含
有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の層
の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量
に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成せ
しめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障壁
層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明の
光受容部材は支持体上に複数のＩ−による′ｆＸ数の界
面が形成されることとなるが、本発明の光受容部材てお
いては、ショートレンジｌ内に少なくとも一対の非平行
な界面が存在するよう（でされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ンヨートレ７　′）ｌに於ける層厚の差、例えば前述
の第２（Ａ）図におけるｄ２□とｄ２２の差は、照射光
の波長をλとすると、次式：ｄ２□−ｄ２□≧−（ｎ：
構成層の屈折率）ｎ 全満足することが望ましい。そして積層厚の差の上限は
、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．
１μｍ〜１，５μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとす
ることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、／ヨー
ドレンジｅ内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差をΔノとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率をｎとした場合、次式： を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。

本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スフ２ツタリング法、イオンブレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小ななめらか
な凹凸を有し、好ましくは該なめらかな凹凸が正弦関数
影線状突起によって形成されているもので・ちる。

支持体侵面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラム１（従って回転させながら
規則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形
状、ピッチ、深さで形成される。この様な切削刃ロエ法
によって形成される凹凸が作り出す正弦関数影線状突起
部は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有
する。この様な構造の一例を第５図に示す。第５図にお
いてＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であシ
、Ｐは螺旋ピッチであシ、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の４旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１しこは光受容層を構成するａ　−Ｓｉ層は、
層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層重質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層重質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうこと力Ｉ出来なくなる。

また、プレーＰクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を、防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、０．３　μｍ　〜５０
０　μｍ　、好ましくは１μｍ〜２００μｍ、よシ好ま
しくは５μｍ　−５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ１最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好ましくは３度〜１５度、厳適には４度〜１
０度とするのが望ましい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶ｌｆ＆注のものであってもよい。導電性
支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＡ
’、Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｂ　等の金属又はこれ等の合
金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
ゾロピンン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＪ
、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ｐ
ｔ、ｐａ、　工ｎ２０３．５ｎ０２、ＩＴＯ（工ｎ２ｏ
３　＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けることによ
って導電性を付与し、或いは＋［ＩＪエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａ１．
　Ａｇ　、　Ｐｂ。

Ｚｆｌ、Ｎｉ、Ａｕ、　Ｏｒ、　ＭＯ１工ｒ％Ｎｂ、　
Ｔａ１、Ｖ。

ＴＩ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、ス・Ｑツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状であることができるが、用途、所望によって
、その形状は適宜だ決めることのできるものである。例
えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限シ薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上１機械的強度等の点から、通常は
、１０μ以上とされる。

光受容層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、シリコンぶ子を母体とし、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、さらに必要に応じて水素加子又は／及び
ハロゲン原子を含有する非晶質材料で購成され、光導電
性を有する光受容層１０２が積層されており、該光受容
層は自由表面１０３を一方の端面に有している。さらに
、該光受容層には、必要に応じて伝導性を制御する物質
を含有せしめることもできる。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収ス滅りトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより。

本発明の光受容部材は、各種の優れた特性を示すところ
のものとなるが、中でも特に可視光領域をふくむ比較的
短波長から比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して
光感度が浸れ光応答性の速いものとなる。そしてこのこ
とは、半導体レーザを光源とじ売場合に特に顕著である
。

本発明における光受容層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領域に均一な分布状態
で含有せしめるかあるいは不均一な分布状態で含有せし
めるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、光受容層の支持体表面と平
行な面方向において均一であシ、光受容層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、光
受容層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
光受容層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして、本発明の光受容層においては、特に支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
を極端に大きくすることにより、半導体ンーザ等の長波
長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に近い
構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長波
長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領域
において実質的に完全に吸収されるため、支持体表面か
らの反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の光受容層においては、ゲルマニ
ウム原子父は／及びスズ原子を全層領域において均一に
分布せしめることもでき、また層厚方向に連続的かつ不
均一に分布せしめることもできるが、以下、層厚方向の
分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子
を例として、第１１乃至１１）図により説明する。

第１１ｒ！４乃至第１１）図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、光受容層の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の光受容層の端面の位置を、ｔ７は
支持体側とは反対側の自由表面側の端面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される光受容層はｔＢ側
よりｈ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するだめの説明のための模式的なものである。

