JPS613148A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材をしては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
１例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ　−Ｓ　Ｉ　Ｐ５とす
ると、その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要
求される１０口ΩＣｍ以上の暗抵抗の確保するには、水
素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子
とを特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有
させる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密
に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度
に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７’４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造りの管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる、殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１．と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ厚差で不
均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のどちらに合
うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化
を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材−Ｌに転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、戦いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

百年ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３ｉ
形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によるそ
の後のＡ−３ｉ系感光層の形成に悪影響を饗えること等
の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光Ｉｏは、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光■１となる。

透過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光１’：’　ｌ　＋　Ｋ２　＋　
Ｋ３・・・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２と
なり、その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してノーレージ璽ンを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ７゜第２層での反射光Ｒ８
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１の
凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行
になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎ’ｄｌ＝ｍ入ま
たは２　ｎ　ｄ　＋　＝　（ｍ＋ｙｌ）入が成立ち、夫
々明部または暗部となる。又、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄ＋　　、ｄ２　、ｄ３　、ｄ４の夫々の差の
中の最大が一以上である様な層厚の不拘ｎ 一層があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図におし％て、一層構成
の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光
受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面で
の反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部
材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画集記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を
提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む
非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成の光受容層と；を有°する光受容部材にお
いて、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝
導性を支配する物質が含有され、該物質が含有されてい
る層領域において、該物質の分布状態が層厚方向に不均
一であることを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿
って多層構成の光受容層を有し。

第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層６０２
の層厚ｄ５からｄ６と連続的に変化している為に、界面
６０３と界面６０４とは〃いに傾向きを有している。従
って、この微シ２部分（ショー・本レンジ）文に入射し
た可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小
な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第２Ｎ７０２と第２Ｎ７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１．にする反
射光Ｒ３と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ）≠ｄ’ｓ）でも同様に伝える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ
　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対し
て、反射光Ｒ，、Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在する。

その九番々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。そのため各層での干
渉は、層厚の差による干渉と層界面の回折による干渉と
の積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄｂ）は、照射光の波
長をλとすると、 λ ｄｂ−ｄ６≧−（ｎ：第２暦６０２の屈折率）ｎ であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２−７の位
置に於る層厚の差が、 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいもの
である。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした端線構造を有する。突起部の端線構造は、
二重、三重の多重端線構造、又は交叉螺線構造とされて
も差支えない。

或いは、端線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は５本発明の効果を高めるために規則的才
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には光受容層を構成するＡ−３ｔ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって１表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−５ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体４表面の凹部のピー、チは、好ましくは５００蓼
ｍ〜０．３＃Ｌｍ、より好ましくは２００ルｍ〜１ルｍ
、最適には５０μｍ〜５鉢ｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０　、１　ｇｍ〜５
井ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０
．６μｍ〜２ｐＬｍとされるのが望ましい、支持体表面
の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹
部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
ＩＩＬｍ〜２ｐｍ、より好ましくは０．１Ｂｍ−１，５
＃Ｌｍ、最適には０．２μｍ〜Ｉｇｍとされるのが望ま
しい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の暦とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
光導電性を示す第２の層と１表面層とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっているため、極めて優れた
電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用
環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が早い。

以下、図面に従って１本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体ｆｏｏｌの上に、光受容層１０００を有す
る。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−３ｔ（以後ｒａ−Ｓ　ｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
１００２と必要に応じて水素原子又は／及び／＼ロゲン
原子（Ｘ）とを含有する＆−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有す
る第２の層（Ｓ）１００３と、表面層１００５とが順に
積層された層構造を南する（ここで、又はｌ＼ロゲン原
子をあられす）、　　　第１の層（Ｇ）１００２中に含
有されるゲルマニウム原子は、該第１の層（Ｇ）１００
２の層厚方向及び支持体の表面と平行な面内方向に連続
的であって、且つ均一に分布した状態となる様に前記第
１の層（Ｇ）中に含有される。

本発明の光受容部材１００４においては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

本発明においては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の！’（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領
域に含有されてもよく、物質（Ｃ）が含有される層の一
部の層ψ域に偏在する様に含有されていてもよい。

しかし、いずれの場合においても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）において、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。

つまり、例えば、第１の層（Ｇ）の全層領域に前記物質
（Ｃ）を含有させるのであれば、第１の層（Ｇ）の支持
体側の方に多く分布する様に前記物質（Ｃ）が第１のＭ
　（Ｇ）中に含有される。

