JPS6198356A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　１デジタル画像情報を画像として記録する方
法として、デジタル画像情報ト応じて変調したレーザー
光で光受容部材を光学的に走査することにより静電潜像
を形成し１次いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定
着などの処理を行ない１画像を記録する方法がよく知ら
れている。中でも電子写真法を使用した画像形成法では
、レーザーとしては小型で安価なＨｅ−？ｉｅレーザー
あるいは半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎ４の
発光波長を有する）で像記録を行なうことが一般である
。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８８３
４１号公報や特開昭５８−８３７４８号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−９ｉ
」　と略記する）から成る光受容部材が注目されている
。

尚乍ら、光受容層を単層構成の＆　　５　＋　Ｎとする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求
される１ＯＩ２ΩＣ腸以上の暗抵抗を確保するには、水
素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加λてポロン原子
とを特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有
させる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密
に行う必要がある等。

−光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限があ
る。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものと”しては１例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる暦をＩＡ層した二層以上の層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したり、或ｔ＋％ｌｔ特開昭
５７−５２１７８号、同５２１７９号、１Ｉｖ１５２１
８０号、同５８１５９号、同５８１８０号、同５８１６
、号の各公報に記載されである様に支持体と光受容層の
間、又は／及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多
層構造としたりして、見掛は上の暗抵４へを高めた光受
容部材が提案されている。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著とな、（る・ ）′　　　　　　　　　まして、使用する半導体レーザ
ー光の波長領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける
該レーザー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象
は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

ｒｊＳ１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層
に入射した光！。と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ
８、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している
。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入λ として、ある暦の層厚がなだらかに一以上の層ｎ ４差で不均一であると１反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
λ（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄｍ（ｍ　＋
　−）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどち
らに合うかによって、ある暦の吸収光凌および透過光量
に変化を生じる。

多層構晟の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように。

それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。そ　　　
　　　　　　ｉの為に該干渉縞模様に対応した干渉縞が
転写部材上に転写、定着された可視画像に現われ、不良
画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持０体表面をダ
イヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１００００Ａの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは１Ｍｓ脂中にカーボン
、Ｒ色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方
法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミ
ニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サ
ンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、
支持体表面に光散δＬ反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。　・第２の
方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収は無理
であって、支持体表面での反射光は残存する。又、着色
顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−５ｉ層を形成する際
、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受容層の
層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Ｓｉ層形成
の際のプラズマによってダメージを受けて、本来の吸収
機能を低減させると共に、表面状態の悪化によるその後
のａ−Ｓｔ層の形成に悪影響を与えること等の不都合さ
を有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光！０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１．　となる、
透過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　、に３・・・と
なり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光
Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

徒って、多層構成（の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規’　　　　　　　　　　　ｌ１ｌｌｑｉ
ｔ３ｒ＋よ、工法、８完全、□オ、３は不可能であった
。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容Ｒ５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがっ−て、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入ま
たは２ｎｄｌ＝　（ｍ＋３４）入が成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ＋　、ｄ　２　＋　ｄ　３　＋　ｄ　４の夫々の差
のあるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像１度の高い、高品質画像を得
ることが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供す
ることでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成されたＭＳｌの層と、シリ
コン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す
第２の層と、反射防止機能を有する表面層とが支持体側
より順に設けられた多層構成の光受容層を有しており、
前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が
層厚方向に不均一であり、且つ前記第１の層及び前記第
２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有
され、該物質が含有されている層領域に於いて、該物質
の分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前記光受
容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択さ
れる少なくとも一種を含有し、且つシ、−トレンジ内に
１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚
方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列してい
る事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光量１　　　　　　　　客
層は第６図の一部に拡大して示されるようドパ −第２層［１０２の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化
している為に、界面８０３と界面６０４とは互いに傾向
きを有している。従って、この微小部分（ショートレン
ジ）ｌに入射した可干渉性光は該微小部分ｔに於て干渉
を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■ｏに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄｔ舛ｄｔｓ）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一　　　　　　　
　　！になるＣ８６図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光！、に対
して、反射光Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ３Ｒ４，Ｒ５が存在する
。その為各々の層で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周Ｊ
ｍ分ンは、照射光のスポット径をＬとすれば、ｔ≦Ｌで
ある。

又本発明の目的をより効果的にａＩ＆する為には薇小部
分りに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｂ　）は、照射光の
波長を入とすると。

入 （ｎ：第２層８０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全望域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の暦、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に１層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、族５１等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に交って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形
成される。この様な切削加工法によって形成される凹凸
が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺旋構造を有する。逆Ｖ字１　　　　　
　”００″！１′”、　＝＊、　Ｅ！１．　ｓ−ｔ＊ｙ
、ａｍｆＪ　　　　　　　　　　　造、又は交叉螺旋構
造とされても差支えない。

中 或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる暦との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジ、ンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−Ｓｉ暦は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって１表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、＆　−Ｓ　ｉ　！ｆ！Ｉの層品質の低下を招来
しない様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョ
　　　　　　　（ンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した暦堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｓ〜
０．３鱗、より好ましくは２０〇−〜１　ｇ　、最適に
は５０μ〜５−であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇ〜５　Ｉ
Ｉｊ、より好ましくは０．３ｕ〜３−９最適には０．８
−〜２鱗とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピ
ッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線
上突起部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピー、チ内〒好ましくは
Ｏ，ｌｕ〜２ｕ、より好ましくは０．１ｇ　〜　１．５
ｕ、最適には０．２ｕ−１ｇとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の暦と反射防止機能を有する表面
層とが支持体側より順に設けられた多層構成となってお
り、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状
態が層厚方向に不均一となっているため、極めて優れた
電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用
環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して鰻返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは１次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると１反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 が好ましいものである。

また１表面層の材料と、しては、その上に表面層を堆積
する層の屈折率をｎ、とすると、ｎ＝屓 の屈折率を有する材料が最適である。

１　　　　　　　　　この様な光学的条件か加味すれば
１反射防止層Ｃの層厚は、露光光の波長が近赤外から可
視光の波長域にあるものとして、　０．０５〜２−とさ
れるのが好適である。

本発明に於いて１反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、　ＭｇＦ２
．　Ａｌ２Ｏ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　Ｃ
ｅＯ２゜ＣｅＦ２．５ｉ０２、ＳｉＯ、Ｔａ２０５　、
　ＡｌＦ３、ＮａＦ　、　Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物や
無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂
、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機
化合物が挙げられる。

これらの材料は１本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、革着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＯ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って１本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１θ図は１本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式釣橋　　　　　　
　　　１戊図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を宥し
、該光受容７Ｂ３ｔｏｏｏは自由表面１００５を一方の
端面に有している。