第１１図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる光受容層が形成される支持体表面と光受容層とが接
する界面位ｔｔｎよりｔＴの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ工なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が光受容層に含有され、位置ｔＴよりは
濃度Ｃ２より位！ＩｔｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位ｔｆｔＢよυ位ｆｔＴＫ至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔ７にお
いて１７ａ寧Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

　、 第１３図の場合九は、位Ｍｔａよ！ｌｌ立置ｔ２までは
、ゲルマニウム原子の分布ａ度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置
とされ、位置ｔｚと位置’ｔ７との間において、徐々に
連続的に減少され、位ｔｔ　ｔＴにおいて、分布濃Ｉｘ
Ｃは実質的にゼロとされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位ｒｉｔＢより位置ｔ７；Ｃ至るまで、濃度Ｃ６より初
め連続的に徐々に減少され、位ｆｔ　’ｔ’ｓよりは急
速に連続的に１或少されて位置ｔ７において実質的にゼ
ロとされている。

□第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム漿子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位ｆｉｔ　ｔ、間においては、濃
度）と一定値であり、位置ｔ７に於ては分布濃度Ｃはゼ
ロとされる。位Ｒｔ、と位ＲｔＴとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置ｔ４より位置ｔ７に至るまで減少
されている。

第１６図（（示される例においては、分布濃度Ｃは位Ｒ
ｔＢよシ位置ｔ、までは濃度Ｃ８の一定値を取シ、位Ｒ
ｔ５よ多位置ｔ７までは濃度Ｃ０より濃度Ｃよ。

まで−次間数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ７に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃ｅ　Ｃｚ
ｌ　よシー次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１８図においては、位ＲｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃよ、よシ濃
度ｃｘｉまで一次関数的に減少され、位Ｒｔ６と位置ｔ
７との間だおいては、！１度Ｃ工３の一定値とされた例
が示されている。

第１１）図に示される例において、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であシ、位
置ｔ７に至るまではこの濃度ＣＪ、４　より初めはゆっ
くりと減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減
少されて位ｇｔｔヮでは濃度Ｃ工。

とされる。

位置ｔ？と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度（’１６　となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間で
は、徐々に減少されて位置℃９において、濃度Ｃ１□に
至る。位置ｔ９と位置ｔ７との間においては濃度Ｃ１７
より実質的にゼロ（（なる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１１）図により、光受容層中に含
有されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方
向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
の光受容部材τ（おいては、支持体側において、デルマ
二つム原子父ば／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、端面ｔ７側（Ｃおいては、前記分布濃度Ｃは支
持体側に比べてかなシ低くされた部分を有するゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設
けられているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する光受容層は
、好ましくは、上述した様に支持体、側の方にゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子が比校的高濃度で含有され
ている局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第ｕＦ乃至
第１１）図に示す記号を用いて説明すれば、界面位ｉｔ
Ｂよシ５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、Ｍ層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中にき有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃ＋１ｎａ
ｘがンリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ　１０’ａｔｏＩ
ｎｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材Ｌ（おいては、デルマニウム
原子父は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持
体側からの層）享で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域
）に分布濃度の最大値ＣｍａＸが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。

本発明の光受容部材において、光受容層中１′？−含有
せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有、
ｌは、本発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従
って適宜法める必要があり、通常は１〜６　ｘ　１０５
ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３
　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましくはＩ
　Ｘ　１０２ｗ　２　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとする。

また、本発明の光受容部材（Ｃおいて、光受容層の層厚
は、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の
１つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要
があり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜
８０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材においては光受容層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域（（均−又は不
均一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることかでさ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下単に「第Ｖ族■子」と称す
。）が匝用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、ｐ、ｌｌ　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、　Ｇａ
である。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（、＠）、Ａｌ１
１（砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）
等を挙げることができるが、特に好ましｂものは、ｐ、
　ｓｂである。