この様に、層領域（ＰＮ）において、前記物質（Ｃ）の
層厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との
接触界面での光学的、電気的接合を良好にすることがで
きる。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の７！、（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されてい
る層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい
。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中に含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い）の
伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来るも
のであるが、この様な物としては、所謂、半導体分野で
云われる不純物を挙げることが出来、本発明に於いては
、形成される光受容層を構成するａ　−３ｉ（Ｈ，Ｘ）
又は／及びａ−３ｉＧｅ　（Ｈ。

Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ方不純物を挙げることが出来る。

具体的には、　Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属
する原子（第■族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、ＡＭ（
アルミニウム）　、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ（インジ
ウム）、Ｔｉ（タリウム）等があり、殊に好適に用いら
れているのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
Ｏ，０ｆ−５ＸＩＯ’　ａｔ　ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、よ
り好適には０．５＝ＩＸ１０’ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ
、最適には、１〜５×１０３１０３ａｔｏ　　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
好ましくは３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、より好適
には５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以上、最適には１００
１００ａｔｏ　　ｐｐｍ以上とすることによって、例え
ば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に支持体側からの光受容層中への電子注入を効果的に阻
Ｉトすることが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が
前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ
極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容中への
正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型極性
とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）
を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有す
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）に含
有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有させ
ても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは、０、．００１〜ｌｏｏｏａｔｍ＋ｃ　　ｐｐｍ
、より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐ
ｍ、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明において、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領
域（Ｚ）における含有量としては、好ましくは３０ａｔ
ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明においては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空之暦を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される物質層（Ｃ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図において
、層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各々の図
の違いが明確でなでなくなるため、極端な形で図示して
おり、これらの図は模式的なものと理解されたい、実際
の分布としては、本発明の目的が達成される可く、所望
される分布濃度線が得られる様に、 ｔ、（ｉ≦ｉ≦８）又はＣ，（１≦ｉ≦１７）の値を選
ぶか、あるいは分布カーブ全体に適ちな係数を掛だもの
をとるべきである。

第１１図乃至８１９図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＰＮ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を示
す、即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）はｔ
Ｂ側よりｔ１側に向って層形成がなされる。

第１１図には、層領域（ＰＮ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される層
領域（ＰＮ）が形成される表面と該層領域（ＰＮ）の表
面とが接する界面位置ｔＢよりＬｌの位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成されるＮ領域（ＰＮ）に含有され、位置ｔ
、よりは濃度Ｃ７より界面位置ｔＴに至る まで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔＴにお
いては物質（Ｃ）の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第１２図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ１に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおいて濃度
ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図に場合には、位Ｒｔ　　より位１１１ｔ２まで
は、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ｃ６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔ−ｒとの間において、徐々に連続的
の減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１４図に場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ−ｒに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐
々に減少され、位１ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第１５図に示す例に於いては、物質（Ｃ）の分Ｉｒｉ濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔ−ｒに於いては濃度ＣＩＯとされ
る０位置計３と位置しＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ３より位置ｔ工に至るまで減少されてい
る。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２　より濃度ＣＩ３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４より実
質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳより濃度ＣＩ
６まで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置ｔＴとの
間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が示され
ている。

第１９図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度 ＣＩ？であり、位置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７よ
り初めはゆっくりと減少され、ｔ６の位置付近において
は、急激に減少されて位置ｔもでは濃度Ｃ１８とされる
。

位置ｔもと位置し７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置計８において、
濃度Ｃ２０に至る。

位置ｔ８と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ７゜より実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以」二、第１１図乃至第１９図により、層領域（ＰＮ）
中の含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、界面を下側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
おいて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布
状態が第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）に設けられて
いる。

本発明における受容部材を構成する光受容層を構成する
第１の層ＣＧ）又は第２の層（Ｓ）は好ましくは上記し
た様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比較的高濃度で含有
されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＴより
５ル以内設けられているのが望ましいものである。

本発明に於は、上記局在領域（Ａ）は、界面位置しＢよ
り５弘厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあるし
、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の暦（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長上
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである拳 又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原Ｔ−の分
布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
ているので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
７！　（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の！ｆ！　（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成−Ｗ素を有しているので積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは１
−９．５ＸＩＯ’　　ａｔ。

ｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好ましくは１００〜８×１０５
１０５ａｔｏ　　ｐｐｍ、最適には５ｏｏ〜７Ｘ１０’
ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましいものであ
る。

本発明に於いて第１のＲ（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の暦（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０Ａ〜５０ｐ、より好ましくは、４０Ａ　〜４０ｇ
、最適ニハ、５０Ａ　〜３０＋４．！−されるのが望ま
しい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好才しくは０．５〜９
０井、より好ましくは１〜８０μ最適には２〜５０井と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層に要求される特性と光受容
層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性に基
いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、適宜決
定される。