光受容層１００Ｇは支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−９ｉＧｓ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−３ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の層（Ｓ）１００３と１反射防止機能を有す
る表面層１００Ｂとが順に積層された層構造を有する。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物Ｗ　（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与
えられている。

本発明に於いては、第１のＰ＋（Ｇ）　＋００２又は／
及び第２のｆｉ　（Ｓ）　１００３に含有される伝導特
性を支配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層
の全層領域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有され
る暦の一部の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１の層（
Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるのであれ
ば、７Ｊ４１の暦（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する
様に前記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｃ）の層
厚方向の分ｔａ濃度を不均一にすることで、他の暦との
接触界面での光学的、電気的接合を良好にすることが出
来る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
暦（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜状められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物ｊｔ　（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
！！　（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（
Ｃ）を含有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の！　（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層ＣＧ）と第２の暦（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

１　　　　　　　　　　　丙午ら１本発明に於いては、
各層に含有される；１　　　　　　　　　　前記物質（
Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層Ｃ
Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性の
異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有させ
るのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２のＲ（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１のＭ（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としてＩｆ、、
所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
１本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ
−Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−５ｉＧｅ　−（Ｈ
，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る
。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属す
る原子（第■族原子）１例えば、Ｂ（ｌＪ素）、ＡＩ（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）　　　　　　　　　
１１ｎ（インジウム）、Ｔｔ　（タリウム）等があり、
殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
ｖ、！ｌｉ：原子）１例えば、ＰＣ燐）、Ａｓ（砒素）
、ｓｂ（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｐ、＾Ｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る一 又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５ＸＩＯ’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よ−
り好適には０．５−Ｉ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、最適には、１〜５Ｘ１Ｇ３ａｔｏ■ｔｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐＨ１ｍ以上、より
好適には５０　ａｔｅ■ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１
００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ■以上とすることによって、
例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果
的に阻止することがは来、又、前記含有させる物質（Ｃ
）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面
がＯ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層
中への正五の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、ｈｊ層領域Ｐ　Ｎ
）に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性
とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有
させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導
特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際
の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いもの
である。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては１層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ＰＰ＠　、より
好適には０．０！＋ｗ　５００　ａｔｏ脂１ｃｐｐ■・
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　Ｐｐ自とされ
るのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）’及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（（Ｚ）
に同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を台幅； 右させる場合には１層領域（Ｚ）に於ける含有量として
は、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ腸以下とする
のが好ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第２７図乃至第３５図には１本発明における光受容部材
の層領域（ＰＭ）中に含有される物質層（Ｃ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於いて
、層厚及び濃度の表示はそのままの値価で示すと各々の
図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示しており
これらの図は模式的なものと理解されたい、　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　）実際の分布として
は、本発明の目的が達成される可く、所望される分布濃
度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ≦８）又は（：ｉ
（１≦ｉ≦１７）の値を選らぶか、或いは分布カーブ全
体に適当な係数を掛けたものをとるべきである。

第２７図乃至第３５図において、ａ軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＰＭ）の層厚を示し、　ｔ
２１は支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、１Ｔは
支持体側とは反対側の層領域（ＰＭ）の端面の位置を示
す、即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＭ）はｔ
Ｂ側より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＭ）中に含有される物質（Ｃ
）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２７図に示される例では、物質ＣＣ）の含有される層
領域（ＰＭ）が形成される表面と該層（Ｇ）の表面とが
接する界面位ｆａｔｅよりＬｌの位置までは、物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が、形成される層（ＰＮ）に含有され、位置ｔ！
よりは濃度Ｃ２より界面位Ｒ１ｔｒに至るまで徐々に？
！！統的に減少されている。界面位置１Ｔにおいては物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。（ここで
は実質的に零とは検出限界量未満の場合である。） 第２８図は示される例においては、含有される物ｆｉ　
（Ｃ）の分布濃度Ｃは位Ｎｔ日より位１ｔｔｔに至るま
で濃度ＣＩから徐々に連続的に減少して位置１Ｔにおい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には、位Ｍｔｓより位２１ｔｚまでは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ
１位ａｉｔｚと位ｒｌＬｒとの間において、徐々に連続
的に減少され１位ＩＬＴにおいて１分布濃度Ｃは実質的
に零とされてＮする。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置を
日より位置ｔ１に至るまで、濃度ｃ６より初め連続的に
徐々に減少され、位Ｗ１ｔ３よりは、急速に連続的に減
少されて、位２ＺＬｔにおいて実質的に零とされている
。

第３１図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
１位２１ｔｅと位置ｔｓ間においては濃度ｃ７と−定価
であり、位置【Ｔに於ては分布濃度Ｃは零とされる１位
置ｔ４と１丁との間では１分布部度Ｃは一次間数的に位
ｍＬａより位置１．に至るまで減少されている。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位ｉｔ
　ｔｓより位置Ｌ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位
１ｔｔｓより位１１ｔｖまでは濃度Ｃ９より濃度ＣＩ・
まで−次間数的に減少する分布状態とされている。

第３３図に示す例においては、位２１ｔＢより位ａｌｔ
Ｔに至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１１よ
り一次関数的に連続して減少されて、零に至っている。

第３４図においては、位置１．より位１１Ｌｉに至るま
では物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃度Ｃ
１３まで一時間数的に減少され１位ｇ１ｔ、と位置１丁
との間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が示
されている。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布部 １１　　　　　　　　　　　濃度０は・位ｆｆ１１・９
おいて濃度０・ごあり・位置ｔｌに至るまではこの濃度
Ｃ１４より初めはゆっくりと減少され、＋７の位置付近
においては、急激に減少されて位１ｈでは濃度ｃｐｓと
される。

位Ｗｌｔｔと位！１ｔｅとの間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位！
Ｉｔｓで濃度ｃｐｓとなり１位１２１ｔｓと位置ｔ９と
の間では、徐々に減少されて位ｔｌＬ＊において、濃度
Ｃ１７に至る０位置ｔ９と位置１Ｔとの間においては濃
度ＣＩ？より実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（ＰＭ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面１Ｔ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が層領域（ＰＭ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する層領域（ＰＭ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方に物　　　　　　
　　」□ 質（Ｃ）が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ
）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１６より
５鉢以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位ａ　ｔ
ａより５ル厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）１例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子構造的に導
入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＭ）を形
成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物
質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に各層を形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い、その様な第■族原子導入用の出発物質として、具体
的には硼素導入用としては、　８２）＋６　、　ＢａＨ
＋ｏ　＋　ＢＳＨ９＋　　ＢｓＨｏ　、Ｂ６ＨＩＯ。