本発明の光受容層に伝導性を制御する物質である第ｍ族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−’　ｗ　１　ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、
好ましくは５　×１０−２〜５　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ、最適にはＩ　Ｘ　１０−１〜２　Ｘ　１０２
１０２ａｔｏ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動をより効率的にＩ阻止
することができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合シ
ては、光受容層の自由表面がθ極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動
をよシ効率的に阻止することができる。そして、こうし
た場合の含有ｌは比較的多ｌであって、具体的には、３
０〜５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好１しくは５０
〜１　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適１（はＩ
　Ｘ　１０２〜５　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏとす
る。さらに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に
奏するためには、第■族原子又は第Ｖ族皇子を含有する
支持体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚をｔと
し、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の
関係が成立することが望ましく、より好ましくは該関係
式の（直が０．３５以下、最適に！ｉ０．３以下となる
ようにするのが望ましい。また、該層又は層領域の層厚
ｔは、一般的には３　Ｘ　１０−３〜１０μとするが、
好ましくは４Ｘ１０”〜８μ、最適には５Ｘ１０−”〜
５μとするのが望ましい。

次に光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から自由表面を有する側に向って減少し、光受容層
の自由表面付近においては、比較的少量となるかあるい
は実質的にゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族
原子を分布させる場合の典型的例のいくつかを、第ｍ図
乃至第四図によって説明するが、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない。

各図において、横軸は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃを、縦軸は光受容層の層厚を示し、ｔＢは支持体
と光受容層との界面位置を、ｔ７は光受容層の自由表面
側の端面の位置を示す。

第１図は、光受容層中に含有せしめる第■族原子又Ｆｉ
第Ｖ族原子の層ｊ４方向の分布状態の第一の典型例を示
している。該層では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
する光受容層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢより
位ｔ　ｔｔまでは。

第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度ＣがＣ工なる一定
値をとり、位置℃１よシ自由表面側の端面位＃、　ｔＴ
までは、第１ｆｆ族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが
濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置ｔ７においては第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度ＣがＣ３となる。

第２１図は、他の典型例の１つを示している。

核層では、光受容層に含有せしめる第■族原子又は笥ｖ
族原子の分布（濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ７にいた
るまで、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔｒ　にお
いて濃度Ｃ５となる。

第２２図に示す例では、位ｔｉ　ｔＢから位ＧＬ　ｔｚ
までは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ
６なる一定値を保ち、位置ｔ２から位置費にいたるまで
は、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度ｃｒ−ｒｅ度
Ｃヮから徐々に連続的に減少して位置ｔ７においては第
■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロと
なる。但し、ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満
の場合をいう。

第る図に示す例で（は、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ
８から連続的に徐々に減少し、位置ｔ７においては第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃけ実質的にゼロとな
る。

第２４図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位ＲｔＢより位Ｒｔｓの間においては濃度
Ｃ９の一定値だあり、位＠ｔ３から位置ｔＴの間におい
ては、濃’Ｉｔ　ｃｅから濃度Ｃ□０となるまで、−次
間数的に減少する。

第５図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位ｔ　ｔＢより位置ｔ、にいたるまでは＃度
Ｃ１１の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔ７までは濃
度Ｃ□２から濃度Ｃ工、となるまで一次関数的に減少す
る。

第２６図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで
、濃度Ｃ工、から実質的にゼロと々るまで一次関数的に
減少する。

１　　　　　　　第ｎ図に示す例では、第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは、位１１ｔｔａから位置ｔ５
にいたるまで濃度ｅｘａから濃度Ｃ１６となるまで一次
関数的に減少し、位置ｔＢから位置ｔ７までは濃度Ｃｔ
ａの一定値を保つ。

最後に、第３図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃエヮであり
、位置ｔＢから位置ｔ６までは濃度Ｃ１ワからはじめは
ゆつくシ攻少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位
置ｔ６では濃度ａｘｅ　となる。次に、位置ｔ６から位
置ｔ７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位置ｔｙ（ておいては濃ｖＣよ、と
なる。更に位置１．、と位置ｔ８の間では極めてゆつく
シと徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ工。となる
。また更に、位置ｔ８から位置ｔ７　Ｋいたるまでは、
濃度Ｃ３゜から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する
。