未発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０ＩＬ、最適には２〜５０−とされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは ＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦ｏ、ａなる関係
が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定される
のが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量がｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ　
　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０μ以下、より好ましくは２５ル以下、最適には２０．
以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の暦（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−Ｓ　ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉｄｅ　（Ｈ，
ｘ）−ｃ’構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変
化率曲線に従って制御しなからａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、
Ｘ）から成る層を形成させれば良い、又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｔで構成されたターゲットとＧｅで構成されたタ
ーゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合され
たターゲットを使用してスパッタリングする際、必要に
応じてＨｅ、Ａｒ等の希釈ガスで希釈されたＧｅ供給用
の原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の
堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、Ｓ　ｉ３　
ＨＢ　、　Ｓ　４４　Ｈｌ。等のガス状態の又゛ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点で５ｉＨｎ、Ｓｉ２　Ｈ６、が
好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇｅｍ
４．Ｇｅ２　Ｈ，、Ｇｅ３　Ｈｅ、Ｇｅ、Ｈｌ６．Ｇｅ
５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ＋＊、Ｇｅ７　Ｈ＋　　ｂ　　、　
　Ｇｅｅ　　Ｈ＋　　ｅ　　、Ｇｅｇ　　Ｈ２。

等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ
Ｈ，、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８が好ましいものとして挙
げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＬＦ、Ｃ１Ｆ３、ＢｒＦ５．Ｂｒ
Ｆ３、ＩＦ３、ＩＦ５、ＩＣｌ３、ＩＢｒ停のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２　Ｆ６．Ｓｉ０文。、ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合Ｅ゛は、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給
し得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧ
ｅから成るＮＳｌの層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳ１供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２、Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望歇混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数混合
して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成るｗＩＪｌの
層（Ｇ）を形成するには１例えばスパッタリング法の場
合にはＳｔから成るターゲットとＧｅから成るターグー
２トの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを
使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッ
タリングし。

イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結晶シ
リコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単
結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
９のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出
来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣｆＬ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化
水素、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ１２
，５ｉＨＣ文３．５ｉｌ（２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化ケイ素、及びＧｅＨＦ３　、ＧｅＦ
２　Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣｌ３　、ＧｅＦ２　Ｃ
１２、ＧｅＨ３Ｃ１，ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＦ２　Ｂｒ
２、ＧｅＨ３Ｅ　ｒ、ＧｅＨＩ３　、ＧｅＨ，、Ｉ２、
ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４．
Ｇｅ０文、、ＧｅＢｒ、。

ＧｅＩ４．ＧｅＦ２、ＧｅＣＲ２，ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ
２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々（７）カス状態の
或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５Ｉ３
Ｈ６，５ｉｎＨ＋ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給する為
のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、Ｇ
ｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３　）（Ｂ　、Ｇｅ４Ｈ，。

、Ｇｅ５Ｈ，２，Ｇｅ６Ｈ，４，Ｇｅ、Ｈ，６，Ｇｅ８
Ｈ，Ｂ　、Ｇｅｇ　Ｆ２゜等の水素化ゲルマニウムとＳ
ｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆
積室中に共存させて放電を生起させる享でも行う事が出
来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
ａｔ　ｏｍｉ　０％、より好適には０．０５〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−５３（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を形
成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが出
来る。

即ち、本発明において、ａ−５ｉＣＨ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッリング法、或いはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって成される０例えば
、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記した
シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原料
ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面−Ｌにａ　−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを
スパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｅ　４％
、より好適には５〜３０ａｔｏｍｃｉ％、最適には５〜
２５ａｔ　ｏｍｌ　ｃ％とされるのが望ましい。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、たとえば第■族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質あるいは第■族原イ導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成するための他の出発物質と
共に導入してやればよい。

この様な第■族原子導入用の出発物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状態の又は少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが好まし
い、その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ，。、
Ｂ５Ｈ，、ＢＳＨＩｌ、Ｂ６Ｈ１゜、Ｂ＆Ｈ１２，Ｂ＆
Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣ１３、ＢＢ　ｒ３
等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

この他、ＡｌＣｌ３　、ＧａＣｌ３．Ｇａ（ＣＨ３）３
．ＩｎＣｌ３．７Ｉ　　Ｃ１３％も挙げることができる
。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ４■、Ｐ　Ｆ３　、ＰＦ３
、ＰＣＩ３　、ＰＣｌ　ｓ、ＰＢ　ｒ３　、ＰＢ　ｒ５
．ＰＩｓ等のハｔｆｆゲン化燐が挙げられる。この他、
ＡｓＨ３，ＡｓＦ３　、Ａ　５Ｃ１３，ＡｓＢｒ、、、
ＡｓＦ−、、ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５．５ｂＣ１
３，５ｂＣ１５，ＳｉＨ３，５ＬＣ１３，Ｂ１Ｂｒ３等
も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることができる。