８Ｇ）１１２１　８６Ｍ　１４等の水素化硼素、　　Ｂ
Ｆ３　、　ＢＣｆｆｉｌ。

ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。このほか
、　ＡｌＣｌ３　、　Ｇａα３　、　Ｇａ（ＣＨ３）３
．　Ｉｎα３．Ｔｌα３等も上げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として５本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　　Ｐ）
１．、Ｐ、）１．等の水素化燐、”　ＰＨａｌ　、　　
ＰＦ３　。

ρＦ６．ＰＣ１ｍ、　ＰＣｆｆｉｓ　、　ＰＢｒ３　、
　ＰＢＴｓ　、　　ＰＩ３等のハロダン化燐が挙げられ
る。この他ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣｌ３．　　Ａｓ１ｌｌｒ３．　ＡｓＦ５．　Ｓｂ
Ｈ３，ＳｂＦ３．　５ｂＣ１５゜５ｂＣＩ、　ＢｉＨ３
，ＢｉＣｌ３．　　ＢｉＢｙ３等も第Ｖ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

ＥＦＳＩの層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第１のｌ）　（Ｇ）　１００２の層厚方
向には連続的であって且つ前記支持体１００１の設けら
れである側とは反対の側（光受容層１００１の表面ｔｏ
ｏｓ側）の方に対して前記支持体１００１側の方に多く
分布した状態となる様に前記第１の暦（Ｇ）　１００２
中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２
の暦（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全傭域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材とし得るものである。

又、第１の暦ＣＧ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連（統ゎ９分布５
．ゲ１．＝＝つ、原子。層厚力。、）分、１ 布温度Ｃが支持体側より第２の層（Ｓ）に向って減少す
る変化が与えられているので、第１の層（Ｇ）と第２の
層（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様
に、支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を使
用した場合の１ｗ４２の暦（Ｓ）では殆ど吸収しきれな
い長波長側の光を第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完
全に吸収することが出来、支持体面からの反射による干
渉を防止することが出来る。

又１本発明の光受容部材に於いては、第１の＋？（Ｇ）
と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分□成されている
。

第１１図乃至第１９図には１本発明における光受容部材
の第１の！’　ＣＧ）中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１８図において、横軸はゲルマニラ　　
　　　　　　　１ム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１
のＷ　（Ｇ）の層厚を示し、　Ｌｓは支持体側の第１の
層（Ｇ）の端面の位置を、ＬＴは支持体側とは反対側の
層（Ｇ）の端面の位置を示す、即ち、ゲルマニウム原子
の含有される第１の層ＣＧ’）はｔ８側より１Ｔ側に向
って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位Ｗ１ｔ１１よりり、の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩなる一定の
値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層Ｃ
Ｇ）に含有され１位１ｔ＋よりは濃度ゐより界面位ｉ？
ｉｔｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面
位２ｔｔ丁においてはゲルマニウム原子の分ｍＷ度Ｃは
濃度Ｃ３とされる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位２２により位７１Ｌｖに至る
まで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位Ｍｔｒにお
いて濃度へとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には１位置ｔｏより位置り、までは。

ゲルマニウム原子の分布一度Ｃは濃度Ｃもと一定値とさ
れ、位ＲＬｚと位置１Ｔとの間において、徐々に連続的
に減少され１位置を丁において１分布濃度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零どは検出限界量未満
の場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位ｆｉｔｙに至るまで、濃度Ｃ８より連続
的に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とさ
れている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは１位ＭｔＢと位Ｒｈ間においては、濃度Ｃワと一
定値であり１位置ｔｙに於ては濃度Ｃ１゜とされる０位
ｉｔｓと位１ｉｔｔとの間では１分布濃度Ｃは一次関数
的に位ｆｌｉｔ３より位！ｌｉｔに至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては１分布濃度Ｃは位２１
　ｔａより位ａｉ　ｋ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取
り２位ａｔｔ４より位１１ｔｙまでは濃度ＣＩ□より濃
度ＣＩ３まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。

第１７図に示す例においては、位１ｔａより位置ｔ□に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位Ｉ　Ｌｍより位Ｉｔｓに至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度０１５より
濃度０１６まで一次関数的に減少され１位ａｔｔｓと位
ＮＬｒとの間においては、濃度ｃｐｓの一定値とされた
例が示されている。

第１８図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは１位置　Ｌｍにおいて濃度ｃｔｙであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めはゆっくり
と減少され、ｔもの位置付近においては。

急激に減少されて位Ｗ１ｔ６では濃度ａｔｅとされる。

位１ｔｂと位！ｌｂとの間においては、初め急激に１　
　　　　　　　　　減少されて、その後は、緩やかに徐
々に減少されて位置ｔ７で濃度ＣＩ９となり１位置１？
と位置ｔ８との間では、極めてゆっくりと徐々に減少さ
れて位置ｔ８において、濃度Ｃ７゜に至る０位２１ｔａ
と位２１を丁との間においては濃度Ｃ２゜より実質的に
零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減少され
ている。

以上、第１１図乃至第１８図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に。

本発明においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面り１側において
は、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べて可成り低くされ
た部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第１の層
（Ｇ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の！’　ＣＧ）は好ましくは上記した様に支持体
側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域（Ａ）を有するのが望ｔＬＩ＋％・　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１本発明に
おいては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１３図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ！Ｉより５鉢以内
に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位ｉｔ　
ｔｓより５終厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏ＋ｕｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｉ＋以上、最適には１Ｘ
１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ腸以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５終以内（
Ｌｍから５終厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ■ａ冨
が存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１−４０　ａｔｏ＋ｕｃ％、
より好適には５〜３Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜
２５　ａｔｏ■ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１のｌ　（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的
に達成される様に所望に従って適宜状められるが、好ま
しくは１〜９．５Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
より好ましくは１００〜８ｘ１０！１ａｔａ麿ｔｃ　ｐ
ｐ腸とされるのが望ましし１゜本発明に於いて第１のＮ
！（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層厚は１本発明の目的を
効果的に達成させる為の重要な因子の１つであるので形
成される光受容部材に所望の特性が充分与えられる様に
、光受容部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要
がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚τ雪は、好まし
くは３０Ａ〜５０終、より好ましくは、４０人〜４０Ｉ
Ｌ、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望ましい。

又、第２の暦（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０終、より好ましくは１〜８０終最適には２〜５０ｆｉ
Ｌとされるのが望ましい。

第１のＦ＃　ＣＧ）の層厚■１と第２の層（Ｓ）の層厚
Ｔの和（丁ｓ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特
性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的
５１１１！ｌ性に基いて、光受容部材の層設計の際に所
望に従って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ１＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜・１００ル、より好
適には１〜８０．、最適には２〜５０絡とされるのが望
ましい。