第加図〜第３図に示した例のごとく、光受容層の支持体
側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、光受容層の自由表面側においては、該
分布濃度Ｃがかなり低いａ度の部分あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体１
１Ｉに近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が比：絞的高濃度である局在領域を設けること、好まし
くは該局在領域を支持体表面と接融する界面位置から５
μ以内に設けることにより、第■族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形
成するという前述の作用効果がより一層効率的に奏され
る。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態だついて１
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るＫついては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および光受容
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、光受容層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の光
受容層中ば、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制
御する物質の極性とは別のｙ性の伝導性を制御する物質
を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制
御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一
段と少ないＡＫして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入用と層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁７１を設けること
もでき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方
を構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成す
る材料としテは、Ａｌ２Ｏ３，５１０２、Ｓｉ３Ｎ、等
の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶
縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合疋も、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて慶れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、７リコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放′１法或いはス／ぐツタリング法が好適で
ある。

そして、グロー放１法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ　−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成
される光受容層を形成するには、ンリコン原子（Ｓｌ）
を供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、デルマニウム原
子（Ｇｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しうる
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の
原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望のガス
圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめ
て、予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に
、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層を形成す
る。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ，、Ｓ　ｉ２Ｈ，、Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ４Ｈ工。等の
ガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）が
挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給
効率の良さ等の点から、５ｉ）Ｅ、およびＳｉ２Ｈ６が
好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、　ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｆ３３ＨＱ％　Ｇｅ４
ＨＩＯ１（）ｅ５Ｈ１２、Ｇ　ｅ６　ＨＩ３、Ｇｅ７Ｈ
１６、ＧｅＢＨＩＢ、Ｇｅ７Ｈ１６等のガス状態の又は
ガス化しうる水素化２ルマニウムを用いることができる
。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等の点から、ＧｅＨ４，Ｇｅ、、Ｈ，、およびＧｅ３
Ｈ８が好ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのへロデン化合′吻があり、例えばハ
ロゲンガス、ハロゲン化物、・・ロゲン間化合物、ノ・
ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガ
ス化しうるノ・ロゲン化合物を用いることができる。具
体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のノ・ロデンガ
ス、ＢｒＦ、　　　ＣＩＦ、　　ＣｌＦ３　、　　Ｂｒ
Ｆ３　、　　ＢｒＦ５　、　　ＨＦ３、　　工Ｆ、ｙ　
、　　工Ｃ１゜ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、および５
ｉＩＦ、、５ｉ２Ｆ、、５ｉＣ１４、ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素等が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときノ・ロゲン原子を含む硅素化合物のガス状
態のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー
放電法により形成する場合には、Ｓ１原子供給用原料ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の
支持体上にノ・ロブ／原子を含有するａ−８ｉで構成さ
れる層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓ１供袷用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
Ｉ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして堆漬室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支持
体上に光受容層を形成するものであるが、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にするため
には、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを
混合することもできる。該水素原子供給用のガスとして
は、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３
Ｈ８，５１４Ｈ１゜等の水素化硅素のガスが用いられる
。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ、　ＨＣ６％
ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化物、Ｓ　ｉＨｚ　Ｆ２、
ＳｉＨ２工２．５ｉＨ２Ｃ！Ｊ２、ＢＩＨＣ１３，５ｉ
Ｈ２Ｂｒ２、Ｓ　ｉＨＢｒ５　　等のハロゲン置換水素
化硅素等のガス状態のあるいはガス化しうるものを用い
た場合には、ハロゲン原子（Ｘｉの導入と同時に水素原
子ｆ）Ｉ）も導入されるので、有効である。

スノにツタリング法によってａ　−ｓｉａθ（Ｈ，Ｘ）
で構成される光受容層を形成するには、シリコンから成
るター２ノドと、ゲルマニウムから成るターゲットとの
二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるタ
ーゲットを用い、これ等を所望のがス雰囲気中でス・ｅ
ツタリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶ンリコ／又Ｉｄ　単結晶／リコ
ンと多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫
々蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗
加熱法あるｈはエレクトロンビーム法（ｚ、Ｂ、法）等
によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパンタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にノ・ロデン原子を含有せ
しめるには、前述の７・ロデン化物又はハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えば迅ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水ｆＥ化デルマ
ニウム等のガス類をス／２ツタリング用の堆積室内に導
入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよ
い。さらにノ・ロゲン原子供給用の原料ガスとしては、
前記の７・ロデン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物
が有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＰ、Ｈ
Ｃ６％ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　Ｉ
２Ｆ２、ＳｉＨ２工２．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１３
，５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素
化硅素、およびＱｅＨＦ３、ＧｓＨ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ
、　ＧｅＨＣｌ３、ＧｅＨ２ｃ１２、ＧｅＨＢｒ３．　
ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＩ２Ｂｒ２、ＧｅＨＢｒ３ＧｅＨＩ
、、ＧｅＩ２Ｉ２、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム等、ＧｅＦいＧｅＣｌ４、ＧｅＢｒ４、Ｇｅ
Ｉ４．　ＧｅＦ２、ＧｅＣ１２、Ｇｅ　Ｂｒ２、Ｇｏ　
Ｉ２等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又は
ガス化しうる物質も有効な出発物質として使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）
は、好１しくは０．０１〜４０ａｔｏｍｉｃチ、より好
適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適にＨｏ
、１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