８１０図にポされる光受容部材１００４においては、第
２の層１００３上に形成される表面層１００５は自由表
面を有し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的耐圧性
、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性において本
発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面ｆｉｌｏ０５は、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後ｒａ−（ＳｉＣＨ）Ｘ　　　　　−Ｘ　　　ｙ （Ｈ，Ｘ）、　　　、Ｊ　と記す、但し、ｏくＸ、ｙ≦
１）で構成される。

ａ−（ＳｉＣＩ Ｘ　　−Ｘ）、（Ｈ２Ｘ）Ｉ−ｙで 構成される表面層１００５の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法、（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビー
ム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光受容部材を製造するための作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロゲン原子を、作製する表面層１００５中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスパ
ッターリング法が好適に採用される。更に、本発明に於
いては、グロー放電法とスパッターリング法とを同一装
置系内で併用して表面層１００５を形成してもよい。

グロー放電法によって表面層１００５を形成するには、 ａ　　（Ｓ　ｉ　Ｃ１）　　（Ｈ、Ｘ）　１−ｙｘ　　
　−ｘｙ 形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体上に形成されであ
る層上に ａ−（Ｓ　ｉＣ＋　　　）　　（”　、Ｘ　）　＋　　
ｙＸ　　　　　　−Ｘ　　　　ｙ を堆樟させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣ）） Ｘ　　　　　−Ｘ　　　ｙ （Ｈ９Ｘ）＋　　　形成用の原料ガスとしては、シ　ｙ リコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）
、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｔ　、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとして、Ｓｔを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及
びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと
、Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及び
Ｘを構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混
合比で、混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原
料ガスと、Ｓｔ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料
ガス又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

ＣＪＩ、Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｃｕが望ましいもの
である。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３　Ｈ８＋　”　’４　Ｈ
Ｄ等のシラン（ＳｉＱａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば、炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロ
ゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロ
ゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる
。具体的には、飽和炭化水素としてはメタンＣＣＨａ　
）、エタン（Ｃ２Ｈｔ、　）　、プロパン（Ｃ３Ｈｅ）
、ｎ−ブタンＣｎ−Ｃ４Ｈ）Ｏ）、ペンタン（Ｃ５ＨＬ
２）、エチレン炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３Ｈｂ　）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８
）、ブテン−２（ＣａＨｅ）、インブチレン（Ｃ４Ｈｅ
　）　、ペンテン（Ｃｓ　Ｈｌｏ）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチ
レン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（ＣＡ　Ｈ＆　）　、ハロゲ
ン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、／ＸＸロラン水素としては、Ｆ　Ｈ、ＨＩ　、
　ＨＣｌ　、　ＨＢ　ｒ　、　ハロゲン間化合物として
は、ＢｒＦ、（ＩＩＦ、（１１Ｆ３　、ＣｌＦ３　、Ｂ
ｒＦ５　、ＢｒＦ３．ＩＦ７　。

ＩＦ３．ＩＣ文、ＩＢｒ、ハロゲン化硅素としては、Ｓ
ｉＦ、、Ｓｉ２　Ｆ６．５ＩＣ１３Ｂｒ、ＳｔＣ交２　
Ｂｒ２　．５ｉＣＪＩＢｒ３　　、Ｓｉ０文、工。

ＳｉＢｒ４．ハロゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＨ
２Ｆ２　　、ＳｉＨ２Ｃ１３、ＳｉＨ３Ｃ見。

５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、ＳｉＨ，Ｂｒ２　　。

５ｉＨＢｒ３．水素化硅素としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ、
Ｈｅ　、５ｉ３Ｈａ　１ｓｉ４ＨＸ１等のシラン（Ｓｉ
文ａｎｅ）類、等々を挙げることができる。

これ等の他にＣＦ４　　、ＣＣｌ４　　、ＣＢ　ｒａ　
。

ＣＨＦ３　　、ＣＨ２Ｆ２　　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３０
文。

ＣＨ３Ｂ　Ｔ　、ＣＨ３Ｉ　、Ｃ２Ｈ５Ｃ１、等（７）
ハロゲン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４　、ＳＦ。