（木発、、］、）より好よ、い実施態様例、於い□よ。

ｊ 上記の層厚■１及び層厚Ｔとしては、好ましくはｒ、　
／　Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜
適切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚■−及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｗ／Ｔ≦Ｏ，Ｓ、最適には
τｓ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＩ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の居（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐ■以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３Ｇ
ＳＬ以下、より好ましくは２５＃Ｌ以下、最適には２０
ル以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容部を構成する第１の暦（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることがａｌ１６°　　　　　　　　　　　　
　　　　　ｉ・　本発明において、ａ　−５ｉＧｅ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには例
えばグロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブ
レーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
って成される０例えば、グロー放電法によって、ａ−９
ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　テ構成される第１（Ｆ）層（Ｇ）を
形成するには、基本的には、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（
Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じ
て水素原子（Ｈ）導入様の原料ガス又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布
濃度を所望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−ＳｉＧ
ｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い、又、ス
パッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットとＧｅで構
成されたターゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅ
の混合されたターゲットを使用してスパッタリングする
際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、　５ｉ）ｌａ、　Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈｅ　、　５ｉａ）Ｉ＋ｏ等のガス状態の又ガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６゜が
好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２）＋６　、　Ｇｅ３）１６　、　ＧｅａＨＩ
ｏ　＊　Ｇｅ５Ｈ１２。

ＧｅｂＨｌａ　ｒ　Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅＢＨｒｎ　Ｔ　
ＧｅｇＨ２０等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲ
ルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等
の点で。

ＧｅＨａ　、　Ｇ＠２）１６　、　Ｇｅ３Ｈ６が好まし
いものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誦導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３．ＢｒＦ５゜ＢｒＦ３．
ＨＦ３．　ＩＦ７　、Ｉα、ｆａｒ等ｆ）　ハロゲン間
化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誦導体としては、具体的には例えば５
ｉＦａ、　５ｉｚＦ６．　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ４等
の（ハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる本がＩ
　　　　　　　ｍ＊６゜ この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅか
ら成る第１の暦（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ，、Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の暦（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の暦（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成るｔ５１の
層（Ｇ）を形成するには１例えばスパッタリング法の場
合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲッ
トの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使
用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタ
リングし、イオンブレーティング法の場合には１例えば
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源としてｖＰ
着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱株、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはノ＼ロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ、）Ｉα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉ８２　Ｆ２　、　ＳｉＨ
２Ｉ２　。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＣ１３、Ｓｉ）！２Ｂｒ２　、
５ｉＨＢｒ３等ノハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅ）
ＨＦ３　、　ＧｅＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨα３　、　Ｇｅ）１２α２　、　ＧｅＨ３α、　
Ｇ５ＨＢｒ３　。

Ｇ５ＨＢｒ３　、　Ｇ５ＨＢｒ３ 水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構ｒ＆要
素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦａ。

・Ｇｅαａ　、　ＧｅＢｒ、　、　Ｇｒｌ、、　ＧｅＦ
２．　Ｇｅα２　、　ＧａＢｒ２　。

Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明において状好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を＠ｌのＩＷ（Ｇ）中に構造的に導入するには
、上記の他にＨ２，或いは５ｉＨａ、　５ｉ２）１ｓ　
。

Ｓｉ３）１ｇ　、　Ｓｉ、ＨＩ３等の水素化硅素をＧｅ
を供給する　為のゲルマニウム文はゲルマニウム化合物
と、或いは、０ｓ）１４　、　Ｇｅ２）！６　、　Ｇｅ
３Ｈ６、ＧｅａＨＩｏ　＋　ＧｅｓＨ１２。

Ｇｅ６Ｈｌａ　、　ＧｅｔＨ＋ｂ　、Ｇｅ６ＨＩＩＩ　
Ｉ　Ｇ＋！９Ｈ２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供
給する為のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に
共存させて放電を生起１８″ｔ６＊ｒ４ｈ″“１０・ １１　　　　　　　　　　　本発明の好ましい例におい
て、形成される先受ム 客層を構成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子
（）（）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくはＱ、
Ｑｌ　〜４Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５
〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔａ
■ＩＣ％とされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、　ａ　−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の暦（
Ｇ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の暦（Ｓ
）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の暦（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　１即ち１本発明において、ａ　−
Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第２の層（Ｓ）を形成す
るには例えばグロー放電法、スパッタリング法、或いは
イオンブレーティング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によって成される６例えば、グロー放電法によって
ａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の暦（Ｓ）を形成
するには、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて
水ｌｌ原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位シに設
置されである所定の支持体表面上にａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間のＶ、着性の改良
を図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子
が層厚方向には均・　−１又は不均一な分布状態で含有
される。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ
）は、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或い
は、光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏
在させても良い。

原子（ＯＣＭ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持１体の表面と平行な面内に於いては均一
であＬことが望ましい。

吹発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有され・ている層領域（ＯＣＲ）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層
領域を占める様に設けられ、支持体・と光受容層との間
の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、
光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる
。

前者の場合１層領域（ｏｃＮ）中に含有される原子（０
（：Ｎ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（００％）の含有量は、Ｎ領域（０
１１１：Ｎ）自体に要求される特性、或いは該層領域（
ＯＣＮ）が支持体との接触して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（００％）の含有量が適宜選択される。

Ｒ９１４域（０ＯＮ）中に含有される原子（０ＯＮ）の
量に、ｉ　　　　　　　　　は、形成される光受容部材
に要求される特性に応じて所望に従って適宜状められる
が、好ましくは０．００１〜５０ａｔｏｍｉｃ％、より
好ましくは、　０．００２〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適
には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

本発明に於いて１層領域（０１１：Ｎ）が光受容層の全
域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占め。

なくとも、層領域（ＯＣＸ）の層厚Ｔｏの光受容層の層
厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（ＱＣ：
Ｎ）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前
記の値より充分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔａｓｉｃ％以下、最適
には１ｏａｔｏ膳ｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（０（：Ｎ）
は、支持体上に直接設けられる前記の第　　　　　　　
１１の層には、少なくとも含有されるのが望ましい、詰
り、光受容層の支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を
含有されることで、支持体と光受容層との間の密着性の
強化を図ることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されすることが望ましい
。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第４３図乃至第５１図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第４３図乃至第５１図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分子ａ濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（０（：Ｎ）の端面の位置
を、１Ｔは支持体側とは反対側の層領域（Ｏｌｌ：Ｎ）
の端面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）はｔｏ側より１．側に向って層形成
がなされる。