グロー放電法、ス・？ツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、［ａ　−Ｓｉｇｎ（ＨＩＸ）Ｊと表
記する。）で構成される光受容層を形成するには、上述
のａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（Ｓｎ　）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する
層中へのその量を制御しながら含有せしめることによっ
て行なう。

前記スズ原子（ｓｎ　）供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）やＳｎＦ２．５ｎ
Ｆ４．８ｎＣ１２，５ｎＣｌ、　、　５ｎＢｒ、、Ｓｎ
Ｂｒ４、ＳｎＩ２、Ｓｎ工。

等ノハロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、ハロゲン化スズを用いる場合に
は、所定の支持体上にハロゲン原子を含有するａ　−Ｓ
ｉで構成される層を形成することができるので、特に有
効である。なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ
供給効率の良さ等の点から、５ｎ（Ｊ４が好ましい。

そして、ＳｎＣ！１４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発
物質として用いる場合、これをがス〔ヒするには、固体
状の５ｎｃ１４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ、等の
不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリン
グするのが望ましく、こうして生成したがスを、内部を
減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−０ｔｇｎ　
（Ｈ、Ｘ　）で構成される層又は一部の層領域を形成す
るには、上述のａ　−ＳｉＧθ（ＨＩＸ）又は／及びａ
−８ｉＳｎ　（Ｈ、Ｘ　）で構成される層の形成の際に
、第１１１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、
ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）又は／及びａ−８ｔｇｎ　
（Ｈ、Ｘ　）形成用の出発物質とともに開用して、形成
する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめるこ
とによって行なう。

第１１１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、’ｓ、Ｈ，、Ｂ４ＨＩＯｓ　Ｂ５
１（９、Ｂ、Ｈ工□、Ｂ６Ｈ工。、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ
１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＯｌ、、ＢＢｒ３等の
・・ロデン化硼素等が挙げられる。

この他、ｋｌｃ１３．０ａＣ１３、（）ａ（Ｃ！Ｈ３）
２、Ｉｎ（Ｊ３、ＴＩ　Ｏ１３等も挙げることができる
。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ，等の水素北隣、ＰＨ，
Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣ１５、ＰＢｒ３、
ＰＢｒ３、Ｐ工３等のハ０デン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、Ａｅｃ１３、ＡｅＢｒ３、Ａ
ｓＦ５．５ｔ）Ｈ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５ｂＣ１３
，５ｂＣ６，、、ＢｉＩ３、ＢｉＣＪ３、Ｂ　ｉ　Ｂ　
ｒ３　等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることができる。

以上記述したよう（て、本発明の光受容部材の光受容層
は、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成す
るが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水
素原子及び／又はハロゲン原子の各々の含有量の制御は
、堆積室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガ
ス流量あるいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量
比を制御することてより行われる。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であり、形成する眉の機能
て考慮をはらって適宜選択されるものである。さら番で
、これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記
の各原子の種類及び量によっても異なることもちること
から、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考
慮をはらって決定する必要もある。

具体的には、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）からなる層を
形成する場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含
有せしめたａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）からなる層を形
成する場合については、支持体温度は、通常５０〜３５
０℃とするが、より好ましくは関〜３００°Ｃ１特に好
ましくは１００〜３００℃とする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜５’ｒｏ
ｒｒとするが、好ましくは、０．００１〜３　Ｔｏｒｒ
。