のフッ素化硫黄化合物、Ｓｉ　（ＣＨ３）　４　　、　
Ｓ　１（Ｃ２Ｈ５）ａ　、等のケイ化アルキルやＳｉ０
文（ＣＨ３）３　．５ｉＣ１７（ＣＨ３）７　　、Ｓｉ
Ｃ！１３ＣＨ３等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシ
ラン誘導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される
様に、表面＠１００５の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（ＣＨ３）＊と、ハロゲン原子を含有されるものとして
のＳ　ｌＨＣｌ５　、　Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃ交２，５ｉＣｕ
４．−或いは、５ｉＨ３Ｃ文等を所定の混合比にして、
ガス状態で表面層１００５形成用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させることにとってａ−（Ｓｉ　　Ｃ＋
　　　）ＣＣ１＋Ｘ　　　　　　−ｘ Ｈ）＋　　　から成る表面層１００５を形成するこ　ｙ とができる。

スパッターリング法によって表面７１１００５を形成す
るには、単結晶又は、多結晶のＳｔウェーハー又はＣウ
ェーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロ
ゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行
えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔラウ
ェ−＼−をスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては、先述したグロー放電の例で示した
表面層１００５形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えば。

Ｈｅ　、Ｎｅ　、Ａｒ等が好適なものとして挙げること
ができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ　、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（
ＳｔｘＣ，）　　　（Ｈ，ＸΣ１−　が形成される様に
、−ｘ　　　　ｙ　　　　　　　　　　　　　　　　　
ｙ所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される０
例えば、表面層１００５を電気的耐圧性の向トを主な目
的として設けるには、 ａ　　（Ｓ　Ｉ　　ＣＩ）　　　（Ｈ９ｘ）　＋　−ｙ
ｘ　　　　　　−ｘｙ は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００５が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料として ａ−（Ｓｉ　　Ｃｒ　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　−ｙ
ｘ　　　　　　−ｘｙ が作成がされる。

第２の暦表面に ａ　　（Ｓｔ　　Ｃｒ　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋−。

ｘ　　　　　　−ｘ　　　　ｙ から成る表面層１００５を形成する際、層形成中の支持
体温度は、形成される暦の構造及び特性を左右する重要
な因子であって、本発明に於いて−は、目的とする特性
を有する ａ−（Ｓｉ　　Ｃｒ　　　）　　（Ｈ，Ｘ）　１−ｙｘ
　　　　　　−ｘｙ が所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面ＩＪｌｏ０５の形成が実行されるが好まし
くは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、
最適には１００〜３００°Ｃとされるのが望ましいもの
である０表面層１００５の形成には、暦を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
。

比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッ
ターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法
で表面３１１００５を形成する場合には前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成される ａ−（Ｓｉ　　Ｃ１）　　　（ＨｌＸ）＋−ｙｘ　　　
　　　−ｘ　　　　ｙ の特性を左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有する ａ　　（Ｓ　ｉ　　Ｃ１）　　　（Ｈ９Ｘ）　＋　−ｙ
ｘ　　　−ｘｙ が生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件
としては好ましくは１０〜１００ＯＷ、より好適には２
０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくは０．０１〜ＩＴ。

ｒｒ、より好適にはＱ、ｌ　〜Ｑ、５Ｔｏ　ｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に、決められるものではなく、所望特
性の ａ　−（Ｓｉ　　Ｃｒ　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）　＋　
−ｙｘ−ｘｙ から成る表面層１００５が形成される様に相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉＣＨ） ｘ　　　　　　−ｘｙ （Ｈ，Ｘ）＋　　　　で示される非晶質材料は、大別　
ｙ すると、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質
材料（以後、［ａ−５ｉａＣ１−ａ」と記す、但し、Ｏ
＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、’　ａ　−（Ｓ　Ｉ　ｂ　
ＣＨｂ　）　。Ｈｌ−ｏ」と記す。

但し、Ｏｒｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒａ−（Ｓｔ。

Ｃ３−ｄ）ｅ（Ｈｌｘ）ｌ−ｅ］と記す。但し０＜ｄ、
ｅ＜１）　、に分類される。

本発明に於いて、表面層１００５がａ　　Ｓ　’　ａＣ
ｌ−で構成される場合、表面層１００５に含有される炭
素原子の量は好ましくは、１ｘ１０′３〜９０ａｔｏｍ
ｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最
適には１０〜７５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ま
しものである。即ち、先のａ−３ｔ　　ｅｌ　　　のａ
の表示で行えば、ａが奸まａ　　　　　　−ａ しくは０．１〜０．９９９９９、より好適には０．２〜
０．９９、最適には、０．２５〜０．９である。