第４３図には１Ｍ領域（ＯＣＸ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の暦褌方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第４３図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置１丁よりり、の位置まで
は、ｊＫ子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ２！Ｉ（Ｃ，なる一
定の値を取り乍ら原子（０（：Ｎ）が形成される層領域
（ＱＣ：Ｎ）に含有され、位ｆｉｌｔ＋よりは濤度叫よ
り界面位２１丁に至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置□ＬＴにおいては原子（００％）の分布濃
度Ｃは濃度Ｃ３とされる。

第４４図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置Ｌ８よりＬＴに至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位ｆｆ１Ｌｙにおいて
濃度ちとなる様な分布状態を形成している。

ｉ４５図の場合には、位ｌｔ日より位１１ｔｚまでは原
子（Ｏｉｌ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｑと一定値とされ
。

位置ｔ２と位ｔｉｔとの間において、徐々に連続的に減
少され１位置を丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第４８図の場合には、原子（Ｏｉｌ：Ｎ）の分布濃度Ｃ
は位ｌｔ日より位置１丁に至るまで、濃度Ｃｅより連続
的に徐々に減少され、位２ｔｈにおいて、実質的に零と
されている。

第４７図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位！ｉｔｓと位ＩＬ３間においては濃度Ｃ９と一
定値であり、位置ｔ３より位置１丁に至るまで、濃度Ｃ
９により実質的に零に至る様に一次間数的に減少してい
る・ 第４８図に示される例においては１分布源度Ｃは位ｌ１
ｔａより位置ｔ４までは濃度Ｃａｔの一定値を取り、位
置ｔ４より位置１丁までは濃度ＣＩ２より漕度電 −０１３まで一次関数的に減少する分布状態とされてｌ
□ いる。

第４８図に示す例においては１位２１ｔｅより位置１丁
に至るまで、原子（０（Ｊ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第５０図においては１位Ｉｔｓより位Ｗｉｔｓに至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳよりＣ
１６までの連続的に徐々に減少され１位置ｔｓと位置１
．との間においては、濃度０１Ｇの一定値とされた例が
示されている。

第５１図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいては濃度０１７であり、位
置ｔｓに至るまではこの濃度Ｃａｔより初めは緩やかに
減少され、ｔもの位置付近においては、急激に減少され
て位置り、では濃度０１１１とされる。

位１５Ｌａと位！Ｌ７との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位２ｔ
ｈで濃度ｃｐｓとなり、位置Ｌ７と位１ｔｔｅとの間で
は、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔａにおいて、
濃度０２０に至る０位ａｔｅと位置り、の間に　　　　
　　　　　１おいては濃度Ｃ２Ｏより実質的に零になる
様に図トー示す如き形状の曲線に従って減少されている
。

以上、第４３図乃至第５１図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（０ＯＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（０（：Ｎ）の分布°状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（００％）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＸ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域ＣＢ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間のｇＥ若性をより一層向上させることが出来る
。

上記局在領域（Ｂ）は、第４３図乃至第５１図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位２１　Ｌｅよ°す５１内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位２Ｌ
Ｌｓより５終厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）
の層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃ５ａｘが、好ましくは５００ａｔａｍｉｃ　
ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔａ■ｉｃ　ＰＰ■
以上、最適にはｌｏｏｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣｌｌ）は、支持体側からの層厚で５鉢以内
（ｔａから５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ
■■が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が屑接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して罐やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第４３図乃至第４６図、第４８図及
び第５１図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＤＣ）ｌ）を設けるには、光受容層の形成の
際に原子（０（：Ｎ）導入用の出発物質を前記した光受
容層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用１　
　　　　　　　　いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発１１　　　　　　□０．ゎ、□−７．−７え、
。−□（ＯＣＮ　）導入用の出発物質としては、少なく
とも原子（ＯＣＮ）を構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素０１０）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
Ｘ　（８２０）、三二酸化窒素Ｃ８２０ｇ　）　、四二
酸化窒素（Ｎ２０＆）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、二
酸化窒素（ＮＨ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水漏原子（）Ｉ）とを構成原子とする１例えば
ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ９ｉ）ｌｓ）、　　）リシク
ロキサン（ＨｘＳｉＯ３ｉ）１２０Ｓｉ）Ｉ３）等の低
級シクロキサン、メタン（Ｃ）Ｉ４）、エタン（Ｃ２）
１６）、プロパン（ｌｌｌａＨｓ）。

Ａ−ブタｙ　（ｎ−ＣａＨ＋ｏ）　、ペンタ’（ｃｓＨ
＋ｚ）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）、。

プロピレン（Ｃｉ）ｌｓ）、ブテン−１（Ｃａ＆）、ブ
テン−２（ＣＪ＠）、インブチレン（Ｃａ）ｌｓ）、ペ
ンテン（ＣｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭
化水素・アゞチｌ／７（Ｃ２Ｈ２）・′チに７−ｔチ′
７１ＣＣ３）＋４’）　、ブ＋　７　（ＣＪｓ）　等ノ
ＷＩ素数２〜４　Ｉ７）　７セチレン系炭化水素、窒素
（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、とドラジン（Ｉ２　
ＮＮＨｚ　）　、アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アン
モニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四
弗化窒素（Ｆ４Ｎ）’ｌ々を挙げる日とが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、ｖＡ体化出発物質として
、５ｉ０２．　Ｓｉ３　Ｈｍ、カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、Ｎ子（ＯＣＮ
＞の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合。

該層領域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
７ｇ　（ｄｓｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（
０ＯＮ）を形成するには、グロー放電の場合には１分布
濃度Ｃを変化させるべき原子（ＱＣ）Ｉ）導入用の出発
物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従つ
て適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって
成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このと黴、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ａｃｎ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、−子（ＯＣＲ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒａｆｉｌｇ）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積空中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用する。のであれば、Ｓｌと５ｉ０２との混合
比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、　ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＩ、Ｏｒ、　Ｎｏ、
　Ａｕ、Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の暦が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、ｌ　　
　　　　　　　Ａ１．　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、Ｉｔ、
　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

１゛１゜２０３．Ｓ。。２，１．。（Ｉｎ２０３゜５．
。２）い、、□。

膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ｌ１
ｉＣｒ、　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚ！ｌ、　Ｘｉ、
　Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属のｌ１ｍを真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が１例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。血清ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上。

機能的強度の点から、好ましくは１ｏＩＬ以上とされる
。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　（次に本発明の光受容部材の製造方法の一
例の概略について説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００８のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｉＨａガス（純度９１
１．１１１１９％、以下、　Ｓｉ＆と略す）ボンベ、２
００３はＧｅ）１４ガス（純度ｓｓ、ｓｓａ％、以下Ｇ
ｅ＆と略す）ボンベ、　２００４はＮＯガス（純度ａｓ
、ａｓｓ％、以下ＮＯと略す）ボンベ、　２００５はＨ
２でｍ訳されたＢ２Ｈ６ガス（純度ａｓ、ｓｓｓ％、以
下Ｂ２　Ｈ６／　）１２と略す）ボンベ。