特に好ましくは０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、放
電・Ｑワーは０．００５〜５０Ｗ／α２とするのが通常
であるが、好ましくは０．０１〜３０　Ｗ／ＣＭＬ２、
特に好ましくは０．０１〜２０　Ｗ／（ｚ”とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であり、そのた
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
にするについては、成膜操作中、放電、ｅワー、ガス圧
を比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放′１・？ワー、ガス圧は、使用ガスの
種類、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等
によって異り、これらの種々の条件を考慮して決定され
る。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
を均一とするためには、光受容１１を形成するに際して
、前記の諸条件を一定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際て、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子父は／及びスズ原子あ
るいは第ｍ族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向
に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する光受容
層を形成するＫは、グロー放電法を用いる場合であれば
、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第１１
１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積
室内に導入する際のガス流量を、所望の変化率に従って
適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する
。そして、ガス流量を変化させるには、具体的には、例
えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられてい
る何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられた
所定の二一ドルパルゾの開口を漸次変化させる操作を行
えばよい。このとき、流量の変化率は線型である必要は
なく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計され
た変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線
を得ることもできる。

また、光受容層をス、ｅツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第■族原
子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変
化させて所望の石１γ方向の分布状態を形成するには、
グロー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原子
又はスズ原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導
入する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる
。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例１でおいては、 光受容層をグロー放電法を用いて形成した。第２９図は
グロー放電法による本発明の光受容部材の製族装置であ
る。

図中の２９０２．２９０３．２９０４．２９０５．２９
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その−例として、たと
えば、２９０２はＳｉＨ４ガス（、Ｎ度９９．９９９チ
）ボンベ、２９０３ばＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ，ガス（
純度９９．９９９チ、以下Ｂ２馬／Ｈと略す。）ボンベ
、２９０４はＳ１□Ｈ６ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、２９０５はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９　％
　）ボンベ、２９０６は不活性ガス（Ｈｅ）ボンベであ
る。そして、２９０６’はＳｎＣ！ｌａが入った密閉容
器である。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のノξルプ２９２２〜２９２６
、リークノルプ２９３５が閉じられていることを確認し
又、流入／２ルプ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９
１７〜２９２１　、補助パルプ２９３２．２９３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２９３４
を開いて反応室２９０１、ガス配管内を排気する。次て
真空計２９３６の読みが約５　ｘｌｏ−’　ｔｏｒｒに
なった時点で、補助バルブ２９３２．２９３３、流出バ
ルブ２９１７〜２９２１を閉じる。

基体シリンダー２９３７上に光受容層１０２を形成する
場合の一例をあげる。ガスボンベ２９０２よりＳｉＨ，
ガス、ガスボンベ２９０５よシＧｅＨ４ガスの夫夫をバ
ルブ２９２２．２９２５を開いて出口圧ゲージ２９２７
．２９３０の圧を１ｋｇ／ｃＩ／Ｌ２に調整し、流入パ
ル７’　２９１２　、　２９１５　ヲ徐々に開けて、マ
スフロコントローラ２９０７．２９１０内に流入させる
。引き読いて流出バルブ２９１７．２９２０、補助パル
プ２９３２を徐々に開いてガスを反応室２９０１内に流
入させる。このときのＳ　ｉＨ，ガス流量、ＧＩ３Ｈ，
ガス流量の比が所望の値になるよう（Ｃ流出バルブ２９
１７．２９２０を調整し、又、反応室２９０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２９３６の読みを見なが
らメインバルブ２９３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒーター　
２９３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定され
ていることを確認された後、電源２９４０を所望の電力
に設定して反応室２９０１内にグロー放電を生起せしめ
るとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）を用
いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、ＧｅＨ
４ガス流量とＳｉＨ４ガス流量の比を制御しながら、基
体シリンダー２９３７上に先ず、ゲルマニウム原子を含
有する光受容層を形成する。

光受容層中にハロゲン原子を含有せしめる場合には、上
記のＳｉＨ，ガスやＧｅＨ４ガスにかえて例えばＳｉＦ
４ガスやＧｅＦ、ガスを反応室に送り込めばよい。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもない。

また、光受容層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ１４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎＯ
１，を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該８ｎＣ１４中にＡｒ％Ｈθ等の不活性ガスボンベ２
９０６よＦ）Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バ
ブリングする。発生した５ｎＣ１４のガスは、前述のＳ
ｉＨ，、ＧｅＨ４ガス等と同様の手順により反応室内に
流入させる。