本発明に於いて、表面層１００５がａ−（Ｓｉ。

Ｃ１）　　Ｈｌ　　で構成される場合、表面層ｂｅ　　
　　　−ｃ １００５に含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸ
ｌ０’　〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは
、１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子の
含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、
より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜
３０ａｔ。

ｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含
有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面に於
いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（Ｓｉ　Ｃ１−ｂ）。Ｈｌ−６の表示で
行なえばｂが好ましくは、０．１〜０゜９９９９９、よ
り好適には、０．１〜０．９９、最適には、０．１５〜
０．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９、より好適
には０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜０．９５で
あるのが望ましい。

表面層１００５が、ａ−（ＳｉＣＩ） ｄ　　　−ｄｅ （Ｈ，Ｘ）＋　　　で構成される場合には、表面層　ｅ １００５中に含有される炭素原子の含有量としては、好
ましくは、ｌＸｌ０’　〜９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、よ
り好適には、１〜９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適にはｌ
Ｏ〜８０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものであ
る。ハロゲン原子の含有量としては、好ましくは、１〜
２０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成される光
受容部材を実際面に充分適用させ得るものである。必要
に応じて含有される水素原子の含有量としては、好まし
くは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ａｔｏ
ｍｉ　ｃ％とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（ＳｉＣ１） ｄ　　　−ｄｅ （Ｈ，Ｘ）ｌ　　　のｄ、ｅの表示で行なえば、　ｅ ｄが好ましくは、０．１〜０．９９９９９、より好適に
は、０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、ｅ
が好ましくは、０．８〜０．９９、より好適には０．８
２〜０．９９、最適には　０．８５〜０．９８であるの
が望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１の層、第２の層の層厚との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい０本発明に於ける表
面層１００５の層厚としては、好ましくは０．００３〜
３０終、好適には０．００４〜２０川、最適には、０．
００５〜ｌＯ終とされるのが望ましいものである・ 表面層１００５には、機械的耐久性に対する保！１７１
としての働き、及び光学的には反射防止層としての働き
を主に荷わせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防止層と
しての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ９層厚をｄ、入射光
の波長を入とすると、 のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は１反射防止層
として適している。又２第２の層の屈折率をｎａとした
場合、表面層の屈折率ｎがｎ＝ｆ「Ｔ を満し、且つ表面層の層厚ｄが 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−３ｔ：Ｈを第２の層として用いる場合
、ａ−３ｔ：Ｈの屈折率は、約３゜３であるので、表面
層としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−
３ｔ：ＨはＣの量を調整することにより、このような値
の屈折率とすることができ、かつ機械的耐久性、層間の
密着性及び電気的特性も十分に満足させることができる
ので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層１０ｏ５を反射防止層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２ｇ
ｍとされるのがより望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｆ
Ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２　ｏ３＋３ｎ０２　）等か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、ＡＭ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、
支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上。

機械的強度等の点から、好ましくは１０．以上とされる
。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、２００２〜２００６．２０４５のガスボンベには
、本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが密封
されており、その−例として例えば２００２は、５ｉＨ
ａガス（純度９９．９９９％、以下　Ｓｉｇｎと略す）
ボンベ、２００３はＧｅＨ，ガス（純度９９．９９９％
、以下　ＧｅＨ４と略　す）ボンベ、２００４はＳｉＦ
４ガス（純度　９９．９９％、以下ＳｉＦ４と略す）ボ
ンベ、２００５はＨ２で希釈されたＢ２Ｈらガス（純度
９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ（、／Ｈ２と略す）ボンベ
、２００６はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、
２０４５はＣＨ，ガス（純度９９．９９９％）ボンベで
ある。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６．２０４５のノ（ルブ２０２２
〜２０２６．２０４４、リークバルブ２０３５が閉じら
れていることを確認し、また流入バルブ２０１２〜２０
１６．２０４３．流出バルブ２０１７〜２０２１．２０
４１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれているこ
とを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて反応
室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次に真空計
２０３’６の読みが約５Ｘ１０−’ｔｏｒｒになった時
点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バルブ２０１
７〜２０２１．２ｏ４１を閉じる。