２００８はＨ２ガス（純度９９．９９１１％）ボンベで
ある。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
　　リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２
０１７〜２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４
を開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する
０次に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１Ｇ’　ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉｎ
、ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅ）！４ガス、ガス
ボンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５より
ｓ、　Ｈ。

／　Ｈ２ガス、　２００８よりＨ，ガスをバルブ２０２
２．２０２３．２０２４、２０２５．２０２８を開いて
出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２８．２０３０
．２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｒｒｆに調整し、ｆＱ入
バルブ２０１２，２０！３．２０１４．２０１５．２０
１８ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２０Ｇ？。

２００８、２００９．２０１０．２０１１内に夫々流入
させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８，２
０１１３．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２．
２’０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１
に流入させる。このときのＳｉ。

−ガス流量Ｇｅ）１４ガス流量、約ガス流量の比が所望
の値になるようにに出バルブ２０１７．２０１６、２０
１１１゜２０２０．２０２１を調整し、また１反応室２
００１内の圧力が所望の値になるように真空計２０３６
の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口を調整す
る。そして、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３
８により５Ｇ−４００℃の範囲の温度に設定されている
ことを確認した後、電源２Ｇ４０を所望の電力に設定し
て反応室２００１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従って、Ｇｅ＆ガスの
流量及びＢ２Ｈ６ガスの流量を手動あるいは外部駆動モ
ータ等の方法によってバルブ２０１８．２０２０の開口
を暫時変化させる操作を行って形成される層中に含有さ
れるゲルマニウム原子及び硼素原子の分布濃度を制御す
る。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に！８１の居（Ｇ）が形成された段階に於て、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｃ）上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ
）を形成すること（が出来る。

）　　　　　　　　　　なお、第１のａ　（Ｇ）及び第
２の層（Ｓ）の各層には、流出バルブ２０１９あるいは
２０２０を適宜開閉することで酸素原子あるいは硼素原
子を含有させたり、含有させなかったり、あるいは各層
の一部の層領域にだけ酸素原子あるいは硼素原子を含有
させることも出来る。また、酸素原子に代えて層中に窒
素原子あるいは炭素原子を含有させる場合には、ガスボ
ンベ２００４のに０ガスを例えばＮＨ，ガスあるいはＣ
Ｈ４ガス等に代えて、Ｒ形成を行なえばよい、また、使
用するガスの種類を増やす場合には所望のガスボンベを
増設して、同様に層形成を行なえばよい０層形成を行っ
ている間は層形成の均一化を計るため基体２０３７はモ
ーター２０３９により一定速度で回転させてやるのが望
ましい。

最後に、第２の層（Ｓ）上に反射防止機能を持つ表面層
を堆積させるために１例えば２００Ｂの水素（Ｈ２）ガ
スボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、堆
積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一面
に張る。その後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成した
ものを設置し、減圧した　　　　　　　　１後アルゴン
ガスを導入し、グロー放電を生起させ表面層材料をスパ
ッタリングして、所望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０思腸）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示す条件で第
２１図に示す表面性に旋盤で加工した。なお、後述の表
中に示される支持体表面状態を表わすＢ−Ｈの各記号は
、それぞれ第１４表の（Ｂ）〜（Ｅ）に対応したもので
ある・ 次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆Ｍ装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ’−Ｓｉ系電子写真用
光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１０１〜１０４）　
。

なお、第１層は、　Ｇｅ１ｓ　、　Ｓ：Ｈａ　、　Ｂ２
）＋６／　）＋２の各ガスの流量を第２２図及び第３８
図のようになるように、マスフロコントローラー２００
７．２００８及び２０１Ｏをコンピューター（ＭＰ９８
４５Ｂ）により制御した。また１表面層は、第２０図の
装置のカソード電極上に、第２１表に示すような各種材
料の板（厚さ３１）、本例ではＺｒＯ２を一面に張り、
第１層および第２層形成時に使用したＨ２ガスをＡｒガ
スに取りかえた後、装置内を約５　Ｘ　１０’　ｔａｒ
ｔの真空とし、次いでＡｒガスを導入して高周波電力を
３’ＯＯｗとしてグロー放電を起し、カソード電極上の
ＺｒＯ２をスパッタリングすることによって形成した。

以下の実施例においても１表面層形成材料を変える以外
は１本例と同様にして表面層の形成を行った。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
ＷＪ微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装行（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料Ｎｏ、１０１〜１０４のいずれの画
像にも干渉縞は模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例２ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５．径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａＳｉ系電子写真用光受容部材を
作成した（試料Ｎｏ、２０１〜２００゜なお、第１層は
ＧｅＨ４、ＳｉＬ　＊　Ｂ２Ｈ＆／　Ｂ２の各ガスの流
量を第２３図及び第３７図のようになるように、マスフ
ロコントローラー２００７．２００８及び２０１Ｏをコ
ンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像霧光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。試料Ｎｏ、２０１〜２０４のいずれの
画像にも干渉縞模様は観測されず、実（１゛＋”′″″
″′″？　′ｈ。

１′　　　　　　　　　実施例３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ）　
８０ａｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表
面性に旋盤で加工した。

次に、表面層材質をＴｉＯ２とした第４表に示す条件で
行なう以外は、実施例１と同様にして、第２０図の膜堆
積装置で種々の操作手順に従ってａ−９ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、３０１〜３０４）。

なお、第１層は、Ｇｅ）１４　、　Ｓ　ｒ　）１４　、
　Ｂｙ、　Ｈ６／　Ｂ２の各ンｆスの流量を第２４図及
び第３８図のようになるように、マスフロコントローラ
ー２００？、　２００８及び２０１〕をコンピュータ（
）ＩＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装置ｉｌ（レーザー光の波長７８０ｎ■、ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。試料Ｎｏ、３０１〜３０４のいずれ
の画像にも干渉縞模様は観測されず、実　　　　　　　
　　１用に十分なものであった。

実施例４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５．径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　−９ｉ系電子写真用光受容部
材を作製した（試料）ｌｏ、４０１〜４００゜なお、第
１層は、Ｇｌ！Ｈ４＋　５ｉＨｎ　＋　８２　）１６　
／　８２の各ガスの流量を第２５図及び第３８図のよう
になるように、マス７０コントローラー２００７．２０
０８及び２０１０をコンピュータ（）！Ｐ９８４５Ｂ）
により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
５１微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料Ｎｏ、４０１〜４０４のいずれの画
像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例５ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ　）
　８０ｍ５）を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に１表面層材質を（：ｅ０２とした第７表に示す１件
で行なう以外は、実施例１と同様にして、第り０図の膜
堆積装置で種々の操作手順に従ってａ　−１ｉ系電子写
真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、５０１〜５０４
）。