実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａｌ基体（長さ３５７朋、
径８０龍）Ｋ第５図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）Ｋ示すよ
うな旋盤加工を施して得た第１Ａ表上欄に示すものを使
用した。なお、第５（Ａ）図はＡＡ支持体の全体図であ
り、第５（Ｂ）図はその部分拡大断面図である。

次に、該ＡＡ’支持体（試料階１０１〜１０４）上に、
以下の第１　Ｂ表に示す条件で、第四図に示した製造装
置により光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容
層の表面は、支持体の表面に対して非平行となっており
、測定値は第１Ａ表中欄に示すとおシとなった。

さらに、これらの光受容部材について、第３０図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、
転写を行なって画像を侍た。

得られた画像の干渉縞模様の発生状況は第１Ａ表下欄に
示すとおりであった。

なお、第３０　（Ａ）　：ｆｆｌは露光Ｐ！置の全体を
模式的に示す平面略図であり、第３０　ｊＢ１図は露光
装置の全体を模式的に示す側面略図である。図中、３０
０１は光受容部材、３００２は半導体レーザー、３００
３はｆθレンズ、３００４はポリゴンミラーを示してい
実施例２ 第２Ｂ表だ示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料
ＮＱ１０１〜１０８）上に光受容層を形成した。この際
、ＳｉＦ、ガス及び（）ｅＦ、ガスのガス流■は第３１
図に示す流量変化線に従って、マイクロゴ／ビューター
制御により、自動的に調整した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
微小部分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定
したところ、第２Ａ表上欄に示すとおりとなった。また
光受容層の７リンダー中央と両端の平均層厚の差は２．
３μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像における干渉
縞の発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりでちった。

第　　２　　Ｂ　　表 Ａｔ基体温度：　２５０°Ｃ 放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 実施例３ 第３Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料ｍ
　１０１〜１０８）上に光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の第１層と第２層の層厚の差を、実施例１と同様にし
て測定したところ、第３Ａ表上欄及び中欄に示すとおり
となった。また、光受容層のシリンダー中央と両端の平
均層厚の差は２．２μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られた画像における干渉
縞の発生状況は第３Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例４ 第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料階
１０１〜１０８）上に光受容層を形成した。この際、Ｓ
ｉＦ、がス及びＧｅｍ、ガスの流量は第３２図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により
、自動的に調整した。

こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の第１層と第２層の層厚の差を、実施例１と同様にし
て測定したところ、第４Ａ表上欄及び中欄に示すとおり
となった。また、光受容層のシリンダー中央と両端の平
均層厚の差は２．１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られた画像における干渉
縞の発生状況は第４Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例５〜ｌＯ 第５〜１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成
した以外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試
料陽１０３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際
、使用ガスの流量は、各々、第３３〜３８図に示す流量
変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により、
自動的に調整した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

比較例１ 比較実験として、実施例１の光受容部材を作成した際に
使用したＡｔ支持体に代えて、サンドブラスト法により
Ａｔ支持体の表面を粗面化したＡｔ支持体を採用したほ
かは前述の実施例１の高周波電力２５０〜３００Ｗで作
製した光受容部材と全く同様の方法で光受容部材を作成
した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
ｔ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＲ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８μｍであることが判
明した。

この比較用光受容部材を実施例１で用いた第３０図の装
置に取り付けて、同様の画像形成を行なったところ、全
面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

比較例２ 高周波電力を４０Ｗとした以外はすべて実施例１と同様
にして、Ａｔ支持体（試料陽１０１〜１０８）上に光受
容層を形成した。

得られた光受容部材について電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、光受容層の表面は、支持体の表面に対して平行にな
っていた。また中央と両端部での層厚の差は１４ｍであ
った。