次に、シリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガス
ポｙべ２００５．Ｊ：’１Ｂ２Ｈｒ、　／　Ｈ２ガス、
２００６よりＨ２ガスをバルブ２０２２．２０２３．２
０２５．２ｏ２６を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０
２８．２０３０゜２０３１の圧を１Ｋｇ７ｃｍ２に調整
し、流入バルブ２０１２．２０１３．２０１５．２ｏ１
６を徐々に開けて、マスフロコントロラー２００７．２
００８．２０１０．２０１１内に夫々流入させる、引続
いて流出バルブ２０１７．　２０１８．２０２０．２０
２１．補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開いて夫
々のガスを反応室２００１に流入させる。このときの５
ＩＨ４ガス流量、ＧｅＨ，ガス流量、Ｂ２ＨＯ／Ｈ２ガ
ス流量、Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出
バルブ２０１７．２０１８．２０２０．２０２１を調整
し、また、反応室２００１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０
３４の開口を調整する。　そして、基体２０３７の温度
が加熱ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範囲の
温度に設定されていることを確認した後、電源２０４０
を所望の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電
を生起させ、同時にあらかじめ設計されたガス変化率曲
線に従ってＢ２Ｈ＆／Ｈ２ガスの流量を手動あるいは外
部駆動モータ等の方法によってバルブ２０２０の開口を
漸次変化させる操作を行って形成される層中に含有され
る硼素原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１のｌ　（Ｇ）が形成された段階において、
流出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じ
て放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って
所望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上
にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）を形成することができる。

又、第１の層（Ｓ）及び第２の層ＣＧ）の各層には、流
出バルブ２０２０を適宜開閉することで゛硼素を含有さ
せたり、含有させなかったり、１＆いは各層の一部の層
領域にだけ硼素を含有させることもできる。

上記の第２の層（Ｓ）を形成した後、マスフロコントロ
ーラー２００７と２０４２を所定の流量比に設定する以
外は、同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放電
を維持することで、第２のＭ　（Ｓ）上にシリコン原子
と炭素原子から主に構成される表面層を所望層厚に形成
することができる。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ Ａ）支持体（長さく　Ｌ　）　３５７　ｍ　ｍ　、　Ｐ
６　（ｒ　）８０ｍｍ）を旋盤で第２１図（Ｂ）に示す
様な表面性に加工した。

次に、第２０図の堆積装置を使用し、第５表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、　Ａ−３ｉの電子写真
用光受容部材を前述のＡ１支持体りに堆積した。

尚、表面層の堆積は次の様にして行なわれた。

第２層の堆積後、１４５表に示す様にＣＨ４ガス流量が
ＳｉＨ４ガス流量に対して流量比がＳｉＨ４／ＣＨ４＝
１／３０となる様に各ガスに対応するマスフロコントロ
ーラーを設定し、高周波電力１５０Ｗテ０　、５　ｐｍ
厚のａ−ＳｉＣ（Ｈ）を堆積した。

この様にして作製したＡ−３ｔ：Ｈの電子写真用光受容
部材の表面状態は第２１図（Ｃ）の様であった。

以上の様な電子写真用の光受容部材について、第２６図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０ＡＬｍ）で画像露光を行い、それを現像、
転写、して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は
観察されず、実用に十分なものであった。

実施例２ 実施例１と同様にして第２層まで堆積した後、水素（Ｈ
２）ボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取りかえ、
堆積装置を清掃し、カソード電極ｌ−にＳｉからなるス
パッタリング用ターゲットとグラファイトからなるスパ
ッタリング用ターゲットとを面積比が第１表試料Ｎｏ、
１０１に示す如くになる様に一面にはる。前駆光受容部
材を設置し、堆積装置内を拡散ポンプで十分に減圧する
。

その後アルゴンガスをＯ，０１５ｔｏｒｒまで導入し高
周波電力１５０Ｗでグロー放電を起して表面材料をスパ
ッタリングして前記支持体上に第１表試料Ｎｏ、１０１
の表面層を堆積した。

同様にして、Ｓｉとグラフフィトのターゲットの面積比
を変えて、表面層を第１表試料Ｎｏ、１０２〜１０７に
示される様に形成する以外は上記と同様の方法で光受容
部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第１表の如き結果を得た。

実施例３ 表面層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣＨ，ガスの流量比を
変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法によ
って電子写真用光受容部材の夫々を作製した。

゛こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき
、実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの
工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ
、第２表の如き結果を得た。

実施例４ 表面層の形成時、５ｆＨ４ガス、５ｊＦｎガス、ＣＨ，
ガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコン原子と
炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く
同様な方法によって電子写真用光受容部材の夫々を作製
した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第３表の如き結果を得た。

実施例５ 表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同様な方法
によって電子写真用光受容部材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様に、作像、現像、クリーニングの工程を
繰り返し、第４表の如き結果を得た。

実施例６ 表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２ルｍとする以外は実施例１と全く同様な方法によって
電子写真用光受容部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の平均
層厚差は中央と両端で０．５μｍであった。また、微小
部分での層厚差は０．１１１．ｍであった・ この様な電子写真用光受容部材では干渉縞は観察されず
、また実施例１と同様な装置で作像、現像、クリーニン
グの工程を繰り返し行ったが、実用に十分なものであっ
た。