尚、第１層及びＡＭは、ＧａＨ４＋、　Ｓｉ）［４＋　
Ｂ２　Ｈｂ　／　Ｂ２の各ガスのａ流量を第４０図のよ
うになるように、マスフロコントローラー２００７．２
００８及び２０１０をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）
により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第８表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２Ｂ図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポッ
ト径８０錦）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た６画像には干渉縞模様は観測されず、実用
に十分なものであった。

実施例６ 超支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に１表面層材質をＺｎＳとした第９表に示す条件で行
なう以外は、実施例１と同様にして、第２０図の脱塩８
Ｉ装置で種々の操作手順に従ってａ　−Ｓｉ系電子写真
用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、６０１〜１１０４
）。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４，ＳｉＬ　＋　Ｂ２　
）１６／　Ｂ２の各ガスの流量を第４１図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００？、　２００８
及び２０１Ｏをコンピューター（ｌ（Ｐ９Ｂ４５Ｂ）に
よりｆｉｌｌ″＃した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１Ｏ表の結果を得た。

１ｃ″″″″１１１ＸＪｆｌｆｆｉ”１ゝ”）ｕ％−’
（、“２８、ｌ　　　　　　　　　　図に示す画像露光
装置！（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポット径８０
−）で画像露光を行ない、それを現像、転写して画像を
得た０画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分な
ものであった。

実施例７ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０１ｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に、表面層材質をＡｌ２Ｏ３とした第１１表に示す条
件で行なう以外は、実°施例１と同様にして、第２０図
の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−５ｉ系電子
写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、７０１〜７０
４）。

尚、第１層及びＡ層は、Ｇｅ％　ｒ　ＳｉＬ　＋　８２
　Ｈ６／　Ｈｔの各ガスの流量を第４２図のようになる
ように、マスフロコントローラ２０Ｇ？、　２００８及
び２０１０をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
ＷＩ、た。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真月光需要部材について、第２８図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ麿、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料Ｎｏ、７０１〜７０４のいずれの画
像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例８ 実施例１に８いて使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した（試料？Ｉｏ、８０
１〜８０４）。

これらの電子写真用光受容部材について第２Ｂ図に示す
画像露光装！（レーザー光の波長７８０ｍｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、８０１〜８０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９ 実施例１において使用したＮｏガスをＣ）Ｉ４ガスに変
えた以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、９０
１〜９０４）。

これらの電子写真用光受容部材について第２６図に示す
画像露光装ｆｉ（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

試料ＮｏＪＯ１〜９０４のいずれの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１０ 実施例３において使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｍ、１００
１〜１００４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２８図に示す
画像露光装Ｒ（レーザー光の波長７８０ｎｓ、スポット
径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転写して画
像を得た。

試料Ｎｏ、１００１〜１００４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、１！用に十分なものであった。

実施例１！ 実施例３に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ，ガスに変
えた以外は実施例３と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１１
０１〜１１０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２Ｂ図に示す
画像露光装置Ｉ（レーザー光の波長７８０■、スポット
径ａｏｇ）で画像露光を行ない、それを現像転写して画
像を得た。

試料Ｎｏ、１１０１〜１１０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１２ 実施例５において使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、１２
０１−１２０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２８図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０！ＩＩＩ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転
写して画像を得た。

（試料Ｎ°・１２０１〜１２°４の１゛ずれの画像９も
干渉縞ｉ１　　　　　　　　　　模様は観測されず、実
用に十分なもの゛であった。

実施例１３ 実施例５において使用したＣＨ４ガスをＮＨ，ガスに変
えた以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−３
ｉ系電子写真用受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１３０
１−１３０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について第２８図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長？８Ｇ＋ｍ、スポット
径８０−）で、画像露光を行ない、それを現像転写して
画像を得た。

試料Ｎｏ、１３０１〜１３０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１４ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｓ＋ｍ、径（１）　８
０ｍｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に１表面層材質をＧａＦ２とした第１３表に示す条件
で行なう以外は、実施例１と同様にして、第２０図の堆
積装置で種々の操作手順に従って電子琴１ｃ用光受容部
材を作製した（試料Ｎｏ、１４０１〜１４０４）　、ｉ なお、　ＳｉＨ４，ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／　８２の流量
を第５２図のようになるようにして、また窒素原子含有
層は、ＮＨ３の流量を第５Ｂ図のようになるように、各
々５ｉＨａ　、　Ｇｅ）ｔ４＋　８２）１６／　Ｈ２お
よびＮＨ３ノマスフロコントローラー２００７．２００
８．２０１０．２００１１をコンピュータ（ＨｐＨ８４
５Ｂ）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光装置Ｉ（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た０画像には干渉縞模様は観測されず、実
用に十分なものであった。

実施例１５ 実施例！４に於て使用したＮＨ，ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１４と同様の条件と手順に従ってａ−９
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１５
０１〜１５０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｓ、スポッ
ト径８０牌）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

試料Ｎｏ、’１５０１〜１５０４のいずれの画像にも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１６ 実施例１４に於て使用したＮＨ，ガスをＣ）１ｍガスに
えた以外は実施例１４と同様の条件と手順に従ってａ−
９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１
８０１　＃１８０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２Ｂ図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

試料Ｎｏ、１８０１〜１６０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１７ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

次に、表面層材質をＭｇＦ２とした第１５表に示す条件
で行なう以外は、実施例１と同様にして、第２０図の堆
積装置で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ、１７０１〜１７０４）　。

なお、ＳｉＨ＊　、　ＧａＨａ　、　％Ｈｂ／　Ｂ２の
流量を第５３図のようになるように、また炭素原子含有
層は。

Ｃ）ｔａの流量を第５７図のようになるように、各々５
ｉＨａ　、　ＧｅＨａ　、　８２Ｈ６／　Ｂ２およびＣ
Ｈ４のマスフロコントローラー２００７．２００８．２
０１０．２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置ｉ（レーザー光の波長７８０ｎ謡、ス
ポ−／　ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た０画像には干渉縞模（４′”ｌｌ
＊；Ｊａｆ、　”ｉ！Ｊｆｌ″＋’ｒ！ｒｆｘ＋ｔｙ＞
−ｃｌｏ“。