これらの光受容部材について、実施例１と同じ方法で画
像形成を行なったところ、各々の光受容部材において、
実用には適さない明瞭な干渉縞模様が観察された。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファス７リコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−７トーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、光受容層の構成層各層の界面が非平
行な場合に干渉縞の発生が防止しうろことを示す図、第
３図は、光受容層の構成層各層の界面が平行である場合
と非平行である場合の反射光強度を比較する図、第４図
は、光受容層の構成層がミリ上の多層である場合におけ
る干渉縞の発生の防止を説明する図である。第５図は、
本発明の光受容部材の支持体の表面形状の典型例を示す
図である。第６乃至１０図は、従来の光受容部材におけ
る干渉縞の発生を説明する図であって、第６図は、光受
容層における干渉縞の発生、第７図は、多層構成の光受
容層における干渉縞の発生、第８図は、散乱光による干
渉縞の発生、第９図は、多層構成の光受容層における散
乱光による干渉縞の発生、第１０図は、光受容層の構成
層各層の界面が平行である場合の干渉縞の発生を各各層
している。第１１〜１１）図は、本発明の光受容層にお
けるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状
態を表わす図であり、第ｍ〜四図は、本発明の光受容層
における第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状
態を表わす図であり、各図において、縦軸は光受容層の
層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。 第四図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造するた
めの装置の１例で、グロー放電法による製造装置の模式
的説明図である。第四図はレーザー光による画像露光装
置を説明する図である。第３１乃至あ図は、本発明の光
受容層形成におけるガス流量比の変化状態を示す図であ
り、縦軸は光受容層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量
を示している。 第１乃至第４図について、 １００・・・光受容層、１０１・・・支持体、１０２．
２０２゜３０２．４０２・・・第一の層、１０３．２０
３．３０３．４０３・・・第二の層、４０４・・・第三
の層、１０４．２０４．３０４・・・自由表面、２０５
．３０５・・・第一の層と第二の層との界面、 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７０３・・・光受容層、８０１
・・・支持体、８０２・・・光受容層、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９０３・・・第２層、１０
０１・・支持体、１００２・・・光受容層、１００３・
・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面、第四図
において、 ２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’−５ｎＣ４４槽、２９０７〜２９１
１　＝−７スフロコントローラ、２９１２〜２９１６・
・・流入バルブ、２９１７〜２９２１・・・流出／之ル
ブ、２９２２〜２９２６・・・バルブ、２９２７〜２９
３工・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・・補助バ
ルブ、２９３４・・・メインバルブ、２９３５・・・リ
ークバルブ、２９３６・・・真空計、２９３７・・・基
体／リンダ−１２９３８・・・加熱ヒーター、２９３９
・・・モーター、２９４０・・高周波電源、 第四図において、 ３００１・・・光受容部材、３００２・・・半導体レー
ザー、３００３・・・ｆθレンズ、３００４・・・ポリ
ゴンミラー。 図面の品書１、′９容に変更なし） 第３図 ＦＡ）　　　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ） Ｒ イ＋７．７ｊ 第５図 位置 位置 第８図 第９図 第１０図 位置 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 □Ｃ 第１７図 第１８図 第１１）図 第２０図 第２１図 一一一−Ｃ 第２６図 第２９図 第３１図 ＣＣＭ ＳｉＦ４ガス　　　　Ｇ　ｅ　Ｆ　４ガスＣＣＭ 第３６図 ＳｉＨ，ガス　　　　５ｎＣｔ４／ＨｅガスＳｉＨ４ガ
ス　５ｎＣｔ４／Ｈｅガス　Ｂ　２Ｈ６／Ｈ２ガス手　
　続　　補　　正　　書　（方　式）昭和６０年１１月
１５日

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   及びスズ原子の少くともいずれか一方とを含有する非晶
   質材料で構成された感光層を少なくとも有する多層構成
   の光受容層を有する光受容部材であつて、前記光受容層
   が、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
   有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くと
   も一方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向にお
   いて、各々なめらかに連結していることを特徴とする光
   受容部材。
2. （２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）光受容層が構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）非平行な界面の配列が規則的である、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）非平行な界面の配列が周期的である、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
7. （７）ショートレンジが０．３〜５００μである、特許
   請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規則
   的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成されて
   いる、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
9. （９）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によつ
   て形成されている特許請求の範囲第（８）項に記載の光
   受容部材。
10. （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
11. （１１）正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於い
    て螺線構造を有する特許請求の範囲第（１０）項に記載
    の光受容部材。
12. （１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
    範囲第（１１）項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている特許請求の範囲第（９）項に記載の光
    受容部材。
14. （１４）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿つている特許請求の範囲第（１３）項
    に記載の光受容部材。
15. （１５）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
    の範囲第（８）項に記載の光受容部材。
16. （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲（１５）項に記載の光受容部材。
17. （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第（８）項に
    記載の光受容部材。