実施例７ 第２７図に示す表面性のシリンダー状ＡＩ支持体上に、
第６表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にして
電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙Ｆに可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて４干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像とｌ
Ｏ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例８ 第２８図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支持体りに、
第７表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にして
電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例９ 第２９図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支持体上に、
第８表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にして
電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、−［渉縞は見
られず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と
ｌＯ万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画
像であった。

実施例１Ｏ 第２７図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支持体上に、
第９表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にして
電子写真用光受容部材を形成した。

なお、硼素含有層は、Ｂ２　Ｈｂ　／Ｈ２の流量を第２
２図のようになるように、Ｂ２Ｈｂ）Ｈ２のマスフロコ
ントローラー２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１１ 第２８図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支持体１−に
、第１０表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様に
して電子写真用光受容部材を形成した。

なお、硼素含有層は、ＢＺＨも／Ｈ２の流量を第２３図
のようになるように、８２　Ｈ６／Ｈ２のマスフロコン
トローラー２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ
）により制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光な行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１２ 第２９図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支持体上に、
第１１表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にし
て電子写真用光受容部材を形成した。

なお、硼素含有層は、ＢｚＨ６／Ｈ２の流量を第２４図
のようになるように、Ｂｔｆｌ＆／Ｈ２のマスフロコン
トローラー２０１０をコンピューター　（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙」二に可視画像を得た。この様な画
像形成プロセスをｌＯ万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像とｌ
Ｏ万回目の画像の間には同等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１３ 第２７図に示す表面性のシリンダー状ＡＩ支持体上に、
第１２表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にし
て電子写真用光受容部材を形成した。

なお、硼素含有層は、Ｂ２Ｈ＆／Ｈ２の流量を第２５図
のようになるように、Ｂ２Ｈ６／Ｂ２のマスフロコント
ローラー２０１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）
により制御して形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像とｌ
Ｏ万回目の画像の間には同等差異ハ存＜、高品質の画像
であった。

実施例１４ 実施例１から実施例１３までについてＢ７で３０ＱＯＶ
ｏｌ　　ｐｐｍに希釈したＢ２Ｈ，ガスの代りにＢ２で
３０００Ｖｏｌ　　ｐｐｍに希釈したＰＨ３ガスを使用
して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の作製条件は、実施例１から実施例１３までと
同様にした。

これらの電子写真用光受容部材についＴれ第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト［８０ｇｍ）で、画像露光を行ない、それを現像転写
して画像を得た。何れの画像にも干渉縞模様は観察され
ず実用に十分なものであった。

［発明の効果］ 以−ｈ、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉
性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であ
り、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時
の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ
、しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性、及び光受容特性
に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図は代表的な支持体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、層領域（ＰＮ）における物質
（Ｃ）の分布状態を説明するための説明図である。 第２０図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第２１図は、実施例で用いたＡ〕支持体の表面状態の説
明図である。 第２２図から第２５図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置である。 第２７図、第２８図、第２９図は、実施例で使用したＡ
Ｉ支持体の表面状態の説明図である。 １０００・・・・・・・・・光受容層 １００１・・・・・・・・・ＡｆＬ支持体１００２・・
・・・・・・・第１の層 １００３・・・・・・・・・第２の暦 １００４・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・表面層 ２６０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６
０２・・・・・・・・・半導体レーザー２６０３・・・
・・・・・・ｆθレンズ２６０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２６０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図２６０６・・・・・・・・・露光装置の側面図。 Ａ瓦　厘 ９３　　図 ＩＩ４　　図 墳　５　図 ＠　６　図 （Ｄ） ＠　７　図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ） ■ρ イ狂５【 ！　８　図 箪９図 と 笛　ＩＩ　ｒｌ！Ｊ Ｃ 箪１２図 第　ノ３Ｉ！！ 第　ノチ　図 −ご− ＠　／夕（２） し 第　／６１！１ ｍ　２／　　図 （Ａ） （８）　　　　　　　　　　　　　　　（Ｃ）Ｄ＋ｍ）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（）Ｊｍ）１２
２　図 第２３図 ＩＩ　２４　　図 ！　２５　図 第２６図

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
   と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からな
   る表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光
   受容層と；を有する光受容部材において、前記第１の層
   及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質
   が含有され、該物質が含有されている層領域において、
   該物質の分布状態が層厚方向に不均一であることを特徴
   とする光受容部材。
2. （２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
3. （３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
4. （４）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。
7. （７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
8. （８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
   請求の範囲第１項に記載の光受容部材。