１１　　　　　　　　　　実施例１８ 実施例１７に於て使用したＯＨ，＋ガスをＮｏガスに変
えた以外は実施例１７と同様の条件と手順に従ってａ−
５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１
８０１〜１８０４）　。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２Ｂ図に示す画像露光装Ｗ（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、１８０１〜１
８０４のいずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、実
用に十分なものであった。

実施例１３ 実施例１７に於て使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例１７と同様の条件と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１
９０１〜１８０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２８図に示
す画像露光ｍｌ（レーザー光の波長７８１゜ｎｍ、スポ
ット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ、１９０１〜１３０４のいずれの画像にも干渉
Ｍ、１模様はａ測されず、実用に十分なものであった。

実施例２０ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍ５）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に１表面層材質を５ｉ０２とした第１７表に示す条件
で行なう以外は、実施例１と同様にして、第２０図の堆
積装置で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ、２００１〜２００４）　。

なお、　５ｉ）Ｉ４．　ＧｅＨｓ、　Ｂ２Ｈ６／Ｂ２（
Ｆ）流量を第５４図のようになるように、また酸素原子
含有層は、ＮＯの流量を第５８図のようになるように、
各々５ｉ）ｌａ。

Ｇ５Ｈ４，８２Ｈ６／　Ｂ２およびＮＯのマスフロコン
トローラー２００７．２００８．２０１０．２００９を
コンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御して形成し
た。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
ｍ微鏡で測定したところ、第１８表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７Ｂ０ｎｍ、スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察されず、実
用に十分なものであった。

実施例２１ 実施例２０に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件°と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２
１０１〜２１０４）　。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２１０１〜２１０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２２ 実施例２０に於て使用したＮｏガスをＣＨ，ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２２
０１〜２２０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ腸、スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

試料Ｎｏ、２２０１〜２２０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に“旋盤で加工した。

次に１表面層材質をＺｒＯ２とＴｉＯ２を６＝１（重量
比）としたものとし、第“１９表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして、第２０図の堆ａ装冴で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、２３０１〜２３０４）　。

なお、Ｓｉ＆　、　ＧｅＨｓ’、　Ｂ２Ｈ６／　Ｈｚノ
流量を第５５図のようになるように、また窒素原子含有
層は、　ＮＨ。

の流量を！＄５８図のようになるように、各々Ｓ＋）＋
４゜！　　　　　　　　　ＧｅＨａ　、　Ｂ２　Ｈ６／
　８２およびＮＨ，ノ？スフロコントローｉ′ ラー２００？、　２００８．２０１０．２００９をコン
ピュータ（）ＩＰ９８４５Ｂ）により制御して形成した
。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２０表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装Ｎ（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察されず、実
用に十分なものであった。

実施例２４ 実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例２３と同様の条件と手順に従うてａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２４
０１〜２４０４）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０］麿、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

試料Ｎｏ、２４０１〜２４０４のいずれの画像にも干渉
縞　　　　　　　　　！模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例２５ 瞥実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＣ）Ｌ、ガス
に変えた以外は実施例２３と同様の条件と手順に従って
ａ−！９ｉ系電子電子写真受容部材を作製した（試料Ｎ
ｏ、２５０１〜２５０４）　。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２８図に示す画像露光装置ｌｌ（レーザー光の波長
７８０！ＩＩ１．スポット径８０−）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２５０１〜２５０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２Ｂ 実施例１から実施例２５までについて、Ｂ２で３０００
ｖａｔ　ＰＰＭに稀釈したＢ２）１６ガスノ代りニ）ｌ
、テ３ＱＯ。

マｏｆ　ＰＰ層に稀釈したＰＨ３ガスを使用して、電子
写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２８０１〜２
７００）　、なお、他の作成条件は、実施例１から実施
例２５までと同様にした。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装ｆｉｔ（レーザー光の波長７８０ｎｓ、
　　スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察さ
れず、実用に十分なものであった。

実施例２７ 第１ａ表（Ｂ）に示すような表面性に旋盤で加工したＭ
支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ）８０
■１）を用い、表面層材質及び層厚を第２１表に示すよ
うにして、その他の条件は、実施例１と同様にして、ａ
−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、
２７０１〜２７２２）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８Ｃｎ脂、スポッ
ト径８０％）で画ｆＲＮ光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に１本発明によれば。

可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容
易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転
時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することがで
き、しかも表面における光反射を低減し、入射光を効率
よく利用できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 ｆｉ４４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞の説明図〒ある。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（＾）、（Ｂ）、（ｃ）、（ｏ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 ｆ５７図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層
の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の屑におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 ゛　第２０図は実施例で用いた光受容層の塩８１装置の
説明図である。 第２１図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明
図である。 第２２図から第２５図及び第３６図から第４２図及び第
５２図〜第５８図は、実施例におけるガス流量の変化を
示す説明図である。 第２Ｂ図は、実施例で使用した画像露光装置の説引回で
ある。 第２７図から第３５図は１層領域（ＰＮ）に於ける物質
（Ｃ）の分布状態を説明する為の説明図である。 第４３図から第５１図は、層領域（００％）中の原子（
０、Ｃ、Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
Ｂ０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第１図 第２図 ｊＰ’３図 第４図 （Ａｌ　　　　　　　　　　　　ｒ　ｓ＞第７図 （Ａ） （Ｃ） □Ｃ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 □Ｃ 第１９図 第２２図 薯 第２３図 時間　（分） 第２４図 第２５図 第２６図 第２７図 第２８図 第２９図 第３０図 第３１図 第３２図 第３３図 第３４図 第３５図 第３６図 第３了図 第３８図 第３９図 第４０図 日テ　間　（り１） 第４１図 晴間　（分） 第４２麿 □Ｃ 第４３図 第４４図 第４５図 第４６図 第４７図 第４８図 第４９図 第５０図 第５１図 第５２図 ＠？Ｊ５３図 第５４図 ′第５５図 第５６図 （ガス洗量よし ；゛ 第５７図 ’、ｔ；ｔ″１１″　　　　　　ｉ 第５８図

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、反射防
   止機能を有する表面層とが支持体側より順に設けられた
   多層構成の光受容層を有しており、前記第１の層中に於
   けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
   あり、且つ前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも
   一方に伝導性を支配する物質が含有され、該物質が含有
   されている層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方
   向に不均一であると共に、前記光受容層は、酸素原子、
   炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種
   を含有し、且つショートレンジ内に１対以上の非平行な
   界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の
   少なくとも一方向に多数配列している事を特徴とする光
   受容部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
   一な状態で含有する特許請求の範囲の第１項に記載の光
   受容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
13. （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
    螺旋構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
    容部材。
14. （１４）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
    範囲第１３項記載の光受容部材。
15. （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
    材。
16. （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
    項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。